KR20140136743A - High frequency module - Google Patents

High frequency module Download PDF

Info

Publication number
KR20140136743A
KR20140136743A KR1020130057207A KR20130057207A KR20140136743A KR 20140136743 A KR20140136743 A KR 20140136743A KR 1020130057207 A KR1020130057207 A KR 1020130057207A KR 20130057207 A KR20130057207 A KR 20130057207A KR 20140136743 A KR20140136743 A KR 20140136743A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
auxiliary
main
ground electrode
electromagnetic wave
Prior art date
Application number
KR1020130057207A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101994714B1 (en
Inventor
송현정
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020130057207A priority Critical patent/KR101994714B1/en
Publication of KR20140136743A publication Critical patent/KR20140136743A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101994714B1 publication Critical patent/KR101994714B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

The present invention relates to a high frequency module having an electromagnetic wave shield function. According to an embodiment of the present invention, the high frequency module may include: a main board which has an upper surface on which at least one electronic component is mounted and a main ground electrode; a sub board bonded to the edge of the lower surface of the main board; a molding part which seals the electronic component mounted on the upper surface of the main board; and an electromagnetic wave shield part formed on the side of the main board and the surface of the molding part. The sub board protrudes from the main board with a preset length to be bonded. The sub board has a sub ground electrode which has the preset length on the opposite surface of the main board. The sub ground electrode can be electrically connected to the electromagnetic wave shield part.

Description

고주파 모듈{HIGH FREQUENCY MODULE}HIGH FREQUENCY MODULE

본 발명은 전자파 차폐 기능을 가지는 고주파 모듈에 관한 것이다.
The present invention relates to a high frequency module having an electromagnetic wave shielding function.

최근 통신 기술의 발전에 따라, 모바일 폰, PDA(Personal Digital Assistants), 스마트 폰 등의 이동통신 단말기 및 각종 멀티미디어 단말기(예를 들어, MP3, PMP) 등과 같은 다양한 디지털 기기가 개발되고 있다. 이러한 디지털 기기는 휴대용으로 보급되는 것이 일반적인데, 이를 만족하기 위하여 디지털 기기에 내장되는 전자 부품 및 소자들은 소형화 및 경량화되는 추세에 있다.2. Description of the Related Art [0002] With the recent development of communication technologies, various digital devices such as mobile phones, PDAs (personal digital assistants), mobile communication terminals such as smart phones, and various multimedia terminals (e.g., MP3, PMP) In order to satisfy such a demand, electronic components and devices incorporated in digital devices are becoming smaller and lighter.

이러한 전자 부품 및 소자들의 소형화 및 경량화를 실현하기 위하여 실장 부품의 사이즈를 감소하는 기술뿐만 아니라 다수의 개별 소자들은 하나의 칩에 형성하는 시스템 온 칩 기술, 하나의 패키지로 집적하는 시스템 인 패키지 기술 등이 요구되고 있다.In order to realize miniaturization and weight reduction of such electronic parts and devices, not only a technology for reducing the size of mounting parts but also a system-on-chip technology for forming a plurality of discrete elements in one chip, a package technology .

다만, 다양한 주파수 대역을 이용하는 각종 전자 부품 및 소자들을 하나의 모듈로 구현하는 경우, 전자파 장애가 발생하여 오작동이 발생할 우려가 있다. 이러한 전자파 장애를 해소하고, 전자파 간섭(EMI) 또는 전자파 내성(EMS) 특성을 우수하게 구현하기 위해 고주파 모듈에서 전자파 차폐 구조를 채용하는 것이 일반적이다. 고주파 차폐를 위한 구조로서 기판에 개별 소자들을 실장한 후 개별 소자들을 커버하는 금속 케이스 구조가 널리 알려져 있다.
However, when various electronic parts and devices using various frequency bands are implemented as a single module, there is a fear that an electromagnetic interference occurs and malfunctions occur. In order to solve such electromagnetic interference and to realize excellent electromagnetic interference (EMI) or electromagnetic immunity (EMS) characteristics, it is common to employ an electromagnetic wave shielding structure in a high frequency module. As a structure for high frequency shielding, a metal case structure that covers discrete elements after discrete elements are mounted on a substrate is well known.

