JP2002359327A - Electronic circuit module - Google Patents

Electronic circuit module

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JP2002359327A
JP2002359327A JP2002050251A JP2002050251A JP2002359327A JP 2002359327 A JP2002359327 A JP 2002359327A JP 2002050251 A JP2002050251 A JP 2002050251A JP 2002050251 A JP2002050251 A JP 2002050251A JP 2002359327 A JP2002359327 A JP 2002359327A
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acoustic wave
conductor
mounting
surface acoustic
recess
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貴紀 生田
Kenji Kitazawa
謙治 北澤
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    • H01L2924/19106Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small-sized electronic circuit module having a high performance and capable of maintaining electric characteristics of a surface acoustic wave element without influence of heating due to a power amplifying element. SOLUTION: The electronic circuit module comprises a recess 2a for mounting a power amplifying element formed on one main surface of a dielectric board 2; a recess 2b for mounting a surface acoustic wave element on a main surface or other main surface; the power amplifying element 4 and the surface acoustic wave element 8 mounted via conductor bumps 3a, 3b; a heat transfer cover 6 mounted in contact with the element 4 in the recess 2a; a cover 9 mounted in space from the element 8 in the recess 2b; and a conductor layer 2a1 extended from a bottom of the recess 2a connected at one end between the recess 2a and the recess 2b and formed at other end with a penetrating conductor 11 exposed with one main surface of the board 2, in such a manner that the cover 6 and the conductor 11 are mounted at a radiating conductor 15 on an upper surface of an external electric circuit board 7 via a brazing material 13 on the board 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は携帯型情報端末機、
無線LAN、WLL(Wireless Local
Loop)等の電子機器・電子装置等に用いられる、高
周波電力増幅装置、高周波フィルタ装置および高周波分
波器装置を一体構成した小型・高性能かつ低価格な電子
回路モジュールに関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a portable information terminal,
Wireless LAN, WLL (Wireless Local)
The present invention relates to a small, high-performance, low-cost electronic circuit module integrally formed with a high-frequency power amplifying device, a high-frequency filter device, and a high-frequency demultiplexer device, which are used in electronic devices and electronic devices such as Loop.

【0002】[0002]

【従来技術】電子回路モジュールにおいて高周波電力増
幅装置を構成する高周波電力増幅素子は、現在の移動体
通信システムにおける伝送容量の増加や伝送スピードの
高速化に伴い大きな高周波電力を取り扱うため、高周波
電力増幅素子自身の発熱量が増加している。その放熱対
策として、放熱フィンを取り付ける方法や、高周波電力
増幅素子が搭載される誘電体基板に熱伝導率が大きな高
熱伝導セラミックスである窒化アルミニウム等を用いる
方法があり、良好な放熱性を得ることが出来る。さらに
特開2000−31331号公報では、高周波電力増幅
素子を配線基板の背面に配置し外部電気回路基板に半田
付けすることで放熱性を向上する技術が提案されてい
る。
2. Description of the Related Art A high-frequency power amplifying device constituting a high-frequency power amplifying device in an electronic circuit module handles a large amount of high-frequency power in accordance with an increase in transmission capacity and an increase in transmission speed in a current mobile communication system. The heating value of the element itself is increasing. As a measure against the heat dissipation, there are a method of attaching a heat dissipation fin and a method of using a high thermal conductive ceramic such as aluminum nitride etc. on the dielectric substrate on which the high frequency power amplifier is mounted, to obtain good heat dissipation. Can be done. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-31331 proposes a technique for improving heat dissipation by arranging a high-frequency power amplifying element on the back surface of a wiring board and soldering it to an external electric circuit board.

【0003】また、電子回路モジュールにおいて高周波
電力増幅装置の近傍に構成される高周波フィルタ装置等
に用いられる弾性表面波素子は、一般的にリチウムタン
タレート等の圧電体基板に弾性表面波を伝播させるため
の櫛形電極が形成されたものであるが、圧電体基板自身
の電気的特性が温度変化による影響を大きく受けるた
め、モジュール内で高周波電力増幅素子等の発熱体から
離れた位置に配置することが必要不可欠となっている。
このため、従来の高周波電力増幅装置と高周波フィルタ
装置等とを一体に形成した電子回路モジュールは、近年
の移動体通信用情報端末機等の小型化・軽量化・高密度
化・低価格化のための要求に十分に応えることができな
いという問題点があった。
A surface acoustic wave element used in a high-frequency filter device or the like provided in the vicinity of a high-frequency power amplifier in an electronic circuit module generally propagates a surface acoustic wave on a piezoelectric substrate such as lithium tantalate. However, since the electrical characteristics of the piezoelectric substrate itself are greatly affected by temperature changes, it should be placed in a module away from heating elements such as high-frequency power amplifiers. Is indispensable.
For this reason, an electronic circuit module in which a conventional high-frequency power amplifier and a high-frequency filter device are integrally formed has been used to reduce the size, weight, density, and cost of information terminals for mobile communication in recent years. However, there is a problem that it is not possible to sufficiently meet the demands for such services.

【0004】これに対し、例えば特開平7−58586
号公報には、高周波電力増幅素子である能動回路素子
を、弾性表面波素子である受動回路素子を形成した一個
の圧電体基板上に搭載することにより、小型で低価格な
高周波回路装置を構成することが提案されている。
On the other hand, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 7-58586
Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-209,1992 discloses a compact, low-cost high-frequency circuit device in which an active circuit element, which is a high-frequency power amplification element, is mounted on a single piezoelectric substrate on which a passive circuit element, which is a surface acoustic wave element, is formed. It has been proposed to.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
7−58586号公報に開示された高周波回路装置で
は、近年の移動体通信システムにおける伝送容量の増加
や伝送スピードの高速化に伴い大きな高周波電力を取り
扱う必要がある場合に、高周波電力増幅素子である能動
回路素子を弾性表面波素子である受動回路素子を形成し
た一個の圧電体基板上に搭載すると、高周波電力増幅素
子自身が大きく発熱することから、圧電体基板に形成さ
れた高周波フィルタにおけるその熱によるフィルタ特性
の劣化が問題となり、大きな高周波電力を取り扱う移動
体通信システムで使用される小型の情報端末機器には使
用できないという問題点があった。
However, in the high-frequency circuit device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-58586, a large amount of high-frequency power is required in recent mobile communication systems with an increase in transmission capacity and an increase in transmission speed. If the active circuit element, which is a high-frequency power amplifier, is mounted on a single piezoelectric substrate on which a passive circuit element, which is a surface acoustic wave element, must be handled, the high-frequency power amplifier itself generates significant heat. However, deterioration of filter characteristics due to heat in a high-frequency filter formed on a piezoelectric substrate has become a problem, and there has been a problem that it cannot be used for a small information terminal device used in a mobile communication system that handles large high-frequency power. .

【0006】本発明は上記従来技術における問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、大電力の高周波
用等の電力増幅素子による発熱に影響されることなく、
その近傍に配置された弾性表面波素子の高周波フィルタ
特性等の電気的特性を維持することができ、かつ小型で
高性能であり、しかも低価格な、携帯型情報端末機、無
線LAN、WLL等の電子機器・電子装置等に好適な電
子回路モジュールを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and has as its object the advantage that it is not affected by heat generated by a power amplifying element for high-power high-frequency use.
A portable information terminal, a wireless LAN, a WLL, etc., which can maintain electrical characteristics such as high-frequency filter characteristics of a surface acoustic wave element disposed in the vicinity thereof, and is small in size, high in performance and low in price. Another object of the present invention is to provide an electronic circuit module suitable for an electronic apparatus, an electronic device, and the like.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の電子回路モジュ
ールは、複数の誘電体層を積層して成る誘電体基板の一
方の主面に電力増幅素子搭載用凹部および弾性表面波素
子搭載用凹部が形成され、電力増幅素子および弾性表面
波素子が各凹部の底面に形成された導体層に実装されて
おり、少なくとも前記電力増幅素子搭載用凹部には前記
電力増幅素子に接触して伝熱性蓋体が取着されるととも
に、前記電力増幅素子搭載用凹部と前記弾性表面波素子
搭載用凹部との間に、前記電力増幅素子搭載用凹部の前
記導体層の延設部から前記誘電体基板の前記一方の主面
まで延びた貫通導体が形成されて成り、前記伝熱性蓋体
および前記貫通導体をろう材を介して外部電気回路基板
の上面の放熱用導体に取着させて実装されることを特徴
とするものである。
According to the electronic circuit module of the present invention, a concave portion for mounting a power amplification element and a concave portion for mounting a surface acoustic wave element are provided on one main surface of a dielectric substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers. Are formed, and a power amplification element and a surface acoustic wave element are mounted on a conductor layer formed on the bottom surface of each recess, and at least the power amplification element mounting recess is in contact with the power amplification element and has a heat conductive cover. The body is attached, and between the power amplifying element mounting recess and the surface acoustic wave element mounting recess, an extension of the conductor layer of the power amplifying element mounting recess extends from the dielectric substrate. A through conductor extending to the one main surface is formed, and the heat conductive lid and the through conductor are attached to a heat dissipation conductor on an upper surface of an external electric circuit board via a brazing material and mounted. It is characterized by

