JP2002359159A - 固体電解コンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低ＥＳＲ特性を有する固体電解コンデンサを
提供する。 【解決手段】 固体電解質を電解質として用い、コンデ
ンサ素子に用いられる陽極箔のエッチング後の空孔率を
５１％以下、陰極箔のエッチング後の空孔率を４４％以
下とすることにより、低ＥＳＲ特性を有する固体電解コ
ンデンサを得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体電解質を電解
質として用いた固体電解コンデンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子情報機器はデジタル化され、
さらにこれらの電子情報機器の心臓部であるマイクロプ
ロセッサ（ＭＰＵ）の駆動周波数の高速化がすすんでい
る。これに伴って、消費電力の増大化が進み、発熱によ
る信頼性の問題が顕在化し、対策として、駆動電圧の低
減化が図られてきた。ここで、マイクロプロセッサに高
精度な電力を供給する回路として、電圧制御モジュール
（ＶＲＭ）と呼ばれるＤＣ−ＤＣコンバーターが広く使
用されており、その出力側コンデンサには電圧降下を防
ぐため直列等価抵抗（ＥＳＲ）の低いコンデンサが多数
用いられている。この低ＥＳＲ特性を有するコンデンサ
として、固体電解質を電解質として用いた固体電解コン
デンサが実用化され、これらの用途に合ったコンデンサ
として広く用いられている。

【０００３】しかしながら、マイクロプロセッサの駆動
周波数の高速化は著しく、それに伴って消費電力が増大
し、それに対応するために電圧降下を防ぐためのコンデ
ンサからの供給電力の増大化が求められている。すなわ
ち、大きな電力を短時間で供給することができなければ
ならず、このために前記の固体電解コンデンサには大容
量化、小型化、低電圧化と共に、これまでよりもさらに
低いＥＳＲ特性が要求される。

【０００４】ここで、固体電解コンデンサについて説明
すると、アルミニウム，タンタル又はニオブなどの弁作
用金属箔にエッチングを施し表面積を拡大した後、陽極
酸化皮膜を形成した陽極箔と、アルミニウム，タンタル
又はニオブなどの弁作用金属箔にエッチングを施して陰
極箔を形成する。この陽極箔と陰極箔の間にクラフト
紙、マニラ紙、ガラスセパレータまたはビニロン、ポリ
エステル繊維などの合成繊維からなる不織布などのセパ
レータを介在し、前記陽極箔及び前記陰極箔の任意な箇
所に陽極引出端子及び陰極引出端子をそれぞれ取着した
状態で巻回しコンデンサ素子を形成する。このコンデン
サ素子に固体電解質を形成して、金属ケース内に収納
し、金属ケース開口部をエポキシ樹脂などからなる封口
樹脂にて密閉、または封口ゴムを挿入、加締め加工によ
って密閉してなるものである。

【０００５】上記構成による固体電解コンデンサは、電
解質として従来の比抵抗が１００Ω−ｃｍオーダーの電
解液に比べて１０数Ω−ｃｍ以下の低い比抵抗を有する
固体電解質を用いているので、前述したようにＥＳＲ特
性の優れたコンデンサである。

【０００６】ところで、この固体電解質としては、従来
より比抵抗が数Ω−ｃｍの二酸化マンガンが用いられ、
その後、比抵抗が１Ω−ｃｍ以下のＴＣＮＱ錯体、ポリ
ピロール、チオフェン誘電体の重合体等を用いた固体電
解コンデンサが実用化されてきたが、ＭＰＵの駆動周波
数のさらなる高速化が進む中で、さらなる小型、大容量
を有し、かつさらなる低ＥＳＲなコンデンサが求められ
ている。発明者等の研究によれば、そうした固体電解コ
ンデンサでは、電解質の比抵抗が低いのにも関わらず、
コンデンサのＥＳＲ低減の効果は十分なものではない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、固体電
解質の低比抵抗化による改善だけではコンデンサのＥＳ
Ｒを低減するには限界があり、さらなるＥＳＲの低減は
難しいといった問題があった。