하기의 선행기술문헌 중 특허문헌 1은 전자파 차단형 반도체 패키지 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 기판의 단면에 실장되는 부품들에 의해 발생되는 전자파가 외부로 방출되는 것을 차단하는 전자파 차단부재를 개시하고 있으나, 기판의 양면에서 발생하는 전자파를 차단하기 위한 내용을 개시하고 있지 못하다.
Among the following prior art documents, Patent Document 1 discloses an electromagnetic wave shielding type semiconductor packaging device and a manufacturing method thereof, and discloses an electromagnetic wave shielding member that shields electromagnetic waves generated by parts mounted on an end surface of a substrate from being emitted to the outside However, it does not disclose contents for shielding electromagnetic waves generated on both sides of the substrate.

한국 공개특허공보 2012-0134922Korean Patent Publication No. 2012-0134922

본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판의 양면에 실장되는 전자 부품들에 의해 발생되는 전자파 및 외부로부터 유입되는 전자파를 효과적으로 차폐할 수 있는 고주파 모듈을 제공한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a high frequency module capable of effectively shielding electromagnetic waves generated by electronic parts mounted on both sides of a substrate and electromagnetic waves flowing from the outside.

본 발명의 제1 기술적인 측면에 따르면, 상면에 적어도 하나의 전자 부품을 실장하며, 내부에 메인 접지 전극을 구비하는 메인 기판; 상기 메인 기판의 하면의 가장자리에 접착되는 보조 기판; 상기 메인 기판의 상면에 실장되는 전자 부품을 밀봉하는 몰딩부; 및 상기 몰딩부의 표면 및 상기 메인 기판의 측면에 형성되는 전자파 차폐부; 를 포함하고, 상기 보조 기판은 상기 메인 기판에 대하여 소정 길이만큼 돌출되어 접착되고, 상기 보조 기판은 상기 메인 기판과의 대향면에 상기 소정 길이를 가지는 보조 접지 전극을 구비하고, 상기 보조 접지 전극은 상기 전자파 차폐부와 전기적으로 접속되는 고주파 모듈을 제안한다. According to a first technical aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a main substrate having at least one electronic component mounted on an upper surface thereof and having a main ground electrode inside; An auxiliary substrate adhered to an edge of a lower surface of the main substrate; A molding part sealing an electronic part mounted on an upper surface of the main board; An electromagnetic wave shielding part formed on a surface of the molding part and a side surface of the main substrate; Wherein the auxiliary substrate is protruded and adhered to the main substrate by a predetermined length, and the auxiliary substrate has an auxiliary ground electrode having the predetermined length on a surface facing the main substrate, and the auxiliary ground electrode And a high frequency module electrically connected to the electromagnetic wave shielding portion.

일 실시예에 따르면, 상기 보조 접지 전극은, 상기 보조 기판의 상기 메인 기판과의 대향면에 매립되어 형성될 수 있다.
According to an embodiment, the auxiliary ground electrode may be embedded in a surface of the auxiliary substrate facing the main substrate.

본 발명의 제2 기술적인 측면에 따르면, 상면에 적어도 하나의 전자 부품을 실장하며, 내부에 메인 접지 전극을 구비하는 메인 기판; 상기 메인 기판의 하면의 가장자리에 접착되는 보조 기판; 상기 메인 기판의 상면에 실장되는 전자 부품을 밀봉하는 몰딩부; 및 상기 몰딩부 표면 및 상기 메인 기판의 측면에 형성되는 전자파 차폐부; 를 포함하고, 상기 보조 기판은 상기 메인 기판과의 대향면에 보조 접지 전극을 구비하고, 상기 보조 접지 전극은 상기 보조 기판으로부터 연장되어 상기 전자파 차폐부의 하부를 에워싸는 고주파 모듈을 제안한다.According to a second technical aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a main substrate having at least one electronic component mounted on an upper surface thereof and having a main ground electrode therein; An auxiliary substrate adhered to an edge of a lower surface of the main substrate; A molding part sealing an electronic part mounted on an upper surface of the main board; And an electromagnetic wave shielding part formed on a surface of the molding part and a side surface of the main substrate; Wherein the auxiliary substrate has an auxiliary ground electrode on a surface facing the main substrate and the auxiliary ground electrode extends from the auxiliary substrate to surround the lower portion of the electromagnetic wave shielding portion.

