JP2002358824A - 透明導電膜形成用ペーストとそれを用いた透明導電膜及びその製造方法 - Google Patents
透明導電膜形成用ペーストとそれを用いた透明導電膜及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非常に短工程、低コストで、非常に微細なパ
ターン化された透明導電膜を形成することのできる透明
導電膜形成用ペースト、パターン化された透明導電膜お
よびその製造方法を提供するものであり、特にスクリー
ン印刷によるパターン化された透明導電膜の形成に好適
に用いられる透明導電膜形成用ペーストとそれを用いた
透明導電膜及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の透明導電膜形成用ペーストは、
インジウム及び錫を含む化合物と有機酸とから生成した
ヒドロキシ化合物に有機配位子が配位したキレート錯体
と、バインダーと、溶剤とを含有したことを特徴とす
る。
ターン化された透明導電膜を形成することのできる透明
導電膜形成用ペースト、パターン化された透明導電膜お
よびその製造方法を提供するものであり、特にスクリー
ン印刷によるパターン化された透明導電膜の形成に好適
に用いられる透明導電膜形成用ペーストとそれを用いた
透明導電膜及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の透明導電膜形成用ペーストは、
インジウム及び錫を含む化合物と有機酸とから生成した
ヒドロキシ化合物に有機配位子が配位したキレート錯体
と、バインダーと、溶剤とを含有したことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電膜形成用ペ
ーストとそれを用いた透明導電膜及びその製造方法に関
し、更に詳しくは、基板上に微細なパターンを形成する
ことが可能な透明導電膜形成用ペースト、微細なパター
ンが形成された透明導電膜、および該透明導電膜の製造
方法に関するものである。
ーストとそれを用いた透明導電膜及びその製造方法に関
し、更に詳しくは、基板上に微細なパターンを形成する
ことが可能な透明導電膜形成用ペースト、微細なパター
ンが形成された透明導電膜、および該透明導電膜の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、透明導電膜として代表的なアンチ
モンドープ酸化錫（ＡＴＯ）または錫ドープ酸化インジ
ウム（ＩＴＯ）は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネ
ッセンス（ＥＬ）ディスプレイ等の各種ディスプレイの
表示素子電極やタッチパネルの電極等に利用されてい
る。これらディスプレイの表示素子電極やタッチパネル
の電極等に使用されるＩＴＯからなるパターン化された
透明導電膜は、真空蒸着法、スパッタリング法により均
一膜を形成した後、フォトレジストによるレジストパタ
ーンを形成し、酸エッチングすることにより形成されて
きた。
モンドープ酸化錫（ＡＴＯ）または錫ドープ酸化インジ
ウム（ＩＴＯ）は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネ
ッセンス（ＥＬ）ディスプレイ等の各種ディスプレイの
表示素子電極やタッチパネルの電極等に利用されてい
る。これらディスプレイの表示素子電極やタッチパネル
の電極等に使用されるＩＴＯからなるパターン化された
透明導電膜は、真空蒸着法、スパッタリング法により均
一膜を形成した後、フォトレジストによるレジストパタ
ーンを形成し、酸エッチングすることにより形成されて
きた。
【０００３】しかしながら、真空蒸着法やスパッタリン
グ法は、装置が複雑かつ高価であることから製造コスト
が高く、量産性にも問題がある。また、酸エッチングを
行うために廃液処理の問題がある。さらに、パターン化
された透明導電膜の成膜は工程が非常に多く煩雑である
から、コスト的に問題がある。そこで、短工程かつ低コ
ストの方法として、感光性塗料法が提案され、実用に供
されている。この方法は、インジウム化合物及び錫化合
物を含む溶液に感光性樹脂を添加した塗布液を用いて、
塗布、乾燥、紫外線露光、現像、焼成という工程でパタ
ーン化したＩＴＯ膜を得る方法である。
グ法は、装置が複雑かつ高価であることから製造コスト
が高く、量産性にも問題がある。また、酸エッチングを
行うために廃液処理の問題がある。さらに、パターン化
された透明導電膜の成膜は工程が非常に多く煩雑である
から、コスト的に問題がある。そこで、短工程かつ低コ
ストの方法として、感光性塗料法が提案され、実用に供
されている。この方法は、インジウム化合物及び錫化合
物を含む溶液に感光性樹脂を添加した塗布液を用いて、
塗布、乾燥、紫外線露光、現像、焼成という工程でパタ
ーン化したＩＴＯ膜を得る方法である。
【０００４】一方、最も短工程、低コストでパターン化
されたＩＴＯ膜を得る方法としてスクリーン印刷法があ
る。この方法は、インジウム化合物及び錫化合物と、エ
ポキシプレポリマー或いはヒドロキシプロピルセルロー
ス等からなる増粘剤と、これらを溶解させる溶剤とを含
むインクを用いて、スクリーン印刷法により基板上にパ
ターン成膜し、その後、焼成して透明導電膜とする方法
である。この方法は、例えば、特開昭６１−９４９６号
公報、特開昭６１−９４７０号公報、特開昭６１−９４
７１号公報等に開示されている。
されたＩＴＯ膜を得る方法としてスクリーン印刷法があ
る。この方法は、インジウム化合物及び錫化合物と、エ
ポキシプレポリマー或いはヒドロキシプロピルセルロー
ス等からなる増粘剤と、これらを溶解させる溶剤とを含
むインクを用いて、スクリーン印刷法により基板上にパ
ターン成膜し、その後、焼成して透明導電膜とする方法
である。この方法は、例えば、特開昭６１−９４９６号
公報、特開昭６１−９４７０号公報、特開昭６１−９４
７１号公報等に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の感光性塗料法では、用いることのできる材料に
制限があるという問題点、感光性塗料の経時安定性が不
十分であるという問題点、成膜時、特に現像時の膜質の
劣化等の問題点があり、安定した成膜のための余裕度が
狭く、制御が難しい。また、微細なパターン加工を行な
うためには、露光装置、現像装置等の高価な装置が必要
である。
た従来の感光性塗料法では、用いることのできる材料に
制限があるという問題点、感光性塗料の経時安定性が不
十分であるという問題点、成膜時、特に現像時の膜質の
劣化等の問題点があり、安定した成膜のための余裕度が
狭く、制御が難しい。また、微細なパターン加工を行な
うためには、露光装置、現像装置等の高価な装置が必要
である。
【０００６】また、上述した従来のスクリーン印刷法で
は、スクリーン印刷時のダレによりライン幅が太くな
り、設定値通りに印刷することが困難であるという問題
点があった。また、印刷可能なライン幅がせいぜい１０
０μｍ程度であり、５０μｍ前後の微細パターンを得る
ことが困難である。
は、スクリーン印刷時のダレによりライン幅が太くな
り、設定値通りに印刷することが困難であるという問題
点があった。また、印刷可能なライン幅がせいぜい１０
０μｍ程度であり、５０μｍ前後の微細パターンを得る
ことが困難である。
【０００７】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、非常に短工程、低コストで、非常
に微細なパターン化された透明導電膜を形成することの
できる透明導電膜形成用ペースト、パターン化された透
明導電膜およびその製造方法を提供するものであり、特
にスクリーン印刷によるパターン化された透明導電膜の
形成に好適に用いられる透明導電膜形成用ペーストとそ
れを用いた透明導電膜及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
されたものであって、非常に短工程、低コストで、非常
に微細なパターン化された透明導電膜を形成することの
できる透明導電膜形成用ペースト、パターン化された透
明導電膜およびその製造方法を提供するものであり、特
にスクリーン印刷によるパターン化された透明導電膜の
形成に好適に用いられる透明導電膜形成用ペーストとそ
れを用いた透明導電膜及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な透明導電膜形成用ペーストとそれ
を用いた透明導電膜及びその製造方法を採用した。すな
わち、本発明の透明導電膜形成用ペーストは、インジウ
ム及び錫を含む化合物と有機酸とから生成したヒドロキ
シ化合物に有機配位子が配位したキレート錯体と、バイ
ンダーと、溶剤とを含有してなることを特徴とする。
に、本発明は次の様な透明導電膜形成用ペーストとそれ
を用いた透明導電膜及びその製造方法を採用した。すな
わち、本発明の透明導電膜形成用ペーストは、インジウ
ム及び錫を含む化合物と有機酸とから生成したヒドロキ
シ化合物に有機配位子が配位したキレート錯体と、バイ
ンダーと、溶剤とを含有してなることを特徴とする。
