DE69937793T2 - METHOD FOR PRODUCING A CONDUCTIVE FOCUSING STRAP - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING A CONDUCTIVE FOCUSING STRAP Download PDF

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Description

GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION

Die vorliegende und beanspruchte Erfindung betrifft das Gebiet der Flachbildschirmanzeigen. Im Besonderen betrifft die vorliegende und beanspruchte Erfindung die "Fokuswaffel" einer Flachbildschirmanzeigenstruktur.The The present and claimed invention relates to the field of flat panel displays. In particular, the present and claimed invention relates the "focus waffle" of a flat panel display structure.

STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART

Flachbildschirmanzeigevorrichtungen arbeiten häufig unter Verwendung von Elektronen emittierenden Strukturen, wie zum Beispiel von Feldemittern vom Typ Spindt. Derartige Flachbildschirmanzeigen verwenden häufig eine Polyimidstruktur für die Fokussierung oder für die Definition des Pfads der emittierten Elektronen von den Elektronen emittierenden Strukturen. Bei einem Ansatz gemäß dem Stand de Technik wird die Polyimidstruktur als eine "Fokuswaffel" bezeichnet. Die Struktur umfasst eine Mehrzahl von Zeilen, die parallel zueinander sind, und eine Mehrzahl von Spalten, die parallel zueinander sind, wobei sie ferner im Wesentlichen orthogonal zu der Mehrzahl von Zeilen sind. Die Mehrzahl von Zeilen und Spalten des Polyimidmaterials definieren dazwischen Öffnungen. Die Fokuswaffel befindet sich zwischen den Elektronen emittierenden Strukturen und der Frontplatte (Faceplate), so dass emittierte Elektronen durch Öffnungen in der Fokuswaffelstruktur verlaufen und in Richtung entsprechender Subpixelbereiche gerichtet sind.Flat panel display devices work frequently using electron-emitting structures, such as Example of field emitters type Spindt. Such flat panel displays use often a polyimide structure for the focus or for the definition of the path of the emitted electrons from the electrons emitting structures. In a prior art approach the polyimide structure is referred to as a "focus waffle". The Structure includes a plurality of rows parallel to each other are, and a plurality of columns that are parallel to each other, further being substantially orthogonal to the plurality of Lines are. The plurality of rows and columns of the polyimide material define openings in between. The focus waffle is located between the electron-emitting structures and the front panel (faceplate), allowing emitted electrons through openings in the focus waffle structure and towards corresponding Subpixelbereiche are addressed.

Leider sind derartige dem Stand der Technik entsprechende Polyimid-Fokuswaffelstrukturen außerordentlich teuer und verursachen somit zusätzliche Kosten in der Herstellung von Flachbildschirmanzeigen. Ein weiterer Nachteil derartiger Polyimid-Fokuswaffelstrukturen ist es, dass sie eine Hauptquelle für Verunreinigungen in Flachbildschirmvorrichtungen darstellen. Das heißt, derartige "schmutzige" Polyimid-Fokuswaffelstrukturen führen Verunreinigungsteilchen in die evakuierte bzw. luftleer gemachte Umgebung der Flachbildschirmvorrichtung ein. Diese Verunreinigungsteilchen verschlechtern die Leistung der Flachbildschirmanzeigenvorrichtung, sie können Verfärbungen bewirken und die effektive Nutzungsdauer der Flachbildschirmanzeigevorrichtung verkürzen. Zusätzlich zu der Emission von Verunreinigungsteilchen entgasen derartige dem Stand der Technik entsprechende Fokuswaffelstrukturen ferner Material (z. B. organische Stoffe) aufgrund der Elektronendesorbtion und thermischen Beanspruchungen bzw. Belastungen, die während den Fertigungsschritten für eine Flachbildschirmanzeige induziert werden.Unfortunately are such prior art polyimide focus waffle structures extraordinarily expensive and thus cause additional Cost in the production of flat panel displays. Another Disadvantage of such polyimide focus waffle structures is that she is a major source for Represent impurities in flat panel devices. The is called, such "dirty" polyimide focus waffle structures lead pollution particles in the evacuated or evacuated environment of the flat panel device one. These contaminant particles degrade the performance of the Flat panel display device, they can cause discoloration and the effective Shorten the useful life of the flat panel display device. In addition to the emission of contaminant particles degas such Prior art focus waffle structures also have material (eg organic substances) due to electron desorption and thermal stresses or strains during the Manufacturing steps for a flat panel display can be induced.

Als ein weiterer Nachteil führt das Auftragen von leitfähigen Überzügen (z. B. Aluminium), die auf Polyimid-Fokuswaffelstrukturen aufgetragen bzw. aufgebracht werden, zu erheblichen Schwierigkeiten und Komplexität bei der Herstellung bzw. Fertigung herkömmlicher Flachbildschirmanzeigevorrichtungen. Im Besonderen werden bei der Herstellung herkömmlicher Flachbildschirmanzeigen leitfähige Überzüge unter Verwendung angewinkelter Bedampfungsprozesse aufgetragen. Der angewinkelte Bedampfungsprozess ist schwierig, zeitaufwändig und teuer. Neben der schwierigen Ausführung reduziert die zeitaufwändige Beschaffenheit des angewinkelten Bedampfungsprozesses den Durchsatz und die Ergiebigkeit während der Herstellung von Flachbildschirmanzeigevorrichtungen.When another disadvantage leads the application of conductive coatings (z. Aluminum) applied to polyimide focus waffle structures or be applied, leading to significant difficulties and complexity in the Production or production of conventional Flat panel display devices. In particular, at the Production of conventional Flat panel displays conductive coatings Use of angled sputtering processes applied. The angled Steaming process is difficult, time consuming and expensive. In addition to the difficult execution reduces the time-consuming Condition of the angled sputtering process the throughput and the fertility during the manufacture of flat panel display devices.

Die U.S. Patente US-A-5.528.103 , US-A-5.650.690 und US-A-5.920.151 offenbaren Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur an einem Kathodenabschnitt einer Flachbildschirmanzeigevorrichtung.The U.S. Patents US-A-5,528,103 . US-A-5650690 and US-A-5920151 disclose methods of forming a conductive focus waffle structure on a cathode portion of a flat panel display device.

Benötigt wird somit eine Fokuswaffelstruktur, die nicht mit erheblichen Kosten verbunden ist, die keine größeren Verunreinigungsemissionen und Entgasung bzw. Ausgasung aufweist. Ferner benötigt wird eine Fokuswaffelstruktur, welche die oben genannte Anforderung erfüllt und ferner die Notwendigkeit bzw. Anforderung in Bezug auf komplexe und schwierige Schritte eines angewinkelten Bedampfungsprozesses eliminiert. Ferner benötigt wird eine Fokuswaffelstruktur, welche die oben genannten Anforderungen erfüllt und ferner den Durchsatz und die Ergiebigkeit der Fokuswaffelstrukturherstellung verbessert.Is needed thus a focus waffle structure that does not involve significant costs which does not cause major pollutant emissions and has degassing or outgassing. Further needed a focus waffle structure that meets the above requirement and Furthermore, the need or requirement in terms of complex and difficult steps of an angled sputtering process eliminated. Further needed becomes a focus waffle structure, which meets the above requirements Fulfills and further the throughput and the yield of the focus waffle structure fabrication improved.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Vorgesehen ist gemäß der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur an einem Kathodenabschnitt einer Flachbildschirmanzeigenvorrichtung gemäß dem gegenständlichen Anspruch 1. Besondere Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Unteransprüchen 2 bis 9 definiert. Ferner wird hiermit festgestellt, dass die Fokuswaffelstruktur in zahlreichen Arten von Flachbildschirmanzeigen eingesetzt werden kann.Intended is in accordance with the present The invention relates to a method for forming a conductive focus waffle structure a cathode portion of a flat panel display device according to the subject Claim 1. Particular embodiments the invention are defined in the subclaims 2 to 9. Further It is noted that the focus waffle structure in numerous Types of flat panel displays can be used.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Die beigefügten Zeichnungen, die Bestandteil der vorliegenden Patentschrift sind, veranschaulichen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und dienen in Verbindung mit der Beschreibung dazu, die Grundsätze der vorliegenden Erfindung zu erläutern. Es zeigen:The attached Drawings which are part of the present specification, illustrate embodiments of the present invention and, in conjunction with the description, serve the principles to explain the present invention. Show it:

1A eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in einem Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt; 1A 4 is a side sectional view illustrating a starting point in a method of forming a conductive focus waffle structure according to an embodiment of FIG exemplary embodiment of the present and claimed invention;

1B eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1A mit einer Schicht eines dielektrischen Materials, die über der Struktur angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 1B a side sectional view of the structure from the figure 1A a layer of dielectric material disposed over the structure according to an embodiment of the present claimed invention;

1C eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1B mit einer Schicht eines fotostrukturierbaren Materials, die über der Struktur angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 1C a side sectional view of the structure from the figure 1B with a layer of photoimageable material disposed over the structure according to an embodiment of the present claimed invention;

1D eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1C mit Öffnungen, die in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials ausgebildet sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 1D a side sectional view of the structure from the figure 1C with openings formed in the layer of photoimageable material according to an embodiment of the present claimed invention;

1E eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1D mit einer leitfähigen Schicht, die über der Schicht des fotostrukturierbaren Materials angeordnet ist, und in die darin ausgebildeten Öffnungen gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 1E a side sectional view of the structure from the figure 1D a conductive layer disposed over the layer of photoimageable material and openings formed therein according to an embodiment of the present claimed invention;

1F eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1E mit überschüssigen Abschnitten der leitfähigen Schicht, die von dort entfernt werden, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 1F a side sectional view of the structure from the figure 1E with excess portions of the conductive layer removed therefrom according to an embodiment of the present claimed invention;

1G eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1F, wobei die verbleibenden Abschnitte der fotostrukturierbaren Schicht des Materials davon entfernt werden, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 1G a side sectional view of the structure from the figure 1F wherein the remaining portions of the photoimageable layer of the material thereof are removed, according to an embodiment of the present claimed invention;

1H eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 1G, wobei verschiedene Abschnitte der isolierenden Materialschicht davon entfernt werden, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 1H a side sectional view of the structure from the figure 1G wherein various portions of the insulating material layer thereof are removed therefrom according to an embodiment of the present claimed invention;

2 eine Draufsicht von oben von Öffnungen, die in einer Schicht aus einem fotostrukturierbaren Material ausgebildet sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 2 a top plan view of openings formed in a layer of a photoimageable material, according to an embodiment of the present claimed and claimed invention;

3A eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in einem Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt; 3A 5 is a side sectional view illustrating a starting point in a method of forming a conductive focus waffle structure according to an embodiment of the present claimed invention;

3B eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3A, wobei eine Schicht eines fotostrukturierbaren Materials darüber angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 3B a side sectional view of the structure from the figure 3A wherein a layer of photoimageable material is disposed thereover, according to an embodiment of the present claimed invention;

3C eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3B mit Öffnungen, die in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials ausgebildet sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 3C a side sectional view of the structure from the figure 3B with openings formed in the layer of photoimageable material according to an embodiment of the present claimed invention;

3D eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3C mit dielektrischem Material, das in den Öffnungen angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 3D a side sectional view of the structure from the figure 3C dielectric material disposed in the openings according to an embodiment of the present claimed invention;

3E eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3D mit einer leitfähigen Schicht, die über der Schicht des fotostrukturierbaren Materials angeordnet ist, und in die darin ausgebildeten Öffnungen, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 3E a side sectional view of the structure from the figure 3D a conductive layer disposed over the layer of photoimageable material and openings formed therein according to an embodiment of the present and claimed invention;

3F eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3E mit überschüssigen Abschnitten der leitfähigen Schicht, die davon entfernt werden, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 3F a side sectional view of the structure from the figure 3E with excess portions of the conductive layer removed therefrom according to an embodiment of the present claimed invention;

3G eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 3F, wobei die verbliebenen Abschnitte der fotostrukturierbaren Materialschicht davon entfernt worden sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 3G a side sectional view of the structure from the figure 3F wherein the remaining portions of the photoimageable material layer thereof have been removed therefrom, according to an embodiment of the present invention;

4A eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in einem Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur darstellt; 4A FIG. 4 is a side sectional view illustrating a starting point in a method of forming a conductive focus waffle structure; FIG.

