JP2002517883A - 導電性フォーカスワッフル - Google Patents
導電性フォーカスワッフルInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
電界放出ディスプレイが、基板（１００）と、誘電性層（１０２）内に配置された電界エミッタ構造体（１０６）と、ゲート電極層（１０４）と、絶縁性材料層（１１０）と、本発明の導電性フォーカスワッフル構造体を形成する導電性材料層（１１６）と、を含む。
Description
【０００１】 （技術分野） 本発明はフラットパネルディスプレイの分野に関する。より特定的には、本発
明は、フラットパネルディスプレイ画面構造体の「フォーカスワッフル」に関す
る。
明は、フラットパネルディスプレイ画面構造体の「フォーカスワッフル」に関す
る。
【０００２】 （背景技術） フラットパネルディスプレイ装置はしばしば、例えばスピンドタイプの電界エ
ミッタなどの電子放出構造体を用いて動作する。これらのタイプのフラットパネ
ルディスプレイはしばしば、電子放出構造体から放出された電子の経路を収束す
る又は画定するためにポリイミド製構造体を用いる。１つの先行技術による方式
では、このポリイミド製構造体は「フォーカスワッフル」と呼ばれている。この
構造体は、互いに平行な複数の行と、互いに平行であるが前記複数の行に対して
実質的に直交する複数の列と、から成っている。ポリイミド材料のこの複数の行
と列は自身同士間にある開口を画定している。このフォーカスワッフルは、放出
された電子がフォーカスワッフル構造体の開口中を通過して、対応するサブピク
セル領域に向けて方向付けされるように電子放出構造体とフェースプレートの間
に配置されている。
ミッタなどの電子放出構造体を用いて動作する。これらのタイプのフラットパネ
ルディスプレイはしばしば、電子放出構造体から放出された電子の経路を収束す
る又は画定するためにポリイミド製構造体を用いる。１つの先行技術による方式
では、このポリイミド製構造体は「フォーカスワッフル」と呼ばれている。この
構造体は、互いに平行な複数の行と、互いに平行であるが前記複数の行に対して
実質的に直交する複数の列と、から成っている。ポリイミド材料のこの複数の行
と列は自身同士間にある開口を画定している。このフォーカスワッフルは、放出
された電子がフォーカスワッフル構造体の開口中を通過して、対応するサブピク
セル領域に向けて方向付けされるように電子放出構造体とフェースプレートの間
に配置されている。
【０００３】 不運なことに、このような先行技術によるポリイミド製フォーカスワッフル構
造体は極端に高価であり、したがって、フラットパネルディスプレイの生産のた
めのさらなる経費を必要とする。さらなる欠点として、このような先行技術によ
るポリイミド製フォーカスワッフル構造体は、フラットパネルディスプレイ装置
における主な汚染源である。すなわち、このような「汚い」ポリイミド製フォー
カスワッフル構造体は、フラットパネルディスプレイ装置の真空排気された環境
に汚染粒子を導入する。このような汚染粒子はフラットパネルディスプレイ装置
の性能を劣化させ、また、変色を引き起こしたりしかねず、さらにフラットパネ
ルディスプレイ装置の有効寿命を減少させる。汚染粒子を放出することに加えて
、このような先行技術によるフォーカスワッフル構造体はまた、フラットパネル
ディスプレイの生産ステップ中に引き起こされる電子脱離と熱応力が原因で、材
料（例えば有機物）をガス抜きしてしまう。
造体は極端に高価であり、したがって、フラットパネルディスプレイの生産のた
めのさらなる経費を必要とする。さらなる欠点として、このような先行技術によ
るポリイミド製フォーカスワッフル構造体は、フラットパネルディスプレイ装置
における主な汚染源である。すなわち、このような「汚い」ポリイミド製フォー
カスワッフル構造体は、フラットパネルディスプレイ装置の真空排気された環境
に汚染粒子を導入する。このような汚染粒子はフラットパネルディスプレイ装置
の性能を劣化させ、また、変色を引き起こしたりしかねず、さらにフラットパネ
ルディスプレイ装置の有効寿命を減少させる。汚染粒子を放出することに加えて
、このような先行技術によるフォーカスワッフル構造体はまた、フラットパネル
ディスプレイの生産ステップ中に引き起こされる電子脱離と熱応力が原因で、材
料（例えば有機物）をガス抜きしてしまう。
【０００４】 さらに別の欠点として、ポリイミド製フォーカスワッフル構造体に付着した導
電性コーティング（例えばアルミニウム）を使用すると、従来型のフラットパネ
ルディスプレイ装置の生産中にかなりの困難さと複雑さを導入することになる。
より具体的には、従来型のフラットパネルディスプレイの生産においては、導電
性コーティングは角度付き蒸着プロセスを用いて付着される。この角度付き蒸着
プロセスは困難で時間がかかり、高価である。実行困難であることに加えて、こ
の角度付き蒸着プロセスの時間がかかるという性質によって、フラットパネルデ
ィスプレイ装置の生産の際におけるスループットと歩留まりが落ち込む。
電性コーティング（例えばアルミニウム）を使用すると、従来型のフラットパネ
ルディスプレイ装置の生産中にかなりの困難さと複雑さを導入することになる。
より具体的には、従来型のフラットパネルディスプレイの生産においては、導電
性コーティングは角度付き蒸着プロセスを用いて付着される。この角度付き蒸着
プロセスは困難で時間がかかり、高価である。実行困難であることに加えて、こ
の角度付き蒸着プロセスの時間がかかるという性質によって、フラットパネルデ
ィスプレイ装置の生産の際におけるスループットと歩留まりが落ち込む。
【０００５】 したがって、高額な経費や汚染物の放出やガス抜きなどという欠点を持たない
フォーカスワッフル構造体に対する必要性が存在する。さらに、上記の必要性を
満足し、また、複雑で困難な角度付き蒸着処理ステップを必要としないフォーカ
スワッフル構造体に対する必要性が存在する。またさらに、上記の必要性を満足
し、また、フォーカスワッフルの生産スループットと歩留まりをさらに向上させ
るフォーカスワッフル構造体に対する必要性が存在する。
フォーカスワッフル構造体に対する必要性が存在する。さらに、上記の必要性を
満足し、また、複雑で困難な角度付き蒸着処理ステップを必要としないフォーカ
スワッフル構造体に対する必要性が存在する。またさらに、上記の必要性を満足
し、また、フォーカスワッフルの生産スループットと歩留まりをさらに向上させ
るフォーカスワッフル構造体に対する必要性が存在する。
【０００６】 （発明の開示） 本発明は、あまり汚染物放出やガス抜きのないフォーカスワッフル構造体を提
供する。本発明はさらに、また、複雑で難しい角度付き蒸着処理ステップに対す
る必要性を解消するフォーカスワッフル構造体を提供する。加えて、本発明はま
た、フォーカスワッフルの生産スループットと歩留まりを向上させるフォーカス
ワッフル構造体を提供する。ここに記載する本発明は、フラットパネルディスプ
レイ装置のカソード部分から放出された電子を収束させる導電性フォーカスワッ
フル構造体と、この導電性フォーカスワッフル構造体を形成する方法と、を提供
する。また、本発明によるフォーカスワッフル構造体は多くのタイプのフラット
パネルディスプレイに応用可能であることが理解されよう。
供する。本発明はさらに、また、複雑で難しい角度付き蒸着処理ステップに対す
る必要性を解消するフォーカスワッフル構造体を提供する。加えて、本発明はま
た、フォーカスワッフルの生産スループットと歩留まりを向上させるフォーカス
ワッフル構造体を提供する。ここに記載する本発明は、フラットパネルディスプ
レイ装置のカソード部分から放出された電子を収束させる導電性フォーカスワッ
フル構造体と、この導電性フォーカスワッフル構造体を形成する方法と、を提供
する。また、本発明によるフォーカスワッフル構造体は多くのタイプのフラット
パネルディスプレイに応用可能であることが理解されよう。
【０００７】 具体的に言うと、１つの実施形態では、本発明は光映像性材料から成る第１の
層をフラットパネルディスプレイ装置のカソード部分上に付着させる。次に、こ
の実施形態は、光映像性材料の層のある部分を開口が形成されるように除去する
。次に、導電性材料の層がカソードの上に、この導電性材料層が光映像性材料の
開口内に配置されるように付着される。ある材料から成る誘電層もまたカソード
と導電性材料の底部表面間に配置される。次に、本発明のこの実施形態では、導
電性フォーカスワッフル構造体の少なくとも１部分がカソード上に形成されるよ
うにこの光映像性層を除去する。この除去の際に、導電性フォーカスワッフル構
造体の少なくとも第１の部分が形成される。
層をフラットパネルディスプレイ装置のカソード部分上に付着させる。次に、こ
の実施形態は、光映像性材料の層のある部分を開口が形成されるように除去する
。次に、導電性材料の層がカソードの上に、この導電性材料層が光映像性材料の
開口内に配置されるように付着される。ある材料から成る誘電層もまたカソード
と導電性材料の底部表面間に配置される。次に、本発明のこの実施形態では、導
電性フォーカスワッフル構造体の少なくとも１部分がカソード上に形成されるよ
うにこの光映像性層を除去する。この除去の際に、導電性フォーカスワッフル構
造体の少なくとも第１の部分が形成される。
【０００８】 １つの実施形態では、本発明は上記の実施形態のステップを含み、さらに、誘
電性材料を前記のカソード部分上に、光映像性材料を付着させる前に付着させる
ステップを有する。この付着の際に、光映像性材料層は、誘電性材料層によって
フラットパネルディスプレイ装置のカソード部分から分離される。したがって、
光映像性材料層の開口中に配置された導電性材料は、フラットパネルディスプレ
イ装置のカソード部分とは直接には電気的に接触していない。
電性材料を前記のカソード部分上に、光映像性材料を付着させる前に付着させる
ステップを有する。この付着の際に、光映像性材料層は、誘電性材料層によって
フラットパネルディスプレイ装置のカソード部分から分離される。したがって、
光映像性材料層の開口中に配置された導電性材料は、フラットパネルディスプレ
イ装置のカソード部分とは直接には電気的に接触していない。
【０００９】 さらに別の実施形態では、本発明は上記の第１の実施形態のステップを含み、
さらに、光映像性材料上に導電材料を付着させる前に、光映像性材料に形成され
た開口中に誘電性材料を付着させるステップを有する。この動作の際に、光映像
性材料層の開口中に配置された導電性材料は、フラットパネルディスプレイ装置
のカソード部分と直接には電気的に接触していない。
さらに、光映像性材料上に導電材料を付着させる前に、光映像性材料に形成され
た開口中に誘電性材料を付着させるステップを有する。この動作の際に、光映像
性材料層の開口中に配置された導電性材料は、フラットパネルディスプレイ装置
のカソード部分と直接には電気的に接触していない。
【００１０】 本発明のこれら及び他の恩典と利点は、様々な図面に示す好ましい実施形態に
関する以下の詳細な説明を読めば通常の当業者には疑いもなく明らかであろう。
関する以下の詳細な説明を読めば通常の当業者には疑いもなく明らかであろう。
【００１１】 （好適な実施形態の説明） ここで本発明の好ましい実施形態を詳細に参照して、その例を添付の図面に示
す。本発明はこれらの好ましい実施形態に関連して説明されるが、それらに限定
することを意図したものではないと理解されたい。逆に本発明では、添付の請求
の範囲によって定められる本発明の精神及び範囲内に含まれる代替例、変更例及
び等価物をカバーすることが意図されている。さらに本発明の以下の詳細な説明
においては、本発明の十分な理解を得るために多くの具体例が詳細に述べられる
。しかしながら本発明はこれらの具体的な詳細が無くても実行できることは当業
者にとって明らかである。他の例では本発明が不必要に不明瞭になるのを避ける
ために、周知の方法、手順、構成部品及び回路の詳細な説明は行われない。
す。本発明はこれらの好ましい実施形態に関連して説明されるが、それらに限定
することを意図したものではないと理解されたい。逆に本発明では、添付の請求