【０００９】この透明導電膜形成用ペーストでは、イン
ジウム及び錫を含む化合物と有機酸とから生成したヒド
ロキシ化合物に有機配位子が配位したキレート錯体を含
有したことにより、ペーストの経時安定性が向上し、成
膜時、特に現像時の膜質の劣化等の問題点が解消され
る。
ジウム及び錫を含む化合物と有機酸とから生成したヒド
ロキシ化合物に有機配位子が配位したキレート錯体を含
有したことにより、ペーストの経時安定性が向上し、成
膜時、特に現像時の膜質の劣化等の問題点が解消され
る。
【００１０】前記インジウム及び錫を含む化合物は、錫
ドープ酸化インジウムが好ましい。前記有機酸は、蟻
酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸から選択された
少なくとも１種であることが好ましい。前記ヒドロキシ
化合物は、次の化学式 ｛Ｉｎ（ＲnＣＯＯ）2（ＯＨ）｝X・｛Ｓｎ（ＲnＣＯＯ）2｝1-X ……（１） （但し、ＲnＣＯＯはアシルオキシ基であり、ｎは１〜
５、ｘは０．８６≦ｘ≦０．９６を満たす数である）で
表されるヒドロキシ化合物が好ましい。
ドープ酸化インジウムが好ましい。前記有機酸は、蟻
酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸から選択された
少なくとも１種であることが好ましい。前記ヒドロキシ
化合物は、次の化学式 ｛Ｉｎ（ＲnＣＯＯ）2（ＯＨ）｝X・｛Ｓｎ（ＲnＣＯＯ）2｝1-X ……（１） （但し、ＲnＣＯＯはアシルオキシ基であり、ｎは１〜
５、ｘは０．８６≦ｘ≦０．９６を満たす数である）で
表されるヒドロキシ化合物が好ましい。
【００１１】前記有機配位子は、β−ジケトン、アミノ
アルコール、多価アルコールから選択された少なくとも
１種が好ましい。さらに、前記インジウム及び錫の合計
の含有量は、酸化物に換算して１〜２０重量％が好まし
い。前記バインダーの含有量は、１〜２０重量％が好ま
しい。
アルコール、多価アルコールから選択された少なくとも
１種が好ましい。さらに、前記インジウム及び錫の合計
の含有量は、酸化物に換算して１〜２０重量％が好まし
い。前記バインダーの含有量は、１〜２０重量％が好ま
しい。
【００１２】本発明の透明導電膜は、本発明の透明導電
膜形成用ペーストが、該ペースト中に含まれる溶剤に可
溶または該溶剤を吸収する樹脂からなる下地膜上に塗布
され、焼成されていることを特徴とする。前記下地膜の
膜厚は０．２〜５μｍが好ましい。
膜形成用ペーストが、該ペースト中に含まれる溶剤に可
溶または該溶剤を吸収する樹脂からなる下地膜上に塗布
され、焼成されていることを特徴とする。前記下地膜の
膜厚は０．２〜５μｍが好ましい。
【００１３】本発明の透明導電膜の製造方法は、本発明
の透明導電膜形成用ペーストを、該ペースト中に含まれ
る溶剤に可溶または該溶剤を吸収する樹脂からなる下地
膜上にスクリーン印刷し、５００℃以上の温度で焼成す
ることを特徴とする。
の透明導電膜形成用ペーストを、該ペースト中に含まれ
る溶剤に可溶または該溶剤を吸収する樹脂からなる下地
膜上にスクリーン印刷し、５００℃以上の温度で焼成す
ることを特徴とする。
【００１４】この透明導電膜の製造方法では、本発明の
透明導電膜形成用ペーストを、該ペースト中に含まれる
溶剤に可溶または該溶剤を吸収する樹脂からなる下地膜
上にスクリーン印刷することにより、印刷精度が向上
し、５０μｍ幅までのパターン加工が可能になる。ま
た、スクリーン印刷法を用いたことにより、成膜時の作
業性が向上し、製造コストを削減することが可能であ
る。
透明導電膜形成用ペーストを、該ペースト中に含まれる
溶剤に可溶または該溶剤を吸収する樹脂からなる下地膜
上にスクリーン印刷することにより、印刷精度が向上
し、５０μｍ幅までのパターン加工が可能になる。ま
た、スクリーン印刷法を用いたことにより、成膜時の作
業性が向上し、製造コストを削減することが可能であ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の透明導電膜形成用ペース
トとそれを用いた透明導電膜及びその製造方法の一実施
の形態について説明する。なお、本実施の形態は、発明
の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するも
のであり、特に指定のない限り、本発明を限定するもの
ではない。
トとそれを用いた透明導電膜及びその製造方法の一実施
の形態について説明する。なお、本実施の形態は、発明
の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するも
のであり、特に指定のない限り、本発明を限定するもの
ではない。
【００１６】［透明導電膜形成用ペースト］本実施形態
の透明導電膜形成用ペーストは、インジウムと錫の両方
を含む化合物と有機酸とから生成したヒドロキシ化合物
に有機配位子が配位したキレート錯体と、バインダー
と、前記キレート錯体とバインダーを溶解する溶剤とを
少なくとも含有している。
の透明導電膜形成用ペーストは、インジウムと錫の両方
を含む化合物と有機酸とから生成したヒドロキシ化合物
に有機配位子が配位したキレート錯体と、バインダー
と、前記キレート錯体とバインダーを溶解する溶剤とを
少なくとも含有している。
【００１７】インジウムと錫の両方を含む化合物として
は、特に限定されるものではなく、例えば、インジウム
と錫との酸化物、インジウムと錫との水酸化物等を使用
することができる。特に、インジウムと錫との酸化物、
すなわち錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）は、有機酸
との脱水反応性に優れる等の理由から好適に使用され
る。
は、特に限定されるものではなく、例えば、インジウム
と錫との酸化物、インジウムと錫との水酸化物等を使用
することができる。特に、インジウムと錫との酸化物、
すなわち錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）は、有機酸
との脱水反応性に優れる等の理由から好適に使用され
る。
【００１８】また、有機酸も特に限定されるものではな
く、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸
等の低級モノカルボン酸、マレイン酸、２−エチルヘキ
サン酸、オレイン酸などを好適に使用することができ
る。特に、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等の低級カルボン
酸は分子量が小さいので、透明導電膜形成時の前記キレ
ート錯体の熱分解温度を低くすることができるために、
好適に使用される。
く、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸
等の低級モノカルボン酸、マレイン酸、２−エチルヘキ
サン酸、オレイン酸などを好適に使用することができ
る。特に、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等の低級カルボン
酸は分子量が小さいので、透明導電膜形成時の前記キレ
ート錯体の熱分解温度を低くすることができるために、
好適に使用される。
【００１９】インジウムと錫の両方を含む化合物と有機
酸とから生成したヒドロキシ化合物に配位する有機配位
子としては、β−ジケトン、アミノアルコールまたは多
価アルコールが好適に使用できる。β−ジケトンの具体
例としては、アセチルアセトン、アセト酢酸エチル、ア
セト酢酸メチルなどが挙げられ、アミノアルコールの具
体例としては、ジエタノールアミン、２−アミノエタノ
ール、トリエタノールアミンなどが挙げられる。
酸とから生成したヒドロキシ化合物に配位する有機配位
子としては、β−ジケトン、アミノアルコールまたは多
価アルコールが好適に使用できる。β−ジケトンの具体
例としては、アセチルアセトン、アセト酢酸エチル、ア
セト酢酸メチルなどが挙げられ、アミノアルコールの具
体例としては、ジエタノールアミン、２−アミノエタノ
ール、トリエタノールアミンなどが挙げられる。
【００２０】また、多価アルコールの具体例としては、
エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレ
ングリコールなどが挙げられる。これらの有機配位子の
中でも特に好ましいのは、キレート錯体の安定性および
熱分解性の点から、β−ジケトンとしてはアセチルアセ
トン、アミノアルコールとしてはジエタノールアミン、
多価アルコールとしてはエチレングリコールである。
エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレ
ングリコールなどが挙げられる。これらの有機配位子の
中でも特に好ましいのは、キレート錯体の安定性および
熱分解性の点から、β−ジケトンとしてはアセチルアセ
トン、アミノアルコールとしてはジエタノールアミン、
多価アルコールとしてはエチレングリコールである。
【００２１】以下、インジウムと錫の両方を含む化合物
