JP2002359466A - Multilayered wiring board and manufacturing method therefor - Google Patents

Multilayered wiring board and manufacturing method therefor

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JP2002359466A
JP2002359466A JP2001162933A JP2001162933A JP2002359466A JP 2002359466 A JP2002359466 A JP 2002359466A JP 2001162933 A JP2001162933 A JP 2001162933A JP 2001162933 A JP2001162933 A JP 2001162933A JP 2002359466 A JP2002359466 A JP 2002359466A
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JP
Japan
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conductor
wiring layer
coupling agent
wiring board
layer
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Application number
JP2001162933A
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Japanese (ja)
Inventor
Akihiko Nishimoto
昭彦 西本
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high realiability multilayered wiring board that can prevent deterioration of its characteristics, even if the board is kept in a high- temperature and high-humidity environment for a long time, by preventing the infiltration of moisture through the interfaces between conductor wiring layers and insulation layers or from insulation resin by improving the chemical affinity between the wiring layers and insulation layers. SOLUTION: This multilayered wiring board has the insulation layers 1 containing at least a thermosetting resin, the conductor wiring layers 2 embedded in the surfaces of the insulation layers 1, and via conductors 3 formed by packing a conductor component containing metallic powder in through-holes for connecting the wiring layers 2 to each other. In the wiring board, a coupling agent 4 is installed on the surfaces of the wiring layers 2, which are in contact with the via conductors 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、多層配線
基板及び半導体素子収納用パッケージなどに適した多層
配線基板とその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board suitable for, for example, a multilayer wiring board and a package for accommodating a semiconductor device, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来技術】近年、電子機器は小型化が進んでいるが、
近年携帯情報端末の発達や、コンピューターを持ち運ん
で操作するいわゆるモバイルコンピューティングの普及
によってさらに小型、薄型且つ高精細の多層配線基板が
求められる傾向にある。
2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices have been reduced in size.
In recent years, with the development of portable information terminals and the spread of so-called mobile computing in which a computer is carried and operated, there is a tendency that a smaller, thinner, and higher-definition multilayer wiring board is required.

【0003】また、通信機器に代表されるように、高速
動作が求められる電子機器が広く使用されるようになっ
てきた。高速動作が求められるということは、高い周波
数の信号に対し、正確なスイッチングが可能であるなど
多種な要求を含んでいる。そのような電子機器に対応す
るため、高速な動作に適した多層プリント配線板が求め
られている。
[0003] Further, electronic devices that require high-speed operation, such as communication devices, have been widely used. The requirement for high-speed operation includes various requirements such as accurate switching of high-frequency signals. In order to cope with such electronic devices, a multilayer printed wiring board suitable for high-speed operation is required.

【0004】高速な動作を行うためには、配線の長さを
短くし、電気信号の伝播に要する時間を短縮することが
必要である。配線の長さを短縮するために、配線の幅を
細くし、配線の間隙を小さくするという、小型、薄型且
つ高精細の多層配線基板が求められる傾向にある。
In order to perform high-speed operation, it is necessary to reduce the length of wiring and shorten the time required for transmitting an electric signal. In order to reduce the length of the wiring, there is a tendency for a small, thin, and high-definition multilayer wiring substrate in which the width of the wiring is reduced and the gap between the wirings is reduced.

【0005】そのような高密度配線の要求に対応するた
め、ビルドアツプ法と呼ばれる製造方法が用いられてい
る。ビルドアップ法の基本構造としては、JPCA規格
では(1)ベース+ビルドアップ法、(2)全層ビルド
アップ法の2種類に分類されている。
In order to meet such a demand for high-density wiring, a manufacturing method called a build-up method is used. The basic structure of the build-up method is classified into two types in the JPCA standard: (1) base + build-up method and (2) all-layer build-up method.

【0006】(1)ベース+ビルドアップ法は、両面銅
張ガラスエポキシ基板などの絶縁基板の表面に導体配線
層やスルーホール導体などが形成されたコア基板表面に
感光性樹脂を塗布後、露光現象して貫通孔を形成した
後、感光性絶縁層の表面全面に銅などのメッキ層を施
し、その後、メッキ層に感光性レジストを塗布し、回路
パターンを露光、現像した後、非レジスト形成部をエッ
チングして回路を形成した後、レジストを除去して導体
配線層を作製したもので、この工程を繰り返して多層化
するものである。
(1) In the base + build-up method, a photosensitive resin is applied to the surface of a core substrate in which a conductor wiring layer and a through-hole conductor are formed on the surface of an insulating substrate such as a double-sided copper-clad glass epoxy substrate, and then exposed. After forming a through hole, apply a plating layer such as copper on the entire surface of the photosensitive insulating layer, apply a photosensitive resist to the plating layer, expose and develop the circuit pattern, and form a non-resist After forming a circuit by etching a portion, the resist is removed to form a conductor wiring layer, and this process is repeated to form a multilayer.

【0007】また、(2)全層ビルドアップの製造方法
は、例えば特許2587593号の様に、絶縁シートに
レーザーなどで貫通孔を形成し、その貫通孔内に導電性
ペーストを充填することにより絶縁シートの表面に形成
された導体配線層を電気的に接続して配線シートを形成
し、このように作製した配線シートを繰り返して形成し
て多層化するものである。
[0007] (2) A method of manufacturing an all-layer build-up is to form a through-hole in an insulating sheet by a laser or the like and fill a conductive paste in the through-hole as disclosed in Japanese Patent No. 2587593, for example. The conductor wiring layers formed on the surface of the insulating sheet are electrically connected to form a wiring sheet, and the wiring sheet thus produced is repeatedly formed to be multilayered.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、(1)
ベース+ビルドアップ法では、絶縁シートとして感光性
エポキシ樹脂などが多用されるが、エポキシ樹脂はもと
もとガラス転移点が低い上に感光性としたことで吸水率
が増加し、高温高湿放置で絶縁性が低下するなど信頼性
が低下するという問題がある。そこで、アリル化ポリフ
ェニレンエーテル(A−PPE)樹脂やBTレジンとい
ったエポキシ樹脂より吸水率の低い樹脂を用いるが、吸
水率の低い樹脂は極性が低くなるため、極性の高い金属
表面との濡れ性が悪くなり、絶縁層と導体配線層の界面
が弱くなり、特性劣化の要因となる水分等を非常に通し
やすくなる。特に、バイア導体のピッチを狭くした場合
には、バイア導体間の絶縁抵抗の低下、また、貫通孔の
径を小さくした場合には、バイア導体の抵抗上昇等の問
題が顕著に現れ、高密度配線基板を作製するための大き
な障害となっていた。
However, (1)
In the base + build-up method, photosensitive epoxy resin is often used as an insulating sheet. However, the epoxy resin originally has a low glass transition point and is made photosensitive to increase the water absorption rate. There is a problem that reliability decreases, such as deterioration of reliability. Therefore, a resin having a lower water absorption than an epoxy resin such as an allylated polyphenylene ether (A-PPE) resin or BT resin is used. However, since a resin having a low water absorption has a lower polarity, wettability with a highly polar metal surface is low. As a result, the interface between the insulating layer and the conductor wiring layer is weakened, which makes it very easy to pass moisture and the like which cause deterioration of characteristics. In particular, when the pitch of the via conductors is narrowed, the insulation resistance between the via conductors decreases, and when the diameter of the through-hole is reduced, the problem such as an increase in the resistance of the via conductors appears remarkably. This has been a major obstacle for manufacturing a wiring board.