【0008】また、本発明の他の電子回路モジュール
は、複数の誘電体層を積層して成る誘電体基板の一方の
主面に電力増幅素子搭載用凹部が、他方の主面に弾性表
面波素子搭載用凹部が形成され、電力増幅素子および弾
性表面波素子が各凹部の底面に形成された導体層に実装
されており、少なくとも前記電力増幅素子搭載用凹部に
は前記電力増幅素子に接触して伝熱性蓋体が取着される
とともに、前記電力増幅素子搭載用凹部と前記弾性表面
波素子搭載用凹部との間に、前記電力増幅素子搭載用凹
部の前記導体層の延設部から前記誘電体基板の前記一方
の主面まで延びる貫通導体が形成されて成り、前記伝熱
性蓋体および前記貫通導体をろう材を介して外部電気回
路基板の上面の放熱用導体に取着させて実装されること
を特徴とするものである。
According to another electronic circuit module of the present invention, a power amplifier mounting recess is provided on one main surface of a dielectric substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers, and a surface acoustic wave is provided on the other main surface. An element mounting recess is formed, and a power amplification element and a surface acoustic wave element are mounted on a conductor layer formed on the bottom surface of each recess, and at least the power amplification element mounting recess is in contact with the power amplification element. With the heat conductive lid attached, between the power amplifying element mounting recess and the surface acoustic wave element mounting recess, the power amplifying element mounting recess from the extending portion of the conductor layer. A through conductor extending to the one main surface of the dielectric substrate is formed, and the heat conductive lid and the through conductor are attached to a heat dissipation conductor on an upper surface of the external electric circuit board via a brazing material and mounted. Is characterized by being That.

【0009】本発明の上記構成によれば、電力増幅素子
から発生した熱は、電力増幅素子に直接に接合された伝
熱性蓋体およびろう材を介して外部電気回路基板の上面
の放熱用導体に効率良く熱放散させることが可能とな
る。また、電力増幅素子からその近傍に配置された弾性
表面波素子への熱伝達は、貫通導体によって遮断され、
弾性表面波素子への熱伝達を極めて低減させることがで
きる。その結果、弾性表面波素子の高周波フィルタ特性
等の電気的特性を劣化させることなく、小型で高性能な
電子回路モジュールを提供することができる。
According to the above configuration of the present invention, the heat generated from the power amplifying element is transferred to the heat dissipation conductor on the upper surface of the external electric circuit board via the heat conductive lid and the brazing material directly joined to the power amplifying element. It is possible to efficiently dissipate heat. Further, heat transfer from the power amplifying element to the surface acoustic wave element arranged in the vicinity thereof is blocked by the through conductor,
Heat transfer to the surface acoustic wave element can be extremely reduced. As a result, a small and high-performance electronic circuit module can be provided without deteriorating electrical characteristics such as high-frequency filter characteristics of the surface acoustic wave element.

【0010】しかも、かかる構成によれば、放熱フィン
等の放熱用部材を別途設ける必要がない。また、電力増
幅素子は、誘電体基板の実装面側に形成された凹部内に
搭載されるが、弾性表面波素子は、誘電体基板のどちら
でもよいが、同一面に電力増幅素子および弾性表面波素
子を搭載することによって、工程数の低減も可能となる
ので、低価格な電子回路モジュールとなる。
In addition, according to this configuration, it is not necessary to separately provide a heat radiation member such as a heat radiation fin. Further, the power amplifying element is mounted in a concave portion formed on the mounting surface side of the dielectric substrate, and the surface acoustic wave element may be either the dielectric substrate, but the power amplifying element and the elastic surface By mounting the wave element, the number of steps can be reduced, and a low-cost electronic circuit module can be obtained.

【0011】また、上記の電子回路モジュールにおいて
は、電力増幅素子から発生した熱の弾性表面波素子への
影響をさらに低減する上で、前記誘電体層の熱伝導率が
20W/m・K以下であること、特に、前記電力増幅素
子搭載用凹部の周囲の誘電体層を前記弾性表面波素子搭
載用凹部の周囲の誘電体層よりも熱伝導率の小さい誘電
体層によって形成すること、前記電力増幅素子搭載用凹
部と前記弾性表面波素子搭載用凹部とが0.3mm以上
離間していること、前記貫通導体の熱伝導率が100W
/m・K以上であること、前記貫通導体が前記電力増幅
素子搭載用凹部と前記弾性表面波素子搭載用凹部との間
に複数本形成されていること、前記電力増幅素子搭載用
凹部の底面の導体層と、前記弾性表面波素子搭載用凹部
の底面の導体層とが、異なる誘電体層に形成されている
こと等が挙げられる。
In the above electronic circuit module, in order to further reduce the influence of heat generated from the power amplifying element on the surface acoustic wave element, the thermal conductivity of the dielectric layer is set to 20 W / m · K or less. In particular, the dielectric layer around the power amplifying element mounting recess is formed by a dielectric layer having a smaller thermal conductivity than the dielectric layer around the surface acoustic wave element mounting recess, The recess for mounting the power amplification element and the recess for mounting the surface acoustic wave element are separated by 0.3 mm or more, and the thermal conductivity of the through conductor is 100 W
/ M · K or more, a plurality of the through conductors are formed between the power amplifying element mounting recess and the surface acoustic wave element mounting recess, a bottom surface of the power amplifying element mounting recess. And the conductor layer on the bottom surface of the concave portion for mounting a surface acoustic wave element are formed on different dielectric layers.

【0012】これらの改善によって、弾性表面波素子の
高周波フィルタ特性、高周波分波器特性等の電気的特性
を劣化させることなく、小型で高性能な電子回路モジュ
ールを提供することができる。
With these improvements, a small, high-performance electronic circuit module can be provided without deteriorating electrical characteristics such as high-frequency filter characteristics and high-frequency demultiplexer characteristics of the surface acoustic wave element.

【0013】なお、前記弾性表面波素子搭載用凹部が、
蓋体によって封止されているか、または該凹部内に絶縁
性樹脂が充填するか、いずれでもよい。
The concave portion for mounting the surface acoustic wave element is
It may be either sealed with a lid or filled with an insulating resin in the recess.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の電
子回路モジュールを詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an electronic circuit module according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0015】図1は、本発明の電子回路モジュールの実
施の形態を示す断面図であり、この例において、電子回
路モジュール1はマザーボード等の外部電気回路基板7
に搭載され実装されている。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of an electronic circuit module according to the present invention. In this example, an electronic circuit module 1 is an external electric circuit board 7 such as a motherboard.
It is mounted on and implemented.

【0016】電子回路モジュール1における誘電体基板
2は、複数の誘電体層を積層して成るものであり、誘電
体層には、例えばアルミナセラミックス、ムライトセラ
ミックス、ガラスセラミックスなどの低温焼成セラミッ
クスや、有機樹脂材料とセラミック材料との混合材料を
用いることができる。とりわけ、導体としてCu、Ag
を使用し同時焼成にて形成する上では、ガラスセラミッ
クスなどの低温焼成セラミックス、有機樹脂材料とセラ
ミック材料との混合材料が挙げられ、熱的安定性に優れ
る点で、ガラスセラミックスなどの低温焼成セラミック
スが最も望ましい。
The dielectric substrate 2 of the electronic circuit module 1 is formed by laminating a plurality of dielectric layers. The dielectric layers include low-temperature fired ceramics such as alumina ceramics, mullite ceramics, glass ceramics, and the like. A mixed material of an organic resin material and a ceramic material can be used. In particular, Cu, Ag as a conductor
When forming by co-firing, low-temperature fired ceramics such as glass ceramics, and mixed materials of organic resin materials and ceramic materials can be used. In terms of excellent thermal stability, low-temperature fired ceramics such as glass ceramics can be used. Is most desirable.

