JP2002507843A - 金属カルコゲン化物薄層を製造する方法及び装置 - Google Patents
金属カルコゲン化物薄層を製造する方法及び装置Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- -1 chalcogenide ions Chemical class 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 5
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000007843 reactive sulfur species Substances 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000007039 two-step reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
- H01L31/1836—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising a growth substrate not being an AIIBVI compound
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C10/00—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
- C23C10/18—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions
- C23C10/20—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions only one element being diffused
- C23C10/22—Metal melt containing the element to be diffused
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/02—Pretreatment of the material to be coated
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、例えば太陽電池内の吸収層もしくは緩衝層として使用するための、金属カルコゲン化物の薄層の製造方法並びに製造装置似関する。従って本発明の根底をなす課題は、経済的及び環境的観点を配慮しながら、一定の品質で均質な金属カルコゲン化物層を簡単に製造するための方法及び装置を提供することである。前記の課題は、本発明により次の記載された方法工程を有する方法により解決される：１．金属イオンを吸着させるために基板上に金属化合物の溶液を塗布する、２．基板の表面に吸着した金属イオンを備えた基板から湿分を除去する、３．吸着した金属イオンと反応させるためにカルコゲン水素含有ガスを導入する。
Description
【０００１】 本発明は、例えば太陽電池における吸収層もしくは緩衝層として使用するため
の金属カルコゲン化物薄層の製造方法及び製造装置に関する。
の金属カルコゲン化物薄層の製造方法及び製造装置に関する。
【０００２】 難溶性の金属カルコゲン化物からなる層の製造のために、今までは頻繁に化学
的浴析出（chemical bath deposition, CBD）の方法が用いられていた。これに ついては２つの異なる変法が公知である。
的浴析出（chemical bath deposition, CBD）の方法が用いられていた。これに ついては２つの異なる変法が公知である。
【０００３】 いわゆるＳＩＬＡＲ法（Successive lonic Layer Adsorption and Reaction）
において、基板は順次に金属塩の溶液及び良好に可溶性のカルコゲン化物の溶液
中に浸漬される。各浴の後に基板の洗浄を行うのが有利である第１の浴中で基板
の表面上に吸着した金属イオンは、第２の浴中でカルコゲン化物イオンと反応さ
せて難溶性の金属カルコゲン化物にする。この処理サイクルは所望の層厚が達成
されるまで繰り返される（M.P. Valkonen, T. Kanniainen, S. Lindros, M. Les
kelae, E. Rauhala; Applied Surface Science, 115 (1997) p. 386-392参照） 。この方法の場合、金属カルコゲン化物層の均等性（均質性）に欠ける欠点があ
る。特に、多孔性表面を有する基板の場合、塗布された層の顕著な外被形成が生
じる。
において、基板は順次に金属塩の溶液及び良好に可溶性のカルコゲン化物の溶液
中に浸漬される。各浴の後に基板の洗浄を行うのが有利である第１の浴中で基板
の表面上に吸着した金属イオンは、第２の浴中でカルコゲン化物イオンと反応さ
