JP2002134321A - High-frequency coil and its manufacturing method - Google Patents
High-frequency coil and its manufacturing methodInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、コイル導体層と絶
縁層とを交互に積層してなる高周波コイルに係り、とく
に高いSRF(自己共振周波数)を示し、高周波領域で
高いQを示すとともに、基板へのコイル実装方向による
特性変動の低減を図り得るチップコイルタイプの高周波
コイルに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency coil in which coil conductor layers and insulating layers are alternately laminated, and shows a particularly high SRF (self-resonant frequency) and a high Q in a high-frequency region. The present invention relates to a chip coil type high-frequency coil capable of reducing variation in characteristics depending on a mounting direction of a coil on a substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、特開平11−26241号公報に
あるようにセラミック積層工法によりコイル導体をヘリ
カル状に形成し、このコイル導体への通電により生じる
積層体の磁束方向の両端部に端子電極を形成したものが
ある。この構成でチップコイルを作成すると、チップの
実装方向によるインダクタンス値の変動がなくなり、ま
た実装基板とコイル導体との浮遊容量が減少するため
に、実装時のSRFが上昇することが知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, as disclosed in JP-A-11-26241, a coil conductor is formed in a helical shape by a ceramic laminating method, and terminal electrodes are provided at both ends in a magnetic flux direction of the laminate generated by energizing the coil conductor. Is formed. It is known that, when a chip coil is formed with this configuration, the inductance value does not fluctuate depending on the mounting direction of the chip, and the stray capacitance between the mounting substrate and the coil conductor decreases, so that the SRF during mounting increases. .
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来構
成であると、以下の課題がある。However, the above-mentioned conventional configuration has the following problems.
【0004】 セラミック積層工法を用いているの
で、焼成温度が高く、導体層表面及び内部にボイドが多
数形成され、表面の凹凸が大きくなり、高周波での実効
抵抗が上がりQが低下する。Since the ceramic laminating method is used, the firing temperature is high, a large number of voids are formed on the surface and inside of the conductor layer, the surface irregularities increase, the effective resistance at high frequencies increases, and Q decreases.
【0005】 コイル導体が焼結体の為に、粒界抵抗
が大きく、実効抵抗が上がり、Qが低下する。Since the coil conductor is a sintered body, the grain boundary resistance is large, the effective resistance is increased, and the Q is reduced.
【0006】 絶縁層のセラミックの比誘電率が高い
ために(比誘電率ε=4.3)、同じセラミック積層工
法で作成した「コイル導体への通電により生じる磁束方
向と垂直な方向の積層体両端部に端子電極を形成する」
タイプのコイルと比較すると、実装基板への取付時のS
RFは大きいが、いまだSRFに上昇の余地がある。[0006] Because the relative dielectric constant of the ceramic of the insulating layer is high (the relative dielectric constant ε = 4.3), the “layered structure formed by the same ceramic lamination method in the direction perpendicular to the direction of the magnetic flux generated by energizing the coil conductor” Form terminal electrodes on both ends "
Compared with the type coil, S
Although the RF is large, there is still room for improvement in the SRF.
【0007】本発明は、上記の点に鑑み、高いSRF
(自己共振周波数)を示し、高周波領域で高いQを示す
とともに、基板へのコイル実装方向による特性変動の低
減を図ることが可能な高周波コイル及びその製造方法を
提供することを目的とする。[0007] In view of the above, the present invention provides a high SRF.
It is an object of the present invention to provide a high-frequency coil which shows (self-resonant frequency), shows a high Q in a high-frequency region, and is capable of reducing a characteristic variation due to a mounting direction of the coil on a substrate, and a method of manufacturing the same.
【0008】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。[0008] Other objects and novel features of the present invention will be clarified in embodiments described later.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項1の発明は、コイル導体層と絶縁層とを
交互に積層してなる高周波コイルにおいて、前記絶縁層
が有機材料により構成されており、前記コイル導体層か
らなるコイル導体への通電によって生じる磁束方向の両
端部に端子電極を形成したことを特徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a high-frequency coil in which a coil conductor layer and an insulating layer are alternately laminated, wherein the insulating layer is made of an organic material. It is characterized in that terminal electrodes are formed at both ends in the direction of magnetic flux generated by energization of the coil conductor composed of the coil conductor layer.
【0010】本願請求項2の発明に係る高周波コイル
は、請求項1において、前記コイル導体がヘリカル巻き
であることを特徴としている。A high-frequency coil according to a second aspect of the present invention is characterized in that, in the first aspect, the coil conductor has a helical winding.
【0011】本願請求項3の発明に係る高周波コイル
は、請求項1又は2において、前記絶縁層の比誘電率が
4以下であることを特徴としている。A high frequency coil according to a third aspect of the present invention is characterized in that, in the first or second aspect, the relative permittivity of the insulating layer is 4 or less.
【0012】本願請求項4の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2又は3において、前記絶縁層のQが1
00以上であることを特徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, in the high frequency coil according to the first, second or third aspect, Q of the insulating layer is 1
It is characterized by being at least 00.
【0013】本願請求項5の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2,3又は4において、前記絶縁層がビ
ニルベンジルであることを特徴としている。According to a fifth aspect of the present invention, in the high frequency coil according to the first, second, third or fourth aspect, the insulating layer is made of vinylbenzyl.
【0014】本願請求項6の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2,3,4又は5において、前記絶縁層
が可撓性を有するものであることを特徴としている。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a high-frequency coil according to the first, second, third, fourth, or fifth aspect, wherein the insulating layer has flexibility.
【0015】本願請求項7の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2,3,4,5又は6において、前記コ
イル導体層が銅であることを特徴としている。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a high-frequency coil according to the first, second, third, fourth, fifth or sixth aspect, wherein the coil conductor layer is made of copper.
【0016】本願請求項8の発明に係る高周波コイル
は、請求項1,2,3,4,5,6又は7において、前
記コイル導体層のアスペクト比が0.3以上であること
を特徴としている。The high frequency coil according to the invention of claim 8 is characterized in that in claim 1, 2, 3, 4, 5, 6 or 7, the aspect ratio of the coil conductor layer is 0.3 or more. I have.
【0017】本願請求項9の発明は、コイル導体層と有
機材料の絶縁層とを交互に積層してなり、前記コイル導
体層からなるコイル導体への通電によって生じる磁束方
向の両端部に端子電極を形成する高周波コイルの製造方
法であって、前記コイル導体層を作製する工程が、(1)
5μm以下のめっき用下地導体層を少なくとも基板の
片面の全てに形成する下地形成工程と、(2) 感光性レ
ジストを前記下地導体層の上に設けるレジスト形成工程
と、(3) フォトリソグラフィー法により前記レジスト
の導体パターン部分を除去するパターニング工程と、
(4) 電解めっきにより、前記レジストの除去された導
体パターン部分に主導体層を形成する電解めっき工程
と、(5) 前記感光性レジストを除去するレジスト除去
工程と、(6) エッチングにより前記下地導体層の不要
部分を除去する下地除去工程とを有することを特徴とし
ている。According to a ninth aspect of the present invention, a coil conductor layer and an insulating layer made of an organic material are alternately laminated, and terminal electrodes are provided at both ends in a magnetic flux direction generated by energization of the coil conductor composed of the coil conductor layer. Is a method of manufacturing a high-frequency coil, wherein the step of manufacturing the coil conductor layer comprises:
A base forming step of forming a base conductor layer for plating of 5 μm or less on at least one side of the substrate, (2) a resist forming step of providing a photosensitive resist on the base conductor layer, and (3) a photolithography method. A patterning step of removing the conductor pattern portion of the resist,
(4) an electrolytic plating step of forming a main conductor layer on the conductor pattern portion where the resist has been removed by electrolytic plating; (5) a resist removing step of removing the photosensitive resist; and (6) an etching of the base by etching. And a base removing step of removing an unnecessary portion of the conductor layer.
【0018】本願請求項10の発明に係る高周波コイル
の製造方法は、請求項9において、前記めっき用下地導
体層の少なくとも第1層を無電解めっきで形成すること
を特徴としている。In a tenth aspect of the present invention, the method for manufacturing a high-frequency coil according to the ninth aspect is characterized in that at least the first layer of the underlying conductor layer for plating is formed by electroless plating.
【0019】本願請求項11の発明に係る高周波コイル
の製造方法は、請求項10において、電解めっきが銅め
っきであることを特徴としている。The method of manufacturing a high-frequency coil according to claim 11 of the present invention is characterized in that, in claim 10, the electrolytic plating is copper plating.
【0020】本願請求項12の発明に係る高周波コイル
の製造方法は、請求項9,10又は11において、前記
感光性レジストがドライフィルムであることを特徴とし
ている。According to a twelfth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a high-frequency coil, the photosensitive resist is a dry film according to the ninth, tenth, or eleventh aspect.