4B eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 4A mit einer darüber angeordneten Schicht eines isolierenden Materials; 4B a side sectional view of the structure from the figure 4A with an overlying layer of insulating material;

4C eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 4B mit einer leitfähigen Schicht, die über der Schicht des isolierenden Materials angeordnet ist; 4C a side sectional view of the structure from the figure 4B a conductive layer disposed over the layer of insulating material;

4D eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 4C mit einer dickeren leitfähigen Schicht, die über der Schicht des isolierenden Materials angeordnet ist; wobei das Ausführungsbeispiel aus 4 keinen Bestandteil der vorliegenden Erfindung bildet; 4D a side sectional view of the structure from the figure 4C a thicker conductive layer disposed over the layer of insulating material; the embodiment of 4 does not form part of the present invention;

5A eine Draufsicht von oben einer Struktur, die gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung ausgebildet ist; 5A a top view of a structure, according to an embodiment of the present and claimed invention is formed;

5B eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 5A mit einer zweiten Schicht einer fotostrukturierbaren Materialschicht, die darauf angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 5B a side sectional view of the structure from the figure 5A a second layer of photoimageable material layer disposed thereon according to an embodiment of the present claimed invention;

5C eine Draufsicht von oben der Struktur aus der Abbildung aus 5B, wobei darin zusätzliche Öffnungen ausgebildet sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 5C a top view of the structure from the figure 5B wherein additional openings are formed therein according to an embodiment of the present claimed invention;

5D eine Draufsicht von oben einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur, die gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung ausgebildet ist; 5D a top plan view of a conductive focus waffle structure formed in accordance with an embodiment of the present claimed invention;

6A eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in einem Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt; 6A 5 is a side sectional view illustrating a starting point in a method of forming a conductive focus waffle structure according to an embodiment of the present claimed invention;

6B eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6A mit einer Schicht eines dielektrischen Materials, die darüber angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 6B a side sectional view of the structure from the figure 6A a layer of dielectric material disposed thereover in accordance with an embodiment of the present claimed invention;

6C eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6B mit einer ersten Schicht eines fotostrukturierbaren Materials, die darüber angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 6C a side sectional view of the structure from the figure 6B a first layer of photoimageable material disposed thereabove according to an embodiment of the present claimed invention;

6D eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6C mit Öffnungen, die in der ersten Schicht des fotostrukturierbaren Materials ausgebildet sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 6D a side sectional view of the structure from the figure 6C with openings formed in the first layer of photoimageable material according to an embodiment of the present claimed invention;

6E eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6D mit einer ersten leitfähigen Schicht, die über der ersten Schicht des fotostrukturierbaren Materials und in die darin ausgebildeten ersten Öffnungen angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 6E a side sectional view of the structure from the figure 6D a first conductive layer disposed over the first layer of photoimageable material and into the first openings formed therein according to an embodiment of the present claimed invention;

6F eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6E mit entfernten überschüssigen Abschnitten der ersten leitfähigen Schicht gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 6F a side sectional view of the structure from the figure 6E with removed excess portions of the first conductive layer according to an embodiment of the present claimed invention;

6G eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6F, wobei die verbliebenen Abschnitte der ersten fotostrukturierbaren Materialschicht davon entfernt worden sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 6G a side sectional view of the structure from the figure 6F wherein the remaining portions of the first photoimageable material layer have been removed therefrom, according to an embodiment of the present claimed invention;

6H eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6G mit einer zweiten Schicht eines fotostrukturierbaren Materials, die darüber angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 6H a side sectional view of the structure from the figure 6G a second layer of photoimageable material disposed thereover, according to an embodiment of the present claimed invention;

6I eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6H mit Öffnungen, die in der zweiten Schicht des fotostrukturierbaren Materials ausgebildet sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 6I a side sectional view of the structure from the figure 6H with openings formed in the second layer of photoimageable material according to an embodiment of the present invention;

6J eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6I mit einer zweiten leitfähigen Schicht, die über der zweiten Schicht des fotostrukturierbaren Materials und in die darin ausgebildeten Öffnungen angeordnet ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 6J a side sectional view of the structure from the figure 6I a second conductive layer disposed over the second layer of photoimageable material and into the openings formed therein according to an embodiment of the present claimed invention;

6K eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6J mit davon entfernten überschüssigen Abschnitten der zweiten leitfähigen Schicht, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; 6K a side sectional view of the structure from the figure 6J with excess portions of the second conductive layer removed therefrom according to an embodiment of the present claimed invention;

6L eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6K, wobei die verbliebenen Abschnitte der zweiten fotostrukturierbaren Materialschicht davon entfernt worden sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung; und 6L a side sectional view of the structure from the figure 6K wherein the remaining portions of the second photoimageable material layer thereof have been removed therefrom, in accordance with an embodiment of the present claimed invention; and

6M eine Seitenschnittansicht der Struktur aus der Abbildung aus 6L, wobei verschiedene Abschnitte der isolierenden Materialschicht davon entfernt worden sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. 6M a side sectional view of the structure from the figure 6L wherein various portions of the insulating material layer thereof have been removed therefrom according to an embodiment of the present invention.

Hiermit wird festgestellt, dass die Zeichnungen, auf die in der vorliegenden Beschreibung Bezug genommen wird, nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind, sofern dies nicht speziell erwähnt wird.Herewith it is noted that the drawings referred to in this Description is not drawn to scale, unless specifically mentioned becomes.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELEDESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS

Nachstehend wird in näheren Einzelheiten Bezug genommen auf die bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung, wobei Beispiele dieser in den beigefügten Zeichnungen veranschaulicht sind. Die vorliegende Erfindung wird nachstehend in Bezug auf die bevorzugten Ausführungsbeispiele beschrieben, wobei hiermit jedoch festgestellt wird, dass diese die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränken. Vielmehr deckt die vorliegende Erfindung Alternativen, Modifikationen und Äquivalente ab, sofern diese dem Umfang der vorliegenden Erfindung angehören, der durch die anhängigen Ansprüche definiert wird. Ferner sind in der folgenden genauen Beschreibung der vorliegenden Erfindung zahlreiche besondere Einzelheiten ausgeführt, um ein umfassendes Verständnis der vorliegenden Erfindung zu vermitteln. Für den Durchschnittsfachmann auf dem Gebiet ist es jedoch ersichtlich, dass die vorliegende Erfindung auch ohne diese besonderen Einzelheiten ausgeführt werden kann. In anderen Fällen wurde auf die genaue Beschreibung allgemein bekannter Verfahren, Abläufe, Komponenten und Schaltungen verzichtet, um die Aspekte der vorliegenden Erfindung nicht unnötig zu verschleiern.Reference will now be made in greater detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. The present invention will be described below with reference to the preferred embodiments, but Festge It should be understood that these do not limit the present invention to these embodiments. Rather, the present invention covers alternatives, modifications and equivalents, insofar as they belong to the scope of the present invention, which is defined by the appended claims. Furthermore, in the following detailed description of the present invention, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the present invention. However, it will be apparent to one of ordinary skill in the art that the present invention may be practiced without these specific details. In other instances, the detailed description of well-known methods, procedures, components, and circuits have not been given so as not to unnecessarily obscure the aspects of the present invention.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1A zeigt diese eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in dem Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt.Referring to the picture below 1A FIG. 11 is a side sectional view illustrating a starting point in the method of forming a conductive focus waffle structure according to one embodiment of the present claimed invention. FIG.

Hiermit wird festgestellt, dass aus Gründen der Klarheit bestimmte im Fach allgemein bekannte Merkmale bzw. Funktionen in den folgenden Abbildungen nicht dargestellt sind oder in der folgenden Beschreibung nicht näher beschrieben werden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist ein Teil eines Kathodenabschnitts einer Feldemissionsanzeige abgebildet. Im Besonderen weist in der Abbildung aus 1A ein Substrat 100 eine darin angeordnete Zeilenelektrode (nicht abgebildet) auf. Die vorliegende Erfindung eignet sich ferner gut für verschiedene andere Konfigurationen, bei denen die Zeilenelektrode zum Beispiel eine Widerstandsschicht aufweist (nicht abgebildet), die darüber angeordnet ist. Eine dielektrische Intermetallschicht bzw. Zwischenmetallschicht 102, die zum Beispiel Siliziumdioxid umfasst, ist über der Zeilenelektrode angeordnet. Eine leitfähige Gate-Elektrodenschicht 104 ist oberhalb der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 angeordnet. Feldemitterstrukturen, die kennzeichnenderweise unter 106 dargestellt sind, werden in entsprechenden Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ausgebildet. Zusätzlich deckt eine Abschluss- bzw. Verschlussschicht 108 die Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ab und schützt die Feldemitter 106 während folgenden Verarbeitungs- bzw. Verfahrensschritten.It is to be noted that for purposes of clarity, certain features or functions well known in the art are not shown in the following figures or will be described in detail in the following description. In the present embodiment, a part of a cathode portion of a field emission display is depicted. In particular, in the figure shows 1A a substrate 100 a row electrode (not shown) disposed therein. The present invention is also well suited to various other configurations in which the row electrode includes, for example, a resistive layer (not shown) disposed above it. A dielectric intermetallic layer or intermediate metal layer 102 silicon dioxide, for example, is disposed above the row electrode. A conductive gate electrode layer 104 is above the inter-metal dielectric layer 102 arranged. Field emitter structures, characteristically under 106 are shown in corresponding recesses in the dielectric intermetal layer 102 educated. In addition, covers a finishing or sealing layer 108 the recesses in the dielectric intermetal layer 102 and protects the field emitters 106 during subsequent processing or process steps.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1B wird in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung eine Schicht eines isolierenden Materials 110 (z. B. eine Schicht eines dielektrischen Materials) über den genannten Kathodenabschnitt aufgetragen. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel handelt es sich bei der Schicht aus isolierendem Material 110 zum Beispiel um Spin-on-Glas (SOG). Die vorliegende Erfindung eignet sich jedoch gut für die Anwendung verschiedenartiger isolierender Materialien über dem Kathodenabschnitt aus der Abbildung aus 1A. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Schicht des isolierenden Materials 110 bis auf eine Tiefe von ungefähr 5 bis 50 Mikron abgeschieden.Referring to the picture below 1B For example, in one embodiment of the present invention, a layer of insulating material 110 (eg, a layer of dielectric material) applied over said cathode portion. In the present embodiment, the layer is of insulating material 110 for example, spin-on-glass (SOG). However, the present invention lends itself well to the use of various insulating materials over the cathode portion of the Figure 1A , In the present embodiment, the layer of the insulating material 110 deposited to a depth of about 5 to 50 microns.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1C wird in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Schicht 112 eines fotostrukturierbaren Materials über der dielektrischen Schicht 110 des Kathodenabschnitts aus der Abbildung aus 1B aufgetragen. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst die Schicht 112 aus fotostrukturierbarem Material ein Photoresist, wie zum Beispiel das Photoresist AZ4620, das von Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA, erhältlich ist. Hiermit wird jedoch festgestellt, dass sich die vorliegende Erfindung gut eignet für den Einsatz verschiedener anderer Arten und Hersteller von fotostrukturierbarem Material. Die Schicht 112 aus Photoresist wird in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel bis auf eine Tiefe von ungefähr 40 bis 100 Mikron abgeschieden.Referring to the picture below 1C becomes in the present embodiment of the invention a layer 112 a photoimageable material over the dielectric layer 110 of the cathode section from the figure 1B applied. In the present embodiment, the layer comprises 112 photoprystallizable material is a photoresist, such as photoresist AZ4620, available from Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA. It should be understood, however, that the present invention is well suited to the use of various other types and manufacturers of photoimageable material. The layer 112 of photoresist is deposited in the present embodiment to a depth of about 40 to 100 microns.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1D wird nach der Abscheidung der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 1121, die Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 einem Expositionsprozess ausgesetzt. Nach dem Expositionsprozess entfernt das vorliegende Ausführungsbeispiel Abschnitte bzw. Teilstücke der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112, so dass Öffnungen, die etwa unter 114 in der Seitenschnittansicht aus der Abbildung aus 1D dargestellt sind, in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 gebildet werden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel bilden die Öffnungen 114 eine Schablone bzw. Vorlage für die Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur. Das heißt, die Öffnungen 114 sind in einem Raster- bzw. Gittermuster angeordnet, das im Wesentlichen orthogonale bzw. senkrechte Zeilen und Spalten umfasst. Ferner sind in der Abbildung aus 1D zu Zwecken der klaren Darstellung nur zwei Öffnungen 114 dargestellt, wobei hiermit jedoch festgestellt wird, dass zahlreiche Zeilen und Spalten von Öffnungen in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 gebildet werden.Referring to the picture below 1D becomes after the deposition of the layer of photoimageable material 1121 , the layer of photoimageable material 112 exposed to an exposure process. After the exposure process, the present embodiment removes portions of the layer of photoimageable material 112 so that openings that are about under 114 in the side sectional view from the illustration 1D are shown in the layer of photoimageable material 112 be formed. In the present embodiment, the openings form 114 a template for the formation of a conductive focus waffle structure. That is, the openings 114 are arranged in a grid pattern comprising substantially orthogonal and vertical rows and columns. Further, in the picture are out 1D for purposes of clarity, only two openings 114 however, it will be recognized that there are numerous rows and columns of apertures in the layer of photoimageable material 112 be formed.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 2 zeigt diese eine Draufsicht von oben des Ausführungsbeispiels aus 1D, wobei Öffnungen 114 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 ausgebildet werden. Wie dies in der Abbildung aus 2 dargestellt ist, befinden sich die Öffnungen 114 an Stellen, an denen eine leitfähige Fokuswaffelstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung gebildet werden sollen.Referring to the picture below 2 this shows a top view from above of the embodiment 1D where openings 114 in the layer of photoimageable material 112 be formed. Like this in the picture 2 is shown, are the openings 114 at locations where a conductive focus waffle structure according to the present invention is formed should be.