せて難溶性の金属カルコゲン化物にする。この処理サイクルは所望の層厚が達成
されるまで繰り返される（M.P. Valkonen, T. Kanniainen, S. Lindros, M. Les
kelae, E. Rauhala; Applied Surface Science, 115 (1997) p. 386-392参照） 。この方法の場合、金属カルコゲン化物層の均等性（均質性）に欠ける欠点があ
る。特に、多孔性表面を有する基板の場合、塗布された層の顕著な外被形成が生
じる。
【０００４】 カルコゲノ−尿素法の場合、溶解した金属塩もしくは金属錯体の浴中でカルコ
ゲノ−尿素を熱分解する。この場合、カルコゲン化物イオンが遊離され、このカ
ルコゲン化物イオンが浸漬された基板表面上に吸着した金属イオンと、難溶性金
属カルコゲン化物を形成しながら反応する（T.M. Friedelmeier, D. Braunger,
D. Hariskos, M. Kaiser, H.M. Wanka, H.W. Schock; Proceedings 25th PVSC,
May 13.-17, 1996, Washington D.C., USA, p. 845-848参照）。この場合、金属
カルコゲン化物の生成プロセスは基板表面上だけでなく全溶液中でも生じてしま
うことが欠点である。従って、基板の被覆のために溶液の著しくわずかな部分し
か使用していないにもかかわらず、この溶液は１回の過程の後でもはや使用不能
である。さらに、この方法は著しく正確な温度管理を必要とし、被覆の品質は使
用したカルコゲノ−尿素の品質に著しく左右される。従って、同じ製造元のカル
コゲノ−尿素の異なるバッチが著しく異なる品質の層を生じさせてしまう。この
品質変動の原因は未だになお解明されていない。
ゲノ−尿素を熱分解する。この場合、カルコゲン化物イオンが遊離され、このカ
ルコゲン化物イオンが浸漬された基板表面上に吸着した金属イオンと、難溶性金
属カルコゲン化物を形成しながら反応する（T.M. Friedelmeier, D. Braunger,
D. Hariskos, M. Kaiser, H.M. Wanka, H.W. Schock; Proceedings 25th PVSC,
May 13.-17, 1996, Washington D.C., USA, p. 845-848参照）。この場合、金属
カルコゲン化物の生成プロセスは基板表面上だけでなく全溶液中でも生じてしま
うことが欠点である。従って、基板の被覆のために溶液の著しくわずかな部分し
か使用していないにもかかわらず、この溶液は１回の過程の後でもはや使用不能
である。さらに、この方法は著しく正確な温度管理を必要とし、被覆の品質は使
用したカルコゲノ−尿素の品質に著しく左右される。従って、同じ製造元のカル
コゲノ−尿素の異なるバッチが著しく異なる品質の層を生じさせてしまう。この
品質変動の原因は未だになお解明されていない。
【０００５】 従って、本発明の根底をなす課題は、経済的及び環境的観点に配慮しながら同
じ品質で均質な金属カルコゲン化物層を簡単に製造するための方法並びに装置を
提供することであった。
じ品質で均質な金属カルコゲン化物層を簡単に製造するための方法並びに装置を
提供することであった。
【０００６】 この課題は、本発明により次の記載された方法工程を有する方法により解決さ
れる： １． 金属イオンを吸着させるために基板上に金属化合物の溶液を塗布する、 ２． 基板の表面に吸着した金属イオンを備えた基板から湿分を除去する、 ３． 吸着した金属イオンと反応させるためにカルコゲン水素含有ガスを導入す
る。
れる： １． 金属イオンを吸着させるために基板上に金属化合物の溶液を塗布する、 ２． 基板の表面に吸着した金属イオンを備えた基板から湿分を除去する、 ３． 吸着した金属イオンと反応させるためにカルコゲン水素含有ガスを導入す
る。
【０００７】 金属化合物の溶液をを基板上へ塗布することは、有利にスプレー塗布又は基板
を溶液中へ浸漬することにより行うことができる。
を溶液中へ浸漬することにより行うことができる。
【０００８】 基板として、例えばＴｉＯ2、ＣｕＩｎＳ2、ＣｕＧａＳｅ2、黄銅鉱群（Chalk
opyrite allgemein）又はガラスが使用される。
opyrite allgemein）又はガラスが使用される。
【０００９】 金属化合物の溶液として、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｓｂ又はＢｉの金
属単独又はこれらの混合物の溶解した化合物が使用され、これらの金属はカルコ
ゲン水素との反応で難溶性金属カルコゲン化物を形成する。
属単独又はこれらの混合物の溶解した化合物が使用され、これらの金属はカルコ
ゲン水素との反応で難溶性金属カルコゲン化物を形成する。
【００１０】 この金属化合物は、通常の場合、易揮発性溶剤、例えばメタノール、エタノー
