JP2002515011A - フッ化カルボニルの製造 - Google Patents

フッ化カルボニルの製造

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Abstract

(57)【要約】 金属フッ化物のようなフッ素含有化合物を、プラズマにより生成されたような励起された状態でCOと反応させてガス状反応混合物を得、次いで該ガス状反応混合物を急冷してCOF2を得ることができることによりフッ化カルボニルを製造する。

Description

【発明の詳細な説明】 フッ化カルボニルの製造 本願は、1994年12月22日に出願されそして現在放棄されている米国特 許出願番号第08/362,355号の一部継続出願である、1995年8月1 日に出願された米国特許出願番号第08/510.060号の一部継続出願であ る。これらの出願はすべて同一発明者により出願されたものである。発明の分野 本発明は、フッ化カルボニルの製造方法に関する。 発明の背景 フッ化カルボニル(COF2)は、例えば、米国特許第2,709,189号 に開示されているような、テトラフルオロエチレン(TFE)の如きフルオロカ ーボンを製造するための中間体として有用である。米国特許第2,757,21 4号は、1000℃以下の温度でフッ化カルシウムをホスゲン(COCl2)と 反応させてパーハロメタンを製造することを開示している。生成された追加の生 成物は、COFCl及びCOF2である。この特許は、反応温度で圧力下にCO とClを化合させることによりホスゲンをその場で形成させることができること も開示している。実施例Xは、過剰のCOを使用してその場でのホスゲン反応体 の形成を開示しており、そして13モル%のCOFCl、20モル%のCO2、 1モル%のパーハロメタン及び1モル%のHClと共に、2モル%のCOF2( +5モル%のSiF4の存在の原因となるいくらかのCOF2の起こり得る損失) を得ることを報告している。低い収率のCO F2と共に大きい収率の実質的に無益な他の生成物の故に、この方法は、COF2 の製造に工業的には使用されなかった。 米国特許第3,322,823号は、COF2を形成する別の方法、即ち、I −A又はII−A族金属フッ化物の炭素との混合物及び炭素の存在下に還元性で ある金属の酸化物を電気炉のアノードを形成するつぼ中で反応させることにより COF2を形成する方法を開示している。COF2は、溶融した反応物質から揮発 し、そして液体窒素トラップに集められる。反応式は下記のとおりである。 CaF2+2TiO2+2C→CaTiO3+TiC+COF2↑ この方法は、電気炉内で溶融物質を作りだす操作が厄介であり、従って費用がか かり、そして多量に作り出されたカルシウム及びチタン副生物は殆又は全然価値 がないという欠点を有する。 COF2は、COCl2をHFと反応させることにより商業的に製造され、従っ て副生物としてHClが得られる。この方法は、ホスゲン反応体を製造すること の費用及び多量のHClの廃棄のコストという欠点を有する。 COF2を製造するためのより経済的な方法が必要である。発明の要約 本発明は、20より大きな分子量を有するフッ素含有化合物を一酸化炭素(C O)と反応させて、高い収率でフッ化カルボニルを得る方法によりこの要求を満 足させる。フッ素含有化合物が金属フッ化物である場合には、他の主な反応生成 物(金属フッ化物からの金属)を回収することができ、そしてこの金属の価値は 、この方法のコストをさらに減じることができる。従って、反応は下記式により 表すことができる。 (1)金属フッ化物+CO→COF2+金属 フッ素含有化合物が他の価値ある部分を有する場合に、同様な回収を行うことが できる。 反応は、フッ素含有化合物及び/又はCO及び/又は不活性ガスにエネルギー を与え(energize)、例えば、これらの物質の1種又は1種より多くのもののプラ ズマを形成し、これにより、反応条件に依存して、解離した種及び場合によりC OF2のガス状反応混合物を与えることにより行われる。解離した種は、COF2 の前駆体である。いずれにせよ、この反応混合物の急冷(quenching)は、COF2 を与える。フッ素含有化合物が金属フッ化物である場合には、周囲の条件でCO F2はガス状であるのに、金属は周囲の条件で普通は固体であることにより、金 属はCOF2から分離される。この方法は、少量の副生物が形成されるように行 われるので、それにより廃棄物廃棄コストを最小にし、しかも金属副生物又は他 の形成された副生物が価値を有する可能性を伴っている。発明の詳細な説明 本発明の方法の出発物質に関しては、COは、商業的に得ることができるか又 は、O2とCを反応器に供給することによりその場で作り出すことができ、好ま しくは、COへの転化をフッ素含有化合物との接触の前に完了させて、いかなる 量のフッ素含有化合物とも反応するための酸素供給物からの酸素はもはや存在し ていないようにする。