JP2002361644A - 成形型表面処理方法及び成形型表面処理装置 - Google Patents
成形型表面処理方法及び成形型表面処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 空気中に液を噴射せず、成形型の表面の不要
な部分に液を塗布しない成形型表面処理方法及び成形型
表面処理装置の提供。 【解決手段】 成形型１に備える凹部２，２…に挿入で
きる管を備え、該管により前記凹部２，２…に液を夫々
注入し、前記管により前記凹部２，２…に注入された液
を夫々吸引する。
な部分に液を塗布しない成形型表面処理方法及び成形型
表面処理装置の提供。 【解決手段】 成形型１に備える凹部２，２…に挿入で
きる管を備え、該管により前記凹部２，２…に液を夫々
注入し、前記管により前記凹部２，２…に注入された液
を夫々吸引する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、凹部を有する成形
型の表面に液を塗布する成形型表面処理方法及び成形型
表面処理装置に関するものである。
型の表面に液を塗布する成形型表面処理方法及び成形型
表面処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は半導体発光素子の断面図である。
図３において３０は半導体発光素子を示し、この半導体
発光素子３０は、基板３１上に半導体層を形成してなる
発光ダイオード３２を、リードフレーム３３上に載置
し、ｎ電極ＮＴ及びｐ電極ＰＴに夫々金線３４をワイヤ
ーボンディングした後、エポキシ樹脂３５により全体を
モールドすることにより製造される。図４は半導体発光
素子のモールド時にエポキシ樹脂の成形に使用する成形
型の断面図である。図中１は成形型を示し、成形型１は
合成樹脂材料により板状に形成され、上面に、半導体発
光素子３０のモールドに必要な形状の４個の凹部２，
２，２，２を一列に配備してある。エポキシ樹脂３５を
成形する場合、凹部２，２…にエポキシ樹脂３５を夫々
注入し、その中にワイヤーボンディングされた発光ダイ
オード３２を没入して一定時間高温に保つ。エポキシ樹
脂３５は熱硬化性の樹脂であるため、上述の処理により
硬化し、モールドされた半導体発光素子３０が完成す
る。
図３において３０は半導体発光素子を示し、この半導体
発光素子３０は、基板３１上に半導体層を形成してなる
発光ダイオード３２を、リードフレーム３３上に載置
し、ｎ電極ＮＴ及びｐ電極ＰＴに夫々金線３４をワイヤ
ーボンディングした後、エポキシ樹脂３５により全体を
モールドすることにより製造される。図４は半導体発光
素子のモールド時にエポキシ樹脂の成形に使用する成形
型の断面図である。図中１は成形型を示し、成形型１は
合成樹脂材料により板状に形成され、上面に、半導体発
光素子３０のモールドに必要な形状の４個の凹部２，
２，２，２を一列に配備してある。エポキシ樹脂３５を
成形する場合、凹部２，２…にエポキシ樹脂３５を夫々
注入し、その中にワイヤーボンディングされた発光ダイ
オード３２を没入して一定時間高温に保つ。エポキシ樹
脂３５は熱硬化性の樹脂であるため、上述の処理により
硬化し、モールドされた半導体発光素子３０が完成す
る。
【０００３】上述した成形型１により成形したエポキシ
樹脂３５の品質を保持するため、成形型１に備える凹部
２，２…の表面を定期的に洗浄する必要がある。また、
凹部２，２…の表面に予め離型剤を塗布しておくことに
より、凹部２，２…から硬化したエポキシ樹脂３５を効
率良く取り出すことができる。
樹脂３５の品質を保持するため、成形型１に備える凹部
２，２…の表面を定期的に洗浄する必要がある。また、
凹部２，２…の表面に予め離型剤を塗布しておくことに
より、凹部２，２…から硬化したエポキシ樹脂３５を効
率良く取り出すことができる。
【０００４】図５は従来の成形型表面処理装置を示す断
面図である。図５において５１は成形型１を載せる載台
を示し、載台５１の真上には、３個の保持部５２，５
４，５６が、載台５１に載置した成形型１の凹部２，２
…の並列方向と平行な方向に一列に備えてある。保持部
５２は洗浄液を噴射する噴射ノズル５３を、保持部５４
は圧縮された空気を噴射する噴射ノズル５５を、保持部
５６は液体状の離型剤を噴射する噴射ノズル５７を夫々
真下に向けて保持している。載台５１は、前記並列方向
に移動が可能であり、移動することにより保持部５２，
５４，５６が保持する噴射ノズル５３，５５，５７の真
