JP2002515349A - 基板保持器 - Google Patents

基板保持器

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JP2002515349A JP2000549428A JP2000549428A JP2002515349A JP 2002515349 A JP2002515349 A JP 2002515349A JP 2000549428 A JP2000549428 A JP 2000549428A JP 2000549428 A JP2000549428 A JP 2000549428A JP 2002515349 A JP2002515349 A JP 2002515349A
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    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/28Work carriers for double side lapping of plane surfaces

Abstract

(57)【要約】 キャリアヘッド26はハウジング40と、基板を保持する一般に円筒型の基板バッキング・アセンブリ42を含む。バッキング・アセンブリはハウジングに対して上下に移動可能である。キャリアは、研磨中に基板をキャリア内に保持するための、一般に環状の保持リング44を含む。保持リング44は円筒型内表面74、円筒型外表面76、および内表面74と外表面76を結ぶ環状の下面78を含む。保持器52は基板研磨装置と共に使用される。基板は上面と下面および横方向にほぼ円形な周囲を有している。装置は基板の下面に接触し研磨するための上研磨面を持つ研磨パッドを有する。保持器52は基板研磨中、基板を係合し、横の動きに対して基板を保持するための内向きの保持面54を有する。保持面54は基板周囲を、周囲に沿った基本的に2ヶ所以上の別個の円周上位置で係合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に基板の化学機械研磨に関し、より具体的には化学機械研磨シ
ステムのキャリアヘッドおよび基板保持器(リテーナ)に関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路は通常基板上、とくにシリコンウェハ上に、導電層、半導体層、絶縁
層を連続して堆積することにより形成される。各層が堆積された後、層はエッチ
ングされ電子回路の特質が作り出される。一連の層が、連続的に堆積およびエッ
チングされるため、基板の外面あるいは最表面、すなわち基板の露出面はどんど
ん平坦でなくなる。この平坦でない表面が、集積回路製造工程のフォトレジスト
段階における問題をもたらす。したがって、基板表面の定期的な平坦化が必要と
される。
【0003】 化学機械研磨(CMP)は一般に認められた平坦化の一方法である。この平坦
化方法では、通常基板がキャリアあるいは研磨ヘッドに取り付けられている必要
がある。基板の露出面は、回転する研磨パッドに対して取り付けられる。研磨パ
ッドは、研磨面が耐久性のある粗い表面である「標準」パッドか、封じ込め媒体
中に研磨粒子を保持している固定研磨パッドのいずれかである。キャリアヘッド
は、制御可能な負荷、すなわち圧力を基板上に加え、基板を研磨パッドに対して
押し付ける。少なくとも1つの化学反応性物質と、標準パッドが使用される場合
には研磨粒子を含む、研磨スラリーが研磨パッドに供給される。
【0004】 CMP処理の効果は、その研磨率とその結果もたらされる仕上がり(たとえば
、小さな凹凸がないこと)、および基板表面の平坦さ(たとえば、大きなトポグ
ラフィがないこと)によって測定される。研磨率、研磨仕上げおよび平坦度は、
パッドとスラリーの組み合わせ、基板とパッドの相対速度およびパッドに対して
基板を押しつける力によって決定される。
【0005】 CMPによる半導体基板ウェハの平坦化において、ウェハと動作中の研磨パッ
ド間の摩擦によって生じるウェハの横方向の動きを防止する目的で、研磨される
ウェハを取り囲む、環状の保持リングを使用することが知られている。たとえば
、米国特許第5,205,082号(ノーム・シェンドンら)を参照されたい。
この開示は、本願明細書中に参照として組み入れられる。
【0006】 CMPにおいて再発している問題はいわゆる「エッジ効果」であり、すなわち
、基板の端が基板の中央とは異なる比率で研磨される傾向である。エッジ効果は
研磨不足も引き起こすが、一般に、基板周囲部、すなわち最外部5〜10mmで
の過剰研磨(基板から過度に物質が除去されること)をもたらす。基板周囲部の
過剰研磨や研磨不足は、基板全体の平坦度を減少し、基板端部を集積回路に使用
するに不適切なものとし、歩留まりを減少させる。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の一実施形態は、基板研磨装置と共に用いる保持器を提供する。装置は
、基板表面に接触する研磨面をもつ研磨パッドを有する。保持器は、基板研磨中
、横方向の動きに対して基板を係合し保持する、内側に向いた保持面を有する。
保持面は基板周囲を、基本的に2ヶ所以上の、周囲に沿って別個の円周上位置で
係合する。
【0008】 本発明の様々な実施形態には、以下の1つ以上が含まれている。すなわち、保
持面は基板周囲を、少なくとも2ヶ所の、別個の互いに間隔のあいた位置で係合
する。保持面は基板周囲を、ちょうど2ヶ所の、別個の互いに間隔のあいた位置
で係合する。保持面は基板周囲を、少なくとも1ヶ所の、連続した円周係合領域
に沿って係合する。円周係合領域は少なくとも10°の広がりを持つ。円周係合
領域は、基板のほぼ全周囲に広がっている。保持面は基板周囲を、周囲に沿った
複数の円周上位置で圧縮して係合する。
【0009】 保持面は、縦方向に延びる連続した環状保持部の連続した円筒型内表面であっ
てよい。そのような保持部は、保持部の下端で基板を受けるための開口部を有し
、圧縮して基板と係合を維持する間、基板を受け入れるに充分な弾力性を有する
。保持器は、保持リングのルーフ部から懸下し、環状リセスによってリング本体
から分離された縦方向に延びる環状スリーブの形状をとってよい。
【0010】 保持面は、縦方向に延びる環状スリーブ部の円筒型内表面であってよい。保持
器は、放射状に外に延びる環状フランジと、フランジから懸下するスリーブ部を
さらに含み、前記フランジは保持リング本体とキャリア本体の間に固定される。
あるいは保持器は、クランプと膜状支持構造の間に固定された、放射状に内側に
延びる環状フランジを含んでもよい。
【0011】 保持面は、基板の周りのほぼ全体に覆われたバンドの内表面により形成されて
よく、基板を係合しおよび解除するよう、円周上で調整可能である。保持器は弾
性である。保持器は、基板バッキング膜から下がる環状リップとして形成されて
よい。保持器は複数の環状セグメントを備え、各セグメントは底面と円筒型の内
表面を有している。セグメントの円筒型内表面は保持面を形成し、セグメントは
基板周囲を圧縮して係合するよう、選択的に内側に偏らせることができる。保持
器は、セグメントと支持構造の内表面の間に挟まれた可膨張環状袋体を備えてよ
く、これにより袋体の膨張がセグメントを放射状に内側に偏らせ、基板周囲を係
合する。
【0012】 接触する1点に集中してしまう、保持器と基板間の横方向の接触力を分散する
