JP2002373888A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 いかなるプロセス圧力領域にあっても、角型
基板を設置する下部電極の角部において異常放電の発生
を防ぐプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 密閉された真空槽内にプラズマを励起さ
せてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、被
処理基板を載置する下部電極の角部の面取り量が前記被
処理基板の角部の面取り量よりも大きくなるように構成
したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】本発明は、プラズマ処理装置およ
びプラズマ処理方法に係り、特に、液晶のガラス基板
等、角型基板にエッチングなどの表面処理を施すプラズ
マ処理に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ディスプレイ用として、液晶パネ
ルあるいは有機ＥＬパネル等、角型基板の需要が増大し
ており、中でもこれらの角型基板の大型化は進む一方で
ある。

【０００３】このような角型基板を用いた液晶パネルあ
るいは有機ＥＬパネル等の製造工程に使用される各種プ
ラズマ処理装置は、その一例を図１に示すように、この
内部でプラズマ処理のなされる真空処理槽２と、次工程
への搬送を行うための搬送室3とを具備し、これらの間
はゲート弁４を介して接続されている。

【０００４】そしてこのような各種プラズマ処理装置１
の真空処理槽内２には、図７に示すように角型基板の形
状に対応して角型の下部電極１０７を設けている。下部
電極の多くが母材にアルミニウムプレートを用い、表面
の絶縁性保持及び耐食性等の面からアルマイト処理を施
すようにしているため、この下部電極１０７の四隅の角
部（コーナー部）は、角部でアルマイト被膜が薄くなる
のを防止し、アルマイト処理を確実にするために、図８
に示すように四隅の角部は円弧状もしくは球状の面取
り、大きさとしてはＲ２以下のわずかな面取りを施して
いる。また、この面取りは、鋭い角部における放電の集
中による異常放電を防ぐという効果もあった。

【０００５】また、図７に示すように前記下部電極１０
７の周囲には、アルミナブロック等の絶縁カバー１１２
を設置しているが、昨今の基板の大型化により、コスト
面、取扱いの面からリング状の一体物ではなく、２分割
以上、多くの場合４つに分割し、下部電極１０７の四隅
部に設けられた接合部１１２ｋで各絶縁ブロック１１２
ａ−ｄが当接するように設置されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、昨今の
微細デバイス処理に用いられる低圧プロセス、例えば１
０Ｐａ以下のプロセスにおいて、上記の程度のＲ２以下
の面取りでは、下部電極の角部に放電の集中が生じてし
まうことがあった。

【０００７】このように従来のような小さな面取りで
は、エッジ部における放電の集中を防ぐには不十分であ
り、プラズマの不安定化を招く原因となっていた。

【０００８】また、アルミナブロックを用いた絶縁カバ
ーで周囲を被覆した構造でも、前記下部電極１０７の周
囲に設置している絶縁カバー１１２の分割箇所が、下部
電極の四隅部に接しているため、この接合部１１２ｋか
ら、放電が角部に入り込みやすくなり、この角部への放
電の回り込みにより、放電が集中しやすい状態となって
いる。

【０００９】このため、下部電極の角部がダメージを受
け易くなり、特に角部では面取りがなされているとはい
え、わずかな面取りであるため、アルマイト被膜の密着
性が充分ではない。このように、アルマイトの母材への
密着性が悪いため、放電の回り込みに対しては大きな効
力はなく、放電の集中により角部のアルマイト被膜が絶
縁破壊し、剥離してしまうという現象が起こる。

【００１０】このように、アルマイト被膜が剥離してし
まうとその部分のみ絶縁性が失われるために集中的に電
流が流れ、プラズマの状態に悪影響を及ぼすことにな
る。このため、エラーにより装置が停止し、大きく稼働
率を下げてしまうという問題があった。

【００１１】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、上記問題を解決し、液晶等のように角型基板を用い
てエッチング等のプラズマ処理を行う際、いかなるプロ
セス圧力領域にあっても、角型基板を設置する下部電極
の角部において異常放電の発生を防ぎ、安定なプラズマ
処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供するこ
とを目的とする。