【０００８】本発明は、上記の問題を解決するために成
されたものであり、比抵抗の低い固体電解質を用いた固
体電解コンデンサにおいて、さらなる低ＥＳＲを実現し
た固体電解コンデンサを提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、発明者が鋭意検討した結果、コンデンサ素子の電
極箔に用いられるエッチング箔の空孔率の最適化を図る
ことによりコンデンサ素子の電解箔が持つ固有抵抗値を
低減し、固体電解コンデンサのさらなるＥＳＲの低減が
可能であることを見いだした。

【００１０】すなわち、コンデンサ素子に固体電解質を
形成して成る固体電解コンデンサにおいて、前記コンデ
ンサ素子の陽極箔に用いられるエッチング箔として、空
孔率が５１％以下のエッチング箔を用いる。このエッチ
ング箔を化成、すなわち陽極酸化して本発明の陽極箔を
得ることができる。このようにエッチング箔の空孔率を
５１％以下とすることによって、陽極箔の導電部分が増
大して陽極箔の抵抗分が低減し、低比抵抗の固体電解質
とあいまって、これまでにない低ＥＳＲ特性を有する固
体電解コンデンサを実現することができるが、空孔率が
５１％を越えると抵抗分が増大して所望のＥＳＲ特性を
得ることができない。さらに、空孔率が２０％以上であ
ると、高容量を得ることができるので好適である。ここ
で、エッチング箔の空孔率とはエッチング箔の空孔容積
を見かけのエッチング箔体積により除することにより算
出した値をいう。

【００１１】さらに、前記の固体電解コンデンサにおい
て、陽極箔の箔厚が７０μｍ以上であると陽極箔の抵抗
分が低減してＥＳＲが低減し、１８０μｍ以下であると
小型化を図ることができるので箔厚は７０〜１８０μｍ
であることが好ましい。

【００１２】また、コンデンサ素子に固体電解質を形成
して成る固体電解コンデンサにおいて、前記コンデンサ
素子の陰極箔に用いられるエッチング箔として、空孔率
が４４％以下のエッチング箔を用いる。エッチング箔の
空孔率を４４％以下とすることにより陰極箔の抵抗分が
低減し、低比抵抗の有機半導体とあいまって、これまで
にない低ＥＳＲ特性を有する固体電解コンデンサを実現
することができるが、空孔率が４４％を越えると抵抗分
が増大して所望のＥＳＲ特性を得ることができない。さ
らに、空孔率が１０％以上であると、高容量を得ること
ができるので好適である。

【００１３】さらに、前記の固体電解コンデンサにおい
て、陰極箔の箔厚が５０〜１８０μｍの範囲にあると、
ＥＳＲがさらに低減し、小型化をも図ることができるの
で好ましい。

【００１４】さらに、前記の電極箔を巻回して構成され
る固体電解コンデンサにおいては、コンデンサの電極箔
が長く本質的に電極箔自体による抵抗分が大きいので、
コンデンサ全体のＥＳＲの低減効果は極めて大きくな
る。

【００１５】ここで、固体電解質としてＴＣＮＱ錯体を
用いると近年要求されているＥＳＲが５〜８ｍΩの低Ｅ
ＳＲを実現することができる。

【００１６】また、（化１）で示されるチオフェン誘電
体の重合体を用いると、ＥＳＲはＴＣＮＱ錯体と同等以
上の特性が得られ、さらにコンデンサの耐熱特性が向上
するので好適である。なかでも反応性、電気特性の良好
な３，４−エチレンジオキシチオフェンが好ましい。

【化１】 ここで、ＸはＯまたはＳ、ＸがＯのとき、Ａはアルキレ
ン、またはポリオキシアルキレン、Ｘの少なくとも一方
がＳのとき、Ａはアルキレン、ポリオキシアルキレン、
置換アルキレン、置換ポリオキシアルキレン、ここで、
置換基はアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基であ
る。