下に成形型１を配置する。
面図である。図５において５１は成形型１を載せる載台
を示し、載台５１の真上には、３個の保持部５２，５
４，５６が、載台５１に載置した成形型１の凹部２，２
…の並列方向と平行な方向に一列に備えてある。保持部
５２は洗浄液を噴射する噴射ノズル５３を、保持部５４
は圧縮された空気を噴射する噴射ノズル５５を、保持部
５６は液体状の離型剤を噴射する噴射ノズル５７を夫々
真下に向けて保持している。載台５１は、前記並列方向
に移動が可能であり、移動することにより保持部５２，
５４，５６が保持する噴射ノズル５３，５５，５７の真
下に成形型１を配置する。
【０００５】洗浄液を噴射する噴射ノズル５３は、洗浄
液給液ポンプ（図示せず）を介して洗浄液タンク（図示
せず）と連通しており、洗浄液給液ポンプの駆動により
洗浄液タンクの洗浄液を成形型１に向かって噴射する。
圧縮された空気を噴射する噴射ノズル５５は、圧縮機
（図示せず）と連通しており、圧縮機により圧縮された
空気を成形型１に向かって噴射する。離型剤を噴射する
噴射ノズル５７は、離型剤給液ポンプ（図示せず）を介
して離型剤タンク（図示せず）と連通しており、離型剤
給液ポンプの駆動により離型剤タンクの離型剤を成形型
１に向かって噴射する。
液給液ポンプ（図示せず）を介して洗浄液タンク（図示
せず）と連通しており、洗浄液給液ポンプの駆動により
洗浄液タンクの洗浄液を成形型１に向かって噴射する。
圧縮された空気を噴射する噴射ノズル５５は、圧縮機
（図示せず）と連通しており、圧縮機により圧縮された
空気を成形型１に向かって噴射する。離型剤を噴射する
噴射ノズル５７は、離型剤給液ポンプ（図示せず）を介
して離型剤タンク（図示せず）と連通しており、離型剤
給液ポンプの駆動により離型剤タンクの離型剤を成形型
１に向かって噴射する。
【０００６】以下に、上述の構成の成形型表面処理装置
による成形型１の表面処理手順を詳述する。成形型１は
エポキシ樹脂３５の成形に使用された後、成形型表面処
理装置に備える載台５１に載置される。載台５１は、載
置してある成形型１の凹部２，２…の並列方向に移動し
て噴射ノズル５３の真下に成形型１を配置する。次に洗
浄液給液ポンプの駆動により、洗浄液タンクの洗浄液を
噴射ノズル５３から成形型１に向かって噴射し、洗浄液
を十分噴射した後、載台５１は、前記並列方向に移動し
て噴射ノズル５５の真下に成形型１を配置する。次に圧
縮機が、空気を圧縮して噴射ノズル５５から成形型１に
向かって噴射する。これにより成形型１の凹部２，２…
を有する面は洗浄されて乾燥する。
による成形型１の表面処理手順を詳述する。成形型１は
エポキシ樹脂３５の成形に使用された後、成形型表面処
理装置に備える載台５１に載置される。載台５１は、載
置してある成形型１の凹部２，２…の並列方向に移動し
て噴射ノズル５３の真下に成形型１を配置する。次に洗
浄液給液ポンプの駆動により、洗浄液タンクの洗浄液を
噴射ノズル５３から成形型１に向かって噴射し、洗浄液
を十分噴射した後、載台５１は、前記並列方向に移動し
て噴射ノズル５５の真下に成形型１を配置する。次に圧
縮機が、空気を圧縮して噴射ノズル５５から成形型１に
向かって噴射する。これにより成形型１の凹部２，２…
を有する面は洗浄されて乾燥する。
【０００７】空気を十分噴射した後、載台５１は、前記
並列方向に移動して噴射ノズル５７の真下に成形型１を
配置する。離型剤給液ポンプの駆動により離型剤タンク
の離型剤を噴射ノズル５７から成形型１に向かって噴射
し、離型剤を十分噴射した後、載台５１は、前記並列方
向に移動して噴射ノズル５５の真下に成形型１を配置す
る。次に圧縮機が、空気を圧縮して噴射ノズル５５から
成形型１に向かって噴射する。これにより成形型１の凹
部２，２…を有する面に離型剤を塗布することができ
る。洗浄されて離型剤が塗布された成形型１は、再びエ
ポキシ樹脂３５の成形に用いられる。
並列方向に移動して噴射ノズル５７の真下に成形型１を
配置する。離型剤給液ポンプの駆動により離型剤タンク
の離型剤を噴射ノズル５７から成形型１に向かって噴射
し、離型剤を十分噴射した後、載台５１は、前記並列方
向に移動して噴射ノズル５５の真下に成形型１を配置す
る。次に圧縮機が、空気を圧縮して噴射ノズル５５から
成形型１に向かって噴射する。これにより成形型１の凹
部２，２…を有する面に離型剤を塗布することができ
る。洗浄されて離型剤が塗布された成形型１は、再びエ
ポキシ樹脂３５の成形に用いられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の場合は、載台５