【００１２】また、異常放電の発生を防ぎ、安定なプラ
ズマ処理を行うことのできるプラズマ処理方法を提供す
ることを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１では、密閉された真空槽内にプラズマ
を励起させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置にお
いて、被処理基板を載置する下部電極の角部のエッジ
が、なだらかになるように構成されたことを特徴とす
る。

【００１４】かかる構成によれば、放電の集中し易い下
部電極の角部のエッジがなだらかになるように形成され
ているため、下部電極への放電の集中の可能性は激減す
る。このため、異常放電を防止し、安定で信頼性の高い
放電を行うことが可能となる。

【００１５】望ましくは、前記下部電極は矩形をなし、
前記被処理基板の角部よりも、なだらかになるように構
成されたことを特徴とする。

【００１６】かかる構成によれば、放電の集中し易い下
部電極の角部が被処理基板の角部よりもなだらかになる
ように形成されているため、放電が集中したとしても、
下部電極よりも、角部がより尖っている被処理基板の方
に向かって集中することになり、下部電極への放電の集
中の可能性は激減する。そしてさらに、被処理基板は下
部電極よりも導電性が低いため、異常放電は起こりにく
くなる。

【００１７】また望ましくは、前記被処理基板を載置す
る下部電極の角部は面取り部を構成しており、この角部
の面取り量が前記被処理基板の角部の面取り量よりも大
きくなるように構成したことを特徴とする。

【００１８】かかる構成によれば、放電の集中し易い下
部電極の角部の面取り量あるいは面取り半径が被処理基
板の角部の面取り量よりも大きくなるように形成されて
いるため、放電が集中したとしても、下部電極よりも、
角部がより尖っている被処理基板の方に向かって集中す
ることになり、下部電極への放電の集中の可能性は激減
する。そしてさらに、被処理基板は下部電極よりも導電
性が低いため、異常放電は起こりにくくなる。このた
め、異常放電を防止し、安定で信頼性の高い放電を行う
ことが可能となる。

【００１９】また、上記装置において、前記下部電極が
前記被処理基板よりも大きく形成されており、前記下部
電極の角部が前記被処理基板の外端よりも内側に位置す
るように構成されたことを特徴とする。この場合、基板
で被覆保護されない角部以外の部分は絶縁材のマスクま
たは基板クランプ材などで被覆されていることが前提で
ある。

【００２０】かかる構成によれば、下部電極の角部が前
記被処理基板の外端よりも内側に位置するように構成さ
れているため、被処理基板で被覆保護されることにな
り、放電の集中は防止されることになる。

【００２１】また本発明の第２では、密閉された真空槽
内にプラズマを励起させてプラズマ処理を行うプラズマ
処理装置において、被処理基板を載置する下部電極の周
囲が、複数に分割形成された絶縁ブロックの集合体で被
覆されており、前記絶縁ブロックは、その接合箇所が前
記下部電極の角部を除く領域に位置するように形成され
ていることを特徴とする。

【００２２】かかる構成によれば、分割箇所から放電の
回り込みがあったとしても、下部電極の角部ではなく、
直線状の部分であるため、直接角部へは到達しにくく、
異常放電は防止され得る。

【００２３】のぞましくは、前記下部電極は、その角部
の面取り量が前記被処理基板の角部の面取り量よりも大
きくなるように構成されたことを特徴とする。

【００２４】かかる構成によれば、上記効果に加え、さ
らに異常放電の抑制を図ることが可能となる。

【００２５】本発明の第３は、密閉された真空容器内に
プラズマを励起させて、前記真空容器内に配設された下
部電極上に設置された被処理基板表面にプラズマ処理を
行うプラズマ処理方法において、前記下部電極は表面の
少なくとも一部を導電性表面領域として残した状態で絶
縁化処理が施された導電性電部材で構成されており、前
記真空容器内に前記被処理基板を設置し、所望の圧力と
なるように排気する排気工程と、前記被処理基板へのプ
ラズマ処理を抑制する非処理条件下で、前記下部電極
と、前記真空容器内に配設された上部電極との間に、電
圧を印加し、前記下部電極および前記上部電極との間に
プラズマを励起するプラズマ励起開始工程と、前記プラ
ズマ励起開始工程後、前記下部電極の前記導電性表面領
域を絶縁化する絶縁化処理工程と、前記絶縁化処理工程
の後、前記被処理基板に所望のプラズマ処理がなされ得
る処理条件下で前記被処理基板へのプラズマ処理を実行
するプラズマ処理工程とを含むことを特徴とする。