しかしながら、化合物は、水素及びいかなる他のハロゲン 原子も含まないことが好ましい。化合物が20よりも大きい分子量を有するとい う要件は、好適な化合物としてのHFを排除する。F2は化合物ではないので、 それも又反応器への供給材料としては排除される。フッ素の供給源として使用さ れ る化合物は、有機又は無機であることができ、後者が好ましい。何故ならば、無 機化合物は、天然に存在しているか又は天然に存在する化合物を処理することに より得られるからであり、フッ素含有化合物はこのような処理の副生物であるこ とができ、そして典型的に非炭素質であろう。有機フッ素含有化合物も副生物源 を有することがあり、そして実際に本発明の方法から得られた再循環副生物流か らのものであることができる。 フッ素含有化合物は、化合物又は化合物の混合物即ち、少なくとも1種のフッ 素含有化合物であることができる。それは、化合物の反応性部分であるのはフッ 素原子であり、化合物の残りの部分は広い範囲のものであることができる。フッ 素含有化合物は、反応にフッ素を提供することのみが必要であり、これは、一般 に、熱を伴う反応条件下にフッ素を放出する化合物により達成される。好ましい フッ素含有化合物としての金属フッ化物に関しては、金属は、周規律表の、水素 を除くIA、IB、IIA、IIB、IIIA、IIIB、IVA、窒素を除く VA、VB、酸素を除くVIA、VIB、VIIB及びVIII族の元素から選 ぶことができる(R.H.Perry and C.H.Chilton,Ch emical Engineers Handbook ,5th Editio n,McGraw−Hill,inside cover(1973)。好まし くは、金属フッ化物の金属部分は、反応条件下にCO反応体に対する不活性又は 低い反応性を有し、そして反応条件は、反応中フッ素含有化合物を去るフッ素原 子が化合物、例えば金属フッ化物を再形成するように逆戻りしないような条件で ある。このような反応条件は、フッ素含有化合物から分解離脱したフッ素が逆戻 りするのに利用されないよう、CO部分とより安定に結合するように反応混合物 の急 速な冷却を含むことができる。金属フッ化物を包含するフッ素含有化合物は、簡 単なもの又は複雑なものであることができ、2つのカチオンと1つのアニオンを 含有するもの、例えばフッ素含有錯塩であることができる。金属フッ化物の例は 、フッ化ナトリウム、フッ化マグネシウム、及びフッ化硫黄を包含する。好まし いフッ化物は、低いコストの故に、CaF2及びフッ化ケイ素、例えばSiF4、 Si26及びフッ化ケイ素金属(フルオロケイ酸塩)、例えばフルオロケイ酸カ ルシウムを包含する。追加の金属フッ化物は、フルオロボレート、フルオロホス フェート、及び氷晶石(Na3AlF6)を包含する。有機フッ化物の例は、CF4 、C26及びパーフルオロオレフィン例えばテトラフルオロエチレン及びヘキ サフルオロプロピレンを包含する。 フッ素含有化合物とCOとの反応は、ガス状態において行われ、そしてフッ素 含有化合物からのフッ素原子の除去を含む。熱力学的には、平衡反応として、金 属フッ化物のようなフッ素含有化合物の再形成が予想される。しかしながら、解 離反応を起こさせるために、反応体は、供給材料にエネルギーを与えるのに有効 な、即ち、反応ゾーンにおいて反応体の少なくとも1種の少なくとも一部の解離 を引き起こすのに有効な十分なエネルギーに暴露される。この解離は、本質的に 供給材料の分子の励起された状態であるラジカル、原子及び/又はイオンへの解 離であることができる。或る意味では、反応は、反応ゾーンに存在している解離 エネルギーにより開始される。反応は、ラジカル、原子及び/又はイオンの間で 起こっているけれども、反応は、金属フッ化物のようなフッ素含有化合物とCO との反応として簡単に述べることができる。供給材料の励起状態の効果は、フッ 素含有化合物からのフッ素がガス状反応混合 物において或る方法でCOと化合することが自由であるということである。フッ 素が金属のような化合物の残部と再結合しないようにこの化合を維持するための 手段は、後に述べられるであろう。 本明細書での本発明の説明は、出発物質と使用されるべき反応機構を示したの で、当業者は、必要な解離エネルギーに反応体を暴露するための多くの方法を認 めるであろう。従って、反応は、プラズマ反応器を使用して交流又は直流で、電 気アーク(electric arc)により又は誘導コイルのような電磁エネルギーを生成す る他の装置により、解離エネルギーを生成させることにより行うことができる。 電気アークの場合には、解離エネルギーのアプリケーターは反応ゾーン内にあり 、誘導コイルの場合には、電磁エネルギーのアプリケーターは反応ゾーンの外に あることができるが、反応ゾーン内で解離エネルギーを作り出す。 