JP2002350635A - 薄膜素子の配置方法、光回路装置及び光電子装置 - Google Patents
薄膜素子の配置方法、光回路装置及び光電子装置Info
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- JP2002350635A JP2002350635A JP2001152942A JP2001152942A JP2002350635A JP 2002350635 A JP2002350635 A JP 2002350635A JP 2001152942 A JP2001152942 A JP 2001152942A JP 2001152942 A JP2001152942 A JP 2001152942A JP 2002350635 A JP2002350635 A JP 2002350635A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜素子を所望の方向に配置しうる薄膜素子
の配置方法及びその薄膜素子を用いた光回路装置及び光
電子装置を提供する。 【解決手段】 薄膜１４を薄膜の成長方位に対して斜め
にエッチングすることにより、薄膜より成る薄膜素子１
４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂを形成する第１の工程
と、実基板３６上に薄膜素子を配置する第２の工程とを
有し、第２の工程では、薄膜の成長方位が実基板の面に
対して斜め又はほぼ平行になるように、薄膜素子を実基
板上に配置する。
の配置方法及びその薄膜素子を用いた光回路装置及び光
電子装置を提供する。 【解決手段】 薄膜１４を薄膜の成長方位に対して斜め
にエッチングすることにより、薄膜より成る薄膜素子１
４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂを形成する第１の工程
と、実基板３６上に薄膜素子を配置する第２の工程とを
有し、第２の工程では、薄膜の成長方位が実基板の面に
対して斜め又はほぼ平行になるように、薄膜素子を実基
板上に配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜素子の配置方
法、光回路装置、及び光電子装置に係り、特に、所望の
方向に薄膜素子を配置しうる薄膜素子の配置方法及びそ
の薄膜素子を用いた光回路装置及び光電子装置に関す
る。
法、光回路装置、及び光電子装置に係り、特に、所望の
方向に薄膜素子を配置しうる薄膜素子の配置方法及びそ
の薄膜素子を用いた光回路装置及び光電子装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近時では、光の干渉効果を利用して所望
の分光特性を得ることができる干渉フィルタ（Interfer
ence filter）が提案されている。
の分光特性を得ることができる干渉フィルタ（Interfer
ence filter）が提案されている。
【０００３】干渉フィルタは、一般に、高屈折率の誘電
体膜と低屈折率の誘電体膜とを交互に、数層から数十
層、場合によっては数百層積層することにより構成され
ている。高屈折率の誘電体膜としては、例えばＴｉＯ2
膜が用いられ、低屈折率の誘電体膜としては、例えばＳ
ｉＯ2膜が用いられる。
体膜と低屈折率の誘電体膜とを交互に、数層から数十
層、場合によっては数百層積層することにより構成され
ている。高屈折率の誘電体膜としては、例えばＴｉＯ2
膜が用いられ、低屈折率の誘電体膜としては、例えばＳ
ｉＯ2膜が用いられる。
【０００４】干渉フィルタは、微細な薄膜を用いて構成
されているため、光回路装置の微細化に寄与することが
可能である。
されているため、光回路装置の微細化に寄与することが
可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、干渉フ
ィルタは、基板上に誘電体膜を積層することにより形成
されるものであるため、干渉フィルタを構成する誘電体
多層膜の面は、基板の面と平行になる。
ィルタは、基板上に誘電体膜を積層することにより形成
されるものであるため、干渉フィルタを構成する誘電体
多層膜の面は、基板の面と平行になる。
【０００６】ここで、光回路装置の更なる高機能化を実
現するためには、フィルタを構成する誘電体多層膜の面
を基板の面に対して斜めに設定したり、基板の面に対し
て垂直に設定したりすることが望まれるが、薄膜素子を
所望の方向に配置する技術は未だ提案されていなかっ
た。このため、薄膜素子を所望の方向に配置する技術が
待望されていた。
現するためには、フィルタを構成する誘電体多層膜の面
を基板の面に対して斜めに設定したり、基板の面に対し
て垂直に設定したりすることが望まれるが、薄膜素子を
所望の方向に配置する技術は未だ提案されていなかっ
た。このため、薄膜素子を所望の方向に配置する技術が
待望されていた。
【０００７】本発明の目的は、薄膜素子を所望の方向に
配置しうる薄膜素子の配置方法及びその薄膜素子を用い
た光回路装置及び光電子装置を提供することにある。
配置しうる薄膜素子の配置方法及びその薄膜素子を用い
た光回路装置及び光電子装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、薄膜を薄膜
の成長方位に対して斜めにエッチングすることにより、
前記薄膜より成る薄膜素子を形成する第１の工程と、実
基板上に前記薄膜素子を配置する第２の工程とを有し、
前記第２の工程では、前記薄膜の成長方位が前記実基板
の面に対して斜め又はほぼ平行になるように、前記薄膜
素子を前記実基板上に配置することを特徴とする薄膜素
子の配置方法により達成される。これにより、薄膜素子
を所望の方向に配置することができる。従って、かかる
薄膜素子を用いて微細で高機能な光回路装置等を提供す
ることができる。
の成長方位に対して斜めにエッチングすることにより、
前記薄膜より成る薄膜素子を形成する第１の工程と、実
基板上に前記薄膜素子を配置する第２の工程とを有し、
前記第２の工程では、前記薄膜の成長方位が前記実基板
の面に対して斜め又はほぼ平行になるように、前記薄膜
素子を前記実基板上に配置することを特徴とする薄膜素
子の配置方法により達成される。これにより、薄膜素子
を所望の方向に配置することができる。従って、かかる
薄膜素子を用いて微細で高機能な光回路装置等を提供す
ることができる。
【０００９】また、上記目的は、基板上に配置された薄
膜素子を有する光回路装置であって、前記薄膜素子に用
いられている薄膜の成長方位が、前記基板の面に対して
斜め又はほぼ平行になっていることを特徴とする光回路
装置により達成される。これにより、薄膜素子を所望の
方向に配置することができため、微細で高機能な光回路
装置を提供することができる。
