JP2002299775A - Electronic component device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は各種の電子機器、電
子装置等の電子回路モジュールとして用いられる電子部
品搭載装置の構造に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of an electronic component mounting device used as an electronic circuit module of various electronic devices and electronic devices.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、各種の電子機器や電子装置等に対
して小型化、薄型化、高機能化等の要求が高まってお
り、それに伴ってそれら機器や装置の電子回路モジュー
ルに用いられる電子部品装置にも、小型化、薄型、高密
度化ならびに高速信号処理に対応した高機能化が強く要
求されている。2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for various electronic devices and electronic devices to be smaller, thinner, and more sophisticated, and accordingly, electronic devices used in electronic circuit modules of these devices and devices have been increased. There is also a strong demand for component devices to be smaller, thinner, have higher density, and have higher functions corresponding to high-speed signal processing.
【0003】そのような電子部品装置において、回路動
作の高速化に対応して信号処理を行う基体は、ガラスフ
リットにアルミナ等の無機フィラーを添加した低温焼結
可能なガラス−セラミック材料を基体材料に用いてい
る。850〜1050℃で焼成可能な低温焼成基体で
は、内部配線パターンの形成には金(Au)系、銀(A
g)系、銅(Cu)系等の低融点で比抵抗の小さい金属
材料を用いることができ、それにより高速信号処理を行
う電子部品装置を実現できることから、民生機器分野で
の実用化を図るべく、小型化・高密度化・低コスト化に
向けての開発が進められている。In such an electronic component device, a base material for performing signal processing corresponding to a high-speed circuit operation is made of a glass-ceramic material obtained by adding an inorganic filler such as alumina to a glass frit and capable of being sintered at a low temperature. Used for In the case of a low-temperature fired substrate that can be fired at 850 to 1050 ° C., gold (Au) -based, silver (A)
g) It is possible to use a metal material having a low melting point and a small specific resistance such as a copper (Cu) type, and thereby an electronic component device which performs high-speed signal processing can be realized. Therefore, development for miniaturization, high density, and low cost is being promoted.
【0004】そして、このような電子部品装置に搭載さ
れる電子部品素子の発熱量が、電子部品装置の小型化、
高密度化、高電力化に伴って増大したため、図5に示す
ように、電子部品装置60は、複数の絶縁層が積層した
絶縁性基体61の表面の電子部品収容用キャビティ67
を形成し、このキャビティ67内に電子部品素子65を
収容し、また、この電子部品素子65の動作によって発
生する熱は、キャビティ67の直下に形成したビアホー
ル導体68が形成されていた。尚、このビアホール導体
は、貫通穴内に熱伝導性の金属材料が充填されて成り、
その主たる目的が熱の伝導を意図しているため、サーマ
ルビアホールという。このようなサーマルビアホール6
8が多数設けられているので、効率よく電子部品素子6
5の発熱を伝達することができ、電子部品素子65の熱
的破壊や信頼性劣化の防止していた。[0004] The amount of heat generated by the electronic component elements mounted on such an electronic component device is reduced by reducing the size of the electronic component device.
As shown in FIG. 5, the electronic component device 60 has a cavity 67 for accommodating an electronic component on the surface of the insulating base 61 on which a plurality of insulating layers are stacked, since the density has increased with the increase in density and the increase in power.
Then, the electronic component element 65 is accommodated in the cavity 67, and the heat generated by the operation of the electronic component element 65 has formed the via-hole conductor 68 formed immediately below the cavity 67. The via-hole conductor is formed by filling a through-hole with a thermally conductive metal material.
Since its main purpose is to conduct heat, it is called a thermal via hole. Such a thermal via hole 6
8, a large number of electronic component elements 6 are efficiently provided.
5 can be transmitted, thereby preventing thermal destruction of the electronic component element 65 and deterioration of reliability.
【0005】具体的には、サーマルビアホール68の一
端(基板内部側の一端は、電子部品素子65が実装され
るダイアタッチ導体膜71に接合し、その他端は、絶縁
基体61の底面に延出されている。尚、サーマルビアホ
ール68の他端は、そのまま露出してもよいし、また、
図のようにサーマルビアホール68を被覆するダミーの
放熱用端電極72を形成しても構わない。More specifically, one end of the thermal via hole 68 (one end on the inner side of the substrate is joined to the die attach conductor film 71 on which the electronic component element 65 is mounted, and the other end extends to the bottom surface of the insulating base 61. The other end of the thermal via hole 68 may be exposed as it is,
As shown, a dummy heat radiation end electrode 72 covering the thermal via hole 68 may be formed.
【0006】サーマルビアホール68の材料には、安価
で導電性及び熱伝導性に優れていることから、Ag系材
料が用いられている。また、サーマルビアホール68用
導電性ペーストは、グリーンシートにプレスピンで貫通
穴をあけた後、敷紙上に載置して、導電性ペーストを印
刷することにより充填される。As a material for the thermal via hole 68, an Ag-based material is used because it is inexpensive and has excellent electrical and thermal conductivity. The conductive paste for the thermal via hole 68 is filled by forming a through hole in the green sheet with a press pin, placing the green sheet on a sheet of paper, and printing the conductive paste.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、この種の電子
部品装置を組み込んだ電子回路モジュールは、小型化・
高密度化・低コスト化・高機能化の要求がますます高ま
ってきつつある。このため、電子部品装置60に、キャ
ビティ67内に搭載した電子部品素子65以外の回路構
成部品を実装する必要がある。However, an electronic circuit module incorporating this kind of electronic component device has been downsized.
Demands for higher density, lower cost, and higher functionality are increasing. For this reason, it is necessary to mount circuit components other than the electronic component element 65 mounted in the cavity 67 on the electronic component device 60.
【0008】しかしながら、図5に示した電子部品装置
は、基体61の表面側にキャビティ67の開口が存在し
ている。即ち、この開口面積が回路構成部品を実装する
ためのデッドスペースとなり、電子部品装置61の小型
で且つ高機能化には限界があった。However, the electronic component device shown in FIG. 5 has an opening of the cavity 67 on the surface side of the base 61. In other words, this opening area becomes a dead space for mounting circuit components, and there is a limit to the miniaturization and high functionality of the electronic component device 61.
【0009】また、電子部品素子65、例えば、半導体
素子自身の高集積化に伴い、電子部品素子65の動作に
ともなう熱の発生量も多くなり、良好な放熱性が必要と
されさるようになっている。例えば、サーマルビアホー
ル68の構造上、放熱性を向上させるには、ビアホール
に充填する金属材料を熱伝導性の高い材料を用いるこ
と、サーマルビアホールの基体に対する存在密度を高く
したり、サーマルビアホールの導体径を大きくする方法
が考えられる。Further, with the high integration of the electronic component element 65, for example, the semiconductor element itself, the amount of heat generated by the operation of the electronic component element 65 increases, and good heat radiation is required. ing. For example, due to the structure of the thermal via hole 68, in order to improve the heat dissipation, a metal material filled in the via hole is made of a material having high thermal conductivity, the density of the thermal via hole with respect to the base is increased, or the thermal via hole conductor A method of increasing the diameter is conceivable.
