JP4587247B2 - 金属カルコゲン化物薄層を製造する方法及び装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 chalcogen hydrogen Chemical class 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLWNPPOLRLYUAH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[In+3].[Cu+2] Chemical compound [O-2].[In+3].[Cu+2] RLWNPPOLRLYUAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000007843 reactive sulfur species Substances 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007039 two-step reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
- H01L31/1836—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising a growth substrate not being an AIIBVI compound
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C10/00—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
- C23C10/18—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions
- C23C10/20—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions only one element being diffused
- C23C10/22—Metal melt containing the element to be diffused
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/02—Pretreatment of the material to be coated
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
本発明は、例えば太陽電池における吸収層もしくは緩衝層として使用するための金属カルコゲン化物薄層の製造方法及び製造装置に関する。
【0002】
唯一の方法工程中で金属カルコゲン化物層を製造するために、文献(I)「Thin-film copper indium diselenide perpared by selenization of copper indium oxide formed by spray pyrolysis」(M. E. Beck et al., Thin Soild Films 272 (1996) 71-82)及び文献(II)「Morphological features in films of CdS perpared by chemical spray pyrolysis」(S. Pence et al., Material Letters 23 (1995) 915-201)並びにフランス国特許(III)第80 08685号明細書から、高いエネルギー投入及び2工程の反応の進行を伴ういわゆる「スプレー熱分解法(Spraypyrolyseverfahren)」が公知である。刊行物(I)及び(III)に記載された方法の場合、第1の反応工程において金属塩溶液を熱い基板上にスプレーし、金属酸化物層を製造している(熱分解)。次いでこの層を第2の反応工程においてカルコゲン(I)又はカルコゲン水素(III)を用いて熱的に他の金属カルコゲン化物に変換している。最終生成物(金属カルコゲン化物)へ反応させるための出発生成物(金属酸化物)は前接される反応工程において製造され、この工程は大規模な熱エネルギーの制御された供給が必要である。文献(I)による方法においてさらに元素状のセレンがカルコゲン含有反応体として使用されている。文献(II)から公知の方法の場合、金属塩及びチオ尿素からなる溶液を熱い基板上へスプレーしている。それにより同様に熱反応(熱分解)が行われ、この反応はまずチオ尿素から反応性の硫黄種が生じ、これを次いで金属塩と反応させている。
さらに難溶性の金属カルコゲン化物からなる層の製造のために、今までは頻繁に化学的浴析出(chemical bath deposition, CBD)の方法が用いられていた。これについては2つの異なる変法が公知である。
【0003】
いわゆるSILAR法(Successive lonic Layer Adsorption and Reaction)において、基板は順次に金属塩の溶液及び良好に可溶性のカルコゲン化物の溶液中に浸漬される。各浴の後に基板の洗浄を行うのが有利である第1の浴中で基板の表面上に吸着した金属イオンは、第2の浴中でカルコゲン化物イオンと反応させて難溶性の金属カルコゲン化物にする。この処理サイクルは所望の層厚が達成されるまで繰り返される(M.P. Valkonen, T. Kanniainen, S. Lindros, M. Leskelae, E. Rauhala; Applied Surface Science, 115 (1997) p. 386-392参照)。この方法の場合、金属カルコゲン化物層の均等性(均質性)に欠ける欠点がある。特に、多孔性表面を有する基板の場合、塗布された層の顕著な外被形成が生じる。
