JP2002515126A - 画像表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 画像表示装置は２個の支持プレート（１，２）を具え、光電層（５）を封止する。２個の支持プレートの一方のプレート（１）にほぼ透明な複数の画素電極（７４）を形成し、他方の支持プレート（２）は少なくとも１個の対向電極（９）を有する。画素電極（７４）はほぼ透明な導体トラック（１１）により各接点（１２）に接続し、この接点面上に半導体駆動装置（１３）を配置する。光電層（５）の領域の外側において、少なくとも導体トラック（１１）の端部に金属性のトップ層（１７）を形成し、このトップ層を接点面（１２）の付近まで延在させる。導体トラック間の抵抗変化を抑制するため、金属トップ層（１７）は接点面（１２）を横切るが接点面の一部だけを覆うように延在する形態（例えば、比較的細い金属トラック（１８））で接点面（１２）の方向に連続する。本発明による方法によりこの画像表示装置を製造する際、堆積マスク（２５）を導体トラック上に形成する。このマスクは導体トラックよりも細い歯（２４）を有するくし形パターン（２３）を有する。少なくとも１個の歯（２４）は導体トラック（１１）の端部及び関連する接点面の位置まで延在する。堆積マスク（２５）をマスクとして用い、導体トラック上に金属を選択的に堆積させる。

Description

【発明の詳細な説明】 画像表示装置及びその製造方法 本発明は、光電層を封止する２個の支持プレートを具え、第１の支持プレート に少なくともほぼ透明な複数の画素電極を形成し、対向する支持プレートが少な くとも１個の対向電極を有し、前記第１の支持プレートは、半導体駆動装置が配 置される各接点面に接続されている少なくともほぼ透明な導体トラックを有し、 導体トラックの第１の組が画素電極を構成する画像表示装置に関するものである 。 また、本発明は、支持プレート上に少なくともほぼ透明な導電層を形成し、こ の導電層にエッチングマスクを設け、このエッチングマスクをマスキングとして 前記導電層から複数の画素電極及び導体トラックをエッチング形成して画像表示 装置を製造する画像表示装置の製造方法に関するものである。 冒頭部で述べた形式の既知の画像表示装置は液晶材料の光電層を封止するガラ スの２個の透明平行支持プレートを具えている。２個の支持プレートのうちの第 １の支持プレートには複数のほぼ透明な画素電極が形成され、これら画素電極は ほぼ透明な導体トラックを介して各接点面に接続され、これら接点面は導体トラ ックの比較的細い端部により構成されている。対向する支持プレートには同様に 透明な対向電極が形成されている。半導体駆動装置が接点面に配置され、この駆 動装置には対応する数の接点面が形成され、これら接点面は導体バンプにより電 気的な方法で画像表示装置の接点面に接続されている。画素電極は駆動装置によ り駆動されている。 この既知の装置では、電極及び導体トラックについてインジウムスズ酸化物が 用いられている。インジウムスズ酸化物は電気的に導体ではあるが、この材料は 例えばアンチモンが添加され又は添加されていない酸化物のような他の透明導電 性材料と同様に多くの金属や他の金属化材料よりも相当大きな比抵抗を有する。 特に、光電層として超捩じれネマテック（ＳＴＮ）液晶層を用いる改良された画 像表示装置においては、画素電極の厚さを比較的薄くすることが望ましいため、 導体トラックについて透明導体材料を用いると単位面積当たりの抵抗が相当大き くなってしまう。 この欠点は、画素電極についてだけでなく、実際の画像面の外側に配置され半 導体駆動装置を駆動するために用いられる電極にも適用される。この電極はより 簡単な処理形成するため一般に同時に形成されている。 導体トラックの全抵抗特に細い端部の抵抗を低減するため、導体トラックには シーリングエッジの外側においてニッケル又はクロミウムの金属トップ層がコー トされ、導体トラックの単位面積当たりの抵抗が相当薄い厚さで１オーダ低減さ れている。