JP2002343776A - 誘導結合プラズマ処理装置 - Google Patents
誘導結合プラズマ処理装置Info
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- JP2002343776A JP2002343776A JP2001150713A JP2001150713A JP2002343776A JP 2002343776 A JP2002343776 A JP 2002343776A JP 2001150713 A JP2001150713 A JP 2001150713A JP 2001150713 A JP2001150713 A JP 2001150713A JP 2002343776 A JP2002343776 A JP 2002343776A
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- Japan
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- plasma processing
- coil electrode
- inductively coupled
- coupled plasma
- plasma
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47L—DOMESTIC WASHING OR CLEANING; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47L13/00—Implements for cleaning floors, carpets, furniture, walls, or wall coverings
- A47L13/10—Scrubbing; Scouring; Cleaning; Polishing
- A47L13/20—Mops
- A47L13/24—Frames for mops; Mop heads
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- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマの着火性の改善と容量結合型プラズ
マ発生の抑制とを並行して可能にするファラデーシール
ドを備えた誘導結合プラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 プラズマ処理用チャンバーと、このプラ
ズマ処理用チャンバーの周囲に設けられたコイル電極
と、このコイル電極とプラズマ処理用チャンバーとの間
に配置されたファラデーシールドを備えた誘導結合プラ
ズマ処理装置であって、前記ファラデーシールドは、プ
ラズマ処理用チャンバーの周方向に沿って配設された複
数の縦長の切り欠き部を有し、さらに、この切り欠き部
によって露出したプラズマ処理用チャンバー面と前記コ
イル電極との間に、誘電体が挿入されている。
マ発生の抑制とを並行して可能にするファラデーシール
ドを備えた誘導結合プラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 プラズマ処理用チャンバーと、このプラ
ズマ処理用チャンバーの周囲に設けられたコイル電極
と、このコイル電極とプラズマ処理用チャンバーとの間
に配置されたファラデーシールドを備えた誘導結合プラ
ズマ処理装置であって、前記ファラデーシールドは、プ
ラズマ処理用チャンバーの周方向に沿って配設された複
数の縦長の切り欠き部を有し、さらに、この切り欠き部
によって露出したプラズマ処理用チャンバー面と前記コ
イル電極との間に、誘電体が挿入されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハや
ガラス基板等に対しエッチング、アッシング、ＣＶＤ処
理、イオン注入処理等を行う誘導結合プラズマ処理装置
に関する。
ガラス基板等に対しエッチング、アッシング、ＣＶＤ処
理、イオン注入処理等を行う誘導結合プラズマ処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波を印加することで発生するプラズ
マには容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Cou
pled Plasma）と誘導結合型プラズマ（ＩCＰ：Inductiv
ely Coupled Plasma）とがある。上記容量結合型プラズ
マは基板にダメージを与えるため、誘導結合型プラズマ
の方が好ましいことが判明しており、この誘導結合型プ
ラズマを主に発生させるプラズマ処理装置として、コイ
ル電極を用いたものが多く使われている。
マには容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Cou
pled Plasma）と誘導結合型プラズマ（ＩCＰ：Inductiv
ely Coupled Plasma）とがある。上記容量結合型プラズ
マは基板にダメージを与えるため、誘導結合型プラズマ
の方が好ましいことが判明しており、この誘導結合型プ
ラズマを主に発生させるプラズマ処理装置として、コイ
ル電極を用いたものが多く使われている。