Nachdem in folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1E die Öffnungen 114 aus 1C und aus 2 gebildet worden sind, wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine Schicht eines leitfähigen Materials 116 über der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 und in die darin ausgebildeten Öffnungen 114 aufgetragen. Wie dies in der Abbildung aus 1E dargestellt ist, ist eine Schicht aus einem leitfähigen Material 116 von der leitfähigen Gate-Elektrodenschicht 104 durch eine Schicht aus isolierendem Material 110 elektrisch isoliert. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst eine Schicht aus leitfähigem Material 116 zum Beispiel CB800A DAG, hergestellt von Acheson Colloids, Port Huron, Michigan, USA. In einem anderen Ausführungsbeispiel umfasst die Schicht aus leitfähigem Material 116 ein anderes leitfähiges Material auf Graphitbasis. In einem weiteren Ausführungsbeispiel wird die Schicht aus leitfähigem Material auf Graphitbasis als ein halbtrockenes Spray aufgetragen, um die Schrumpfung der Schicht von leitfähigem Material 116 zu reduzieren. In einem derartigen Ausführungsbeispiel ermöglicht die vorliegende Erfindung eine verbesserte Kontrolle bzw. Regelung der finalen Tiefe der Schicht aus leitfähigem Material 116. Ungeachtet der vorstehend beschriebenen Abscheidungsverfahren wird hiermit festgestellt, dass sich die vorliegende Erfindung auch gut eignet für den Einsatz verschiedener anderer Abscheidungsverfahren, um verschiedene andere leitfähige Materialien über der Schicht von fotostrukturierbarem Material und in die Öffnungen 114 abzuscheiden, die in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 ausgebildet sind.After referring to the figure below 1E the openings 114 out 1C and from 2 are formed according to the present invention, a layer of a conductive material 116 over the layer of photoimageable material 112 and in the openings formed therein 114 applied. Like this in the picture 1E is a layer of a conductive material 116 from the conductive gate electrode layer 104 through a layer of insulating material 110 electrically isolated. In the present embodiment, a layer of conductive material comprises 116 for example, CB800A DAG manufactured by Acheson Colloids, Port Huron, Michigan, USA. In another embodiment, the layer comprises conductive material 116 another conductive material based on graphite. In another embodiment, the layer of graphite-based conductive material is applied as a semi-dry spray to reduce the shrinkage of the layer of conductive material 116 to reduce. In such an embodiment, the present invention allows for improved control of the final depth of the layer of conductive material 116 , Notwithstanding the deposition methods described above, it is to be understood that the present invention also lends itself well to the use of various other deposition methods to various other conductive materials over the layer of photoimageable material and into the openings 114 deposited in the layer of photo-structurable material 112 are formed.

In nächstem Bezug auf die Abbildung aus 1F wird in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung überschüssiges Material, das sich auf bzw. über und/oder in den Öffnungen 114 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 befindet, entfernt, indem das leitfähige Material von der oberen Oberfläche der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 112 gewischt (z. B. durch "Abstreichen" und dergleichen) wird. Dadurch stellt das vorliegende Ausführungsbeispiel sicher, dass die Schicht aus leitfähigem Material 116 eine gewünschte Tiefe in den Öffnungen 114 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 aufweist. Nach der Entfernung von überschüssigem leitfähigem Material wird die Schicht aus leitfähigem Material 116 gehärtet. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Schicht aus leitfähigem Material 116 bei ungefähr 80 bis 90 Grad Celsius ungefähr 4 bis 5 Minuten gehärtet. In einem anderen Ausführungsbeispiel wird überschüssiges Material, das sich über und/oder in den Öffnungen 114 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 befindet, dadurch entfernt, dass die überschüssigen Mengen des leitfähigen Materials nach dem Härtungsprozess durch mechanisches Polieren entfernt werden. Ein derartiger Ansatz stellt wiederum sicher, dass das leitfähige-Material auf eine gewünschte Tiefe in den Öffnungen 114 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 abgeschieden wird.Next, look at the picture 1F For example, in one embodiment of the present invention, excess material is deposited on and / or over and / or in the openings 114 in the layer of photoimageable material 112 is removed by removing the conductive material from the top surface of the layer of photoimageable material 112 wiped (eg by "wiping" and the like). As a result, the present embodiment ensures that the layer of conductive material 116 a desired depth in the openings 114 in the layer of photoimageable material 112 having. After removal of excess conductive material, the layer becomes conductive material 116 hardened. In the present embodiment, the layer of conductive material 116 cured at about 80 to 90 degrees Celsius for about 4 to 5 minutes. In another embodiment, excess material is deposited over and / or in the openings 114 in the layer of photoimageable material 112 is removed by removing the excess amounts of the conductive material after the curing process by mechanical polishing. Such an approach in turn ensures that the conductive material is at a desired depth in the openings 114 in the layer of photoimageable material 112 is deposited.

Nachdem die Schicht aus leitfähigem Material 116 gehärtet worden ist, werden gemäß der vorliegenden Erfindung in folgendem Bezug auf die Abbildung aus 1G die verbliebenen Abschnitte der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 112 entfernt. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird ein technisches Aceton auf die Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 aufgetragen, um den Entfernungsprozess zu erleichtern. Die vorliegende Erfindung eignet sich gut für die Entfernung von fotostrukturierbarem Material unter Verwendung zahlreicher anderer Lösemittel, wie etwa des Photoresist-Abstreifers 400T, erhältlich von Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA, eines NMP-Abstreifers und dergleichen. Nach der Entfernung der verbliebenen Abschnitte der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 bleiben die leitfähigen Zeilen und Spalten 116 oberhalb der Schicht aus isolierendem Material 110 angeordnet.After the layer of conductive material 116 is cured according to the present invention in the following reference to the figure 1G the remaining portions of the layer of photoimageable material 112 away. In the present embodiment, a technical acetone is applied to the layer of photoimageable material 112 applied to facilitate the removal process. The present invention lends itself well to the removal of photoimageable material using many other solvents, such as the photoresist wiper 400T available from Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA, an NMP scraper and the like. After removal of the remaining portions of the layer of photoimageable material 112 remain the conductive rows and columns 116 above the layer of insulating material 110 arranged.

Wie dies in der Abbildung aus 1H dargestellt ist, wird gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel nach der Entfernung der verbliebenen Abschnitte der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 die Schicht des isolierenden Materials 110 mit Ausnahme der Abschnitte der Schicht des isolierenden Materials 110 entfernt, die sich direkt unterhalb der leitfähigen Zeilen und Spalten 116 befinden. Als Folge dessen stellt das vorliegende Ausführungsbeispiel eine vollständige leitfähige Fokuswaffelstruktur bereit, die von der leitfähigen Gate-Elektrodenschicht 104 durch Abschnitte der Schicht aus isolierendem Material 110 elektrisch isoliert ist. Ferner weist die leitfähige Fokuswaffelstruktur gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ein unteres dielektrisches Teilstück (welches ein Teilstück der Schicht aus isolierendem Material 110 umfasst) und ein oberes leitfähiges Teilstück bzw. einen entsprechenden Abschnitt bereit (welches bzw. welcher ein leitfähiges Material umfasst, das sich in den Öffnungen 114 der fotostrukturierbaren Schicht 112 aus den Abbildungen der 1C bis 1F befindet). In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel werden die im Wesentlichen orthogonal ausgerichteten Zeilen und Spalten der leitfähigen Fokuswaffelstruktur mit einer Höhe von ungefähr 40 bis 100 Mikron ausgebildet. Ferner definieren die im Wesentlichen orthogonal ausgerichteten Zeilen und Spalten dazwischen Öffnungen, wobei die Öffnungen eine ausreichende Größe aufweisen, um es zu ermöglichen, dass von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen dort hindurch treten bzw. verlaufen. Hiermit wird festgestellt, dass durch das Anlegen eines Potenzials an die vorliegende leitfähige Fokuswaffelstruktur, von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen in Richtung entsprechender Subpixelbereiche geleitet werden.Like this in the picture 1H is shown in the present embodiment, after the removal of the remaining portions of the layer of photoimageable material 112 the layer of insulating material 110 with the exception of the sections of the layer of insulating material 110 located just below the conductive rows and columns 116 are located. As a result, the present embodiment provides a complete conductive focus waffle structure derived from the conductive gate electrode layer 104 through portions of the layer of insulating material 110 is electrically isolated. Further, the conductive focus waffle structure according to the present embodiment has a lower dielectric portion (which is a portion of the layer of insulating material 110 and an upper conductive portion or portion (which comprises a conductive material located in the openings) 114 the photoimageable layer 112 from the pictures of 1C to 1F located). In the present embodiment, the substantially orthogonally aligned rows and columns of the conductive focus waffle structure are formed to a height of approximately 40 to 100 microns. Further, the substantially orthogonally aligned rows and columns define openings therebetween, the openings being of a size sufficient to allow that of the field emitters 106 emitted electrons pass through or run therethrough. It is noted that by applying a potential to the present conductive focus waffle structure, from the field emitters 106 emitted electrons in the direction corresponding Subpixel areas are routed.

Das vorliegende Ausführungsbeispiel weist verschiedene große Vorteile auf, die mit dem Ausführungsbeispiel verbunden sind. Durch den Einsatz des vorstehend genannten leitfähigen Materials auf Graphitbasis für die Bildung der leitfähigen Fokuswaffelstruktur eliminiert die vorliegende Erfindung zum Beispiel das schädliche Brünieren und Entgasen bzw. Ausgasen, das mit dem Stand der Technik entsprechenden Waffelstrukturen auf Polyimidbasis verbunden ist. Darüber hinaus kann das gemäß der vorliegenden Erfindung verwendete leitfähige Material, ohne dieses zu beschädigen, höheren Verarbeitungstemperaturen ausgesetzt werden, die eingesetzt werden können, wenn die Waffelstruktur aus Polyimid gebildet wird. Ferner erfordert die leitfähige Fokuswaffelstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung nicht den Einsatz von teurem Polyimidmaterial, und die leitfähige Fokuswaffelstruktur gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel macht ein komplexes und schwieriges angewinkeltes Bedampfungsverfahren überflüssig.The present embodiment shows different big ones Advantages on that with the embodiment are connected. By using the above-mentioned conductive material on a graphite basis for the formation of the conductive Focus waffle structure eliminates the present invention, for example the harmful burnishing and degassing or degassing, which corresponds to the prior art Wafer structures is connected on polyimide base. Furthermore this can be done according to the present Invention used conductive Material without damaging it, higher Exposed to processing temperatures that are used can, when the waffle structure is formed of polyimide. Further required the conductive focus waffle structure according to the present Invention does not require the use of expensive polyimide material, and the conductive Focus waffle structure according to the present embodiment makes a complex and difficult angled sputtering process superfluous.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3A zeigt diese eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in dem Verfahren zur Bildung der leitfähigen Fokuswaffelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt. Die Struktur aus der Abbildung aus 4A ist der Struktur aus der Abbildung aus 1A ähnlich oder mit dieser identisch. Ferner wird hiermit festgestellt, dass zur klareren Darstellung bestimmte im Fach allgemein bekannte Merkmale bzw. Funktionen in den folgenden Abbildungen nicht dargestellt sind bzw. in der folgenden Beschreibung nicht näher beschrieben werden. In dem Ausführungsbeispiel aus der Abbildung aus 3A ist ein Teil eines Kathodenabschnitts einer Feldemissionsanzeige dargestellt. Im Besonderen weist in der Abbildung aus 3A ein Substrat 100 eine Zeilenelektrode (nicht abgebildet) auf, die daran angeordnet ist. Die vorliegende Erfindung eignet sich ferner gut für verschiedene andere Konfigurationen, bei denen zum Beispiel die Zeilenelektrode eine Widerstandsschicht (nicht abgebildet) aufweist, die darüber angeordnet ist. Eine dielektrische Zwischenmetallschicht 102, die zum Beispiel Siliziumdioxid umfasst, ist oberhalb der Zeilenelektrode angeordnet. Eine leitfähige Gate-Elektrodenschicht 104 befindet sich oberhalb der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102. Feldemitterstrukturen, etwa gemäß der Darstellung unter 106, werden in entsprechenden Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ausgebildet. Zusätzlich deckt eine Abdeckungs- bzw. Verschlussschicht 108 die Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ab und schützt die Feldemitter 106 während folgenden Verfahrens- bzw. Verarbeitungsschritten.Referring to the picture below 3A FIG. 11 is a side sectional view illustrating a starting point in the process of forming the conductive focus waffle structure according to an embodiment of the present claimed invention. FIG. The structure is out of the picture 4A is the structure out of the picture 1A similar or identical to this. It is also to be understood that for the sake of clarity, certain features or functions generally known in the art are not shown in the following figures and will not be described in detail in the following description. In the embodiment of the figure 3A is a part of a cathode portion of a field emission display shown. In particular, in the figure shows 3A a substrate 100 a row electrode (not shown) disposed thereon. The present invention also lends itself well to various other configurations in which, for example, the row electrode has a resistive layer (not shown) disposed above it. An inter-metal dielectric layer 102 silicon dioxide, for example, is disposed above the row electrode. A conductive gate electrode layer 104 is located above the dielectric intermetal layer 102 , Field emitter structures, approximately as shown below 106 , are formed in respective recesses in the inter-metal dielectric layer 102 educated. In addition, covers a cover layer 108 the recesses in the dielectric intermetal layer 102 and protects the field emitters 106 during the following process or processing steps.