【0021】本願請求項13の発明に係る高周波コイル
の製造方法は、請求項9,10,11又は12におい
て、前記感光性レジストの露光を平行露光機で行うこと
を特徴としている。The method of manufacturing a high-frequency coil according to claim 13 of the present invention is characterized in that, in claim 9, 10, 11, or 12, the exposure of the photosensitive resist is performed by a parallel exposure machine.
【0022】本願請求項14の発明に係る高周波コイル
の製造方法は、請求項9,10,11,12又は13に
おいて、前記電解めっきが光沢めっきであることを特徴
としている。The method of manufacturing a high-frequency coil according to the invention of claim 14 of the present application is characterized in that in claim 9, 10, 11, 12, or 13, the electrolytic plating is bright plating.
【0023】本願請求項15の発明に係る高周波コイル
の製造方法は、請求項9,10,11,12,13又は
14において、前記電解めっきが銅めっきであることを
特徴としている。The method of manufacturing a high-frequency coil according to claim 15 of the present invention is characterized in that, in claim 9, 10, 11, 12, 13, or 14, the electrolytic plating is copper plating.
【0024】本願請求項16の発明に係る高周波コイル
の製造方法は、請求項9,10,11,12,13,1
4又は15において、前記エッチングがウエットエッチ
ングであることを特徴としている。The method of manufacturing a high-frequency coil according to the invention of claim 16 of the present application is the method of claim 9, 10, 11, 12, 13, 13.
In 4 or 15, the etching is wet etching.
【0025】本願請求項17の発明に係る高周波コイル
の製造方法は、請求項9,10,11,12,13,1
4,15又は16において、前記下地導体層と前記主導
体層の金属種を選択エッチング可能な組み合わせにし
て、前記下地除去工程で下地導体層のみをエッチングす
るエッチング液で処理することを特徴としている。The method of manufacturing a high-frequency coil according to the invention of claim 17 of the present application is the method of claim 9, 10, 11, 12, 13, 13.
In 4, 15 or 16, the metal species of the base conductor layer and the main conductor layer are selectively combined in a combination capable of being etched, and the underlayer removal step is treated with an etching solution for etching only the base conductor layer. .
【0026】本願請求項18の発明に係る高周波コイル
の製造方法は、請求項9,10,11,12,13,1
4,15,16又は17において、前記電解めっきで形
成した主導体層表面の凹凸が5μm以内であることを特
徴としている。The method for manufacturing a high-frequency coil according to the invention of claim 18 of the present application is the method of claim 9, 10, 11, 12, 13, 13.
4, 15, 16 or 17, wherein the unevenness of the surface of the main conductor layer formed by the electrolytic plating is within 5 μm.
【0027】本願請求項19の発明に係る高周波コイル
の製造方法は、請求項9,10,11,12,13,1
4,15,16,17又は18において、前記コイル導
体層の上に前記有機材料の絶縁層を介してコイル導体層
を積層する場合に、前記絶縁層にレーザー加工でビアホ
ールを形成することを特徴としている。The method of manufacturing a high-frequency coil according to the invention of claim 19 of the present application is directed to claims 9, 10, 11, 12, 13, 1
In 4, 15, 16, 17, or 18, when a coil conductor layer is laminated on the coil conductor layer via an insulating layer of the organic material, a via hole is formed in the insulating layer by laser processing. And
【0028】本願請求項20の発明に係る高周波コイル
の製造方法は、請求項9,10,11,12,13,1
4,15,16,17又は18において、前記コイル導
体層の上に前記有機材料の絶縁層を介してコイル導体層
を積層する場合に、前記絶縁層として感光性のものを用
いてフォトリソグラフィー法でビアホールを形成するこ
とを特徴としている。The method for manufacturing a high-frequency coil according to the invention of claim 20 of the present application is the method of claim 9, 10, 11, 12, 13, 13.
In 4,15,16,17 or 18, when the coil conductor layer is laminated on the coil conductor layer via the insulating layer of the organic material, a photolithography method using a photosensitive insulating layer is used. Is characterized by forming a via hole.
【0029】[0029]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高周波コイル
及びその製造方法の実施の形態を図面に従って説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a high-frequency coil according to the present invention and a method of manufacturing the same will be described below with reference to the drawings.
【0030】図1乃至図3で本発明に係る高周波コイル
及びその製造方法の実施の形態について説明する。図1
(A)は有機絶縁基板10を、同図(B)はその基板1
0の片面上に形成された第1コイル導体層11を、同図
(C)はその上に積層形成された層間絶縁層としての第
1有機絶縁層12を、同図(D)はその上に形成された
第2コイル導体層13を、同図(E)はその上に積層形
成された層間絶縁層としての第2有機絶縁層14を、同
図(F)はその上に形成された第3コイル導体層15
を、同図(G)はその上に積層形成された層間絶縁層と
しての第3有機絶縁層16を、同図(H)はその上に形
成された第4コイル導体層17を、同図(I)はその上
に積層形成された層間絶縁層としての第4有機絶縁層1
8を、同図(J)はその上に形成された第5コイル導体
層19を、同図(K)はその上に積層形成された第5有
機絶縁層20をそれぞれ示す。An embodiment of a high-frequency coil and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
(A) shows an organic insulating substrate 10 and FIG.
0, a first coil conductor layer 11 formed on one side of FIG. 1, a first organic insulating layer 12 as an interlayer insulating layer laminated thereon is shown in FIG. (E) shows a second organic insulating layer 14 as an interlayer insulating layer laminated thereon, and FIG. (F) shows a second coil conductor layer 13 formed thereon. Third coil conductor layer 15
FIG. 2G shows a third organic insulating layer 16 as an interlayer insulating layer laminated thereon, and FIG. 2H shows a fourth coil conductor layer 17 formed thereon. (I) is a fourth organic insulating layer 1 as an interlayer insulating layer laminated thereon.
8, (J) shows a fifth coil conductor layer 19 formed thereon, and (K) shows a fifth organic insulating layer 20 laminated thereon.
【0031】第1乃至第5コイル導体層11,13,1
5,17,19は第1乃至第4有機絶縁層12,14,
16,18のビアホール21を介して相互に接続され、
全体としてヘリカル巻き(ヘリカルパターン)のコイル
導体30を構成している。The first to fifth coil conductor layers 11, 13, 1
5, 17, and 19 are first to fourth organic insulating layers 12, 14,.
Are connected to each other through via holes 16 and 18;
As a whole, the coil conductor 30 has a helical winding (helical pattern).
【0032】また、図1(A)の有機絶縁基板10には
導電性ペースト(導電性接着剤のように常温で硬化する
もの)で埋められたスルーホール22が設けられ、これ
を介して図2のように有機絶縁基板10の外側面に形成
された端子電極23と前記コイル導体30の一端とが接
続される。また、図1(K)の最外層の有機絶縁層20
にはビアホール24が形成され、これを介して図2のよ
うに有機絶縁層20の外側面に形成された端子電極25
と前記コイル導体30の他端とが接続される。In addition, the organic insulating substrate 10 shown in FIG. 1A is provided with a through-hole 22 filled with a conductive paste (a material that cures at room temperature, such as a conductive adhesive). 2, the terminal electrode 23 formed on the outer surface of the organic insulating substrate 10 and one end of the coil conductor 30 are connected. The outermost organic insulating layer 20 shown in FIG.
A via hole 24 is formed through the terminal electrode 25 formed on the outer surface of the organic insulating layer 20 as shown in FIG.
And the other end of the coil conductor 30 are connected.
【0033】図2から判るように、コイル導体30はい
わゆる縦巻のヘリカルパターンであり、そのコイル導体
30と両端の端子23,25との位置関係は、第1乃至
第5コイル導体層11,13,15,17,19からな
るコイル導体30への通電によって生じる磁束方向の両
端部に端子電極23,25を配置したものとなってい
る。As can be seen from FIG. 2, the coil conductor 30 is a so-called vertically wound helical pattern, and the positional relationship between the coil conductor 30 and the terminals 23 and 25 at both ends is determined by the first to fifth coil conductor layers 11 and Terminal electrodes 23 and 25 are arranged at both ends in the direction of magnetic flux generated by energization of a coil conductor 30 composed of 13, 15, 17, and 19.