ル、アセトニトリル又はこれらの混合物中に溶解させる。若干の金属化合物の場
合、例えばインジウムを含有するような金属化合物の場合、溶剤として水を使用
してもよい。吸着した金属イオンのカルコゲン化のために一定の残留湿度を有す
る基板を使用すべき場合には、溶剤として水を使用することが特に行われる。
ル、アセトニトリル又はこれらの混合物中に溶解させる。若干の金属化合物の場
合、例えばインジウムを含有するような金属化合物の場合、溶剤として水を使用
してもよい。吸着した金属イオンのカルコゲン化のために一定の残留湿度を有す
る基板を使用すべき場合には、溶剤として水を使用することが特に行われる。
【００１１】 カルコゲン化物生成のために使用されるそれぞれの金属の多様な反応能力に応
じて、方法工程について温度制御が多様に設定される。従って、最適な方法温度
は、通常の室温より上又はその下であることもできる。
じて、方法工程について温度制御が多様に設定される。従って、最適な方法温度
は、通常の室温より上又はその下であることもできる。
【００１２】 湿分除去のために、不活性ガス、例えば希ガス又は分子窒素からなるガス流中
での乾燥工程を設けることができる。
での乾燥工程を設けることができる。
【００１３】 湿分除去は基板の一定の残留湿度にまで溶剤を蒸発させることよっても行うこ
とができる。この場合、蒸発は金属イオンで覆われた基板の中間貯蔵もしくは基
板の輸送の際に行うこともできる。
とができる。この場合、蒸発は金属イオンで覆われた基板の中間貯蔵もしくは基
板の輸送の際に行うこともできる。
【００１４】 吸着した金属イオンと反応させるための反応ガスには、カルコゲンのＳ、Ｓｅ
又はＴｅの水素化合物が含まれる。引き続き、有利に、過剰の反応生成物を除去
するために被覆された基板を溶剤、有利にメタノール中で洗浄し、場合により乾
燥を行う。
又はＴｅの水素化合物が含まれる。引き続き、有利に、過剰の反応生成物を除去
するために被覆された基板を溶剤、有利にメタノール中で洗浄し、場合により乾
燥を行う。
【００１５】 達成可能な層厚は単分子〜μ−範囲の可変領域内にある。所望な層厚に応じて
方法サイクルは相応して繰り返される。
方法サイクルは相応して繰り返される。
【００１６】 前記の公知の方法に対して、本発明による方法は次に記載する利点を有する： １． 一般にプロセス−パラメータの変化に対して敏感でない。
【００１７】 ２． 使用した金属塩は、カルコゲノ−尿素法の場合のわずかなパーセントに代
わって完全に利用することができる。それにより本発明による方法は経済的でな
おかつ環境的である（特に毒性の出発物質、例えばカドミウム塩の場合）。
わって完全に利用することができる。それにより本発明による方法は経済的でな
おかつ環境的である（特に毒性の出発物質、例えばカドミウム塩の場合）。
【００１８】 ３． 酸性環境中で反応が進行する場合、ヒドロキシドの組込が行われない。
【００１９】 ４． 多孔性基板の被覆の際に外被形成なしに均質な層構造が生じる。
【００２０】 ５． 方法工程は、多大な費用をかけずに自動化される。
【００２１】 ６． 本発明による方法は原則として全ての難溶性カルコゲン化物のために使用
可能である。
可能である。
【００２２】 本発明による方法を実施するための、全ての３つの平面内で可動な基板ホルダ
、溶解した金属化合物の浴、乾燥容器、反応容器並びに洗浄浴を備えた装置は、
基板ホルダに蓋部が設けられており、この蓋部は基板を反応容器中へ導入した後
に、基板ホルダの下降により反応容器の気密封止を考慮している。
、溶解した金属化合物の浴、乾燥容器、反応容器並びに洗浄浴を備えた装置は、
基板ホルダに蓋部が設けられており、この蓋部は基板を反応容器中へ導入した後
に、基板ホルダの下降により反応容器の気密封止を考慮している。
【００２３】 本発明を次に方法についての実施例並びに添付図面についての装置の実施態様
につき詳細に説明する： 図面は本発明の方法による金属カルコゲン化物−層の自動的析出のための装置
を図示している。
につき詳細に説明する： 図面は本発明の方法による金属カルコゲン化物−層の自動的析出のための装置
を図示している。
【００２４】 ９０％のメタノール中に溶解したＣｄＣｌ2の金属塩浴中に、極端な多孔性の ＴｉＯ2基板を投入した。滞留時間は約２０秒であった。この時間内で十分なＣ ｄイオンが基板上面上に析出した。次に急速乾燥（最大２分）をアルゴンガス流
中で行い、引き続きＨ2Ｓ含有ガス流中で反応を行った。反応時間は約１０〜２ ０秒であった。この時間の間、ＴｉＯ2表面上に吸着したＣｄイオンからＣｄＳ の形成が行われた。過剰の反応生成物を除去するためにメタノール浴中での洗浄
工程が後接されている。高いガス流速度でのアルゴンガス流中での引き続く乾燥
工程は無条件に必要ではない。
中で行い、引き続きＨ2Ｓ含有ガス流中で反応を行った。反応時間は約１０〜２ ０秒であった。この時間の間、ＴｉＯ2表面上に吸着したＣｄイオンからＣｄＳ の形成が行われた。過剰の反応生成物を除去するためにメタノール浴中での洗浄