としてＩＴＯを、有機酸として酢酸をそれぞれ用いた場
合を好適例として挙げ、本発明をさらに詳細に説明す
る。上記のヒドロキシ化合物は、ＩＴＯと酢酸とを酢酸
の沸点（１１０℃）で、例えば２〜４時間、還流し反応
させることにより調製することができる。このようにし
て得られたヒドロキシ化合物から調製される透明導電膜
形成用ペーストは、従来のインジウムの硝酸塩、塩化物
および錫の塩化物等から調製されるペーストとは対照的
に、透明導電膜形成過程の焼成時に腐食性ガス（ＮＯx
等）が発生せず、環境、装置を汚染するおそれがない。
としてＩＴＯを、有機酸として酢酸をそれぞれ用いた場
合を好適例として挙げ、本発明をさらに詳細に説明す
る。上記のヒドロキシ化合物は、ＩＴＯと酢酸とを酢酸
の沸点（１１０℃）で、例えば２〜４時間、還流し反応
させることにより調製することができる。このようにし
て得られたヒドロキシ化合物から調製される透明導電膜
形成用ペーストは、従来のインジウムの硝酸塩、塩化物
および錫の塩化物等から調製されるペーストとは対照的
に、透明導電膜形成過程の焼成時に腐食性ガス（ＮＯx
等）が発生せず、環境、装置を汚染するおそれがない。
【００２２】前記ヒドロキシ化合物としては、上述した
化学式（１）で表されるヒドロキシ化合物が好ましい。
この化学式（１）において、ｘの値を０．８６≦ｘ≦
０．９６と限定した理由は、ｘの値が０．９６を越える
と、錫（Ｓｎ）のドーパントとしての効果が無くなり、
電子のキャリア濃度を高くできず、抵抗値が低くならな
いからであり、また、ｘの値が０．８６未満であると、
Ｓｎが不純物としてＩｎ2Ｏ3粒子の粒界に析出し、抵抗
値を高くする原因となるからである。
化学式（１）で表されるヒドロキシ化合物が好ましい。
この化学式（１）において、ｘの値を０．８６≦ｘ≦
０．９６と限定した理由は、ｘの値が０．９６を越える
と、錫（Ｓｎ）のドーパントとしての効果が無くなり、
電子のキャリア濃度を高くできず、抵抗値が低くならな
いからであり、また、ｘの値が０．８６未満であると、
Ｓｎが不純物としてＩｎ2Ｏ3粒子の粒界に析出し、抵抗
値を高くする原因となるからである。
【００２３】次に、このように生成したヒドロキシ化合
物に有機配位子を添加し、必要により溶剤中で反応させ
ることにより、キレート錯体を合成する。有機配位子の
添加量は、インジウム原子１モルに対して２モル以上で
ある。添加量が２モル未満であると完全なキレート錯体
が得られず、未反応のヒドロキシ化合物が残留するの
で、好ましくない。
物に有機配位子を添加し、必要により溶剤中で反応させ
ることにより、キレート錯体を合成する。有機配位子の
添加量は、インジウム原子１モルに対して２モル以上で
ある。添加量が２モル未満であると完全なキレート錯体
が得られず、未反応のヒドロキシ化合物が残留するの
で、好ましくない。
【００２４】キレート錯体は、７０〜８０℃で約４〜８
時間攪拌・反応させて合成するのが好ましい。常温で合
成すると、キレート錯体の生成に多大な時間を必要とす
るので好ましくない。また、溶剤としては、前記ヒドロ
キシ化合物、有機配位子および生成するキレート錯体を
溶解することができるものであれば、特に限定されるこ
とはなく、アルコール系溶媒、グリコール類、グリコー
ルエーテル類、グリコールエーテルアセテート類等が挙
げられる。特に、印刷性を向上させるためにはペースト
粘度を高くする必要があり、中でも高沸点溶剤であるα
−テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、ベ
ンジルアルコール、２−フェノキシエタノール等が好適
に使用される。
時間攪拌・反応させて合成するのが好ましい。常温で合
成すると、キレート錯体の生成に多大な時間を必要とす
るので好ましくない。また、溶剤としては、前記ヒドロ
キシ化合物、有機配位子および生成するキレート錯体を
溶解することができるものであれば、特に限定されるこ
とはなく、アルコール系溶媒、グリコール類、グリコー
ルエーテル類、グリコールエーテルアセテート類等が挙
げられる。特に、印刷性を向上させるためにはペースト
粘度を高くする必要があり、中でも高沸点溶剤であるα
−テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、ベ
ンジルアルコール、２−フェノキシエタノール等が好適
に使用される。
【００２５】透明導電膜形成用ペースト中のインジウム
と錫の合計の含有量は、ＩＴＯ換算でペースト重量に基
づき、１〜２０重量％とするのが好ましい。より好まし
い含有量は４〜７重量％である。含有量が１重量％未満
であると、焼成して得られる透明導電膜の膜厚が薄く、
表面抵抗値が高くなるからである。また、含有量が２０
重量％を越えると、得られる透明導電膜の膜厚が厚くな
り過ぎてクラックが発生し、緻密な膜が得られず、しか
も、抵抗値が高くなり、透過率も低くなる。
と錫の合計の含有量は、ＩＴＯ換算でペースト重量に基
づき、１〜２０重量％とするのが好ましい。より好まし
い含有量は４〜７重量％である。含有量が１重量％未満
であると、焼成して得られる透明導電膜の膜厚が薄く、
表面抵抗値が高くなるからである。また、含有量が２０
重量％を越えると、得られる透明導電膜の膜厚が厚くな
り過ぎてクラックが発生し、緻密な膜が得られず、しか
も、抵抗値が高くなり、透過率も低くなる。
【００２６】透明導電膜形成用ペーストには、スクリー
ン印刷に適した粘性を付与するためにバインダーが含ま
れている。バインダーとしては、インジウムと錫のキレ
ート錯体との反応性がなく、使用している溶剤に溶解が
可能であれば特に限定されることはなく、一般的に印刷
用ペーストのバインダーとして用いられているエチルセ
ルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ニトロセル
ロース等のセルロース、ポリビニルブチラールなどのブ
チラール樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル樹脂等を
使用することができる。特に、ペーストの安定性、成膜
性の点からポリビニルブチラールが好適に使用される。
ン印刷に適した粘性を付与するためにバインダーが含ま
れている。バインダーとしては、インジウムと錫のキレ
ート錯体との反応性がなく、使用している溶剤に溶解が
可能であれば特に限定されることはなく、一般的に印刷
用ペーストのバインダーとして用いられているエチルセ
ルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ニトロセル
ロース等のセルロース、ポリビニルブチラールなどのブ
チラール樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル樹脂等を
使用することができる。特に、ペーストの安定性、成膜
性の点からポリビニルブチラールが好適に使用される。
【００２７】透明導電膜形成用ペースト中のバインダー
の含有量は、ペースト重量に基づき、通常１〜２０重量
％、好ましくは６〜９重量％である。含有量が１重量％
未満であると、ペーストの粘度が低くなり過ぎ、微細な
印刷が難しく、印刷精度も悪くなるからであり、逆に、
２０重量％を越えると、焼成後のＩＴＯ膜が多孔質とな
り、緻密な膜が得られず、抵抗値が高くなるからであ
る。
の含有量は、ペースト重量に基づき、通常１〜２０重量
％、好ましくは６〜９重量％である。含有量が１重量％
未満であると、ペーストの粘度が低くなり過ぎ、微細な
印刷が難しく、印刷精度も悪くなるからであり、逆に、
２０重量％を越えると、焼成後のＩＴＯ膜が多孔質とな
り、緻密な膜が得られず、抵抗値が高くなるからであ
る。
【００２８】透明導電膜形成用ペースト中に溶媒として
含有させる溶剤としては、前記キレート錯体および前記
のバインダーを溶解できるものであれば特に限定される
ことはなく、アルコール系溶媒、グリコール類、グリコ
ールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類等が
挙げられる。特に、印刷性を向上させるためにはペース
ト粘度を高くする必要があり、中でも高沸点溶剤である
α−テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、
ベンジルアルコール、２−フェノキシエタノール等が好
適に使用される。
含有させる溶剤としては、前記キレート錯体および前記
のバインダーを溶解できるものであれば特に限定される
ことはなく、アルコール系溶媒、グリコール類、グリコ
ールエーテル類、グリコールエーテルアセテート類等が
挙げられる。特に、印刷性を向上させるためにはペース
ト粘度を高くする必要があり、中でも高沸点溶剤である
α−テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、
ベンジルアルコール、２−フェノキシエタノール等が好
適に使用される。
【００２９】［印刷下地膜形成用インク］印刷下地膜形
成用インク中に含まれる樹脂は、透明導電膜形成用ペー
ストに含有されている溶剤に可溶であるか、または該溶
