JP2002507759A

JP2002507759A - 変調可能なレフレクター及びこれを使用するための方法

Info

Publication number: JP2002507759A
Application number: JP2000537092A
Authority: JP
Inventors: ロバーソン，マーク・ダブリュー; リン，グレン・エイ; ディーン，フィリップ・エイ; マーカス，カレン・ダブリュー
Original assignee: MCNC
Current assignee: MCNC
Priority date: 1998-03-17
Filing date: 1999-03-16
Publication date: 2002-03-12
Anticipated expiration: 2019-03-16
Also published as: WO1999047950A2; US6233088B1; EP1064571A2; KR20010041970A; WO1999047950A3; JP4458665B2; AU3106799A; US6137623A

Abstract

(57)【要約】少なくとも１つの反射表面の、機械的に変形可能な部分を有するレフレクター。反射表面の前記部分を変形することにより、不連続性が、反射表面の前記部分内に導入される。反射表面内の不連続性は、入射放射線信号を散乱させて、反射信号の減衰を惹起する。反射表面の前記部分を選択的に変形することにより、反射信号は、反射信号内に含まれるデータを符号化するために、符号化されることが可能である。反射表面の、機械的に変形可能な部分は、その中に一体的に形成されているプレートを有する。ひとつの例として、レフレクターがコーナーキューブレフレクターの形をとる。反射された信号内のデータを符号化するための反射面での３次元パターンを有するレフレクターはバーコードパターンのように機能することが開示されている。このレフレクターのひとつの応用例は敵と味方の識別（ＩＦＦ）において用いられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】＜発明の分野＞本発明は、放射線レフレクターすなわち放射線反射器に関し、より詳細には、
変調可能な反射表面を有する電磁レフレクター及び光学レフレクターに関する。

【０００２】＜発明の背景＞電磁放射線及び光学放射線の分野で、レトロレフレクターすなわち再帰反射器
は、良く知られている装置であり、しばしば、トランスポンダーすなわち応答器
として使用される。レトロレフレクターは、電磁エネルギーを受取り、このよう
な電磁エネルギーを反射して、電磁エネルギーの到来方向に戻す。受動的レトロ
レフレクターは、入射信号と同一の一般特性で、好ましくは、入射ビームに対す
る反射ビームの方向性利得が比較的高く、入射ビームに対する反射ビームの拡が
りが比較的小さい状態で、信号を戻す。対照的に、能動的レトロレフレクターは
、放射線入射ビームに応答して、ユーザが定義可能な信号を生成できる放射装置
を含むこともある。

【０００３】レトロレフレクターは、通信システム、監視システム、及び空中給油システム
を含む多数の分野での様々な用途を有する。異なるタイプのレトロレフレクター
構造の例として、コーナーキューブレフレクター、ホーンレフレクター、パラボ
リックディッシュレフレクターすなわち皿形放物面反射器、パラボリックシリン
ダーレフレクターすなわちシリンダー形放物面反射器がある。これらの及び他の
レトロレフレクターの構成例の例示は、例えば、Ｇｅｒｈａｒｚの米国特許第４
５１７５６９号を含む多数の出版物内に記載されている。他のタイプの良く知ら
れているレトロレフレクターは、ＧｏｒｄａｎＥ．Ｐｅｃｋｈａｍ及びＲｏｂ
ｅｒｔＡ．Ｓｕｔｔｉｅ著の”ＭｉｃｒｏｗａｖｅＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎ
ＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆａＲｏｔａｔｉｎｇＣｏｒｒｕｇａｔｅｄ
ＭｅｔａｌｌｉｃＰｌａｔｅＵｓｅｄａｓａＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎ
Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ，”ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｉｔｏｎｏｎＡｎｔｅｎ
ｎａｓａｎｄＰｒｏｐａｇａｔｉｏｎ，Ｖｏｌ．３６，Ｎｏ．７，ｐｐ．１
０００−１００６（Ｊｕｌｙ１９８８）に記載のカセグレンレフレクターであ
る。

【０００４】レトロレフレクターの別の１つの用途は、戦闘状況での、敵味方識別（ＩＦＦ
：ｉｄｅｎｔｉｆｙｉｎｇｆｒｉｅｎｄ−ｏｎ−ｆｏｅ）タスクである。敵同
士の戦力が、遠距離で戦争手段を介して交戦できるようになる武器の開発により
、味方同士の殺戮が問題となった。ＩＦＦタスクは、確実かつ一義的な識別と、
ステルス位置すなわち秘匿性位置との間の微妙な構成で行われる。典型的なＩＦ
Ｆシステムでは、無線周波数またはマイクロ波周波数での要求すなわち質問要求
が、例えば航空機またタンクなどの質問ユニットにより、行われ、対応する応答
信号が、標的ユニットにより送信される。これは、通常、標的ユニットのトラン
スポンダーにより達成され、トランスポンダーは、質問要求が受信されると、符
号化された応答信号を放射する。他のシステムは、単に、質問要求入射信号を再
放射または反射するだけであり、いくつかのシステムは、明瞭な方法で、再放射
信号または反射信号を変調する。質問ユニットは、次いで、受信信号を暗号翻訳
して、標的ユニットが味方または敵かを判定する。しかし、質問ユニットに到達
するのに充分な強度を有する、広い拡がりで指向されている応答信号を放射する
（すなわち、反射することにより、標的ユニットの位置を示すこともある、放射
線の一部は、敵のユニットにより検出されることもある。

【０００５】ＩＦＦタスクで利用されるレレフレクターシステムすなわち再反射器システム
の例は、Ｂｕｓｅｒらの米国特許第４３６１９１１号明細書及びＣａｒｂｏｎｎ
ｅａｕらの米国特許第５２７４３７９号明細書に開示されている。Ｂｕｓｅｒら
の明細書は、高電力レーザー質問器及び専用受信器を有するレーザーレトロレフ
レクションシステムにすなわちレーザー再帰反射システム関し、このシステムは
、味方標的により解読されることが可能である暗号の質問メッセージを有するレ
ーザーパルスを送信する。味方標的のレトロレフレクターは、正しく事前選択さ
れた暗号の質問メッセージが、検出される場合のみ、レーザー光を反射する。音
響光学変調器は、事前割当てされている強度変調で反射信号を変調する。レーザ
ー質問器の受信器により専用されている変調符号が、正しい場合、標的は、味方
とみなされる。しかし、Ｂｕｓｅｒらのシステムは、１００ワット以上の動作電
力を必要とし、この動作電力は、短いバーストモードの場合でさえも、多数の軽
量用途にとって過度に大きい。さらに、残留無線周波数（ＲＳ）漏洩に起因して
、Ｂｕｓｅｒらに開示されているものなどの音響光学装置は、敵により容易に検
出可能となることもある。さらに、Ｂｕｓｅｒらのシステムは、入射レーザーパ
ルスの再帰反射を保証するために、発信源レンズ及び受信器レンズが、正確に位
置合せされていることを必要とする。