일 실시예에 따르면, 상기 보조 접지 전극은 상기 보조 기판에 매립되어 형성되고, 상기 보조 기판으로부터 연장되어 상기 전자파 차폐부의 하면 및 외측면과 마주할 수 있다. According to one embodiment, the auxiliary ground electrode is formed by being embedded in the auxiliary substrate, and may extend from the auxiliary substrate and face the lower surface and the outer surface of the electromagnetic wave shielding portion.

일 실시예에 따르면, 상기 보조 접지 전극은 상기 전자파 차폐부와 전기적으로 접속될 수 있다. According to an embodiment, the auxiliary ground electrode may be electrically connected to the electromagnetic wave shielding portion.

일 실시예에 따르면, 상기 메인 접지 전극은 상기 메인 기판(100)의 측면에서 노출되어, 상기 전자파 차폐부와 전기적으로 접속될 수 있다.According to one embodiment, the main ground electrode may be exposed at the side of the main substrate 100 and electrically connected to the electromagnetic wave shielding portion.

일 실시예에 따르면, 상기 보조 기판은 상기 메인 기판과의 반대면에 솔더 볼이 형성되어, 상시 솔더 볼을 통하여 상기 보조 기판의 하부에 위치하는 마더 보드와 접합될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the auxiliary substrate is formed with a solder ball on the side opposite to the main substrate, and may be bonded to the mother board located below the auxiliary substrate through the solder ball at all times.

일 실시예에 따르면, 상기 전자파 차폐부는, 스프레이 코팅법, 전해 도금법, 비전해 도금법, 스퍼터링 및 기상증착법 중 적어도 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.According to one embodiment, the electromagnetic wave shielding part may be formed by at least one of a spray coating method, an electrolytic plating method, a non-electrolytic plating method, a sputtering method, and a vapor deposition method.

일 실시예에 따르면, 상기 메인 기판 및 상기 보조 기판은, 상기 메인 기판 및 상기 보조 기판을 관통하는 비아 홀에 의해 전기적으로 접속될 수 있다.
According to an embodiment, the main substrate and the auxiliary substrate may be electrically connected to each other by a via hole passing through the main substrate and the auxiliary substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 모듈에 따르면, 기판의 양면에 실장되는 전자 부품들에 의해 발생되는 전자파 및 외부로부터 유입되는 전자파를 효과적으로 차폐할 수 있다.
According to the high frequency module according to an embodiment of the present invention, electromagnetic waves generated by electronic parts mounted on both sides of a substrate and electromagnetic waves introduced from the outside can be effectively shielded.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 모듈을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고주파 모듈을 나타낸 단면도이다.
1 is a cross-sectional view illustrating a high-frequency module according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a high frequency module according to another embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings, which illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled, if properly explained. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several views.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 모듈을 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 고주파 모듈은 메인 기판(100), 보조 기판(200), 몰딩부(300) 및 전자파 차폐부(400)를 포함할 수 있다. 1 is a cross-sectional view illustrating a high-frequency module according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the high frequency module according to the present embodiment may include a main substrate 100, an auxiliary substrate 200, a molding part 300, and an electromagnetic wave shielding part 400.

메인 기판(100) 및 보조 기판(200)은 PCB(Printed Circuit Board) 기판 또는 LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic), HTCC(High Temperature Cofired Ceramic) 등과 같은 세라믹 기판을 사용할 수 있다.The main substrate 100 and the auxiliary substrate 200 may be a PCB (Printed Circuit Board) substrate or a ceramic substrate such as LTCC (Low Temperature Cofired Ceramic) or HTCC (High Temperature Cofired Ceramic).

메인 기판(100)은 내부에 메인 접지 전극(110)을 포함하고, 도시되어 있지 않으나 상면 및 하면에 배선 패턴이 형성될 수 있다. 상하면에는 칩 저항, 칩 스위치, 다이오드, 트랜지스터, 필터, 커패시터, 인덕터 등 다양한 전자 부품들(10)이 실장될 수 있는데, 이러한 전자 부품(10)은 배선 패턴과 전기적으로 접속된다. 예를 들어, 와이어 본딩(Wire Bonding) 또는 플립칩 본딩(Flip Chip Bonding) 등과 같은 방식을 통해 상기 배선 패턴과 전기적으로 접속될 수 있다.
The main substrate 100 includes a main ground electrode 110 therein. Although not shown, a wiring pattern may be formed on the top and bottom surfaces. Various electronic components 10 such as a chip resistor, a chip switch, a diode, a transistor, a filter, a capacitor, and an inductor can be mounted on the upper and lower surfaces, and the electronic component 10 is electrically connected to the wiring pattern. For example, it may be electrically connected to the wiring pattern by a method such as wire bonding or flip chip bonding.