【0010】また、ビアホール材料の熱伝導性について
は、製造工程で基体1の内部に形成する内部配線導体や
回路構成用ビアホール導体との共用して形成することか
ら、材料選択の幅に制限されることになる。Further, the thermal conductivity of the via hole material is limited to the range of material selection since it is formed in common with the internal wiring conductor and the via hole conductor for circuit configuration formed inside the substrate 1 in the manufacturing process. Will be.
【0011】また、サーマルビアホールの基体に対する
存在密度については、サーマルビアホールの形成で発生
する応力により、基体61へのクラック発生を考慮する
必要がある。経験的には、隣接するサーマルビアホール
との間の距離は、積層構造の基体1を構成する絶縁層と
なるグリーンシートの厚み相当分またはそれ以上を確保
する必要がある。例えば、厚みが100〜200μmの
グリーンシートを用いる場合、隣接するビアホールとの
間の距離を160〜200μm以上とする。このため、
ビアホールの形成密度を高くする方法には限界があっ
た。As for the density of the thermal via hole with respect to the substrate, it is necessary to consider the occurrence of cracks in the substrate 61 due to the stress generated in the formation of the thermal via hole. Empirically, the distance between the adjacent thermal via holes needs to be equal to or greater than the thickness of the green sheet serving as the insulating layer constituting the base 1 having the laminated structure. For example, when a green sheet having a thickness of 100 to 200 μm is used, the distance between adjacent via holes is set to 160 to 200 μm or more. For this reason,
There is a limit to the method of increasing the formation density of via holes.
【0012】さらに、サーマルビアホールの開口形状
は、その開口面積が大きくなることが望ましい。しか
し、上述の基体61に発生するクラックなどを抑えるに
は、経験的には、隣接するサーマルビアホーの直径は、
基体1を構成する絶縁層となるグリーンシートの厚み相
当分またはそれ以下を確保する必要がある。例えば、厚
みが100〜200μmのグリーンシートを用いる場
合、サーマルビアホールの直径は160〜200μm以
下となる。Further, it is desirable that the opening shape of the thermal via hole has a large opening area. However, in order to suppress the cracks and the like generated in the above-described base 61, empirically, the diameter of the adjacent thermal via
It is necessary to secure a thickness corresponding to or less than the thickness of the green sheet serving as an insulating layer constituting the base 1. For example, when a green sheet having a thickness of 100 to 200 μm is used, the diameter of the thermal via hole is 160 to 200 μm or less.
【0013】尚、サーマルビアホール68の開口径を大
きくすると、サーマルビアホールとなる貫通穴を有する
グリーンシートを、敷き紙上に載置して、この貫通穴内
金属材料(金属ペースト)を充填し、グリーンシートを
敷紙から分離する時に、貫通穴内に充填した金属材料が
敷紙に奪われてしまい、貫通穴から金属抜けが発生して
しまい、実質的にサーマルビアホールを形成できなくな
る。When the opening diameter of the thermal via hole 68 is increased, a green sheet having a through hole serving as a thermal via hole is placed on a spreading sheet, and the metal material (metal paste) in the through hole is filled. When separating from the backing paper, the metal material filled in the through-hole is robbed by the backing paper, and the metal is removed from the through-hole, so that a thermal via hole cannot be formed substantially.
【0014】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、基体の回路構成部品の実装
効率を増大することができ、しかも、電子部品素子の放
熱性が維持・向上することができる電子部品装置を提供
することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to increase the mounting efficiency of circuit components on a substrate, and to reduce the heat dissipation of electronic component elements. An object of the present invention is to provide an electronic component device that can be maintained and improved.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】底面にキャビティを有
し、表面に表面配線導体膜を有する絶縁基体と、前記キ
ャビティ内に収容される電子部品素子と、前記絶縁基体
の表面に搭載され、表面配線導体膜に接続している回路
構成部品とから成る電子部品装置において、前記キャビ
ティ開口周囲に、前記電子部品素子の動作による熱を前
記絶縁基体の底面側に放熱する放熱手段を設けたことを
特徴とする電子部品装置である。Means for Solving the Problems An insulating base having a cavity on the bottom surface and a surface wiring conductor film on the surface, an electronic component element housed in the cavity, a surface mounted on the surface of the insulating base, In an electronic component device including a circuit component connected to a wiring conductor film, a radiating means for radiating heat generated by the operation of the electronic component element to a bottom surface side of the insulating base is provided around the cavity opening. It is an electronic component device characterized by the following.
【0016】また、前記放熱手段が、前記キャビティの
開口周囲の基体厚み方向に延びるビアホール導体で形成
されている。さらに、前記キャビティ内の実装底面に
は、前記電子部品素子が搭載されるダイアタッチ導体膜
を有するとともに、前記ビアホール導体の一端部は、該
ダイアタッチ導体膜に接合し、且つ他端は基体の底面に
実質的に露出している。Further, the heat radiating means is formed of a via hole conductor extending in the thickness direction of the base around the opening of the cavity. Further, the mounting bottom in the cavity has a die attach conductor film on which the electronic component element is mounted, one end of the via-hole conductor is joined to the die attach conductor film, and the other end is a base. Substantially exposed at the bottom.
【0017】さらに、前記ビアホール導体は、複数のビ
アホールが互いに直線状に重なり合うように連設されて
構成されている。Further, the via-hole conductor is configured so that a plurality of via-holes are continuously provided so as to linearly overlap each other.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品装置につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an electronic component device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0019】図1は、本発明の電子部品装置の一実施形
態を示す電子部品素子搭載部での断面図である。図2
は、図1の電子部品装置のキャビティ上部での平断面図
である。図3は、本発明のビアホール導体(サーマルビ
アホール)の実施形態を示す拡大平面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an electronic component device mounting portion showing one embodiment of the electronic component device of the present invention. FIG.
FIG. 2 is a plan cross-sectional view of the upper part of the cavity of the electronic component device of FIG. 1. FIG. 3 is an enlarged plan view showing an embodiment of a via hole conductor (thermal via hole) of the present invention.
【0020】これらの図において、10は電子部品装
置、1は複数の絶縁体層1a〜1fが積層されて成る絶
縁性基体(以下、単に基体という)、2は内部配線導
体、3は回路形成用ビアホール導体、4は表面配線導
体、41はダイアタッチ導体膜、42は端子電極、43
は電極パッド、5は電子部品素子、51はワイヤボンデ
ィング、6は回路構成部品、7はキャビティ、8はサー
マルビアホール、9は樹脂である。In these figures, 10 is an electronic component device, 1 is an insulating substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) formed by laminating a plurality of insulator layers 1a to 1f, 2 is an internal wiring conductor, and 3 is a circuit forming device. Via hole conductor, 4 is a surface wiring conductor, 41 is a die attach conductor film, 42 is a terminal electrode, 43
Is an electrode pad, 5 is an electronic component element, 51 is wire bonding, 6 is a circuit component, 7 is a cavity, 8 is a thermal via hole, and 9 is a resin.