【０００６】Ｃａｒｂｏｎｎｅａｕらの明細書に開示されている光学システムでは、すべて
の乗り物が、放射線送信器及び受信器を備える。受信器は、他の乗り物により送
信される放射線を検出するための検出器を含む。乗り物が、別の味方乗り物から
の符号化信号を受信し、正しく識別すると、非ブロック化信号が発生されて、放
射線送信路をクリアし、これにより、レフレクターは、受信信号を反射して、発
信源に戻す。レフレクターは、さらに、前もって決められた符号を、反射信号に
付加して、時反射信号を受取る乗り物が、さらなる前もって決められた符号を識
別することが可能であるようにする。Ｃａｒｂｏｎｎｅａｕらに記載のレフレク
ターは、前もって決められた符号を、反射信号に付加するために、回転ディスク
を利用するレトロレフレクターである。しかし、反射信号内に含まれている符号
化されている情報は、ディスクに依存するので、送信されることが可能である情
報全量は、利用される特定のディスクにより制限され、さらに、軸を中心として
回転するディスクの可能な速度により制限される。

【０００７】従って、ステルス通信すなわち秘匿性通信を提供することが可能である低電力
レフレクターシステムに対する必要性が、依然として、満足されずに、工業界に
存在する。

【０００８】＜発明の概要＞従って、本発明の１つの目的は、ＩＦＦタスクでの使用に適切な、改善された
低電力レフレクターシステムを提供することにある。

【０００９】本発明の別の１つの目的は、減少されたシグネチャにより反射信号を変調する
ことが可能である、改善されたレフレクターを提供することにある。

【００１０】本発明の別の１つの目的は、レフレクターシステムを利用して反射信号を変調
するための、改善された方法を提供することにある。

【００１１】本発明の別の１つの目的は、レフレクターの反射表面上で符号化されたデータ
を有する、改善されたレフレクターを提供することにある。

【００１２】これら及び他の目的は、本発明により、レフレクターの少なくとも１つの反射
表面の一部を機械的に変形し、これにより、前記反射表面の前記一部内の不連続
性を導入するおよび／または除去することにより、提供される。反射表面内の不
連続性は、本質的に、入射放射線を散乱して、反射信号の減衰を惹起する。反射
表面の変形可能な部分を選択的に減衰することにより、反射信号は、変調されて
、反射信号内に含まれているデータを符号化する。さらに、データは、反射表面
の変形可能な部分の表面上で符号化されることも可能である。

【００１３】本発明のレフレクターは、次のことを含む、多数の好ましい用途を有する。第
１の用途は、従来の形式の通信を使用して通信するには、コストが大きすぎる、
困難すぎる、または望ましくない、遠隔システムと通信と通信することが可能で
ある、戸外に設置された通信としてである。１つの例は、戦場で軍隊の動きをト
ラッキングすることである。第２の用途は、低電力消費量を有する緊急位置検出
装置としてである。地上のがらくた及び他の障害物が、視界を悪くし、ノイズを
起こす。この用途では、明瞭な反射信号を応答送信するために、質問信号を変調
するレトロレフレクターは、行方不明の人間または乗り物の位置検出を支援する
。第３の用途は、磁気バッジ及びバーコードを使用して、近傍の対象において、
現在、行われているように、遠隔の対象の安全性証明である。第４の用途は、地
雷地帯を探知することが可能である軽量ロボットと、中央本部の探索者との間の
確実な光通信を確立することにある。この用途では、探索者は、ロボットに取付
けられいるレフレクターにより反射された光信号により、地雷地帯を走査する。
ロボットは、周期的にロボットを空間的に移動する推進システムを備えることも
ある。各地帯で、ロボットは、爆発副産物及び爆発物質の検出を示すために、本
発明のレフレクターを使用して、明瞭な方法で、探索者の光走査信号を反射する
機会を有することが可能である。前と同様、これらは、本発明のレフレクターの
例示的用途にすぎず、多数の用途が、当業者には自明である。

【００１４】さらに、本発明に従って、選択的に変形可能な部分を有するレフレクターは、
マイクロ電子機械的システム（ＭＥＭＳ：ｍｉｃｒｏ−ｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈ
ａｎｉｃａｌｓｙｓｔｅｍ）を使用して、製造されることが可能である。この
技術は、最近、本発明の譲受人（出願人）により開発された。ＭＥＭＳ技術を使
用して、製造されたレフレクターは、潜在的に、マイクロ電子製造技術に起因し
て、小コスト装置であることが可能である。さらに、このようなレフレクターは
、従来の装置に比して大幅に小型であることが可能である。

【００１５】本発明の第１の実施例では、放射線源からの入射放射線信号を受信する。前記
入射放射線信号の反射率を変化させることが可能であるマイクロ製造されたレフ
レクターが、反射構造を具備する。前記反射構造は、前記入射放射線信号を反射
して、反射放射線信号を発生させ、少なくとも１つの反射表面を有する。前記反
射構造は、さらに、前記反射表面の一部と連結されて、前記反射表面の前記一部
内に不連続性を選択的に導入する手段である。これにより、前記レフレクターの
前記反射率を変化させ、前記反射放射線信号を減少させる（すなわち散乱させる
）前記手段を具備する。本発明の１つの態様では、不連続を選択的に導入するた
めの手段は、受動的に、反射放射線信号内に含まれているデータを符号化するこ
とが可能である。さらに、反射構造は、第２の反射表面に連結されている、不連
続性を導入するための手段を有する第２の反射表面を含むこともある。

【００１６】好ましくは、レフレクターは、レトロレフレクターであり、このようにして、
入射放射線信号が、ほぼ放射線源に向かう方向に反射されるようにする。レトロ
レフレクターは、コーナーキューブレフレクター、ホーンレフレクター、パラボ
リックレフレクターすなわち放物面反射器であることも可能である。

【００１７】本発明の別の１つの態様では、不連続性を導入するための手段は、例えばプレ
ートなどの、少なくとも１つの可動の構造を具備する。可動のプレートは、方形
、三角形、円形、多角形、または任意の不規則形状などの実質的に任意の形状を
とることが可能である。可動のプレートは、例えば、静電的、熱的または磁気的
などの、多数の方法により作動されることが可能である。構造的に、１つの前記
可動のプレートは、第１の残留応力値の第１の材料層と、前記第１の層に対向し
て位置する第２の材料層とを含み、前記第１の残留応力値と異なる第２の残留応
力値の前記第２の層により、前記プレートは、例えばアーチ状またはカール状な
ど非平面的に動く。プレート部材のカーリングにより、反射表面の一部内に不連
続性が、発生される。代替的に、プレートは、例えば、ポリシリコンなどの材料
の単一層から成ることも可能であり、ポリシリコンは、良く知られているように
、ポリシリコンの残留応力による惹起される非平面性を有する。

【００１８】反射放射線信号のシグネチャを減少させ、望ましくない識別の尤度を低下させ
るために、可動のプレートは、個別に作動される。さらに、不連続性を導入する
ための手段は、複数の可動のプレートを具備し、可動のプレートは、不規則パタ
ーンで反射表面上に配置されている。さらに、不連続性を導入するための手段は
、制御可能に作動され、これにより、反射される入射放射線信号量を変化させる
。

