JP2002519798A

JP2002519798A - リライタブル光情報媒体

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Publication number: JP2002519798A
Application number: JP2000556368A
Authority: JP
Inventors: ジョウ，グオ−フー; ファン・ウァウデンベルグ，ルール
Original assignee: Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1998-06-22
Filing date: 1999-05-25
Publication date: 2002-07-02
Also published as: US6735165B1; WO1999067778A2; TW476942B; EP1038295A2; WO1999067778A3

Abstract

(57)【要約】２つの誘電体層（３，５）で挟まれた相変化記録層（４）と、金属ミラー層（６）を有するＩＰＩＭスタック（２）を有するディスク状のリライタブル光情報媒体が記載される。記録層（４）の厚みは半径ｒの上昇と共に徐々に増加する。この結果、記録されたマークの完全な消去時間ＣＥＴは、内半径ｒ_ｉから外半径ｒ_ｏへ減少する。従って、外半径に近い点で、マークは、内半径に近い点よりも高い線速度で記録できる。この効果は、記録媒体が、一定角速度（ＣＡＶ）で記録するのに使用できることを保証する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、−第１の誘電体層、 −内半径と外半径を持つ環状の記録領域を形成し、結晶状態のときにアモルファ
スマークを記録できる相変化材料の記録層、 −第２の誘電体層、 −金属ミラー層の順序の、層のスタックを担うディスク状基板を有する、レーザ光ビームにより
一定角速度でリライタブル記録をするための光情報媒体に関する。

【０００２】本発明は、また、一定角速度での記録に対する、そのような光記録媒体の使用
に関する。

【０００３】相変化原理に基づく光情報又はデータ蓄積は魅力的である。直接オーバーライ
ト（ＤＯＷ）の可能性と、読み出し専用システムと簡単に互換性を取りながらの
高蓄積密度を結びつけるからである。合焦レーザ光ビームを使用して薄い結晶フ
ィルムにサブミクロンメータの大きさのアモルファス記録マークを形成する。情
報の記録中は、媒体は、記録されるべき情報にしたがって変調された合焦レーザ
光ビームに関して移動される。これにより、相変化記録層に冷却が起こり、記録
層の露光領域のアモルファス情報ビットの形成を生じる。記録層の露光されてい
ない領域は、結晶で残る。書込まれたアモルファスマークの消去は、同じレーザ
で熱することにより再結晶化することで実現される。アモルファスマークは、デ
ータビットを表し、低パワー合焦レーザ光ビームにより基板を通して再生される
ことができる。結晶記録層に関するアモルファスマークの反射の差は、レーザ光
ビームを変調し、続いて、検出器により、符号化され記録されたディジタル情報
による変調された光電流に変換される。

【０００４】相変化光記録の1つの問題は、高消去（結晶化）速度を得ることである。高結
晶化速度は、特にディスク状のＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−リライタブルシステム
及び、ＤＶＲ（ディジタルビデオレコーダ）などの、高密度記録且つ高データレ
ートの応用で必要とされる。結晶化速度が、レーザ光ビームと相対的に媒体の線
速度と一致するほど充分に速くないと、前の記録の旧データ（アモルファスマー
ク）は、ＤＯＷ中に完全に除去（再結晶化）されず、高ノイズレベルを引き起こ
す。例えば、７．２ｍ／ｓの一定の記録速度（即ち、コンパクトディスク規格の
６倍の速度）でＤＶＤ−ＲＡＭディスクに記録するために、相変化記録層の完全
消去時間（ＣＥＴ）は、６０ｎｓ以下でなければならない。記録速度は、記録媒
体の記録層と、この記録層上にレーザ光ビームで形成されたスポットとの間の速
度の大きさである。記録媒体にデータを記録しているときは、記録速度は記録層
上のレーザ光ビームのスポットの位置の関数として変化し得る。記録速度の変化
は、一定角速度（ＣＡＶ）でディスク状記録媒体回転して記録するときに起こる
。ＣＡＶでの相変化光記録は、特にコンピュータ及び、ビデオ応用では重要であ
る。外周から内周へのアクセス時間は、ＣＡＶ記録の方が、一定線速度（ＣＬＶ
）記録よりも非常に短い。ＣＬＶ記録では、記録層上でのレーザ光ビームのスポ
ットの半径位置が減少するときに、媒体の回転速度は、増加しなけらばならない
からである。この回転速度の半径位置への適応は、媒体の慣性により比較的遅い
。