【0009】また、コア基板表面には銅箔から形成され
た導体配線層の厚さ分の凹凸が存在しており、ビルドア
ップ法に使用する感光性樹脂は液状のため、コア基板表
面の凹凸がビルドアップされた多層配線層表面にまで反
映され、完成品の表面にも凹凸が形成され、フリップチ
ップ等のシリコンチップ実装には不適であった。また、
温度サイクル試験や高温高湿試験においてコア基板とビ
ルドアップ層の絶縁層との界面で剥離が生じやすいもの
であった。
Further, the core substrate surface has irregularities corresponding to the thickness of the conductor wiring layer formed of copper foil, and the photosensitive resin used in the build-up method is in a liquid state. Was reflected on the surface of the multilayer wiring layer that was built up, and irregularities were also formed on the surface of the finished product, which was unsuitable for mounting on a silicon chip such as a flip chip. Also,
In a temperature cycle test or a high-temperature / high-humidity test, peeling was likely to occur at the interface between the core substrate and the insulating layer of the buildup layer.

【0010】上記問題に対して様々な解決策が提案され
ており、エレクトロニクス実装技術誌1998,1(V
ol.14 No.1)には、ステンレス板にパターン
めっき法で作製した回路パターンを積層プレスによりパ
ターンを転写することによって平滑なビルドアップ基板
が記載されている。しかし、コア基板とビルドアップ層
の絶縁樹脂との化学的な結合を改善するには至っておら
ず、信頼性の点で問題があった。
Various solutions to the above problem have been proposed, and are described in Electronics Packaging Technology Magazine 1998, 1 (V
ol. 14 No. 1) describes a smooth build-up substrate obtained by transferring a circuit pattern formed on a stainless steel plate by a pattern plating method using a lamination press. However, the chemical bonding between the core substrate and the insulating resin of the build-up layer has not been improved, and there has been a problem in reliability.

【0011】また、前記(2)全層ビルドアップ法で
は、バイア導体を、貫通孔内への導電性ペーストの充填
によって形成するものの高温放置、PCT等の信頼性試
験においてバイア導体が酸化し、電気抵抗が上昇すると
いう問題がある。また、バイア導体のピッチを狭くした
場合には、バイア導体間の絶縁抵抗が低下するという問
題があった。これは、導体配線層やバイア導体と絶縁樹
脂との界面が弱く水分等の劣化の要因となるものが通り
やすい。また、樹脂中を通ってきた水分がバイア導体内
部に直接侵入してくるために発生していると考えられ
る。
In the above (2) all-layer build-up method, a via conductor is formed by filling a conductive paste into a through-hole, but the via conductor is oxidized in a reliability test such as high-temperature storage or PCT. There is a problem that electric resistance increases. Further, when the pitch between the via conductors is reduced, there is a problem that the insulation resistance between the via conductors is reduced. This is because the interface between the conductor wiring layer or the via conductor and the insulating resin is weak, and those that cause deterioration of moisture and the like are easy to pass through. Further, it is considered that the moisture is generated because the moisture that has passed through the resin directly enters the inside of the via conductor.

【0012】本発明は、上記のような従来の多層配線基
板における課題を解決することを目的とするものであ
り、具体的には、導体配線層と絶縁層との化学的親和力
を高め、導体配線層と絶縁層との界面からの水分の侵
入、あるいは絶縁樹脂からの水分侵入を防止し、長時間
の高温、高湿度環境下でも特性劣化のない高信頼性の多
層配線基板と、これを容易に製造することのできる多層
配線基板の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems in the conventional multilayer wiring board. Specifically, the present invention increases the chemical affinity between a conductive wiring layer and an insulating layer, and A highly reliable multilayer wiring board that prevents moisture from entering from the interface between the wiring layer and the insulating layer or moisture from the insulating resin and has no characteristic deterioration even in a long-time high-temperature, high-humidity environment. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board that can be easily manufactured.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板
は、少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁層と、該絶縁層
表面に埋設された導体配線層と、導体配線層間を接続す
るために貫通孔に金属粉末を含む導体成分を充填された
バイア導体とを具備する多層配線基板において、バイア
導体と接する導体配線層の表面にカップリング剤が存在
することを特徴とするものである。
According to the present invention, there is provided a multilayer wiring board comprising at least an insulating layer containing a thermosetting resin, a conductive wiring layer buried on the surface of the insulating layer, and a through-hole for connecting the conductive wiring layers. In a multilayer wiring board having a via conductor filled with a conductor component containing a metal powder in a hole, a coupling agent is present on a surface of a conductor wiring layer in contact with the via conductor.

【0014】さらに、本発明の多層配線基板の製造方法
によれば、(a)金属箔を接着剤を介して樹脂フィルム
に接着させる工程と、(b)(a)によって作製された
前記樹脂フィルム表面に配線パターン状のレジストを形
成後、エッチング処理をして樹脂フィルム表面に導体配
線層を形成した後、パターン状のレジストを除去する工
程と、(c)(b)により形成した樹脂フィルム上の導
体配線層の上面にカップリング剤を塗布する工程と、
(d)少なくとも熱硬化性樹脂を含有するBステージ状
の絶縁シートに貫通孔をレーザー光によって形成し、金
属粉末を含む導体ペーストを充填してバイア導体を形成
し、絶縁シートを形成する工程と、(e)(a)〜
(c)で作製した樹脂フィルム表面の導体配線層を
(d)で作製した絶縁シート表面のバイア導体形成箇所
に積層加圧した後、樹脂フィルムを剥がして導体配線層
を転写する工程と、(f)(e)によって作製した絶縁
シートに、バイア導体および/または配線導体層を有す
る他の絶縁シートを積層し、圧力をかけながら一括で硬
化する工程と、を含むことを特徴とするものである。
Further, according to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, (a) a step of adhering a metal foil to a resin film via an adhesive, and (b) the resin film produced by (a) After forming a wiring pattern resist on the surface, performing an etching process to form a conductor wiring layer on the resin film surface, and then removing the pattern resist; and (c) forming the resist on the resin film formed by (b). Applying a coupling agent to the upper surface of the conductor wiring layer of
(D) forming a through hole in a B-stage insulating sheet containing at least a thermosetting resin by laser light, filling a conductive paste containing metal powder to form a via conductor, and forming an insulating sheet; , (E) (a) ~
(C) laminating and pressurizing the conductor wiring layer on the surface of the resin film formed on the surface of the insulating sheet prepared in (d), and then removing the resin film and transferring the conductor wiring layer; f) laminating another insulating sheet having a via conductor and / or a wiring conductor layer on the insulating sheet produced in (e), and curing the whole while applying pressure. is there.