工程が後接されている。高いガス流速度でのアルゴンガス流中での引き続く乾燥
工程は無条件に必要ではない。
【００２５】 全体の方法工程は室温で常圧で行われる。従って温度調節及び耐圧容器は必要
でない。所望な層厚に応じて、方法サイクルは任意に繰り返すことができる。得
られたＣｄＳ−層のＳＥＭ−写真は実際に未被覆の基板のレリーフ構造と相違し
なかったことを示した、つまりこの被覆は一定の厚さで極端に正確に基板の微細
構造の表面レリーフに従っている。慣用のＳＩＬＡＲ法とは反対に、外被形成は
観察されなかった。前記の方法工程と同様に、硫化Ｃｕ（Ｉ）層の製造を極端に
多孔性のＴｉＯ2基板上で行った。この層はｅｔａ（extremely thin absorber）
太陽電池における吸収体として設けられる。
でない。所望な層厚に応じて、方法サイクルは任意に繰り返すことができる。得
られたＣｄＳ−層のＳＥＭ−写真は実際に未被覆の基板のレリーフ構造と相違し
なかったことを示した、つまりこの被覆は一定の厚さで極端に正確に基板の微細
構造の表面レリーフに従っている。慣用のＳＩＬＡＲ法とは反対に、外被形成は
観察されなかった。前記の方法工程と同様に、硫化Ｃｕ（Ｉ）層の製造を極端に
多孔性のＴｉＯ2基板上で行った。この層はｅｔａ（extremely thin absorber）
太陽電池における吸収体として設けられる。
【００２６】 本発明による方法を用いてＣｕxＳ及びＩｎ2Ｓ3からなる単一層を順次に基板 上に設置し、この層を後接される熱処理プロセスによりＣｕＩｎＳ2に転位させ ることも可能である。
【００２７】 この方法の更なる適用において、ＣｕＩｎＳ2−太陽電池について前記の方法 パラメータを用いてＣｄＳからなる緩衝層を吸収層上に設置した。
【００２８】 本発明による方法の自動的実施は次に記載する装置で達成された。
【００２９】 ガイド１により基板３を有する全ての３つの平面内で可動な基板ホルダ２は、
蓋部４を備えている。ＣｄＣｌ2溶液浴５中で、Ｃｄイオンが基板表面上へ吸着 される。後接する乾燥容器６はアルゴンを用いた乾燥のために利用される。引き
続く反応容器７中で、Ｈ2Ｓの導入によりＣｄＳ形成が行われる。この場合、基 板３の装入後に反応容器７は基板ホルダ２に設けられた蓋部４により気密に封止
される。それにより、強い毒性のＨ2Ｓガスの環境への漏出はもはや不可能であ る。Ｈ2Ｓガスの供給は、反応容器７が気密に封止され、かつ排気ポンプが作動 している場合に行われる。反応容器７の後に洗浄浴８が設けられている。ここで
はメタノールにより過剰の反応生成物が洗い流される。
蓋部４を備えている。ＣｄＣｌ2溶液浴５中で、Ｃｄイオンが基板表面上へ吸着 される。後接する乾燥容器６はアルゴンを用いた乾燥のために利用される。引き
続く反応容器７中で、Ｈ2Ｓの導入によりＣｄＳ形成が行われる。この場合、基 板３の装入後に反応容器７は基板ホルダ２に設けられた蓋部４により気密に封止
される。それにより、強い毒性のＨ2Ｓガスの環境への漏出はもはや不可能であ る。Ｈ2Ｓガスの供給は、反応容器７が気密に封止され、かつ排気ポンプが作動 している場合に行われる。反応容器７の後に洗浄浴８が設けられている。ここで
はメタノールにより過剰の反応生成物が洗い流される。
【図１】 本発明の方法による金属カルコゲン化物層の自動的析出のための装置の略図
２ 基板ホルダ、 ３ 基板、 ４ 蓋部、 ５ 浴、 ６ 乾燥容器、 ７ 反応容器、 ８ 洗浄浴
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年４月２８日（２０００．４．２８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】 唯一の方法工程中で金属カルコゲン化物層を製造するために、文献（Ｉ）「Th
in-film copper indium diselenide perpared by selenization of copper indi
um oxide formed by spray pyrolysis」（M. E. Beck et al., Thin Soild Film
s 272 (1996) 71-82）及び文献（ＩＩ）「Morphological features in films of
CdS perpared by chemical spray pyrolysis」（S. Pence et al., Material L
etters 23 (1995) 915-201）並びにフランス国特許（ＩＩＩ）第８０ ０８６８
５号明細書から、高いエネルギー投入及び２工程の反応の進行を伴ういわゆる「
スプレー熱分解法（Spraypyrolyseverfahren）」が公知である。刊行物（Ｉ）及
び（ＩＩＩ）に記載された方法の場合、第１の反応工程において金属塩溶液を熱
