JP2002353031A - High frequency coil - Google Patents

High frequency coil

Info

Publication number
JP2002353031A
JP2002353031A JP2002080779A JP2002080779A JP2002353031A JP 2002353031 A JP2002353031 A JP 2002353031A JP 2002080779 A JP2002080779 A JP 2002080779A JP 2002080779 A JP2002080779 A JP 2002080779A JP 2002353031 A JP2002353031 A JP 2002353031A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coil
conductor
layer
frequency
coil conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002080779A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Takatani
稔 高谷
Takashi Kajino
隆 楫野
Yumiko Ozaki
由美子 尾崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2002080779A priority Critical patent/JP2002353031A/en
Publication of JP2002353031A publication Critical patent/JP2002353031A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency thin coil in which relatively high Q and SRF and high impedance can be realized at a low cost. SOLUTION: The high frequency coil has coil conductors formed, in two or more layer, on at least one side of an insulating substrate through an organic insulation layer wherein each coil conductor 11a, 13a has a part of two or more turns entirely or partially on the two or more layers and the central area not arranged with the conductor on the inside of the innermost circumferential part of the coil conductors 11a and 13a is set not smaller than 50% of the entire area surrounded by the outermost circumferential turning part including the outermost circumferential turning part of the coil conductor and the coil conductors 11a and 13a are connected in series to turn in the same direction.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板上にコイ
ル導体を形成してなる高周波コイルに係り、とくに自己
共振周波数(SRF)やQ値が比較的高く、小型で10
0〜200nHの高インダクタンスコイルに適用して好
適な結果が得られる高周波コイルに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency coil having a coil conductor formed on an insulating substrate, and more particularly to a high-frequency coil having a relatively high self-resonant frequency (SRF) and a high Q value, and a small size.
The present invention relates to a high-frequency coil which can be applied to a high-inductance coil of 0 to 200 nH to obtain suitable results.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の高周波コイルとしては、
以下の構成のものが知られている。
2. Description of the Related Art Conventional high-frequency coils of this type include:
The following configuration is known.

【0003】(1) セラミック基板上に薄膜技術により
単層スパイラルコイルを形成したもの(特公平7−10
1652号公報)。
(1) A single-layer spiral coil formed on a ceramic substrate by a thin film technique (Japanese Patent Publication No. 7-10 / 1995)
No. 1652).

【0004】(2) セラミック積層工法により、ヘリカ
ルコイルを形成したもの(特公平3−229407号公
報)。
(2) A helical coil formed by a ceramic lamination method (Japanese Patent Publication No. 3-229407).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記(1)の
薄膜技術によりスパイラルコイルを形成したものは、次
の欠点がある。
The spiral coil formed by the thin film technique (1) has the following disadvantages.

【0006】 コイルの巻き方がスパイラルであり、
コイルの中央部にまでコイル導体が存在し、コイル導体
の鎖交磁界による渦電流損失が増えるので、Qが低下す
る。
[0006] The winding of the coil is spiral,
The coil conductor extends to the center of the coil, and the eddy current loss due to the interlinking magnetic field of the coil conductor increases.

【0007】 単層スパイラルコイルでは、床面積を
一定とすると、ターン数(巻き数)を大きくとれないの
で、大きいインダクタンスのコイルが得られない。
In a single-layer spiral coil, if the floor area is fixed, the number of turns (the number of turns) cannot be increased, so that a coil having a large inductance cannot be obtained.

【0008】 基板がセラミックなので、誘電率が大
きく浮遊容量が増大してSRFが低下する。硝子系の基
板を用いると誘電率はある程度は低下するが、機械的強
度に問題が生じ、チップの割れやカケの問題が発生す
る。またアルミナのように機械的強度の大きいセラミッ
ク材料を選ぶと今度は誘電率が大きくなる。
Since the substrate is ceramic, the dielectric constant is large, the stray capacitance increases, and the SRF decreases. When a glass-based substrate is used, the dielectric constant is reduced to some extent, but there is a problem in mechanical strength, and a problem of chip breakage and chipping occurs. If a ceramic material having high mechanical strength, such as alumina, is selected, the dielectric constant will increase.

【0009】また、上記(2)のセラミック積層工法によ
りヘリカルコイルを形成したものは、次の欠点がある。
The helical coil formed by the ceramic laminating method (2) has the following disadvantages.

【0010】 大きいインダクタンスのコイルを作成
すると、導体層数が増えて素子高さが大きくなり、また
コストが上昇する。
When a coil having a large inductance is formed, the number of conductor layers increases, the element height increases, and the cost increases.

【0011】 全体を高温で焼成する為にコイル導体
に焼成時の溶剤のガス抜けに起因すると考えられる多数
のボイドが存在し導体表面に大きな凹凸が発生する。こ
の為に、高周波での電流路が長くなって導体損失が増大
し、Q値が落ちる。
Since the whole is fired at a high temperature, the coil conductor has a large number of voids which are considered to be caused by outgassing of the solvent during firing, and large irregularities are generated on the conductor surface. For this reason, the current path at a high frequency becomes long, the conductor loss increases, and the Q value decreases.

【0012】 層間絶縁層がセラミックなので誘電率
が高く浮遊容量が大きくなり、SRFが低下する。
Since the interlayer insulating layer is made of ceramic, the dielectric constant is high, the stray capacitance is large, and the SRF is low.

【0013】本発明は、上記の点に鑑み、Q及びSRF
が比較的高く、GHz帯において高インダクタンスを薄
型にかつ低コストで実現可能な高周波コイルを提供する
ことを目的とする。
[0013] In view of the above, the present invention provides a Q and SRF
It is an object of the present invention to provide a high-frequency coil capable of realizing a high inductance in a GHz band at a low thickness at a low cost.

【0014】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。
Other objects and novel features of the present invention will be clarified in embodiments described later.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項1の発明に係る高周波コイルは、絶縁基
板の少なくとも片面に、有機絶縁層を介し2層以上のコ
イル導体を形成した構成において、前記2層以上の全層
又は一部の層における前記コイル導体は略2ターン以上
周回する部分を有し、該コイル導体の最内周の周回部分
より内側の導体の配されていない中央部の面積が、当該
コイル導体の最外周の周回部分を含みかつ該最外周の周
回部分で囲まれた全体面積の20%〜90%であり、各
コイル導体を同一方向に周回するように直列接続したこ
とを特徴としている。
In order to achieve the above object, a high-frequency coil according to the first aspect of the present invention has two or more coil conductors formed on at least one surface of an insulating substrate via an organic insulating layer. In the configuration, the coil conductor in all or some of the two or more layers has a portion that circulates for approximately two or more turns, and no conductor is disposed inside the innermost circumferential portion of the coil conductor. The area of the central portion is 20% to 90% of the total area including the outermost peripheral portion of the coil conductor and surrounded by the outermost peripheral portion. It is characterized by being connected in series.

【0016】本願請求項2の発明に係る高周波コイル
は、請求項1において、前記コイル導体が銅で形成され
てなることを特徴としている。
A high-frequency coil according to a second aspect of the present invention is characterized in that, in the first aspect, the coil conductor is formed of copper.

【0017】本願請求項3の発明に係る高周波コイル
は、請求項1又は2において、前記コイル導体のアスペ
クト比が0.3以上であることを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the high-frequency coil according to the first or second aspect, wherein the aspect ratio of the coil conductor is 0.3 or more.

【0018】本願請求項4の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2又は3において、周波数1GHzでの
前記有機絶縁層の比誘電率が4以下であることを特徴と
している。
A high frequency coil according to a fourth aspect of the present invention is the high frequency coil according to the first, second or third aspect, wherein a relative dielectric constant of the organic insulating layer at a frequency of 1 GHz is 4 or less.

【0019】本願請求項5の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2,3又は4において、周波数1GHz
での前記有機絶縁層のQが200以上であることを特徴
としている。
The high frequency coil according to the invention of claim 5 of the present application is the radio frequency coil according to claim 1, 2, 3, or 4 having a frequency of 1 GHz.
Wherein the Q of the organic insulating layer is 200 or more.

【0020】本願請求項6の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2,3,4又は5において、前記有機絶
縁層がビニルベンジルであることを特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the high frequency coil according to the first, second, third, fourth or fifth aspect, the organic insulating layer is made of vinylbenzyl.

【0021】本願請求項7の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2,3,4,5又は6において、前記絶
縁基板が有機基板であることを特徴としている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the high frequency coil according to the first, second, third, fourth, fifth or sixth aspect, the insulating substrate is an organic substrate.

【0022】本願請求項8の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2,3,4,5,6又は7において、前
記絶縁基板がビニルベンジルであることを特徴としてい
る。
According to an eighth aspect of the present invention, in the high frequency coil according to the first, second, third, fourth, fifth, sixth or seventh aspect, the insulating substrate is made of vinylbenzyl.

【0023】本願請求項9の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2,3,4,5,6,7又は8におい
て、前記コイル導体の最下層から数えて奇数番目のコイ
ル導体のうち、同一パターンのものが存在することを特
徴としている。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the high-frequency coil according to any one of the first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh and eighth aspects, wherein the odd-numbered coil conductors counted from the lowermost layer of the coil conductors , Characterized by the fact that the same pattern exists.

【0024】本願請求項10の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2,3,4,5,6,7,8又は9にお
いて、前記コイル導体の最下層から数えて偶数番目のコ
イル導体のうち、同一パターンのものが存在することを
特徴としている。
According to a tenth aspect of the present invention, in the high frequency coil according to the first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh, eighth or ninth aspect, an even-numbered coil conductor counted from the lowermost layer of the coil conductor is provided. Among them, there is a feature that the same pattern exists.