プラズマ反応器は、プラズマ励起により金属フッ化物/CO反応を行うための 装置の1つのタイプである。このタイプのエネルギー発生器は、1つの電極から 他の電極へと通る電流からのアークを発生する一対の電極を含む。これらの電極 間の放電は、コイル誘発磁場により回転させることができ、又はアークは静止し ていることができる。電極は銅製であることができ、そして水は長い操作時間を 与えるように冷却することができる。本発明に有用な解離エネルギー、この場合 には、電流により発生した電気エネルギー及び熱エネルギーの両方、を与えるの はアークの領域である。アーク領域は、そこに供給されそしてアークに暴露され ると解離する物質のプラズマを生成させ、そして反応器内で流体流の方向にアー クから下流に延びているグロー領域を生成させることができ、このグロー区域は プラズマフレーム(plasma flame)と呼ばれる。アークに よって生じた温度は、バワー入力及び材料供給量を変えることにより制御するこ とができる。反応器から利用できる特定のパワーのために、供給材料の流速は、 供給材料が解離エネルギーへのこの暴露によりエネルギーを与えられる(励起さ れる)ように調節することができる。例えば、回転している電気アークのような 、反応ゾーンにおいて及びアーク内で乱流混合作用を生じさせて、高い操作効率 と長い電極寿命を与える手段を講じることができる。 供給材料の各々は、直接又は間接にエネルギーを与えられること、即ち、電気 アーク又は他の手段によって発生させた解離エネルギーに暴露されることができ る。直接暴露の例は、反応体のすべてが電気アーク(又は異なる装置の電磁場) に供給される場合であろう。間接暴露の例は、反応体の1種のみがアーク内にあ り(直接暴露)そして生じる解離した反応体が、次いでプラズマフレーム内で、 アークから下流で他の反応体と接触させられる(間接暴露)場合であろう。間接 暴露の他の例は、アルゴンのような不活性ガスを直接アーク又は電磁場に暴露さ せてアルゴンの一部を解離させ、そして生じるアルゴンを次いで反応体と接触さ せる場合であろう。プラズマフレームは、プラズマ反応器においてアークに直接 暴露される特定の供給原料から形成されるが、該フレームはアークから下流でプ ラズマと接触させられた供給材料を包み込むこともできる。かくして、本発明は 、供給材料を反応ゾーンで解離エネルギーに暴露する(供給材料にエネルギーを 与えること)ための、又は上記のように、本方法の工程への供給材料にエネルギ ーを与えるためのこれらの可能性のすべてを包含する。これらの可能性は、供給 材料の1種又は1種より多くが電極にたいして腐食性である場合に、電極寿命を 延ばすのに 有効でありうる。かくして、COは、電極領域に供給された唯一の反応体である ことができ、又はアルゴンのような不活性ガスを反応体のいずれかの代わりに電 極領域に供給することができる。 電極と、供給材料にエネルギーを与えるのに使用した熱エネルギーの組み合わ せは、一般に、反応ゾーンへのパワー入力の特定により定量することができる。 熱エネルギーは、反応ゾーンに供給された材料の1種又は1種より多くを予熱す ることにより与えることもできる。反応ゾーンは、プラズマが最初に発生する電 気アーク又は電磁エネルギーの領域及び供給材料を一緒にする領域を包含する。 電気アーク又は電磁場中の温度は、特定のフッ素含有反応体及びプラズマフレ ームの形成を引き起こすための反応ゾーンの圧力に依存してパワー入力及び/又 は供給材料流速を変えることにより変えられるであろう。金属フッ化物反応体の 場合には、フッ素は、ケイ素、マグネシウム、カルシウム及びアルミニウムのよ うな金属に最もしっかりと結合され、そして鉄、銅、亜鉛及び銀のような金属に はそれほどしっかりとは結合されない。一般に、金属/フッ素結合が弱い場合に は、金属フッ化物を解離させるにはより少ないエネルギー(より低い温度)が必 要とされる。特定の金属フッ化物又は他のフッ素含有化合物については、反応ゾ ーン内のより低い圧力は、より低い温度で解離を引き起こさせる。圧力は、大気 圧以下、大気圧又は大気圧以上とすることができる。圧力の効果の例として、四 フッ化炭素が反応ゾーンに供給される場合には、大気圧及び2700℃での解離 のレベルは、10mmHg及び2200℃で得られたレベルと同様であろう。 使用できる圧力の範囲とともに、フッ素含有化合物、例えば金属フッ 化物、使用できる出発物質の範囲については、解離エネルギーの創造において熱 が存在する場合には、反応ゾーンで反応体が一緒になる(come together)温度は 、少なくともフッ素含有化合物からフッ素を放出するのに十分なものであると考 えられる。一般に、大気圧では少なくとも1500℃が必要であろうが、大気圧 以下の圧力ではより低い温度を使用することができる。大気圧では、温度は少な くとも3500℃、好ましくは少なくとも4500℃であることが多い。