JP2015133523A - Electronic component - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To secure flatness of an upper surface of a conductor pattern of the uppermost layer by suppressing height variation of each conductor layer when laminating conductor patterns.SOLUTION: An electronic component includes: a first conductor layer including a first conductor pattern P1; a first insulating layer covering the first conductor layer; a first opening h1 which penetrates the first insulating layer to expose an upper surface and a side surface of the first conductor pattern P1; and a second conductor layer which is provided on the first insulating layer and includes a second conductor pattern P2 connected to the first conductor pattern P1 through the first opening h1. A first opening region being a plane region inside the first opening h1 has a first region where the first conductor pattern P1 is formed and a second region where the first conductor pattern P1 is not formed. The second conductor pattern P2 is embedded in both the first region and the second region of the first opening h1.

Description

本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、特に、コモンモードフィルタ等のコイル部品の構造に関するものである。   The present invention relates to an electronic component and a method for manufacturing the same, and more particularly to the structure of a coil component such as a common mode filter.

電子部品の一つであるコモンモードフィルタは、差動伝送ラインのノイズ対策部品として広く用いられている。近年の製造技術の進歩により、コモンモードフィルタは非常に小型な表面実装型チップ部品としても提供され(例えば特許文献1参照)、コイルパターンも非常に小型、狭間隔にすることが可能となってきている。しかし、コイルパターンの厚さが薄すぎると直流抵抗が増加することから、平面コイルパターンをできるだけ厚く形成して直流抵抗の増加を防止することが望まれている。   A common mode filter, which is one of electronic components, is widely used as a noise countermeasure component for differential transmission lines. Due to recent advances in manufacturing technology, common mode filters are also provided as extremely small surface-mounted chip components (see, for example, Patent Document 1), and coil patterns can also be made very small and spaced apart. ing. However, since the direct current resistance increases if the coil pattern is too thin, it is desired to form the planar coil pattern as thick as possible to prevent the direct current resistance from increasing.

特開2011−14747号公報JP 2011-14747 A

コモンモードフィルタにおいて、平面コイルパターンと同一平面上にはコンタクトホール導体や内部端子電極等の他の導体パターンも形成される。コイルパターンをめっきにより厚く形成しようとする場合、めっき条件はコイルパターンに合わせて最適化される。しかし、このようなめっき条件下でコイルパターンと他の導体パターンとを同時に形成すると、比較的面積が大きい他の導体パターンのめっき成長が過度に進み、同じ導体層内での導体パターンの高さばらつきが大きくなるという問題がある。   In the common mode filter, other conductor patterns such as contact hole conductors and internal terminal electrodes are formed on the same plane as the planar coil pattern. When the coil pattern is to be formed thick by plating, the plating conditions are optimized according to the coil pattern. However, if a coil pattern and another conductor pattern are formed simultaneously under such plating conditions, the plating growth of other conductor patterns having a relatively large area proceeds excessively, and the height of the conductor pattern within the same conductor layer is increased. There is a problem that the variation becomes large.

特に、図12(a)に示すように、コイルパターン31よりも少し広い幅(大きな面積)を有する導体パターン32の場合、導体パターン32の上面の中央部が隆起した凸パターンとなる傾向がみられる。また、図12(b)に示すようにコイルパターン31に比べて非常に広い幅(大きな面積)を有する導体パターン33の場合、導体パターン33の上面の外周部付近が隆起し、中央部は逆に沈降した凹パターンとなる傾向がみられる。   In particular, as shown in FIG. 12A, in the case of the conductor pattern 32 having a width (large area) slightly larger than the coil pattern 31, there is a tendency that the central portion of the upper surface of the conductor pattern 32 becomes a raised convex pattern. It is done. Also, as shown in FIG. 12B, in the case of the conductor pattern 33 having a very wide width (large area) compared to the coil pattern 31, the vicinity of the outer peripheral portion of the upper surface of the conductor pattern 33 is raised and the center portion is reversed. There is a tendency for the concave pattern to sink.

このような導体パターンの厚さのばらつきは、図12(a)、(b)に示すように、コイルパターン31の厚さが厚くなるほど顕著になり、層を重ねることでさらに強調されてしまう。高さばらつきがある導体層をそのまま積層して多層構造を実現しようとすると、高さばらつきの累積によって最上層の導体パターンの上面の平坦性が著しく悪化し、最上層の導体パターンP2が絶縁層の上面から露出し、絶縁不良を起こすおそれがある。   As shown in FIGS. 12A and 12B, such a variation in the thickness of the conductor pattern becomes more prominent as the thickness of the coil pattern 31 increases, and is further emphasized by overlapping the layers. If an attempt is made to realize a multilayer structure by laminating conductor layers having height variations as they are, the flatness of the upper surface of the uppermost conductor pattern is significantly deteriorated due to the accumulation of height variations, and the uppermost conductor pattern P2 becomes an insulating layer. It may be exposed from the top surface of the metal and cause insulation failure.

さらに、導体パターンを覆う絶縁層を露光して開口を形成する際にその下地面となる導体パターンの上面に隆起や沈降がある場合、当該上面で光の乱反射を招き、露光装置がフォーカスずれを起こし、パターン加工精度が悪くなるという問題がある。以上の理由から、導体層内のすべての導体パターンは、コイルパターンとほぼ同じ高さとなり、しかもその上面が平坦であることが好ましく、その対策が望まれている。   Further, when the insulating layer covering the conductor pattern is exposed to form an opening, if the upper surface of the conductor pattern serving as the underlying surface has bumps or sinks, it causes irregular reflection of light on the upper surface, causing the exposure apparatus to defocus. As a result, there is a problem that the pattern processing accuracy deteriorates. For the above reasons, it is preferable that all the conductor patterns in the conductor layer have almost the same height as the coil pattern and that the upper surface is flat, and countermeasures are desired.

したがって、本発明の目的は、導体パターンを積層する際に各導体層の導体パターンの上面の高さばらつきを抑えることが可能な電子部品及びその製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an electronic component capable of suppressing the height variation of the upper surface of the conductor pattern of each conductor layer when the conductor patterns are laminated, and a manufacturing method thereof.

上記課題を解決するため、本発明による電子部品は、第1の導体パターンを含む第1の導体層と、前記第1の導体層を覆う第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層を貫通して前記第1の導体パターンの上面と側面を露出させる第1の開口と、前記第1の絶縁層上に設けられ、前記第1の開口を通じて前記第1の導体パターンの前記上面と前記側面の両方に接続された第2の導体パターンを含む第2の導体層とを備え、前記第1の開口の内側の平面領域である第1の開口領域は、前記第1の導体パターンが形成された第1の領域と、前記第1の導体パターンが形成されていない第2の領域とを有し、前記第2の導体パターンは、前記第1の開口の前記第1の領域と前記第2の領域の両方に埋め込まれていることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, an electronic component according to the present invention includes a first conductor layer including a first conductor pattern, a first insulating layer covering the first conductor layer, and the first insulating layer. A first opening penetrating through and exposing an upper surface and a side surface of the first conductor pattern; and provided on the first insulating layer; and through the first opening, the upper surface of the first conductor pattern and the first conductor pattern And a second conductor layer including a second conductor pattern connected to both of the side surfaces, wherein the first conductor pattern is formed in a first opening region which is a planar region inside the first opening. And a second region where the first conductor pattern is not formed, and the second conductor pattern includes the first region of the first opening and the first region. It is characterized by being embedded in both areas.

本発明によれば、第1の開口領域が最終的な凹凸形状とは逆の凹凸パターンを有するように第1の導体パターンを形成し、その上に第2の導体パターンを形成するので、下層の凹凸形状と上層の凹凸形状とで相殺させることができ、各導体層の導体パターンの高さばらつきを抑えることができ、第2の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。また、上層の導体パターンを下層の導体パターンの側面と接続することができるので、両者の接合強度を向上させることもできる。   According to the present invention, the first conductor pattern is formed so that the first opening region has a concavo-convex pattern opposite to the final concavo-convex shape, and the second conductor pattern is formed thereon. The uneven shape of the upper layer and the uneven shape of the upper layer can be offset, the variation in the height of the conductor pattern of each conductor layer can be suppressed, and the upper surface of the second conductor pattern can be made as flat as possible. Moreover, since the upper conductor pattern can be connected to the side surface of the lower conductor pattern, the bonding strength between the two can be improved.

本発明において、前記第1の領域は、前記開口領域のうち少なくともその中央部を除いた領域であり、前記第2の領域は、前記開口領域のうち前記第1の領域を除いた領域であることが好ましい。この場合において、前記第1の導体パターンは、閉ループパターン又はU字パターンであり、前記第2の領域は、前記閉ループパターン又は前記U字パターンの内側の領域を含むことが好ましい。導体形成面積が少し広い場合には、最上層の導体パターンの上面の中央部が隆起しやすい。しかし、第1の導体パターンの形状を上記のようにした場合には、下層の凹形状と上層の凸形状とを相殺させることができ、各導体層の導体パターンの高さばらつきを抑えることができ、上層の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。   In the present invention, the first region is a region excluding at least the central portion of the opening region, and the second region is a region excluding the first region of the opening region. It is preferable. In this case, it is preferable that the first conductor pattern is a closed loop pattern or a U-shaped pattern, and the second region includes a region inside the closed loop pattern or the U-shaped pattern. When the conductor formation area is a little wide, the central portion of the upper surface of the uppermost conductor pattern tends to rise. However, when the shape of the first conductor pattern is as described above, the concave shape of the lower layer and the convex shape of the upper layer can be offset, and the variation in the height of the conductor pattern of each conductor layer can be suppressed. It is possible to make the upper surface of the upper conductor pattern as flat as possible.

本発明において、前記第2の領域は、前記開口領域から少なくともその中央部を除いた領域であり、前記第1の領域は、前記開口領域から前記第2の領域を除いた領域であることが好ましい。この場合において、前記第1の導体パターンは、島パターンであり、前記第2の領域は、前記島パターンの周囲の領域を含むことが好ましい。導体形成面積が非常に広い場合には、上層の導体パターンの上面の外周部付近が隆起し、中央部が沈下しやすい。しかし、第1の導体パターンの形状を上記のようにした場合には、下層の凸形状と上層の凹形状とを相殺させることができ、各導体層の導体パターンの高さばらつきを抑えることができ、上層の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。   In the present invention, the second region is a region obtained by removing at least the central portion from the opening region, and the first region is a region obtained by removing the second region from the opening region. preferable. In this case, it is preferable that the first conductor pattern is an island pattern, and the second region includes a region around the island pattern. When the conductor formation area is very large, the vicinity of the outer peripheral portion of the upper surface of the upper conductor pattern is raised, and the central portion tends to sink. However, when the shape of the first conductor pattern is as described above, the convex shape of the lower layer and the concave shape of the upper layer can be offset, and the variation in the height of the conductor pattern of each conductor layer can be suppressed. It is possible to make the upper surface of the upper conductor pattern as flat as possible.

前記第1の導体層は、平面コイルパターンをさらに含むことが好ましい。この場合において、前記平面コイルパターンはスパイラル導体であり、前記第1の導体パターンは、前記スパイラル導体の内周端又は外周端に接続されていることが特に好ましい。直流抵抗を低減するためスパイラル導体等の平面コイルパターンの厚さを厚くしようとすると、これと同一平面上に形成される第1の導体パターンの凹凸形状はより強調され、その上層に位置する第2の導体パターンの凹凸形状はさらに顕著になる。しかし、第1の導体パターンの形状を上記のようにした場合には、下層の凹形状と上層の凸形状とを相殺させることができ、上層の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。   The first conductor layer preferably further includes a planar coil pattern. In this case, it is particularly preferable that the planar coil pattern is a spiral conductor, and the first conductor pattern is connected to an inner peripheral end or an outer peripheral end of the spiral conductor. If an attempt is made to increase the thickness of a planar coil pattern such as a spiral conductor in order to reduce the DC resistance, the uneven shape of the first conductor pattern formed on the same plane as this is more emphasized, and the first conductor pattern located on the upper layer is emphasized. The uneven shape of the conductor pattern 2 becomes more prominent. However, when the shape of the first conductor pattern is as described above, the concave shape of the lower layer and the convex shape of the upper layer can be offset, and the upper surface of the upper conductor pattern can be made as flat as possible. .