【0025】本願請求項11の発明に係る高周波コイル
は、請求項1乃至10のいずれかにおいて、前記2層以
上のコイル導体のうち一部の層におけるコイル導体は略
2ターン以上周回する部分を有し、該コイル導体の最内
周の周回部分より内側の導体の配されていない中央部の
面積が、当該コイル導体の最外周の周回部分を含みかつ
該最外周の周回部分で囲まれた全体面積の20%〜90
%であり、前記2層以上のコイル導体の残りの層におけ
るコイル導体は略1ターン以下であることを特徴として
いる。
[0025] The high-frequency coil according to claim 11 of the present invention is the high-frequency coil according to any one of claims 1 to 10, wherein the coil conductor in some of the two or more layers of the coil conductor has a portion that circulates for approximately two or more turns. The area of the central portion where the conductor inside the innermost peripheral portion of the coil conductor is not disposed includes the outermost peripheral portion of the coil conductor and is surrounded by the outermost peripheral portion. 20% to 90% of total area
%, And the coil conductors in the remaining layers of the two or more coil conductors are substantially one turn or less.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高周波コイル
の実施の形態を図面に従って説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the high-frequency coil according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0027】図1乃至図2で本発明に係る高周波コイル
の第1の実施の形態を説明する。この場合、導体層が2
層となっている2層品を示し、図1(A)は有機又は無
機の絶縁基板1上に形成された第1導体層11を、同図
(B)はその上に積層形成された第1有機絶縁層12
を、同図(C)はその上に形成された第2導体層13を
示すものであり、第1導体層11における略2ターン周
回するコイル導体11aと第2導体層13における略2
ターン周回するコイル導体13aとは第1有機絶縁層1
2のビアホール14を介して相互に接続され、全体とし
て基板両側縁の端子電極5同士を接続する直列コイル導
体10を構成している。
A first embodiment of the high-frequency coil according to the present invention will be described with reference to FIGS. In this case, the conductor layer is 2
FIG. 1A shows a first conductor layer 11 formed on an organic or inorganic insulating substrate 1, and FIG. 1B shows a second conductor layer formed thereon. 1 organic insulating layer 12
FIG. 3C shows a second conductor layer 13 formed thereon, and shows a coil conductor 11a that makes a substantially two turn turn in the first conductor layer 11 and a second conductor layer 13 in the second conductor layer 13.
The coil conductor 13a that turns around is the first organic insulating layer 1
The series coil conductors 10 are mutually connected via the two via holes 14 and connect the terminal electrodes 5 on both side edges of the substrate as a whole.

【0028】ここで、図1点線で示すように、各コイル
導体11a,13aの最内周の周回部分より内側の導体
の配されていない中央部の面積をS11,S12、当該
コイル導体の最外周の周回部分を含みかつ該最外周の周
回部分で囲まれた全体面積をST1,ST2としたと
き、 0.9≧S11/ST1≧0.2 かつ0.9≧S12
T2≧0.2 とする。つまり、各コイル導体11a,13aの最内周
の周回部分より内側の導体の配されていない中央部の面
積S11,S12は、当該コイル導体の最外周の周回部
分を含みかつ該最外周の周回部分で囲まれた全体面積S
T1,ST2の20%〜90%となるように(より好ま
しくは50%以上となるように)設定する。この条件を
満足する略2ターンのコイル導体11a,13aのよう
なコイルパターンを以下ダブルヘリカルパターンと呼ぶ
ことにする。
[0028] Here, as shown in Figure 1 the dotted lines, each coil conductor 11a, the area of the central portion which is not distribution of the inner conductor from winding portions of the innermost S 11 of 13a, S 12, the coil conductor Where S T1 and S T2 are the total areas including the outermost peripheral portion and surrounded by the outermost peripheral portion, 0.9 ≧ S 11 / ST 1 ≧ 0.2 and 0.9 ≧ S 12 /
Let S T2 ≧ 0.2. That is, the areas S 11 , S 12 of the central portion where the conductors inside the innermost peripheral portions of the coil conductors 11a, 13a are not disposed include the outermost peripheral portions of the coil conductors and the outermost peripheral portions. Total area S surrounded by the orbital part of
T1, so that 20% to 90% of the S T2 (as more preferably 50% or more) sets. A coil pattern such as the coil conductors 11a and 13a of approximately two turns that satisfies this condition will be hereinafter referred to as a double helical pattern.

【0029】また、各層のコイル導体は、同一方向に周
回するように、つまり各コイル導体の巻き線方向が同じ
になるように直列接続されている。
The coil conductors of each layer are connected in series so as to rotate in the same direction, that is, so that the winding directions of the coil conductors are the same.

【0030】第1及び第2導体層11,13の作製は、
例えば、パネルめっきとエッチングによる方法、あるい
はパターンめっき法によって行うことができる。
The production of the first and second conductor layers 11 and 13 is as follows.
For example, it can be performed by a method using panel plating and etching, or a pattern plating method.

【0031】パネルめっきとエッチングによる方法で
は、絶縁基板1上に厚さが5μm以下のめっき下地層を
形成し、その後、めっき下地層の面に電解めっきを施
し、その上にコイル導体部を覆う形でレジストパターン
を形成し、不要な部分をエッチング法で除去してコイル
導体層を形成する(サブトラクティブ工法)。上層のコ
イル導体層も層間の有機絶縁層上に同様の工程で作製で
きる。
In the method using panel plating and etching, a plating underlayer having a thickness of 5 μm or less is formed on the insulating substrate 1, and then the surface of the plating underlayer is subjected to electrolytic plating to cover the coil conductor. A resist pattern is formed in a shape, and unnecessary portions are removed by etching to form a coil conductor layer (subtractive method). The upper coil conductor layer can be formed on the organic insulating layer between layers by the same process.

【0032】また、パターンめっき法の場合、図2
(A)のように、絶縁基板1の表面を粗化した後に銅等
の金属の無電解めっきで5μm以下のめっき下地層30
を形成し、その上に感光性(光硬化性)のフォトレジス
トとしてのドライフィルム31を貼り付け、平行露光機
で図1(A)の第1導体層11のパターンを形成し、図
2(B)のように第1導体層11のパターンの部分のド
ライフィルム31を除去した所に銅等の金属の電気めっ
きにより十分な膜厚のめっき層32を形成する。その
後、図2(C)のようにドライフィルム31を剥離し、
さらにめっき層32で覆われていない線間のめっき下地
層30をエッチングで除去することで、下層の第1導体
層11が形成される。
In the case of the pattern plating method, FIG.
As shown in (A), the surface of the insulating substrate 1 is roughened, and then the electroless plating of a metal such as copper is performed.
Is formed, and a dry film 31 as a photosensitive (photo-curable) photoresist is stuck thereon, and a pattern of the first conductor layer 11 of FIG. As shown in B), a plating layer 32 having a sufficient thickness is formed by electroplating a metal such as copper where the dry film 31 in the pattern portion of the first conductor layer 11 is removed. Thereafter, the dry film 31 is peeled off as shown in FIG.
Further, the underlying first conductive layer 11 is formed by removing the plating base layer 30 between the lines not covered with the plating layer 32 by etching.

【0033】上層の第2導体層13の形成は、図2
(D)のように層間絶縁層としての第1有機絶縁層12
を第1導体層11を覆うように形成し、ビアホール14
をフォトリソグラフィー法又はレーザ加工法により形成
後、第1導体層11の形成の場合と同様の工程を繰り返
すことで図2(E)のように第1有機絶縁層12にあけ
られたビアホール14で第1導体層11に接続した第2
導体層13が得られる。なお、層間絶縁層としての有機
絶縁層は、絶縁樹脂のスピンコート、バーコート、塗
布、印刷、プレス(シート状のものの貼り合わせ)等で
形成可能であり、これらの方法は溶剤の揮発性や樹脂の
粘度等の材料特性に応じて選択される。
The formation of the upper second conductor layer 13 is shown in FIG.
(D) First organic insulating layer 12 as interlayer insulating layer
Is formed so as to cover the first conductor layer 11, and the via hole 14 is formed.
Is formed by photolithography or laser processing, and the same steps as in the formation of the first conductor layer 11 are repeated to form via holes 14 formed in the first organic insulating layer 12 as shown in FIG. The second connected to the first conductor layer 11
The conductor layer 13 is obtained. The organic insulating layer as the interlayer insulating layer can be formed by spin coating, bar coating, coating, printing, pressing (lamination of a sheet-like material) of an insulating resin, and the like. The selection is made according to the material properties such as the viscosity of the resin.

【0034】このパターンめっき法により各導体層1
1,13を作製することで、従来のセラミック積層工法
にありがちな導体層のボイドの発生はなく、各導体層1
1,13の表面は滑らかなものとなる。
Each conductor layer 1 is formed by this pattern plating method.
By producing the conductor layers 1 and 13, voids in the conductor layers, which are common in the conventional ceramic lamination method, are eliminated.
The surfaces of 1 and 13 are smooth.

【0035】前記絶縁基板1及び層間絶縁膜となる有機
絶縁層12の材質には浮遊容量を減少させるために誘電
率の小さいものが好ましい。また誘電損失を減らす為に
Qの大きいものが好ましい。具体的には、1GHzにお
いて、絶縁基板1及び有機絶縁層12の比誘電率がそれ
ぞれ4以下で、Q(初期値)はそれぞれ200以上ある
ことがとくに望ましい。なお、絶縁基板1及び有機絶縁
層12の比誘電率が4より大きいようでは有機絶縁材料
を用いる意義が薄れる。また、Qが200未満ではコイ
ル全体のQ値を大きくできなくなるきらいがある。
It is preferable that the material of the insulating substrate 1 and the organic insulating layer 12 serving as an interlayer insulating film have a small dielectric constant in order to reduce the stray capacitance. Further, a material having a large Q is preferable in order to reduce the dielectric loss. Specifically, at 1 GHz, it is particularly desirable that the relative permittivity of the insulating substrate 1 and the organic insulating layer 12 is 4 or less and the Q (initial value) is 200 or more, respectively. When the relative permittivity of the insulating substrate 1 and the organic insulating layer 12 is higher than 4, the use of the organic insulating material becomes less significant. If Q is less than 200, the Q value of the entire coil cannot be increased.

