JP2002500617A - 有機リン誘導体の合成方法および組成物 - Google Patents
有機リン誘導体の合成方法および組成物Info
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Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.式(1)[式中、(a)Yは炭素数1〜約10の第1級アミン部分、S−ア リール部分、Se−アリール部分、S−ハロアルキル部分、またはSe−ハロア ルキル部分であるか、またはX1R3(ここで、X1はO、S、またはSeであり 、R3は炭素数6〜約20のアラルキル部分、ハロアリール部分、またはアルキル アリール部分、または炭素数5〜10の芳香族複素環式部分である)であり、(b )Zは炭素数1〜約20のアラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニル部分、 アルキニル部分、またはアルキルアリール部分、アミノメチル、またはアミノエ チルであり、(c)R1は保護基であり、(d)R2はH、ハロゲン、炭素数1〜 約20のアルキル部分、炭素数約5〜約20のアルキルアリール部分またはアラル キル部分、CN、N3、保護NH2、CF3、OCF3、S−アルキル部分、N−ア ルキル部分、O−アルケニル部分、S−アルケニル部分、N−アルケニル部分、 O−アルキニル部分、S−アルキニル部分、N−アルキニル部分、O−アリール 部分、S−アリール部分、N−アリール部分、またはO(R4)(ここで、R4は 保護基である)であり、(e)Bは所望により保護されたヌクレオシド塩基であ る]で示される化合物。 2.式(1)[式中、Yはアミン部分、ハロゲン、またはX1R3(ここで、X1 はO、S、またはSeであり、R3は炭素数1〜約20のアルキル部分、アラルキ ル部分、ハロアルキル部分、ハロアリール部分、アルキルアリール部分、または アリール部分、または炭素数5〜10の芳香族複素環式部分である)であり、(b )Zは炭素数1〜約20のアルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、ア ルケニル部分、アルキニル部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分、 アミノメチル、またはアミノエチルであり、(c)R1は保護基であり、(d) R2はH、ハロゲン、炭素数1〜約20のアルキル部分、炭素数約5〜約20のア ルキルアリール部分またはアラルキル部分、CN、N3、保護NH2、CF3、O CF3、O−アルキル部分、S−アルキル部分、N−アルキル部分、O−アルケ ニル部分、S−アルケニル部分、N−アルケニル部分、O−アルキニル部分、S −アルキニ ル部分、N−アルキニル部分、O−アリール部分、S−アリール部分、N−アリ ール部分、またはO(R4)(ここで、R4は保護基である)であり、(e)Bは 所望により保護されたヌクレオシド塩基である]で示される化合物。 3.式(1)[式中、(a)Yは第1級アミン、ハロゲン、またはX1R3(こ こで、X1はO、S、またはSeであり、R3は炭素数1〜約20のアルキル部分、 アラルキル部分、ハロアルキル部分、ハロアリール部分、アルキルアリール部分 、またはアリール部分、または炭素数5〜10の芳香族複素環式部分である)であ り、(b)Zは炭素数1〜約20のアラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニ ル部分、アルキニル部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分、アミノ メチル、またはアミノエチルであり、(c)R1は保護基であり、(d)R2はハ ロゲン、炭素数1〜約20のアルキル部分、炭素数約5〜約20のアルキルアリー ル部分またはアラルキル部分、CN、N3、保護NH2、CF3、OCF3、O−ア ルキル部分、S−アルキル部分、N−アルキル部分、O−アルケニル部分、S− アルケニル部分、N−アルケニル部分、O−アルキニル部分、S−アルキニル部 分、N−アルキニル部分、O−アリール部分、S−アリール部分、N−アリール 部分、またはO(R4)(ここで、R4は保護基である)であり、(e)Bは所望 により保護されたヌクレオシド塩基である]で示される化合物。 4.式(1)[式中、(a)Yは炭素数3〜約10の第1級アミン部分、O−ア ラルキル部分、S−アリール部分、Se−アリール部分、S−ハロアルキル部分 、Se−ハロアルキル部分、分岐鎖O−アルキル部分、またはX1R3(ここで、 X1はO、S、またはSeであり、R3は炭素数1〜約20のアラルキル部分、ハロ アリール部分、またはアルキルアリール部分、または炭素数5〜10の芳香族複素 環式部分である)であり、(b)Zは炭素数1〜約20のアラルキル部分、ハロア ルキル部分、アルケニル部分、アルキニル部分、アルキルアリール部分、または アリール部分、アミノメチル、またはアミノエチルであり、(c)R1は保護基 であり、(d)R2はハロゲン、炭素数1〜約20のアルキル部分、炭素数約5 〜約20のアルキルアリール部分またはアラルキル部分、CN、N3、保護NH2、 CF3、OCF3、O−アルキル部分、S−アルキル部分、N−アルキル部分、O − アルケニル部分、S−アルケニル部分、N−アルケニル部分、O−アルキニル部 分、S−アルキニル部分、N−アルキニル部分、O−アリール部分、S−アリー ル部分、N−アリール部分、またはO(R4)(ここで、R4は保護基である)で あり、(e)Bは所望により保護されたヌクレオシド塩基である]で示される化 合物。 