JP2002505377A - 液体ベーパライザ装置と該装置の使用方法 - Google Patents
液体ベーパライザ装置と該装置の使用方法Info
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
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- Y10S261/00—Gas and liquid contact apparatus
- Y10S261/65—Vaporizers
Abstract
(57)【要約】
本発明は、改良形の液体ベーパライザ装置及びこの使用方法を提供するものである。本発明のベーパライザ装置は、ＴＤＭＡＴなど、蒸気圧が比較的低い液体を気化するのに特に有益である。一実施形態では、液体ベーパライザ装置（１０）が、第１および第２の入口（１２および１８）と、出口（２０）を有するベーパライザ・ユニット（１６）を含む。ベーパライザ装置は、入口（２０）および出口（２４）を有する容器（２２）を含むことによって、容器の入口がベーパライザの出口に動作可能に接続される。容器は、容器の入口と容器の出口を動作可能に接続する複数の通路を含む。このようにして、２つの入口のいずれか一方または両方を通ってベーパライザ・ユニット内に流入する液体および／または気体は、ベーパライザ・ユニットの出口から出て、容器の入口に入り、複数の通路を通過して、容器の出口を出る。
Description
【０００１】
本発明は、液体ベーパライザ装置に関し、さらに詳しく言えば、低蒸気圧液体
用の液体ベーパライザ装置に関する。
用の液体ベーパライザ装置に関する。
【０００２】
半導体製造プロセスにおいて、半導体ウェーハ上に薄膜の材料を堆積させるた
めに化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いてもよい。ＣＶＤプロセスの使用は、膜を
高度に均一な層にすることが可能であるため好適である場合が多い。ＣＶＤは通
常、基板が存在する反応チャンバにガスを導入し、このチャンバ内で、ガスの化
学反応によって基板表面上に膜を堆積させる。ＣＶＤ材料には、最初は液体のも
ので、蒸発させてＣＶＤ用の所望の反応チャンバに気相状態で移送されるものが
ある。
めに化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いてもよい。ＣＶＤプロセスの使用は、膜を
高度に均一な層にすることが可能であるため好適である場合が多い。ＣＶＤは通
常、基板が存在する反応チャンバにガスを導入し、このチャンバ内で、ガスの化
学反応によって基板表面上に膜を堆積させる。ＣＶＤ材料には、最初は液体のも
ので、蒸発させてＣＶＤ用の所望の反応チャンバに気相状態で移送されるものが
ある。
【０００３】 ＣＶＤプロセスでは、液体反応源が用いられることが多い。例えば、ＣＶＤの
反応ガスとして四塩化チタン（ＴｉＣｌ4）が用いられて、基板表面上にチタン 含有膜層を堆積させる。また、ＣＶＤプロセスにおいて、金属有機材料であるテ
トラキス−ジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）が用いられる。
反応ガスとして四塩化チタン（ＴｉＣｌ4）が用いられて、基板表面上にチタン 含有膜層を堆積させる。また、ＣＶＤプロセスにおいて、金属有機材料であるテ
トラキス−ジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）が用いられる。
【０００４】 ＴｉＣｌ4とＴＤＭＡＴを用いるＣＶＤでは、通常、液体のＴｉＣｌ4またはＴ
ＤＭＡＴを気化させ、気体のＴｉＣｌ4またはＴＤＭＡＴをキャリヤガスを用い て反応チャンバに移送することが含まれる。ここで、液体化合物を完全に気化す
るよう注意が必要となる。化合物が完全に気化されず、気体／液体を備える混合
物として反応チャンバに搬送されると、反応チャンバにある液体化合物により、
堆積膜の均一性が劣化したり、他にも望ましくないプロセスが生じてしまうこと
につながる。また、プロセス用の配管壁についた液滴が後々蒸発する可能性があ
るため、ウェーハ毎の反復性が低下し、反応チャンバでの気化濃度にばらつきが
生じることもある。また、完全に気化されると、化合物を気相の状態に維持しな
がら反応チャンバに移送するよう注意が必要となる。ＴｉＣｌ4やＴＤＭＡＴが 凝縮すると、堆積処理時に望ましくないばらつきが生じ、さらにライン要素の機
能低下につながる可能性もある。
ＤＭＡＴを気化させ、気体のＴｉＣｌ4またはＴＤＭＡＴをキャリヤガスを用い て反応チャンバに移送することが含まれる。ここで、液体化合物を完全に気化す
るよう注意が必要となる。化合物が完全に気化されず、気体／液体を備える混合
物として反応チャンバに搬送されると、反応チャンバにある液体化合物により、
堆積膜の均一性が劣化したり、他にも望ましくないプロセスが生じてしまうこと
につながる。また、プロセス用の配管壁についた液滴が後々蒸発する可能性があ
るため、ウェーハ毎の反復性が低下し、反応チャンバでの気化濃度にばらつきが
生じることもある。また、完全に気化されると、化合物を気相の状態に維持しな
がら反応チャンバに移送するよう注意が必要となる。ＴｉＣｌ4やＴＤＭＡＴが 凝縮すると、堆積処理時に望ましくないばらつきが生じ、さらにライン要素の機
能低下につながる可能性もある。
【０００５】 一つにＴＤＭＡＴの蒸気圧が低いことから、ＴＤＭＡＴを気化するといくつか
の特有の問題が生じる。したがって、ＴＤＭＡＴ金属有機化合物を完全に気化さ
せ、さらに反応チャンバへと気体化合物を移送しながら、ガスからＴＤＭＡＴ液
体へと凝縮しないようにするための効率的なメカニズムを提供することが望まれ
る。
の特有の問題が生じる。したがって、ＴＤＭＡＴ金属有機化合物を完全に気化さ
せ、さらに反応チャンバへと気体化合物を移送しながら、ガスからＴＤＭＡＴ液
体へと凝縮しないようにするための効率的なメカニズムを提供することが望まれ
る。
【０００６】
本発明は、改良形液体ベーパライザ装置およびその使用方法を提供するもので
ある。本発明のベーパライザ装置は、ＴＤＭＡＴおよび蒸気圧が比較的低い他の
液体源を気化するために特に有益なものである。本発明では、２段階を備える気
化プロセスをとって、このような液体を完全に気化させるように促す。
ある。本発明のベーパライザ装置は、ＴＤＭＡＴおよび蒸気圧が比較的低い他の
液体源を気化するために特に有益なものである。本発明では、２段階を備える気
化プロセスをとって、このような液体を完全に気化させるように促す。
【０００７】
一実施形態では、本発明の液体ベーパライザ装置が、第１の入口と第２の入口
、および出口を有するベーパライザ・ユニットを含む。ベーパライザ装置は、入
口および出口を有する容器をさらに含むことによって、容器の入口がベーパライ
ザ・ユニットの出口に動作可能に接続される。容器は、容器の入口と容器の出口
を動作可能に接続する複数の通路を含む。このようにして、２つの入口のいずれ
か１つかまたは両方を通ってベーパライザ・ユニット内に流入する液体および／
または気体が、ベーパライザ・ユニットの出口を出て、容器の入口に入る。液体
および／または気体は、複数の通路を通過して、容器の出口を出る。
、および出口を有するベーパライザ・ユニットを含む。ベーパライザ装置は、入
口および出口を有する容器をさらに含むことによって、容器の入口がベーパライ
ザ・ユニットの出口に動作可能に接続される。容器は、容器の入口と容器の出口
を動作可能に接続する複数の通路を含む。このようにして、２つの入口のいずれ
か１つかまたは両方を通ってベーパライザ・ユニット内に流入する液体および／
または気体が、ベーパライザ・ユニットの出口を出て、容器の入口に入る。液体
および／または気体は、複数の通路を通過して、容器の出口を出る。
【０００８】 一つの態様では、第１のベーパライザの入口は、液体を受けるように適合され
、第２のベーパライザの入口は、キャリヤガスを受けるように適合される。ベー
パライザ・ユニットは、通過する液体の量を制御する制御弁と、制御弁を通過し
た液体を少なくとも部分的に気化させ、キャリヤガスによってベーパライザの出
口から移送させる気化弁とを備えることが好ましい。また、制御弁と気化弁とを
接続するベーパライザの通路が設けられて、液体が制御弁から気化弁へと流れる
ようにする。
、第２のベーパライザの入口は、キャリヤガスを受けるように適合される。ベー
パライザ・ユニットは、通過する液体の量を制御する制御弁と、制御弁を通過し
た液体を少なくとも部分的に気化させ、キャリヤガスによってベーパライザの出
口から移送させる気化弁とを備えることが好ましい。また、制御弁と気化弁とを
接続するベーパライザの通路が設けられて、液体が制御弁から気化弁へと流れる
ようにする。
【０００９】 ベーパライザ・ユニットは、制御弁と気化弁の両方を含む温度制御されたハウ
ジング構造を備えることがさらに好ましい。ハウジング構造には温度制御メカニ
ズムが連通されて、ハウジング構造内の恒温状態を維持する。このようにして、
制御弁と気化弁を通る液体または気体に所望の熱量が送られることにより、液体
の気化を促進させる。本発明の例示的なベーパライザ・ユニットが、米国特許第
５，４４０，８８７号公報および米国特許第５，２７２，８８０号公報に開示さ
れており、これらの内容全体は本願明細書に参照により引用されたものとする。
この米国特許第５，４４０，８８７号公報および米国特許第５，２７２，８８０
号公報は共に、本願譲受人であるカリフォルニア州サンタクララのアプライドマ
テリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．）に譲渡された