【0036】絶縁基板1及び有機絶縁層12の材料は使
用周波数、目標のQ値、コストを考慮して例えば以下の
表1より選択すればよい。この中でも、有機材、つまり
絶縁樹脂のビニルベンジルは誘電率、Q、コストのバラ
ンスが良く、好ましい材料である。
The materials of the insulating substrate 1 and the organic insulating layer 12 may be selected from, for example, the following Table 1 in consideration of the operating frequency, the target Q value, and the cost. Among them, an organic material, that is, vinylbenzyl as an insulating resin is a preferable material because it has a good balance of dielectric constant, Q, and cost.

【0037】 表1 (測定周波数1GHz) 品種名 比誘電率 Q(初期値) フッ素樹脂 2.1 10000 ポリエチレン 2.2 5000 PPO 2.5 1200 ビニルベンジル 2.5 260 シアネートエステル 2.7 1000 ポリエーテルイミド 3 670 ポリイミド 3.6 200 エポキシ 3〜 70 BTレジン 2.5 500 ポリオレフィン 2.6 2000 ポリフマレート 2.6 250 ポリアリレート 2.6 220 Table 1 (Measurement frequency 1 GHz) Product name Relative permittivity Q (Initial value) Fluororesin 2.1 10,000 Polyethylene 2.2 5000 PPO 2.5 1200 Vinylbenzyl 2.5 260 Cyanate ester 2.7 1000 Polyether Imide 3670 Polyimide 3.6 200 Epoxy 3-70 BT Resin 2.5 500 Polyolefin 2.6 2000 Polyfumarate 2.6 250 Polyarylate 2.6 220

【0038】前記絶縁基板1を有機基板とする場合及び
有機絶縁層12には、機械的強度の向上の為に芯材を用
いることが出来る。芯材には以下の表2のようにDガラ
スクロス、Eガラスクロス、ケプラークロス等を用いる
ことが出来る。一般的に誘電率の低く、低損失の材料ほ
ど高価であるが、コストの許す限り、誘電率の低い材料
を使用することが好ましい。
When the insulating substrate 1 is an organic substrate, and for the organic insulating layer 12, a core material can be used for improving mechanical strength. As the core material, D glass cloth, E glass cloth, Kepler cloth and the like can be used as shown in Table 2 below. Generally, a material having a low dielectric constant and a low loss is more expensive, but it is preferable to use a material having a low dielectric constant as far as the cost permits.

【0039】 [0039]

【0040】なお、セラミック基板の場合はアルミナの
ように機械的強度は優れているが誘電率が10程度と大
きい材料とガラスのように誘電率は4程度と小さいが割
れやすい材料の二つにわかれて、機械的強度と低誘電率
の両方を併せ持つ材料はない。
In the case of a ceramic substrate, there are two materials: a material having excellent mechanical strength such as alumina but having a large dielectric constant of about 10; and a material such as glass having a small dielectric constant of about 4 but fragile. Fortunately, no material has both mechanical strength and low dielectric constant.

【0041】前記絶縁基板1及び有機絶縁層12の材質
は各コイル導体と反応しないものであることが好まし
い。たとえばコイル導体が銅である場合、ポリイミドを
絶縁基板又は絶縁層に使用すると銅表面が青緑色に変色
し、いわゆる緑青を生成するので好ましくない。また、
適度の耐熱性を有するものが好ましい。たとえばTg
(ガラス転移点)が極端に低い場合、高温での信頼性に
影響を及ぼし、好ましくない。Tg≧60℃であること
が好ましい。例えば、ポリアミド樹脂はTgが50℃程
度であり好ましくない。
It is preferable that the material of the insulating substrate 1 and the organic insulating layer 12 does not react with each coil conductor. For example, when the coil conductor is made of copper, it is not preferable to use polyimide for the insulating substrate or the insulating layer because the copper surface turns blue-green to produce so-called patina. Also,
Those having appropriate heat resistance are preferred. For example, Tg
If the (glass transition point) is extremely low, the reliability at high temperatures is affected, which is not preferable. It is preferable that Tg ≧ 60 ° C. For example, a polyamide resin has a Tg of about 50 ° C., which is not preferable.

【0042】コイル導体11a,13a、つまり第1及
び第2導体層11,13の材質は比抵抗が低く、加工性
及び形成性が良好であり、しかも安価であることが好ま
しい。材料の候補として、銀、銅、アルミ、金等が挙げ
られるが、上記の3点を考慮すると銅が最も好ましい。
The material of the coil conductors 11a and 13a, that is, the first and second conductor layers 11 and 13 is preferably low in specific resistance, good in workability and formability, and inexpensive. Silver, copper, aluminum, gold and the like can be cited as material candidates, but copper is most preferable in consideration of the above three points.

【0043】各コイル導体11a,13aのアスペクト
比(導体高さ/導体幅)は出来るだけ大きく、具体的に
はコイル導体の周回部分のアスペクト比が0.3以上で
あることが好ましい。アスペクト比を上げることによ
り、導体の渦電流損失を増やすことなく電流路の断面積
を増加することが出来る。またインダクタンス値はほと
んど変わらないので、Qを効率良く上げることが出来
る。アスペクト比が0.3未満では、電流路の断面積の
増加はわずかにとどまりQの改善効果はあまり期待でき
ない。
The aspect ratio (conductor height / conductor width) of each of the coil conductors 11a and 13a is as large as possible. Specifically, it is preferable that the aspect ratio of the circling portion of the coil conductor is 0.3 or more. By increasing the aspect ratio, the cross-sectional area of the current path can be increased without increasing the eddy current loss of the conductor. In addition, since the inductance value hardly changes, Q can be increased efficiently. When the aspect ratio is less than 0.3, the cross-sectional area of the current path increases only slightly, and the effect of improving Q cannot be expected much.

【0044】コイル導体の幅を増やした場合は、電流路
の断面積は増加するものの、磁界と鎖交する導体上部の
面積が増え、またインダクタンス値が減少するので好ま
しくない。
When the width of the coil conductor is increased, the cross-sectional area of the current path increases, but the area of the upper part of the conductor interlinking with the magnetic field increases, and the inductance value decreases, which is not preferable.

【0045】各コイル導体11a,13aの表面を滑ら
かにするのは、高周波領域のQを向上させるための基本
的な事項である。これを実現するにはコイル導体の形成
方法を、電解めっき、好ましくは光沢電解めっきを用い
た工法、さらには蒸着、スパッタリング等の薄膜工法、
あるいはこれらの工法を組み合わせたものが挙げられ
る。
Smoothing the surfaces of the coil conductors 11a and 13a is a fundamental matter for improving the Q in the high frequency region. In order to realize this, the method of forming the coil conductor is a method using electrolytic plating, preferably a bright electrolytic plating, furthermore, a thin film method such as vapor deposition and sputtering,
Alternatively, a combination of these methods may be used.

【0046】パネルめっき及びエッチングによる方法、
つまり絶縁基板又は絶縁層上にめっき下地層を形成し、
その後に電解めっきを施し、その後にサブトラクティブ
法でコイルを形成する工法によると、コイル導体の上面
が滑らかに形成出来、好ましい。また電解めっきに光沢
めっきを用いると、表面の凹凸がさらに滑らか(鏡面状
態)になり好ましい。エッチング方法はウエットでもド
ライでも良いが、前者の場合は導体側部に大きな凹凸が
出来ることが多く好ましくない。ドライエッチングでパ
ターニングを行う場合は比較的導体側部は滑らかになる
が、量産性に乏しい。
Panel plating and etching method,
That is, a plating base layer is formed on an insulating substrate or an insulating layer,
The method of forming the coil by a subtractive method after applying electrolytic plating thereafter is preferable because the upper surface of the coil conductor can be formed smoothly. It is preferable to use bright plating for electrolytic plating because the unevenness on the surface becomes smoother (mirror state). The etching method may be wet or dry, but in the former case, large irregularities are often formed on the conductor side, which is not preferable. When patterning is performed by dry etching, the conductor side portion is relatively smooth, but mass productivity is poor.

【0047】図2で説明したパターンめっき法、つまり
絶縁基板又は絶縁層上にめっき下地層を形成し、その上
にコイル導体部が開口部になっているレジストパターン
を形成し、電解めっきを施し、レジスト剥離後に全面を
エッチング除去し、不要なめっき下地層を除去してコイ
ル導体を作製すると、コイル導体の3面が滑らかになり
好ましい。ここで電解めっきを光沢めっきにすると、表
面の凹凸がさらに減少してさらに好ましい。またコイル
導体をハイアスペクトに形成する場合、前記のサブトラ
クティブ工法ではコイル導体のアスペクト比は最大0.
2程度が限度であるが、本工法ではアスペクト比0.3
以上とすることができ、アスペクト比1程度のコイル導
体まで容易に形成可能となる。
The pattern plating method described with reference to FIG. 2, that is, a plating base layer is formed on an insulating substrate or an insulating layer, a resist pattern having a coil conductor portion as an opening is formed thereon, and electrolytic plating is performed. When the coil conductor is manufactured by removing the entire surface by etching and removing the unnecessary plating base layer after removing the resist, the three surfaces of the coil conductor are preferably smooth. Here, it is more preferable to make the electrolytic plating a bright plating, since the unevenness on the surface is further reduced. When the coil conductor is formed in a high aspect, the aspect ratio of the coil conductor is set to a maximum of 0.
The limit is about 2, but this method has an aspect ratio of 0.3.
As described above, a coil conductor having an aspect ratio of about 1 can be easily formed.