【０００５】記録が一定角速度で回転するディスクに行われるとき、半径が減少すると、線
速度が減少する。例えば、周波数２０Ｈｚで回転する１２０ｍｍディスク（ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭフォーマットＢ’又は、ＤＶＤ＋ＲＷ３．０）の場合には、外周の線
速度は、約７．３ｍ／ｓ（半径ｒ＝５８ｍｍで）であり、内周では約３ｍ／ｓ（
半径ｒ＝２４ｍ／ｓで）である。そのような線速度では、線速度が最高の外周で
記録を完全に行うためには、記録層のＣＥＴは、６０ｎｓ以下でなければならな
い。しかし、（同じ回転周波数で）ディスクの内周で記録が行われる場合に、高
結晶化レート及び、比較的低い線速度のために、再結晶化は、ＤＯＷ中に発生す
る。これは、マークのエッジが正しく画定されず、そして、高ジッタ、アモルフ
ァス反射の大きな増加及び変調度の低下を起こす。

【０００６】前文で述べた形式の光情報媒体は、出願人により出願された国際特許出願ＷＯ
９７／５００８４（ＰＨＮ１５８８１）から知られている。相変化型のこの知ら
れた媒体は、２つの誘電体層に挟まれたＧｅＳｂＴｅ化合物の相変化記録層、及
び、反射層としての金属ミラー層を有するスタックを担う、基板を有する。この
ような層のスタックはＩＰＩＭ構造として参照される。ここでＩは誘電体層、Ｐ
は相変化記録層及び、Ｍは金属ミラー層を示す。あるＧｅＳｂＴｅ化合物と、よ
く画定された記録層の層の厚み及び、第２の誘電体層で、約５０−６０ｎｓのＣ
ＥＴ値が得られる。層の厚さは、７．２ｍ／ｓの一定線速度で最適化される。こ
のような記録がＣＡＶで使用されるときに、ディスクの半径に亘る線速度の差に
より、上述の問題が発生する。

【０００７】本発明の目的は、とりわけ、ＤＶＤ−ＲＡＭとＤＶＲのような一定角速度（Ｃ
ＡＶ）での記録に適し、高データレート及び、高密度光記録に適したリライタブ
ル光情報媒体を提供することである。

【０００８】この目的は、記録層は、内半径から外半径に徐々に厚さが増加することを特徴
とする前文で述べた光情報媒体により本発明にしたがって達成される。ＧｅＳｂ
Ｔｅ化合物のＣＥＴ値は、層の厚さが増加するにしたがって減少することが上述
のＷＯ９７／５００８４から知られている。ＧｅＳｂ_２Ｔｅ_４のようなこれらの
材料は、層の厚さが１５から２７ｎｍの増加でＣＥＴ値はほぼ線形に減少する。
この厚さの範囲で、ＣＥＴは３の係数で減少する。減少の傾斜は、ＧｅＳｂＴｅ
化合物の組成に依存する。外周と内周の間の線速度差は、ＣＥＴの差と同様な大
きさの次元なので、層変化記録層の変化する厚さを持つディスクは、内周の記録
層の厚さが、外周よりも小さい時に、ＣＡＶ記録に適している。内周から外周へ
記録層の厚さが徐々に増加する場合に、レーザ光ビームのスポットと記録層の間
の線速度の上昇は、ＣＥＴの適切な減少、即ち記録層の高速な結晶化レートによ
り合わせることができる。