ものである。
ジング構造を備えることがさらに好ましい。ハウジング構造には温度制御メカニ
ズムが連通されて、ハウジング構造内の恒温状態を維持する。このようにして、
制御弁と気化弁を通る液体または気体に所望の熱量が送られることにより、液体
の気化を促進させる。本発明の例示的なベーパライザ・ユニットが、米国特許第
５，４４０，８８７号公報および米国特許第５，２７２，８８０号公報に開示さ
れており、これらの内容全体は本願明細書に参照により引用されたものとする。
この米国特許第５，４４０，８８７号公報および米国特許第５，２７２，８８０
号公報は共に、本願譲受人であるカリフォルニア州サンタクララのアプライドマ
テリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．）に譲渡された
ものである。
【００１０】 容器の通路の累積表面領域は、通路がない同じサイズの容器の内面領域よりも
少なくとも２倍広いものが好ましく、さらに少なくとも１０倍広いものがより好
ましい。容器は、容器の入口と出口をつなぐ通路数を少なくとも５本備えること
が好ましく、さらに少なくとも１０本備えることがより好ましい。
少なくとも２倍広いものが好ましく、さらに少なくとも１０倍広いものがより好
ましい。容器は、容器の入口と出口をつなぐ通路数を少なくとも５本備えること
が好ましく、さらに少なくとも１０本備えることがより好ましい。
【００１１】 一つの態様では、容器は、概して円筒状のものである。容器は、熱伝導材料を
含むことがさらに好ましい。また、容器がステンレス鋼を含む態様もあれば、容
器がアルミニウムを含む態様もある。さらに、他の金属または金属合金などの他
の熱伝導材料が用いられてもよい。
含むことがさらに好ましい。また、容器がステンレス鋼を含む態様もあれば、容
器がアルミニウムを含む態様もある。さらに、他の金属または金属合金などの他
の熱伝導材料が用いられてもよい。
【００１２】 液体ベーパライザ装置は、容器と連通した熱源を備えることがさらに好ましい
。一つの態様では、容器の熱源は、容器の周りを少なくとも部分的に覆ったブラ
ンケット形ヒータを備える。このように、容器の熱源により容器の外面を所望の
温度まで加熱させることが可能となる。容器の材料として熱伝導性のものを使う
ことによって、容器の構造全体で熱を伝達しやすくなり、さらに容器を通る液体
および／または気体の気化を促進させる。
。一つの態様では、容器の熱源は、容器の周りを少なくとも部分的に覆ったブラ
ンケット形ヒータを備える。このように、容器の熱源により容器の外面を所望の
温度まで加熱させることが可能となる。容器の材料として熱伝導性のものを使う
ことによって、容器の構造全体で熱を伝達しやすくなり、さらに容器を通る液体
および／または気体の気化を促進させる。
【００１３】 別の態様では、ベーパライザ装置は、容器の出口に動作可能に取り付けられ、
さらに反応チャンバに取り付けられるように適合されたガス通路をさらに備える
。このようにして、容器の出口を出る気体が、ＣＶＤ用の所望の反応チャンバや
他のプロセスに移送されてもよい。ガス通路は、容器の出口を出る気体が気相状
態を保ちやすいように、絶縁され加熱された通路であることが好ましい。
さらに反応チャンバに取り付けられるように適合されたガス通路をさらに備える
。このようにして、容器の出口を出る気体が、ＣＶＤ用の所望の反応チャンバや
他のプロセスに移送されてもよい。ガス通路は、容器の出口を出る気体が気相状
態を保ちやすいように、絶縁され加熱された通路であることが好ましい。
【００１４】 別の態様では、液体ベーパライザ装置は、ベーパライザの入口の少なくとも１
つに動作可能に接続されたプレヒータをさらに含む。このようなプレヒータは、
キャリヤガスがベーパライザ・ユニットに入る前にキャリヤガスを予熱するため
に使用されることが好ましい。このようにして、キャリヤガスを加熱することに
より、液体ＴＤＭＡＴなどの所望の液体を気化させやすくする。
つに動作可能に接続されたプレヒータをさらに含む。このようなプレヒータは、
キャリヤガスがベーパライザ・ユニットに入る前にキャリヤガスを予熱するため
に使用されることが好ましい。このようにして、キャリヤガスを加熱することに
より、液体ＴＤＭＡＴなどの所望の液体を気化させやすくする。
【００１５】 本発明は、液体／気体混合物を気化させるための方法をさらに提供するもので
ある。この方法は、液体とキャリヤガスをベーパライザ・ユニット内に流入させ
、液体を少なくとも部分的に気化させて液体／気体混合物を生成するステップを
含む。液体／気体混合物を加熱した容器を通過させて、さらに気化して製品ガス
にする。
ある。この方法は、液体とキャリヤガスをベーパライザ・ユニット内に流入させ
、液体を少なくとも部分的に気化させて液体／気体混合物を生成するステップを
含む。液体／気体混合物を加熱した容器を通過させて、さらに気化して製品ガス
にする。
【００１６】 この方法の一つの態様では、液体／気体混合物は、容器内に含まれる複数の概
して平行な通路を通過させる。これらの通路の累積表面領域は、通路がない同じ
サイズの容器の内面領域よりも少なくとも２倍広いものが好ましい。液体の蒸発
圧は、１００℃で約８２Ｔｏｒｒよりも小さいものが好ましい。一つの態様では
、液体はＴＤＭＡＴを含むが、本発明の範囲内において他の液体を使用してもよ
い。別の態様では、キャリヤガスはヘリウムを含むが、アルゴン、窒素などの他
の不活性ガスや、不活性ガスとの組合せを用いてもよい。さらなる別の態様では
、液体／気体混合物は、少なくともいくらかの液体ＴＤＭＡＴを含む。製品ガス
は、気体ＴＤＭＡＴを含むものが好ましい。
して平行な通路を通過させる。これらの通路の累積表面領域は、通路がない同じ
サイズの容器の内面領域よりも少なくとも２倍広いものが好ましい。液体の蒸発
圧は、１００℃で約８２Ｔｏｒｒよりも小さいものが好ましい。一つの態様では
、液体はＴＤＭＡＴを含むが、本発明の範囲内において他の液体を使用してもよ
い。別の態様では、キャリヤガスはヘリウムを含むが、アルゴン、窒素などの他
の不活性ガスや、不活性ガスとの組合せを用いてもよい。さらなる別の態様では
、液体／気体混合物は、少なくともいくらかの液体ＴＤＭＡＴを含む。製品ガス
は、気体ＴＤＭＡＴを含むものが好ましい。
【００１７】 一つの実施形態では、この方法は、ベーパライザ・ユニットを所望の温度まで
加熱するステップをさらに備え、この温度は、約５０℃から約２００℃の範囲内
のものが好ましい。別の態様では、この方法は、ベーパライザ・ユニットに入る
前に、キャリヤガスを所望の温度まで加熱するステップをさらに備え、この温度
は、約５０℃から約２００℃の範囲内のものが好ましい。
加熱するステップをさらに備え、この温度は、約５０℃から約２００℃の範囲内
のものが好ましい。別の態様では、この方法は、ベーパライザ・ユニットに入る
前に、キャリヤガスを所望の温度まで加熱するステップをさらに備え、この温度
は、約５０℃から約２００℃の範囲内のものが好ましい。
【００１８】 この方法は、容器の外面を所望の温度まで加熱するステップを備えることがさ
らに好ましい。一つの態様では、容器の外面は、少なくとも約８０℃まで加熱さ
れる。別の態様では、容器の外面は、約５０℃から約２００℃の範囲内の温度ま
で加熱される。このようにして、容器を加熱することによって、残留する液体が
あればこの液体をさらに気化しやすくなる。
らに好ましい。一つの態様では、容器の外面は、少なくとも約８０℃まで加熱さ
れる。別の態様では、容器の外面は、約５０℃から約２００℃の範囲内の温度ま
で加熱される。このようにして、容器を加熱することによって、残留する液体が
あればこの液体をさらに気化しやすくなる。
【００１９】 さらなる別の態様では、この方法は、製品ガスを絶縁され加熱された通路を通
して、製品ガスから液体が凝縮しないようにするステップを含む。加熱された通
路の外面は、約５０℃から約２００℃の範囲内の温度まで加熱されることが好ま
しい。
して、製品ガスから液体が凝縮しないようにするステップを含む。加熱された通
路の外面は、約５０℃から約２００℃の範囲内の温度まで加熱されることが好ま
しい。
【００２０】 本発明の一実施形態では、通過する液体／気体混合物を気化する装置が、熱伝
導性材料を含み、入口と出口を有する、容器を含む。入口は、容器内に含まれた
複数の通路により出口に動作可能に接続される。熱源が容器に連通されて、容器
の外面を所望の温度まで加熱する。通路の累積表面領域は、このような通路がな
い同じサイズの容器の内面領域よりも少なくとも２倍広いものである。この容器
は、ステンレス鋼および／またはアルミニウムを含むものが好ましいが、本発明
の範囲内において他の熱伝導性材料を使用してもよい。
導性材料を含み、入口と出口を有する、容器を含む。入口は、容器内に含まれた
複数の通路により出口に動作可能に接続される。熱源が容器に連通されて、容器
の外面を所望の温度まで加熱する。通路の累積表面領域は、このような通路がな
い同じサイズの容器の内面領域よりも少なくとも２倍広いものである。この容器
は、ステンレス鋼および／またはアルミニウムを含むものが好ましいが、本発明
の範囲内において他の熱伝導性材料を使用してもよい。
【００２１】 本発明の上記および他の特徴および利点は、添付図面と組み合わせて好適な実
施形態が詳細に記載される以下の記載から明らかになるであろう。
施形態が詳細に記載される以下の記載から明らかになるであろう。
【００２２】
本発明による液体ベーパライザ装置１０を以下に記載する。図１は、液体ベー
パライザ装置１０の模式図を示す。ベーパライザ装置１０は、ヘリウム、窒素な