【００１７】また、固体電解質として二酸化マンガンを
用いると、耐熱特性が向上するので好適である。

【００１８】

【発明の実施の形態】さらに、具体的に本発明の実施の
形態について説明する。アルミニウム箔を塩酸水溶液等
からなるエッチング液中で交流エッチングで粗面化し、
空孔率を５１％以下とする。さらに誘電体皮膜を形成す
るためにリン酸水溶液等からなる化成液中で化成を施
し、陽極箔を作製する。このようにエッチング箔の空孔
率を５１％以下、好ましくは４３％以下、さらに好まし
くは３７％以下とすることにより陽極箔の導電部分が増
大して抵抗分が低減するので、固体電解コンデンサのＥ
ＳＲが低減する。このように本発明においては、空孔率
を低減させることにより電極箔の導電部分を増大させて
ＥＳＲの低減を図っているので、エッチングピットの深
さ寸法や面積比率などの状態にかかわらず、例えばエッ
チング箔の両面のエッチングピットの深さが異なるよう
な状態でも、本発明の効果が減ずることはない。さらに
最大限の容量体積効率を確保するために、空孔率が２０
％以上であると、エッチング面積が増大して高容量を得
ることができるので好適である。

【００１９】さらに、陽極箔の箔厚が７０μｍ以上、好
ましくは９０μｍ以上であると陽極箔の抵抗分が低減し
てＥＳＲが低減し、１８０μｍ以下、好ましくは１５０
μｍあるとコンデンサの体積効率が向上して、小型化を
図ることができるので箔厚は７０〜１８０μｍ、さらに
９０〜１５０μｍであることが好ましい。

【００２０】また、アルミニウム箔を陽極箔と同様に交
流エッチングあるいは化学エッチングで粗面化し、空孔
率を４４％以下、好ましくは３５％以下、さらに好まし
くは２６％以下とすることにより陰極箔を作製する。こ
のようにすることで、陰極箔の抵抗分が低減し、固体電
解コンデンサのＥＳＲが低減する。さらに最大限の容量
体積効率を確保するために、空孔率が１０％以上である
と、エッチング面積が増大して高容量を得ることができ
るので好適である。さらに、陰極箔の箔厚が５０〜１８
０μｍ、好ましくは７０〜１５０μｍ、さらに好ましく
は７０〜１００μｍの範囲にあると、ＥＳＲが一層低減
し、小型化を図ることができるので好ましい。

【００２１】また、陰極箔に０．１〜１０Ｖ、好ましく
は０．３〜５Ｖの化成皮膜を形成すると、ＥＳＲが低減
し、高温寿命特性が向上するので好適である。

【００２２】また、陰極箔の表面に窒化チタンやチタン
などの酸化性の低い金属化合物や金属からなる層を形成
すると静電容量が増大するので好ましい。ここで、陰極
箔に化成皮膜を形成し、この化成皮膜の上に前記の酸化
性の低い金属や金属化合物からなる層を形成するとさら
に好ましい。

【００２３】以上の陽極箔と陰極箔に陽極引出端子，陰
極引出端子を取着し、セパレータを介して巻回する。そ
の後、化成液中にて電圧を印加し、これまでの工程で損
傷した誘電体酸化皮膜を修復する。ここで前述した本発
明の陽極箔と従来の陰極箔、従来の陽極箔と本発明の陰
極箔を用いて、本発明の効果を得ることができるが、本
発明の陽極箔と陰極箔の双方を用いることによって、最
大の効果を得ることができる。

【００２４】ここで、セパレータとしては、マニラ紙、
クラフト紙、ガラスセパレータなど、またはビニロン、
ポリエステルなどの合成繊維からなる不織布、さらには
多孔質セパレータを用いることができる。