【００２６】かかる構成によれば、もっとも異常放電の
発生し易いプラズマ励起時に、一部導電性表面を残して
おき、電流の逃げ道を形成することにより、極めて有効
に異常放電を防止することが可能となる。

【００２７】望ましくは、前記絶縁化処理工程は、前記
真空容器内に酸化性ガスを導入し前記導電性表面領域を
絶縁化する絶縁化処理工程であることを特徴とする。

【００２８】かかる構成によれば、ガスの切り替えのみ
により、効率よく絶縁化を行うことが可能であり、作業
効率が高く、安定で信頼性の高いプラズマ処理を行うこ
とが可能となる。

【００２９】また望ましくは、前記導電性部材はアルミ
ニウムで構成され、前記絶縁化処理工程は、前記導電性
表面領域にアルマイト処理を施す工程を含むことを特徴
とする。

【００３０】かかる構成によれば、容易に効率よくアル
マイト処理がなされ、付加装置を要することなく、ガス
の切り替えのみで効率よく絶縁化を行うことが可能であ
り、作業効率が高く、安定で信頼性の高いプラズマ処理
を行うことが可能となる。

【００３１】望ましくは、密閉された真空槽内にプラズ
マを励起させてエッチング等の処理をする際、被処理物
である角型基板を設置する下部電極の四隅部を、角型基
板の四隅の面取りの大きさ以上、少なくともＲ３以上の
面取りを行う。

【００３２】かかる構成によれば、特に角型基板を設置
する下部電極の角部において異常放電の発生を防ぐこと
ができる。

【００３３】また本発明の第４では、前記下部電極は表
面の少なくとも一部を導電性表面領域として残した状態
で絶縁化処理が施された導電性電部材で構成されてお
り、前記真空容器内に前記被処理基板を設置し、所望の
圧力となるように排気する排気工程と、前記被処理基板
へのプラズマ処理を抑制する非処理条件下で、前記下部
電極と、前記真空容器内に配設された上部電極との間
に、電圧を印加し、前記下部電極および前記上部電極と
の間にプラズマを励起するプラズマ励起開始工程と、前
記プラズマ励起開始工程後、前記下部電極の前記導電性
表面領域を絶縁性部材で被覆する被覆工程と、前記被覆
工程の後、前記被処理基板に所望のプラズマ処理がなさ
れ得る処理条件下で前記被処理基板へのプラズマ処理を
実行するプラズマ処理工程とを含むことを特徴とする。

【００３４】かかる方法によれば、放電が安定化したの
ち絶縁性部材で被覆するのみでよく、異常放電を防止
し、信頼性の高いプラズマ処理を行うことが可能とな
る。

【００３５】なおここで面取りとは、Ｒ加工のみなら
ず、図６に説明図を示すように、直線状に面取り幅Ａと
面取り幅Ｂ（Ａ≦Ｂ）とからなる直線状の除去領域を形
成したようなものも含むものとする。ここでは面取り加
工の面取り量とは、除去領域の長辺Ｂの大きさあるい
は、Ｒ加工の場合は除去領域の半径Ｒをさすものとす
る。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。 実施形態１ 本発明の第1の実施形態では、図３に示すように、密閉
された真空槽内にプラズマを励起させてプラズマ処理を
行うプラズマ処理装置において、被処理基板を載置する
下部電極７は、その基板載置面の角部の面取り半径が前
記被処理基板１１の角部１１ｅの面取り量よりも大きく
なるように構成されたことを特徴とするものである。そ
してさらにこの下部電極の周囲が、複数に分割形成され
た絶縁ブロック１２ａ乃至ｄからなる絶縁カバー１２で
被覆されており、前記絶縁ブロックは、接合箇所１２ｋ
が前記下部電極７の角部を除く領域に位置するように形
成されている。