どのキャリヤガスが移送されるキャリヤガスライン１２を含む。液体ＴＤＭＡＴ
を気化させるために、キャリヤガスは、ヘリウムおよび窒素などの不活性ガスの
組合せであるものが好ましい。したがって、キャリヤガスという用語は、不活性
ガスまたは不活性ガスの組合せを指すものであることを理解されたい。所望のキ
ャリヤガスが質量流量コントローラ１１を流れ、このコントローラは、そこを通
過するキャリヤガスの流量を制御するように作動する。キャリヤガスは、プレヒ
ータ１４で予熱され、キャリヤガスライン１２を引き続き通過して、ベーパライ
ザ・ユニット１６内に入る。
パライザ装置１０の模式図を示す。ベーパライザ装置１０は、ヘリウム、窒素な
どのキャリヤガスが移送されるキャリヤガスライン１２を含む。液体ＴＤＭＡＴ
を気化させるために、キャリヤガスは、ヘリウムおよび窒素などの不活性ガスの
組合せであるものが好ましい。したがって、キャリヤガスという用語は、不活性
ガスまたは不活性ガスの組合せを指すものであることを理解されたい。所望のキ
ャリヤガスが質量流量コントローラ１１を流れ、このコントローラは、そこを通
過するキャリヤガスの流量を制御するように作動する。キャリヤガスは、プレヒ
ータ１４で予熱され、キャリヤガスライン１２を引き続き通過して、ベーパライ
ザ・ユニット１６内に入る。
【００２３】 液体ＴＤＭＡＴなどの所望の液体は、液体源ライン１３を流れて、液体流量メ
ータ１５内に流入し、通過する。液体流量メータ１５は、該液体流量メータ１５
を流れる液体の量を測定するように作動する。所望の液体は、液体ライン１８に
入り、ベーパライザ・ユニット１６に搬送される。少なくとも部分的にＴＤＭＡ
Ｔを気化するベーパライザ・ユニット１６は、残りの図面と組み合わせて以下に
詳細に記載する。
ータ１５内に流入し、通過する。液体流量メータ１５は、該液体流量メータ１５
を流れる液体の量を測定するように作動する。所望の液体は、液体ライン１８に
入り、ベーパライザ・ユニット１６に搬送される。少なくとも部分的にＴＤＭＡ
Ｔを気化するベーパライザ・ユニット１６は、残りの図面と組み合わせて以下に
詳細に記載する。
【００２４】 ＴＤＭＡＴとキャリヤガスの液体／気体混合物が、液体気体混合物ライン２０
を通ってベーパライザ・ユニット１６を出て、残りの図面と組み合わせて記載す
るように、さらにＴＤＭＡＴを気化させるように容器２２に入る。気体ＴＤＭＡ
Ｔを備える製品ガスが、容器２２から出て、製品ガスライン２４を通り反応チャ
ンバ２６へと進む。次いで、気体ＴＤＭＡＴを用いた化学気相堆積または他の所
望のプロセスを反応チャンバ２６内で生じさせることが可能となる。
を通ってベーパライザ・ユニット１６を出て、残りの図面と組み合わせて記載す
るように、さらにＴＤＭＡＴを気化させるように容器２２に入る。気体ＴＤＭＡ
Ｔを備える製品ガスが、容器２２から出て、製品ガスライン２４を通り反応チャ
ンバ２６へと進む。次いで、気体ＴＤＭＡＴを用いた化学気相堆積または他の所
望のプロセスを反応チャンバ２６内で生じさせることが可能となる。
【００２５】 キャリヤガスライン１２、液体源ライン１３および液体ライン１８は、ステン
レス鋼管などを備えるものであってよい。同様に液体ガス混合物ライン２０およ
び製品ガスライン２４も、ステンレス鋼管等を備えるものであってよい。一実施
形態では、ライン１２、１３、２０、２４の管の直径は、１／４インチであり、
ライン１８の管の直径は、１／８インチである。
レス鋼管などを備えるものであってよい。同様に液体ガス混合物ライン２０およ
び製品ガスライン２４も、ステンレス鋼管等を備えるものであってよい。一実施
形態では、ライン１２、１３、２０、２４の管の直径は、１／４インチであり、
ライン１８の管の直径は、１／８インチである。
【００２６】 本発明は、キャリヤガスライン１２を間に設けることなく、プレヒータ１４を
ベーパライザ・ユニット１６に動作可能に取り付けることも更に考えられる。こ
のような場合の接続は、面密閉形の管など、嵌合および接合によって達成されて
もよい。同様に、液体／ガス混合物ライン２０を用いることなく、ベーパライザ
・ユニット１６と容器２２を互いに動作可能に取り付けることも可能である。
ベーパライザ・ユニット１６に動作可能に取り付けることも更に考えられる。こ
のような場合の接続は、面密閉形の管など、嵌合および接合によって達成されて
もよい。同様に、液体／ガス混合物ライン２０を用いることなく、ベーパライザ
・ユニット１６と容器２２を互いに動作可能に取り付けることも可能である。
【００２７】 図２をここで参照して、好適なベーパライザ・ユニット１６を記載する。図２
に示されているように、ベーパライザ・ユニット１６は、ＴＤＭＡＴなどの所望
の液体を受ける液体入口５０を備える。液体ライン１８は、液体入口５０に動作
可能に接続されて、液体ＴＤＭＡＴをベーパライザ・ユニット１６へと移送可能
にする。制御弁５２は、該制御弁５２を通る液体ＴＤＭＡＴの量を制御するよう
に作動する。液体ＴＤＭＡＴは、ベーパライザの通路５６を通り、気化弁５４内
に進む。図３に最良に示されているように、ベーパライザ・ユニット１６は、キ
ャリヤガスライン１２に動作可能に取り付けられたキャリヤガス入口６０をさら
に含む。キャリヤガスはベーパライザ・ユニット１６に入ると、気化弁５４に入
り、該気化弁５４を通過する。キャリヤガスは、気化弁５４を通って少なくとも
部分的に気化したＴＤＭＡＴを移送し、さらに液体／気体ＴＤＭＡＴ混合物は、
ベーパライザ・ユニット出口６２を出る。
に示されているように、ベーパライザ・ユニット１６は、ＴＤＭＡＴなどの所望
の液体を受ける液体入口５０を備える。液体ライン１８は、液体入口５０に動作
可能に接続されて、液体ＴＤＭＡＴをベーパライザ・ユニット１６へと移送可能
にする。制御弁５２は、該制御弁５２を通る液体ＴＤＭＡＴの量を制御するよう
に作動する。液体ＴＤＭＡＴは、ベーパライザの通路５６を通り、気化弁５４内
に進む。図３に最良に示されているように、ベーパライザ・ユニット１６は、キ
ャリヤガスライン１２に動作可能に取り付けられたキャリヤガス入口６０をさら
に含む。キャリヤガスはベーパライザ・ユニット１６に入ると、気化弁５４に入
り、該気化弁５４を通過する。キャリヤガスは、気化弁５４を通って少なくとも
部分的に気化したＴＤＭＡＴを移送し、さらに液体／気体ＴＤＭＡＴ混合物は、
ベーパライザ・ユニット出口６２を出る。
【００２８】 図２および図３は、制御弁５２と気化弁５４を囲む温度制御されたハウジング
構造５８を示す。図４に示されているように、温度制御メカニズムまたはヒータ
コントローラ６４が、ハウジング構造５８に動作可能に取り付けられて、ハウジ
ング構造５８の内部の恒温状態を維持する。好ましくは約５０℃から約２００℃
の高温で、さらにより好ましくは約７０℃から約９０℃の高温でハウジング構造
５８内の温度を制御することによって、ＴＤＭＡＴを少なくとも部分的に気化す
ることが可能となる。この替わりとして、キャリヤガスと接触させることによっ
て、ＴＤＭＡＴを少なくとも部分的に気化させてもよい。
構造５８を示す。図４に示されているように、温度制御メカニズムまたはヒータ
コントローラ６４が、ハウジング構造５８に動作可能に取り付けられて、ハウジ
ング構造５８の内部の恒温状態を維持する。好ましくは約５０℃から約２００℃
の高温で、さらにより好ましくは約７０℃から約９０℃の高温でハウジング構造
５８内の温度を制御することによって、ＴＤＭＡＴを少なくとも部分的に気化す
ることが可能となる。この替わりとして、キャリヤガスと接触させることによっ
て、ＴＤＭＡＴを少なくとも部分的に気化させてもよい。
【００２９】 図２から４と組み合わせて前述したものは、本発明によるベーパライザ・ユニ
ット１６の好適な実施形態を記載したものである。より詳細な記載が、米国特許
第５，４４０，８８７号公報および米国特許第５，２７２，８８０号公報になさ
れており、前述したように、これらの内容全体は参照により本願明細書に引用さ
れたものとする。
ット１６の好適な実施形態を記載したものである。より詳細な記載が、米国特許
第５，４４０，８８７号公報および米国特許第５，２７２，８８０号公報になさ
れており、前述したように、これらの内容全体は参照により本願明細書に引用さ
れたものとする。
【００３０】 好適なベーパライザ・ユニット１６は、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥ
ＯＳ、１００℃で蒸気圧が約８２Ｔｏｒｒ）および他の材料を気化するさいに著
しく良好な結果が得られる。しかしながら、一つにＴＤＭＡＴの蒸気圧が低い（
１００℃で約９．１Ｔｏｒｒ）ため、ベーパライザ・ユニット１６は通常、部分
的にしかＴＤＭＡＴを気化しない。前述したように、部分的に気化されたＴＤＭ
ＡＴが存在すると、化学気相堆積プロセスにおいて望ましくない特性を生じてし
まうことがある。
ＯＳ、１００℃で蒸気圧が約８２Ｔｏｒｒ）および他の材料を気化するさいに著
しく良好な結果が得られる。しかしながら、一つにＴＤＭＡＴの蒸気圧が低い（
１００℃で約９．１Ｔｏｒｒ）ため、ベーパライザ・ユニット１６は通常、部分
的にしかＴＤＭＡＴを気化しない。前述したように、部分的に気化されたＴＤＭ
ＡＴが存在すると、化学気相堆積プロセスにおいて望ましくない特性を生じてし
まうことがある。
【００３１】 ＴＤＭＡＴを完全に気化するには、液体／気体混合物ライン２０を、ＴＤＭＡ
Ｔを完全に気化するのに十分な温度まで加熱することが考えられる。しかしなが
ら、１／４インチ直径の管を備える混合物ライン２０では、このような管の外面
を少なくとも１１５℃まで加熱する必要がある。このような温度では、ＴＤＭＡ