【００１９】本発明の別の１つの態様では、不連続性を導入するための手段は、少なくとも
１つのプレートに剛性構造的に取付けられている梁（ｂｅａｍ）などの構造を具
備する。梁は、実質的に任意の規則的形状または規則的形状をとることが可能で
ある。梁は、静電的、熱的または磁気的に作動されることが可能である。好まし
くは、梁構造は、ポリシリコンの単一層を具備し、単一層は、応力を印加され、
このようにして、梁構造が、非平面性を示し、これにより、反射表面の一部内に
不連続性が発生されるようにする。梁は、梁の反射表面上に3次元パターンを含み、これにより、反射信号内に含まれているデータを受動的に符号化することが
可能である。

【００２０】マイクロ電子レフレクターは、さらに、反射構造と連結されている放射線放射
器を具備することもある。放射線放射器は、反射構造の反射表面に取付けられて
いることもある。さらに、マイクロ電子レフレクターは、反射構造と連結されて
いる放射線検出器も具備することもある。放射線検出器は、反射構造の反射表面
に取付けられていることもある。

【００２１】本発明の第２の実施例では、反射放射線信号内に含まれているデータを受動的
に符号化するためのマイクロ電子レフレクターが具備する反射構造は、入射放射
線信号の発信源に向かって入射放射線信号を反射する少なくとも１つの反射表面
と、反射構造の反射表面の少なくとも１つの部分上に配置されている１つの選択
的に作動可能なプレートとを有する。作動可能なプレートは、反射表面の一部内
に不連続性を導入するためであり、これにより、入射放射線信号を散乱させ、こ
れにより、プレートの選択的な作動に依存して、反射放射線信号内に含まれてい
るデータを符号化する。プレートは、静電的、熱的または電磁的などの多数の方
法により作動されることが可能である。マイクロ電子レフレクターは、さらに、
反射構造に連結されている放射線放射器および／または放射線検出器を具備する
こともある。

【００２２】さらに、レフレクターは、第２の作動可能なプレートを含むこともあり、プレ
ートと第２のプレートとは、個別に作動可能であり、これにより、反射信号のシ
グネチャの明瞭性を低減する。反射表面が複数のプレートを含む場合、プレート
は、不規則パターンで配置され、これにより、反射信号のシグネチャの明瞭性を
低減することが可能である。

【００２３】本発明の第２の実施例では、レフレクターを利用して、放射線信号を変調する
ための方法が、レフレクターにより入射放射線信号を受信するステップと、レフ
レクターの表面の一部を機械的に変形するステップであって、これにより、前記
表面内に不連続性を惹起し、レフレクターにより反射された入射放射線信号の量
を低減するステップとを具備する。前記表面の前記一部を変形するステップは、
反射された入射放射線信号を変調するステップを含む。前記表面の前記一部を変
形するステップは、時間の経過とともに、変形の程度を変化させるステップも含
む。前記表面の前記部分を機械的に変形するステップは、プレート機構に静電荷
を印加するステップも含むこともある。

【００２４】レフレクターが、放射線放射器を含む場合、本方法は、受信放射線信号に応答
して、放射器により第２の放射線信号を発生させるステップを含むことも可能で
ある。さらに、レフレクターが、放射線検出器を含む場合、本方法は、検出器に
より、放射線信号を検出するステップを含むこともある。

【００２５】本方法は、さらに、前記部分の変形と異なる程度で、レフレクターの表面の第
２の部分を機械的に変形するステップを含む。レフレクターの表面の第２の部分
の変形の程度は、時間の経過とともに、変化されることも可能である。

【００２６】レフレクターは、プレート部材及び作動機構を含む可動のプレート機構を具備
することもあり、この場合、表面の一部を機械的に変形するステップは、作動機
構により、レフレクターの表面に対して、プレート部材を動かすステップを含む
こともある。レフレクターが、複数の静電的プレート機構を含む場合、表面の一
部を機械的に変形するステップは、プレート部材のそれぞれを、個別に動かすス
テップを含むこともある。前記表面の前記部分を機械的に変形するステップは、
反射信号に含まれるデータを符号化するために、作動機構からの信号に応答して
、前記表面を変形するステップを含むこともある。さらに、符号化するステップ
は、反射信号の振幅変調、周波数変調、または移相変調を含むこともある。

【００２７】＜好ましい実施例の詳細な説明＞本発明は、以下、好ましい実施例が示されている添付図面を参照して、より詳
細に説明される。本発明は、しかし、多数の異なる形で実施されることが可能で
あり、本明細書に記載の実施例に制限されない。これらの実施例は、開示が、完
全完璧となり、当業者に本発明の範囲を完全に伝えるように、提供されている。
図面において、構成要素は、必ずしも、正確な縮尺率で描かれていない。さらに
、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。

【００２８】図１において、本発明の１つの実施例による静電的プレート１２を内蔵するコ
ーナーキューブレトロレフレクター１０が示されている。コーナーキューブレト
ロレフレクター１０は、第１のマイクロ電子基板１４、第２のマイクロ電子基板
１６、及び第３のマイクロ電子基板１８を有する。マイクロ電子基板１４、１６
、及び１８は、相互接続されて、図示のマイクロ電子レトロレフレクターを形成
する。マイクロ電子基板１４、１６、及び１８は、当業者に自明な多数の異なる
方法により、相互接続されることが可能であるが、１つの好ましい方法は、アー
チはんだ相互接続技術を使用することにある。簡単に説明すると、アーチソルダ
相互接続技術は、第１の基板のエッジに沿って、複数のはんだ隆起部を形成し、
次いで、第１の基板が、第２の基板に隣接して配置されることを含む。はんだ隆
起部は、複数の前記はんだ隆起部内に付加的なはんだを再度流すことにより、増
大され、このようにして、はんだ隆起部が、半球状になり、第２の基板に接触し
て、アーチはんだ相互接続を形成するようにする。付加的なはんだは、細長で狭
幅で、はんだを含有する領域から、はんだ隆起部内に供給され、これにより、は
んだ隆起部の体積を増大し、これにより、はんだ隆起部は、増大し、第２の基板
に接触する。アーチはんだ相互接続のより詳細な説明は、本発明の譲受人（出願
人）に譲渡された、ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｏｒｏｎｉｃＰａｃｋａｇｉｎｇ
ＵｓｉｎｇＡｒｃｈｅｄＳｏｌｄｅｒＣｏｌｕｍｎｓとの題名の１９９６
年５月２９日出願の同時係属特許出願第０８／６５４５３９号に開示され、前記
明細書の開示は、引用するこれにより、あたかも完全に記載されているかのよう
に、本明細書の一部を成すものとする。この技術は、本明細書に記載のレフレク
ターのそれぞれを製造するのに使用されることが可能である。

【００２９】マイクロ電子基板１４、１６、１８は、ほぼ正方形または方形として示されて
いるにもかかわらず、当業者に自明なように、マイクロ電子基板１４、１６、１
８は、例えば三角形などの他の形状を有することが可能であり、これにより、錐
台構造のためのピラミッドを形成することが可能である。マイクロ電子基板１４
、１６、及び１ｂの代替的構成例は、コーナーキューブレトロレフレクター１０
の実装または取付けを改善するのに好適である。