膜素子を有する光回路装置であって、前記薄膜素子に用
いられている薄膜の成長方位が、前記基板の面に対して
斜め又はほぼ平行になっていることを特徴とする光回路
装置により達成される。これにより、薄膜素子を所望の
方向に配置することができため、微細で高機能な光回路
装置を提供することができる。
【００１０】また、上記目的は、基板上に配置された薄
膜素子を有する光電子装置であって、前記薄膜素子に用
いられている薄膜の成長方位が、前記基板の面に対して
斜め又はほぼ平行になっていることを特徴とする光電子
装置により達成される。これにより、薄膜素子を所望の
方向に配置することができため、微細で高機能な光電子
装置を提供することができる。
膜素子を有する光電子装置であって、前記薄膜素子に用
いられている薄膜の成長方位が、前記基板の面に対して
斜め又はほぼ平行になっていることを特徴とする光電子
装置により達成される。これにより、薄膜素子を所望の
方向に配置することができため、微細で高機能な光電子
装置を提供することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】［第１実施形態］本発明の第１実
施形態による薄膜素子の配置方法を図１乃至図６を用い
て説明する。図１乃至図６は、本実施形態による薄膜素
子の配置方法を示す工程図である。なお、図１の紙面左
側は平面図であり、紙面右側はＡ−Ａ′線断面図であ
る。図２の紙面左側は平面図であり、紙面右側はＢ−
Ｂ′線断面図である。図５及び図６の紙面左側は平面図
であり、紙面右側はＣ−Ｃ′線断面図である。
施形態による薄膜素子の配置方法を図１乃至図６を用い
て説明する。図１乃至図６は、本実施形態による薄膜素
子の配置方法を示す工程図である。なお、図１の紙面左
側は平面図であり、紙面右側はＡ−Ａ′線断面図であ
る。図２の紙面左側は平面図であり、紙面右側はＢ−
Ｂ′線断面図である。図５及び図６の紙面左側は平面図
であり、紙面右側はＣ−Ｃ′線断面図である。
【００１２】本実施形態では、薄膜素子（Thin-film de
vice）として光学フィルタを配置する場合を例に説明す
るが、本発明は、フィルタの配置のみならず、あらゆる
薄膜素子の配置に広く適用することが可能である。
vice）として光学フィルタを配置する場合を例に説明す
るが、本発明は、フィルタの配置のみならず、あらゆる
薄膜素子の配置に広く適用することが可能である。
【００１３】まず、図１（ａ）に示すように、成長基板
１０を用意する。成長基板１０の材料としては、例えば
Ｓｉやガラス等を用いることができる。
１０を用意する。成長基板１０の材料としては、例えば
Ｓｉやガラス等を用いることができる。
【００１４】次に、成長基板１０上に、例えばＳｉＯ2
膜とＴｉＯ2膜とを交互に積層して成る誘電体多層膜１
４を成長する。誘電体多層膜１４の総合的な膜厚は、例
えば数μｍ〜数１０μｍとすることができる。このよう
な誘電体多層膜１４は、波長λ１の光信号を選択的に反
射し、その他の波長の光信号を透過するフィルタを構成
することができる。フィルタの波長選択特性は、市販の
ＣＡＤツールを用いて容易に設計することが可能であ
る。図中、誘電体多層膜１４に表された複数の線は、誘
電体多層膜１４を構成する膜の面を模式的に表したもの
である。
膜とＴｉＯ2膜とを交互に積層して成る誘電体多層膜１
４を成長する。誘電体多層膜１４の総合的な膜厚は、例
えば数μｍ〜数１０μｍとすることができる。このよう
な誘電体多層膜１４は、波長λ１の光信号を選択的に反
射し、その他の波長の光信号を透過するフィルタを構成
することができる。フィルタの波長選択特性は、市販の
ＣＡＤツールを用いて容易に設計することが可能であ
る。図中、誘電体多層膜１４に表された複数の線は、誘
電体多層膜１４を構成する膜の面を模式的に表したもの
である。
【００１５】次に、例えばＣｒより成るマスクパターン
（図示せず）をマスクとして、誘電体多層膜１４を斜め
にパターニングすることにより、誘電体多層膜１４より
成る斜角柱状のフィルタ１４ａ、１４ｂを形成する（図
１（ｂ）参照）。フィルタ１４ａは紙面右側に傾くよう
に形成し、フィルタ１４ｂは紙面左側に傾くように形成
する。なお、誘電体多層膜１４を斜めにパターニングす
るためには、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching、
反応性イオンエッチング）装置のエッチング室内に成長
基板１０を斜めに載置し、マスクパターンをマスクとし
て、ＲＩＥ法により誘電体多層膜１４をエッチングすれ
ばよい。
（図示せず）をマスクとして、誘電体多層膜１４を斜め
にパターニングすることにより、誘電体多層膜１４より
成る斜角柱状のフィルタ１４ａ、１４ｂを形成する（図
１（ｂ）参照）。フィルタ１４ａは紙面右側に傾くよう
に形成し、フィルタ１４ｂは紙面左側に傾くように形成
する。なお、誘電体多層膜１４を斜めにパターニングす
るためには、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching、
反応性イオンエッチング）装置のエッチング室内に成長
基板１０を斜めに載置し、マスクパターンをマスクとし
て、ＲＩＥ法により誘電体多層膜１４をエッチングすれ
ばよい。
【００１６】次に、支持基板（Supporting substrate）
１６を用意する。支持基板１６は、成長基板１０側に形
成されたフィルタ１４ａ、１４ｂを移動するために用い
られるものである。支持基板１６としては、例えば、ポ
リマが表面に塗布されたシリコン基板や、ポリマ基板等
を用いることができる。
１６を用意する。支持基板１６は、成長基板１０側に形
成されたフィルタ１４ａ、１４ｂを移動するために用い
られるものである。支持基板１６としては、例えば、ポ
リマが表面に塗布されたシリコン基板や、ポリマ基板等
を用いることができる。
【００１７】次に、図１（ｃ）に示すように、成長基板
１０上に支持基板１６を重ね合わせる。支持基板１６の
下面には、例えば接着剤（図示せず）が塗布されてい
る。このため、フィルタ１４ａ、１４ｂが支持基板１６
の下面に固着される。
１０上に支持基板１６を重ね合わせる。支持基板１６の
下面には、例えば接着剤（図示せず）が塗布されてい
る。このため、フィルタ１４ａ、１４ｂが支持基板１６
の下面に固着される。
【００１８】次に、成長基板１０を選択的に溶解し得る
溶解液を用い、成長基板１０を溶解する。成長基板１０
を選択的に溶解しうる溶解液としては、例えばフッ酸等
を用いることができる。こうして、フィルタ１４ａ、１
４ｂが支持基板１６側に移動される。
溶解液を用い、成長基板１０を溶解する。成長基板１０
を選択的に溶解しうる溶解液としては、例えばフッ酸等
を用いることができる。こうして、フィルタ１４ａ、１
４ｂが支持基板１６側に移動される。