5.Yが第1級アミン部分NHR5(ここで、R5は炭素数1〜約20の直鎖また は分岐鎖アルキル部分、アラルキル部分、アリール部分、またアルキルアリール 部分、炭素数3〜約8のシクロアルキル部分、または炭素数約10〜約30のポリシ クロアルキル部分である)である請求項1、2、3または4のいずれかに記載の 化合物。 6.R3がCH3またはCH2C6H4R6(ここで、R6はH、炭素数1〜約6の 直鎖または分岐鎖アルキル部分、炭素数1〜約6の直鎖または分岐鎖ハロアルキ ル部分、ハロゲン、またはNO2である)である請求項2または3に記載の化合 物。 7.R3がCH2C6H4R6(ここで、R6はH、炭素数1〜約6の直鎖または分 岐鎖アルキル部分、炭素数1〜約6の直鎖または分岐鎖ハロアルキル部分、ハロ ゲン、またはNO2である)である請求項1または4に記載の化合物。 8.(a)Xが0またはSであり、(b)Zが炭素数約4〜約20のアルキル 部分、炭素数1〜約20のアラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニル部分、 アルキニル部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分、アミノメチル、 またはアミノエチルであり、(c)R1が保護基であり、(d)R2が炭素数1〜 約20のアルキル部分、炭素数約5〜約20のアルキルアリール部分またはアラルキ ル部分、CN、N3、NH2、CF3、OCF3、S−アルキル部分、N−アルキル 部分、S−アルケニル部分、N−アルケニル部分、O−アルキニル部分、S−ア ルキニル部分、N−アルキニル部分、O−アリール部分、S−アリール部分、ま たはN−アリール部分であり、(e)R9がアシル保護基、カップリング基、ま たはシリル保護基であり、(f)Bが所望により保護されたヌクレオシド塩基で ある式(3)で示される化合物。 9.(a)塩酸スカベンジャーの存在下で、R1が保護基であり、R2がHまた は炭素数1〜約10のアルコキシド部分であり、BがN−保護ヌクレオシド塩基で ある式(2)のヌクレオシドおよびZ−置換ジクロロホスフィンを反応させ、 (b)反応混合物にアニリンおよび硫黄またはセレニウムまたは酸化剤を加えて 、3'-O-(Z-置換)ホスホノアニリドチオエート、3'-O-(Z-置換)ホスホノアニ リドセレノエート、または3'-O-(Z-置換)ホスホノアニリデートのジステレオ マーの混合物を生成する工程を含む請求項1、2、3または4のいずれかに記載 の化合物の合成方法。 10.酸化剤が、ヨード/2,6-ルチジン/H2O、t-ブチルヒドロパーオキシド 、または(±)-(10-カンファースルホニル)オキザジリジンからなる群から選 ばれるものである請求項9に記載の方法。 11.(a)塩酸スカベンジャーの存在下で、R1が保護基であり、R2がHま たは炭素数1〜約10のアルコキシド部分であり、BがN−保護ヌクレオシド塩基 である式(2)のヌクレオシドおよびZ−置換ジクロロホスフィンを反応させ、 (b)反応混合物にアニリンおよび硫黄またはセレニウムを加えて、3'-O-(Z- 置換)ホスホノアニリドチオエート、3'-O-(Z-置換)ホスホノアニリドセレノ エートのジアステレオマー混合物を生成し、 (c)ジアステレオマー混合物を水素化ナトリウムまたは1,8-ジアザビシクロ[ 5.4.0]ウンデカ-7-エンおよび二酸化炭素と反応させて一時的ヌクレオシド(Z- 置換)ホスホノチオン酸、(Z-置換)ホスホノセレン酸を生成し、 (d)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤で処 理することにより工程(c)の一時的ヌクレオシドをアルキル化する工程を含む 、YがX1R3(ここで、X1はSまたはSeであり、R3はCH2C6H4R7(ここ でR7はH、Cl、またはNO2である)である請求項1または4に記載の化合物 の合成方法。 12.(a)塩酸スカベンジャーの存在下で、R1が保護基であり、R2がHま たは炭素数1〜約10のアルコキシド部分であり、BがN−保護ヌクレオシド塩基 である式(2)のヌクレオシドおよびZ−置換ジクロロホスフィンを反応させ、 (b)反応物にアニリンおよび硫黄またはセレニウムを加えて、3'-O-(Z-置換 )ホスホノアニリドチオエート、または3'-O-(Z-置換)ホスホノアニリドセレ ノエートのジアステレオマー混合物を生成し、 (c)酸化剤で処理することによりジアステレオマー混合物を酸化する工程を含 む請求項1または4に記載の化合物の合成方法。 