【００３０】図１に示されているように、コーナーキューブレトロレフレクター１０は、入
射放射線信号２０を受信し、前記入射放射線信号２０にほぼ平行に配向されてい
る反射放射線信号２２を発生させることが可能である。このようにして、反射放
射線信号２２は、到来方向へ向かって反射されて戻される。図示のように、これ
は、入射放射線信号２０が、約１８０゜の組合せ反射角を有する２つ以上の表面
から反射される。従って、入射放射線信号２０のかなりの部分が、同一の一般特
性と、比較的小さい拡がりまたは散乱で、線源に戻される。さらに、コーナーキ
ューブレトロレフレクター１０などのレトロレフレクターは、セルフアライニン
グ形であり、このようにして、放射線信号２０の入射角と無関係に、反射放射線
信号２２は、レトロレフレクターにほぼ平行である。

【００３１】静電的プレート１２は、図１に示されているように、コーナーキューブレトロ
レフレクター１０の基板１８の一部上に設けられている。静電的プレート１２は
、反射表面２４内に不連続性を選択的に導入するために、設けられ、これにより
、反射放射線信号内に減衰を惹起し、これにより、放射線源に反射されて戻され
るも、入射放射線信号の量すなわち強度は大幅に低減される。

【００３２】第１の位置で、静電的プレート１２は、図２Aに示されているように、ほぼ平ら（すなわち平面的）である。この位置で、同様に、図１に示されているように
、静電的プレート１２は、いかなる有意の量の不連続性も、反射表面２４内に導
入しない。このようにして、コーナーキューブレトロレフレクター１０は、あた
かも、静電的プレート１２が存在しないかのように、動作し、ほぼすべての入射
放射線信号２０が、線源に反射されて戻される。

【００３３】第２の位置で、静電的プレート１２は、図２Bに示されているように、カールされて、反射表面２４から遠ざかる。この位置で、静電的プレート１２は反射表
面２４内に不連続性を導入し、これにより、図３に示されているように、入射放
射線信号２０が散乱される。このようにして、入射放射線信号２０の一部のみが
、信号Ｒ１により示されているように、放射線源へ向かって反射されて戻され入
射放射線信号２０の一部は、信号Ｒ２により示されているように、散乱される。
その結果の散乱は、反射信号Ｒ１を減衰させ、このようにして、入射放射線信号
２０の一部のみが、その線源に反射されて戻される。

【００３４】コーナーキューブレトロレフレクター１０は、入射放射線信号を反射して、そ
の線源へ向かって戻すことが可能であり、本発明による他のレフレクターは、入
射放射線信号を、所定の方向でその線源へ向かって反射することが可能でない。
このようにして、このようなレフレクターに入射する放射線信号は、選択的に散
乱され、このようにして、入射放射線信号の一部のみが、所定の方向に反射され
るようにする。これは、本明細書に記載のコーナーキューブレトロレフレクター
の動作にほぼ等価であり、本発明の範囲内にある。

【００３５】静電的プレート１２は、マイクロ電子機械的システム（ＭＥＭ）技術を利用し
て、マイクロ電子基板１８内に形成されることが可能である。静電的プレート製
造の詳細な説明は、例えば、Ｗ．Ｂｅｎｅｃｋｅ，”Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｍｉｃｒ
ｏａｃｔｕａｔｏｒｓ：ＡｃｔｉｖａｔｉｏｎＭｅｃｈａｎｉｓｍｓａｎｄ
ＳｃａｌｉｎｇＰｒｏｂｌｅｍｓ，”１９９１ＩＥＥＥＩｎｔｅｒｎａ
ｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＳｏｌｉｄ−ＳｔａｔｅＳｅｎ
ｓｏｒｓａｎｄＡｃｔｕａｔｏｒｓＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，ＳａｎＦ
ｒａｎｃｉｓｃｏ，Ｊｕｎｅ，１９９１，ｐｐ．４６−４９（ＩＳＢＮ０−８
７９４２−５８５−３）。

【００３６】例えば、図２Ａ及び２Ｂにおいて、プレート部材３０は、基板上にポリシリコ
ン導電薄層を蒸着及びパターン化することにより、形成されて、下部電極として
動作することが可能である。次いで、酸化物保護層が、下部電極３２上に蒸着さ
れ、ポリシリコン層が、その上に蒸着される。ポリシリコン層は、次いで、パタ
ーン化され、エッチングされて、プレート部材３０を形成する。プレート部材３
０は、酸化物保護層を除去することにより、露出される。延性を有する金属層３
４（好ましくはチタンまたはクロム）が、プレート部材３０上に蒸着及びパター
ン化される。プレート部材３０を形成するポリシリコンの引張試験値に比してよ
り大きい引張試験値を有する金属を利用することにより、複合２層構造からの残
留応力分布に起因して、プレート部材３０は、図２Ｂに示されているように、カ
ールされて反射表面２４から遠ざかるか、または、反射表面２４に対して動く。
このようにして、作動されないすなわち正常の位置で、プレート部材３０は、カ
ールされて、基板１８から遠ざかる。

【００３７】マイクロプロセッサなどの作動機構３５を介して、下部電極３２に、所定の電
圧を印加することにより、プレート部材３０は、下部電極３２へ向かって引張ら
れ、このようにして、プレート部材３０は、その完全に作動された状態において
、図２Ａに示されているように、ほぼ平らでである。約１５０ボルト以下の電圧
印加は、２ミクロンの厚さ及び２０ミクロンの幅のプレート２を完全に作動する
のに充分である。

【００３８】当業者に自明なように、本発明を実施するのに適する静電的プレートを製造す
る様々な他の方法が存在する。例えば、すべて金属製の２層プレート部材は、有
機解放層を使用して、製造されることが可能である。このような代替的製造法の
さらなる説明は、ＭａｒｃＭａｄｏｕ、ＦｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓｏｆＭ
ｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，ＣＲＣＰｒｅｓｓ（１９９７）（ＩＳＢＮ
０−８４９３−９４５１−１）に記載されている。従って、適切な表面マイク
ロ加工技術は、当業者に良く知られているので、本明細書におけるさらなる説明
は、不要である。

【００３９】本明細書に記載の静電的プレート１２は、方形であり、当業者に自明なように
、静電的プレート１２は、例えば三角形、円形、多角形の他の規則的形状、また
はほぼ任意の規則的または不規則的形状をとることが可能である。さらに、静電
的以外の、プレート部材を作動する方法は、本発明に従って、利用されることが
可能である。例えば、プレート部材は、熱的バイモルフまたは形状記憶合金を使
用して、熱的に作動されることが可能である。熱的に作動されるプレートの説明
は、例えば、ＭａｎａｂｕＡｔｔａｋａら，ＡＢｉｏｍｉｍｅｔｉｃＭｉ
ｃｒｏＭｏｔｉｏｎＳｙｓｔｅｍ−ＡＣｉｌｉａｒｙＭｏｔｉｏｎＳ
ｙｓｔｅｍ，Ｔｈｅ７ｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅｏｎＳｏｌｉｄ−ＳｔａｔｅＳｅｎｓｏｒｓａｎｄＡｃｔｕａｔ
ｏｒｓ−Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ ’９３，Ｙｏｋｏｈａｍａ，Ｊａｐａｎ，Ｊ
ｕｎｅ，１９９３，ｐｐ．３８−４１（ＩＳＢＮ４−９９００２４７−２−９
）に記載されている。簡単に説明すると、１つのタイプの熱的に作動されるプレ
ートは、２つの重合体層の間に挟まれた加熱器層を有し、重合体層は、互いに異
なる熱膨張係数を有し、このようにして、プレートは、加熱されると、カールす
る。カールは、一般に、より大きい熱膨張係数を有する層の方向に発生する。加
熱器は、好ましくは、金および／またはニッケルの金属層から成る。加熱器層内
に電流を流すことにより、プレートは、カールを解除し、ほぼ平面的になる。代
替的に、プレートは、電磁的に作動される。例えば、コイルは、プレートに対向
して位置する基板内に組込まれることが可能であり、プレートは、磁性材料を含
むこともある。プレート部材は、次いで、コイルに電流を流すこれにより、変形
され、これにより、電場が形成され、電場は、プレート部材を吸引してまたは反
発して、プレートを変形する。