【００１９】なお、成長基板側にエピタキシャル成長さ
れた薄膜素子を上記のようにして支持基板側に移動する
技術は、ＥＬＯ（Epitaxial Lift-Off、エピタキシャル
・リフトオフ）技術と称されている。
れた薄膜素子を上記のようにして支持基板側に移動する
技術は、ＥＬＯ（Epitaxial Lift-Off、エピタキシャル
・リフトオフ）技術と称されている。
【００２０】次に、図２（ａ）に示すように、成長基板
１８を用意する。成長基板１８の材料としては、成長基
板１０と同様の材料を用いることができる。
１８を用意する。成長基板１８の材料としては、成長基
板１０と同様の材料を用いることができる。
【００２１】次に、成長基板１８上に、例えばＳｉＯ2
膜とＴｉＯ2膜とを交互に積層して成る誘電体多層膜２
０を成長する。誘電体多層膜２０の総合的な膜厚は、例
えば数μｍ〜数１０μｍとすることができる。このよう
な誘電体多層膜２０は、波長λ２の光信号を選択的に反
射し、その他の波長の光信号を透過するフィルタを構成
することができる。フィルタの波長選択特性は、市販の
ＣＡＤツールを用いて容易に設計することが可能であ
る。
膜とＴｉＯ2膜とを交互に積層して成る誘電体多層膜２
０を成長する。誘電体多層膜２０の総合的な膜厚は、例
えば数μｍ〜数１０μｍとすることができる。このよう
な誘電体多層膜２０は、波長λ２の光信号を選択的に反
射し、その他の波長の光信号を透過するフィルタを構成
することができる。フィルタの波長選択特性は、市販の
ＣＡＤツールを用いて容易に設計することが可能であ
る。
【００２２】次に、図１（ｂ）を用いて上述したのと同
様にして、誘電体多層膜２０を斜角柱状にパターニング
し、これにより、斜角柱状のフィルタ２０ａ、２０ｂを
形成する（図２（ｂ）参照）。フィルタ２０ａは紙面右
側に傾くように形成し、フィルタ２０ｂは紙面左側に傾
くように形成する。
様にして、誘電体多層膜２０を斜角柱状にパターニング
し、これにより、斜角柱状のフィルタ２０ａ、２０ｂを
形成する（図２（ｂ）参照）。フィルタ２０ａは紙面右
側に傾くように形成し、フィルタ２０ｂは紙面左側に傾
くように形成する。
【００２３】次に、フィルタ２０ａ、２０ｂを移動する
ための支持基板２２を用意する。支持基板２２の材料と
しては、例えば支持基板１６と同様の材料を用いること
ができる。
ための支持基板２２を用意する。支持基板２２の材料と
しては、例えば支持基板１６と同様の材料を用いること
ができる。
【００２４】次に、成長基板１８上に支持基板２２を重
ね合わせる（図２（ｃ）参照）。支持基板２２の下面に
は、例えば接着剤（図示せず）が塗布されている。この
ため、フィルタ２０ａ、２０ｂが支持基板２２の下面に
固着される。
ね合わせる（図２（ｃ）参照）。支持基板２２の下面に
は、例えば接着剤（図示せず）が塗布されている。この
ため、フィルタ２０ａ、２０ｂが支持基板２２の下面に
固着される。
【００２５】次に、図１（ｄ）を用いて上述したのと同
様にして、成長基板１８を選択的に溶解し、フィルタ２
０ａ、２０ｂを支持基板２２側に移動する（図２（ｄ）
参照）。
様にして、成長基板１８を選択的に溶解し、フィルタ２
０ａ、２０ｂを支持基板２２側に移動する（図２（ｄ）
参照）。
【００２６】次に、図３（ａ）に示すように、傾動用基
板（Tilting substrate）２４を用意する。傾動用基板
２４は、ＭＥＭＳ技術（Micro Electro Mechanical Sys
tems、マイクロマシーニング技術）を用いてフィルタ１
４ａ、１４ｂの向きを傾けるためのものである。ＭＥＭ
Ｓ技術については、例えば、OE Reports Number 188,Au
gust 1999, SPIEに記載されている。傾動用基板２４の
材料としては、例えばＳｉを用いることができる。
板（Tilting substrate）２４を用意する。傾動用基板
２４は、ＭＥＭＳ技術（Micro Electro Mechanical Sys
tems、マイクロマシーニング技術）を用いてフィルタ１
４ａ、１４ｂの向きを傾けるためのものである。ＭＥＭ
Ｓ技術については、例えば、OE Reports Number 188,Au
gust 1999, SPIEに記載されている。傾動用基板２４の
材料としては、例えばＳｉを用いることができる。
【００２７】次に、傾動用基板２４上に、例えば膜厚２
μｍのＣｕ膜を形成する。
μｍのＣｕ膜を形成する。
【００２８】次に、フォトリソグラフィ技術を用い、Ｃ
ｕ膜をパターニングする。これにより、Ｃｕより成る解
除層（Release layer）２６が形成される。解除層２６
は、後述する傾動層（Tilting layer）２８の端部の固
定状態を解除し、傾動層２８の端部が傾動用基板２４に
対して傾くようにするためのものである。
ｕ膜をパターニングする。これにより、Ｃｕより成る解
除層（Release layer）２６が形成される。解除層２６
は、後述する傾動層（Tilting layer）２８の端部の固
定状態を解除し、傾動層２８の端部が傾動用基板２４に
対して傾くようにするためのものである。
【００２９】次に、傾動用基板２４上に、例えば膜厚３
μｍのＮｉ膜と例えば膜厚３μｍのシリコン酸化膜とを
順次積層して成る積層膜を形成する。
μｍのＮｉ膜と例えば膜厚３μｍのシリコン酸化膜とを
順次積層して成る積層膜を形成する。
【００３０】次に、フォトリソグラフィ技術を用い、積
層膜をパターニングする。これにより、積層膜より成る
傾動層２８が形成される（図３（ｂ）参照）。この際、
傾動層２８の端部が解除層２６上に位置するようにす
る。これにより、傾動層２８の端部が、解除層２６を介
して傾動用基板２４に固定されることとなる。
層膜をパターニングする。これにより、積層膜より成る
傾動層２８が形成される（図３（ｂ）参照）。この際、
傾動層２８の端部が解除層２６上に位置するようにす
る。これにより、傾動層２８の端部が、解除層２６を介
して傾動用基板２４に固定されることとなる。
【００３１】次に、図３（ｃ）に示すように、傾動用基
板２４に支持基板１６を重ね合わせる。この際、解除層
２６が形成されている側の傾動層２８の端部に、フィル
タ１４ａ、１４ｂが載置されるようにする。解除層２６
が形成されている側の傾動層２８の端部の上面には、例
えば接着剤（図示せず）が塗布されている。このため、
傾動層２８の端部上に載置されたフィルタ１４ａ、１４
ｂは、傾動層２８の端部に固着される。
板２４に支持基板１６を重ね合わせる。この際、解除層
２６が形成されている側の傾動層２８の端部に、フィル
タ１４ａ、１４ｂが載置されるようにする。解除層２６
が形成されている側の傾動層２８の端部の上面には、例
えば接着剤（図示せず）が塗布されている。このため、
傾動層２８の端部上に載置されたフィルタ１４ａ、１４
ｂは、傾動層２８の端部に固着される。