【００３７】図１は、前述したように、プラズマ処理装
置１の真空処理槽２の外観を示すものであって、外部よ
り移載された液晶用ガラス基板等の角型基板は、搬送室
３を介して真空処理槽２内へ搬送され、ゲート弁４によ
り密閉された内部でエッチング等のプラズマ処理を施さ
れる。

【００３８】図２は、本発明の第1の実施形態の真空処
理槽２の内部構造を示す図であり、開閉可能な蓋体５に
上部電極６が取り付けられており、その対極に被処理基
板であるガラス製の角型基板が設置される下部電極７が
配設されている。そして、下部電極７はアルミニウムプ
レートで構成されており、その表面には、絶縁性保持及
び耐食性等を考慮してアルマイト処理が施されている。

【００３９】また、この下部電極７は水冷板８上に設置
されており、水冷板８内に冷却水を循環させることで、
被処理基板を間接的に冷却している。また、下部電極７
には高周波整合器９と高周波電源１０が取り付けられて
おり、下部電極７にＲＦ高周波（１３．５６ＭＨｚ）を
印加することにより、真空処理槽２内にプラズマを励起
しエッチングあるいは成膜等の表面処理を行う構造とな
っている。

【００４０】図３において、下部電極７の角型基板１１
が設置される面の四隅の角部７ｅは、放電の集中による
異常放電を防ぐために円弧状の面取りが施してあるのは
従来例と同じであるが、本実施形態では、下部電極７の
面取り量は、角型基板１１の四隅の角部のもっとも大き
い面取り量以上の大きさをとっており、Ｒ３以上の面取
りを施している。

【００４１】ここで面取り寸法の上限は、基板上のパタ
ーンが全て等しくエッチング等のプラズマ処理を施され
る環境にあれば、特に規定するものではない。これは、
昨今の微細デバイス処理に用いられる低圧プロセス、例
えば１０Ｐａ以下のプロセスにおいて、異常放電を防ぐ
のに十分となるようにするためである。また、下部電極
７の周囲には、アルミナ製の４個の絶縁ブロック１２ａ
乃至ｄからなる絶縁カバー１２が設置されており、コス
ト、取扱いの面から２つ以上に分割、ここでは、４つに
分割されているのも従来例と同じであるが、その接合箇
所１２ｋが前記下部電極７の角型基板１１が設置される
面の四隅の角部を避け、角型基板の各辺上に相当する位
置にくるように配設されていることが特徴である。分割
する位置については角部に接していなければ、特に制限
するものではない。これは、接合箇所からの放電の入り
込みを考慮したもので、仮に放電の回り込みがあったと
しても、下部電極の角部のエッジからは遠く、しかもエ
ッジはＲ加工が施されているため、放電集中が生じるこ
とはない。

【００４２】これに対し、従来例では、接合箇所がコー
ナー部に位置していたため、接合箇所からの放電の入り
込みにより下部電極の角部で異常放電を発生しやすいも
のとなっていた。

【００４３】このように、本発明の第１の実施形態のプ
ラズマ処理装置によれば、放電の集中し易い下部電極の
角部の面取り量が被処理基板の角部の面取り量よりも大
きくなるように形成されているため、放電が集中したと
しても、下部電極よりも、角部がより尖っている被処理
基板の方に向かって集中することになり、下部電極への
放電の集中の可能性は激減する。

【００４４】そしてさらに、被処理基板は下部電極より
も導電性が低いため、異常放電は起こりにくくなる。こ
のため、異常放電を防止し、安定で信頼性の高い放電を
行うことが可能となる。