【００４０】プレート部材３０の作動周波数を制御することにより、データは、例えば、振
幅変調、移相変調、または周波数変調などの様々な変調スキーマを使用して、符
号化されて、反射信号内に含まれていることが可能である。例えば、入射放射線
信号は、直流（ＤＣ）信号である場合、プレート部材３０は、適切な時間内に作
動されることが可能であり、このようにして、反射信号が、本質的に２つの電力
レベルの間で振動するようにすることが可能である。このようにして、バイナリ
データは、符号化されて、反射信号内に含まれていることが可能である。

【００４１】前述の静電的プレート１２は、ｋＨｚの領域内のへ周波数を達成することが可
能である。より高い周波数での操作に対する抑制因子は、空気減衰または空気抵
抗である。空気抵抗の問題は、より狭幅のプレート部材３０を製造する、および
／または、プレート部材３０を貫通する換気穴を製造することにより、軽減され
る。代替的に、本構造は、真空パッケージ内で製造されことが可能であり、真空
パッケージは、気密に密封され、これにより、静電的プレートを作動する際の空
気減衰の問題をほぼ除去する。

【００４２】さらに、入射放射線信号に強制的に惹起される減衰量は、制御されることが可
能である。例えば、減衰は、静電的プレートによりカバーされる、反射表面の大
きさにより制御されることが可能である。反射表面の小さい部分のみが、１つ以
上の静電的プレートによりカバーされる場合、入射放射線信号の対応する部分は
、静電的プレートが、カールれた位置（すなわち、図２Bの非作動位置）にある場合、散乱される。同様に、レトロレフレクターの反射表面の大きい部分をカバ
ーすることにより、入射放射線信号の対応して大きい部分が、散乱され、従って
、入射放射線信号のより小さい量が、レトロレフレクターにより、反射されて、
戻される。従って、反射信号の特性は、静電的プレートによりカバーされるその
反射表面の所定の部分を有するレトロレフレクターを設計することにより、部分
的に制御されることが可能である。反射表面の充分な部分が、静電的プレートに
よりカバーされる場合、入射放射線信号のほぼ全量が、散乱され、本質的に、放
射線信号はまったく、放射線源に戻されない。このような構成例は、特に、入射
ビームが味方の質問ユニットからである確認がされるまで、入射放射線ビームを
まったく反射しないことが望ましい、例えば戦場などの特定の用途で、好適であ
る。

【００４３】本発明によるレトロレフレクターのシグネチャを低減するために、静電的プレ
ートは、図４に示されているように、コーナーキューブレトロレフレクターの１
つ以上の反射表面上に不規則パターンで配置されることが可能である。コーナー
キューブレトロレフレクター４０上の静電的プレートの不規則パターンは、静電
的プレートがカール位置にある場合、認識可能な反射を発生させる確立がより小
さく、これにより、反射が、認識可能な信号として検出されることが阻止される
。これは、特に、コーナーキューブレトロレフレクター４０がＩＦＦタスクで使
用される場合、特に好適である、すなわち、この場合、レトロレフレクター４０
は、敵方により識別されることが可能である区別可能なシグネチャを有する放射
線信号を反射することを望まない標的対象に取付けられる。従って、静電的プレ
ートは、図４に示されているように、不規則パターンで形成され、このようにし
て、いかなる反射放射線も、それ自体として、実質的にランダムであるようにす
ることが可能である。さらに、個別の静電的プレートは、選択的に作動され、こ
れにより、反射放射線のランダム性をさらに増加する。

【００４４】さらに、図５に示されているように、個別のプレート部材５０は、部分的に作
動されて、反射表面２４内に制御可能な程度の不連続性を導入することが可能で
ある。図５に示されているように、例示的な目的のために、プレート部材３０は
、下部電極３２に可変の作動電圧を印加することにより、様々な程度で、基板１
８へ向かって吸引されることが可能である。第１の位置５０で、プレートは、非
作動位置にあり、かなり、カールされて、反射表面２４から遠ざかる。第２の位
置５２で、プレートは、部分的に作動され、下部電極３２の静電的吸引力が、プ
レート部材３０を吸引して、反射表面２４へ向かって動かし、これにより、入射
放射線の散乱量は、位置５０にある場合に比して、小さくなる。第３の位置５４
で、プレートは、位置５２に比してより高い程度に、部分的に作動され、これに
より、プレート３０は、吸引されて、反射表面２４に比較的より近く接近し、こ
れにより、位置５２の場合に比して、散乱量が、さらに小さくなる。従って、作
動の程度（すなわち、プレート部材２０のカールの大きさ）を選択的に制御する
ことにより、静電的プレートにより惹起される散乱は、制御されることが可能で
ある。さらに、複数の静電部材が、様々な程度で、個別に作動され、これにより
、入射放射線信号が散乱されるランダム性をさらに増加し、反射のシグネチャを
減少させることが可能である。

【００４５】図６において、本発明による静電的プレート６２を内蔵するホーンレトロレフ
レクター６０が示されている。静電的プレート６２は、ホーンレトロレフレクタ
ー６２の曲面６４上に配置されていることも可能である。別の１つの構成例では
、図７に示されているように、パラボリックレトロレフレクター７０は、レフレ
クター表面７４上に静電的プレート７２を内蔵する。図６及び７のレトロレフレ
クターは、前述のコーナーキューブレトロレフレクター１０と実質的に同一の方
法で動作することが可能である。特に、作動されると、静電的プレートは、入射
放射線のかなりの部分を反射し、このようにして、レトロレフレクターが、意図
されるように、動作する、すなわち、反射放射線信号のかなりの部分が、到来方
向に配向されて、戻されるようにすることが可能である。非作動状態で、静電的
プレートは、入射放射線を散乱させ、このようにして、入射放射線の比較的小さ
い部分が、到来方向に反射されて戻されるようにする。