ことにより、保持器は「エッジ効果」の一因となりうる基板周囲近くの局所的歪
み(たとえば、保持器による基板の圧縮による接触点における基板の垂直方向へ
のたわみ)を緩和する。
【0013】 本発明の1つ以上の詳細は、添付図面と以下の説明により述べられる。その他
の特徴、目的、および発明の利点は、説明と図面、および請求の範囲から明らか
となろう。様々な図中の同様の参照番号および表示は、同様の構成要素を示して
いる。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1および図2は、プラテン22(図2)頂上に固定された研磨パッド20を
示す。パッドとプラテンは中心軸100のまわりを回転する。たとえば円形ウェ
ハなどの基板24は、基板キャリアや、基板の下面25をパッドの上面(研磨面
)27に向けて置く研磨ヘッド26によって保持される。キャリアと基板は、実
質的には一体となってキャリアの中心軸102のまわりを回転する。回転に加え
キャリアと基板は、図1に示す実線位置24および26と破線位置24’および
26’の間を、同時に往復する。例示の実施形態で、パッド20は直径20.0
インチ、基板24は直径7.87インチ(200mmの基板に対して、通常「8
インチ」基板と称す)、キャリア26は外径約10インチであり、キャリアは、
その中心軸102がパッドの中心軸100から4.2インチ〜5.8インチの間
で隔てられているように往復する。パッドの回転速度は60〜150rpm、キ
ャリアの回転速度も60〜150rpmである。
【0015】 図3はキャリアヘッド26の一実施形態による構造をさらに詳細に示したもの
である。キャリアヘッド26はハウジング40と、基板を保持する一般に円筒型
の基板バッキング・アセンブリ42を含む。バッキング・アセンブリはハウジン
グに対して上下に移動可能である。キャリアは、研磨中に基板をキャリア内に保
持するための、一般に環状の保持リング44を含む。保持リング44は円筒型内
表面74、円筒型外表面76、および内表面74と外表面76を結ぶ環状の下面
78を含む。保持リングは複数の取付け穴46(図3には1つだけ図示)にネジ
やボルトを用いて、キャリアヘッド26の土台80に取り付けられる。保持リン
グ44はハウジング40に対し、バッキング・アセンブリ42から独立して垂直
方向に可動であり、したがって保持リングや基板に所望の独立した下向きの力が
加えられ、保持リングや基板を研磨パッドに係合状態で維持する。同様のキャリ
アヘッドが、1996年11月8日出願の米国特許出願番号第08/745,6
70号(Zunigaら)、「可撓性を持つ膜を用いた化学機械研磨システムの
ためのキャリアヘッド」と題された中に見受けられ、本願発明の譲受人へ譲渡さ
れ、そのすべての開示はここで参照として組み入れられる。
【0016】 ローディング・チャンバ82がハウジング40と土台80の間に形成される。
ローディング・チャンバ82の与圧は土台80に負荷、すなわち下向きの圧力お
よび力を加える。研磨パッド(図示されない)に対する土台80の垂直位置は、
ローディング・チャンバ82の与圧/除圧によって制御される。
【0017】 基板バッキング・アセンブリ42は支持構造84、支持構造と土台80の間に
接合された湾曲部86および支持構造84の下側に接合され、これを覆う可撓膜
88を含む。可撓膜88は支持構造の下に延び、基板のマウント面を提供する。
土台80と基板バッキング・アセンブリ42の間に形成されたチャンバ90の与
圧が、基板を研磨パッドに押し付ける。
【0018】 環状の袋体92が土台80の下面に取り付けられる。袋体は与圧され、支持構
造84に下向きの圧力を加え、それにより基板に下向きの圧力が加えられるよう
に、環状の上部クランプ60を、湾曲部86の内側部(たとえば中心軸102に
比較的近い部分)の頂上に係合する。チャンバ82と袋体92はそれぞれ、関連
する管路あるいは導管(図示されない)により、1つ以上のポンプ(図示されな
い)から届けられる流体の導入および除去によって、与圧および除圧される。
【0019】 このように、ハウジング40に対する土台80とリング44の垂直位置は、ロ
ーディング・チャンバ82の与圧および除圧によって制御される。ローディング
・チャンバ82の与圧は土台を下向きに押し付け、これにより保持リングの下面
78が下向きに押され、研磨パッドに負荷が加えられる。
【0020】 基板バッキング・アセンブリ42の垂直位置とそれによる基板の垂直位置は、
チャンバ90および/または袋体92の与圧および除圧によって制御される。チ
ャンバ90の除圧によって、基板を研磨パッドとの係合から解除する吸引力が膜
と基板間に発生するように、膜98が上昇される。それによって、一方でローデ
ィング・チャンバ82の与圧と除圧が、他方で袋体92とチャンバ90が、垂直
位置の独立維持と、リングとパッド間および基板とパッド間の係合力を提供する
【0021】 図4に示されるように、支持構造84は上部クランプ60、下部クランプ62
、および支持リングまたは支持プレート64を含む。湾曲部86の内端は上部ク
ランプ60と下部クランプ62の間に固定され、可撓膜88の端は下部クランプ
62と支持プレート64の間に固定される。
【0022】 保持スリーブ52は、下部クランプ62など支持構造84の部分から下向きに
延びる。スリーブは円筒型の連続する内表面54と、環状の底端面58によって
結ばれた円筒型の連続する外表面56を有する。スリーブ52は支持構造84に
ウェブ66によって接続され、ウェブ66はスリーブの上端から放射状に内側に
延びる。保持スリーブ52の垂直方向の動きは、これによって保持リング44の
垂直方向の動きから分離される。このように分離することで、たとえばリング4
4と研磨パッド間に、対応するスリーブ52とパッド間の圧縮による係合なしに
、高圧をかけるなどの、より大きな多目的性を提供する。スリーブ52とパッド
間の不要な圧縮は、スリーブを磨耗しスリーブの交換頻度を増加させる。スリー
ブ52は、以下に説明される図7の実施形態と同様、独立した可動セグメントに
分割されてよい。スリーブ52の下端または遠心端は、基板を受けるポケットへ
の開口部89(図3)を規定する。
【0023】 研磨中、研磨パッド20をわずかに押すよう正味の下向きの力が基板に加えら
れる。その力、したがって圧縮は、基板材料、パッド材料と厚さ、回転速度、お
よび研磨スラリーの使用の有無とその種類などの要因に照らして、所望の研磨率
を達成するよう決定される。
【0024】 図5に示すように、ある既定の瞬間に、パッドと基板間が摩擦し、基板端また
は基板周囲70がスリーブ52の円筒型内表面54と係合するよう、研磨パッド
は、基板とキャリアに対して基板に剪断力を加える正味の全体動作方向120を
持つ。スリーブの内表面54は、したがって保持リング44の保持面を形成する
。説明の実施形態では、係合は基板周囲70に沿って延びる位置122と直接接
触することによる。基板周囲70と保持スリーブ面の内表面54との間の増加す
る隙間123は、接触位置122の正反対の位置124で最大に達する。しかし
、この最大の隙間でも通常1mm未満の小ささである。
【0025】 スリーブ52は寸法採りされ(たとえばスリーブの円筒型の内表面および外表
面の直径や、スリーブの高さが適当に選択される)、研磨中、以下の説明のよう
に基板を調整するため、基板端の衝撃に耐えるプラスチックなどの、充分可撓性
があり、しかし耐久性のある材料によって形成される。負荷がない状態でのスリ
ーブ内表面54の直径(すなわち、研磨中の基板との係合による傾きのないとき