【0017】誘電体基板2を構成する誘電体層の熱伝導
率は、用いるセラミック材料とその混合比とにより、熱
伝導率を制御することが可能であり、20W/m・K以
下、特に10W/m・K以下、さらには5W/m・K以
下、さらに望ましくは3W/m・K以下とするのがよ
い。
The thermal conductivity of the dielectric layer constituting the dielectric substrate 2 can be controlled by the ceramic material to be used and the mixing ratio thereof, and is 20 W / m · K or less, particularly 10 W / m · K or less. / M · K or less, preferably 5 W / m · K or less, more preferably 3 W / m · K or less.

【0018】図1の電子回路モジュールにおいては、誘
電体基板2の底面に、電力増幅素子搭載用凹部2aと、
弾性表面波素子搭載用凹部2bとが所定の間隔をおいて
形成されている。
In the electronic circuit module shown in FIG. 1, a concave portion 2a for mounting a power amplifying element is provided on a bottom surface of a dielectric substrate 2.
The surface acoustic wave element mounting recess 2b is formed at a predetermined interval.

【0019】電力増幅素子搭載用凹部2aの底面には、
導体層2a1が形成されており、電力増幅素子4が導体
バンプ3aを介して電気的に接続し搭載されている。こ
こで、導体バンプ3aには金や半田、熱硬化型Agペー
スト等を用いることができ、例えば金を用いる場合に
は、超音波熱圧着法により電力増幅素子4の電極と電極
部とを電気的に接続させることが可能となり、また半田
や熱硬化型Agペーストに比べ接続抵抗を低くすること
ができ導体損を小さくすることが可能である。
At the bottom of the power amplifier mounting recess 2a,
The conductor layer 2a1 is formed, and the power amplifying element 4 is electrically connected and mounted via the conductor bump 3a. Here, gold, solder, thermosetting Ag paste, or the like can be used for the conductor bumps 3a. For example, when gold is used, the electrodes of the power amplification element 4 and the electrode portions are electrically connected by ultrasonic thermocompression bonding. Connection can be achieved, and the connection resistance can be reduced and the conductor loss can be reduced as compared with solder or thermosetting Ag paste.

【0020】電力増幅素子4としては、例えばpn接合
ゲート型電界効果型トランジスタやショットキー障壁ゲ
ート型電界効果型トランジスタ、ヘテロ接合型電界効果
型トランジスタ、pn接合ゲート型へテロ接合型電界効
果型トランジスタ等が用いられるまた、電力増幅素子4
と導体層2a1との間には、その接続部や素子面を保護
する目的で、いわゆるアンダーフィル5が注入される。
アンダーフィル5はエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の
熱を加えることにより硬化するものを用いることができ
る。また、アンダーフィル5は、本発明の電子回路モジ
ュール1においては熱伝導率が20W/m・K以下のも
のを用いることが望ましく、約10W/m・K以下のエ
ポキシ樹脂製のものを用いることが好ましい。これによ
り、電力増幅素子4による発熱の誘電体基板2自身への
伝達を抑制することが可能となる。
As the power amplifying element 4, for example, a pn junction gate type field effect transistor, a Schottky barrier gate type field effect transistor, a hetero junction type field effect transistor, a pn junction gate type hetero junction type field effect transistor And the like.
A so-called underfill 5 is injected between the conductive layer 2a1 and the conductor layer 2a1 for the purpose of protecting the connection portion and the element surface.
The underfill 5 can be made of an epoxy resin, a silicone resin, or the like that is cured by applying heat. Further, as the underfill 5, in the electronic circuit module 1 of the present invention, it is desirable to use one having a thermal conductivity of 20 W / m · K or less, and use an epoxy resin having a thermal conductivity of about 10 W / m · K or less. Is preferred. This makes it possible to suppress the transmission of heat generated by the power amplifying element 4 to the dielectric substrate 2 itself.

【0021】また、電力増幅素子搭載用凹部2aの開口
には、電力増幅素子4の開口側の面に直接あるいは放熱
用グリース等の伝熱性化合物を介して接触させて、伝熱
性蓋体6が取着される。この伝熱性蓋体6は、電力増幅
素子4による発熱を効率良く外部電気回路基板7へ伝え
るためのものであり、具体的には金属から成り、例えば
銅等の熱伝導率の高いものから成るものを用いるのが好
ましい。
The heat conductive lid 6 is brought into contact with the opening of the power amplifying element mounting recess 2a directly or through a heat conductive compound such as grease for heat dissipation. Be attached. The heat conductive lid 6 is for efficiently transmitting the heat generated by the power amplifying element 4 to the external electric circuit board 7, and is specifically made of a metal such as copper or the like having a high thermal conductivity. Preferably, one is used.

【0022】そして、この伝熱性蓋体6は、ろう材13
を介して外部電気回路基板7の上面の放熱用導体15に
取着されている。これによって、電力増幅素子4から発
生した熱は、伝熱性蓋体6およびろう材13を介して、
外部電気回路基板7の表面に形成された放熱用導体15
に効率的に伝達され、電力増幅素子4から発生した熱
が、モジュール内の弾性表面波素子8に熱的影響が及ぶ
のを防止することができる。
The heat-conductive lid 6 is connected to the brazing material 13.
Is attached to the heat radiating conductor 15 on the upper surface of the external electric circuit board 7 via the. Thereby, the heat generated from the power amplifying element 4 passes through the heat conductive lid 6 and the brazing material 13,
Heat dissipation conductor 15 formed on the surface of external electric circuit board 7
To the surface acoustic wave element 8 in the module.

【0023】なお、電力増幅素子4の裏面電極ならびに
外部電気回路基板7上面の放熱用導体15および接地用
電極(図示せず)との良好なろう付け性が得られるよう
に、伝熱性蓋体6の表面にNi、Sn、半田等のめっき
処理を施すこおとが望ましい。
In order to obtain good brazing properties with the back electrode of the power amplifying element 4 and the heat dissipation conductor 15 and the grounding electrode (not shown) on the upper surface of the external electric circuit board 7, a heat conductive lid is provided. It is preferable that the surface of No. 6 be plated with Ni, Sn, solder or the like.

【0024】一方、弾性表面波素子搭載用凹部2bに
は、弾性表面波素子8が、導体バンプ3bを介して弾性
表面波素子搭載用凹部2bの底面に形成された導体層2
b1から成る電極部に電気的に接続して搭載されてい
る。導体バンプ3bには、導体バンプ3aと同様に金や
半田、熱硬化型Agペースト等を用いることができ、例
えば金を用いる場合には、超音波熱圧着法により弾性表
面波素子8の電極と電極部とを電気的に接続させること
が可能となる。
On the other hand, the surface acoustic wave element 8 is provided in the concave portion 2b for mounting the surface acoustic wave element on the bottom surface of the concave portion 2b for mounting the surface acoustic wave element via the conductive bump 3b.
It is mounted electrically connected to the electrode part consisting of b1. Gold, solder, thermosetting Ag paste, or the like can be used for the conductor bumps 3b as in the case of the conductor bumps 3a. For example, when gold is used, the electrodes of the surface acoustic wave element 8 are connected by ultrasonic thermocompression bonding. It becomes possible to electrically connect with the electrode part.

【0025】弾性表面波素子8としては、例えば共振器
型フィルタ・共振子ラダー型および格子型接続フィルタ
・マルチIDT(Inter Digital Tra
nsducer)型フィルタ等が用いられる。弾性表面
波素子8が例えば共振器型フィルタの場合には、圧電体
基板として、36°Yカット−X伝搬のLiTaO3
晶、64°Yカット−X伝搬のLiNbO3結晶、45
°Xカット−Z伝搬のLiB47結晶等が、電気機械結
合係数が大きくかつ群遅延時間温度係数が小さいことか
ら、好適に使用される。また、弾性表面波素子8には、
圧電体基板表面上を弾性表面波を励起させ、伝播・共振
させるため、その表面に、互いに噛み合うように形成さ
れた少なくとも一対の櫛歯状電極のIDT(Inter
Digital Transducer)電極(図示
せず)を設ける。このIDT電極は、所望のフィルタ特
性を得るために、複数対の櫛歯状電極を直列接続や並列
接続等の方式で接続して構成される。このようなIDT
電極は、圧電体基板上に蒸着法・スパッタリング法また
はCVD法等の薄膜形成法により所望の形状・寸法に形
成することができる。
Examples of the surface acoustic wave element 8 include a resonator type filter, a resonator ladder type and a lattice type connection filter, a multi-IDT (Inter Digital Tra).
An nsducer type filter or the like is used. When the surface acoustic wave element 8 is, for example, a resonator filter, a 36 ° Y-cut X-propagating LiTaO 3 crystal, a 64 ° Y-cut-X propagating LiNbO 3 crystal, 45
An XB cut-Z propagating LiB 4 O 7 crystal or the like is preferably used because of its large electromechanical coupling coefficient and small group delay time temperature coefficient. The surface acoustic wave element 8 includes
In order to excite, propagate, and resonate a surface acoustic wave on the surface of the piezoelectric substrate, at least a pair of IDTs (Interfaces) of at least a pair of comb-shaped electrodes formed on the surface so as to mesh with each other.
Digital Transducer) electrodes (not shown) are provided. The IDT electrode is configured by connecting a plurality of pairs of comb-shaped electrodes in a series connection, a parallel connection, or the like, in order to obtain a desired filter characteristic. Such IDT
The electrodes can be formed in a desired shape and dimensions on the piezoelectric substrate by a thin film forming method such as an evaporation method, a sputtering method, or a CVD method.