몰딩부(300)는 메인 기판(100)의 상면에서 상면에 실장된 전자 부품(10) 사이에 충진됨으로써 전자 부품들(10)을 외부환경으로부터 보호하는 역할을 하며, 일정 높이로 형성된다. 몰딩부(300)는 예를 들어, 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드, 폴리페닐렌 옥사이드, 에폭시 시트 몰딩 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있다.
The molding part 300 protects the electronic parts 10 from the external environment by being filled between the electronic parts 10 mounted on the upper surface of the main substrate 100 and is formed at a predetermined height. The molding part 300 may be formed of, for example, silicon, an epoxy molding compound, a polyphenylene oxide, or an epoxy sheet molding.

보조 기판(200)은 메인 기판(100)의 하면의 가장자리에 접착될 수 있다. 일 예로, 메인 기판(100)의 하면에 숄더 크림(solder cream)을 도포한 후, 보조 기판(200)을 탑재하고, 이 후, 리플로우 솔더링(reflow soldering)을 실시하여 보조 기판(200)을 메인 기판(100)의 하면에 탑재할 수 있다. 메인 기판(100)과 보조 기판(200)은 메인 기판(100)과 보조 기판(200)을 관통하는 비아홀(미도시)에 의해 전기적으로 접속될 수 있다. 또한, 보조 기판(200)의 메인 기판(100)과의 반대면에는 솔더 볼(220)이 형성될 수 있는데, 보조 기판(200)은 솔더 볼(220)을 통하여 보조 기판(200)의 하부에 위치할 수 있는 마더 보드(mother board)와 접합할 수 있다.
The auxiliary substrate 200 may be adhered to the edge of the lower surface of the main substrate 100. For example, after the solder cream is applied to the lower surface of the main substrate 100, the auxiliary substrate 200 is mounted, and then the substrate 200 is subjected to reflow soldering, And can be mounted on the lower surface of the main board 100. The main substrate 100 and the auxiliary substrate 200 may be electrically connected to each other by via holes (not shown) passing through the main substrate 100 and the auxiliary substrate 200. A solder ball 220 may be formed on the side of the auxiliary board 200 opposite to the main board 100. The auxiliary board 200 may be mounted on the lower portion of the auxiliary board 200 through the solder ball 220. [ And can be bonded to a mother board that can be positioned.

전자파 차폐부(400)는 기판의 상면 및 하면에 실장되는 전자 부품들(10)에 의해 발생되는 전자파 또는 외부로부터 유입되는 전자파를 차단하는 역할을 한다. 전자파 차폐부(400)는 몰딩부(300)의 전체 표면 및 메인 기판(100)의 측면에 형성되는데, 전자파 차폐부(400)는 도전성을 띄는 다양한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어 도전성 분말을 포함하는 수지재와 같은 도전성 몰드부로 형성되거나, 직접 금속 박막을 형성하여 완성될 수 있다. 금속 박막을 형성하는 데는 스퍼터링, 기상증착법, 전해 도금, 비전해 도금, 스프렝이 코팅법과 같이 여러가지 주지의 기술이 사용될 수 있다.The electromagnetic wave shielding part 400 shields electromagnetic waves generated by the electronic parts 10 mounted on the top and bottom surfaces of the substrate or electromagnetic waves flowing from the outside. The electromagnetic wave shielding part 400 is formed on the entire surface of the molding part 300 and the side surface of the main substrate 100. The electromagnetic wave shielding part 400 may be formed of various conductive materials. For example, a conductive mold part such as a resin material including a conductive powder, or may be completed by forming a metal thin film directly. Various known techniques such as sputtering, vapor deposition, electrolytic plating, non-electrolytic plating, and spread coating can be used to form the metal thin film.