【０００９】記録層の厚み範囲の選択は、ＣＥＴ対厚さ曲線及び、内周と外周の間の線速度
差により決定される。ＣＥＴ対厚さ曲線は、厚さ範囲が１５から２７ｎｍの化合
物ＧｅＳｂ_２Ｔｅ_４で、（ほぼ）線形であるなら、記録層の厚さは、内周から外
周へ（ほぼ）線形に増加する。

【００１０】記録層は、結晶−アモルファス相遷移を示す相変化材料を有するのが好ましい
。知られた材料は、例えば、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
、Ｔｅ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ及び、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅの合金である。好まし
くは、記録層は、ＧｅＳｂＴｅ化合物を有する。特に、上述の特許出願ＷＯ９７
／５００８４に記載された化合物が有益である。これらの化合物は、式により、
原子の割合で画定される組成を有する。Ｇｅ_５０ｘＳｂ_{４０−４０ｘ}Ｔｅ_{６０−１０ｘ}、ここで、０．１６６＜ｘ＜０．
４４４である。これらの組成は三角Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ組成図で化合物ＧｅＴｅ及
び、Ｓｂ_２Ｔｅ_３と結合した線上に位置しており、化学式通りの化合物Ｇｅ_２Ｓ
ｂ_２Ｔｅ_５（ｘ＝０．４４５）、ＧｅＳｂ_２Ｔｅ_４（ｘ＝０．２８６）及び、Ｇ
ｅＳｂ_４Ｔｅ_７（ｘ＝０．１６６）を含む。これらの化合物は低ＣＥＴ値を示す
。

【００１１】他の好ましい化合物は、出願人による出願の未発行欧州特許出願番号９７２０
３４５９．９（ＰＨＮ１６５８６）に記載されている。

【００１２】これらの化合物は、３つの組成図Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの領域により原子の割合が
画定された組成を有する。前記領域は、五角形の形で、以下の頂点を有する。Ｇｅ_１４．２Ｓｂ_２５．８Ｔｅ_６０．０（Ｐ）Ｇｅ_１２．７Ｓｂ_２７．３Ｔｅ_６０．０（Ｑ）Ｇｅ_１３．４Ｓｂ_２９．２Ｔｅ_５７．４（Ｒ）Ｇｅ_１５．１Ｓｂ_２７．８Ｔｅ_５７．１（Ｓ）Ｇｅ_１３．２Ｓｂ_２６．４Ｔｅ_６０．４（Ｔ）これらの化合物で、５０ｎｓ以下のＣＥＴ値が達成できる。

【００１３】他の好ましい化合物は、組成（ＧｅＳｂ_２Ｔｅ_４）_１−ｘＴｅ_ｘここで、モル部分ｘは、０．０１＜ｘ＜０．３７を満たす。これらの組成は、３
つの組成図の中で、ＧｅＳｂ_２Ｔｅ_４及び、Ｔｅに結合される結合線上であるが
しかし、五角形領域ＰＱＲＳＴ内に、位置している。これらの組成で、４５ｎｓ
より小さいＣＥＴ値が得られる。

【００１４】３．５％までの酸素が上述のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物に加えられたときに、更
に低ＣＥＴ値が達成される。

【００１５】上述のＧｅＳｂＴｅ化合物及び、他の相変化材料の、結晶化速度又は、ＣＥＴ
値は、記録層の層の厚さに依存する。ＣＥＴは層の厚さが１０ｎｍまで増加する
と、急速に減少する。１５から２７ｎｍの間で、ＣＥＴは厚さに（ほぼ）線形に
減少する。記録層が２７ｎｍよりも厚い場合には、ＣＥＴは基本的に厚さと独立
である。３５ｎｍ以上であると、媒体のサイクル能力は悪影響を受ける。媒体の
サイクル能力は、例えば、１０⁵ の大きな数のＤＯＷサイクルの後の光学的コン
トラストＣの相対的変化により測定される。各サイクルで、書きこまれたアモル
ファスビットはレーザ光ビームで熱せられ再結晶化することにより消去され、一
方、新しいアモルファスマークが書きこまれる。理想的な場合には、サイクル後
に光学的コントラストＣは変化しない。サイクル能力は、実際には、３５ｎｍの
記録層の厚さまでは一定である。