【0026】図1のモジュールにおいては、弾性表面波
素子搭載用凹部2bの開口に、弾性表面波素子8と離間
させて蓋体9が取着されている。蓋体9は、弾性表面波
素子8の機械的保護およびIDT電極の酸化による劣化
を抑制する目的で、振動空間である弾性表面波素子搭載
用凹部2bの内部空間内に低湿度の空気等を封入し、エ
ポキシ樹脂やろう材等を用いて取着され、弾性表面波素
子搭載用凹部2bを密閉する。なお、空気の代わりに窒
素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスや空気よりも低熱
伝導の不活性ガス等を封入して密閉しても、IDT電極
の酸化による劣化を防止することができる。
In the module shown in FIG. 1, a lid 9 is attached to the opening of the concave portion 2b for mounting the surface acoustic wave element so as to be separated from the surface acoustic wave element 8. The lid 9 is provided with low-humidity air or the like in the inner space of the surface acoustic wave element mounting recess 2b, which is a vibration space, for the purpose of mechanical protection of the surface acoustic wave element 8 and suppression of deterioration of the IDT electrode due to oxidation. It is sealed and attached using an epoxy resin, a brazing material, or the like, and seals the concave portion 2b for mounting the surface acoustic wave element. Even if an inert gas such as a nitrogen gas or an argon gas or an inert gas having a lower thermal conductivity than air is sealed and sealed instead of air, the IDT electrode can be prevented from being deteriorated by oxidation.

【0027】蓋体9に用いられる材質としては、SU
S、銅、洋白等の金属や、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂
を用いることができる。中でも、電力増幅素子4による
発熱は伝熱性蓋体6を介して外部電気回路基板7へと伝
達されるため、外部電気回路基板7に伝達された熱が再
び蓋体9を介して弾性表面波素子8に伝達されないよ
う、熱伝導率の低いガラスエポキシ樹脂製のものを用い
ることが好ましい。
The material used for the lid 9 is SU
Metals such as S, copper, and nickel silver, and resins such as glass epoxy resin can be used. Above all, heat generated by the power amplifying element 4 is transmitted to the external electric circuit board 7 via the heat conductive lid 6, so that the heat transmitted to the external electric circuit board 7 is again transmitted to the surface acoustic wave via the lid 9. It is preferable to use a material made of glass epoxy resin having a low thermal conductivity so as not to be transmitted to the element 8.

【0028】この蓋体9は弾性表面波素子8と離間させ
て弾性表面波素子搭載用凹部2bに取着されており、さ
らに蓋体9と外部電気回路基板7の間にも空隙部10を
設けることにより、電力増幅素子4による発熱の伝達を
さらに確実に抑制することが可能となる。
The lid 9 is attached to the surface acoustic wave element mounting recess 2b so as to be separated from the surface acoustic wave element 8, and a gap 10 is also provided between the lid 9 and the external electric circuit board 7. With the provision, the transmission of heat generated by the power amplification element 4 can be more reliably suppressed.

【0029】また、弾性表面波素子搭載用凹部2bの開
口は、図1の例では、蓋体9によって封止したが、この
凹部2b内に、シリコン樹脂やエポキシ樹脂などの封止
樹脂を充填することによって封止することもできる。
In the example of FIG. 1, the opening of the concave portion 2b for mounting the surface acoustic wave element is sealed with the lid 9, but the concave portion 2b is filled with a sealing resin such as a silicone resin or an epoxy resin. By doing so, sealing can be performed.

【0030】上記の電力増幅素子搭載用凹部2aと弾性
表面波素子搭載用凹部2bとの間には0.3mm以上の
間隔を設けることが好ましく、より好ましくは0.5m
m以上の間隔を設けることにより、電力増幅素子4によ
る発熱が凹部2a・2b間の誘電体層を介して弾性表面
波素子8に伝達されることを十分に低減させることが可
能となる。
It is preferable that a gap of 0.3 mm or more is provided between the concave portion 2a for mounting the power amplifying element and the concave portion 2b for mounting the surface acoustic wave element, more preferably 0.5 m.
By providing an interval of m or more, it is possible to sufficiently reduce the transmission of heat generated by the power amplifying element 4 to the surface acoustic wave element 8 via the dielectric layer between the recesses 2a and 2b.

【0031】本発明によれば、電力増幅素子搭載用凹部
2aの底面に形成された導体層2a1が水平方向に延設
されており、上記の電力増幅素子搭載用凹部2aと弾性
表面波素子搭載用凹部2bとの間に、上記の延設部から
前記誘電体基板の電力増幅素子搭載用凹部2aを形成し
た面まで延びた貫通導体11が形成されている。そし
て、この貫通導体11も伝熱性蓋体6と同様に、ろう材
13を介して外部電気回路基板7の上面の放熱用導体1
5に取着されている。
According to the present invention, the conductor layer 2a1 formed on the bottom surface of the power amplifying element mounting recess 2a extends in the horizontal direction, and the power amplifying element mounting recess 2a and the surface acoustic wave element mounting are formed. A through conductor 11 extending from the extending portion to the surface of the dielectric substrate on which the power amplification element mounting concave portion 2a is formed is formed between the extension portion and the concave portion 2b. And, like the heat conductive lid 6, the through conductor 11 is also provided with the heat dissipation conductor 1 on the upper surface of the external electric circuit board 7 via the brazing material 13.
5 is attached.

【0032】このような貫通導体11を形成することに
よって、電力増幅素子4による発熱のうち凹部2a底面
の導体層2a1に伝わった熱および両凹部2a、2b間
の誘電体層に伝わってきた熱を貫通導体11で吸収し、
ろう材13を介して外部電気回路基板7の表面に形成さ
れた放熱用導体15に効率的に伝達することができる。
By forming such a through conductor 11, the heat transmitted to the conductor layer 2a1 on the bottom surface of the concave portion 2a and the heat transmitted to the dielectric layer between the concave portions 2a and 2b among the heat generated by the power amplifying element 4. Is absorbed by the through conductor 11,
The heat can be efficiently transmitted to the heat-radiating conductor 15 formed on the surface of the external electric circuit board 7 via the brazing material 13.

【0033】この貫通導体11は、電力増幅素子搭載用
凹部2aと弾性表面波素子搭載用凹部2bとの間におい
て、1本のみならず、2本以上設けることにより、さら
に上記効果を高めることができる。
The above effect can be further enhanced by providing not only one through-conductor 11 but also two or more through-conductors 11 between the power amplifying element mounting recess 2a and the surface acoustic wave element mounting recess 2b. it can.

【0034】その具体例を図2〜図4に示す。図2は、
図1の電子回路モジュールをA−A'線で切断したとき
の平面図で示す。図3、図4はさらに他の例を示す平面
図である。
FIGS. 2 to 4 show specific examples. FIG.
FIG. 2 is a plan view when the electronic circuit module of FIG. 1 is cut along line AA ′. 3 and 4 are plan views showing still another example.