の範囲によって定められる本発明の精神及び範囲内に含まれる代替例、変更例及
び等価物をカバーすることが意図されている。さらに本発明の以下の詳細な説明
においては、本発明の十分な理解を得るために多くの具体例が詳細に述べられる
。しかしながら本発明はこれらの具体的な詳細が無くても実行できることは当業
者にとって明らかである。他の例では本発明が不必要に不明瞭になるのを避ける
ために、周知の方法、手順、構成部品及び回路の詳細な説明は行われない。
【００１２】 ここで図１Ａを参照すると、本クレームに記載されている発明の１つの実施形
態の導電性フォーカスワッフルの形成方法における開始点を表す側部断面図が示
されている。明確化するために、技術上周知である特定の特徴は以下の図におい
て示されない、又は以下の説明において詳述されないことを理解されたい。本実
施形態では、電界放出ディスプレイのカソード部分が示される。具体的には図１
Ａでは、基板１００はその上に配置された行電極（図示せず）を有する。本発明
はまた、例えば行電極がその上に配置された抵抗性層（図示せず）を有するよう
な様々な他の構成に適合する。例えば二酸化シリコンからなる金属間誘電層１０
２が行電極の上に配置される。導電性ゲート電極層１０４が金属間誘電層１０２
の上に置かれる。一般に１０６で示される電界エミッタ構造体が金属間誘電層１
０２のそれぞれの空洞内に形成される。さらに密閉層１０８が金属間誘電層１０
２内の空洞を覆って、次の処理ステップの間、電界エミッタ１０６を保護する。
態の導電性フォーカスワッフルの形成方法における開始点を表す側部断面図が示
されている。明確化するために、技術上周知である特定の特徴は以下の図におい
て示されない、又は以下の説明において詳述されないことを理解されたい。本実
施形態では、電界放出ディスプレイのカソード部分が示される。具体的には図１
Ａでは、基板１００はその上に配置された行電極（図示せず）を有する。本発明
はまた、例えば行電極がその上に配置された抵抗性層（図示せず）を有するよう
な様々な他の構成に適合する。例えば二酸化シリコンからなる金属間誘電層１０
２が行電極の上に配置される。導電性ゲート電極層１０４が金属間誘電層１０２
の上に置かれる。一般に１０６で示される電界エミッタ構造体が金属間誘電層１
０２のそれぞれの空洞内に形成される。さらに密閉層１０８が金属間誘電層１０
２内の空洞を覆って、次の処理ステップの間、電界エミッタ１０６を保護する。
【００１３】 ここで図１Ｂを参照すると、本発明の１つの実施形態では、絶縁性材料の層１
１０（例えば誘電性材料層）がそのカソード部分の上に付着される。本実施形態
では、絶縁性材料層１１０は、例えばスピンオンガラス（ＳＯＧ）である。しか
しながら、本発明は図１Ａのカソード部分の上に他の様々なタイプの絶縁性材料
を配置するのに適している。この実施形態では、絶縁性材料層１１０は約５〜５
０ミクロンの深さまで堆積する。
１０（例えば誘電性材料層）がそのカソード部分の上に付着される。本実施形態
では、絶縁性材料層１１０は、例えばスピンオンガラス（ＳＯＧ）である。しか
しながら、本発明は図１Ａのカソード部分の上に他の様々なタイプの絶縁性材料
を配置するのに適している。この実施形態では、絶縁性材料層１１０は約５〜５
０ミクロンの深さまで堆積する。
【００１４】 ここで図１Ｃを参照すると、本発明の実施形態では、光映像性材料の層１１２
が図１Ｂのカソード部分の誘電層１１０の上に付着される。本実施形態では、光
映像性材料の層１１２は、例えばニュージャージー州サマービルのヘキスト・セ
ラニーズ社（Ｈｏｅｃｈｓｔ−Ｃｅｌａｎｅｓｅ）製のＡＺ４６２０フォトレジ
スト等のフォトレジストから成っている。しかしながら、本発明は他の様々なタ
イプと供給者の光映像性材料の使用に適していることが理解されよう。本実施形
態では、フォトレジストの層１１２は約４０〜１００ミクロンの深さまで堆積す
る。
が図１Ｂのカソード部分の誘電層１１０の上に付着される。本実施形態では、光
映像性材料の層１１２は、例えばニュージャージー州サマービルのヘキスト・セ
ラニーズ社（Ｈｏｅｃｈｓｔ−Ｃｅｌａｎｅｓｅ）製のＡＺ４６２０フォトレジ
スト等のフォトレジストから成っている。しかしながら、本発明は他の様々なタ
イプと供給者の光映像性材料の使用に適していることが理解されよう。本実施形
態では、フォトレジストの層１１２は約４０〜１００ミクロンの深さまで堆積す
る。
【００１５】 ここで図１Ｄを参照して、光映像性材料の層１１２の堆積後、光映像性材料層
１１２は露光処理を施される。露光処理の後、本実施形態では、光映像性材料層
１１２の部分を除去して、一般に図１Ｄの側部断面図に１１４で示される開口が
光映像性材料層１１２内に形成される。本実施形態では、開口１１４は導電性フ
ォーカスワッフル構造体形成のためのテンプレートを形成する。すなわち、開口
１１４は、実質的に直交する行及び列から成るグリッドパターンに配置される。
また明瞭化するために、図１Ｄには２つの開口１１４だけが示されているが、開
口の多くの行及び列が、光映像性材料層１１２内に形成されることが理解されよ
う。
１１２は露光処理を施される。露光処理の後、本実施形態では、光映像性材料層
１１２の部分を除去して、一般に図１Ｄの側部断面図に１１４で示される開口が
光映像性材料層１１２内に形成される。本実施形態では、開口１１４は導電性フ
ォーカスワッフル構造体形成のためのテンプレートを形成する。すなわち、開口
１１４は、実質的に直交する行及び列から成るグリッドパターンに配置される。
また明瞭化するために、図１Ｄには２つの開口１１４だけが示されているが、開
口の多くの行及び列が、光映像性材料層１１２内に形成されることが理解されよ
う。
【００１６】 ここで図２を参照すると、開口１１４が光映像性材料層１１２内に形成されて
いる図１Ｄの実施形態の平面図が示されている。図２に示されるように、導電性
フォーカスワッフル構造体が本発明に従って形成される位置に、開口１１４が配
置される。
いる図１Ｄの実施形態の平面図が示されている。図２に示されるように、導電性
フォーカスワッフル構造体が本発明に従って形成される位置に、開口１１４が配
置される。
【００１７】 ここで図１Ｅを参照すると、図１Ｃ及び図２の開口１１４が形成された後、本
実施形態では、導電性材料の層１１６が光映像性材料層１１２の上及びその中に
形成された開口１１４内に配置される。図１Ｅに示されるように、導電性材料の
層１１６は絶縁性材料層１１０によって導電性ゲート電極層１０４から電気的に
絶縁されている。本実施形態では、導電性材料層１１６は、例えばミシガン州ポ
ートヒューロンのアチソン・コロイド社（Ａｃｈｅｓｏｎ Ｃｏｌｌｏｉｄｓ）
製のＣＢ８００Ａ ＤＡＧから成る。別の実施形態では、導電性材料層１１６は
、別のグラファイトベースの導電性材料から成る。更に別の実施形態では、グラ
ファイトベースの導電性材料層は、半乾燥スプレイとして付着されて導電性材料
層１１６の収縮を低減する。本発明のそのような実施形態によって、導電性材料
層１１６の最終的な深さを効果的に制御することが可能となる。そのような堆積
方法が上に挙げられているが、本発明はまた、他の様々な導電性材料を光映像性
材料層１１２の上及び光映像性材料層１１２の中に形成された開口１１４内に堆
積する様々な他の堆積方法を用いるのにも適していると理解されよう。
実施形態では、導電性材料の層１１６が光映像性材料層１１２の上及びその中に
形成された開口１１４内に配置される。図１Ｅに示されるように、導電性材料の
層１１６は絶縁性材料層１１０によって導電性ゲート電極層１０４から電気的に
絶縁されている。本実施形態では、導電性材料層１１６は、例えばミシガン州ポ
ートヒューロンのアチソン・コロイド社（Ａｃｈｅｓｏｎ Ｃｏｌｌｏｉｄｓ）
製のＣＢ８００Ａ ＤＡＧから成る。別の実施形態では、導電性材料層１１６は
、別のグラファイトベースの導電性材料から成る。更に別の実施形態では、グラ
ファイトベースの導電性材料層は、半乾燥スプレイとして付着されて導電性材料
層１１６の収縮を低減する。本発明のそのような実施形態によって、導電性材料
層１１６の最終的な深さを効果的に制御することが可能となる。そのような堆積
方法が上に挙げられているが、本発明はまた、他の様々な導電性材料を光映像性
材料層１１２の上及び光映像性材料層１１２の中に形成された開口１１４内に堆
積する様々な他の堆積方法を用いるのにも適していると理解されよう。
【００１８】 次に図１Ｆに移ると、本発明の１つの実施形態では、光映像性材料層１１２の
上部及び／又は光映像性材料層１１２の内部の開口１１４内に配置された余分な
導電性材料が、光映像性材料層１１２の上部表面から拭き取る（例えば「スクィ
ージする」等）ことによって除去される。その際に本発明は、導電性材料層１１
６が光映像性材料層１１２内の開口１１４の内部で所望の深さになることを保証
する。余分な導電性材料が除去された後、導電性材料の層１１６は硬化する。本
実施形態では、導電性材料層１１６は、約摂氏８０〜９０度で約４〜５分間ベー
クされる。別の実施形態では、光映像性材料層１１２の上部及び／又は光映像性
材料層１１２の内部の開口１１４内に配置された余分の導電性材料は、硬化プロ
セスの後、その余分量を機械的に拭き取ることによって除去される。そのような
方法によってやはり、導電性材料が光映像性材料層１１２内の開口１１４内部で
所望の深さに堆積することが保証される。
上部及び／又は光映像性材料層１１２の内部の開口１１４内に配置された余分な
導電性材料が、光映像性材料層１１２の上部表面から拭き取る（例えば「スクィ
ージする」等）ことによって除去される。その際に本発明は、導電性材料層１１
６が光映像性材料層１１２内の開口１１４の内部で所望の深さになることを保証
する。余分な導電性材料が除去された後、導電性材料の層１１６は硬化する。本
実施形態では、導電性材料層１１６は、約摂氏８０〜９０度で約４〜５分間ベー
クされる。別の実施形態では、光映像性材料層１１２の上部及び／又は光映像性
材料層１１２の内部の開口１１４内に配置された余分の導電性材料は、硬化プロ
セスの後、その余分量を機械的に拭き取ることによって除去される。そのような
方法によってやはり、導電性材料が光映像性材料層１１２内の開口１１４内部で
所望の深さに堆積することが保証される。
【００１９】 ここで図１Ｇを参照すると、導電性材料１１６が硬化した後、本発明では、光
映像性材料層１１２の残りの部分が除去される。本実施形態では、専門的等級の
アセトンを光映像性材料層１１２に付着させて、その除去プロセスを容易にする
。本発明は、ニュージャージー州サマービルのヘキスト・セラニーズ社製の４０
０Ｔフォトレジストストリッパ、ＮＭＰストリッパ等の他の多くの溶剤を用いて
光映像性材料を除去するのに適している。光映像性材料層１１２の残りの部分を
除去した後に、導電性の行及び列１１６が絶縁性材料層１１０の上に配列した状
態で残る。
映像性材料層１１２の残りの部分が除去される。本実施形態では、専門的等級の
アセトンを光映像性材料層１１２に付着させて、その除去プロセスを容易にする
。本発明は、ニュージャージー州サマービルのヘキスト・セラニーズ社製の４０
０Ｔフォトレジストストリッパ、ＮＭＰストリッパ等の他の多くの溶剤を用いて
光映像性材料を除去するのに適している。光映像性材料層１１２の残りの部分を
除去した後に、導電性の行及び列１１６が絶縁性材料層１１０の上に配列した状
態で残る。
【００２０】 図１Ｈに示されるように、光映像性材料層１１２の残余部分の除去後、本実施
形態では、絶縁性材料層１１０が導電性の行及び列１１６の直接下にある部分を
除いて除去される。その結果、本発明は、絶縁性材料層１１０の部分によって導
電性ゲート電極層１０４から電気的に絶縁された完全な導電性フォーカスワッフ
ル構造体を提供する。さらに導電性フォーカスワッフル構造体は、（絶縁性材料
層１１０から成る）誘電性の下方部分と（図１Ｃ〜１Ｆの光映像性層１１２の開
口１１４内に配置された導電性材料から成る）導電性の上方部分とを含む。本実
施形態では、導電性フォーカスワッフル構造体の実質的に直交する行及び列は、