剤を吸収するものであればよく、特に制限されるもので
はない。具体例としては、エチルセルロースなどのセル
ロース、ポリビニルブチラールなどのブチラール樹脂、
ポリエステル系樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる
が、透明導電膜形成用ペーストに含有しているバインダ
ーと同一のものを使用することもできる。この場合、焼
成時に残査を残さないものを選択して用いる。この印刷
下地膜形成用インク中に含まれる樹脂の量は、特に制限
されるものではないが、通常、印刷下地膜形成用インク
の重量に対して１〜２０重量％程度である。
成用インク中に含まれる樹脂は、透明導電膜形成用ペー
ストに含有されている溶剤に可溶であるか、または該溶
剤を吸収するものであればよく、特に制限されるもので
はない。具体例としては、エチルセルロースなどのセル
ロース、ポリビニルブチラールなどのブチラール樹脂、
ポリエステル系樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる
が、透明導電膜形成用ペーストに含有しているバインダ
ーと同一のものを使用することもできる。この場合、焼
成時に残査を残さないものを選択して用いる。この印刷
下地膜形成用インク中に含まれる樹脂の量は、特に制限
されるものではないが、通常、印刷下地膜形成用インク
の重量に対して１〜２０重量％程度である。
【００３０】印刷下地膜形成用インク中に含まれる溶剤
は、前記樹脂を溶解し得るものであれば特に制限される
ものではない。その具体例としては、トルエンなどの炭
化水素、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンなどの
ケトン類、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノールな
どのアルコール類、ブチルセロソルブ、テトラヒドロフ
ランなどのエーテル類が挙げられる。また、特にスクリ
ーン印刷法により印刷下地膜を形成する場合は、α−テ
ルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチル
カルビトール等が好ましい。これらは単独で、または２
種以上を混合して使用することができる。
は、前記樹脂を溶解し得るものであれば特に制限される
ものではない。その具体例としては、トルエンなどの炭
化水素、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンなどの
ケトン類、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノールな
どのアルコール類、ブチルセロソルブ、テトラヒドロフ
ランなどのエーテル類が挙げられる。また、特にスクリ
ーン印刷法により印刷下地膜を形成する場合は、α−テ
ルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチル
カルビトール等が好ましい。これらは単独で、または２
種以上を混合して使用することができる。
【００３１】［パターン化された透明導電膜およびその
製造方法］パターン化された透明導電膜は、前記透明導
電膜形成用ペーストを、スクリーン印刷等の塗布方法に
より基板上に直接塗布するか、あるいは前記印刷下地膜
形成用インクを基板上に塗布し印刷下地膜を形成した後
に、スクリーン印刷等の塗布方法により塗布するかした
後、乾燥、焼成することによって形成される。
製造方法］パターン化された透明導電膜は、前記透明導
電膜形成用ペーストを、スクリーン印刷等の塗布方法に
より基板上に直接塗布するか、あるいは前記印刷下地膜
形成用インクを基板上に塗布し印刷下地膜を形成した後
に、スクリーン印刷等の塗布方法により塗布するかした
後、乾燥、焼成することによって形成される。
【００３２】印刷下地膜の成膜には、公知の方法が採用
でき、例えば、ワイヤーバーコート法、スピンコート
法、ロールコート法、スクリーン印刷法等が挙げられ
る。この印刷下地膜を形成することにより、透明導電膜
形成用ペーストを所定のパターンマスクを用いてスクリ
ーン印刷した場合、転写された該透明導電膜形成用ペー
スト中の溶剤が印刷下地膜内に瞬時に吸収され、したが
って、印刷ペーストの粘度が急激に上昇することで、基
板上でのペーストのダレが抑制され、ライン太りが抑制
される。
でき、例えば、ワイヤーバーコート法、スピンコート
法、ロールコート法、スクリーン印刷法等が挙げられ
る。この印刷下地膜を形成することにより、透明導電膜
形成用ペーストを所定のパターンマスクを用いてスクリ
ーン印刷した場合、転写された該透明導電膜形成用ペー
スト中の溶剤が印刷下地膜内に瞬時に吸収され、したが
って、印刷ペーストの粘度が急激に上昇することで、基
板上でのペーストのダレが抑制され、ライン太りが抑制
される。
【００３３】その結果、ほぼスクリーンマスクの設計値
通りのライン幅が約５０μｍの微細なライン幅まで印刷
が可能となる。印刷下地膜の膜厚は溶剤の吸収量、焼成
後の透明導電膜の強度、抵抗値を考慮し、０．２〜５μ
ｍが好ましく、０．４〜１．０μｍがより好ましい。そ
の理由は、印刷下地膜の膜厚が０．２μｍよりも薄いと
ペースト中の溶剤を吸収しきれず、ライン太りを抑制す
る効果が小さく、逆に、５μｍよりも厚いと焼成時の分
解ガスが多くなり、焼成後の透明導電膜の強度低下、抵
抗値増大の原因となるからである。
通りのライン幅が約５０μｍの微細なライン幅まで印刷
が可能となる。印刷下地膜の膜厚は溶剤の吸収量、焼成
後の透明導電膜の強度、抵抗値を考慮し、０．２〜５μ
ｍが好ましく、０．４〜１．０μｍがより好ましい。そ
の理由は、印刷下地膜の膜厚が０．２μｍよりも薄いと
ペースト中の溶剤を吸収しきれず、ライン太りを抑制す
る効果が小さく、逆に、５μｍよりも厚いと焼成時の分
解ガスが多くなり、焼成後の透明導電膜の強度低下、抵
抗値増大の原因となるからである。
【００３４】基板上に印刷下地膜形成用インクを塗布、
乾燥して印刷下地膜を成膜した後、この印刷下地膜上に
透明導電膜形成用ペーストをスクリーン印刷してファイ
ンパターン膜を形成する。その後、乾燥し、次いで、大
気中において５００℃以上の温度で３０〜６０分程度焼
成することにより、パターン化された透明導電膜が作製
される。
乾燥して印刷下地膜を成膜した後、この印刷下地膜上に
透明導電膜形成用ペーストをスクリーン印刷してファイ
ンパターン膜を形成する。その後、乾燥し、次いで、大
気中において５００℃以上の温度で３０〜６０分程度焼
成することにより、パターン化された透明導電膜が作製
される。
【００３５】透明導電膜の膜厚は特に限定はされない
が、高い透過率を得、膜欠陥の発生を防止するために
は、０．１〜０．５μｍが好ましく、０．１〜０．３μ
ｍがより好ましい。上記の製造方法によれば、非常に簡
易な工程で、安全且つ低コストでパターン化された透明
導電膜を作製することができる。また、焼成時にＮＯx
や塩素ガス等の腐食性ガスの発生がないため、焼成炉お
よび環境を汚染するおそれがない。
が、高い透過率を得、膜欠陥の発生を防止するために
は、０．１〜０．５μｍが好ましく、０．１〜０．３μ
ｍがより好ましい。上記の製造方法によれば、非常に簡
易な工程で、安全且つ低コストでパターン化された透明
導電膜を作製することができる。また、焼成時にＮＯx
や塩素ガス等の腐食性ガスの発生がないため、焼成炉お
よび環境を汚染するおそれがない。
【００３６】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定
されるものではない。
的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定
されるものではない。
【００３７】「実施例１」 ［透明導電膜形成用ペースト］粒径０．１〜１．０μｍ
のＩＴＯ微粉末（住友大阪セメント製）８００ｇと酢酸
（関東化学製）４０００ｇを５リットルのセパラブルフ
ラスコに入れ、沸点下で３時間還流し、インジウムと錫
を含むヒドロキシ酢酸塩｛Ｉｎ（ＡｃＯ）2（ＯＨ）｝
0.9・｛Ｓｎ（ＡｃＯ）2｝0.1（白色沈殿物）を得た。
のＩＴＯ微粉末（住友大阪セメント製）８００ｇと酢酸
（関東化学製）４０００ｇを５リットルのセパラブルフ
ラスコに入れ、沸点下で３時間還流し、インジウムと錫
を含むヒドロキシ酢酸塩｛Ｉｎ（ＡｃＯ）2（ＯＨ）｝
0.9・｛Ｓｎ（ＡｃＯ）2｝0.1（白色沈殿物）を得た。
【００３８】得られたヒドロキシ酢酸塩をろ別し、アル
コールで洗浄後、６０℃で乾燥した。その後、乾燥した
ヒドロキシ酢酸塩４０．０ｇとジエタノールアミン４
６．０ｇと２−フェノキシエタノール６４．０ｇを５０
０ｍｌのセパラブルフラスコに入れ、７０℃で４時間、
加熱攪拌してキレート錯体溶液を得た。インジウム原子
１モルに対する有機配位子の添加量は３モルであった。
コールで洗浄後、６０℃で乾燥した。その後、乾燥した
ヒドロキシ酢酸塩４０．０ｇとジエタノールアミン４
６．０ｇと２−フェノキシエタノール６４．０ｇを５０
０ｍｌのセパラブルフラスコに入れ、７０℃で４時間、
加熱攪拌してキレート錯体溶液を得た。インジウム原子