【0034】前記有機絶縁基板10及び各有機絶縁層1
2,14,16,18の比誘電率は4以下であり、各コ
イル導体層11,13,15,17,19は膜厚15μ
m以上でアスペクト比が0.3以上となっている。有機
材料を用いて絶縁基板及び絶縁層の比誘電率を下げるこ
とで、導体層を設けた際の浮遊容量の発生を少なくする
ことができる。比誘電率が4を超える場合、浮遊容量の
発生が顕著になり、有機材料を用いる意義が薄れる。ま
た、アスペクト比を上げることにより、導体層の渦電流
損失を増やすことなく高周波での電流路の断面積を増加
することができる。膜厚15μm未満でアスペクト比が
0.3未満では、電流路の断面積の増加はわずかにとど
まる。The organic insulating substrate 10 and each organic insulating layer 1
The relative permittivity of 2, 14, 16, 18 is 4 or less, and each of the coil conductor layers 11, 13, 15, 17, 19 has a film thickness of 15 μm.
m and the aspect ratio is 0.3 or more. By lowering the relative permittivity of the insulating substrate and the insulating layer using an organic material, the occurrence of stray capacitance when a conductor layer is provided can be reduced. When the relative dielectric constant exceeds 4, the occurrence of stray capacitance becomes remarkable, and the significance of using an organic material is diminished. In addition, by increasing the aspect ratio, the cross-sectional area of the high-frequency current path can be increased without increasing the eddy current loss of the conductor layer. When the thickness is less than 15 μm and the aspect ratio is less than 0.3, the increase in the cross-sectional area of the current path is only slight.
【0035】第1乃至第5コイル導体層11,13,1
5,17,19の作製は、パターンめっき法によって行
っている。このパターンめっき法の場合を以下に説明す
る。The first to fifth coil conductor layers 11, 13, 1
5, 17, and 19 are manufactured by a pattern plating method. The case of this pattern plating method will be described below.
【0036】図3の第1工程(下地形成工程)におい
て、有機絶縁基板10の表面を粗化した後、片面の全て
に厚さ5μm以下のめっき用下地導体層41を形成す
る。なお、下地導体層41が5μmを超えると後工程で
不要な下地導体層41を除去するエッチングに時間がか
かり、かつ下地導体層41上に設ける主導体層もエッチ
ングされるおそれが出てくるため、好ましくない。In the first step (base formation step) in FIG. 3, after the surface of the organic insulating substrate 10 is roughened, a base conductor layer 41 for plating having a thickness of 5 μm or less is formed on one side. If the thickness of the underlying conductor layer 41 exceeds 5 μm, it takes a long time to perform etching for removing the unnecessary underlying conductor layer 41 in a later step, and the main conductor layer provided on the underlying conductor layer 41 may be etched. Is not preferred.
【0037】前記下地導体層41の形成方法は、スパッ
タリング、蒸着、イオンプレーティング等の薄膜工法、
無電解めっき又は無電解めっきした上に電解めっきを施
す等のウエット工法及びこれらの組み合わせとする。組
み合わせの一例を挙げると、0.1μmのTi膜をスパ
ッタリング法で形成した後で、電解銅めっきで2μm厚
付けする等の方法である。この中でも無電解めっきもし
くはこの上に電解めっきで厚付けする方法は量産性が良
く、またスケールアップも容易なので好ましい。The method for forming the base conductor layer 41 is a thin film method such as sputtering, vapor deposition, or ion plating;
A wet method such as electroless plating or electroless plating followed by electroless plating, or a combination thereof. An example of the combination is a method in which a 0.1 μm Ti film is formed by a sputtering method and then a 2 μm thick film is formed by electrolytic copper plating. Among them, the method of electroless plating or the method of thickening by electroplating on this is preferable because of good mass productivity and easy scale-up.
【0038】金属の種類は比抵抗が低くて、安価なもの
が好ましい。銅は比抵抗とコストのバランスのとれた好
ましい材料である。また、無電解銅めっきで容易に、量
産性良く成膜出来る。The type of metal is preferably low in specific resistance and inexpensive. Copper is a preferred material with a good balance between resistivity and cost. Also, a film can be easily formed by electroless copper plating with good mass productivity.
【0039】次に第2工程(レジスト形成工程)におい
て、下地導体層41の上に感光性レジストとしての光硬
化性ドライフィルム42をラミネーターで貼り付ける。
ここで、ドライフィルム42の厚みは後工程で形成する
主導体層の厚さの80%以上とすることが好ましく、例
えばドライフィルム42の厚みは80μmとする。Next, in a second step (resist forming step), a photocurable dry film 42 as a photosensitive resist is stuck on the underlying conductor layer 41 with a laminator.
Here, the thickness of the dry film 42 is preferably 80% or more of the thickness of the main conductor layer formed in a later step. For example, the thickness of the dry film 42 is 80 μm.
【0040】第3工程(パターニング工程)では、ドラ
イフィルム42に対してフォトリソグラフィーの手法を
用いて平行露光機で露光、現像し、図1(B)の第1コ
イル導体層のパターンを作製する。ここで図中の斜線の
部分がドライフィルム42を除去した溝部43となる。
導体パターンの幅は60μmである。なお、平行露光機
とするのは、これが平行光線をドライフィルム42に垂
直に照射でき、散乱光による場合に比べ細幅で側面が垂
直に近い溝をパターニングできるからである。In the third step (patterning step), the dry film 42 is exposed and developed by a parallel exposure machine using a photolithography technique to form a pattern of the first coil conductor layer shown in FIG. 1B. . Here, the hatched portion in the figure becomes the groove 43 from which the dry film 42 has been removed.
The width of the conductor pattern is 60 μm. The parallel exposure machine is used because it can irradiate a parallel light beam perpendicularly to the dry film 42, and can pattern a groove having a narrow width and a side surface almost vertical as compared with the case of scattered light.
【0041】第4工程(電解めっき工程)では、ドライ
フィルム42の溝部43に電解めっきとしての光沢硫酸
銅めっきで厚さ80μmの主導体層44を形成する。こ
こで光沢めっきとするのは、導体層44表面を鏡面状に
して凹凸を少なくするためである。なお、導体層44は
溝部43の深さよりも肉厚が多少大きくなるようにめっ
き処理してもよい。In the fourth step (electrolytic plating step), a 80 μm thick main conductor layer 44 is formed in the groove 43 of the dry film 42 by bright copper sulfate plating as electrolytic plating. Here, the reason why the bright plating is used is to make the surface of the conductor layer 44 a mirror-like surface and reduce irregularities. The conductive layer 44 may be plated so that the thickness thereof is slightly larger than the depth of the groove 43.
【0042】第5工程(レジスト除去工程)ではドライ
フィルム42を剥離、除去し、下地導体層41を露出さ
せる。In the fifth step (resist removing step), the dry film 42 is peeled off and removed, so that the underlying conductor layer 41 is exposed.
【0043】第6工程(下地除去工程)では、全体をウ
ェットエッチングでエッチング処理して下地導体層41
の不要部分を除去する。In the sixth step (underlying layer removing step), the whole is subjected to an etching process by wet etching to form the underlying conductor layer 41.
To remove unnecessary parts.
【0044】上記第1乃至第6工程により、図1(B)
のように有機絶縁基板10上に第1コイル導体層11が
形成されることになる。また、この工法により第1コイ
ル導体層11のアスペクト比を0.3以上(さらに好ま
しくは0.4以上)にすることができる。By the above first to sixth steps, FIG.
As described above, the first coil conductor layer 11 is formed on the organic insulating substrate 10. Further, the aspect ratio of the first coil conductor layer 11 can be made 0.3 or more (more preferably, 0.4 or more) by this method.
【0045】第7工程(層間絶縁層形成工程)では感光
性絶縁樹脂を第1導体層11上で30μmの厚さに塗布
して層間絶縁層としての第1有機絶縁層12とする。In a seventh step (interlayer insulating layer forming step), a photosensitive insulating resin is applied on the first conductor layer 11 to a thickness of 30 μm to form a first organic insulating layer 12 as an interlayer insulating layer.
【0046】第8工程(ビアホール形成工程)では、第
1有機絶縁層12に対してフォトリソグラフィー法で露
光、現像処理して図1(C)の斜線の位置にビアホール
21を作製する。ビアホールの直径は約50μmであ
る。In the eighth step (via hole forming step), the first organic insulating layer 12 is exposed and developed by photolithography to form a via hole 21 at the hatched position in FIG. 1C. The diameter of the via hole is about 50 μm.
【0047】なお、ビアホールをすり鉢状断面を有する
ように形成してもよい。すり鉢状断面とすることで、接
続の信頼性をいっそう向上させることができる。The via hole may be formed to have a mortar-shaped cross section. With the mortar-shaped cross section, the reliability of the connection can be further improved.