【0015】さらに上記の多層配線基板およびその製造
方法においては、前記熱硬化性樹脂の吸水率が0.1%
以下であることが、配線基板の吸水性を抑止するために
望ましく、前記導体配線層は金属箔を加工することによ
って微細配線化と低抵抗化が可能である。また、前記バ
イア導体に接する導体配線層表面に存在するカップリン
グ剤はシリコン系であることが、銅箔への塗布がしやす
く、また水分の侵入を防止する効果が大きい。前記バイ
ア導体に接する導体配線層表面に存在するカップリング
剤の厚みは10〜100nmであることによって、銅箔
とバイア導体の電気的な接続信頼性と水分の侵入を効果
的に防止することができる。
Further, in the above-described multilayer wiring board and the method for manufacturing the same, the thermosetting resin has a water absorption of 0.1%.
The following is desirable in order to suppress the water absorption of the wiring board, and the conductor wiring layer can be made fine wiring and low resistance by processing a metal foil. The coupling agent present on the surface of the conductor wiring layer in contact with the via conductor is preferably of a silicon type, so that it is easy to apply to a copper foil and has a large effect of preventing moisture from entering. When the thickness of the coupling agent present on the surface of the conductor wiring layer in contact with the via conductor is 10 to 100 nm, the electrical connection reliability between the copper foil and the via conductor and the invasion of moisture can be effectively prevented. it can.

【0016】本発明の多層配線基板によれば、導体配線
層が絶縁層の表面と同一平面となるように埋設されてい
るために、多層配線基板の表面の平滑性に優れる。ま
た、本発明の多層配線基板は、バイア導体と接する導体
配線層表面がカップリング剤でコーティングされている
ため、導体配線層とバイア導体の界面からのバイア導体
内部への水分の侵入、また、絶縁樹脂の吸水率を低くす
ることにより、絶縁樹脂からの水分の侵入を防止でき、
バイア導体のピッチが狭くなった場合でもバイア導体間
の絶縁抵抗の劣化がなく、また、バイア導体の抵抗上昇
のない高密度高信頼性の多層配線基板を得ることができ
る。
According to the multilayer wiring board of the present invention, since the conductor wiring layer is embedded so as to be flush with the surface of the insulating layer, the surface of the multilayer wiring board is excellent in smoothness. Further, in the multilayer wiring board of the present invention, since the surface of the conductor wiring layer in contact with the via conductor is coated with the coupling agent, intrusion of moisture into the via conductor from the interface between the conductor wiring layer and the via conductor, By lowering the water absorption of the insulating resin, the penetration of moisture from the insulating resin can be prevented,
Even when the pitch of the via conductors becomes narrower, it is possible to obtain a high-density and high-reliability multilayer wiring board in which the insulation resistance between the via conductors does not deteriorate and the resistance of the via conductors does not increase.

【0017】また、本発明の製造方法によれば、多層配
線層における導体配線層間を接続するための貫通孔をレ
ーザー照射によって形成しているため、感光性樹脂を使
用する必要がなく、絶縁層材料としてガラス転移点が高
く、吸水率の小さいなどの材料特性に優れた任意の絶縁
材料を選定できる。また、バイア導体と接する導体配線
層表面をカップリング剤でコーティングするためバイア
導体内部への水分の侵入を防止することができる。しか
も、絶縁シートの形成と、導体配線層との形成を同時に
平行して行うことができ、すべての絶縁シートを一括で
硬化することができるために製造工程の簡略化と短縮化
を図ることができる。
According to the manufacturing method of the present invention, since the through holes for connecting the conductor wiring layers in the multilayer wiring layer are formed by laser irradiation, there is no need to use a photosensitive resin, and the insulating layer is not required. As the material, an arbitrary insulating material having a high glass transition point and excellent material properties such as a low water absorption can be selected. Further, since the surface of the conductor wiring layer in contact with the via conductor is coated with the coupling agent, it is possible to prevent moisture from entering the inside of the via conductor. In addition, the formation of the insulating sheet and the formation of the conductor wiring layer can be performed simultaneously in parallel, and all the insulating sheets can be cured at a time, thereby simplifying and shortening the manufacturing process. it can.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】本発明の多層配線基板を製造方法
とあわせて図面をもとに説明する。図1は、本発明にお
ける多層配線基板を説明するための概略図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A multilayer wiring board according to the present invention will be described with reference to the drawings together with a manufacturing method. FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a multilayer wiring board according to the present invention.

【0019】図1の多層配線基板によれば、少なくとも
熱硬化性樹脂を含む絶縁層1が複数層積層してなり、そ
れらの絶縁層1表面には、導体配線層2が埋設形成され
ている。また、絶縁層1内部には、異なる層間に形成さ
れた導体配線層2間を接続するために貫通孔に金属粉末
を含む導体成分を充填されたバイア導体3が形成されて
いる。
According to the multilayer wiring board of FIG. 1, a plurality of insulating layers 1 containing at least a thermosetting resin are laminated, and a conductor wiring layer 2 is buried on the surface of the insulating layers 1. . In the inside of the insulating layer 1, a via conductor 3 is formed in which a through-hole is filled with a conductor component containing a metal powder in order to connect between conductor wiring layers 2 formed between different layers.