메인 기판(100)의 내부에 구비되는 메인 접지 전극(110)이 메인 기판(100)의 측면에서 노출되어 전자파 차폐부(400)와 전기적으로 접속될 수 있는데, 이로써 메인 기판(100)의 상면 및 하면에 탑재되는 전자 부품들(10) 간의 전자파 방해 현상을 효과적으로 차단할 수 있다.The main ground electrode 110 provided in the main substrate 100 may be exposed from the side surface of the main substrate 100 to be electrically connected to the electromagnetic wave shielding portion 400. As a result, It is possible to effectively prevent the electromagnetic interference phenomenon between the electronic parts 10 mounted on the underside.

보조 기판(200)은 상기 메인 기판(100)에 대하여 소정 길이만큼 돌출되어 접착될 수 있다. 이 때, 보조 기판(200)은 메인 기판(100)과의 대향면에는 소정 길이를 가지는 보조 접지 전극(210)이 매립되어 형성될 수 있는데, 보조 접지 전극은 보조 기판(200)의 일 면에서 노출되어 전자파 차폐부(400)와 전기적으로 접속될 수 있다. 보조 접지 전극이 보조 기판(200)의 일면에서 노출되는 길이는 보조 기판(200)이 메인 기판(100)에 대하여 돌출된 길이와 동일할 수 있다.The auxiliary substrate 200 may be bonded to the main substrate 100 by a predetermined length. At this time, the auxiliary substrate 200 may be formed by burying the auxiliary ground electrode 210 having a predetermined length on the surface facing the main substrate 100. The auxiliary ground electrode may be formed on one surface of the auxiliary substrate 200 And may be exposed and electrically connected to the electromagnetic wave shielding part 400. The length of the auxiliary ground electrode exposed from one surface of the auxiliary substrate 200 may be the same as the length of the auxiliary substrate 200 protruding from the main substrate 100.

보조 기판(200)의 메인 기판(100)과의 대향면에 보조 접지 전극(210)을 구비하여, 전자파 차폐부(400)와 전기적으로 접속됨으로써, 전자 부품들(10)에서 발생하는 전자파 및 고주파 모듈로 유입되는 외부 전자파를 효과적으로 차페할 수 있다.
The auxiliary ground electrode 210 is provided on the surface of the auxiliary substrate 200 opposite to the main substrate 100 and electrically connected to the electromagnetic wave shielding portion 400 so that electromagnetic waves and high frequency It is possible to effectively charge the external electromagnetic wave flowing into the module.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고주파 모듈을 나타낸 단면도이다. 본 실시예에 따른 고주파 모듈은 도 1에 도시된 고주파 모듈과 비교할 때, 보조 기판(200)에 형성되는 보조 접지 전극의 형상에서 차이가 있으므로 이를 중심으로 설명하기로 한다.2 is a cross-sectional view illustrating a high frequency module according to another embodiment of the present invention. The high-frequency module according to the present embodiment differs from the high-frequency module shown in FIG. 1 in the shape of the auxiliary ground electrode formed on the auxiliary substrate 200, and will be described mainly.

도 2를 참조하면, 보조 접지 전극(210)은 보조 기판(200)은 메인 기판(100)과의 대향면에 매립되어 형성되고, 이로부터 연장되어 전자파 차폐부(400)의 하부를 에워싸게 된다. 구체적으로, 보조 접지 전극(210)의 일부는 보조 기판(200)의 일 면에 매립되어 형성되고, 이로부터 연장되는 일부는 전자파 차폐부(400)의 하면과 마주하고, 또 다른 일부는 전자파 차폐부(400)의 외측면과 마주하게 된다. 보조 접지 전극이 전자파 차폐부(400)의 하부를 에워쌈으로써, 전자파 차폐부(400)와 전기적으로 접속되어 전자 부품에서 발생하는 전자파 및 고주파 모듈로 유입되는 외부 전자파를 효과적으로 차페할 수 있다.
2, the auxiliary ground electrode 210 is embedded in a surface of the auxiliary substrate 200 opposite to the main substrate 100 and extends from the auxiliary ground electrode 210 to surround the lower portion of the electromagnetic shield 400 . Part of the auxiliary ground electrode 210 is embedded in one surface of the auxiliary substrate 200. A portion extending from the auxiliary ground electrode 210 faces the lower surface of the electromagnetic wave shielding portion 400, And faces the outer surface of the part 400. The auxiliary ground electrode surrounds the lower portion of the electromagnetic wave shielding portion 400 so that the electromagnetic wave generated in the electronic component and the external electromagnetic wave flowing into the high frequency module can be effectively choked by being electrically connected to the electromagnetic wave shielding portion 400.