金属トップ層は接点面まで形成されているが、導体バンプが透明導体 材料と直接接触するためすなわちニッケルのトップ層を介在させることなく接続 するため、トップ層は接点面から完全に離れている。例えば熱圧着、接着及び半 田付けのような通常の接続技術を用いる場合、トップ層の材料との満足でき信頼 性の高い導体バンプを実現することは可能（極めて良好に）ではないように思わ れ、これに対して下側の透明導体材料との接点は容易に得られる。これは、多分 金属トップ層上に形成され導体バンプを導体トラックから絶縁する薄い酸化層が 原因である。この絶縁性酸化層は下側の透明導体材料上には形成されない。 導体トラックの直列抵抗は相当減少し、駆動装置と外部接続部との間並びに駆 動装置と画像表示装置との間の相互接続が確立されるが、実際には既知の装置は 満足し得るように動作しないのが実情である。 このような不都合は、半導体駆動装置が複数のＩＣを有する場合に顕著になる 。すなわち、ＩＣ間において接点状態が相異し、特に入力部（及び、例えば給電 接点）における抵抗の差異により出力電圧が変化し、つまり画素電極における電 圧変動が生じてしまう。画素電圧がＩＣ間で相異すると、ラインのブロックにブ ロック誤差と称せられる異なる駆動電圧が印加されてしまう。 さらに、既知の画像表示装置の製造は、極めて再現性に乏しく多数の製品が受 け入れられなくなってしまうおそれがある。 本発明の目的は、上述した欠点が除去され又は少なくとも相当改善された冒頭 部で述べた型式の画像表示装置及びその製造方法を提供することにある。 本発明では、冒頭部で述べた型式の画像表示装置において、透明導体トラック の第２の組の少なくとも一部に、少なくとも導体トラックの端部において前記導 体トラックの端部と関連する接点面を少なくとも部分的に覆わない金属性のトッ プ層を形成したことを特徴とする。好ましくは、透明導体の第１の組にも金属性 のトップ層を形成する。 本発明は、既知の装置の満足し得ない動作及び乏しい再現性は駆動電圧の変化 、特に入力部及び他の駆動接続部における駆動電圧の変化、つまり画素電極にお ける駆動電圧の変化に起因するとの認識に基いている。既知の装置において、駆 動電圧は画素電極間で相異するばかりでなく、異なるＩＣによって駆動される画 素電極によるグループ間でも相異し（ブロック誤差）、さらに画像表示装置間に おいても相異する。本発明者は、このような電圧変化は、金属トップ層に対する 半導体駆動装置の位置決め誤差に起因する（避けられない）導体トラックの抵抗 変化の結果として生ずるものと認識している。 このような位置決め誤差により、導体バンプと導体トラックの金属トップ層の 始点（又は端部）との間の距離が別の導体トラックにおける距離よりも長くなり 又は短くなり、さらにこの距離は画像表示装置間でも変化する。導体トラックの 金属トップ層が形成されていない部分は金属トップ層が形成されている部分より もより大きな単位面積当たりの抵抗を有しているため、この導体バンプと金属ト ップ層の始点との間の距離の変化により特に導体トラックの比較的細い端部にお いて相当大きな抵抗変化が生じ、駆動装置と関連するＩＣの駆動兼制御入力部の 電圧が変化してしまう。 本発明による画像表示装置では、この抵抗変化は相当減少する。この理由は、 金属トップ層が接点面の前側で終端せず接点面を横切るように延在するからであ る。金属トラックの方向の位置決め公差に起因する抵抗変化を補償するため、好 適実施例は、金属接点層が比較的細い金属トラックの形態として接点面に向けて 連続するこを特徴とする。本発明では、金属トラックは接点面を部分的にだけ覆 うにすぎないが、微小の幅で覆うだけでも金属トラックの単位面積当たりの抵抗 は相当減少し、導体トラック間の抵抗の差異は相当小さくなる。