【００３２】次に、図３（ｄ）に示すように、傾動用基
板２４と支持基板１６とを互いに離間する。こうして、
解除層２６が形成されている側の傾動層２８の端部の上
面に、フィルタ１４ａ、１４ｂが移動される（図３
（ｅ）参照）。
板２４と支持基板１６とを互いに離間する。こうして、
解除層２６が形成されている側の傾動層２８の端部の上
面に、フィルタ１４ａ、１４ｂが移動される（図３
（ｅ）参照）。
【００３３】次に、解除層２６を選択的にエッチングす
る。そうすると、解除層２６を介して傾動用基板２４に
固定されていた傾動層２８の端部の固定状態が解除さ
れ、傾動層２８の端部が傾動用基板２４の面に対して傾
く。傾動層２８の端部が傾動用基板２４の面に対して傾
くと、これに伴ってフィルタ１４ａ、１４ｂもそれぞれ
傾き、フィルタ１４ａ、１４ｂが傾動層２８上に倒され
る（図３（ｆ）参照）。フィルタ１４ａ、１４ｂが斜角
柱状に形成されているため、傾動層２８上に倒されたフ
ィルタ１４ａ、１４ｂを構成する誘電体多層膜の面が、
傾動用基板２４の面に対して傾いた状態となる。換言す
れば、フィルタ１４ａ、１４ｂを構成する誘電体多層膜
の成長方位が、傾動用基板２４の面に対して傾いた状態
となる。
る。そうすると、解除層２６を介して傾動用基板２４に
固定されていた傾動層２８の端部の固定状態が解除さ
れ、傾動層２８の端部が傾動用基板２４の面に対して傾
く。傾動層２８の端部が傾動用基板２４の面に対して傾
くと、これに伴ってフィルタ１４ａ、１４ｂもそれぞれ
傾き、フィルタ１４ａ、１４ｂが傾動層２８上に倒され
る（図３（ｆ）参照）。フィルタ１４ａ、１４ｂが斜角
柱状に形成されているため、傾動層２８上に倒されたフ
ィルタ１４ａ、１４ｂを構成する誘電体多層膜の面が、
傾動用基板２４の面に対して傾いた状態となる。換言す
れば、フィルタ１４ａ、１４ｂを構成する誘電体多層膜
の成長方位が、傾動用基板２４の面に対して傾いた状態
となる。
【００３４】次に、図４（ａ）に示すように、傾動用基
板３０を用意する。傾動用基板３０の材料としては、例
えば傾動用基板２４と同様の材料を用いることができ
る。傾動用基板２４は、ＭＥＭＳ技術を用いてフィルタ
２０ａ、２０ｂの向きを傾けるためのものである。
板３０を用意する。傾動用基板３０の材料としては、例
えば傾動用基板２４と同様の材料を用いることができ
る。傾動用基板２４は、ＭＥＭＳ技術を用いてフィルタ
２０ａ、２０ｂの向きを傾けるためのものである。
【００３５】次に、図３（ａ）を用いて上述したのと同
様にして、傾動用基板３０上に、解除層３２を形成す
る。
様にして、傾動用基板３０上に、解除層３２を形成す
る。
【００３６】次に、図３（ｂ）を用いて上述したのと同
様にして、傾動層３４を形成する（図４（ｂ）参照）。
様にして、傾動層３４を形成する（図４（ｂ）参照）。
【００３７】次に、図３（ｃ）を用いて上述したのと同
様にして、傾動用基板３０上に支持基板２２を重ね合わ
せる（図４（ｃ）参照）。
様にして、傾動用基板３０上に支持基板２２を重ね合わ
せる（図４（ｃ）参照）。
【００３８】次に、図３（ｄ）を用いて上述したのと同
様にして、傾動用基板３０と支持基板２２とを互いに離
間する（図４（ｄ）参照）。こうして、傾動層３４の端
部の上面にフィルタ２０ａ（図示せず）及びフィルタ２
０ｂが移動される（図４（ｅ）参照）。
様にして、傾動用基板３０と支持基板２２とを互いに離
間する（図４（ｄ）参照）。こうして、傾動層３４の端
部の上面にフィルタ２０ａ（図示せず）及びフィルタ２
０ｂが移動される（図４（ｅ）参照）。
【００３９】次に、図３（ｆ）を用いて上述したのと同
様にして、解除層３２を選択的にエッチングし、傾動層
３４の端部を傾ける。これにより、フィルタ２０ａ（図
示せず）及びフィルタ２０ｂが傾動層３４上に倒される
（図４（ｆ）参照）。
様にして、解除層３２を選択的にエッチングし、傾動層
３４の端部を傾ける。これにより、フィルタ２０ａ（図
示せず）及びフィルタ２０ｂが傾動層３４上に倒される
（図４（ｆ）参照）。
【００４０】次に、図５（ａ）に示すように、光回路装
置の実際の基板として用いられる実基板３６を用意す
る。実基板３６の材料としては、例えばＳｉを用いるこ
とができる。
置の実際の基板として用いられる実基板３６を用意す
る。実基板３６の材料としては、例えばＳｉを用いるこ
とができる。
【００４１】次に、実基板３６上に、膜厚５μｍのフッ
化ポリイミドより成るクラッド層３８を形成する。
化ポリイミドより成るクラッド層３８を形成する。
【００４２】次に、クラッド層３８上に、例えば膜厚２
０μｍのフッ化ポリイミドより成る導波路層４０を形成
する。この際、図５（ａ）に示すように、導波路層４０
を互いに離間して形成する。このように導波路層４０を
互いに離間して形成するのは、後工程でフィルタ１４
ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂを組み込むためである。な
お、導波路層４０に用いるフッ化ポリイミドの組成は、
クラッド層３８に用いるフッ化ポリイミドの組成と異な
る組成に設定する。
０μｍのフッ化ポリイミドより成る導波路層４０を形成
する。この際、図５（ａ）に示すように、導波路層４０
を互いに離間して形成する。このように導波路層４０を
互いに離間して形成するのは、後工程でフィルタ１４
ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂを組み込むためである。な
お、導波路層４０に用いるフッ化ポリイミドの組成は、
クラッド層３８に用いるフッ化ポリイミドの組成と異な
る組成に設定する。
【００４３】次に、図５（ｂ）に示すように、実基板３
６上に、傾動用基板２４を重ね合わせる。この際、導波
路層４０が互いに離間している領域にフィルタ１４ａ、
１４ｂが組み込まれるよう、位置合わせを行う。なお、
フィルタ１４ａ、１４ｂを導波路層４０に組み込むため
には、フィルタ１４ａ、１４ｂを組み込むべき領域のク
ラッド層３８の表面に、例えば接着材（図示せず）等を
塗布しておけばよい。
６上に、傾動用基板２４を重ね合わせる。この際、導波
路層４０が互いに離間している領域にフィルタ１４ａ、
１４ｂが組み込まれるよう、位置合わせを行う。なお、
フィルタ１４ａ、１４ｂを導波路層４０に組み込むため
には、フィルタ１４ａ、１４ｂを組み込むべき領域のク
ラッド層３８の表面に、例えば接着材（図示せず）等を
塗布しておけばよい。
【００４４】次に、図５（ｃ）に示すように、実基板３
６と傾動用基板２４とを互いに離間する。こうして、導
波路層４０にフィルタ１４ａ、１４ｂが組み込まれる。
フィルタ１４ａ、１４ｂが斜角柱状に形成されているた
め、導波路層４０に組み込まれたフィルタ１４ａ、１４
ｂを構成する誘電体多層膜の面が、実基板３６の面に対
して傾いた状態となり、また、導波路層４０の延在方向