１に載置した成形型１の真上から洗浄液及び離型剤を成
形型１に向かって噴射するため、一の噴射ノズルにより
複数の凹部に洗浄液及び離型剤を塗布することができ
る。しかし、成形型１の表面の凹部２以外の不要な部分
にも洗浄液及び離型剤が塗布され、それらが成形型１が
使用されるエポキシ樹脂の成形過程において、該過程に
使用する他の装置にも付着する。従って、成形型１以外
の他の装置も定期的に洗浄しなければならなかった。ま
た霧状の洗浄液及び離型剤が噴射されるため、洗浄液及
び離型剤が空気中に漂い、健康上よくないという問題が
あった。
１に載置した成形型１の真上から洗浄液及び離型剤を成
形型１に向かって噴射するため、一の噴射ノズルにより
複数の凹部に洗浄液及び離型剤を塗布することができ
る。しかし、成形型１の表面の凹部２以外の不要な部分
にも洗浄液及び離型剤が塗布され、それらが成形型１が
使用されるエポキシ樹脂の成形過程において、該過程に
使用する他の装置にも付着する。従って、成形型１以外
の他の装置も定期的に洗浄しなければならなかった。ま
た霧状の洗浄液及び離型剤が噴射されるため、洗浄液及
び離型剤が空気中に漂い、健康上よくないという問題が
あった。
【０００９】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、凹部に挿入された管により該凹部に液を注入
し、前記管により前記凹部に注入された液を吸引するこ
とにより、空気中に液を噴射せず、成形型の表面の不要
な部分に液を塗布しない成形型表面処理方法を提供する
ことを目的とする。また前記成形型表面処理方法を用い
る成形型表面処理装置を提供することを目的とする。本
発明の他の目的は、凹部に挿入された管により該凹部に
注入された液を吸引した後、該凹部の表面に気体を吹き
付けることにより、該表面を乾燥させる成形型表面処理
方法を提供することにある。
であり、凹部に挿入された管により該凹部に液を注入
し、前記管により前記凹部に注入された液を吸引するこ
とにより、空気中に液を噴射せず、成形型の表面の不要
な部分に液を塗布しない成形型表面処理方法を提供する
ことを目的とする。また前記成形型表面処理方法を用い
る成形型表面処理装置を提供することを目的とする。本
発明の他の目的は、凹部に挿入された管により該凹部に
注入された液を吸引した後、該凹部の表面に気体を吹き
付けることにより、該表面を乾燥させる成形型表面処理
方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る成形型表
面処理方法は、凹部を有する成形型の表面に液を塗布す
る成形型表面処理方法において、前記凹部に挿入された
管により該凹部に前記液を注入し、前記管により前記凹
部に注入された液を吸引することを特徴とする。
面処理方法は、凹部を有する成形型の表面に液を塗布す
る成形型表面処理方法において、前記凹部に挿入された
管により該凹部に前記液を注入し、前記管により前記凹
部に注入された液を吸引することを特徴とする。
【００１１】第２発明に係る成形型表面処理方法は、第
１発明に係る成形型表面処理方法において、凹部に挿入
された管により該凹部に注入された液を吸引した後、該
凹部の表面に気体を吹き付けることにより、該表面を乾
燥させることを特徴とする。
１発明に係る成形型表面処理方法において、凹部に挿入
された管により該凹部に注入された液を吸引した後、該
凹部の表面に気体を吹き付けることにより、該表面を乾
燥させることを特徴とする。
【００１２】第３発明に係る成形型表面処理装置は、凹
部を有する成形型の表面に液を塗布する成形型表面処理
装置において、前記凹部に挿入され、該凹部に前記液を
注入する管と、前記凹部に挿入され、該凹部に注入され
た液を吸引する管とを備えることを特徴とする。
部を有する成形型の表面に液を塗布する成形型表面処理
装置において、前記凹部に挿入され、該凹部に前記液を
注入する管と、前記凹部に挿入され、該凹部に注入され
た液を吸引する管とを備えることを特徴とする。
【００１３】第１及び第３発明による場合は、凹部に挿
入された管により該凹部に液を注入し、前記管により該
凹部に注入された液を吸引することにより、成形型の表
面の不要な部分に液を塗布しないため、無駄な作業がな
く、また空気中に液を噴射しないため、洗浄液及び離型
剤が空気中に漂わず健康上すぐれた成形型表面処理方法
及び該成形型表面処理方法を用いる成形型表面処理装置