【００４５】また、被処理基板を載置する下部電極の周
囲を被覆する絶縁ブロックの接合箇所が前記下部電極の
角部を除く領域に位置するように形成されているため、
接合箇所から放電の回り込みがあったとしても、下部電
極の角部ではなく、直線状の部分であるため、直接角部
へは到達しにくく、異常放電は発生しにくい。

【００４６】しかもこの構造では図３（ａ）からあきら
かなように、接合線が直線とならないように、折れ部を
構成しており、湿気などの侵入経路が長くなるように
し、侵入防止をはかっている。図３（ｂ）は図３（ａ）
のＡ−Ａ断面を示す図である。

【００４７】なお面取り量はＲ３以上であるのが望まし
いが、被処理基板の面取り量よりも大きければよい。

【００４８】また、絶縁カバーで被覆している場合は、
必ずしも下部電極の面取り量は被処理基板の面取り量よ
りも大きくなくてもよい。

【００４９】なお、前記第１の実施形態では、絶縁ブロ
ックの集合体からなる絶縁カバーによって下部電極の周
縁が被覆されているものについて説明したが、絶縁カバ
ーが形成されていないものについても適用可能である。 実施形態２ 本発明第２の実施形態として、下部電極１７上に、下部
電極よりも小さい角型基板からなる被処理基板をエッチ
ング処理するためのプラズマ処理装置について説明す
る。

【００５０】この例では、要部拡大説明図を図４に示す
ように、下部電極の方が大きくなるような場合、前記下
部電極の角部が前記被処理基板の外端よりも内側に位置
するように面取り量を大きくすることにより多く構成さ
れたことを特徴とする。ここでは、絶縁カバーを設けて
いないものとする。

【００５１】かかる構成によれば、下部電極の角部が前
記被処理基板の外端よりも内側に位置するように構成さ
れているため、下部電極の角部のエッジはプラズマにさ
らされることがなく、被処理基板で被覆保護されている
ため、放電の集中は防止されることになる。

【００５２】なお被処理基板は通常位置決めのために１
つの角部を大きく面取りしオリフラ面を構成している
が、その面取り量のもっとも大きい角部よりも角部が大
きくなるように、形成すればよい。 実施形態３ 次に本発明の第３の実施形態として、下部電極７の表面
の一部には、あらかじめアルマイト処理を施さず導電性
領域を残しておき、プラズマ励起後に絶縁物でありアル
マイト層１８で被覆するようことにより、プラズマ励起
時の異常放電を抑制するようにしたプラズマ処理方法に
ついて説明する。

【００５３】下部電極の角部での異常放電は、プラズマ
放電中のピーク電圧が角部表面のアルマイト層の耐電圧
値を超えてしまい、アルマイトが絶縁破壊、剥離してし
まうために発生するものであり、そのピーク電圧はプラ
ズマ励起開始直後に非常に大きい値を示すことが判明し
ている。

【００５４】そこで、この実施形態では、下部電極１７
の任意の表面の一部にはアルマイト処理を施さず導電性
領域１７ｓとして残しておき、電気的に導通部をつく
り、プラズマ励起直後のピーク電圧下で積極的に電流を
リークさせることで、角部への放電集中による異常放電
を防ぐようにしたものである。

【００５５】プラズマ処理装置については前記第１の実
施形態で説明したものを用い、図５（ａ）に示すよう
に、真空処理槽（図１参照）内に前記被処理基板を設置
し、所望の圧力となるように排気する。ここでは絶縁カ
バー１２に穴１２ｈを形成しており、この穴１２ｈに相
当する領域にアルマイト処理を施さない導電性領域１７
ｓを形成している。

【００５６】次に、図５（ｂ）に示すように、前記被処
理基板へのプラズマ処理を抑制する非処理条件例えば、
下部電極の温度を所定の値以下に保つなど、被処理基板
表面がエッチングされないような条件とし、上部電極６
と下部電極１７との間に高周波電圧を印加し前記下部電
極と、前記真空処理槽内に配設された上部電極との間
に、電圧を印加し、前記下部電極および前記上部電極と
の間にプラズマを励起する。時間的にはほんのわずかで
あり、下部電極１７の任意の表面の一部にアルマイト処
理を施さず導電性表面領域１７ｓとして残された領域
が、電気的に導通部を構成するため、プラズマ励起直後
のピーク電圧下で積極的に電流をリークさせることがで
きる。このため、角部への放電集中による異常放電を防
ぐようにしたものである。