13.(a)塩酸スカベンジャーの存在下で、R1が保護基であり、R2がHま たは炭素数1〜約10のアルコキシド部分であり、BがN−保護ヌクレオシド塩基 である式(2)のヌクレオシドおよびZ−置換ジクロロホスフィンを反応させ、 (b)反応物にアニリンおよび硫黄またはセレニウムを加えて、3'-O-(Z-置換 )ホスホノアニリドチオエート、または3'-O-(Z-置換)ホスホノアニリドセレ ノエートのジアステレオマー混合物を生成し、 (c)酸化剤で処理することにより該ジアステレオマー混合物を酸化して酸化さ れたジアステレオマーを得、 (d)酸化されたジアステレオマーを水素化ナトリウムまたは1,8-ジアザビシク ロ[5.4.0]ウンデカ-7-エンおよび二硫化炭素と反応させて一時的ヌクレオシド 3'-O-(Z-置換)ホスホノチオン酸を生成し、 (e)一般式R8Z(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはN O2である)であり、ZはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤 で処理することにより一時的ヌクレオチド3'-O-(Z-置換)ホスホノチオン酸を アルキル化する工程を含む、YがX1R3(ここで、X1はSであり、R3はCH2 C6H4R7(ここでR7はH、Cl、またはNO2である)である請求項1または 4に記載の化合物の合成方法。 14.R1がメトキシメチルエーテル、メトキシエトキシメチルエーテル、2(- トリメチルシリル)エトキシエーテル、アシル、カルバモイル、置換シリル、4,4 '-ジメトキシトリチル、または9-フェニルキサンテン-9-オキシルからなる群か ら選ばれる保護基である請求項9、11、12または13のいずれかに記載の方 法。 15.塩酸スカベンジャーがトリエチルアミン、ジイイソプロピルエチルアミ ン、ピリジン、第3級アルキルアミンまたは第3級アリールアミンからなる群か ら選ばれる保護基である請求項9、11、12または13のいずれかに記載の方 法。 16.酸化剤がカリウムパーオキシモノサルフェートまたは過酸化水素である 請求項9、12または13のいずれかに記載の方法。 17.(a)式(8a)および(8b)のヌクレオシドを水素化ナトリウムま たは1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エンおよび二酸化炭素と反応させ て一時的ヌクレオシド3'-O-(Z-置換)ホスホノチオン酸を生成し、 (b)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と該 一時的ヌクレオシドを反応させることにより式(7a)および(7b)のヌクレ オシド中間体を形成し、 (c)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該ヌクレオシド中間体と式(5)のヌクレオシドを反応させ、P-キラルジヌクレ オシドのジアステレオマー混合物を形成する工程を含む、式(6a)および(6 b)(ここで、R1は保護基であり、R2はHまたは炭素数1〜約10のアルコキシ 部分であり、R9はアシル保護基、カップリング基、またはシリル保護基であり 、Zは炭素数1〜約20のアルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、 アルケニル部分、アルキニル部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分 、アミノメチル、またはアミノエチルであり、BはN−保護ヌクレオシド塩基で ある)のP-キラルジヌクレオシドのジアステレオマー混合物の合成方法。 18.(a)式(10a)および(10b)のヌクレオシドを水素化ナトリウムま たは1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エンおよび二酸化炭素と反応させ て一時的ヌクレオシド3'-O-(Z-置換)ホスホノセレン酸を生成し、 (b)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と該 一時的ヌクレオシドを反応させることにより式(11a)および(11b)のヌクレ オシド中間体を形成し、 (c)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該ヌクレオシド中間体と式(5)のヌクレオシドを反応させ、P-キラルジヌクレ オシドのジアステレオマー混合物を形成する工程を含む、式(6a)および(6 b)(ここで、R1は保護基であり、R2はHまたは炭素数1〜約10のアルコキシ 部分であり、R9はアシル保護基、カップリング基、またはシリル保護基であり 、Zは炭素数1〜約20のアルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、 アルケニル部分、アルキニル部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分 、アミノメチル、またはアミノエチルであり、BはN−保護ヌクレオシド塩基で ある)のP-キラルジヌクレオシドのジアステレオマー混合物の合成方法。 