【００２５】なお、電極箔に引出端子を取着する際、本
発明の導電部分が増大した電極箔を用いると、電極箔と
引出端子の接合部分の接触抵抗が下がり、固体電解コン
デンサのＥＳＲはさらに低減する。

【００２６】ついで、固体電解質としてＴＣＮＱ錯体を
用いる場合について説明する。アルミニウムからなる円
筒形の金属ケースにＴＣＮＱ錯体を入れて、加熱した平
面ヒーター上に乗せて、ＴＣＮＱ錯体を溶融液化させ
る。そこに予備加熱させた前記コンデンサ素子を含浸
し、金属ケースを冷却水に浸してＴＣＮＱ錯体を冷却固
化させる。さらに、ケース内にエポキシ樹脂を注入し高
温雰囲気中で加熱硬化させ、しかる後、加熱電圧印加し
エージングを行って固体電解コンデンサを作製する。

【００２７】また、固体電解質として３，４−エチレン
ジオキシチオフェン（ＥＤＴ）の重合体であるポリ−
（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＴ）
を用いる場合は、コンデンサ素子をＥＤＴと酸化剤と所
定の溶媒とを混合して調製した混合液に浸漬し、コンデ
ンサ素子内でＥＤＴの重合反応を発生させ、ＰＥＤＴか
らなる固体電解質層を形成する。そして、このコンデン
サ素子を金属ケースに挿入し、開口端部に封口ゴムを挿
入、加締め加工で封口して、固体電解コンデンサを完成
する。

【００２８】前記のＥＤＴとしては、ＥＤＴモノマーを
用いることができるが、ＥＤＴと揮発性溶媒とを１：０
〜１：３の体積比で混合したモノマー溶液を用いること
もできる。前記揮発性溶媒としては、ペンタン等の炭化
水素類、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ギ酸エチ
ル等のエステル類、アセトン等のケトン類、メタノール
等のアルコール類、アセトニトリル等の窒素化合物等を
用いることができるが、なかでも、メタノール、エタノ
ール、アセトン等が好ましい。また、酸化剤としては、
ブタノールに溶解したパラトルエンスルホン酸第二鉄、
過ヨウ素酸もしくはヨウ素酸の水溶液を用いることがで
き、酸化剤の溶媒に対する濃度は４０〜５５ｗｔ％が好
ましい。この範囲未満ではＥＳＲが上昇し、この範囲を
越えると静電容量が低下する。

【００２９】ＥＤＴと酸化剤（溶媒を含まず）の混合比
は、重量比で１：０．９〜１：２．２の範囲が好適であ
り、１：１．３〜１：２．０の範囲がより好適である。
この範囲外ではＥＳＲが上昇する。その理由は、以下の
通りであると考えられる。すなわち、モノマーに対する
酸化剤の量が多過ぎると、相対的に含浸されるモノマー
の量が低下するので、形成されるＰＥＤＴの量が低下し
てＥＳＲが上昇する。一方、酸化剤の量が少なすぎる
と、モノマーを重合するのに必要な酸化剤が不足して、
形成されるＰＥＤＴの量が低下してＥＳＲが上昇する。

【００３０】ここで説明したＥＤＴと他にも重合性モノ
マーを用いることができる。重合性モノマーとしては、
アニリン、ピロール、フラン、アセチレンまたはそれら
の誘導体であって、所定の酸化剤により酸化重合され、
導電性ポリマーを形成するものであれば適用することが
できる。