【0035】図2の例によれば、貫通導体11は、平面
的にみて斜めに配置された電力増幅素子搭載用凹部2a
と弾性表面波素子搭載用凹部2bとの略中間部に2本形
成したものである。図3は、貫通導体11が横並びに配
置された凹部2aと凹部2bとの略中間部に凹部2a側
を囲うように直線的に複数本配置したものである。さら
に図4は貫通導体11を横並びに配置された凹部2aと
凹部2bとの略中間部にいわゆる千鳥状に複数本配置さ
せた例である。
According to the example of FIG. 2, the penetrating conductor 11 is provided with the power amplifying element mounting recess 2a which is obliquely arranged in a plan view.
And two concave portions 2b are formed substantially in the middle of the surface acoustic wave element mounting concave portion 2b. FIG. 3 shows that a plurality of through conductors 11 are linearly arranged in a substantially intermediate portion between the concave portions 2a and 2b in which the through conductors 11 are arranged side by side so as to surround the concave portion 2a side. Further, FIG. 4 shows an example in which a plurality of through conductors 11 are arranged in a so-called zigzag pattern at a substantially intermediate portion between the concave portions 2a and the concave portions 2b arranged side by side.

【0036】貫通導体11は、その機能から、熱伝導性
の優れた金属によって形成することが望ましく、特に、
Cu、CuO、Ag、Ag−Pd、Ag−Pt、Auの
群から選ばれる少なくとも1種を主成分とする金属を主
成分とする導体によって形成することが望ましい。とり
わけ、貫通導体11は、電力増幅素子4による発熱が誘
電体基板2へ伝達され、さらに弾性表面波素子8へと伝
達されにくくする上では、誘電体基板2の熱伝導率より
も5倍以上大きくすることが望ましく、さらには熱伝導
率が100W/m・K以上のものを用いることが好まし
い。また、この貫通導体11中には、誘電体基板との焼
成焼成時の焼成収縮などを整合させるために、金属酸化
物やガラスなどの無機物が含まれていてもよい。
The through conductor 11 is desirably formed of a metal having excellent heat conductivity in view of its function.
It is desirable that the conductive layer be formed of a conductor mainly composed of a metal mainly composed of at least one selected from the group consisting of Cu, CuO, Ag, Ag-Pd, Ag-Pt and Au. In particular, the through conductor 11 is at least five times the thermal conductivity of the dielectric substrate 2 in order to prevent the heat generated by the power amplifying element 4 from being transmitted to the dielectric substrate 2 and further to the surface acoustic wave element 8. It is desirable to increase it, and it is more preferable to use one having a thermal conductivity of 100 W / m · K or more. In addition, the through conductor 11 may contain an inorganic substance such as a metal oxide or glass in order to match firing shrinkage during firing firing with the dielectric substrate.

【0037】このような高熱伝導の貫通導体11は、例
えばAg粉末を約85質量%、ホウケイ酸鉛ガラスを3
質量%、SiO2を12質量%の配合比とすることで熱
伝導率を約150W/m・Kとすることができる。
The high thermal conductive through conductor 11 is made of, for example, about 85% by mass of Ag powder and 3% of lead borosilicate glass.
The thermal conductivity can be set to about 150 W / m · K by setting the mixing ratio of SiO 2 to 12% by mass.

【0038】貫通導体11は、直径(短径)が0.1〜
0.5mmであることが望ましく、複数本形成する場合
には、貫通導体11の側面間の間隔が0.2〜1.0m
mの間隔で配置すればよい。また、この貫通導体11
は、必ずしも円形である必要はなく、長円形状、スリッ
ト形状であってもよい。
The through conductor 11 has a diameter (short diameter) of 0.1 to
It is preferable that the distance between the side surfaces of the through conductor 11 is 0.2 to 1.0 m.
It may be arranged at intervals of m. Also, this through conductor 11
Does not necessarily have to be circular, but may be oval or slit.

【0039】また、本発明のモジュールにおいては、図
1に示すように、凹部2a、2bをそれぞれ異なる深さ
で形成し、誘電体基板2に形成された電力増幅素子搭載
用凹部2aの底面と弾性表面波素子搭載用凹部2bの底
面とに形成された導体層2a1、2b1とを、それぞれ
異なる誘電体層に形成することによって、それらが同一
の誘電体層上に形成される場合に比べて、電力増幅素子
4から誘電体層や導体層を介して弾性表面波素子8に伝
わる伝熱量をより効果的に低減させることが可能とな
り、弾性表面波素子8の熱的な影響による電気的特性の
劣化をより確実に防止しすることができる。
Further, in the module of the present invention, as shown in FIG. 1, the concave portions 2a and 2b are formed at different depths, respectively, so that the bottom surface of the power amplifying element mounting concave portion 2a formed on the dielectric substrate 2 is formed. By forming the conductor layers 2a1 and 2b1 formed on the bottom surface of the concave portion 2b for mounting a surface acoustic wave element and the conductor layers 2a1 and 2b1 respectively on different dielectric layers, compared with the case where they are formed on the same dielectric layer. In addition, the amount of heat transferred from the power amplifying element 4 to the surface acoustic wave element 8 via the dielectric layer or the conductor layer can be reduced more effectively, and the electrical characteristics due to the thermal influence of the surface acoustic wave element 8 can be reduced. Degradation can be more reliably prevented.

【0040】本発明の電子回路モジュール1において
は、電力増幅素子4および弾性表面波素子8を電気的に
機能させるため、内部導体配線16および表層導体配線
17ならびにビアホール導体18を形成して、誘電体基
板2の上面に電子回路を構成するのに抵抗、コンデン
サ、インダクタ、半導体素子等の電子部品12を搭載
し、所望の電子回路を構成する。また、必要に応じて、
誘電体基板2の内部には、導体配線を利用した、コンデ
ンサ、インダクタ等による高周波フィルタ(図示せず)
等を内蔵させることにより、さらに高機能で小型の電子
回路モジュール1を構成することができる。
In the electronic circuit module 1 of the present invention, in order to make the power amplifying element 4 and the surface acoustic wave element 8 function electrically, the internal conductor wiring 16, the surface conductor wiring 17, and the via hole conductor 18 are formed and Electronic components 12 such as resistors, capacitors, inductors, and semiconductor elements are mounted on the upper surface of the body substrate 2 to form a desired electronic circuit. Also, if necessary,
Inside the dielectric substrate 2, a high-frequency filter (not shown) using a conductor, a capacitor, an inductor, and the like is used.
By incorporating such components, the electronic circuit module 1 with higher performance and smaller size can be configured.

【0041】また、電子回路モジュール1表面に実装さ
れた電子部品12や回路を保護する目的で、金属シール
ドケース14を取着することにより、外部からの機械的
応力や雰囲気の影響や電磁ノイズを遮断または抑制させ
ることも可能である。
In order to protect the electronic components 12 and circuits mounted on the surface of the electronic circuit module 1, a metal shield case 14 is attached to prevent external mechanical stress, influence of atmosphere, and electromagnetic noise. It is also possible to block or suppress.

【0042】さらに、この電子回路モジュール1は、外
部電気回路基板7に対して、信号伝達用として、電子回
路モジュール1に形成された電極パッド20をロウ材1
3を介して外部電気回路基板7表面に形成された信号用
配線層21と接続される。
Further, in the electronic circuit module 1, the electrode pads 20 formed on the electronic circuit module 1 are connected to the external electric circuit board 7 for signal transmission with the brazing material 1.
3 is connected to a signal wiring layer 21 formed on the surface of the external electric circuit board 7.

【0043】図5は、本発明の電子回路モジュールの他
の例を示す断面図である。図1の例では、弾性表面波素
子搭載用凹部2bは、電力増幅素子搭載用凹部2aが形
成された面と同じ面に形成されていたが、この図5で
は、電力増幅素子搭載用凹部2aが形成された面とは反
対側の面、即ち表面側に形成されており、図1と同様
に、凹部2b内に形成された導体層2b1に実装されて
いる。また、この例では、凹部2bには、絶縁性の有機
樹脂19が充填されて樹脂封止されている。
FIG. 5 is a sectional view showing another example of the electronic circuit module of the present invention. In the example of FIG. 1, the concave portion 2b for mounting the surface acoustic wave element is formed on the same surface as the surface on which the concave portion 2a for mounting the power amplifying element is formed. 1 is formed on the surface opposite to the surface on which is formed, that is, on the front surface side, and is mounted on the conductor layer 2b1 formed in the concave portion 2b as in FIG. Further, in this example, the concave portion 2b is filled with an insulating organic resin 19 and sealed with a resin.