Ｔが分解して望ましくない副生成物を発生し、反応チャンバ内で行う化学気相堆
積プロセスに悪影響を及ぼしてしまう。さらに、この温度の気体により、嵌合部
、噴射弁および他のライン要素に亀裂が生じてしまうことがある。したがって、
本発明の少なくとも一部は、液体／気体混合物ライン２０の温度、つまりＴＤＭ
ＡＴの温度を不所望のレベルまで上昇させずにＴＤＭＡＴを完全に気化させるた
めに、より低温でＴＤＭＡＴをより広い領域の加熱表面に露出させることを実現
するものである。
Ｔを完全に気化するのに十分な温度まで加熱することが考えられる。しかしなが
ら、１／４インチ直径の管を備える混合物ライン２０では、このような管の外面
を少なくとも１１５℃まで加熱する必要がある。このような温度では、ＴＤＭＡ
Ｔが分解して望ましくない副生成物を発生し、反応チャンバ内で行う化学気相堆
積プロセスに悪影響を及ぼしてしまう。さらに、この温度の気体により、嵌合部
、噴射弁および他のライン要素に亀裂が生じてしまうことがある。したがって、
本発明の少なくとも一部は、液体／気体混合物ライン２０の温度、つまりＴＤＭ
ＡＴの温度を不所望のレベルまで上昇させずにＴＤＭＡＴを完全に気化させるた
めに、より低温でＴＤＭＡＴをより広い領域の加熱表面に露出させることを実現
するものである。
【００３２】 図５を参照して、液体ベーパライザ装置１０の好適な容器２２を以下に記載す
る。容器２２は、中央部７６に動作可能に取り付けた入口と出口のエンドキャッ
プ７４を備える。エンドキャップ７４と中央部分７６を組み合わせることによっ
て、容器２２の形状が円筒状となる。液体／気体混合物ライン２０は、液体／気
体のＴＤＭＡＴ混合物が容器２２に入るように、容器２２に動作可能に取り付け
られる。また、製品ガスライン２４は、製品ガスを容器２２から出すように容器
２２に動作可能に取り付けられる。ライン２０と２２は、面密閉された管などを
用いることを含む多数の方法によって容器に動作可能に取り付けることもできる
。また、前述したように、容器２２は、ベーパライザ・ユニット１６に動作可能
に取り付けることも可能であり、この場合はそれらの間に混合物ライン２０を用
いる必要がなくなる。
る。容器２２は、中央部７６に動作可能に取り付けた入口と出口のエンドキャッ
プ７４を備える。エンドキャップ７４と中央部分７６を組み合わせることによっ
て、容器２２の形状が円筒状となる。液体／気体混合物ライン２０は、液体／気
体のＴＤＭＡＴ混合物が容器２２に入るように、容器２２に動作可能に取り付け
られる。また、製品ガスライン２４は、製品ガスを容器２２から出すように容器
２２に動作可能に取り付けられる。ライン２０と２２は、面密閉された管などを
用いることを含む多数の方法によって容器に動作可能に取り付けることもできる
。また、前述したように、容器２２は、ベーパライザ・ユニット１６に動作可能
に取り付けることも可能であり、この場合はそれらの間に混合物ライン２０を用
いる必要がなくなる。
【００３３】 容器２２は、熱伝導性材料を含むものが好ましく、さらにステンレス鋼および
／またはアルミニウムかなるものがより好ましい。このような金属を選択すると
、所望の熱伝導特性が得られるため、外部の熱源が容器２２を所望の温度まで加
熱することが可能となる。また、容器２２は、他の金属または金属合金を含む他
の熱伝導性材料を含むものであってもよい。容器２２は、本発明の範囲内であれ
ば他の形状の容器を用いることも可能であるが、円形状または円筒状の容器２２
を備えることが好ましい。一実施形態では、容器２２の直径は、約１インチから
約３インチ内のものが好ましく、高さは、約０．５インチから約２インチ内のも
のが好ましい。このようなサイズおよび形状をもたせることで、カリフォルニア
州サンタクララのアプライドマテリアルズ社のＰｒｅｃｉｓｉｏｎ５０００(登 録商標）、Ｃｅｎｔｕｒａ５２００(登録商標）、Ｅｎｄｕｒａ５５００(登録商
標）システムを含む現在市販されている例示的メインフレームユニットと、容器
２２を組み合わせやすくなる。
／またはアルミニウムかなるものがより好ましい。このような金属を選択すると
、所望の熱伝導特性が得られるため、外部の熱源が容器２２を所望の温度まで加
熱することが可能となる。また、容器２２は、他の金属または金属合金を含む他
の熱伝導性材料を含むものであってもよい。容器２２は、本発明の範囲内であれ
ば他の形状の容器を用いることも可能であるが、円形状または円筒状の容器２２
を備えることが好ましい。一実施形態では、容器２２の直径は、約１インチから
約３インチ内のものが好ましく、高さは、約０．５インチから約２インチ内のも
のが好ましい。このようなサイズおよび形状をもたせることで、カリフォルニア
州サンタクララのアプライドマテリアルズ社のＰｒｅｃｉｓｉｏｎ５０００(登 録商標）、Ｃｅｎｔｕｒａ５２００(登録商標）、Ｅｎｄｕｒａ５５００(登録商
標）システムを含む現在市販されている例示的メインフレームユニットと、容器
２２を組み合わせやすくなる。
【００３４】 図６ａから６ｃは、中央で切り取った、入口および出口のエンドキャップ７４
と中央部７６の断面図を示すものである。図６ａおよび６ｃから分かるように、
各エンドキャップ７４は、残りのエンドキャップ７４の高さよりも大きさな高さ
を有する外側キャップリム７５を有する。この結果、エンドキャップ７４が中央
部７６に動作可能に取り付けられている場合、エンドキャップ７４の内面７７と
中央部７６の上面および下面との間に僅かなギャップができる。液体／気体混合
物ライン２０を動作可能に取り付けた入口のエンドキャップ７４は、液体／気体
混合物を受けるための容器の入口７０を含む。同様に、出口エンドキャップ７４
は、製品ガスライン２４に動作可能に取り付けられ、容器の出口７２を有するこ
とによって、製品ガスを容器２２から出すことができる。エンドキャップ７４は
、溶接、接着などにより中央部７６に付着させてもよい。さらに、エンドキャッ
プ７４と中央部７６は、一体の熱伝導性材料として形成してもよい。
と中央部７６の断面図を示すものである。図６ａおよび６ｃから分かるように、
各エンドキャップ７４は、残りのエンドキャップ７４の高さよりも大きさな高さ
を有する外側キャップリム７５を有する。この結果、エンドキャップ７４が中央
部７６に動作可能に取り付けられている場合、エンドキャップ７４の内面７７と
中央部７６の上面および下面との間に僅かなギャップができる。液体／気体混合
物ライン２０を動作可能に取り付けた入口のエンドキャップ７４は、液体／気体
混合物を受けるための容器の入口７０を含む。同様に、出口エンドキャップ７４
は、製品ガスライン２４に動作可能に取り付けられ、容器の出口７２を有するこ
とによって、製品ガスを容器２２から出すことができる。エンドキャップ７４は
、溶接、接着などにより中央部７６に付着させてもよい。さらに、エンドキャッ
プ７４と中央部７６は、一体の熱伝導性材料として形成してもよい。
【００３５】 中央部７６は、外面８０、中実コア８２および複数の通路７８を備える。中央
部７６は、ステンレス鋼などの固体部の熱伝導性材料を含んで、そこを穿孔また
は貫穿させて通路７８を設けても良い。この替わりとして、例えば、はちの巣状
の構造を所望の長さだけ押し出して、通路７８を有する中央部７６が形成または
成型されてもよい。入口および出口のエンドキャップ７４と中央部７６の平面図
を示す図７ａから７ｃに最良に示されているように、容器２２に入る液体／気体
混合物は、容器の入口７０に入る。液体／気体混合物は、コア８２が中実である
ため、容器２２を直接進むことはできない。代わりに、液体／気体混合物は、複
数の通路７８を進み、容器の出口７２を通って容器２２を出る。
部７６は、ステンレス鋼などの固体部の熱伝導性材料を含んで、そこを穿孔また
は貫穿させて通路７８を設けても良い。この替わりとして、例えば、はちの巣状
の構造を所望の長さだけ押し出して、通路７８を有する中央部７６が形成または
成型されてもよい。入口および出口のエンドキャップ７４と中央部７６の平面図
を示す図７ａから７ｃに最良に示されているように、容器２２に入る液体／気体
混合物は、容器の入口７０に入る。液体／気体混合物は、コア８２が中実である
ため、容器２２を直接進むことはできない。代わりに、液体／気体混合物は、複
数の通路７８を進み、容器の出口７２を通って容器２２を出る。
【００３６】 液体／気体ＴＤＭＡＴ混合物が通る複数の通路７８を設けることによって、液
体／気体混合物は、容器２２がこのような通路７８をもたない中空容器であれば
、容器２２の内面領域よりも広い表面領域に露出される。したがって、複数の通
路７８を有する容器は、液体／気体ＴＤＭＡＴ混合物をより広い加熱された表面
領域に露出させ、液体／気体混合物に残留する液体ＴＤＭＡＴがあれば、それを
さらに気化することができる。この結果、容器の出口７２により、好ましくは完
全に気化されたＴＤＭＡＴを含む製品ガスを、容器２２から出すことが可能とな
る。しかしながら、図７ｂに示すように、一つの好適な実施形態は、円形の断面
を有するものであるが、本発明の範囲内で通路７８の形状を変更することも可能
である。さらに、通路７８の数は、図７Ｂに示す通路７８の数を増減させたもの
であってもよい。
体／気体混合物は、容器２２がこのような通路７８をもたない中空容器であれば
、容器２２の内面領域よりも広い表面領域に露出される。したがって、複数の通
路７８を有する容器は、液体／気体ＴＤＭＡＴ混合物をより広い加熱された表面
領域に露出させ、液体／気体混合物に残留する液体ＴＤＭＡＴがあれば、それを
さらに気化することができる。この結果、容器の出口７２により、好ましくは完
全に気化されたＴＤＭＡＴを含む製品ガスを、容器２２から出すことが可能とな