【0048】その後は、第1乃至第6工程と同様の工程
を繰り返す。つまり、第9工程(下地形成工程)では、
第1有機絶縁層12の表面を粗化した後に5μm以下の
めっき用下地導体層51を銅の無電解めっき等で形成す
る。なお、下地導体層51が5μmを超えると後工程で
不要な下地導体層51を除去するエッチングに時間がか
かり、かつ下地導体層51上に設ける主導体層もエッチ
ングされるおそれが出てくるため、好ましくない。Thereafter, the same steps as the first to sixth steps are repeated. That is, in the ninth step (base formation step),
After the surface of the first organic insulating layer 12 is roughened, a plating base conductor layer 51 of 5 μm or less is formed by electroless plating of copper or the like. If the thickness of the underlying conductor layer 51 exceeds 5 μm, it takes time to remove unnecessary underconductor layer 51 in a later step, and the main conductor layer provided on the underlying conductor layer 51 may be etched. Is not preferred.
【0049】次に第10工程(レジスト形成工程)にお
いて、下地導体層51の上に感光性レジストとしての光
硬化性ドライフィルム52をラミネーターで貼り付け
る。ここで、ドライフィルム52の厚みは後工程で形成
する主導体層の厚さの80%以上とすることが好まし
く、例えばドライフィルム52の厚みは80μmとす
る。Next, in a tenth step (resist forming step), a photocurable dry film 52 as a photosensitive resist is stuck on the underlying conductor layer 51 with a laminator. Here, the thickness of the dry film 52 is preferably 80% or more of the thickness of the main conductor layer formed in a later step. For example, the thickness of the dry film 52 is 80 μm.
【0050】第11工程(パターニング工程)では、ド
ライフィルム52に対してフォトリソグラフィーの手法
を用いて平行露光機で露光、現像し、図1(D)の第2
コイル導体パターンを作製する。ここで図中の斜線の部
分がドライフィルム52を除去した溝部53となる。導
体パターンの幅は60μmである。In the eleventh step (patterning step), the dry film 52 is exposed and developed by a parallel exposure machine using a photolithography technique, and the second film shown in FIG.
A coil conductor pattern is produced. Here, the hatched portions in the figure become the groove portions 53 from which the dry film 52 has been removed. The width of the conductor pattern is 60 μm.
【0051】第12工程(電解めっき工程)では、ドラ
イフィルム52の溝部53に電解めっきとしての光沢硫
酸銅めっきで厚さ80μmの主導体層54を形成する。
ここで光沢めっきとするのは、主導体層54表面を鏡面
状にして凹凸を少なくするためである。なお、主導体層
54は溝部53の深さよりも肉厚が多少大きくなるよう
にめっき処理してもよい。In the twelfth step (electrolytic plating step), an 80 μm thick main conductor layer 54 is formed in the groove 53 of the dry film 52 by bright copper sulfate plating as electrolytic plating.
Here, the reason why the bright plating is used is to make the surface of the main conductor layer 54 mirror-like and reduce irregularities. Note that the main conductor layer 54 may be plated so that the thickness thereof is slightly larger than the depth of the groove 53.
【0052】第13工程(レジスト除去工程)ではドラ
イフィルム52を剥離、除去し、下地導体層51を露出
させる。In a thirteenth step (resist removing step), the dry film 52 is peeled off and removed, so that the underlying conductor layer 51 is exposed.
【0053】第14工程(下地除去工程)では、全体を
ウェットエッチングでエッチング処理して下地導体層5
1の不要部分を除去する。In a fourteenth step (underlying removal step), the entire surface is subjected to an etching process by wet etching to form an underlying conductor layer 5.
1. Remove unnecessary portions.
【0054】上記第9乃至第14工程により、図1
(D)のように第1有機絶縁層12上に第2コイル導体
層13が形成されることになる。また、この工法により
第2コイル導体層13のアスペクト比を0.3以上(さ
らに好ましくは0.4以上)にすることができる。By the above ninth to fourteenth steps, FIG.
As shown in (D), the second coil conductor layer 13 is formed on the first organic insulating layer 12. Further, by this method, the aspect ratio of the second coil conductor layer 13 can be made 0.3 or more (more preferably, 0.4 or more).
【0055】そして、以上の第7乃至第14工程を繰り
返し実行することで、第2乃至第4有機絶縁層14,1
6,18及び第3乃至第5コイル導体層15,17,1
9を順次積層形成し、最後に第5コイル導体層19を覆
う第5有機絶縁層20を形成する。By repeating the above seventh to fourteenth steps, the second to fourth organic insulating layers 14 and 1 are formed.
6, 18 and third to fifth coil conductor layers 15, 17, 1
9 are sequentially laminated, and finally a fifth organic insulating layer 20 covering the fifth coil conductor layer 19 is formed.
【0056】なお、有機絶縁基板10に直径100μm
のスルーホール22を開けて導電性ペーストを設けてお
き、第5有機絶縁層20には直径100μmのビアホー
ル24を開けておき、その後で有機絶縁基板10及び第
5有機絶縁層20の外側面に無電解銅めっき膜を形成
し、これを下地膜として硫酸銅めっきで厚さ18μmの
銅層を形成して図2の如くそれぞれ端子電極23,25
とする。The organic insulating substrate 10 has a diameter of 100 μm.
The conductive paste is provided by forming a through hole 22 of the above, a via hole 24 having a diameter of 100 μm is formed in the fifth organic insulating layer 20, and then the outer surface of the organic insulating substrate 10 and the fifth organic insulating layer 20 is formed. An electroless copper plating film is formed, and a copper layer having a thickness of 18 μm is formed by copper sulfate plating using the electroless copper plating film as a base film, and as shown in FIG.
And
【0057】このようにして、図2の斜視図のように、
端子電極23,25間に接続された第1乃至第5コイル
導体層11,13,15,17,19からなる縦型ヘリ
カル巻きのコイル導体30を有し、そのコイル導体30
の通電によって生じる磁束方向の両端部に端子電極2
3,25を形成してなる、高SRF、高Q値の高周波コ
イルが得られる。この高周波コイルは実装基板面に対し
てヘリカル巻きのコイル導体30が垂直に配置されるこ
とになるため、基板への装着姿勢による特性変動が少な
い。Thus, as shown in the perspective view of FIG.
A vertical helical winding coil conductor 30 including first to fifth coil conductor layers 11, 13, 15, 17, 19 connected between the terminal electrodes 23, 25;
Terminal electrodes 2
Thus, a high-frequency coil having a high SRF and a high Q value, which is formed by forming 3, 25, can be obtained. In this high-frequency coil, the coil conductor 30 of the helical winding is arranged perpendicularly to the surface of the mounting substrate.
【0058】本実施の形態で述べたように、使用する絶
縁基板10の材質は有機材である。高周波用基板として
無機の硝子質の基板もあるが、特性は良好であるもの
の、割れやすく機械的強度に問題がある。As described in the present embodiment, the material of the insulating substrate 10 to be used is an organic material. Although there is an inorganic vitreous substrate as a high-frequency substrate, it has good characteristics but is liable to be broken and has a problem in mechanical strength.
【0059】前記絶縁基板10、層間絶縁膜となる有機
絶縁層12,14,16,18、及び外側の有機絶縁層
20の材質には浮遊容量を減少させるために誘電率の小
さいものが好ましく、本実施の形態では比誘電率を4以
下とした。また誘電損失を減らす為にQの大きいものが
好ましい。具体的には絶縁基板10及び有機絶縁層1
2,14,16,18,20の比誘電率がそれぞれ4以
下で、Qはそれぞれ100以上が好ましく、さらには2
00以上あることが望ましい。絶縁基板10及び有機絶
縁層12,14,16,18,20の材料は使用周波
数、目標のQ値、コストを考慮して例えば以下の表1よ
り選択すればよい。この中でも、ビニルベンジルは誘電
率、Q、量産性、コストのバランスが良く、好ましい材
料である。The material of the insulating substrate 10, the organic insulating layers 12, 14, 16, and 18 serving as interlayer insulating films, and the outer organic insulating layer 20 are preferably those having a small dielectric constant in order to reduce stray capacitance. In the present embodiment, the relative permittivity is set to 4 or less. Further, a material having a large Q is preferable in order to reduce the dielectric loss. Specifically, the insulating substrate 10 and the organic insulating layer 1
The relative dielectric constants of 2, 14, 16, 18, and 20 are each 4 or less, and Q is preferably 100 or more.
Desirably, it is not less than 00. The material of the insulating substrate 10 and the organic insulating layers 12, 14, 16, 18, and 20 may be selected from, for example, the following Table 1 in consideration of the operating frequency, the target Q value, and the cost. Among them, vinylbenzyl is a preferable material because it has a good balance of dielectric constant, Q, mass productivity, and cost.