【０００３】また、コイル電極を用いたプラズマ処理装
置からも一部、容量結合型プラズマは発生するため、こ
れを抑制する技術として特開平８−５０９９６号公報で
は、コイル電極（アンテナ）とプラズマ処理チャンバー
との間にファラデーシールドを配置し、コイル電極の軸
方向電場を電気的に短絡して容量結合型プラズマを抑制
する方法を開示している。
置からも一部、容量結合型プラズマは発生するため、こ
れを抑制する技術として特開平８−５０９９６号公報で
は、コイル電極（アンテナ）とプラズマ処理チャンバー
との間にファラデーシールドを配置し、コイル電極の軸
方向電場を電気的に短絡して容量結合型プラズマを抑制
する方法を開示している。
【０００４】さらに、特開平１１−１８５９９５号公報
では、ファラデーシールドの形をプラズマ処理用チャン
バーの周方向に沿って配設される複数の短冊状導電体と
することにより、ファラデーシールド内に電気的閉ルー
プが形成されることを防止してプラズマの発生効率を上
げている。
では、ファラデーシールドの形をプラズマ処理用チャン
バーの周方向に沿って配設される複数の短冊状導電体と
することにより、ファラデーシールド内に電気的閉ルー
プが形成されることを防止してプラズマの発生効率を上
げている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構造におい
て、ファラデーシールドの切り欠き部の幅が狭すぎると
短絡が生じ、ファラデーシールド内に実質的に電気的閉
ループが形成されるため、電力損失が起きてプラズマの
着火性が悪くなる。また、プラズマの着火時に生じる高
電圧の影響により、電極コイルを支持している絶縁材が
燃えてしまうことがあった。
て、ファラデーシールドの切り欠き部の幅が狭すぎると
短絡が生じ、ファラデーシールド内に実質的に電気的閉
ループが形成されるため、電力損失が起きてプラズマの
着火性が悪くなる。また、プラズマの着火時に生じる高
電圧の影響により、電極コイルを支持している絶縁材が
燃えてしまうことがあった。
【０００６】一方、ファラデーシールドの切り欠き部の
幅を広くとると、プラズマの着火性は向上するが、容量
結合型プラズマの発生割合が大きくなるためウェーハに
ダメージを与える可能性が増加する。
幅を広くとると、プラズマの着火性は向上するが、容量
結合型プラズマの発生割合が大きくなるためウェーハに
ダメージを与える可能性が増加する。
【０００７】本発明の目的は、プラズマの着火性の改善
と容量結合型プラズマ発生の抑制とを同時に可能にする
ファラデーシールドを備えた誘導結合プラズマ処理装置
を提供することにある。
と容量結合型プラズマ発生の抑制とを同時に可能にする
ファラデーシールドを備えた誘導結合プラズマ処理装置
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の誘導結合プラズマ処理装置は、プラズマ処
理用チャンバーと、このプラズマ処理用チャンバーの周
囲に設けられたコイル電極と、このコイル電極とプラズ
マ処理用チャンバーとの間に配置されたファラデーシー
ルドを備えた誘導結合プラズマ処理装置であって、前記
ファラデーシールドは、プラズマ処理用チャンバーの周
方向に沿って配設された複数の縦長の切り欠き部を有
し、さらに、この切り欠き部によって露出したプラズマ
処理用チャンバー面と前記コイル電極との間に、誘電体
が挿入されている構成とした。
め、本発明の誘導結合プラズマ処理装置は、プラズマ処
理用チャンバーと、このプラズマ処理用チャンバーの周
囲に設けられたコイル電極と、このコイル電極とプラズ
マ処理用チャンバーとの間に配置されたファラデーシー
ルドを備えた誘導結合プラズマ処理装置であって、前記
ファラデーシールドは、プラズマ処理用チャンバーの周
方向に沿って配設された複数の縦長の切り欠き部を有
し、さらに、この切り欠き部によって露出したプラズマ
処理用チャンバー面と前記コイル電極との間に、誘電体
が挿入されている構成とした。
【０００９】前記誘電体の誘電率εは５以上が好まし
く、誘電体はポリテトラフルオロエチレン製のブロック
体などが好ましい。また、前記コイル電極はプラズマ処
理用チャンバーの周りに例えば３周程度巻回し、その場
合には前記誘電体が、少なくとも高周波の給電口から１
周目または２周目の前記コイル電極とプラズマ処理用チ
ャンバーとの間に挿入されているのがよい。
く、誘電体はポリテトラフルオロエチレン製のブロック
体などが好ましい。また、前記コイル電極はプラズマ処
理用チャンバーの周りに例えば３周程度巻回し、その場
合には前記誘電体が、少なくとも高周波の給電口から１
周目または２周目の前記コイル電極とプラズマ処理用チ
ャンバーとの間に挿入されているのがよい。
【００１０】
【発明の実施の態様】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで図１は本発明に係る誘
導結合プラズマ処理装置の一例を示す断面図、図２は図
１のA−A方向断面図である。
図面に基づいて説明する。ここで図１は本発明に係る誘
導結合プラズマ処理装置の一例を示す断面図、図２は図
１のA−A方向断面図である。
【００１１】誘導結合プラズマ処理装置は、反応性ガス
を導入するためのフランジを備えた天板１がプラズマ処
理用チャンバー２の上部に取り付けられている。ここで