【００３１】また、固体電解質として無機電解質として
二酸化マンガンを用いる場合は、コンデンサ素子を硝酸
マンガン水溶液中に浸漬した後、３００〜４００℃で熱
処理する。その後に再度化成液中で電圧印加し、熱処理
中に損傷した誘電体皮膜の修復化成を行う。この硝酸マ
ンガン水溶液浸漬、熱処理、修復化成を数回繰り返す。
最後に４００〜５００℃で熱処理を行い、再度修復化成
を行う。このようにして固体電解質としての二酸化マン
ガンを形成したコンデンサ素子を外装ケースに収納し、
エポキシ樹脂を注入し加熱硬化させて密閉して、固体電
解コンデンサを形成する。また、このような無機電解質
として二酸化鉛等を用いることもできる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明の固体電解コンデンサについて
具体的な実施例を述べる。 （実施例１）固体電解質としてＴＣＮＱ錯体を用いた実
施例について説明する。アルミニウム箔を交流エッチン
グにより粗面化し、さらに誘電体酸化皮膜を形成するた
めの化成を施し、本発明の陽極箔を作製する。また、ア
ルミニウム箔を同じく交流エッチングにより粗面化し、
表面に化成皮膜を形成して陰極箔を作製する。この陽極
箔と陰極箔の間にマニラ紙からなるセパレータを介在
し、任意な箇所にそれぞれ陽極引出端子，陰極引出端子
を取着して巻回する。その後、化成液中にて電圧を印加
し、巻回により損傷した誘電体酸化皮膜を修復化成す
る。

【００３３】一方において、アルミニウムからなる円筒
形の金属ケースにＴＣＮＱ錯体を入れて、約２８０℃に
加熱した平面ヒーター上に乗せて、ＴＣＮＱ錯体を溶融
液化させる。そこに約３００℃に予備加熱させた前記コ
ンデンサ素子を含浸し、即座に金属ケースを冷却水に浸
してＴＣＮＱ錯体を冷却固化させる。さらに、ケース内
にエポキシ樹脂を必要量注入し高温雰囲気中で加熱硬化
させ、しかる後、１２５℃中で端子間に定格電圧を１時
間印加しエージングを行って１０φ×１０Ｌの固体電解
コンデンサとした。

【００３４】（実施例１−１）ここで、このようにして
形成する固体電解コンデンサにおいて、陽極箔として厚
さが１００μｍ、エッチング後の空孔率が２６％である
箔、陰極箔として厚さが８５μｍ、エッチング後の空孔
率が１９％である箔を用いて、実施例１−１とした。

【００３５】（実施例１−２）また、陽極箔として厚さ
が１００μｍ、エッチング後の空孔率が４６％である
箔、陰極箔として厚さが５０μｍ、エッチング後の空孔
率が３９％である箔を用いて、実施例１−２とした。

【００３６】（実施例１−３）また、陽極箔として厚さ
が１００μｍ、エッチング後の空孔率が３３％である箔
を用いた他は、実施例１−２と同様の手段により固体電
解コンデンサを作製し、実施例１−３とした。

【００３７】（実施例１−４）また、陽極箔として厚さ
が１００μｍ、エッチング後の空孔率が５２％である
箔、陰極箔として厚さが７５μｍ、エッチング後の空孔
率が２２％である箔を用いて、実施例１−４とした。

【００３８】（従来例１）また、陽極箔として厚さが１
００μｍ、エッチング後の空孔率が５２％である箔、陰
極箔として厚さが５０μｍ、エッチング後の空孔率が３
９％である箔を用いて、従来例とした。

【００３９】陽極箔の箔抵抗と、実施例１−１〜１−４
及び従来例による固体電解コンデンサのＥＳＲを比較し
たのが、（表１）である。

【００４０】

【表１】

【００４１】（表１）よりわかるように、本発明の陽極
箔を用いた実施例１−２、１−３、本発明の陰極箔を用
いた実施例１−４は従来例に比べてＥＳＲは低減してい
る。さらに、空孔率が２６％の陽極箔と１９％の陰極箔
を用いた実施例１−１では５．８ｍΩまでに低減してお
り、従来にない低ＥＳＲを実現している。また、空孔率
が３３％の陽極箔を用いた実施例１−３は４６％の陽極
箔を用いた実施例１−２よりＥＳＲは低減されている。