極端に 高い温度、例えば、5000℃まで、又は6000℃まで又は10,000℃よ り高い温度(その温度ではすべての反応体は解離することができるであろう)を 使用することができる。このような温度では、フッ素含有化合物、例えば金属フ ッ化物は、もしも周囲の温度でガス状でないならば、反応ゾーンで完全に又は部 分的に揮発させられる。フッ素含有化合物、例えば金属フッ化物が反応ゾーンで 暴露される温度は、金属フッ化物を金属イオンとフッ化物イオンに解離させるの に十分なものであることができるが、COの実質的な解離を引き起こしても引き 起こさなくてもよい。金属フッ化物を、存在する最大解離エネルギー、プラズマ 反応器の場合にはアーク、に暴露させ、次いで少なくとも部分的に解離した金属 フッ化物又は他のフッ素含有化合物を、例えば、エネルギーを与えられた金属フ ッ化物により作り出されたプラズマフレーム内でより低い温度でCOと接触させ ることにより、金属フッ化物又は他のフッ素含有化合物を、反応ゾーンでCOよ り高い温度に暴露させることができる。プラズマフレームの温度は、フレーム源 、例えばプラズマトーチからの距離の増加とともに減少する。トーチ及びフッ素 含有化合物のフレームへの導入点から下流でのフレームへのCO反応体の導入は 、解離しているフッ素含有化合 物とCOとの反応を与えるが、本質的にCO反応体の解離を与えない。CO導入 点でのフレームの温度及び導入されたCOの量に依存して、COは、解離したフ ッ素含有化合物からのフッ素と同時に反応しながら、プラズマを急冷する(quenc he)こともできる。好ましくは、COは、20%より少なく解離し、さらに好ま しくは、10%より少なく解離し、そしてさらに好ましくは、反応の時点では殆 ど完全に分子状COである。 四フッ化ケイ素は、周囲の条件でガス状であり、従って、反応ゾーンに都合良 く供給され、反応ゾーンに供給された両反応体はガス状である。 CaF2は、例えば2500℃で沸騰し、従って、反応ゾーンにおける温度及 び圧力に依存して、反応ゾーンにおいてガス又はガスと固体又は液体の混合物と して存在することができる。金属フッ化物又は他のフッ素含有化合物は、やはり 特定のフッ素含有化合物に依存して、ガス及び固体物質の混合物として存在する ことすらできる。約2000℃以下の温度は、熱電対で都合良く測定することが できる。より高い温度、特に電気アーク又はプラズマフレームの温度は、公知手 段により決定することができ、例えば、パワー入力、供給組成物、流速及び熱損 失の測定のようなパラメーターから決定され、又は発光分光法から決定される。 反応ゾーンへの供給物中のCOの割合は、フッ素原子が余って再結合してフッ 素含有化合物、例えば金属フッ化物を再形成することがないように、フッ素含有 化合物のフッ素原子と化合するのに十分なものであることが好ましい。これは、 反応ゾーンに供給されたフッ素含有化合物のすべてがこのゾーンの1回のパス(s ingle pass)でCOと反応するであろうと言っているのではない。反応ゾーンの 1回のパスにおいてフッ素含有化合物の一部のみを反応させそして未反応のフッ 素含有化合物を反 応ゾーンに再循環させてさらに転化することは望ましいことがある。しかしなが ら、好ましくは、反応は、1回のパスで十分なように行われ、金属フッ化物又は 他のフッ素含有化合物の少なくとも50%がそのフッ素を取り除かれ、さらに好 ましくは、少なくとも85%、さらに好ましくは少なくとも90%を取り除かれ る。これらの転化率は未反応の金属フッ化物又は他のフッ素含有化合物を再循環 することによっても得ることができる。 金属フッ化物(又は他のフッ素含有化合物)/CO反応からのガス状反応混合 物として存在する主反応生成物は、金属(又は他のフッ素含有化合物の他の部分 )、及び場合により解離状態における、FとCOのいくらかの組み合わせである と考えられる。COF2が安定である温度にこの反応混合物を急冷すると、CO F2を生じる。反応混合物は、急冷されるとこのCOF2形成能力を有するので、 それが形成される時点での反応生成物は、簡単のために、COF2であると考え ることができる。 反応混合物の急冷は、フッ素原子がフッ素含有化合物の残部と再結合して金属 フッ化物のような化合物を再形成するのを防止することができる。反応における 過剰のCOの存在は、フッ素含有化合物の再形成よりもむしろCOF2の形成に 向けて反応を進める傾向がある。金属が反応混合物からフッ素を引き付けるため にもはや利用されないように、反応混合物からの金属の除去を実施することがで きる。同じことが、他のフッ素含有化合物の他の部分についても言える。これは 、最初に金属(又は他の部分)が非ガス状、即ち、ガス状反応混合物の残部から 分離できる液体又は固体となる温度に、段階的に急冷することにより達成するこ とができる。F及びCO及び/又はCOF2の組み合わせは、次いでその ままで、追加の化学反応又のために使用することができ、又はさらに室温に急冷 することができる。