Im folgenden Berg auf die Abbildung aus 3B wird in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Schicht 300 aus einem fotostrukturierbarem Material direkt oberhalb des Kathodenabschnitts aus der Abbildung aus 3A aufgetragen. Das heißt, in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist es nicht erforderlich, zuerst eine Schicht eines isolierenden Materials über der gesamten oberen Oberfläche der Kathodenstruktur aus der Abbildung aus 3A abzuscheiden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst die Schicht 300 aus fotostrukturierbarem Material Photoresist, wie zum Beispiel AZ4620 Photoresist, erhältlich von Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA. Hiermit wird jedoch festgestellt, dass die vorliegende Erfindung sich auch gut eignet für den Einsatz verschiedener anderer Arten von fotostrukturierbarem Material und von verschiedenen anderen Herstellern von fotostrukturierbarem Material. Die Schicht 300 aus Photoresist wird in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel bis auf eine Tiefe von ungefähr 40 bis 100 Mikron abgeschieden.In the following mountain look at the picture 3B becomes in the present embodiment of the invention a layer 300 from a photoimageable material just above the cathode portion of the figure 3A applied. That is, in the present embodiment, it is not necessary to first include a layer of insulating material over the entire top surface of the cathode structure of the figure 3A deposit. In the present embodiment, the layer comprises 300 photoimageable material photoresist, such as AZ4620 photoresist, available from Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA. It should be understood, however, that the present invention also lends itself well to the use of various other types of photoimageable material and various other photoimageable material manufacturers. The layer 300 of photoresist is deposited in the present embodiment to a depth of about 40 to 100 microns.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3C wird nach der Abscheidung der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 300 die Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 einem Expositionsprozess ausgesetzt. Nach dem Expositionsprozess entfernt die vorliegende Erfindung Teile der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300, so dass Öffnungen, die in der Seitenschnittansicht aus 3C in kennzeichnender Weise unter 302 dargestellt sind, in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 gebildet werden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel bilden die Öffnungen 302 eine Schablone bzw. Vorlage für die Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur. Das heißt, die Öffnungen 302 befinden sich in einem Raster- bzw. Gittermuster, das im Wesentlichen orthogonal ausgerichtete Zeilen und Spalten umfasst. Ferner sind in der Abbildung aus 3C. zur klareren Darstellung zwar nur zwei Öffnungen 302 dargestellt, wobei hiermit jedoch festgestellt wird, dass zahlreiche Zeilen und Spalten von Öffnungen in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 gebildet werden.Referring to the picture below 3C becomes after the deposition of the layer of photoimageable material 300 the layer of photoimageable material 300 exposed to an exposure process. After the exposure process, the present invention removes portions of the layer of photoimageable material 300 so that openings that look out in the side sectional view 3C in a characteristic way 302 in the layer of photoimageable material 300 be formed. In the present embodiment, the openings form 302 a template for the formation of a conductive focus waffle structure. That is, the openings 302 are in a grid pattern that includes substantially orthogonally aligned rows and columns. Further, in the picture are out 3C , for clarity, though only two openings 302 however, it should be understood that numerous rows and columns of apertures are formed in the layer of photoimageable material 300 be formed.

In erneutem Bezug auf die Abbildung aus 2 ist eine Draufsicht von oben des Ausführungsbeispiels aus 1D dargestellt, wobei Öffnungen 114 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 112 ausgebildet sind. Die vorliegende Erfindung bildet ähnliche Öffnungen in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel erstrecken sich die Öffnungen 202 jedoch zu der leitfähigen Gate-Elektrodenschicht 104. In dem Ausführungsbeispiel aus den Abbildungen der 1A bis 111 erstrecken sich die Öffnungen 114 zu der Schicht des isolierenden Materials 110. In dem Ausführungsbeispiel aus den Abbildungen der 3A bis 3G sind die Öffnungen 302 an Stellen angeordnet, an denen eine leitfähige Fokuswaffelstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung gebildet werden soll.Referring again to the picture 2 is a top plan view of the embodiment of 1D shown, with openings 114 in the layer of photoimageable material 112 are formed. The present invention forms similar openings in the layer of photoimageable material 300 , In the present embodiment, the openings extend 202 however, to the conductive gate electrode layer 104 , In the embodiment of the figures of 1A to 111 the openings extend 114 to the layer of insulating material 110 , In the embodiment of the figures of 3A to 3G are the openings 302 at locations where a conductive focus waffle structure according to the present invention is to be formed.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3D wird in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung eine Schicht isolierenden Materials 304 (z. B. eine Schicht von dielektrischem Material) in die Öffnungen 302 in dem fotostrukturierbaren Material 300 abgeschieden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel handelt es sich bei der Schicht aus isolierendem Material 304 zum Beispiel um Spin-on-Glas (SOG). Die vorliegende Erfindung eignet sich jedoch gut für die Anwendung verschiedener anderer Arten von isolierenden Materialien in die Öffnungen 302 in dem fotostrukturierbaren Material 300. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird eine Schicht eines isolierenden Materials 304 bis auf eine Tiefe von ungefähr 5 bis 50 Mikron abgeschieden. Das vorliegende Ausführungsbeispiel eignet sich gut für das Auftragen von isolierendem Material über die ganze Oberfläche des fotostrukturierbaren Materials, so dass ein Teil des isolierenden Materials in die Öffnungen 302 abgeschieden wird. Das überschüssige isolierende Material kann danach entfernt werden (z. B. durch Abstreichen oder durch mechanisches Polieren), oder es kann an der Position oberhalb der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 300 verbleiben.Referring to the picture below 3D For example, in one embodiment of the present invention, a layer of insulating material 304 (eg a layer of dielectric material) into the openings 302 in the photoimageable material 300 deposited. In the present embodiment, the layer is of insulating material 304 for example, spin-on-glass (SOG). However, the present invention lends itself well to the application of various other types of insulating materials into the openings 302 in the photoimageable material 300 , In the present embodiment, a layer of insulating material 304 deposited to a depth of about 5 to 50 microns. The present embodiment lends itself well to the application of insulating material over the entire surface of the photoimageable material such that a portion of the insulating material penetrates into the openings 302 is deposited. The excess insulating material may then be removed (eg, by scraping or by mechanical polishing), or it may be at the position above the layer of photoimageable material 300 remain.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3E trägt das vorliegende Ausführungsbeispiel nach der Bildung der Öffnungen 302 und dem. Abschieden des isolierenden Materials 304 eine Schicht eines leitfähigen Materials 306 über der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 und in die darin gebildeten Öffnungen 302 auf. Wie dies in der Abbildung aus 3E dargestellt ist, ist die Schicht aus leitfähigem Material 302 von der Gate-Elektrodenschicht 104 durch eine Schicht eines isolierenden Materials 304 elektrisch isoliert, das vorher in die Öffnungen 302 in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 abgeschieden worden ist. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst die Schicht des leitfähigen Materials 306 zum Beispiel CB800A DAG, hergestellt von Acheson Colloids, Port Huron, Michigan, USA. In einem anderen Ausführungsbeispiel umfasst die Schicht aus leitfähigem Material 306 ein anderes leitfähiges Material auf Graphitbasis. In einem weiteren Ausführungsbeispiel wird die Schicht des leitfähigen Materials auf Graphitbasis als halbtrockenes Spray aufgetragen, um die Schrumpfung der Schicht des leitfähigen Materials 306 zu reduzieren. In einem derartigen Ausführungsbeispiel ermöglicht die vorliegende Erfindung eine verbesserte Regelung der finalen Tiefe der Schicht des leitfähigen Materials 306. Derartige Abscheidungsverfahren sind zwar vorstehend beschrieben worden, wobei hiermit jedoch festgestellt wird, dass die vorliegende Erfindung sich auch gut eignet für den Einsatz verschiedener anderer Abscheidungsverfahren, um verschiedene andere leitfähige Materialien über dem fotostrukturierbaren Material 300 und in die in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 ausgebildeten Öffnungen 302 abzuscheiden.Referring to the picture below 3E carries the present embodiment after the formation of the openings 302 and the. Separating the insulating material 304 a layer of conductive material 306 over the layer of photoimageable material 300 and in the openings formed therein 302 on. Like this in the picture 3E is shown, the layer of conductive material 302 from the gate electrode layer 104 through a layer of insulating material 304 electrically isolated, previously in the openings 302 in the layer of the photoimageable material 300 has been deposited. In the present embodiment, the layer of conductive material comprises 306 for example, CB800A DAG manufactured by Acheson Colloids, Port Huron, Michigan, USA. In another embodiment, the layer comprises conductive material 306 another conductive material based on graphite. In another embodiment, the layer of graphite-based conductive material is applied as a semi-dry spray to reduce the shrinkage of the layer of conductive material 306 to reduce. In such an embodiment, the present invention allows for improved control of the final depth of the layer of conductive material 306 , While such deposition methods have been described above, it is to be understood that the present invention also lends itself well to the use of various other deposition methods to various other conductive materials over the photopatternable material 300 and in the layer of photoimageable material 300 trained openings 302 deposit.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3F wird in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung überschüssiges leitfähiges Material, das sich auf bzw. über und/oder in den Öffnungen 302 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material befindet, entfernt, indem das leitfähige Material von der oberen Oberfläche der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 300 gewischt wird (z. B. durch "Abstreichen" und dergleichen). Dadurch stellt das vorliegende Ausführungsbeispiel sicher, dass die Schicht aus leitfähigem Material 306 eine gewünschte Tiefe in den Öffnungen 302 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 300 aufweist. Nach der Entfernung des überschüssigen leitfähigen Materials wird die Schicht aus leitfähigem Material 306 gehärtet. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Schicht aus leitfähigem Material 306 bei ungefähr 80 bis 90 Grad Celsius ungefähr 4 bis 5 Minuten lang gebacken. In einem anderen Ausführungsbeispiel wird überschüssiges leitfähiges Material, das sich auf bzw. über und/oder in den Öffnungen 302 in der schicht aus fotostrukturierbarem Material 300 befindet, durch mechanisches Wegpolieren der überschüssigen Mengen des leitfähigen Materials nach dem Härtungsprozess entfernt. Wiederum stellt ein derartiger Ansatz sicher, dass das leitfähige Material bis auf eine gewünschte Tiefe in den Öffnungen 302 in der Schicht aus dem fotostrukturierbaren Material 300 abgeschieden wird.Referring to the picture below 3F For example, in one embodiment of the present invention, excess conductive material is deposited over and / or in the openings 302 located in the layer of photoimageable material, removed by exposing the conductive material from the top surface of the layer of photoimageable material 300 wiping (eg by "brushing off" and the like). As a result, the present embodiment ensures that the layer of conductive material 306 a desired depth in the openings 302 in the layer of photoimageable material 300 having. After removal of the excess conductive material, the layer becomes conductive material 306 hardened. In the present embodiment, the layer of conductive material 306 baked at about 80 to 90 degrees Celsius for about 4 to 5 minutes. In another embodiment, excess conductive material is deposited on or over and / or in the openings 302 in the layer of photo-structurable material 300 removed by mechanically polishing away the excess amounts of the conductive material after the curing process. Again, such an approach ensures that the conductive material is up to a desired depth in the openings 302 in the layer of the photoimageable material 300 is deposited.

Nachdem die Schicht aus leitfähigem Material 306 gehärtet worden ist, werden in folgendem Bezug auf die Abbildung aus 3G gemäß der vorliegenden Erfindung die verbliebenen Abschnitte der schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 entfernt. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird ein technisches Aceton auf die Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 aufgetragen, um den Entfernungsprozess zu erleichtern. Die vorliegende Erfindung eignet sich gut für das Entfernen von fotostrukturierbarem Material unter Verwendung zahlreicher anderer Lösemittel, wie etwa dem Photoresist-Abstreifer 400T, erhältlich von Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, einem NMP-Abstreifer und dergleichen. Nach der Entfernung der verbliebenen Abschnitte der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 300 bleiben die Zeilen und Spalten weiter über der Kathodenstruktur angeordnet. Als Folge dessen stellt das vorliegende Ausführungsbeispiel eine vollständige leitfähige Fokuswaffelstruktur bereit, die durch Abschnitte bzw. Teilstücke der Schicht aus isolierendem Material 304 elektrisch von der Gate-Schicht 104 isoliert ist. Ferner weist die leitfähige Fokuswaffelstruktur gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel einen niedrigeren bzw. unteren dielektrischen Abschnitt auf (der ein Teilstück der Schicht aus isolierendem Material 304 umfasst) und einen höheren bzw. oberen leitfähigen Abschnitt (der ein leitfähiges Material umfasst, das sich in den Öffnungen 302 der fotostrukturierbaren Schicht 300 aus den Abbildungen der 3B–3F befindet). Das vorliegende Ausführungsbeispiel bildet somit eine leitfähige Fokuswaffelstruktur, wobei die leitfähige Fokuswaffelstruktur, die von der darunter liegenden leitfähigen Gate-Elektrodenschicht elektrisch isoliert ist, nicht aus teurem und nicht wünschenswerten Polyimid gebildet wird; und wobei die leitfähige Fokuswaffelstruktur keinen arbeitsaufwändigen und komplexen angewinkelten Bedampfungsverfahrensschritt erfordert.After the layer of conductive material 306 is hardened, will be made in the following reference to the figure 3G according to the present invention, the remaining portions of the layer of the photoimageable material 300 away. In the present embodiment, a technical acetone is applied to the layer of photoimageable material 300 applied to facilitate the removal process. The present invention lends itself well to the removal of photoimageable material using many other solvents, such as the photoresist wiper 400T available from Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, an NMP scraper and the like. After removal of the remaining portions of the layer of photoimageable material 300 the rows and columns remain further over the cathode structure. As a result, the present embodiment provides a complete conductive focus waffle structure formed by portions of the layer of insulating material 304 electrically from the gate layer 104 is isolated. Furthermore, the conductive focus waffle structure according to the present invention Embodiment a lower or lower dielectric portion (which is a portion of the layer of insulating material 304 and a higher conductive portion (comprising a conductive material extending in the openings 302 the photoimageable layer 300 from the pictures of 3B - 3F located). The present embodiment thus forms a conductive focus waffle structure wherein the conductive focus waffle structure electrically isolated from the underlying conductive gate electrode layer is not formed of expensive and undesirable polyimide; and wherein the conductive focus waffle structure does not require a laborious and complex angled sputtering process step.

In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel werden die im Wesentlichen orthogonal ausgerichteten Zeilen und Spalten der leitfähigen Fokuswaffelstruktur mit einer Höhe von ungefähr 40 bis 100 Mikron gebildet. Ferner definieren die im Wesentlichen orthogonal ausgerichteten Zeilen und Spalten dazwischen Öffnungen, wobei die Öffnungen eine ausreichende Größe aufweisen, um es zu ermöglichen, dass von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen dort hindurch treten bzw. verlaufen. Hiermit wird festgestellt, dass durch das Anlegen eines Potenzials an die vorliegende leitfähige Fokuswaffelstruktur von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen in Richtung entsprechender Subpixelbereiche geleitet werden.In the present embodiment, the substantially orthogonally aligned rows and columns of the conductive focus waffle structure are formed to a height of approximately 40 to 100 microns. Further, the substantially orthogonally aligned rows and columns define openings therebetween, the openings being of a size sufficient to allow that of the field emitters 106 emitted electrons pass through or run therethrough. It will be appreciated that by applying a potential to the present conductive focus waffle structure from the field emitters 106 emitted electrons are directed towards corresponding subpixel areas.

