JP2002353380A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボンディング作業スペースの低減により装置
の小型化が図れるとともに、組立作業性が損なわれない
半導体装置の提供。 【解決手段】 ブスバー６ｃ，６ｅｃを樹脂モールド８
により一体化し、半導体チップＴ１，Ｔ４やブスバー６
ｃ，６ｅ，６ｅｃと信号入力端子９とをボンディングワ
イヤ７ａ，７ｂ，７ｄ，７ｅで接続する。信号入力端子
９はボンディングワイヤ７ａ，７ｂ，７ｄ，７ｅが接続
されるワイヤ固着部９ｂと、コネクタ接続部９ａとを有
している。信号入力端子９は端子延在方向が樹脂モール
ド８の底面とほぼ平行となるように側壁８１ａを貫通し
て設けられ、ワイヤ固着部９ｂは樹脂モールド８の半導
体素子収容空間に、コネクタ接続部９ａはケース外にそ
れぞれ配設される。コネクタ接続部９ａへのコネクタ１
２の接続方向はカバー１１の装着方向とほぼ同一方向と
した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子が設け
られた複数のブスバーを樹脂モールドにより一体化した
半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電気自動車等に用いられる電力変
換回路には、半導体素子を利用して電力変換を行う半導
体装置が用いられている。このような半導体装置におい
ては、半導体素子の電極面をブスバー上に面接合し、半
導体素子が設けられた複数のブスバーを絶縁用樹脂によ
りモールドして一体化した半導体モジュールが用いられ
る。この樹脂モールドは半導体装置のケースも兼ねてお
り、樹脂モールドケースには半導体素子等を囲むように
側壁が形成されている。この側壁で囲まれた素子収容空
間には、半導体素子やボンディングワイヤを保護するた
めの絶縁封止材が封入される。

【０００３】半導体モジュールの素子収容空間内には、
半導体素子やブスバーがボンディングワイヤにより接続
される端子が設けられている。半導体装置は半導体素子
の動作を制御する制御基板がモジュール化されたケース
カバーを有しており、このケースカバーは素子収容空間
を覆うように半導体モジュールに対して上下に装着され
る。そのため、ケースカバーを半導体モジュールに上下
に装着した際に、ケースカバーに設けられたコネクタと
半導体モジュールの端子とが容易に接続できるように、
端子はモジュール上方に突出するように側壁と平行に設
けられている。すなわち、端子には、ボンディングワイ
ヤが接続されるボンディングワイヤ接続部と、半導体モ
ジュールの上方に伸延するコネクタ接続部とを有してい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た端子がコネクタと接続可能とするために、前記端子を
絶縁封止材をせき止める役目をする側壁よりも上方に突
出させる必要がある。そのため、ボンディングワイヤ接
続部にワイヤをボンディングする際に、コネクタ接続部
がボンディングツールと干渉しないように、ボンディン
グワイヤ接続部とコネクタ接続部との間にツールが挿入
可能なスペースを設ける必要がある。その結果、このツ
ール挿入スペースがデッドスペースとなって、半導体モ
ジュールの寸法が大きくなってしまうという問題があっ
た。

【０００５】また、このようなツールと端子との干渉を
避けるために、特開平６−２２４３１４号公報に記載さ
れている装置のように端子をケースの側方に引き出し、
その引き出された端子に対してコネクタを側方から接続
する方法が考えられる。しかしながら、デッドスペース
の問題は解消されるが、ケースカバーを装着する方向と
コネクタを接続する方向とがほぼ直角と大きく異なるた
め、組立作業性が大きく損なわれる。