【００１６】第１及び、第２の誘電体層は、例えば、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０のよ
うなＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物で作られる。層はまた、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｚ
ｎＳ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ及び、Ｔａ_２Ｏ_５でも作られる。好ましくは、ＳｉＣ
、ＷＣ、ＴａＣ、ＺｒＣ、又は、ＴｉＣのようなカーバイドが使用される。これ
らの材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２混合物よりも、高い結晶化速度と良いサイクル能
力を与える。

【００１７】金属ミラー層に対しては、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｔ
、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、及び、Ｃｒなどの金属、及び、これらの金属の合金
が使用できる。好ましい合金の例は、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ及び、ＡｌＴａである
。

【００１８】第１の誘電体層の（基板と記録層の間の）厚さは、７０から[７０＋λ／（２
ｎ）]ｎｍの間であることが好ましく、ここで、λはレーザ光ビームの波長で、
ｎは誘電体層の屈折率である。厚さが７０ｎｍよりも小さい場合には、サイクル
能力はかなり減少する。厚さが７０＋λ／（２ｎ）ｎｍ以上の場合には、サイク
ル能力の更なる増加はせず、光学的コントラストＣに悪影響を及ぼし、且つ、製
造するのに高価である。例えば、波長が６３０ｎｍに等しく、屈折率が１．５の
場合には、厚さの範囲は、７０ｎｍから２８０ｎｍへ伸びる。

【００１９】優先の実施例では、第１の誘電体層の厚さは、内周から外周へ徐々に減少し、
それによって、頂部反射及び、変調は、内周から外周へ基本的に一定である。第
２誘電体層の最適な厚さ範囲即ち、記録層と金属ミラー層の間の層は、１５から
５０ｎｍの間であり、好ましくは、２０から４０ｎｍである。この層が薄すぎる
とき、記録層と金属ミラー層の間の熱の遮断は、最悪となる。この結果、記録層
の冷却率は、上昇し、低速の結晶化処理と悪いサイクル能力を引き起こす。冷却
率は、第２誘電体層の厚さを増加すると、減少する。

【００２０】金属ミラー層の厚さは、好ましくは６０から１６０ｎｍの間である。金属ミラ
ー層が６０ｎｍよりも薄いときには、サイクル能力は、悪影響される。冷却レー
トが低速過ぎるためである。金属ミラー層が１６０ｎｍ及び、厚い場合、サイク
ル能力は劣化する。そして、上昇した熱伝導のために、記録及び、消去パワーは
、高くなければならない。金属ミラー層の最適な厚さは、８０から１２０ｎｍの
間である。

【００２１】本発明による、更なる、媒体の改良は、カーバイド層が記録層と第１及び第２
の誘電体層との間に挿入されることを特徴とする。カーバイド層は、記録層の両
側に配置される。得られたスタックは、構造ＩＩ^＋ＰＩ^＋ＩＭを有し、ここで、
Ｉ^＋はカーバイド又は、窒化物層を表す。これらの更なるカーバイド又は、窒化
物層は、サイクル能力と記録層の結晶化速度を改善する。カーバイド又は、窒化
物層の厚さは、２から８ｎｍの間が好ましい。カーバイド又は、窒化物の比較的
高い熱伝導率は、厚さが小さい場合には、スタックに小さな影響しか及ぼさない
。それにより、スタックの熱設計を容易にする。カーバイド層のカーバイドは、
大きなサイクル能力と短い結晶化時間を結びつけるＳｉＣ，ＺｒＣ，ＴａＣ，Ｔ
ｉＣ，ＷＣのグループの一部であることが望ましい。ＳｉＣは、光学的、機械的
及び、熱的特性、更に比較的低い価格により、好ましい材料である。Ｓｉ_３Ｎ_４及び、ＧｅＮは、好ましい窒化物である。