に対して傾いた状態となる。換言すれば、フィルタ１４
ａ、１４ｂを構成する誘電体多層膜の成長方位が、実基
板３６の面に対して傾いた状態となり、また、導波路層
４０の延在方向に対して傾いた状態となる。
６と傾動用基板２４とを互いに離間する。こうして、導
波路層４０にフィルタ１４ａ、１４ｂが組み込まれる。
フィルタ１４ａ、１４ｂが斜角柱状に形成されているた
め、導波路層４０に組み込まれたフィルタ１４ａ、１４
ｂを構成する誘電体多層膜の面が、実基板３６の面に対
して傾いた状態となり、また、導波路層４０の延在方向
に対して傾いた状態となる。換言すれば、フィルタ１４
ａ、１４ｂを構成する誘電体多層膜の成長方位が、実基
板３６の面に対して傾いた状態となり、また、導波路層
４０の延在方向に対して傾いた状態となる。
【００４５】次に、図６（ａ）に示すように、実基板３
６上に、傾動用基板３０を重ね合わせる。この際、導波
路層４０が互いに離間している領域にフィルタ２０ａ、
２０ｂが組み込まれるよう、位置合わせを行う。なお、
フィルタ２０ａ、２０ｂを導波路層４０に組み込むため
には、フィルタ２０ａ、２０ｂを組み込むべき領域のク
ラッド層３８の表面に、例えば接着材（図示せず）等を
塗布しておけばよい。
６上に、傾動用基板３０を重ね合わせる。この際、導波
路層４０が互いに離間している領域にフィルタ２０ａ、
２０ｂが組み込まれるよう、位置合わせを行う。なお、
フィルタ２０ａ、２０ｂを導波路層４０に組み込むため
には、フィルタ２０ａ、２０ｂを組み込むべき領域のク
ラッド層３８の表面に、例えば接着材（図示せず）等を
塗布しておけばよい。
【００４６】次に、図６（ｂ）に示すように、実基板３
６と傾動用基板３０とを互いに離間する。こうして、導
波路層４０にフィルタ２０ａ、２０ｂが組み込まれる。
フィルタ２０ａ、２０ｂが斜角柱状に形成されているた
め、導波路層４０に組み込まれたフィルタ２０ａ、２０
ｂを構成する誘電体多層膜の面が、実基板３６の面に対
して傾いた状態となり、また、導波路層４０の延在方向
に対して傾いた状態となる。換言すれば、フィルタ２０
ａ、２０ｂを構成する誘電体多層膜の成長方位が、実基
板３６の面に対して傾いた状態となり、また、導波路層
４０の延在方向に対して傾いた状態となる。
６と傾動用基板３０とを互いに離間する。こうして、導
波路層４０にフィルタ２０ａ、２０ｂが組み込まれる。
フィルタ２０ａ、２０ｂが斜角柱状に形成されているた
め、導波路層４０に組み込まれたフィルタ２０ａ、２０
ｂを構成する誘電体多層膜の面が、実基板３６の面に対
して傾いた状態となり、また、導波路層４０の延在方向
に対して傾いた状態となる。換言すれば、フィルタ２０
ａ、２０ｂを構成する誘電体多層膜の成長方位が、実基
板３６の面に対して傾いた状態となり、また、導波路層
４０の延在方向に対して傾いた状態となる。
【００４７】こうして、実基板上に薄膜素子であるフィ
ルタが配置され、光回路装置が構成される。なお、この
ようにして構成された光回路装置の動作は、第５実施形
態以降において詳細に説明するため、ここでは省略する
こととする。
ルタが配置され、光回路装置が構成される。なお、この
ようにして構成された光回路装置の動作は、第５実施形
態以降において詳細に説明するため、ここでは省略する
こととする。
【００４８】このように本実施形態によれば、誘電体多
層膜を斜角柱状にエッチングすることによりフィルタを
形成し、こうして形成されたフィルタをＭＥＭＳ技術を
用いて傾けるため、フィルタを構成する誘電体多層膜の
面を実基板の面に対して斜めに設定することができる。
層膜を斜角柱状にエッチングすることによりフィルタを
形成し、こうして形成されたフィルタをＭＥＭＳ技術を
用いて傾けるため、フィルタを構成する誘電体多層膜の
面を実基板の面に対して斜めに設定することができる。
【００４９】また、本実施形態によれば、フィルタを構
成する誘電体多層膜の面を実基板の面に対して斜め設定
することができるため、導波路層に沿って進行する光を
実基板の面に対して例えば垂直方向に分光することがで
き、また、実基板の面に対して例えば垂直な方向からフ
ィルタに入射される光を導波路層内に導入することがで
きる。
成する誘電体多層膜の面を実基板の面に対して斜め設定
することができるため、導波路層に沿って進行する光を
実基板の面に対して例えば垂直方向に分光することがで
き、また、実基板の面に対して例えば垂直な方向からフ
ィルタに入射される光を導波路層内に導入することがで
きる。
【００５０】しかも、本実施形態によれば、フィルタが
薄膜を用いて構成されているため、光回路装置の微細化
を図ることができる。
薄膜を用いて構成されているため、光回路装置の微細化
を図ることができる。
【００５１】（変形例）次に、本実施形態による薄膜素
子の配置方法の変形例を図７を用いて説明する。図７
は、本変形例による薄膜素子の配置方法を示す工程断面
図である。
子の配置方法の変形例を図７を用いて説明する。図７
は、本変形例による薄膜素子の配置方法を示す工程断面
図である。
【００５２】本変形例による薄膜素子の配置方法は、成
長基板１０上にエッチングストッパ膜４２を介して誘電
体多層膜１４を形成し、成長基板１８上にエッチングス
トッパ膜４４を介して誘電体多層膜２０を形成すること
に主な特徴がある。
長基板１０上にエッチングストッパ膜４２を介して誘電
体多層膜１４を形成し、成長基板１８上にエッチングス
トッパ膜４４を介して誘電体多層膜２０を形成すること
に主な特徴がある。
【００５３】本変形例によれば、図７（ａ）に示すよう
に、成長基板１０上にエッチングストッパ膜４２を介し
て誘電体多層膜１４を形成するので、誘電体多層膜１４
をパターニングする際に成長基板１０までもがエッチン
グされてしまうのを防止することができる。
に、成長基板１０上にエッチングストッパ膜４２を介し
て誘電体多層膜１４を形成するので、誘電体多層膜１４
をパターニングする際に成長基板１０までもがエッチン
グされてしまうのを防止することができる。
【００５４】また、本変形例によれば、図７（ｂ）に示
すように、成長基板１８上にエッチングストッパ膜４４
を介して誘電体多層膜２０を形成するので、誘電体多層
膜２０をパターニングする際に成長基板１８までもがエ
ッチングされてしまうのを防止することができる。
すように、成長基板１８上にエッチングストッパ膜４４
を介して誘電体多層膜２０を形成するので、誘電体多層
膜２０をパターニングする際に成長基板１８までもがエ
ッチングされてしまうのを防止することができる。
【００５５】［第２実施形態］本発明の第２実施形態に
よる薄膜素子の配置方法を図８乃至図１２を用いて説明
する。図８乃至図１２は、本実施形態による薄膜素子の
配置方法を示す工程図である。なお、図８の紙面左側は
平面図であり、紙面右側はＡ−Ａ′線断面図である。図
