JPS62277147A - 薄膜の製法 - Google Patents
薄膜の製法Info
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- JPS62277147A JPS62277147A JP11969386A JP11969386A JPS62277147A JP S62277147 A JPS62277147 A JP S62277147A JP 11969386 A JP11969386 A JP 11969386A JP 11969386 A JP11969386 A JP 11969386A JP S62277147 A JPS62277147 A JP S62277147A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/20—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping substances to be applied floating on a fluid
- B05D1/202—Langmuir Blodgett films (LB films)
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/001—Coating on a liquid substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔技術分野］
この発明は、物質を薄膜化する技術の分野に屈する。
［背景技術］
薄膜材料は、高機能材料として注目を集めているが、薄
膜の製造技術が確立されているとは言い難い。薄膜の作
成法としては、大別すると、真空中での蒸着法、水面に
薄膜を形成するラングミューラ・プロジェット法などが
ある（固体物理：ｖ０１１７：漱１２ Ｐｄ２）。
膜の製造技術が確立されているとは言い難い。薄膜の作
成法としては、大別すると、真空中での蒸着法、水面に
薄膜を形成するラングミューラ・プロジェット法などが
ある（固体物理：ｖ０１１７：漱１２ Ｐｄ２）。
蒸着法は、真空中で原料物質を加熱蒸発させて基板上に
その物質を付着させるものであり、均一な薄膜を作成す
るためには、基板の平滑性が要求される。充分な基板の
平滑性を得ることは実際上難しく、さらに、基板から薄
膜を剥離するのが非常に困難であると言う欠点があった
。
その物質を付着させるものであり、均一な薄膜を作成す
るためには、基板の平滑性が要求される。充分な基板の
平滑性を得ることは実際上難しく、さらに、基板から薄
膜を剥離するのが非常に困難であると言う欠点があった
。
前記ラングミューラ・プロジェット法は、水面に製膜物
質を適当な溶媒に溶かした溶液を、１滴ずつ滴下し、物
質の単分子膜を作成するものである。この膿は別に用窓
した基板を用いて掬い取り、これを繰り返すことにより
累積膜を作成するのである。しかし、この方法では、少
しの振動があっても、出来た膜に欠陥を生じて、均一な
薄１漠を作ることが難しいと言う欠点があった。
質を適当な溶媒に溶かした溶液を、１滴ずつ滴下し、物
質の単分子膜を作成するものである。この膿は別に用窓
した基板を用いて掬い取り、これを繰り返すことにより
累積膜を作成するのである。しかし、この方法では、少
しの振動があっても、出来た膜に欠陥を生じて、均一な
薄１漠を作ることが難しいと言う欠点があった。
［発明の目的］
この発明は、均一で、欠陥の少ない薄膜を容易に作成す
ることのできる薄膜の製法を提供することを目的とする
。
ることのできる薄膜の製法を提供することを目的とする
。
［発明の開示コ
この発明は、水銀の表面に、薄膜となすべき物質の薄層
を形成した後、これを採取することを特徴とする＊Ｉｌ
ｉの製法を提供するものである。
を形成した後、これを採取することを特徴とする＊Ｉｌ
ｉの製法を提供するものである。
この発明において、薄膜となすべき物質の薄層を形成す
る場合のキャリアとして水銀を用いるのは、このものが
密度、表面張力が大きい液体であり、どのような物質で
もその表面に浮かべることができるからであり、水であ
れば不可能な金属の薄膜を形成することもできる（ただ
し、水銀と容易にアマルガムを形成するようなものには
使用できない）。
る場合のキャリアとして水銀を用いるのは、このものが
密度、表面張力が大きい液体であり、どのような物質で
もその表面に浮かべることができるからであり、水であ
れば不可能な金属の薄膜を形成することもできる（ただ
し、水銀と容易にアマルガムを形成するようなものには
使用できない）。
薄膜となすべき物質としては、特には限定はしないが、
無機物、金属、有機物などが使用される。前記したよう
に水銀と容易に混合するようなもの、化合物を形成する
ような物は除外される。
無機物、金属、有機物などが使用される。前記したよう
に水銀と容易に混合するようなもの、化合物を形成する
ような物は除外される。
水銀上に薄膜を形成するための手段としては、蒸着法、
流延法等があるが、この発明においてはその何れでも使
用できる。
流延法等があるが、この発明においてはその何れでも使
用できる。
この発明で言う蒸着法とは、狭義の真空蒸着法のみに限
定するものではなく、スパッタリング法、ＣＶＤ法等も
含むものである。
定するものではなく、スパッタリング法、ＣＶＤ法等も
含むものである。
真空蒸着法としては、分子線エピタキシ法、イオンビー
ム蒸着法、反応性蒸着法、イオンブレーティング法、電
子線蒸着法がある。スパッタリング法としては高６周波
スパッタリング法、イオンビーム法、反応性スパッタリ
ング法がある。
ム蒸着法、反応性蒸着法、イオンブレーティング法、電
子線蒸着法がある。スパッタリング法としては高６周波
スパッタリング法、イオンビーム法、反応性スパッタリ
ング法がある。
蒸着法を用いて薄膜を作成する方法を実施例として示し
た図面に基づき説明する。第１図は蒸着法の系を示す略
図であり、１は蒸着物質、２は水銀であり、適当な容器
６に入れである。３はイオンガンである。これらの全体
は真空容器８に収納されている。ここで、水銀２はゴミ
のない状態になされ、常法により真空容器８を真空にし
、物質１を蒸発させて水銀上に、安定化された状態で薄
膜を体積させる。つぎに、真空容器８から取り出し、第
２図に示すように基板５により既に形成されτいる薄膜
（分子模型として示した）４を掬い取り、均一な薄膜を
作成する。これは水銀が常温で液体であるため、そして
密度、表面張力が大であるために実現できるものである
。なお、４は薄膜化した物質（分子模型として示した）
である。
た図面に基づき説明する。第１図は蒸着法の系を示す略
図であり、１は蒸着物質、２は水銀であり、適当な容器
６に入れである。３はイオンガンである。これらの全体
は真空容器８に収納されている。ここで、水銀２はゴミ
のない状態になされ、常法により真空容器８を真空にし
、物質１を蒸発させて水銀上に、安定化された状態で薄
膜を体積させる。つぎに、真空容器８から取り出し、第
２図に示すように基板５により既に形成されτいる薄膜