【００２２】特定の実施例では、スタックは、光吸収層Ａを伴って伸びその結果ＩＰＩＡＩ
Ｍ又は、ＩＩ^＋ＰＩ^＋ＡＩＭ構造となる。そのような光吸収層は、記録層のアモ
ルファスと結晶状態の間の光吸収の差を減少する。この結果、結晶領域にオーバ
ーライトされた記録マークは、アモルファス領域のマークと同じサイズを有する
。この効果はジッタを減らし、そのような記録媒体の蓄積密度を非常に高めるこ
とができる。他の優位点は、結晶とアモルファス状態の間の光学的位相差が実質
的にゼロとできることであり、ランド−グルーブ記録には好ましい。光吸収層Ａ
の材料は０．５から２０の間の、好ましくは０．６から１６の間の範囲のｎ／ｋ
比を有する。複素屈折率は、

【００２３】

【外１】である。これらの値は、光吸収と透過の適切なバランスと与える。これらの条件
を満たす材料の例は、Ｍｏ，Ｗ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｃｒ，
Ｔｉ及び、Ｈｆよりなるグループから選択された金属又は、ＰｂＳ，Ｇｅ，Ｉｎ
Ｐ及び、Ｓｉよりなるグループから選択された半導体材料である。安価で簡単に
適用できるので、好ましいのはＳｉ及び、Ｇｅである。Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ及び、
Ｒｈのような金属は、ｎ／ｋ値が範囲外なので、この条件を満たさない。光吸収
と透過の間の適切なバランスを得るためには、光吸収層の厚さＡは、好ましくは
、２から２００ｎｍの間で、更に好ましくは、１０から１００ｎｍの間であり、
また、選択した材料のｎ／ｋ比に依存する。例えば、Ｓｉに関しては、厚さは約
７５ｎｍ、Ｍｏに関しては厚さは約３５ｎｍ、そして、Ｇｅに対しては、厚さは
約５５ｎｍである。

【００２４】代わりの実施例では、スタックは、ｍＩＰＩＭ、ｍＩＩ^＋ＰＩ^＋ＩＭ、ｍＩＩ ^＋ＰＩ^＋ＩＡＩ、又は、ｍＩＩ^＋ＰＩ^＋ＩＡＩＭ構造を有し、ここでＩ，Ｉ^＋，
Ｐ，Ａ及び、Ｍは上述の意味であり、ここでｍは例えば、Ａｕの薄い透明金属層
である。

【００２５】反射ミラー層、光吸収層、カーバイド又は、窒化物層及び、誘電体層は、蒸着
又は、スパッタで設けられ得る。

【００２６】相変化記録層は、真空蒸着、電子ビーム真空蒸着、化学蒸着、イオンめっき、
又は、スパッタにより、基板に与えられる。配置された層は、アモルファスであ
り、低反射率を示す。光反射を有する好ましい記録層を構成するために、この層
は、最初に完善に結晶化されねばならない。これは、初期化として参照される。
この目的のために、記録層は炉の中で、例えば、１８０°ＣのＧｅＳｂＴｅ化合
物の結晶化温度以上の温度に熱せられる。ポリカーボネートのような、合成レジ
ン基板が使用される場合には、記録層を、代わりに充分なパワーのレーザ光ビー
ムにより熱することができる。これは、例えば、記録装置で実現され、この場合
には、レーザ光ビームは移動する記録層を走査する。アモルファス層は、基板が
、不利な熱負荷を受けること無く、層を結晶化するのに要する温度に局所的に熱
せられる。