本発明による電子部品は、前記第2の導体層を覆う第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層を貫通して前記第2の導体パターンの上面と側面を露出させる第2の開口と、前記第2の絶縁層上に設けられ、前記第2の開口を通じて前記第2の導体パターンの上面と側面の両方に接続された第3の導体パターンをさらに備え、前記第2の開口の内側の平面領域である第2の開口領域は、前記第1の領域と平面視にて重なる部分を有し、前記第2の導体パターンが形成された第3の領域と、前記第2の導体パターンが形成されていない第4の領域とを有し、前記第3の領域は、前記第1の領域と異なる大きさを有し、前記第3の導体パターンは、前記第2の開口の前記第3の領域と前記第4の領域の両方に埋め込まれていることが好ましい。3層構造の場合、最上層の導体パターンの凹凸形状がさらに顕著となるが、本発明によれば、下層の凹凸形状と上層の凹凸形状とで相殺させることができ、第3の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。また、上層の導体パターンを下層の導体パターンの側面と接続することができるので、両者の接合強度を向上させることもできる。   The electronic component according to the present invention includes a second insulating layer that covers the second conductor layer, and a second opening that penetrates the second insulating layer and exposes an upper surface and side surfaces of the second conductor pattern. A third conductor pattern provided on the second insulating layer and connected to both an upper surface and a side surface of the second conductor pattern through the second opening, and the inner side of the second opening. The second opening region, which is a planar region, has a portion overlapping the first region in plan view, a third region in which the second conductive pattern is formed, and the second conductive pattern And the third region has a size different from that of the first region, and the third conductor pattern includes the second region of the second opening. It is preferable to be embedded in both the third region and the fourth region. In the case of the three-layer structure, the uneven shape of the uppermost conductor pattern becomes more prominent, but according to the present invention, the uneven shape of the lower layer and the uneven shape of the upper layer can be offset, and the third conductor pattern The top surface can be made as flat as possible. Moreover, since the upper conductor pattern can be connected to the side surface of the lower conductor pattern, the bonding strength between the two can be improved.

本発明において、前記第1の導体層は、第1のスパイラル導体をさらに含み、前記第2の導体層は、前記第1のスパイラル導体と磁気結合する第2のスパイラル導体をさらに含むことが好ましい。この構成によれば、2つのスパイラル導体の積層構造を有するコモンモードフィルタにおいて、導体パターンの高さばらつきを低減と接続信頼性の向上を実現することができる。   In the present invention, it is preferable that the first conductor layer further includes a first spiral conductor, and the second conductor layer further includes a second spiral conductor that is magnetically coupled to the first spiral conductor. . According to this configuration, in a common mode filter having a laminated structure of two spiral conductors, it is possible to reduce the variation in the height of the conductor pattern and improve the connection reliability.

また、本発明による電子部品の製造方法は、第1の導体パターンを含む第1の導体層を形成する工程と、前記第1の導体層を覆う第1の絶縁層を形成する工程と、前記第1の導体パターンの上面と側面が露出するように前記第1の絶縁層に第1の開口を形成する工程と、前記第1の絶縁層上に第2の導体パターンを含む第2の導体層を形成すると共に、前記第1の開口を通じて前記第2の導体パターンを前記第1の導体パターンに接続する工程とを備え、前記第1の開口の内側の平面領域である第1の開口領域は、前記第1の導体パターンが形成された第1の領域と、前記第1の導体パターンが形成されていない第2の領域とを有し、前記第2の導体パターンは、前記第1の開口の前記第1の領域と前記第2の領域の両方に埋め込まれることを特徴とする。   The method for manufacturing an electronic component according to the present invention includes a step of forming a first conductor layer including a first conductor pattern, a step of forming a first insulating layer covering the first conductor layer, Forming a first opening in the first insulating layer such that an upper surface and a side surface of the first conductor pattern are exposed; and a second conductor including a second conductor pattern on the first insulating layer Forming a layer and connecting the second conductor pattern to the first conductor pattern through the first opening, the first opening region being a planar region inside the first opening Has a first region in which the first conductor pattern is formed and a second region in which the first conductor pattern is not formed, and the second conductor pattern includes the first conductor pattern. Embedded in both the first region and the second region of the opening; And features.

本発明によれば、第1の開口領域が最終的な凹凸形状とは逆の凹凸パターンを有するように第1の導体パターンを形成し、その上に第2の導体パターンを形成するので、下層の凹凸形状と上層の凹凸形状とで相殺させることができ、第2の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。また、上層の導体パターンを下層の導体パターンの側面と接続することができるので、両者の接合強度を向上させることもできる。   According to the present invention, the first conductor pattern is formed so that the first opening region has a concavo-convex pattern opposite to the final concavo-convex shape, and the second conductor pattern is formed thereon. The uneven shape of the upper layer and the uneven shape of the upper layer can be offset, and the upper surface of the second conductor pattern can be made as flat as possible. Moreover, since the upper conductor pattern can be connected to the side surface of the lower conductor pattern, the bonding strength between the two can be improved.

本発明において、前記第1の導体層を形成する工程は、前記第1の導体パターンと共に平面コイルパターンを形成する工程を含むことが好ましい。直流抵抗を低減するためスパイラル導体等の平面コイルパターンの厚さを厚くしようとすると、これと同一平面上に形成される第1の導体パターンの凹凸形状はより強調され、その上層に位置する第2の導体パターンの凹凸形状はさらに顕著になる。しかし、第1の導体パターンの形状を上記のようにした場合には、下層の凹形状と上層の凸形状とを相殺させることができ、各導体層の導体パターンの高さばらつきを抑えることができ、上層の導体パターンの上面をできるだけ平坦にすることができる。   In the present invention, it is preferable that the step of forming the first conductor layer includes a step of forming a planar coil pattern together with the first conductor pattern. If an attempt is made to increase the thickness of a planar coil pattern such as a spiral conductor in order to reduce the DC resistance, the uneven shape of the first conductor pattern formed on the same plane as this is more emphasized, and the first conductor pattern located on the upper layer is emphasized. The uneven shape of the conductor pattern 2 becomes more prominent. However, when the shape of the first conductor pattern is as described above, the concave shape of the lower layer and the convex shape of the upper layer can be offset, and the variation in the height of the conductor pattern of each conductor layer can be suppressed. It is possible to make the upper surface of the upper conductor pattern as flat as possible.

本発明によれば、導体パターンを積層する際に最上層の導体パターンの上面が隆起に陥没が発生することがなくできるだけ平坦にすることが可能な電子部品及びその製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when laminating | stacking a conductor pattern, the upper surface of the conductor pattern can provide the electronic component which can make the upper surface flat as much as possible without a depression | depression, and its manufacturing method. .

図1は、本発明の第1の実施の形態による電子部品であるコイル部品1の構造を示す略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing the structure of a coil component 1 which is an electronic component according to the first embodiment of the present invention. 図2は、コイル部品1の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。FIG. 2 is a schematic exploded perspective view showing the layer structure of the coil component 1 in detail. 図3は、コイル部品1の各層を分解して示す平面図である。FIG. 3 is an exploded plan view showing each layer of the coil component 1. 図4(a)〜(c)は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの2層の積層構造を示す略断面図である。FIGS. 4A to 4C are schematic cross-sectional views showing a two-layer laminated structure of a conductor pattern for preventing the uppermost layer from being raised. 図5は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの4層の積層構造を示す略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a laminated structure of four layers of conductor patterns for preventing the uppermost layer from being raised. 図6(a)〜(f)は、図1に示した下層の導体パターンの平面レイアウトの変形例を示す略平面図である。6A to 6F are schematic plan views showing modifications of the planar layout of the lower-layer conductor pattern shown in FIG. 図7(a)〜(c)は、最上層の陥没を防止するための導体パターンの2層の積層構造を示す略断面図である。FIGS. 7A to 7C are schematic cross-sectional views showing a two-layer laminated structure of a conductor pattern for preventing the uppermost layer from sinking. 図8は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの4層の積層構造を示す略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a laminated structure of four layers of conductor patterns for preventing the uppermost layer from being raised. 図9は、各導体層の平面レイアウトの他の例を示す略平面図である。FIG. 9 is a schematic plan view showing another example of the planar layout of each conductor layer. 図10は、集合基板の平面レイアウトを示す略平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view showing a planar layout of the collective substrate. 図11は、コイル部品1の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart showing a method for manufacturing the coil component 1. 図12(a)及び(b)は、従来の導体パターンの積層構造を示す略断面図である。12 (a) and 12 (b) are schematic cross-sectional views showing a conventional laminated structure of conductor patterns.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明の第1の実施の形態による電子部品であるコイル部品1の構造を示す略斜視図である。   FIG. 1 is a schematic perspective view showing the structure of a coil component 1 which is an electronic component according to the first embodiment of the present invention.

図1に示すように、本実施形態によるコイル部品1はコモンモードフィルタであって、基板10と、基板10の一方の主面(上面)に設けられたコモンモードフィルタ素子を含む薄膜コイル層11と、薄膜コイル層11の主面(上面)に設けられた第1〜第4のバンプ電極12a〜12dと、バンプ電極12a〜12dの形成位置を除いた薄膜コイル層11の主面に設けられた磁性樹脂層13とを備えている。   As shown in FIG. 1, the coil component 1 according to the present embodiment is a common mode filter, and includes a substrate 10 and a thin film coil layer 11 including a common mode filter element provided on one main surface (upper surface) of the substrate 10. And the first to fourth bump electrodes 12a to 12d provided on the main surface (upper surface) of the thin film coil layer 11 and the main surface of the thin film coil layer 11 excluding the formation positions of the bump electrodes 12a to 12d. And a magnetic resin layer 13.

コイル部品1は略直方体状の表面実装型チップ部品であり、長手方向(X方向)と平行な2つの側面10a,10bと、長手方向と直交する他の2つの側面10c,10dを有している。第1〜第4のバンプ電極12a〜12dはコイル部品1のコーナー部に設けられ、コイル部品1の外周面にも露出面を有するように形成されている。このうち、第1のバンプ電極12aは、側面10aと側面10cの両方に露出面を有し、第2のバンプ電極12bは、側面10bと側面10cの両方に露出面を有している。また、第3のバンプ電極12cは、側面10aと側面10dの両方に露出面を有し、第4のバンプ電極12dは、側面10bと側面10dの両方に露出面を有している。なお、実装時には上下反転し、バンプ電極12a〜12d側を下向きにして使用されるものである。   The coil component 1 is a substantially rectangular parallelepiped surface-mounted chip component having two side surfaces 10a and 10b parallel to the longitudinal direction (X direction) and other two side surfaces 10c and 10d orthogonal to the longitudinal direction. Yes. The first to fourth bump electrodes 12 a to 12 d are provided at the corners of the coil component 1, and are formed so that the outer peripheral surface of the coil component 1 also has an exposed surface. Among these, the first bump electrode 12a has an exposed surface on both the side surface 10a and the side surface 10c, and the second bump electrode 12b has an exposed surface on both the side surface 10b and the side surface 10c. The third bump electrode 12c has an exposed surface on both the side surface 10a and the side surface 10d, and the fourth bump electrode 12d has an exposed surface on both the side surface 10b and the side surface 10d. It should be noted that, when mounted, it is turned upside down and used with the bump electrodes 12a to 12d facing downward.