９の紙面左側は平面図であり、紙面右側はＢ−Ｂ′線断
面図である。図１２の紙面左側は平面図であり、紙面右
側はＣ−Ｃ′線断面図である。図１乃至図７に示す第１
実施形態による薄膜素子の配置方法と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
よる薄膜素子の配置方法を図８乃至図１２を用いて説明
する。図８乃至図１２は、本実施形態による薄膜素子の
配置方法を示す工程図である。なお、図８の紙面左側は
平面図であり、紙面右側はＡ−Ａ′線断面図である。図
９の紙面左側は平面図であり、紙面右側はＢ−Ｂ′線断
面図である。図１２の紙面左側は平面図であり、紙面右
側はＣ−Ｃ′線断面図である。図１乃至図７に示す第１
実施形態による薄膜素子の配置方法と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００５６】本実施形態による薄膜素子の配置方法は、
波長λ１の光信号を反射するフィルタと波長λ２の光信
号を反射するフィルタとを共通の傾動用基板に移動し、
この傾動用基板を用いてフィルタを配置することに主な
特徴がある。
波長λ１の光信号を反射するフィルタと波長λ２の光信
号を反射するフィルタとを共通の傾動用基板に移動し、
この傾動用基板を用いてフィルタを配置することに主な
特徴がある。
【００５７】まず、図１（ａ）乃至図１（ｄ）を用いて
上述した第１実施形態による薄膜素子の配置方法と同様
にして、成長基板１０上にフィルタ１４ａ、１４ｂを形
成し、この後、フィルタ１４ａ、１４ｂを支持基板１６
側に移動する。
上述した第１実施形態による薄膜素子の配置方法と同様
にして、成長基板１０上にフィルタ１４ａ、１４ｂを形
成し、この後、フィルタ１４ａ、１４ｂを支持基板１６
側に移動する。
【００５８】次に、図２（ａ）乃至図２（ｄ）を用いて
上述した第１実施形態による薄膜素子の配置方法と同様
にして、成長基板１８上にフィルタ２０ａ、２０ｂを形
成し、この後、フィルタ２０ａ、２０ｂを支持基板２２
側に移動する。
上述した第１実施形態による薄膜素子の配置方法と同様
にして、成長基板１８上にフィルタ２０ａ、２０ｂを形
成し、この後、フィルタ２０ａ、２０ｂを支持基板２２
側に移動する。
【００５９】次に、図８（ａ）に示すように、支持基板
４６上に支持基板１６を重ね合わせる。支持基板４６
は、支持基板１６に支持された多数のフィルタ１４ａ、
１４ｂの内、一部のフィルタ１４ａ、１４ｂのみを移動
するためのものである。支持基板１６に支持された多数
のフィルタ１４ａ、１４ｂの内、一部のフィルタ１４
ａ、１４ｂのみを支持基板４６側に移動するために、例
えば支持基板４６の表面の一部にのみ例えば接着材（図
示せず）を塗布しておく。
４６上に支持基板１６を重ね合わせる。支持基板４６
は、支持基板１６に支持された多数のフィルタ１４ａ、
１４ｂの内、一部のフィルタ１４ａ、１４ｂのみを移動
するためのものである。支持基板１６に支持された多数
のフィルタ１４ａ、１４ｂの内、一部のフィルタ１４
ａ、１４ｂのみを支持基板４６側に移動するために、例
えば支持基板４６の表面の一部にのみ例えば接着材（図
示せず）を塗布しておく。
【００６０】次に、図８（ｂ）に示すように、支持基板
４６と支持基板１６とを互いに離間する。こうして、支
持基板１６に支持された多数のフィルタ１４ａ、１４ｂ
の内、一部のフィルタ１４ａ、１４ｂのみが支持基板４
６側に移動される（図８（ｃ）参照）。
４６と支持基板１６とを互いに離間する。こうして、支
持基板１６に支持された多数のフィルタ１４ａ、１４ｂ
の内、一部のフィルタ１４ａ、１４ｂのみが支持基板４
６側に移動される（図８（ｃ）参照）。
【００６１】次に、図９（ａ）に示すように、支持基板
４８上に支持基板２２を重ね合わせる。支持基板４８
は、支持基板２２に支持された多数のフィルタ１４ａ、
１４ｂの内、一部のフィルタ２０ａ、２０ｂのみを移動
するためのものである。支持基板２２に支持された多数
のフィルタ２０ａ、２０ｂの内、一部のフィルタ２０
ａ、２０ｂのみを支持基板４８側に移動するために、例
えば支持基板４８の表面の一部にのみ例えば接着材（図
示せず）を塗布しておく。
４８上に支持基板２２を重ね合わせる。支持基板４８
は、支持基板２２に支持された多数のフィルタ１４ａ、
１４ｂの内、一部のフィルタ２０ａ、２０ｂのみを移動
するためのものである。支持基板２２に支持された多数
のフィルタ２０ａ、２０ｂの内、一部のフィルタ２０
ａ、２０ｂのみを支持基板４８側に移動するために、例
えば支持基板４８の表面の一部にのみ例えば接着材（図
示せず）を塗布しておく。
【００６２】次に、図９（ｂ）に示すように、支持基板
４８と支持基板２２とを互いに離間する。こうして、支
持基板２２に支持された多数のフィルタ２０ａ、２０ｂ
の内、一部のフィルタ２０ａ、２０ｂのみが支持基板４
８側に移動される（図９（ｃ）参照）。
４８と支持基板２２とを互いに離間する。こうして、支
持基板２２に支持された多数のフィルタ２０ａ、２０ｂ
の内、一部のフィルタ２０ａ、２０ｂのみが支持基板４
８側に移動される（図９（ｃ）参照）。
【００６３】次に、図３（ａ）を用いて上述したのと同
様にして、傾動用基板２４上に、解除層２６を形成する
（図１０（ａ）参照）。
様にして、傾動用基板２４上に、解除層２６を形成する
（図１０（ａ）参照）。
【００６４】次に、図３（ｂ）を用いて上述したのと同
様にして、傾動層２８を形成する（図１０（ｂ）参
照）。
様にして、傾動層２８を形成する（図１０（ｂ）参
照）。
【００６５】次に、図１０（ｃ）に示すように、傾動用
基板２４上に、支持基板４６を重ね合わせる。
基板２４上に、支持基板４６を重ね合わせる。
【００６６】次に、図１０（ｄ）に示すように、傾動用
基板２４と支持基板４６とを互いに離間する。こうし
て、フィルタ１４ａ、１４ｂが、傾動層２８上に移動さ
れる。
基板２４と支持基板４６とを互いに離間する。こうし
て、フィルタ１４ａ、１４ｂが、傾動層２８上に移動さ
れる。
【００６７】次に、図１１（ａ）に示すように、傾動用
基板２４上に、支持基板４８を重ね合わせる。
基板２４上に、支持基板４８を重ね合わせる。
【００６８】次に、図１１（ｂ）に示すように、傾動用
基板２４と支持基板４８とを互いに離間する。こうし
て、フィルタ２０ａ、２０ｂが、傾動層２８上に移され
る。
基板２４と支持基板４８とを互いに離間する。こうし
て、フィルタ２０ａ、２０ｂが、傾動層２８上に移され
る。
【００６９】次に、図３（ｆ）を用いて上述したのと同
様にして、解除層２６を選択的にエッチングする。これ
により、フィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂが傾
動層２８上に倒される（図１１（ｃ）参照）。フィルタ