)は、基板の直径よりもわずかに大きい。スリーブ52の可撓性と弾性により、
基板周囲70と円筒型内表面54の間の接触位置122における係合が、スリー
ブをわずかに曲げて圧縮する。この調整のために、保持リング44と基板周囲7
0間で円周上に1つの接触点をもつ代わりに、接触位置122はスリーブの内表
面54と基板周囲70の間の連続する円周上の係合領域となっている。このよう
に、接触力は係合領域にわたる圧力分配であるが、スリーブ52がない状態では
このような調整がおこなわれず、接触力は単一の接触点にかかる点力となってし
まう。係合領域は少なくとも10°の範囲を持つことが好ましい。スリーブ材料
を選択する際、可撓性と磨耗抵抗のバランスをとることで、リングと基板間の必
然的なな横方向の力を考慮した適切な寸法を実験的に決めることができる。横方
向の力は、基板のサイズと材料、研磨パッドの材料、研磨スラリーの有無と種類
、および所望の研磨率を含む因子の関数である。係合領域に沿って接触力を分配
することにより、分離した単一の接触点がある状態に比べて、基板周囲に隣接す
る基板内の歪みは緩和される。このように局所化された歪みは、それに伴うエッ
ジ効果と共に緩和される。加えて、基板からの力をスリーブ全体に分配すること
により、基板のはす縁と保持リング間のスラリーの圧縮は減少し、それによりス
ラリーの凝集やその結果生じるスクラッチ不良が低減する。
【0026】 基板の研磨中、保持リング44本体はその下面78において研磨パッドに押し
つけられ、望まれるように研磨パッドと基板下面間の境界面全体により均一に圧
力を分配させるよう、研磨パッドを圧縮させる。さらに、保持リング44は、キ
ャリアヘッドの残り部分に対する基板およびスリーブの横方向の動きに対して、
ある程度の補助をおこなう。
【0027】 例示の実施において、保持リングはポリフェニリン・サルファイド樹脂(PP
S)から形成されても良い。200mm(7.87インチ)直径の基板を使用す
るよう構成されると、スリーブの内表面直径が約7.90インチとなり、スリー
ブの外表面直径が約8.20インチ、保持リングの内表面直径が約8.30イン
チおよび保持リングの外表面直径が約9.75インチになる。スリーブの下端は
本体底面と同一表面上、あるいは本体の底面から下に突出しないよう、本体底面
からわずかに奥まっており、したがって研磨パッドとの係合による過度な磨耗や
変形にさらされることはない。
【0028】 図6は縦方向に延びる連続した環状スリーブ134が、そこから懸下する上ル
ーフ部132をもつ、保持リング130を示している。スリーブは円筒型の連続
する内表面136と、環状の底端表面139により内表面136と結ばれる円筒
型の連続する外表面138を持つ。保持リング130はスリーブ134の外側に
(たとえば、中心軸102から比較的遠くに)本体部140を有する。本体部1
40は、スリーブの円筒型外表面138を向き、これと離れて間隔をおいた円筒
型の内表面142を有し、それによって本体は環状の上向きリセス144によっ
てスリーブから隔てられている。本体部140は、平坦な水平環状底面148に
よって内表面142と結ばれた、円筒型の外表面146を有する。基板周囲70
と円筒型内表面136間の、接触位置における係合により、スリーブが放射状に
外側に向けて、リセス144に向けてわずかに曲がる。接触力はこのように係合
領域にわたる圧力分配であるが、リセス144がない状態ではこのような調整が
おこなわれず、接触力は単一の接触点にかかる点力となってしまう。
【0029】 図7はスリーブ152を持つ保持リング150を示しており、スリーブ152
は連続ではなく、外側に放射状に曲がる複数のスプリング・アーム155にスリ
ーブを分割する、複数の(研磨パッドから離れた)上向きリセス153を含んで
いる。説明される例では、4つのリセス153がスリーブを4つのスプリング・
アーム155に分割する。ある既定のスリーブの高さと厚さについて、リセス1
53が存在することによりスリーブの有効柔軟性が増し、基板24の順応性が増
加する。この効果はリセスによって、スリーブ内の円周上の張力が妨害されるこ
とから生じる。
【0030】 リセス153はスリーブの内表面からスリーブの外表面まで延びる切除領域か
らなってよく、あるいは部分的にだけスリーブの厚さを越えて延びる、溝からな
ってもよい。
【0031】 図8は、一般に図4のリング44と同様の全体形状をとる保持システム210
を示している。単一のリングとして形成されるのではなく、スリーブ220と本
体222が別々に形成される。これにより、スリーブと本体に異なる材料を使う
ことが容易になり、特定の状態によってスリーブと本体の異なる組み合わせを可
能とし、スリーブと本体の異なる磨耗度に順応するように別々に交換することが
できる。特に,スリーブ220は非常に柔軟性の高い材料で形成されるため、基
板の衝撃を和らげるバンパーとして働き、しかし研磨パッドには最小の力を及ぼ
す。スリーブ220は、放射状に外側に延びる環状フランジ226と一体形成さ
れ、そこから懸下し、縦方向に延びる環状スリーブ部244を含む。フランジ2
26は湾曲部86の外側部文のすぐ下に位置する。フランジ226と湾曲部86
は、本体222とキャリア土台80の間に固定される。
【0032】 図9および図10は、環状の弾性インサート422を、保持リングの底面42
8に隣接する保持リングの円筒型内表面426の環状ポケット424内に収容す
る、保持リング420を示す。インサート422はリング本体430を形成する
材料よりも圧縮性の高い材料により形成される。運転中、インサート422は、
係合領域122(図10)に沿った基板24の周囲70により、外側に放射状に
圧縮される。インサート422は基板に適応するために充分に柔らかい(圧縮性
の高い)材料で形成されており、したがって基板との接触力を分散するが、キャ
リアヘッドの修理頻度を著しく増やす事がないくらいの耐久性を有することが望
ましい。インサート422は構造的に保持リング本体430によって支えられて
いるため、インサート422は本体430よりもずっと柔らかい材料で製造され
得る。このような構造は、材料の選択における自由度を増やし、適用度を高める
。たとえば、PPSにより製造されたリング本体430とでは、インサート42
2はEPDM、ウレタン、デルリンなどのエラストマーから製造され得る。
【0033】 図11は、膜の外側先端で基板バッキング膜524から懸下し、環状リップ5
22として形成される保持器を示す。リップは基板周囲70と保持リング528
の円筒型内表面526の間に圧縮されて挟まれる。好ましくは膜、あるいは少な
くともリップは、必要な可撓性と従順性を提供するに充分な柔らかい材料で形成
され、しかし基板との係合による切断や、ヘッドの修理頻度を増やすような過度
の磨耗に耐えるよう、充分硬い材料で形成される。膜の材料の例としては、ネオ
プレンがある。
【0034】 図12は、バッキング膜624から懸下するリップ622を示している。リッ
プは膜チャンバ625がリップに突出するように形成される。チャンバが膨張し
て基板を研磨パッドに押し付けるとき、基板周囲を圧縮して係合するように、リ
ップも、基板周囲70とリング628の内表面626の間に縦方向へ拡がる。こ
のような構造は、基板周囲70とリップ622の間に、全360°の係合領域を
提供するために使用される。このような係合は基板とリップ622間の接触力を
非常に分散させ、キャリアヘッド内での基板の位置ずれを抑える。