い基板上にスプレーし、金属酸化物層を製造している（熱分解）。次いでこの層
を第２の反応工程においてカルコゲン（Ｉ）又はカルコゲン水素（ＩＩＩ）を用
いて熱的に他の金属カルコゲン化物に変換している。最終生成物（金属カルコゲ
ン化物）へ反応させるための出発生成物（金属酸化物）は前接される反応工程に
おいて製造され、この工程は大規模な熱エネルギーの制御された供給が必要であ
る。文献（Ｉ）による方法においてさらに元素状のセレンがカルコゲン含有反応
体として使用されている。文献（ＩＩ）から公知の方法の場合、金属塩及びチオ
尿素からなる溶液を熱い基板上へスプレーしている。それにより同様に熱反応（
熱分解）が行われ、この反応はまずチオ尿素から反応性の硫黄種が生じ、これを
次いで金属塩と反応させている。 さらに難溶性の金属カルコゲン化物からなる層の製造のために、今までは頻繁
に化学的浴析出（chemical bath deposition, CBD）の方法が用いられていた。 これについては２つの異なる変法が公知である。
in-film copper indium diselenide perpared by selenization of copper indi
um oxide formed by spray pyrolysis」（M. E. Beck et al., Thin Soild Film
s 272 (1996) 71-82）及び文献（ＩＩ）「Morphological features in films of
CdS perpared by chemical spray pyrolysis」（S. Pence et al., Material L
etters 23 (1995) 915-201）並びにフランス国特許（ＩＩＩ）第８０ ０８６８
５号明細書から、高いエネルギー投入及び２工程の反応の進行を伴ういわゆる「
スプレー熱分解法（Spraypyrolyseverfahren）」が公知である。刊行物（Ｉ）及
び（ＩＩＩ）に記載された方法の場合、第１の反応工程において金属塩溶液を熱
い基板上にスプレーし、金属酸化物層を製造している（熱分解）。次いでこの層
を第２の反応工程においてカルコゲン（Ｉ）又はカルコゲン水素（ＩＩＩ）を用
いて熱的に他の金属カルコゲン化物に変換している。最終生成物（金属カルコゲ
ン化物）へ反応させるための出発生成物（金属酸化物）は前接される反応工程に
おいて製造され、この工程は大規模な熱エネルギーの制御された供給が必要であ
る。文献（Ｉ）による方法においてさらに元素状のセレンがカルコゲン含有反応
体として使用されている。文献（ＩＩ）から公知の方法の場合、金属塩及びチオ
尿素からなる溶液を熱い基板上へスプレーしている。それにより同様に熱反応（
熱分解）が行われ、この反応はまずチオ尿素から反応性の硫黄種が生じ、これを
次いで金属塩と反応させている。 さらに難溶性の金属カルコゲン化物からなる層の製造のために、今までは頻繁
に化学的浴析出（chemical bath deposition, CBD）の方法が用いられていた。 これについては２つの異なる変法が公知である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ， ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ， ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，Ｍ Ｘ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ， ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (71)出願人 Ｇｌｉｅｎｉｃｋｅｒ Ｓｔｒ．100，Ｂ ｅｒｌｉｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ (72)発明者 ロルフ ケーネンカンプ ドイツ連邦共和国 ベルリン ロイテナー シュトラーセ ６ (72)発明者 マルタ ルックス−シュタイナー ドイツ連邦共和国 ベルリン ヴォルツォ ーゲンシュトラーセ ８ツェー (72)発明者 ズザンネ ジーベントリット ドイツ連邦共和国 ベルリン ドロッセル ヴェーク ４ Ｆターム(参考） 5F051 AA10 CB13 5F053 AA03 AA50 DD20 HH04 LL05 PP20
Claims (15)
- 【請求項１】 次の方法工程： ・ 金属イオンの吸着のために基板上に金属化合物の溶液を塗布する工程、 ・ 吸着した金属イオンを有する基板から湿分除去する工程 ・ 吸着した金属イオンと反応させるためにカルコゲン水素含有ガスを導入する
工程、 よりなる、金属カルコゲン化物薄層、特に太陽電池中で吸収層もしくは緩衝層と
して使用するための金属カルコゲン化物薄層の製造方法。 - 【請求項２】 基板上への金属化合物の溶液の塗布をスプレー塗布により行
