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GEBIET DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende und beanspruchte Erfindung betrifft das Gebiet der Flachbildschirmanzeigen.
Im Besonderen betrifft die vorliegende und beanspruchte Erfindung
die "Fokuswaffel" einer Flachbildschirmanzeigenstruktur.
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STAND DER TECHNIK
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Flachbildschirmanzeigevorrichtungen
arbeiten häufig
unter Verwendung von Elektronen emittierenden Strukturen, wie zum
Beispiel von Feldemittern vom Typ Spindt. Derartige Flachbildschirmanzeigen
verwenden häufig
eine Polyimidstruktur für
die Fokussierung oder für
die Definition des Pfads der emittierten Elektronen von den Elektronen
emittierenden Strukturen. Bei einem Ansatz gemäß dem Stand de Technik wird
die Polyimidstruktur als eine "Fokuswaffel" bezeichnet. Die
Struktur umfasst eine Mehrzahl von Zeilen, die parallel zueinander
sind, und eine Mehrzahl von Spalten, die parallel zueinander sind,
wobei sie ferner im Wesentlichen orthogonal zu der Mehrzahl von
Zeilen sind. Die Mehrzahl von Zeilen und Spalten des Polyimidmaterials
definieren dazwischen Öffnungen.
Die Fokuswaffel befindet sich zwischen den Elektronen emittierenden Strukturen
und der Frontplatte (Faceplate), so dass emittierte Elektronen durch Öffnungen
in der Fokuswaffelstruktur verlaufen und in Richtung entsprechender
Subpixelbereiche gerichtet sind.
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Leider
sind derartige dem Stand der Technik entsprechende Polyimid-Fokuswaffelstrukturen
außerordentlich
teuer und verursachen somit zusätzliche
Kosten in der Herstellung von Flachbildschirmanzeigen. Ein weiterer
Nachteil derartiger Polyimid-Fokuswaffelstrukturen ist es, dass
sie eine Hauptquelle für
Verunreinigungen in Flachbildschirmvorrichtungen darstellen. Das
heißt,
derartige "schmutzige" Polyimid-Fokuswaffelstrukturen
führen Verunreinigungsteilchen
in die evakuierte bzw. luftleer gemachte Umgebung der Flachbildschirmvorrichtung
ein. Diese Verunreinigungsteilchen verschlechtern die Leistung der
Flachbildschirmanzeigenvorrichtung, sie können Verfärbungen bewirken und die effektive
Nutzungsdauer der Flachbildschirmanzeigevorrichtung verkürzen. Zusätzlich zu
der Emission von Verunreinigungsteilchen entgasen derartige dem
Stand der Technik entsprechende Fokuswaffelstrukturen ferner Material
(z. B. organische Stoffe) aufgrund der Elektronendesorbtion und
thermischen Beanspruchungen bzw. Belastungen, die während den
Fertigungsschritten für
eine Flachbildschirmanzeige induziert werden.
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Als
ein weiterer Nachteil führt
das Auftragen von leitfähigen Überzügen (z.
B. Aluminium), die auf Polyimid-Fokuswaffelstrukturen aufgetragen
bzw. aufgebracht werden, zu erheblichen Schwierigkeiten und Komplexität bei der
Herstellung bzw. Fertigung herkömmlicher
Flachbildschirmanzeigevorrichtungen. Im Besonderen werden bei der
Herstellung herkömmlicher
Flachbildschirmanzeigen leitfähige Überzüge unter
Verwendung angewinkelter Bedampfungsprozesse aufgetragen. Der angewinkelte
Bedampfungsprozess ist schwierig, zeitaufwändig und teuer. Neben der schwierigen
Ausführung
reduziert die zeitaufwändige
Beschaffenheit des angewinkelten Bedampfungsprozesses den Durchsatz
und die Ergiebigkeit während
der Herstellung von Flachbildschirmanzeigevorrichtungen.
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Benötigt wird
somit eine Fokuswaffelstruktur, die nicht mit erheblichen Kosten
verbunden ist, die keine größeren Verunreinigungsemissionen
und Entgasung bzw. Ausgasung aufweist. Ferner benötigt wird
eine Fokuswaffelstruktur, welche die oben genannte Anforderung erfüllt und
ferner die Notwendigkeit bzw. Anforderung in Bezug auf komplexe
und schwierige Schritte eines angewinkelten Bedampfungsprozesses
eliminiert. Ferner benötigt
wird eine Fokuswaffelstruktur, welche die oben genannten Anforderungen
erfüllt
und ferner den Durchsatz und die Ergiebigkeit der Fokuswaffelstrukturherstellung
verbessert.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Vorgesehen
ist gemäß der vorliegenden
Erfindung ein Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur an
einem Kathodenabschnitt einer Flachbildschirmanzeigenvorrichtung
gemäß dem gegenständlichen
Anspruch 1. Besondere Ausführungsbeispiele
der Erfindung sind in den Unteransprüchen 2 bis 9 definiert. Ferner
wird hiermit festgestellt, dass die Fokuswaffelstruktur in zahlreichen
Arten von Flachbildschirmanzeigen eingesetzt werden kann.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die
beigefügten
Zeichnungen, die Bestandteil der vorliegenden Patentschrift sind,
veranschaulichen Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung und dienen in Verbindung mit der Beschreibung dazu,
die Grundsätze
der vorliegenden Erfindung zu erläutern. Es zeigen:
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1A eine
Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in einem Verfahren
zur Bildung einer leitfähigen
Fokuswaffelstruktur gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt;
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1B eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1A mit
einer Schicht eines dielektrischen Materials, die über der
Struktur angeordnet ist, gemäß einem
Ausführungsbeispiel der
vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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1C eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1B mit
einer Schicht eines fotostrukturierbaren Materials, die über der Struktur
angeordnet ist, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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1D eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1C mit Öffnungen,
die in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials ausgebildet
sind, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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1E eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1D mit
einer leitfähigen
Schicht, die über
der Schicht des fotostrukturierbaren Materials angeordnet ist, und
in die darin ausgebildeten Öffnungen
gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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1F eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1E mit überschüssigen Abschnitten
der leitfähigen
Schicht, die von dort entfernt werden, gemäß einem Ausführungsbeispiel der
vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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1G eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1F,
wobei die verbleibenden Abschnitte der fotostrukturierbaren Schicht des
Materials davon entfernt werden, gemäß einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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1H eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1G,
wobei verschiedene Abschnitte der isolierenden Materialschicht davon entfernt
werden, gemäß einem
Ausführungsbeispiel der
vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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2 eine
Draufsicht von oben von Öffnungen,
die in einer Schicht aus einem fotostrukturierbaren Material ausgebildet
sind, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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3A eine
Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in einem Verfahren
zur Bildung einer leitfähigen
Fokuswaffelstruktur gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt;
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3B eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3A,
wobei eine Schicht eines fotostrukturierbaren Materials darüber angeordnet
ist, gemäß einem
Ausführungsbeispiel der
vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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3C eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3B mit Öffnungen,
die in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials ausgebildet
sind, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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3D eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3C mit
dielektrischem Material, das in den Öffnungen angeordnet ist, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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3E eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3D mit
einer leitfähigen
Schicht, die über
der Schicht des fotostrukturierbaren Materials angeordnet ist, und
in die darin ausgebildeten Öffnungen,
gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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3F eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3E mit überschüssigen Abschnitten
der leitfähigen
Schicht, die davon entfernt werden, gemäß einem Ausführungsbeispiel der
vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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3G eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3F,
wobei die verbliebenen Abschnitte der fotostrukturierbaren Materialschicht
davon entfernt worden sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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4A eine
Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in einem Verfahren
zur Bildung einer leitfähigen
Fokuswaffelstruktur darstellt;
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4B eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 4A mit
einer darüber angeordneten
Schicht eines isolierenden Materials;
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4C eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 4B mit
einer leitfähigen
Schicht, die über
der Schicht des isolierenden Materials angeordnet ist;
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4D eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 4C mit
einer dickeren leitfähigen
Schicht, die über
der Schicht des isolierenden Materials angeordnet ist; wobei das
Ausführungsbeispiel
aus 4 keinen Bestandteil der vorliegenden
Erfindung bildet;
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5A eine
Draufsicht von oben einer Struktur, die gemäß einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung ausgebildet ist;
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5B eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 5A mit
einer zweiten Schicht einer fotostrukturierbaren Materialschicht, die