或いは、反応混合物は、単に周囲の条件に急冷することがで き、その場合に、非ガス状金属は、所望のガス状COF2反応生成物から容易に 分離することができる。これらの手段のすべては、急冷すると反応生成物がCO F2であるように、FとCOの化合を維持する。 CF4は、COF2との共生成物として形成されうるが、CF4の形成はいくつ かの方法で最小にすることができる。COは金属フッ化物よりも熱的に安定であ るので、大気圧及びより高い圧力の使用は、反応をCF4よりもCOF2の形成を 優先させるように進める(drive)傾向がある。1つの態様では、反応で発生した 熱は、フッ素含有化合物の解離を引き起こしながら、COを解離しないか又は最 小にしか解離しない。形成されたCF4は、炭素と酸素へのCOの解離からくる と考えられる。このような酸素も形成された金属と反応するのに利用できる。 好ましくは、存在する各2個のフッ素原子についてCOの少なくとも1つの分 子が反応ゾーンに存在し、さらに好ましくは、2個のフッ素原子当たり少なくと も4分子のCOが存在する。大過剰のCO、例えば、20分子のCO/2個のフ ッ素原子が存在することができる。大過剰COの存在は、供給材料にエネルギー を与えるために熱(パワー)の発生の必要を増加させ、かくして、この方法のコ ストを増加させうる。反応混合物中に存在する金属からフッ素を離しておくこと を優先することに加えて、過剰のCOの使用は、CF4よりもむしろCOF2を生 成する方向に反応を進める傾向がある。 ガス状反応混合物の冷却の迅速さもCF4よりもCOF2の形成を優先 させる。好ましい急冷速度は、少なくとも1000℃/secであり、さらに好 ましくは、少なくとも10000℃/sec、例えば、100,000℃/se c及び1,000,000℃/secである。2段階急冷プロセスにおいて、反 応混合物は、2000℃より低く、例えば、1500℃〜2000℃の範囲に急 冷することができ、この温度では、金属は一般に非ガス状となり、ガス状反応混 合物からの分離を可能とする。急冷は、例えば、ガス状反応混合物を、周囲の温 度でありうる冷却した表面及び/又はガス(液体)と接触させることにより得る ことができる。次いで周囲の条件のCOF2が望まれるならば、反応混合物の残 りを次いでその条件にさらに急冷することができ、CF4又は金属フッ化物より もCOF2の形成をさらに優先させる。 本発明の方法により得られ得るCOF2の収率は、金属フッ化物又は他のフッ 素含有化合物の転化率を基準として、少なくとも60%、好ましくは少なくとも 80%、さらに好ましくは少なくとも90%であることができる。ガス状反応混 合物は、未反応フッ素含有化合物、未反応のCO及び少量の他の副生物、例えば 金属フッ化物が該化合物又は他の部分である場合には金属酸化物を含有すること もある。高い沸点の金属フッ化物及び金属酸化物又は他の副生物は、反応副生物 とともにガス状混合物から除去することができる。COは再循環することができ る。この方法がフッ素含有化合物の反応ゾーンの1回のパスとして行われようと 、未反応化合物が、もしあれば、反応ゾーンに再循環させようと、上記したCO F2収率(モル%)は成り立ち、再循環させる場合には、収率はこの方法の最終 収率である。 COF2は、ガス状混合物を周囲の温度に急冷し、続いて蒸留のよう な分離方法によりガス状混合物から除去することができる。或いは、反応混合物 を未反応金属フッ化物及びもしあればCO及び/又は金属副生物を除去して又は 除去しないで、高められた温度に維持することができ、そしてテトラフルオロエ チレンをうるための炭素との反応のような追加の化学反応における供給材料とし て使用することができる。 実施例 実施例1 所望の反応シーケンスは下記のとおりである SiF4+2CO→Si+2COF2 しかしながら、この実施例の供給物は、反応を上記した所望の反応生成物の方 に進めるのを助けるために、400%モル過剰の一酸化炭素を有する。従って、 重量基準で、280g/分のCOを、プラズマ反応器(例えば、ウエスチングハ ウス MARC3 プラズマトーチ)の電極間に大気圧で供給しそして約600 0℃の温度を発生して、電極から下流に延びているCOのプラズマフレームを形 成する。このフレームには、104g/分の予熱したガス状SiF4を注入し、 それによりフレーム中でCOと混合させる。プラズマフレームは、冷却したグラ ファイト反応器中に延びている。フレーム中の温度は約5000℃である。生じ るガス状混合物を、冷却された金属壁との接触により10000℃/secを越 える急冷速度で約1500℃に急冷させ、そして液体生成物をガス状反応混合物 から分離する。この液体生成物は、26g/分の速度で反応器から除去される。 周囲の温度で凝固させると、この生成物の分析値は、Si89重量%、酸素6重 量%及びフッ素5重量%であり、出てくるフッ素はケイ素金属との錯体(表1に おいてSiFと呼ばれる)で ある。