る。しかしながら、図７ｂに示すように、一つの好適な実施形態は、円形の断面
を有するものであるが、本発明の範囲内で通路７８の形状を変更することも可能
である。さらに、通路７８の数は、図７Ｂに示す通路７８の数を増減させたもの
であってもよい。
【００３７】 一つの好適な実施形態では、容器２２の形状は円筒状のものであり、その直径
は２インチで、その高さは１インチである。２４６本の通路７８を設け、それぞ
れの直径は０．０８１インチである。通路７８によって、該通路７８を通過する
液体／気体混合物は、１インチ長の１／４インチ外径（０．１８インチ内径）の
管で露出される表面領域よりも１００倍を超える広い表面領域に露出可能となる
。
は２インチで、その高さは１インチである。２４６本の通路７８を設け、それぞ
れの直径は０．０８１インチである。通路７８によって、該通路７８を通過する
液体／気体混合物は、１インチ長の１／４インチ外径（０．１８インチ内径）の
管で露出される表面領域よりも１００倍を超える広い表面領域に露出可能となる
。
【００３８】 図８に示されているように、容器加熱源８４が、容器２２の外面に動作可能に
取り付けられている。このように、容器２２の外面は、約５０℃から約２００℃
の範囲内の温度まで加熱されて、液体の気化を促進させる。図８は、ブランケッ
ト形のヒータとして容器熱源８４を示したが、他の熱源を用いてもよい。前述し
たように、ＴＤＭＡＴの液体／気体混合物を１／４インチの直径を有する管に通
すには、このような管の外面を少なくとも１１５℃まで加熱して、残留する液体
ＴＤＭＡＴを完全に気化させる必要がある。液体ＴＤＭＡＴに露出される表面が
より広い容器２２を使用することによって、１／４インチ直径の管よりも低い温
度までの加熱ですむ。本発明においてＴＤＭＡＴを加熱するのに、容器２２の外
面が、約８０℃から約１００℃の範囲内まで加熱されることが好ましく、約９５
℃まで加熱されるのが更に好ましい。容器２２の温度を約９５℃まで下げること
によって、ＴＤＭＡＴは分解して不所望の副生成物を発生させることがなくなる
。この結果、より均一な気体ＴＤＭＡＴが生成されることになり、より好適な化
学気相堆積処理を施すことができるようになる。さらに、温度がより低いことで
、ライン要素に対する亀裂や他のダメージも同様に減少する。
取り付けられている。このように、容器２２の外面は、約５０℃から約２００℃
の範囲内の温度まで加熱されて、液体の気化を促進させる。図８は、ブランケッ
ト形のヒータとして容器熱源８４を示したが、他の熱源を用いてもよい。前述し
たように、ＴＤＭＡＴの液体／気体混合物を１／４インチの直径を有する管に通
すには、このような管の外面を少なくとも１１５℃まで加熱して、残留する液体
ＴＤＭＡＴを完全に気化させる必要がある。液体ＴＤＭＡＴに露出される表面が
より広い容器２２を使用することによって、１／４インチ直径の管よりも低い温
度までの加熱ですむ。本発明においてＴＤＭＡＴを加熱するのに、容器２２の外
面が、約８０℃から約１００℃の範囲内まで加熱されることが好ましく、約９５
℃まで加熱されるのが更に好ましい。容器２２の温度を約９５℃まで下げること
によって、ＴＤＭＡＴは分解して不所望の副生成物を発生させることがなくなる
。この結果、より均一な気体ＴＤＭＡＴが生成されることになり、より好適な化
学気相堆積処理を施すことができるようになる。さらに、温度がより低いことで
、ライン要素に対する亀裂や他のダメージも同様に減少する。
【００３９】 ここで図９を参照して、液体ベーパライザ装置１０の一部であるガス通路に関
して記載する。図９は、電気抵抗ヒータ９０により囲まれた製品ガスライン２４
を示す。電気抵抗ヒータ９０は、ブランケット形ヒータを備えるものであっても
よいが、他の熱源を用いてもよい。ヒータ９０を使用して、製品ガスライン２４
を所望の温度まで加熱し、製品ガスライン２４の内面上に液体ＴＤＭＡＴなどの
液体が凝縮しないようにライン２４を絶縁する。製品ガスライン２４は、約５０
℃から約２００℃の範囲内の温度まで加熱されることが好ましい。前述したよう
に、液体ＴＤＭＡＴがあると、化学堆積プロセスで不所望の結果を生じるため、
加熱絶縁された製品ガスライン２４を使用することが望ましい。
して記載する。図９は、電気抵抗ヒータ９０により囲まれた製品ガスライン２４
を示す。電気抵抗ヒータ９０は、ブランケット形ヒータを備えるものであっても
よいが、他の熱源を用いてもよい。ヒータ９０を使用して、製品ガスライン２４
を所望の温度まで加熱し、製品ガスライン２４の内面上に液体ＴＤＭＡＴなどの
液体が凝縮しないようにライン２４を絶縁する。製品ガスライン２４は、約５０
℃から約２００℃の範囲内の温度まで加熱されることが好ましい。前述したよう
に、液体ＴＤＭＡＴがあると、化学堆積プロセスで不所望の結果を生じるため、
加熱絶縁された製品ガスライン２４を使用することが望ましい。
【００４０】 図１と組み合わせて前述したように、キャリヤガスライン１２は、プレヒータ
１４を通過させることが好ましい。図１０ａおよび１０ｂに示すように、プレヒ
ータ１４は、キャリヤガスライン１２の外面に動作可能に取り付けられた加熱要
素１５を備えるものであってよい。このように、キャリヤガスライン１２の外面
が、好ましくは約５０℃から約２００℃の範囲内の温度まで加熱される。この結
果、キャリヤガスライン１２を通過するキャリヤガスが少なくとも部分的に加熱
される。この替わりとして、容器２２をプレヒータ１４として用いてもよい。こ
のように、キャリヤガスライン１２は、キャリヤガスを容器２２に搬送して、前
述したようにそこを通過するキャリヤガスを加熱する。次いで、キャリヤガスが
、ベーパライザ・ユニット１６と第２の容器２２に流入し、前述したように、Ｔ
ＤＭＡＴなどの所望の液体を気化するように作動する。
１４を通過させることが好ましい。図１０ａおよび１０ｂに示すように、プレヒ
ータ１４は、キャリヤガスライン１２の外面に動作可能に取り付けられた加熱要
素１５を備えるものであってよい。このように、キャリヤガスライン１２の外面
が、好ましくは約５０℃から約２００℃の範囲内の温度まで加熱される。この結
果、キャリヤガスライン１２を通過するキャリヤガスが少なくとも部分的に加熱
される。この替わりとして、容器２２をプレヒータ１４として用いてもよい。こ
のように、キャリヤガスライン１２は、キャリヤガスを容器２２に搬送して、前
述したようにそこを通過するキャリヤガスを加熱する。次いで、キャリヤガスが
、ベーパライザ・ユニット１６と第２の容器２２に流入し、前述したように、Ｔ
ＤＭＡＴなどの所望の液体を気化するように作動する。
【００４１】 図１を参照して、液体／気体混合物を気化する方法を以下に記載する。ヘリウ
ムおよび／または窒素などのキャリヤガスは、好ましくは質量流量コントローラ
１１およびプレヒータ１４を通過した後に、ベーパライザ・ユニット１６内に導
入される。液体、好ましくは液体ＴＤＭＡＴが、好ましくは液体流量メータ１５
を通過した後に、ベーパライザ・ユニット１６内に導入される。液体は、ベーパ
ライザ・ユニット１６で少なくとも部分的に気化されて、液体／気体混合物を生
成する。次いで、液体／気体混合物は加熱容器２２を通過し、液体／気体混合物
をさらに気化して生成ガスを形成する。このように加熱容器２２内でさらに気化
を行うには、前述したように液体／気体混合物に複数の通路を通過させる。
ムおよび／または窒素などのキャリヤガスは、好ましくは質量流量コントローラ
１１およびプレヒータ１４を通過した後に、ベーパライザ・ユニット１６内に導
入される。液体、好ましくは液体ＴＤＭＡＴが、好ましくは液体流量メータ１５
を通過した後に、ベーパライザ・ユニット１６内に導入される。液体は、ベーパ
ライザ・ユニット１６で少なくとも部分的に気化されて、液体／気体混合物を生
成する。次いで、液体／気体混合物は加熱容器２２を通過し、液体／気体混合物
をさらに気化して生成ガスを形成する。このように加熱容器２２内でさらに気化
を行うには、前述したように液体／気体混合物に複数の通路を通過させる。
【００４２】 一つの好適な実施形態では、液体は、ＴＤＭＡＴからなり、キャリヤガスは、
ヘリウムおよび窒素の混合物を含む。プレヒータ１４は、好ましくは約９０℃か
ら約１２０℃の範囲内にある所望の温度まで加熱され、キャリヤガスライン１２
を通過するキャリヤガスを加熱する。ベーパライザ・ユニット１６は、好ましく
は約７０℃から約９０℃の範囲内にある所望の温度まで加熱され、キャリヤガス
および液体ＴＤＭＡＴを通過させる。液体／気体ＴＤＭＡＴ混合物は、ベーパラ
イザ・ユニット１６を出て、容器２２を通過する。容器２２の外面は、好ましく
は約８０℃から約１００℃の範囲内にあり、さらにより好ましくは約９５℃であ
る所望の温度まで加熱される。容器２２を出る製品ガスは、加熱され絶縁された
通路２４を通りチャンバ２６に移送される。通路２４は、好ましくは約８０℃か
ら約１１０℃の範囲内にある所望の温度まで加熱される。この結果、ベーパライ
ザ・ユニット１６と容器２２を好適な温度で通過させることによって、液体ＴＤ
ＭＡＴは完全に気化され、さらに気相状態でチャンバ２６へと加熱通路２４で移
送される。
ヘリウムおよび窒素の混合物を含む。プレヒータ１４は、好ましくは約９０℃か
ら約１２０℃の範囲内にある所望の温度まで加熱され、キャリヤガスライン１２
を通過するキャリヤガスを加熱する。ベーパライザ・ユニット１６は、好ましく
は約７０℃から約９０℃の範囲内にある所望の温度まで加熱され、キャリヤガス
および液体ＴＤＭＡＴを通過させる。液体／気体ＴＤＭＡＴ混合物は、ベーパラ
イザ・ユニット１６を出て、容器２２を通過する。容器２２の外面は、好ましく