100: 메인 기판
110: 메인 접지 전극
200: 보조 기판
210: 보조 접지 전극
220: 솔더 볼
300: 몰딩부
400: 전자파 차폐부
100: main substrate
110: main ground electrode
200: auxiliary substrate
210: auxiliary ground electrode
220: Solder ball
300: Molding part
400: electromagnetic wave shielding part

Claims (9)

상면에 적어도 하나의 전자 부품을 실장하며, 내부에 메인 접지 전극을 구비하는 메인 기판;
상기 메인 기판의 하면의 가장자리에 접착되는 보조 기판;
상기 메인 기판의 상면에 실장되는 전자 부품을 밀봉하는 몰딩부; 및
상기 몰딩부의 표면 및 상기 메인 기판의 측면에 형성되는 전자파 차폐부; 를 포함하고,
상기 보조 기판은 상기 메인 기판에 대하여 소정 길이만큼 돌출되어 접착되고, 상기 보조 기판은 상기 메인 기판과의 대향면에 상기 소정 길이를 가지는 보조 접지 전극을 구비하고, 상기 보조 접지 전극은 상기 전자파 차폐부와 전기적으로 접속되는 고주파 모듈.
A main board mounting at least one electronic component on an upper surface thereof and having a main ground electrode inside;
An auxiliary substrate adhered to an edge of a lower surface of the main substrate;
A molding part sealing an electronic part mounted on an upper surface of the main board; And
An electromagnetic wave shielding part formed on a surface of the molding part and a side surface of the main substrate; Lt; / RTI >
Wherein the auxiliary substrate is protruded and attached to the main substrate by a predetermined length and the auxiliary substrate has an auxiliary ground electrode having the predetermined length on the surface facing the main substrate, And a high-frequency module electrically connected to the high-frequency module.
제1항에 있어서, 상기 보조 접지 전극은,
상기 보조 기판의 상기 메인 기판과의 대향면에 매립되어 형성되는 고주파 모듈.
The plasma display apparatus according to claim 1,
Wherein the auxiliary substrate is embedded in a surface of the auxiliary substrate facing the main substrate.
상면에 적어도 하나의 전자 부품을 실장하며, 내부에 메인 접지 전극을 구비하는 메인 기판;
상기 메인 기판의 하면의 가장자리에 접착되는 보조 기판;
상기 메인 기판의 상면에 실장되는 전자 부품을 밀봉하는 몰딩부; 및
상기 몰딩부 표면 및 상기 메인 기판의 측면에 형성되는 전자파 차폐부; 를 포함하고,
상기 보조 기판은 상기 메인 기판과의 대향면에 보조 접지 전극을 구비하고, 상기 보조 접지 전극은 상기 보조 기판으로부터 연장되어 상기 전자파 차폐부의 하부를 에워싸는 고주파 모듈.
A main board mounting at least one electronic component on an upper surface thereof and having a main ground electrode inside;
An auxiliary substrate adhered to an edge of a lower surface of the main substrate;
A molding part sealing an electronic part mounted on an upper surface of the main board; And
An electromagnetic wave shielding part formed on a surface of the molding part and a side surface of the main substrate; Lt; / RTI >
Wherein the auxiliary substrate has an auxiliary ground electrode on a surface facing the main substrate and the auxiliary ground electrode extends from the auxiliary substrate to surround the lower portion of the electromagnetic wave shielding portion.
제3항에 있어서,
상기 보조 접지 전극은 상기 보조 기판에 매립되어 형성되고, 상기 보조 기판으로부터 연장되어 상기 전자파 차폐부의 하면 및 외측면과 마주하는 고주파 모듈.
The method of claim 3,
Wherein the auxiliary ground electrode is embedded in the auxiliary substrate and extends from the auxiliary substrate to face the lower surface and the outer surface of the electromagnetic wave shielding portion.
제4항에 있어서,
상기 보조 접지 전극은 상기 전자파 차폐부와 전기적으로 접속되는 고주파 모듈.
5. The method of claim 4,
And the auxiliary ground electrode is electrically connected to the electromagnetic wave shielding portion.
제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 메인 접지 전극은 상기 메인 기판의 측면에서 노출되어, 상기 전자파 차폐부와 전기적으로 접속되는 고주파 모듈.
The method according to claim 1 or 3,
Wherein the main ground electrode is exposed at a side surface of the main substrate and is electrically connected to the electromagnetic wave shielding portion.
제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 보조 기판은 상기 메인 기판과의 반대면에 솔더 볼이 형성되어, 상시 솔더 볼을 통하여 상기 보조 기판의 하부에 위치하는 마더 보드와 접합되는 고주파 모듈.
The method according to claim 1 or 3,
Wherein the auxiliary substrate has a solder ball formed on a surface opposite to the main substrate and is bonded to a motherboard positioned below the auxiliary substrate through a solder ball at all times.
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 전자파 차폐부는,
스프레이 코팅법, 전해 도금법, 비전해 도금법, 스퍼터링 및 기상증착법 중 적어도 하나의 방법에 의해 형성되는 고주파 모듈.
The apparatus according to claim 1 or 3, wherein the electromagnetic-
A high-frequency module formed by at least one of a spray coating method, an electrolytic plating method, a non-electrolytic plating method, a sputtering method, and a vapor deposition method.
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 메인 기판 및 상기 보조 기판은,
상기 메인 기판 및 상기 보조 기판을 관통하는 비아 홀에 의해 전기적으로 접속되는 고주파 모듈.
The plasma display apparatus according to claim 1 or 3, wherein the main substrate and the sub-
Wherein the main substrate and the auxiliary substrate are electrically connected to each other by via holes passing through the main substrate and the auxiliary substrate.
KR1020130057207A 2013-05-21 2013-05-21 High frequency module KR101994714B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130057207A KR101994714B1 (en) 2013-05-21 2013-05-21 High frequency module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130057207A KR101994714B1 (en) 2013-05-21 2013-05-21 High frequency module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140136743A true KR20140136743A (en) 2014-12-01
KR101994714B1 KR101994714B1 (en) 2019-07-01