darauf angeordnet ist, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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5C eine
Draufsicht von oben der Struktur aus der Abbildung aus 5B,
wobei darin zusätzliche Öffnungen
ausgebildet sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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5D eine
Draufsicht von oben einer leitfähigen
Fokuswaffelstruktur, die gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung ausgebildet ist;
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6A eine
Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in einem Verfahren
zur Bildung einer leitfähigen
Fokuswaffelstruktur gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt;
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6B eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6A mit
einer Schicht eines dielektrischen Materials, die darüber angeordnet
ist, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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6C eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6B mit
einer ersten Schicht eines fotostrukturierbaren Materials, die darüber angeordnet
ist, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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6D eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6C mit Öffnungen,
die in der ersten Schicht des fotostrukturierbaren Materials ausgebildet
sind, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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6E eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6D mit
einer ersten leitfähigen
Schicht, die über
der ersten Schicht des fotostrukturierbaren Materials und in die
darin ausgebildeten ersten Öffnungen
angeordnet ist, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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6F eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6E mit
entfernten überschüssigen Abschnitten
der ersten leitfähigen Schicht
gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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6G eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6F,
wobei die verbliebenen Abschnitte der ersten fotostrukturierbaren
Materialschicht davon entfernt worden sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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6H eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6G mit
einer zweiten Schicht eines fotostrukturierbaren Materials, die
darüber
angeordnet ist, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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6I eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6H mit Öffnungen,
die in der zweiten Schicht des fotostrukturierbaren Materials ausgebildet
sind, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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6J eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6I mit
einer zweiten leitfähigen
Schicht, die über
der zweiten Schicht des fotostrukturierbaren Materials und in die
darin ausgebildeten Öffnungen
angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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6K eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6J mit
davon entfernten überschüssigen Abschnitten
der zweiten leitfähigen
Schicht, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung;
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6L eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6K,
wobei die verbliebenen Abschnitte der zweiten fotostrukturierbaren Materialschicht
davon entfernt worden sind, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; und
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6M eine
Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6L,
wobei verschiedene Abschnitte der isolierenden Materialschicht davon entfernt
worden sind, gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
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Hiermit
wird festgestellt, dass die Zeichnungen, auf die in der vorliegenden
Beschreibung Bezug genommen wird, nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind,
sofern dies nicht speziell erwähnt
wird.
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BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN
AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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Nachstehend
wird in näheren
Einzelheiten Bezug genommen auf die bevorzugten Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung, wobei Beispiele dieser in den beigefügten Zeichnungen
veranschaulicht sind. Die vorliegende Erfindung wird nachstehend
in Bezug auf die bevorzugten Ausführungsbeispiele beschrieben,
wobei hiermit jedoch festgestellt wird, dass diese die vorliegende
Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele
beschränken.
Vielmehr deckt die vorliegende Erfindung Alternativen, Modifikationen
und Äquivalente
ab, sofern diese dem Umfang der vorliegenden Erfindung angehören, der durch
die anhängigen
Ansprüche
definiert wird. Ferner sind in der folgenden genauen Beschreibung
der vorliegenden Erfindung zahlreiche besondere Einzelheiten ausgeführt, um
ein umfassendes Verständnis der
vorliegenden Erfindung zu vermitteln. Für den Durchschnittsfachmann
auf dem Gebiet ist es jedoch ersichtlich, dass die vorliegende Erfindung
auch ohne diese besonderen Einzelheiten ausgeführt werden kann. In anderen
Fällen
wurde auf die genaue Beschreibung allgemein bekannter Verfahren,
Abläufe,
Komponenten und Schaltungen verzichtet, um die Aspekte der vorliegenden
Erfindung nicht unnötig
zu verschleiern.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1A zeigt
diese eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in dem
Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt.
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Hiermit
wird festgestellt, dass aus Gründen der
Klarheit bestimmte im Fach allgemein bekannte Merkmale bzw. Funktionen
in den folgenden Abbildungen nicht dargestellt sind oder in der
folgenden Beschreibung nicht näher
beschrieben werden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist ein Teil
eines Kathodenabschnitts einer Feldemissionsanzeige abgebildet.
Im Besonderen weist in der Abbildung aus 1A ein
Substrat 100 eine darin angeordnete Zeilenelektrode (nicht
abgebildet) auf. Die vorliegende Erfindung eignet sich ferner gut
für verschiedene andere
Konfigurationen, bei denen die Zeilenelektrode zum Beispiel eine
Widerstandsschicht aufweist (nicht abgebildet), die darüber angeordnet
ist. Eine dielektrische Intermetallschicht bzw. Zwischenmetallschicht 102,
die zum Beispiel Siliziumdioxid umfasst, ist über der Zeilenelektrode angeordnet.
Eine leitfähige
Gate-Elektrodenschicht 104 ist
oberhalb der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 angeordnet. Feldemitterstrukturen,
die kennzeichnenderweise unter 106 dargestellt sind, werden
in entsprechenden Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ausgebildet.
Zusätzlich
deckt eine Abschluss- bzw. Verschlussschicht 108 die Vertiefungen
in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ab und
schützt
die Feldemitter 106 während
folgenden Verarbeitungs- bzw. Verfahrensschritten.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1B wird
in einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung eine Schicht eines isolierenden Materials 110 (z.
B. eine Schicht eines dielektrischen Materials) über den genannten Kathodenabschnitt aufgetragen.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
handelt es sich bei der Schicht aus isolierendem Material 110 zum
Beispiel um Spin-on-Glas (SOG). Die vorliegende Erfindung eignet
sich jedoch gut für die
Anwendung verschiedenartiger isolierender Materialien über dem
Kathodenabschnitt aus der Abbildung aus 1A. In
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
wird die Schicht des isolierenden Materials 110 bis auf
eine Tiefe von ungefähr
5 bis 50 Mikron abgeschieden.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1C wird
in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
der Erfindung eine Schicht 112 eines fotostrukturierbaren
Materials über
der dielektrischen Schicht 110 des Kathodenabschnitts aus
der Abbildung aus 1B aufgetragen. In dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
umfasst die Schicht 112 aus fotostrukturierbarem Material
ein Photoresist, wie zum Beispiel das Photoresist AZ4620, das von
Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA, erhältlich ist. Hiermit
wird jedoch festgestellt, dass sich die vorliegende Erfindung gut
eignet für
den Einsatz verschiedener anderer Arten und Hersteller von fotostrukturierbarem
Material. Die Schicht 112 aus Photoresist wird in dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
bis auf eine Tiefe von ungefähr
40 bis 100 Mikron abgeschieden.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1D wird
nach der Abscheidung der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 1121,
die Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 einem
Expositionsprozess ausgesetzt. Nach dem Expositionsprozess entfernt
das vorliegende Ausführungsbeispiel
Abschnitte bzw. Teilstücke
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112, so dass Öffnungen,
die etwa unter 114 in der Seitenschnittansicht aus der
Abbildung aus 1D dargestellt sind, in der
Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 gebildet
werden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
bilden die Öffnungen 114 eine
Schablone bzw. Vorlage für
die Bildung einer leitfähigen
Fokuswaffelstruktur. Das heißt,
die Öffnungen 114 sind
in einem Raster- bzw. Gittermuster angeordnet, das im Wesentlichen
orthogonale bzw. senkrechte Zeilen und Spalten umfasst. Ferner sind
in der Abbildung aus 1D zu Zwecken der klaren Darstellung
nur zwei Öffnungen 114 dargestellt,
wobei hiermit jedoch festgestellt wird, dass zahlreiche Zeilen und
Spalten von Öffnungen
in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 gebildet
werden.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 2 zeigt
diese eine Draufsicht von oben des Ausführungsbeispiels aus 1D,
wobei Öffnungen 114 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 ausgebildet
werden. Wie dies in der Abbildung aus 2 dargestellt
ist, befinden sich die Öffnungen 114 an
Stellen, an denen eine leitfähige
Fokuswaffelstruktur gemäß der vorliegenden
Erfindung gebildet werden sollen.