【００５７】そしてピーク電圧が下がったところで、わ
ずかに酸素などの酸化性ガスを導入し、前記導電性表面
領域１７ｓを酸化し、アルマイト層１８ｓを形成する。
これにより、下部電極表面全体がアルマイト層で被覆さ
れる。

【００５８】そして、再度真空排気し、酸化性ガスを真
空処理槽外に排出するとともに、不活性ガスを導入して
置換し、さらに所望の真空度となるまで真空排気し、下
部電極の温度を昇温し、図５（ｃ）に示すように、被処
理基板である角型基板１１へのプラズマ処理を開始す
る。

【００５９】この方法によれば、もっとも異常放電の発
生し易いプラズマ励起時に、一部導電性表面を残してお
き、電流の逃げ道を形成することにより、極めて有効に
異常放電を防止することが可能となる。時間的にはほん
のわずかであり、ピーク電圧が下がったところで、酸化
性ガスを導入して導電性表面を酸化するのみで、下部電
極表面全体が絶縁化され、後は通常のプラズマ処理を行
うことが可能となる。

【００６０】この方法によれば、容易に効率よくアルマ
イト処理がなされ、付加装置を要することなく、ガスの
切り替えのみで効率よく下部電極表面に残る導電性領域
の絶縁化を行うことが可能であり、作業効率が高く、安
定で信頼性の高いプラズマ処理を行うことが可能とな
る。実施形態４次に本発明の第４の実施形態として、下
部電極７の表面の一部に、あらかじめ絶縁膜を形成せず
導電性表面領域を残しておき、プラズマ励起後に絶縁物
１３で被覆するようことにより、プラズマ励起時の異常
放電を抑制するようにしたプラズマ処理方法について説
明する。

【００６１】前記第３の実施形態と同様であるが、放電
安定化後に下部電極表面の導電性領域を絶縁被覆するに
際し、本実施形態では、絶縁膜を形成する前記第３の実
施形態の方法に代えて、プラズマの安定化後、絶縁物を
載置することにより、導電性表面領域を被覆するように
したことを特徴とする。

【００６２】すなわち、この実施形態では、前記第３の
実施形態と同様に、下部電極１７の任意の表面の一部に
はアルマイト処理を施さず導電性表面領域１７ｓとして
残しておき、電気的に導通部をつくり、プラズマ励起直
後のピーク電圧下で積極的に電流をリークさせること
で、角部への放電集中による異常放電を防ぐようにした
ものである。

【００６３】プラズマ処理装置については前記第３の実
施形態と同様、前記第１の実施形態で説明したものを用
い、図６（ａ）に示すように、真空処理槽（図１参照）
内に前記被処理基板を設置し、所望の圧力となるように
排気する。ここでは絶縁カバー１２を下部電極の外周部
を露呈させる程度に小さく形成しており、この外周部に
相当する領域にアルマイト処理を施さない導電性領域１
７ｐを形成している。

【００６４】次に、図６（ｂ）に示すように、上部電極
６と下部電極１７との間に高周波電圧を印加し前記下部
電極と、前記真空処理槽内に配設された上部電極との間
に、電圧を印加し、前記下部電極および前記上部電極と
の間にプラズマを励起する。時間的にはほんのわずかで
あり、下部電極１７の任意の表面の一部にアルマイト処
理を施さず導電性表面領域１７ｐとして残された領域
が、電気的に導通部を構成するため、プラズマ励起直後
のピーク電圧下で積極的に電流をリークさせることがで
きる。このため、角部への放電集中による異常放電を防
ぐようにしたものである。