１モルに対する有機配位子の添加量は３モルであった。
【００３９】次いで、予めポリビニルブチラール樹脂
（積水化学工業社製：エスレックＢ；ＢＨ−３）３０．
０ｇをα−テルピネオール２３９．９ｇに溶解させた溶
液と、前記キレート錯体溶液を、混練機により十分に混
合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得られたペー
スト中におけるバインダー成分であるポリビニルブチラ
ール樹脂の配合割合は７％であり、得られたペーストの
粘度は４８０００ｃｐｓであった。液の白濁、沈殿等も
無く、粘度変化も見られなかった。
（積水化学工業社製：エスレックＢ；ＢＨ−３）３０．
０ｇをα−テルピネオール２３９．９ｇに溶解させた溶
液と、前記キレート錯体溶液を、混練機により十分に混
合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得られたペー
スト中におけるバインダー成分であるポリビニルブチラ
ール樹脂の配合割合は７％であり、得られたペーストの
粘度は４８０００ｃｐｓであった。液の白濁、沈殿等も
無く、粘度変化も見られなかった。
【００４０】［パターン化された透明導電膜］下記のス
クリーンマスク及び印刷機を用いてパターン化された透
明導電膜を形成した。 ・スクリーンマスク：東京プロセスサービス製 メッシュ：ＳＴ−４００ 乳剤厚：１０μｍ、枠サイズ：３２０ｎｍ×３２０ｎｍ マスクパターン構造： （Ａ）ライン幅／スペース幅（μｍ）＝５０／５０の縦
横ストライプライン （Ｂ）７０ｍｍ×７０ｍｍのベタパターン
クリーンマスク及び印刷機を用いてパターン化された透
明導電膜を形成した。 ・スクリーンマスク：東京プロセスサービス製 メッシュ：ＳＴ−４００ 乳剤厚：１０μｍ、枠サイズ：３２０ｎｍ×３２０ｎｍ マスクパターン構造： （Ａ）ライン幅／スペース幅（μｍ）＝５０／５０の縦
横ストライプライン （Ｂ）７０ｍｍ×７０ｍｍのベタパターン
【００４１】・印刷機：マイクロ・テック製スクリーン
印刷機：ＭＴ−３２０ ・印刷条件：クリアランス：１ｍｍ、印圧：３ｋｇ／ｃ
ｍ2、背圧：１．３ｋｇ／ｃｍ2、スキージ速度：２０ｍ
ｍ／ｓｅｃ、スキージゴムアタック角度：７０°、スク
レッパ圧：２．５ｋｇ／ｃｍ2、スクレッパ速度：３０
ｍｍ／ｓｅｃ
印刷機：ＭＴ−３２０ ・印刷条件：クリアランス：１ｍｍ、印圧：３ｋｇ／ｃ
ｍ2、背圧：１．３ｋｇ／ｃｍ2、スキージ速度：２０ｍ
ｍ／ｓｅｃ、スキージゴムアタック角度：７０°、スク
レッパ圧：２．５ｋｇ／ｃｍ2、スクレッパ速度：３０
ｍｍ／ｓｅｃ
【００４２】上記印刷機を使用し、透明導電膜形成用ペ
ーストをスクリーンマスク（マスクパターン構造Ａ）を
用いて、ソーダライムガラス基板上にスクリーン印刷し
た後、１５０℃で１５分間乾燥した。こうして得られた
パターン形成膜を電気炉中（大気雰囲気）で５８０℃、
６０分間焼成して微細にパターン化されたＩＴＯからな
る透明導電膜を得た。なお、焼成時に発生するガスは二
酸化炭素と水蒸気のみであり、腐食性ガスは発生しなか
った。
ーストをスクリーンマスク（マスクパターン構造Ａ）を
用いて、ソーダライムガラス基板上にスクリーン印刷し
た後、１５０℃で１５分間乾燥した。こうして得られた
パターン形成膜を電気炉中（大気雰囲気）で５８０℃、
６０分間焼成して微細にパターン化されたＩＴＯからな
る透明導電膜を得た。なお、焼成時に発生するガスは二
酸化炭素と水蒸気のみであり、腐食性ガスは発生しなか
った。
【００４３】「実施例２」 ［透明導電膜形成用ペースト］ 実施例１と同様に、透明導電膜形成用ペーストを調整し
た。 ［印刷下地膜形成用インク］ポリビニルブチラール樹脂
（ＢＨ−３）３０．０ｇをα−テルピネオール４７０．
０ｇに溶解して印刷下地膜形成用インクを得た。
た。 ［印刷下地膜形成用インク］ポリビニルブチラール樹脂
（ＢＨ−３）３０．０ｇをα−テルピネオール４７０．
０ｇに溶解して印刷下地膜形成用インクを得た。
【００４４】［パターン化された透明導電膜］実施例１
と同じ印刷機を使用し、印刷下地膜形成用インクをスク
リーンマスク（マスクパターン構造Ｂ）を用いてソーダ
ライムガラス基板上にスクリーン印刷した後、１１０℃
で１５分間乾燥した。得られた印刷下地膜の膜厚は０．
８μｍであった。
と同じ印刷機を使用し、印刷下地膜形成用インクをスク
リーンマスク（マスクパターン構造Ｂ）を用いてソーダ
ライムガラス基板上にスクリーン印刷した後、１１０℃
で１５分間乾燥した。得られた印刷下地膜の膜厚は０．
８μｍであった。
【００４５】次いで、透明導電膜形成用ペーストをスク
リーンマスク（マスクパターン構造Ａ）を用いて、上記
の印刷下地膜上にスクリーン印刷した後、１５０℃で１
５分間乾燥した。こうして得られたパターン形成膜を電
気炉中（大気雰囲気）で５８０℃、６０分間焼成して微
細にパターン化されたＩＴＯからなる透明導電膜を得
た。なお焼成時に発生するガスは二酸化炭素と水蒸気の
みであり、腐食性ガスは発生しなかった。
リーンマスク（マスクパターン構造Ａ）を用いて、上記
の印刷下地膜上にスクリーン印刷した後、１５０℃で１
５分間乾燥した。こうして得られたパターン形成膜を電
気炉中（大気雰囲気）で５８０℃、６０分間焼成して微
細にパターン化されたＩＴＯからなる透明導電膜を得
た。なお焼成時に発生するガスは二酸化炭素と水蒸気の
みであり、腐食性ガスは発生しなかった。
【００４６】「実施例３」 ［透明導電膜形成用ペースト］実施例１と同様に、イン
ジウムと錫のキレート錯体溶液を得た。次いで、予めポ
リビニルブチラール樹脂（ＢＨ−３）２０．０ｇをα−
テルピネオール１６０．０ｇに溶解させた溶液と、前記
キレート錯体溶液を、混練機により十分に混合して透明
導電膜形成用ペーストを得た。得られたペースト中にお
けるバインダー成分であるポリビニルブチラール樹脂の
配合割合は６％であり、得られたペーストの粘度は３８
０００ｃｐｓであった。液の白濁、沈殿等も無く、粘度
変化も見られなかった。
ジウムと錫のキレート錯体溶液を得た。次いで、予めポ
リビニルブチラール樹脂（ＢＨ−３）２０．０ｇをα−
テルピネオール１６０．０ｇに溶解させた溶液と、前記
キレート錯体溶液を、混練機により十分に混合して透明
導電膜形成用ペーストを得た。得られたペースト中にお
けるバインダー成分であるポリビニルブチラール樹脂の
配合割合は６％であり、得られたペーストの粘度は３８
０００ｃｐｓであった。液の白濁、沈殿等も無く、粘度
変化も見られなかった。
【００４７】［印刷下地膜形成用インク］実施例２と同
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様の方法
により、パターン化された透明導電膜を得た。
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様の方法
により、パターン化された透明導電膜を得た。
【００４８】「実施例４」 ［透明導電膜形成用ペースト］実施例１と同様に、イン
ジウムと錫のキレート錯体溶液を得た。次いで、予めポ
リビニルブチラール樹脂（ＢＨ−３）４０．０ｇをα−
テルピネオール３１９．８ｇに溶解させた溶液と、前記
キレート錯体溶液を、混練機により十分に混合して透明
導電膜形成用ペーストを得た。得られたペースト中にお
けるバインダー成分であるポリビニルブチラール樹脂の
配合割合は８％であり、得られたペーストの粘度は３８
０００ｃｐｓであった。液の白濁、沈殿等も無く、粘度
変化も見られなかった。
ジウムと錫のキレート錯体溶液を得た。次いで、予めポ
リビニルブチラール樹脂（ＢＨ−３）４０．０ｇをα−
テルピネオール３１９．８ｇに溶解させた溶液と、前記
キレート錯体溶液を、混練機により十分に混合して透明
導電膜形成用ペーストを得た。得られたペースト中にお
けるバインダー成分であるポリビニルブチラール樹脂の
配合割合は８％であり、得られたペーストの粘度は３８
０００ｃｐｓであった。液の白濁、沈殿等も無く、粘度
変化も見られなかった。
【００４９】［印刷下地膜形成用インク］実施例２と同
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例１と同様の方法
で、パターン化された透明導電膜を得た。
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例１と同様の方法
で、パターン化された透明導電膜を得た。
【００５０】「実施例５」 ［透明導電膜形成用ペースト］実施例１と同様に、イン
ジウムと錫を含むヒドロキシ酢酸塩｛Ｉｎ（ＡｃＯ） 2
（ＯＨ）｝0.9・｛Ｓｎ（ＡｃＯ）2｝0.1（白色沈殿
物）を得た。得られたヒドロキシ酢酸塩４０．０ｇとジ
エタノールアミン３０．７ｇと２−フェノキシエタノー
ル７９．３ｇを５００ｍｌのセパラブルフラスコに入
れ、７０℃で８時間加熱攪拌し、キレート錯体溶液を得
た。インジウム原子１モルに対する有機配位子の添加量
は２モルであった。
ジウムと錫を含むヒドロキシ酢酸塩｛Ｉｎ（ＡｃＯ） 2
（ＯＨ）｝0.9・｛Ｓｎ（ＡｃＯ）2｝0.1（白色沈殿
物）を得た。得られたヒドロキシ酢酸塩４０．０ｇとジ