【０００６】本発明の目的は、ボンディング作業スペー
スの低減により装置の小型化が図れ、かつ、組立作業性
が損なわれない半導体装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図４および図８に対応付けて説明する。 （１）図４に対応付けて説明すると、請求項１の発明
は、半導体素子Ｔ１，Ｔ４の電極面が面接合され、互い
に隙間を設けて並設された複数のブスバー６ｃ，６ｅｃ
と、前記隙間に充填されて複数のブスバー６ｃ，６ｅｃ
を一体化する結合部８ｂ、および複数のブスバー６ｃ，
６ｅｃに設けられた半導体素子Ｔ１，Ｔ４を一体に囲ん
で保護用封止材１０の封入空間を形成する側壁８ａを有
して、複数の半導体素子Ｔ１，Ｔ４を収容する筒状の樹
脂モールドケース８と、半導体素子Ｔ１，Ｔ４を駆動す
るための駆動回路１３が設けられ、樹脂モールドケース
８に装着されるカバー１１と、半導体素子Ｔ１，Ｔ４お
よびブスバー６ｃ，６ｅｃがリード部材７ａ，７ｂ，７
ｅを介して接続されるリード接続部９ｂ、および駆動回
路１３と接続される回路接続部９ａを有する端子９と、
カバー１１に設けられ、駆動回路１３と端子９の回路接
続部９ａとを接続するコネクタ１２とを備える半導体装
置に適用され、リード接続部９ｂが樹脂モールドケース
８の封入空間に配設され、回路接続部９ａが樹脂モール
ドケース外に配設され、延在方向が樹脂モールドケース
８の底面とほぼ平行となるように端子９を側壁８ａを貫
通して設け、回路接続部９ａへのコネクタ１２の接続方
向をカバー１１の装着方向とほぼ同一方向としたことに
より上述の目的を達成する。 （２）図８に対応付けて説明すると、請求項２の発明
は、請求項１に記載の半導体装置において、回路接続部
９ａを囲む保護壁８１ｃを設けたものである。 （３）請求項２の発明は、請求項２に記載の半導体装置
において、コネクタ２０Ａと回路接続部９ａとの接続状
態が保持されるようにコネクタ２０Ａを樹脂モールドケ
ース８１に係止する係止機構２１，８１ｅを設けたもの
である。

【０００８】なお、上記課題を解決するための手段の項
では、本発明を分かり易くするために発明の実施の形態
の図を用いたが、これにより本発明が発明の実施の形態
に限定されるものではない。

【０００９】

【発明の効果】（１）請求項１の発明によれば、端子の
延在方向が樹脂モールドケースの底面とほぼ平行となる
ように回路接続部を樹脂モールドケース外へ引き出して
いるため、リード接続部にリード部材を接続する際の回
路接続部へのリード接続用ツールの干渉を防止すること
ができ、リード接続用のデッドスペースを低減すること
ができる。さらに、コネクタ接続方向をカバー装着方向
とほぼ同一方向としたので、コネクタ接続が容易となり
組立作業性が良い。すなわち、組立作業性を損なうこと
なく半導体装置の小型化を図ることができる。 （２）請求項２の発明によれば、請求項１の効果に加え
て、保護壁により回路接続部が囲まれているので、半導
体装置の運搬時等に端子が損傷したりするのを防止でき
る。 （３）請求項３の発明によれば、係止機構によりコネク
タが樹脂モールドケースに係止されるため、半導体装置
に振動が加わったりした場合でもコネクタ接続状態が確
実に保持される。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施
の形態を説明する。図１は本発明に係る半導体装置の一
実施の形態を示す図であり、電気自動車に搭載されるイ
ンバータの電力変換部の回路図である。図１に示す電力
変換部では、ＩＧＢＴ（Ｔ１〜Ｔ６）およびダイオード
（Ｄ１〜Ｄ６）とを用いて直流Ｐ，Ｎを交流Ｕ，Ｖ，Ｗ
に変換しているが、トランジスタ、サイリスタ等の半導
体チップを用いた装置も知られている。

【００１１】ＩＧＢＴ（Ｔ１〜Ｔ３）のコレクタ（ドレ
イン）はＰ極用ブスバー６ｃに接続され、ＩＧＢＴ（Ｔ
４〜Ｔ６）のエミッタ（ソース）はＮ極用ブスバー６ｅ
に接続される。また、ＩＧＢＴ・Ｔ１のエミッタ（ソー
ス）およびＩＧＢＴ・Ｔ４のコレクタ（ドレイン）は、
インバータ出力用（Ｕ相）のブスバー６ｅｃに接続され
る。同様に、ＩＧＢＴ・Ｔ２のエミッタ（ソース）およ
びＩＧＢＴ・Ｔ５のコレクタ（ドレイン）はＶ相用のブ
スバー６ｅｃに、ＩＧＢＴ・Ｔ３のエミッタ（ソース）
およびＩＧＢＴ・Ｔ６のコレクタ（ドレイン）はＷ相用
のブスバー６ｅｃにそれぞれ接続される。さらに、ＩＧ
ＢＴ（Ｔ１〜Ｔ６）のゲートは、後述する信号入力端子
９（図２参照）に接続される。