約４０〜１００ミクロンの高さに形成される。また実質的に直交する行及び列は
それらの間の開口を画定し、その開口は電界エミッタ１０６から放出された電子
の通過を可能にするのに十分な大きさを有する。その導電性フォーカスワッフル
構造体に電位を印加することによって、電界エミッタ１０６から放出された電子
はそれぞれのサブピクセル領域へ方向付けられることが理解されよう。
形態では、絶縁性材料層１１０が導電性の行及び列１１６の直接下にある部分を
除いて除去される。その結果、本発明は、絶縁性材料層１１０の部分によって導
電性ゲート電極層１０４から電気的に絶縁された完全な導電性フォーカスワッフ
ル構造体を提供する。さらに導電性フォーカスワッフル構造体は、（絶縁性材料
層１１０から成る）誘電性の下方部分と（図１Ｃ〜１Ｆの光映像性層１１２の開
口１１４内に配置された導電性材料から成る）導電性の上方部分とを含む。本実
施形態では、導電性フォーカスワッフル構造体の実質的に直交する行及び列は、
約４０〜１００ミクロンの高さに形成される。また実質的に直交する行及び列は
それらの間の開口を画定し、その開口は電界エミッタ１０６から放出された電子
の通過を可能にするのに十分な大きさを有する。その導電性フォーカスワッフル
構造体に電位を印加することによって、電界エミッタ１０６から放出された電子
はそれぞれのサブピクセル領域へ方向付けられることが理解されよう。
【００２１】 本実施形態は、それに結びついたいくつかの重要な長所を有する。例えば、前
記のグラファイトベースの導電性材料を用いて導電性フォーカスワッフル構造体
を形成することによって、本発明は従来技術のポリイミドベースのワッフル構造
体につきものの有害な褐色化及びガス抜きを解消する。さらに本発明で用いられ
る導電性材料は、ワッフル構造体がポリイミドから形成される時に用いられるよ
りも高い処理温度に曝すことができしかも損傷を受けない。さらに本実施形態の
導電性フォーカスワッフル構造体には高価なポリイミド材料を用いる必要が無く
なり、また複雑で困難な角度付き蒸着プロセスの必要も無くなる。
記のグラファイトベースの導電性材料を用いて導電性フォーカスワッフル構造体
を形成することによって、本発明は従来技術のポリイミドベースのワッフル構造
体につきものの有害な褐色化及びガス抜きを解消する。さらに本発明で用いられ
る導電性材料は、ワッフル構造体がポリイミドから形成される時に用いられるよ
りも高い処理温度に曝すことができしかも損傷を受けない。さらに本実施形態の
導電性フォーカスワッフル構造体には高価なポリイミド材料を用いる必要が無く
なり、また複雑で困難な角度付き蒸着プロセスの必要も無くなる。
【００２２】 ここで図３Ａを参照するとそこには、請求の範囲に記載されている発明の１つ
の実施形態の導電性フォーカスワッフルの形成方法の開始点を表す側部断面図が
示されている。図３Ａの構造体は、図１Ａの構造体と類似しているか又は同じで
ある。さらに、分かりやすいように当該技術で周知のいくつかの特徴は以下の図
には示されていない又は以下の説明の中に詳述されていないことを理解されたい
。図３Ａの実施形態では電界放出ディスプレイのカソード部分の１部が示されて
いる。具体的には図３Ａでは、基板１００はその上に配置された行電極（図示せ
ず）を有する。本発明はまた、例えば行電極がその上に配置された抵抗性層（図
示せず）を有するような他の様々な構成にも適している。例えば二酸化シリコン
から成る金属間誘電層１０２が行電極の上に配置される。導電性ゲート電極層１
０４が金属間誘電層１０２の上に置かれる。一般に１０６で示される電界エミッ
タが金属間誘電層１０２内のそれぞれの空洞の内部に形成される。さらに密閉層
１０８が金属間誘電層１０２内の空洞を覆って、それに続く処理ステップの間、
電界エミッタ１０６を保護する。
の実施形態の導電性フォーカスワッフルの形成方法の開始点を表す側部断面図が
示されている。図３Ａの構造体は、図１Ａの構造体と類似しているか又は同じで
ある。さらに、分かりやすいように当該技術で周知のいくつかの特徴は以下の図
には示されていない又は以下の説明の中に詳述されていないことを理解されたい
。図３Ａの実施形態では電界放出ディスプレイのカソード部分の１部が示されて
いる。具体的には図３Ａでは、基板１００はその上に配置された行電極（図示せ
ず）を有する。本発明はまた、例えば行電極がその上に配置された抵抗性層（図
示せず）を有するような他の様々な構成にも適している。例えば二酸化シリコン
から成る金属間誘電層１０２が行電極の上に配置される。導電性ゲート電極層１
０４が金属間誘電層１０２の上に置かれる。一般に１０６で示される電界エミッ
タが金属間誘電層１０２内のそれぞれの空洞の内部に形成される。さらに密閉層
１０８が金属間誘電層１０２内の空洞を覆って、それに続く処理ステップの間、
電界エミッタ１０６を保護する。
【００２３】 ここで図３Ｂを参照すると本発明の本実施形態では、光映像性材料の層３００
が図３Ａのカソード部分の上に直接付着される。すなわち、本実施形態において
は、絶縁性材料層を図３Ａのカソード構造体の上部表面全体の上に最初に堆積さ
せる必要は無い。本実施形態では、光映像性材料層３００は、例えばニュージャ
ージー州サマービルのヘキスト・セラニーズ社製のＡＺ４６２０フォトレジスト
等のフォトレジストから成る。しかしながら、本発明は他の様々なタイプ及び供
給者の光映像性材料の使用に適していることが理解されよう。本発明では、フォ
トレジスト層３００は約４０〜１００ミクロンの深さまで堆積する。
が図３Ａのカソード部分の上に直接付着される。すなわち、本実施形態において
は、絶縁性材料層を図３Ａのカソード構造体の上部表面全体の上に最初に堆積さ
せる必要は無い。本実施形態では、光映像性材料層３００は、例えばニュージャ
ージー州サマービルのヘキスト・セラニーズ社製のＡＺ４６２０フォトレジスト
等のフォトレジストから成る。しかしながら、本発明は他の様々なタイプ及び供
給者の光映像性材料の使用に適していることが理解されよう。本発明では、フォ
トレジスト層３００は約４０〜１００ミクロンの深さまで堆積する。
【００２４】 次に図３Ｃを参照すると、光映像性材料の層３００を堆積させた後に、光映像
性材料の層３００は露光処理される。露光処理の後、本実施形態では光映像性材
料層３００の部分が除去されて、一般に図３Ｃの側部断面図に３０２で示される
開口が光映像性材料層３００内に形成される。本実施形態では、開口３０２は導
電性フォーカスワッフル構造体形成用のテンプレートを形成する。すなわち、開
口３０２は実質的に直交する行及び列から成るグリッドパターンに配置される。
また明確化するために、図３Ｃには２つの開口３０２だけが示されているが、開
口の多数の行及び列が光映像性材料層３００内に形成されていることが理解され
よう。
性材料の層３００は露光処理される。露光処理の後、本実施形態では光映像性材
料層３００の部分が除去されて、一般に図３Ｃの側部断面図に３０２で示される
開口が光映像性材料層３００内に形成される。本実施形態では、開口３０２は導
電性フォーカスワッフル構造体形成用のテンプレートを形成する。すなわち、開
口３０２は実質的に直交する行及び列から成るグリッドパターンに配置される。
また明確化するために、図３Ｃには２つの開口３０２だけが示されているが、開
口の多数の行及び列が光映像性材料層３００内に形成されていることが理解され
よう。
【００２５】 再び図２を参照すると、図１Ｄの実施形態の平面図が示されており、そこでは
開口１１４が光映像性材料１１２の中に形成されている。本発明は、類似の開口
を光映像性材料層３００内に形成する。しかしながら、本実施形態では、開口３
０２は導電性ゲート電極層１０４まで延びている。図１Ａ〜１Ｈの実施形態では
、開口１１４は絶縁性材料層１１０まで延びている。図３Ａ〜３Ｇの実施形態で
は、開口３０２は、導電性フォーカスワッフル構造体が本発明に従って形成され
る位置に配置される。
開口１１４が光映像性材料１１２の中に形成されている。本発明は、類似の開口
を光映像性材料層３００内に形成する。しかしながら、本実施形態では、開口３
０２は導電性ゲート電極層１０４まで延びている。図１Ａ〜１Ｈの実施形態では
、開口１１４は絶縁性材料層１１０まで延びている。図３Ａ〜３Ｇの実施形態で
は、開口３０２は、導電性フォーカスワッフル構造体が本発明に従って形成され
る位置に配置される。
【００２６】 ここで図３Ｄを参照すると、本発明の１つの実施形態では、絶縁性材料３０４
の層（例えば誘電性材料層）が光映像性材料３００内の開口３０２の中に充填さ
れる。本実施形態では、絶縁性材料層３０４は、例えばスピンオンガラス（ＳＯ
Ｇ）である。しかしながら、本発明は他の様々なタイプの絶縁性材料を光映像性
材料３００内の開口３０２に付着するのに適している。この実施形態では、絶縁
性材料層３０４は約５〜５０ミクロンの深さに堆積する。本発明は、絶縁性材料
を光映像性材料の全表面上に付着させることによって、いくつかの絶縁性材料を
開口３０２内に堆積させるのに適している。それから余分な絶縁性材料は（例え
ばスクィージする又は機械的に磨くことによって）除去することができる、又は
光映像性材料層３００の上部の所定位置に残しておくことができる。
の層（例えば誘電性材料層）が光映像性材料３００内の開口３０２の中に充填さ
れる。本実施形態では、絶縁性材料層３０４は、例えばスピンオンガラス（ＳＯ
Ｇ）である。しかしながら、本発明は他の様々なタイプの絶縁性材料を光映像性
材料３００内の開口３０２に付着するのに適している。この実施形態では、絶縁
性材料層３０４は約５〜５０ミクロンの深さに堆積する。本発明は、絶縁性材料
を光映像性材料の全表面上に付着させることによって、いくつかの絶縁性材料を
開口３０２内に堆積させるのに適している。それから余分な絶縁性材料は（例え
ばスクィージする又は機械的に磨くことによって）除去することができる、又は
光映像性材料層３００の上部の所定位置に残しておくことができる。
【００２７】 ここで図３Ｅを参照すると、開口３０２の形成及び絶縁性材料３０４の堆積の
後、本実施形態では導電性材料３０６が光映像性材料層３００の上に付着され、
またその中に形成された開口３０２の内部に充填される。図３Ｅに示すように、
導電性材料層３０２は、光映像性材料層３００内の開口３０２の中に予め堆積し
た絶縁性材料層３０４によってゲート電極層１０４から電気的に絶縁される。本
実施形態では、導電性材料層３０６は、例えばミシガン州ポートヒューロンのア
チソン・コロイド社製のＣＢ８００Ａ ＤＡＧから成る。別の実施形態では、導
電性材料層３０６は異なったグラファイトベースの導電性材料から成る。さらに
別の実施形態では、グラファイトベースの導電性材料が、半乾燥スプレイとして
付着されて導電性材料層３０６の収縮を低減する。そのような実施形態では、本
発明によって導電性材料層３０６の最終的な厚さを効果的に制御することが可能
になる。そのような堆積方法が上に挙げられているが、本発明はまた他の様々な
堆積方法を用いて他の様々な導電性材料を光映像性材料層３００の上及び光映像
性材料層３００の中に形成された開口３０２内に堆積させるのにも適しているこ
とが理解されよう。
後、本実施形態では導電性材料３０６が光映像性材料層３００の上に付着され、
またその中に形成された開口３０２の内部に充填される。図３Ｅに示すように、
導電性材料層３０２は、光映像性材料層３００内の開口３０２の中に予め堆積し
た絶縁性材料層３０４によってゲート電極層１０４から電気的に絶縁される。本
実施形態では、導電性材料層３０６は、例えばミシガン州ポートヒューロンのア
チソン・コロイド社製のＣＢ８００Ａ ＤＡＧから成る。別の実施形態では、導
電性材料層３０６は異なったグラファイトベースの導電性材料から成る。さらに
別の実施形態では、グラファイトベースの導電性材料が、半乾燥スプレイとして
付着されて導電性材料層３０６の収縮を低減する。そのような実施形態では、本
発明によって導電性材料層３０６の最終的な厚さを効果的に制御することが可能
になる。そのような堆積方法が上に挙げられているが、本発明はまた他の様々な
堆積方法を用いて他の様々な導電性材料を光映像性材料層３００の上及び光映像