【0020】かかる多層配線基板によれば、図1(b)
の要部拡大断面図に記載される通り、導体配線層2のバ
イア導体3との接続部分にカップリング剤4が存在する
ことが大きな特徴である。本発明によれば、このカップ
リング剤4の存在によって、長時間の高温高湿環境下に
おいてもバイア導体3内部への水分の浸入が抑えられバ
イア導体3の抵抗劣化のない高信頼性の多層配線基板が
得られる。
According to such a multilayer wiring board, FIG.
As described in the main part enlarged cross-sectional view, the coupling agent 4 is present at the connection portion between the conductor wiring layer 2 and the via conductor 3. According to the present invention, the presence of the coupling agent 4 suppresses the infiltration of moisture into the inside of the via conductor 3 even in a high-temperature, high-humidity environment for a long period of time, so that a highly reliable multilayer without the resistance deterioration of the via conductor 3 is provided. A wiring board is obtained.

【0021】なお、このカップリング剤は、ミクロ的に
は、導体配線層2とバイア導体3を形成する金属粒子と
が接触する構造において金属粒子との間に存在するもの
と推察され、このカップリング剤の厚み、即ち、ミクロ
的に導体配線層2とバイア導体3の界面において、カッ
プリング剤が存在する厚みは10〜100nm、特に2
0〜80nmであることが適当であり、この厚みが10
nmよりも小さいと効果が低く、100nmよりも厚い
と導体配線層2とバイア導体3との電気的な接続を阻害
するおそれがある。
The coupling agent is microscopically assumed to be present between the conductive wiring layer 2 and the metal particles in a structure in which the metal particles forming the via conductor 3 are in contact with each other. The thickness of the coupling agent, that is, the thickness at which the coupling agent exists microscopically at the interface between the conductor wiring layer 2 and the via conductor 3 is 10 to 100 nm, particularly 2
It is suitably from 0 to 80 nm, and the thickness is 10 nm.
If it is smaller than 100 nm, the effect is low, and if it is larger than 100 nm, the electrical connection between the conductor wiring layer 2 and the via conductor 3 may be hindered.

【0022】また、多層配線基板の耐湿性を高める上で
は、絶縁層1を形成する熱硬化性樹脂の吸水率は、0.
1%以下、特に0.08%以下であることが望ましい。
Further, in order to improve the moisture resistance of the multilayer wiring board, the water absorption of the thermosetting resin forming the insulating layer 1 is set to 0.1.
It is desirable that the content be 1% or less, particularly 0.08% or less.

【0023】次に、上記の多層配線基板を作製する方法
について図2の工程図をもとに説明する。まず、図2
(a)に示すように樹脂フィルム12の表面に接着剤を
介して金属箔11を接着する。この時、金属箔11はこ
の後の配線の形成のしやすさ、電気抵抗等を考慮すると
銅箔を用いるのが望ましい。そして、金属箔11表面に
さらにフォトレジスト13を貼付する(b)。そして、
フォトレジスト13を露光、現像することにより、導体
配線部分にフォトレジスト14を残す(c)。フォトレ
ジスト14はネガ型を用いる方が、その後の導体配線層
15を粗化するときに処理が行いやすい。その後、金属
箔11をエッチングすることにより導体配線層15を形
成する(d)。この時、樹脂フィルム12表面に形成し
た導体配線層15の断面は台形型に形成するのが良い。
台形の形成角は(θ)は45°〜80°であるのが良
く、望ましくは50°〜75°が良い。台形の形成角が
45°より小さいと、この後多層配線基板を作製した時
に導体配線層15のピール強度が低下する。台形の形成
角が80°より大きいと導体配線層15側面の長さが短
くなるため水分がバイア導体18への到達が早く、抵抗
上昇も速くなる。台形の形成角(θ)を45°〜80°
にするには金属箔11の種類によっても若干異なるが2
〜50μm/minでエッチングするのが良い。
Next, a method of manufacturing the above-mentioned multilayer wiring board will be described with reference to the process chart of FIG. First, FIG.
As shown in (a), the metal foil 11 is bonded to the surface of the resin film 12 via an adhesive. At this time, it is desirable to use a copper foil as the metal foil 11 in consideration of the ease of forming the wiring thereafter, electric resistance, and the like. Then, a photoresist 13 is further attached to the surface of the metal foil 11 (b). And
By exposing and developing the photoresist 13, the photoresist 14 is left on the conductor wiring portion (c). When the photoresist 14 is of a negative type, the processing is easier to perform when the subsequent conductor wiring layer 15 is roughened. Thereafter, the conductor wiring layer 15 is formed by etching the metal foil 11 (d). At this time, the cross section of the conductor wiring layer 15 formed on the surface of the resin film 12 is preferably formed in a trapezoidal shape.
As for the formation angle of the trapezoid, (θ) is preferably 45 ° to 80 °, and more preferably 50 ° to 75 °. If the formation angle of the trapezoid is smaller than 45 °, the peel strength of the conductor wiring layer 15 will decrease when a multilayer wiring board is manufactured thereafter. If the angle of formation of the trapezoid is larger than 80 °, the length of the side surface of the conductor wiring layer 15 becomes short, so that moisture reaches the via conductor 18 quickly and the resistance rises quickly. The trapezoidal formation angle (θ) is 45 ° to 80 °
It depends on the type of the metal foil 11 to make
It is preferable to perform etching at about 50 μm / min.

【0024】そして、フォトレジスト14を洗浄、除去
することによって、樹脂フィルム12の表面に、導体配
線層15を形成することができる(e)。
Then, by cleaning and removing the photoresist 14, the conductor wiring layer 15 can be formed on the surface of the resin film 12 (e).

【0025】また、樹脂フィルム12上に形成した導体
配線層15表面を粗化処理することが望ましい。特に表
面粗さ(Ra)を0.2μm以上に粗化することによっ
て導体配線層15と後述する絶縁シート16との密着性
をさらに高めることができる。金属の種類によっても異
なるが、蟻酸、NaClO2、NaOH、Na2PO4
るいはこれらの混合液等の酸性溶液をスプレー等で吹き
付ける、ディッピングするのが良く、特に蟻酸を吹き付
けるのが表面粗さを細かく制御できる点で望ましい。
It is desirable that the surface of the conductor wiring layer 15 formed on the resin film 12 be roughened. In particular, by roughening the surface roughness (Ra) to 0.2 μm or more, the adhesion between the conductor wiring layer 15 and an insulating sheet 16 described later can be further increased. Although it differs depending on the type of metal, it is preferable to spray or dipping an acidic solution such as formic acid, NaClO 2 , NaOH, Na 2 PO 4 or a mixture thereof, and it is particularly preferable to spray formic acid to reduce the surface roughness. It is desirable because it can be finely controlled.