【0048】さらに、前記めっき下地層形成に無電界め
っき工法を採用し、全面のエッチングをウエット法で行
うと量産性が高くなり、好ましい。
Further, it is preferable to adopt an electroless plating method for forming the plating underlayer and to perform etching on the entire surface by a wet method because mass productivity is increased.

【0049】なお、前記めっき下地層の形成は、スパッ
タリング、蒸着、イオンプレーティング等の薄膜ドライ
工法、無電解めっき等の湿式工法があげられる。このな
かでも無電解めっき工法は量産性に優れ好ましい。この
無電解めっきの場合は、下地表面を粗化する必要がある
が、本例では下地が樹脂であるので、研磨等の物理的手
法もしくは、過マンガン酸カリウム等による化学的手法
で容易に粗化でき好ましい。
The formation of the plating underlayer may be a thin film dry method such as sputtering, vapor deposition, or ion plating, or a wet method such as electroless plating. Among these, the electroless plating method is preferable because of its excellent mass productivity. In the case of this electroless plating, it is necessary to roughen the underlayer surface. However, in this example, since the underlayer is a resin, it can be easily roughened by a physical method such as polishing or a chemical method using potassium permanganate or the like. This is preferable.

【0050】前記全面のエッチングはドライエッチン
グ、ウエットエッチングの両方が可能であるが、後者は
量産性に優れ好ましい。
For the etching of the entire surface, both dry etching and wet etching are possible, but the latter is preferable because of its excellent mass productivity.

【0051】コイル導体表面の凹凸は使用周波数範囲の
上限でのスキンデプスより小さいことが最も好ましい
が、これを越える値になっても、凹凸を小さくすること
により実効抵抗は減少し、Qは大きくなる。とくに、コ
イル導体の少なくとも一面の凹凸が、使用周波数(例え
ば1GHz)のスキンデプスの3倍以下であることが望
ましく、セラミック積層工法との対比を考えると表面の
凹凸は5μm以下であることがとくに好ましい。また、
コイル導体表面は4面の全てが滑らかであることが最も
好ましいが、すくなくとも1面の全てが滑らかであれば
Qの向上に有効である。
It is most preferable that the irregularities on the surface of the coil conductor be smaller than the skin depth at the upper limit of the operating frequency range. However, even if the irregularities exceed the value, the effective resistance is reduced by reducing the irregularities, and the Q is increased. Become. In particular, it is desirable that the irregularities on at least one surface of the coil conductor be three times or less the skin depth at the operating frequency (for example, 1 GHz). preferable. Also,
It is most preferable that all four sides of the coil conductor surface be smooth. However, if at least one of the surfaces is smooth, it is effective to improve the Q.

【0052】この第1の実施の形態によれば、次の通り
の効果を得ることができる。
According to the first embodiment, the following effects can be obtained.

【0053】(1) 導体層11,13をダブルヘリカル
パターンのコイル導体11a,13aとしたことで、比
較例として示す図8(A),(B)の個々のコイル導体
81,82のターン数が略1ターン以下のヘリカルパタ
ーン(以下、便宜上シングルヘリカルパターンと呼ぶ)
に比較して一層当たりのインダクタンスを大きくでき、
シングルヘリカルパターンに比較して少ない層数で所要
のインダクタンス値を確保できる。このため、薄型化を
図り得、またコスト低減も可能である。
(1) Since the conductor layers 11 and 13 are coil conductors 11a and 13a having a double helical pattern, the number of turns of the individual coil conductors 81 and 82 shown in FIGS. Is a helical pattern of approximately one turn or less (hereinafter referred to as a single helical pattern for convenience)
The inductance per layer can be increased compared to
A required inductance value can be secured with a smaller number of layers than in a single helical pattern. Therefore, the thickness can be reduced, and the cost can be reduced.

【0054】(2) 導体層11,13をダブルヘリカル
パターンのコイル導体11a,13aとしたことで、比
較例として示す図8のシングルヘリカルパターンに比較
して一般的には浮遊容量が増大しSRFが低下するが、
前述したように、ビニルベンジル等の有機絶縁層12を
用いると、誘電率が小さいので線間の浮遊容量が下がり
SRFの低下を回避できる。
(2) Since the conductor layers 11 and 13 are coil conductors 11a and 13a having a double helical pattern, the floating capacitance is generally increased as compared with the single helical pattern shown in FIG. Decreases,
As described above, when the organic insulating layer 12 made of vinylbenzyl or the like is used, since the dielectric constant is small, the stray capacitance between lines is reduced, and a decrease in SRF can be avoided.

【0055】(3) ダブルヘリカルパターンのコイル導
体11a,13aは、最内周の周回部分より内側の導体
の配されていない中央部の面積S11,S12が、当該
コイル導体11a,13aの最外周の周回部分を含みか
つ該最外周の周回部分で囲まれた全体面積ST1,S
T2の20%〜90%となるように(より好ましくは5
0%〜90%となるように)設定してあり、コイル導体
中央部に導体の配されていない空き地が多いため、コイ
ル導体の鎖交磁界による渦電流損失を抑制し、渦電流損
失に起因するQの低下を防ぐことができる。なお、前記
中央部の面積が20%未満であると、渦電流損失を抑制
する効果が無くなるため好ましくないし、90%を超え
るように設定することはコイル導体幅やピッチの関係か
ら製作困難である。また、絶縁基板1及び絶縁層12と
してビニルベンジル等の1GHzでのQが200以上の
有機材料を用いることで高いQ値を実現できる。
[0055] (3) the coil conductor 11a in a double helical pattern, 13a, the area S 11 of the central portion which is not distribution of the inner conductor from winding portions of the innermost, S 12 is the coil conductors 11a, 13a of the The total area S T1 , S including the outermost circumference and surrounded by the outermost circumference
T2 to be 20% to 90% (more preferably, 5%).
0% to 90%), and there are many vacant lots where no conductor is arranged in the center of the coil conductor. Therefore, the eddy current loss due to the interlinking magnetic field of the coil conductor is suppressed and the eddy current loss is caused. Q can be prevented from decreasing. If the area of the central portion is less than 20%, the effect of suppressing the eddy current loss is lost, which is not preferable. It is difficult to set the area to exceed 90% because of the coil conductor width and pitch. . In addition, a high Q value can be realized by using an organic material such as vinylbenzyl having a Q of 200 or more at 1 GHz as the insulating substrate 1 and the insulating layer 12.

【0056】(4) 直列コイル導体10、つまり第1導
体層11、第2導体層13のアスペクト比をそれぞれ上
げると電流路の断面積を増やせるので直流抵抗が減少
し、Q値を向上出来る。とくに、図2のパターンめっき
法によれば、第1導体層11,13のコイル導体11
a,13aのアスペクト比0.3以上にすることがで
き、Q値の一層の向上を図り得る。
(4) Increasing the aspect ratios of the series coil conductors 10, ie, the first conductor layer 11 and the second conductor layer 13, can increase the cross-sectional area of the current path, thereby reducing the DC resistance and improving the Q value. In particular, according to the pattern plating method of FIG. 2, the coil conductors 11 of the first conductor layers 11 and 13 are formed.
The aspect ratio of a and 13a can be 0.3 or more, and the Q value can be further improved.

【0057】図3は本発明に係る高周波コイルの第2の
実施の形態を示す。この場合、導体層が2層となってい
る2層品を示し、図3(A)は有機又は無機の絶縁基板
1上に形成された第1導体層41を、同図(B)はその
上に積層形成された第1有機絶縁層42を、同図(C)
はその上に形成された第2導体層43を示すものであ
り、第1導体層41における略3ターン周回するコイル
導体41aと第2導体層43における略3ターン周回す
るコイル導体43aとは第1有機絶縁層42のビアホー
ル44を介して相互に接続され、全体として基板両側縁
の端子電極5同士を接続する直列コイル導体40を構成
している。
FIG. 3 shows a second embodiment of the high-frequency coil according to the present invention. In this case, a two-layer product having two conductor layers is shown. FIG. 3A shows the first conductor layer 41 formed on the organic or inorganic insulating substrate 1 and FIG. The first organic insulating layer 42 formed by lamination is formed by
Indicates a second conductor layer 43 formed thereon, and the coil conductor 41a of the first conductor layer 41 that makes approximately three turns and the coil conductor 43a of the second conductor layer 43 that makes almost three turns are the same as A series coil conductor 40 is connected to each other via a via hole 44 of one organic insulating layer 42 and connects the terminal electrodes 5 on both side edges of the substrate as a whole.

【0058】この場合も、各コイル導体41a,43a
の最内周の周回部分より内側の導体の配されていない中
央部の面積は、当該コイル導体の最外周の周回部分を含
みかつ該最外周の周回部分で囲まれた全体面積の20%
〜90%(より好ましくは50%〜90%)となるよう
に設定する。この条件を満足する略3ターンのコイル導
体41a,43aのようなコイルパターンを以下トリプ
ルヘリカルパターンと呼ぶことにする。
Also in this case, each of the coil conductors 41a, 43a
The area of the central portion where the conductor inside the innermost peripheral portion of the coil conductor is not disposed is 20% of the total area including the outermost peripheral portion of the coil conductor and surrounded by the outermost peripheral portion.
To 90% (more preferably 50% to 90%). A coil pattern such as the coil conductors 41a and 43a of approximately three turns satisfying this condition will be hereinafter referred to as a triple helical pattern.