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Nachdem
in folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1E die Öffnungen 114 aus 1C und aus 2 gebildet
worden sind, wird gemäß der vorliegenden
Erfindung eine Schicht eines leitfähigen Materials 116 über der
Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 und in die
darin ausgebildeten Öffnungen 114 aufgetragen.
Wie dies in der Abbildung aus 1E dargestellt
ist, ist eine Schicht aus einem leitfähigen Material 116 von
der leitfähigen Gate-Elektrodenschicht 104 durch
eine Schicht aus isolierendem Material 110 elektrisch isoliert.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
umfasst eine Schicht aus leitfähigem
Material 116 zum Beispiel CB800A DAG, hergestellt von Acheson
Colloids, Port Huron, Michigan, USA. In einem anderen Ausführungsbeispiel
umfasst die Schicht aus leitfähigem Material 116 ein
anderes leitfähiges
Material auf Graphitbasis. In einem weiteren Ausführungsbeispiel wird
die Schicht aus leitfähigem
Material auf Graphitbasis als ein halbtrockenes Spray aufgetragen,
um die Schrumpfung der Schicht von leitfähigem Material 116 zu
reduzieren. In einem derartigen Ausführungsbeispiel ermöglicht die
vorliegende Erfindung eine verbesserte Kontrolle bzw. Regelung der
finalen Tiefe der Schicht aus leitfähigem Material 116.
Ungeachtet der vorstehend beschriebenen Abscheidungsverfahren wird
hiermit festgestellt, dass sich die vorliegende Erfindung auch gut
eignet für
den Einsatz verschiedener anderer Abscheidungsverfahren, um verschiedene
andere leitfähige
Materialien über
der Schicht von fotostrukturierbarem Material und in die Öffnungen 114 abzuscheiden,
die in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 ausgebildet
sind.
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In
nächstem
Bezug auf die Abbildung aus 1F wird
in einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung überschüssiges Material,
das sich auf bzw. über
und/oder in den Öffnungen 114 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 befindet,
entfernt, indem das leitfähige
Material von der oberen Oberfläche
der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 112 gewischt
(z. B. durch "Abstreichen" und dergleichen)
wird. Dadurch stellt das vorliegende Ausführungsbeispiel sicher, dass
die Schicht aus leitfähigem
Material 116 eine gewünschte
Tiefe in den Öffnungen 114 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 aufweist.
Nach der Entfernung von überschüssigem leitfähigem Material
wird die Schicht aus leitfähigem
Material 116 gehärtet.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
wird die Schicht aus leitfähigem
Material 116 bei ungefähr
80 bis 90 Grad Celsius ungefähr
4 bis 5 Minuten gehärtet.
In einem anderen Ausführungsbeispiel
wird überschüssiges Material,
das sich über
und/oder in den Öffnungen 114 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 befindet,
dadurch entfernt, dass die überschüssigen Mengen
des leitfähigen
Materials nach dem Härtungsprozess
durch mechanisches Polieren entfernt werden. Ein derartiger Ansatz
stellt wiederum sicher, dass das leitfähige-Material auf eine gewünschte Tiefe
in den Öffnungen 114 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 abgeschieden
wird.
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Nachdem
die Schicht aus leitfähigem
Material 116 gehärtet
worden ist, werden gemäß der vorliegenden
Erfindung in folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1G die
verbliebenen Abschnitte der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 112 entfernt.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
wird ein technisches Aceton auf die Schicht aus fotostrukturierbarem
Material 112 aufgetragen, um den Entfernungsprozess zu
erleichtern. Die vorliegende Erfindung eignet sich gut für die Entfernung
von fotostrukturierbarem Material unter Verwendung zahlreicher anderer
Lösemittel,
wie etwa des Photoresist-Abstreifers 400T, erhältlich von
Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA, eines NMP-Abstreifers und
dergleichen. Nach der Entfernung der verbliebenen Abschnitte der
Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 bleiben die
leitfähigen
Zeilen und Spalten 116 oberhalb der Schicht aus isolierendem
Material 110 angeordnet.
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Wie
dies in der Abbildung aus 1H dargestellt
ist, wird gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
nach der Entfernung der verbliebenen Abschnitte der Schicht aus
fotostrukturierbarem Material 112 die Schicht des isolierenden
Materials 110 mit Ausnahme der Abschnitte der Schicht des
isolierenden Materials 110 entfernt, die sich direkt unterhalb der
leitfähigen
Zeilen und Spalten 116 befinden. Als Folge dessen stellt
das vorliegende Ausführungsbeispiel
eine vollständige
leitfähige
Fokuswaffelstruktur bereit, die von der leitfähigen Gate-Elektrodenschicht 104 durch
Abschnitte der Schicht aus isolierendem Material 110 elektrisch
isoliert ist. Ferner weist die leitfähige Fokuswaffelstruktur gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
ein unteres dielektrisches Teilstück (welches ein Teilstück der Schicht
aus isolierendem Material 110 umfasst) und ein oberes leitfähiges Teilstück bzw.
einen entsprechenden Abschnitt bereit (welches bzw. welcher ein
leitfähiges Material
umfasst, das sich in den Öffnungen 114 der fotostrukturierbaren
Schicht 112 aus den Abbildungen der 1C bis 1F befindet).
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel werden
die im Wesentlichen orthogonal ausgerichteten Zeilen und Spalten der
leitfähigen
Fokuswaffelstruktur mit einer Höhe von
ungefähr
40 bis 100 Mikron ausgebildet. Ferner definieren die im Wesentlichen
orthogonal ausgerichteten Zeilen und Spalten dazwischen Öffnungen,
wobei die Öffnungen
eine ausreichende Größe aufweisen,
um es zu ermöglichen,
dass von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen dort
hindurch treten bzw. verlaufen. Hiermit wird festgestellt, dass
durch das Anlegen eines Potenzials an die vorliegende leitfähige Fokuswaffelstruktur,
von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen in Richtung
entsprechender Subpixelbereiche geleitet werden.
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Das
vorliegende Ausführungsbeispiel
weist verschiedene große
Vorteile auf, die mit dem Ausführungsbeispiel
verbunden sind. Durch den Einsatz des vorstehend genannten leitfähigen Materials
auf Graphitbasis für
die Bildung der leitfähigen
Fokuswaffelstruktur eliminiert die vorliegende Erfindung zum Beispiel
das schädliche
Brünieren
und Entgasen bzw. Ausgasen, das mit dem Stand der Technik entsprechenden
Waffelstrukturen auf Polyimidbasis verbunden ist. Darüber hinaus
kann das gemäß der vorliegenden
Erfindung verwendete leitfähige
Material, ohne dieses zu beschädigen,
höheren
Verarbeitungstemperaturen ausgesetzt werden, die eingesetzt werden
können,
wenn die Waffelstruktur aus Polyimid gebildet wird. Ferner erfordert
die leitfähige Fokuswaffelstruktur
gemäß der vorliegenden
Erfindung nicht den Einsatz von teurem Polyimidmaterial, und die
leitfähige
Fokuswaffelstruktur gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
macht ein komplexes und schwieriges angewinkeltes Bedampfungsverfahren überflüssig.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3A zeigt
diese eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in dem
Verfahren zur Bildung der leitfähigen
Fokuswaffelstruktur gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt. Die Struktur
aus der Abbildung aus 4A ist der Struktur aus der
Abbildung aus 1A ähnlich oder mit dieser identisch.