【0044】かかる実施例においても、弾性表面波素子
搭載用凹部2bと電力増幅素子搭載用凹部2aとの中間
に位置する部分には、図1と同様に貫通導体11が形成
されている。このとき、貫通導体11の一端は、図1と
同様に、モジュール1の下面に露出し、ロウ材13を介
して放熱用導体15にロウ付けされているが、他方は、
導体層2a1の延設部と接続され、さらに上面側に延設
されていてもよい。
Also in this embodiment, a through conductor 11 is formed in a portion located between the concave portion 2b for mounting the surface acoustic wave element and the concave portion 2a for mounting the power amplification element, as in FIG. At this time, one end of the through conductor 11 is exposed on the lower surface of the module 1 and brazed to the heat dissipation conductor 15 via the brazing material 13 as in FIG.
It may be connected to the extension of the conductor layer 2a1 and may further extend on the upper surface side.

【0045】図6は、本発明の電子回路モジュールのさ
らに他の例を示す概略断面図である。図1、図5の例で
は、誘電体基板2は、同一材質によって形成されたもの
であるが、図6においては、電力増幅素子搭載用凹部2
aの周囲を他の部分よりも低熱伝導性の誘電体材料によ
って形成することによって、この凹部2aの周囲の誘電
体材料が断熱材として機能し、電力増幅素子4から発生
する熱が周囲に拡散、伝達されるのを防止することがで
きる。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing still another example of the electronic circuit module of the present invention. In the examples shown in FIGS. 1 and 5, the dielectric substrate 2 is formed of the same material.
is formed of a dielectric material having a lower thermal conductivity than other portions, the dielectric material around the concave portion 2a functions as a heat insulating material, and heat generated from the power amplifying element 4 diffuses to the surroundings. , Can be prevented from being transmitted.

【0046】図7は、本発明の電子回路モジュールのさ
らに他の例を示す概略断面図である。図6の例では、同
一誘電体層内に、熱伝導率が異なる2種の誘電体材料が
存在するものであるが、図5のように、下面側に電力増
幅素子搭載用凹部2aを形成し、上面側に弾性表面波素
子搭載用凹部2bを設けた場合には、図7のように、モ
ジュール1の下側面をすべて低熱伝導性の材料によって
形成すればよい。
FIG. 7 is a schematic sectional view showing still another example of the electronic circuit module of the present invention. In the example of FIG. 6, two kinds of dielectric materials having different thermal conductivities exist in the same dielectric layer. However, as shown in FIG. 5, a concave portion 2a for mounting the power amplifying element is formed on the lower surface side. In the case where the surface acoustic wave element mounting concave portion 2b is provided on the upper surface side, the lower surface of the module 1 may be entirely formed of a material having low thermal conductivity as shown in FIG.

【0047】本発明の上記電子回路モジュールは、従来
の周知の方法で作製することができる。ここでは、好適
な例として、誘電体基板がガラスセラミック組成物から
なる場合について、以下に簡単に説明する。
The electronic circuit module of the present invention can be manufactured by a conventional and well-known method. Here, as a preferred example, a case where the dielectric substrate is made of a glass ceramic composition will be briefly described below.

【0048】まず、誘電体基板2における各誘電体層を
形成するために各誘電体層となるガラスセラミック組成
物からなるセラミックグリーンシートを作製する。誘電
体層となるセラミックグリーンシートは、ホウ珪酸ガラ
ス、ホウ珪酸亜鉛系ガラス、SiO2−Al23−アル
カリ土類酸化物などの周知のガラス30〜90質量%
に、アルミナ、クオーツ、ムライト、AlN、フォルス
テライトなどの無機フィラーを10〜70質量%の割合
で混合した混合物に、アルキルメタクリレート等の有機
バインダ、DBP(ジブチルフタレート)等の可塑剤と
トルエン等の有機溶剤を混合し、ボールミルで4〜8時
間混練してスラリーを作製し、このスラリーを用いてド
クターブレード法等によりテープ成形を行ない、これを
所定の寸法に切断して作製する。
First, in order to form each dielectric layer on the dielectric substrate 2, a ceramic green sheet made of a glass ceramic composition to be each dielectric layer is prepared. The ceramic green sheet serving as the dielectric layer is made of 30 to 90% by mass of a well-known glass such as borosilicate glass, zinc borosilicate glass, SiO 2 —Al 2 O 3 —alkaline earth oxide.
A mixture of inorganic fillers such as alumina, quartz, mullite, AlN, and forsterite in a ratio of 10 to 70% by mass is mixed with an organic binder such as alkyl methacrylate, a plasticizer such as DBP (dibutyl phthalate) and toluene. An organic solvent is mixed and kneaded with a ball mill for 4 to 8 hours to prepare a slurry, and a tape is formed using the slurry by a doctor blade method or the like, and the tape is cut into a predetermined size to prepare a slurry.

【0049】そして、所定のセラミックグリーンシート
に、貫通導体11、内部導体配線16と表層導体配線1
7とを接続するためのビアホール導体18、電力増幅素
子搭載用凹部2aおよび弾性表面波素子搭載用凹部2
b、貫通導体11用の貫通穴を形成するために、マイク
ロドリル、パンチングで形成したり、さらには感光性樹
脂を含むグリーンシートに露光、現像処理を施すなどの
処理によって凹部やそれぞれの様々な円形、楕円形、長
孔などの様々な形状の貫通穴を形成することができる。
Then, the through conductors 11, the internal conductor wirings 16 and the surface conductor wirings 1 are formed on predetermined ceramic green sheets.
7, a via hole conductor 18, a concave portion 2a for mounting a power amplification element, and a concave portion 2 for mounting a surface acoustic wave element.
b, in order to form a through hole for the through conductor 11, a concave portion or each of various portions is formed by a process such as forming with a micro drill or punching, and further performing exposure and development processing on a green sheet containing a photosensitive resin. Through holes having various shapes such as a circle, an ellipse, and a long hole can be formed.

【0050】そして、このうち、貫通導体11やビアホ
ール導体18用の貫通穴にCuあるいはAg系導体ペー
ストを充填する。また、同時に、各グリーンシートに内
層導体配線16、表層導体配線17、導体層2a1、2
b1となるパターンをCuあるいはAg系導体ペースト
を用いてスクリーン印刷法や、グラビア印刷法などによ
って印刷形成する。
The through-holes for the through conductors 11 and the via-hole conductors 18 are filled with a Cu or Ag-based conductor paste. At the same time, the inner-layer conductor wiring 16, the surface-layer conductor wiring 17, the conductor layers 2a1, 2
The pattern to be b1 is formed by printing using a Cu or Ag-based conductor paste by a screen printing method, a gravure printing method, or the like.

【0051】ここで、CuあるいはAg系導体ペースト
には、例えばCu粉末、CuO粉末、Ag粉末の他、A
g合金であるAg−Pd粉末、Ag−Pt粉末が使用可
能であり、必要に応じて例えば所定量のホウケイ酸系の
低融点ガラスや、SiO2、Al23、MgO、CaO
などのアルカリ土類金属酸化物、Bi23等の金属酸化
物を加え、さらにエチルセルロース等の有機バインダ
と、例えば2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオ
ールモノイソブチレート等の有機溶剤とを混合して均質
混練したものが用いられる。
Here, the Cu or Ag-based conductive paste includes, for example, Cu powder, CuO powder, Ag powder, and A powder.
Ag-Pd powder and Ag-Pt powder, which are g alloys, can be used. If necessary, for example, a predetermined amount of borosilicate low melting point glass, SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, CaO
Alkaline earth metal oxides such as, Bi 2 O 3 or the like metal oxide added and further an organic binder such as ethyl cellulose, such as 2,4-trimethyl-1,3-organic solvent such as pentanediol monoisobutyrate Are mixed and homogenously kneaded.

【0052】これらの金属粉末と、必要に応じて例えば
所定量のホウケイ酸亜鉛系ガラス、ホウケイ酸鉛系ガラ
スなどのホウケイ酸系の低融点ガラス、Al23、Mg
O,CaO、SiO2、Bi23等の金属酸化物などの
無機物と、エチルセルロース等の有機バインダと、2,
4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブ
チレート等の有機溶剤とを混合して均質混練したものが
用いられ、金属粉末に対する低融点ガラスや金属酸化物
の添加量の割合によって熱伝導率が制御可能である。
These metal powders and, if necessary, a predetermined amount of a low-melting borosilicate glass such as a zinc borosilicate glass or a lead borosilicate glass, Al 2 O 3 , Mg
An inorganic substance such as a metal oxide such as O, CaO, SiO 2 or Bi 2 O 3 , an organic binder such as ethyl cellulose,
A mixture obtained by mixing and homogeneously kneading an organic solvent such as 4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate is used, and the thermal conductivity is determined by the ratio of the amount of the low-melting glass or metal oxide to the metal powder. Can be controlled.