【0021】上述の電子部品装置10の基体1は、底面
側から複数の絶縁層1a〜1fが積層してなり、各絶縁
層1a〜1fの層間には、内部配線導体2が形成されて
いる。また、絶縁層1a〜1fには、各層の厚み方向に
貫くビアホール導体3、8が形成されている。具体的に
は、ビアホール導体は、2つの機能を有するものが存在
している。通常、所定回路を構成するビアホールは、回
路形成用ビアホール導体3であり、主に電子部品素子5
の動作による発生熱を外部に放出するためにビアホール
導体をサーマルビアホール(放熱手段)8という。尚、
図においては、絶縁層1a〜1bには回路構成用ビアホ
ール導体を省略しているが、これは、サーマルビアホー
ル8の構造を明示するために記載しただけであり、実際
には、絶縁層1a〜1bにも回路構成用ビアホール導体
3が形成される。The base 1 of the electronic component device 10 is formed by laminating a plurality of insulating layers 1a to 1f from the bottom side, and an internal wiring conductor 2 is formed between the insulating layers 1a to 1f. . Also, via-hole conductors 3 and 8 are formed in the insulating layers 1a to 1f in the thickness direction of each layer. Specifically, there are via-hole conductors having two functions. Normally, the via holes constituting the predetermined circuit are the via hole conductors 3 for circuit formation, and mainly the electronic component elements 5.
The via-hole conductor for releasing the heat generated by the above operation to the outside is called a thermal via-hole (radiator) 8. still,
In the figure, the via hole conductors for circuit configuration are omitted in the insulating layers 1a and 1b, but this is only described for clarifying the structure of the thermal via hole 8, and actually, the insulating layers 1a to 1b are actually illustrated. The via hole conductor 3 for circuit configuration is also formed in 1b.
【0022】また、このような積層状態の基体1の表面
には、所定表面配線導体4が形成されている。そして、
この表面配線導体4上には、回路構成部品6が実装され
ている。On the surface of the substrate 1 in such a laminated state, a predetermined surface wiring conductor 4 is formed. And
The circuit component 6 is mounted on the surface wiring conductor 4.
【0023】基体1の裏面には、電子部品素子5を収容
するキャビテイ7が形成されている。キャビティ7は、
例えば段差を有しており、キャビティ7の実装底面に
は、電子部品素子5を載置するダイアタッチ導体膜41
が形成されている。また、キャビティ7の段差面には、
電極パッド43が形成されている。尚、段差は、絶縁体
層1aに外側のキャビティの形状が、絶縁体層1bによ
り内側のキャビティの形状を規定している。On the back surface of the base 1, a cavity 7 for housing the electronic component element 5 is formed. The cavity 7
For example, there is a step, and a die attach conductive film 41 on which the electronic component element 5 is mounted is provided on the mounting bottom surface of the cavity 7.
Are formed. Also, on the step surface of the cavity 7,
An electrode pad 43 is formed. In the step, the shape of the cavity outside the insulator layer 1a defines the shape of the cavity inside the insulator layer 1b.
【0024】このダイアタッチ導体膜41は、キャビテ
ィ7の底面から、この底面と同一平面でキャビティ7の
周囲に広がるように形成される。The die attach conductor film 41 is formed so as to extend from the bottom surface of the cavity 7 to the periphery of the cavity 7 on the same plane as the bottom surface.
【0025】また、基体1の裏面で、キャビティ7の開
口周囲には、端子電極42が形成されている。この端子
電極42は、実際に信号等の入力を行なう端子電極、電
源電圧が供給される端子電極、グランド電位となる端子
電極などが例示できる。A terminal electrode 42 is formed on the back surface of the base 1 around the opening of the cavity 7. Examples of the terminal electrode 42 include a terminal electrode for actually inputting a signal or the like, a terminal electrode for supplying a power supply voltage, a terminal electrode for a ground potential, and the like.
【0026】本発明では、さらに、これらの以外の機能
として、ヒートシンク(放熱機能)をもつダミー用の端
子電極としても構わない。尚、放熱機能のみを有するダ
ミー用の端子電極としては、図1の基体1の裏面左側の
ように、複数のサーマルビアホール8の他端に接合する
ように被着形成される(符号42a)。また、図1の基
体1の裏面右側のように、グランド電位となる端子電極
と共用させることもできる(符号42b)。尚、端子電
極42cは、放熱機能を有さない信号の入出力端子電
極、電源電圧端子電極、グランド電位端子電極などであ
る。In the present invention, as a function other than these, a dummy terminal electrode having a heat sink (radiation function) may be used. The dummy terminal electrode having only the heat dissipation function is formed so as to be joined to the other ends of the plurality of thermal via holes 8 as shown on the left side of the back surface of the base 1 in FIG. 1 (reference numeral 42a). Further, as shown on the right side of the back surface of the base 1 in FIG. 1, it can be shared with a terminal electrode which is at the ground potential (reference numeral 42b). The terminal electrode 42c is an input / output terminal electrode for a signal having no heat radiation function, a power supply voltage terminal electrode, a ground potential terminal electrode, or the like.
【0027】キャビティ7の底面を構成する絶縁体層1
bと1cとの層間(絶縁体層1cの裏面側の表面)に
は、上述のダイアタッチ導体膜41が広がって被着形成
されている。キャビティ7の実装底面に露出したダイア
タッチ導体膜41上には、電子部品素子5が搭載されて
いる。Insulator layer 1 constituting bottom surface of cavity 7
Between the layers b and 1c (the surface on the back side of the insulator layer 1c), the above-described die attach conductor film 41 is formed so as to spread and adhere. The electronic component element 5 is mounted on the die attach conductive film 41 exposed on the mounting bottom surface of the cavity 7.
【0028】また、キャビティ7の段差を構成する絶縁
体層1aと1bとの層間(絶縁体層1bの裏面側の表
面)には、電極パッド部43が被着形成されている。こ
の電極パッド部43は、絶縁体層1aと1bとの層間に
引き回し配線21(内部配線導体2の一部とみなす)と
して基体1内部の内部配線導体2と接続する。An electrode pad 43 is formed between the insulator layers 1a and 1b forming the step of the cavity 7 (the surface on the back side of the insulator layer 1b). The electrode pad portion 43 is connected to the internal wiring conductor 2 inside the base 1 as the wiring 21 (considered as a part of the internal wiring conductor 2) between the insulator layers 1a and 1b.
【0029】ここで、重要なことは、絶縁体層1aと1
bとの層間に引き回し配線21は、隣接しあうサーマル
ビアホール8の間隔にひき回されている。即ち、絶縁層
1bと1cとの層間には、比較的広い範囲でダイアタッ
チ導体膜41が形成されているので、電極パッド部43
の直下(またはその周囲)で、絶縁層1bと1cと交差
するように回路構成用のビアホール導体は形成できな
い。また、絶縁層1aと1bにサーマルビアホール8が
形成されているため、絶縁層1bの裏面側主面に形成さ
れた電極パッド部43は、絶縁層1bの裏面側主面と同
一平面で、サーマルビアホール8との間を縫って引き回
し配線21を形成し、ダイアタッチ導体膜41形成領域
以外で、ビアホール導体3でもって、基体1の表面側
(絶縁層1c〜1f側)にひき回さなくてはならない。
これにより、電極パッド部43、引き回し配線21は、
サーマルビアホール8やダイアタッチ導体膜41に短絡
することなく、所定回路網の一部として構成することが
できる。It is important that the insulator layers 1a and 1a
The lead wiring 21 is routed between adjacent thermal via holes 8 between the layers b and b. That is, the insulating layer
Since the die attach conductor film 41 is formed in a relatively wide range between the layers 1b and 1c, the electrode pad portion 43
A via-hole conductor for circuit configuration cannot be formed just below (or around) the insulating layers 1b and 1c. Further, since the thermal via holes 8 are formed in the insulating layers 1a and 1b, the electrode pad portions 43 formed on the back main surface of the insulating layer 1b are flush with the back main surface of the insulating layer 1b. The lead wiring 21 is formed by sewing between the via hole 8 and the via hole conductor 3 in the area other than the die attach conductive film 41 forming area, and the wiring 21 is not wound around the surface side of the base 1 (the insulating layers 1c to 1f side). Not be.