Ferner wird hiermit festgestellt, dass zur klareren Darstellung
bestimmte im Fach allgemein bekannte Merkmale bzw. Funktionen in
den folgenden Abbildungen nicht dargestellt sind bzw. in der folgenden
Beschreibung nicht näher
beschrieben werden. In dem Ausführungsbeispiel
aus der Abbildung aus 3A ist ein Teil eines Kathodenabschnitts
einer Feldemissionsanzeige dargestellt. Im Besonderen weist in der Abbildung
aus 3A ein Substrat 100 eine Zeilenelektrode
(nicht abgebildet) auf, die daran angeordnet ist. Die vorliegende
Erfindung eignet sich ferner gut für verschiedene andere Konfigurationen,
bei denen zum Beispiel die Zeilenelektrode eine Widerstandsschicht (nicht
abgebildet) aufweist, die darüber angeordnet
ist. Eine dielektrische Zwischenmetallschicht 102, die
zum Beispiel Siliziumdioxid umfasst, ist oberhalb der Zeilenelektrode
angeordnet. Eine leitfähige
Gate-Elektrodenschicht 104 befindet sich oberhalb der dielektrischen
Zwischenmetallschicht 102. Feldemitterstrukturen, etwa
gemäß der Darstellung
unter 106, werden in entsprechenden Vertiefungen in der
dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ausgebildet. Zusätzlich deckt
eine Abdeckungs- bzw. Verschlussschicht 108 die Vertiefungen
in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ab und
schützt die
Feldemitter 106 während
folgenden Verfahrens- bzw. Verarbeitungsschritten.
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Im
folgenden Berg auf die Abbildung aus 3B wird
in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
der Erfindung eine Schicht 300 aus einem fotostrukturierbarem
Material direkt oberhalb des Kathodenabschnitts aus der Abbildung
aus 3A aufgetragen. Das heißt, in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
ist es nicht erforderlich, zuerst eine Schicht eines isolierenden
Materials über
der gesamten oberen Oberfläche
der Kathodenstruktur aus der Abbildung aus 3A abzuscheiden.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
umfasst die Schicht 300 aus fotostrukturierbarem Material
Photoresist, wie zum Beispiel AZ4620 Photoresist, erhältlich von Hoechst-Celanese,
Somerville, New Jersey, USA. Hiermit wird jedoch festgestellt, dass
die vorliegende Erfindung sich auch gut eignet für den Einsatz verschiedener
anderer Arten von fotostrukturierbarem Material und von verschiedenen
anderen Herstellern von fotostrukturierbarem Material. Die Schicht 300 aus
Photoresist wird in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel bis auf eine
Tiefe von ungefähr
40 bis 100 Mikron abgeschieden.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3C wird
nach der Abscheidung der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 300 die
Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 einem Expositionsprozess
ausgesetzt. Nach dem Expositionsprozess entfernt die vorliegende
Erfindung Teile der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300,
so dass Öffnungen,
die in der Seitenschnittansicht aus 3C in kennzeichnender
Weise unter 302 dargestellt sind, in der Schicht des fotostrukturierbaren
Materials 300 gebildet werden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
bilden die Öffnungen 302 eine
Schablone bzw. Vorlage für
die Bildung einer leitfähigen
Fokuswaffelstruktur. Das heißt,
die Öffnungen 302 befinden sich
in einem Raster- bzw. Gittermuster, das im Wesentlichen orthogonal
ausgerichtete Zeilen und Spalten umfasst. Ferner sind in der Abbildung
aus 3C. zur klareren Darstellung zwar nur zwei Öffnungen 302 dargestellt,
wobei hiermit jedoch festgestellt wird, dass zahlreiche Zeilen und
Spalten von Öffnungen
in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 gebildet
werden.
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In
erneutem Bezug auf die Abbildung aus 2 ist eine
Draufsicht von oben des Ausführungsbeispiels
aus 1D dargestellt, wobei Öffnungen 114 in der
Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 ausgebildet
sind. Die vorliegende Erfindung bildet ähnliche Öffnungen in der Schicht des
fotostrukturierbaren Materials 300. In dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
erstrecken sich die Öffnungen 202 jedoch
zu der leitfähigen
Gate-Elektrodenschicht 104.
In dem Ausführungsbeispiel
aus den Abbildungen der 1A bis 111 erstrecken
sich die Öffnungen 114 zu
der Schicht des isolierenden Materials 110. In dem Ausführungsbeispiel
aus den Abbildungen der 3A bis 3G sind
die Öffnungen 302 an
Stellen angeordnet, an denen eine leitfähige Fokuswaffelstruktur gemäß der vorliegenden
Erfindung gebildet werden soll.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3D wird
in einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung eine Schicht isolierenden Materials 304 (z.
B. eine Schicht von dielektrischem Material) in die Öffnungen 302 in
dem fotostrukturierbaren Material 300 abgeschieden. In
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
handelt es sich bei der Schicht aus isolierendem Material 304 zum
Beispiel um Spin-on-Glas (SOG). Die vorliegende Erfindung eignet
sich jedoch gut für
die Anwendung verschiedener anderer Arten von isolierenden Materialien
in die Öffnungen 302 in
dem fotostrukturierbaren Material 300. In dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
wird eine Schicht eines isolierenden Materials 304 bis
auf eine Tiefe von ungefähr
5 bis 50 Mikron abgeschieden. Das vorliegende Ausführungsbeispiel
eignet sich gut für
das Auftragen von isolierendem Material über die ganze Oberfläche des
fotostrukturierbaren Materials, so dass ein Teil des isolierenden
Materials in die Öffnungen 302 abgeschieden
wird. Das überschüssige isolierende
Material kann danach entfernt werden (z. B. durch Abstreichen oder
durch mechanisches Polieren), oder es kann an der Position oberhalb
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 300 verbleiben.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3E trägt das vorliegende
Ausführungsbeispiel nach
der Bildung der Öffnungen 302 und
dem. Abschieden des isolierenden Materials 304 eine Schicht eines
leitfähigen
Materials 306 über
der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 und
in die darin gebildeten Öffnungen 302 auf.
Wie dies in der Abbildung aus 3E dargestellt
ist, ist die Schicht aus leitfähigem
Material 302 von der Gate-Elektrodenschicht 104 durch
eine Schicht eines isolierenden Materials 304 elektrisch
isoliert, das vorher in die Öffnungen 302 in
der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 abgeschieden
worden ist. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst die
Schicht des leitfähigen
Materials 306 zum Beispiel CB800A DAG, hergestellt von
Acheson Colloids, Port Huron, Michigan, USA. In einem anderen Ausführungsbeispiel
umfasst die Schicht aus leitfähigem
Material 306 ein anderes leitfähiges Material auf Graphitbasis. In
einem weiteren Ausführungsbeispiel
wird die Schicht des leitfähigen
Materials auf Graphitbasis als halbtrockenes Spray aufgetragen,
um die Schrumpfung der Schicht des leitfähigen Materials 306 zu
reduzieren. In einem derartigen Ausführungsbeispiel ermöglicht die
vorliegende Erfindung eine verbesserte Regelung der finalen Tiefe
der Schicht des leitfähigen
Materials 306. Derartige Abscheidungsverfahren sind zwar
vorstehend beschrieben worden, wobei hiermit jedoch festgestellt
wird, dass die vorliegende Erfindung sich auch gut eignet für den Einsatz
verschiedener anderer Abscheidungsverfahren, um verschiedene andere
leitfähige
Materialien über
dem fotostrukturierbaren Material 300 und in die in der Schicht
des fotostrukturierbaren Materials 300 ausgebildeten Öffnungen 302 abzuscheiden.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3F wird
in einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung überschüssiges leitfähiges Material,
das sich auf bzw. über
und/oder in den Öffnungen 302 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material befindet, entfernt,
indem das leitfähige
Material von der oberen Oberfläche
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 300 gewischt
wird (z. B. durch "Abstreichen" und dergleichen).
Dadurch stellt das vorliegende Ausführungsbeispiel sicher, dass
die Schicht aus leitfähigem
Material 306 eine gewünschte
Tiefe in den Öffnungen 302 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 300 aufweist.