【0026】次に、樹脂フィルム12上の後述するバイ
ア導体18と接する面となる導体配線層15上面にカッ
プリング剤を塗布する。カップリング剤としては、シリ
コン系のものが好適に使用できる。また、カップリング
剤の厚みは10〜100nm、望ましくは20〜80n
mであることが望ましい。カップリング剤の厚みが10
0nmを超えると、カップリング剤自体が絶縁体である
場合、バイア導体18との電気的接続抵抗を増大させて
しまう。また、カップリング剤の厚みが10nmよりも
薄いと、カップリング剤を塗布する効果が小さい。
Next, a coupling agent is applied to the upper surface of the conductor wiring layer 15 on the resin film 12 which is to be in contact with a via conductor 18 described later. As the coupling agent, a silicon-based coupling agent can be suitably used. The thickness of the coupling agent is 10 to 100 nm, preferably 20 to 80 n.
m is desirable. Coupling agent thickness is 10
If it exceeds 0 nm, when the coupling agent itself is an insulator, the electrical connection resistance with the via conductor 18 increases. When the thickness of the coupling agent is less than 10 nm, the effect of applying the coupling agent is small.

【0027】このカップリング剤の厚みは、塗布液の濃
度により容易に調整することができる。具体的には、カ
ップリング剤の種類によって若干は異なるが、0.5〜
10%の水溶液やアルコールで希釈したものが10〜1
00nmの厚みにすることができる。カップリング剤は
特にシリコン系を使用することによって、銅箔への塗布
がしやすく、また水分の侵入を効果的に防止できる。具
体的には、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン等のシランカップリング剤が好適に使用
できるが、他のシランカップリング剤でも十分効果は発
揮できる。カップリング剤の沸点は、250℃以上のも
のが好適に使用できる。沸点が250℃以下では半田耐
熱試験等で導体配線層15と絶縁樹脂界面で膨れが生じ
て、バイア導体18の抵抗が上昇する。
The thickness of the coupling agent can be easily adjusted depending on the concentration of the coating solution. Specifically, although slightly different depending on the type of the coupling agent, 0.5 to
10-1 solution diluted with 10% aqueous solution or alcohol
It can be as thick as 00 nm. By using a silicon-based coupling agent, it is easy to apply it to a copper foil, and it is possible to effectively prevent intrusion of moisture. Specifically, silane coupling agents such as N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane are preferably used. Although it can be used, other silane coupling agents can exert sufficient effects. The coupling agent having a boiling point of 250 ° C. or higher can be suitably used. If the boiling point is 250 ° C. or less, swelling occurs at the interface between the conductor wiring layer 15 and the insulating resin in a solder heat resistance test or the like, and the resistance of the via conductor 18 increases.

【0028】一方では、図2(f)に示すようにまず絶
縁シート16を準備する。この絶縁シート16は、熱硬
化性樹脂と無機フィラーからなるものである。絶縁シー
ト16を構成する熱硬化性樹脂は吸水率が0.1%以下
のものが良く、望ましくは0.08%以下が良い。熱硬
化性樹脂の吸水率が0.1%より高いと水分の影響を受
けてバイア導体18の抵抗が上昇する。具体的には、A
−PPE(アリル化ポリフェニレンエーテル)、BTレ
ジン(ビスマレイミドトリアジン)、ポリイミド樹脂、
ポリアミドビスマレイミドの群から選ばれる少なくとも
1種、特にA−PPEが最も望ましい。なお、エポキシ
樹脂等は吸水率が大きいために、高温高湿雰囲気での使
用は不向きである。
On the other hand, as shown in FIG. 2F, first, an insulating sheet 16 is prepared. This insulating sheet 16 is made of a thermosetting resin and an inorganic filler. The thermosetting resin constituting the insulating sheet 16 preferably has a water absorption of 0.1% or less, and more preferably 0.08% or less. If the water absorption of the thermosetting resin is higher than 0.1%, the resistance of the via conductor 18 increases due to the influence of moisture. Specifically, A
-PPE (allylated polyphenylene ether), BT resin (bismaleimide triazine), polyimide resin,
At least one selected from the group of polyamide bismaleimides, particularly A-PPE, is most desirable. In addition, since epoxy resin etc. have a large water absorption, they are not suitable for use in a high-temperature, high-humidity atmosphere.

【0029】また、絶縁シート16の無機フィラーは、
SiO2、Al23、AlN等が好適であり、フィラー
の形状は平均粒径が20μm以下、特に10μm以下、
最適には7μm以下の略球形状の粉末が用いられる。ま
た、多層配線基板の強度を持たせるためには繊維質の織
布や不織布を用いるのが良い。少なくとも1層は繊維質
のフィラーを含む絶縁シート16を用いるのが良い。こ
の無機質フィラーは、有機樹脂:無機質フィラーの体積
比率で15:85〜95:5の比率範囲で混合される。
高密度配線基板を作製するためにバイアピッチを小さく
するためには繊維質のフィラーよりも、球状のフィラー
を用いるほうが望ましい。
The inorganic filler of the insulating sheet 16 is as follows:
SiO 2 , Al 2 O 3 , AlN and the like are preferable, and the filler has an average particle diameter of 20 μm or less, particularly 10 μm or less.
Most preferably, a substantially spherical powder of 7 μm or less is used. Further, in order to provide the strength of the multilayer wiring board, it is preferable to use a fibrous woven or nonwoven fabric. At least one layer is preferably formed of an insulating sheet 16 containing a fibrous filler. The inorganic filler is mixed in a volume ratio of organic resin: inorganic filler of 15:85 to 95: 5.
In order to reduce the via pitch for producing a high-density wiring board, it is desirable to use a spherical filler rather than a fibrous filler.

【0030】次に、レーザー光を照射して絶縁シート1
6の貫通孔17加工を行う(f)。貫通孔17加工は、
CO2、YAGレーザー、エキシマレーザー等が好適で
ある。その後、金、銀、銅、アルミニウム等から選ばれ
る少なくとも1種を含む金属粉末にバインダーを添加し
導体ペーストを作製する。そして、貫通孔17に導体ペ
ーストを充填しバイア導体18を形成する(g)。バイ
ンダーは不揮発で絶縁樹脂と反応するものを用いるのが
望ましい。また、導体ペーストの充填方法として常圧の
印刷機等も使用できるが、真空印刷機を用いる方がより
充填率を上げることができる。
Next, the insulating sheet 1 is irradiated with a laser beam.
The through hole 17 of No. 6 is processed (f). The processing of the through hole 17
CO 2 , YAG laser, excimer laser and the like are suitable. Thereafter, a binder is added to a metal powder containing at least one selected from gold, silver, copper, aluminum, and the like to prepare a conductor paste. Then, a conductive paste is filled into the through holes 17 to form via conductors 18 (g). It is desirable to use a binder which is nonvolatile and reacts with the insulating resin. A normal pressure printing machine or the like can also be used as a method for filling the conductive paste, but using a vacuum printing machine can further increase the filling rate.