は約８０℃から約１００℃の範囲内にあり、さらにより好ましくは約９５℃であ
る所望の温度まで加熱される。容器２２を出る製品ガスは、加熱され絶縁された
通路２４を通りチャンバ２６に移送される。通路２４は、好ましくは約８０℃か
ら約１１０℃の範囲内にある所望の温度まで加熱される。この結果、ベーパライ
ザ・ユニット１６と容器２２を好適な温度で通過させることによって、液体ＴＤ
ＭＡＴは完全に気化され、さらに気相状態でチャンバ２６へと加熱通路２４で移
送される。
【００４３】 ここで本発明を詳細に記載してきたが、ある種の変更および修正を施してもよ
いことを理解されたい。例えば、本発明は、リン酸トリエチル（ＴＥＰＯ）や、
カリフォルニア州カールスバッドに位置するＳｃｈｕｍａｃｈｅｒ（シュマッカ
ー）社（エアプロダクツ・アンド・ケミカルズ社（Ａｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ
ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．）の関連会社）製のＣｕｐｒａ Ｓｅｌ
ｅｃｔ（キュプラセレクト：登録商標）で市販されている液体など、蒸気圧が比
較的低い他の液体を用いてもよい。さらに、本発明の液体ベーパライザ装置およ
び方法により、液体ＴＥＯＳやＴｉＣｌ4など、ＴＤＭＡＴよりも蒸気圧が高い 他の液体を気化させやすくなる。したがって、本発明の範囲および内容は、前述
の記載により限定されるものではなく、添付の請求の範囲により規定されるべき
ものである。
いことを理解されたい。例えば、本発明は、リン酸トリエチル（ＴＥＰＯ）や、
カリフォルニア州カールスバッドに位置するＳｃｈｕｍａｃｈｅｒ（シュマッカ
ー）社（エアプロダクツ・アンド・ケミカルズ社（Ａｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ
ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．）の関連会社）製のＣｕｐｒａ Ｓｅｌ
ｅｃｔ（キュプラセレクト：登録商標）で市販されている液体など、蒸気圧が比
較的低い他の液体を用いてもよい。さらに、本発明の液体ベーパライザ装置およ
び方法により、液体ＴＥＯＳやＴｉＣｌ4など、ＴＤＭＡＴよりも蒸気圧が高い 他の液体を気化させやすくなる。したがって、本発明の範囲および内容は、前述
の記載により限定されるものではなく、添付の請求の範囲により規定されるべき
ものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による液体ベーパライザ装置の模式図である。
【図２】 本発明によるベーパライザ・ユニットの正面断面図である。
【図３】 図２の線３−３に沿って切り取った図２のベーパライザ・ユニットの略図であ
る。
る。
【図４】 ベーパライザ・ユニットの温度制御メカニズムを示す図２および図３のベーパ
ライザ・ユニットの略図的断面図である。
ライザ・ユニットの略図的断面図である。
【図５】 本発明による液体ベーパライザ装置の一部である容器の全体図である。
【図６】 Ａは、図５に示す容器の入口エンドキャップを示す断面図である。 Ｂは、図５に示す容器の中央部分を示す断面図である。 Ｃは、図５に示す容器の出口エンドキャップを示す断面図である。
【図７】 Ａは、図５に示す容器の入口エンドキャップを示す平面図である。 Ｂは、図５に示す容器の中央部分を示す平面図である。 Ｃは、図５に示す容器の出口エンドキャップを示す平面図である。
【図８】 容器の周りに設けたブランケット形のヒータを示す図５に示す容器の部分的切
欠図である。
欠図である。
【図９】 本発明による液体ベーパライザ装置の一部である絶縁されたガス通路の全体図
である。
である。
【図１０】 Ａは、本発明による液体ベーパライザ装置の一部であるプレヒータの全体図を
示すものである。 Ｂは、本発明による液体ベーパライザ装置の一部であるプレヒータの断面図を
示すものである。
示すものである。 Ｂは、本発明による液体ベーパライザ装置の一部であるプレヒータの断面図を
示すものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チェン， フーファ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， クパティノ， ミラー アヴェニュー 10420 Ｆターム(参考） 4G068 DA04 DB02 DB03 DB04 DB26 DC04 DD03 DD08 DD15 DD20 4K030 AA11 AA16 AA18 BA18 EA01 JA10 KA25 KA41 KA46 5F045 AA03 AB39 AB40 AC03 AC17 EE02
Claims (37)
- 【請求項１】 液体ベーパライザ装置であって、前記装置は、 第１および第２の入口と、出口とを有するベーパライザ・ユニットと、 入口と出口とを有する容器であって、前記容器の入口が前記ベーパライザ・ユ
ニットの出口に動作可能に接続され、前記容器の入口と前記容器の出口が前記容
器内にある複数の通路によって接続された、入口と出口とを有する容器と、 を備える、液体ベーパライザ装置。 - 【請求項２】 前記第１のベーパライザの入口は液体を受けるように適合さ
れ、前記第２のベーパライザの入口はキャリヤガスを受けるように適合される、
請求項１記載の液体ベーパライザ装置。 - 【請求項３】 前記ベーパライザ・ユニットは、 通過する液体の量を制御する制御弁と、 前記制御弁を通過する前記液体を少なくとも部分的に気化させ、前記キャリヤ
ガスにより前記ベーパライザの出口に移送させる気化弁と、 前記制御弁を前記気化弁に接続して、前記制御弁から前記気化弁内に前記液体
を流入可能にするベーパライザ通路と、 をさらに備える、請求項２記載の液体ベーパライザ装置。 - 【請求項４】 前記ベーパライザ・ユニットは、 前記制御弁と前記気化弁とを含む温度制御されたハウジング構造と、 前記ハウジング構造に連通させて前記ハウジング構造の内部を恒温状態に維持
する温度制御メカニズムと、 をさらに備える、請求項３記載の液体ベーパライザ装置。 - 【請求項５】 前記容器内にある前記複数の通路の累積表面領域が、前記通
路がない同一サイズの容器の内面領域の少なくとも２倍広いものである、請求項
１記載の液体ベーパライザ装置。 - 【請求項６】 前記容器内にある前記複数の通路の累積表面領域が、前記通
路がない同一サイズの容器の内面領域の少なくとも１０倍広いものである、請求
項１記載の液体ベーパライザ装置。 - 【請求項７】 前記複数の通路が、少なくとも５本の通路を備える、請求項
１記載の液体ベーパライザ装置。 - 【請求項８】 前記複数の通路が、少なくとも１０本の通路を備える、請求
項１記載の液体ベーパライザ装置。 - 【請求項９】 前記容器の形状が、概して円筒状である、請求項１記載の液
体ベーパライザ装置。 - 【請求項１０】 前記容器が、熱伝導性材料を含む、請求項１記載の液体ベ
ーパライザ装置。 - 【請求項１１】 前記容器が、ステンレス鋼を含む、請求項１０記載の液体
ベーパライザ装置。 - 【請求項１２】 前記容器が、アルミニウムを含む、請求項１０記載の液体
ベーパライザ装置。 - 【請求項１３】 前記容器と連通させた容器の熱源をさらに備える、請求項
１記載の液体ベーパライザ装置。 - 【請求項１４】 前記容器の熱源が、ブランケット形のヒータを備える、請
求項１３記載の液体ベーパライザ装置。 - 【請求項１５】 前記容器の出口に動作可能に取り付けられ、反応チャンバ
に取り付けられるように適合されたガス通路をさらに備える、請求項１記載の液
体ベーパライザ装置。 - 【請求項１６】 前記ガス通路が、絶縁され加熱された通路である、請求項
１５記載の液体ベーパライザ装置。 - 【請求項１７】 前記第２のベーパライザの入口に動作可能に接続され、キ
ャリヤガスが前記ベーパライザ・ユニットに入る前に前記キャリヤガスを予熱す
るプレヒータをさらに備える、請求項１記載の液体ベーパライザ装置。 - 【請求項１８】 液体／気体混合物を気化する方法であって、前記方法は、 液体およびキャリヤガスをベーパライザ・ユニットに流入させるステップであ
って、前記液体が少なくとも部分的に気化されて液体／気体混合物を生成する、
液体およびキャリヤガスをベーパライザ・ユニットに流入させるステップと、 前記液体／気体混合物に加熱された容器を通過させるステップであって、前記
液体／気体混合物は更に気化されて製品ガスを生成する、前記液体／気体混合物
に加熱された容器を通過させるステップと、 を備える、液体／気体混合物を気化する方法。 - 【請求項１９】 前記通過ステップが、前記容器内に含まれる複数の概して
平行な通路を前記液体／気体混合物に通過させるステップを備える、請求項１８
記載の方法。 - 【請求項２０】 前記複数の通路の累積表面領域が、前記通路をもたない同
一サイズの容器の内面領域の少なくとも２倍広いものである、請求項１９記載の
方法。 - 【請求項２１】 前記液体の蒸気圧が、１００℃で約８２Ｔｏｒｒよりも低
いものである、請求項１８記載の方法。 - 【請求項２２】 前記液体が、ＴＤＭＡＴを含む、請求項１８記載の方法。
- 【請求項２３】 前記キャリヤガスが、ヘリウムを含む、請求項１８記載の
方法。 - 【請求項２４】 前記液体／気体混合物が、少なくともいくらかの液体ＴＤ
ＭＡＴを含む、請求項１８記載の方法。 - 【請求項２５】 前記製品ガスが、気体ＴＤＭＡＴを含む、請求項１８記載
の方法。 - 【請求項２６】 前記ベーパライザ・ユニットを所望の温度まで加熱するス