【0035】 図13〜図15は、基板の周りをほぼ覆うバンド722によって形成される保
持器を示す。バンドは、研磨パッドの上面と接する平坦な底面724と、基板周
囲を係合する円筒型の内表面726を有する。バンド722は保持器支持730
の内穴728に載っている。バンドの平坦な水平上面732が、穴の環状の下向
き面734を係合する。バンドは支持内に垂直に固定され、しかし放射状に可動
である。バンドの外面には、適合した円周上に延びる外向きチャンネル736が
あり、ここに環状袋体740が載っている。袋体はチャンネル736の係合同様
、穴728の円筒型内表面742を係合する。図14と図15に示すように、バ
ンド722と穴の内表面742の間に挟まれた袋体740によって、基板周囲を
圧縮して係合するように、袋体の膨張がバンドを放射状に内向きに傾かせる(図
14)。バンド722の放射状の内側への動きを容易にするために、バンドは切
削または隙間744を備える。隙間744は、バンド722が放射状に内、外へ
それぞれ移動すると、減少および増加する。袋体740の膨張により、隙間の部
分的な閉鎖がもたらされる。これにより、袋体が膨張するとバンド722の内表
面726は、基板周囲70のほぼ全周に延びる連続した円周上の係合領域に沿っ
て、基板周囲70を係合する。随意的には、図16に示すように、バンドは複数
の別個の内側に傾斜可能な放射状セグメント822として、隙間844から離し
て形成してもよい。
【0036】 図17は放射状に内側に突出する複数の係合形状922を持つ、保持リング9
20を示す。材料と構造の詳細によっては、そのような形状は複数の分離した接
触点924、すなわちリングと基板周囲70の間に複数の短い接触領域を備える
。そのような係合形状は、固定保持リングあるいは内側に傾斜可能な保持リング
の、いずれにも使用され得る。固定リングの1つの実施形態では、リング内での
基板の回転作用によって、基板は交互に、1接触点と2接触点を有したり、もし
くは1接触領域と2接触領域を有するようになる。内側に傾斜可能な保持リング
では、少なくとも通常3接触点もしくは3接触領域が存在し、基板はリング内に
安全に保持される。係合形状922は、基板の端が係合形状に隣接するときに生
まれる剪断力と圧縮力に耐えるよう、耐久性の高い材料で形成されるべきである
【0037】 本発明のいくつもの実施形態が説明された。しかしながら、様々な修正が本発
明の精神と範囲から逸脱することなく行われ得ることが理解されよう。たとえば
、本発明の様々な特徴は、様々なキャリアヘッド構造での使用のために適合され
得る。したがって、その他の実施形態も請求の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 CMPシステムのプラテンの概略平面図である。
【図2】 図1のプラテンの概略側面図である。
【図3】 本発明による保持器を有する基板キャリアの断面図である。
【図4】 図3の保持器の拡大図である。
【図5】 図4のキャリアの保持器の概略部分底面図である。
【図6】 保持器本体の部分として形成されたスリーブを持つ、保持器システムの概略部
分断面図である。
【図7】 分割されたスリーブを持つ保持器システムの概略部分底面図である。
【図8】 保持器本体の上面に固定されたスリーブを持つ、保持器システムの概略部分断
面図である。
【図9】 弾性挿入部分を持つ保持器システムの概略部分断面図である。
【図10】 図9の保持器システムの概略部分底面図である。
【図11】 可撓性を持つ膜から懸下するリップを持つ保持器システムの概略部分断面図で
ある。
【図12】 可撓性を持つ膜から懸下するリップを持つ別の保持器システムの概略部分断面
図である。
【図13】 基板を解除および係合する構造において、調節可能な直径をもつ保持リングを
もった保持器システムの概略部分断面図である。
【図14】 基板を解除および係合する構造において、調節可能な直径をもつ保持リングを
もった保持器システムの概略部分断面図である。
【図15】 図13および図14の保持器システムの概略部分底面図である。
【図16】 複数の調節可能セグメントをもつ保持リングのついた保持器システムの概略部
分底面図である。
【図17】 保持リングから内側に延びる複数の突起をもつ保持器システムの一部を切断し
た底面図である。
【符号の説明】
20…研磨パッド、22…プラテン、24…基板、24’…破線位置、25…
基板下面、26…研磨ヘッド、26’…破線位置、27…パッドの研磨面、26
(図3)…キャリアヘッド、40…ハウジング、42…基板支持アセンブリ、4
4…保持リング、46…取付け穴、52…保持スリーブ、54…スリーブの内表
面、56…スリーブの外表面、58…スリーブの底端面、60…上部クランプ、
62…下部クランプ、64…支持リング、66…ウェブ、70…基板周囲、74
…保持リングの内表面、76…保持リングの外表面、78…保持リングの下面、
80…キャリアヘッドの土台、82…ローディング・チャンバ、84…支持構造
、86…湾曲部、88…可撓膜、89…開口部、90…チャンバ、92…環状袋
体、94…、100…パッド中心軸、102…キャリア中心軸、110、112
、116、120…基板とキャリアに対する動作方向、122…接触位置、12
3…隙間、124…隙間が最大になる位置、130…保持リング、132…上ル
ーフ部、134…環状スリーブ、136…スリーブの内表面、138…スリーブ
の外表面、139…スリーブの底端面、140…保持リング本体、144…上向
きリセス、146…保持リング本体の外表面、148…保持リング本体の底面、
150…保持リング、152…スリーブ、153…上向きリセス、155…スプ
リング・アーム、210…保持システム、220…スリーブ、222…保持シス
テム本体、224…環状スリーブ部、226…フランジ、420…保持リング、
422…弾性インサート、424…環状ポケット、426…保持リングの内表面
、428…保持リングの底面、430…リング本体、522…環状リップ、52
4…基板バッキング膜、526…保持リングの内表面、528…保持リング、6
22…リップ、624…バッキング膜、625…膜チャンバ、626…リングの
内表面、628…リング、722…バンド、724…バンドの底面、726…バ
ンドの内表面、728…内穴、730…保持器支持、732…バンドの水平上面
、734…、736…チャンネル、740環状袋体…、742…穴の内表面、7
44…隙間、822…放射状セグメント、844…隙間、920…保持リング、
922…係合形状、924…接触点。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チェン, ハン, チー アメリカ合衆国, カリフォルニア州, サン ノゼ, オヤマ プレイス 1530 Fターム(参考) 3C058 AA07 AB04 CB01 DA12 DA17

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板研磨のための装置と共に用いられる保持器であって、 前記装置は基板表面に接触する研磨面を持つ研磨パッドを有し、前記保持器は
    、 基板を係合し、基板研磨中の横方向の動きに対して前記基板を保持する、内側
    に向いた保持面を備え、前記保持面は基板周囲を、前記周囲に沿った2つ以上の
    別個の円周上位置において係合させる、基板研磨のための装置と共に用いられる
    保持器。
  2. 【請求項2】 前記保持面が、基板周囲を少なくとも2つの別個の、互いに