【００１２】図２は、図１に示す電力変換部のＵ相に関
する半導体モジュール１の平面図である。また、図３は
図２のＡ−Ａ断面図である。Ｖ相およびＷ相に関する半
導体モジュールも同様の構成であり、本実施の形態では
図示および説明を省略する。本実施の形態では各相毎に
半導体モジュールを構成しているが、図１に示すＵ，
Ｖ，Ｗ相を一体の半導体モジュールとしても良い。

【００１３】図２，３において、ＩＧＢＴ・Ｔ１および
ＩＧＢＴ・Ｔ４のチップ裏面側（ブスバー６ｃ，６ｅｃ
側）にはコレクタ（ドレイン）用電極が形成され、表面
側にはエミッタ（ソース）用電極およびゲート用電極が
形成されている。また、ダイオードＤ１，Ｄ４のチップ
裏面側（ブスバー６ｃ，６ｅｃ側）にはカソード用電極
が形成され、表面側にはアノード用電極が形成されてい
る。

【００１４】ＩＧＢＴ・Ｔ１およびダイオードＤ１はブ
スバー６ｃ上に設けられており、各チップの裏面は導電
性の接合材２を介してブスバー６ｃに面接合されてい
る。接合材２にはハンダや導電性接着剤等が用いられ
る。ＩＧＢＴ・Ｔ４およびダイオードＤ４についても、
同様にしてブスバー６ｅｃ上に固着されている。６０
１，６０２，６０３は、それぞれブスバー６ｃ，６ｅ，
６ｅｃの入出力端子である。

【００１５】半導体チップが設けられたブスバー６ｃ，
６ｅｃやブスバー６ｅは、樹脂モールド８により一体化
される。この樹脂モールド８はブスバー６ｃ，６ｅ，６
ｅｃの隙間に充填されてそれらを一体化する結合部８ｂ
と、半導体チップの周囲を囲む側壁８ａとを備え、半導
体装置のケーシングとしても機能している。また、樹脂
モールド８は、電位の異なるブスバー６ｃ，６ｅ，６ｅ
ｃ間を電気的に絶縁する絶縁体としても機能している。
樹脂モールド８を形成する際には、複数の信号入力端子
９が側壁８ａを貫通してケーシング側方に突出するよう
に設けられる。また、入出力端子６０１〜６０３も側壁
８ａを貫通してケーシング外部に突出している。

【００１６】樹脂モールド８によりブスバー６ｃ，６
ｅ，６ｅｃを一体とした後には、ボンディングワイヤ７
ａ〜７ｆにより各半導体チップ（Ｔ１，Ｔ４，Ｄ１，Ｄ
４）とブスバー６ｅｃ，６ｅおよび信号入力端子９とを
接続する。ボンディングワイヤ７ａ〜７ｆは、信号入力
端子９のワイヤ固着部９ｂに接続される。例えば、ボン
ディングワイヤ７ａによりＩＧＢＴ（Ｔ１，Ｔ４）のゲ
ートと信号入力端子９とを接続し、ボンディングワイヤ
７ｂ，７ｃによりＩＧＢＴ・Ｔ１のコレクタ（ドレイ
ン）およびダイオードＤ１のアノードとブスバー６ｅｃ
とを接続する。また、ボンディングワイヤ７ｄ，７ｆに
よりＩＧＢＴ・Ｔ４のエミッタ（ソース）およびダイオ
ードＤ４のアノードとブスバー６ｅとを接続する。な
お、半導体モジュール１には不図示の温度センサ等が設
けられ、それらの出力端子はボンディングワイヤにより
信号入力端子９のワイヤ固着部９ｂに接続される。

【００１７】樹脂モールド８により一体化されたブスバ
ー６ｃ，６ｅ，６ｅｃは、放熱効率を高めるために絶縁
体４を挟んでヒートシンク５に取り付けられる。また、
樹脂モールド８の側壁８ａの内側空間には、シリコンゲ
ルやエポキシ樹脂等の絶縁封止剤１０が封入される。絶
縁封止剤１０は、半導体チップ（Ｔ１，Ｔ４，Ｄ１，Ｄ
４）への汚染物付着の防止、結露による絶縁不良の防
止、ボンディングワイヤの保護等を目的として封入され
る。絶縁封止剤１０を封入したならば、図４に示すよう
に樹脂モールド８のケーシングにカバー１１を取り付け
る。

【００１８】カバー１１内には駆動信号制御基板１３が
モジュール化されており、駆動信号制御基板１３を信号
入力端子９のコネクタ接続部９ａに接続するためのコネ
クタ１２が設けられている。このコネクタ１２は一相当
たり２個設けられ、Ｕ，Ｖ，Ｗ相が一体となった半導体
モジュールの場合には、合計６個のコネクタ１２がカバ
ー１１に設けられる。図４に示すように半導体モジュー
ル１に対してカバー１１を上下に装着すると、コネクタ
１２が信号入力端子９のコネクタ接続部９ａに接続され
る。

【００１９】図５はコネクタ１２と信号入力端子９との
接続構造を詳細に示す図であり、（ａ）はコネクタ接続
部分の斜視図、（ｂ）はコネクタ１２の端子形状を示す
斜視図、（ｃ）は信号入力端子９の形状を説明する図で
ある。コネクタ１２は、図示上方、すなわち信号入力端
子９の延在方向に対して垂直に接続される。図に示す例
では、信号入力端子９は５個あり、コネクタ１２にも同
数のコネクタ端子１４が設けられている。コネクタ端子
１４の基板接続部１４ａはコネクタ１２の上端面から突
出しており、この基板接続部１４ａが駆動信号制御基板
１３（不図示）の接続端子に接続される。

【００２０】図５（ｃ）に示すように、信号入力端子９
は板状部材を折り曲げ加工したものであり、コネクタ接
続部９ａの断面形状はＬ字形状となっている。信号入力
端子９は、コネク接続部９ａが樹脂モールド８の側壁８
ａの外側に水平に突出し、ワイヤ固着部９ｂが側壁８ａ
よりも内側となるようにモールドされている。

【００２１】一方、コネクタ端子１４は図５（ｂ）に示
すような形状をしており、信号入力端子９との接続部分
は、コネクタ接続部９ａの垂直部分を表裏両面から挟み
込む挟持部材１４ｂ，１４ｃから成る。コネクタ端子１
４の材料には、リン青銅、ベリリウム銅、洋白等のよう
に電気伝導率が高く、かつバネ性を有するものが用いら
れる。図４に示すように半導体モジュール１にカバー１
１を装着すると、図５（ａ）のように信号入力端子９に
対してコネクタ１２が下方向に押し込まれる。その結
果、コネクタ接続部９ａの垂直部分が、挟持部材１４
ｂ，１４ｃを開くようにしてそれらの隙間に挿入され
（図５（ｂ）参照）、弾性力によって挟持部材１４ｂ，
１４ｃに挟持される。

【００２２】上述したように、本実施の形態では、信号
入力端子９のコネクタ接続部９ａの部分を樹脂モールド
８によるケーシングの側方に水平に突出させるととも
に、突出したコネクタ接続部９ａとコネクタ１２との着
脱方向がケース１１の装着方向と同一となるように構成
した。その結果、信号入力端子９のワイヤ固着部９ｂに
ボンディングワイヤ７を接続する際に、ワイヤボンダが
コネクタ接続部９ａと干渉するようなことが無く、ボン
ディング作業のためのデッドスペースを低減することが
できる。また、コネクタ１２の接続方向がケース装着方
向と同じ垂直方向であるため、半導体モジュール１と駆
動信号制御基板１３とのアッセンブリ作業性が非常に良
い。

【００２３】次に、デッドスペースの低減効果につい
て、図６を参照して説明する。図６は半導体モジュール
の寸法を示す図であり、（ａ）は従来のように垂直方向
に伸延する信号入力端子９０を樹脂モールドケーシング
８０内に設けた半導体モジュール１００の断面図であ
る。一方、図６の（ｂ）は本実施の形態における半導体
モジュール１の断面図であり、図３に示したものと同様
の図である。半導体モジュール１００において、信号入
力端子９０および樹脂モールドケーシング８０以外は半
導体モジュール１と同様の構成となっている。そのた
め、チップ収容空間の寸法はいずれのモジュールの場合
も等しく５０mmである。１２０は、信号入力端子９０と
駆動信号制御基板１３とを接続するコネクタである。

【００２４】図６（ａ）の半導体モジュール１００の場
合には、ボンディングワイヤ７ａをワイヤ固着部９０ｂ
にボンディングする際にボンダとの干渉が問題になるの
は、信号入力端子９０のコネクタ接続部９０ａである。
一方、図６（ｂ）に示す半導体モジュール１の場合に
は、樹脂モールド８の側壁８ａとの干渉が問題になる。
側壁８ａは絶縁封止材１０を封入する際に絶縁封止材１
０がケース外に漏れるのを防止する堰として機能するも
のであり、その高さは絶縁封止材１０の表面とほぼ同じ
高さでよい。一方、図６（ａ）の信号入力端子９０のコ
ネクタ接続部９０ａは、コネクタ１２０との接続が可能
なように絶縁封止材１０の表面よりも上方に突出させな
ければならない。そのため、コネクタ接続部９０ａの先
端に対するワイヤ固着部９０ｂの深さは、半導体モジュ
ール１の場合の側壁８ａ上端に対するワイヤ固着部９ｂ
の深さよりも深くなる。

【００２５】その結果、ボンディング深さが浅い半導体
モジュール１の場合のよりも、ボンディング深さが深い
半導体モジュール１００の場合の方が、ボンディング用
デッドスペースを大きくする必要がある。図６に示す例
では、半導体モジュール１の場合のデッドスペースの寸
法は５．５６mmであるが、半導体モジュール１００の場
合にはデッドスペースの寸法を１０mmと大きくしなけれ
ばならない。

【００２６】さらに、半導体モジュール１００の場合に
は、コネクタ１２０をコネクタ接続部９０ａに接続した
ときのコネクタスペースを側壁８０ａの内側に設ける必
要がある。これらのボンディング用デッドスペースおよ
びコネクタスペースを考慮すると、樹脂モールドケーシ
ング８０の図示左右寸法を、チップ収容空間寸法（＝５
０mm）よりも左右に２０mmずつ大きくする必要がある。
一方、半導体モジュール１の場合には、図４に示すよう
にコネクタ１２は樹脂モールド８のケース外で信号入力
端子９に接続されるため、樹脂モールド８の左右寸法を
チップ収容空間寸法（＝５０mm）よりも左右に８．５６
mmずつ大きくするだけでよい。ブスバー６０１，６０２
を含めた最終的な寸法は、半導体モジュール１００では
１２９mm、半導体モジュール１では１０６．１mmとな
り、モジュールの大きさを大幅に小型化することができ
た。

【００２７】《変形例》図７および図８は上述した実施
の形態の変形例を示す図である。図７は半導体モジュー
ル１Ａの断面図であり、図８は半導体モジュール１Ａの
コネクタ接続部分の詳細を示す斜視図である。２０Ａは
信号入力端子９と駆動信号制御基板１３（不図示）とを
接続するコネクタであり、図８に示すように上述した実
施の形態と同様のコネクタ端子１４を複数備えている。
ブスバー６ｃ，６ｅ，６ｅｃは樹脂モールド８１の結合
部８１ｂにより一体とされ、樹脂モールド８１には側壁
８１ａが設けられている。側壁８１ａの外側には信号入
力端子９のコネクタ接続部９ａの周囲を囲むようにコネ
クタハウジング部８１ｃが形成され、側壁８１ａとコネ
クタハウジング部８１ｃとによりコネクタ挿入穴８１ｄ
が形成される。樹脂モールド８１と上述した樹脂モール
ド８とはコネクタハウジング部８１ｃの有無が異なるだ
けで、他の部分の構造は同一である。

【００２８】コネクタ２０Ａは樹脂等の電気的絶縁材料
からなり、コネクタ２０Ａの長手方向の両側面にはロッ
ク用爪２１が形成されている。ロック用爪２１はコネク
タ２０Ａの側面よりも突出しているが、ロック用爪２１
の上端部分に形成された抓み部２２を図８のＲ方向に付
勢すると、コネクタ２０Ａの側面よりも内側に後退す
る。一方、コネクタハウジング部８１ｃの内周面にはロ
ック用爪２１が係合するロック穴８１ｅが形成されてい
る。