テップをさらに備える、請求項１８記載の方法。 - 【請求項２７】 前記ベーパライザ・ユニットが、約５０℃から約２００℃
の範囲内にある所望の温度まで加熱される、請求項２６記載の方法。 - 【請求項２８】 前記キャリヤガスを前記ベーパライザ・ユニットに導入す
る前に、前記キャリヤガスを所望の温度まで加熱するステップをさらに備える、
請求項１８記載の方法。 - 【請求項２９】 前記キャリヤガスが、約５０℃から約２００℃の範囲内に
ある所望の温度まで加熱される、請求項２８記載の方法。 - 【請求項３０】 前記容器の外面を所望の温度まで加熱するステップをさら
に備える、請求項１８記載の方法。 - 【請求項３１】 前記容器の外面が、少なくとも約８０℃である所望の温度
まで加熱される、請求項３０記載の方法。 - 【請求項３２】 前記容器の外面が、約５０℃から約２００℃の範囲内にあ
る所望の温度まで加熱される、請求項３０記載の方法。 - 【請求項３３】 前記製品ガスから液体が凝縮しないように、絶縁され加熱
された通路を前記製品ガスに通過させるステップをさらに備える、請求項１８記
載の方法。 - 【請求項３４】 前記通路の外面が、約５０℃から約２００℃の範囲内にあ
る所望の温度まで加熱される、請求項３３記載の方法。 - 【請求項３５】 通過液体／気体混合物を気化する装置であって、前記装置
は、 熱伝導性材料を含み、入口と出口を有する容器であって、前記入口が前記容器
内にある複数の通路により前記出口に動作可能に接続された容器と、 前記容器に連通されて、前記容器の外面を所望の温度まで加熱する熱源と、 を備え、 前記通路の累積表面領域が、前記通路をもたない同一サイズの容器の内面領域
の少なくとも２倍広いものである、 通過液体／気体混合物を気化する装置。 - 【請求項３６】 前記容器が、ステンレス鋼を含む、請求項３５記載の装置
。 - 【請求項３７】 前記容器が、アルミニウムを含む、請求項３５記載の装置
。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/064,359 | 1998-02-27 | ||
| US09/064,359 US6179277B1 (en) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Liquid vaporizer systems and methods for their use |
| PCT/US1999/003115 WO1999043866A1 (en) | 1998-02-27 | 1999-02-11 | Liquid vaporizer systems and methods for their use |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=22055397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000533604A Withdrawn JP2002505377A (ja) | 1998-02-27 | 1999-02-11 | 液体ベーパライザ装置と該装置の使用方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6179277B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002505377A (ja) |
| KR (1) | KR20010041420A (ja) |
| TW (1) | TW531566B (ja) |
| WO (1) | WO1999043866A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5576577B1 (ja) * | 2014-02-13 | 2014-08-20 | 株式会社大和製作所 | ガス取出装置 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6179277B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Liquid vaporizer systems and methods for their use |
| US6296711B1 (en) | 1998-04-14 | 2001-10-02 | Cvd Systems, Inc. | Film processing system |
| US6136725A (en) * | 1998-04-14 | 2000-10-24 | Cvd Systems, Inc. | Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate |
| JP2002538604A (ja) | 1999-02-26 | 2002-11-12 | トリコン ホールディングス リミティド | ポリマー層の処理方法 |
| JP2003503849A (ja) | 1999-06-26 | 2003-01-28 | トリコン ホールディングス リミティド | 基材上にフィルムを形成する方法及び装置 |
| JP4393677B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2010-01-06 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化方法および装置並びに制御バルブ |
| US6322057B1 (en) * | 2000-05-22 | 2001-11-27 | United Microelectronics Corp. | Auxiliary gasline-heating unit in chemical vapor deposition |
| TW200300701A (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-16 | Asml Us Inc | High flow rate bubbler system and method |
| US6860138B1 (en) * | 2002-02-21 | 2005-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Real-time detection mechanism with self-calibrated steps for the hardware baseline to detect the malfunction of liquid vaporization system in AMAT TEOS-based Dxz chamber |
| JP2003268552A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Watanabe Shoko:Kk | 気化器及びそれを用いた各種装置並びに気化方法 |
| US7192486B2 (en) * | 2002-08-15 | 2007-03-20 | Applied Materials, Inc. | Clog-resistant gas delivery system |
| US6797337B2 (en) * | 2002-08-19 | 2004-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method for delivering precursors |
| KR100474565B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 소스 가스 공급 방법 및 장치 |
| US20040163590A1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-08-26 | Applied Materials, Inc. | In-situ health check of liquid injection vaporizer |
| US7608300B2 (en) * | 2003-08-27 | 2009-10-27 | Applied Materials, Inc. | Methods and devices to reduce defects in dielectric stack structures |
| KR100724283B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2007-06-04 | 주식회사 아이피에스 | 박막증착장치 |
| US20070042119A1 (en) * | 2005-02-10 | 2007-02-22 | Larry Matthysse | Vaporizer for atomic layer deposition system |
| US7204156B2 (en) * | 2005-07-29 | 2007-04-17 | Motorola, Inc. | Fuel cell system having fluidic oscillation flow meter |
| US8691337B2 (en) * | 2009-02-23 | 2014-04-08 | Guardian Industries Corp. | Techniques for applying mar reducing overcoats to articles having layer stacks disposed thereon |