性材料層３００の中に形成された開口３０２内に堆積させるのにも適しているこ
とが理解されよう。
【００２８】 次に図３Ｆを参照すると本発明の１つの実施形態では、光映像性材料層３００
の上及び／又は光映像性材料層３００の中の開口３０２内に配置された余分の導
電性材料を、光映像性材料層３００の上部表面から拭き取る（例えば「スクィー
ジする」等）ことによって除去する。その際に本実施形態は、導電性材料層３０
６が光映像性材料層３００内の開口３０２の内部で所望の深さになることを保証
する。余分な導電性材料が除去された後、導電性材料層３０６は硬化する。本実
施形態では、導電性材料層３０６は、摂氏約８０〜９０度で約４〜５分間ベーク
される。別の実施形態では、光映像性材料層３００の上及び／又は光映像性材料
層３００の中の開口３０２の内部に配置された余分の導電性材料は、硬化処理の
後にその余分量を機械的に拭き取ることによって除去される。再びそのような方
法によって、導電性材料が光映像性材料層３００内の開口３０２の中で所望の深
さに堆積することが保証される。
の上及び／又は光映像性材料層３００の中の開口３０２内に配置された余分の導
電性材料を、光映像性材料層３００の上部表面から拭き取る（例えば「スクィー
ジする」等）ことによって除去する。その際に本実施形態は、導電性材料層３０
６が光映像性材料層３００内の開口３０２の内部で所望の深さになることを保証
する。余分な導電性材料が除去された後、導電性材料層３０６は硬化する。本実
施形態では、導電性材料層３０６は、摂氏約８０〜９０度で約４〜５分間ベーク
される。別の実施形態では、光映像性材料層３００の上及び／又は光映像性材料
層３００の中の開口３０２の内部に配置された余分の導電性材料は、硬化処理の
後にその余分量を機械的に拭き取ることによって除去される。再びそのような方
法によって、導電性材料が光映像性材料層３００内の開口３０２の中で所望の深
さに堆積することが保証される。
【００２９】 ここで図３Ｇを参照すると、導電性材料層３０６が硬化した後、本発明では光
映像性材料層３００の残余の部分が除去される。本実施形態では、専門的等級の
アセトンが光映像性材料層３００に付着されて除去処理を容易にする。本発明は
、ニュージャージー州サマービルのヘキスト・セラニーズ社製の４００Ｔフォト
レジストストリッパ、ＮＭＰストリッパ等の他の多くの溶剤を用いて光映像性材
料を除去するのに適している。光映像性材料層３００の残りの部分を除去した後
に、行及び列がカソード構造体の上に配列した状態で残る。その結果本実施形態
は、絶縁性材料層３０４の部分によってゲート層１０４から電気的に絶縁された
完全な導電性フォーカスワッフル構造体を提供する。さらに本実施形態の導電性
フォーカスワッフル構造体は、（絶縁性材料層３０４の部分から成る）誘電性の
下方部分及び（図３Ｂ〜３Ｆの光映像性材料層３００の開口３０２内に配置され
た導電性材料から成る）導電性の上方部分とを含む。従って本実施形態は、下に
ある導電性ゲート電極層から電気的に絶縁され；高価で好ましくないポリイミド
から形成されていない；かつ困難で複雑な角度付き蒸着プロセスのステップを必
要としない、導電性フォーカスワッフル構造体を形成する。
映像性材料層３００の残余の部分が除去される。本実施形態では、専門的等級の
アセトンが光映像性材料層３００に付着されて除去処理を容易にする。本発明は
、ニュージャージー州サマービルのヘキスト・セラニーズ社製の４００Ｔフォト
レジストストリッパ、ＮＭＰストリッパ等の他の多くの溶剤を用いて光映像性材
料を除去するのに適している。光映像性材料層３００の残りの部分を除去した後
に、行及び列がカソード構造体の上に配列した状態で残る。その結果本実施形態
は、絶縁性材料層３０４の部分によってゲート層１０４から電気的に絶縁された
完全な導電性フォーカスワッフル構造体を提供する。さらに本実施形態の導電性
フォーカスワッフル構造体は、（絶縁性材料層３０４の部分から成る）誘電性の
下方部分及び（図３Ｂ〜３Ｆの光映像性材料層３００の開口３０２内に配置され
た導電性材料から成る）導電性の上方部分とを含む。従って本実施形態は、下に
ある導電性ゲート電極層から電気的に絶縁され；高価で好ましくないポリイミド
から形成されていない；かつ困難で複雑な角度付き蒸着プロセスのステップを必
要としない、導電性フォーカスワッフル構造体を形成する。
【００３０】 この実施形態では、導電性フォーカスワッフル構造体の実質的に直交する行及
び列は、約４０〜１００ミクロンの高さに形成される。また実質的に直交する行
及び列はそれらの間の開口を画定し、その開口は電界エミッタ１０６から放出さ
れた電子の通過を可能にするのに十分な大きさを有する。本導電性フォーカスワ
ッフル構造体に電位を印加することによって、電界エミッタ１０６から放出され
た電子がそれぞれのサブピクセル領域に方向付けられることが理解されよう。
び列は、約４０〜１００ミクロンの高さに形成される。また実質的に直交する行
及び列はそれらの間の開口を画定し、その開口は電界エミッタ１０６から放出さ
れた電子の通過を可能にするのに十分な大きさを有する。本導電性フォーカスワ
ッフル構造体に電位を印加することによって、電界エミッタ１０６から放出され
た電子がそれぞれのサブピクセル領域に方向付けられることが理解されよう。
【００３１】 ここで図４Ａを参照すると、請求の範囲に記載される発明の１つの実施形態の
導電性フォーカスワッフルの形成方法の開始点を表す側部断面図が示されている
。図４Ａの構造体は、図１Ａの構造体と類似しているか又は同じである。さらに
明確化するために、当該技術で周知であるいくつかの特徴が、以下の図に示され
ていないか又は以下の説明の中で詳述されないことを理解されたい。図４Ａの実
施形態では、電界放出ディスプレイのカソード部分の１部が示されている。具体
的には図４Ａでは、基板１００はその上に配置された行電極（図示せず）を有す
る。本発明はまた、例えば行電極がその上に配置された抵抗性層（図示せず）を
有する他の様々な構成にも適している。例えば二酸化シリコンから成る金属間誘
電層１０２が行電極の上に配置される。導電性ゲート電極層１０４が金属間誘電
層１０２の上に置かれる。一般に１０６で示される電界エミッタ構造体が金属間
誘電層１０２内のそれぞれの空洞の内部に形成される。さらに密閉層１０８が金
属間誘電層１０２内の空洞を覆って、次の処理ステップの間、電界エミッタ１０
６を保護する。
導電性フォーカスワッフルの形成方法の開始点を表す側部断面図が示されている
。図４Ａの構造体は、図１Ａの構造体と類似しているか又は同じである。さらに
明確化するために、当該技術で周知であるいくつかの特徴が、以下の図に示され
ていないか又は以下の説明の中で詳述されないことを理解されたい。図４Ａの実
施形態では、電界放出ディスプレイのカソード部分の１部が示されている。具体
的には図４Ａでは、基板１００はその上に配置された行電極（図示せず）を有す
る。本発明はまた、例えば行電極がその上に配置された抵抗性層（図示せず）を
有する他の様々な構成にも適している。例えば二酸化シリコンから成る金属間誘
電層１０２が行電極の上に配置される。導電性ゲート電極層１０４が金属間誘電
層１０２の上に置かれる。一般に１０６で示される電界エミッタ構造体が金属間
誘電層１０２内のそれぞれの空洞の内部に形成される。さらに密閉層１０８が金
属間誘電層１０２内の空洞を覆って、次の処理ステップの間、電界エミッタ１０
６を保護する。
【００３２】 ここで図４Ｂを参照すると、本実施形態は絶縁性材料の層４００をカソード構
造体の上に堆積する。図４Ｂの実施形態では、絶縁性材料の層４００をスクリー
ン印刷タイプの堆積処理を用いて堆積させる。すなわち、絶縁性材料層４００が
所望の深さになるまで、絶縁性材料がカソード構造体上の所望の位置に繰り返し
付着される。本実施形態では、絶縁性材料層は例えば二酸化シリコン、ＳＯＧ等
から成る。
造体の上に堆積する。図４Ｂの実施形態では、絶縁性材料の層４００をスクリー
ン印刷タイプの堆積処理を用いて堆積させる。すなわち、絶縁性材料層４００が
所望の深さになるまで、絶縁性材料がカソード構造体上の所望の位置に繰り返し
付着される。本実施形態では、絶縁性材料層は例えば二酸化シリコン、ＳＯＧ等
から成る。
【００３３】 次に図４Ｃを参照すると、本実施形態はそれから導電性材料層４０２を絶縁性
材料層４００の上に付着させる。この実施形態では導電性材料層４０２をスクリ
ーン印刷タイプの処理を用いて付着させる。その際に本発明は、誘電性材料の底
部と導電体の上部を有する導電性フォーカスワッフル構造体の直交する行と列を
インクレメンタルに形成する。本実施形態の導電層４０２は、例えばミシガン州
ポートヒューロンのアチソン・コロイド社製のＣＢ８００Ａ ＤＡＧ又は別のグ
ラファイトベースの導電性材料等の導電性材料から成る。
材料層４００の上に付着させる。この実施形態では導電性材料層４０２をスクリ
ーン印刷タイプの処理を用いて付着させる。その際に本発明は、誘電性材料の底
部と導電体の上部を有する導電性フォーカスワッフル構造体の直交する行と列を
インクレメンタルに形成する。本実施形態の導電層４０２は、例えばミシガン州
ポートヒューロンのアチソン・コロイド社製のＣＢ８００Ａ ＤＡＧ又は別のグ
ラファイトベースの導電性材料等の導電性材料から成る。
【００３４】 ここで図４Ｄを参照すると、本発明は導電性フォーカスワッフル構造体が完全
に形成されるまで、導電材料層をカソード構造体表面の上に繰り返し付着させる
。本実施形態では、導電性フォーカスワッフル構造体が約４０〜１００ミクロン
の高さになるまで、繰り返し導電性材料が付着される。このようにして本発明は
、光映像性材料層の堆積及びパターン化を必要としない導電性フォーカスワッフ
ル構造体の形成方法を提供する。本実施形態では実質的に直交する行及び列はそ
れらの間の開口を画定し、その開口は電界エミッタ１０６から放出された電子の
通過を可能にするのに十分な大きさを有する。本導電性フォーカスワッフル構造
体に電位を印加することにより、電界エミッタ１０６から放出電子がそれぞれの
サブピクセル領域へ方向付けられることが理解されよう。
に形成されるまで、導電材料層をカソード構造体表面の上に繰り返し付着させる
。本実施形態では、導電性フォーカスワッフル構造体が約４０〜１００ミクロン
の高さになるまで、繰り返し導電性材料が付着される。このようにして本発明は
、光映像性材料層の堆積及びパターン化を必要としない導電性フォーカスワッフ
ル構造体の形成方法を提供する。本実施形態では実質的に直交する行及び列はそ
れらの間の開口を画定し、その開口は電界エミッタ１０６から放出された電子の
通過を可能にするのに十分な大きさを有する。本導電性フォーカスワッフル構造
体に電位を印加することにより、電界エミッタ１０６から放出電子がそれぞれの
サブピクセル領域へ方向付けられることが理解されよう。
【００３５】 ここで図５Ａを参照すると、本発明の別の実施形態に従って形成された構造体
の平面図が示されている。図５Ａの実施形態では、２段階の方法を用いて導電性
フォーカスワッフル構造体を形成する。より具体的には、図１Ａ〜１Ｈ及び３Ａ
〜３Ｇの実施形態のような実施形態では、図５Ａの５０２で示される開口は、図
１Ｂ及び１Ｃに関連して述べられた処理ステップを用いて光映像性材料層５００
内に形成される。すなわち、開口５０２は光映像性材料層５００を通ってその下
にある絶縁性材料層に延びる。図３Ａ〜３Ｇの実施形態に関連して、開口５０２
が光映像性材料層５００内に形成された後、絶縁性材料が開口５０２内に堆積さ
れる。
の平面図が示されている。図５Ａの実施形態では、２段階の方法を用いて導電性
フォーカスワッフル構造体を形成する。より具体的には、図１Ａ〜１Ｈ及び３Ａ
〜３Ｇの実施形態のような実施形態では、図５Ａの５０２で示される開口は、図
１Ｂ及び１Ｃに関連して述べられた処理ステップを用いて光映像性材料層５００
内に形成される。すなわち、開口５０２は光映像性材料層５００を通ってその下
にある絶縁性材料層に延びる。図３Ａ〜３Ｇの実施形態に関連して、開口５０２
が光映像性材料層５００内に形成された後、絶縁性材料が開口５０２内に堆積さ