    離れた位置で係合する請求項1に記載の保持器。
  3. 【請求項3】 前記保持面が、基板周囲を少なくとも1つの円周上の係合領
    域に沿って係合する請求項1に記載の保持器。
  4. 【請求項4】 前記円周上の係合領域が、少なくとも基板周囲の10°の広
    がりを持つ請求項3に記載の保持器。
  5. 【請求項5】 前記円周上の係合領域が、基板周囲のほぼ全体の範囲にわた
    る請求項3に記載の保持器。
  6. 【請求項6】 縦方向に延びる環状保持部をさらに備え、前記保持部は、保
    持面を形成する円筒型の内表面を有し、前記保持部は、保持部の低端で基板を保
    持するための開口部を有し、前記保持部は、基板との圧縮による係合を維持する
    間に基板を受け入れるに充分な弾性を有する請求項1に記載の保持器。
  7. 【請求項7】 ルーフ部、本体、およびルーフ部から垂れ下がり、環状リセ
    スによって保持リング本体から隔てられた、縦方向に伸びる環状スリーブをさら
    に有し、前記スリーブは保持面を形成する円筒型の内表面を有する請求項1に記
    載の保持器。
  8. 【請求項8】保持リング本体とキャリア本体の間に固定された、放射状に外
    向きに延びる環状フランジと、前記保持面を形成する円筒型内表面を有するフラ
    ンジから垂れ下がり、縦方向に延びる環状スリーブ部をさらに備える、請求項1
    に記載の保持器。
  9. 【請求項9】 クランプと膜支持構造の間に固定された、放射状に内向きに
    延びる環状フランジと、フランジから垂れ下がり縦方向に延び、保持面を形成す
    る円筒型の内表面を有する環状スリープをさらに備える、請求項1に記載の保持
    器。
  10. 【請求項10】 基板研磨のための装置と共に用いられる保持器であり、装
    置は基板表面に接触する研磨面を持つ研磨パッドを有し、前記保持器は、 基板を係合し、基板研磨中の横方向の動きに対して基板を保持する、内側に向
    いた保持面を備え、前記保持面は基板周囲を、前記周囲に沿った複数の円周上位
    置において係合する、基板研磨のための装置と共に用いられる保持器。
  11. 【請求項11】 前記保持面が基板周囲を、基板周囲のほぼ全体にわたる、
    円周上の1つの連続する係合領域に沿って係合する請求項10に記載の保持器。
  12. 【請求項12】 前記保持面が、基板を係合しおよび解除するために円周上
    で調節可能なバンドの内表面によって形成される請求項10に記載の保持器。
  13. 【請求項13】 前記バンドが基板のほぼ全周を覆う請求項12に記載の保
    持器。
  14. 【請求項14】 前記保持器が弾性である請求項10に記載の保持器。
  15. 【請求項15】 前記保持器が可撓性を持つ膜から懸下する環状リップとし
    て形成され、前記膜は基板バッキング面を提供する請求項14に記載の保持器。
  16. 【請求項16】 前記膜が、膨張可能で少なくとも部分的に環状リップ内に
    延びるチャンバを規定する請求項13に記載の保持器。
  17. 【請求項17】 チャンバの膨張が、リップを基板周囲と係合するように傾
    斜させる請求項16に記載の保持器。
  18. 【請求項18】 複数の環状セグメントをさらに備え、各セグメントは底面
    と内表面を有し、セグメントの内表面は保持面を形成し、セグメントは基板周囲
    を圧縮的に係合するよう、選択的に内側に傾斜可能である請求項10に記載の保
    持器。
  19. 【請求項19】 各セグメントの内表面は円筒型部である請求項18に記載
    の保持器。
  20. 【請求項20】 セグメントと支持構造の間に挟まれた、ほぼ環状の膨張可
    能な袋体をさらに備え、したがって前記袋体の膨張がセグメントを放射状に内側
    に傾斜させ、基板周囲を係合する請求項18に記載の保持器。
  21. 【請求項21】 膨張可能な袋体をさらに備え、前記袋体はほぼ環状形状で
    バンドと支持構造の内表面の間に挟まれ、したがって前記袋体の膨張がバンドを
    放射状に内側に傾斜させ基板周囲を係合する請求項12に記載の保持器。
  22. 【請求項22】 基板を研磨する方法であって、 基板表面に接触する研磨面を持った、動く研磨パッドを提供する工程と、 保持器を提供する工程と、 基板周囲と保持器とを、円周上の係合領域に沿って係合する工程と を含む、基板を研磨する方法。
  23. 【請求項23】 動く研磨パッドの研磨面と係合した基板を保持するための
    キャリアヘッドであって、前記キャリアヘッドは、 基板上面を係合し、基板に対し下向きの力を加える基板バッキング膜と、 基板を係合し、かつ基板研磨中の横方向の動きに対して基板を保持するための
    内向きの保持面を持つ保持器と を備え、前記保持面は基板周囲を前記周囲に沿った2つ以上の別個な円周上位
    置において係合する、キャリアヘッド。
  24. 【請求項24】 基板を研磨する装置であって、 研磨面を有する可動研磨パッドと、 回転可能なキャリアヘッドと を含み、前記キャリアヘッドは、 基板の上面を係合し、基板に対し下向きの力を加える基板バッキング膜と、 基板を係合し、かつ基板研磨中の横方向の動きに対して基板を保持するための
    内向きの保持面を持つ保持器と を備え、前記保持面は基板周囲を、前記周囲に沿ったほぼ2つ以上の別個な円
    周上位置において係合する、基板を研磨する装置。
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TW (1) TW541229B (ja)
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005313313A (ja) * 2004-03-31 2005-11-10 Fujikoshi Mach Corp 研磨装置
JP2011255464A (ja) * 2010-06-09 2011-12-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd テンプレート押圧ウェハ研磨方式
KR20140127270A (ko) * 2012-01-27 2014-11-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 연마 헤드 리테이닝 링을 위한 방법 및 장치

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436228B1 (en) * 1998-05-15 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Substrate retainer
US6251215B1 (en) * 1998-06-03 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US6361419B1 (en) * 2000-03-27 2002-03-26 Applied Materials, Inc. Carrier head with controllable edge pressure
EP2085181A1 (en) * 2000-07-31 2009-08-05 Ebara Corporation Substrate holding apparatus and substrate polishing apparatus