を実現することができる。
入された管により該凹部に液を注入し、前記管により該
凹部に注入された液を吸引することにより、成形型の表
面の不要な部分に液を塗布しないため、無駄な作業がな
く、また空気中に液を噴射しないため、洗浄液及び離型
剤が空気中に漂わず健康上すぐれた成形型表面処理方法
及び該成形型表面処理方法を用いる成形型表面処理装置
を実現することができる。
【００１４】第２発明による場合は、凹部に挿入された
管により該凹部に注入された液を吸引した後、該凹部の
表面に気体を吹き付けて、該表面を乾燥させることによ
り、時間間隔をおかずに次の工程を実施できる成形型表
面処理方法を実現することができる。
管により該凹部に注入された液を吸引した後、該凹部の
表面に気体を吹き付けて、該表面を乾燥させることによ
り、時間間隔をおかずに次の工程を実施できる成形型表
面処理方法を実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下本発明をその実施の形態を示
す図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係る成形型
表面処理装置を示す断面図である。図１において１は、
半導体発光素子の製造過程において発光ダイオードをモ
ールドする場合のエポキシ樹脂の成形に用いる成形型を
示す。成形型１は合成樹脂材料により板状に形成され、
上面に、半導体発光素子のモールドに必要な形状の４個
の凹部２，２，２，２を、一列に配備してある。本発明
に係る成形型表面処理装置は成形型１を載せる載台１１
を備えており、載台１１の真上には３個の保持部１２，
１４，１６が、載台１１に載置した成形型１の凹部２，
２…の並列方向と平行な方向に一列に備えてある。
す図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係る成形型
表面処理装置を示す断面図である。図１において１は、
半導体発光素子の製造過程において発光ダイオードをモ
ールドする場合のエポキシ樹脂の成形に用いる成形型を
示す。成形型１は合成樹脂材料により板状に形成され、
上面に、半導体発光素子のモールドに必要な形状の４個
の凹部２，２，２，２を、一列に配備してある。本発明
に係る成形型表面処理装置は成形型１を載せる載台１１
を備えており、載台１１の真上には３個の保持部１２，
１４，１６が、載台１１に載置した成形型１の凹部２，
２…の並列方向と平行な方向に一列に備えてある。
【００１６】保持部１２は、洗浄液の注入及び吸引を行
う４本の洗浄液管１３，１３…の下端が凹部２，２…の
並列間隔と同じ間隔を有するように、該洗浄液管１３，
１３…の上端を垂直に保持している。保持部１４は、圧
縮された空気を噴射する４本の空気管１５，１５…の下
端が凹部２，２…の並列間隔と同じ間隔を有するよう
に、該空気管１５，１５…の上端を保持している。保持
部１６は、液体状の離型剤の注入及び吸引を行う４本の
離型剤管１７，１７…の下端が凹部２，２…の並列間隔
と同じ間隔を有するように、該離型剤管１７，１７…の
上端を保持している。
う４本の洗浄液管１３，１３…の下端が凹部２，２…の
並列間隔と同じ間隔を有するように、該洗浄液管１３，
１３…の上端を垂直に保持している。保持部１４は、圧
縮された空気を噴射する４本の空気管１５，１５…の下
端が凹部２，２…の並列間隔と同じ間隔を有するよう
に、該空気管１５，１５…の上端を保持している。保持
部１６は、液体状の離型剤の注入及び吸引を行う４本の
離型剤管１７，１７…の下端が凹部２，２…の並列間隔
と同じ間隔を有するように、該離型剤管１７，１７…の
上端を保持している。
【００１７】載台１１は、載置された成形型１の凹部
２，２…の並列方向に移動が可能であり、移動すること
により保持部１２，１４，１６が保持する洗浄液管１
３，１３…、空気管１５，１５…又は離型剤管１７，１
７，…の真下に成形型１を配置する。保持部１２，１
４，１６は垂直方向に夫々移動が可能であり、夫々を設
けてある待機位置から真下の作動位置まで下降及び上昇
する。保持部１２及び１６が夫々の待機位置から作動位
置まで下降する場合、保持される洗浄液管１３，１３…
及び離型剤管１７，１７…の下端は、真下に配置された
成形型１の凹部２，２…の底付近まで夫々挿入される。
また保持部１４が待機位置から作動位置まで下降する場
合、保持する空気管１５，１５…の下端は、前記凹部
２，２…の開口部付近まで近付けられる。
２，２…の並列方向に移動が可能であり、移動すること