れる。
【００３６】 さらに図５Ａの実施形態を参照すると、導電性フォーカスワッフル構造体の行
と列の両パターンを構成する図２の開口１１４とは異なって、図５Ａの開口５０
２は導電性フォーカスワッフル構造体の行編成のパターンだけを構成する。こう
して図１Ｅ〜１Ｈ又は代りに図３Ｅ〜３Ｇに関連して述べられた処理ステップの
終了後に、導電性フォーカスワッフル構造体の導電性の行部分が形成される。従
って、導電性フォーカスワッフル構造体の行と列部分が同時に形成される前記の
実施形態とは異なって、図５Ａ〜５Ｄに示される実施形態は導電性フォーカスワ
ッフル構造体の行と列部分を順次的に形成する。
と列の両パターンを構成する図２の開口１１４とは異なって、図５Ａの開口５０
２は導電性フォーカスワッフル構造体の行編成のパターンだけを構成する。こう
して図１Ｅ〜１Ｈ又は代りに図３Ｅ〜３Ｇに関連して述べられた処理ステップの
終了後に、導電性フォーカスワッフル構造体の導電性の行部分が形成される。従
って、導電性フォーカスワッフル構造体の行と列部分が同時に形成される前記の
実施形態とは異なって、図５Ａ〜５Ｄに示される実施形態は導電性フォーカスワ
ッフル構造体の行と列部分を順次的に形成する。
【００３７】 ここで図５Ｂを参照すると、導電性フォーカスワッフル構造体の行部分が形成
された後に、本発明は第２の光映像性材料層５０３をカソード部分の上方に及び
先に形成された導電性フォーカスワッフル構造体の行部分の上に付着させる。図
１Ａ〜１Ｈ及び３Ａ〜３Ｇの実施形態のような実施形態では、図１Ｂ及び１Ｃに
関連して述べられた処理ステップを用いて、図５Ｃに５０４で示される開口が光
映像性材料層５００内に形成される。すなわち、開口５０４は光映像性材料層５
０３を通ってその下にある絶縁性材料層に延びる。図３Ａ〜３Ｇの実施形態に関
連して、光映像性材料層５０３内に開口５０４が形成された後、絶縁性材料が開
口５０３内に堆積される。
された後に、本発明は第２の光映像性材料層５０３をカソード部分の上方に及び
先に形成された導電性フォーカスワッフル構造体の行部分の上に付着させる。図
１Ａ〜１Ｈ及び３Ａ〜３Ｇの実施形態のような実施形態では、図１Ｂ及び１Ｃに
関連して述べられた処理ステップを用いて、図５Ｃに５０４で示される開口が光
映像性材料層５００内に形成される。すなわち、開口５０４は光映像性材料層５
０３を通ってその下にある絶縁性材料層に延びる。図３Ａ〜３Ｇの実施形態に関
連して、光映像性材料層５０３内に開口５０４が形成された後、絶縁性材料が開
口５０３内に堆積される。
【００３８】 さらに図５Ｃの実施形態を参照すると、図５Ａの開口５０２と同様に、図５Ｃ
の開口５０４は導電性フォーカスワッフル構造体の列編成のパターンだけを構成
する。従って、このような実施形態では、図１Ｅ〜１Ｈに関連して又は代りにス
テップ３Ｅ〜３Ｇに関連して述べられた処理ステップが終了した後に、導電性フ
ォーカスワッフル構造体の導電性の列部分が形成される。
の開口５０４は導電性フォーカスワッフル構造体の列編成のパターンだけを構成
する。従って、このような実施形態では、図１Ｅ〜１Ｈに関連して又は代りにス
テップ３Ｅ〜３Ｇに関連して述べられた処理ステップが終了した後に、導電性フ
ォーカスワッフル構造体の導電性の列部分が形成される。
【００３９】 図５Ｄには、導電性の行部分５０６と導電性の列部分５０８を含む本発明の導
電性フォーカスワッフル構造体の平面図が示されている。この実施形態では、導
電性行部分５０６及び導電性列部分５０８は、見えない絶縁性材料層によって下
にある導電性ゲート電極層１０４から電気的に絶縁されている。従って、図５Ａ
〜５Ｄに示される実施形態は、導電性フォーカスワッフル構造体の行部分５０６
と列部分５０８とを順次的に形成する。
電性フォーカスワッフル構造体の平面図が示されている。この実施形態では、導
電性行部分５０６及び導電性列部分５０８は、見えない絶縁性材料層によって下
にある導電性ゲート電極層１０４から電気的に絶縁されている。従って、図５Ａ
〜５Ｄに示される実施形態は、導電性フォーカスワッフル構造体の行部分５０６
と列部分５０８とを順次的に形成する。
【００４０】 さらに図５Ｂに示す本実施形態では、光映像性材料層５０３は導電性行部分５
０６の高さよりも厚く堆積される。従って本実施形態では、導電性フォーカスワ
ッフル構造体の列部分５０８の高さは導電性フォーカスワッフル構造体の行部分
５０６の高さとは異なって形成される。より具体的には、１つの実施形態では、
列部分５０８は本導電性フォーカスワッフル構造体の行部分５０６の高さより高
く形成される。その結果、本発明は、行部分５０６に沿って配置された支持構造
体を強化する列部分５０８を有するのに適している。従って、行部分５０６との
交差点近傍の列部分５０８がより高くなっていることによって、行部分５０６に
沿って配置された支持構造体が強化される。すなわち、行部分５０６に沿って通
常配置された壁、リブ又は別の支持構造体は、近傍に位置するより高い列部分５
０８によって安定化し強化される。
０６の高さよりも厚く堆積される。従って本実施形態では、導電性フォーカスワ
ッフル構造体の列部分５０８の高さは導電性フォーカスワッフル構造体の行部分
５０６の高さとは異なって形成される。より具体的には、１つの実施形態では、
列部分５０８は本導電性フォーカスワッフル構造体の行部分５０６の高さより高
く形成される。その結果、本発明は、行部分５０６に沿って配置された支持構造
体を強化する列部分５０８を有するのに適している。従って、行部分５０６との
交差点近傍の列部分５０８がより高くなっていることによって、行部分５０６に
沿って配置された支持構造体が強化される。すなわち、行部分５０６に沿って通
常配置された壁、リブ又は別の支持構造体は、近傍に位置するより高い列部分５
０８によって安定化し強化される。
【００４１】 前記の実施形態は、導電性フォーカスワッフル構造体の行部分５０６の形成及
び導電性フォーカスワッフル構造体の列部分５０８の形成について提示している
が、本発明はまた導電性フォーカスワッフル構造体の行部分５０６の形成に先行
する導電性フォーカスワッフル構造体の列部分５０８の形成にも適している。同
様に本発明はまた、行部分５０６が列部分５０８よりも高くなるように導電性フ
ォーカスワッフル構造体を形成するのにも適している。
び導電性フォーカスワッフル構造体の列部分５０８の形成について提示している
が、本発明はまた導電性フォーカスワッフル構造体の行部分５０６の形成に先行
する導電性フォーカスワッフル構造体の列部分５０８の形成にも適している。同
様に本発明はまた、行部分５０６が列部分５０８よりも高くなるように導電性フ
ォーカスワッフル構造体を形成するのにも適している。
【００４２】 図５Ａ〜５Ｄの実施形態は、図１Ａ〜１Ｈ及び図３Ａ〜３Ｇに示される処理ス
テップに関連して述べられているが、図５Ａ〜５Ｄの実施形態はまた、図４Ａ〜
４Ｄに示されるステップに関連して用いられるのにも適している。すなわち、本
発明はまた、図４Ａ〜４Ｄの処理ステップを用いて導電性フォーカスワッフル構
造体の行部分と列部分とを順次形成する実施形態をも含む。
テップに関連して述べられているが、図５Ａ〜５Ｄの実施形態はまた、図４Ａ〜
４Ｄに示されるステップに関連して用いられるのにも適している。すなわち、本
発明はまた、図４Ａ〜４Ｄの処理ステップを用いて導電性フォーカスワッフル構
造体の行部分と列部分とを順次形成する実施形態をも含む。
【００４３】 ここで図６Ａを参照すると、本クレームに記載された発明の１つの実施形態の
導電性フォーカスワッフル形成における開始点を表す側部断面図が示されている
。明確化するために、当該技術で周知のいくつかの特徴が以下の図に示されない
、又は以下の説明に詳述されないことを理解されたい。本実施形態では電界放出
ディスプレイのカソード部分の１部が示されている。具体的には、図６Ａでは、
基板１００はその上に配置された行電極（図示せず）を有する。本発明はまた、
例えば行電極がその上に配置された抵抗性層（図示せず）を有するような他の様
々な構成にも適している。例えば二酸化シリコンから成る金属間誘電層１０２が
行電極の上に配置される。導電性ゲート電極層１０４が金属間誘電層１０２の上
に置かれる。一般に１０６で示される電界エミッタ構造体が、金属間誘電層１０
２内のそれぞれの空洞の内部に形成される。さらに密閉層１０８が金属間誘電層
１０２内の空洞を覆って、次の処理ステップの間、電界エミッタ１０６を保護す
る。
導電性フォーカスワッフル形成における開始点を表す側部断面図が示されている
。明確化するために、当該技術で周知のいくつかの特徴が以下の図に示されない
、又は以下の説明に詳述されないことを理解されたい。本実施形態では電界放出
ディスプレイのカソード部分の１部が示されている。具体的には、図６Ａでは、
基板１００はその上に配置された行電極（図示せず）を有する。本発明はまた、
例えば行電極がその上に配置された抵抗性層（図示せず）を有するような他の様
々な構成にも適している。例えば二酸化シリコンから成る金属間誘電層１０２が
行電極の上に配置される。導電性ゲート電極層１０４が金属間誘電層１０２の上
に置かれる。一般に１０６で示される電界エミッタ構造体が、金属間誘電層１０
２内のそれぞれの空洞の内部に形成される。さらに密閉層１０８が金属間誘電層
１０２内の空洞を覆って、次の処理ステップの間、電界エミッタ１０６を保護す
る。
【００４４】 ここで図６Ｂを参照すると、本発明の１つの実施形態では絶縁性材料層１１０
（例えば誘電性材料層）がそのカソード部分の上に付着される。本実施形態では
絶縁性材料層１１０は例えばスピンオンガラス（ＳＯＧ）である。しかしながら
本発明は、他の様々なタイプの絶縁性材料を図６Ａのカソード部分の上に付着さ
せるのにも適している。この実施形態では、絶縁性材料層１１０は約５〜５０ミ
クロンの深さまで堆積される。
（例えば誘電性材料層）がそのカソード部分の上に付着される。本実施形態では
絶縁性材料層１１０は例えばスピンオンガラス（ＳＯＧ）である。しかしながら
本発明は、他の様々なタイプの絶縁性材料を図６Ａのカソード部分の上に付着さ
せるのにも適している。この実施形態では、絶縁性材料層１１０は約５〜５０ミ
クロンの深さまで堆積される。
【００４５】 ここで図６Ｃを参照すると、本発明の本実施形態では光映像性材料の層６００
が図６Ｂのカソード部分の誘電層１１０の上に付着される。本実施形態では、光
映像性材料層６００は、例えばニュージャージー州サマービルのヘキスト・セラ
ニーズ社製のＡＺ４６２０フォトレジスト等のフォトレジストから成る。しかし
ながら、本発明は他の様々なタイプ及び供給者の光映像性材料を用いるのにも適
している。本実施形態では、フォトレジストの層６００は約２０〜５０ミクロン
の深さまで堆積される。
が図６Ｂのカソード部分の誘電層１１０の上に付着される。本実施形態では、光
映像性材料層６００は、例えばニュージャージー州サマービルのヘキスト・セラ
ニーズ社製のＡＺ４６２０フォトレジスト等のフォトレジストから成る。しかし
ながら、本発明は他の様々なタイプ及び供給者の光映像性材料を用いるのにも適
している。本実施形態では、フォトレジストの層６００は約２０〜５０ミクロン
の深さまで堆積される。
【００４６】 ここで図６Ｄを参照すると、光映像性材料層６００が堆積した後、光映像性材
料層６００は最初に露光処理を受ける。露光処理の後に、本実施形態は光映像性
材料層６００の部分を除去して、一般に図６Ｄの側部断面図に６０２で示される
開口を光映像性材料層６００の内部に形成する。本実施形態では、開口６０２が
導電性フォーカスワッフル構造体形成用テンプレートの第１の部分を形成する。
すなわち、開口６０２は、実質的に直交する行と列から成るグリッドパターンに
配置される。また明確化するために、図６Ｄには２つの開口６０２だけが示され
ているが、開口の多数の行及び列が光映像性材料層６００内に形成されるものと
理解されたい。
料層６００は最初に露光処理を受ける。露光処理の後に、本実施形態は光映像性
材料層６００の部分を除去して、一般に図６Ｄの側部断面図に６０２で示される