他方において、 接点面の区域においては透明導体材料の面は非コート状態にして導体バンプとの 満足でき信頼性のある接点を確立する。従って、本発明により、冒頭部で述べた 形式の画像表示装置について相当良好な効果及び優れた再現性が得られる。画素 電極の一部を構成する電極に金属接点層が形成される場合にも同様な利点がえら れる。 本発明の画像表示装置の特別な実施例では、金属トラックは、金属トップ層が 接点面の区域においてその幅の一部となるように、特にその幅の半分以下となる ように細く形成する。金属トップ層の幅が接点面の半分以下の場合、接点面の半 分以上の部分が導体バンプとの満足し得る電気的接点を形成するために用いるこ とができる。従って、金属トラックは金属トップ層が連続するので、金属トラッ クは金属トップ層の他の部分と同一の堆積工程で形成することができる。 本発明では、冒頭部で述べた型式の画像表示装置を製造するに際し、導体トラ ックよりも細い複数の歯を有するくし形パターンを覆わない堆積マスクを前記導 体トラック及び画素電極上に配置し、前記歯のうち少なくとも１個の歯を導体ト ラックの端部及び関連する接点面の位置に延在させ、堆積マスクをマスキングと して前記導体トラック上に金属を選択的に堆積させ、導体トラックに金属のトッ プ層を形成した後前記支持プレートをギャップを形成するように第２の支持プレ ートに結合し、前記ギャップに液晶材料を充填することを特徴とする。従って、 少なくとも１個の歯の位置において、くし形パターンのベース部分の区域に形成 された導体トラック上に堆積された金属性のトップ層の他の部分と連続する金属 トラックが形成される。このような選択堆積として、例えば金属材料がトラック 間には堆積せず導体トラックに選択的に堆積する電着を用いることができる。 この製造方法において、すでに形成されている導体トラックに対して堆積マス クを整列させる必要がある。考慮すべき整列誤差を緩和するため、本発明による 方法の特有の実施例は、最大でも導体トラックの幅で好ましくは導体トラックの 幅に少なくともほぼ等しいピッチで位置決めされた少なくともほぼ等間隔の複数 の歯を有するくし形パターンを有する堆積マスクを用いることを特徴とする。こ の場合、金属トラックの堆積は、導体トラックと直交する方向の堆積マスクの変 位に対して影響を受けない。この理由は、この堆積マスクを使用する場合、くし 形パターンの少なくとも１個の歯が導体トラック上に常時位置するからである。 さらに、選択堆積技術を用いれば、常時金属が導体トラック上に少なくともほぼ 排他的に堆積し、堆積マスクの整列性が重要ではなくなる。 本発明による方法の別の実施例においては、堆積マスクのくし形パターンの歯 間において導体トラックの幅の半分以上の相互距離を維持する。この場合、金属 トラックの区域における導体トラックはその幅の半分又はそれ以上の部分に金属 材料が堆積していないので、十分に自由な接点面が維持され、その上に半導体駆 動装置が形成される導体バンプとの間で満足でき信頼性のある接点を形成するこ とができる。 本発明による方法の好適実施例において、エッチングマスクを、局部的に露光 し次にポジのフォトレジスト層を現像することにより、すなわちフォトレジスト の露光された部分を現像により除去することにより形成する。従って、画素電極 及び導体トラックをエッチングにより形成した後、エッチングマスクを局部的に 露光することにより堆積マスクを簡単に形成することができ、堆積マスクの所望 のパターンはエッチングマスクに結像されその後現像される。 本発明による方法においては、導体トラックを金属化することもできる。 以下図面に基づき本発明を詳細に説明する。 図１は本発明による画像表示装置の平面図である。 図２は図１の画像表示装置のII−II線断面図である。 図３ａ配設本発明による金属トラックが形成されている図１の導体トラックの 端部の詳細な構成を示す。 