１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂが斜角柱状に形成され
ているため、傾動層２８上に倒されたフィルタ１４ａ、
１４ｂ、２０ａ、２０ｂを構成する誘電体多層膜の面
は、傾動用基板２４の面に対して傾いた状態となる。換
言すれば、傾動層２８上に倒されたフィルタ１４ａ、１
４ｂ、２０ａ、２０ｂを構成する誘電体多層膜の成長方
位が、傾動用基板２４の面に対して傾いた状態となる。
様にして、解除層２６を選択的にエッチングする。これ
により、フィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂが傾
動層２８上に倒される（図１１（ｃ）参照）。フィルタ
１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂが斜角柱状に形成され
ているため、傾動層２８上に倒されたフィルタ１４ａ、
１４ｂ、２０ａ、２０ｂを構成する誘電体多層膜の面
は、傾動用基板２４の面に対して傾いた状態となる。換
言すれば、傾動層２８上に倒されたフィルタ１４ａ、１
４ｂ、２０ａ、２０ｂを構成する誘電体多層膜の成長方
位が、傾動用基板２４の面に対して傾いた状態となる。
【００７０】次に、図１１（ｄ）に示すように、光回路
装置の実際の基板として用いられる実基板３６を用意す
る。
装置の実際の基板として用いられる実基板３６を用意す
る。
【００７１】次に、実基板３６上に、膜厚５μｍの接着
層５０を形成する。接着層５０の材料としては、例えば
シリコン、アクリル、又はエポキシ等を用いることがで
きる。接着層５０は、フィルタ１４ａ、１４ｂ、２０
ａ、２０ｂを支持基板２４側から剥がし、実基板３６側
に固着するためのものである。
層５０を形成する。接着層５０の材料としては、例えば
シリコン、アクリル、又はエポキシ等を用いることがで
きる。接着層５０は、フィルタ１４ａ、１４ｂ、２０
ａ、２０ｂを支持基板２４側から剥がし、実基板３６側
に固着するためのものである。
【００７２】次に、実基板３６上に傾動用基板２４を重
ね合わせる。この際、接着層５０上に移動すべきフィル
タ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂが、接着層５０と重
なり合うように位置合わせする。
ね合わせる。この際、接着層５０上に移動すべきフィル
タ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂが、接着層５０と重
なり合うように位置合わせする。
【００７３】次に、図１１（ｅ）に示すように、実基板
３６と支持基板２４とを互いに離間する。こうして、フ
ィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂが、接着層５０
上に一括して移動される。
３６と支持基板２４とを互いに離間する。こうして、フ
ィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂが、接着層５０
上に一括して移動される。
【００７４】次に、実基板３６上に、クラッド層３８、
導波路層４０を形成する。
導波路層４０を形成する。
【００７５】次に、膜厚５μｍのフッ化ポリイミドより
成るクラッド層５２を順次形成する。
成るクラッド層５２を順次形成する。
【００７６】こうして、実基板上に薄膜素子であるフィ
ルタが配置され、光回路装置が構成される。なお、この
ようにして構成された光回路装置の動作は、第５実施形
態以降において詳細に説明するため、ここでは省略する
こととする。
ルタが配置され、光回路装置が構成される。なお、この
ようにして構成された光回路装置の動作は、第５実施形
態以降において詳細に説明するため、ここでは省略する
こととする。
【００７７】このように本実施形態によれば、波長λ１
の光信号を反射するフィルタ１４ａ、１４ｂと波長λ２
の光信号を反射するフィルタ２０ａ、２０ｂとを同一の
傾動用基板２４に移動し、同一の傾動用基板２４により
フィルタ１４ａ、１４ｂとフィルタ２０ａ、２０ｂを一
括して傾けるため、別個の傾動用基板２４、３０を用い
てフィルタ１４ａ、１４ｂとフィルタ２０ａ、２０ｂと
をそれぞれ別個に傾ける場合と比べて、工程を簡略化す
ることができ、また、コストダウンを図ることができ
る。
の光信号を反射するフィルタ１４ａ、１４ｂと波長λ２
の光信号を反射するフィルタ２０ａ、２０ｂとを同一の
傾動用基板２４に移動し、同一の傾動用基板２４により
フィルタ１４ａ、１４ｂとフィルタ２０ａ、２０ｂを一
括して傾けるため、別個の傾動用基板２４、３０を用い
てフィルタ１４ａ、１４ｂとフィルタ２０ａ、２０ｂと
をそれぞれ別個に傾ける場合と比べて、工程を簡略化す
ることができ、また、コストダウンを図ることができ
る。
【００７８】また、本実施形態によれば、傾動用基板２
４において傾けられたフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０
ａ、２０ｂを一括して実基板３６側に移動することがで
きるため、別個の傾動用基板２４、３０からフィルタ１
４ａ、１４ｂとフィルタ２０ａ、２０ｂとをそれぞれ別
個の工程で移動する場合と比べて、工程を簡略化するこ
とができる。
４において傾けられたフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０
ａ、２０ｂを一括して実基板３６側に移動することがで
きるため、別個の傾動用基板２４、３０からフィルタ１
４ａ、１４ｂとフィルタ２０ａ、２０ｂとをそれぞれ別
個の工程で移動する場合と比べて、工程を簡略化するこ
とができる。
【００７９】［第３実施形態］本発明の第３実施形態に
よる薄膜素子の配置方法を図１３乃至図１７を用いて説
明する。図１３乃至図１７は、本実施形態による薄膜素
子の配置方法を示す工程図である。なお、図１３の紙面
左側は平面図であり、紙面中央はＤ−Ｄ′線断面図であ
り、紙面右側はＥ−Ｅ′線断面図である。図１４の紙面
左側は平面図であり、紙面中央はＦ−Ｆ′線断面図であ
り、紙面右側はＧ−Ｇ′線断面図である。図１５及び図
１６の紙面左側は平面図であり、紙面右側はＨ−Ｈ′線
断面図である。図１７（ａ）の紙面左側は平面図であ
り、紙面右側はＩ−Ｉ′線断面図である。図１７（ｂ）
の紙面左側は平面図であり、紙面右側はＪ−Ｊ′線断面
図である。図１乃至図１２に示す第１又は第２実施形態
による薄膜素子の配置方法と同一の構成要素には、同一
の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
よる薄膜素子の配置方法を図１３乃至図１７を用いて説
明する。図１３乃至図１７は、本実施形態による薄膜素
子の配置方法を示す工程図である。なお、図１３の紙面
左側は平面図であり、紙面中央はＤ−Ｄ′線断面図であ