【0059】また、各層のコイル導体は、同一方向に周
回するように、つまり各コイル導体の巻き線方向が同じ
になるように直列接続されている。
The coil conductors of each layer are connected in series so as to rotate in the same direction, that is, so that the winding directions of the coil conductors are the same.

【0060】第1及び第2導体層41,43の作製は、
例えば、パネルめっきとエッチングによる方法、あるい
はパターンめっき法によって行うことができる。また、
層間絶縁層となる第1有機絶縁層42は、絶縁樹脂のス
ピンコート、バーコート、塗布、印刷、プレス(シート
状のものの貼り合わせ)等で形成可能であり、これらの
方法は溶剤の揮発性や樹脂の粘度等の材料特性に応じて
選択される。
The production of the first and second conductor layers 41 and 43 is as follows.
For example, it can be performed by a method using panel plating and etching, or a pattern plating method. Also,
The first organic insulating layer 42 serving as an interlayer insulating layer can be formed by spin coating, bar coating, coating, printing, pressing (lamination of a sheet-like material) of an insulating resin, and the like. Is selected according to the material characteristics such as the viscosity of the resin and the resin.

【0061】この第2の実施の形態によれば、各導体層
のコイル導体のターン数を多くすることで、前述の第1
の実施の形態よりもインダクタンス値を増すことが可能
となる。なお、その他の構成、作用効果は前述の第1の
実施の形態と同様である。
According to the second embodiment, by increasing the number of turns of the coil conductor of each conductor layer, the above-described first embodiment is improved.
It is possible to increase the inductance value as compared with the embodiment. The other configuration, operation and effect are the same as those of the above-described first embodiment.

【0062】図4は本発明に係る高周波コイルの第3の
実施の形態であって、導体層が4層となっている4層品
を示す。図4(A)は有機又は無機の絶縁基板1上に形
成された第1導体層51を、同図(B)はその上に層間
の有機絶縁層を介して積層形成された第2導体層52
を、同図(C)はその上に層間の有機絶縁層を介して積
層形成された第3導体層53を、同図(D)はその上に
層間の有機絶縁層を介して積層形成された第4導体層5
4を示すものであり、第1導体層51における略2ター
ン周回するコイル導体51aと、第2導体層52におけ
る略2ターン周回するコイル導体52aと、第3導体層
53における略2ターン周回するコイル導体53aと、
第4導体層54における略2ターン周回するコイル導体
54aとは各層間の有機絶縁層のビアホールを介して相
互に接続され、全体として基板両側縁の端子電極5同士
を接続する直列コイル導体50を構成している。
FIG. 4 shows a third embodiment of the high-frequency coil according to the present invention, which shows a four-layer product having four conductor layers. FIG. 4A shows a first conductor layer 51 formed on an organic or inorganic insulating substrate 1 and FIG. 4B shows a second conductor layer formed thereon with an interlayer organic insulating layer interposed therebetween. 52
FIG. 3C shows a third conductor layer 53 laminated thereon with an interlayer organic insulating layer interposed therebetween, and FIG. 4D shows a third conductor layer 53 laminated thereon with an interlayer organic insulating layer interposed therebetween. The fourth conductor layer 5
4, a coil conductor 51a that makes a substantially two-turn turn in the first conductor layer 51, a coil conductor 52a that makes a two-turn turn in the second conductor layer 52, and a two-turn turn in the third conductor layer 53. A coil conductor 53a;
The coil conductor 54a, which rotates substantially two turns in the fourth conductor layer 54, is connected to each other via via holes in the organic insulating layer between the respective layers, and the series coil conductor 50 connecting the terminal electrodes 5 on both side edges of the substrate as a whole is connected to the coil conductor 54a. Make up.

【0063】この場合も、各コイル導体51a〜54a
の最内周の周回部分より内側の導体の配されていない中
央部の面積は、当該コイル導体の最外周の周回部分を含
みかつ該最外周の周回部分で囲まれた全体面積の20%
〜90%(より好ましくは50%〜90%)となるよう
に設定して、それぞれダブルヘリカルパターンとする。
Also in this case, each of the coil conductors 51a to 54a
The area of the central portion where the conductor inside the innermost circumference of the coil conductor is not disposed is 20% of the entire area including the outermost circumference of the coil conductor and surrounded by the outermost circumference.
To 90% (more preferably 50% to 90%) to form a double helical pattern.

【0064】また、各層のコイル導体は、同一方向に周
回するように、つまり各コイル導体の巻き線方向が同じ
になるように直列接続されている。
The coil conductors of each layer are connected in series so as to rotate in the same direction, that is, so that the winding directions of the coil conductors are the same.

【0065】第1乃至第4導体層51〜54の作製は、
例えば、パネルめっきとエッチングによる方法、あるい
はパターンめっき法によって行うことができる。
The production of the first to fourth conductor layers 51 to 54 is as follows.
For example, it can be performed by a method using panel plating and etching, or a pattern plating method.

【0066】この第3の実施の形態によれば、導体層の
層数を多くすることで前述の第1の実施の形態よりもイ
ンダクタンス値を増すことが可能となる。なお、その他
の構成、作用効果は前述の第1の実施の形態と同様であ
る。
According to the third embodiment, by increasing the number of conductor layers, the inductance value can be increased as compared with the first embodiment. The other configuration, operation and effect are the same as those of the above-described first embodiment.

【0067】図5は本発明に係る高周波コイルの第4の
実施の形態であって、導体層が4層となっている4層品
を示す。図5(A)は有機又は無機の絶縁基板1上に形
成された第1導体層61を、同図(B)はその上に層間
の有機絶縁層を介して積層形成された第2導体層62
を、同図(C)はその上に層間の有機絶縁層を介して積
層形成された第3導体層63を、同図(D)はその上に
層間の有機絶縁層を介して積層形成された第4導体層6
4を示すものであり、第1導体層61における略3ター
ン周回するコイル導体61aと、第2導体層62におけ
る略3ターン周回するコイル導体62aと、第3導体層
63における略3ターン周回するコイル導体63aと、
第4導体層64における略3ターン周回するコイル導体
64aとは各層間の有機絶縁層のビアホールを介して相
互に接続され、全体として基板両側縁の端子電極5同士
を接続する直列コイル導体60を構成している。
FIG. 5 shows a fourth embodiment of a high-frequency coil according to the present invention, which is a four-layer product having four conductor layers. FIG. 5 (A) shows a first conductor layer 61 formed on an organic or inorganic insulating substrate 1, and FIG. 5 (B) shows a second conductor layer laminated thereon with an organic insulating layer between them. 62
FIG. 3C shows a third conductor layer 63 laminated thereon with an interlayer organic insulating layer interposed therebetween, and FIG. 4D shows a third conductor layer 63 laminated thereon with an interlayer organic insulating layer interposed therebetween. The fourth conductor layer 6
4, a coil conductor 61a that makes a substantially three-turn turn in the first conductor layer 61, a coil conductor 62a that makes a three-turn turn in the second conductor layer 62, and a three-turn turn in the third conductor layer 63. A coil conductor 63a;
The coil conductor 64a, which rotates around three turns in the fourth conductor layer 64, is connected to each other through via holes in the organic insulating layer between the respective layers, and as a whole, a series coil conductor 60 connecting the terminal electrodes 5 on both side edges of the substrate is formed. Make up.

【0068】この場合も、各コイル導体61a〜64a
の最内周の周回部分より内側の導体の配されていない中
央部の面積は、当該コイル導体の最外周の周回部分を含
みかつ該最外周の周回部分で囲まれた全体面積の20%
〜90%(より好ましくは50%〜90%)となるよう
に設定して、それぞれトリプルヘリカルパターンとす
る。
Also in this case, each of the coil conductors 61a to 64a
The area of the central portion where the conductor inside the innermost peripheral portion of the coil conductor is not disposed is 20% of the total area including the outermost peripheral portion of the coil conductor and surrounded by the outermost peripheral portion.
To 90% (more preferably 50% to 90%) to form a triple helical pattern.

【0069】また、各層のコイル導体は、同一方向に周
回するように、つまり各コイル導体の巻き線方向が同じ
になるように直列接続されている。
The coil conductors of each layer are connected in series so as to rotate in the same direction, that is, so that the winding directions of the coil conductors are the same.

【0070】第1乃至第4導体層61〜64の作製は、
例えば、パネルめっきとエッチングによる方法、あるい
はパターンめっき法によって行うことができる。
The production of the first to fourth conductor layers 61 to 64 is as follows.
For example, it can be performed by a method using panel plating and etching, or a pattern plating method.

【0071】この第4の実施の形態によれば、各導体層
のコイル導体のターン数を多くすることで前述の第3の
実施の形態よりもインダクタンス値を増すことが可能と
なる。なお、その他の構成、作用効果は前述の第3の実
施の形態と同様である。
According to the fourth embodiment, by increasing the number of turns of the coil conductor of each conductor layer, it is possible to increase the inductance value as compared with the third embodiment. The other configuration, operation, and effect are the same as those of the third embodiment.

【0072】図6は本発明に係る高周波コイルの第5の
実施の形態であって、導体層が8層となっている8層品
を示す。図6(A)は有機又は無機の絶縁基板1上に形
成される最下層の第1導体層71を、同図(B)は最下
層から数えて偶数番目となる第2、第4、第6導体層7
2を、同図(C)は最下層から数えて奇数番目となる第
3、第5、第7導体層73を、同図(D)は最上層の第
8導体層74をそれぞれ示す。各導体層間には層間の有
機絶縁層が介在している。
FIG. 6 shows a fifth embodiment of the high-frequency coil according to the present invention, which shows an eight-layer product having eight conductor layers. 6A shows the lowermost first conductive layer 71 formed on the organic or inorganic insulating substrate 1, and FIG. 6B shows the second, fourth, and fourth even-numbered layers counted from the lowermost layer. 6 conductor layer 7
2 (C) shows the third, fifth, and seventh conductor layers 73 which are odd-numbered from the bottom layer, and FIG. 4 (D) shows the eighth conductor layer 74 of the top layer. An organic insulating layer is interposed between the conductor layers.