Das folgende Ausführungsbeispiel aus der Abbildung aus 4 bildet keinen Bestandteil der vorliegenden Erfindung.The following embodiment of the figure 4 does not form part of the present invention.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 4A zeigt diese eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in dem Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur darstellt. Die Struktur aus der Abbildung aus 4A ist der Struktur aus der Abbildung aus 1A ähnlich oder mit dieser identisch. Ferner wird hiermit festgestellt, dass zur klareren Darstellung bestimmte Merkmale bzw. Funktionen, die im Fach allgemein bekannt sind, in den folgenden Abbildungen nicht dargestellt sind oder in der folgenden Beschreibung nicht näher beschrieben werden. In dem Ausführungsbeispiel aus der Abbildung aus 4A ist ein Teil des Kathodenabschnitts einer Feldemissionsanzeige dargestellt. Im Besonderen weist in der Abbildung aus 4A ein Substrat 100 eine Zeilenelektrode (nicht abgebildet) auf, die daran angeordnet ist. Eine dielektrische Zwischenmetallschicht 102, die zum Beispiel Siliziumdioxid umfasst, ist über der Zeilenelektrode angeordnet. Eine leitfähige Gate-Elektrodenschicht 104 befindet sich über der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102. Feldemitterstrukturen, die für in kennzeichnender Weise unter 106 dargestellt sind, werden in entsprechenden Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 gebildet. Darüber hinaus deckt eine Abdeckungs- bzw. Abschlussschicht 108 die Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ab und schützt die Feldemitter 106 während folgenden Verarbeitungs- bzw. Verfahrensschritten.Referring to the picture below 4A Fig. 13 shows a side sectional view illustrating a starting point in the process of forming a conductive focus waffle structure. The structure is out of the picture 4A is the structure out of the picture 1A similar or identical to this. It is also to be understood that for the sake of clarity, certain features or functions well known in the art are not shown in the following figures or will be described in detail in the following description. In the embodiment of the figure 4A is a part of the cathode portion of a field emission display shown. In particular, in the figure shows 4A a substrate 100 a row electrode (not shown) disposed thereon. An inter-metal dielectric layer 102 silicon dioxide, for example, is disposed above the row electrode. A conductive gate electrode layer 104 is located above the dielectric intermetal layer 102 , Field emitter structures that are significantly under 106 are shown in corresponding recesses in the dielectric intermetal layer 102 educated. It also covers a cover or finishing layer 108 the recesses in the dielectric intermetal layer 102 and protects the field emitters 106 during subsequent processing or process steps.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 4B wird eine isolierende Materialschicht 400 über der Kathodenstruktur abgeschieden. In dem Ausführungsbeispiel aus 4A wird eine isolierende Materialschicht 400 abgeschieden unter Verwendung eines Abscheidungsverfahrens der Siebdruckmethode. Das heißt, isolierendes Material wird wiederholt an den gewünschten Stellen oberhalb der Kathodenstruktur aufgetragen, bis die isolierende Materialschicht 400 eine gewünschte Tiefe aufweist. Die Schicht des isolierenden Materials umfasst zum Beispiel Siliziumdioxid, Spin-on-Glas (SOG) und dergleichen.Referring to the picture below 4B becomes an insulating material layer 400 deposited over the cathode structure. In the embodiment 4A becomes an insulating material layer 400 deposited using a deposition method of the screen printing method. That is, insulating material is repeatedly applied at the desired locations above the cathode structure until the insulating material layer 400 has a desired depth. The layer of insulating material includes, for example, silica, spin on glass (SOG), and the like.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 4C wird danach eine Schicht aus einem leitfähigen Material 402 über der Schicht aus isolierendem Material 400 aufgetragen. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird eine Schicht aus leitfähigem Material 402 unter Verwendung eines Siebdruckverfahrens aufgetragen. Auf diese Weise werden inkremental orthogonal ausgerichtete Zeilen und Spalten einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur mit einem dielektrischen unteren Abschnitt und einem leitfähigen oberen Abschnitt gebildet. Die leitfähige Schicht 402 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst ein leitfähiges Material, wie zum Beispiel CB800A DAG, das von Acheson Colloids, Port Huron, Michigan, USA, hergestellt wird, oder ein anderes leitfähiges Material auf Graphitbasis und dergleichen.Referring to the picture below 4C Thereafter, a layer of a conductive material 402 above the layer of insulating material 400 applied. In the present embodiment, a layer of conductive material 402 applied using a screen printing process. In this way, incrementally orthogonally aligned rows and columns of a conductive focus waffle structure are formed with a dielectric lower portion and a conductive upper portion. The conductive layer 402 According to the present embodiment, a conductive material such as CB800A DAG manufactured by Acheson Colloids, Port Huron, Michigan, USA or other graphite-based conductive material and the like is included.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 4D werden wiederholt Schichten des leitfähigen Materials über die Oberfläche der Kathodenstruktur aufgetragen, bis die leitfähige Fokuswaffelstruktur vollständig gebildet ist. Das leitfähige Material wird wiederholt aufgetragen, bis die leitfähige Fokuswaffelstruktur eine Höhe von ungefähr 40 bis 100 Mikron aufweist. Bereitgestellt wird somit ein Verfahren für die Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur, wobei das Verfahren nicht das Abscheiden und Muster einer Schicht aus fotostrukturierbarem Material erfordert bzw. voraussetzt. Die im Wesentlichen orthogonal ausgerichteten Zeilen und Spalten definieren dazwischen Öffnungen, wobei die Öffnungen eine ausreichende Größe aufweisen, um es zu ermöglichen, dass von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen dort hindurch verlaufen bzw. treten. Hiermit wird festgestellt, dass durch das Anlegen eines Potenzials an die vorliegende leitfähige Fokuswaffelstruktur, von den Feldemittern 106 emittierte Elektronen in Richtung entsprechender Subpixelbereiche geleitet werden.Referring to the picture below 4D For example, layers of the conductive material are repeatedly applied over the surface of the cathode structure until the conductive focus waffle structure is completely formed. The conductive material is repeatedly applied until the conductive focus waffle structure has a height of about 40 to 100 microns. Thus, there is provided a method of forming a conductive focus waffle structure, which method does not require the deposition and pattern of a layer of photoimageable material. The substantially orthogonally aligned rows and columns define openings therebetween, the openings being of sufficient size to enable them to be emanated from the field emitters 106 emitted electrons run through or occur there. It is noted that by applying a potential to the present conductive focus waffle structure, from the field emitters 106 emitted electrons in Rich tion corresponding subpixel areas are passed.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 5A zeigt diese eine Draufsicht von oben einer Struktur, die gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dargestellt ist. In dem Ausführungsbeispiel aus der Abbildung aus 5A wird ein Ansatz mit zwei Schritten eingesetzt, um die leitfähige Fokuswaffelstruktur zu bilden. Im Besonderen werden in Ausführungsbeispielen, wie zum Beispiel in den Ausführungsbeispielen aus den Abbildungen der 1A–1H und 3A–3G Öffnungen, die in der Abbildung aus 5A mit der Bezugsziffer 502 bezeichnet sind, in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 500 unter Verwendung der Verfahrensschritte gebildet, die in Berg auf die Abbildungen der 1B und 1C beschrieben worden sind. Das heißt, die Öffnungen 502 erstrecken sich durch die Schicht aus fotostrukturierbarem Material 500 zu der darunter liegenden Schicht aus isolierendem Material. In Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel aus den Abbildungen der 3A–3G wird nach der Bildung der Öffnungen 502 in der fotostrukturierbaren Materialschicht 500 isolierendes Material in den Öffnungen 502 abgeschieden.Referring to the picture below 5A this shows a top plan view of a structure shown according to another embodiment of the present invention. In the embodiment of the figure 5A For example, a two-step approach is used to form the conductive focus waffle structure. In particular, in embodiments, such as in the embodiments of FIGS 1A - 1H and 3A - 3G Openings that look in the picture 5A with the reference number 502 in the layer of photoimageable material 500 formed using the method steps in Berg on the pictures of the 1B and 1C have been described. That is, the openings 502 extend through the layer of photoimageable material 500 to the underlying layer of insulating material. In connection with the embodiment of the figures of 3A - 3G will after the formation of the openings 502 in the photoimageable material layer 500 insulating material in the openings 502 deposited.

In weiterem Bezug auf das Ausführungsbeispiel aus der Abbildung aus 5A umfassen die Öffnungen 502 aus der Abbildung aus 5A im Gegensatz zu den Öffnungen 114 aus der Abbildung aus 2, welche sowohl Zeilen- als auch Spaltenmuster der leitfähigen Fokuswaffelstruktur umfassen, nur Muster für die Bildung der Zeilen der leitfähigen Fokuswaffelstruktur. Nach der Ausführung der Verfahrensschritte, wie sie etwa in Bezug auf die Abbildungen der 1E bis 1H beschrieben worden sind, oder alternativ der Verfahrensschritte, die in Bezug auf die Abbildungen der 3E bis 3G beschrieben worden sind, werden in einem derartigen Ausführungsbeispiel leitfähige Zeilenabschnitte einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur gebildet. Im Gegensatz zu den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen, in denen die Zeilen- und Spaltenabschnitte der leitfähigen Fokuswaffelstruktur gleichzeitig gebildet werden, werden in den Ausführungsbeispiel, das in den Abbildungen der 5A bis 5D dargestellt ist, die Zeilen- und Spaltenabschnitte der leitfähigen Fokuswaffelstruktur sequentiell bzw. nacheinander gebildet.With further reference to the embodiment of FIG 5A include the openings 502 from the picture 5A unlike the openings 114 from the picture 2 comprising both row and column patterns of the conductive focus waffle structure, only patterns for forming the rows of the conductive focus waffle structure. After the execution of the process steps, as with respect to the illustrations of the 1E to 1H or alternatively the method steps described with reference to the figures of Figs 3E to 3G In one such embodiment, conductive line portions of a conductive focus waffle structure are formed. In contrast to the above-described embodiments in which the row and column portions of the conductive focus waffle structure are formed simultaneously, in the embodiment shown in Figs 5A to 5D is shown, the row and column portions of the conductive focus waffle structure sequentially formed.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 5B wird gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel nach der Bildung des Zeilenabschnitts der leitfähigen Fokuswaffelstruktur eine zweite Schicht eines fotostrukturierbaren Materials 503 über dem Kathodenabschnitt und über dem vorher gebildeten Zeilenabschnitt der leitfähigen Fokuswaffelstruktur aufgetragen. In Ausführungsbeispielen wie den Ausführungsbeispielen aus den Abbildungen der 1A bis 1H und 3A bis 3G, werden die Öffnungen gemäß der Darstellung unter 504 in der Abbildung aus 5C in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 500 unter Verwendung von Verfahrensschritten gebildet, wie diese in Verbindung mit den Abbildungen der 1B und 1C beschrieben worden sind. Das heißt, die Öffnungen 504 erstrecken sich durch die Schicht des fotostrukturierbaren Materials 503 zu der darunter liegenden Schicht aus isolierendem Material. In Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel aus den Abbildungen der 3A bis 3G wird nach der Bildung der Öffnungen 504 in der fotostrukturierbaren Materialschicht 503 isolierendes Material in die Öffnungen 503 abgeschieden.Referring to the picture below 5B According to the present embodiment, after the formation of the line portion of the conductive focus waffle structure, a second layer of photoimageable material is formed 503 applied over the cathode portion and over the previously formed line portion of the conductive focus waffle structure. In embodiments such as the embodiments of the figures of 1A to 1H and 3A to 3G , the openings are as shown below 504 in the picture 5C in the layer of photoimageable material 500 formed using method steps, as these in conjunction with the figures of 1B and 1C have been described. That is, the openings 504 extend through the layer of photoimageable material 503 to the underlying layer of insulating material. In connection with the embodiment of the figures of 3A to 3G will after the formation of the openings 504 in the photoimageable material layer 503 insulating material in the openings 503 deposited.

In weiterem Bezug auf das Ausführungsbeispiel aus der Abbildung aus 5C umfassen die Öffnungen 504 aus 5C ähnlich den Öffnungen 502 aus der Abbildung aus 5A nur Muster für die Bildung der Spalten der leitfähigen Fokuswaffelstruktur. Nach der vollständigen Ausführung der Verfahrensschritte, wie sie etwa in Bezug auf die Abbildungen der 1E–1H beschrieben worden sind, oder alternativ der Verfahrensschritte, wie sie in Bezug auf die Schritte 3E–3G beschrieben worden sind, werden leitfähige Spaltenabschnitte einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur gebildet.With further reference to the embodiment of FIG 5C include the openings 504 out 5C similar to the openings 502 from the picture 5A only patterns for the formation of the columns of the conductive focus waffle structure. After the complete execution of the process steps, as described in relation to the figures of the 1E - 1H or alternatively the method steps described with respect to steps 3E-3G, conductive column sections of a conductive focus waffle structure are formed.