19.(a)式(8a)および(8b)のヌクレオシドをカリウムパーオキシ モノサルフェートまたは過酸化水素と反応させて式(9a)および(9b)の中 間体ヌクレオシドを生成し、 (b)中間体ヌクレオシドを水素化ナトリウムまたはDBUおよび二硫化炭素と 反応させて一時的ヌクレオシド3'-O-(Z−置換)ホスホノチオン酸を形成し、 (c)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と一 時的ヌクレオシドを反応させることにより式(7a)および(7b)のヌクレオ シド中間体を形成し、 (d)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該ヌクレオシド中間体と式(5)のヌクレオシドを反応させ、P-キラルジヌクレ オシドのジアステレオマー混合物を形成する工程を含む、式(6a)および(6 b)(ここで、R1は保護基であり、R2はH、OHまたは炭素数1〜約10のアル コキシ部分であり、R9はアシル保護基、カップリング基、またはシリル保護基 であり、Zはアルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニル部 分、アルキニル部分、または原子、アミノメチル、またはアミノエチルであり、 BはN−保護ヌクレオシド塩基である)のP-キラルジヌクレオシドのジアステレ オマー混合物の合成方法。 20.(a)式(10a)および(10b)のヌクレオシドをカリウムパーオキシ モノサルフェートまたは過酸化水素と反応させて式(9a)および(9b)の中 間体ヌクレオシドを生成し、 (b)該中間体ヌクレオシドを水素化ナトリウムまたはDBUおよび二セレン化 炭素と反応させて一時的ヌクレオシド3'-O-(Z−置換)ホスホノセレン酸を形 成し、 (c)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と該 一時的ヌクレオシドを反応させることにより式(9a)および(9b)のヌクレ オシド中間体を形成し、 (d)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該ヌクレオシド中間体と式(5)のヌクレオシドを反応させ、P-キラルジヌクレ オシドのジアステレオマー混合物を形成する工程を含む、式(6a)および(6 b)(ここで、R1は保護基であり、R2はH、OHまたは炭素数1〜約10のアル コキシ部分であり、R9はアシル保護基、カップリング基、またはシリル保護基 であり、Zは炭素数1〜約20のアルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル 部分、アルケニル部分、アルキニル部分、アルキルアリール部分、またはアリー ル部分、アミノメチル、またはアミノエチルであり、BはN−保護ヌクレオシド 塩基である)のP-キラルジヌクレオシドのジアステレオマー混合物の合成方法。 21.(a)式(8a)のヌクレオシドを水素化ナトリウムまたは1,8-ジアザ ビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エンおよび二酸化炭素と反応させて一時的ヌクレ オシド3'-O-(Z-置換)ホスホノチオン酸を生成し、 (b)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と該 一時的ヌクレオシドを反応させることにより式(7a)のヌクレオシド中間体を 形成し、 (c)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該ヌクレオシド中間体と式(5)のヌクレオシドを反応させ、キラル的に純粋な ジヌクレオシドを形成する工程を含む、式(6a)(ここで、R1は保護基であ り、R2はH、OHまたは炭素数1〜約10のアルコキシ部分であり、R9はアシル 保護基、カップリング基、またはシリル保護基であり、Zは炭素数1〜約20の アルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニル部分、アルキニ ル部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分、アミノメチル、またはア ミノエチルであり、BはN−保護ヌクレオシド塩基である)のキラル的に純粋な ジヌクレオシドの合成方法。 22.