【0073】第1導体層71は略3ターン周回するコイ
ル導体71aを、第2、第4及び第6導体層72は略3
ターン周回するコイル導体72aを、第3、第5及び第
7導体層73は略3ターン周回するコイル導体73a
を、第8導体層74は略3ターン周回するコイル導体7
4aを有し、第1導体層71から第8導体層74に至る
各導体層のコイル導体71a〜74aは各層間の有機絶
縁層のビアホールを介して相互に接続され、全体として
基板両側縁の端子電極5同士を接続する直列コイル導体
70を構成している。
The first conductor layer 71 includes a coil conductor 71a that makes a substantially three turns, and the second, fourth, and sixth conductor layers 72 include a coil conductor 71a.
The third, fifth and seventh conductor layers 73 form a coil conductor 73a that makes approximately three turns.
And the eighth conductor layer 74 is formed of the coil conductor 7 that makes approximately three turns.
4a, the coil conductors 71a to 74a of the respective conductor layers from the first conductor layer 71 to the eighth conductor layer 74 are connected to each other via via holes of the organic insulating layer between the respective layers, and as a whole, both side edges of the substrate are provided. A series coil conductor 70 for connecting the terminal electrodes 5 is formed.

【0074】この場合も、各コイル導体71a〜74a
の最内周の周回部分より内側の導体の配されていない中
央部の面積は、当該コイル導体の最外周の周回部分を含
みかつ該最外周の周回部分で囲まれた全体面積の20%
〜90%に設定して、(より好ましくは50%〜90%
に設定して)、それぞれトリプルヘリカルパターンとす
る。
Also in this case, each of the coil conductors 71a to 74a
The area of the central portion where the conductor inside the innermost peripheral portion of the coil conductor is not disposed is 20% of the total area including the outermost peripheral portion of the coil conductor and surrounded by the outermost peripheral portion.
To 90%, more preferably (50% to 90%
), Respectively, as a triple helical pattern.

【0075】また、各層のコイル導体は、同一方向に周
回するように、つまり各コイル導体の巻き線方向が同じ
になるように直列接続されている。
The coil conductors of each layer are connected in series so as to rotate in the same direction, that is, so that the winding directions of the coil conductors are the same.

【0076】第1乃至第8導体層71〜74の作製は、
例えば、パネルめっきとエッチングによる方法、あるい
はパターンめっき法によって行うことができる。
The production of the first to eighth conductor layers 71 to 74 is as follows.
For example, it can be performed by a method using panel plating and etching, or a pattern plating method.

【0077】この第5の実施の形態によれば、導体層の
層数を多くすることで前述の第4の実施の形態よりもイ
ンダクタンス値を増すことが可能となる。例えば、16
08サイズ(縦横寸法:1.6×0.8mm)で、コイル導
体のライン幅30μm、ライン高さ50μm、ピッチ3
0μm、アスペクト比1.7、面積比37%{(各コイ
ル導体の最内周の周回部分より内側の導体の配されてい
ない中央部の面積)/(当該コイル導体の最外周の周回
部分を含みかつ該最外周の周回部分で囲まれた全体面
積)}とした高周波コイルを構成した場合、測定周波数
1GHzで220nH程度のインダクタンス値が得られ
る。また、最下層と最上層以外の中間層における偶数番
目のコイル導体パターン同士を同一パターンとするとと
もに、奇数番目のコイル導体パターン同士も同一パター
ンとすることができ、図2のパターンめっき法でコイル
導体パターンを露光する際のフォトマスクの種類を少な
くすることができ、製造コストの低減を図ることができ
る。なお、その他の構成、作用効果は前述の第4の実施
の形態と同様である。
According to the fifth embodiment, by increasing the number of conductor layers, it is possible to increase the inductance value as compared with the fourth embodiment. For example, 16
08 size (vertical and horizontal dimensions: 1.6 × 0.8 mm), coil conductor line width 30 μm, line height 50 μm, pitch 3
0 μm, aspect ratio 1.7, area ratio 37% {(area of the central part where the conductor inside the innermost circumference of each coil conductor is not arranged) / (the outermost circumference of the coil conductor In the case where a high-frequency coil is configured so as to include (and the entire area surrounded by the outermost circumferential portion)}, an inductance value of about 220 nH can be obtained at a measurement frequency of 1 GHz. In addition, the even-numbered coil conductor patterns in the lowermost layer and the intermediate layer other than the uppermost layer can have the same pattern, and the odd-numbered coil conductor patterns can also have the same pattern. The number of types of photomasks when exposing the conductor pattern can be reduced, and the manufacturing cost can be reduced. The other configuration, operation and effect are the same as those of the fourth embodiment.

【0078】なお、上記各実施の形態では、全導体層の
コイル導体が略2ターン以上である例を示したが、一部
の導体層のコイル導体が略1ターン以下のシングルヘリ
カルパターンであってもよい。
In each of the above embodiments, the example in which the coil conductors of all the conductor layers have approximately two or more turns has been described. However, the coil conductors of some conductor layers have a single helical pattern of approximately one turn or less. You may.

【0079】また、絶縁基板の片側に導体層を複数層形
成したが、前記絶縁基板の両側に導体層を複数層形成し
てもよい。
Although a plurality of conductor layers are formed on one side of the insulating substrate, a plurality of conductor layers may be formed on both sides of the insulating substrate.

【実施例】以下、本発明に係る高周波コイルを実施例で
詳述する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a high-frequency coil according to the present invention will be described in detail with reference to embodiments.

【0080】実施例1 比誘電率が7.2のEガラスクロスを芯材(補強材)と
して、1GHzで比誘電率が2.5、Q=260のビニ
ルベンジルを含浸して厚さ0.3mmの有機絶縁基板を作
製した。このときの基板全体の比誘電率は3.2で、Q
=250であった。
Example 1 E glass cloth having a relative dielectric constant of 7.2 was used as a core material (reinforcing material) and impregnated with vinylbenzyl having a relative dielectric constant of 2.5 at 1 GHz and Q = 260 to a thickness of 0.5. A 3 mm organic insulating substrate was produced. At this time, the relative permittivity of the entire substrate is 3.2 and Q
= 250.

【0081】この基板表面を粗化した後に無電解銅めっ
きで厚さ0.3μmとなる無電解銅めっき層を形成し
た。この上に厚さ80μmのドライフィルムを貼り付
け、平行露光機で図1(A)の第1導体層11のダブル
ヘリカルパターンを形成した。ここで、高周波コイルは
1608サイズであり、全体の縦横寸法は1.6×0.8
mmである。ダブルヘリカルパターンをなすコイル導体の
ライン幅は85μm、ライン高さ70μm、ピッチ85
μm、アスペクト比0.82、面積比42%{(各コイ
ル導体の最内周の周回部分より内側の導体の配されてい
ない中央部の面積)/(当該コイル導体の最外周の周回
部分を含みかつ該最外周の周回部分で囲まれた全体面
積)}である。その後、レジストの溝部(ドライフィル
ムに形成した溝部)に光沢硫酸銅めっきで厚さ70μm
の導体パターンを作製した。ドライフィルムを剥離後、
全体をウエットエッチングして不用な下地導体膜(線間
の無電解銅めっき層)をエッチングで除去した。
After the surface of the substrate was roughened, an electroless copper plating layer having a thickness of 0.3 μm was formed by electroless copper plating. A dry film having a thickness of 80 μm was stuck thereon, and a double helical pattern of the first conductor layer 11 of FIG. 1A was formed by a parallel exposure machine. Here, the high-frequency coil is 1608 size, and the overall length and width are 1.6 × 0.8.
mm. The line width of the coil conductor forming the double helical pattern is 85 μm, the line height is 70 μm, and the pitch is 85
μm, aspect ratio 0.82, area ratio 42% {(area of the central part where the conductor inside the innermost circumference of each coil conductor is not arranged) / (outer circumference of the coil conductor (The entire area enclosed by the outermost circumference)). After that, the grooves (grooves formed in the dry film) of the resist were plated with bright copper sulfate to a thickness of 70 μm.
Was prepared. After peeling off the dry film,
The entire substrate was wet-etched to remove unnecessary base conductor film (electroless copper plating layer between lines) by etching.

【0082】その後、層間絶縁層となるべき感光性の絶
縁樹脂(例えば、変成エポキシ樹脂等)を第1導体層上
で25μmの厚さに塗布して図1(B)の第1有機絶縁
層12とし、かつビアホール14を作製した。ビアホー
ル14の形成はフォトリソグラフィー法による。ビアホ
ールの直径は100μmである。有機絶縁層12の樹脂
の硬化温度は160℃である。また樹脂の1GHzでの
比誘電率は3.5である。
Thereafter, a photosensitive insulating resin (for example, a modified epoxy resin or the like) to be an interlayer insulating layer is applied to a thickness of 25 μm on the first conductor layer, and the first organic insulating layer shown in FIG. 12, and a via hole 14 was formed. The formation of the via hole 14 is performed by a photolithography method. The diameter of the via hole is 100 μm. The curing temperature of the resin of the organic insulating layer 12 is 160 ° C. The relative dielectric constant of the resin at 1 GHz is 3.5.