【００４６】図８において、本発明による静電的プレート８２を内蔵するコーナーキューブ
レトロレフレクター８０と、コーナーキューブレトロレフレクター８０の表面に
配置されている例えば反射器／検出器８４などのマイクロ電子装置とが示されて
いる。反射器／検出器８４に対して代替的に、マイクロ電子装置は、記憶装置、
マイクロプロセッサ、ドライバ、または他の従来のマイクロ電子回路すなわち超
小形電子回路であることも可能である。さらに、コーナーキューブレトロレフレ
クター８０は、コーナーキューブレトロレフレクター８０の頂点に位置する検出
器／反射器８６などの、中央に配置されているマイクロ電子装置を含むことも可
能である。反射器８４、８６は、特定の周波数領域内で動作して、感度の帯域幅
を制限することも可能である。例えば、反射器／検出器８４、８６は、無線送信
器、無線受信器、レーザーダイオード、または発光ダイオード（ＬＥＤ）である
ことも可能である。検出器の機能として、入射放射線信号が、対応するシステム
により受信及び処理され、これにより、反射放射線信号が適当であるかどうか、
または、いずれの反射放射線信号が適当であるかが判定される。反射器の機能と
して、付加信号が、所定の方向に送信されるか、または、代替的に、反射器が、
所望の他の特定の機能を提供することも可能である。

【００４７】前述のように、プレート１２は、反射面内に不連続性を導入するための、本発
明による変形可能な構造の１つの実施例であり、レフレクターの反射率を選択的
に変化させるのに適切な他の手段が、利用されることも可能である。例えば、梁
が利用されることも可能である。梁は、１つ以上のエッジに剛性構造で取付けら
れることも可能であり、プレートの実施例とほぼ同一の方法で、本発明による梁
の例示的な１つの実施例が、以下に説明される。

【００４８】図９において、梁構造９２は、反射プレート９４を有し、反射プレート９４は
、少なくとも１つの個所で、基板コネクション９６により、基板１０４に取付け
られている。作動機構１０２は、好ましくは、基板１０４に内蔵されている。反
射プレート９４は、好ましくは、制御された残留応力を有するポリシリコンから
成り、このようにして、反射プレート９４が、ほぼ非平面的であるようにする。
特に、反射プレート９４は、カールまたはベンド１０６を含み、カールまたはベ
ンド１０６は、梁構造９２に入射する放射線をインコヒーレント散乱するように
動作する。代替的に、反射プレート９４は、残留応力を含むこともある基板コネ
クション９６に比して、剛性的に平面的であることも可能であり、従って、梁構
造９２の変形は、主に、基板コネクション９６で発生する。

【００４９】梁構造９４は、静電的、熱的、または磁気的を含む多数の方法により作動され
ることが可能である。本開示において、梁構造は、静電的に作動される。しかし
、熱的または磁気的に作動される梁構造の実施は、前述のように、そして、当業
者に自明なように、熱的または磁気的に作動されるプレートと実質的に同一の方
法で達成されることが可能である。このようにして、作動機構１０２は、電極１
０７を有し、電極１０７は、選択的に充電され、これにより、静電力が形成され
、これにより、図１０Ａ及び図１０Ｂに示されているように、反射プレート９４
が、基板１０４に吸引されることが可能である。

【００５０】特に、図１０Ａに示されているように、反射プレート９４は、好ましくは、参
照番号１０８により示されているように、基板１０４から、少なくとも１００ナ
ノメーターだけ離れて配置される。離間距離１０８は、必要な作動電圧の主要な
決定因子であり、装置の操作的必要性に適するように、適合調整されることが可
能である。さらに、反射プレート９４は、好ましくは、１０センチメーター〜１
メーターの曲率半径を有するカールまたはベンド１０６を含む。カール１０６の
程度は、入射放射線を散乱させるのに充分に高くなければならず、しかし、可及
的最小なければならない、何故ならば、これにより、図１０Ｂに示されている位
置に、反射表面１１０を変形して動かすのに必要な電圧を、できるかぎり低下さ
せなければならないからである。このようにして、カール１１０及び間隔１０の
大きさを工学的に検討することにより、電力消費量を低下させ、梁構造９２の効
率を向上させることが可能である。

【００５１】設計において考慮されるべき別の１つの決定因子は、より大きい反射表面エリ
アを提供することと、梁またはプレートを作動するのに必要な電圧を最小化する
こととの間のトレードオフすなわち相殺的妥協である。

【００５２】図１１において、単一の反射エリア１２０を形成することが可能である一群の
梁構造９２A〜９２Dが示されている。反射エリア１２０を、複数の梁構造に区分
することにより、反射エリアを、より効率的に正確に制御することが達成される
ことが可能である。さらに、それぞれの梁構造は、明瞭な反射信号を形成するの
に望ましいように、個別に作動されることが可能である。特に、符号化された反
射信号の周波数と、梁構造の電力消費量とは、より広い総計的な反射表面または
反射エリアを形成するために、より小さい梁構造を利用することにより、改善さ
れることが可能である。

【００５３】図１２及び１３において、それぞれの梁構造９２a〜９２ｄの反射表面の横断面図が示されている。図１１のそれぞれの梁構造９２a〜９２ｃの反射表面は、バーコードパターンとほぼ同様に、反射信号内に含まれるデータを受動的に符号
化するための3次元パターン１２２の例示的な例を含む。3次元パターン１２２は
、図１２に示されているように、反射表面に製造された突出部を有することもあ
り、または、図１３に示されているように、反射表面内に組込まれている、充填
されているまたは空のままの凹部を有することもある。突出部及び凹部は、当業
者に自明なように、ＭＥＭ技術を使用して、製造されることが可能である。さら
に、3次元パターン１２２を有する構造は、それぞれの梁構造の反射表面の光学特性と異なる光学．性を有することも可能である。例えば、１つの方法は、重合
体めっきテンプレート及び電気めっきされた金を使用することにより、反射表面
に形成される一連の金構造を有する。当業者に自明なように、3次元パターンを形成するための多数の他の方法が存在する。

【００５４】梁構造の反射表面内でデータを符号化することにより、（プレートを変調する
ことにより）反射信号内で、符号化されるべきデータメッセージを形成するのに
必要な論理回路が、低減されることが可能である。例えば、各梁構造は、「オフ
」または「オン」（すなわち、作動位置または非作動位置）に、個別に作動され
ることが可能である。この位置で、各梁構造は、明瞭な方法で、入射放射線信号
を反射することが可能であり、これにより、反射信号の受取人への特異的メッセ
ージを符号化することが可能である。このようにして、４つの梁構造が、反射構
造内の少なくとも４つの明瞭なメッセージを符号化することが可能である。これ
により、データメッセージを形成するのに必要な論理回路が低減されるだけでな
く、データを符号化するのに必要なエネルギーが減少される、何故ならば、梁構
造は、繰り返し、変調される必要はないからである。