により保持部１２，１４，１６が保持する洗浄液管１
３，１３…、空気管１５，１５…又は離型剤管１７，１
７，…の真下に成形型１を配置する。保持部１２，１
４，１６は垂直方向に夫々移動が可能であり、夫々を設
けてある待機位置から真下の作動位置まで下降及び上昇
する。保持部１２及び１６が夫々の待機位置から作動位
置まで下降する場合、保持される洗浄液管１３，１３…
及び離型剤管１７，１７…の下端は、真下に配置された
成形型１の凹部２，２…の底付近まで夫々挿入される。
また保持部１４が待機位置から作動位置まで下降する場
合、保持する空気管１５，１５…の下端は、前記凹部
２，２…の開口部付近まで近付けられる。
【００１８】洗浄液の注入及び吸引を行う洗浄液管１
３，１３…の上端は共通に接続され、更に切換弁（図示
せず）を介して、洗浄液給液ポンプ（図示せず）及び廃
液ポンプ（図示せず）に連通している。また洗浄液給液
ポンプは洗浄液タンク（図示せず）に接続し、廃液ポン
プは廃液タンク（図示せず）に接続している。切換弁の
切り換えにより、洗浄液ポンプは、洗浄液タンクの洗浄
液を洗浄液管１３，１３…の下端から対応する凹部２，
２…に夫々注入し、廃液ポンプは、前記洗浄液管１３，
１３…の下端から洗浄液を吸引して廃液タンクに廃棄す
る。
３，１３…の上端は共通に接続され、更に切換弁（図示
せず）を介して、洗浄液給液ポンプ（図示せず）及び廃
液ポンプ（図示せず）に連通している。また洗浄液給液
ポンプは洗浄液タンク（図示せず）に接続し、廃液ポン
プは廃液タンク（図示せず）に接続している。切換弁の
切り換えにより、洗浄液ポンプは、洗浄液タンクの洗浄
液を洗浄液管１３，１３…の下端から対応する凹部２，
２…に夫々注入し、廃液ポンプは、前記洗浄液管１３，
１３…の下端から洗浄液を吸引して廃液タンクに廃棄す
る。
【００１９】圧縮された空気を噴射する空気管１５，１
５…の上端は共通に接続され、更に圧縮機（図示せず）
に連通しており、圧縮機により圧縮された空気を空気管
１５，１５…の下端から、対応する凹部２，２…に向か
って噴射する。
５…の上端は共通に接続され、更に圧縮機（図示せず）
に連通しており、圧縮機により圧縮された空気を空気管
１５，１５…の下端から、対応する凹部２，２…に向か
って噴射する。
【００２０】離型剤の注入及び吸引を行う離型剤管１
７，１７…の上端は共通に接続され、更に切換弁（図示
せず）を介して、離型剤給液ポンプ（図示せず）及び廃
液ポンプ（図示せず）に連通している。また離型剤給液
ポンプは離型剤タンク（図示せず）に接続し、廃液ポン
プは廃液タンク（図示せず）に接続している。切換弁の
切り換えにより、離型剤ポンプは、離型剤タンクの離型
剤を離型剤管１７，１７…の下端から対応する凹部２，
２…に夫々注入し、廃液ポンプは、前記離型剤管１７，
１７…の下端から離型剤を吸引して廃液タンクに廃棄す
る。
７，１７…の上端は共通に接続され、更に切換弁（図示
せず）を介して、離型剤給液ポンプ（図示せず）及び廃
液ポンプ（図示せず）に連通している。また離型剤給液
ポンプは離型剤タンク（図示せず）に接続し、廃液ポン
プは廃液タンク（図示せず）に接続している。切換弁の
切り換えにより、離型剤ポンプは、離型剤タンクの離型
剤を離型剤管１７，１７…の下端から対応する凹部２，
２…に夫々注入し、廃液ポンプは、前記離型剤管１７，
１７…の下端から離型剤を吸引して廃液タンクに廃棄す
る。
【００２１】以下に上述の構成の成形型表面処理装置に
よる成形型１の表面処理手順を図２を参照して詳述す
る。図２は本発明に係る成形型表面処理装置による処理
手順を示すフローチャートである。成形型１はエポキシ
樹脂の成形に使用された後、成形型表面処理装置に備え
る載台１１に載置される。載台１１は、載置してある成
形型１の凹部２，２…の並列方向に移動して、洗浄液管
１３，１３…の真下に成形型１を配置する。保持部１２
が待機位置から真下の作動位置まで下降して洗浄液管１
３，１３…の下端を載台１１に載置した成形型１の凹部
２，２…の底付近まで夫々挿入する（Ｓ２０）。その
後、洗浄液管１３，１３…の上端に連通する切換弁が切
り換えられ、洗浄液給液ポンプの駆動により、洗浄液タ
ンクの洗浄液を洗浄液管１３，１３…の下端から、対応
する凹部２，２…に注入する（Ｓ２１）。
よる成形型１の表面処理手順を図２を参照して詳述す
る。図２は本発明に係る成形型表面処理装置による処理
手順を示すフローチャートである。成形型１はエポキシ