【００４２】また、空孔率が従来例の５２％から実施例
の２６〜４６％と小さくなることによって、箔抵抗は２
３１ｍΩ／ｍから７５〜１５３ｍΩ／ｍへと低減してお
り、電極箔の導電部分が増大して抵抗分が低減している
ことがわかる。

【００４３】また、比較例として、実施例１−１と同様
にしてコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子に
低比抵抗特性を有する電解液を含浸して電解コンデンサ
を形成した。用いた電解液はγ−ブチロラクトン７５
部、フタル酸エチル−ジメチル−イミダゾリニウム２５
部である。得られたＥＳＲは５２ｍΩと高い値を示して
おり、本発明の電極箔を用いても電解質として低比抵抗
特性を有する固体電解質を用いなければ本発明の効果が
えられないことが判明した。

【００４４】（実施例２）次に、固体電解質としてＰＥ
ＤＴを用いた実施例を説明する。セパレータとして、ビ
ニロン繊維からなる不織布を用い、陰極箔には化成皮膜
の上に窒化チタンからなる層を形成し、その他は実施例
１と同様にコンデンサ素子を形成して、修復化成を行っ
た。そして、固体電解質の形成を以下のように行った。
カップ状の容器に、ＥＤＴと４５％のパラトルエンスル
ホン酸第二鉄のブタノール溶液を、その重量比が１：
０．８となるように注入し、混合液を調製した。そし
て、コンデンサ素子を上記混合液に１０秒間浸漬した。
そして、１２０℃で１時間加熱して、コンデンサ素子内
でＰＥＤＴの重合反応を発生させ、固体電解質層を形成
した。そして、このコンデンサ素子を有底筒状のアルミ
ニウムケースに挿入し、開口部を絞り加工によってゴム
封口してエージングを行い、１０φ×１０Ｌの固体電解
コンデンサを作成した。ここで、実施例１と同様の電極
箔を用いた固体電解コンデンサを作成し、実施例３−１
〜３−４及び従来例３とした。これらの固体電解コンデ
ンサのＥＳＲを比較したのが、（表２）である。

【００４５】

【表２】

【００４６】（表２）よりわかるように、実施例２にお
いて実施例１と同様の結果を示しており本発明の効果が
明らかである。

【００４７】（実施例３）次いで、コンデンササイズが
６．３φ×６Ｌの表面実装用チップタイプの固体電解コ
ンデンサを作成した。実施例１と同様にして作成した固
体電解コンデンサを実施例３−１、３−２、従来例３−
１とし、実施例２と同様にして作成した固体電解コンデ
ンサを実施例３−３〜３−６、従来例３−２とした。用
いた電極箔の空孔率と箔厚、そしてこれらの固体電解コ
ンデンサのＥＳＲを示したのが、（表３）である。

【００４８】

【表３】

【００４９】（表３）からわかるように、実施例３のチ
ップタイプの固体電解コンデンサにおいても、実施例
１、２と同様の結果を示している。さらに空孔率が２６
％の陽極箔と空孔率が１９％の陰極箔を用いた実施例３
−１、３−３は従来例３−１、３−２に比べて、ＥＳＲ
はそれぞれ５．８ｍΩ、５．４ｍΩも低減しており、本
発明の効果は大きなものとなっている。また固体電解質
としてＰＥＤＴを用いた実施例３−３は、ＴＣＮＱ錯体
を用いた実施例３−１より３．６ｍΩ低減しており、チ
ップタイプの固体電解コンデンサとしては従来にない低
ＥＳＲ特性を実現している。さらに、固体電解質として
ＰＥＤＴを用いた実施例３−３〜３−６の固体電解コン
デンサについてピーク温度、２５０℃の鉛フリーリフロ
ー試験をおこなったところ、静電容量、ＥＳＲの変動は
なく、鉛フリーリフローに対応可能であるとことが明ら
かとなった。