Thereby, the electrode pad portion 43 and the routing wiring 21 are
It can be configured as a part of a predetermined circuit network without short-circuiting to the thermal via hole 8 or the die attach conductor film 41.
【0030】このダイアタッチ導体膜41上に実装され
た電子部品素子5は、この電極パッド43にボンディン
グワイヤ51を介して電気的に接続されている。また、
キャビティ7は、ボンディングワイヤ51のワイヤ倒れ
を防止し、電子部品素子5を湿気から保護するために樹
脂9が充填されている。The electronic component element 5 mounted on the die attach conductor film 41 is electrically connected to the electrode pad 43 via a bonding wire 51. Also,
The cavity 7 is filled with a resin 9 to prevent the bonding wire 51 from falling down and protect the electronic component element 5 from moisture.
【0031】ここで、ダイアタッチ導体膜41は、絶縁
体層1cの裏面側の主面でキャビティ7の領域以外に広
がった領域で、絶縁体層1a、1bの厚み方向に形成さ
れたサーマルビアホール8の一端と接合している。Here, the die attach conductive film 41 is a thermal via hole formed in the main surface on the back surface side of the insulator layer 1c and extending in a region other than the cavity 7 in the thickness direction of the insulator layers 1a and 1b. 8 and one end.
【0032】即ち、電子部品素子5の動作によって発せ
られた熱は、ダイアタッチ導体膜41、複数のサーマル
ビアホール8を介して、放熱機能を有する端子電極42
a、42bに伝導することになる。ここで、放熱機能を
有する端子電極42bは、上述のように、グランド電位
の端子電極としても動作する。即ち、ダイアタッチ導体
膜41もグランド電位となる。尚、電子部品素子5、例
えば、半導体素子において、ダイアタッチ面をグランド
電位とするものは上述の構造で構わないが、駆動駆動電
位、または浮き電位で動作させるものは、それに応じ
て、端子電極42を端子電極42aのように、ダミー端
子電極として機能させるようにする。That is, the heat generated by the operation of the electronic component element 5 is transmitted through the die attach conductor film 41 and the plurality of thermal via holes 8 to the terminal electrode 42 having a heat radiation function.
a, 42b. Here, the terminal electrode 42b having a heat dissipation function also operates as a terminal electrode of the ground potential as described above. That is, the die attach conductor film 41 also has the ground potential. In the electronic component element 5, for example, a semiconductor element in which the die attach surface is set to the ground potential may be the above-described structure, but the one operated at the driving drive potential or the floating potential has a terminal electrode corresponding thereto. 42 functions as a dummy terminal electrode like the terminal electrode 42a.
【0033】電子部品素子5は、動作によって熱の放出
を伴う半導体素子が例示できる。図では、放熱作用を考
慮して、電子部品素子5はダイアタッチ導体膜41に直
接接合し、信号等の入出力は、電極パッド部43との間
でボンディングワイヤ51を用いている。尚、電子部品
素子51の動作による熱の放熱作用は、若干低下するも
のの、接続方法がバンプなどを利用したフリップチップ
型の電子部品素子であっても構わない。この場合、ダイ
アタッチ導体膜41は、単なる熱の伝導のみを行なう機
能となる。The electronic component element 5 can be exemplified by a semiconductor element that emits heat by operation. In the figure, the electronic component element 5 is directly bonded to the die attach conductor film 41 in consideration of the heat radiation function, and the input and output of signals and the like use the bonding wires 51 between the electrode pad 43 and the electrodes. Although the heat radiating action of the heat by the operation of the electronic component element 51 is slightly reduced, the connection method may be a flip-chip type electronic component element using a bump or the like. In this case, the die attach conductor film 41 has a function of merely conducting heat.
【0034】そして、電子部品素子5とダイアタッチ導
体膜41に相当する熱伝導導体膜との間には、樹脂を充
填してなるべく発生した熱がサーマルビアホールに到達
できるようにする。The space between the electronic component element 5 and the heat conductive conductor film corresponding to the die attach conductive film 41 is filled with resin so that as much heat as possible can reach the thermal via hole.
【0035】サーマルビアホール8は、搭載される電子
部品素子5の発熱量、基体1の加工による基板の強度を
考慮して、最も効率よく放熱に寄与できるように配置す
る。例えば、サーマルビアホール8全体として格子状や
千鳥状などで配置する。The thermal via hole 8 is arranged so as to contribute to heat radiation most efficiently in consideration of the amount of heat generated by the mounted electronic component element 5 and the strength of the substrate formed by processing the base 1. For example, the entire thermal via hole 8 is arranged in a lattice shape or a staggered shape.
【0036】サーマルビアホール8は、開口形の面積を
大きくしつつ、且つ上述した金属抜けが発生しないよう
に、開口断面形状が円形状をなしたビアホール導体が、
複数直線上に連結した形状が望ましい。尚、図2では、
サーマルビアホール7は、キャビティ7の周囲に所定間
隔で取り巻くように配置されている。しかも、1つのサ
ーマルビアホール8は、3つ円柱ビアホール単体が互い
に重なりあうよう形状となっている。The thermal via hole 8 is made of a via-hole conductor having a circular opening cross-sectional shape so as to increase the area of the opening and prevent the above-mentioned metal loss from occurring.
A shape connected on a plurality of straight lines is desirable. In FIG. 2,
The thermal via holes 7 are arranged so as to surround the cavity 7 at predetermined intervals. Moreover, one thermal via hole 8 is shaped so that three cylindrical via holes alone overlap each other.
【0037】また、これら複数個のサーマルビアホール
8により端子電極42に伝導された熱は、この電子部品
装置10が実装されるマザーボードに伝えられて放熱さ
れる。The heat conducted to the terminal electrodes 42 by the plurality of thermal via holes 8 is transmitted to the mother board on which the electronic component device 10 is mounted and radiated.
【0038】このサーマルビアホール8は、図3に示す
ように、複数(図3では2つの円柱状のビアホール単体
8a、8bが互いに直線状に重なり合うように連設され
て構成されている。ここで、図3では、サーマルビアホ
ール8の全体の長さ(重なり方向の距離)をm、ビアホー
ル単体8a、8bの半径をr、各ビアホール単体8a、
8bの中心をCで示している。As shown in FIG. 3, the thermal via hole 8 is constituted by a plurality of (in FIG. 3, two cylindrical via holes 8a and 8b are continuously provided so as to linearly overlap each other. In FIG. 3, the overall length (distance in the overlapping direction) of the thermal via hole 8 is m, the radius of each of the via holes 8a and 8b is r, and each of the via holes 8a,
The center of 8b is indicated by C.
【0039】このような電子部品装置は、以下のように
して形成される。Such an electronic component device is formed as follows.