チャンバー２は石英、アルミナセラミックス等で製造さ
れている。そしてチャンバー２の周囲にはコイル電極３
が３周巻回され、チャンバー２とコイル電極３との間
に、アルミニウム合金製あるいはステンレス製のファラ
デーシールド４が配置されている。
を導入するためのフランジを備えた天板１がプラズマ処
理用チャンバー２の上部に取り付けられている。ここで
チャンバー２は石英、アルミナセラミックス等で製造さ
れている。そしてチャンバー２の周囲にはコイル電極３
が３周巻回され、チャンバー２とコイル電極３との間
に、アルミニウム合金製あるいはステンレス製のファラ
デーシールド４が配置されている。
【００１２】また、チャンバー２の底部にはウェーハ等
の被処理物Ｗを載置して昇降させるテーブル５が備えら
れている。なおコイル電極３は、４００ｋＨｚ〜２７ｋ
Ｈｚの高周波出力ユニット６に接続されている。
の被処理物Ｗを載置して昇降させるテーブル５が備えら
れている。なおコイル電極３は、４００ｋＨｚ〜２７ｋ
Ｈｚの高周波出力ユニット６に接続されている。
【００１３】ファラデーシールド４には、その周方向に
沿って配設された複数の縦長の切り欠き部７が形成さ
れ、この切り欠き部７からは、内部のチャンバー２が見
える状態であるが、この切り欠き部７とコイル電極３と
が交差する部分だけ切り欠き幅を広くし、そこへポリテ
トラフルオロエチレン等からなる誘電率εが５以上の誘
電体ブロック８を挿入している。尚、コイル電極３とフ
ァラデーシールド４との間には絶縁体からなるスペーサ
９が設けられている。
沿って配設された複数の縦長の切り欠き部７が形成さ
れ、この切り欠き部７からは、内部のチャンバー２が見
える状態であるが、この切り欠き部７とコイル電極３と
が交差する部分だけ切り欠き幅を広くし、そこへポリテ
トラフルオロエチレン等からなる誘電率εが５以上の誘
電体ブロック８を挿入している。尚、コイル電極３とフ
ァラデーシールド４との間には絶縁体からなるスペーサ
９が設けられている。
【００１４】誘導結合プラズマ処理装置によって被処理
物のプラズマ処理を行うには、被処理物を載置したテー
ブル５をチャンバー２の底部にセットし、天板１に備え
られた反応ガス導入口からプラズマ発生用のガスを導入
する。このガスの種類は被処理物の材質等を考慮して決
定されるが、例えばヘリウム、アルゴン、窒素、空気、
酸素、６フッ化エチレン、プロパン、ブタン等が挙げら
れる。
物のプラズマ処理を行うには、被処理物を載置したテー
ブル５をチャンバー２の底部にセットし、天板１に備え
られた反応ガス導入口からプラズマ発生用のガスを導入
する。このガスの種類は被処理物の材質等を考慮して決
定されるが、例えばヘリウム、アルゴン、窒素、空気、
酸素、６フッ化エチレン、プロパン、ブタン等が挙げら
れる。
【００１５】そして、コイル電極３にたとえば所要周波
数である１３．５６ＭＨｚの高周波が印加されると、チ
ャンバー２内にプラズマが発生（着火）し、被処理物の
処理を行う。
数である１３．５６ＭＨｚの高周波が印加されると、チ
ャンバー２内にプラズマが発生（着火）し、被処理物の
処理を行う。
【００１６】プラズマが着火する前のコイル電極３のイ
ンピーダンスは、上記所要周波数である１３．５６ＭＨ
ｚ前後の高周波を印加した場合、２００〜５００Ωと非
常に高いため電流が流れにくい状態にある。しかし、本
発明の誘電体ブロック８を、ファラデーシールド４の切
り欠き部７の幅広部でかつ、チャンバー２とコイル電極
３との間隙部に挿入すると、設置されたファラデーシー
ルド４とコイル電極３との間には、誘電体ブロック８を
介してキャパシタンスが形成される。この時、誘電体ブ
ロック８は、図３の（ａ）に示すような断面形状とし、
コイル電極３に挿入される位置は、３周巻回されたコイ
ル電極３のうち高周波の給電口から１周目又は２周目で
ある。更に、誘電体ブロック８の形状は、図３の（ｂ）
の斜視図に示すようにチャンバー２側は平面であるが、
コイル電極３側はコイル電極３が収まるような略半円状
の切り欠き部を形成しているので、誘電体ブロック８は
係止部材なしにチャンバー２とコイル電極３の間に挿
入、係止されている。また、誘電体ブロック８の数は最
低でも４個必要であり、それ以上は必要に応じて幾つ増
やしてもよい。
ンピーダンスは、上記所要周波数である１３．５６ＭＨ
ｚ前後の高周波を印加した場合、２００〜５００Ωと非
常に高いため電流が流れにくい状態にある。しかし、本
発明の誘電体ブロック８を、ファラデーシールド４の切
り欠き部７の幅広部でかつ、チャンバー２とコイル電極
３との間隙部に挿入すると、設置されたファラデーシー
ルド４とコイル電極３との間には、誘電体ブロック８を
介してキャパシタンスが形成される。この時、誘電体ブ
ロック８は、図３の（ａ）に示すような断面形状とし、
コイル電極３に挿入される位置は、３周巻回されたコイ
ル電極３のうち高周波の給電口から１周目又は２周目で
ある。更に、誘電体ブロック８の形状は、図３の（ｂ）
の斜視図に示すようにチャンバー２側は平面であるが、
コイル電極３側はコイル電極３が収まるような略半円状
の切り欠き部を形成しているので、誘電体ブロック８は
係止部材なしにチャンバー２とコイル電極３の間に挿
入、係止されている。また、誘電体ブロック８の数は最
低でも４個必要であり、それ以上は必要に応じて幾つ増
やしてもよい。
【００１７】誘電体ブロック８を好ましくは誘電率εが