US20040020012A1 (en) * 2002-08-02 2004-02-05 Gupte Sheel A. Self-contained hinge for flip-style device
US7029375B2 (en) * 2004-08-31 2006-04-18 Tech Semiconductor Pte. Ltd. Retaining ring structure for edge control during chemical-mechanical polishing
US7198548B1 (en) * 2005-09-30 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Polishing apparatus and method with direct load platen
US7699688B2 (en) * 2006-11-22 2010-04-20 Applied Materials, Inc. Carrier ring for carrier head
US20100120335A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Novellus Systems, Inc. Partial Contact Wafer Retaining Ring Apparatus
JP5392483B2 (ja) * 2009-08-31 2014-01-22 不二越機械工業株式会社 研磨装置
US20120021673A1 (en) * 2010-07-20 2012-01-26 Applied Materials, Inc. Substrate holder to reduce substrate edge stress during chemical mechanical polishing
EP3406402B1 (en) 2010-08-06 2021-06-30 Applied Materials, Inc. Substrate edge tuning with retaining ring
US20120040591A1 (en) * 2010-08-16 2012-02-16 Strasbaugh, Inc. Replaceable cover for membrane carrier
US9199354B2 (en) 2012-10-29 2015-12-01 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder
US9233452B2 (en) 2012-10-29 2016-01-12 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder
US8998677B2 (en) 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Bellows driven floatation-type abrading workholder
US9011207B2 (en) 2012-10-29 2015-04-21 Wayne O. Duescher Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder
US9039488B2 (en) 2012-10-29 2015-05-26 Wayne O. Duescher Pin driven flexible chamber abrading workholder
US9604339B2 (en) 2012-10-29 2017-03-28 Wayne O. Duescher Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder
US8998678B2 (en) 2012-10-29 2015-04-07 Wayne O. Duescher Spider arm driven flexible chamber abrading workholder
US8845394B2 (en) 2012-10-29 2014-09-30 Wayne O. Duescher Bellows driven air floatation abrading workholder
WO2014109929A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Applied Materials, Inc Chemical mechanical polishing apparatus and methods
US9227297B2 (en) * 2013-03-20 2016-01-05 Applied Materials, Inc. Retaining ring with attachable segments
USD766849S1 (en) 2013-05-15 2016-09-20 Ebara Corporation Substrate retaining ring
JP6403981B2 (ja) * 2013-11-13 2018-10-10 株式会社荏原製作所 基板保持装置、研磨装置、研磨方法、およびリテーナリング
US9368371B2 (en) * 2014-04-22 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Retaining ring having inner surfaces with facets
WO2016093504A1 (ko) * 2014-12-08 2016-06-16 유현정 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드
US10500695B2 (en) 2015-05-29 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Retaining ring having inner surfaces with features
JP1556433S (ja) * 2015-10-06 2016-08-15
US10029346B2 (en) 2015-10-16 2018-07-24 Applied Materials, Inc. External clamp ring for a chemical mechanical polishing carrier head
JP6380333B2 (ja) * 2015-10-30 2018-08-29 株式会社Sumco ウェーハ研磨装置およびこれに用いる研磨ヘッド
CN107088829B (zh) * 2017-05-16 2023-08-08 张家港市宇安精密机械有限公司 套筒研磨夹具
CN107030592A (zh) * 2017-05-16 2017-08-11 遵义顺峰汽车零部件制造有限公司 一种汽车套筒加工用工装
US10926378B2 (en) 2017-07-08 2021-02-23 Wayne O. Duescher Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet
WO2020176385A1 (en) 2019-02-28 2020-09-03 Applied Materials, Inc. Retainer for chemical mechanical polishing carrier head