【0040】絶縁層1a〜1fは、例えば850〜10
50℃前後の比較的低い温度で焼成可能にするガラス−
セラミック材料からなる。具体的なセラミック材料とし
ては、クリストバライト、石英、コランダム(βアルミ
ナ)、ムライト、コージェライトなどの絶縁セラミック
材料、BaTiO3、Pb4Fe2Nb2O12、TiO2な
どの誘電体セラミック材料、Ni−Znフェライト、M
n−Znフェライト(広義の意味でセラミックという)
などの磁性体セラミック材料などが挙げられる。ガラス
成分のフリットは、焼成処理することによってコージェ
ライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネ
ル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライ
トや、その置換誘導体の結晶や、スピネル構造の結晶相
を析出するものであればよく、例えば、B2O3、SiO
2、Al2O3、ZnO、アルカリ土類酸化物を含むガラ
スフリットが挙げられる。この絶縁層1a〜1fの厚み
は、例えば100〜300μm程度である。The insulating layers 1a to 1f are, for example, 850 to 10
Glass that can be fired at a relatively low temperature of around 50 ° C
Made of ceramic material. Specific ceramic materials include insulating ceramic materials such as cristobalite, quartz, corundum (β-alumina), mullite, cordierite, dielectric ceramic materials such as BaTiO 3 , Pb 4 Fe 2 Nb 2 O 12 , TiO 2 , and Ni -Zn ferrite, M
n-Zn ferrite (ceramic in a broad sense)
And other magnetic ceramic materials. The frit of the glass component is one that precipitates a crystal phase of cordierite, mullite, anorthite, Celsian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite, or a substituted derivative thereof, or a crystal phase of a spinel structure by firing. For example, B 2 O 3 , SiO
2 , glass frit containing Al 2 O 3 , ZnO, and alkaline earth oxide. The thickness of the insulating layers 1a to 1f is, for example, about 100 to 300 μm.
【0041】内部配線導体2、ビアホール導体3、サー
マルビアホール8は、Ag系(Ag単体、Ag−Pd、
Ag−PtなどのAg合金)を主成分とする導体膜(導
体)からなり、内部配線導体2の厚みは8〜15μm程
度である。また、ビアホール導体3、サーマルビアホー
ル8の直径は任意な値とすることができるが、大径化と
して低抵抗化するために、80〜350μmとしてい
る。特に、ビアホール導体3、サーマルビアホール8
は、Ag系材料、β石英、絶縁層1a〜1fを構成する
ガラス成分と概略同一のガラス成分からなる。The internal wiring conductor 2, the via hole conductor 3, and the thermal via hole 8 are made of an Ag-based material (Ag alone, Ag-Pd,
It is made of a conductor film (conductor) mainly composed of Ag alloy such as Ag-Pt, and the thickness of the internal wiring conductor 2 is about 8 to 15 μm. The diameters of the via-hole conductor 3 and the thermal via-hole 8 can be set to arbitrary values, but are set to 80 to 350 μm in order to increase the diameter and reduce the resistance. In particular, via-hole conductor 3, thermal via-hole 8
Is composed of an Ag-based material, β-quartz, and a glass component substantially the same as the glass component constituting the insulating layers 1a to 1f.
【0042】表面配線導体4、端子電極42は、Ag系
(Ag単体、Ag−Pd、Ag−PtなどのAg合金)
を主成分とする導体膜から成り、主に基体1の表面にお
いては、所定回路網を構成するとともに、半田を介して
接合される回路構成部品6の接続パッドとなったり、ま
た、厚膜抵抗膜、厚膜コンデンサ素子の端子電極とな
る。また、基体1の裏面においては、ビアホール導体
3、8と接続する端子電極42a〜42cが形成されて
いる。The surface wiring conductor 4 and the terminal electrode 42 are made of Ag (Ag alone, Ag alloy such as Ag-Pd, Ag-Pt).
Mainly on the surface of the base 1, constitutes a predetermined circuit network, serves as connection pads for circuit components 6 joined via solder, and has a thick film resistance. It becomes a terminal electrode of a film or thick film capacitor element. Further, on the back surface of the base 1, terminal electrodes 42a to 42c connected to the via hole conductors 3 and 8 are formed.
【0043】樹脂9は例えばエポキシ系樹脂やシリコン
樹脂などを用い、電子部品素子5のワイヤボンディング
後にキャビティ7を埋めるように塗布して乾燥・硬化さ
せることにより、電子部品素子5を封止する。これによ
り電子部品素子5を外部環境から保護して電気的特性の
安定及び防水等の信頼性を確保することができる。The resin 9 is, for example, an epoxy resin or a silicon resin, and is applied to fill the cavity 7 after wire bonding of the electronic component 5 and is dried and cured to seal the electronic component 5. As a result, the electronic component element 5 can be protected from the external environment, and stable electrical characteristics and reliability such as waterproofing can be secured.
【0044】なお、キャビティ7形成面を下にして実装
するため、樹脂7は基体1表面から突出しないようにす
る必要がある。Since the mounting is performed with the cavity 7 forming surface facing down, it is necessary that the resin 7 does not protrude from the surface of the base 1.
【0045】まず、積層体1の絶縁層1a〜1fとなる
大型のグリーンシート、内部配線導体2、ビアホール導
体3、サーマルビアホール8を形成するための例えばA
g系の導電性ペースト、表面配線導体4を形成するため
の例えばAu系、Ag系の導電性ペーストを形成するた
めのガラスペーストを用意する。First, for example, A for forming large green sheets, internal wiring conductors 2, via hole conductors 3, and thermal via holes 8 which become the insulating layers 1 a to 1 f of the laminate 1.
A g-based conductive paste and a glass paste for forming, for example, an Au-based and Ag-based conductive paste for forming the surface wiring conductor 4 are prepared.
【0046】グリーンシートは、複数の電子部品装置1
0を抽出できるように、複数の基体領域を有しており、
例えば、セラミック粉末、低融点ガラス成分のフリッ
ト、有機バインダ、有機溶剤を均質混練したスラリー
を、ドクターブレード法によって所定厚みにテープ成型
して、所定大きさに切断してシートである。The green sheet is used for a plurality of electronic component devices 1.
It has a plurality of substrate regions so that 0 can be extracted,
For example, a slurry is obtained by uniformly kneading a ceramic powder, a frit of a low-melting-point glass component, an organic binder, and an organic solvent into a tape by a doctor blade method to a predetermined thickness, and cutting into a predetermined size to form a sheet.
【0047】次に、絶縁層1a〜1fとなるグリーンシ
ートの各基体領域に、ビアホール導体3、サーマルビア
ホール8となる貫通穴、キャビティ7となる貫通穴をパ
ンチングによって形成する。Next, a via-hole conductor 3, a through-hole serving as a thermal via-hole 8, and a through-hole serving as a cavity 7 are formed in each base region of the green sheet serving as the insulating layers 1a to 1f by punching.
【0048】ここで、サーマルビアホール8となる貫通
穴は、複数のビアホール単体8a、8bとなる貫通穴が
互いに直線状に重なり合うように連設される。具体的に
は、貫通穴を形成するピンを、第1回目の穿孔を行なっ
た後、位置をずられして第2回目の穿孔を行なう。Here, the through holes serving as the thermal via holes 8 are continuously provided so that the through holes serving as the plurality of via holes 8a and 8b linearly overlap each other. Specifically, after the first drilling of the pin forming the through hole is performed, the pin is shifted and the second drilling is performed.