開口を光映像性材料層６００の内部に形成する。本実施形態では、開口６０２が
導電性フォーカスワッフル構造体形成用テンプレートの第１の部分を形成する。
すなわち、開口６０２は、実質的に直交する行と列から成るグリッドパターンに
配置される。また明確化するために、図６Ｄには２つの開口６０２だけが示され
ているが、開口の多数の行及び列が光映像性材料層６００内に形成されるものと
理解されたい。
【００４７】 ここで図６Ｅを参照すると、図６Ｃの開口６０２が形成された後、本発明は、
第１の導電性材料の層６０４を光映像性材料層６００の上に及びその中に形成さ
れた開口６０２の内部に付着させる。図６Ｅに示されるように、第１の導電性材
料層６０４は絶縁性材料層１１０によって導電性ゲート電極層１０４から電気的
に絶縁されている。本実施形態では、第１の導電性材料層６０４は、例えばミシ
ガン州ポートヒューロンのアチソン・セラニーズ社製のＣＢ８００Ａ ＤＡＧか
ら成る。別の実施形態では、第１の導電性材料層６０４は異なるグラファイトベ
ースの導電性材料から成る。さらに別の実施形態では、グラファイトベースの導
電性材料を半乾燥スプレイとして付着させて、第１の導電性材料層６０４の収縮
を低減する。そのような実施形態では、本発明によって第１の導電性材料層６０
４の最終的な深さを効果的に制御することが可能になる。そのような堆積方法が
上に提示されているが、本発明はまた、他の様々な導電性材料層を光映像性材料
層６００の上に及びその中に形成された開口６０２の内部に堆積するための他の
様々な堆積方法を用いるのにも適している。
第１の導電性材料の層６０４を光映像性材料層６００の上に及びその中に形成さ
れた開口６０２の内部に付着させる。図６Ｅに示されるように、第１の導電性材
料層６０４は絶縁性材料層１１０によって導電性ゲート電極層１０４から電気的
に絶縁されている。本実施形態では、第１の導電性材料層６０４は、例えばミシ
ガン州ポートヒューロンのアチソン・セラニーズ社製のＣＢ８００Ａ ＤＡＧか
ら成る。別の実施形態では、第１の導電性材料層６０４は異なるグラファイトベ
ースの導電性材料から成る。さらに別の実施形態では、グラファイトベースの導
電性材料を半乾燥スプレイとして付着させて、第１の導電性材料層６０４の収縮
を低減する。そのような実施形態では、本発明によって第１の導電性材料層６０
４の最終的な深さを効果的に制御することが可能になる。そのような堆積方法が
上に提示されているが、本発明はまた、他の様々な導電性材料層を光映像性材料
層６００の上に及びその中に形成された開口６０２の内部に堆積するための他の
様々な堆積方法を用いるのにも適している。
【００４８】 次に図６Ｆを参照すると、本発明の１つの実施形態では、光映像性材料層６０
０の上に及び／又は光映像性材料層６００の中の開口６０２の内部に配置された
余分の導電性材料を、光映像性材料層６００の上部表面から拭き取る（例えば「
スクィージする」等）ことによって除去される。その際に本発明は、第１の導電
性材料層６０４が光映像性材料層６００内の開口６０２の内部で所望の深さにな
ることを保証する。余分な導電性材料が取除かれた後、第１の導電性材料層６０
４は硬化する。本実施形態では、第１の導電性材料層６０４は摂氏約８０〜９０
度で約４〜５分間ベークされる。別の実施形態では、光映像性材料層６００の上
に及び／又は光映像性材料層６００の中の開口６０２の内部に配置された余分の
導電性材料は、硬化プロセスの後に余分量の導電性材料を機械的に拭き取ること
によって除去される。やはりそのような方法によって、導電性材料が光映像性材
料層６００内の開口６０２の内部で所望の深さになることが保証される。
０の上に及び／又は光映像性材料層６００の中の開口６０２の内部に配置された
余分の導電性材料を、光映像性材料層６００の上部表面から拭き取る（例えば「
スクィージする」等）ことによって除去される。その際に本発明は、第１の導電
性材料層６０４が光映像性材料層６００内の開口６０２の内部で所望の深さにな
ることを保証する。余分な導電性材料が取除かれた後、第１の導電性材料層６０
４は硬化する。本実施形態では、第１の導電性材料層６０４は摂氏約８０〜９０
度で約４〜５分間ベークされる。別の実施形態では、光映像性材料層６００の上
に及び／又は光映像性材料層６００の中の開口６０２の内部に配置された余分の
導電性材料は、硬化プロセスの後に余分量の導電性材料を機械的に拭き取ること
によって除去される。やはりそのような方法によって、導電性材料が光映像性材
料層６００内の開口６０２の内部で所望の深さになることが保証される。
【００４９】 ここで図６Ｇを参照すると、本発明は第１の導電性材料層６０４の硬化後に、
光映像性材料層６００の残余の部分を除去する。本発明では、専門的等級のアセ
トンを光映像性材料層６００に付着させて、除去プロセスを促進する。本発明は
、ニュージャージー州サマービルのヘキスト・セラニーズ社製の４００Ｔフォト
レジストストリッパ、ＮＭＰストリッパ等の他の多くの溶剤を用いて光映像性材
料を除去するのに適している。光映像性材料層６００の残りの部分を除去した後
に、導電性の行及び列６０４の第１の部分が絶縁性材料層１１０の上に配列した
状態で残る。
光映像性材料層６００の残余の部分を除去する。本発明では、専門的等級のアセ
トンを光映像性材料層６００に付着させて、除去プロセスを促進する。本発明は
、ニュージャージー州サマービルのヘキスト・セラニーズ社製の４００Ｔフォト
レジストストリッパ、ＮＭＰストリッパ等の他の多くの溶剤を用いて光映像性材
料を除去するのに適している。光映像性材料層６００の残りの部分を除去した後
に、導電性の行及び列６０４の第１の部分が絶縁性材料層１１０の上に配列した
状態で残る。
【００５０】 次に図６Ｈを参照すると、本発明の本実施形態では第２の光映像性材料層６０
６がカソード部分の誘電層１１０の上に、及び図６Ｇの導電性構造体６０４の上
に付着される。
６がカソード部分の誘電層１１０の上に、及び図６Ｇの導電性構造体６０４の上
に付着される。
【００５１】 次に図６Ｉを参照すると、光映像性材料層６０６が堆積された後、光映像性材
料層６０６は第２の露光処理を施される。第２の露光処理後、本実施形態は光映
像性材料層６０６の部分を除去して、一般に図６Ｉの側部断面図に６０８で示さ
れる開口を光映像性材料層６０６内に形成する。本実施形態では、開口６０８は
、導電性フォーカスワッフル構造体形成用テンプレートの第２の部分を形成する
。すなわち、開口６０８は実質的に直交する行及び列から成るグリッドパターン
に配置される。また明確化するために、図６Ｉには開口６０８の２つのセットだ
けが示されているが、開口の多数の行及び列が光映像性材料層６０６の中に形成
されることを理解されたい。
料層６０６は第２の露光処理を施される。第２の露光処理後、本実施形態は光映
像性材料層６０６の部分を除去して、一般に図６Ｉの側部断面図に６０８で示さ
れる開口を光映像性材料層６０６内に形成する。本実施形態では、開口６０８は
、導電性フォーカスワッフル構造体形成用テンプレートの第２の部分を形成する
。すなわち、開口６０８は実質的に直交する行及び列から成るグリッドパターン
に配置される。また明確化するために、図６Ｉには開口６０８の２つのセットだ
けが示されているが、開口の多数の行及び列が光映像性材料層６０６の中に形成
されることを理解されたい。
【００５２】 ここで図６Ｊを参照すると、図６Ｉの開口６０８が形成された後、本実施形態
は、第２の導電性材料層６１０を光映像性材料層６０６の上に及びその中に形成
された開口６０８の内部に付着させる。図６Ｈに示されるように、第２導電性材
料層６１０は、絶縁性材料層１１０によって導電性ゲート電極層１０４から電気
的に絶縁される。
は、第２の導電性材料層６１０を光映像性材料層６０６の上に及びその中に形成
された開口６０８の内部に付着させる。図６Ｈに示されるように、第２導電性材
料層６１０は、絶縁性材料層１１０によって導電性ゲート電極層１０４から電気
的に絶縁される。
【００５３】 次に図６Ｋを参照すると、本発明の１つの実施形態では、光映像性材料層６０
６の上部及び／又は光映像性材料層６０６の内部の開口６０８内に配置された余
分な導電性材料を、光映像性材料層６０６の上部表面から拭き取る（例えば「ス
クィージする」等）ことによって除去する。その際に本発明によって、第２導電
性材料層６１０が光映像性材料層６０６内の開口６０８の内部で所望の深さにな
ることが保証される。余分な導電性材料が除去された後、第２導電性材料層６１
０は硬化する。別の実施形態では、光映像性材料層６０６の上及び／又は光映像
性材料層６０６の中の開口６０８の内部に配置された余分の導電性材料は、硬化
処理の後にその余分量を機械的に拭き取ることによって除去される。やはりその
ような方法によって、導電性材料が光映像性材料層６０６内の開口６０８の内部
で所望の深さに堆積することが保証される。
６の上部及び／又は光映像性材料層６０６の内部の開口６０８内に配置された余
分な導電性材料を、光映像性材料層６０６の上部表面から拭き取る（例えば「ス
クィージする」等）ことによって除去する。その際に本発明によって、第２導電
性材料層６１０が光映像性材料層６０６内の開口６０８の内部で所望の深さにな
ることが保証される。余分な導電性材料が除去された後、第２導電性材料層６１
０は硬化する。別の実施形態では、光映像性材料層６０６の上及び／又は光映像
性材料層６０６の中の開口６０８の内部に配置された余分の導電性材料は、硬化
処理の後にその余分量を機械的に拭き取ることによって除去される。やはりその
ような方法によって、導電性材料が光映像性材料層６０６内の開口６０８の内部
で所望の深さに堆積することが保証される。
【００５４】 ここで図６Ｌを参照すると、第２導電性材料層６１０が硬化した後、本発明は
光映像性材料層６０６の残余の部分を除去する。光映像性材料層６０６の残余の
部分が除去された後、導電性の行及び列の第１及び第２の部分（すなわち６０４
及び６１０）が絶縁性材料層１１０の上に配列した状態で残る。
光映像性材料層６０６の残余の部分を除去する。光映像性材料層６０６の残余の
部分が除去された後、導電性の行及び列の第１及び第２の部分（すなわち６０４
及び６１０）が絶縁性材料層１１０の上に配列した状態で残る。
【００５５】 図６Ｍに見られるように、光映像性材料層６０６の残余の部分が除去された後
、本実施形態は導電性の行及び列６０４及び６１０の直接下にある部分を除いて
絶縁性材料層１１０を除去する。その結果、本実施形態は、絶縁性材料層１１０
の部分によって導電性ゲート電極層１０４から電気的に絶縁された完全な導電性
フォーカスワッフル構造体を提供する。さらに本実施形態の導電性フォーカスワ
ッフル構造体は、（絶縁性材料層１１０から成る）誘電性の下方部分と導電性の
上方部分（６０４及び６１０）とを含む。
、本実施形態は導電性の行及び列６０４及び６１０の直接下にある部分を除いて
絶縁性材料層１１０を除去する。その結果、本実施形態は、絶縁性材料層１１０
の部分によって導電性ゲート電極層１０４から電気的に絶縁された完全な導電性
フォーカスワッフル構造体を提供する。さらに本実施形態の導電性フォーカスワ
ッフル構造体は、（絶縁性材料層１１０から成る）誘電性の下方部分と導電性の
上方部分（６０４及び６１０）とを含む。
【００５６】 本実施形態のマルチレベル形状の結果として、図６Ｍの導電性フォーカスワッ
フル構造体はより短い部分６０４に沿って配置された支持構造体を強化するより
高い部分６１０を有するのに適している。すなわち、より短い部分６０４上に通
常位置する壁、リブ又は別の支持構造体が、近傍に位置するより高い部分６１０
によって安定化又は強化される。
フル構造体はより短い部分６０４に沿って配置された支持構造体を強化するより
高い部分６１０を有するのに適している。すなわち、より短い部分６０４上に通
常位置する壁、リブ又は別の支持構造体が、近傍に位置するより高い部分６１０
によって安定化又は強化される。
【００５７】 さらに、図６Ａ〜６Ｍの実施形態は第１又は第２の光映像性材料層の堆積に先
行して絶縁性材料層１１０をカソード構造体上に配置することが提示されている