樹脂の成形に使用された後、成形型表面処理装置に備え
る載台１１に載置される。載台１１は、載置してある成
形型１の凹部２，２…の並列方向に移動して、洗浄液管
１３，１３…の真下に成形型１を配置する。保持部１２
が待機位置から真下の作動位置まで下降して洗浄液管１
３，１３…の下端を載台１１に載置した成形型１の凹部
２，２…の底付近まで夫々挿入する（Ｓ２０）。その
後、洗浄液管１３，１３…の上端に連通する切換弁が切
り換えられ、洗浄液給液ポンプの駆動により、洗浄液タ
ンクの洗浄液を洗浄液管１３，１３…の下端から、対応
する凹部２，２…に注入する（Ｓ２１）。
【００２２】洗浄液を凹部２，２…に充填した後、前記
切換弁が切り換えられ、廃液ポンプの駆動により、洗浄
液管１３，１３…の下端から凹部２，２…に注入された
洗浄液を夫々吸引して廃液タンクに廃棄し（Ｓ２２）、
保持部１２は上昇して待機位置に戻る。載台１１は前記
並列方向に移動して、空気管１５，１５…の真下に成形
型１を配置する。保持部１４が待機位置から真下の作動
位置まで下降して空気管１５，１５…の下端を凹部２，
２…の開口部付近まで近付け（Ｓ２３）、圧縮機が空気
を圧縮し、圧縮された空気を空気管１５，１５…の下端
から凹部２，２…に向かって噴射する（Ｓ２４）。これ
により成形型１の凹部２，２…の各表面は洗浄されて乾
燥する。
切換弁が切り換えられ、廃液ポンプの駆動により、洗浄
液管１３，１３…の下端から凹部２，２…に注入された
洗浄液を夫々吸引して廃液タンクに廃棄し（Ｓ２２）、
保持部１２は上昇して待機位置に戻る。載台１１は前記
並列方向に移動して、空気管１５，１５…の真下に成形
型１を配置する。保持部１４が待機位置から真下の作動
位置まで下降して空気管１５，１５…の下端を凹部２，
２…の開口部付近まで近付け（Ｓ２３）、圧縮機が空気
を圧縮し、圧縮された空気を空気管１５，１５…の下端
から凹部２，２…に向かって噴射する（Ｓ２４）。これ
により成形型１の凹部２，２…の各表面は洗浄されて乾
燥する。
【００２３】空気を十分噴射した後、保持部１４は上昇
して待機位置に戻り、載台１１は前記並列方向に移動し
て、離型剤管１７，１７…の真下に成形型１を配置す
る。保持部１６が待機位置から真下の作動位置に下降し
て離型剤管１７，１７…の下端を凹部２，２…の底付近
まで夫々挿入する（Ｓ２５）。その後、離型剤管１７，
１７…に連通する切換弁が切り換えられ、離型剤給液ポ
ンプの駆動により、離型剤タンクの離型剤を離型剤管１
７，１７…の下端から、対応する凹部２，２…に夫々注
入する（Ｓ２６）。離型剤を凹部２，２…に充填した
後、前記切換弁が切り換えられ、廃液ポンプの駆動によ
り、離型剤管１７，１７…の下端から凹部２，２…に注
入された離型剤を夫々吸引して廃液タンクに廃棄し（Ｓ
２７）、保持部１６は上昇して待機位置に戻る。
して待機位置に戻り、載台１１は前記並列方向に移動し
て、離型剤管１７，１７…の真下に成形型１を配置す
る。保持部１６が待機位置から真下の作動位置に下降し
て離型剤管１７，１７…の下端を凹部２，２…の底付近
まで夫々挿入する（Ｓ２５）。その後、離型剤管１７，
１７…に連通する切換弁が切り換えられ、離型剤給液ポ
ンプの駆動により、離型剤タンクの離型剤を離型剤管１
７，１７…の下端から、対応する凹部２，２…に夫々注
入する（Ｓ２６）。離型剤を凹部２，２…に充填した
後、前記切換弁が切り換えられ、廃液ポンプの駆動によ
り、離型剤管１７，１７…の下端から凹部２，２…に注
入された離型剤を夫々吸引して廃液タンクに廃棄し（Ｓ
２７）、保持部１６は上昇して待機位置に戻る。
【００２４】載台１１が前記並列方向に移動して空気管
１５，１５…の真下に成形型１を配置する。保持部１４
が待機位置から真下の作動位置まで下降して空気管１
５，１５…の下端を凹部２，２…の開口部付近まで夫々
近付け（Ｓ２８）、圧縮機が空気を圧縮し、圧縮された
空気を空気管１５，１５…の下端から噴射する（Ｓ２
９）。空気を十分噴射した後、保持部１４は上昇して待
機位置に戻る。これにより、成形型１の凹部２，２…の
各表面に離型剤が塗布される。洗浄され、離型剤が塗布
された成形型１は、再びエポキシ樹脂の成形に用いられ
る。
１５，１５…の真下に成形型１を配置する。保持部１４
が待機位置から真下の作動位置まで下降して空気管１
５，１５…の下端を凹部２，２…の開口部付近まで夫々
近付け（Ｓ２８）、圧縮機が空気を圧縮し、圧縮された
空気を空気管１５，１５…の下端から噴射する（Ｓ２
９）。空気を十分噴射した後、保持部１４は上昇して待