この反応生成物を精製して、高純度のSiを得ることができる。冷却され た急冷表面(cooled quenche surface)を使用して10,000℃/秒を越える速 度で600℃に上記ガス状混合物を急冷すると、同様な結果が得られ、その場合 に、固体生成物が26g/分の速度でガス状混合物から分離する。周囲の温度( 15〜20℃)にさらに冷却して、ESCAによる元素分析は、上記液体生成物 に関して得られた結果と同様な結果を与える。 358g/分の残りのガス状反応混合物を、ガス状混合物の急冷から、既に周 囲の温度にないならば、周囲の温度にさらに冷却(急冷)し、そして互いに分離 された生成物は、239g/分の未転化CO、19g/分の未転化SiF4、9 0g/分のCOF2及び10g/分のCF4を生じる。再循環のために利用可能な SiF4を除くと、SiF4からのフッ素の84%が最後にはCOF2に転化され 、14%がCF4に転化され、そして2%が液体金属混合物とともに出る。CO F2対CF4の比は、僅かにより低い温度で反応させることにより増加させること ができる。分離されたCO及び未転化のSiF4は、次いで反応器への再循環の ために利用できる。 この実施例での物質流速を表Iに示す。 この実施例及び他の実施例において出口ガスの分析は、定量分析のための下記 の波数:(cm-1):CO=2172、SiF4=1030、COF2=1955 、及びCF4=1281、を使用して校正された赤外分光法によりなされる。 実施例2 所望の反応シーケンスは下記のとおりである。 CaF2+CO→Ca+COF2 この実施例では、実施例1で述べたプラズマ反応器(トーチ)及びグラファイ ト反応器を使用する。やはり、400%過剰のCOを使用して、反応を所望の生 成物に進ませる。かくして、重量基準で、135g/分のCOを大気圧でアーク 電極に供給し、そして約6000℃に加熱する。追加のCO(約5g/分)を使 用して、78g/分の粉末状の予熱したCaF2の重力供給物を電極から下流で プラズマフレーム中に吸引させ るのを助け、その際温度は約5000℃である。得られるガス状反応流を100 00℃/secを越える速度で1000℃以下の温度に急冷し、そして48g/ 分の速度で固体生成物をガス状反応混合物から除去する。周囲の温度に冷却して 、この固体生成物を分析すると、Ca62重量%、CaF232重量%及びCa O6重量%を含有している。この固体生成物中のCaF2は、反応器に供給され たCaF2の20%に相当し、従って、この供給物の80%が反応器で転化され る。 170g/分の残りのガス状混合物を冷却し(急冷し)そして分析すると、1 18g/分のCO、2g/分のCF4及び50g/分のCOF2を含有している。 CO及びCF4は反応器に再循環させることができる。 この実施例における物質流速を表IIに示す。 実施例3 この実施例の主題事項を形成する実験においては異なるプラズマ反応器を使用 する。プラズマトーチはMetco(Model MBN)ト ーチであり、そしてこのトーチを、内径2.54cm、長さ5.08cmの水冷 式銅シリンダーの頂部開口を横切って取り付けて、プラズマ反応器を形成する。 反応器の出口端部は、水冷式熱交換器と連通している。 プラズマトーチへの供給ガスは、7.5リットル(STP)/分の流速でトー チに供給されるアルゴンから成り、トーチは450アンペアの電流及び33ボル トで操作されて、14.8KWのパワー入力を生成する。アルゴンプラズマフレ ームは、反応器の入り口端部を経由して銅シリンダー(反応器)に延びており、 そしてエネルギーバランス計算は、入り口端部のプラズマフレームの温度(バル クガス温度)が約10,000Kであることを示す。反応器入り口では、SiF4 は注入ノズルを介して1.9リットル(STP)/分でプラズマフレーム中に 注入され、この注入ノズルは、音波速度を促進しそしてプラズマフレーム中での SiF4の良好な混合を促進してSiF4の解離と遊離フッ素の形成を促進するよ うなサイズである。COは、反応器入り口から5.08cm下流で、30リット ル(STP)/分の速度で反応器に注入されて、遊離フッ素と反応しそしてプラ ズマフレームを急冷して、CF4よりもむしろCOF2の形成を優先させる。CO は、反応器に注入されたときは室温であり、COとFの反応と同時に、COは水 冷式反応器壁と一緒になって、得られるガス状反応生成物を迅速に急冷する。 ガス状反応生成物は、赤外分析のために周囲の温度(15〜20℃)に急冷さ れ、そしてこの急冷は、水冷式熱交換器に生成物ガスを通すことにより達成され る。生成物ガスのサンプルを赤外分析のためにTEDLARRポリフッ化ビニル のバッグ中に集める。生成物ガスにおけるフルオロカーボン収率は、COF29 4モル%及びCF46モル%である。