【0053】上記のようにして得られたセラミックグリ
ーンシートを例えばビアホール導体18を基準に位置合
わせし、積層順序に応じて積層し、熱圧着することによ
り未焼成の積層体を形成する。
The ceramic green sheets obtained as described above are positioned, for example, with the via-hole conductor 18 as a reference, laminated according to the lamination order, and thermocompression-bonded to form an unfired laminate.

【0054】次に、この未焼成状態の積層体を例えば酸
化雰囲気中で焼成し焼結一体化する。具体的には、酸素
雰囲気または大気雰囲気中において800〜1000℃
で焼成することにより、焼結基板を作製することができ
る。
Next, the unfired laminate is fired, for example, in an oxidizing atmosphere to be sintered and integrated. Specifically, 800-1000 ° C. in an oxygen atmosphere or an air atmosphere.
By sintering, a sintered substrate can be manufactured.

【0055】その後、凹部2a、2b内に、弾性表面波
素子8、電力増幅素子4などを実装し、伝熱性蓋体6、
蓋体9をロウ付けしたり、封止用有機樹脂19を充填し
て封止する。
Thereafter, the surface acoustic wave element 8, the power amplifying element 4 and the like are mounted in the recesses 2a and 2b, and the heat conductive lid 6,
The lid 9 is brazed or filled with a sealing organic resin 19 for sealing.

【0056】また、かかるモジュールを外部電気回路基
板7に実装する場合には、通常のモジュールの信号伝達
用の電極パッドをロウ付けすると同時に、伝熱性蓋体6
や貫通導体11を外部電気回路基板7の表面に形成され
た放熱用導体15にロウ付けする。
When such a module is mounted on the external electric circuit board 7, the electrode pad for signal transmission of a normal module is soldered and at the same time the heat conductive lid 6 is mounted.
And the through conductor 11 is soldered to the heat dissipation conductor 15 formed on the surface of the external electric circuit board 7.

【0057】また、図6のように、電力増幅素子搭載用
凹部2aの周囲を断熱性を有する誘電体材料によって形
成する場合には、通常の誘電体基板材料に感光性樹脂を
配合し、現像露光して所定の凹部を形成した後、その凹
部内に、断熱性誘電体材料を充填し、さらに、パンチン
グ等によって凹部2a、2bを形成することによって未
焼成状態の積層体を作製した後、焼成すればよい。
As shown in FIG. 6, when the periphery of the power amplifying element mounting concave portion 2a is formed of a dielectric material having heat insulation, a photosensitive resin is mixed with a normal dielectric substrate material and developed. After exposing to form a predetermined concave portion, the concave portion is filled with a heat-insulating dielectric material, and further, the concave portion 2a, 2b is formed by punching or the like to form an unfired laminated body. What is necessary is just to bake.

【0058】また、図7のように、モジュールにおける
誘電体基板2の上面側と下面側とを熱伝導率の異なる誘
電体材料によって形成する場合には、それぞれの誘電体
材料を用いてグリーンシートを作製し、それぞれ加工を
施した後に、それらを積層一体化して未焼成状態の積層
体を作製した後、焼成すればよい。
As shown in FIG. 7, when the upper surface and the lower surface of the dielectric substrate 2 in the module are formed of dielectric materials having different thermal conductivities, the green sheets are formed using the respective dielectric materials. After performing the respective processes, they may be laminated and integrated to produce an unfired laminate, and then fired.

【0059】[0059]

【実施例】誘電体材料として、ホウケイ酸ガラス70質
量%、アルミナ30質量%からなれる熱伝導率が2W/
m・Kのガラスセラミック系誘電体材料を用い、貫通導
体を150W/m・KのAg系導体材料を用い、伝熱性
蓋体として銅を用い、電子回路モジュールを上記のよう
にして作製し、これをガラス織布−エポキシ樹脂複合材
料からなる絶縁基板上に、銅からなる放熱用導体や信号
用配線層を形成したマザーボード表面に、Cu−Ag系
ロウ材を用いて実装した(試料No.6)。
EXAMPLE As a dielectric material, borosilicate glass 70% by mass and alumina 30% by mass have a thermal conductivity of 2 W /
An electronic circuit module is manufactured as described above using a glass ceramic dielectric material of m · K, a through conductor using an Ag-based conductor material of 150 W / m · K, and copper as a heat conductive lid, This was mounted on an insulating substrate made of a glass woven fabric-epoxy resin composite material, using a Cu-Ag brazing material on the surface of a motherboard on which a heat-dissipating conductor made of copper and a signal wiring layer were formed (Sample No. 1). 6).

【0060】これに、電力増幅素子(PA)の電源ON
/OFF比(デュティ比)を1/8にした状態で、0d
Bの入力信号を入れ、33.5dBmの出力が得られる
ように条件設定し、電力増幅素子4搭載用凹部ならびに
弾性表面波素子8搭載用凹部内の定常温度(表1中に凹
部2bで示す)を測定した。
Then, the power of the power amplifying element (PA) is turned on.
0d with the / OFF ratio (duty ratio) set to 1/8
The input signal of B is input, conditions are set so that an output of 33.5 dBm is obtained, and the steady temperature in the concave portion for mounting the power amplifying element 4 and the concave portion for mounting the surface acoustic wave element 8 (represented by the concave portion 2b in Table 1) ) Was measured.

【0061】また熱伝導解析シミュレーションプログラ
ムを用い、各構成材料の熱伝導率を変化させたときのそ
れらの温度を計算した。
Using a heat conduction analysis simulation program, the temperatures of the respective constituent materials when the thermal conductivity was changed were calculated.

【0062】[0062]

【表1】 [Table 1]

【0063】表1の結果より、本発明の構造によれば、
伝熱性蓋体および貫通導体を設けることによって、電力
増幅素子の熱を効果的放熱し、弾性表面波素子への影響
を低減できることがわかった。
From the results shown in Table 1, according to the structure of the present invention,
It has been found that the provision of the heat conductive lid and the through conductor effectively dissipates the heat of the power amplification element and reduces the influence on the surface acoustic wave element.

【0064】また、かかる構成においては、貫通導体の
本数が多いほど、誘電体基板の熱伝導率が小さいほどそ
の効果に優れることがわかる。また、誘電体基板を2種
の誘電体材料によって形成した場合においても同様の結
果が得られることがわかった。
Further, it can be seen that, in such a configuration, the effect is more excellent as the number of through conductors is larger and the thermal conductivity of the dielectric substrate is smaller. It was also found that similar results were obtained when the dielectric substrate was formed of two types of dielectric materials.

【0065】なお、以上はあくまで本発明の実施の形態
の例示であって、本発明はこれらに限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更や改
良を加えることは何ら差し支えない。
It should be noted that the above is only an example of the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the embodiment. Various modifications and improvements may be made without departing from the gist of the present invention. No problem.

【0066】[0066]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、電
力増幅素子による発熱は外部電気回路基板の放熱用導体
へと効率良く熱放散させることが可能となり、電力増幅
素子からその近傍に配置された弾性表面波素子への熱伝
達を極めて低減させることができるため、弾性表面波素
子の高周波フィルタ特性、高周波分波器特性等の電気的
特性を劣化させることなく、小型で高性能な電子回路モ
ジュールを提供することができる。しかも、放熱フィン
等の放熱用部材を別途必要とせず、低価格な携帯型情報
端末機等の電子機器・電子装置等に好適な電子回路モジ
ュールとなる。
As described above in detail, according to the present invention, heat generated by the power amplifying element can be efficiently dissipated to the heat dissipation conductor of the external electric circuit board. Since heat transfer to the arranged surface acoustic wave element can be extremely reduced, a small, high-performance device can be used without deteriorating electrical characteristics such as high-frequency filter characteristics and high-frequency demultiplexer characteristics of the surface acoustic wave element. An electronic circuit module can be provided. In addition, a heat-radiating member such as a heat-radiating fin is not separately required, and the electronic circuit module is suitable for low-cost electronic devices and electronic devices such as portable information terminals.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電子回路モジュールの実施の形態の一
例を示す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of an embodiment of an electronic circuit module of the present invention.

【図2】本発明の電子回路モジュールにおける貫通導体
の配置の例を示す、図1のA−A’線における概略平面
図である。
FIG. 2 is a schematic plan view taken along line AA ′ of FIG. 1, showing an example of the arrangement of through conductors in the electronic circuit module of the present invention.