機位置に戻る。これにより、成形型１の凹部２，２…の
各表面に離型剤が塗布される。洗浄され、離型剤が塗布
された成形型１は、再びエポキシ樹脂の成形に用いられ
る。
【００２５】上述の実施の形態では、洗浄液及び離型剤
の注入処理及び吸引処理を夫々の凹部２，２…で共通の
管により行っているが、処理毎に管を用意するようにし
てもよい。また載台１１は、載置してある成形型１の凹
部２，２…の並列方向に移動が可能であり、保持部１
２，１４，１６は垂直方向に移動が可能であるとしてい
るが、洗浄液管１３，１３…及び離型剤管１７，１７…
の下端を各凹部２，２…の底付近まで挿入し、空気管１
５，１５…の下端を各凹部２，２…の開口部付近に配置
することができれば、この態様に限らない。
の注入処理及び吸引処理を夫々の凹部２，２…で共通の
管により行っているが、処理毎に管を用意するようにし
てもよい。また載台１１は、載置してある成形型１の凹
部２，２…の並列方向に移動が可能であり、保持部１
２，１４，１６は垂直方向に移動が可能であるとしてい
るが、洗浄液管１３，１３…及び離型剤管１７，１７…
の下端を各凹部２，２…の底付近まで挿入し、空気管１
５，１５…の下端を各凹部２，２…の開口部付近に配置
することができれば、この態様に限らない。
【００２６】
【発明の効果】第１及び第３発明による場合は、凹部に
挿入された管により該凹部に液を注入し、前記管により
該凹部に注入された液を吸引することにより、成形型の
表面の不要な部分に液を塗布しないため、無駄な作業が
なく、また空気中に液を噴射しないため、洗浄液及び離
型剤が空気中に漂わず健康上すぐれた成形型表面処理方
法及び該成形型表面処理方法を用いる成形型表面処理装
置を実現することができる。
挿入された管により該凹部に液を注入し、前記管により
該凹部に注入された液を吸引することにより、成形型の
表面の不要な部分に液を塗布しないため、無駄な作業が
なく、また空気中に液を噴射しないため、洗浄液及び離
型剤が空気中に漂わず健康上すぐれた成形型表面処理方
法及び該成形型表面処理方法を用いる成形型表面処理装
置を実現することができる。
【００２７】第２発明による場合は、凹部に挿入された
管により該凹部に注入された液を吸引した後、該凹部の
表面に気体を吹き付けて、該表面を乾燥させることによ
り、時間間隔をおかずに次の工程を実施できる成形型表
面処理方法を実現することができる。
管により該凹部に注入された液を吸引した後、該凹部の
表面に気体を吹き付けて、該表面を乾燥させることによ
り、時間間隔をおかずに次の工程を実施できる成形型表
面処理方法を実現することができる。
【図１】本発明に係る成形型表面処理装置を示す断面図
である。
である。
【図２】本発明に係る成形型表面処理装置による処理手
順を示すフローチャートである。
順を示すフローチャートである。
【図３】半導体発光素子の断面図である。
【図４】半導体発光素子のモールド時にエポキシ樹脂の
成形に使用する成形型の断面図である。
成形に使用する成形型の断面図である。
【図５】従来の成形型表面処理装置を示す断面図であ
る。
る。
１ 成形型 ２ 凹部 １３ 洗浄液管 １５ 空気管 １７ 離型剤管
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F202 AH33 AM11 AM13 CA12 CB01 CM83 CS02 CS04 5F061 CA01 DC01
Claims (3)
- 【請求項１】 凹部を有する成形型の表面に液を塗布す
る成形型表面処理方法において、前記凹部に挿入された
管により該凹部に前記液を注入し、前記管により前記凹
部に注入された液を吸引することを特徴とする成形型表
面処理方法。 - 【請求項２】 前記凹部に挿入された管により該凹部に
注入された液を吸引した後、該凹部の表面に気体を吹き
付けることにより、該表面を乾燥させることを特徴とす
る請求項１に記載の成形型表面処理方法。 - 【請求項３】 凹部を有する成形型の表面に液を塗布す
る成形型表面処理装置において、前記凹部に挿入され、
該凹部に前記液を注入する管と、前記凹部に挿入され、
該凹部に注入された液を吸引する管とを備えることを特