【0060】 表1 品種名 比誘電率 Q フッ素樹脂 2.1 10000 ポリエチレン 2.2 5000 PPO 2.5 1200 ビニルベンジル 2.5 260 シアネートエステル 2.7 1000 ポリエーテルイミド 3 670 ポリイミド 3.6 200 エポキシ 4.3 70 BTレジン 2.5 500 ポリオレフィン 2.6 2000 ポリフマレート 2.6 250 ポリアリレート 2.6 220 Table 1 Product name Relative permittivity Q fluororesin 2.1 10,000 Polyethylene 2.2 5000 PPO 2.5 1200 Vinylbenzyl 2.5 260 Cyanate ester 2.7 1000 Polyetherimide 3670 Polyimide 3.6 200 Epoxy 4.3 70 BT Resin 2.5 500 Polyolefin 2.6 2000 Polyfumarate 2.6 250 Polyarylate 2.6 220
【0061】前記有機絶縁基板10及び有機絶縁層1
2,14,16,18,20には、機械的強度の向上の
為に芯材を用いることが出来る。芯材には以下の表2の
ようにDガラスクロス、Eガラスクロス、ケブラークロ
ス等を用いることが出来る。一般的に誘電率の低く、低
損失の材料ほど高価であるが、コストの許す限り、誘電
率の低い材料を使用することが好ましい。The organic insulating substrate 10 and the organic insulating layer 1
For 2, 14, 16, 18, and 20, a core material can be used to improve mechanical strength. As the core material, D glass cloth, E glass cloth, Kevlar cloth and the like can be used as shown in Table 2 below. Generally, a material having a low dielectric constant and a low loss is more expensive, but it is preferable to use a material having a low dielectric constant as far as the cost permits.
【0062】 表2 クロス品種 比誘電率 Dガラスクロス 7.2 Eガラスクロス 4.7 ケブラークロス 2.5 Table 2 Cloth type Relative permittivity D glass cloth 7.2 E glass cloth 4.7 Kevlar cloth 2.5
【0063】また、前記絶縁基板10及び各有機絶縁層
12,14,16,18,20には、有機材料として可
撓性のある樹脂を用いることがいっそう好ましい。コイ
ル導体と樹脂の熱膨張率は大きく異なっており、可撓性
の乏しい樹脂を用いるとヒートサイクル等の信頼性試験
によりクラックが生じる等の不具合が発生する。具体的
に可撓性の尺度を挙げると、樹脂の伸び率が3%以上、
エリクセン値が3mm以上等が挙げられる。Further, it is more preferable to use a flexible resin as an organic material for the insulating substrate 10 and each of the organic insulating layers 12, 14, 16, 18, and 20. The coefficient of thermal expansion between the coil conductor and the resin is significantly different, and if a resin having poor flexibility is used, problems such as cracks are generated in a reliability test such as a heat cycle. To give a specific measure of flexibility, the elongation percentage of the resin is 3% or more,
The Erichsen value is 3 mm or more.
【0064】第1乃至第5コイル導体層11,13,1
5,17,19の材質は比抵抗が低く、加工性及び形成
性が良好であり、しかも安価であることが好ましい。材
料の候補として、銀、銅、アルミ、金等が挙げられる
が、上記の3点を考慮すると銅が最も好ましい。The first to fifth coil conductor layers 11, 13, 1
The materials 5, 17, and 19 preferably have low specific resistance, good workability and formability, and are inexpensive. Silver, copper, aluminum, gold and the like can be cited as material candidates, but copper is most preferable in consideration of the above three points.
【0065】また、各コイル導体層11,13,15,
17,19はできるだけハイアスペクトであることが好
ましい。こうすることによって基板の床面積を増やすこ
となく、高周波での電流路の断面積を増加させることが
出来る。高周波領域では電流は表皮効果の為に導体の表
面のみを流れ、その厚さは銅のとき例えば1GHzでは
約2μmにすぎない。電流路の断面積を増加させ導体損
失を減らそうとすると、コイル導体層の導体幅を増やす
か、コイル導体層の高さを増やすかになるが、前者の方
法では基板の床面積が大きくなる。後者の方法によると
基板の床面積を増やすことなく導体損失を減じることが
出来る。Further, each of the coil conductor layers 11, 13, 15,
17 and 19 are preferably as high as possible. In this way, the cross-sectional area of the high-frequency current path can be increased without increasing the floor area of the substrate. In the high frequency region, the current flows only on the surface of the conductor due to the skin effect, and its thickness is only about 2 μm at 1 GHz for copper, for example. To reduce the conductor loss by increasing the cross-sectional area of the current path, the conductor width of the coil conductor layer or the height of the coil conductor layer must be increased, but the former method increases the floor area of the substrate. . According to the latter method, conductor loss can be reduced without increasing the floor area of the substrate.
【0066】これらの点を考慮すると、導体層のアスペ
クト比は0.3以上は必要であり、好ましくは0.4以
上、更に好ましくは0.6以上であるとよい。In consideration of these points, the aspect ratio of the conductor layer needs to be 0.3 or more, preferably 0.4 or more, and more preferably 0.6 or more.
【0067】各コイル導体層11,13,15,17,
19の構成方法は図3で説明したパターンめっき法で銅
を形成するのが好ましい。現在多用されているサブトラ
クティブ法では等方的な化学エッチングを利用してお
り、ハイアスペクトパターンを形成するのは難しい。ま
た積層法は高温で焼成する導体表面に絶縁体との融合層
が形成されており表面抵抗が増大し、表面のみに電流の
流れる高周波領域では損失が増大する傾向があるが、め
っき法は低温プロセスなのでこの心配がない。Each of the coil conductor layers 11, 13, 15, 17,
In the method of construction 19, it is preferable to form copper by the pattern plating method described with reference to FIG. The subtractive method, which is frequently used at present, utilizes isotropic chemical etching, and it is difficult to form a high aspect pattern. In the lamination method, a fusion layer with an insulator is formed on the surface of the conductor that is baked at high temperature, and the surface resistance increases, and the loss tends to increase in the high-frequency region where current flows only on the surface. There is no need to worry about this because it is a process.
【0068】また、前記パターンめっき法によると、コ
イル導体層の3面が滑らかになり好ましい。ここで電解
めっきを光沢めっきにすると、表面の凹凸がさらに減少
してさらに好ましい。またコイル導体層11,13,1
5,17,19をハイアスペクトに形成する場合、前記
のサブトラクティブ工法では導体層のアスペクト比は最
大0.2程度が限度であるが、本工法ではアスペクト比
0.3以上とすることができ、例えばアスペクト比1程
度のコイル導体層が容易に形成可能となる。According to the pattern plating method, the three surfaces of the coil conductor layer are preferably smooth. Here, it is more preferable to make the electrolytic plating a bright plating, since the unevenness on the surface is further reduced. Also, the coil conductor layers 11, 13, 1
In the case where 5, 17, and 19 are formed in a high aspect, the aspect ratio of the conductor layer is limited to about 0.2 at the maximum in the subtractive method, but the aspect ratio can be 0.3 or more in the present method. For example, a coil conductor layer having an aspect ratio of about 1 can be easily formed.
【0069】さらに、前記めっき用下地層導体層形成に
無電界めっき工法を採用し、全面のエッチングをウエッ
ト法で行うと量産性が高くなり、好ましい。Further, it is preferable to adopt an electroless plating method for the formation of the conductive layer for the underlayer for plating and to perform an etching on the entire surface by a wet method because mass productivity is enhanced.
【0070】なお、前記めっき用下地導体層の形成は、
スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング等の薄膜
ドライ工法、無電解めっき等の湿式工法があげられる。
このなかでも無電解めっき工法は量産性に優れ好まし
い。この無電解めっきの場合は、下地表面を粗化する必
要があるが、本例では下地が樹脂であるので、研磨等の
物理的手法もしくは、過マンガン酸カリウム等による化
学的手法で容易に粗化でき好ましい。The formation of the base conductor layer for plating is carried out in the following manner.
Examples of the method include a thin film dry method such as sputtering, vapor deposition, and ion plating, and a wet method such as electroless plating.
Among these, the electroless plating method is preferable because of its excellent mass productivity. In the case of this electroless plating, it is necessary to roughen the underlayer surface. However, in this example, since the underlayer is a resin, it can be easily roughened by a physical method such as polishing or a chemical method using potassium permanganate or the like. This is preferable.
【0071】前記全面のエッチングはドライエッチン
グ、ウエットエッチングの両方が可能であるが、後者は
量産性に優れ好ましい。For the etching of the entire surface, both dry etching and wet etching are possible, and the latter is preferable because of its excellent mass productivity.