Nach der Entfernung des überschüssigen leitfähigen Materials wird
die Schicht aus leitfähigem
Material 306 gehärtet.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
wird die Schicht aus leitfähigem
Material 306 bei ungefähr 80
bis 90 Grad Celsius ungefähr
4 bis 5 Minuten lang gebacken. In einem anderen Ausführungsbeispiel wird überschüssiges leitfähiges Material,
das sich auf bzw. über
und/oder in den Öffnungen 302 in
der schicht aus fotostrukturierbarem Material 300 befindet,
durch mechanisches Wegpolieren der überschüssigen Mengen des leitfähigen Materials
nach dem Härtungsprozess
entfernt. Wiederum stellt ein derartiger Ansatz sicher, dass das
leitfähige
Material bis auf eine gewünschte
Tiefe in den Öffnungen 302 in
der Schicht aus dem fotostrukturierbaren Material 300 abgeschieden
wird.
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Nachdem
die Schicht aus leitfähigem
Material 306 gehärtet
worden ist, werden in folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3G gemäß der vorliegenden
Erfindung die verbliebenen Abschnitte der schicht des fotostrukturierbaren
Materials 300 entfernt. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
wird ein technisches Aceton auf die Schicht des fotostrukturierbaren
Materials 300 aufgetragen, um den Entfernungsprozess zu
erleichtern. Die vorliegende Erfindung eignet sich gut für das Entfernen
von fotostrukturierbarem Material unter Verwendung zahlreicher anderer
Lösemittel,
wie etwa dem Photoresist-Abstreifer 400T, erhältlich von
Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, einem NMP-Abstreifer und
dergleichen. Nach der Entfernung der verbliebenen Abschnitte der
Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 bleiben
die Zeilen und Spalten weiter über
der Kathodenstruktur angeordnet. Als Folge dessen stellt das vorliegende
Ausführungsbeispiel eine
vollständige
leitfähige
Fokuswaffelstruktur bereit, die durch Abschnitte bzw. Teilstücke der
Schicht aus isolierendem Material 304 elektrisch von der Gate-Schicht 104 isoliert
ist. Ferner weist die leitfähige
Fokuswaffelstruktur gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
einen niedrigeren bzw. unteren dielektrischen Abschnitt auf (der
ein Teilstück
der Schicht aus isolierendem Material 304 umfasst) und einen
höheren
bzw. oberen leitfähigen
Abschnitt (der ein leitfähiges
Material umfasst, das sich in den Öffnungen 302 der fotostrukturierbaren
Schicht 300 aus den Abbildungen der 3B–3F befindet).
Das vorliegende Ausführungsbeispiel
bildet somit eine leitfähige
Fokuswaffelstruktur, wobei die leitfähige Fokuswaffelstruktur, die
von der darunter liegenden leitfähigen
Gate-Elektrodenschicht elektrisch isoliert ist, nicht aus teurem
und nicht wünschenswerten
Polyimid gebildet wird; und wobei die leitfähige Fokuswaffelstruktur keinen
arbeitsaufwändigen
und komplexen angewinkelten Bedampfungsverfahrensschritt erfordert.
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In
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel werden
die im Wesentlichen orthogonal ausgerichteten Zeilen und Spalten
der leitfähigen
Fokuswaffelstruktur mit einer Höhe
von ungefähr
40 bis 100 Mikron gebildet. Ferner definieren die im Wesentlichen orthogonal
ausgerichteten Zeilen und Spalten dazwischen Öffnungen, wobei die Öffnungen
eine ausreichende Größe aufweisen,
um es zu ermöglichen, dass
von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen dort hindurch
treten bzw. verlaufen. Hiermit wird festgestellt, dass durch das
Anlegen eines Potenzials an die vorliegende leitfähige Fokuswaffelstruktur
von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen in Richtung
entsprechender Subpixelbereiche geleitet werden.
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Das
folgende Ausführungsbeispiel
aus der Abbildung aus 4 bildet keinen
Bestandteil der vorliegenden Erfindung.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 4A zeigt
diese eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in dem
Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur darstellt.
Die Struktur aus der Abbildung aus 4A ist
der Struktur aus der Abbildung aus 1A ähnlich oder
mit dieser identisch. Ferner wird hiermit festgestellt, dass zur
klareren Darstellung bestimmte Merkmale bzw. Funktionen, die im
Fach allgemein bekannt sind, in den folgenden Abbildungen nicht
dargestellt sind oder in der folgenden Beschreibung nicht näher beschrieben
werden. In dem Ausführungsbeispiel
aus der Abbildung aus 4A ist ein Teil des Kathodenabschnitts
einer Feldemissionsanzeige dargestellt. Im Besonderen weist in der
Abbildung aus 4A ein Substrat 100 eine
Zeilenelektrode (nicht abgebildet) auf, die daran angeordnet ist.
Eine dielektrische Zwischenmetallschicht 102, die zum Beispiel
Siliziumdioxid umfasst, ist über
der Zeilenelektrode angeordnet. Eine leitfähige Gate-Elektrodenschicht 104 befindet
sich über
der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102. Feldemitterstrukturen,
die für
in kennzeichnender Weise unter 106 dargestellt sind, werden
in entsprechenden Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 gebildet.
Darüber hinaus
deckt eine Abdeckungs- bzw. Abschlussschicht 108 die Vertiefungen
in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ab und
schützt
die Feldemitter 106 während
folgenden Verarbeitungs- bzw. Verfahrensschritten.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 4B wird
eine isolierende Materialschicht 400 über der Kathodenstruktur abgeschieden.
In dem Ausführungsbeispiel
aus 4A wird eine isolierende Materialschicht 400 abgeschieden
unter Verwendung eines Abscheidungsverfahrens der Siebdruckmethode.
Das heißt,
isolierendes Material wird wiederholt an den gewünschten Stellen oberhalb der
Kathodenstruktur aufgetragen, bis die isolierende Materialschicht 400 eine
gewünschte
Tiefe aufweist. Die Schicht des isolierenden Materials umfasst zum
Beispiel Siliziumdioxid, Spin-on-Glas (SOG) und dergleichen.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 4C wird
danach eine Schicht aus einem leitfähigen Material 402 über der
Schicht aus isolierendem Material 400 aufgetragen. In dem
vorliegenden Ausführungsbeispiel
wird eine Schicht aus leitfähigem Material 402 unter
Verwendung eines Siebdruckverfahrens aufgetragen. Auf diese Weise
werden inkremental orthogonal ausgerichtete Zeilen und Spalten einer
leitfähigen
Fokuswaffelstruktur mit einem dielektrischen unteren Abschnitt und
einem leitfähigen oberen
Abschnitt gebildet. Die leitfähige
Schicht 402 gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
umfasst ein leitfähiges
Material, wie zum Beispiel CB800A DAG, das von Acheson Colloids,
Port Huron, Michigan, USA, hergestellt wird, oder ein anderes leitfähiges Material
auf Graphitbasis und dergleichen.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 4D werden
wiederholt Schichten des leitfähigen Materials über die
Oberfläche
der Kathodenstruktur aufgetragen, bis die leitfähige Fokuswaffelstruktur vollständig gebildet
ist. Das leitfähige
Material wird wiederholt aufgetragen, bis die leitfähige Fokuswaffelstruktur
eine Höhe
von ungefähr
40 bis 100 Mikron aufweist. Bereitgestellt wird somit ein Verfahren
für die
Bildung einer leitfähigen
Fokuswaffelstruktur, wobei das Verfahren nicht das Abscheiden und
Muster einer Schicht aus fotostrukturierbarem Material erfordert
bzw. voraussetzt. Die im Wesentlichen orthogonal ausgerichteten
Zeilen und Spalten definieren dazwischen Öffnungen, wobei die Öffnungen
eine ausreichende Größe aufweisen,
um es zu ermöglichen, dass
von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen dort hindurch
verlaufen bzw. treten. Hiermit wird festgestellt, dass durch das
Anlegen eines Potenzials an die vorliegende leitfähige Fokuswaffelstruktur,
von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen in Richtung
entsprechender Subpixelbereiche geleitet werden.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 5A zeigt
diese eine Draufsicht von oben einer Struktur, die gemäß einem
anderen Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung dargestellt ist. In dem Ausführungsbeispiel
aus der Abbildung aus 5A wird ein Ansatz mit zwei
Schritten eingesetzt, um die leitfähige Fokuswaffelstruktur zu
bilden. Im Besonderen werden in Ausführungsbeispielen, wie zum Beispiel
in den Ausführungsbeispielen
aus den Abbildungen der 1A–1H und 3A–3G Öffnungen,
die in der Abbildung aus 5A mit
der Bezugsziffer 502 bezeichnet sind, in der Schicht aus
fotostrukturierbarem Material 500 unter Verwendung der
Verfahrensschritte gebildet, die in Berg auf die Abbildungen der 1B und 1C beschrieben
worden sind. Das heißt,
die Öffnungen 502 erstrecken
sich durch die Schicht aus fotostrukturierbarem Material 500 zu
der darunter liegenden Schicht aus isolierendem Material. In Verbindung
mit dem Ausführungsbeispiel
aus den Abbildungen der 3A–3G wird
nach der Bildung der Öffnungen 502 in
der fotostrukturierbaren Materialschicht 500 isolierendes
Material in den Öffnungen 502 abgeschieden.