【0031】その後、鏡像の導体配線層15のパターン
を有する樹脂フィルム12をバイア導体18が形成され
た絶縁シート16の表面に積層して(h)、3kg/c
2以上の圧力を印加した後、樹脂フィルム12を剥離
して転写する(i)ことによって、絶縁シート16内に
形成されたバイア導体18の両端部に導体配線層15が
接続された配線シートAを得ることができる(j)。
Thereafter, a resin film 12 having a pattern of a mirror image of the conductor wiring layer 15 is laminated on the surface of the insulating sheet 16 on which the via conductors 18 are formed (h), 3 kg / c.
After applying a pressure of at least m 2 , the resin film 12 is peeled and transferred (i), whereby the wiring sheet 15 in which the conductor wiring layer 15 is connected to both ends of the via conductor 18 formed in the insulating sheet 16 is provided. A can be obtained (j).

【0032】そして、この配線シート19に対して、別
途、バイア導体18および/または導体配線層15を有
する他の配線シートを積層する。この時、配線シート1
9の配線導体層15が多層配線基板の内部導体配線層と
して位置づけられ、バイア導体18と接続された面とは
反対側の面も他の配線シートのバイア導体と接続される
場合には、配線シート19の表面に埋設された導体配線
層15の露出している表面にもカップリング剤を塗布す
る。
Then, another wiring sheet having via conductors 18 and / or conductive wiring layers 15 is separately laminated on the wiring sheet 19. At this time, wiring sheet 1
9 is positioned as the internal conductor wiring layer of the multilayer wiring board, and the surface opposite to the surface connected to the via conductor 18 is also connected to the via conductor of another wiring sheet. The coupling agent is also applied to the exposed surface of the conductor wiring layer 15 embedded on the surface of the sheet 19.

【0033】例えば、図2(k)に示すように、前記配
線シート19のように、絶縁シート内にバイア導体18
が形成され、その両端に導体配線層15が形成された配
線シートAと、絶縁シート19内にバイア導体18のみ
が形成された配線シートBとを作製し、これらを例え
ば、A−B−A−B−Aと積層することによって6層の
導体配線層を有する多層構造を形成することができる。
このような場合には、内部導体配線層となる導体配線層
の両側に、カップリング剤を塗布することが必要とな
る。
For example, as shown in FIG. 2 (k), the via conductor 18
Are formed, and a wiring sheet A in which the conductor wiring layers 15 are formed on both ends thereof and a wiring sheet B in which only the via conductors 18 are formed in the insulating sheet 19 are prepared. By laminating with -BA, a multilayer structure having six conductor wiring layers can be formed.
In such a case, it is necessary to apply a coupling agent to both sides of the conductor wiring layer to be the internal conductor wiring layer.

【0034】その後、この(k)の積層体を、一括で硬
化することによって、図1に示すような絶縁層1、導体
配線層2、バイア導体3、バイア導体3と導体配線層2
界面にカップリング剤4を具備した多層配線基板を作製
することができる。
Thereafter, the laminated body of (k) is cured at once to form an insulating layer 1, a conductor wiring layer 2, a via conductor 3, a via conductor 3 and a conductor wiring layer 2 as shown in FIG.
A multilayer wiring board having the coupling agent 4 at the interface can be manufactured.

【0035】本発明によれば、導体配線層とバイア導体
との間にカップリング剤を介在させることによって、バ
イア導体内部への水分の浸入が抑えられるため、長時間
の高温高湿環境下においてもバイア導体の抵抗劣化のな
い、かつバイア導体間の絶縁劣化のない高信頼性の多層
配線基板を得ることができる。また、製造方法において
は、各層において導体配線層の加工、絶縁層の加工を並
列に行うことができるため、また、多層化した絶縁樹脂
を一括で硬化できるため、短いサイクルタイムで多層配
線基板を作製することができる。
According to the present invention, since a coupling agent is interposed between the conductor wiring layer and the via conductor, penetration of moisture into the inside of the via conductor can be suppressed. In addition, it is possible to obtain a highly reliable multilayer wiring board in which the resistance of the via conductor does not deteriorate and the insulation between the via conductors does not deteriorate. Further, in the manufacturing method, since the processing of the conductor wiring layer and the processing of the insulating layer can be performed in parallel on each layer, and the multilayered insulating resin can be cured at a time, the multilayer wiring board can be formed in a short cycle time. Can be made.

【0036】[0036]

【実施例】絶縁シートとして、アリル化ポリフェニレン
エーテル樹脂(A−PPE)またはBTレジンを用い、
さらに無機フィラーとして球状シリカを用い、これらを
A−PPE樹脂またはBTレジン:無機フィラーが体積
比で50:50となる組成物を用い、これをドクターブ
レード法によって厚さ40μmのBステージ状態の絶縁
シートを作製した。
EXAMPLE As an insulating sheet, allylated polyphenylene ether resin (A-PPE) or BT resin was used.
Further, spherical silica was used as the inorganic filler, and these were used as an A-PPE resin or a composition in which the BT resin: inorganic filler had a volume ratio of 50:50, and this was insulated in a B-stage state having a thickness of 40 μm by a doctor blade method. A sheet was prepared.

【0037】これらの絶縁シートにそれぞれCO2レー
ザーで100μmφまたは50μmφの貫通孔を加工
し、次いで銅の表面を銀でコーティングした粉末とバイ
ンダーを混合し、導体ペーストを貫通孔に充填し配線シ
ートBを作製した。
A through hole of 100 μmφ or 50 μmφ was formed on each of these insulating sheets with a CO 2 laser, and then a powder having a copper surface coated with silver was mixed with a binder. Was prepared.

【0038】一方、38μmのPETフィルムに12μ
mの厚さの電解銅箔を貼り合わせて転写用の銅箔付きフ
ィルムを準備した。銅箔表面にドライフィルムレジスト
を貼付し、露光、炭酸ナトリウムによる現像、塩化第二
鉄によるエッチングを行い台形の形成角45°〜80°
の形成角を持つ導体配線層を形成した。その後、水酸化
ナトリウムによるレジストの剥離を行い、PETフィル
ム上に配線パターンを形成した。この後、10%の蟻酸
により導体配線層表面をRa0.4μmに粗化した。
On the other hand, 12 μm
An electrolytic copper foil having a thickness of m was attached to prepare a film with a copper foil for transfer. A dry film resist is stuck on the copper foil surface, exposed, developed with sodium carbonate, and etched with ferric chloride to form a trapezoidal formation angle of 45 ° to 80 °.
The conductor wiring layer having the formation angle of was formed. Thereafter, the resist was stripped off with sodium hydroxide to form a wiring pattern on the PET film. Thereafter, the surface of the conductive wiring layer was roughened to Ra 0.4 μm with 10% formic acid.