【００２７】情報媒体の基板は、少なくともレーザの波長に対しては透明で、また、例えば
、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリ
オレフィン又は、ガラスで作られる。典型的な例ではディスク状基板は、直径１
２０ｍｍで、厚さ０．１，０．６又は、１，２ｍｍを有する。０．６又は、１．
２ｍｍの基板が使用されたときには、この基板上に、第１誘電体層から始まる記
録層等の、層を、作ることができる。レーザ光ビームは基板の入力面を介して、
スタックに入る。基板上のスタックの層は、逆順に、即ち、金属ミラー層から始
めて作られ得る。最後の誘電体層は、厚さ０．１ｍｍの上述の基板材料の１つの
透明層が設けられる。レーザ光ビームは、この透明層の入力面を介してスタック
に入る。

【００２８】記録層側のディスク状基板の面は、光学的に走査できるサーボトラックが設け
られているのが好ましい。このサーボトラックは、しばしば、同心円又は、螺旋
状のグルーブで構成される。グルーブは、射出成形又は、プレス中に、モールド
により基板に形成されることができる。グルーブは、代わりに、例えば、基板上
に分離して設けられている、アクリル酸塩のＵＶ光硬化層の、合成レジン層に複
製処理で形成できる。高密度記録では、このようなグルーブは、例えば、０．６
から１．２μｍのピッチ及び、ピッチの約半分の幅を有する。

【００２９】随意に、スタックの最外の層は、例えば、ＵＶ光硬化のポリ（メタ）アクリル
酸塩の保護層により、環境から保護される。

【００３０】高密度記録及び、消去は、例えば、波長６７０ｎｍ以下（赤から青）の短波長
レーザを用いて達成されることができる。

【００３１】日本国特許出願ＪＰ−Ａ−３−２１６８２７の要約は、記録層の厚さが、内周
から外周へ減少する、即ち、本発明による記録層の厚みの増加と反対の光記録媒
体が開示されている。前記文献は、異なる問題に関連する。半径方向の厚みの減
少は、媒体が一定角速度で回転するときに、一定パワーでの記録を可能とする。

【００３２】本発明は、図を参照して、実施例により更に詳細に説明される。実施例図は、本発明による光情報媒体の概略の断面図を示す。参照番号１は、直径１
２０ｍｍで、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートのディスク状基板を示す。基板
１は、以下の構造のＩＰＩＭスタック２が設けられている。 −半径方法ｒに、（内半径ｒ_ｉで）１２０ｎｍから（外半径ｒ_ｏで）９２．４ｎ
ｍの線形に減少する厚さを持つ（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０の第１の誘電体
層３、 −化学式通りのＧｅＳｂ_２Ｔｅ_４（Ｇｅ_１４．３Ｓｂ_２８．６Ｔｅ_５７．１）に
近く、半径方法ｒに、（内半径ｒ_ｉで）１５ｎｍから（外半径ｒ_ｏで）２７ｎｍ
の線形に厚みが増加する、（原子の割合で）組成Ｇｅ_{１４．０５}Ｓｂ_{２８．１５} Ｔｅ_{５７．８０}を持つ相変化化合物の記録層４、 −厚さ２５ｎｍの（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０の第２の誘電体層５、 −厚さ１００ｎｍのＡｌの金属ミラー層６。

【００３３】記録層４は、半径ｒ_ｉからｒ_ｏの間の角の記録領域を形成する。

【００３４】スタック２は、ＵＶ硬化のポリアクリル酸塩の保護層（図示していない）で被
われている。

【００３５】基板１は、複製処理中にアクリル酸塩の層をＵＶ光硬化させることにより、一
方の側に、螺旋トラッキングガイドグルーブ（図示していない）が設けられる。

【００３６】保護層を除く全ての層は、スパッタで設けられる。半径方向の層の厚みの変化
は、スパッタ中に、基板とスパッタターゲットの間に、変化する隙間を持つ隔壁
を挿入することにより得られる。