【0049】次に、貫通穴が形成された各グリーンシー
トを、和紙、PETフィルムなどからなる敷き紙を敷い
ておき、該貫通穴にビアホール導体3、サーマルビアホ
ール8となる貫通穴に、Ag系導電性ペーストを印刷・
充填する。また、誘絶縁層1b〜1eとなるグリーンシ
ート上には、内部配線導体2となる導体膜を、Ag系導
電性ペーストの印刷・乾燥によって形成する。尚、この
内部配線導体2時に、絶縁層1cの裏面側の主面に、ダ
イアタッチ導体膜41となる導体膜を、また、、絶縁層
1bの裏面側の主面に、電極パッド部43、引き回し配
線21となる導体膜を形成する。また、絶縁層1fの表
面側となるグリーンシート上には表面配線導体4となる
導体膜を、絶縁層1aの裏面となるグリーンシート上に
は、各種端子電極42a〜cとなる導体膜をAg系導電
性ペーストの印刷・乾燥によって形成する。Next, each green sheet having a through hole formed thereon is laid with a laying sheet made of Japanese paper, PET film, or the like, and the through holes serving as the via-hole conductor 3 and the thermal via hole 8 are provided with Ag-based materials. Print conductive paste
Fill. Further, on the green sheet to be the insulating layers 1b to 1e, a conductor film to be the internal wiring conductor 2 is formed by printing and drying an Ag-based conductive paste. At the time of this internal wiring conductor 2, a conductor film to be the die attach conductor film 41 is provided on the main surface on the back side of the insulating layer 1c.
On the main surface on the back side of 1b, a conductor film to be the electrode pad portion 43 and the lead-out wiring 21 is formed. On the green sheet on the front surface side of the insulating layer 1f, a conductive film as the surface wiring conductor 4 is formed, and on the green sheet on the back surface of the insulating layer 1a, a conductive film as the various terminal electrodes 42a to 42c is formed. It is formed by printing and drying a system conductive paste.
【0050】次に、このようなグリーンシートを敷き紙
上から外し、絶縁層1a〜1fとなるリーンシートを積
層順に応じて積層一体化して大型積層体を形成する。Next, such a green sheet is removed from the spreadsheet, and the lean sheets to be the insulating layers 1a to 1f are laminated and integrated in a lamination order to form a large laminated body.
【0051】次に、未焼成状態の大型積層体に、各基体
領域を区画するように分割溝を形成する。Next, division grooves are formed in the large-sized laminate in an unfired state so as to partition each base region.
【0052】次に、未焼成状態の大型積層体を、酸化性
雰囲気または大気雰囲気で同時焼成処理する。なお、こ
の焼成工程は、脱バインダ過程と焼結過程からなる。Next, the unfired large-sized laminate is simultaneously fired in an oxidizing atmosphere or an air atmosphere. The firing step includes a binder removal step and a sintering step.
【0053】脱バインダ過程は、絶縁層1a〜1fとな
るグリーンシート、内部配線導体2となる導体膜、ダイ
アタッチ導体膜41となる導体、引き回し配線21となる
導体膜、電極パッド部43となる導体膜、ビアホール導体
3、サーマルビアホール8となる導体、表面配線導体4
となる導体膜に含まれる有機成分を焼失させるためのも
のである。また、焼結過程は、ガラス−セラミックのグ
リーンシートのガラス成分を結晶化させると同時にセラ
ミック粉末の粒界に均一に分散させ、積層体に一定強度
を与え、上述の各種導体膜、ビアホール導体3、サーマ
ルビアホール8となる導体の金属粉末、Ag粉末を粒成
長させ、低抵抗化させて、絶縁層1a〜1fと一体化さ
せるものである。In the binder removal process, a green sheet serving as the insulating layers 1a to 1f, a conductor film serving as the internal wiring conductor 2, a conductor serving as the die attach conductor film 41, a conductor film serving as the routing wiring 21, and an electrode pad portion 43 are formed. Conductor film, via hole conductor 3, conductor to be thermal via hole 8, surface wiring conductor 4
This is for burning off the organic components contained in the conductive film to be formed. In the sintering process, the glass component of the glass-ceramic green sheet is crystallized and simultaneously dispersed uniformly at the grain boundaries of the ceramic powder to give a constant strength to the laminate, and the above-described various conductor films and via-hole conductors 3 are provided. In addition, the metal powder and the Ag powder of the conductor which becomes the thermal via hole 8 are grain-grown to lower the resistance and are integrated with the insulating layers 1a to 1f.
【0054】これにより、複数の基体1が連接された大
型基板が達成されることになる。Thus, a large-sized substrate having a plurality of bases 1 connected thereto is achieved.
【0055】そして、各基体領域のキャビティ7内に、
電子部品素子5を収容(ダイアタッチ接合)させて、電
極パッド43との間にAlまたはAuのワイヤボンディ
ング51などにより電気的に接続し、さらに電子部品素
子5を樹脂9によって封止する。Then, in the cavity 7 of each base region,
The electronic component element 5 is housed (die-attached), electrically connected to the electrode pad 43 by Al or Au wire bonding 51, and the electronic component element 5 is sealed with a resin 9.
【0056】この後、基体1のキャビティ7形成面と反
対側の面である基体表面に、厚膜抵抗素子、各種回路構
成部品6を半田などで接合・実装を行う。After that, the thick film resistance element and various circuit components 6 are joined and mounted on the surface of the substrate 1 opposite to the surface on which the cavity 7 is formed by soldering or the like.
【0057】最後に、各基体1を区画する分割溝に沿っ
て分割処理を行う。これにより、大型基板からは、図1
に示す複数の電子部品装置10が抽出されることにな
る。Lastly, a dividing process is performed along the dividing groove which divides each base 1. As a result, from a large substrate, FIG.
Are extracted.
【0058】かくして、本発明の電子部品装置10は、
底面に電子部品素子収納用キャビティ7及び端子電極4
2を有する絶縁基体1に、該キャビティ7内に収容され
る電子部品素子5を配置するとともに、絶縁基体1の表
面に表面配線導体4及びそれに接続する回路構成部品6
を搭載して成る。Thus, the electronic component device 10 of the present invention
Electronic component element storage cavity 7 and terminal electrode 4 on the bottom
The electronic component element 5 accommodated in the cavity 7 is disposed on the insulating base 1 having the surface wiring conductor 2, and the surface wiring conductor 4 and the circuit component 6 connected thereto are provided on the surface of the insulating base 1.
It is equipped with.
【0059】即ち、基体1の表面には、キャビティ7が
存在することがなく、その基体1の表面全体に、回路を
構成する回路構成部品6を配置することができる。これ
により、基体1に搭載される電子部品素子5や回路構成
部品6を高密度に実装することができ、もって電子部品
装置の小型化が達成される。That is, the cavity 7 does not exist on the surface of the base 1, and the circuit components 6 constituting the circuit can be arranged on the entire surface of the base 1. Thereby, the electronic component element 5 and the circuit component 6 mounted on the base 1 can be mounted at a high density, and the size of the electronic component device can be reduced.