Die Abbildung aus 5D zeigt eine Draufsicht von oben der leitfähigen Fokuswaffelstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung mit leitfähigen Zeilenabschnitten 506 und leitfähigen Spaltenabschnitten 508. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die leitfähigen Zeilenabschnitte 506 und die leitfähigen Spaltenabschnitte 508 durch eine verdeckte Schicht eines isolierenden Materials von der darunter liegenden leitfähigen Gate-Elektrodenschicht 104 elektrisch isoliert. Somit bildet das Ausführungsbeispiel, das in den Abbildungen der 5A bis 5D dargestellt ist, Zeilenabschnitte 506 und Spaltenabschnitte 508 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur sequentiell bzw. nacheinander.The picture out 5D shows a top view of the conductive focus waffle structure according to the present invention with conductive line sections 506 and conductive column sections 508 , In the present embodiment, the conductive line sections are 506 and the conductive column sections 508 by a buried layer of insulating material from the underlying conductive gate electrode layer 104 electrically isolated. Thus, the embodiment forming in the figures of the 5A to 5D is shown, line segments 506 and column sections 508 the conductive focus waffle structure sequentially.

Ferner wird in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel gemäß der Abbildung aus 5B eine Schicht aus fotostrukturierbarem Material 503 bis auf eine Dicke abgeschieden, die größer ist als die Höhe der leitfähigen Zeilenabschnitte 506. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel werden somit Spaltenabschnitte 508 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur mit einer anderen Höhe gebildet als die Zeilenabschnitte 506 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur. Im Besonderen werden in einem Ausführungsbeispiel Spaltenabschnitte 508 mit einer Höhe gebildet, die größer ist als die Höhe der Zeilenabschnitte 506 der vorliegenden leitfähigen Fokuswaffelstruktur. Als Folge dessen eignet sich die vorliegende Erfindung auch gut dazu, Spaltenabschnitte 508 aufzuweisen, welche eine Trägerstruktur stützen, die entlang den Zeilenabschnitten 506 angeordnet ist. Somit stellt die größere bzw. höhere Höhe der Spaltenabschnitte 508 nahe der Schnittstelle mit den Zeilenabschnitten 506 eine Stützfunktion für die Trägerstrukturen bereit, die entlang den Zeilenabschnitten 506 angeordnet sind. Das heißt, eine Wand, eine Rippe oder eine andere Trägerstruktur, die für gewöhnlich an den Zeilenabschnitten 506 angeordnet ist, wird durch größere, proximal angeordnete Spaltenabschnitte 508 stabilisiert oder gestützt.Further, in the present embodiment, as shown in the figure 5B a layer of photoimageable material 503 to a thickness greater than the height of the conductive line sections 506 , In the present embodiment, column sections thus become 508 the conductive focus waffle structure formed with a different height than the line sections 506 the conductive focus waffle structure. In particular, in one embodiment, column sections become 508 formed with a height that is greater than the height of the line segments 506 the present conductive focus waffle structure. As a result, the present invention is also well suited to column sections 508 to show which one Support support structure along the line sections 506 is arranged. Thus, the greater or higher height of the column sections 508 near the interface with the line sections 506 a support function for the support structures prepared along the line sections 506 are arranged. That is, a wall, rib, or other support structure, usually at the line sections 506 is arranged by larger, proximally arranged column sections 508 stabilized or supported.

Obgleich das vorstehend beschriebene Ausführungsbeispiel das Bilden von Zeilenabschnitten 506 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur und danach das Bilden von Spaltenabschnitten 508 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur beschreibt, eignet sich die vorliegende Erfindung auch gut für die Bildung von Spaltenabschnitten 508 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur vor der Bildung der Zeilenabschnitte 506 der leitfähigen Fokuswaffelstruktur. In ähnlicher Weise eignet sich die vorliegende Erfindung auch gut für die Bildung der leitfähigen Fokuswaffelstruktur, so dass die Zeilenabschnitte 506 größer bzw. höher sind als die Spaltenabschnitte 508.Although the above-described embodiment involves forming line sections 506 the conductive focus waffle structure and then forming column sections 508 of the conductive focus waffle structure, the present invention is also well suited to the formation of column sections 508 the conductive focus waffle structure before the formation of the line segments 506 the conductive focus waffle structure. Similarly, the present invention also lends itself well to the formation of the conductive focus waffle structure such that the line segments 506 are larger or higher than the column sections 508 ,

Das Ausführungsbeispiel aus den Abbildungen der 5A bis 5D wird zwar in Verbindung mit den in den Abbildungen der 1A–1H und den 3A–3G veranschaulichten Verfahrensschritten beschrieben, jedoch eignet sich das Ausführungsbeispiel aus den Abbildungen der 5A–5D ebenfalls gut zur Verwendung in Verbindung mit den in den Abbildungen der 4A–4D veranschaulichten Schritten. Das heißt, die vorliegende Erfindung umfasst ferner ein Ausführungsbeispiel, bei dem die Verfahrensschritte aus den Abbildungen der 4A–4D verwendet werden, um sequentiell bzw. nacheinander die Zeilenabschnitte und die Spaltenabschnitte einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur zu bilden.The embodiment of the figures of 5A to 5D Although in connection with the in the pictures of the 1A - 1H and the 3A - 3G described method steps, however, the embodiment is suitable from the figures of 5A - 5D also good for use in conjunction with those in the pictures of 4A - 4D illustrated steps. That is, the present invention further includes an embodiment in which the method steps of Figs 4A - 4D can be used to sequentially form the row sections and the column sections of a conductive focus waffle structure.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6A zeigt diese eine Seitenschnittansicht, die einen Ausgangspunkt in dem Verfahren zur Bildung der leitfähigen Fokuswaffelstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden und beanspruchten Erfindung darstellt. Hiermit wird festgestellt, dass aus gründen einer klareren Darstellung bestimmte im Fach allgemein bekannte Merkmale in den folgenden Abbildungen nicht dargestellt sind oder in der folgenden Beschreibung nicht näher beschrieben werden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist ein Teil des Kathodenabschnitts einer Feldemissionsanzeige dargestellt. Im Besonderen weist in der Abbildung aus 6A ein Substrat 100 eine daran angeordnete Zeilenelektrode (nicht abgebildet) auf. Die vorliegende Erfindung eignet sich ferner gut für verschiedene andere Konfigurationen, wobei zum Beispiel die Zeilenelektrode eine darüber angeordnete Widerstandsschicht (nicht abgebildet) aufweist. Eine dielektrische Zwischenmetallschicht 102, die zum Beispiel Siliziumdioxid umfasst, ist über der Zeilenelektrode angeordnet. Eine leitfähige Gate-Elektrodenschicht 104 ist über der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 angeordnet. Feldemitterstrukturen, die kennzeichnender Weise unter der Bezugsziffer 106 dargestellt sind, werden in entsprechenden Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ausgebildet. Darüber hinaus deckt eine Verschluss- bzw. Abschlussschicht 108 die Vertiefungen in der dielektrischen Zwischenmetallschicht 102 ab und schützt Feldemitter 106 während späteren bzw. folgenden Verarbeitungs- bzw. Verfahrensschritten.Referring to the picture below 6A FIG. 11 is a side sectional view illustrating a starting point in the process of forming the conductive focus waffle structure according to an embodiment of the present claimed invention. FIG. It is to be noted that for reasons of clarity, certain features well known in the art are not shown in the following figures or will be described in detail in the following description. In the present embodiment, a part of the cathode portion of a field emission display is shown. In particular, in the figure shows 6A a substrate 100 a row electrode (not shown) arranged thereon. The present invention is also well suited for various other configurations, with, for example, the row electrode having an overlying resistive layer (not shown). An inter-metal dielectric layer 102 silicon dioxide, for example, is disposed above the row electrode. A conductive gate electrode layer 104 is over the dielectric intermetal layer 102 arranged. Field emitter structures, characteristically under the reference numeral 106 are shown in corresponding recesses in the dielectric intermetal layer 102 educated. It also covers a sealing or finishing layer 108 the recesses in the dielectric intermetal layer 102 protects and protects field emitters 106 during later or subsequent processing or process steps.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6B wird in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung eine Schicht eines isolierenden Materials 110 (z. B. eine Schicht eines dielektrischen Materials) über dem genannten Kathodenabschnitt aufgetragen. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel besteht die Schicht aus isolierendem Material 110 zum Beispiel aus Spin-on-Glas (SOG). Die vorliegende Erfindung eignet sich aber auch gut für die Anwendung bzw. das Auftragen verschiedener anderer Arten von isolierenden Materialien über dem Kathodenabschnitt aus der Abbildung aus 6A. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird eine Schicht aus isolierendem Material 110 bis auf eine Tiefe von ungefähr 5 bis 50 Mikron aufgetragen.Referring to the picture below 6B For example, in one embodiment of the present invention, a layer of insulating material 110 (eg, a layer of dielectric material) overlying said cathode portion. In the present embodiment, the layer is made of insulating material 110 for example, from spin-on-glass (SOG). However, the present invention is also well suited to the application or application of various other types of insulating materials over the cathode portion of the figure 6A , In the present embodiment, a layer of insulating material 110 applied to a depth of about 5 to 50 microns.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6C wird in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung eine Schicht 600 aus fotostrukturierbarem Material über der dielektrischen Schicht 110 des Kathodenabschnitts aus 6B aufgetragen. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst die Schicht 600 aus fotostrukturierbarem Material ein Photoresist, wie zum Beispiel AZ4620 Photoresist, das von Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA, erhältlich ist. Hiermit wird jedoch festgestellt, dass die vorliegende Erfindung sich auch gut eignet für den Einsatz verschiedener anderer Arten und Hersteller von fotostrukturierbarem Material. Die Schicht 600 aus Photoresist wird in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel bis auf eine Tiefe von ungefähr 20 bis 50 Mikron abgeschieden.Referring to the picture below 6C in the present embodiment of the present invention, a layer 600 of photoimageable material over the dielectric layer 110 of the cathode section 6B applied. In the present embodiment, the layer comprises 600 photoimageable material is a photoresist, such as AZ4620 photoresist, available from Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA. It should be understood, however, that the present invention also lends itself well to the use of various other types and manufacturers of photoimageable material. The layer 600 photoresist is deposited in the present embodiment to a depth of about 20 to 50 microns.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6D wird nach dem Abscheiden der Schicht von fotostrukturierbarem Material 600 die Schicht aus einem fotostrukturierbarem Material 600 einem ersten Expositionsprozess ausgesetzt bzw. unterzogen. Nach dem ersten Expositionsprozess entfernt das vorliegende Ausführungsbeispiel Teilstücke der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 600, so dass Öffnungen, die kennzeichnender Weise unter der Bezugsziffer 602 in der Seitenschnittansicht aus der Abbildung aus 6D dargestellt sind, in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 gebildet werden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel bilden die Öffnungen 602 den ersten Teil einer Vorlage bzw. Schablone für die Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur. Das heißt, die Öffnungen 602 befanden sich in einem Raster- bzw. Gittermuster, das im Wesentlichen orthogonal ausgerichtete Zeilen und Spalten umfasst. Ferner sind in der Abbildung aus 6D zur klareren Darstellung zwar nur zwei Öffnungen 602 dargestellt, wobei hiermit festgestellt wird, dass zahlreiche Zeilen und Spalten von Öffnungen in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 gebildet werden.Referring to the picture below 6D becomes after deposition of the layer of photoimageable material 600 the layer of a photoimageable material 600 subjected to a first exposure process. After the first exposure process, the present embodiment removes portions of the layer of photoimageable material 600 , so that openings, characteristically under the reference numeral 602 in the side sectional view from the illustration 6D are shown in the Layer of photoimageable material 600 be formed. In the present embodiment, the openings form 602 the first part of a template for the formation of a conductive focus waffle structure. That is, the openings 602 were in a grid pattern comprising substantially orthogonally aligned rows and columns. Further, in the picture are out 6D for clarity, though only two openings 602 It should be noted that there are numerous rows and columns of apertures in the layer of photoimageable material 600 be formed.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6E wird gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel nach der Bildung der Öffnungen 602 aus der Abbildung aus 6C eine erste Schicht eines leitfähigen Materials 604 über der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 600 und in die darin ausgebildeten Öffnungen 602 aufgetragen. Wie dies in der Abbildung aus 6E dargestellt ist, ist die erste Schicht des leitfähigen Materials 604 durch eine Schicht aus isolierendem Material 110 von der leitfähigen Gate-Elektrodenschicht 104 elektrisch isoliert. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst die erste Schicht des leitfähigen Materials 604 zum Beispiel CB800A DAG, hergestellt von Acheson Colloids, Port Huron, Michigan, USA. In einem anderen Ausführungsbeispiel umfasst die erste Schicht des leitfähigen Materials 604 ein anderes leitfähiges Material auf Graphitbasis. In einem weiteren Ausführungsbeispiel wird die Schicht des leitfähigen Materials auf Graphitbasis als ein halbtrockenes Spray aufgetragen, um die Schrumpfung der ersten Schicht des leitfähigen Materials 604 zu reduzieren. In einem derartigen Ausführungsbeispiel ermöglicht die vorliegende Erfindung eine verbesserte Regelung der finalen Tiefe der ersten Schicht des leitfähigen Materials 604. Derartige Abscheidungsverfahren werden zwar vorstehend im Text beschrieben, wobei hiermit jedoch festgestellt wird, dass die vorliegende Erfindung sich auch ebenso gut eignet für den Einsatz verschiedener anderer Abscheidungsverfahren zur Abscheidung verschiedener anderer leitfähiger Materialien über die Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 und in die Öffnungen 602, die in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 ausgebildet sind.Referring to the picture below 6E becomes according to the present embodiment after the formation of the openings 602 from the picture 6C a first layer of conductive material 604 over the layer of photoimageable material 600 and in the openings formed therein 602 applied. Like this in the picture 6E is the first layer of the conductive material 604 through a layer of insulating material 110 from the conductive gate electrode layer 104 electrically isolated. In the present embodiment, the first layer comprises the conductive material 604 for example, CB800A DAG manufactured by Acheson Colloids, Port Huron, Michigan, USA. In another embodiment, the first layer comprises the conductive material 604 another conductive material based on graphite. In another embodiment, the layer of graphite-based conductive material is applied as a semi-dry spray to reduce the shrinkage of the first layer of conductive material 604 to reduce. In such an embodiment, the present invention allows for improved control of the final depth of the first layer of conductive material 604 , While such deposition methods are described above in the text, it is to be understood that the present invention is equally well suited to the use of various other deposition methods for depositing various other conductive materials over the layer of photoimageable material 600 and in the openings 602 that are in the layer of photoimageable material 600 are formed.