５以上の材料で作成することにより、上記キャパシタン
スのインピーダンスはコイル電極３のインピーダンスと
ほぼ同様、あるいはそれ以下となる。このため、印加さ
れた高周波はコイル電極３だけでなく形成されたキャパ
シタンスにも流れ込み、コイル電極３の近傍に非常に弱
い静電容量結合プラズマを発生させる。
５以上の材料で作成することにより、上記キャパシタン
スのインピーダンスはコイル電極３のインピーダンスと
ほぼ同様、あるいはそれ以下となる。このため、印加さ
れた高周波はコイル電極３だけでなく形成されたキャパ
シタンスにも流れ込み、コイル電極３の近傍に非常に弱
い静電容量結合プラズマを発生させる。
【００１８】発生した静電容量結合プラズマはコイル電
極３の誘導電界によってその電子が加熱されると、誘導
結合プラズマへとモードが変化する。すなわちこのよう
な弱い静電容量結合プラズマは、誘導結合プラズマの種
火の役割を果たすためプラズマ着火性が改善される。
極３の誘導電界によってその電子が加熱されると、誘導
結合プラズマへとモードが変化する。すなわちこのよう
な弱い静電容量結合プラズマは、誘導結合プラズマの種
火の役割を果たすためプラズマ着火性が改善される。
【００１９】静電容量結合プラズマから誘導結合プラズ
マへモードが変化した後は、コイル電極３のインピーダ
ンスはプラズマの負荷が小さくなるため見掛け上大幅に
小さくなる。そのため、高周波のほとんどはコイル電極
３側に流れ込み、形成されたキャパシタンス側にはほと
んど流れ込まなくなるため、安定した誘導結合プラズマ
の発生が継続する。
マへモードが変化した後は、コイル電極３のインピーダ
ンスはプラズマの負荷が小さくなるため見掛け上大幅に
小さくなる。そのため、高周波のほとんどはコイル電極
３側に流れ込み、形成されたキャパシタンス側にはほと
んど流れ込まなくなるため、安定した誘導結合プラズマ
の発生が継続する。
【００２０】
【発明の効果】本発明の誘導結合プラズマ処理装置は、
プラズマ処理用チャンバーの周方向に沿って配設された
複数の縦長の切り欠き部を有するファラデーシールドを
配置し、この切り欠き部によって露出したプラズマ処理
用チャンバー面と前記コイル電極との間に、誘電体を挿
入したため、誘導結合プラズマの着火に必要な高周波出
力を低減させることができる。特に、前記誘電体の誘電
率εが５以上である場合には、従来、５００Ｗ以上の高
周波出力が必要であったものを、僅か１５０〜２００Ｗ
でプラズマ着火させることが可能となる。
プラズマ処理用チャンバーの周方向に沿って配設された
複数の縦長の切り欠き部を有するファラデーシールドを
配置し、この切り欠き部によって露出したプラズマ処理
用チャンバー面と前記コイル電極との間に、誘電体を挿
入したため、誘導結合プラズマの着火に必要な高周波出
力を低減させることができる。特に、前記誘電体の誘電
率εが５以上である場合には、従来、５００Ｗ以上の高
周波出力が必要であったものを、僅か１５０〜２００Ｗ
でプラズマ着火させることが可能となる。
【図１】本発明に係る誘導結合プラズマ処理装置の一例
を示す断面図
を示す断面図
【図２】図１のA−A方向断面図
【図３】（ａ）は誘電体ブロックの側面図、（ｂ）は誘
電体ブロックの斜視図
電体ブロックの斜視図
１…天板、２…プラズマ処理用チャンバー、３…コイル
電極、４…ファラデーシールド、５…テーブル、６…高
周波出力ユニット、７…切り欠き部、８…誘電体ブロッ
ク、９…スペーサ。
電極、４…ファラデーシールド、５…テーブル、６…高
周波出力ユニット、７…切り欠き部、８…誘電体ブロッ
ク、９…スペーサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA42 BC04 BC06 BC08 BD14 CA25 CA47 DA02 EB01 EB41 EC01 EC21 ED13 FA01 FB02 FB04 FB06 FB12 FC15 FC20 4K029 AA06 AA09 AA24 BD01 DE01 4K030 CA04 CA06 CA12 FA04 KA12 KA30 KA46 5F004 AA16 BA20 BB13 BB29 BC08 DA22 DA23 DA25 DA26 5F045 EB02 EC05 EH11 EH19
Claims (4)
- 【請求項１】 プラズマ処理用チャンバーと、このプラ
ズマ処理用チャンバーの周囲に設けられたコイル電極
と、このコイル電極とプラズマ処理用チャンバーとの間
に配置されたファラデーシールドを備えた誘導結合プラ
ズマ処理装置であって、前記ファラデーシールドは、プ
ラズマ処理用チャンバーの周方向に沿って配設された複
数の縦長の切り欠き部を有し、さらに、この切り欠き部
によって露出したプラズマ処理用チャンバー面と前記コ
イル電極との間に、誘電体が挿入されていることを特徴
とする誘導結合プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記誘電体の誘電率εが５以上である請
求項１に記載の誘導結合プラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記誘電体がポリテトラフルオロエチレ
ン製のブロック体である請求項１または請求項２記載の
誘導結合プラズマ処理装置。 - 【請求項４】前記コイル電極がプラズマ処理用チャンバ