【0004】
カルコゲノ−尿素法の場合、溶解した金属塩もしくは金属錯体の浴中でカルコゲノ−尿素を熱分解する。この場合、カルコゲン化物イオンが遊離され、このカルコゲン化物イオンが浸漬された基板表面上に吸着した金属イオンと、難溶性金属カルコゲン化物を形成しながら反応する(T.M. Friedelmeier, D. Braunger, D. Hariskos, M. Kaiser, H.M. Wanka, H.W. Schock; Proceedings 25th PVSC, May 13.-17, 1996, Washington D.C., USA, p. 845-848参照)。この場合、金属カルコゲン化物の生成プロセスは基板表面上だけでなく全溶液中でも生じてしまうことが欠点である。従って、基板の被覆のために溶液の著しくわずかな部分しか使用していないにもかかわらず、この溶液は1回の過程の後でもはや使用不能である。さらに、この方法は著しく正確な温度管理を必要とし、被覆の品質は使用したカルコゲノ−尿素の品質に著しく左右される。従って、同じ製造元のカルコゲノ−尿素の異なるバッチが著しく異なる品質の層を生じさせてしまう。この品質変動の原因は未だになお解明されていない。
【0005】
従って、本発明の根底をなす課題は、経済的及び環境的観点に配慮しながら同じ品質で均質な金属カルコゲン化物層を簡単に製造するための方法並びに装置を提供することであった。
【0006】
この課題は、本発明により次の記載された方法工程を有する方法により解決される:
1. 金属イオンを吸着させるために基板上に金属化合物の溶液を塗布する、
2. 基板の表面に吸着した金属イオンを備えた基板から湿分を除去する、
3. 吸着した金属イオンと反応させるためにカルコゲン水素含有ガスを導入する。
【0007】
金属化合物の溶液をを基板上へ塗布することは、有利にスプレー塗布又は基板を溶液中へ浸漬することにより行うことができる。
【0008】
基板として、例えばTiO2、CuInS2、CuGaSe2、黄銅鉱群(Chalkopyrite allgemein)又はガラスが使用される。
【0009】
金属化合物の溶液として、Cd、Cu、In、Pb、Ag、Sb又はBiの金属単独又はこれらの混合物の溶解した化合物が使用され、これらの金属はカルコゲン水素との反応で難溶性金属カルコゲン化物を形成する。
【0010】
この金属化合物は、通常の場合、易揮発性溶剤、例えばメタノール、エタノール、アセトニトリル又はこれらの混合物中に溶解させる。若干の金属化合物の場合、例えばインジウムを含有するような金属化合物の場合、溶剤として水を使用してもよい。吸着した金属イオンのカルコゲン化のために一定の残留湿度を有する基板を使用すべき場合には、溶剤として水を使用することが特に行われる。
【0011】
カルコゲン化物生成のために使用されるそれぞれの金属の多様な反応能力に応じて、方法工程について温度制御が多様に設定される。従って、最適な方法温度は、通常の室温より上又はその下であることもできる。
【0012】
湿分除去のために、不活性ガス、例えば希ガス又は分子窒素からなるガス流中での乾燥工程を設けることができる。
【0013】
湿分除去は基板の一定の残留湿度にまで溶剤を蒸発させることよっても行うことができる。この場合、蒸発は金属イオンで覆われた基板の中間貯蔵もしくは基板の輸送の際に行うこともできる。
【0014】
吸着した金属イオンと反応させるための反応ガスには、カルコゲンのS、Se又はTeの水素化合物が含まれる。引き続き、有利に、過剰の反応生成物を除去するために被覆された基板を溶剤、有利にメタノール中で洗浄し、場合により乾燥を行う。
【0015】
達成可能な層厚は単分子〜μ−範囲の可変領域内にある。所望な層厚に応じて方法サイクルは相応して繰り返される。
【0016】
前記の公知の方法に対して、本発明による方法は次に記載する利点を有する:
1. 一般にプロセス−パラメータの変化に対して敏感でない。
【0017】
2. 使用した金属塩は、カルコゲノ−尿素法の場合のわずかなパーセントに代わって完全に利用することができる。それにより本発明による方法は経済的でなおかつ環境的である(特に毒性の出発物質、例えばカドミウム塩の場合)。
【0018】
3. 酸性環境中で反応が進行する場合、ヒドロキシドの組込が行われない。
【0019】
4. 多孔性基板の被覆の際に外被形成なしに均質な層構造が生じる。
【0020】
5. 方法工程は、多大な費用をかけずに自動化される。
【0021】
6. 本発明による方法は原則として全ての難溶性カルコゲン化物のために使用可能である。
【0022】
本発明による方法を実施するための、全ての3つの平面内で可動な基板ホルダ、溶解した金属化合物の浴、乾燥容器、反応容器並びに洗浄浴を備えた装置は、基板ホルダに蓋部が設けられており、この蓋部は基板を反応容器中へ導入した後に、基板ホルダの下降により反応容器の気密封止を考慮している。
【0023】
本発明を次に方法についての実施例並びに添付図面についての装置の実施態様につき詳細に説明する:
図面は本発明の方法による金属カルコゲン化物−層の自動的析出のための装置を図示している。
【0024】
90%のメタノール中に溶解したCdCl2の金属塩浴中に、極端な多孔性のTiO2基板を投入した。滞留時間は約20秒であった。この時間内で十分なCdイオンが基板上面上に析出した。次に急速乾燥(最大2分)をアルゴンガス流中で行い、引き続きH2S含有ガス流中で反応を行った。反応時間は約10〜20秒であった。この時間の間、TiO2表面上に吸着したCdイオンからCdSの形成が行われた。過剰の反応生成物を除去するためにメタノール浴中での洗浄工程が後接されている。高いガス流速度でのアルゴンガス流中での引き続く乾燥工程は無条件に必要ではない。
【0025】
全体の方法工程は室温で常圧で行われる。従って温度調節及び耐圧容器は必要でない。所望な層厚に応じて、方法サイクルは任意に繰り返すことができる。得られたCdS−層のSEM−写真は実際に未被覆の基板のレリーフ構造と相違しなかったことを示した、つまりこの被覆は一定の厚さで極端に正確に基板の微細構造の表面レリーフに従っている。慣用のSILAR法とは反対に、外被形成は観察されなかった。前記の方法工程と同様に、硫化Cu(I)層の製造を極端に多孔性のTiO2基板上で行った。この層はeta(extremely thin absorber)太陽電池における吸収体として設けられる。
【0026】
本発明による方法を用いてCuxS及びIn2S3からなる単一層を順次に基板上に設置し、この層を後接される熱処理プロセスによりCuInS2に転位させることも可能である。
【0027】
この方法の更なる適用において、CuInS2−太陽電池について前記の方法パラメータを用いてCdSからなる緩衝層を吸収層上に設置した。
【0028】
本発明による方法の自動的実施は次に記載する装置で達成された。
【0029】
ガイド1により基板3を有する全ての3つの平面内で可動な基板ホルダ2は、蓋部4を備えている。CdCl2溶液浴5中で、Cdイオンが基板表面上へ吸着される。後接する乾燥容器6はアルゴンを用いた乾燥のために利用される。引き続く反応容器7中で、H2Sの導入によりCdS形成が行われる。この場合、基板3の装入後に反応容器7は基板ホルダ2に設けられた蓋部4により気密に封止される。それにより、強い毒性のH2Sガスの環境への漏出はもはや不可能である。H2Sガスの供給は、反応容器7が気密に封止され、かつ排気ポンプが作動している場合に行われる。反応容器7の後に洗浄浴8が設けられている。ここではメタノールにより過剰の反応生成物が洗い流される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の方法による金属カルコゲン化物層の自動的析出のための装置の略図
【符号の説明】
2 基板ホルダ、3 基板、4 蓋部、5 浴、6 乾燥容器、7 反応容器、8 洗浄浴
Claims (15)
- カルコゲン化物生成のために使用された各金属の異なる反応能力に依存して多様に設定された温度制御を用いて、室温の範囲内で、次の方法工程:
・ 化学反応を行わずに金属イオンを吸着させるために基板上に、金属イオンを有する金属化合物の溶液を塗布する工程、
・ 吸着した金属イオンを有する基板から湿分除去する工程、
・ 吸着した金属イオンと反応させるためにカルコゲン水素含有ガスを導入する工程、
・ その際、この方法工程は所望の層厚に達するまで周期的に繰り返される、
よりなる、金属カルコゲン化物薄層の製造方法。 - 基板上への金属化合物の溶液の塗布をスプレー塗布により行う、請求項1記載の方法。
- 金属化合物の溶液の塗布を前記溶液中へ基板を浸漬することにより行う、請求項1記載の方法。
- 基板として、TiO2、CuInS2、CuGaSe2、黄銅鉱群又はガラスを使用する、請求項1記載の方法。
- 金属化合物の溶液として、金属のCd、Cu、In、Pb、Ag、Sb又はBi単独又はこれらの混合物の溶解した化合物を使用し、前記金属はカルコゲン水素との反応において難溶性の金属カルコゲン化物を形成する、請求項1記載の方法。
- 金属化合物が易揮発性溶剤中に溶解している、請求項1記載の方法。
- 溶剤としてメタノール、エタノール、アセトニトリル又はこれらの混合物を使用する、請求項6記載の方法。
- 金属化合物が水中に溶解している、請求項1記載の方法。
- 湿分除去を、ガス流中での乾燥により行う、請求項1記載の方法。
- 湿分除去を、基板の一定の残留湿度にまで蒸発させることにより行う、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。
- 金属イオンで覆われた基板の中間貯蔵の際、もしくはその輸送の際に蒸発を行う、請求項10記載の方法。
- 反応ガスがカルコゲンのS、Se又はTeの水素化合物を含有する、請求項1記載の方法。
- 過剰な反応生成物の除去のために、反応期間の後に、被覆された基板を溶剤浴中で洗浄する、請求項1記載の方法。
- 洗浄工程の後に乾燥を行う、請求項1記載の方法。
- 全ての平面内で可動な基板ホルダ(2)、溶解した金属化合物浴(5)、乾燥容器(6)、反応容器(7)及び洗浄浴(8)を有する請求項1から12までのいずれか1項記載の方法を実施するための装置において、基板(3)の導入の後に反応容器(7)を気密に封鎖するために、基板ホルダ(2)に蓋部(4)が取り付けられている、請求項1から12までのいずれか1項記載の方法を実施するための装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813154 | 1998-03-19 | ||
DE19831214.8 | 1998-07-03 | ||
DE19831214A DE19831214C2 (de) | 1998-03-19 | 1998-07-03 | Verfahren und Anordnung zur Herstellung dünner Metallchalkogenid-Schichten |
DE19813154.2 | 1998-07-03 | ||