【００５５】動作中、図１４に示されているように、コーナーキューブレトロレフレクター
８０の静電的プレート８２は、最初に、通常の非作動位置にあり、このようにし
て、放射線信号の高々小さい部分のみが、反射されて、放射線源に戻される。ブ
ロック１３０により示されているように、１つ以上の反射器／検出器８４、８６
により検出されることが可能である入射放射線信号を受信すると、受信された入
射放射線信号が、適当に処理されることにより、ブロック１３２により示されて
いるように、静電的プレート８２が、入射放射線信号に応答するために、作動さ
れるべきかどうかが、判断される。応答することが望ましい場合、コーナーキュ
ーブレトロレフレクター８０は、ブロック１３４により示されているように、入
射放射線信号の一部を選択的に反射するために、１つ以上のプレート部材を作動
することにより、反射表面の一部を、選択的に機械的に変形する。代替的に、プ
レート部材は、ブロック１３６により示されているように、通常の非作動位置に
あるままである。さらに、反射器／検出器８４、８６のうちの１つ以上のものが
、入射放射線信号の線源により受信されることが可能である放射線信号を放射す
ることが可能である。

【００５６】前述のレトロレフレクター構造は、マイクロ電子基板を使用して、製造される
ことが可能であるので、静電的プレートおよび／または放射器／検出器の動作を
駆動または制御するための電子回路は、レトロレフレクターを有するマイクロ電
子基板上に製造されることが可能である。さらに、放射器／検出器は、Ｓｕｒｆ
ａｃｅＭｏｕｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ＳＭＴ）すなわち表面実装技術、
フリップチップ及びマルチチップモジュール（ＭＣＭ）構造を含む、様々な公知
の方法で、マイクロ電子基板に実装されることが可能である。

【００５７】図面及び明細書において、本発明の典型的な好ましい実施例が開示され、特定
の用語が使用されたにもかかわらず、それらの用語は、一般的かつ説明的意味で
のみ使用され、制限するために使用されておらず、本発明の範囲は、請求の範囲
に記載されている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による静電的プレートを有するコーナーキューブレフレクターの斜視図
であり、静電的プレートは、ほぼ平らな位置すなわち平面的位置で示されている
。

【図２Ａ】平らな位置すなわち平面的位置での静電的プレートの立面図である。

【図２Ｂ】カーリングされた位置での、図２Ａの静電的プレートの立面図である。

【図３】図１のコーナーキューブレトロレフレクターの斜視図である。

【図４】コーナーキューブレフレクターの斜視図であり、コーナーキューブレフレクタ
ーは、コーナーキューブレフレクターの１つ以上の反射表面上に不規則パターン
で配置されているプレートを有する。

【図５】作動の程度を変化させて示す、静電的プレートの立面図である。

【図６】本発明による静電的プレートを有するホーンレトロレフレクターの横断面図で
ある。

【図７】本発明による静電的プレートを有するパラボリックレトロレフレクターの斜視
図である。

【図８】本発明による静電的プレートを有するコーナーキューブレトロレフレクターの
斜視図であり、コーナーキューブレトロレフレクターは、さらに、コーナーキュ
ーブレトロレフレクターの反射表面上に電子装置を含む。