金属トラックのない導体トラックの端部の詳細な構成を示す。 図３ｃ〜３ｅは図３ａの変形例を示す。 図４〜図６は本発明の画像表示装置の順次の製造工程を示す平面図である。 図面は線図的でありスケール通りに表示されていない。図面を明瞭にするため 、一部の寸法は拡大して示す。 図１及び図２の画像表示装置はガラスから成る２個の透明支持プレート１及び ２を具える。これら支持プレートはシーリングエッジ３により相互に連結してギ ャップ４を形成し、このギャップに液晶材料の光電層５を封止する。２個の支持 プレートの一方のプレートの液晶５と対向する側にインジウムスズ酸化物（ＩＴ Ｏ）の複数の透明な画素電極６１〜６７，７１〜７７，８１〜８７，９１〜９７ を形成する。これら画素電極はグループとして配置されグループ毎に所定の文字 組をを発生させることができる。インジウムスズ酸化物から成り対向電極を構成 する透明電極９を反対側の支持プレート２上に形成する。ＩＴＯ電極６１〜６７ ，７１〜７７，８１〜８７は不働化層及び分離され又は分離されていない配向層 １０、本例の場合適当なポリイミドでコートする。 画素電極６１〜６７，７１〜７７，８１〜８７は透明な導体トラック１１によ り各接点面１２に個別に接続する。接点面は約１００μｍの端部幅の導体トラッ ク１１により形成する。半導体駆動装置１３を接点面１２に形成する。この装置 は、導体バンプ１４により導体トラック１１の接点面１２に電気的に接続された 対応する接点面（図示せず）を有する。導体バンプは金で構成され、接着層１５ により接点面１２に固定する。画素電極６１〜６７，７１〜７７，８１〜８７は 半導体駆動装置１３により所望のように駆動することができる。この駆動装置は 適当な合成材料にモールド形成されて機械的及び化学的影響から保護する。 導体トラック１１の直列抵抗を低減するため、導体トラック１１特にその細条 端部をシーリングエッジの外側、すなわち装置の画像面の外側で厚さ約３００μ ｍのニッケルの金属トップ層１７でコートする。このトップ層１７は約１０Ω／ □の単位面積当たりの抵抗を有し、この抵抗は下側の約２５００ｎｍの厚さのイ ンジウムスズ酸化物の導体トラック１１よりも相当低く、インジウムスズ酸化物 の単位面積当たりの抵抗は約２５０Ω／□である。しかしながら、このトップ層 の欠点は、貼付、半田付け又は熱圧着のような通常の技術により導体バンプ１４ を用いて満足でき信頼性のある電気的接点を形成するのが困難なことであり、こ の電気的接点は下側の導体トラック１１上に満足しうるように形成できる。従っ て本発明では、導体トラック１１を接点面１２に至る全体に渡ってニッケルトッ プ層１７でコートし、本例ではトップ層１７を少なくとも接点面１２の区域にお いてオリジナルの幅の部分まで細くする。トップ層１７は約２５μｍの幅の細い 金属トラック１８の形態として接点面１２の方向に連続し、この金属トラック１ ８は接点面１２をその中央を経て延在する。この状態を図三ａに詳細に示す。 金属トラック１８は接点面１２を覆い導体トラック１１の残りの部分は一部で あるが、導体トラック１１の平方当たりの抵抗は、狭い幅でも相当小さくなる。 特に、このように構成することにより、駆動装置の位置決め誤差による導体トラ ック間の抵抗変化及び画像表示装置間の変化が小さくなる。更に説明するに、図 ３ｂは図３ａの形態から金属トラック１８を除いたものを示す。 駆動装置と金属トップ層との相互位置決め公差は約５０μｍであるので、導体 バンプ１４の公称位置は約５０μｍだけ金属トップ層１７から離間し、この状態 をライン２０として示す。位置決め及び整列誤差により金属層と導体バンプが共 に相互に５０μｍだけ近づくと、これらは相互に接触し、図３ａ及び図３ｂの場 合導体トラックの抵抗は主として金属トップ層即ち単位面積当たり約１０Ω／□ の抵抗を有するニッケル層の抵抗により決定される。１００μｍの距離を超える 場合、この導体トラックの１００μｍ幅の抵抗は以下のようになる。 