JP1651619S (ja) * 2019-07-11 2020-01-27
JP1651618S (ja) * 2019-07-11 2020-01-27
JP1651623S (ja) * 2019-07-18 2020-01-27
US11691241B1 (en) * 2019-08-05 2023-07-04 Keltech Engineering, Inc. Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier
US11511390B2 (en) 2019-08-30 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Pivotable substrate retaining ring
US11724355B2 (en) 2020-09-30 2023-08-15 Applied Materials, Inc. Substrate polish edge uniformity control with secondary fluid dispense
KR20220116311A (ko) 2020-10-13 2022-08-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 접촉 연장부 또는 조절가능한 정지부를 갖는 기판 연마 장치
US11623321B2 (en) 2020-10-14 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Polishing head retaining ring tilting moment control
US20230063687A1 (en) * 2021-08-27 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Apparatus for polishing a wafer
CN115008342B (zh) * 2022-06-15 2023-08-25 安徽禾臣新材料有限公司 一种晶片抛光用防崩角的无蜡垫及其生产工艺
WO2024049890A1 (en) * 2022-09-01 2024-03-07 Applied Materials, Inc. Retainer for chemical mechanical polishing carrier head

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2671368A (en) * 1951-03-12 1954-03-09 Diebold Fritz Wrench, including movable or stationary jaws
JPS5027195A (ja) 1973-07-13 1975-03-20
US4319432A (en) * 1980-05-13 1982-03-16 Spitfire Tool And Machine Co. Polishing fixture
USD271939S (en) * 1981-07-24 1983-12-27 Little William D C-clamp
US4954142A (en) 1989-03-07 1990-09-04 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
JPH04118968A (ja) 1990-09-10 1992-04-20 Seiko Epson Corp 半導体集積回路装置
JPH0727748A (ja) 1991-11-15 1995-01-31 Hideaki Takahashi 板材の熱応力破壊試験法
US5205082A (en) 1991-12-20 1993-04-27 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head having floating retainer ring
JP3218572B2 (ja) 1992-07-01 2001-10-15 不二越機械工業株式会社 ウェーハ加圧用ポリッシングプレート
DE69316849T2 (de) 1992-11-27 1998-09-10 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren und Gerät zum Polieren eines Werkstückes
US5635083A (en) * 1993-08-06 1997-06-03 Intel Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate
US5351585A (en) * 1993-08-11 1994-10-04 Petersen Manufacturing Co. Inc. Large capacity locking pliers
US5584746A (en) * 1993-10-18 1996-12-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor
JP3329034B2 (ja) 1993-11-06 2002-09-30 ソニー株式会社 半導体基板の研磨装置
US5624299A (en) * 1993-12-27 1997-04-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use
US5533924A (en) 1994-09-01 1996-07-09 Micron Technology, Inc. Polishing apparatus, a polishing wafer carrier apparatus, a replacable component for a particular polishing apparatus and a process of polishing wafers
JP3158934B2 (ja) 1995-02-28 2001-04-23 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
TW353203B (en) * 1995-04-10 1999-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus for holding substrate to be polished
US5643061A (en) * 1995-07-20 1997-07-01 Integrated Process Equipment Corporation Pneumatic polishing head for CMP apparatus
KR100485002B1 (ko) * 1996-02-16 2005-08-29 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 작업물폴리싱장치및방법
US5876273A (en) 1996-04-01 1999-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for polishing a wafer
JP2979382B2 (ja) 1996-04-12 1999-11-15 元旦ビューティ工業株式会社 建築物の縦葺き外装構造