【００６５】そしてピーク電圧が下がったところで、外
側絶縁ブロック１３を内側に動かし絶縁カバー１２の外
周部を覆うように接合する。これにより、下部電極表面
の導電性表面領域が外側絶縁ブロック１３で被覆され
る。

【００６６】そして、図５（ｃ）に示すように、被処理
基板である角型基板１１へのプラズマ処理を開始する。

【００６７】この方法によれば、もっとも異常放電の発
生し易いプラズマ励起時に、一部導電性表面を残してお
き、電流の逃げ道を形成することにより、極めて有効に
異常放電を防止することが可能となる。時間的にはほん
のわずかであり、ピーク電圧が下がったところで、絶縁
ブロックを動かし導電性領域表面を被覆するのみで、下
部電極表面全体が絶縁化され、後は通常のプラズマ処理
を行うことが可能となる。

【００６８】この方法によれば、酸化膜あるいは窒化膜
などの絶縁膜を容易に形成し得ないような材料を下部電
極として用いた場合にも適用可能であり、前記第３の実
施形態に比べ、下部電極材料の選択範囲が広がるという
利点もある。

【００６９】また、ガスの供給排出回数を低減すること
ができ、作業効率が高く、安定で信頼性の高いプラズマ
処理を行うことが可能となる。

【００７０】このように、本発明によれば、前記任意表
面における導通部をアルミナ等の絶縁物で被覆し、放電
の安定を図ることが可能となる。

【００７１】かかる構成によれば、いかなる圧力領域に
あっても、角型基板を設置する下部電極の角部において
異常放電の発生を防ぐことができる。

【００７２】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、下部電極の角型基板を、被処理基板を載置する下部
電極の角部の面取り量が前記被処理基板の角部の面取り
量よりも大きくなるように構成しているため、いかなる
圧力下にあっても、異常放電を防止し、安定で信頼性の
高い放電を行うことが可能となる。

【００７３】また本発明によれば、被処理基板を載置す
る下部電極の周囲を覆う絶縁ブロックは、その接合箇所
が前記下部電極の角部を除く領域に位置するように形成
されているため、接合箇所から放電の回り込みがあった
としても、下部電極の角部ではなく、直線状の部分であ
るため、直接角部へは到達しにくく、異常放電は防止さ
れ得る。

【００７４】また本発明の方法によれば、下部電極表面
の任意の一部には、アルマイト処理を施さず電気的に導
通部をつくり、プラズマ励起後に絶縁物で被覆する構造
にすることによって、いかなる圧力領域にあっても、角
型基板を設置する下部電極の角部において異常放電の発
生を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態のプラズマ処理装置を示す説
明図

【図２】本発明の実施形態のプラズマ処理装置１の真空
処理槽２の構造を示す断面図

【図３】本発明の第１の実施形態のプラズマ処理装置を
説明する説明図

【図４】本発明の第２の実施形態のプラズマ処理装置を
説明する説明図

【図５】本発明の第３の実施形態のプラズマ処理方法を
示す工程説明図

【図６】本発明の第４の実施形態のプラズマ処理方法を
示す工程説明図

【図７】従来例の下部電極と絶縁カバーの構成を示す斜
視図

【図８】角型基板の上面図

【符号の説明】

１ プラズマ処理装置 ２ 真空処理槽 ３ 真空移載室 ４ ゲート弁 ５ 蓋体 ６ 上部電極 ７ 下部電極 ８ 水冷板 ９ 高周波整合器 １０ 高周波電源 １１ 角型基板 １２ 絶縁カバー １２ｋ 接合箇所 １２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ 絶縁ブロック １３ 絶縁ブロック １７ 下部電極 １８ アルマイト層 １１１ 角型基板 １１２ 絶縁カバー １１２ｋ 接合箇所

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 敏道 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 原口 秀夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 三橋 章男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA18 FA30 2H090 JB02 JC09 4G075 AA24 AA30 BC06 CA15 CA62 DA02 EB01 EB42 EC21 FA20 5F004 AA16 BA06 BB30