【0083】その後、絶縁層表面を粗化した後に0.3
μmの無電解銅めっき層を形成した。この上に厚さ10
0μmのドライフィルムを貼り、平行露光機で図1
(C)の第2導体層13のダブルヘリカルパターンを形
成した。ここでダブルヘリカルパターンをなすコイル導
体のライン幅は85μmである。その後、レジストの溝
部(ドライフィルムに形成した溝部)に光沢硫酸銅めっ
きで厚さ100μmの導体パターンを形成した。ドライ
フィルム剥離後、ウエットエッチングで不用下地導体膜
を取り除いた。このようにして作製した実施例1の高周
波コイルは、測定周波数100MHzで10nHであ
り、またQ値の周波数特性を図7に示す。
Then, after the surface of the insulating layer is roughened,
A μm electroless copper plating layer was formed. On top of this, a thickness of 10
A dry film of 0 μm was applied, and a parallel exposure machine
A double helical pattern of the second conductor layer 13 of (C) was formed. Here, the line width of the coil conductor forming the double helical pattern is 85 μm. Thereafter, a conductive pattern having a thickness of 100 μm was formed in the groove of the resist (the groove formed in the dry film) by bright copper sulfate plating. After peeling off the dry film, the unnecessary underlying conductor film was removed by wet etching. The high-frequency coil of Example 1 manufactured in this manner has a measurement frequency of 10 nH at a frequency of 100 MHz, and the frequency characteristics of the Q value are shown in FIG.

【0084】実施例2 実施例1と同じ条件で図3(A),(B)のように各導
体層41,43のコイル導体をトリプルヘリカルパター
ンとした。但し、コイル導体のライン幅30μm、ライ
ン高さ50μm、ピッチ30μm、アスペクト比1.
7、面積比37%{(各コイル導体の最内周の周回部分
より内側の導体の配されていない中央部の面積)/(当
該コイル導体の最外周の周回部分を含みかつ該最外周の
周回部分で囲まれた全体面積)}である。このようにし
て作製した実施例2の高周波コイルのQ値の周波数特性
を図7に示す。
Embodiment 2 Under the same conditions as in Embodiment 1, the coil conductors of the conductor layers 41 and 43 were formed in a triple helical pattern as shown in FIGS. 3 (A) and 3 (B). However, the line width of the coil conductor is 30 μm, the line height is 50 μm, the pitch is 30 μm, and the aspect ratio is 1.
7, the area ratio 37% {(the area of the central part where the conductor inside the innermost circumference of each coil conductor is not arranged) / (including the outermost circumference of the coil conductor and including the outermost circumference) The total area surrounded by the orbital portion) is}. FIG. 7 shows the frequency characteristic of the Q value of the high-frequency coil of Example 2 manufactured in this manner.

【0085】比較例1 実施例1と同じ条件で図8(A),(B)のように各導
体層81,82のコイル導体をシングルヘリカルパター
ンとした。但し、コイル導体のライン幅100μm、ラ
イン高さ100μm、ピッチ100μm、アスペクト比
1、面積比58%{(各コイル導体の最内周の周回部分
より内側の導体の配されていない中央部の面積)/(当
該コイル導体の最外周の周回部分を含みかつ該最外周の
周回部分で囲まれた全体面積)}である。このようにし
て作製した比較例1の高周波コイルのQ値の周波数特性
を図7に示す。
Comparative Example 1 Under the same conditions as in Example 1, the coil conductors of the conductor layers 81 and 82 were formed into a single helical pattern as shown in FIGS. 8A and 8B. However, the coil conductor has a line width of 100 μm, a line height of 100 μm, a pitch of 100 μm, an aspect ratio of 1, and an area ratio of 58% (the area of the central portion where the conductor inside the innermost circumference of each coil conductor is not disposed). ) / (Whole area including the outermost circumference of the coil conductor and surrounded by the outermost circumference). FIG. 7 shows the frequency characteristic of the Q value of the high-frequency coil of Comparative Example 1 thus manufactured.

【0086】比較例2 実施例1と同じ条件で図9(A),(B)のように単層
のスパイラルパターンのコイル導体90を有する高周波
コイルとした。但し、コイル導体のライン幅30μm、
ライン高さ50μm、ピッチ30μm、アスペクト比
1.7、面積比40%{(各コイル導体の最内周の周回
部分より内側の導体の配されていない中央部の面積)/
(当該コイル導体の最外周の周回部分を含みかつ該最外
周の周回部分で囲まれた全体面積)}である。このよう
にして作製した比較例2の高周波コイルのQ値の周波数
特性を図7に示す。
Comparative Example 2 Under the same conditions as in Example 1, a high-frequency coil having a coil conductor 90 having a single-layer spiral pattern as shown in FIGS. 9A and 9B was used. However, the line width of the coil conductor is 30 μm,
Line height 50 μm, pitch 30 μm, aspect ratio 1.7, area ratio 40% {(area of central part where conductors inside innermost circumference of each coil conductor are not arranged) /
(The total area including the outermost circumference of the coil conductor and surrounded by the outermost circumference). FIG. 7 shows the frequency characteristics of the Q value of the high-frequency coil of Comparative Example 2 thus manufactured.

【0087】図7から、実施例1,2のダブルヘリカル
乃至トリプルヘリカルパターンの高周波コイルは、シン
グルヘリカルパターンよりはQ値が下がるが、スパイラ
ルパターンと比較すると相当高いQ値となっていること
が判り、またシングルヘリカルパターンと比べて層数を
減らすことができる。
From FIG. 7, it can be seen that the high frequency coils of the double helical or triple helical patterns of Examples 1 and 2 have a lower Q value than the single helical pattern, but have a considerably higher Q value than the spiral pattern. As can be seen, the number of layers can be reduced as compared with the single helical pattern.

【0088】本発明に係る高周波コイルは、コモンモー
ドチョークコイル、トランス、フィルタ、パワーアン
プ、VCO等の電子部品モジュールに適用可能である。
つまり、モジュール内のコイル部品を本発明のそれと置
き換えることにより、高性能かつ小型のモジュールを構
成できる。高性能の内容は例えばフィルタの場合はシャ
ープな減衰特性にできる。この理由は、フィルタはL,
Cで構成されるが、一般にCのQは十分に大きく全体の
性能はもっぱらLのQ特性に支配されるからである。
The high-frequency coil according to the present invention is applicable to electronic component modules such as common mode choke coils, transformers, filters, power amplifiers, VCOs, and the like.
That is, by replacing the coil component in the module with that of the present invention, a high-performance and small-sized module can be configured. For example, in the case of a filter, high-performance contents can have sharp attenuation characteristics. The reason for this is that the filter is L,
This is because although C is composed of C, the Q of C is generally large enough and the overall performance is mainly controlled by the Q characteristic of L.

【0089】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
Although the embodiments of the present invention have been described above, it is obvious to those skilled in the art that the present invention is not limited to the embodiments and various modifications and changes can be made within the scope of the claims. There will be.

【0090】[0090]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スパイラルパターンと比較してQ及びSRFが比較的高
く、またシングルヘリカルパターンと比較して高インダ
クタンスで薄型(層数低減)かつ低コストの高周波コイ
ルを実現可能である。例えば、長さ1.6mm、幅0.8m
m、厚み0.8mmのサイズであっても従来品よりも大きな
インダクタンス値が得られる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to realize a high-frequency coil having a relatively high Q and SRF as compared with a spiral pattern, a high inductance, a thin (reduced number of layers) and a low cost as compared with a single helical pattern. For example, length 1.6mm, width 0.8m
Even with a size of 0.8 mm and a thickness of 0.8 mm, a larger inductance value than conventional products can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る高周波コイル第1の実施の形態で
あって、導体層及び層間有機絶縁層を示す平面図であ
る。
FIG. 1 is a plan view showing a conductor layer and an interlayer organic insulating layer according to a first embodiment of the high-frequency coil according to the present invention.

【図2】第1の実施の形態の場合の製法の1例を示す説
明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating an example of a manufacturing method according to the first embodiment.

【図3】本発明の第2の実施の形態であって、導体層及
び層間有機絶縁層を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a conductor layer and an interlayer organic insulating layer according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施の形態であって、複数層の
導体層を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a third embodiment of the present invention and showing a plurality of conductor layers.

【図5】本発明の第4の実施の形態であって、複数層の
導体層を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a plurality of conductor layers according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第5の実施の形態であって、複数層の
導体層を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a fifth embodiment of the present invention and showing a plurality of conductor layers.

【図7】実施例1,2と比較例1,2のQ値の周波数特
性を示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing frequency characteristics of Q values of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2.

【図8】比較例1の場合の複数層の導体層を示す平面図
である。
FIG. 8 is a plan view showing a plurality of conductor layers in Comparative Example 1.