【0072】前記コイル導体層11,13,15,1
7,19表面の凹凸は使用周波数範囲の上限でのスキン
デプスより小さいことが最も好ましいが、これを越える
値になっても、凹凸を小さくすることにより実効抵抗は
減少し、低損失となる。とくに、コイル導体層11,1
3,15,17,19の少なくとも一面の凹凸が、使用
周波数(例えば1GHz)のスキンデプスの3倍以下で
あることが望ましく、セラミック積層工法との対比を考
えると表面の凹凸は5μm以下であることがとくに好ま
しい。また、導体層表面は4面の全てが滑らかであるこ
とが最も好ましいが、すくなくとも1面の全てが滑らか
であれば損失低減に有効である。The coil conductor layers 11, 13, 15, 1
It is most preferable that the irregularities on the surfaces 7 and 19 are smaller than the skin depth at the upper limit of the operating frequency range. However, even when the irregularities exceed the value, the effective resistance is reduced and the loss is reduced by reducing the irregularities. In particular, the coil conductor layers 11, 1
It is desirable that at least one surface of 3,15,17,19 is not more than three times the skin depth of the operating frequency (for example, 1 GHz), and when compared with the ceramic lamination method, the surface is not more than 5 μm. This is particularly preferred. It is most preferable that all four surfaces of the conductor layer surface are smooth. However, if at least one surface is smooth, it is effective for loss reduction.
【0073】さらに、前記パターンめっき法の場合の製
法上の利点等について述べると、図3の第1工程におけ
るめっき用下地導体層41が基板10の全面にあるので
第4工程の電解めっき時に大きな電流を流すことが出来
めっき時間を短縮出来る。これは特に主導体層44の高
さを高くしてハイアスペクト形状にする場合に有効であ
る。すなわち、主導体層44が厚い場合、めっき電流が
小さいとめっき作業時間が大幅に増加して量産性の悪化
を招く。Further, the advantages in the manufacturing method in the case of the pattern plating method will be described. Since the underlying conductive layer 41 for plating in the first step of FIG. An electric current can flow and the plating time can be shortened. This is particularly effective when the height of the main conductor layer 44 is increased to form a high aspect shape. In other words, when the main conductor layer 44 is thick, if the plating current is small, the plating operation time is greatly increased, and mass productivity is deteriorated.
【0074】なお、最初にめっき下地導体層をパターニ
ングして、電解めっきで厚付けする方法もあるが、この
方法では一般的にめっき線の抵抗が大きくなるのでめっ
き時の電流を上げることが出来ず、またパターンの凸部
は電解が集中してめっきが厚くなり、また凹部はその反
対に薄くなり、パターニング精度が悪化する。It is to be noted that there is also a method of first patterning the conductive layer under the plating and thickening it by electrolytic plating. However, this method generally increases the resistance of the plated wire, so that the current during plating can be increased. In addition, electrolysis concentrates on the convex portions of the pattern, and the plating becomes thicker, and the concave portions become thinner on the contrary, and the patterning accuracy deteriorates.
【0075】第2工程及び第3工程において、パターン
めっき用のめっきパターン形成に感光性レジストを使用
すると、高精度のパターニングが出来て好ましい。また
レジストを厚くすれば、容易にハイアスペクトパターン
を形成する事が出来る。レジストが厚い場合は平行光線
を照射できる平行露光機を用いると樹脂の壁面が垂直に
加工され好ましい。In the second and third steps, it is preferable to use a photosensitive resist for forming a plating pattern for pattern plating, since highly accurate patterning can be performed. If the resist is thickened, a high aspect pattern can be easily formed. When the resist is thick, it is preferable to use a parallel exposure machine capable of irradiating a parallel beam because the wall surface of the resin is processed vertically.
【0076】図3で述べたように、感光性レジストにド
ライフィルム42を用いるとハイアスペクトパターンが
容易に出来るので好ましい。As described with reference to FIG. 3, it is preferable to use the dry film 42 for the photosensitive resist because a high aspect pattern can be easily formed.
【0077】例えば、スピンコート法で液状レジストを
用いてレジスト層を形成する場合を考えると、厚塗りす
る場合はレジストの粘度を上げる必要があるが、この場
合基板周辺のレジストが厚くなり膜厚の精度が出ない。
また溶剤の乾燥も困難である。ドライフィルムの場合は
膜厚は最初から保証されており、また溶剤乾燥の必要も
ない利点がある。For example, considering the case where a resist layer is formed using a liquid resist by a spin coating method, it is necessary to increase the viscosity of the resist in the case of thick coating. Is not accurate.
It is also difficult to dry the solvent. In the case of a dry film, the film thickness is guaranteed from the beginning, and there is an advantage that there is no need to dry the solvent.
【0078】なお、ハイアスペクトパターンを形成する
場合、パネルめっき後レジストパターンを形成して、ド
ライエッチングする方法も考えられる。この場合は高精
度にハイアスペクトパターンが形成可能ではあるが、エ
ッチングのスピードが遅く、工業的に生産可能な膜厚の
上限は10μm程度であり、またそれ以下の膜厚の場合
でも量産性は犠牲になる。In the case of forming a high aspect pattern, a method of forming a resist pattern after panel plating and performing dry etching is also conceivable. In this case, a high aspect pattern can be formed with high precision, but the etching speed is slow, and the upper limit of the film thickness that can be industrially produced is about 10 μm. Sacrificed.
【0079】前記めっき下地導体層41の厚さの上限
は、第6工程でのエッチングのされやすさによって決ま
る。主導体層44と下地導体層41の選択エッチングが
不可能な場合には下地導体層41の厚さは主導体層44
の厚さの1/5が上限である。厚さがこれを越えると、
主導体層44のエッチング量が増えて高周波コイルとし
ての損失が増大し、また主導体層44のパターン精度も
落ちる。The upper limit of the thickness of the plating base conductor layer 41 is determined by the ease of etching in the sixth step. If the main conductor layer 44 and the base conductor layer 41 cannot be selectively etched, the thickness of the base conductor layer 41 is
Is an upper limit. If the thickness exceeds this,
The amount of etching of the main conductor layer 44 increases, the loss as a high-frequency coil increases, and the pattern accuracy of the main conductor layer 44 also decreases.
【0080】主導体層44と下地導体層41の選択エッ
チング可能な場合はこれより厚くてもかまわないが、あ
まり厚いと下地導体層41のサイドエッチングが大きく
なるので、1/3が上限である。If the main conductor layer 44 and the underlying conductor layer 41 can be selectively etched, the thickness may be larger than this. However, if the thickness is too large, side etching of the underlying conductor layer 41 becomes large, so the upper limit is 1/3. .
【0081】第4工程の電解めっき法は膜形成速度が速
く、またスケールアップが容易であるので好ましい製造
手段である。特にハイアスペクト導体を形成する場合は
主導体層44の厚さが場合によっては100μmを越え
るので量産性を確保するのに極めて重要な工法になる。
また光沢めっきを用いると主導体層44の3面の凹凸が
小さくなり好ましい。金属の種類も銅、銀等比抵抗の低
いものがめっき可能である。この中でも銅は安価であ
り、比抵抗も低く、また銀に比べてマイグレーションも
起こしにくいので要求特性のバランスがとれており、好
ましい。The electrolytic plating method of the fourth step is a preferable production means because the film forming speed is high and the scale-up is easy. In particular, when a high aspect conductor is formed, the thickness of the main conductor layer 44 may exceed 100 μm in some cases, so this is an extremely important method for securing mass productivity.
The use of bright plating is preferable because unevenness on the three surfaces of the main conductor layer 44 is reduced. Metals having a low specific resistance such as copper and silver can be plated. Among them, copper is inexpensive, has low specific resistance, and hardly causes migration as compared with silver.
【0082】第6工程でのめっき用下地導体層41エッ
チングはドライエッチング又はウエットエッチングのど
ちらでも可能である。しかし、量産性を考慮すると本実
施の形態で述べたようにウエットエッチングが好まし
い。ウエットエッチングは量産性が良好であり、またス
ケールアップも容易である。The etching of the base conductor layer 41 for plating in the sixth step can be either dry etching or wet etching. However, in consideration of mass productivity, wet etching is preferable as described in this embodiment. Wet etching has good mass productivity and is easy to scale up.
【0083】また、めっき用下地導体層41に主導体層
44と選択エッチング可能な金属を使用することも好ま
しい。こうすれば第6工程中での主導体層44の細りを
防止する事が出来る。組み合わせの例として下地導体層
がチタン、クロムであり、主導体層が銅である場合が挙
げられる。It is also preferable to use a metal which can be selectively etched with the main conductor layer 44 for the base conductor layer 41 for plating. This can prevent the main conductor layer 44 from being thinned during the sixth step. As an example of the combination, there is a case where the base conductor layer is titanium and chromium and the main conductor layer is copper.