【0060】これは、電子部品素子5の動作によって、
発生する熱の放出手段を、キャビティの周囲領域に形成
し、基体1の裏面側に熱伝導されているために、達成さ
れることができるものである。具体的には、電子部品素
子5が搭載されるダイアタッチ導体膜41に接続し、基
体1の裏面側に延びるサーマルビアホール8によって、
熱の放出を行なっている。しかも、サーマルビアホール
8の他端は、基体1の底面に形成された端子電極42
a、42bに接合している。This is because of the operation of the electronic component element 5,
This can be achieved because the means for releasing generated heat is formed in the peripheral region of the cavity and is thermally conducted to the back side of the base 1. Specifically, the thermal via hole 8 is connected to the die attach conductor film 41 on which the electronic component element 5 is mounted and extends to the back surface side of the base 1.
It is releasing heat. Moreover, the other end of the thermal via hole 8 is connected to the terminal electrode 42 formed on the bottom surface of the base 1.
a, 42b.
【0061】この電子部品装置をプリントボード上に実
装した場合には、サーマルビアホール8と接合する端子
電極42a、42bは、プリントボード側の配線に表面
実装されるので、電子部品素子5の動作による熱は、プ
リントボードの広い面積に放出させることができる。ま
た、本発明では、引き回し配線21は、複数のサーマル
ビアホール8の間に縫うように配置されている。ここ
で、ダイアタッチ導体膜41をグランド電位(これに接
続するサーマルビアホール8もグランド電位となる)と
すると、引き回し配線21がグランド電位間を通過する
ために、この配線にノイズが載りにくく、電子部品素子
5の安定した動作が発生されることになる。When this electronic component device is mounted on a printed board, the terminal electrodes 42a and 42b to be joined to the thermal via holes 8 are surface-mounted on the wiring on the printed board side. Heat can be dissipated over a large area of the printed board. Further, in the present invention, the routing wiring 21 is arranged so as to be sewn between the plurality of thermal via holes 8. Here, if the die attach conductor film 41 is set to the ground potential (the thermal via hole 8 connected to the same is also at the ground potential), the routing wiring 21 passes between the ground potentials. The stable operation of the component element 5 is generated.
【0062】本発明では、電子部品素子5の動作により
発生する熱を効率よく基体1の裏面側に放出するため
に、ダイアタッチ導体膜41との接合面積を大きくし、
また、サーマルビアホール8の断面形状を大きくしてい
る。同時に、サーマルビアホール8の形状を制御して、
サーマルビアホール8となる導体が、グリーンシートの
貫通穴から欠落しないようにしている。In the present invention, in order to efficiently release the heat generated by the operation of the electronic component element 5 to the back side of the base 1, the bonding area with the die attach conductor film 41 is increased.
Further, the cross-sectional shape of the thermal via hole 8 is increased. At the same time, by controlling the shape of the thermal via hole 8,
The conductor serving as the thermal via hole 8 is prevented from dropping from the through hole of the green sheet.
【0063】即ち、サーマルビアホール8は、図3に示
すように2つのビアホール単体8a、8bが互いに直線
状に重なり合うように連設されて構成されている。即
ち、ビアホール8a、8bが完全に分離した場合または
重なった場合に比べて、単位面積当たりのサーマルビア
ホール8の形成密度が増大するとともに、サーマルビア
ホール8の金属導体となる導電性ペーストをグリーンシ
ート上に維持するために、開口周囲距離を極大化してい
る。That is, as shown in FIG. 3, the thermal via hole 8 is formed by continuously connecting two via holes 8a and 8b so as to linearly overlap each other. That is, as compared with the case where the via holes 8a and 8b are completely separated or overlapped, the formation density of the thermal via holes 8 per unit area is increased, and the conductive paste serving as the metal conductor of the thermal via holes 8 is coated on the green sheet. In order to maintain the distance around the opening, the distance around the opening is maximized.
【0064】このメカニズムについて、図3を用いて説
明する。サーマルビアホール8内で導電ペーストは、外
周によって支えられているため、サーマルビアホール8
の外周/面積の比が大きくなるほど、導電性ペーストの
充填維持性が良好になる。サーマルビアホール8の長さ
mと外周/面積の比の関係を算出した結果を図3に示
す。ここで、サーマルビアホール8の外周距離が、面積
に対して最大となるのは、m=3rの点を極大となる。
すなわち、一方のビアホール単体8aの外周が、他方の
ビアホール単体8bの中心Cと重なる場合、最も導電性
ペーストの充填性が良好になり、それよりビアホール8
a、8bが互いに分離または重なるにつれて、導電性ペ
ーストの充填性は低下する。発明者が種々検討した結
果、サーマルビアホール8の重なり方向の距離mの範囲
は、2.2r≦m≦3.8r、好ましくは2.5r≦m
≦3.5rの範囲にあることが望ましい。This mechanism will be described with reference to FIG. Since the conductive paste is supported by the outer periphery in the thermal via hole 8, the thermal via hole 8
As the ratio of the outer periphery / area increases, the filling retention of the conductive paste becomes better. FIG. 3 shows the result of calculating the relationship between the length m of the thermal via hole 8 and the ratio of the outer periphery / area. Here, the point at which the outer peripheral distance of the thermal via hole 8 becomes maximum with respect to the area is the maximum at the point of m = 3r.
That is, when the outer periphery of one via hole 8a overlaps the center C of the other via hole 8b, the filling property of the conductive paste becomes the best, and the via hole 8
As a and 8b separate or overlap with each other, the filling property of the conductive paste decreases. As a result of various studies by the inventor, the range of the distance m in the overlapping direction of the thermal via hole 8 is 2.2r ≦ m ≦ 3.8r, preferably 2.5r ≦ m.
It is desirable to be in the range of ≦ 3.5r.
【0065】ここで、mが大きくなり、ビアホール単体
8a、8bが独立に存在する場合には、夫々の貫通穴を
形成した時の、その貫通穴間のグリーンシート強度が弱
くなり、貫通穴間のつなぎ部が切れて、積層できなくな
る。Here, if m becomes large and the via holes 8a and 8b are independently provided, the strength of the green sheet between the through holes when each through hole is formed becomes weak, and the distance between the through holes becomes small. The connection part is broken, and it becomes impossible to laminate.
【0066】なお、本発明は以上の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の変更・改良を加えることは何ら差し支えない。例え
ば、図2や図4に示すように、サーマルビアホール8を
3つのビアホール単体8a〜8cで構成してもよく、ま
た、これ以上の数のビアホール単体で構成してもよい。The present invention is not limited to the above embodiments, and various changes and improvements can be made without departing from the scope of the present invention. For example, as shown in FIGS. 2 and 4, the thermal via hole 8 may be composed of three via holes 8a to 8c alone, or may be composed of more via holes.
【0067】また、積層毎にサーマルビアホールを増減
させながら連続させても良い。例えば、絶縁層1bに形
成するサーマルビアホール8を2つのサーマルビアホー
ル単体で形成し、絶縁層1aに形成するサーマルビアホ
ール8を3つのサーマルビアホール単体で形成してもよ
い。また、各絶縁層1a、1bとの間でサーマルビアホ
ールをビアホール単体1つ分をずらしても配置してもよ
い。また、連接されるビアホール単体の直径の異なるも
のを組み合わせてサーマルビアホールを組み合わせても
良い。Further, the thermal via holes may be continuously formed while increasing or decreasing the number of thermal via holes for each lamination. For example, the thermal via hole 8 formed in the insulating layer 1b may be formed by two single thermal via holes, and the thermal via hole 8 formed in the insulating layer 1a may be formed by three single thermal via holes. Further, the thermal via holes may be arranged so as to be shifted by one via hole between the insulating layers 1a and 1b. Further, thermal via holes may be combined by combining via holes having different diameters from each other.