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】密閉された真空槽内にプラズマを励起させ
   てプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、 被処理基板を載置する下部電極の角部のエッジが、なだ
   らかになるように構成されたことを特徴とするプラズマ
   処理装置。
2. 【請求項２】前記下部電極は矩形をなし、前記被処理基
   板の角部よりも、なだらかになるように構成されたこと
   を特徴とするプラズマ処理装置。
3. 【請求項３】 前記被処理基板を載置する下部電極の角
   部は面取り部を構成しており、その面取り量が前記被処
   理基板の角部の面取り量よりも大きくなるように構成さ
   れたことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装
   置。
4. 【請求項４】 前記下部電極が前記被処理基板よりも縦
   横ともに大きく形成されており、前記下部電極の角部が
   前記被処理基板の外端よりも内側に位置するように構成
   されたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理
   装置。
5. 【請求項５】 密閉された真空槽内にプラズマを励起さ
   せてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、 被処理基板を載置する下部電極の周囲が、複数に分割形
   成された絶縁ブロックで被覆されており、前記絶縁ブロ
   ックは、接合箇所が前記下部電極の角部を除く領域に位
   置するように形成されていることを特徴とするプラズマ
   処理装置。
6. 【請求項６】 前記下部電極の角部は面取り部を構成し
   ており、その面取り量が前記被処理基板の角部の面取り
   量よりも大きくなるように構成されたことを特徴とする
   請求項５に記載のプラズマ処理装置。
7. 【請求項７】 密閉された真空容器内にプラズマを励起
   させて、前記真空容器内に配設された下部電極上に設置
   された被処理基板表面にプラズマ処理を行うプラズマ処
   理方法において、 前記下部電極は表面の少なくとも一部を導電性表面領域
   として残した状態で絶縁化処理が施された導電性電部材
   で構成されており、 前記真空容器内に前記被処理基板を設置し、所望の圧力
   となるように排気する排気工程と、 前記被処理基板へのプラズマ処理を抑制する非処理条件
   下で、前記下部電極と、前記真空容器内に配設された上
   部電極との間に、電圧を印加し、前記下部電極および前
   記上部電極との間にプラズマを励起するプラズマ励起開
   始工程と、 前記プラズマ励起開始工程後、前記下部電極の前記導電
   性表面領域を絶縁化する絶縁化処理工程とを含み、 前記絶縁化処理工程の後、所望の処理条件下で前記被処
   理基板へのプラズマ処理を実行するようにしたことを特
   徴とするプラズマ処理方法。
8. 【請求項８】 前記絶縁化処理工程は、前記真空容器内
   に酸化性ガスを導入し前記導電性表面領域を絶縁化する
   絶縁化処理工程であることを特徴とする請求項７に記載
   のプラズマ処理方法。
9. 【請求項９】 前記導電性部材はアルミニウムで構成さ
   れ、 前記絶縁化処理工程は、前記導電性表面領域にアルマイ
   ト処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項７また
   は８に記載のプラズマ処理方法。
10. 【請求項１０】 密閉された真空容器内にプラズマを励
    起させて、前記真空容器内に配設された下部電極上に設
    置された被処理基板表面にプラズマ処理を行うプラズマ
    処理方法において、 前記下部電極は表面の少なくとも一部を導電性表面領域
    として残した状態で絶縁化処理が施された導電性電部材
    で構成されており、 前記真空容器内に前記被処理基板を設置し、所望の圧力
    となるように排気する排気工程と、 前記被処理基板へのプラズマ処理を抑制する非処理条件
    下で、前記下部電極と、前記真空容器内に配設された上
    部電極との間に、電圧を印加し、前記下部電極および前
    記上部電極との間にプラズマを励起するプラズマ励起開
    始工程と、 前記プラズマ励起開始工程後、前記下部電極の前記導電
    性表面領域を絶縁性部材で被覆する被覆工程とを含み、 前記被覆工程の後、所望の処理条件下で前記被処理基板
    へのプラズマ処理を実行するようにしたことを特徴とす
    るプラズマ処理方法。