RU2097444C1 - Способ получения сверхгладких поверхностей - Google Patents

Способ получения сверхгладких поверхностей Download PDF

Info

Publication number
RU2097444C1
RU2097444C1 RU93027059A RU93027059A RU2097444C1 RU 2097444 C1 RU2097444 C1 RU 2097444C1 RU 93027059 A RU93027059 A RU 93027059A RU 93027059 A RU93027059 A RU 93027059A RU 2097444 C1 RU2097444 C1 RU 2097444C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
gold
manufacturing
vacuum deposition
smooth
Prior art date
Application number
RU93027059A
Other languages
English (en)
Other versions
RU93027059A (ru
Inventor
А.Л. Грязев
А.Г. Стародубов
Original Assignee
Санкт-Петербургский государственный университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Санкт-Петербургский государственный университет filed Critical Санкт-Петербургский государственный университет
Priority to RU93027059A priority Critical patent/RU2097444C1/ru
Publication of RU93027059A publication Critical patent/RU93027059A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2097444C1 publication Critical patent/RU2097444C1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к наноэлектронике, сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии. Сущность изобретения: на временную подложку напыляют слой золота вакуумным методом. В качестве временной подложки используют скол монокристалла бромида калия. Затем слой фиксируют эпоксидным клеем на основной подложке, а временную подложку удаляют растворением в воде. Изобретение позволяет расширить диапазон режимов напыления, получить поверхности с различным химическим составом и просто в исполнении.

Description

Изобретение касается вакуумного напыления и может быть использовано в наноэлектронике, сканирующей туннельной (СТМ) и атомно-силовой микроскопии. Такие поверхности могут применяться при получении и исследовании объектов с пониженной размерностью на атомном уровне.
Известен способ эпитаксиального выращивания поверхностей подобной гладкости. Он заключается в том, что в квазиравновесных условиях пленка растет моноатомными слоями. Этот способ требует индивидуального подбора технологии для каждой системы наносимое вещество-подложка, что можно осуществить только на специальном оборудовании. Кроме того, эта технология промышленно развита главным образом для полупроводниковых материалов.
Известен также "Способ и установка для осаждения и выравнивания покрытий". Он заключается в обработке покрытия ионной бомбардировкой с последующим прогревом токами высокой частоты. Такая обработка разрушает первоначальную структуру покрытия и приводит, скорее всего, к аморфной либо поликристаллической структуре. Однако, известный способ требует достаточно сложной аппаратуры и чистых газов, является дорогостоящим.
Известен способ получения гладкой золотой поверхности. Он заключается в вакуумном напылении золота с определенной скоростью на поверхность определенного сорта слюды. Однако слюда, используемая как подложка, часто имеет различные дефекты, которые отражаются на гладкости поверхности. Такой способ недостаточно надежен.
Известен способ выравнивания нанесенного распылением покрытия, наиболее близкий к предлагаемому изобретению по решению технической задачи и принятый в качестве прототипа. Он заключается в том, что нанесенное вакуумным напылением покрытие, выравнивается поверхностной диффузией, если его выдержать при повышенной температуре определенное время.
Недостатками исходного способа являются ограничение по возможным системам веществ (далеко не все вещества имеют необходимую адгезию друг к другу), возможность разрушения структуры поверхности либо повреждению ее при взаимодействии с остаточными газами в вакуумной системе за счет необходимости прогрева при высокой температуре.
Целью изобретения является расширение перечня химических соединений, из которых возможно получать такие поверхности, также получение сверхгладких поверхностей различной структуры и, кроме того, существенное упрощение технологии.
Цель достигается тем, что в известном способе, заключающемся в вакуумном напылении на подложку с последующей обработкой полученного образца, в соответствии с предложенным изобретением вакуумное напыление производит на исходно сверхгладкую поверхность, например скол монокристалла, а обработка заключается в фиксировании полученной пленки дополнительной подложкой, например из стекла, после чего первоначальную подложку смывают растворителем, а освобожденную поверхность используют как сверхгладкую.
Тем самым предлагаемся вместо выравнивания внешней поверхности образца использовать поверхность, образованную границей раздела напыленного слоя с подложкой.
Сущность предлагаемого способа основывается на том, что формирование приподложечного слоя пленки заканчивается при коалесценции отдельных островков. Его структура задается строением подложки, а далее она может смениться на ту, кристаллиты которой наиболее быстро растут. Предлагается использовать именно этот исходно гладкий слой. Кроме того, ориентация пленок будет задаваться подложкой.
Сущность предлагаемого способа поясняется примером его конкретной реализации в лаборатории физической электроники отдела ЭТТ НИИФ СПбГУ.
Для исследования на СТМ объектов атомных размеров понадобилось проводящие и устойчивые поверхности. В качестве материала поверхности было выбрано золото. Наиболее подходящий метод получения поверхностей достаточного размера это вакуумное напыление. Однако при вакуумном напылении золота на подложки при комнатной температуре поверхность получается холмистая и не обеспечивает достаточного разрешения наших объектов. Использование способов, известных из литературы /приведены выше/ не привело к достаточно надежным результатам. Мы воспользовались описанным способом. В качестве гладкой подложки был использован скол монокристалла KBr. Сколы, содержащие большое количество ступенек, зрительно отбраковывались. В вакууме около 10-2 Па на это скол при комнатной температуре за несколько секунд напылялся с навески ан вольфрамовой проволоке, разогреваемой прямым накалом, слой золота около 1 мкм. Образцы вынимались на воздух и наклеивались напыленным слоем эпоксидным клеем ЭПО на дополнительную подложку, вырезанную из стекла /фотопластинка/. После застывания клея соль смывалась дистиллированной водой.
Как показали эксперименты на сканирующем туннельном микроскопе, полученная "реплика" скола монокристалла KBr являлась практически атомно-гладкой, кроме того, так как пленка была получена на ориентирующей подложке, являлась практически монокристальной, что подтверждает одна система Кикучилиний на электронограмме.
Были проведены эксперименты по применению таких поверхностей для создания и исследования структур нанометровых размеров в сканирующем туннельном микроскопе.
Изображения, полученные на сканирующем туннельном микроскопе, показывают степень гладкости исходной поверхности.
По сравнению с аналогами наш способ имеет следующие преимущества:
широкий диапазон режимов напыления;
возможность получения монокристальной поверхности;
возможность получения поверхностей с различным химическим составом;
для получения сверхгладкой поверхности достаточно оборудования для вакуумного напыления;
обработка образцов производится при атмосферном давлении.
С технико-экономической стороны главными достоинством предложенного изобретения являются простота реализации данного способа в условиях неспециализированной физической лаборатории, т.е. простота и малая стоимость необходимой аппаратуры и материалов.