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In
weiterem Bezug auf das Ausführungsbeispiel
aus der Abbildung aus 5A umfassen die Öffnungen 502 aus
der Abbildung aus 5A im Gegensatz zu den Öffnungen 114 aus
der Abbildung aus 2, welche sowohl Zeilen- als
auch Spaltenmuster der leitfähigen
Fokuswaffelstruktur umfassen, nur Muster für die Bildung der Zeilen der
leitfähigen Fokuswaffelstruktur.
Nach der Ausführung
der Verfahrensschritte, wie sie etwa in Bezug auf die Abbildungen
der 1E bis 1H beschrieben
worden sind, oder alternativ der Verfahrensschritte, die in Bezug
auf die Abbildungen der 3E bis 3G beschrieben
worden sind, werden in einem derartigen Ausführungsbeispiel leitfähige Zeilenabschnitte
einer leitfähigen
Fokuswaffelstruktur gebildet. Im Gegensatz zu den vorstehend beschriebenen
Ausführungsbeispielen,
in denen die Zeilen- und Spaltenabschnitte der leitfähigen Fokuswaffelstruktur
gleichzeitig gebildet werden, werden in den Ausführungsbeispiel, das in den
Abbildungen der 5A bis 5D dargestellt
ist, die Zeilen- und Spaltenabschnitte der leitfähigen Fokuswaffelstruktur sequentiell
bzw. nacheinander gebildet.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 5B wird
gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
nach der Bildung des Zeilenabschnitts der leitfähigen Fokuswaffelstruktur eine
zweite Schicht eines fotostrukturierbaren Materials 503 über dem Kathodenabschnitt
und über
dem vorher gebildeten Zeilenabschnitt der leitfähigen Fokuswaffelstruktur aufgetragen.
In Ausführungsbeispielen
wie den Ausführungsbeispielen
aus den Abbildungen der 1A bis 1H und 3A bis 3G,
werden die Öffnungen
gemäß der Darstellung
unter 504 in der Abbildung aus 5C in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 500 unter
Verwendung von Verfahrensschritten gebildet, wie diese in Verbindung
mit den Abbildungen der 1B und 1C beschrieben
worden sind. Das heißt,
die Öffnungen 504 erstrecken
sich durch die Schicht des fotostrukturierbaren Materials 503 zu
der darunter liegenden Schicht aus isolierendem Material. In Verbindung
mit dem Ausführungsbeispiel
aus den Abbildungen der 3A bis 3G wird
nach der Bildung der Öffnungen 504 in
der fotostrukturierbaren Materialschicht 503 isolierendes
Material in die Öffnungen 503 abgeschieden.
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In
weiterem Bezug auf das Ausführungsbeispiel
aus der Abbildung aus 5C umfassen die Öffnungen 504 aus 5C ähnlich den Öffnungen 502 aus
der Abbildung aus 5A nur Muster für die Bildung
der Spalten der leitfähigen
Fokuswaffelstruktur. Nach der vollständigen Ausführung der Verfahrensschritte,
wie sie etwa in Bezug auf die Abbildungen der 1E–1H beschrieben
worden sind, oder alternativ der Verfahrensschritte, wie sie in
Bezug auf die Schritte 3E–3G
beschrieben worden sind, werden leitfähige Spaltenabschnitte einer
leitfähigen Fokuswaffelstruktur
gebildet.
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Die
Abbildung aus 5D zeigt eine Draufsicht von
oben der leitfähigen
Fokuswaffelstruktur gemäß der vorliegenden
Erfindung mit leitfähigen
Zeilenabschnitten 506 und leitfähigen Spaltenabschnitten 508.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sind
die leitfähigen
Zeilenabschnitte 506 und die leitfähigen Spaltenabschnitte 508 durch
eine verdeckte Schicht eines isolierenden Materials von der darunter liegenden
leitfähigen
Gate-Elektrodenschicht 104 elektrisch
isoliert. Somit bildet das Ausführungsbeispiel,
das in den Abbildungen der 5A bis 5D dargestellt
ist, Zeilenabschnitte 506 und Spaltenabschnitte 508 der
leitfähigen
Fokuswaffelstruktur sequentiell bzw. nacheinander.
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Ferner
wird in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
gemäß der Abbildung
aus 5B eine Schicht aus fotostrukturierbarem Material 503 bis
auf eine Dicke abgeschieden, die größer ist als die Höhe der leitfähigen Zeilenabschnitte 506.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
werden somit Spaltenabschnitte 508 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur
mit einer anderen Höhe
gebildet als die Zeilenabschnitte 506 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur.
Im Besonderen werden in einem Ausführungsbeispiel Spaltenabschnitte 508 mit
einer Höhe
gebildet, die größer ist als
die Höhe
der Zeilenabschnitte 506 der vorliegenden leitfähigen Fokuswaffelstruktur.
Als Folge dessen eignet sich die vorliegende Erfindung auch gut
dazu, Spaltenabschnitte 508 aufzuweisen, welche eine Trägerstruktur
stützen,
die entlang den Zeilenabschnitten 506 angeordnet ist. Somit
stellt die größere bzw.
höhere
Höhe der
Spaltenabschnitte 508 nahe der Schnittstelle mit den Zeilenabschnitten 506 eine Stützfunktion
für die
Trägerstrukturen
bereit, die entlang den Zeilenabschnitten 506 angeordnet
sind. Das heißt,
eine Wand, eine Rippe oder eine andere Trägerstruktur, die für gewöhnlich an
den Zeilenabschnitten 506 angeordnet ist, wird durch größere, proximal
angeordnete Spaltenabschnitte 508 stabilisiert oder gestützt.
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Obgleich
das vorstehend beschriebene Ausführungsbeispiel
das Bilden von Zeilenabschnitten 506 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur
und danach das Bilden von Spaltenabschnitten 508 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur
beschreibt, eignet sich die vorliegende Erfindung auch gut für die Bildung
von Spaltenabschnitten 508 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur vor
der Bildung der Zeilenabschnitte 506 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur.
In ähnlicher
Weise eignet sich die vorliegende Erfindung auch gut für die Bildung
der leitfähigen
Fokuswaffelstruktur, so dass die Zeilenabschnitte 506 größer bzw.
höher sind
als die Spaltenabschnitte 508.