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成8年9月18日(1996.9.18) 【補正内容】 請求の範囲 1.20より大きい分子量を有するフッ素含有化合物をCOと反応させ、その 結果としてCOF2を得、該反応はプラズマによりエネルギーを与えられること を特徴とするCOF2の製造方法。 2.反応を、少なくとも1500℃の温度で行う請求の範囲1の方法。 3.反応を、3500℃〜6000℃の温度で行う請求の範囲1の方法。 4.過剰量のCOが反応系に存在する、請求の範囲1の方法。 5.該化合物が有機又は無機のものである、請求の範囲1の方法。 6.該無機化合物が少なくとも1種の金属フッ化物である、請求の範囲5の方 法。 7.該金属フッ化物からの金属も得られ、そして該金属と該COF2を互いに 分離する、請求の範囲6の方法。 8.該金属フッ化物はフッ化ケイ素である、請求の範囲6の方法。 9.該金属フッ化物がフッ化カルシウムである、請求の範囲6の方法。 10.反応温度が、該金属フッ化物の解離を引き起こし且つ該COは本質的に 未解離のままであるような温度である、請求の範囲6の方法。 11.COF2の収率が少なくとも60%である、請求の範囲1の方法。 12.該反応がガス状反応混合物を生成し、そして該ガス状反応混合物を急冷 して該COF2を得る、請求の範囲2の方法。 13.20より大きい分子量を有するフッ素含有化合物をCOと接触及び反応 させ、該反応は、プラズマによりエネルギーを与えられて、該フッ素含有化合物 からフッ素を放出させてガス状反応混合物を形成し、 該ガス状反応混合物を急冷してCOF2を得ることができることを特徴とする方 法。 14.20より大きい分子量を有するフッ素含有化合物又はCO又はその両方 にエネルギーを与えるか、又はエネルギーを与えられた不活性ガスを反応系に供 給することにより反応を行う、請求の範囲13の方法。 15.プラズマ励起によりエネルギーを与える、請求の範囲14の方法。 16.該反応混合物を急冷する請求の範囲13の方法。 17.CF4を該COF2と共生成させる(co−produce)、請求の範囲1の方法 。 18.該フッ素含有化合物が水素を含まない、請求の範囲1の方法。 19.該フッ素含有化合物がフルオロシリケートである、請求の範囲6の方法 。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 08/573,677 (32)優先日 平成7年12月18日(1995.12.18) (33)優先権主張国 米国(US) (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AP(KE,LS,MW,SD,SZ,U G),AL,AM,AU,BB,BG,BR,BY,C A,CN,CZ,EE,FI,GE,HU,IS,JP ,KG,KP,KR,KZ,LK,LR,LT,LV, MD,MG,MK,MN,MX,NO,NZ,PL,R O,RU,SG,SI,SK,TJ,TM,TT,UA ,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.20より大きい分子量を有するフッ素含有化合物をCOと反応させ、その 結果としてCOF2を得ることを特徴とする、COF2の製造方法。 2.反応を、少なくとも1500℃の温度で行う請求の範囲1の方法。 3.反応を、3500℃〜6000℃の温度で行う請求の範囲1の方法。 4.過剰量のCOが反応系に存在する、請求の範囲1の方法。 5.該化合物が有機又は無機のものである、請求の範囲1の方法。 6.該無機化合物が少なくとも1種の金属フッ化物である、請求の範囲5の方 法。 7.該金属フッ化物からの金属も得られ、そして該金属と該COF2を互いに 分離する、請求の範囲6の方法。 8.該金属フッ化物はフッ化ケイ素である、請求の範囲6の方法。 9.該金属フッ化物がフッ化カルシウムである、請求の範囲6の方法。 10.反応温度が、該金属フッ化物の解離を引き起こし且つ該COは本質的に 未解離のままであるような温度である、請求の範囲6の方法。 11.COF2の収率が少なくとも60%である、請求の範囲1の方法。 12.該反応がガス状反応混合物を生成し、そして該ガス状反応混合物を急冷 して該COF2を得る、請求の範囲2の方法。 13.20より大きい分子量を有するフッ素含有化合物を、該フッ素含有化合 物からフッ素を遊離させる温度でCOと接触及び反応させて、ガス状反応混合物 を形成させ、該ガス状反応混合物を急冷してCOF2 を得ることができることを特徴とする方法。 14.20より大きい分子量を有するフッ素含有化合物又はCO又はその両方 にエネルギーを与えるか、又はエネルギーを与えられた不活性ガスを反応系に供 給することにより反応を行う、請求の範囲13の方法。 15.プラズマ励起によりエネルギーを与える、請求の範囲14の方法。 16.該反応混合物を急冷する請求の範囲13の方法。 17.CF4を該COF2と共生成させる(co−produce)、請求の範囲1の方法 。 18.該フッ素含有化合物が水素を含まない、請求の範囲1の方法。 19.該フッ素含有化合物がフルオロシリケートである、請求の範囲6の方法 。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004080894A1 (ja) * 2003-03-14 2004-09-23 Research Institute Of Innovative Technology For The Earth フッ化カルボニルの製造方法