【００５０】（実施例４）次に、固体電解質として二酸
化マンガンを用いた実施例を説明する。コンデンサ素子
を４０％硝酸マンガン水溶液中に浸漬した後、３５０℃
で熱処理する。その後に再度化成液中で電圧印加し、熱
処理中に損傷した誘電体皮膜の修復化成を行う。この硝
酸マンガン水溶液浸漬、熱処理、修復化成を数回繰り返
す。最後に４５０℃で熱処理を行い、再度修復化成を行
う。このようにして固体電解質としての二酸化マンガン
を形成したコンデンサ素子を外装ケースに収納し、エポ
キシ樹脂を注入し加熱硬化させて密閉して、１０φ×１
０Ｌ固体電解コンデンサを形成した。ここで、実施例１
と同様の電極箔を用い、実施例４−１、４−２及び従来
例４とした。用いた電極箔の空孔率と箔厚、そしてこれ
らの固体電解コンデンサのＥＳＲを示したのが、（表
４）である。

【００５１】

【表４】

【００５２】（表４）よりわかるように、実施例４にお
いて実施例１と同様の結果を示しており本発明の効果が
明らかである。

【００５３】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、エッチング条件，化成条件などの固体電解
コンデンサの製造条件については、適宜選択可能であ
る。また、特に巻回型の固体電解コンデンサに限らず、
積層形などにも応用可能である。

【００５４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、固
体電解質を電解質として用いた固体電解コンデンサにお
いて、コンデンサ素子に用いられる陽極箔のエッチング
後の空孔率を５１％以下、陰極箔のエッチング後の空孔
率を４４％以下とすることにより、これまでにない低Ｅ
ＳＲ特性を有する固体電解コンデンサを実現することが
できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 明生 東京都青梅市東青梅１丁目167番地の１日 本ケミコン株式会社内 (72)発明者 三枝 一大 東京都青梅市東青梅１丁目167番地の１日 本ケミコン株式会社内 (72)発明者 畑中 一裕 東京都青梅市東青梅１丁目167番地の１日 本ケミコン株式会社内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 固体電解質を形成したコンデンサ素子を
   用いた固体電解コンデンサにおいて、前記コンデンサ素
   子の陽極箔に用いられるエッチング箔の空孔率が５１％
   以下であることを特徴とする固体電解コンデンサ。
2. 【請求項２】 固体電解質を形成したコンデンサ素子を
   用いた固体電解コンデンサにおいて、前記コンデンサ素
   子の陰極箔に用いられるエッチング箔の空孔率が４４％
   以下であることを特徴とする固体電解コンデンサ。
3. 【請求項３】 前記空孔率が２０％以上であることを特
   徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサ。
4. 【請求項４】 前記空孔率が１０％以上であることを特
   徴とする請求項２記載の固体電解コンデンサ。
5. 【請求項５】 陽極箔の箔厚が７０〜１８０μｍである
   ことを特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサ。
6. 【請求項６】 陰極箔の箔厚が５０〜１８０μｍである
   ことを特徴とする請求項２記載の固体電解コンデンサ。
7. 【請求項７】 コンデンサ素子が、陽極箔と陰極箔それ
   ぞれの任意な箇所に引出端子を取着し、前記陽極箔と前
   記陰極箔間にセパレータを介して巻回して成ることを特
   徴とする請求項１乃至６に記載の固体電解コンデンサ。
8. 【請求項８】 固体電解質としてＴＣＮＱ錯体を用いた
   請求項１乃至７記載の固体電解コンデンサ。
9. 【請求項９】 固体電解質としてチオフェン誘電体の重
   合体を用いた請求項１乃至７記載の固体電解コンデン
   サ。
10. 【請求項１０】 チオフェン誘電体が３，４−エチレン
    ジオキシチオフェンである請求項９記載の固体電解コン
    デンサ。
11. 【請求項１１】 固体電解質として二酸化マンガンを用
    いた請求項１乃至７記載の固体電解コンデンサ。