基板10は、コイル部品1の機械的強度を確保すると共に、コモンモードフィルタの閉磁路としての役割を果たすものである。基板10の材料としては例えば焼結フェライト等の磁性セラミック材料を用いることができる。特に限定されるものではないが、チップサイズが0605タイプ(0.6×0.5×0.5(mm))であるとき、基板10の厚さは0.1〜0.3mm程度とすることができる。   The substrate 10 serves as a closed magnetic circuit for the common mode filter while ensuring the mechanical strength of the coil component 1. As a material of the substrate 10, for example, a magnetic ceramic material such as sintered ferrite can be used. Although not particularly limited, when the chip size is 0605 type (0.6 × 0.5 × 0.5 (mm)), the thickness of the substrate 10 is about 0.1 to 0.3 mm. be able to.

薄膜コイル層11は、基板10と磁性樹脂層13との間に設けられたコモンモードフィルタ素子を含む層である。詳細は後述するが、薄膜コイル層11は絶縁層と導体パターンとを交互に積層して形成された多層構造を有している。このように、本実施形態によるコイル部品1はいわゆる薄膜タイプであって、磁性コアに導線を巻回した構造を有する巻線タイプとは区別されるものである。   The thin film coil layer 11 is a layer including a common mode filter element provided between the substrate 10 and the magnetic resin layer 13. As will be described in detail later, the thin film coil layer 11 has a multilayer structure formed by alternately laminating insulating layers and conductor patterns. Thus, the coil component 1 according to the present embodiment is a so-called thin film type, and is distinguished from a winding type having a structure in which a conductive wire is wound around a magnetic core.

磁性樹脂層13は、コイル部品1の実装面(底面)を構成する層であり、基板10と共に薄膜コイル層11を保護すると共に、コイル部品1の閉磁路としての役割を果たすものである。ただし、磁性樹脂層13の機械的強度は基板10よりも小さいため、強度面では補助的な役割を果たす程度である。磁性樹脂層13としては、主にフェライト粉を含有するエポキシ樹脂(複合フェライト)を用いることができる。特に限定されるものではないが、チップサイズが0605タイプであるとき、磁性樹脂層13の厚さは0.02〜0.1mm程度とすることができる。   The magnetic resin layer 13 is a layer that constitutes the mounting surface (bottom surface) of the coil component 1, protects the thin film coil layer 11 together with the substrate 10, and plays a role as a closed magnetic circuit of the coil component 1. However, since the mechanical strength of the magnetic resin layer 13 is smaller than that of the substrate 10, it has an auxiliary role in terms of strength. As the magnetic resin layer 13, an epoxy resin (composite ferrite) mainly containing ferrite powder can be used. Although not particularly limited, when the chip size is 0605 type, the thickness of the magnetic resin layer 13 can be about 0.02 to 0.1 mm.

図2は、コイル部品1の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。また、図3は、各層を分解して示す平面図である。   FIG. 2 is a schematic exploded perspective view showing the layer structure of the coil component 1 in detail. FIG. 3 is an exploded plan view showing each layer.

図2に示すように、薄膜コイル層11は、基板10側から磁性樹脂層13側に向かって順に積層された第1〜第4の絶縁層15a〜15dと、第1の絶縁層15a上に形成された第1のスパイラル導体16及び内部端子電極24a〜24dを含む第1の導体層と、第2の絶縁層15b上に形成された第2のスパイラル導体17及び内部端子電極24a〜24dを含む第2の導体層と、第3の絶縁層15c上に形成された第1及び第2の引き出し導体20,21及び内部端子電極24a〜24dを含む第3の導体層とを備えている。第4の絶縁層15d上にはバンプ電極12a〜12dが設けられており、内部端子電極等の導体パターンは形成されていない。   As shown in FIG. 2, the thin film coil layer 11 is formed on the first insulating layer 15 a and the first to fourth insulating layers 15 a to 15 d that are sequentially stacked from the substrate 10 side toward the magnetic resin layer 13 side. A first conductor layer including the formed first spiral conductor 16 and internal terminal electrodes 24a to 24d, and a second spiral conductor 17 and internal terminal electrodes 24a to 24d formed on the second insulating layer 15b are provided. And a second conductor layer including the first and second lead conductors 20 and 21 and internal terminal electrodes 24a to 24d formed on the third insulating layer 15c. Bump electrodes 12a to 12d are provided on the fourth insulating layer 15d, and conductor patterns such as internal terminal electrodes are not formed.

第1〜第4の絶縁層15a〜15dは、異なる導体層に設けられた導体パターン間を絶縁すると共に、導体パターンが形成される平面の平坦性を確保する役割を果たす。特に、第1の絶縁層15aは、基板10の表面の凹凸を吸収し、スパイラル導体パターンの加工精度を高める役割を果たす。絶縁層15a〜15dの材料としては、電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、微細加工の容易な樹脂を用いることが好ましく、特に限定されるものではないが、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いることができる。   The first to fourth insulating layers 15a to 15d serve to insulate conductor patterns provided in different conductor layers and ensure flatness of a plane on which the conductor patterns are formed. In particular, the first insulating layer 15a serves to absorb irregularities on the surface of the substrate 10 and increase the processing accuracy of the spiral conductor pattern. As the material for the insulating layers 15a to 15d, it is preferable to use a resin that is excellent in electrical and magnetic insulating properties and easy to finely process, and is not particularly limited, but a polyimide resin or an epoxy resin is used. Can do.

第1のスパイラル導体16の内周端16aは、第2及び第3の絶縁層15b,15cを貫通する第1のコンタクトホール導体18、第1の引き出し導体20及び第1の内部端子電極24aを介して、第1のバンプ電極12aに接続されている。また、第1のスパイラル導体16の外周端16bは第2の内部端子電極24bを介して第2のバンプ電極12bに接続されている。   The inner peripheral end 16a of the first spiral conductor 16 has a first contact hole conductor 18, a first lead conductor 20, and a first internal terminal electrode 24a penetrating the second and third insulating layers 15b and 15c. And is connected to the first bump electrode 12a. The outer peripheral end 16b of the first spiral conductor 16 is connected to the second bump electrode 12b through the second internal terminal electrode 24b.

第2のスパイラル導体17の内周端17aは、第3の絶縁層15cを貫通する第2のコンタクトホール導体19、第2の引き出し導体21及び第4の内部端子電極24dを介して、第4のバンプ電極12dに接続されている。また、第2のスパイラル導体17の外周端17bは第3の内部端子電極24cを介して第3のバンプ電極12cに接続されている。   The inner peripheral end 17a of the second spiral conductor 17 is connected to the fourth contact hole conductor 19, the second lead conductor 21, and the fourth internal terminal electrode 24d that penetrate the third insulating layer 15c. Is connected to the bump electrode 12d. Further, the outer peripheral end 17b of the second spiral conductor 17 is connected to the third bump electrode 12c through the third internal terminal electrode 24c.

第1及び第2のスパイラル導体16,17は実質的に同一の平面形状を有しており、しかも平面視で同じ位置に設けられている。第1及び第2のスパイラル導体16,17は重なり合っていることから、両者の間には強い磁気結合が生じている。第1のスパイラル導体16はその内周端16aから外周端16bに向かって反時計回りであり、第2のスパイラル導体17はその外周端17bから内周端17aに向かって同じく反時計回りであるので、第1のバンプ電極12aから第2のバンプ電極12bに向かって流れる電流により発生する磁束の向きと、第3のバンプ電極12cから第2のバンプ電極12dに向かって流れる電流により発生する磁束の向きが同じになり、全体の磁束は強まる。以上の構成により、薄膜コイル層11内の導体パターンはコモンモードフィルタを構成している。   The first and second spiral conductors 16 and 17 have substantially the same planar shape, and are provided at the same position in plan view. Since the first and second spiral conductors 16 and 17 overlap each other, a strong magnetic coupling is generated between them. The first spiral conductor 16 is counterclockwise from the inner peripheral end 16a to the outer peripheral end 16b, and the second spiral conductor 17 is also counterclockwise from the outer peripheral end 17b to the inner peripheral end 17a. Therefore, the direction of the magnetic flux generated by the current flowing from the first bump electrode 12a toward the second bump electrode 12b and the magnetic flux generated by the current flowing from the third bump electrode 12c toward the second bump electrode 12d. The direction of is the same, and the overall magnetic flux is strengthened. With the above configuration, the conductor pattern in the thin film coil layer 11 forms a common mode filter.

第1及び第2のスパイラル導体16,17の外形は共に円形スパイラルである。円形スパイラル導体は高周波信号成分の減衰が少ないため、高周波用インダクタンスとして好ましく用いることができる。なお、本実施形態によるスパイラル導体16,17は長円であるが、真円であってもよく、楕円であってもよい。また、略矩形であっても構わない。   The outer shapes of the first and second spiral conductors 16 and 17 are both circular spirals. The circular spiral conductor can be preferably used as a high-frequency inductance because the high-frequency signal component is less attenuated. In addition, although the spiral conductors 16 and 17 by this embodiment are ellipses, they may be a perfect circle and an ellipse. Moreover, it may be substantially rectangular.

第1及び第2のスパイラル導体16,17は、その直流抵抗を低減するためある程度の厚さを有することが好ましい。スパイラル導体の断面のアスペクト比(高さ/幅)は1以上であることが好ましい。   The first and second spiral conductors 16 and 17 preferably have a certain thickness in order to reduce their DC resistance. The aspect ratio (height / width) of the cross section of the spiral conductor is preferably 1 or more.

第1〜第4の絶縁層15a〜15dの中央領域であって第1及び第2のスパイラル導体16,17の内側には、第1〜第4の絶縁層15a〜15dを貫通する開口hgが設けられており、開口hgの内部には、磁路を形成するためのスルーホール磁性体14が設けられている。スルーホール磁性体14は磁性樹脂層13と同一材料からなりこれと一体的に形成されていることが好ましい。   In the central region of the first to fourth insulating layers 15a to 15d and inside the first and second spiral conductors 16 and 17, an opening hg penetrating the first to fourth insulating layers 15a to 15d is formed. A through-hole magnetic body 14 for forming a magnetic path is provided inside the opening hg. The through-hole magnetic body 14 is preferably made of the same material as the magnetic resin layer 13 and formed integrally therewith.

第1及び第2の引き出し導体20,21は、第3の絶縁層15cの表面に形成されている。第1の引き出し導体20の一端はコンタクトホール導体18の上端に接続されており、他端は内部端子電極24aに接続されている。また、第2の引き出し導体21の一端はコンタクトホール導体19の上端に接続されており、他端は内部端子電極24dに接続されている。   The first and second lead conductors 20 and 21 are formed on the surface of the third insulating layer 15c. One end of the first lead conductor 20 is connected to the upper end of the contact hole conductor 18, and the other end is connected to the internal terminal electrode 24a. One end of the second lead conductor 21 is connected to the upper end of the contact hole conductor 19, and the other end is connected to the internal terminal electrode 24d.

薄膜コイル層11の表層を構成する第4の絶縁層15d上には第1〜第4のバンプ電極12a〜12dがそれぞれ設けられている。第1〜第4のバンプ電極12a〜12dは外部端子電極であって、内部端子電極24a〜24dにそれぞれ接続されている。なお、本明細書において「バンプ電極」とは、フリップチップボンダーを用いてCu,Au等の金属ボールを熱圧着することにより形成されるものとは異なり、めっき処理により形成された厚膜めっき電極を意味する。バンプ電極の厚さは、磁性樹脂層13の厚さと同等かそれ以上であり、0.02〜0.1mm程度とすることができる。すなわち、バンプ電極12a〜12dの厚さは薄膜コイル層11内の導体パターンよりも厚く、特に、薄膜コイル層11内のスパイラル導体パターンの5倍以上の厚さを有している。   First to fourth bump electrodes 12 a to 12 d are provided on the fourth insulating layer 15 d constituting the surface layer of the thin film coil layer 11, respectively. The first to fourth bump electrodes 12a to 12d are external terminal electrodes and are connected to the internal terminal electrodes 24a to 24d, respectively. In the present specification, the “bump electrode” is a thick film plating electrode formed by a plating process, different from the one formed by thermocompression bonding of metal balls such as Cu and Au using a flip chip bonder. Means. The thickness of the bump electrode is equal to or greater than the thickness of the magnetic resin layer 13 and can be about 0.02 to 0.1 mm. That is, the thickness of the bump electrodes 12 a to 12 d is thicker than the conductor pattern in the thin film coil layer 11, and in particular, has a thickness five times or more that of the spiral conductor pattern in the thin film coil layer 11.