う、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 金属化合物の溶液の塗布を前記溶液中へ基板を浸漬すること
により行う、請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 基板として、ＴｉＯ2、ＣｕＩｎＳ2、ＣｕＧａＳｅ2、黄銅 鉱群又はガラスを使用する、請求項１記載の方法。
- 【請求項５】 金属化合物の溶液として、金属、例えばＣｄ、Ｃｕ、Ｉｎ、
Ｐｂ、Ａｇ、Ｓｂ又はＢｉ単独又はこれらの混合物の溶解した化合物を使用し、
前記金属はカルコゲン水素との反応において難溶性の金属カルコゲン化物を形成
する、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 金属化合物が易揮発性溶剤中に溶解している、請求項１記載
の方法。 - 【請求項７】 溶剤としてメタノール、エタノール、アセトニトリル又はこ
れらの混合物を使用する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項８】 金属化合物が水中に溶解している、請求項１記載の方法。
- 【請求項９】 湿分除去を、ガス流中、有利に不活性ガス流中、例えば希ガ
ス流中又は分子窒素流中での乾燥により行う、請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 湿分除去を、基板の一定の残留湿度にまで蒸発させること
により行う、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１１】 金属イオンで覆われた基板の中間貯蔵の際、もしくはその
輸送の際に蒸発を行う、請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 反応ガスがカルコゲンのＳ、Ｓｅ又はＴｅの水素化合物を
含有する、請求項１記載の方法。 - 【請求項１３】 過剰な反応生成物の除去のために、反応期間の後に、被覆
された基板を溶剤浴、例えばメタノール中で洗浄する、請求項１記載の方法。 - 【請求項１４】 洗浄工程の後に乾燥を行う、請求項１記載の方法。
- 【請求項１５】 全ての平面内で可動な基板ホルダ（２）、溶解した金属化
合物浴（５）、乾燥容器（６）、反応容器（７）及び洗浄浴（８）を有する請求
項１から１２までのいずれか１項記載の方法を実施するための装置において、基
板（３）の導入の後に反応容器（７）を気密に封鎖するために、基板ホルダ（２
）に蓋部（４）が取り付けられている、請求項１から１２までのいずれか１項記
載の方法を実施するための装置。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813154 | 1998-03-19 | ||
| DE19813154.2 | 1998-03-19 | ||
| DE19831214.8 | 1998-07-03 | ||
| DE19831214A DE19831214C2 (de) | 1998-03-19 | 1998-07-03 | Verfahren und Anordnung zur Herstellung dünner Metallchalkogenid-Schichten |
| PCT/DE1999/000811 WO1999048158A1 (de) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | Verfahren und anordnung zur herstellung dünner metallchalkogenid-schichten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002507843A true JP2002507843A (ja) | 2002-03-12 |
| JP4587247B2 JP4587247B2 (ja) | 2010-11-24 |
Family
ID=26044952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000537269A Expired - Fee Related JP4587247B2 (ja) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | 金属カルコゲン化物薄層を製造する方法及び装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1064685B9 (ja) |
| JP (1) | JP4587247B2 (ja) |
| AT (1) | ATE369631T1 (ja) |
| AU (1) | AU3700599A (ja) |
| DE (1) | DE59914444D1 (ja) |
| ES (1) | ES2292241T3 (ja) |