導体バンプ１４と金属トップ層１７とが互いに５０μｍだけ離間している別 の限界の場合、この抵抗は図３ｂの最初の１００μｍに関して導体トラック１１ のインジュウムスズ酸化物により決定される。２５０Ω／□の単位面積当たりの 抵抗の場合、全抵抗Ｒは以下のようになる。 すなわち、図３ｂの状態において、抵抗は導体トラック間において並びに装置 間において２５倍変化し、関連する場合においては画素電極の駆動電圧として受 け入れられない変化となってしまう。 一方、本発明では、金属トップ層は接点面の前側で終端せず接点面を横切る金 属トラックの形態として連続するので、図３ａに示す約２５μｍ幅の比較的細い ニッケルトラックの場合、導体トラックの最初の１００μｍの抵抗は以下の値ま で減少する。 すなわち、位置決め及び整列誤差により、導体トラック１１の抵抗は別の導体 トラックの抵抗から４倍だけ偏移するにすぎず、この抵抗変化は図３ｂの状態に 比べて１／６以下に減少する。金属トラック１８を太くすることにより抵抗をさ らに減少させることができるが、十分な量の自由なＩＴＯ表面を確保して導体バ ンプ１４と満足し得る電気的接続を確保する必要がある。この場合、半分以上の 接点面が自由な表面として残存する限り満足し得る接点を形成することが可能で ある。すなわち、５０μｍ幅のニッケルトラックの場合、導体トラックの起り得 る抵抗変化は図３ｂの場合に比べて１／１２以下に低減することができる。さら に、単位表面積当りの抵抗が小さくなるようにより厚い金属トラックを用いるこ とにより抵抗値は一層小さくなり、或は、特にバンプについてより広い表面積が 必要な場合、図３ｃに示すように、導体トラックを接点面の区域においてより太 くすることにより抵抗を低減させることができる。図３ｄは、細条状の突出部（ 必要な場合、開口の幅全体に亘って延在することができる）が、電極方向と直交 する方向の位置決め公差に起因する電圧変化を減少させる例を示す。図３ｅは図 ３ａの別の変形例を示す。 画像表示装置を製造するため、約２５００ｎｍの厚さのインジュウムスズ酸化 物の層をガラスプレート上に形成し、次にポジのフォトレジスト層をコートする 。フォトリソグラフィマスクを介してフォトレジスト層を露光し現像すると、フ ォトレジスト層の露光された部分が溶解してエッチングマスクが形成され、この エッチングマスクを用いてＩＴＯ層をパターンにエッチングし、エッチングマス クをマスクとして画素電極６１〜６７，７１〜７７，８１〜８７及び導体トラッ ク１１を形成する、図４参照。 本発明では、次に堆積マスクを導体トラック上に形成する。この堆積マスクは 導体トラックよりも一層細い歯２４を有するくし形パターン２３を有する。これ ら歯２４の少なくとも１個は導体トラック１１の端部及び関連する接点面１２を 横切るように延在する。この堆積マスクは、フォトリソグラフィマスク２２を介 して所望の堆積マスクに対して相補形のパターンを用いて未露光のポジのフォト レジストのエッチングマスク２１を露光することにより形成される。このマスク ２２は、規則的なピッチＰだけ離間したほぼ等距離で形成した歯２４を有するく し形パターン２３を有する。本例では、ピッチＰは導体トラック１１の幅Ｗに等 しくし、パターン２３の少なくとも１個の歯２４を導体トラック１１上に常時位 置させる。従って、ピッチＰが幅Ｗよりも小さくなるように選択される場合、こ の本発明による製造方法はマスク２２の横方向の整列誤差に対する影響を受けな い。 フォトマスク２２をマスキングとして用い、エッチングマスク２１を最終的な 堆積マスク２４のパターンに対して相補的なパターンとして露光する。次にエッ チングマスクを現像し露光された部分を溶解することにより、所望の堆積マスク ２５が得られる、図５参照。このマスクにより、フォトマスク２２によって規定 されるくし形パターン２３が形成される。 