第1〜第4のバンプ電極12a〜12dの平面形状は実質的に同一である。この構成によれば、コイル部品1の底面のバンプ電極パターンが対称性を有しているので、実装の方向性に制約がなく見栄えの良い端子電極パターンを提供することができる。   The planar shapes of the first to fourth bump electrodes 12a to 12d are substantially the same. According to this configuration, since the bump electrode pattern on the bottom surface of the coil component 1 has symmetry, it is possible to provide a terminal electrode pattern having a good appearance without restrictions on the mounting direction.

第4の絶縁層15d上には第1〜第4のバンプ電極12a〜12dと共に磁性樹脂層13が形成されている。磁性樹脂層13はバンプ電極12a〜12dの周囲を埋めるように設けられている。磁性樹脂層13と接するバンプ電極12a〜12dの側面は、エッジのない曲面形状であることが好ましい。磁性樹脂層13は、バンプ電極12a〜12dを形成した後、複合フェライトのペーストを流し込むことにより形成されるが、このときバンプ電極12a〜12dの側面にエッジの効いたコーナー部があるとバンプ電極の周囲にペーストが完全に充填されず、気泡を含む状態となりやすい。しかし、バンプ電極12a〜12dの側面が曲面である場合には、流動性のある樹脂が隅々まで行き渡るので、気泡を含まない緻密な磁性樹脂層13を形成することができる。しかも、磁性樹脂層13とバンプ電極12a〜12dとの密着性が高まるので、バンプ電極12a〜12dに対する補強性を高めることができる。   A magnetic resin layer 13 is formed on the fourth insulating layer 15d together with the first to fourth bump electrodes 12a to 12d. The magnetic resin layer 13 is provided so as to fill the periphery of the bump electrodes 12a to 12d. The side surfaces of the bump electrodes 12a to 12d that are in contact with the magnetic resin layer 13 are preferably curved surfaces having no edges. The magnetic resin layer 13 is formed by pouring a composite ferrite paste after forming the bump electrodes 12a to 12d. At this time, if there are corners with edges on the side surfaces of the bump electrodes 12a to 12d, the bump electrode is formed. The paste is not completely filled around and tends to contain air bubbles. However, when the side surfaces of the bump electrodes 12a to 12d are curved surfaces, the fluid resin spreads to every corner, so that the dense magnetic resin layer 13 containing no bubbles can be formed. In addition, since the adhesion between the magnetic resin layer 13 and the bump electrodes 12a to 12d is increased, the reinforcement to the bump electrodes 12a to 12d can be enhanced.

第2の絶縁層15bには更に、第1〜第4の内部端子電極24a〜24dに対応する開口ha〜hd及び第1のコンタクトホール導体18に対応する開口heが設けられている。開口ha〜heは、上下の導体層間の電気的接続を確保するために設けられるものである。第2の絶縁層15b上に形成された内部端子電極24a〜24dの一部は、その直下に設けられた第2の絶縁層15bの開口ha〜hdの内部に埋め込まれており(図4(b)参照)、これにより第1の絶縁層15a上の内部端子電極24a〜24dと電気的に接続される。なお、第1の絶縁層15aには内部端子電極に対応する開口ha〜hdは設けられていない。   The second insulating layer 15 b is further provided with openings ha to hd corresponding to the first to fourth internal terminal electrodes 24 a to 24 d and an opening he corresponding to the first contact hole conductor 18. The openings ha to he are provided to ensure electrical connection between the upper and lower conductor layers. Part of the internal terminal electrodes 24a to 24d formed on the second insulating layer 15b is embedded in the openings ha to hd of the second insulating layer 15b provided immediately below the internal terminal electrodes 24a to 24d (FIG. 4 ( b)), thereby being electrically connected to the internal terminal electrodes 24a to 24d on the first insulating layer 15a. Note that the openings ha to hd corresponding to the internal terminal electrodes are not provided in the first insulating layer 15a.

第3の絶縁層15cには、開口ha〜heに加えて、第2のコンタクトホール導体19に対応する開口hfがさらに設けられている。第3の絶縁層15c上に形成された内部端子電極24a〜24dの一部は、その直下に設けられた第3の絶縁層15cの開口ha〜hdの内部に埋め込まれており(図4(b)参照)、これにより第2の絶縁層15b上の内部端子電極24a〜24dと電気的に接続される。   The third insulating layer 15c is further provided with an opening hf corresponding to the second contact hole conductor 19 in addition to the openings ha to he. Part of the internal terminal electrodes 24a to 24d formed on the third insulating layer 15c is embedded in the openings ha to hd of the third insulating layer 15c provided immediately below the internal terminal electrodes 24a to 24d (FIG. 4 ( b)), thereby being electrically connected to the internal terminal electrodes 24a to 24d on the second insulating layer 15b.

第4の絶縁層15dには開口ha〜hdが設けられているが、第1及び第2のコンタクトホール導体18,19に対応する開口he,hfは設けられていない。バンプ電極12a〜12dの一部は、第4の絶縁層15dの開口ha〜hdの内部に埋め込まれる。これにより、バンプ電極12a〜12dは第4の絶縁層15dに形成された開口ha〜hdを介して第3の絶縁層15c上の内部端子電極24a〜24dの上面にそれぞれ接続される。   Although the openings ha to hd are provided in the fourth insulating layer 15d, the openings he and hf corresponding to the first and second contact hole conductors 18 and 19 are not provided. Part of the bump electrodes 12a to 12d is embedded in the openings ha to hd of the fourth insulating layer 15d. Thus, the bump electrodes 12a to 12d are connected to the upper surfaces of the internal terminal electrodes 24a to 24d on the third insulating layer 15c through the openings ha to hd formed in the fourth insulating layer 15d, respectively.

図3に示すように、第3の絶縁層15c上に形成されるコンタクトホール導体18,19並びに内部端子電極24a〜24dはその所望の形成領域の全面に形成されている。これに対し、第2の絶縁層15b上に形成されるコンタクトホール導体18,19並びに内部端子電極24a〜24dは、第3の絶縁層15c上に形成されたものに比べて、中央部の導体が排除されたドーナツ形状となっている。さらに下層である第1の絶縁層15a上に形成されるコンタクトホール導体18,19並びに内部端子電極24a〜24dは、第2の絶縁層15b上に形成されたものに比べて、ループの導体幅が細く(中央の導体非形成領域の面積が大きく)なっている。   As shown in FIG. 3, the contact hole conductors 18 and 19 and the internal terminal electrodes 24a to 24d formed on the third insulating layer 15c are formed on the entire surface of the desired formation region. On the other hand, the contact hole conductors 18 and 19 and the internal terminal electrodes 24a to 24d formed on the second insulating layer 15b are conductors in the central portion as compared with those formed on the third insulating layer 15c. The donut shape is eliminated. Further, the contact hole conductors 18 and 19 and the internal terminal electrodes 24a to 24d formed on the first insulating layer 15a, which is the lower layer, have a conductor width of the loop as compared with that formed on the second insulating layer 15b. Is thin (the area of the central conductor non-forming region is large).

コンタクトホール導体18,19並びに内部端子電極24a〜24dは比較的広い面積を有する導体パターンであるため、その中央部においてめっきが成長しやすく、最下層から最上層までのすべての導体層において所望の形成領域の全面に形成すると、導体パターンの厚みの増加が強調されてしまい、最上層の導体パターンの上面に隆起が発生しやすい。特に、直流抵抗を低減するためスパイラル導体16,17の厚さを厚く(アスペクト比を高く)する場合、これと同時に形成されるコンタクトホール導体18,19や内部端子電極24a〜24dの厚さも厚くなり、その面内ばらつきも大きくなりやすい。つまり、最上層の導体パターンの上面の隆起が顕著となる。しかしながら、本実施形態のように下層の導体パターンの平面方向の中央部に空洞を設け、上層になるほど空洞の平面サイズを徐々に小さくすることで、最上層の上面の平坦性を高めることができる。   Since the contact hole conductors 18 and 19 and the internal terminal electrodes 24a to 24d are conductor patterns having a relatively large area, plating is likely to grow at the center thereof, and desired contact layers in all the conductor layers from the bottom layer to the top layer. If it is formed on the entire surface of the formation region, an increase in the thickness of the conductor pattern is emphasized, and a bulge tends to occur on the upper surface of the uppermost conductor pattern. In particular, when the thickness of the spiral conductors 16 and 17 is increased in order to reduce the direct current resistance (the aspect ratio is increased), the contact hole conductors 18 and 19 and the internal terminal electrodes 24a to 24d formed at the same time are also increased in thickness. The in-plane variation tends to be large. That is, the upper surface of the uppermost conductor pattern is prominent. However, the flatness of the upper surface of the uppermost layer can be improved by providing a cavity at the center in the planar direction of the lower conductor pattern as in this embodiment and gradually reducing the plane size of the cavity as the upper layer is formed. .

以下、最上層の隆起を防止するための導体パターンの積層構造について詳細に説明する。   Hereinafter, a laminated structure of conductor patterns for preventing the uppermost layer from rising will be described in detail.

図4(a)〜(c)は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの2層の積層構造を示す略断面図であり、(a)は下層(1層目)の導体パターンの平面形状、(b)は上層(2層目)の導体パターンの平面形状、(c)は(a)及び(b)のX1−X1'線に沿った断面図である。なお、以下の例では導体パターンの形状を矩形とするが、図2及び図3に示したコンタクトホール導体18,19や内部端子電極24a〜24dのように、導体パターンの平面形状は矩形に限定されず、その機能や配置に合わせて任意に設定することができる。   4A to 4C are schematic cross-sectional views showing a laminated structure of two layers of a conductor pattern for preventing the uppermost layer from being raised, and FIG. 4A is a diagram of the conductor pattern of the lower layer (first layer). The planar shape, (b) is the planar shape of the upper layer (second layer) conductor pattern, and (c) is a cross-sectional view taken along line X1-X1 ′ in (a) and (b). In the following example, the shape of the conductor pattern is a rectangle, but the planar shape of the conductor pattern is limited to a rectangle like the contact hole conductors 18 and 19 and the internal terminal electrodes 24a to 24d shown in FIGS. However, it can be arbitrarily set according to its function and arrangement.

図4(a)〜(c)に示すように、下層(第1の導体層LC1)の導体パターンP1(第1の導体パターン)は所定の導体形成領域S1内に形成されており、その平面形状はその中央に空洞部C1を有するドーナツ形状(閉ループ形状)である。導体パターンP1の周囲は絶縁層LI1で覆われており、絶縁層LI1を貫通する開口h1(第1の開口)から露出している。   As shown in FIGS. 4A to 4C, the conductor pattern P1 (first conductor pattern) of the lower layer (first conductor layer LC1) is formed in a predetermined conductor formation region S1, and its plane The shape is a donut shape (closed loop shape) having a cavity C1 at the center thereof. The periphery of the conductor pattern P1 is covered with an insulating layer LI1, and is exposed from an opening h1 (first opening) that penetrates the insulating layer LI1.

図4(a)において、破線で示す開口h1の内側の平面領域(第1の開口領域)は、ハッチングで示す導体パターンP1が形成された領域(第1の領域)と、導体パターンP1が形成されていない領域(第2の領域)とを有している。第1の領域は、第1の開口領域のうちその中央部の空洞部C1を除いた領域であり、第2の領域は、開口領域のうち第1の領域を除いた領域、つまり空洞部C1である。   In FIG. 4A, a planar region (first opening region) inside the opening h1 indicated by a broken line is formed by a region (first region) where the conductor pattern P1 indicated by hatching is formed and the conductor pattern P1. And a region that is not formed (second region). The first region is a region of the first opening region excluding the central cavity C1 and the second region is the region of the opening region excluding the first region, that is, the cavity C1. It is.