エタノールアミン３０．７ｇと２−フェノキシエタノー
ル７９．３ｇを５００ｍｌのセパラブルフラスコに入
れ、７０℃で８時間加熱攪拌し、キレート錯体溶液を得
た。インジウム原子１モルに対する有機配位子の添加量
は２モルであった。
【００５１】次いで、予めポリビニルブチラール樹脂
（積水化学工業社製：エスレックＢ；ＢＨ−３）３０．
０ｇをα−テルピネオール２３９．９ｇに溶解させた溶
液と、前記キレート錯体溶液を、混練機により十分に混
合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得られたペー
スト中におけるバインダー成分であるポリビニルブチラ
ール樹脂の配合割合は７％であり、得られたペーストの
粘度は４００００ｃｐｓであった。液の白濁、沈殿等も
無く、粘度変化も見られなかった。
（積水化学工業社製：エスレックＢ；ＢＨ−３）３０．
０ｇをα−テルピネオール２３９．９ｇに溶解させた溶
液と、前記キレート錯体溶液を、混練機により十分に混
合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得られたペー
スト中におけるバインダー成分であるポリビニルブチラ
ール樹脂の配合割合は７％であり、得られたペーストの
粘度は４００００ｃｐｓであった。液の白濁、沈殿等も
無く、粘度変化も見られなかった。
【００５２】［印刷下地膜形成用インク］実施例２と同
様に印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様にパタ
ーン化された透明導電膜を得た。
様に印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様にパタ
ーン化された透明導電膜を得た。
【００５３】「実施例６」 ［透明導電膜形成用ペースト］実施例１と同様に、イン
ジウムと錫のキレート錯体溶液を得た。次いで、予めエ
チルセルロース樹脂（１００ｃｐ；関東化学製）２５．
０ｇをα−テルピネオール２００．０ｇに溶解させた溶
液と、前記キレート錯体溶液を、混練機により十分に混
合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得られたペー
スト中におけるバインダー成分であるエチルセルロース
の配合割合は７％であり、得られたペーストの粘度は４
５０００ｃｐｓであった。液の白濁、沈殿等も無く、粘
度変化も見られなかった。
ジウムと錫のキレート錯体溶液を得た。次いで、予めエ
チルセルロース樹脂（１００ｃｐ；関東化学製）２５．
０ｇをα−テルピネオール２００．０ｇに溶解させた溶
液と、前記キレート錯体溶液を、混練機により十分に混
合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得られたペー
スト中におけるバインダー成分であるエチルセルロース
の配合割合は７％であり、得られたペーストの粘度は４
５０００ｃｐｓであった。液の白濁、沈殿等も無く、粘
度変化も見られなかった。
【００５４】［印刷下地膜形成用インク］エチルセルロ
ース（１００ｃｐ）３０．０ｇをα−テルピネオール４
７０．０ｇに溶解して印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。
ース（１００ｃｐ）３０．０ｇをα−テルピネオール４
７０．０ｇに溶解して印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。
【００５５】「実施例７」 ［透明導電膜形成用ペースト］インジウムと錫のキレー
ト錯体を合成する際に、２−フェノキシエタノールの代
わりにベンジルアルコールを使用したこと以外は、実施
例１に準じて透明導電膜形成用ペーストを得た。得られ
たペーストの粘度は４２０００ｃｐｓであり、液の白
濁、沈殿等も無く、粘度変化も見られなかった。
ト錯体を合成する際に、２−フェノキシエタノールの代
わりにベンジルアルコールを使用したこと以外は、実施
例１に準じて透明導電膜形成用ペーストを得た。得られ
たペーストの粘度は４２０００ｃｐｓであり、液の白
濁、沈殿等も無く、粘度変化も見られなかった。
【００５６】［印刷下地膜形成用インク］実施例２と同
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。
【００５７】「実施例８」 ［透明導電膜形成用ペースト］粒径０．１〜１．０μｍ
のＩＴＯ微粉末（住友大阪セメント製）８００ｇとプロ
ピオン酸（関東化学製）４０００ｇを５リットルのセパ
ラブルフラスコに入れ、沸点下で３時間還流し、インジ
ウムと錫を含むヒドロキシプロピオン酸塩｛Ｉｎ（Ｃ2
Ｈ5ＣＯＯ）2（ＯＨ）｝0.9・｛Ｓｎ（Ｃ2Ｈ5ＣＯ
Ｏ）2｝0.1（白色沈殿物）を得た。
のＩＴＯ微粉末（住友大阪セメント製）８００ｇとプロ
ピオン酸（関東化学製）４０００ｇを５リットルのセパ
ラブルフラスコに入れ、沸点下で３時間還流し、インジ
ウムと錫を含むヒドロキシプロピオン酸塩｛Ｉｎ（Ｃ2
Ｈ5ＣＯＯ）2（ＯＨ）｝0.9・｛Ｓｎ（Ｃ2Ｈ5ＣＯ
Ｏ）2｝0.1（白色沈殿物）を得た。
【００５８】得られたヒドロキシプロピオン酸塩４４．
５ｇとジエタノールアミン３０．７ｇと２−フェノキシ
エタノール７４．８ｇを５００ｍｌのセパラブルフラス
コに入れ、７０℃で８時間加熱撹拌してキレート錯体溶
液を得た。インジウム原子１モルに対する有機配位子の
添加量は２モルであった。次いで、予めポリビニルブチ
ラール樹脂（積水化学工業社製：エスレックＢ；ＢＨ−
３）３０．０ｇをα−テルピネオール２３９．９ｇに溶
解させた溶液と、前記キレート錯体溶液を、混練機によ
り十分に混合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得
られたペーストの粘度は４５０００ｃｐｓであり、液の
白濁、沈殿等も無く、粘度変化も見られなかった。
５ｇとジエタノールアミン３０．７ｇと２−フェノキシ
エタノール７４．８ｇを５００ｍｌのセパラブルフラス
コに入れ、７０℃で８時間加熱撹拌してキレート錯体溶
液を得た。インジウム原子１モルに対する有機配位子の
添加量は２モルであった。次いで、予めポリビニルブチ
ラール樹脂（積水化学工業社製：エスレックＢ；ＢＨ−
３）３０．０ｇをα−テルピネオール２３９．９ｇに溶
解させた溶液と、前記キレート錯体溶液を、混練機によ
り十分に混合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得
られたペーストの粘度は４５０００ｃｐｓであり、液の
白濁、沈殿等も無く、粘度変化も見られなかった。
【００５９】［印刷下地膜形成用インク］実施例２と同
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。
【００６０】「実施例９」 ［透明導電膜形成用ペースト］粒径０．１〜１．０μｍ
のＩＴＯ微粉末（住友大阪セメント製）８００ｇと、蟻
酸（関東化学製）４０００ｇを５リットルのセパラブル
フラスコに入れ、沸点下で３時間還流し、インジウムと
錫を含むヒドロキシ蟻酸塩｛Ｉｎ（ＨＣＯＯ） 2（Ｏ
Ｈ）｝0.9・｛Ｓｎ（ＨＣＯＯ）2｝0.1（白色沈殿物）
を得た。
のＩＴＯ微粉末（住友大阪セメント製）８００ｇと、蟻
酸（関東化学製）４０００ｇを５リットルのセパラブル
フラスコに入れ、沸点下で３時間還流し、インジウムと
錫を含むヒドロキシ蟻酸塩｛Ｉｎ（ＨＣＯＯ） 2（Ｏ
Ｈ）｝0.9・｛Ｓｎ（ＨＣＯＯ）2｝0.1（白色沈殿物）
を得た。
【００６１】得られたヒドロキシ蟻酸塩３５．５ｇとジ
エタノールアミン３０．７ｇと２−フェノキシエタノー
ル８３．８ｇを５００ｍｌのセパラブルフラスコに入
れ、７０℃で８時間加熱撹拌してキレート錯体溶液を得
た。インジウム原子１モルに対する有機配位子の添加量
は２モルであった。次いで、予めポリビニルブチラール
樹脂（積水化学工業社製：エスレックＢ；ＢＨ−３）３
０．０ｇをα−テルピネオール２３９．９ｇに溶解させ
た溶液と、前記キレート錯体溶液を、混練機により十分
に混合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得られた
ペーストの粘度は４２０００ｃｐｓであり、液の白濁、
沈殿等も無く、粘度変化も見られなかった。
エタノールアミン３０．７ｇと２−フェノキシエタノー
ル８３．８ｇを５００ｍｌのセパラブルフラスコに入
れ、７０℃で８時間加熱撹拌してキレート錯体溶液を得
た。インジウム原子１モルに対する有機配位子の添加量
は２モルであった。次いで、予めポリビニルブチラール
樹脂（積水化学工業社製：エスレックＢ；ＢＨ−３）３
０．０ｇをα−テルピネオール２３９．９ｇに溶解させ
た溶液と、前記キレート錯体溶液を、混練機により十分
に混合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得られた
ペーストの粘度は４２０００ｃｐｓであり、液の白濁、
沈殿等も無く、粘度変化も見られなかった。
【００６２】［印刷下地膜形成用インク］実施例２と同