【0039】そして、バイア導体と接する導体配線層の
表面に、適宜、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、またはN−β(アミノエチル)γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシランの1〜20%水溶液か
らなるカップリング剤を塗布し、120℃で乾燥するこ
とにより10〜150nmの厚みのカップリング剤から
なる層を形成した。また、試料No.1として、導体配
線層表面に何も塗布しないものを準備した。
Then, 1-20% of N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane or N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane is appropriately formed on the surface of the conductor wiring layer in contact with the via conductor. An aqueous solution of the coupling agent was applied and dried at 120 ° C. to form a layer of the coupling agent having a thickness of 10 to 150 nm. In addition, the sample No. As No. 1, a coating that did not apply anything to the surface of the conductor wiring layer was prepared.

【0040】次に、PETフィルム上に形成した導体配
線層を130℃、20kg/cm2で上記2種類の絶縁
シートの両面に転写して配線シートAを作製した。な
お、配線シートAのうち、内部の導体配線層であって、
他のバイア導体と接続される導体配線層の露出表面に上
記と同様のカップリング剤をコーティングした。
Next, the conductor wiring layer formed on the PET film was transferred to both surfaces of the above-mentioned two types of insulating sheets at 130 ° C. and 20 kg / cm 2 to prepare a wiring sheet A. In the wiring sheet A, an inner conductor wiring layer,
The same coupling agent as described above was coated on the exposed surface of the conductor wiring layer connected to other via conductors.

【0041】そして、配線シートAと導体配線層を有し
ない配線シートBとをA−B−A−B−Aの順で積層
し、導体配線層6層の多層配線基板を作製した。その
後、200℃、20kg/cm2ですべての絶縁シート
を一括で硬化して、多層配線基板を作製した。
Then, the wiring sheet A and the wiring sheet B having no conductive wiring layer were laminated in the order of ABABA in this order to produce a multilayer wiring board having six conductive wiring layers. Thereafter, all the insulating sheets were simultaneously cured at 200 ° C. and 20 kg / cm 2 to produce a multilayer wiring board.

【0042】なお、作製した多層配線基板としては、導
通評価用として、100μmφのバイア導体を800個
形成し、それらを配線層によって直列に接続したディジ
ーチェーンを作製した配線基板と、絶縁評価用として、
表2に示すように、100μmφまたは50μmφのバ
イア導体を150〜250μmのバイアピッチでそれぞ
れ形成した配線基板を作製した。
As a multilayer wiring board, 800 wiring conductors having a diameter of 100 μm were formed for evaluation of continuity, and a daisy chain in which these were connected in series by a wiring layer was prepared. ,
As shown in Table 2, a wiring board in which via conductors of 100 μmφ or 50 μmφ were formed at via pitches of 150 to 250 μm, respectively, was manufactured.

【0043】作製した配線基板に対して以下の評価を行
った。まず、配線基板を作製するに用いた絶縁材料によ
って、厚み100μmの絶縁シートを10層重ねた硬化
後の50mm×50mmの積層体を50℃、24時間乾
燥し、その後、23℃の水中に浸し、その重量差を吸水
率として評価した。
The following evaluation was performed on the manufactured wiring board. First, a cured 50 mm × 50 mm laminate obtained by laminating 10 layers of 100 μm-thick insulating sheets was dried at 50 ° C. for 24 hours, and then immersed in 23 ° C. water using the insulating material used to manufacture the wiring board. The weight difference was evaluated as the water absorption.

【0044】導通評価にあたって、評価サンプルを15
0℃、1000時間の高温放置試験、130℃、湿度8
5%、2.3atm、200時間のプレッシャーPCT
試験を行った。そして、上記試験の前後でデイジーチェ
ーンの抵抗変化が10%以内のものを良品、10%を越
えるものを不良品としてN数20個の配線基板について
試験した。
In the continuity evaluation, 15 evaluation samples were used.
0 ° C, 1000 hours high temperature storage test, 130 ° C, humidity 8
5%, 2.3atm, 200 hours pressure PCT
The test was performed. Before and after the above test, the daisy chain having a resistance change of 10% or less was tested as a good product and the one with a resistance change exceeding 10% as a defective product, and tested for 20 N-numbered wiring boards.

【0045】また、絶縁評価にあたっては、評価サンプ
ルを130℃、85%RHでバイア導体間に5.5Vの
バイアスを印加して、高温高湿バイアス試験を行い、1
96時間後に108Ω以上の抵抗のものを良品、108Ω
以下のものを不良品としてN数20個の配線基板につい
て試験した。表1に導通評価結果を、表2に絶縁評価結
果を示す。
In evaluating the insulation, a bias of 5.5 V was applied between the via conductors at 130 ° C. and 85% RH to perform a high-temperature and high-humidity bias test.
After 96 hours, a product with a resistance of 10 8 Ω or more is a non-defective product and 10 8 Ω
The following were tested as defectives on 20 N wiring boards. Table 1 shows the results of the continuity evaluation, and Table 2 shows the results of the insulation evaluation.

【0046】[0046]

【表1】 [Table 1]

【0047】[0047]

【表2】 [Table 2]

【0048】表1、表2に示すように、バイア導体に接
する導体配線層の表面にカップリング剤を存在させるこ
とにより、高温放置試験やPCT試験においても抵抗の
上昇がなく、高温高湿バイアス試験においても絶縁劣化
のない高密度な多層配線基板を作製することができた。
また、本発明の多層配線基板は絶縁層の加工と導体配線
層の加工を並列して行え、絶縁層の樹脂を一括で硬化で
きるためサイクルタイムを大幅に短縮することができ
た。
As shown in Tables 1 and 2, the presence of the coupling agent on the surface of the conductor wiring layer in contact with the via conductor does not increase the resistance even in a high-temperature storage test or a PCT test. Also in the test, a high-density multilayer wiring board without insulation deterioration was able to be manufactured.
In addition, in the multilayer wiring board of the present invention, the processing of the insulating layer and the processing of the conductor wiring layer can be performed in parallel, and the resin of the insulating layer can be collectively cured, so that the cycle time can be greatly reduced.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
基板表面の平坦性に優れるとともにバイア導体の水分に
よる酸化を防止することができ、導体配線層の信頼性向
上を達成することができ、半導体素子のフリップチップ
実装に適した多層配線基板を得ることができる。
As described in detail above, according to the present invention,
Obtain a multilayer wiring board that is excellent in flatness of the substrate surface, prevents oxidation of via conductors due to moisture, improves reliability of conductive wiring layers, and is suitable for flip-chip mounting of semiconductor elements. Can be.