WO2005070824A1 (ja) * 2004-01-26 2005-08-04 Daikin Industries, Ltd. 二フッ化カルボニルの精製方法
JP4851463B2 (ja) * 2005-09-27 2012-01-11 独立行政法人産業技術総合研究所 フッ化カルボニルの製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4104320B2 (ja) * 2001-11-16 2008-06-18 セントラル硝子株式会社 二フッ化カルボニルの製造方法
JP2004262679A (ja) * 2003-02-17 2004-09-24 Daikin Ind Ltd 二フッ化カルボニルの製造方法
EP1770061B1 (en) * 2004-04-28 2017-07-19 Daikin Industries, Ltd. Method for producing carbonyl difluoride
CN102815686B (zh) * 2011-06-07 2016-03-23 大金工业株式会社 碳酰氟的制造方法
US8932406B2 (en) * 2012-09-04 2015-01-13 Matheson Tri-Gas, Inc. In-situ generation of the molecular etcher carbonyl fluoride or any of its variants and its use
CN103213965B (zh) * 2013-04-24 2016-02-17 邯郸净化设备研究所 一种碳酰氟的制备方法
WO2017214923A1 (zh) * 2016-06-16 2017-12-21 邯郸净化设备研究所 一种碳酰氟的纯化方法和制备方法
JP7201617B2 (ja) * 2017-05-15 2023-01-10 ベーリンゲ、イノベイション、アクチボラグ 組立品用のエレメント及び係止装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2709189A (en) * 1954-04-01 1955-05-24 Du Pont Preparation of fluorine-containing compounds by reacting carbon with carbonyl fluoride
US2757214A (en) * 1955-02-18 1956-07-31 Du Pont New process for preparing chlorofluoro methanes from phosgene and a metal fluoride
US3322823A (en) * 1964-06-05 1967-05-30 Dow Chemical Co Method of preparing carbonyl fluoride
BE779137A (ja) * 1971-02-10 1972-08-09 American Cyanamid Co

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004080894A1 (ja) * 2003-03-14 2004-09-23 Research Institute Of Innovative Technology For The Earth フッ化カルボニルの製造方法
US7332628B2 (en) 2003-03-14 2008-02-19 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Process for producing carbonyl fluoride
WO2005070824A1 (ja) * 2004-01-26 2005-08-04 Daikin Industries, Ltd. 二フッ化カルボニルの精製方法
JP4851463B2 (ja) * 2005-09-27 2012-01-11 独立行政法人産業技術総合研究所 フッ化カルボニルの製造方法

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