下層の導体パターンP1に重ねて設けられる上層(第2の導体層LC2)の導体パターンP2(第2の導体パターン)はその導体形成領域S2の全面に形成され、導体パターンP2は、平面視にて導体パターンP1の全面を覆っている。導体パターンP2の一部は導体パターンP1の中央の空洞部C1の内部にも埋め込まれる。すなわち、導体パターンP2は、開口h1の第1の領域と第2の領域の両方に埋め込まれている。導体パターンP2の周囲には絶縁層LI2が充填されている。   The conductor pattern P2 (second conductor pattern) of the upper layer (second conductor layer LC2) provided so as to overlap the conductor pattern P1 of the lower layer is formed on the entire surface of the conductor formation region S2, and the conductor pattern P2 is viewed in plan view. And covers the entire surface of the conductor pattern P1. A part of the conductor pattern P2 is also embedded inside the central cavity C1 of the conductor pattern P1. That is, the conductor pattern P2 is embedded in both the first region and the second region of the opening h1. An insulating layer LI2 is filled around the conductor pattern P2.

図12(a)に示したように、各導体層の導体パターンをその形成領域の全面に形成した場合にはめっき電流の集中によって隆起が発生しやすく、上層に行くほど隆起がより強調された形状となってしまう。しかし、図4に示すように、下層の導体パターンP1の中央に空洞部C1を設け、導体パターンP1の中央が陥没している場合には、下層の陥没と上層の隆起とが相殺されるので、上層の導体パターンP2の上面を概ね平坦にすることができる。   As shown in FIG. 12A, when the conductor pattern of each conductor layer is formed on the entire surface of the formation region, the bulge is likely to occur due to the concentration of the plating current, and the bulge is more emphasized as it goes to the upper layer. It becomes a shape. However, as shown in FIG. 4, when the hollow portion C1 is provided at the center of the lower conductor pattern P1 and the center of the conductor pattern P1 is depressed, the depression of the lower layer and the bulge of the upper layer are offset. The upper surface of the upper conductor pattern P2 can be made substantially flat.

図4に示した積層構造の形成では、まず第1の導体形成領域S1に導体パターンP1を形成し、その上に絶縁層LI1を形成し、絶縁層LI1に開口h1を形成して導体パターンP1を露出させる。このとき、開口h1からは導体パターンP1の上面と側面とが露出する。次に、絶縁層LI1の上面のうち第1の導体形成領域S1と平面視にて重なる第2の導体形成領域S2に導体パターンP2を形成する。導体パターンP2は、平面視にて導体パターンP1の全面を覆うように形成し、これにより第1の導体パターンP1と第2の導体パターンP2とを接続する。   In the formation of the laminated structure shown in FIG. 4, first, the conductor pattern P1 is formed in the first conductor formation region S1, the insulating layer LI1 is formed thereon, the opening h1 is formed in the insulating layer LI1, and the conductor pattern P1 is formed. To expose. At this time, the upper surface and the side surface of the conductor pattern P1 are exposed from the opening h1. Next, the conductor pattern P2 is formed in the second conductor formation region S2 that overlaps the first conductor formation region S1 in plan view on the upper surface of the insulating layer LI1. The conductor pattern P2 is formed so as to cover the entire surface of the conductor pattern P1 in plan view, thereby connecting the first conductor pattern P1 and the second conductor pattern P2.

図5は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの4層の積層構造を示す略断面図である。   FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a laminated structure of four layers of conductor patterns for preventing the uppermost layer from being raised.

図5に示すように、導体パターンの積層数がさらに多い場合、導体パターンの空洞部の面積が上層に向かうほど徐々に縮小するようにすればよい。すなわち、1〜3層目の導体パターンP1〜P3の平面形状はその中央に空洞部C1〜C3をそれぞれ有するドーナツ形状であり、2層目の導体パターンP2の空洞部C2の大きさは1層目のそれよりも小さく、3層目の導体パターンP3の空洞部C3の大きさは2層目のそれよりも小さい。最上層である4層目の導体パターンP4はその形成領域S4の全面に形成され、その一部は導体パターンP3の空洞部C3の内部にも埋め込まれる。このように導体パターンの積層数が増えた場合にも、最下層の意図的な陥没が上層に向かうにつれて徐々に平坦化するので、最上層の導体パターンの上面を概ね平坦にすることができる。   As shown in FIG. 5, when the number of conductor patterns is further increased, the area of the hollow portion of the conductor pattern may be gradually reduced toward the upper layer. That is, the planar shapes of the first to third layers of conductor patterns P1 to P3 are donut shapes each having a cavity C1 to C3 at the center thereof, and the size of the cavity C2 of the second layer of conductor pattern P2 is one layer. The size of the cavity C3 of the third-layer conductor pattern P3 is smaller than that of the second layer and smaller than that of the second layer. The uppermost layer, the fourth conductor pattern P4, is formed on the entire surface of the formation region S4, and a part of the conductor pattern P4 is also embedded inside the cavity C3 of the conductor pattern P3. Even when the number of conductor patterns stacked in this way increases, the uppermost layer of the uppermost conductor pattern can be substantially flattened because the intentional depression of the lowermost layer is gradually flattened toward the upper layer.

図6(a)〜(f)は、図4に示した下層の導体パターンの平面レイアウトの変形例を示す略平面図である。   6A to 6F are schematic plan views showing modifications of the planar layout of the lower-layer conductor pattern shown in FIG.

図6(a)及び(b)に示す下層の導体パターンP1は、図4(a)と同様、矩形パターンの中央に空洞部C1を有する閉ループパターンである。このうち、図6(a)は、導体パターンP1の上層に形成される絶縁層LI2の開口h1が導体パターンP1の外周の外側にはみ出すことなく内側に収まっている。また図6(b)は、その上層の絶縁層に形成される開口h1が導体パターンP1の外周よりも外側にはみ出すように形成されている。ここでは開口h1がはみ出す方向は、導体パターンP1の長手方向と直交する方向(Y方向)である。   The lower conductor pattern P1 shown in FIGS. 6A and 6B is a closed loop pattern having a cavity C1 at the center of a rectangular pattern, as in FIG. 4A. Among these, in FIG. 6A, the opening h1 of the insulating layer LI2 formed in the upper layer of the conductor pattern P1 is accommodated inside without protruding outside the outer periphery of the conductor pattern P1. In FIG. 6B, the opening h1 formed in the upper insulating layer is formed so as to protrude outside the outer periphery of the conductor pattern P1. Here, the direction in which the opening h1 protrudes is a direction (Y direction) orthogonal to the longitudinal direction of the conductor pattern P1.

図6(c)及び(d)に示す下層の導体パターンP1は、矩形パターンの長手方向と平行な一辺が切り欠かれてなる略U字パターンである。このU字パターンも、矩形パターンの中央に空洞部C1を有するパターンの一つと見ることができる。このうち、図6(c)は、その上層の絶縁層に形成される開口h1が導体パターンP1の外周の内側に収まるように形成されている。また図6(d)は、その上層の絶縁層に形成される開口h1が導体パターンP1の外周よりも外側にはみ出すように形成されている。ここでは開口h1がはみ出す方向は、導体パターンP1の切り欠きがある方向である。   The lower-layer conductor pattern P1 shown in FIGS. 6C and 6D is a substantially U-shaped pattern in which one side parallel to the longitudinal direction of the rectangular pattern is cut out. This U-shaped pattern can also be regarded as one of the patterns having the cavity C1 at the center of the rectangular pattern. Among these, FIG. 6C is formed so that the opening h1 formed in the upper insulating layer fits inside the outer periphery of the conductor pattern P1. In FIG. 6D, the opening h1 formed in the upper insulating layer is formed so as to protrude outside the outer periphery of the conductor pattern P1. Here, the direction in which the opening h1 protrudes is the direction in which the conductor pattern P1 is notched.

図6(e)及び(f)に示す下層の導体パターンP1は、矩形パターンの長手方向と直交する一辺が切り欠かれてなる略U字パターンである。このU字パターンも、矩形パターンの中央に空洞部C1を有するパターンの一つと見ることができる。このうち、図6(e)は、その上層の絶縁層に形成される開口h1が導体パターンP1の外周の内側に収まるように形成されている。また図6(f)は、その上層の絶縁層に形成される開口h1が導体パターンP1の外周よりも外側にはみ出すように形成されている。ここでは開口h1がはみ出す方向は、導体パターンP1の切り欠きがある方向である。   The lower-layer conductor pattern P1 shown in FIGS. 6E and 6F is a substantially U-shaped pattern in which one side orthogonal to the longitudinal direction of the rectangular pattern is cut out. This U-shaped pattern can also be regarded as one of the patterns having the cavity C1 at the center of the rectangular pattern. Among these, in FIG. 6E, the opening h1 formed in the upper insulating layer is formed so as to fit inside the outer periphery of the conductor pattern P1. In FIG. 6F, the opening h1 formed in the upper insulating layer is formed so as to protrude outside the outer periphery of the conductor pattern P1. Here, the direction in which the opening h1 protrudes is the direction in which the conductor pattern P1 is notched.

図6(a)〜(f)のいずれも、下層の導体パターンP1はその中央に空洞部C1を有する形状となっているので、これに重ねて設けられる上層の導体パターンをその形成領域の全面に形成したとしても、上層の導体パターンの上面の隆起が抑制されるので、最上層の導体パターンの上面を概ね平坦にすることができる。また、上層の導体パターンは下層の導体パターンの上面のみならず側面にも接しているので、両者の接合強度を向上させることができる。特に、図6(b)、(d)、(f)においては、開口h1を広げて下層の導体パターンP1の内側の側面のみならず外側の側面をも露出させるので、両者の接合強度をさらに向上させることができる。   6 (a) to 6 (f), the lower conductor pattern P1 has a shape having a cavity C1 at the center thereof, and therefore, the upper conductor pattern provided to overlap the lower conductor pattern P1 is formed on the entire surface of the formation region. Even when the upper conductor pattern is formed, the upper surface of the upper conductor pattern is restrained from being raised, so that the upper surface of the uppermost conductor pattern can be made substantially flat. Further, since the upper conductor pattern is in contact with the side surface as well as the upper surface of the lower conductor pattern, the bonding strength between the two can be improved. In particular, in FIGS. 6B, 6D, and 6F, the opening h1 is widened to expose not only the inner side surface of the lower conductor pattern P1, but also the outer side surface. Can be improved.

次に、最上層の陥没を防止するための導体パターンの積層構造について詳細に説明する。   Next, the laminated structure of the conductor pattern for preventing the depression of the uppermost layer will be described in detail.

図7(a)〜(c)は、最上層の陥没を防止するための導体パターンの2層の積層構造を示す略断面図であり、(a)は下層(1層目)の導体パターンの平面形状、(b)は上層(2層目)の導体パターンの平面形状、(c)は(a)及び(b)のX1−X1'線に沿った断面図である。なお、以下の例でも導体パターンの形状を矩形とするが、図2及び図3に示したコンタクトホール導体18,19や内部端子電極24a〜24dのように、導体パターンの平面形状は矩形に限定されず、その機能や配置に合わせて任意に設定することができる。   FIGS. 7A to 7C are schematic cross-sectional views showing a laminated structure of two layers of a conductor pattern for preventing the depression of the uppermost layer, and FIG. 7A shows a conductor pattern of a lower layer (first layer). The planar shape, (b) is the planar shape of the upper layer (second layer) conductor pattern, and (c) is a cross-sectional view taken along line X1-X1 ′ in (a) and (b). In the following examples, the shape of the conductor pattern is rectangular, but the planar shape of the conductor pattern is limited to a rectangle like the contact hole conductors 18 and 19 and the internal terminal electrodes 24a to 24d shown in FIGS. However, it can be arbitrarily set according to its function and arrangement.