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Das
Ausführungsbeispiel
aus den Abbildungen der 5A bis 5D wird
zwar in Verbindung mit den in den Abbildungen der 1A–1H und den 3A–3G veranschaulichten
Verfahrensschritten beschrieben, jedoch eignet sich das Ausführungsbeispiel
aus den Abbildungen der 5A–5D ebenfalls
gut zur Verwendung in Verbindung mit den in den Abbildungen der 4A–4D veranschaulichten
Schritten. Das heißt,
die vorliegende Erfindung umfasst ferner ein Ausführungsbeispiel,
bei dem die Verfahrensschritte aus den Abbildungen der 4A–4D verwendet werden,
um sequentiell bzw. nacheinander die Zeilenabschnitte und die Spaltenabschnitte
einer leitfähigen
Fokuswaffelstruktur zu bilden.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6A zeigt
diese eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in dem
Verfahren zur Bildung der leitfähigen
Fokuswaffelstruktur gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt. Hiermit
wird festgestellt, dass aus gründen
einer klareren Darstellung bestimmte im Fach allgemein bekannte
Merkmale in den folgenden Abbildungen nicht dargestellt sind oder
in der folgenden Beschreibung nicht näher beschrieben werden. In
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
ist ein Teil des Kathodenabschnitts einer Feldemissionsanzeige dargestellt.
Im Besonderen weist in der Abbildung aus 6A ein
Substrat 100 eine daran angeordnete Zeilenelektrode (nicht
abgebildet) auf. Die vorliegende Erfindung eignet sich ferner gut
für verschiedene andere
Konfigurationen, wobei zum Beispiel die Zeilenelektrode eine darüber angeordnete
Widerstandsschicht (nicht abgebildet) aufweist. Eine dielektrische Zwischenmetallschicht 102,
die zum Beispiel Siliziumdioxid umfasst, ist über der Zeilenelektrode angeordnet.
Eine leitfähige
Gate-Elektrodenschicht 104 ist über der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 angeordnet.
Feldemitterstrukturen, die kennzeichnender Weise unter der Bezugsziffer 106 dargestellt sind,
werden in entsprechenden Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ausgebildet.
Darüber
hinaus deckt eine Verschluss- bzw. Abschlussschicht 108 die
Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ab
und schützt Feldemitter 106 während späteren bzw.
folgenden Verarbeitungs- bzw. Verfahrensschritten.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6B wird
in einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung eine Schicht eines isolierenden Materials 110 (z.
B. eine Schicht eines dielektrischen Materials) über dem genannten Kathodenabschnitt aufgetragen.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
besteht die Schicht aus isolierendem Material 110 zum Beispiel
aus Spin-on-Glas (SOG). Die vorliegende Erfindung eignet sich aber
auch gut für
die Anwendung bzw. das Auftragen verschiedener anderer Arten von
isolierenden Materialien über
dem Kathodenabschnitt aus der Abbildung aus 6A. In dem
vorliegenden Ausführungsbeispiel
wird eine Schicht aus isolierendem Material 110 bis auf
eine Tiefe von ungefähr
5 bis 50 Mikron aufgetragen.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6C wird
in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung eine Schicht 600 aus fotostrukturierbarem
Material über
der dielektrischen Schicht 110 des Kathodenabschnitts aus 6B aufgetragen.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
umfasst die Schicht 600 aus fotostrukturierbarem Material
ein Photoresist, wie zum Beispiel AZ4620 Photoresist, das von Hoechst-Celanese,
Somerville, New Jersey, USA, erhältlich
ist. Hiermit wird jedoch festgestellt, dass die vorliegende Erfindung
sich auch gut eignet für
den Einsatz verschiedener anderer Arten und Hersteller von fotostrukturierbarem
Material. Die Schicht 600 aus Photoresist wird in dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
bis auf eine Tiefe von ungefähr
20 bis 50 Mikron abgeschieden.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6D wird
nach dem Abscheiden der Schicht von fotostrukturierbarem Material 600 die
Schicht aus einem fotostrukturierbarem Material 600 einem
ersten Expositionsprozess ausgesetzt bzw. unterzogen. Nach dem ersten
Expositionsprozess entfernt das vorliegende Ausführungsbeispiel Teilstücke der Schicht
des fotostrukturierbaren Materials 600, so dass Öffnungen,
die kennzeichnender Weise unter der Bezugsziffer 602 in
der Seitenschnittansicht aus der Abbildung aus 6D dargestellt
sind, in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 gebildet
werden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
bilden die Öffnungen 602 den
ersten Teil einer Vorlage bzw. Schablone für die Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur.
Das heißt,
die Öffnungen 602 befanden
sich in einem Raster- bzw. Gittermuster, das im Wesentlichen orthogonal
ausgerichtete Zeilen und Spalten umfasst. Ferner sind in der Abbildung
aus 6D zur klareren Darstellung zwar nur zwei Öffnungen 602 dargestellt,
wobei hiermit festgestellt wird, dass zahlreiche Zeilen und Spalten
von Öffnungen
in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 gebildet
werden.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6E wird
gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
nach der Bildung der Öffnungen 602 aus
der Abbildung aus 6C eine erste Schicht eines
leitfähigen
Materials 604 über
der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 600 und
in die darin ausgebildeten Öffnungen 602 aufgetragen.
Wie dies in der Abbildung aus 6E dargestellt
ist, ist die erste Schicht des leitfähigen Materials 604 durch
eine Schicht aus isolierendem Material 110 von der leitfähigen Gate-Elektrodenschicht 104 elektrisch
isoliert. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst die
erste Schicht des leitfähigen
Materials 604 zum Beispiel CB800A DAG, hergestellt von
Acheson Colloids, Port Huron, Michigan, USA. In einem anderen Ausführungsbeispiel
umfasst die erste Schicht des leitfähigen Materials 604 ein
anderes leitfähiges
Material auf Graphitbasis. In einem weiteren Ausführungsbeispiel
wird die Schicht des leitfähigen
Materials auf Graphitbasis als ein halbtrockenes Spray aufgetragen,
um die Schrumpfung der ersten Schicht des leitfähigen Materials 604 zu
reduzieren. In einem derartigen Ausführungsbeispiel ermöglicht die
vorliegende Erfindung eine verbesserte Regelung der finalen Tiefe
der ersten Schicht des leitfähigen
Materials 604. Derartige Abscheidungsverfahren werden zwar vorstehend
im Text beschrieben, wobei hiermit jedoch festgestellt wird, dass
die vorliegende Erfindung sich auch ebenso gut eignet für den Einsatz
verschiedener anderer Abscheidungsverfahren zur Abscheidung verschiedener
anderer leitfähiger
Materialien über
die Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 und in
die Öffnungen 602,
die in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 ausgebildet
sind.
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In
nächstem
Bezug auf die Abbildung aus 6F wird
in einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung überschüssiges leitfähiges Material,
das sich oben auf bzw. über
und/oder in den Öffnungen 602 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 angeordnet
befindet, durch Abwischen (z. B. durch "Abstreichen" und dergleichen) des leitfähigen Materials
von der oberen Oberfläche
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 entfernt.
Auf diese Weise stellt das vorliegende Ausführungsbeispiel sicher, dass
die erste Schicht des leitfähigen
Materials 604 eine gewünschte
Tiefe in den Öffnungen 602 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 aufweist.
Nach der Entfernung des überschüssigen leitfähigen Materials
wird die erste Schicht des leitfähigen
Materials 604 gehärtet.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
wird die erste Schicht des leitfähigen Materials 604 bei
ungefähr
80 bis 90 Grad Celsius ungefähr
4 bis 5 Minuten lang gebacken. In einem anderen Ausführungsbeispiel
wird überschüssiges leitfähiges Material,
das sich auf bzw. über
und/oder in den Öffnungen 602 in
der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 600 befindet,
durch mechanisches Wegpolieren der überschüssigen Mengen des leitfähigen Materials
nach dem Härteprozess
entfernt. Wiederum stellt ein derartiger Ansatz sicher, dass das
leitfähige
Material auf eine gewünschte
Tiefe in der Öffnung 602 in
der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 600 abgeschieden
wird.