【図9】比較例2の場合の複数層の導体層を示す平面図
である。
FIG. 9 is a plan view showing a plurality of conductor layers in Comparative Example 2.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁基板 5 端子電極 10,40,50,60,70 直列コイル導体 11,13,41,43,51,52,53,54,6
1,62,63,64,71,72,73,74 導体
層 11a,13a,41a,43a,51a,52a,5
3a,54a,61a,62a,63a,64a,71
a,72a,73a,74a コイル導体 12,42 有機絶縁層 14,44 ビアホール 30 めっき下地層 31 ドライフィルム 32 めっき層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 5 Terminal electrode 10, 40, 50, 60, 70 Series coil conductor 11, 13, 41, 43, 51, 52, 53, 54, 6
1, 62, 63, 64, 71, 72, 73, 74 Conductive layers 11a, 13a, 41a, 43a, 51a, 52a, 52a, 5
3a, 54a, 61a, 62a, 63a, 64a, 71
a, 72a, 73a, 74a Coil conductor 12, 42 Organic insulating layer 14, 44 Via hole 30 Plating base layer 31 Dry film 32 Plating layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾崎 由美子 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 5E070 AA01 AB04 AB06 BA01 CB04 CB12  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Yumiko Ozaki 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo T-DC F-term (reference) 5E070 AA01 AB04 AB06 BA01 CB04 CB12

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板の少なくとも片面に、有機絶縁
層を介し2層以上のコイル導体を形成した高周波コイル
において、 前記2層以上の全層又は一部の層における前記コイル導
体は略2ターン以上周回する部分を有し、該コイル導体
の最内周の周回部分より内側の導体の配されていない中
央部の面積が、当該コイル導体の最外周の周回部分を含
みかつ該最外周の周回部分で囲まれた全体面積の20%
〜90%であり、 各コイル導体を同一方向に周回するように直列接続した
ことを特徴とする高周波コイル。
1. A high-frequency coil having two or more coil conductors formed on at least one surface of an insulating substrate via an organic insulating layer, wherein the coil conductors in all or some of the two or more layers are substantially two turns. The coil conductor has a portion that circulates, and the area of the central portion where the conductor inside the innermost peripheral portion of the coil conductor is not disposed includes the outermost peripheral portion of the coil conductor and the outermost peripheral portion. 20% of the total area enclosed by the parts
A high-frequency coil, wherein each coil conductor is connected in series so as to go around in the same direction.
【請求項2】 前記コイル導体が銅で形成されてなる請
求項1記載の高周波コイル。
2. The high-frequency coil according to claim 1, wherein said coil conductor is formed of copper.
【請求項3】 前記コイル導体のアスペクト比が0.3
以上である請求項1又は2記載の高周波コイル。
3. An aspect ratio of said coil conductor is 0.3.
The high-frequency coil according to claim 1 or 2, which is as described above.
【請求項4】 周波数1GHzにおいて、前記有機絶縁
層の比誘電率が4以下である請求項1,2又は3記載の
高周波コイル。
4. The high-frequency coil according to claim 1, wherein the relative dielectric constant of the organic insulating layer is 1 or less at a frequency of 1 GHz.
【請求項5】 周波数1GHzにおいて、前記有機絶縁
層のQが200以上である請求項1,2,3又は4記載
の高周波コイル。
5. The high-frequency coil according to claim 1, wherein the organic insulating layer has a Q of 200 or more at a frequency of 1 GHz.
【請求項6】 前記有機絶縁層がビニルベンジルである
請求項1,2,3,4又は5記載の高周波コイル。
6. The high frequency coil according to claim 1, wherein said organic insulating layer is vinylbenzyl.
【請求項7】 前記絶縁基板が有機基板である請求項
1,2,3,4,5又は6記載の高周波コイル。
7. The high-frequency coil according to claim 1, wherein said insulating substrate is an organic substrate.
【請求項8】 前記絶縁基板がビニルベンジルである請
求項1,2,3,4,5,6又は7記載の高周波コイ
ル。
8. The high-frequency coil according to claim 1, wherein said insulating substrate is vinylbenzyl.
【請求項9】 前記コイル導体の最下層から数えて奇数
番目のコイル導体のうち、同一パターンのものが存在す
る請求項1,2,3,4,5,6,7又は8記載の高周
波コイル。
9. The high-frequency coil according to claim 1, wherein the odd-numbered coil conductors counted from the lowest layer of the coil conductor have the same pattern. .
【請求項10】 前記コイル導体の最下層から数えて偶
数番目のコイル導体のうち、同一パターンのものが存在
する請求項1,2,3,4,5,6,7,8又は9記載
の高周波コイル。
10. The coil conductor according to claim 1, wherein the even-numbered coil conductors counted from the lowest layer of the coil conductor have the same pattern. High frequency coil.
【請求項11】 前記2層以上のコイル導体のうち一部
の層におけるコイル導体は略2ターン以上周回する部分
を有し、該コイル導体の最内周の周回部分より内側の導
体の配されていない中央部の面積が、当該コイル導体の
最外周の周回部分を含みかつ該最外周の周回部分で囲ま
れた全体面積の20%〜90%であり、前記2層以上の
コイル導体の残りの層におけるコイル導体は略1ターン
以下である請求項1乃至10のいずれか記載の高周波コ
イル。
11. A coil conductor in a part of the two or more layers of coil conductors has a portion that circulates for approximately two or more turns, and a conductor inside the innermost peripheral portion of the coil conductor is arranged. The area of the central portion that is not included is 20% to 90% of the entire area including the outermost peripheral portion of the coil conductor and surrounded by the outermost peripheral portion, and the remaining portion of the two or more layers of the coil conductor The high-frequency coil according to any one of claims 1 to 10, wherein the number of turns of the coil conductor in the layer is approximately one turn or less.
JP2002080779A 2001-03-22 2002-03-22 High frequency coil Pending JP2002353031A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002080779A JP2002353031A (en) 2001-03-22 2002-03-22 High frequency coil

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-82487 2001-03-22
JP2001082487 2001-03-22
JP2002080779A JP2002353031A (en) 2001-03-22 2002-03-22 High frequency coil

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002353031A true JP2002353031A (en) 2002-12-06

Family

ID=26611792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002080779A Pending JP2002353031A (en) 2001-03-22 2002-03-22 High frequency coil

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002353031A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005026616A (en) * 2003-07-03 2005-01-27 Tadahiro Omi Chip type element
WO2006035511A1 (en) * 2004-09-29 2006-04-06 Tadahiro Ohmi Chip element
JP2006287196A (en) * 2005-01-20 2006-10-19 Avx Corp High-quality q factor planer inductor and ipd application
JP2013084856A (en) * 2011-10-12 2013-05-09 Tdk Corp Laminated coil component
JP2015133523A (en) * 2015-04-22 2015-07-23 Tdk株式会社 Electronic component
JP2017103360A (en) * 2015-12-02 2017-06-08 Tdk株式会社 Coil component and power supply circuit unit
JP2018078306A (en) * 2014-02-27 2018-05-17 株式会社村田製作所 Method of manufacturing laminate, and laminate
JP2021061339A (en) * 2019-10-08 2021-04-15 株式会社村田製作所 Inductor component and manufacturing method thereof
JP2021061340A (en) * 2019-10-08 2021-04-15 株式会社村田製作所 Inductor component and manufacturing method thereof
US20210125760A1 (en) * 2013-11-25 2021-04-29 A.K. Stamping Company, Inc. Wireless charging coil

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005026616A (en) * 2003-07-03 2005-01-27 Tadahiro Omi Chip type element
JP4493946B2 (en) * 2003-07-03 2010-06-30 財団法人国際科学振興財団 Chip element
WO2006035511A1 (en) * 2004-09-29 2006-04-06 Tadahiro Ohmi Chip element
KR101105616B1 (en) * 2004-09-29 2012-01-18 고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단 Chip element
JP2006287196A (en) * 2005-01-20 2006-10-19 Avx Corp High-quality q factor planer inductor and ipd application
JP2013084856A (en) * 2011-10-12 2013-05-09 Tdk Corp Laminated coil component
US20210125760A1 (en) * 2013-11-25 2021-04-29 A.K. Stamping Company, Inc. Wireless charging coil
US11862383B2 (en) * 2013-11-25 2024-01-02 A.K. Stamping Company, Inc. Wireless charging coil
JP2018078306A (en) * 2014-02-27 2018-05-17 株式会社村田製作所 Method of manufacturing laminate, and laminate
US10204735B2 (en) 2014-02-27 2019-02-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing electromagnet, and electromagnet
JP2015133523A (en) * 2015-04-22 2015-07-23 Tdk株式会社 Electronic component
JP2017103360A (en) * 2015-12-02 2017-06-08 Tdk株式会社 Coil component and power supply circuit unit
JP2021061339A (en) * 2019-10-08 2021-04-15 株式会社村田製作所 Inductor component and manufacturing method thereof
JP2021061340A (en) * 2019-10-08 2021-04-15 株式会社村田製作所 Inductor component and manufacturing method thereof
JP7211323B2 (en) 2019-10-08 2023-01-24 株式会社村田製作所 INDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING INDUCTOR COMPONENT
JP7211322B2 (en) 2019-10-08 2023-01-24 株式会社村田製作所 inductor components

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220028602A1 (en) Inductor component
JP3800540B2 (en) Inductance element manufacturing method, multilayer electronic component, multilayer electronic component module, and manufacturing method thereof
US10840009B2 (en) Inductor component
US11551850B2 (en) Coil component and method for fabricating the same
US10418167B2 (en) Inductor component
US11769620B2 (en) Electronic component
JP5932916B2 (en) Inductor and manufacturing method thereof
JP5835355B2 (en) Coil parts
JPWO2006008878A1 (en) Coil parts
JP2002353031A (en) High frequency coil
JP3000579B2 (en) Manufacturing method of chip coil
JP2002110425A (en) High-frequency coil
US7872853B2 (en) Thin film capacitor, manufacturing method of the same, and electronic component
JP2002184638A (en) Method for manufacturing high-frequency coil
JP2002134321A (en) High-frequency coil and its manufacturing method
JP2002134322A (en) High-q high-frequency coil and its manufacturing method
JP2002280219A (en) Inductor and/or circuit wiring near in vicinity and its manufacturing method
JP2004128130A (en) Coil component and its manufacturing method
JP2002124415A (en) Printed circuit board for high frequency and its manufacturing method
JP2005116647A (en) Common mode choke coil, manufacturing method thereof, and common mode choke coil array
JP2001250723A (en) High-q high-frequency coil and its manufacturing method
JP4130347B2 (en) Multilayer electronic component module
JP2002134320A (en) High-q high-frequency coil of high reliability
JP2000306729A (en) Stacked coil device
JP2002110423A (en) Common mode choke coil

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060524

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060927