(a)式(10a)のヌクレオシドを水素化ナトリウムまたは1,8-ジアザ ビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エンおよび二酸化炭素と反応させて一時的ヌクレ オシド3'-O-(Z-置換)ホスホノセレン酸を生成し、 (b)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と該 一時的ヌクレオシドを反応させることにより式(11a)のヌクレオシド中間体を 形成し、 (c)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該ヌクレオシド中間体と式(5)のヌクレオシドを反応させ、キラル的に純粋な ジヌクレオシドを形成する工程を含む、式(6a)(ここで、R1は保護基であ り、R2はH、OHまたは炭素数1〜約10のアルコキシ部分であり、R9はアシル 保護基、カップリング基、またはシリル保護基であり、Zは炭素数1〜約20の アルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニル部分、アルキニ ル部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分、アミノメチル、またはア ミノエチルであり、BはN−保護ヌクレオシド塩基である)のキラル的に純粋な ジヌクレオシドの合成方法。 23.(a)式(8b)のヌクレオシドをカリウムパーオキシモノサルフェー トまたは過酸化水素と反応させて式(9b)の一時的ヌクレオシドを生成し、 (b)該中間体ヌクレオシドを水素化ナトリウムまたはDBUおよび二硫化炭素 と反応させて一時的ヌクレオシド3'-O-(Z−置換)ホスホノチオン酸を形成し 、 (c)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と該 一時的ヌクレオシドを反応させることにより式(7a)のアルキル化ヌクレオシ ドを形成し、 (d)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該アルキル化ヌクレオシドと式(5)のヌクレオシドを反応させ、キラル的に純 粋なジヌクレオシドを形成する工程を含む、式(6a)(ここで、R1は保護基 であり、R2はHまたは炭素数1〜約10のアルコキシ部分であり、R9はアシル保 護基、カップリング基、またはシリル保護基であり、Zは炭素数1〜約20のア ルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニル部分、アルキニル 部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分、アミノメチル、またはアミ ノエチルであり、BはN−保護ヌクレオシド塩基である)のキラル的に純粋なジ ヌクレオシドの合成方法。 24.(a)式(10b)のヌクレオシドをカリウムパーオキシモノサルフェー トまたは過酸化水素と反応させて式(9b)の中間体ヌクレオシドを形成し、 (b)該中間体ヌクレオシドを水素化ナトリウムまたはDBUおよび二セレン化 炭素と反応させて一時的ヌクレオシド3'-O-(Z−置換)ホスホノセレン酸を形 成し、 (c)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と該 一時的ヌクレオシドを反応させることにより式(11a)のアルキル化ヌクレオシ ドを形成し、 (d)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該アルキル化ヌクレオシドと式(5)のヌクレオシドを反応させ、キラル的に純 粋なジヌクレオシドを形成する工程を含む、式(6a)(ここで、R1は保護基 であり、R2はHまたは炭素数1〜約10のアルコキシ部分であり、R9はアシル保 護基、カップリング基、またはシリル保護基であり、Zは炭素数1〜約20のア ルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニル部分、アルキニル 部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分、アミノメチル、またはアミ ノエチルであり、BはN−保護ヌクレオシド塩基である)のキラル的に純粋なジ ヌクレオシドの合成方法。 25.(a)式(8b)のヌクレオシドを水素化ナトリウムまたはDBUおよ び二酸化炭素と反応させて一時的ヌクレオシド3'-O-(Z−置換)ホスホノチオ ン酸を形成し、 (b)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と該 一時的ヌクレオシドを反応させることにより式(7b)のアルキル化ヌクレオシ ドを形成し、 (c)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該アルキル化ヌクレオシドと式(5)のヌクレオシドを反応させ、キラル的に純 粋なジヌクレオシドを形成する工程を含む、式(6b)(ここで、R1は保護基 であり、R2はHまたは炭素数1〜約10のアルコキシ部分であり、R9はアシル保 護基、カップリング基、またはシリル保護基であり、Zは炭素数1〜約20のア ルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニル部分、アルキニル 部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分、アミノメチル、またはアミ ノエチルであり、BはN−保護ヌクレオシド塩基である)のキラル的に純粋なジ ヌクレオシドの合成方法。 