【００３７】記録層４の初期結晶状態は、記録装置中で、合焦レーザビームで、配置された
アモルファス合金を熱することにより得られる。

【００３８】情報の記録、再生及び、消去用の波長６７０ｎｍのレーザ光ビームは、基板１
を介してスタック２へ入る。このビームは概略、矢印７で示される。アモルファ
スマークは、パワーＰ_ｗ＝１．２５Ｐ_ｍ（Ｐ_ｍ＝溶融閾値パワー）と継続時間１
００ｎｓの１つ又はそれ以上のレーザパルスで書かれる。消去パワーは、Ｐ_ｗ／
２である。

【００３９】以下の表は、結果を示す。第１欄は、記録層の半径ｒを示す。第２欄は、第１
誘電体層３の厚さｄ_３を示す。第３欄は、記録層４の厚さｄ_４を示す。第４及び
、第５欄は、アモルファスの反射率と、結晶化相を、それぞれ示す。第６欄は、
１００（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃで定義される光学的コントラストＣを示す。第７欄
は、記録層のＣＥＴを与える。ＣＥＴは、静的に測定された、結晶環境での、書
きこまれたアモルファスマークの完全な結晶化のための消去パルスの最小継続時
間で定義される。

【００４０】

【表１】表は、ディスクの中心からな半径距離ｒが増加すると共に、記録層のＣＥＴが
減少すること（即ち、高結晶化レートを）を示す。これは、前記半径方向の記録
層の線速度の増加に合致する。表は、また、スタックは、光学的特性の要求、即
ち、高結晶反射及び、良好なコントラストを満たす。結晶反射の最大変動は、１
５から２７ｎｍの比較的大きな記録層厚み範囲で、５％以下に制限される。

【００４１】本発明によれば、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ又は、ＤＶ
Ｄ−Ｒのような、一定角速度（ＣＡＶ）での記録に適する、ＩＰＩＭスタックを
有するディスク状のリライタブル相変化光情報媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光情報媒体の概略の断面図を示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ１， 5621 ＢＡＥｉｎｄｈｏｖｅｎ，ＴｈｅＮｅｔｈｅｒｌａｎｄｓＦターム(参考） 5D029 JA01 JB35 LB07 LB08 MA11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】 −第１の誘電体層、 −内半径と外半径を持つ環状の記録領域を形成し、結晶状態のときにアモルファ
スマークを記録できる相変化材料の記録層、 −第２の誘電体層、 −金属ミラー層の順序の、層のスタックを担うディスク状基板を有する、レーザ光ビームにより
一定角速度でリライタブル記録をするための光情報媒体であって、記録層は、内半径から外半径に徐々に厚さが増加することを特徴とする光情報
媒体。
【請求項２】記録層は、ＧｅＳｂＴｅ化合物を有することを特徴とする請
求項１記載の光情報媒体。
【請求項３】記録層の厚さは、１０から３５ｎｍの間の範囲で、好ましく
は１５から２７ｎｍの間の範囲であることを特徴とする請求項１記載の光情報媒
体。
【請求項４】第１の誘電体層の厚さは、７０から[７０＋・／（２ｎ）]ｎ
ｍの間であり、・はレーザ光ビームの波長であり、また、ｎは誘電体層の屈折率
であることを特徴とする請求項１記載の光情報媒体。
【請求項５】第１の誘電体層の厚さは、内半径から外半径へ徐々に減少す
ることを特徴とする請求項１記載の光情報媒体。
【請求項６】第２の誘電体層の厚さは、１５から５０ｎｍの間であること
を特徴とする請求項１記載の光情報媒体。
【請求項７】金属ミラー層の厚さは、６０から１６０ｎｍの間であること
を特徴とする請求項１記載の光情報媒体。
【請求項８】記録層と、第１及び第２の誘電体層の間に、カーバイド層が
挿入されたことを特徴とする請求項１記載の光情報媒体。
【請求項９】一定角速度での記録のための、請求項１乃至８のうちいずれ
か一項記載の光情報媒体の使用。