徴とする成形型表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001173078A JP2002361644A (ja) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | 成形型表面処理方法及び成形型表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001173078A JP2002361644A (ja) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | 成形型表面処理方法及び成形型表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002361644A true JP2002361644A (ja) | 2002-12-18 |
Family
ID=19014600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001173078A Pending JP2002361644A (ja) | 2001-06-07 | 2001-06-07 | 成形型表面処理方法及び成形型表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002361644A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05111922A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Inoac Corp | 離型剤の塗布方法、塗布装置およびそれを用いた成形装置 |
| JPH06179046A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Toyota Motor Corp | 離型剤塗布装置 |
| JPH06243752A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Shinano Polymer Kk | 凹形状成形体の製造方法および押釦スイッチ用カバー部材の製造方法 |
| JPH079458A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-13 | M C Kogyo Kk | 樹脂成形品の製造装置及び製造方法 |
| JPH09108810A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-04-28 | Toyota Motor Corp | 泡離型剤の塗布方法 |
| JPH09295117A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Toyota Motor Corp | 金型洗浄方法 |
-
2001
- 2001-06-07 JP JP2001173078A patent/JP2002361644A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05111922A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Inoac Corp | 離型剤の塗布方法、塗布装置およびそれを用いた成形装置 |
| JPH06179046A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Toyota Motor Corp | 離型剤塗布装置 |
| JPH06243752A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Shinano Polymer Kk | 凹形状成形体の製造方法および押釦スイッチ用カバー部材の製造方法 |
| JPH079458A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-13 | M C Kogyo Kk | 樹脂成形品の製造装置及び製造方法 |
| JPH09108810A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-04-28 | Toyota Motor Corp | 泡離型剤の塗布方法 |
| JPH09295117A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Toyota Motor Corp | 金型洗浄方法 |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110104 |