26.(a)式(10b)のヌクレオシドを水素化ナトリウムまたはDBUお よび二酸化炭素と反応させて一時的ヌクレオシド3'-O-(Z−置換)ホスホノセ レン酸を形成し、 (b)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と該 一時的ヌクレオシドを反応させることにより式(11b)のアルキル化ヌクレオ シドを形成し、 (c)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該アルキル化ヌクレオシドと式(5)のヌクレオシドを反応させ、キラル的に純 粋なジヌクレオシドを形成する工程を含む、式(6b)(ここで、R1は保護基 であり、R2はHまたは炭素数1〜約10のアルコキシ部分であり、R9はアシル保 護基、カップリング基、またはシリル保護基であり、Zは炭素数1〜約20のア ルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニル部分、アルキニル 部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分、アミノメチル、またはアミ ノエチルであり、BはN−保護ヌクレオシド塩基である)のキラル的に純粋なジ ヌクレオシドの合成方法。 27.(a)式(8a)のヌクレオシドをカリウムパーオキシモノサルフェー トまたは過酸化水素と反応させて式(9a)の中間体ヌクレオシドを生成し、 (b)該中間体ヌクレオシドを水素化ナトリウムまたはDBUおよび二硫化炭素 と反応させて一時的ヌクレオシド3'-O-(Z−置換)ホスホノチオン酸を形成し 、 (c)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と該 一時的ヌクレオシドを反応させることにより式(7b)のアルキル化ヌクレオシ ド中間体を形成し、 (d)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該アルキル化ヌクレオシド中間体と式(5)のヌクレオシドを反応させ、キラル 的に純粋なジヌクレオシドを形成する工程を含む、式(6b)(ここで、R1は 保護基であり、R2はHまたは炭素数1〜約10のアルコキシ部分であり、R9はア シル保護基、カップリング基、またはシリル保護基であり、Zは炭素数1〜約2 0のアルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニル部分、アル キニル部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分、アミノメチル、また はアミノエチルであり、BはN−保護ヌクレオシド塩基である)のキラル的に純 粋なジヌクレオシドの合成方法。 28.(a)式(10a)のヌクレオシドをカリウムパーオキシモノサルフェー トまたは過酸化水素と反応させて式(9a)の中間体ヌクレオシドを形成し、 (b)該中間体ヌクレオシドを水素化ナトリウムまたはDBUおよび二セレン化 炭素と反応させて一時的ヌクレオシド3'-O-(Z−置換)ホスホノセレン酸を形 成し、 (c)式R8W(ここで、R8はCH2C6H4R7(ここで、R7はH、ClまたはNO2 である)であり、WはCl、BrまたはIである)で示されるアルキル化剤と該 一時的ヌクレオシドを反応させることにより式(11b)のヌクレオシド中間体を 形成し、 (d)非プロトン性有機溶媒中のリチウム塩およびアクチベーターの存在下で、 該アルキル化ヌクレオシド中間体と式(5)のヌクレオシドを反応させ、キラル 的に純粋なジヌクレオシドを形成する工程を含む、式(6b)(ここで、R1は 保護基であり、R2はHまたは炭素数1〜約10のアルコキシ部分であり、R9はア シル保護基、カップリング基、またはシリル保護基であり、Zは炭素数1〜約2 0のアルキル部分、アラルキル部分、ハロアルキル部分、アルケニル部分、アル キニル部分、アルキルアリール部分、またはアリール部分、アミノメチル、また はアミノエチルであり、BはN−保護ヌクレオシド塩基である)のキラル的に純 粋なジヌクレオシドの合成方法。 29.非プロトン性有機溶媒がアセトニトリルである請求項19、20、21 、22、22、23、24、25、26、27または28のいずれかに記載の方 法。 30.アクチベーターが1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エンである請 求項19、20、21、22、22、23、24、25、26、27または28 のいずれかに記載の方法。
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