図7(a)〜(c)に示すように、下層(第1の導体層LC1)の導体パターンP1(第1の導体パターン)は所定の導体形成領域S1内に形成されており、その平面形状は導体形成領域S1の略中央にのみ形成された島パターンである。なおこの島パターンは全周が絶縁領域で囲まれた孤島パターンではなく半島パターンである。島パターンは、その形成領域の外側に向かって一方向に引き出されている。形成領域の中央部にのみ導体パターンが形成されているので、周囲に空洞部C1を有するということができる。導体パターンP1の周囲は絶縁層LI1で覆われており、絶縁層LI1を貫通する開口h1(第1の開口)から露出している。   As shown in FIGS. 7A to 7C, the conductor pattern P1 (first conductor pattern) of the lower layer (first conductor layer LC1) is formed in a predetermined conductor formation region S1, and its plane The shape is an island pattern formed only at substantially the center of the conductor formation region S1. The island pattern is not a solitary island pattern surrounded by an insulating region but a peninsula pattern. The island pattern is drawn out in one direction toward the outside of the formation region. Since the conductor pattern is formed only in the central part of the formation region, it can be said that the cavity C1 is provided around. The periphery of the conductor pattern P1 is covered with an insulating layer LI1, and is exposed from an opening h1 (first opening) that penetrates the insulating layer LI1.

図7(a)において、破線で示す開口h1の内側の平面領域(第1の開口領域)は、ハッチングで示す導体パターンP1が形成された領域(第1の領域)と、導体パターンP1が形成されていない領域(第2の領域)とを有している。第2の領域は、第1の開口領域のうち少なくともその中央部を除いた領域、つまり空洞部C1であり、第1の領域は、開口領域のうち第2の領域を除いた領域である。   In FIG. 7A, a planar region (first opening region) inside the opening h1 indicated by a broken line is formed by a region (first region) where the conductor pattern P1 indicated by hatching is formed and the conductor pattern P1. And a region that is not formed (second region). The second region is a region excluding at least the central portion of the first opening region, that is, the cavity C1, and the first region is a region excluding the second region of the opening region.

下層の導体パターンP1に重ねて設けられる上層(第2の導体層LC2)の導体パターンP2(第2の導体パターン)はその導体形成領域S2の全面に形成され、導体パターンP2は、平面視にて導体パターンP1の全面を覆っている。導体パターンP2の一部は導体パターンP1の周囲の空洞部C1の内部にも埋め込まれる。すなわち、導体パターンP2は、開口h1の第1の領域と第2の領域の両方に埋め込まれている。導体パターンP2の周囲には絶縁層LI2が充填されている。   The conductor pattern P2 (second conductor pattern) of the upper layer (second conductor layer LC2) provided so as to overlap the conductor pattern P1 of the lower layer is formed on the entire surface of the conductor formation region S2, and the conductor pattern P2 is viewed in plan view. And covers the entire surface of the conductor pattern P1. A part of the conductor pattern P2 is also embedded in the cavity C1 around the conductor pattern P1. That is, the conductor pattern P2 is embedded in both the first region and the second region of the opening h1. An insulating layer LI2 is filled around the conductor pattern P2.

図12(b)に示したように、各導体層の導体パターンをその広い形成領域の全面に形成した場合には中央に陥没が発生しやすく、上層に行くほど陥没が強調された形状となってしまう。しかし、図7に示すように、下層の導体パターンP1の周囲に空洞部C1を設け、導体パターンP1の中央が相対的に隆起している場合には、下層の隆起と上層の陥没とが相殺されるので、上層の導体パターンP2の上面を概ね平坦にすることができる。   As shown in FIG. 12B, when the conductor pattern of each conductor layer is formed on the entire surface of the wide formation region, a depression is likely to occur at the center, and the depression is emphasized as it goes to the upper layer. End up. However, as shown in FIG. 7, when the cavity C1 is provided around the lower conductor pattern P1 and the center of the conductor pattern P1 is relatively raised, the lower layer protrusion and the upper layer depression cancel each other. Therefore, the upper surface of the upper conductor pattern P2 can be made substantially flat.

図8は、最上層の隆起を防止するための導体パターンの4層の積層構造を示す略断面図である。   FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a laminated structure of four layers of conductor patterns for preventing the uppermost layer from being raised.

図8に示すように、導体パターンの積層数がさらに多い場合、導体パターンの面積が上層に向かうほど徐々に拡大するようにすればよい。すなわち、1〜3層目の導体パターンP1〜P3の平面形状はその中央にのみ形成され、その周囲には空洞部C1〜C3をそれぞれ有する隆起形状であり、2層目の導体パターンP2の大きさは1層目のそれよりも大きく、3層目の導体パターンP3の大きさは2層目のそれよりもさらに大きい。最上層である4層目の導体パターンP4はその形成領域S4の全面に形成され、その一部は導体パターンP3の周囲の空洞部C3の内部にも埋め込まれる。このように導体パターンの積層数が増えた場合にも、最下層の意図的な隆起が上層に向かうにつれて徐々に平坦化されるので、最上層の導体パターンの上面を概ね平坦にすることができる。   As shown in FIG. 8, when the number of conductor patterns stacked is larger, the area of the conductor pattern may be gradually increased toward the upper layer. That is, the planar shapes of the first to third layers of conductor patterns P1 to P3 are formed only at the center thereof, and are raised shapes having cavities C1 to C3 around them, respectively. The length is larger than that of the first layer, and the size of the conductive pattern P3 of the third layer is larger than that of the second layer. The uppermost layer, the fourth conductive pattern P4, is formed on the entire surface of the formation region S4, and a part of the conductive pattern P4 is also embedded in the cavity C3 around the conductive pattern P3. Even when the number of conductor patterns is increased in this way, the intentional bulge in the lowermost layer is gradually flattened toward the upper layer, so that the upper surface of the uppermost conductor pattern can be substantially flattened. .

導体パターンの高さの面内ばらつきはその平面サイズによって異なる。導体パターンの平面サイズ(特に最小幅)がスパイラル導体の線幅よりも少し広い程度である場合、導体パターンの最上層の上面は中央部が隆起しやすい。しかし、導体パターンの平面サイズが十分に大きい場合には、導体パターンの最上層の上面は中央部が陥没しやすい。面積が大きすぎると、めっき電流は端部に流れる傾向があるため、めっきが端部に集中して厚みが増加する。そのため、端部が隆起し、中央部が相対的に陥没した形状となってしまう。いずれの場合も、導体パターンを単に積層しただけではその最上層の上面が平坦になりにくいことから、本発明では下層の導体パターンを以下に示す適切な形状(隆起防止パターン又は陥没防止パターン)とすることで最上層の平坦性を確保する。   The in-plane variation in the height of the conductor pattern varies depending on the plane size. When the planar size (especially the minimum width) of the conductor pattern is a little wider than the line width of the spiral conductor, the central portion of the upper surface of the uppermost layer of the conductor pattern is likely to rise. However, when the planar size of the conductor pattern is sufficiently large, the central portion of the upper surface of the uppermost layer of the conductor pattern is likely to be depressed. If the area is too large, the plating current tends to flow to the end, so that the plating concentrates on the end and the thickness increases. Therefore, the end portion is raised and the center portion is relatively depressed. In any case, since the upper surface of the uppermost layer is not easily flattened by simply laminating the conductor patterns, the lower conductor pattern in the present invention has an appropriate shape (a bulge prevention pattern or a depression prevention pattern) shown below. This ensures the flatness of the top layer.

図4〜図6に示した隆起防止パターンと図7及び図8に示した陥没防止パターンのどちらを採用するかは、従来の方法で実際に試作したときの結果から判断すればよいが、例えば、スパイラル導体の線幅に対して、1.5〜4倍程度の幅を有する導体パターンについては"隆起防止パターン(閉ループパターン又はU字パターン)"を採用し、スパイラル導体の線幅に対して、4倍以上の幅を有する導体パターンについては"陥没防止パターン"採用するようにしてもよい。   Whether to use the ridge prevention pattern shown in FIGS. 4 to 6 or the depression prevention pattern shown in FIGS. 7 and 8 may be determined from the results of actual trial manufacture using a conventional method. For the conductor pattern having a width of about 1.5 to 4 times the line width of the spiral conductor, a “protrusion prevention pattern (closed loop pattern or U-shaped pattern)” is adopted, and the line width of the spiral conductor is adopted. For the conductor pattern having a width of four times or more, a “sag prevention pattern” may be adopted.

コンタクトホール導体18,19は、スパイラル導体16,17の内側という非常に限られた範囲内に形成されるものであり、スルーホール磁性体14を設ける場合にはその形成範囲はさらに限定される。そのため、コンタクトホール導体18,19の面積は比較的小さく、最上層に隆起が発生しやすい。したがって、コンタクトホール導体18,19には隆起防止パターンを採用することが好ましい。   The contact hole conductors 18 and 19 are formed within a very limited range inside the spiral conductors 16 and 17, and when the through-hole magnetic body 14 is provided, the formation range is further limited. Therefore, the area of the contact hole conductors 18 and 19 is relatively small, and the top layer is likely to be raised. Therefore, it is preferable to employ a bulge prevention pattern for the contact hole conductors 18 and 19.

これに対し、内部端子電極24a〜24dは、スパイラル導体16,17の外側に設けられ、コンタクトホール導体18,19よりも大きく形成することも可能である。また、集合基板上に多数の素子を形成する量産プロセスにおいて、隣接する素子間に共通の大きな内部端子電極を形成する場合には、内部端子電極の面積は非常に大きくなる。このように、内部端子電極の面積が比較的大きく、最上層に陥没が発生しやすい場合には内部端子電極24a〜24dには陥没防止パターンを採用することが好ましい。   On the other hand, the internal terminal electrodes 24 a to 24 d are provided outside the spiral conductors 16 and 17 and can be formed larger than the contact hole conductors 18 and 19. Further, in a mass production process in which a large number of elements are formed on a collective substrate, when a large internal terminal electrode common to adjacent elements is formed, the area of the internal terminal electrode becomes very large. As described above, when the area of the internal terminal electrode is relatively large and the uppermost layer is likely to be depressed, it is preferable to employ a depression prevention pattern for the internal terminal electrodes 24a to 24d.

ただし、スパイラル導体16,17のループサイズを大きくしたり、スルーホール磁性体14を省略したりする場合には、比較的大きなコンタクトホール導体18,19を形成できるので、この場合には、コンタクトホール導体18,19に陥没防止パターンを採用したほうがよい。また、スパイラル導体16,17のループサイズを大きくして内部端子電極24a〜24dの形成領域が非常に限定されるような場合、内部端子電極24a〜24dの面積が小さくなるので、この場合には、内部端子電極24a〜24dに隆起防止パターンを採用したほうがよい。   However, when the loop size of the spiral conductors 16 and 17 is increased or the through-hole magnetic body 14 is omitted, the relatively large contact hole conductors 18 and 19 can be formed. It is better to adopt a depression prevention pattern for the conductors 18 and 19. In addition, when the loop size of the spiral conductors 16 and 17 is increased and the formation region of the internal terminal electrodes 24a to 24d is very limited, the area of the internal terminal electrodes 24a to 24d is reduced. It is better to adopt a bulge prevention pattern for the internal terminal electrodes 24a to 24d.

図9は、各導体層の平面レイアウトの他の例を示す略平面図である。図示のように、スパイラル導体16,17の内側のスルーホール磁性体14(図3参照)を省略してコンタクトホール導体18,19のサイズを大きくした場合には、コンタクトホール導体18,19に陥没防止パターンを採用したほうがよい。   FIG. 9 is a schematic plan view showing another example of the planar layout of each conductor layer. As shown in the figure, when the through-hole magnetic body 14 (see FIG. 3) inside the spiral conductors 16 and 17 is omitted and the size of the contact hole conductors 18 and 19 is increased, the contact hole conductors 18 and 19 are depressed. It is better to adopt a prevention pattern.