Family

ID=52456895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130057207A KR101994714B1 (en) 2013-05-21 2013-05-21 High frequency module

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101994714B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160070513A (en) * 2014-12-10 2016-06-20 주식회사 솔루엠 Case and electronic device having the same
WO2016171507A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 엘지이노텍 주식회사 Electromagnetic wave shielding structure

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210116021A (en) 2020-03-17 2021-09-27 삼성전기주식회사 Communication module

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148597A (en) * 1994-11-17 1996-06-07 Toshiba Corp Semiconductor module
JP2000004071A (en) * 1998-06-16 2000-01-07 Alps Electric Co Ltd Electronic circuit unit
JP2002009225A (en) * 2000-06-20 2002-01-11 Murata Mfg Co Ltd High frequency module
JP2002299775A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp Electronic component device
JP2005093752A (en) * 2003-09-18 2005-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic component device
JP2006332255A (en) * 2005-05-25 2006-12-07 Alps Electric Co Ltd Electronic circuit unit and its manufacturing method
JP2007059846A (en) * 2005-08-26 2007-03-08 Matsushita Electric Works Ltd Projecting and recessed multilayer circuit board module and its production process
KR100703090B1 (en) * 2005-08-30 2007-04-06 삼성전기주식회사 A Back Side Ground Type Flip Chip Semiconductor Package
WO2007060784A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Circuit module and method for fabricating the same
KR20080055670A (en) * 2006-12-13 2008-06-19 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 Package having shield case
JP2009218484A (en) * 2008-03-12 2009-09-24 Tdk Corp Electronic module, and method for manufacturing the electronic module
KR20110133821A (en) * 2010-06-07 2011-12-14 삼성전기주식회사 High frequency package
KR20110134185A (en) * 2010-06-08 2011-12-14 주식회사 동진쎄미켐 A cleaning composition for tft-lcd or semiconductor displays
JP2012049419A (en) * 2010-08-30 2012-03-08 Panasonic Corp Module and method for manufacturing the same
KR20120024284A (en) * 2010-09-06 2012-03-14 삼성전기주식회사 Apparatus for shielding electromagnetic wave, high frequency module having the same and fabricating method thereof
KR20120043503A (en) * 2010-10-26 2012-05-04 삼성전기주식회사 Communication package module and method for manufacturing the same
KR20120045893A (en) * 2010-11-01 2012-05-09 삼성전기주식회사 Semiconductor package module
KR20120131530A (en) * 2011-05-25 2012-12-05 삼성전자주식회사 Memory device and and fabricating method thereof
KR20120134922A (en) 2011-06-03 2012-12-12 에스티에스반도체통신 주식회사 Electromagnetic wave shielding semiconductor package apparatus