（分子模型として示した）４を掬い取り、均一な薄膜を
作成する。これは水銀が常温で液体であるため、そして
密度、表面張力が大であるために実現できるものである
。なお、４は薄膜化した物質（分子模型として示した）
である。
つぎに流延法について説明する。第３図に示したように
、適当な容器６の中に入れた水！Ｉ２の表面に、適当な
溶媒に熔かした薄膜となすべき物質の溶液を少量滴下す
る。ここで、７は溶媒を示している。前述したように、
水銀表面は非常に安定な状態であり、滴下した物質は溶
媒と共に薄膜となって水銀表面に拡がる。溶媒は自然に
蒸発除去されるので、薄膜化された物質が水銀表面に堆
積される。この薄膜は、第２図のような方法で掬い取り
、目的の薄膜とすることが出来る。
、適当な容器６の中に入れた水！Ｉ２の表面に、適当な
溶媒に熔かした薄膜となすべき物質の溶液を少量滴下す
る。ここで、７は溶媒を示している。前述したように、
水銀表面は非常に安定な状態であり、滴下した物質は溶
媒と共に薄膜となって水銀表面に拡がる。溶媒は自然に
蒸発除去されるので、薄膜化された物質が水銀表面に堆
積される。この薄膜は、第２図のような方法で掬い取り
、目的の薄膜とすることが出来る。
７５！延法の場合は、蒸着法では実施できないような物
質でも薄膜化することができ、特に有機物の薄膜を作成
するのに通している。そして、水をキャリヤとして使用
した場合に比較すると、多少の振動があっても欠陥のな
い、かつ均一な薄膜を容易に作成することができる点で
有利である。
質でも薄膜化することができ、特に有機物の薄膜を作成
するのに通している。そして、水をキャリヤとして使用
した場合に比較すると、多少の振動があっても欠陥のな
い、かつ均一な薄膜を容易に作成することができる点で
有利である。
［発明の効果］
この発明は、水銀の表面に、薄膜となすべき物質の薄層
を形成した後、これを採取することを特徴とするので、
均一で欠陥のない薄膜を容易に得ることが出来る。
を形成した後、これを採取することを特徴とするので、
均一で欠陥のない薄膜を容易に得ることが出来る。
第１図は蒸着法による薄膜作成の例を示す略図、第２図
は薄膜を基板上に採取する方法を示す略図、第３図は水
銀上に物質を流延する方法により薄膜を作成する例を示
す略図である。 １は蒸着物質 ２は水を反 ３はイオンガン ４は薄膜 ５は基板 ６は容器 ７は溶媒 ８は真空容器
は薄膜を基板上に採取する方法を示す略図、第３図は水
銀上に物質を流延する方法により薄膜を作成する例を示
す略図である。 １は蒸着物質 ２は水を反 ３はイオンガン ４は薄膜 ５は基板 ６は容器 ７は溶媒 ８は真空容器
Claims (3)
- （１）水銀の表面に、薄膜となすべき物質の薄層を形成
した後、これを採取することを特徴とする薄膜の製法。 - （２）薄膜となすべき物質の薄層を形成する方法が、蒸
着法であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の薄膜の製法。 - （３）薄膜となすべき物質の薄層を形成する方法が、当
該物質の溶液を水銀面に流延する方法であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11969386A JPS62277147A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 薄膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11969386A JPS62277147A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 薄膜の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62277147A true JPS62277147A (ja) | 1987-12-02 |
Family
ID=14767721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11969386A Pending JPS62277147A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 薄膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62277147A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06287021A (ja) * | 1992-04-22 | 1994-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 光学活性な白金錯化合物の光学的分割方法 |
| WO2005064035A1 (de) * | 2003-12-23 | 2005-07-14 | Dipl.-Ing. Hilmar Weinert Vakuum-Verfahrenstechnik Gmbh | Herstellung von dünnen plättchen aus zumindest einem dielektrischen stoff |
| GB2530337A (en) * | 2014-09-22 | 2016-03-23 | Bae Systems Plc | Graphene Manufacture |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP11969386A patent/JPS62277147A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06287021A (ja) * | 1992-04-22 | 1994-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 光学活性な白金錯化合物の光学的分割方法 |
| WO2005064035A1 (de) * | 2003-12-23 | 2005-07-14 | Dipl.-Ing. Hilmar Weinert Vakuum-Verfahrenstechnik Gmbh | Herstellung von dünnen plättchen aus zumindest einem dielektrischen stoff |
| GB2530337A (en) * | 2014-09-22 | 2016-03-23 | Bae Systems Plc | Graphene Manufacture |
| GB2530337B (en) * | 2014-09-22 | 2018-10-17 | Bae Systems Plc | Graphene Manufacture |
| US11015037B2 (en) | 2014-09-22 | 2021-05-25 | Bae Systems Plc | Graphene manufacture |
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