Claims (1)

  1. Способ получения сверхгладких поверхностей, включающий вакуумное напыление золотого слоя на подложку и его последующую обработку, отличающийся тем, что вакуумное напыление проводят на временную подложку, в качестве которой используют скол монокристалла бромида калия, после чего слой фиксируют эпоксидным клеем на подложке, а временную подложку удаляют растворением в дистиллированной воде.
RU93027059A 1993-05-18 1993-05-18 Способ получения сверхгладких поверхностей RU2097444C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93027059A RU2097444C1 (ru) 1993-05-18 1993-05-18 Способ получения сверхгладких поверхностей

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93027059A RU2097444C1 (ru) 1993-05-18 1993-05-18 Способ получения сверхгладких поверхностей

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU93027059A RU93027059A (ru) 1996-10-10
RU2097444C1 true RU2097444C1 (ru) 1997-11-27

Family

ID=20141803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU93027059A RU2097444C1 (ru) 1993-05-18 1993-05-18 Способ получения сверхгладких поверхностей

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2097444C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2600113C2 (ru) * 2014-01-29 2016-10-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) Способ изготовления печатных плат

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. EP, патент, 0273550, кл. C 23 C 14/24, 1989. 2. ЕР, патент, 0269049, кл. C 23 C 4/18, 1989. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2600113C2 (ru) * 2014-01-29 2016-10-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) Способ изготовления печатных плат

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5483920A (en) Method of forming cubic boron nitride films
Abbink et al. Surface processes in the growth of silicon on (111) silicon in ultrahigh vacuum
USRE33096E (en) Semiconductor substrate
EP0127200B1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device by means of a molecular beam technique
EP0257917A2 (en) Method of producing soi devices
US4239788A (en) Method for the production of semiconductor devices using electron beam delineation
US6599616B1 (en) Parallel contact patterning using nanochannel glass (NCG)
RU2097444C1 (ru) Способ получения сверхгладких поверхностей
US3884788A (en) Substrate preparation for liquid phase epitaxy of mercury cadmium telluride
US5876790A (en) Vacuum evaporation method for producing textured C60 films
Sumiya et al. Initial growth stage of CaF2 on Si (111)-7× 7 studied by high temperature UHV-STM
Mercier Properties of Low‐Temperature Heteroepitaxial Thin Silicon Films Grown in Helium Atmosphere
King et al. Analysis of CaF2 Si (111) using coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy
US5628834A (en) Surfactant-enhanced epitaxy
US7597867B1 (en) Method of carbon nanotube modification
JPH03769B2 (ru)
Shinohara et al. ICB deposition and epitaxial growth of GaAs thin films
EP0056737A3 (en) Method of manufacturing a semiconductor device using molecular beam epitaxy
Woodham et al. Fabrication of atomic‐scale metallic microstructures by retarding‐field focused ion beams
EP0431685A1 (en) Method of forming thin defect-free strips of monocrystalline silicon on insulators
JP3163773B2 (ja) 薄膜製造方法
JPS62277147A (ja) 薄膜の製法
Ide et al. STM observation of growth interruption effect of MBE growth
Dutartre et al. Growth-front modulation in lamp zone melting of Si on SiO2
SU270076A1 (ru) Способ получени монокристаллических пленок на аморфной подложке