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148597A (en) * 1994-11-17 1996-06-07 Toshiba Corp Semiconductor module
JP2000004071A (en) * 1998-06-16 2000-01-07 Alps Electric Co Ltd Electronic circuit unit
JP2002009225A (en) * 2000-06-20 2002-01-11 Murata Mfg Co Ltd High frequency module
JP2002299775A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 Kyocera Corp Electronic component device
JP2005093752A (en) * 2003-09-18 2005-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic component device
JP2006332255A (en) * 2005-05-25 2006-12-07 Alps Electric Co Ltd Electronic circuit unit and its manufacturing method
JP2007059846A (en) * 2005-08-26 2007-03-08 Matsushita Electric Works Ltd Projecting and recessed multilayer circuit board module and its production process
KR100703090B1 (en) * 2005-08-30 2007-04-06 삼성전기주식회사 A Back Side Ground Type Flip Chip Semiconductor Package
WO2007060784A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Circuit module and method for fabricating the same
KR20080055670A (en) * 2006-12-13 2008-06-19 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 Package having shield case
JP2009218484A (en) * 2008-03-12 2009-09-24 Tdk Corp Electronic module, and method for manufacturing the electronic module
KR20110133821A (en) * 2010-06-07 2011-12-14 삼성전기주식회사 High frequency package
KR20110134185A (en) * 2010-06-08 2011-12-14 주식회사 동진쎄미켐 A cleaning composition for tft-lcd or semiconductor displays
JP2012049419A (en) * 2010-08-30 2012-03-08 Panasonic Corp Module and method for manufacturing the same
KR20120024284A (en) * 2010-09-06 2012-03-14 삼성전기주식회사 Apparatus for shielding electromagnetic wave, high frequency module having the same and fabricating method thereof
KR20120043503A (en) * 2010-10-26 2012-05-04 삼성전기주식회사 Communication package module and method for manufacturing the same
KR20120045893A (en) * 2010-11-01 2012-05-09 삼성전기주식회사 Semiconductor package module
KR20120131530A (en) * 2011-05-25 2012-12-05 삼성전자주식회사 Memory device and and fabricating method thereof
KR20120134922A (en) 2011-06-03 2012-12-12 에스티에스반도체통신 주식회사 Electromagnetic wave shielding semiconductor package apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160070513A (en) * 2014-12-10 2016-06-20 주식회사 솔루엠 Case and electronic device having the same
WO2016171507A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 엘지이노텍 주식회사 Electromagnetic wave shielding structure
US10257969B2 (en) 2015-04-24 2019-04-09 Lg Innotek Co., Ltd. Electromagnetic wave shielding structure

Also Published As

Publication number Publication date
KR101994714B1 (en) 2019-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102246040B1 (en) Circuit module
US7327015B2 (en) Semiconductor device package
KR101250737B1 (en) Semiconductor package and method for manufacturing the same
KR101153570B1 (en) Semiconductor package module
KR20120045893A (en) Semiconductor package module
KR101983142B1 (en) Semiconductor package
JPWO2019156051A1 (en) High frequency module
JP2015185812A (en) component built-in circuit board
KR101762627B1 (en) Semiconductor package and method of manufacturing the same
US20240194615A1 (en) Integrated shield package and method
KR101994714B1 (en) High frequency module
US20130250528A1 (en) Circuit module
KR20120043503A (en) Communication package module and method for manufacturing the same
KR20120024284A (en) Apparatus for shielding electromagnetic wave, high frequency module having the same and fabricating method thereof
CN106206547A (en) A kind of integrated circuit package structure and manufacture method thereof
US20160081234A1 (en) Package structure
KR20120039338A (en) Semiconductor package
KR101053296B1 (en) Electronic device with electromagnetic shielding
KR101153536B1 (en) High frequency package
CN110610925A (en) Integrated circuit package and method of manufacturing the same
JP5642559B2 (en) Electronic component module
KR101305581B1 (en) Shield member and pcb comprising the shield member
JP2007067002A (en) High frequency module
KR20110133821A (en) High frequency package
KR20100118349A (en) Electronic apparatus having electro-magnetic interference shielding

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant