JP2009111319A - 半導体装置および半導体装置の検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子の電気特性を検査する際の端子部材と検査用接触子の接触不良を防止する。
【解決手段】樹脂製のケース部材7に収容された半導体素子101〜106と、ケース部材7を貫通して設けられる細長形状の端子部材5とを備え、端子部材5は、ケース部材7の内側にて露出し、半導体素子に接続される接続部5aと、ケース部材7の端面から突出する突出部5bと、ケース部材7の外表面に沿って露出する露出部5cとを有し、露出部5cは突出部5bよりも幅広に形成される。露出部5cに検査用プローブを当接させて検査することで、接触不良を防止できる。
【選択図】図7
【解決手段】樹脂製のケース部材7に収容された半導体素子101〜106と、ケース部材7を貫通して設けられる細長形状の端子部材5とを備え、端子部材5は、ケース部材7の内側にて露出し、半導体素子に接続される接続部5aと、ケース部材7の端面から突出する突出部5bと、ケース部材7の外表面に沿って露出する露出部5cとを有し、露出部5cは突出部5bよりも幅広に形成される。露出部5cに検査用プローブを当接させて検査することで、接触不良を防止できる。
【選択図】図7
Description
本発明は、半導体装置および半導体装置の検査方法に関する。
従来、電気自動車用のインバータとして、半導体素子を用いて電力変換を行うパワーモジュールなどの半導体装置が知られている(例えば特許文献1参照)。この種の半導体装置では、樹脂製のケース内にIGBTなどの半導体素子を設置し、この半導体素子とブスバーをワイヤーボンディングにより接続した後、ケース内を樹脂材で封止する。さらにケースから突設された信号用端子の先端に検査用のプローブピンを接触させ、パワーモジュールの電気特性をチェックする。
しかしながら、上記特許文献1記載の装置では、信号用端子の先端にプローブピンを接触させて検査するようにしているので、検査の際にプローブピンによって信号用端子の先端が曲げられ、端子とプローブピンの接触不良を生じるおそれがある。
本発明による半導体装置は、樹脂製のケース部材に収容された半導体素子と、ケース部材を貫通して設けられる細長形状の端子部材とを備える。端子部材は、ケース部材の内側にて露出し、半導体素子に接続される接続部と、ケース部材の端面から突出する突出部と、ケース部材の外表面に沿って露出する露出部とを有し、露出部は突出部よりも幅広に形成される。
本発明によれば、ケース部材の外表面に沿って露出する露出部をケース部材の端面から突出する突出部よりも幅広に形成するようにしたので、半導体素子の電気特性を検査する際の端子部材と検査用接触子の接触不良を防止できる。
−第1の実施の形態−
以下、図1〜図8を参照して本発明の第1の実施の形態について説明する。
図1は、第1の実施の形態に係る半導体装置を示す図であり、とくに電気自動車に搭載される三相インバータの回路図を示している。なお、図1では、IGBT101〜106とダイオード201〜206を用いて直流P,Nを交流U,V,Wに変換しているが、トランジスタ、サイリスタ等の半導体素子を用いたものでもよい。
以下、図1〜図8を参照して本発明の第1の実施の形態について説明する。
図1は、第1の実施の形態に係る半導体装置を示す図であり、とくに電気自動車に搭載される三相インバータの回路図を示している。なお、図1では、IGBT101〜106とダイオード201〜206を用いて直流P,Nを交流U,V,Wに変換しているが、トランジスタ、サイリスタ等の半導体素子を用いたものでもよい。
IGBT101〜103のコレクタ(ドレイン)はそれぞれP極用ブスバー6cに接続され、IGBT104〜106のエミッタ(ソース)はそれぞれN極用ブスバー6eに接続されている。IGBT101のエミッタおよびIGBT104のコレクタはそれぞれインバータ出力用(U相)のブスバー6ecに接続され、IGBT102のエミッタおよびIGBT105のコレクタはそれぞれV相用のブスバー6ecに接続され、IGBT103のエミッタおよびIGBT106のコレクタはそれぞれW相用のブスバー6ecに接続されている。なお、IGBT101〜106のゲートは、後述する信号入出力用の端子5(図3参照)に接続されている。各IGBT101〜106にはそれぞれダイオード201〜206が並列に接続されている。
図2は図1の一部(U相のインバータ回路)を示しており、図3はこの回路図に対応した半導体モジュールの平面図,図4の図3のIV-IV線断面図である。なお、V相およびW相に対応した半導体モジュールの構成も同様であり、それらの図示および説明を省略する。本実施の形態では各相毎に半導体モジュールを構成しているが、図1に示すU,V,W相を一体の半導体モジュールとしてもよい。
図3,4においてIGBT101,104の素子裏面側(ブスバー6c,6ec側)にはコレクタ用電極がそれぞれ形成され、素子表面側にはエミッタ用電極およびゲート用電極がそれぞれ形成されている。また、ダイオード201,204の素子裏面側(ブスバー6c,6ec側)にはカソード用電極がそれぞれ形成され、素子表面側にはアノード用電極がそれぞれ形成されている。
IGBT101およびダイオード201はブスバー6c上に設けられ、各素子の裏面は導電性の接合材3を介してブスバー6cに面接合されている。接合材3にはハンダや導電性接着剤等が用いられる。IGBT104およびダイオード204についても、同様にしてブスバー6ec上に固着される。図3に示すようにIGBT101,104とダイオード201,204は、モールドケース7内に収容して配設されている。
IGBT101,104の外側には端子ユニット50が配置されている。端子ユニット50は、平面部5aと鉛直部5bを有する断面略L字状の複数の端子5を、樹脂モールド7a(一次モールド)により一体化したものである。IGBT101,104とブスバー6c,6ecからの信号は端子5を介して上部の駆動信号制御基板11に入出力される。なお、端子5の詳細形状については後述する。
ブスバー6c,6ec,6eと端子ユニット50は樹脂モールド7b(二次モールド)により一体化される。樹脂モールド7aと樹脂モールド7bは、モールドケース7を構成し、半導体装置のケーシングとしても機能する。樹脂モールド7bは電位の異なるブスバー6c,6ec,6e間を電気的に絶縁する絶縁体としても機能する。
樹脂モールド7bによりブスバー6c,6ec,6eと端子ユニット50が一体化されると、図3に示すように半導体素子101,104,201,204はそれぞれボンディングワイヤ4によりブスバー6c,6ec,6eと端子5に接続される。すなわちIGBT101のエミッタとブスバー6ec,ダイオード201のアノードとブスバー6ec,IGBT104のエミッタとブスバー6e,ダイオード204のアノードとブスバー6e,IGBT101,104と端子5がそれぞれボンディングワイヤ4により接続される。
一体化されたブスバー6c,6ec,6eは、図4に示すように樹脂モールド7bを介してヒートシンク10に取り付けられる。モールドケース7の内側空間にはシリコンゲルやエポキシ樹脂等の絶縁封止材8が封入される。封止剤8は、空中放電等による半導体素子のコレクタ,エミッタ間の短絡防止、半導体素子101,104,201,204への汚染物付着の防止、結露による絶縁不良の防止、ボンディングワイヤの保護等を目的として封入される。
封止剤8が封入された後、樹脂モールド7aの上面に駆動信号用制御基板11が装着され、モールドケース7の上面が基板11によって覆われる。このとき制御基板11に端子5の鉛直部5bが接続され、IGBT101,104およびブスバー6ec,6cからの信号が端子5を介して基板11に入力される。
このように構成された半導体装置では、端子5に検査用のプローブピンを接触させて電気特性の検査を行う。しかし、端子5は細長形状であるため変形しやすく、樹脂モールド7から突出した端子5の先端にプローブピンを接触させたのでは、端子5とプローブピンの接触不良が生じるおそれがある。そこで、端子5とプローブピンの接触不良を防止するために、本実施の形態では以下のように端子ユニット50を構成する。
図5は、第1の実施の形態に係る半導体装置を構成する端子ユニット50の斜視図であり、図6は図5の矢視VI図、図7は図4の要部拡大図である。端子5は、水平部5aと、鉛直部5bと、鉛直部5bの途中で外側に略コ字状に折り曲げられた屈曲部5cとを有する導電性の金属であり、プレス加工等により形成される。
このプレス加工された端子5を成形型に複数個並べてセットし、断面略L字状の成形型に樹脂を流し込んで固化させることにより各端子5が樹脂モールド7aにより一体化され、端子ユニット50が形成される(一次成形)。この際、端子5の一端部である鉛直部5bが樹脂モールド7の上端面から突出するとともに、端子5の他端部である水平部5aの上面が樹脂モールド7から露出し、さらに屈曲部5cの外側の表面が樹脂モールド7から露出するように樹脂成形される。ここで、図6に示すように端子5の屈曲部5cの幅t2は、樹脂モールド7から突出した鉛直部5bの幅t1よりも広く、隣接する端子間の距離t0は、端子間の鉛面放電が発生する距離よりも長い。
一次成形によって形成された端子ユニット50は、ブスバー6c,6ec,6eとともに二次成形用の成形型にセットされ、樹脂を流し込んで固化させることにより樹脂モールド7aにより一体化され(二次成形)、モールドケース7が形成される。この状態で、図7に示すように端子5の水平部5aの上面とIGBT101,104の上面がボンディングワイヤ4により接続され、モールドケース7の内側空間が封止材8により封止される。
このように構成された半導体装置におけるモールドケース内の部品の電気特性を検査する場合は以下のように行う。まず、図8に示すように端子5の先端部に保護カバー12を被せ、端子5の先端部を保護する。この状態で、樹脂モールド7の側面から露出した端子5の屈曲部5cの表面に、図7の矢印に示す方向から検査用のプローブピンの先端部を当接する。屈曲部5cの周囲は樹脂によって固定されているため、屈曲部5cの表面にプローブピンを当接しても端子5が変形することはない。このため、プローブピンを端子5に確実に接触させ、精度良く検査を行うことができる。
第1の実施の形態によれば以下のような作用効果を奏することができる。
(1)信号入出力用の端子5を外側に折り曲げて屈曲部5cを設け、この端子5を用いて樹脂成形により端子ユニット50を形成し、屈曲部5cの表面を樹脂モールド7から露出させるようにした。これにより端子5の表面にプローブピンの先端部を確実に当接することができ、安定した状態で検査を行うことができる。
(2)端子5の屈曲部5cを、樹脂モールド7から突出した端子5の鉛直部5bよりも幅広に形成したので(t1>t2)、端子表面の露出面積が大きくなり、プローブピンの接触が容易である。
(3)検査時に端子5の先端を保護カバー12で覆うので、端子先端部の変形を防止できる。
(1)信号入出力用の端子5を外側に折り曲げて屈曲部5cを設け、この端子5を用いて樹脂成形により端子ユニット50を形成し、屈曲部5cの表面を樹脂モールド7から露出させるようにした。これにより端子5の表面にプローブピンの先端部を確実に当接することができ、安定した状態で検査を行うことができる。
(2)端子5の屈曲部5cを、樹脂モールド7から突出した端子5の鉛直部5bよりも幅広に形成したので(t1>t2)、端子表面の露出面積が大きくなり、プローブピンの接触が容易である。
(3)検査時に端子5の先端を保護カバー12で覆うので、端子先端部の変形を防止できる。
−第2の実施の形態−
図9,10を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。
第2の実施の形態が第1の実施の形態と異なるのは端子5の形状である。以下では第1の実施の形態との相違点を主に説明する。
図9,10を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。
第2の実施の形態が第1の実施の形態と異なるのは端子5の形状である。以下では第1の実施の形態との相違点を主に説明する。
図9は、第2の実施の形態に係る半導体装置を構成する端子ユニット50の斜視図であり、図10は、図9の矢視X図である。第2の実施の形態では、互いに隣接する端子5の屈曲部5cの位置が上下にずらして設けられている。また、図10に示すように端子の屈曲部5cの幅t3は樹脂モールド7a内の鉛直部5bの幅t2よりも広く、かつ、幅t2は樹脂モールド7aから突出した鉛直部5bの幅t1よりも広い。なお、隣接する端子間の距離t0は、端子間の鉛面放電が発生する距離よりも長い。
これにより樹脂モールド7aから露出した屈曲部5cの表面積を大きくすることができ、プローブピンの端子表面への接触が一層容易になる。この場合、隣接する端子5の屈曲部5cを上下にずらして設けているので、各端子5の屈曲部同士が干渉することを防止でき、端子間の距離t0を十分にとることができる。
−第3の実施の形態−
図11,12を参照して本発明の第3の実施の形態について説明する。
第3の実施の形態が第1の実施の形態と異なるのは端子ユニット50と一体化する樹脂モールド7bの形状である。以下では第1の実施の形態との相違点を主に説明する。
図11,12を参照して本発明の第3の実施の形態について説明する。
第3の実施の形態が第1の実施の形態と異なるのは端子ユニット50と一体化する樹脂モールド7bの形状である。以下では第1の実施の形態との相違点を主に説明する。
図11は、第3の実施の形態に係る半導体装置を構成する端子ユニット50の斜視図であり、図12は、図11の矢視XII図である。第3の実施の形態では、端子ユニット50の底面から背面側にかけて樹脂モールド7bが形成されている。背面側の樹脂モールド7bには、端子5の屈曲部5cと略同一幅の切り欠き71が形成され、屈曲部5cの表面は切り欠き71を介して露出している。すなわちモールドケース7の表面は凹凸状に形成され、屈曲部5cの周囲に屈曲部5cの表面よりも突出した凸部72が設けられている。凸部72の側面73は、屈曲部5cの表面に向けてテーパ状に形成されている。