次に、このようにして形成された基体を無電解ニッケルメッキ槽に導入し、導 体トラックの自由インジュウムスズ酸化物上にニッケルを選択的に堆積する。導 体トラック１１のトラック間又は堆積マスク２５の区域にはニッケルは全く堆積 しない。次に、堆積マスクを除去し、図６の構造体が得られ、導体トラック１１ には少なくともその端部に厚さが約３００ｎｍのニッケルのトップ層がコートさ れ、ニッケルコート層１７は、導体トラック１１と関連する接点面１２の区域に おいて接点面１２を通る幅が約２５μｍの金属トラック１８となるように細く形 成される。 画像面の区域において、不働化層及び個別の又は分離されていない配向層を画 素電極上に形成し、その後通常の方法でガラスプレートを第２のガラスプレート と共に結合して液晶材料が充填されたセルを形成する。その後、通常の方法で導 体トラックの接点面上に配置された半導体駆動装置と共に完成し、この駆動装置 に電源及び適当なハウジングを設ける。 本発明は上述した実施例に基いて説明したが、本発明は上述した実施例に限定 されないこと明らかである。そして、本発明の範囲内において種々の変形や変更 が可能である。例えば、上述した方法においては、ガラスプレートをセルに形成 した後金属トップ層を形成することができる。しかしながら、図示の実施例のよ うに、導体トラックをほぼ平坦な支持プレート上に金属化処理することが好まし い。この理由は、これにより短絡をおこすおそれのある金属の残留物がシーリン グエッジに残存するのが回避されるためである。 さらに、金属トップ層はニッケルに限定されず、本発明の範囲内において例え ばクロミウム、モリブデン及びタンクリウム又は金属合金及び金属化合物のよう な他の金属や金属のような材料を用いることも可能である。さらに、無電解堆積 以外の選択堆積技術、例えば金属が堆積される予定の導体トラックの導電性を有 効に利用できる電着のような他の形態の堆積技術を用いることもできる。 導体トラックの材料に関し、不純物がドープされ又はドープされていないスズ 酸化物のようなＩＴＯ以外の他の透明導体材料を用いることも可能である。上記 事項は、画像表示装置の導体トラックの全数が規定されるように個別に駆動され る多数の個別の対向電極に分割される対向電極にも適用され、このような電極形 態は通常マルチプレクシングと称されている。 本発明は通常の液晶表示装置だけに限定されず、半導体駆動装置が表示パネル と共に基板上に形成されている全てのフラットパネル型画像表示装置にも有効に 適用することができる。通常の液晶表示装置に加えて、本発明は、例えば液晶材 料がポリマ中に分散されているＰＤＬＣ（Polymer Dispersed Liquid Crystal） 装置並びにプラズマ表示装置及び他のフラットパネル型蛍光画像表示装置にも適 用することができる。さらに、本発明は画素電極が駆動装置により直接駆動され る受働装置だけでなく、画素電極がアクティブ（半導体）スイッチング素子を介 して駆動される能働型の装置にも適用することができる。 一般に、本発明は、駆動回路及び画素電極が、部分的に金属化されほぼ透明な 導体トラックを介して駆動され、導体トラックの抵抗変化及び画素電極に生ずる 電圧変化を有効に低減できる画像表示装置を提供する。従って、本発明により、 再現性が一層向上すると共に生産の歩留も一層向上する。さらに、本発明は、導 体トラックを金属化するのに必要な堆積マスクの整列を比較的容易に行なうこと ができる極めて実際的な画像表示装置の製造方法を実現する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＫＲ (72)発明者 ドリエッセン ヘンドリクス クリスチャ ン マリア ペーテル オランダ国 6416 エスジー ヘールレン ヤン カンペルトストラート ５ (72)発明者 ファン デル ホルスト コルネリス フ ベルタス テレシア オランダ国 6416 エスジー ヘールレン ヤン カンペルトストラート ５ (72)発明者 シェーファー フベルタス エリザベス アントーン オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ 【要約の続き】 び関連する接点面の位置まで延在する。