【0050】また、本発明の製造方法によれば、従来の
ビルドアップ法などに比較して絶縁層の加工と導体配線
層の加工を並列して行え、絶縁層の樹脂を一括で硬化で
きるためサイクルタイムを大幅に短縮することができ
る。
Further, according to the manufacturing method of the present invention, the processing of the insulating layer and the processing of the conductor wiring layer can be performed in parallel as compared with the conventional build-up method and the like, and the resin of the insulating layer can be cured at once. The cycle time can be significantly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の多層配線基板を説明するための(a)
概略図と、(b)要部拡大断面図である。
FIG. 1A illustrates a multilayer wiring board according to the present invention.
It is a schematic diagram, and (b) The principal part expanded sectional view.

【図2】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を説明
するための工程図である。
FIG. 2 is a process diagram illustrating an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁層 2 導体配線層 3 バイア導体 4 カップリング剤 11 金属箔 12 樹脂フィルム 13、14 フォトレジスト 15 導体配線層 16 絶縁シート 17 貫通孔 18 バイア導体 19 配線シート DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating layer 2 Conductor wiring layer 3 Via conductor 4 Coupling agent 11 Metal foil 12 Resin film 13, 14 Photoresist 15 Conductor wiring layer 16 Insulating sheet 17 Through hole 18 Via conductor 19 Wiring sheet

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁層と、
該絶縁層表面に埋設された導体配線層と、導体配線層間
を接続するために貫通孔に金属粉末を含む導体成分を充
填されたバイア導体とを具備する多層配線基板におい
て、バイア導体と接する導体配線層の表面にカップリン
グ剤が存在することを特徴とする多層配線基板。
An insulating layer containing at least a thermosetting resin,
In a multilayer wiring board comprising a conductor wiring layer buried on the surface of the insulating layer and a via conductor filled with a conductor component containing a metal powder in a through hole for connecting the conductor wiring layers, a conductor contacting the via conductor A multilayer wiring board, wherein a coupling agent is present on the surface of the wiring layer.
【請求項2】前記熱硬化性樹脂の吸水率が0.1%以下
であることを特徴とする請求項1記載の多層配線基板。
2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the thermosetting resin has a water absorption of 0.1% or less.
【請求項3】前記導体配線層が金属箔を加工したもので
あることを特徴とする請求項1または請求項2記載の多
層配線基板。
3. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the conductive wiring layer is formed by processing a metal foil.
【請求項4】前記バイア導体に接する導体配線層表面に
存在するカップリング剤がシリコン系であることを特徴
とする請求項1乃至請求項3のいずれか記載の多層配線
基板。
4. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the coupling agent present on the surface of the conductive wiring layer in contact with the via conductor is a silicon-based coupling agent.
【請求項5】前記バイア導体に接する導体配線層表面に
存在するカップリング剤の厚みが10〜100nmであ
ることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか記
載の多層配線基板。
5. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the thickness of the coupling agent present on the surface of the conductor wiring layer in contact with the via conductor is 10 to 100 nm.
【請求項6】(a)金属箔を接着剤を介して樹脂フィル
ムに接着させる工程と、(b)(a)によって作製され
た前記樹脂フィルム表面に配線パターン状のレジストを
形成後、エッチング処理をして樹脂フィルム表面に導体
配線層を形成した後、パターン状のレジストを除去する
工程と、(c)(b)により形成した樹脂フィルム上の
導体配線層の上面にカップリング剤を塗布する工程と、
(d)少なくとも熱硬化性樹脂を含有するBステージ状
の絶縁シートに貫通孔をレーザー光によって形成し、金
属粉末を含む導体ペーストを充填してバイア導体を形成
し、絶縁シートを形成する工程と、(e)(a)〜
(c)で作製した樹脂フィルム表面の導体配線層を
(d)で作製した絶縁シート表面のバイア導体形成箇所
に積層加圧した後、樹脂フィルムを剥がして導体配線層
を転写する工程と、(f)(e)によって作製した絶縁
シートに、バイア導体および/または配線導体層を有す
る他の絶縁シートを積層し、圧力をかけながら一括で硬
化する工程と、を含むことを特徴とする多層配線基板の
製造方法。
6. A step of: (a) adhering a metal foil to a resin film via an adhesive; and (b) forming a wiring pattern resist on the surface of the resin film prepared in (a), followed by etching. To form a conductive wiring layer on the surface of the resin film, and then removing the patterned resist, and applying a coupling agent to the upper surface of the conductive wiring layer on the resin film formed by (c) and (b). Process and
(D) forming a through hole in a B-stage insulating sheet containing at least a thermosetting resin by laser light, filling a conductive paste containing metal powder to form a via conductor, and forming an insulating sheet; , (E) (a) ~
(C) laminating and pressing the conductor wiring layer on the surface of the resin film formed on the surface of the insulating sheet formed on the surface of the insulating sheet prepared in (d), and then peeling off the resin film to transfer the conductor wiring layer; f) laminating another insulating sheet having a via conductor and / or a wiring conductor layer on the insulating sheet prepared in (e), and curing at once while applying pressure; Substrate manufacturing method.
【請求項7】前記熱硬化性樹脂の吸水率が0.1%以下
であることを特徴とする請求項6記載の多層配線基板の
製造方法。
7. The method according to claim 6, wherein the thermosetting resin has a water absorption of 0.1% or less.
【請求項8】前記バイア導体と接する導体配線層表面に
コーティングするカップリング剤がシリコン系であるこ
とを特徴とする請求項6または請求項7記載の多層配線
基板の製造方法。
8. The method according to claim 6, wherein the coupling agent coated on the surface of the conductor wiring layer in contact with the via conductor is a silicon-based coupling agent.
【請求項9】前記バイア導体と接する導体配線層表面に
カップリング剤を10〜100nmの厚みで塗布するこ
とを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか記載の
多層配線基板の製造方法。
9. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 6, wherein a coupling agent is applied to the surface of the conductive wiring layer in contact with the via conductor in a thickness of 10 to 100 nm. .
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