PCT/DE1999/000811 WO1999048158A1 (de) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | Verfahren und anordnung zur herstellung dünner metallchalkogenid-schichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002507843A JP2002507843A (ja) | 2002-03-12 |
JP4587247B2 true JP4587247B2 (ja) | 2010-11-24 |
Family
ID=26044952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000537269A Expired - Fee Related JP4587247B2 (ja) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | 金属カルコゲン化物薄層を製造する方法及び装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1064685B9 (ja) |
JP (1) | JP4587247B2 (ja) |
AT (1) | ATE369631T1 (ja) |
AU (1) | AU3700599A (ja) |
DE (1) | DE59914444D1 (ja) |
ES (1) | ES2292241T3 (ja) |
WO (1) | WO1999048158A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4443645B2 (ja) * | 1998-05-07 | 2010-03-31 | 本田技研工業株式会社 | Cbd成膜装置 |
DE19916403C1 (de) * | 1999-04-06 | 2000-10-12 | Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh | Verfahren zur Herstellung dünner, schwer löslicher Beschichtungen |
US8613973B2 (en) | 2007-12-06 | 2013-12-24 | International Business Machines Corporation | Photovoltaic device with solution-processed chalcogenide absorber layer |
JP2011091229A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Kyocera Corp | 光電変換体の製造方法および光電変換装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4242374A (en) * | 1979-04-19 | 1980-12-30 | Exxon Research & Engineering Co. | Process for thin film deposition of metal and mixed metal chalcogenides displaying semi-conductor properties |
-
1999
- 1999-03-12 AT AT99919112T patent/ATE369631T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-03-12 ES ES99919112T patent/ES2292241T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-12 EP EP99919112A patent/EP1064685B9/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-12 WO PCT/DE1999/000811 patent/WO1999048158A1/de active IP Right Grant
- 1999-03-12 JP JP2000537269A patent/JP4587247B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-12 DE DE59914444T patent/DE59914444D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-12 AU AU37005/99A patent/AU3700599A/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1999048158A1 (de) | 1999-09-23 |
EP1064685A1 (de) | 2001-01-03 |
JP2002507843A (ja) | 2002-03-12 |
EP1064685B9 (de) | 2008-07-23 |
EP1064685B1 (de) | 2007-08-08 |
AU3700599A (en) | 1999-10-11 |
ES2292241T3 (es) | 2008-03-01 |
ATE369631T1 (de) | 2007-08-15 |
DE59914444D1 (de) | 2007-09-20 |
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