【図3】本発明の電子回路モジュールにおける貫通導体
の配置の他の例を示す概略平面図である。
FIG. 3 is a schematic plan view showing another example of the arrangement of the through conductors in the electronic circuit module of the present invention.

【図4】本発明の電子回路モジュールにおける貫通導体
の配置のさらに他の例を示す概略平面図である。
FIG. 4 is a schematic plan view showing still another example of the arrangement of the through conductors in the electronic circuit module of the present invention.

【図5】本発明の電子回路モジュールの実施の形態の他
の例を示す概略断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing another example of the embodiment of the electronic circuit module of the present invention.

【図6】本発明の電子回路モジュールの実施の形態のさ
らに他の例を示す概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing still another example of the embodiment of the electronic circuit module of the present invention.

【図7】本発明の電子回路モジュールの実施の形態のさ
らに他の例を示す概略断面図である。
FIG. 7 is a schematic sectional view showing still another example of the embodiment of the electronic circuit module of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・・・・電子回路モジュール 2・・・・・・・誘電体基板 2a・・・・・・電力増幅素子搭載用凹部 2b・・・・・・弾性表面波素子搭載用凹部 3a、3b・・・導体バンプ 4・・・・・・・電力増幅素子 6・・・・・・・伝熱性蓋体 7・・・・・・・外部電気回路基板 8・・・・・・・弾性表面波素子 9・・・・・・・蓋体 11・・・・・・貫通導体 13・・・・・・ろう材 15・・・・・・放熱用導体 1 ... Electronic circuit module 2 ... Dielectric substrate 2a ... Recess for mounting power amplification element 2b ... Recess 3a for mounting surface acoustic wave element , 3b ... conductor bump 4 ... power amplifying element 6 ... heat conductive lid 7 ... external electric circuit board 8 ... Surface acoustic wave element 9 ············································································· Heat dissipation conductor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H05K 3/46 U Fターム(参考) 5E346 AA13 AA43 CC18 CC32 CC39 DD07 DD34 DD45 EE24 FF18 GG04 GG05 GG06 GG08 GG09 GG25 HH17 HH33 5F036 AA01 BB21 BC06 BC33 BD01 5J097 AA29 AA33 BB15 GG03 GG04 JJ09 KK10 LL06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/46 H05K 3/46 UF term (Reference) 5E346 AA13 AA43 CC18 CC32 CC39 DD07 DD34 DD45 EE24 FF18 GG04 GG05 GG06 GG08 GG09 GG25 HH17 HH33 5F036 AA01 BB21 BC06 BC33 BD01 5J097 AA29 AA33 BB15 GG03 GG04 JJ09 KK10 LL06

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の誘電体層を積層して成る誘電体基板
の一方の主面に電力増幅素子搭載用凹部および弾性表面
波素子搭載用凹部が形成され、電力増幅素子および弾性
表面波素子が各凹部の底面に形成された導体層に実装さ
れており、少なくとも前記電力増幅素子搭載用凹部には
前記電力増幅素子に接触して伝熱性蓋体が取着されると
ともに、前記電力増幅素子搭載用凹部と前記弾性表面波
素子搭載用凹部との間に、前記電力増幅素子搭載用凹部
の前記導体層の延設部から前記誘電体基板の前記一方の
主面まで延びた貫通導体が形成されて成り、前記伝熱性
蓋体および前記貫通導体をろう材を介して外部電気回路
基板の上面の放熱用導体に取着させて実装されることを
特徴とする電子回路モジュール。
1. A power amplifying element mounting recess and a surface acoustic wave element mounting recess are formed on one main surface of a dielectric substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers, and the power amplifying element and the surface acoustic wave element are formed. Are mounted on a conductor layer formed on the bottom surface of each recess, and at least the power amplification element mounting recess has a heat conductive lid attached thereto in contact with the power amplification element, and the power amplification element Between the mounting concave portion and the surface acoustic wave device mounting concave portion, a through conductor extending from the extended portion of the conductor layer of the power amplifying device mounting concave portion to the one main surface of the dielectric substrate is formed. An electronic circuit module, wherein the heat conductive lid and the through conductor are attached to a heat dissipation conductor on an upper surface of an external electric circuit board via a brazing material and mounted.
【請求項2】複数の誘電体層を積層して成る誘電体基板
の一方の主面に電力増幅素子搭載用凹部が、他方の主面
に弾性表面波素子搭載用凹部が形成され、電力増幅素子
および弾性表面波素子が各凹部の底面に形成された導体
層に実装されており、少なくとも前記電力増幅素子搭載
用凹部には前記電力増幅素子に接触して伝熱性蓋体が取
着されるとともに、前記電力増幅素子搭載用凹部と前記
弾性表面波素子搭載用凹部との間に、前記電力増幅素子
搭載用凹部の前記導体層の延設部から前記誘電体基板の
前記一方の主面まで延びる貫通導体が形成されて成り、
前記伝熱性蓋体および前記貫通導体をろう材を介して外
部電気回路基板の上面の放熱用導体に取着させて実装さ
れることを特徴とする電子回路モジュール。
2. A power amplifying device mounting concave portion is formed on one main surface of a dielectric substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers, and a surface acoustic wave device mounting concave portion is formed on the other main surface. An element and a surface acoustic wave element are mounted on a conductor layer formed on the bottom surface of each recess, and a heat conductive lid is attached to at least the power amplification element mounting recess in contact with the power amplification element. Along with the power amplifying element mounting recess and the surface acoustic wave element mounting recess, from the extended portion of the conductor layer of the power amplifying element mounting recess to the one main surface of the dielectric substrate. Extending through conductors are formed,
An electronic circuit module, wherein the heat conductive lid and the through conductor are attached to a heat dissipation conductor on an upper surface of an external electric circuit board via a brazing material and mounted.
【請求項3】前記誘電体層の熱伝導率が20W/m・K
以下であることを特徴とする請求項1または請求項2記
載の電子回路モジュール。
3. The thermal conductivity of the dielectric layer is 20 W / m · K.
3. The electronic circuit module according to claim 1, wherein:
【請求項4】前記電力増幅素子搭載用凹部の周囲の誘電
体層が、前記弾性表面波素子搭載用凹部の周囲の誘電体
層よりも熱伝導率の小さい誘電体層によって形成されて
いることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか
記載の電子回路モジュール。
4. The dielectric layer around the power amplifier mounting recess is formed of a dielectric layer having a lower thermal conductivity than the dielectric layer surrounding the surface acoustic wave device mounting recess. The electronic circuit module according to claim 1, wherein:
【請求項5】前記電力増幅素子搭載用凹部と前記弾性表
面波素子搭載用凹部とが0.3mm以上離間しているこ
とを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
の電子回路モジュール。
5. The electronic device according to claim 1, wherein the recess for mounting the power amplification element and the recess for mounting the surface acoustic wave element are separated by 0.3 mm or more. Circuit module.
【請求項6】前記貫通導体の熱伝導率が100W/m・
K以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項5の
いずれか記載の電子回路モジュール。
6. The thermal conductivity of the through conductor is 100 W / m ·
The electronic circuit module according to claim 1, wherein the electronic circuit module is at least K.
【請求項7】前記貫通導体が前記電力増幅素子搭載用凹
部と前記弾性表面波素子搭載用凹部との間に複数本形成
されていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のい
ずれか記載の電子回路モジュール。
7. The semiconductor device according to claim 1, wherein a plurality of the through conductors are formed between the concave portion for mounting the power amplification element and the concave portion for mounting the surface acoustic wave element. An electronic circuit module as described in the above.
【請求項8】前記電力増幅素子搭載用凹部の底面の導体
層と、前記弾性表面波素子搭載用凹部の底面の導体層と
が、異なる誘電体層に形成されていることを特徴とする
請求項1乃至請求項7のいずれか記載の電子回路モジュ
ール。
8. A conductive layer on a bottom surface of the concave portion for mounting the power amplifying element and a conductive layer on a bottom surface of the concave portion for mounting the surface acoustic wave device are formed on different dielectric layers. An electronic circuit module according to any one of claims 1 to 7.
【請求項9】前記前記弾性表面波素子搭載用凹部が、蓋
体によって封止されているか、または該凹部内に絶縁性
樹脂が充填されていることを特徴とする請求項1乃至請
求項8記載の電子回路モジュール。
9. The surface acoustic wave element mounting concave portion is sealed with a lid, or the concave portion is filled with an insulating resin. An electronic circuit module as described in the above.
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