が、本実施形態はまた、第１及び／又は第２の導電性材料層の堆積に先行して第
１及び／又は第２の光映像性材料層内に形成された開口の内部に誘電性又は絶縁
性の材料が堆積するような実施形態にも適している。さらに本発明はまた、導電
性フォーカスワッフル構造体の行部分だけが又は列部分だけがマルチレベルであ
るような実施形態にも適している。
行して絶縁性材料層１１０をカソード構造体上に配置することが提示されている
が、本実施形態はまた、第１及び／又は第２の導電性材料層の堆積に先行して第
１及び／又は第２の光映像性材料層内に形成された開口の内部に誘電性又は絶縁
性の材料が堆積するような実施形態にも適している。さらに本発明はまた、導電
性フォーカスワッフル構造体の行部分だけが又は列部分だけがマルチレベルであ
るような実施形態にも適している。
【００５８】 こうして本発明は、重大な汚染物放出やガス抜きに悩むことのないフォーカス
ワッフル構造体を提供する。本発明はさらに、複雑で困難な角度付き蒸着処理ス
テップの必要性の無いフォーカスワッフル構造体を提供する。加えて本発明はま
た、フォーカスワッフルの製造スループット及び歩留まりを改善するフォーカス
ワッフル構造体を提供する。
ワッフル構造体を提供する。本発明はさらに、複雑で困難な角度付き蒸着処理ス
テップの必要性の無いフォーカスワッフル構造体を提供する。加えて本発明はま
た、フォーカスワッフルの製造スループット及び歩留まりを改善するフォーカス
ワッフル構造体を提供する。
【００５９】 本発明の特定の実施形態についての上の説明は、図示及び説明の目的でなされ
たものである。それらは尽くされたものではなく、又は本発明を開示されたまさ
にその形態に限定することを意図したものでもなくて、明らかに上述の教授内容
の観点から多くの修正例及び変形例が可能である。それらの実施形態は、本発明
の諸原理とその実際的な応用を最も良く説明するために、従って他の当業者が本
発明と、熟考された特定の使用法に適した様々な変更例を伴う様々な実施形態と
を最も良く利用することを可能とするために、選択され説明されたものである。
本発明の範囲はここに添付されたクレームとそれらの等価物によって定められる
ものとする。
たものである。それらは尽くされたものではなく、又は本発明を開示されたまさ
にその形態に限定することを意図したものでもなくて、明らかに上述の教授内容
の観点から多くの修正例及び変形例が可能である。それらの実施形態は、本発明
の諸原理とその実際的な応用を最も良く説明するために、従って他の当業者が本
発明と、熟考された特定の使用法に適した様々な変更例を伴う様々な実施形態と
を最も良く利用することを可能とするために、選択され説明されたものである。
本発明の範囲はここに添付されたクレームとそれらの等価物によって定められる
ものとする。
本明細書に組み込まれその１部を成す添付図面は本発明の実施形態を図示し、
説明と一緒に、本発明の原理を説明するのに役立つ。
説明と一緒に、本発明の原理を説明するのに役立つ。
【図１Ａ】 本発明の１実施形態による導電性フォーカスワッフル形成方法における１つの
開始点を示す側部断面図である。
開始点を示す側部断面図である。
【図１Ｂ】 本発明の１実施形態による誘電性材料層を上に配置した図１Ａの構造体の側部
断面図である。
断面図である。
【図１Ｃ】 本発明の１実施形態による光映像性材料層を上に配置した図１Ｂの構造体の側
部断面図である。
部断面図である。
【図１Ｄ】 本発明の１実施形態による光映像性材料層に形成された開口を有する図１Ｃの
構造体の側部断面図である。
構造体の側部断面図である。
【図１Ｅ】 本発明の１実施形態による光映像性材料層の上、そして自身開口中に配置され
た導電性層を有する図１Ｄの構造体の側部断面図である。
た導電性層を有する図１Ｄの構造体の側部断面図である。
【図１Ｆ】 本発明の１実施形態による導電性層の余分の部分を自身から除去した図１Ｅの
構造体の側部断面図である。
構造体の側部断面図である。
【図１Ｇ】 本発明の１実施形態による光映像性材料層の残余の部分を自身から除去した図
１Ｆの構造体の側部断面図である。
１Ｆの構造体の側部断面図である。
【図１Ｈ】 本発明の１実施形態による絶縁性材料層の様々な部分を自身から除去した図１
Ｇの構造体の側部断面図である。
Ｇの構造体の側部断面図である。
【図２】 本発明の１実施形態による光映像性材料層に形成された開口の上面図である。
【図３Ａ】 本発明の１実施形態による導電性層フォーカスワッフル形成方法における１つ
の開始点を示す側部断面図である。
の開始点を示す側部断面図である。
【図３Ｂ】 本発明の１実施形態による光映像性材料層を自身の上に配置した図３Ａの構造
体の側部断面図である。
体の側部断面図である。
【図３Ｃ】 本発明の１実施形態による光映像性材料層に開口を形成した図３Ｂの構造体の
側部断面図である。
側部断面図である。
【図３Ｄ】 本発明の１実施形態による誘電性材料を開口に配置した図３Ｃの構造体の側部
断面図である。
断面図である。
【図３Ｅ】 本発明の１実施形態による光映像性材料層の上、そして自身の開口中に配置さ
れた導電性層を有する図３Ｄの構造体の側部断面図である。
れた導電性層を有する図３Ｄの構造体の側部断面図である。
【図３Ｆ】 本発明の１実施形態による導電性層の余分の部分を自身から除去した図３Ｅの
構造体の側部断面図である。
構造体の側部断面図である。
【図３Ｇ】 本発明の１実施形態による光映像性材料層の残余の部分を自身から除去した図
３Ｆの構造体の側部断面図である。
３Ｆの構造体の側部断面図である。
【図４Ａ】 本発明の１実施形態による導電性フォーカスワッフル形成方法における１つの
開始点を示す側部断面図である。
開始点を示す側部断面図である。
【図４Ｂ】 本発明の１実施形態による絶縁性材料層を上に配置した図４Ａの構造体の側部
断面図である。
断面図である。
【図４Ｃ】 本発明の１実施形態による絶縁性材料層の上に導電性層を配置した図４Ｂの構
造体の側部断面図である。
造体の側部断面図である。
【図４Ｄ】 本発明の１実施形態による絶縁性材料層の上により厚い導電性層を配置した図
４Ｃの構造体の側部断面図である。
４Ｃの構造体の側部断面図である。
【図５Ａ】 本発明の１実施形態に従って形成された構造体の上部平面図である。
【図５Ｂ】 本発明の１実施形態による第２の光映像性材料層を内部に配置した図５Ａの構
造体の側部断面図である。
造体の側部断面図である。
【図５Ｃ】 本発明の１実施形態による追加の開口を形成した図５Ｂの構造体の上部平面図
である。
である。
【図５Ｄ】 本発明の１実施形態に従って形成された導電性フォーカスワッフル構造体の上
部平面図である。
部平面図である。
【図６Ａ】 本発明の１実施形態による導電性フォーカスワッフル形成方法における１つの
開始点を示す側部断面図である。
開始点を示す側部断面図である。
【図６Ｂ】 本発明の１実施形態による誘電性材料層を上に配置した図６Ａの構造体の側部
断面図である。
断面図である。
【図６Ｃ】 本発明の１実施形態による第１の光映像性材料層を上に配置した図６Ｂの構造
体の側部断面図である。
体の側部断面図である。
【図６Ｄ】 本発明の１実施形態による第１の光映像性材料層に開口を形成した図６Ｃの構
造体の側部断面図である。
造体の側部断面図である。
【図６Ｅ】 本発明の１実施形態による第１の光映像性材料層の上、そして自身に形成され
た第１の開口中に第１の導電性層を配置した図６Ｄの構造体の側部断面図である
。
た第１の開口中に第１の導電性層を配置した図６Ｄの構造体の側部断面図である
。
【図６Ｆ】 本発明の１実施形態による第１の導電性層の余分の部分を自身から除去した図
６Ｅの構造体の側部断面図である。
６Ｅの構造体の側部断面図である。
【図６Ｇ】 本発明の１実施形態による第１の光映像性材料層の残余の部分を自身から除去
した図６Ｆの構造体の側部断面図である。
した図６Ｆの構造体の側部断面図である。
【図６Ｈ】 本発明の１実施形態による第２の光映像性材料層を上に配置した図６Ｇの構造
体の側部断面図である。
体の側部断面図である。
【図６Ｉ】 本発明の１実施形態による第２の光映像性材料層に開口を形成した図６Ｈの構
造体の側部断面図である。
造体の側部断面図である。
【図６Ｊ】 本発明の１実施形態による第２の光映像性材料層の上、そして自身に形成され
た開口中に第２の導電性層を配置した図６Ｉの構造体の側部断面図である。
た開口中に第２の導電性層を配置した図６Ｉの構造体の側部断面図である。
【図６Ｋ】 本発明の１実施形態による第２の導電性層の余分な部分を自身から除去した図
６Ｊの構造体の側部断面図である。
６Ｊの構造体の側部断面図である。
【図６Ｌ】 本発明の１実施形態による第２の光映像性材料層の残余の部分を自身から除去
した図６Ｋの構造体の側部断面図である。
した図６Ｋの構造体の側部断面図である。
【図６Ｍ】 本発明の１実施形態による絶縁性材料層の様々な部分を自身から除去した図６
Ｌの構造体の側部断面図である。 本明細書に引用される図面は、特に記載のない限り、一定の比に拡大縮小して
描かれたものではないものと理解すべきである。
Ｌの構造体の側部断面図である。 本明細書に引用される図面は、特に記載のない限り、一定の比に拡大縮小して
描かれたものではないものと理解すべきである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラーン，アーサー，ジェイ． アメリカ合衆国，95014 カリフォルニア 州，クパティノ，ウィルキンソン アヴェ ニュー 10822 (72)発明者 マッキー，ボブ，エル． アメリカ合衆国，95124 カリフォルニア 州，サン ホウゼイ，アンドリュース ア ヴェニュー 1859 (72)発明者 ドラム，ポウル，エム． アメリカ合衆国，93003 カリフォルニア 州，ヴェンチュラ，パラキート コート 1634 (72)発明者 モーリス，デイビッド，エル． アメリカ合衆国，95132 カリフォルニア 州，サン ホウゼイ，エル グランデ コ ート 3644 Ｆターム(参考） 5C012 AA05 BB07 5C032 CC06 5C036 EE14 EE19 EG19
Claims (32)
- 【請求項１】 フラットパネルディスプレイ装置のカソード部分から放出さ
れた電子を収束させる導電性フォーカスワッフル構造体を形成する方法において
、前記方法が： ａ）第１の光映像性材料層を前記カソード部分に付着させるステップと； ｂ）前記光映像性材料層の部分を、前記光映像性材料層に開口が形成されるよ
うに除去するステップと； ｃ）導電性材料層を前記カソードの上に、前記導電性材料層が前記光映像性材
料層の前記開口中に配置されるように付着させるステップであり、前記導電性材
料層が、前記カソードとその底部表面間に配置された誘電性材料層を有する、前
記ステップと； ｄ）前記導電性フォーカスワッフル構造体の少なくとも１部が前記カソードの
上に形成されるように前記光映像性材料層を除去するステップと； を含む方法。 - 【請求項２】 ステップｃ）が、前記導電性材料層を前記光映像性材料層の
前記開口内に配置する前に、ステップｂ）で形成された前記光映像性材料層の前
記開口中に誘電性材料を、前記誘電性材料層が前記カソード部分と前記導電性材
料層間に配置されるように付着させるステップを含む、請求項１に記載の導電性
フォーカスワッフル構造体を形成する方法。 - 【請求項３】 ステップｃ）が、導電性材料層を前記カソードの上に、前記
導電性材料層が前記光映像性材料層の前記開口内に配置されるように付着させる
ステップであり、前記導電性材料層が前記カソードとその底部表面間に配置され
たスピンオンガラス層を有する、前記ステップを含む、請求項１に記載の導電性
フォーカスワッフル構造体を形成する方法。 - 【請求項４】 ステップｃ）が、ＤＡＧ層を前記カソードの上に、前記ＤＡ
Ｇ層が前記光映像性材料層の前記開口内に配置されるように付着するステップで
あり、前記ＤＡＧ層が前記カソードとその底部表面間に配置された誘電性材料層
を有する、前記ステップを含む、請求項１に記載の導電性フォーカスワッフル構
造体を形成する方法。 - 【請求項５】 ｅ）第２の光映像性材料層を前記カソード部分と前記導電性