【図９】本発明による梁構造の斜視図である。

【図１０Ａ】非平面的位置での、図９の梁構造の立面図である。

【図１０Ｂ】平面的位置での図９の梁構造の立面図である。

【図１１】本発明による反射表面を一緒に形成することが可能である一群の梁構造の上面
図である。

【図１２】図１１の１２’―１２’切断線に沿って切断して示す横断面図である。

【図１３】図１１の１３’―１３’切断線に沿って切断して示す横断面図である。

【図１４】本発明による、図８のコーナーキューブレトロレフレクターの動作のフローチ
ャートである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者リン，グレン・エイアメリカ合衆国ノースカロライナ州27513，ケアリー，エクスキャリバー・コート 206 (72)発明者ディーン，フィリップ・エイアメリカ合衆国ノースカロライナ州27713，ダーラム，フォーチュン・リッジ・ドライヴ 5500，＃75シー (72)発明者マーカス，カレン・ダブリューアメリカ合衆国ノースカロライナ州27613，ローリー，オーク・オーチャード・コート 7909 Ｆターム(参考） 2H041 AA11 AB14 AC04 AC06 AC07 AZ08 2H042 EA02 EA15 5J070 AK14 BC06 BC14 BC30 5J084 BA56 EA23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】放射線源からの入射放射線信号を受信し、前記入射放射線信
号の反射率を変化させることが可能であるマイクロ加工組立されたレフレクター
であって、前記入射放射線信号を反射して反射放射線信号を発生し、少なくとも１つの反
射表面を有する反射構造体と、前記反射構造体の前記反射表面の一部と連結され、前記反射表面の前記一部内
に不連続性を選択的に導入するための手段であって、不連続を導入するための前
記手段が選択的に作動されると、前記レフレクターの前記反射率を変化させ、前
記反射放射線信号を散乱させる手段とを具備する、マイクロ加工組立されたレフレクター。
【請求項２】不連続性を選択的に導入するための前記手段が、前記反射放
射線信号内に含まれているデータを受動的に符号化する、請求項１に記載のマイ
クロ加工組立レフレクター。
【請求項３】前記レフレクターが、レトロレフレクターであり、このよう
にして、前記入射放射線信号が、ほぼ前記放射線源へ向かって反射されるように
する、請求項１に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項４】前記反射構造が、第２の反射表面を有し、前記不連続を導入
するための手段が、前記第２の反射面に連結されている、請求項１に記載のマイ
クロ加工組立レフレクター。
【請求項５】前記反射構造が、コーナーキューブである、請求項１に記載
のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項６】前記不連続性を導入するための手段が、少なくとも１つの可
動のプレートを具備する、請求項１に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項７】少なくとも１つの前記可動のプレートが、第１の残留応力値
の第１の材料層および前記第１の層に対向して位置する第２の材料層を含むプレ
ート部材を含み、前記第１の残留応力値と異なる第２の残留応力値の前記第２の層により、前記
プレート部材が非平面的になり、これにより、前記不連続性が形成される、請求
項６に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項８】前記可動のプレートが、個別に作動される、請求項６に記載
のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項９】前記可動のプレートが、静電的に作動される、請求項６に記
載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項１０】前記不連続性を導入する手段が、不規則パターンで前記反
射表面上に配置されている複数の可動プレートを具備し、請求項１に記載のマイ
クロ加工組立レフレクター。
【請求項１１】不連続性を導入するための手段が、少なくとも１つの梁構
造を具備する、請求項１に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項１２】前記梁構造が、片持ち梁を具備する、請求項１１に記載の
マイクロ加工組立レフレクター。
【請求項１３】前記梁構造が、ヒンジ付プレートを具備する、請求項１１
に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項１４】前記梁構造が、前記反射表面にほぼ平行な反射プレートと、前記反射表面に柱の近位端で取付けられ、前記反射プレートに柱の遠位端で取
付けられている柱とを含む、請求項１１のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項１５】前記反射プレートが、前記入射放射線信号を選択的に反射
し、明瞭な信号を生成するようにする3次元表面を具備する、請求項１４に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項１６】前記梁構造が、静電的に作動される、請求項１１に記載の
マイクロ加工組立レフレクター。
【請求項１７】前記梁構造が、熱的に作動される、請求項１１に記載のマ
イクロ加工組立レフレクター。
【請求項１８】前記梁構造が、電磁的に作動される、請求項１１に記載の
マイクロ加工組立レフレクター。
【請求項１９】前記不連続性を導入するための手段が、個別に作動可能で
ある、複数の梁構造を具備し、請求項１に記載のマイクロ加工組立レフレクター
。
【請求項２０】前記梁構造が、前記反射表面上に不規則パターンで形成さ
れている、請求項１９に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項２１】前記梁構造が、前記反射表面上に規則的なパターンで形成
されている、請求項２０に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項２２】前記反射構造に連結されている放射線放射器を、さらに具
備する、請求項１に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項２３】前記反射構造に連結されている放射線検出器を、さらに具
備する、請求項１に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項２４】前記不連続性を導入するための手段が、反射される入射放
射線信号の量を変化させるように制御可能に作動される、請求項１に記載のマイ
クロ加工組立レフレクター。
【請求項２５】前記不連続性を導入するための手段を選択的に作動するた
めの手段をさらに具備するマイクロ加工組立レフレクターであって、前記作動するための手段は、前記不連続性を導入するための手段と通信するこ
とが可能である、請求項１に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項２６】前記作動するための手段が、マイクロプロセッサを具備す
る、請求項２５に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項２７】反射放射線信号内に含まれるデータを受動的に符号化する
ためのマイクロ加工組立レフレクターであって、少なくとも１つの反射表面を有し、前記反射表面が、入射放射線信号を、前記
入射放射線信号の放射線源に向かって反射させる反射構造体と、選択的に作動可能であり、前記反射構造体の前記反射表面の少なくとも一部上
に配置されて、前記一部内に不連続性を導入し、前記入射放射線信号を散乱させ
、これにより、前記変形可能な構造の選択的な作動に依存して、前記反射放射線
信号に含まれるデータを符号化する変形可能な構造体とを含んでなる、マイクロ
加工組立レフレクター。
【請求項２８】前記変形可能な構造がプレートである、請求項２７に記載
のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項２９】前記プレートが、第１の残留応力値を有する第１の材料の第１の層と、前記第１の残留応力値と異なる残留応力値を有する第２の材料の第２の層とを
有する、請求項２７に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項３０】前記変形可能な構造が、梁である、請求項２７に記載のマ
イクロ加工組立レフレクター。
【請求項３１】前記梁が、前記反射表面にほぼ平行な反射プレートと、基
板の近位端が前記反射表面に接続され、基板の遠位端が前記反射プレートに接続
されている基板とを含む、請求項３９に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項３２】前記変形可能な構造が、前記入射放射線信号を選択的に反
射させ、明瞭な信号を生成する３次元反射表面を含む、請求項２７に記載のマイ
クロ加工組立レフレクター。
【請求項３３】前記反射構造の第２の反射表面上に配置されている第２の
変形可能な構造をさらに含む、請求項２７に記載のマイクロ加工組立レフレクタ
ー。
【請求項３４】前記変形可能な構造及び前記第２の変形可能な構造が、個
別に作動可能である、請求項３３に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項３５】前記変形可能な構造が、第１の残留応力値の第１の材料層
と、前記第１の層に対向して位置する第２の材料層とを含み、前記第１の残留応力値と異なる第２の残留応力値の前記第２の材料によって、
前記プレート部材が動かされることにより、前記不連続性が形成される、請求項
２７に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項３６】前記変形可能な構造を作動するための手段をさらに含むマ
イクロ加工組立レフレクターであって、前記作動するための手段は、前記変形可能な構造と通信することが可能である
、請求項２７に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項３７】前記作動するための手段が、マイクロプロセッサである、
請求項３６に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項３８】反射放射線信号に含まれるデータを受動的に符号化するた
めのマイクロ加工組立レフレクターであって、基板と、その近位端が前記基板に付着されている基板コネクタと、反射表面を有し、前記基板コネクタに付着され、前記反射表面が前記反射放射
線信号に含まれるデータを符号化するための3次元パターンを含む反射プレートとを含んでなる、マイクロ加工組立レフレクター。
【請求項３９】前記反射プレートが、さらに、前記反射プレートの一部内
にカールを具備する、請求項３８に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項４０】前記反射プレートが、少なくとも１つの第１のエッジ及び
第２のエッジを含み、前記第１のエッジの個所で前記基板コネクタに付着され、前記カールは前記第２のエッジの近傍に位置する、請求項３９に記載のマイク
ロ加工組立レフレクター。
【請求項４１】前記カールの曲率半径が、おおよそ、１ｃｍと１ｍとの間
にある、請求項３９に記載のマイクロ加工組立レフレクター。
【請求項４２】レフレクターを利用して、放射線信号を変調するための手
段であって、前記レフレクターにより入射放射線信号を受信するステップと、前記レフレクターの表面の一部を選択的に変形するステップであって、これに
より、不連続性が、前記表面内に選択的に形成され、これにより、前記レフレク
ターにより反射される入射放射線信号の量が減少されるステップとを具備する方法。
【請求項４３】前記表面の前記一部を変形する前記ステップが、前記反射
放射線信号を変調するステップを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】前記レフレクターが、放射線放射器を含み、さらに、前記
放射線信号に応答して、前記放射器により、第２の放射線信号を生成するステッ
プを具備する、請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】前記レフレクターが、放射線検出器を含み、前記検出器に
より、前記放射線信号を検出するステップをさらに具備する、請求項４２に記載
の方法。
【請求項４６】前記表面の前記一部を変形する前記ステップが、時間とと
もに、変形の程度を変化させるステップを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４７】前記部分と異なる程度で、前記レフレクターの表面の第２
の部分を機械的に変形し、不規則的不連続を表面内に形成するステップをさらに
含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４８】前記レフレクターが、プレート部材を含む可動のプレート
機構と、作動機構と具備し、前記表面の前記部分を機械的に変形する前記ステップが、前記レフレクターの
前記表面に対して前記プレート部材を動かす作動手段により、前記プレート機構
を動かすステップを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４９】前記プレート部材のうちの少なくとも一つが、３次元反射
表面を含み、前記表面の前記部分を機械的に変形する前記ステップが、明瞭な応答を発生す
るために、前記入射放射線信号を反射するステップを含む、請求項４８に記載の
方法。
【請求項５０】前記レフレクターが、作動機構と通信することが可能であ
る梁部材を含んだ可動の梁機構を具備し、前記表面の前記部分を機械的に変形する前記ステップが、前記レフレクターの
前記表面に対して前記梁部材を動かすために、前記作動手段により、前記梁機構
を動かすステップを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項５１】前記梁機構のうちの少なくとも一つが、３次元反射表面を
含み、前記表面の前記部分を機械的に変形する前記ステップが、明瞭な応答を発生さ
せるために、前記入射放射線信号を反射するステップを含む、請求項５０に記載
の方法。
【請求項５２】前記レフレクターが、複数の静電式梁機構を含み、前記表面の前記部分を機械的に変形する前記ステップが、前記プレート機構を
個別に作動するために、前記梁機構のそれぞれを動かすステップを含む、請求項
４２に記載の方法。
【請求項５３】前記表面の前記部分を機械的に変形する前記ステップが、
前記反射放射線信号に含まれるデータを符号化するために、作動機構からの信号
に応答して、前記表面を変形するステップを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項５４】前記表面の前記部分を機械的に変形する前記ステップが、
前記プレート機構に静電荷を印加するステップを含む、請求項５３に記載の方法
。