【００２９】抓み部２２をＲ方向に付勢しつつコネクタ
２０Ａをコネクタ挿入穴８１ｄの所定位置まで挿入する
と、信号入力端子９のコネクタ接続部９ａが図５（ｂ）
のようにコネクタ端子１４の挟持部材１４ｂ，１４ｃに
より挟持されて接続状態となるとともに、ロック用爪２
１がロック穴８１ｅに係合する。このようにロック機構
２１，８１ｅを設けたことにより、コネクタ２０Ａと信
号入力端子９との接続が確実に行え、接続作業の作業性
が向上する。さらに、半導体装置に振動等が加わった場
合でも、コネクタ２０Ａがコネクタ接続部９ａから外れ
るのをロック機構により防止することができる。

【００３０】上述した半導体モジュール１では信号入力
端子９のコネクタ接続部９ａが樹脂モールド８の外側に
剥き出しになっているため、コネクタ接続部９ａに物が
当たったりして変形するというおそれがある。しかし、
半導体モジュール１Ａの場合にはコネクタ接続部９ａが
コネクタハウジング部８１ｃにより囲まれているため、
干渉等による変形を防止することができる。

【００３１】図９，図１０は、信号入力端子９およびコ
ネクタ２０Ａの端子形状の他の例を示す図である。図９
において、（ａ）はコネクタ接続部分の斜視図、（ｂ）
はコネクタ２０Ｂの端子の形状を示す斜視図、（ｃ）は
信号入力端子９１の形状を説明する図である。コネクタ
端子１４０が設けられているコネクタ２０Ｂに関して
は、端子装着部分の形状を除いては図８に示したコネク
タ２０Ａと同様の構造となっており、ロック用爪２１お
よび抓み部２２が形成されている。コネクタ端子１４０
は基板接続部１４０ａおよび端子接続部１４０ｂから成
り、端子接続部１４０ｂは上方に凸のアーチ形状を成し
ている。

【００３２】一方、加工前の信号入力端子９１はＴ字形
状の板材であり、その板材のコネクタ接続部９１ａとな
る部分の両端を、図９（ｃ）のようにそれぞれ上側に丸
めるような加工を施す。その結果、コネクタ接続部９１
ａは上方に凸形状となるように形成される。９１ｂはワ
イヤ固着部である。図９に示す半導体モジュール１Ｂは
信号入力端子９１のみが半導体モジュール１Ａと異なる
だけで、他の構造は全く同様である。コネクタ２０Ｂを
半導体モジュール１Ｂのコネクタハウジング８１ｂに装
着すると、コネクタ端子１４０の端子接続部１４０ｂの
下面がコネクタ接続部９１ａに押圧されて接触する。そ
して、コネクタ接続部９１ａと端子接続部１４０ｂとの
接触が保たれた状態で、ロック用爪２１がロック穴８１
ｄに係合する。

【００３３】また、図１０に示す他の例では、信号入力
端子９２を図１０（ａ）のように下方に折り曲げてい
る。図１０において、（ａ）はコネクタ接続部の斜視
図、（ｂ）は断面図である。信号入力端子９２はワイヤ
固着部９２ｂと、下方に折り曲げられたコネクタ接続部
９２ａとから成る。コネクタ接続部９２ａの接触面は、
側壁８１ａの外面（コネクタハウジング部８１ｃ側の
面）とほぼ同一面となっている。

【００３４】一方、コネクタ２０Ｃに設けられたコネク
タ端子１４１は基板接続部１４１ａと端子接続部１４１
ｂとから成る。端子接続部１４１ｂの少なくとも一部は
コネクタ２０Ｃの外周面より突出しており、図１０
（ｂ）の矢印Ｒ２方向に弾性変形が可能な構造となって
いる。コネクタ２０Ｃをコネクタハウジング８１ｃに装
着すると、側壁８１ａの外面からの付勢力によりＲ２方
向に変形する。そして、コネクタ２０Ｃのロック用爪２
１がロック穴８１ｅに係合すると、端子接続部１４１ｂ
がコネクタ接続部９２ａと接触する位置に位置決めされ
る。

【００３５】以上説明した実施の形態と特許請求の範囲
の要素との対応において、ダイオードＤ１〜Ｄ６よおび
ＩＧＢＴ・Ｔ１〜Ｔ６は半導体素子を、ボンディングワ
イヤ７，７ａ〜７ｆはリード部材を、信号入力端子９，
９０，９１，９２は端子を、コネクタ接続部９ａ，９０
ａ，９１ａ，９２ａは回路接続部を、ワイヤ固着部９
ｂ，９０ｂ，９１ｂ，９２ｂはリード接続部を、コネク
タハウジング部８１ｃは保護壁を、ロック用爪２１およ
びロック穴８１ｄは係止機構をそれぞれ構成する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置の一実施の形態を示す
図であり、電気自動車に搭載されるインバータの電力変
換部の回路図である。