図10は、集合基板の平面レイアウトを示す略平面図である。図示のように、内部端子電極24a〜24bが隣接する4つの素子のコーナー部に位置する場合は、それらが一体化された集合端子電極BBとして形成され、その面積が非常に大きくなる。この場合には、集合端子電極BBに対して陥没防止パターンを採用することが好ましい。   FIG. 10 is a schematic plan view showing a planar layout of the collective substrate. As shown in the figure, when the internal terminal electrodes 24a to 24b are positioned at the corners of the four adjacent elements, they are formed as a unified terminal electrode BB, and the area thereof becomes very large. In this case, it is preferable to employ a depression prevention pattern for the collective terminal electrode BB.

図11は、コイル部品1の製造方法を示すフローチャートである。   FIG. 11 is a flowchart showing a method for manufacturing the coil component 1.

コイル部品1の製造ではまず磁性ウェハーを用意し、(ステップS11)、磁性ウェハーの表面に多数のコモンモードフィルタ素子がレイアウトされた薄膜コイル層11を形成する(ステップS12)。   In manufacturing the coil component 1, first, a magnetic wafer is prepared (step S11), and the thin film coil layer 11 in which a number of common mode filter elements are laid out is formed on the surface of the magnetic wafer (step S12).

薄膜コイル層11は絶縁層を形成した後、絶縁層の表面に導体パターンを形成する工程を繰り返すことにより形成することができる。以下、薄膜コイル層11の形成工程について詳細に説明する。   The thin film coil layer 11 can be formed by repeating the process of forming a conductor pattern on the surface of the insulating layer after forming the insulating layer. Hereafter, the formation process of the thin film coil layer 11 is demonstrated in detail.

薄膜コイル層11の形成では、まず絶縁層15aを形成した後、絶縁層15a上に第1のスパイラル導体16及び内部端子電極24a〜24dを形成する。次に、絶縁層15a上に絶縁層15bを形成した後、絶縁層15b上に第2のスパイラル導体17及び内部端子電極24a〜24dを形成する。次に、絶縁層15b上に絶縁層15cを形成した後、絶縁層15c上に第1及び第2の引き出し導体20,21及び内部端子電極24a〜24dを形成する。さらに絶縁層15c上に絶縁層15dを形成する(図2参照)。   In the formation of the thin film coil layer 11, the insulating layer 15a is first formed, and then the first spiral conductor 16 and the internal terminal electrodes 24a to 24d are formed on the insulating layer 15a. Next, after forming the insulating layer 15b on the insulating layer 15a, the second spiral conductor 17 and the internal terminal electrodes 24a to 24d are formed on the insulating layer 15b. Next, after forming the insulating layer 15c on the insulating layer 15b, the first and second lead conductors 20 and 21 and the internal terminal electrodes 24a to 24d are formed on the insulating layer 15c. Further, an insulating layer 15d is formed on the insulating layer 15c (see FIG. 2).

ここで、各絶縁層15a〜15dは、下地面に感光性樹脂をスピンコート、または感光性樹脂フィルムを貼り付けし、これを露光及び現像することにより形成することができる。特に、第1の絶縁層15aには開口hgが形成され、第2の絶縁層15bには開口ha〜he、hgが形成され、第3の絶縁層15cには開口ha〜hgが形成され、第4の絶縁層15dには開口ha〜hd及び開口hgが形成される。   Here, each of the insulating layers 15a to 15d can be formed by spin coating a photosensitive resin or a photosensitive resin film on a base surface, and exposing and developing the same. In particular, the opening hg is formed in the first insulating layer 15a, the openings ha to he and hg are formed in the second insulating layer 15b, and the openings ha to hg are formed in the third insulating layer 15c. Openings ha to hd and an opening hg are formed in the fourth insulating layer 15d.

導体パターンの材料にはCuを用いることが好ましい。導体パターンは蒸着法又はスパッタリング法により導体層を形成した後、その上にパターニングされたレジスト層を形成し、そこに電解めっきを施し、レジスト層及び不要な下地導体層を除去することにより形成することができる。   Cu is preferably used as the material for the conductor pattern. The conductor pattern is formed by forming a conductor layer by vapor deposition or sputtering, then forming a patterned resist layer thereon, applying electroplating thereto, and removing the resist layer and unnecessary underlying conductor layers. be able to.

このとき、コンタクトホール導体18,19を形成するための開口(貫通孔)he,hfの内部がめっき材料で埋められ、これによりコンタクトホール導体18,19が形成される。また、内部端子電極24a〜24bを形成するための開口ha〜hdの内部もめっき材料で埋められ、これにより内部端子電極24a〜24dが形成される。   At this time, the insides of openings (through holes) he and hf for forming the contact hole conductors 18 and 19 are filled with the plating material, whereby the contact hole conductors 18 and 19 are formed. Moreover, the insides of the openings ha to hd for forming the internal terminal electrodes 24 a to 24 b are also filled with a plating material, thereby forming the internal terminal electrodes 24 a to 24 d.

次に、薄膜コイル層11の表層である絶縁層15d上にバンプ電極12a〜12dの集合体であるバンプ電極12を形成する(ステップS13)。バンプ電極12の形成方法は、まず絶縁層15dの全面に下地導体層をスパッタリング法により形成する。下地導体層の材料としてはCu等を用いることができる。その後、ドライフィルムを貼り付け、露光及び現像することにより、バンプ電極12a〜12d及び第1及び第2の引き出し導体20,21を形成すべき位置にあるドライフィルムを選択的に除去してドライフィルム層を形成し、下地導体層を露出させる。なお、バンプ電極の形成はドライフィルムを用いた方法に限定するものではない。   Next, the bump electrode 12 that is an aggregate of the bump electrodes 12a to 12d is formed on the insulating layer 15d that is the surface layer of the thin film coil layer 11 (step S13). The bump electrode 12 is formed by first forming a base conductor layer on the entire surface of the insulating layer 15d by sputtering. Cu or the like can be used as the material for the underlying conductor layer. Thereafter, the dry film is attached, exposed and developed to selectively remove the dry film at the position where the bump electrodes 12a to 12d and the first and second lead conductors 20 and 21 are to be formed. Forming a layer and exposing the underlying conductor layer; The formation of the bump electrode is not limited to a method using a dry film.

さらに電解めっきを行い、下地導体層の露出部分を成長させることにより、肉厚なバンプ電極12a〜12dの集合体を形成する。このとき、絶縁層15dに形成された開口ha〜hdの内部がめっき材料で埋められ、これによりバンプ電極12a〜12dと内部端子電極24a〜24dとが電気的に接続される。   Further, electrolytic plating is performed to grow exposed portions of the underlying conductor layer, thereby forming thick bump electrodes 12a to 12d. At this time, the insides of the openings ha to hd formed in the insulating layer 15d are filled with the plating material, whereby the bump electrodes 12a to 12d and the internal terminal electrodes 24a to 24d are electrically connected.

その後、ドライフィルム層を除去し、全面をエッチングして不要な下地導体層を除去することにより、略柱状のバンプ電極12が完成する。この例では、略柱状のバンプ電極12は、X方向及びY方向に隣接する4つのチップ部品に共通の電極として形成されるが、個々にバンプ電極が形成されても良い。バンプ電極12は後述のダイシングによって4分割され、これにより各素子に対応する個別のバンプ電極12a〜12dが形成される。   Thereafter, the dry film layer is removed, and the entire surface is etched to remove an unnecessary underlying conductor layer, whereby the substantially columnar bump electrode 12 is completed. In this example, the substantially columnar bump electrode 12 is formed as an electrode common to four chip components adjacent in the X direction and the Y direction, but the bump electrode may be formed individually. The bump electrode 12 is divided into four by dicing, which will be described later, whereby individual bump electrodes 12a to 12d corresponding to each element are formed.

次に、バンプ電極12が形成された磁性ウェハー上に複合フェライトのペーストを充填し、硬化させて、磁性樹脂層13を形成する(ステップS14)。また、複合フェライトのペーストを開口hgの内部にも充填することにより、スルーホール磁性体14を同時に形成する。このとき、磁性樹脂層13を確実に形成するため多量のペーストが充填され、これによりバンプ電極12は磁性樹脂層13内に埋没した状態となる。そのため、バンプ電極12の上面が露出するまで磁性樹脂層13を研磨して所定の厚さにすると共に表面を平滑化する(ステップS15)。さらに、磁性ウェハーについても所定の厚さとなるように研磨する(ステップS15)。   Next, the magnetic wafer on which the bump electrode 12 is formed is filled with a composite ferrite paste and cured to form the magnetic resin layer 13 (step S14). Further, by filling the inside of the opening hg with the composite ferrite paste, the through-hole magnetic body 14 is simultaneously formed. At this time, in order to reliably form the magnetic resin layer 13, a large amount of paste is filled, so that the bump electrode 12 is buried in the magnetic resin layer 13. Therefore, the magnetic resin layer 13 is polished to a predetermined thickness and the surface is smoothed until the upper surface of the bump electrode 12 is exposed (step S15). Further, the magnetic wafer is also polished so as to have a predetermined thickness (step S15).

その後、磁性ウェハーのダイシングによって各コモンモードフィルタ素子を個片化(チップ化)する(ステップS16)。このとき、図10に示すように、X方向に延びる切断ラインD1及びY方向に延びる切断ラインD2はバンプ電極12の中央を通過し、得られたバンプ電極12a〜12dの切断面は、チップ化した部品(チップ部品)の側面に露出することになる。バンプ電極12a〜12dの2つの側面は実装時において半田フィレットの形成面となるので、半田実装時の固着強度を高めることができる。   Thereafter, each common mode filter element is separated (chiped) by dicing the magnetic wafer (step S16). At this time, as shown in FIG. 10, the cutting line D1 extending in the X direction and the cutting line D2 extending in the Y direction pass through the center of the bump electrode 12, and the cut surfaces of the obtained bump electrodes 12a to 12d are formed into chips. The exposed parts (chip parts) are exposed. Since the two side surfaces of the bump electrodes 12a to 12d serve as solder fillet formation surfaces during mounting, the fixing strength during solder mounting can be increased.

次に、チップ部品のバレル研磨を行ってエッジを除去した後(ステップS17)、電気めっきを行い(ステップS18)、これにより図1に示すバンプ電極12a〜12dが完成する。このように、チップ部品の外表面をバレル研磨することによりチップ欠け等の破損が生じにくいコイル部品を製造することができる。また、チップ部品の外周面に露出するバンプ電極12a〜12dの表面をめっき処理するため、バンプ電極12a〜12dの表面を平滑面とすることができる。   Next, after barrel-polishing the chip part to remove the edge (step S17), electroplating is performed (step S18), thereby completing the bump electrodes 12a to 12d shown in FIG. As described above, by barrel polishing the outer surface of the chip component, it is possible to manufacture a coil component that is unlikely to be damaged such as chip chipping. Moreover, since the surface of bump electrode 12a-12d exposed to the outer peripheral surface of a chip component is plated, the surface of bump electrode 12a-12d can be made into a smooth surface.

以上説明したように、本実施形態による電子部品およびその製造方法によれば、導体パターンを積層する際に各導体層の導体パターンの上面の高さばらつきを抑えることが可能な電子部品を簡易且つ低コストで製造することができる。また、バンプ電極12a〜12dの周囲に磁性樹脂層13を形成しているので、バンプ電極12a〜12dを補強することができ、バンプ電極12a〜12dの剥離等を防止することができる。また、本実施形態によるコイル部品1の製造方法は、バンプ電極12a〜12dをめっきにより形成しているので、例えばスパッタリングで形成する場合よりも加工精度の高く安定した外部端子電極を提供することができる。さらに、工数の削減及び低コスト化を図ることができる。   As described above, according to the electronic component and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, the electronic component capable of suppressing the height variation of the upper surface of the conductor pattern of each conductor layer when the conductor pattern is stacked can be simplified and It can be manufactured at low cost. Moreover, since the magnetic resin layer 13 is formed around the bump electrodes 12a to 12d, the bump electrodes 12a to 12d can be reinforced, and peeling of the bump electrodes 12a to 12d can be prevented. Moreover, since the bump electrodes 12a to 12d are formed by plating in the method for manufacturing the coil component 1 according to the present embodiment, it is possible to provide a stable external terminal electrode with higher processing accuracy than when formed by sputtering, for example. it can. Furthermore, man-hour reduction and cost reduction can be achieved.