| WO (1) | WO1999048158A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11330509A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-30 | Honda Motor Co Ltd | Ｃｂｄ成膜装置 |
| JP2011091229A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Kyocera Corp | 光電変換体の製造方法および光電変換装置の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19916403C1 (de) * | 1999-04-06 | 2000-10-12 | Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh | Verfahren zur Herstellung dünner, schwer löslicher Beschichtungen |
| US8613973B2 (en) | 2007-12-06 | 2013-12-24 | International Business Machines Corporation | Photovoltaic device with solution-processed chalcogenide absorber layer |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4242374A (en) * | 1979-04-19 | 1980-12-30 | Exxon Research & Engineering Co. | Process for thin film deposition of metal and mixed metal chalcogenides displaying semi-conductor properties |
-
1999
- 1999-03-12 JP JP2000537269A patent/JP4587247B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-12 WO PCT/DE1999/000811 patent/WO1999048158A1/de active IP Right Grant
- 1999-03-12 EP EP99919112A patent/EP1064685B9/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-12 DE DE59914444T patent/DE59914444D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-12 AT AT99919112T patent/ATE369631T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-03-12 ES ES99919112T patent/ES2292241T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-12 AU AU37005/99A patent/AU3700599A/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11330509A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-30 | Honda Motor Co Ltd | Ｃｂｄ成膜装置 |
| JP2011091229A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Kyocera Corp | 光電変換体の製造方法および光電変換装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2292241T3 (es) | 2008-03-01 |
| EP1064685B9 (de) | 2008-07-23 |
| AU3700599A (en) | 1999-10-11 |
| JP4587247B2 (ja) | 2010-11-24 |
| DE59914444D1 (de) | 2007-09-20 |
| WO1999048158A1 (de) | 1999-09-23 |
| EP1064685A1 (de) | 2001-01-03 |
| ATE369631T1 (de) | 2007-08-15 |
| EP1064685B1 (de) | 2007-08-08 |
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