このように屈曲部5cの周囲に凸部72を設けることで、プローブピンの位置が凸部72によって規制され、プローブピンと端子表面との接触を容易に保つことができる。また、凸部72によって端子間の鉛面距離を長くすることができ、その分、屈曲部5cの幅を広くすることができる。凸部72の側面73をテーパ状としたので、プローブピンが端子表面に案内され、プローブピンと端子表面の接触が一層容易である。
−変形例−
端子5の表面の一部がモールドケース7の外側に露出するのであれば、端子部材としての端子5の形状は上述したものに限らない。例えば図13に示すように端子5を略直角に折り曲げて屈曲部5c(露出部)を形成するとともに、さらに内側および外側に折り曲げて、樹脂モールド7aから突出した鉛直部5b(突出部)を形成するようにしてもよい。端子5を折り曲げて形成するのではなく、金属を接合して形成してもよい。図14に示すように樹脂モールド7bを端子ユニット50の背面側にかけて設けてモールドケース7を形成してもよく、ケース部材の構成は上述したものに限らない。
端子5の表面の一部がモールドケース7の外側に露出するのであれば、端子部材としての端子5の形状は上述したものに限らない。例えば図13に示すように端子5を略直角に折り曲げて屈曲部5c(露出部)を形成するとともに、さらに内側および外側に折り曲げて、樹脂モールド7aから突出した鉛直部5b(突出部)を形成するようにしてもよい。端子5を折り曲げて形成するのではなく、金属を接合して形成してもよい。図14に示すように樹脂モールド7bを端子ユニット50の背面側にかけて設けてモールドケース7を形成してもよく、ケース部材の構成は上述したものに限らない。
端子5の一端部に、IGBT101,104に接続される端子5の水平部5a(接続部)を設け、他端部に、樹脂モールド7aから突出する突出部5bを設けるようにしたが、図15に示すように端子5の一端部に露出部5cを設けるようにしてもよい。この際、図示のように、露出部5cの位置を上下にずらし、露出部5cの幅を広げるようにしてもよい。図11,12では、樹脂モールド7bに略矩形状に切り欠き71を設けるようにしたが、図16(a),(b)に示すように略U字状に切り欠き71を設けてもよい。切り欠き71よりも端子の露出部5cを幅広に設け、樹脂モールド7bにより露出部5cの一部を覆うようにしてもよい。
上記実施の形態では、樹脂モールド7aから露出した端子5の表面にプローブピンを当接してモールドケース内の半導体素子の電気特性を検査するようにしたが、他の検査用接触子を当接して検査を行うようにしてもよい。以上では、電気自動車用のインバータとしての半導体装置に適用する場合について説明したが、モールドケース7を貫通して端子5が設けられる他の半導体装置にも本発明は同様に適用可能である。すなわち本発明の特徴、機能を実現できる限り、本発明は実施の形態の半導体装置に限定されない。
5 端子
5a 水平部
5b 鉛直部
5c 屈曲部
7 モールドケース
7a,7b 樹脂モールド
72 凸部
101〜106 IGBT
5a 水平部
5b 鉛直部
5c 屈曲部
7 モールドケース
7a,7b 樹脂モールド
72 凸部
101〜106 IGBT
Claims (5)
- 樹脂製のケース部材に収容された半導体素子と、
前記ケース部材を貫通して設けられる細長形状の端子部材とを備え、
前記端子部材は、
前記ケース部材の内側にて露出し、前記半導体素子に接続される接続部と、
前記ケース部材の端面から突出する突出部と、
前記ケース部材の外表面に沿って露出する露出部とを有し、
前記露出部は前記突出部よりも幅広に形成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記露出部は、前記端子部材の一部を前記ケース部材の外表面に沿うように屈曲して設けられることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
前記端子部材は、前記ケース部材を貫通して複数並設され、
互いに隣り合う前記端子部材の前記露出部の位置がずらして設けられることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記ケース部材の外表面には、前記露出部の周囲に前記露出部の表面よりも突出した凸部が形成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の検査方法であって、
前記露出部に検査用接触子を接触させて前記半導体素子の電気特性を検査することを特徴とする半導体装置の検査方法。
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- 2007-11-01 JP JP2007285014A patent/JP2009111319A/ja active Pending
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