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。
【００６３】「実施例１０」 ［透明導電膜形成用ペースト］粒径０．１〜１．０μｍ
のＩＴＯ微粉末（住友大阪セメント製）８００ｇと酪酸
（関東化学製）４０００ｇを５リットルのセパラブルフ
ラスコに入れ、沸点下で３時間還流し、インジウムと錫
を含むヒドロキシ酪酸塩｛Ｉｎ（Ｃ3Ｈ7ＣＯＯ）2（Ｏ
Ｈ）｝0.9・｛Ｓｎ（Ｃ3Ｈ7ＣＯＯ）2｝0.1（白色沈殿
物）を得た。
のＩＴＯ微粉末（住友大阪セメント製）８００ｇと酪酸
（関東化学製）４０００ｇを５リットルのセパラブルフ
ラスコに入れ、沸点下で３時間還流し、インジウムと錫
を含むヒドロキシ酪酸塩｛Ｉｎ（Ｃ3Ｈ7ＣＯＯ）2（Ｏ
Ｈ）｝0.9・｛Ｓｎ（Ｃ3Ｈ7ＣＯＯ）2｝0.1（白色沈殿
物）を得た。
【００６４】得られたヒドロキシ酪酸塩４９．０ｇとジ
エタノールアミン３０．７ｇと２−フェノキシエタノー
ル７０．３ｇを５００ｍｌのセパラブルフラスコに入
れ、７０℃で８時間加熱撹拌してキレート錯体溶液を得
た。インジウム原子１モルに対する有機配位子の添加量
は２モルであった。次いで、予めポリビニルブチラール
樹脂（積水化学工業社製：エスレックＢ；ＢＨ−３）３
０．０ｇをα−テルピネオール２３９．９ｇに溶解させ
た溶液と、前記キレート錯体溶液を、混練機により十分
に混合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得られた
ペーストの粘度は４５０００ｃｐｓであり、液の白濁、
沈殿等も無く、粘度変化も見られなかった。
エタノールアミン３０．７ｇと２−フェノキシエタノー
ル７０．３ｇを５００ｍｌのセパラブルフラスコに入
れ、７０℃で８時間加熱撹拌してキレート錯体溶液を得
た。インジウム原子１モルに対する有機配位子の添加量
は２モルであった。次いで、予めポリビニルブチラール
樹脂（積水化学工業社製：エスレックＢ；ＢＨ−３）３
０．０ｇをα−テルピネオール２３９．９ｇに溶解させ
た溶液と、前記キレート錯体溶液を、混練機により十分
に混合して透明導電膜形成用ペーストを得た。得られた
ペーストの粘度は４５０００ｃｐｓであり、液の白濁、
沈殿等も無く、粘度変化も見られなかった。
【００６５】［印刷下地膜形成用インク］実施例２と同
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。
様に、印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。
【００６６】「比較例」 ［透明導電膜形成用ペースト］硝酸インジウム４０．０
ｇと蓚酸錫２．５ｇとアセチルアセトン４４．２ｇと２
−フェノキシエタノール６４．０ｇを５００ｍｌのセパ
ラブルフラスコに入れ、沸点下で２時間還流してキレー
ト錯体溶液を得た。この工程以外は実施例１に準じるこ
とで透明導電膜形成用ペーストを得た。得られたペース
トの粘度は８０００ｃｐｓであり、液の白濁、沈殿等も
無く、粘度変化も見られなかった。
ｇと蓚酸錫２．５ｇとアセチルアセトン４４．２ｇと２
−フェノキシエタノール６４．０ｇを５００ｍｌのセパ
ラブルフラスコに入れ、沸点下で２時間還流してキレー
ト錯体溶液を得た。この工程以外は実施例１に準じるこ
とで透明導電膜形成用ペーストを得た。得られたペース
トの粘度は８０００ｃｐｓであり、液の白濁、沈殿等も
無く、粘度変化も見られなかった。
【００６７】［印刷下地膜形成用インク］実施例２に準
じて印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。この比較例では無機
塩を原料にしたために、成膜性が悪く、膜が白濁し、透
明な導電膜が得られなかった。
じて印刷下地膜形成用インクを得た。 ［パターン化された透明導電膜］実施例２と同様に、パ
ターン化された透明導電膜を得た。この比較例では無機
塩を原料にしたために、成膜性が悪く、膜が白濁し、透
明な導電膜が得られなかった。
【００６８】「透明導電膜の評価」以上により得られた
実施例１〜１０及び比較例の透明導電膜の膜厚、表面抵
抗値、波長５５０ｎｍの光に対する光透過率、膜強度、
およびパターン加工性等を次の方法または装置を用いて
評価した。 膜厚 ；触針式膜厚測定装置（DEKTAK3；日
本真空技術社製）を使用して基板と膜の段差測定を行っ
た。 表面抵抗値 ；抵抗測定装置（Loresta AP；三菱化
学社製）を使用して四端子法による抵抗値測定を行っ
た。 光透過率 ；分光光度計（V-750；日本分光
（株）社製）を使用して光透過率を測定した。
実施例１〜１０及び比較例の透明導電膜の膜厚、表面抵
抗値、波長５５０ｎｍの光に対する光透過率、膜強度、
およびパターン加工性等を次の方法または装置を用いて
評価した。 膜厚 ；触針式膜厚測定装置（DEKTAK3；日
本真空技術社製）を使用して基板と膜の段差測定を行っ
た。 表面抵抗値 ；抵抗測定装置（Loresta AP；三菱化
学社製）を使用して四端子法による抵抗値測定を行っ
た。 光透過率 ；分光光度計（V-750；日本分光
（株）社製）を使用して光透過率を測定した。
【００６９】パターン加工精度；顕微鏡観察によりライ
ン幅の精度を測定した。（スクリーンマスクのライン幅
５０μｍの設計に対して、実際に成膜されたラインの幅
を顕微鏡にて観察し、測長した。） 膜硬度 ；鉛筆硬度計（大平理化工業社製）を
使用して膜の硬度を測定した。 膜強度 ；セロハンテープによるピール試験を
行い、膜の表面状態を目視により判定した。
ン幅の精度を測定した。（スクリーンマスクのライン幅
５０μｍの設計に対して、実際に成膜されたラインの幅
を顕微鏡にて観察し、測長した。） 膜硬度 ；鉛筆硬度計（大平理化工業社製）を
使用して膜の硬度を測定した。 膜強度 ；セロハンテープによるピール試験を
行い、膜の表面状態を目視により判定した。
【００７０】評価結果を表１に示す。
【表１】
【００７１】表１の結果によれば、実施例１〜１０は、
ライン太りがあまり見られず、５０〜６０μｍのライン
幅のパターンを形成することができた。また、優れた導
電性を有するとともに、透明性、膜硬度及び膜強度にお
いても優れたものであった。特に、印刷下地膜を形成し
た実施例２〜１０は、設計通りの５０μｍという微細な
ライン幅のパターンを形成することができた。また、実
施例１〜１０においては、成膜の際に腐食性ガスが発生
せず、安全な環境で成膜を行い得ることが分かった。
ライン太りがあまり見られず、５０〜６０μｍのライン
幅のパターンを形成することができた。また、優れた導
電性を有するとともに、透明性、膜硬度及び膜強度にお
いても優れたものであった。特に、印刷下地膜を形成し
た実施例２〜１０は、設計通りの５０μｍという微細な
ライン幅のパターンを形成することができた。また、実
施例１〜１０においては、成膜の際に腐食性ガスが発生
せず、安全な環境で成膜を行い得ることが分かった。
【００７２】一方、比較例は、ペーストの粘度も低く、
ライン幅５０μｍの設計に対し、ライン太りが生じたた
めに、実際に形成されたライン幅は１００μｍであっ
た。また、表面抵抗値も８０００Ω／□と導電性も劣っ
ていることがわかった。さらに、透明性も悪く、膜硬
度、膜強度ともに劣ったものであった。
ライン幅５０μｍの設計に対し、ライン太りが生じたた
めに、実際に形成されたライン幅は１００μｍであっ
た。また、表面抵抗値も８０００Ω／□と導電性も劣っ
ていることがわかった。さらに、透明性も悪く、膜硬
度、膜強度ともに劣ったものであった。
【００７３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の透明導電
膜形成用ペーストによれば、インジウム及び錫を含む化
合物と有機酸とから生成したヒドロキシ化合物に有機配
位子が配位したキレート錯体と、バインダーと、溶剤と
を含有したので、ペーストの経時安定性を向上させるこ
とができ、成膜時、特に現像時の膜質の劣化等の問題点
を解消することができる。
膜形成用ペーストによれば、インジウム及び錫を含む化
合物と有機酸とから生成したヒドロキシ化合物に有機配
位子が配位したキレート錯体と、バインダーと、溶剤と
を含有したので、ペーストの経時安定性を向上させるこ
とができ、成膜時、特に現像時の膜質の劣化等の問題点
を解消することができる。
【００７４】本発明の透明導電膜は、本発明の透明導電
膜形成用ペーストを、該ペースト中に含まれる溶剤に可
溶または該溶剤を吸収する樹脂からなる下地膜上に塗布
し、焼成してなることとしたので、ライン太りを抑制す
ることができ、優れた導電性を得るとともに、ライン幅
の微細なパターンを形成した同伝幕が得られる。このよ
うに、この透明導電膜は、ディスプレイの表示素子等の
電極材料として極めて優れたものである。
膜形成用ペーストを、該ペースト中に含まれる溶剤に可
溶または該溶剤を吸収する樹脂からなる下地膜上に塗布
し、焼成してなることとしたので、ライン太りを抑制す
ることができ、優れた導電性を得るとともに、ライン幅
の微細なパターンを形成した同伝幕が得られる。このよ
うに、この透明導電膜は、ディスプレイの表示素子等の