フォーカスワッフル構造体の前記少なくとも１部との上に付着させるステップと
； ｆ）前記第２の光映像性材料層の部分を、前記第２の光映像性材料層に開口が
形成されるように除去するステップと； ｇ）第２の導電性材料層を前記カソードの上に、前記第２の導電性材料層が前
記第２の光映像性材料層の前記開口内に配置されるように付着するステップであ
り、前記第２の導電性材料層が前記カソードとその底部表面間に配置された誘電
性材料層を有する、前記ステップと； ｈ）前記第２の光映像性材料層を、前記導電性フォーカスワッフル構造体の少
なくとも第２の部分が前記カソードの上に形成されるように除去するステップと
； をさらに含む、請求項１に記載の導電性フォーカスワッフル構造体を形成する方
法。 - 【請求項６】 ステップａ）を実行する前に、誘電性材料を前記カソード部
分の上に、請求項１のステップｃ）又は請求項９のステップｇ）に記載の前記誘
電性材料層が前記カソード部分と前記層すなわち前記第２の導電性材料層間に配
置されるように付着させるステップをさらに含む、請求項１又は５に記載の導電
性フォーカスワッフル構造体を形成する方法。 - 【請求項７】 ステップｇ）が、前記第２の導電性材料層を前記第２の光映
像性材料層の前記開口内に配置する前に、誘電性材料をステップｆ）で形成され
た前記第２の光映像性材料層の前記開口内に、前記誘電性材料層が前記カソード
部分と前記第２の導電性材料層間に配置されるように付着させるステップを含む
、請求項５に記載の導電性フォーカスワッフル構造体を形成する方法。 - 【請求項８】 誘電性材料層を前記カソード部分の上に付着させ、また、前
記カソードの上に配置された前記誘電性材料層を、前記導電性フォーカスワッフ
ル構造体の前記少なくとも１部分と前記カソード間に常駐する前記誘電性材料層
の部分を例外として除去するステップをさらに含み；ステップｃ）において、導
電性フォーカスワッフル構造体の少なくとも１部を形成される予定の位置で前記
光映像性材料層に開口が形成され；また、ステップｅ）において、前記光映像性
材料層の除去が、前記導電性材料層に少なくとも部分的に形成された前記導電性
フォーカスワッフルの少なくとも１部が前記カソードの上に形成されるように実
行される；請求項１に記載の方法。 - 【請求項９】 完全な導電性フォーカスワッフル構造体を形成するステップ
を含む、請求項１又は８に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記除去するステップが： 第２の光映像性材料層を前記導電性ワッフル構造体の少なくとも１部と前記カ
ソード部分との上に付着させるステップと； 前記第２の光映像性材料層の部分を、前記導電性フォーカスワッフル構造体の
少なくとも第２の部分が形成される予定の位置において前記第２の光映像性材料
層に開口が形成されるように除去するステップと； 第２の導電性材料層を前記カソードの上に、前記第２の導電性材料層が前記第
２の光映像性材料層の前記開口内に配置されるように付着するステップと； 前記第２の光映像性材料層を、前記第２の導電性材料層に少なくとも部分的に
形成された前記導電性フォーカスワッフル構造体の少なくとも第２の部分が前記
カソードの上に形成されるように除去するステップと； をさらに含む、請求項８に記載の導電性フォーカスワッフル構造体を形成する方
法。 - 【請求項１１】 前記導電性フォーカスワッフル構造体の前記少なくとも１
部が、前記導電性フォーカスワッフル構造体の前記少なくとも第１の部分とは異
なった高さを有するように形成される、請求項５又は８に記載の方法。 - 【請求項１２】 フラットパネルディスプレイ装置のカソード部分から放出
された電子を収束させる導電性フォーカスワッフル構造体において、前記導電性
フォーカスワッフル構造体が： ある材料から成るグリッドであり、前記グリッドが実質的に直交方位付けされ
た行と列から成り、前記実質的に直交方位付けされた行と列が自身同士間の開口
を画定し、前記開口が、フラットパネルディスプレイ装置のカソード部分から放
出された電子が通過するに十分なサイズを有し、前記グリッドが： 前記フラットパネルディスプレイ装置の前記カソード部分にカップリングさ
れるようになっている下方誘電性部分と； 前記下方誘電性部分のカップリングされる上方導電性部分であり、前記上方
導電性部分が前記開口を通過する前記電師を収束させるようになっている、前記
上方導電性部分と； をさらに備える、ある材料から成る前記グリッドと； を備える、導電性フォーカスワッフル構造体。 - 【請求項１３】 ある材料から成る前記グリッドの前記下方誘電性部分がス
ピンオンガラスから成る、請求項１２に記載の導電性フォーカスワッフル構造体
。 - 【請求項１４】 ある材料から成る前記グリッドの前記上方導電性部分がＤ
ＡＧから成る、請求項１２に記載の導電性フォーカスワッフル構造体。 - 【請求項１５】 前記グリッドの行が前記グリッドの前記列とは異なった高
さを有するように形成される、請求項１２に記載の導電性フォーカスワッフル構
造体。 - 【請求項１６】 フラットパネルディスプレイ装置のカソード部分から放出
された電子を収束させる導電性フォーカスワッフル構造体を形成する方法におい
て、前記方法が： ａ）誘電性材料層をフラットパネルディスプレイのカソード部分の上に付着さ
せるステップであり、前記誘電性材料層が、実質的に直交方位付けされた行と列
から成る第１の層を形成するように付着され、前記第１の層を成す実質的に直交
方位付けされた行と列が自身同士間で開口を画定し、前記開口が、前記カソード
部分から放出された電子が通過するに十分なサイズを有する、前記ステップと； ｂ）導電性材料層を前記誘電性材料層の上に付着させるステップであり、前記
導電性材料層が実質的に直交方位付けされた行と列から成る第２の層を形成する
ように付着され、前記第２の層を成す実質的に直交方位付けされた行と列が自身
同士間で開口を画定し、前記開口が、前記カソード部分から放出された電子が通
過するに十分なサイズを有し、これによって、誘電性の下方部分と誘電性の上方
部分を有するフォーカスワッフルが形成される、前記ステップと； を含む方法。 - 【請求項１７】 ステップａ）が、前記誘電性材料層を前記カソード部分の
上にステンシル付着プロセスを用いて付着させるステップを含む、請求項１６に
記載の導電性フォーカスワッフル構造体を形成する方法。 - 【請求項１８】 ステップｂ）が、前記導電性材料層を前記誘電性材料層の
上にステンシル付着プロセスを用いて付着させるステップを含む、請求項１６に
記載の導電性フォーカスワッフル構造体を形成する方法。 - 【請求項１９】 ステップｂ）が、ＤＡＧ層を前記誘電性材料層の上に付着
させるステップを含む、請求項１６に記載の導電性フォーカスワッフル構造体を
形成する方法。 - 【請求項２０】 フラットパネルディスプレイ装置のカソード部分から放出
された電子を収束させるマルチレベル導電性フォーカスワッフル構造体を形成す
る方法において、前記方法が： ａ）前記マルチレベル導電性フォーカスワッフル構造体の第１の部分を形成す
るステップであり、前記マルチレベル導電性フォーカスワッフル構造体の前記第
１の部分が誘電性下方部分と導電性上方部分とを有する、前記ステップと； ｂ）前記マルチレベル導電性フォーカスワッフル構造体の第２の部分を前記導
電性フォーカスワッフル部分の前記第１の部分に隣接して形成するステップであ
り、前記導電性フォーカスワッフル部分の前記第２の部分が、前記導電性フォー
カスワッフル構造体の前記第１の部分の前記高さとは異なった高さを有し、前記
マルチレベル導電性フォーカスワッフル構造体の前記第２の部分が誘電性下方部
分と導電性上方部分とを有する、前記ステップと； を含む方法。 - 【請求項２１】 ステップａ）が： ａ１）誘電性材料層を前記カソード部分の上に付着させるステップと； ａ２）第１の光映像性材料層を前記カソード部分の上に付着させるステップと
； ａ３）前記第１の光映像性材料層を、前記マルチレベル導電性フォーカスワッ
フル構造体の少なくとも第１の部分が形成される予定の位置で前記第１の光映像
性材料層に開口が形成されるように除去するステップと； ａ４）第１の導電性材料層を前記カソードの上に、前記第１の導電性材料層が
前記第１の光映像性材料層の前記開口内に配置されるように付着させるステップ
と； ａ５）前記第１の光映像性材料層の残余の部分を除去するステップと； ａ６）第２の光映像性材料層を前記カソード部分の上に付着させるステップと
； ａ７）前記第２の光映像性材料層の部分を、前記マルチレベル導電性フォーカ
スワッフル構造体の少なくとも第２の部分が形成される予定の位置で前記第２の
光映像性材料層に開口が形成されるように除去するステップと； ａ８）前記第２の光映像性材料層の残余の部分を、前記マルチレベル導電性フ
ォーカスワッフル構造体の前記第１の部分と前記第２の部分が前記カソードの上
で形成されるように除去するステップと； ａ９）前記カソードの上に配置された前記誘電性材料層を、前記マルチレベル
導電性フォーカスワッフル構造体の前記第１の部分及び前記第２の部分のいずれ
かと前記カソードとの間に常駐する前記誘電性材料層の部分以外を除去するステ
ップと； を備える、請求項２０に記載のマルチレベル導電性フォーカスワッフル構造体を
形成する方法。 - 【請求項２２】 ステップａ１）が第１のスピンオンガラス層を前記カソー
ド部分の上に付着させるステップを含む、請求項８、１６又は２１に記載の方法
。 - 【請求項２３】 ステップａ２）が第１のフォトレジスト層を前記カソード
部分の上に付着させるステップを含む、請求項１、８又は２１に記載の方法。 - 【請求項２４】 ＤＡＧ層を前記カソードの上に、前記ＤＡＧ層が前記層す
なわち前記第１の光映像性材料層の前記開口内に配置されるように付着させるス
テップを請求項８のステップｃ）又は請求項２１のステップａ４）が含む、請求
項８又は２１に記載の方法。 - 【請求項２５】 請求項１のステップｃ）又は請求項２１のステップａ４）
が、前記層すなわち前記第１の導電性材料層及び前記層すなわち前記第１の光映
像性材料層を平面化するステップをさらに含む、請求項１又は２１に記載の方法
。 - 【請求項２６】 ステップａ６）が、第２のフォトレジスト層を前記カソー
ド部分の上に付着させるステップを含む、請求項２１に記載のマルチレベル導電
性フォーカスワッフル構造体を形成する方法。 - 【請求項２７】 ステップａ８）が、ＤＡＧ層を前記カソードの上に、前記
ＤＡＧ層が前記第２の光映像性材料層の前記開口内に配置されるように付着させ
るステップを含む、請求項２１に記載のマルチレベル導電性フォーカスワッフル
構造体を形成する方法。 - 【請求項２８】 請求項５のステップｇ）又は請求項２１のステップａ８）
が、前記第２の導電性材料層と前記第２の光映像性材料層を平面化するステップ
をさらに含む、請求項５又は２１に記載の方法。 - 【請求項２９】 前記マルチレベル導電性フォーカスワッフル構造体の前記
第２の部分が、前記マルチレベル導電性ワッフル構造体の前記第１の部分のそれ
ぞれの側部に隣接して配置された実質的に平行な２つの部分から成る、請求項２
１に記載のマルチレベル導電性フォーカスワッフル構造体を形成する方法。 - 【請求項３０】 前記実質的に平行な２つの部分が前記マルチレベル導電性
フォーカスワッフル構造体の前記第１の部分より高い、請求項２９に記載のマル
チレベル導電性フォーカスワッフル構造体を形成する方法。 - 【請求項３１】 ステップａ）が、前記マルチレベル導電性フォーカスワッ
フル構造体の前記第１の部分をステンシル付着プロセスを用いて形成するステッ
プを含む、請求項２０に記載のマルチレベル導電性フォーカスワッフル構造体を
形成する方法。 - 【請求項３２】 ステップｂ）が、前記マルチレベル導電性フォーカスワッ
フル構造体の前記第２の部分をステンシル付着プロセスを用いて形成するステッ
プを含む、請求項２０に記載のマルチレベル導電性フォーカスワッフル構造体を
形成する方法。
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