In nächstem Bezug auf die Abbildung aus 6F wird in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung überschüssiges leitfähiges Material, das sich oben auf bzw. über und/oder in den Öffnungen 602 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 angeordnet befindet, durch Abwischen (z. B. durch "Abstreichen" und dergleichen) des leitfähigen Materials von der oberen Oberfläche der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 entfernt. Auf diese Weise stellt das vorliegende Ausführungsbeispiel sicher, dass die erste Schicht des leitfähigen Materials 604 eine gewünschte Tiefe in den Öffnungen 602 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 600 aufweist. Nach der Entfernung des überschüssigen leitfähigen Materials wird die erste Schicht des leitfähigen Materials 604 gehärtet. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die erste Schicht des leitfähigen Materials 604 bei ungefähr 80 bis 90 Grad Celsius ungefähr 4 bis 5 Minuten lang gebacken. In einem anderen Ausführungsbeispiel wird überschüssiges leitfähiges Material, das sich auf bzw. über und/oder in den Öffnungen 602 in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 600 befindet, durch mechanisches Wegpolieren der überschüssigen Mengen des leitfähigen Materials nach dem Härteprozess entfernt. Wiederum stellt ein derartiger Ansatz sicher, dass das leitfähige Material auf eine gewünschte Tiefe in der Öffnung 602 in der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 600 abgeschieden wird.Next, look at the picture 6F For example, in one embodiment of the present invention, excess conductive material is deposited on top of and / or inside the openings 602 in the layer of photoimageable material 600 By wiping (eg, by "scraping" and the like) the conductive material from the top surface of the layer of photoimageable material 600 away. In this way, the present embodiment ensures that the first layer of conductive material 604 a desired depth in the openings 602 in the layer of photoimageable material 600 having. After removal of the excess conductive material, the first layer of conductive material becomes 604 hardened. In the present embodiment, the first layer of the conductive material 604 baked at about 80 to 90 degrees Celsius for about 4 to 5 minutes. In another embodiment, excess conductive material is deposited on or over and / or in the openings 602 in the layer of the photoimageable material 600 removed by mechanically polishing away the excess amounts of the conductive material after the curing process. Again, such an approach ensures that the conductive material is at a desired depth in the opening 602 in the layer of the photoimageable material 600 is deposited.

Nachdem eine erste Schicht des leitfähigen Materials 604 gehärtet worden ist, entfernt die vorliegende Erfindung in folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6G die verbliebenen Abschnitte der Schicht des fotostrukturierten Materials 600. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird ein technisches Aceton auf eine Schicht des fotostrukturierbaren Materials 600 aufgetragen, um den Entfernungsprozess zu erleichtern. Die vorliegende Erfindung eignet sich gut für die Entfernung des fotostrukturierbaren Materials unter Verwendung zahlreicher anderer Lösemittel, wie zum Beispiel dem 400T Photoresist-Abstreifer, der von Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA, erhältlich ist, oder ein NMP-Abstreifer und dergleichen. Nach dem Entfernen der verbliebenen Abschnitte der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 600 bleiben zuerst Abschnitte der leitfähigen Zeilen und Spalten 604 oberhalb der Schicht des isolierenden Materials 110 angeordnet.After a first layer of conductive material 604 has been cured, the present invention removes the following with reference to the figure 6G the remaining portions of the layer of photo-structured material 600 , In the present embodiment, a technical acetone is applied to a layer of the photoimageable material 600 applied to facilitate the removal process. The present invention lends itself well to the removal of the photoimageable material using numerous other solvents, such as the 400T photoresist wiper available from Hoechst-Celanese, Somerville, New Jersey, USA, or an NMP wiper and the like , After removing the remaining portions of the layer of photoimageable material 600 First, remain sections of the conductive rows and columns 604 above the layer of insulating material 110 arranged.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6H wird in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der Erfindung eine zweite Schicht 606 des fotostrukturierbaren Materials über der dielektrischen Schicht 110 des Kathodenabschnitts und über den leitfähigen Strukturen 604 aus 6G aufgetragen.Referring to the picture below 6H becomes in the present embodiment of the invention, a second layer 606 of the photoimageable material over the dielectric layer 110 of the cathode portion and over the conductive structures 604 out 6G applied.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6I wird die Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 nach dem Abscheiden der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 einem zweiten Expositionsprozess ausgesetzt. Nach dem zweiten Expositionsprozess entfernt das vorliegende Ausführungsbeispiel Abschnitte der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 606, so dass Öffnungen, die kennzeichnender Weise in der Seitenschnittansicht aus 6I unter 608 dargestellt sind, in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 gebildet werden. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel bilden die Öffnungen 608 den zweiten Abschnitt bzw. Teil einer Vorlage bzw. einer Schablone für die Bildung einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur. Das heißt, die Öffnungen 608 sind in einem Gittermuster angeordnet, das aus im Wesentlichen orthogonal ausgerichteten Zeilen und Spalten besteht. Ferner sind in der Abbildung aus 6I zur klareren Darstellung zwar nur zwei Anordnungen von Öffnungen 608 dargestellt, wobei hiermit jedoch festgestellt wird, dass zahlreiche Zeilen und Spalten von Öffnungen in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 gebildet werden.Referring to the picture below 6I becomes the layer of photoimageable material 606 after depositing the layer of photoimageable material 606 exposed to a second exposure process. After the second exposure process, the present embodiment removes portions of the layer of photoimageable material 606 so that openings, characteristically in the side sectional view 6I under 608 are shown in the layer of photoimageable material 606 be formed. In the present embodiment, the openings form 608 the second section or part ei a template or template for the formation of a conductive focus waffle structure. That is, the openings 608 are arranged in a grid pattern consisting of substantially orthogonally aligned rows and columns. Further, in the picture are out 6I for clarity, although only two arrangements of openings 608 however, it will be recognized that there are numerous rows and columns of apertures in the layer of photoimageable material 606 be formed.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6J trägt nach der Bildung der Öffnungen 608 aus der Abbildung aus 61 das vorliegende Ausführungsbeispiel eine zweite Schicht von leitfähigem Material 610 über die Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 und in die darin gebildeten Öffnungen 608 auf. Wie dies in der Abbildung aus 6H dargestellt ist, ist die zweite Schicht aus leitfähigem Material 610 durch eine Schicht aus isolierendem Material 110 von der leitfähigen Gate-Elektrodenschicht 104 elektrisch isoliert.Referring to the picture below 6J contributes to formation of apertures 608 from the picture 61 the present embodiment, a second layer of conductive material 610 over the layer of photoimageable material 606 and in the openings formed therein 608 on. Like this in the picture 6H is illustrated, the second layer of conductive material 610 through a layer of insulating material 110 from the conductive gate electrode layer 104 electrically isolated.

In nächstem Bezug auf die Abbildung aus 6K wird in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung überschüssiges leitfähiges Material, das sich auf bzw. über und/oder in den Öffnungen 608 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 befindet, durch Abwischen (z. B. durch "Abstreichen" und dergleichen) des leitfähigen Materials von der oberen Oberfläche der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 606 entfernt. Auf diese Weise stellt das vorliegende Ausführungsbeispiel sicher, dass die zweite Schicht des leitfähigen Materials 610 eine gewünschte Tiefe in den Öffnungen 608 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 aufweist. Nach der Entfernung des überschüssigen leitfähigen Materials wird die zweite Schicht des leitfähigen Materials 610 gehärtet. In einem weiteren Ausführungsbeispiel wird überschüssiges leitfähiges Material, das sich oben auf bzw. über und/oder in Öffnungen 608 in der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606 befindet, durch mechanisches Wegpolieren der überschüssigen Mengen des leitfähigen Materials nach dem Härtungsprozess entfernt. Wiederum stellt ein solcher Ansatz sicher, dass das leitfähige Material auf eine gewünschte Tiefe in den Öffnungen 608 in der Schicht aus einem fotostrukturierbaren Material 606 abgeschieden wird.Next, look at the picture 6K For example, in one embodiment of the present invention, excess conductive material is deposited over and / or in the openings 608 in the layer of photoimageable material 606 By wiping (e.g., by "scraping" and the like) the conductive material from the top surface of the layer of photoimageable material 606 away. In this way, the present embodiment ensures that the second layer of conductive material 610 a desired depth in the openings 608 in the layer of photoimageable material 606 having. After removal of the excess conductive material, the second layer of conductive material becomes 610 hardened. In another embodiment, excess conductive material is deposited on top of and / or over and / or into openings 608 in the layer of photoimageable material 606 removed by mechanically polishing away the excess amounts of the conductive material after the curing process. Again, such an approach ensures that the conductive material is at a desired depth in the openings 608 in the layer of a photoimageable material 606 is deposited.

In folgendem Bezug auf die Abbildung aus 6L entfernt die vorliegende Erfindung nachdem die zweite Schicht des leitfähigen Materials 610 gehärtet worden ist die verbliebenen Abschnitte der Schicht aus fotostrukturierbarem Material 606. Nach der Entfernung der verbliebenen Abschnitte der Schicht des fotostrukturierbaren Materials 606 bleiben die ersten und zweiten Abschnitte (d. h. 604 und 610) der leitfähigen Zeilen und Spalten oberhalb der Schicht aus isolierendem Material 110 angeordnet.Referring to the picture below 6L removed the present invention after the second layer of conductive material 610 the remaining portions of the layer of photoimageable material have been cured 606 , After removal of the remaining portions of the layer of photoimageable material 606 remain the first and second sections (ie 604 and 610 ) of the conductive rows and columns above the layer of insulating material 110 arranged.

Wie dies in der Abbildung aus 6M dargestellt ist, entfernt das vorliegende Ausführungsbeispiel nach der Entfernung der verbliebenen Abschnitte der Schicht aus dem fotostrukturierbaren Material 606 die Schicht des isolierenden Materials 110 mit Ausnahme der Abschnitte der Schicht des isolierenden Materials 110, die direkt unter den leitfähigen Zeilen und Spalten 604 und 610 liegen. Somit stellt das vorliegende Ausführungsbeispiel eine vollständig leitfähige Gate-Elektrodenschicht 104 durch Abschnitte der Schicht aus isolierendem Material 110 bereit. Ferner weist die leitfähige Fokuswaffelstruktur gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel einen unteren dielektrischen Abschnitt (der einen Abschnitt der Schicht aus isolierendem Material 110 umfasst) auf und einen oberen leitfähigen Abschnitt (604 und 610).Like this in the picture 6M is shown, the present embodiment removes after the removal of the remaining portions of the layer of the photoimageable material 606 the layer of insulating material 110 with the exception of the sections of the layer of insulating material 110 that are directly under the conductive rows and columns 604 and 610 lie. Thus, the present embodiment provides a fully conductive gate electrode layer 104 through portions of the layer of insulating material 110 ready. Further, the conductive focus waffle structure according to the present embodiment has a lower dielectric portion (which includes a portion of the insulating material layer 110 includes) on and an upper conductive portion ( 604 and 610 ).

Als Folge der Mehrebenenform des vorliegenden Ausführungsbeispiels eignet sich die leitfähige Fokuswaffelstruktur aus der Abbildung aus 6M gut dafür, höhere bzw. größere Teilstücke bzw. Abschnitte 610 aufzuweisen, welche eine Trägerstruktur stützen, die entlang der kürzeren Abschnitte 604 angeordnet ist. Das heißt, eine Wand, eine Rippe oder eine andere Trägerstruktur, die für gewöhnlich an dem kürzeren Abschnitt 604 angeordnet ist, wird durch die größeren bzw. höheren, proximal angeordneten Abschnitte 610 stabilisiert bzw. gestützt.As a result of the multilevel shape of the present embodiment, the conductive focus waffle structure is suitable from the figure 6M good for it, higher or larger sections or sections 610 having a support structure supporting along the shorter sections 604 is arranged. That is, a wall, rib, or other support structure, usually at the shorter section 604 is arranged through the larger or higher, proximally arranged sections 610 stabilized or supported.

Obgleich das Ausführungsbeispiel aus den Abbildungen der 6A bis 6M eine Schicht aus einem isolierenden Material 110 beschreibt, die über der Kathodenstruktur angeordnet ist, bevor entweder die ersten oder zweiten Schichten des fotostrukturierbaren Materials abgeschieden werden, eignet sich das vorliegende Ausführungsbeispiel ebenso gut für ein Ausführungsbeispiel, bei dem dielektrisches oder isolierendes Material in die Öffnungen abgeschieden wird, die in den ersten und/oder zweiten Schichten aus fotostrukturierbarem Material abgeschieden werden bevor die ersten und/oder zweiten leitfähigen Materialschichten abgeschieden werden. Ferner eignet sich die vorliegende Erfindung auch gut für ein Ausführungsbeispiel, bei dem nur die Zeilenabschnitte oder nur die Spaltenabschnitte der leitfähigen Fokuswaffelstruktur mehrere Ebenen aufweisen.Although the embodiment of the figures of the 6A to 6M a layer of insulating material 110 described above over the cathode structure before either the first or second layers of photoimageable material are deposited, the present embodiment is equally well suited to an embodiment in which dielectric or insulating material is deposited in the openings formed in the first and second layers / or second layers of photoimageable material are deposited before the first and / or second conductive material layers are deposited. Furthermore, the present invention is also well suited to an embodiment in which only the row sections or only the column sections of the conductive focus waffle structure have multiple levels.