【0084】第8工程でのビアホール21の加工には層
間絶縁層としての第1乃至第4有機絶縁層12,14,
16,18に感光性のある場合はフォトリソグラフィー
技術で形成し、そうでない場合はレーザー加工法が好ま
しく用いられる。フォトリソグラフィー法の場合は一度
に多くの穴を開けることが可能であるので、穴数の多い
場合に好ましい。また穴開けの精度はフォトマスクの精
度でほとんど決まるので高い。レーザー加工法で穴開け
をするメリットは樹脂の種類を選ばないことである。ま
た樹脂に感光性を付与すると一般的にQ、誘電率等の特
性値が低下し、また機械的強度も悪化する。レーザー加
工法の場合は自由に樹脂を選択できるので、特性の良好
な有機絶縁層を使用することが可能である。In the processing of the via hole 21 in the eighth step, the first to fourth organic insulating layers 12, 14, 14 as interlayer insulating layers are formed.
If the photosensitive layers 16 and 18 are photosensitive, they are formed by photolithography, and if not, a laser processing method is preferably used. In the case of the photolithography method, a large number of holes can be formed at one time, and thus it is preferable to use a large number of holes. Also, the accuracy of drilling is high because it is almost determined by the accuracy of the photomask. The merit of drilling by the laser processing method is that the type of resin is not selected. In addition, when photosensitivity is imparted to a resin, generally, characteristic values such as Q and dielectric constant decrease, and mechanical strength also deteriorates. In the case of the laser processing method, a resin can be freely selected, so that an organic insulating layer having good characteristics can be used.
【0085】この実施の形態によれば、次の通りの効果
を得ることができる。According to this embodiment, the following effects can be obtained.
【0086】(1) 有機絶縁基板10の片面にコイル導
体層11,13,15,17,19と有機絶縁層12,
14,16,18,20とを交互に積層し、前記コイル
導体層からなるコイル導体30ヘの通電によって生じる
磁束方向の両端部に端子電極23,25を形成したの
で、高周波コイルを実装する相手側基板よりみてヘリカ
ル巻きのコイル導体30は縦巻きとなり、実装性の改善
を図ることができる。つまり、実装基板に対してどの面
を装着してもインダクタンス値等の特性変化が少ない。(1) The coil conductor layers 11, 13, 15, 17, 19 and the organic insulating layer 12,
14, 16, 18, and 20 are alternately laminated, and the terminal electrodes 23, 25 are formed at both ends in the direction of magnetic flux generated by energization of the coil conductor 30 composed of the coil conductor layer. As viewed from the side substrate, the helically wound coil conductor 30 is vertically wound, so that the mountability can be improved. That is, even if any surface is mounted on the mounting board, a change in characteristics such as an inductance value is small.
【0087】(2) 前記絶縁基板10及び絶縁層12,
14,16,18,20が有機材料で構成されており、
セラミック材料に比較して低誘電率化が可能であるから
SRFを高くすることが可能である。(2) The insulating substrate 10 and the insulating layer 12,
14, 16, 18, and 20 are made of an organic material,
Since the dielectric constant can be reduced as compared with the ceramic material, the SRF can be increased.
【0088】(3) 高周波領域でのQの向上が可能であ
る。これは下記理由により実現できる。 層間絶縁層を樹脂にして低温生成することで、コイ
ル導体層11,13,15,17,19の表面をなめら
かにする。 図3で説明したパターンメッキ工法で各導体層を作
成しコイル導体30表面をなめらかにし、かつコイル導
体30をハイアスペクトにする。 絶縁基板10及び絶縁層12,14,16,18,
20として高Q樹脂を使用する。(3) The Q can be improved in a high frequency range. This can be achieved for the following reasons. The surfaces of the coil conductor layers 11, 13, 15, 17, and 19 are made smooth by using the interlayer insulating layer as a resin and generating it at a low temperature. Each conductor layer is formed by the pattern plating method described with reference to FIG. 3 so that the surface of the coil conductor 30 is smooth and the coil conductor 30 has a high aspect. The insulating substrate 10 and the insulating layers 12, 14, 16, 18,
20 is a high Q resin.
【0089】[0089]
【実施例】以下、本発明に係る高周波コイル及びその製
造方法を実施例で詳述する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a high-frequency coil according to the present invention and a method of manufacturing the same will be described in detail with reference to embodiments.
【0090】実施例1 両面に18μmの銅を貼った厚さ0.2mmのビニルベン
ジル基板上の所定の位置に直径0.1mmのスルーホール
を図1(A)のように形成し、この穴を導電性ペースト
で埋めた後に片面の銅層を剥離した。Example 1 A through-hole having a diameter of 0.1 mm was formed at a predetermined position on a 0.2-mm-thick vinylbenzyl substrate having 18 μm copper adhered on both sides as shown in FIG. Was filled with a conductive paste, and the copper layer on one side was peeled off.
【0091】その後、下地に無電解銅めっき、パターン
めっきに硫酸銅めっきを用いたパターンメッキ法で図1
(B)の第1コイル導体層を形成した(図3の製法によ
る)。ここでコイル導体層の幅:60μm、高さ:70
μmである。Thereafter, a pattern plating method using electroless copper plating as a base and copper sulfate plating as a pattern plating is used as shown in FIG.
The first coil conductor layer of (B) was formed (by the manufacturing method of FIG. 3). Here, the width of the coil conductor layer: 60 μm and the height: 70
μm.
【0092】次に、ビニルベンジルによってコイル導体
層上の膜厚が30μmになるように図1(C)の第1有
機絶縁層を形成し、その所定の位置に底部の直径が50
μmであるすり鉢状断面のビアホールを形成した。ここ
でビニルベンジルの比誘電率ε=2.5、Q=250で
ある。Next, the first organic insulating layer of FIG. 1C is formed with vinylbenzyl so that the film thickness on the coil conductor layer becomes 30 μm, and the bottom portion has a diameter of 50 μm at a predetermined position.
A via hole having a mortar-shaped cross section of μm was formed. Here, the relative dielectric constant of vinylbenzyl is ε = 2.5 and Q = 250.
【0093】以下この方法で図1のように第5コイル導
体層まで形成し、その上に第5有機絶縁層を形成した。
第5有機絶縁層の厚さは第5コイル導体層上で200μ
mであり、中央部に直径100μmのビアホールがあ
る。Thereafter, a fifth coil conductor layer was formed as shown in FIG. 1 by this method, and a fifth organic insulating layer was formed thereon.
The thickness of the fifth organic insulating layer is 200 μm on the fifth coil conductor layer.
m, and there is a via hole with a diameter of 100 μm in the center.
【0094】基板及び第5有機絶縁層の外側面の全面に
無電解銅めっき膜を形成し、これを下地膜として硫酸銅
めっきで厚さ18μmの銅層を形成した。その後、基板
を所定のサイズに切り分けて断面が0.5mm角であり長
さが0.94mmの高周波コイルを作成した。この高周波
コイルは良好な周波数特性を示した。An electroless copper plating film was formed on the entire outer surface of the substrate and the fifth organic insulating layer, and a copper layer having a thickness of 18 μm was formed by copper sulfate plating using this as a base film. Thereafter, the substrate was cut into a predetermined size to prepare a high-frequency coil having a cross section of 0.5 mm square and a length of 0.94 mm. This high frequency coil showed good frequency characteristics.
【0095】以上本発明の実施の形態及び実施例につい
て説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく
請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能
なことは当業者には自明であろう。Although the embodiments and examples of the present invention have been described above, it is to be understood by those skilled in the art that the present invention is not limited to these and various modifications and changes can be made within the scope of the claims. Would be self-evident.
【0096】[0096]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高いSRFを示し、高周波領域で高いQを示すととも
に、基板へのコイル実装方向による特性変動の低減を図
り得るチップコイルタイプの高周波コイルを実現でき
る。As described above, according to the present invention,
It is possible to realize a chip coil type high-frequency coil that exhibits a high SRF, a high Q in a high-frequency region, and can reduce variation in characteristics depending on a direction in which the coil is mounted on a substrate.
【図1】本発明に係る高周波コイル及びその製造方法の
実施の形態であって、絶縁基板、コイル導体層及び有機
絶縁層を示す平面図である。FIG. 1 is an embodiment of a high-frequency coil and a method for manufacturing the same according to the present invention, and is a plan view showing an insulating substrate, a coil conductor layer, and an organic insulating layer.
【図2】同じく高周波コイルの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the high-frequency coil.
【図3】実施の形態による高周波コイルの製造工程を示
す工程図である。FIG. 3 is a process chart showing a manufacturing process of the high-frequency coil according to the embodiment.