【0068】また、熱伝導部材としてのサーマルビアホ
ールの形状を円形の他にも四角形や楕円形等の種々の形
状としてもよい。また、サーマルビアホール用の貫通穴
の形成方法として、プレスピンで穴をあける方法の他、
レーザーで穴をあけても良い。The shape of the thermal via hole as the heat conducting member may be various shapes such as a quadrangle and an ellipse in addition to a circle. In addition, as a method of forming a through hole for a thermal via hole, other than a method of forming a hole with a press pin,
Holes may be made with a laser.
【0069】[0069]
【発明の効果】以上のように、本発明の電子部品装置に
よれば、キャビティ開口周囲に、基体厚み方向に延びる
サーマルビアホールを設け、該サーマルビアホールの一
端部をダイアタッチ導体膜に接合し、且つ他端を基体の
裏面に導出させている。このため、キャビティ形成領域
の基体表面に回路構成部品を実装することが可能である
ため、電子部品装置の小型化、高密度化、高機能化を実
現できる。As described above, according to the electronic component device of the present invention, the thermal via hole extending in the thickness direction of the base is provided around the cavity opening, and one end of the thermal via hole is joined to the die attach conductor film. And the other end is led out to the back of the base. For this reason, since circuit components can be mounted on the surface of the base in the cavity forming region, the electronic component device can be reduced in size, increased in density, and enhanced in function.
【0070】また、ダイアタッチ導体膜をキャビティの
周囲に延在させ、サーマルビアホールを内部配線導体に
接触しない範囲で、自由に設けることができ、放熱性を
向上させることができる。Further, the die attach conductor film can be extended around the cavity, and the thermal via hole can be freely provided as long as it does not come into contact with the internal wiring conductor, so that the heat dissipation can be improved.
【0071】また、サーマルビアホールは、複数のビア
ホール単体が互いに直線状に重なり合うように連設され
て構成されているため、単位面積当たりのサーマルビア
ホールの形成密度が増大するとともに、サーマルビアホ
ールの印刷充填時に金属ペーストの充填維持性が良好に
なる。Further, since the thermal via holes are formed in such a manner that a plurality of via holes alone are continuously arranged so as to linearly overlap each other, the formation density of the thermal via holes per unit area increases, and the thermal via holes are printed and filled. Sometimes the filling retention of the metal paste is improved.
【図1】本発明の電子部品装置の一実施形態を示す断面
図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of an electronic component device of the present invention.
【図2】図1の電子部品装置の裏面図である。FIG. 2 is a rear view of the electronic component device of FIG. 1;
【図3】本発明のサーマルビアホールの一実施形態を示
す拡大平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view showing one embodiment of a thermal via hole of the present invention.
【図4】本発明のサーマルビアホールの他の実施形態を
示す拡大平面図である。FIG. 4 is an enlarged plan view showing another embodiment of the thermal via hole of the present invention.
【図5】従来の電子部品装置の一実施形態を示す断面図
である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing one embodiment of a conventional electronic component device.
10、60 電子部品装置 1、61 基体 1a〜1f 絶縁層 2 内部配線導体 3 ビアホール導体 4 表面配線導体 41、71 ダイアタッチ導体膜 42、72 端子電極 43 電極パッド部 5、65 電子部品素子 51 ワイヤボンディング 6 回路構成部品 7、67 キャビティ 8、68 サーマルビアホール 9、69 樹脂 10, 60 Electronic component device 1, 61 Base 1a to 1f Insulating layer 2 Internal wiring conductor 3 Via hole conductor 4 Surface wiring conductor 41, 71 Die attach conductor film 42, 72 Terminal electrode 43 Electrode pad part 5, 65 Electronic component element 51 Wire Bonding 6 Circuit component 7, 67 Cavity 8, 68 Thermal via hole 9, 69 Resin
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H01L 25/08 B 7/20 Fターム(参考) 5E322 AA11 EA11 FA04 5E338 AA03 AA18 BB03 BB05 BB16 BB19 BB25 BB63 BB75 CC01 CC06 CC08 CD32 EE02 5E346 AA11 AA12 AA15 AA60 BB01 BB06 BB16 CC18 DD02 DD34 EE24 FF18 FF45 GG03 HH17 5F036 AA01 BA23 BC33 BD01 BD21──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/46 H01L 25/08 B 7/20 F term (Reference) 5E322 AA11 EA11 FA04 5E338 AA03 AA18 BB03 BB05 BB16 BB19 BB25 BB63 BB75 CC01 CC06 CC08 CD32 EE02 5E346 AA11 AA12 AA15 AA60 BB01 BB06 BB16 CC18 DD02 DD34 EE24 FF18 FF45 GG03 HH17 5F036 AA01 BA23 BC33 BD01 BD21
Claims (4)
線導体膜を有する絶縁基体と、前記キャビティ内に収容
される電子部品素子と、前記絶縁基体の表面に搭載さ
れ、表面配線導体膜に接続している回路構成部品とから
成る電子部品装置において、 前記キャビティ開口周囲に、前記電子部品素子の動作に
よる熱を前記絶縁基体の底面側に放熱する放熱手段を設
けたことを特徴とする電子部品装置。1. An insulating base having a cavity on a bottom surface and a surface wiring conductor film on a surface, an electronic component element housed in the cavity, and a surface wiring conductor film mounted on a surface of the insulating base. An electronic component device comprising circuit components connected to each other, wherein a radiator for radiating heat generated by the operation of the electronic component element to a bottom side of the insulating base is provided around the cavity opening. Parts equipment.
周囲の基体厚み方向に延びるビアホール導体で形成され
ていることを特徴とする請求項1記載の電子部品装置。2. The electronic component device according to claim 1, wherein said heat radiating means is formed of a via-hole conductor extending in a thickness direction of the base around the opening of said cavity.
電子部品素子が搭載されるダイアタッチ導体膜を有する
とともに、前記ビアホール導体の一端部は、該ダイアタ
ッチ導体膜に接合し、且つ他端は基体の底面に実質的に
露出していることを特徴とする請求項2記載の電子部品
装置。3. The mounting bottom in the cavity has a die attach conductor film on which the electronic component element is mounted, and one end of the via hole conductor is joined to the die attach conductor film and the other end is provided. 3. The electronic component device according to claim 2, wherein the device is substantially exposed on the bottom surface of the base.
ルが互いに直線状に重なり合うように連設されて構成さ
れている請求項2記載の電子部品装置。4. The electronic component device according to claim 2, wherein the via-hole conductor is configured such that a plurality of via-holes are continuously provided so as to linearly overlap each other.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001097938A JP2002299775A (en) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | Electronic component device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001097938A JP2002299775A (en) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | Electronic component device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2002299775A true JP2002299775A (en) | 2002-10-11 |
Family
ID=18951643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001097938A Pending JP2002299775A (en) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | Electronic component device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2002299775A (en) |
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