堆積マスク（２ ５）をマスクとして用い、導体トラック上に金属を選択 的に堆積させる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．光電層を封止する２個の支持プレートを具え、第１の支持プレートに少なく ともほぼ透明な複数の画素電極を形成し、対向する支持プレートが少なくとも １個の対向電極を有し、前記第１の支持プレートは、半導体駆動装置が配置さ れる各接点面に接続されている少なくともほぼ透明な導体トラックを有し、導 体トラックの第１の組が画素電極を構成する画像表示装置において、 前記透明導体トラックの第２の組の少なくとも一部に、少なくとも導体トラ ックの端部において前記導体トラックの端部と関連する接点面を少なくとも部 分的に覆わない金属性のトップ層を形成したことを特徴とする画像表示装置。 ２．請求項１に記載の画像表示装置において、前記透明導体トラックの第１の組 に、少なくとも導体トラックの端部において、導体トラックの端部と関連する 接点面を少なくとも部分的に覆わない金属性のトップ層が形成されていること を特徴とする画像表示装置。 ３．請求項１又は２に記載の画像表示装置において、前記金属性のトップ層が、 前記接点面の円形又は多角形の表面区域を覆わないように構成した画像表示装 置。 ４．請求項１から３までのいずれか１項に記載の画像表示装置において、前記金 属トップ層が、前記接点面を横切りその一部だけを覆うように延在する金属ト ラックを含むことを特徴とする画像表示装置。 ５．請求項４に記載の画像表示装置において、前記金属トップ層が、接点面付近 において接点面の幅の一部の幅の金属トラックになるように細く形成されてい ることを特徴とする画像表示装置。 ６．請求項５に記載の画像表示装置において、前記金属トップ層が、接点面付近 において接点面の幅の半分以下になるように細く形成されていることを特徴と する画像表示装置。 ７．請求項１から６までのいずれか１項に記載の画像表示装置において、前記光 電層が液晶材料を含み、前記金属トップ層がニッケル又はクロミウムを含むこ とを特徴とする画像表示装置。 ８．支持プレート上に少なくともほぼ透明な導電層を形成し、この導電層にエッ チングマスクを設け、このエッチングマスクをマスキングとして前記導電層か ら複数の画素電極及び導体トラックをエッチング形成して画像表示装置を製造 するに当たり、 前記導体トラックよりも細い複数の歯を有するくし形パターンを覆わない堆 積マスクを前記導体トラック及び画素電極上に配置し、前記歯のうち少なくと も１個の歯を導体トラックの端部及び関連する接点面の位置まで延在させ、堆 積マスクをマスキングとして前記導体トラック上に金属を選択的に堆積させ、 導体トラックに金属のトップ層を形成した後前記支持プレートをギャップを形 成するように第２の支持プレートに結合し、前記ギャップに液晶材料を充填す ることを特徴とする画像表示装置の製造方法。 ９．請求項８に記載の方法において、最大でも導体トラックの幅で好ましくは導 体トラックの幅に少なくともほぼ等しいピッチで位置決めされた少なくともほ ぼ等間隔の複数の歯を有するくし形パターンを有する堆積マスクを用いること を特徴とする方法。 １０．請求項８又は９に記載の方法において、前記エッチングマスクを、局部的 に露光し次にポジのフォトレジスト層を現像することにより形成し、導体トラ ック及び画素電極をエッチング形成した後、前記堆積マスクを、前記くし形パ ターンに対して相補的になるように前記エッチングマスクを露光し次に現像す ることにより形成することを特徴とする方法。