ーの周りに３周巻回され、前記誘電体が、高周波の給電
口から１周目または２周目の前記コイル電極とプラズマ
処理用チャンバーとの間に挿入されていることを特徴と
する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の誘導結合
プラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001150713A JP3907425B2 (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| TW091110258A TW557643B (en) | 2001-05-21 | 2002-05-16 | Inductively coupled plasma processor |
| KR1020020027704A KR100871887B1 (ko) | 2001-05-21 | 2002-05-20 | 유도결합 플라즈마 처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001150713A JP3907425B2 (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002343776A true JP2002343776A (ja) | 2002-11-29 |
| JP3907425B2 JP3907425B2 (ja) | 2007-04-18 |
Family
ID=18995686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001150713A Expired - Fee Related JP3907425B2 (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3907425B2 (ja) |
| KR (1) | KR100871887B1 (ja) |
| TW (1) | TW557643B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012128969A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Showa Shinku:Kk | 電子ビーム照射装置、これを用いる電子ビーム照射処理装置、及びこれらに用いるコレクター電極 |
| JP2018163832A (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 株式会社昭和真空 | 電子ビーム発生装置およびコレクタ電極 |
| TWI680699B (zh) * | 2015-02-06 | 2019-12-21 | 美商Ｍｋｓ儀器公司 | 具有自諧振元件之用於電漿點火的裝置及方法 |
| CN114446759A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-05-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9279179B2 (en) * | 2012-02-06 | 2016-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi coil target design |
| JP6715129B2 (ja) | 2016-08-31 | 2020-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR102540773B1 (ko) * | 2021-01-19 | 2023-06-12 | 피에스케이 주식회사 | 패러데이 실드 및 기판 처리 장치 |
| KR102553189B1 (ko) * | 2021-12-29 | 2023-07-10 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10275694A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及び処理方法 |
| JP3460113B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2003-10-27 | 東京応化工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2001
- 2001-05-21 JP JP2001150713A patent/JP3907425B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-05-16 TW TW091110258A patent/TW557643B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-05-20 KR KR1020020027704A patent/KR100871887B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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