| US20110151590A1 (en) * | 2009-08-05 | 2011-06-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for low-k dielectric repair |
| DE102010016635B4 (de) * | 2010-04-26 | 2013-09-05 | Calyxo Gmbh | Verdampfervorrichtung |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
| KR102483924B1 (ko) * | 2016-02-18 | 2023-01-02 | 삼성전자주식회사 | 기화기 및 이를 구비하는 박막 증착 장치 |
| US10147597B1 (en) | 2017-09-14 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | Turbulent flow spiral multi-zone precursor vaporizer |
| CN110643975B (zh) * | 2018-06-27 | 2021-09-28 | 东北大学 | 一种金属有机化学源液体的蒸发输运装置 |
| CN113680286B (zh) * | 2021-08-31 | 2023-08-01 | 南京延长反应技术研究院有限公司 | 一种催化剂可循环使用的丙烯羰基化反应系统及方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE349383C (de) * | 1922-03-02 | Albert Genault | Gemischvorwaermer fuer Verbrennungskraftmaschinen | |
| DE374737C (de) * | 1923-05-02 | Wilhelm Brase | Spritzvergaser | |
| FR418754A (fr) * | 1910-02-24 | 1910-12-19 | Thomas Hugh Parker | Carburateurs pour moteurs à combustion interne |
| GB191509784A (en) * | 1914-07-01 | 1916-07-05 | John Watson Scully | Improvements in or relating to Kerosene Vaporisers for Carburetted Air Engines of the Internal Combustion Type. |
| FR527360A (fr) * | 1920-04-13 | 1921-10-25 | Alberto Francesco De La Court | Dispositif pour l'utilisation des combustibles liquides peu volatilisables dans les moteurs à explosions à basse compression en se servant des carburateurs actuels à essence |
| FR561750A (fr) * | 1923-01-25 | 1923-10-26 | Carburateur-vaporisateur | |
| US1858853A (en) * | 1926-06-25 | 1932-05-17 | Defrance Abel | Combined mixing and vaporizing device |
| US1965144A (en) * | 1932-11-01 | 1934-07-03 | Kane Carburetor Corp | Carburetor |
| US3901182A (en) | 1972-05-18 | 1975-08-26 | Harris Corp | Silicon source feed process |
| US4044077A (en) * | 1976-02-25 | 1977-08-23 | Matrix, Inc. | Variable venturi nozzle-matrix carburetor add methods for intermixing fuel and air |
| US4177778A (en) * | 1976-07-29 | 1979-12-11 | Nippondenso Co., Ltd. | Carburetors with heating device |
| US4141327A (en) * | 1976-09-09 | 1979-02-27 | Texas Instruments Incorporated | Early fuel evaporation carburetion system |
| US4212663A (en) | 1978-01-26 | 1980-07-15 | Corning Glass Works | Reactants delivery system for optical waveguide manufacturing |
| JPS58167761U (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-09 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 内燃機関の吸気加熱装置 |
| US5316796A (en) | 1990-03-09 | 1994-05-31 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Process for growing a thin metallic film |
| JPH0795527B2 (ja) | 1991-02-05 | 1995-10-11 | 株式会社リンテック | 液体原料用気化供給器 |
| US5440887A (en) | 1991-02-05 | 1995-08-15 | Applied Materials, Inc. | Liquid vaporizer-feeder |
| DE69218152T2 (de) | 1991-12-26 | 1997-08-28 | Canon Kk | Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht mittels CVD, unter Verwendung von flüssigem Rohstoff und dazu geeignete Vorrichtung |
| US5451258A (en) | 1994-05-11 | 1995-09-19 | Materials Research Corporation | Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber |
| US5531183A (en) | 1994-07-13 | 1996-07-02 | Applied Materials, Inc. | Vaporization sequence for multiple liquid precursors used in semiconductor thin film applications |
| JP3563819B2 (ja) | 1995-03-28 | 2004-09-08 | アネルバ株式会社 | 窒化チタン薄膜の作製方法及びその方法に使用される薄膜作製装置 |
| US5693377A (en) | 1996-01-08 | 1997-12-02 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving titanium organometallic and metal-organic precursor compounds |
| US6179277B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Liquid vaporizer systems and methods for their use |
-
1998
- 1998-02-27 US US09/064,359 patent/US6179277B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-02-09 TW TW088102013A patent/TW531566B/zh active
- 1999-02-11 KR KR1020007009554A patent/KR20010041420A/ko not_active Application Discontinuation
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- 1999-02-11 WO PCT/US1999/003115 patent/WO1999043866A1/en not_active Application Discontinuation
-
2000
- 2000-11-22 US US09/721,337 patent/US6332601B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5576577B1 (ja) * | 2014-02-13 | 2014-08-20 | 株式会社大和製作所 | ガス取出装置 |
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