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Nachdem
eine erste Schicht des leitfähigen Materials 604 gehärtet worden
ist, entfernt die vorliegende Erfindung in folgendem Bezug auf die
Abbildung aus 6G die verbliebenen Abschnitte
der Schicht des fotostrukturierten Materials 600. In dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
wird ein technisches Aceton auf eine Schicht des fotostrukturierbaren
Materials 600 aufgetragen, um den Entfernungsprozess zu
erleichtern. Die vorliegende Erfindung eignet sich gut für die Entfernung
des fotostrukturierbaren Materials unter Verwendung zahlreicher
anderer Lösemittel,
wie zum Beispiel dem 400T Photoresist-Abstreifer, der von Hoechst-Celanese,
Somerville, New Jersey, USA, erhältlich
ist, oder ein NMP-Abstreifer und dergleichen. Nach dem Entfernen
der verbliebenen Abschnitte der Schicht des fotostrukturierbaren
Materials 600 bleiben zuerst Abschnitte der leitfähigen Zeilen
und Spalten 604 oberhalb der Schicht des isolierenden Materials 110 angeordnet.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6H wird
in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
der Erfindung eine zweite Schicht 606 des fotostrukturierbaren
Materials über
der dielektrischen Schicht 110 des Kathodenabschnitts und über den leitfähigen Strukturen 604 aus 6G aufgetragen.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6I wird
die Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 nach
dem Abscheiden der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 einem
zweiten Expositionsprozess ausgesetzt. Nach dem zweiten Expositionsprozess
entfernt das vorliegende Ausführungsbeispiel
Abschnitte der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 606,
so dass Öffnungen,
die kennzeichnender Weise in der Seitenschnittansicht aus 6I unter 608 dargestellt
sind, in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 gebildet
werden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
bilden die Öffnungen 608 den
zweiten Abschnitt bzw. Teil einer Vorlage bzw. einer Schablone für die Bildung
einer leitfähigen
Fokuswaffelstruktur. Das heißt,
die Öffnungen 608 sind
in einem Gittermuster angeordnet, das aus im Wesentlichen orthogonal
ausgerichteten Zeilen und Spalten besteht. Ferner sind in der Abbildung
aus 6I zur klareren Darstellung zwar nur zwei Anordnungen
von Öffnungen 608 dargestellt,
wobei hiermit jedoch festgestellt wird, dass zahlreiche Zeilen und
Spalten von Öffnungen
in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 gebildet
werden.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6J trägt nach
der Bildung der Öffnungen 608 aus der
Abbildung aus 61 das vorliegende Ausführungsbeispiel
eine zweite Schicht von leitfähigem Material 610 über die
Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 und in die
darin gebildeten Öffnungen 608 auf.
Wie dies in der Abbildung aus 6H dargestellt
ist, ist die zweite Schicht aus leitfähigem Material 610 durch
eine Schicht aus isolierendem Material 110 von der leitfähigen Gate-Elektrodenschicht 104 elektrisch
isoliert.
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In
nächstem
Bezug auf die Abbildung aus 6K wird
in einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung überschüssiges leitfähiges Material,
das sich auf bzw. über
und/oder in den Öffnungen 608 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 befindet,
durch Abwischen (z. B. durch "Abstreichen" und dergleichen)
des leitfähigen
Materials von der oberen Oberfläche
der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 606 entfernt.
Auf diese Weise stellt das vorliegende Ausführungsbeispiel sicher, dass
die zweite Schicht des leitfähigen
Materials 610 eine gewünschte
Tiefe in den Öffnungen 608 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 aufweist.
Nach der Entfernung des überschüssigen leitfähigen Materials
wird die zweite Schicht des leitfähigen Materials 610 gehärtet. In
einem weiteren Ausführungsbeispiel
wird überschüssiges leitfähiges Material,
das sich oben auf bzw. über
und/oder in Öffnungen 608 in
der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 befindet,
durch mechanisches Wegpolieren der überschüssigen Mengen des leitfähigen Materials
nach dem Härtungsprozess
entfernt. Wiederum stellt ein solcher Ansatz sicher, dass das leitfähige Material
auf eine gewünschte
Tiefe in den Öffnungen 608 in
der Schicht aus einem fotostrukturierbaren Material 606 abgeschieden
wird.
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In
folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6L entfernt
die vorliegende Erfindung nachdem die zweite Schicht des leitfähigen Materials 610 gehärtet worden
ist die verbliebenen Abschnitte der Schicht aus fotostrukturierbarem
Material 606. Nach der Entfernung der verbliebenen Abschnitte
der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 606 bleiben
die ersten und zweiten Abschnitte (d. h. 604 und 610)
der leitfähigen
Zeilen und Spalten oberhalb der Schicht aus isolierendem Material 110 angeordnet.
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Wie
dies in der Abbildung aus 6M dargestellt
ist, entfernt das vorliegende Ausführungsbeispiel nach der Entfernung
der verbliebenen Abschnitte der Schicht aus dem fotostrukturierbaren
Material 606 die Schicht des isolierenden Materials 110 mit Ausnahme
der Abschnitte der Schicht des isolierenden Materials 110,
die direkt unter den leitfähigen Zeilen
und Spalten 604 und 610 liegen. Somit stellt das
vorliegende Ausführungsbeispiel
eine vollständig leitfähige Gate-Elektrodenschicht 104 durch
Abschnitte der Schicht aus isolierendem Material 110 bereit.
Ferner weist die leitfähige
Fokuswaffelstruktur gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
einen unteren dielektrischen Abschnitt (der einen Abschnitt der
Schicht aus isolierendem Material 110 umfasst) auf und
einen oberen leitfähigen
Abschnitt (604 und 610).
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Als
Folge der Mehrebenenform des vorliegenden Ausführungsbeispiels eignet sich
die leitfähige
Fokuswaffelstruktur aus der Abbildung aus 6M gut
dafür,
höhere
bzw. größere Teilstücke bzw.
Abschnitte 610 aufzuweisen, welche eine Trägerstruktur
stützen,
die entlang der kürzeren
Abschnitte 604 angeordnet ist. Das heißt, eine Wand, eine Rippe oder
eine andere Trägerstruktur,
die für gewöhnlich an
dem kürzeren
Abschnitt 604 angeordnet ist, wird durch die größeren bzw.
höheren,
proximal angeordneten Abschnitte 610 stabilisiert bzw. gestützt.
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Obgleich
das Ausführungsbeispiel
aus den Abbildungen der 6A bis 6M eine
Schicht aus einem isolierenden Material 110 beschreibt,
die über
der Kathodenstruktur angeordnet ist, bevor entweder die ersten oder
zweiten Schichten des fotostrukturierbaren Materials abgeschieden
werden, eignet sich das vorliegende Ausführungsbeispiel ebenso gut für ein Ausführungsbeispiel,
bei dem dielektrisches oder isolierendes Material in die Öffnungen
abgeschieden wird, die in den ersten und/oder zweiten Schichten
aus fotostrukturierbarem Material abgeschieden werden bevor die
ersten und/oder zweiten leitfähigen
Materialschichten abgeschieden werden. Ferner eignet sich die vorliegende
Erfindung auch gut für
ein Ausführungsbeispiel,
bei dem nur die Zeilenabschnitte oder nur die Spaltenabschnitte
der leitfähigen
Fokuswaffelstruktur mehrere Ebenen aufweisen.
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Die
vorstehenden Beschreibungen spezieller Ausführungsbeispiele der vorliegenden
Erfindung wurden zu Zwecken der Veranschaulichung und Beschreibung
vorgesehen. Sie stellen nicht den ganzen Umfang der Erfindung dar
oder schränken
die Erfindung auf die genau offenbarten Ausführungen ein, und selbstverständlich sind
zahlreiche Modifikationen und Abänderungen
in Bezug auf die vorstehenden Lehren möglich. Die Ausführungsbeispiele
wurden so ausgesucht und beschrieben, um die Grundsätze der
vorliegenden Erfindung und deren praktische Anwendung am besten
zu erläutern,
um es dadurch anderen Fachleuten auf dem Gebiet zu ermöglichen,
die Erfindung und die verschiedenen Modifikationen, die für den jeweiligen
Anwendungszweck geeignet erscheinen, bestmöglich zu nutzen. Der Umfang
der vorliegenden Erfindung soll durch die anhängigen Ansprüche definiert
sein.