Die vorstehenden Beschreibungen spezieller Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung wurden zu Zwecken der Veranschaulichung und Beschreibung vorgesehen. Sie stellen nicht den ganzen Umfang der Erfindung dar oder schränken die Erfindung auf die genau offenbarten Ausführungen ein, und selbstverständlich sind zahlreiche Modifikationen und Abänderungen in Bezug auf die vorstehenden Lehren möglich. Die Ausführungsbeispiele wurden so ausgesucht und beschrieben, um die Grundsätze der vorliegenden Erfindung und deren praktische Anwendung am besten zu erläutern, um es dadurch anderen Fachleuten auf dem Gebiet zu ermöglichen, die Erfindung und die verschiedenen Modifikationen, die für den jeweiligen Anwendungszweck geeignet erscheinen, bestmöglich zu nutzen. Der Umfang der vorliegenden Erfindung soll durch die anhängigen Ansprüche definiert sein.The foregoing descriptions of specific embodiments of the present invention have been presented for purposes of illustration and description. They do not represent the full scope of the invention or limit the invention to the precise forms disclosed, and obviously many modifications and variations with respect to the above the lessons possible. The embodiments have been chosen and described in order to best explain the principles of the present invention and its practical application, to thereby enable others skilled in the art to best appreciate the invention and the various modifications which may be considered to suit the particular application to use. The scope of the present invention is intended to be defined by the appended claims.

Claims (9)

Verfahren zum Bilden einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur auf einem Kathodenabschnitt einer Flachbildschirmanzeige zum Fokussieren von Elektronen, die von dem genannten Kathodenabschnitt emittiert werden, wobei das genannte Verfahren die folgenden Schritte umfasst: a) das Auftragen einer ersten Schicht eines fotostrukturierbaren Materials (112) oberhalb des genannten Kathodenabschnitts (100, 102, 104, 106); b) das Entfernen von Abschnitten der genannten Schicht des fotostrukturierbaren Materials, so dass Öffnungen in der genannten Schicht des fotostrukturierbaren Materials gebildet werden; c) das Auftragen von leitfähigem Material (116) über dem genannten Kathodenabschnitt, so dass die genannte Schicht aus leitfähigem Material in den genannten Öffnungen in der genannten Schicht des fotostrukturierbaren Materials angeordnet ist, wobei die genannte Schicht aus leitfähigem Material eine dielektrische Materialschicht (110) aufweist, die zwischen dem genannten Kathodenabschnitt und der unteren Oberfläche dieser angeordnet ist; und d) das Entfernen der genannten Schicht von fotostrukturierbarem Material, so dass zumindest ein Teilstück der genannten leitfähigen Fokuswaffelstruktur oberhalb des genannten Kathodenabschnitts ausgebildet wird.A method of forming a conductive focus waffle structure on a cathode portion of a flat panel display for focusing electrons emitted from said cathode portion, said method comprising the steps of: a) applying a first layer of photoimageable material ( 112 ) above said cathode portion ( 100 . 102 . 104 . 106 ); b) removing portions of said layer of photoimageable material to form openings in said layer of photoimageable material; c) the application of conductive material ( 116 ) over said cathode portion such that said layer of conductive material is disposed in said openings in said layer of photoimageable material, said layer of conductive material comprising a dielectric material layer (12). 110 ) disposed between said cathode portion and the lower surface thereof; and d) removing said layer of photoimageable material such that at least a portion of said conductive focus waffle structure is formed above said cathode portion. Verfahren zum Bilden einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur nach Anspruch 1, wobei der Schritt c) den folgenden Schritt umfasst: vor dem Anordnen der genannten Schicht aus leitfähigem Material in den genannten Öffnungen der genannten Schicht aus fotostrukturierbarem Material, das Auftragen von dielektrischem Material in den genannten Öffnungen in der genannten Schicht des in dem Schritt b) gebildeten fotostrukturierbaren Materials, so dass die genannte dielektrische Materialschicht zwischen dem genannten Kathodenabschnitt und der genannten Schicht aus leitfähigem Material angeordnet ist.A method of forming a conductive focus waffle structure Claim 1, wherein step c) comprises the following step: in front placing said layer of conductive material in said openings the said layer of photo-structurable material, the application of dielectric material in said openings in said layer the photoimageable material formed in step b), so that said dielectric material layer is between the said cathode portion and said layer of conductive material is. Verfahren zum Bilden einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur nach Anspruch 1, wobei der Schritt c) den folgenden Schritt umfasst: das Auftragen einer Schicht aus leitfähigem Material über dem genannten Kathodenabschnitt, so das die genannte Schicht aus leitfähigem Material in den genannten Öffnungen in der genannten Schicht aus fotostrukturierbarem Material angeordnet ist, wobei die genannte Schicht aus leitfähigem Material eine Aufschleuder-Glasschicht aufweist, die zwischen der genannten Kathode und der unteren Oberfläche der Schicht angeordnet ist.A method of forming a conductive focus waffle structure Claim 1, wherein step c) comprises the following step: the Applying a layer of conductive material over the said cathode portion, so that said layer of conductive material in said openings arranged in said layer of photo-structurable material wherein said layer of conductive material is a spin on glass layer between the said cathode and the lower surface of the layer is arranged. Verfahren zum Bilden einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur nach Anspruch 1, wobei das Verfahren ferner die folgenden Schritte umfasst: e) das Auftragen einer zweiten Schicht eines fotostrukturierbaren Materials über dem genannten Kathodenabschnitt und mindestens ein Teilstück der genannten leitfähigen Fokuswaffelstruktur; f) das Entfernen von Abschnitten der genannten zweiten Schicht eines fotostrukturierbaren Materials, so dass Öffnungen in der genannten zweiten Schicht eines fotostrukturierbaren Materials gebildet werden; g) das Auftragen einer zweiten Schicht eines leitfähigen Materials über dem genannten Kathodenabschnitt, so dass die genannte zweite Schicht eines leitfähigen Materials in den genannten Öffnungen in der genannten zweiten Schicht eines fotostrukturierbaren Materials angeordnet ist, wobei die genannte zweite Schicht eines leitfähigen Materials eine dielektrische Materialschicht aufweist, die zwischen dem genannten Kathodenabschnitt und der unteren Oberfläche der Schicht angeordnet ist; und h) das Entfernen der genannten zweiten Schicht aus einem fotostrukturierbaren Material, so dass zumindest ein zweiter Abschnitt der genannten leitfähigen Fokuswaffelstruktur gebildet wird, der oberhalb des genannten Kathodenabschnitts angeordnet ist.A method of forming a conductive focus waffle structure Claim 1, wherein the method further comprises the following steps: e) applying a second layer of photoimageable material over the said cathode portion and at least a portion of said conductive Focus waffle structure; f) removing portions of said second Layer of a photoimageable material, leaving openings in said second layer of a photoimageable material be formed; g) the application of a second layer of a conductive Material over said cathode portion, such that said second layer a conductive Materials in the mentioned openings in said second layer of a photoimageable material is arranged, said second layer of a conductive material a dielectric material layer interposed between said Cathode section and the lower surface of the layer arranged is; and h) removing said second layer from a photoimageable material, leaving at least a second section said conductive focus waffle structure is formed, which is arranged above said cathode portion is. Verfahren zum Bilden einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur nach Anspruch 1 oder 4, wobei das Verfahren ferner den folgenden Schritt umfasst: vor der Ausführung von Schritt a), das Auftragen von dielektrischem Material oberhalb des genannten Kathodenabschnitts, so dass die genannte dielektrische Materialschicht aus Schritt c) in Anspruch 1 oder aus Schritt g) in Anspruch 4 zwischen dem genannten Kathodenabschnitt und der genannten Schicht oder der genannten zweiten Schicht aus leitfähigem Material angeordnet ist.A method of forming a conductive focus waffle structure Claim 1 or 4, wherein the method further comprises the following step includes: before the execution from step a), applying dielectric material above said cathode portion, such that said dielectric material layer from step c) in claim 1 or from step g) in claim 4 between said cathode portion and said layer or the said second layer of conductive material is arranged. Verfahren zum Bilden einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur nach Anspruch 4, wobei der Schritt g) den folgenden Schritt umfasst: vor dem Anordnen der genannten zweiten Schicht eines leitfähigen Materials in den genannten Öffnungen in der genannten zweiten Schicht aus einem fotostrukturierbaren Material, das Auftragen von dielektrischem Material in den genannten Öffnungen in der genannten zweiten Schicht aus fotostrukturierbarem Material, die in Schritt f) gebildet wird, so dass die genannte dielektrische Materialschicht zwischen dem genannten Kathodenabschnitt und der genannten zweiten Schicht aus leitfähigem Material angeordnet ist.The method of forming a conductive focus waffle structure according to claim 4, wherein step g) comprises the step of: prior to disposing said second layer of conductive material in said openings in said second layer of photo-imagable material, depositing dielectric material into said openings in said second layer of photoimageable material formed in step f), such that said dielectric material layer is disposed between said cathode portion and said second layer of conductive material is. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Verfahren ferner die folgenden Schritte umfasst: das Auftragen einer Schicht aus dielektrischem Material über dem genannten Kathodenabschnitt, und das Entfernen der genannten Schicht aus dielektrischem Material, die oberhalb des genannten Kathodenabschnitts angeordnet ist, mit Ausnahme der Abschnitte der genannten Schicht aus dielektrischem Material, die sich zwischen dem genannten mindestens einen Abschnitt der genannten leitfähigen Fokuswaffelstruktur und der genannten Kathode befinden; wobei in Schritt c) Öffnungen in der genannten Schicht aus fotostrukturierbarem Material an Stellen gebildet werden, an denen zumindest ein Teilstück einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur gebildet werden soll; und wobei in Schritt d) das Entfernen der genannten Schicht aus fotostrukturierbarem Material so gegeben ist, dass zumindest ein Teilstück der genannten leitfähigen Fokuswaffelstruktur, die zumindest teilweise aus der genannten Schicht aus leitfähigem Material gebildet wird, so gebildet wird, dass sie oberhalb des genannten Kathodenabschnitts angeordnet ist.The method of claim 1, wherein the method further the following steps include: the application of a layer made of dielectric material over said cathode portion, and removing said Layer of dielectric material, above said Cathode section is arranged, with the exception of the sections of the said layer of dielectric material extending between said at least a portion of said conductive focus waffle structure and said cathode are located; wherein in step c) openings formed in said layer of photo-structurable material at locations be at which at least a portion of a conductive focus waffle structure should be formed; and wherein in step d) the removal said layer of photo-structurable material so given is that at least a section said conductive Focus waffle structure, at least partially from said layer made of conductive Material is formed, is formed so that they are above the arranged cathode portion is arranged. Verfahren zum Bilden einer leitfähigen Fokuswaffelstruktur nach Anspruch 7, wobei der Schritt des Entfernens ferner die folgenden Schritte umfasst: das Auftragen einer zweiten Schicht aus fotostrukturierbarem Material über zumindest dem genannten Teilstück der genannten leitfähigen Waffelstruktur und dem genannten Kathodenabschnitt; das Entfernen von Abschnitten der genannten zweiten Schicht aus einem fotostrukturierbaren Material, so dass Öffnungen in der genannten zweiten Schicht aus fotostrukturierbarem Material an Stellen gebildet werden, wo zumindest ein zweites Teilstück der genannten leitfähigen Fokuswaffelstruktur gebildet werden soll; das Auftragen einer zweiten Schicht aus einem leitfähigen Material über dem genannten Kathodenabschnitt, so dass die genannte zweite Schicht aus leitfähigem Material in den genannten Öffnungen in der genannten zweiten Schicht aus fotostrukturierbarem Material angeordnet ist; und das Entfernen der genannten zweiten Schicht aus fotostrukturierbarem Material, so dass zumindest ein zweiter Abschnitt der genannten leitfähigen Fokuswaffelstruktur, der zumindest teilweise aus der genannten zweiten Schicht aus leitfähigem Material gebildet wird, so gebildet wird, dass er oberhalb des genannten Kathodenabschnitts angeordnet ist.A method of forming a conductive focus waffle structure Claim 7, wherein the step of removing further comprises the following Steps includes: the application of a second layer of photoimageable Material over at least the said section said conductive Waffle structure and said cathode portion; the removal portions of said second layer of a photoimageable one Material, leaving openings in said second layer of photoimageable material are formed at locations where at least a second portion of said conductive focus waffle structure should be formed; the application of a second layer a conductive Material over said cathode portion, such that said second layer made of conductive Material in the mentioned openings in said second layer of photoimageable material is arranged; and the removal of said second layer made of photoimageable material, so that at least a second Section of said conductive Focus waffle structure, at least partially from said second Layer of conductive Material is formed, so that it is formed above that Cathode section is arranged. Verfahren nach Anspruch 4 oder 7, wobei der mindestens zweite genannte Abschnitt der genannten leitfähigen Fokuswaffelstruktur so gebildet wird, dass er eine andere Höhe aufweist als der mindestens erste genannte Abschnitt der genannten leitfähigen Fokuswaffelstruktur.The method of claim 4 or 7, wherein the at least second said portion of said conductive focus waffle structure so is formed to have a different height than the at least first mentioned portion of said conductive focus waffle structure.
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