10 有機絶縁基板 11,13,15,17,19 コイル導体層 12,14,16,18,20 有機絶縁層 21,24 ビアホール 22 スルーホール 23,25 端子電極 41,51 下地導体層 42,52 ドライフィルム 43,53 溝部 44,54 主導体層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Organic insulating substrate 11, 13, 15, 17, 19 Coil conductor layer 12, 14, 16, 18, 20 Organic insulating layer 21, 24 Via hole 22 Through hole 23, 25 Terminal electrode 41, 51 Base conductor layer 42, 52 Dry Film 43, 53 Groove 44, 54 Main conductor layer
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成14年1月17日(2002.1.1
7)[Submission date] January 17, 2002 (2002.1.1
7)
【手続補正1】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0072[Correction target item name] 0072
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【0072】前記コイル導体層11,13,15,1
7,19表面の凹凸(通常、10点平均粗さの最大値
(Rz)で表す)は使用周波数範囲の上限でのスキンデ
プスより小さいことが最も好ましいが、これを越える値
になっても、凹凸を小さくすることにより実効抵抗は減
少し、低損失となる。とくに、コイル導体層11,1
3,15,17,19の少なくとも一面の凹凸が、使用
周波数(例えば1GHz)のスキンデプスの3倍以下で
あることが望ましく、セラミック積層工法との対比を考
えると表面の凹凸は5μm以下(換言すればRz≦5μ
m)であることがとくに好ましい。また、導体層表面は
4面の全てが滑らかであることが最も好ましいが、すく
なくとも1面の全てが滑らかであれば損失低減に有効で
ある。The coil conductor layers 11, 13, 15, 1
Unevenness on the surface of 7, 19 (usually the maximum value of 10 point average roughness)
(Represented by (Rz)) is most preferably smaller than the skin depth at the upper limit of the operating frequency range. However, even if the value exceeds this value, the effective resistance is reduced and the loss is reduced by reducing unevenness. In particular, the coil conductor layers 11, 1
At least one surface of the unevenness of 3,15,17,19 is desirably equal to or less than 3 times the skin depth of the working frequency (e.g. 1 GHz), the unevenness of the considered the surface of the comparison with the ceramic laminate construction method 5μm or less (i.e. Then Rz ≦ 5μ
m) is particularly preferred. It is most preferable that all four surfaces of the conductor layer surface are smooth. However, if at least one surface is smooth, it is effective for loss reduction.
Claims (20)
てなる高周波コイルにおいて、前記絶縁層が有機材料に
より構成されており、前記コイル導体層からなるコイル
導体への通電によって生じる磁束方向の両端部に端子電
極を形成したことを特徴とする高周波コイル。1. A high-frequency coil in which a coil conductor layer and an insulation layer are alternately laminated, wherein the insulation layer is made of an organic material, and a direction of a magnetic flux generated by energizing a coil conductor made of the coil conductor layer. Characterized in that terminal electrodes are formed at both ends of the high-frequency coil.
求項1記載の高周波コイル。2. The high-frequency coil according to claim 1, wherein the coil conductor has a helical winding.
求項1又は2記載の高周波コイル。3. The high-frequency coil according to claim 1, wherein a relative dielectric constant of the insulating layer is 4 or less.
項1,2又は3記載の高周波コイル。4. The high-frequency coil according to claim 1, wherein Q of said insulating layer is 100 or more.
項1,2,3又は4記載の高周波コイル。5. The high-frequency coil according to claim 1, wherein said insulating layer is made of vinylbenzyl.
請求項1,2,3,4又は5記載の高周波コイル。6. The high-frequency coil according to claim 1, wherein said insulating layer has flexibility.
2,3,4,5又は6記載の高周波コイル。7. The coil conductor layer according to claim 1, wherein said coil conductor layer is copper.
The high-frequency coil according to 2, 3, 4, 5 or 6.
3以上である請求項1,2,3,4,5,6又は7記載
の高周波コイル。8. The coil conductor layer having an aspect ratio of 0.5.
The high-frequency coil according to claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, or 7, wherein the number is 3 or more.
互に積層してなり、前記コイル導体層からなるコイル導
体への通電によって生じる磁束方向の両端部に端子電極
を形成する高周波コイルの製造方法であって、前記コイ
ル導体層を作製する工程が、(1) 5μm以下のめっき
用下地導体層を少なくとも基板の片面の全てに形成する
下地形成工程と、(2) 感光性レジストを前記下地導体
層の上に設けるレジスト形成工程と、(3) フォトリソ
グラフィー法により前記レジストの導体パターン部分を
除去するパターニング工程と、(4) 電解めっきによ
り、前記レジストの除去された導体パターン部分に主導
体層を形成する電解めっき工程と、(5) 前記感光性レ
ジストを除去するレジスト除去工程と、(6) エッチン
グにより前記下地導体層の不要部分を除去する下地除去
工程とを有することを特徴とする高周波コイルの製造方
法。9. A high-frequency coil comprising a coil conductor layer and an insulating layer made of an organic material alternately laminated, wherein terminal electrodes are formed at both ends in a magnetic flux direction generated by energization of a coil conductor comprising the coil conductor layer. In the manufacturing method, the step of producing the coil conductor layer includes: (1) a base formation step of forming a plating base conductor layer of 5 μm or less on at least one side of the substrate; and (2) a photosensitive resist. A resist forming step provided on the underlying conductor layer, (3) a patterning step of removing the conductive pattern portion of the resist by a photolithography method, and (4) an electroplating to lead the conductive pattern portion from which the resist has been removed. An electrolytic plating step of forming a body layer; (5) a resist removing step of removing the photosensitive resist; and (6) an unnecessary portion of the underlying conductor layer is removed by etching. Method for producing a high-frequency coil; and a background removal process.
第1層を無電解めっきで形成する請求項9記載の高周波
コイルの製造方法。10. The method of manufacturing a high-frequency coil according to claim 9, wherein at least the first layer of the base conductor layer for plating is formed by electroless plating.
求項10記載の高周波コイルの製造方法。11. The method according to claim 10, wherein the electroless plating is copper plating.
である請求項9,10又は11記載の高周波コイルの製
造方法。12. The method according to claim 9, 10 or 11, wherein the photosensitive resist is a dry film.
機で行う請求項9,10,11又は12記載の高周波コ
イルの製造方法。13. The method of manufacturing a high-frequency coil according to claim 9, wherein the exposure of the photosensitive resist is performed by a parallel exposure machine.
求項9,10,11,12又は13記載の高周波コイル
の製造方法。14. The method for producing a high-frequency coil according to claim 9, wherein said electrolytic plating is bright plating.
項9,10,11,12,13又は14記載の高周波コ
イルの製造方法。15. The method for manufacturing a high-frequency coil according to claim 9, wherein said electrolytic plating is copper plating.
である請求項9,10,11,12,13,14又は1
5記載の高周波コイルの製造方法。16. The method of claim 9, 10, 11, 12, 13, 14, or 1 wherein the etching is wet etching.
6. The method for manufacturing a high-frequency coil according to 5.
種を選択エッチング可能な組み合わせにして、前記下地
除去工程で下地導体層のみをエッチングするエッチング
液で処理する請求項9,10,11,12,13,1
4,15又は16記載の高周波コイルの製造方法。17. The method according to claim 9, wherein the metal species of the base conductor layer and the main conductor layer are selectively etched and combined, and the base removal step is performed with an etchant that etches only the base conductor layer. , 12,13,1
17. The method for producing a high-frequency coil according to 4, 15 or 16.
面の凹凸が5μm以内である請求項9,10,11,1
2,13,14,15,16又は17記載の高周波コイ
ルの製造方法。18. The method according to claim 9, wherein irregularities on the surface of the main conductor layer formed by the electrolytic plating are within 5 μm.
18. The method for producing a high-frequency coil according to 2, 13, 14, 15, 16, or 17.
の絶縁層を介してコイル導体層を積層する場合に、前記
絶縁層にレーザー加工でビアホールを形成する請求項
9,10,11,12,13,14,15,16,17
又は18記載の高周波コイルの製造方法。19. When a coil conductor layer is laminated on the coil conductor layer via the insulating layer of the organic material, via holes are formed in the insulating layer by laser processing. , 13,14,15,16,17
19. A method for manufacturing a high-frequency coil according to claim 18.
の絶縁層を介してコイル導体層を積層する場合に、前記
絶縁層として感光性のものを用いてフォトリソグラフィ
ー法でビアホールを形成する請求項9,10,11,1
2,13,14,15,16,17又は18記載の高周
波コイルの製造方法。20. When a coil conductor layer is laminated on the coil conductor layer via the insulating layer of the organic material, a via hole is formed by photolithography using a photosensitive insulating layer. Terms 9, 10, 11, 1
The method for producing a high-frequency coil according to 2, 13, 14, 15, 16, 17 or 18.
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