【図２】図１に示す電力変換部のＵ相に関する半導体モ
ジュールの平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。

【図４】カバー１１の半導体モジュール１への装着を説
明する図である。

【図５】コネクタ１２と信号入力端子９との接続構造を
詳細に示す図であり、（ａ）はコネクタ接続部分の斜視
図、（ｂ）はコネクタ１２の端子形状を示す斜視図、
（ｃ）は信号入力端子９の形状を示す図である。

【図６】デッドスペースの低減効果を説明する図であ
り、（ａ）は従来の場合の半導体モジュール１００を示
す断面図であり、（ｂ）は本実施の形態における半導体
モジュール１の断面図である。

【図７】実施の形態の第１の変形例を示したものであ
り、半導体モジュール１Ａの断面図である。

【図８】図７に示す半導体モジュール１Ａのコネクタ接
続部分の詳細を示す斜視図である。

【図９】端子形状の一例を示す図であり、（ａ）はコネ
クタ接続部分の斜視図、（ｂ）はコネクタ２０Ｂの端子
形状を示す斜視図、（ｃ）は信号入力端子９０の形状を
説明する図である。

【図１０】端子形状の他の例を示す図であり、（ａ）は
コネクタ接続部分の斜視図、（ｂ）はコネクタ２０Ｃの
端子形状を示す斜視図、（ｃ）は信号入力端子９２の形
状を示す図である。

【符号の説明】

１，１Ａ 半導体モジュール ６ｃ，６ｅ，６ｅｃ ブスバー ７，７ａ〜７ｆ ボンディングワイヤ ８，８０，８１ 樹脂モールド ８ａ，８０ａ，８１ａ 側壁 ９，９０，９１，９２ 信号入力端子 ９ａ，９０ａ，９１ａ，９２ａ コネクタ接続部 ９ｂ，９０ｂ，９１ｂ，９２ｂ ワイヤ固着部 １１ カバー １２，２０Ａ〜２０Ｃ，１２０ コネクタ ２１ ロック用爪 ８１ｃ コネクタハウジング部 ８０ｅ ロック穴 Ｄ１〜Ｄ６ ダイオード Ｔ１〜Ｔ６ ＩＧＢＴ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｒ 12/20 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 DA01 5E023 AA16 BB14 BB22 CC12 CC22 CC26 EE03 FF13 HH08 HH19 5E077 BB11 BB26 BB31 CC15 CC22 DD14 FF11 GG01 JJ20 JJ22

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子の電極面が面接合され、互い
   に隙間を設けて並設された複数のブスバーと、 前記隙間に充填されて前記複数のブスバーを一体化する
   結合部、および前記複数のブスバーに設けられた半導体
   素子を一体に囲んで保護用封止材の封入空間を形成する
   側壁を有して、前記複数の半導体素子を収容する筒状の
   樹脂モールドケースと、 前記半導体素子を駆動するための駆動回路が設けられ、
   前記樹脂モールドケースに装着されるカバーと、 前記半導体素子およびブスバーがリード部材を介して接
   続されるリード接続部、および前記駆動回路が接続され
   る回路接続部を有する端子と、 前記カバーに設けられ、前記駆動回路と前記端子の回路
   接続部とを接続するコネクタとを備える半導体装置にお
   いて、 前記リード接続部が前記樹脂モールドケースの前記封入
   空間に配設され、前記回路接続部が前記樹脂モールドケ
   ース外に配設され、延在方向が前記樹脂モールドケース
   の底面とほぼ平行となるように前記端子を前記側壁を貫
   通して設け、前記回路接続部への前記コネクタの接続方
   向を前記カバーの装着方向とほぼ同一方向としたことを
   特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、 前記回路接続部を囲む保護壁を設けたことを特徴とする
   半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の半導体装置において、 前記コネクタと前記回路接続部との接続状態が保持され
   るように前記コネクタを樹脂モールドケースに係止する
   係止機構を設けたことを特徴とする半導体装置。