US6183354B1 (en) * 1996-11-08 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US6146259A (en) * 1996-11-08 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus
USD457410S1 (en) * 1996-12-05 2002-05-21 Eric Von Fange C-clamp
US5865074A (en) * 1997-03-19 1999-02-02 Hsieh; Chih-Ching Box end wrench with stop means to hold down the bolt or nut to be turned
US5893307A (en) * 1997-04-25 1999-04-13 Tao; Liang-Che Pliers with biasing element
US6110025A (en) * 1997-05-07 2000-08-29 Obsidian, Inc. Containment ring for substrate carrier apparatus
US5944593A (en) * 1997-09-01 1999-08-31 United Microelectronics Corp. Retainer ring for polishing head of chemical-mechanical polish machines
US6080040A (en) * 1997-11-05 2000-06-27 Aplex Group Wafer carrier head with inflatable bladder and attack angle control for polishing
US6116992A (en) * 1997-12-30 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Substrate retaining ring
US6109601A (en) * 1998-02-05 2000-08-29 St. John, Sr.; Robert W. Fly tying device
JPH11279774A (ja) 1998-03-26 1999-10-12 Hitachi Chem Co Ltd エッチング装置
KR100306824B1 (ko) 1998-05-06 2001-11-30 윤종용 화학적기계적평탄화기계를위한웨이퍼홀더
US6712672B1 (en) * 1998-05-06 2004-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Clamping wafer holder for chemica-mechanical planarization machines and method for using it
US6436228B1 (en) * 1998-05-15 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Substrate retainer
US6390904B1 (en) 1998-05-21 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Retainers and non-abrasive liners used in chemical mechanical polishing
US6251215B1 (en) * 1998-06-03 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US6267655B1 (en) * 1998-07-15 2001-07-31 Mosel Vitelic, Inc. Retaining ring for wafer polishing
JP2000094307A (ja) * 1998-09-18 2000-04-04 Ebara Corp ポリッシング装置
JP3873557B2 (ja) * 2000-01-07 2007-01-24 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
US6722965B2 (en) * 2000-07-11 2004-04-20 Applied Materials Inc. Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area
US7381276B2 (en) * 2002-07-16 2008-06-03 International Business Machines Corporation Susceptor pocket with beveled projection sidewall
US7001245B2 (en) * 2003-03-07 2006-02-21 Applied Materials Inc. Substrate carrier with a textured membrane
US7255771B2 (en) * 2004-03-26 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Multiple zone carrier head with flexible membrane
US7597609B2 (en) * 2006-10-12 2009-10-06 Iv Technologies Co., Ltd. Substrate retaining ring for CMP
US20090023362A1 (en) * 2007-07-17 2009-01-22 Tzu-Shin Chen Retaining ring for chemical mechanical polishing, its operational method and application system

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005313313A (ja) * 2004-03-31 2005-11-10 Fujikoshi Mach Corp 研磨装置
JP4583207B2 (ja) * 2004-03-31 2010-11-17 不二越機械工業株式会社 研磨装置
JP2011255464A (ja) * 2010-06-09 2011-12-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd テンプレート押圧ウェハ研磨方式
KR20140127270A (ko) * 2012-01-27 2014-11-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 연마 헤드 리테이닝 링을 위한 방법 및 장치
JP2015505518A (ja) * 2012-01-27 2015-02-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 改善された研磨ヘッド保持リングのための方法および装置
KR102043479B1 (ko) * 2012-01-27 2019-11-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 연마 헤드 리테이닝 링을 위한 방법 및 장치

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