電極材料として極めて優れたものである。
【００７５】本発明の透明導電膜の製造方法によれば、
本発明の透明導電膜形成用ペーストを、該ペースト中に
含まれる溶剤に可溶または該溶剤を吸収する樹脂からな
る下地膜上にスクリーン印刷し、５００℃以上の温度で
焼成するので、従来のスクリーン印刷では得られなかっ
た印刷精度を得ることができ、ライン幅５０μｍ程度ま
でパターン加工を行うことができる。また、スクリーン
印刷法を用いたので、成膜時の作業性を向上させること
ができ、また、安全性にも優れている。また、低コスト
でかつ非常に簡単な工程で微細なパターン化された透明
導電膜を作製することができ、焼成炉および環境を汚染
するおそれもない。
本発明の透明導電膜形成用ペーストを、該ペースト中に
含まれる溶剤に可溶または該溶剤を吸収する樹脂からな
る下地膜上にスクリーン印刷し、５００℃以上の温度で
焼成するので、従来のスクリーン印刷では得られなかっ
た印刷精度を得ることができ、ライン幅５０μｍ程度ま
でパターン加工を行うことができる。また、スクリーン
印刷法を用いたので、成膜時の作業性を向上させること
ができ、また、安全性にも優れている。また、低コスト
でかつ非常に簡単な工程で微細なパターン化された透明
導電膜を作製することができ、焼成炉および環境を汚染
するおそれもない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 豊将 東京都千代田区六番町６番地28 住友大阪 セメント株式会社新規技術研究所内 Ｆターム(参考） 4J002 AB021 BE021 BG001 CF001 EG046 GQ02 HA05 5G301 DA13 DA22 DA53 DA60 DD01 5G307 FA02 FB04 FC03 5G323 BA04 BB06 BC01
Claims (10)
- 【請求項１】 インジウム及び錫を含む化合物と有機酸
とから生成したヒドロキシ化合物に有機配位子が配位し
たキレート錯体と、バインダーと、溶剤とを含有してな
ることを特徴とする透明導電膜形成用ペースト。 - 【請求項２】 前記インジウム及び錫を含む化合物は、
錫ドープ酸化インジウムであることを特徴とする請求項
１記載の透明導電膜形成用ペースト。 - 【請求項３】 前記有機酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン
酸、酪酸、吉草酸から選択された少なくとも１種である
ことを特徴とする請求項１または２記載の透明導電膜形
成用ペースト。 - 【請求項４】 前記ヒドロキシ化合物は、次の化学式 ｛Ｉｎ（ＲnＣＯＯ）2（ＯＨ）｝X・｛Ｓｎ（ＲnＣＯＯ）2｝1-X ……（１） （但し、ＲnＣＯＯはアシルオキシ基であり、ｎは１〜
５、ｘは０．８６≦ｘ≦０．９６を満たす数である）で
表されることを特徴とする請求項１、２または３記載の
透明導電膜形成用ペースト。 - 【請求項５】 前記有機配位子は、β−ジケトン、アミ
ノアルコール、多価アルコールから選択された少なくと
も１種であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか
１項記載の透明導電膜形成用ペースト。 - 【請求項６】 前記インジウム及び錫の合計の含有量
は、酸化物に換算して１〜２０重量％であることを特徴
とする請求項１〜５のいずれか１項記載の透明導電膜形
成用ペースト。 - 【請求項７】 前記バインダーの含有量が、１〜２０重
量％であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１
項記載の透明導電膜形成用ペースト。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項記載の透明
導電膜形成用ペーストが、該ペースト中に含まれる溶剤
に可溶または該溶剤を吸収する樹脂からなる下地膜上に
塗布され、焼成されていることを特徴とする透明導電
膜。 - 【請求項９】 前記下地膜の膜厚は０．２〜５μｍであ
ることを特徴とする請求項８記載の透明導電膜。 - 【請求項１０】 請求項１〜７のいずれか１項記載の透
明導電膜形成用ペーストを、該ペースト中に含まれる溶
剤に可溶または該溶剤を吸収する樹脂からなる下地膜上
にスクリーン印刷し、５００℃以上の温度で焼成するこ
とを特徴とする透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001239160A JP3995909B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-08-07 | 透明導電膜形成用ペーストとそれを用いた透明導電膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092647 | 2001-03-28 | ||
| JP2001-92647 | 2001-03-28 | ||
| JP2001239160A JP3995909B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-08-07 | 透明導電膜形成用ペーストとそれを用いた透明導電膜及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002358824A true JP2002358824A (ja) | 2002-12-13 |
| JP3995909B2 JP3995909B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=26612358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001239160A Expired - Fee Related JP3995909B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-08-07 | 透明導電膜形成用ペーストとそれを用いた透明導電膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3995909B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006028431A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜とその製造方法、及び透明導電膜形成用塗布液 |
| US8426107B2 (en) | 2008-05-14 | 2013-04-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive-type photosensitive composition |
| US9029709B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-05-12 | Nippon Mektron, Ltd. | Transparent flexible printed wiring board and method for manufacturing the same |
-
2001
- 2001-08-07 JP JP2001239160A patent/JP3995909B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006028431A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜とその製造方法、及び透明導電膜形成用塗布液 |
| JP4655529B2 (ja) * | 2004-07-20 | 2011-03-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜とその製造方法、及び透明導電膜形成用塗布液 |
| US8426107B2 (en) | 2008-05-14 | 2013-04-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive-type photosensitive composition |
| JP5238023B2 (ja) * | 2008-05-14 | 2013-07-17 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| US9029709B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-05-12 | Nippon Mektron, Ltd. | Transparent flexible printed wiring board and method for manufacturing the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3995909B2 (ja) | 2007-10-24 |
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