本発明は、以上の実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能であり、それらも本発明に包含されるものであることは言うまでもない。   The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention, and it goes without saying that these are also included in the present invention. Yes.

例えば、上記実施形態においては、バンプ電極の周囲に磁性樹脂層を充填しているが、本発明においては、磁性樹脂層に限定されず、磁性のない単なる絶縁体層であってもよい。また、スルーホール磁性体14を省略することも可能である。   For example, in the above embodiment, the magnetic resin layer is filled around the bump electrode. However, in the present invention, the magnetic resin layer is not limited, and a simple insulator layer without magnetism may be used. Further, the through-hole magnetic body 14 can be omitted.

また、上記実施形態においては、3層導体層構造の薄膜コイル層11を例に挙げたが、本発明において導体層の積層数はいくつであってもよく、3層構造に限定されない。また、上記実施形態においては、コイル部品としてコモンモードフィルタを例に挙げたが、本発明はコモンモードフィルタに限定されるものではなく、例えばトランスや電源系コイルなど、他の種々のコイル部品に適用可能である。さらには、コイル部品に限らず、めっきにより薄膜パターンが形成される種々の電子部品に適用することが可能である。   Moreover, in the said embodiment, although the thin film coil layer 11 of the 3 layer conductor layer structure was mentioned as an example, in the present invention, the number of lamination | stacking of a conductor layer may be any number and it is not limited to a 3 layer structure. In the above embodiment, the common mode filter is exemplified as the coil component. However, the present invention is not limited to the common mode filter, and may be applied to other various coil components such as a transformer and a power supply coil. Applicable. Furthermore, the present invention can be applied not only to coil components but also to various electronic components in which a thin film pattern is formed by plating.

1 コイル部品(電子部品)
10 基板
10a,10b,10c,10d 側面
11 薄膜コイル層
12,12a〜12d バンプ電極
13 磁性樹脂層
14 スルーホール磁性体
15a〜15d 絶縁層
16,17 スパイラル導体
16a,17a スパイラル導体の内周端
16b,17b スパイラル導体の外周端
18,19 コンタクトホール導体
20,21 引き出し導体
24a〜24d 内部端子電極
BB 集合端子電極
C1-C3 空洞部
D1,D2 切断ライン
LC1,LC2 導体層
LI1,LI2 絶縁層
P1〜P4 導体パターン
S1〜S4 導体形成領域
h1 開口
ha〜hg 開口
1 Coil parts (electronic parts)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Board | substrate 10a, 10b, 10c, 10d Side surface 11 Thin film coil layer 12, 12a-12d Bump electrode 13 Magnetic resin layer 14 Through-hole magnetic body 15a-15d Insulating layer 16, 17 Spiral conductor 16a, 17a Inner edge 16b of spiral conductor , 17b Spiral conductor outer peripheral edges 18, 19 Contact hole conductors 20, 21 Lead conductors 24a-24d Internal terminal electrodes BB Collecting terminal electrodes C1-C3 Cavities D1, D2 Cutting lines LC1, LC2 Conductive layers LI1, LI2 Insulating layers P1- P4 Conductor patterns S1 to S4 Conductor formation region h1 Opening ha to hg Opening

Claims (12)

第1の導体パターンを含む第1の導体層と、
前記第1の導体層を覆う第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層を貫通して前記第1の導体パターンの上面と側面を露出させる第1の開口と、
前記第1の絶縁層上に設けられ、前記第1の開口を通じて前記第1の導体パターンの上面と側面の両方に接続された第2の導体パターンを含む第2の導体層とを備え、
前記第1の導体パターンの形成領域は、前記第1の開口の内側の平面領域のうちその少なくとも中央部を除いた第1の領域を含み、
前記第2の導体パターンの形成領域は、前記第1の領域と、前記第1の開口の内側の平面領域のうち前記第1の領域を除いた第2の領域とを含み、
前記第2の導体パターンの形成領域の形状は、前記第1の導体パターンの形成領域の形状と平面視にて重なっていることを特徴とする電子部品。
A first conductor layer including a first conductor pattern;
A first insulating layer covering the first conductor layer;
A first opening penetrating the first insulating layer and exposing an upper surface and a side surface of the first conductor pattern;
A second conductor layer including a second conductor pattern provided on the first insulating layer and connected to both an upper surface and a side surface of the first conductor pattern through the first opening;
The formation region of the first conductor pattern includes a first region excluding at least a central portion of a planar region inside the first opening,
The formation region of the second conductor pattern includes the first region and a second region excluding the first region in a planar region inside the first opening,
The shape of the formation region of the second conductor pattern overlaps the shape of the formation region of the first conductor pattern in plan view.
前記第1の導体層は第1のスパイラル導体をさらに含み、
前記第1の導体パターンは前記第1のスパイラル導体の外周端又は内周端に接続されており、
前記第1及び第2の導体パターンの各々の最小幅は、前記第1のスパイラル導体の線幅よりも広い、請求項1に記載の電子部品。
The first conductor layer further includes a first spiral conductor;
The first conductor pattern is connected to an outer peripheral end or an inner peripheral end of the first spiral conductor;
2. The electronic component according to claim 1, wherein a minimum width of each of the first and second conductor patterns is wider than a line width of the first spiral conductor.
前記第1及び第2の導体パターンの各々の最小幅は、前記第1のスパイラル導体の線幅の1.5倍以上4倍以下である、請求項2に記載の電子部品。   The electronic component according to claim 2, wherein a minimum width of each of the first and second conductor patterns is 1.5 to 4 times a line width of the first spiral conductor. 前記第1のスパイラル導体の断面のアスペクト比は1以上である、請求項2又は3に記載の電子部品。   The electronic component according to claim 2, wherein an aspect ratio of a cross section of the first spiral conductor is 1 or more. 前記第2の導体層を覆う第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層を貫通して前記第2の導体パターンの上面と側面を露出させる第2の開口と、
前記第2の絶縁層上に設けられ、前記第2の開口を通じて前記第2の導体パターンの上面と側面の両方に接続された第3の導体パターンを含む第3の導体層とをさらに備え、
前記第3の導体パターンの形成領域は、前記第1及び第2の領域と、前記第2の開口の内側の平面領域のうち前記第1及び第2の領域を除いた第3の領域とを含み、
前記第3の導体パターンの形成領域の形状は、前記第1及び第2の導体パターンの形成領域の形状と平面視にて重なっていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
A second insulating layer covering the second conductor layer;
A second opening that penetrates the second insulating layer and exposes an upper surface and a side surface of the second conductor pattern;
A third conductor layer including a third conductor pattern provided on the second insulating layer and connected to both an upper surface and a side surface of the second conductor pattern through the second opening;
The formation region of the third conductor pattern includes the first and second regions and a third region excluding the first and second regions in a planar region inside the second opening. Including
2. The electronic component according to claim 1, wherein a shape of the formation region of the third conductor pattern overlaps with a shape of the formation region of the first and second conductor patterns in a plan view.
前記第1の導体層は第1のスパイラル導体をさらに含み、
前記第2の導体層は前記第1のスパイラル導体と磁気結合する第2のスパイラル導体をさらに含み、
前記第1乃至第3の導体パターンの各々の最小幅は、前記第1及び第2のスパイラル導体の幅よりも広い、請求項5に記載の電子部品。
The first conductor layer further includes a first spiral conductor;
The second conductor layer further includes a second spiral conductor magnetically coupled to the first spiral conductor;
The electronic component according to claim 5, wherein a minimum width of each of the first to third conductor patterns is wider than a width of the first and second spiral conductors.
前記第1及び第3の導体パターンの各々の最小幅は、前記第1及び第2のスパイラル導体の線幅の1.5倍以上4倍以下である、請求項6に記載の電子部品。   The electronic component according to claim 6, wherein a minimum width of each of the first and third conductor patterns is 1.5 to 4 times a line width of the first and second spiral conductors. 前記第1及び第2のスパイラル導体の各々の断面のアスペクト比は1以上である、請求項6又は7に記載の電子部品。   The electronic component according to claim 6 or 7, wherein an aspect ratio of a cross section of each of the first and second spiral conductors is 1 or more. 前記第1のスパイラル導体の外周端に接続された第1の端子電極と、
前記第2のスパイラル導体の外周端に接続された第2の端子電極とをさらに備え、
前記第1及び第2の端子電極の各々は、前記第1乃至第3導体パターンを有し、
前記第1のスパイラル導体の外周端は、前記第1の端子電極を構成する前記第1の導体パターンに接続されており、
前記第2のスパイラル導体の外周端は、前記第2の端子電極を構成する前記第2の導体パターンに接続されている、請求項6乃至8のいずれか一項に記載の電子部品。
A first terminal electrode connected to an outer peripheral end of the first spiral conductor;
A second terminal electrode connected to an outer peripheral end of the second spiral conductor;
Each of the first and second terminal electrodes has the first to third conductor patterns,
An outer peripheral end of the first spiral conductor is connected to the first conductor pattern constituting the first terminal electrode;
The electronic component according to any one of claims 6 to 8, wherein an outer peripheral end of the second spiral conductor is connected to the second conductor pattern constituting the second terminal electrode.
前記第1のスパイラル導体の内周端に接続された第1のコンタクトホール導体と、
前記第2のスパイラル導体の内周端に接続された第2のコンタクトホール導体とをさらに備え、
前記第1のコンタクトホール導体は、前記第1乃至第3の導体パターンを有し、
前記第2のコンタクトホール導体は、前記第2及び第3の導体パターンを有し、
前記第1のスパイラル導体の内周端は、前記第1のコンタクトホール導体を構成する前記第1の導体パターンに接続されており、
前記第2のスパイラル導体の内周端は、前記第2のコンタクトホール導体を構成する前記第2の導体パターンに接続されている、請求項9に記載の電子部品。
A first contact hole conductor connected to an inner peripheral end of the first spiral conductor;
A second contact hole conductor connected to an inner peripheral end of the second spiral conductor,
The first contact hole conductor has the first to third conductor patterns,
The second contact hole conductor has the second and third conductor patterns,
An inner peripheral end of the first spiral conductor is connected to the first conductor pattern constituting the first contact hole conductor;
10. The electronic component according to claim 9, wherein an inner peripheral end of the second spiral conductor is connected to the second conductor pattern constituting the second contact hole conductor.
前記第3の導体層は第1及び第2の引き出し導体をさらに含み、
前記第1の引き出し導体の一端は、前記第1のコンタクトホール導体を構成する前記第3の導体パターンに接続されており、
前記第2の引き出し導体の一端は、前記第2のコンタクトホール導体を構成する前記第3の導体パターンに接続されている、請求項10に記載の電子部品。
The third conductor layer further includes first and second lead conductors;
One end of the first lead conductor is connected to the third conductor pattern constituting the first contact hole conductor,
11. The electronic component according to claim 10, wherein one end of the second lead conductor is connected to the third conductor pattern constituting the second contact hole conductor.
前記第1の引き出し導体の他端に接続された第3の端子電極と、
前記第2の引き出し導体の他端に接続された第4の端子電極とをさらに備え、
前記第3及び第4の端子電極の各々は、前記第1乃至第3導体パターンを有し、
前記第1の引き出し導体の他端は、前記第3の端子電極を構成する前記第3の導体パターンに接続されており、
前記第2の引き出し導体の他端は、前記第4の端子電極を構成する前記第3の導体パターンに接続されている、請求項11に記載の電子部品。
A third terminal electrode connected to the other end of the first lead conductor;
A fourth terminal electrode connected to the other end of the second lead conductor,
Each of the third and fourth terminal electrodes has the first to third conductor patterns,
The other end of the first lead conductor is connected to the third conductor pattern constituting the third terminal electrode;
12. The electronic component according to claim 11, wherein the other end of the second lead conductor is connected to the third conductor pattern constituting the fourth terminal electrode.
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