り、紙面右側はＥ−Ｅ′線断面図である。図１４の紙面
左側は平面図であり、紙面中央はＦ−Ｆ′線断面図であ
り、紙面右側はＧ−Ｇ′線断面図である。図１５及び図
１６の紙面左側は平面図であり、紙面右側はＨ−Ｈ′線
断面図である。図１７（ａ）の紙面左側は平面図であ
り、紙面右側はＩ−Ｉ′線断面図である。図１７（ｂ）
の紙面左側は平面図であり、紙面右側はＪ−Ｊ′線断面
図である。図１乃至図１２に示す第１又は第２実施形態
による薄膜素子の配置方法と同一の構成要素には、同一
の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００８０】本実施形態による薄膜素子の配置方法は、
フィルタを構成する誘電体多層膜の面が実基板の面と垂
直になるように設定すること、換言すれば、フィルタを
構成する誘電体多層膜の成長方位が実基板の面と平行に
なるように設定することに主な特徴がある。
フィルタを構成する誘電体多層膜の面が実基板の面と垂
直になるように設定すること、換言すれば、フィルタを
構成する誘電体多層膜の成長方位が実基板の面と平行に
なるように設定することに主な特徴がある。
【００８１】まず、図１３（ａ）に示すように、成長基
板１０上に誘電体多層膜より成る斜角柱状のフィルタ１
４ｃ、１４ｄを形成する。この際、図１３（ａ）の紙面
右側の図に示すように、フィルタ１４ｃはＥ−Ｅ′線断
面図において紙面右側に傾くように形成し、フィルタ１
４ｄはＥ−Ｅ′線断面図において紙面左側に傾くように
形成する。
板１０上に誘電体多層膜より成る斜角柱状のフィルタ１
４ｃ、１４ｄを形成する。この際、図１３（ａ）の紙面
右側の図に示すように、フィルタ１４ｃはＥ−Ｅ′線断
面図において紙面右側に傾くように形成し、フィルタ１
４ｄはＥ−Ｅ′線断面図において紙面左側に傾くように
形成する。
【００８２】次に、図１及び図８を用いて上述したのと
同様にして、フィルタ１４ｃ、１４ｄを支持基板４６上
に移動する。この際、成長基板１０に形成された多数の
フィルタ１４ｃ、１４ｄの内、一部のフィルタ１４ｃ、
１４ｄのみを支持基板４６上に移動する（図１３（ｂ）
参照）。
同様にして、フィルタ１４ｃ、１４ｄを支持基板４６上
に移動する。この際、成長基板１０に形成された多数の
フィルタ１４ｃ、１４ｄの内、一部のフィルタ１４ｃ、
１４ｄのみを支持基板４６上に移動する（図１３（ｂ）
参照）。
【００８３】次に、図１４（ａ）に示すように、成長基
板１８上に誘電体多層膜より成る斜角柱状のフィルタ２
０ｃ、２０ｄを形成する。この際、図１４（ａ）の紙面
右側の図に示すように、フィルタ２０ｃはＧ−Ｇ′線断
面図において紙面右側に傾くように形成し、フィルタ２
０ｄはＧ−Ｇ′線断面図において紙面左側に傾くように
形成する。
板１８上に誘電体多層膜より成る斜角柱状のフィルタ２
０ｃ、２０ｄを形成する。この際、図１４（ａ）の紙面
右側の図に示すように、フィルタ２０ｃはＧ−Ｇ′線断
面図において紙面右側に傾くように形成し、フィルタ２
０ｄはＧ−Ｇ′線断面図において紙面左側に傾くように
形成する。
【００８４】次に、図２及び図９を用いて上述したのと
同様にして、フィルタ２０ｃを支持基板４８上に移動す
る。この際、成長基板１８に形成された多数のフィルタ
２０ｃ、２０ｄの内、一部のフィルタ２０ｃのみを支持
基板４８上に移動する（図１４（ｂ）参照）。
同様にして、フィルタ２０ｃを支持基板４８上に移動す
る。この際、成長基板１８に形成された多数のフィルタ
２０ｃ、２０ｄの内、一部のフィルタ２０ｃのみを支持
基板４８上に移動する（図１４（ｂ）参照）。
【００８５】次に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）を用
いて上述したのと同様にして、傾動用基板２４上に解除
層２６及び傾動層２８を形成する（図１５（ａ）参
照）。
いて上述したのと同様にして、傾動用基板２４上に解除
層２６及び傾動層２８を形成する（図１５（ａ）参
照）。
【００８６】次に、図１５（ｂ）に示すように、傾動用
基板２４の傾動層２８上に、フィルタ１４ｃ、１４ｄを
移動する。この際、フィルタ１４ｃ、１４ｄの傾いてい
る方向と傾動層２８の延在方向との為す角が、例えば直
角になるようにする。
基板２４の傾動層２８上に、フィルタ１４ｃ、１４ｄを
移動する。この際、フィルタ１４ｃ、１４ｄの傾いてい
る方向と傾動層２８の延在方向との為す角が、例えば直
角になるようにする。
【００８７】次に、図１５（ｃ）に示すように、傾動用
基板２４の傾動層２８上に、フィルタ２０ｃを移動す
る。この際、フィルタ２０ｃの傾いている方向と傾動層
２８の延在方向との為す角が、例えば直角になるように
する。
基板２４の傾動層２８上に、フィルタ２０ｃを移動す
る。この際、フィルタ２０ｃの傾いている方向と傾動層
２８の延在方向との為す角が、例えば直角になるように
する。
【００８８】こうして、傾動用基板２４の傾動層２８上
にフィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃが移動される（図１
６（ａ）参照）。
にフィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃが移動される（図１
６（ａ）参照）。
【００８９】次に、解除層２６を選択的にエッチングす
る。これにより、傾動層２８の端部が傾き、これに伴っ
てフィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃが傾動層２８上に倒
される。本実施形態では、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２
０ｃを傾動層２８上に載置する際に、フィルタ１４ｃ、
１４ｄ、２０ｃの傾いている方向と傾動層２８の延在方
向との為す角を直角に設定しているため（図１６（ａ）
参照）、傾動層２８上に倒されたフィルタ１４ｃ、１４
ｄ、２０ｃを構成する誘電体多層膜の面は傾動用基板２
４の面に対して垂直となり、また、傾動層２８上に倒さ
れたフィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃの延在方向は傾動
層２８の延在方向に対して斜めとなる。換言すれば、フ
ィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを構成する誘電体多層膜
の面が傾動用基板２４の面に対して平行となる（図１６
（ｂ）参照）。
る。これにより、傾動層２８の端部が傾き、これに伴っ
てフィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃが傾動層２８上に倒
される。本実施形態では、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２
０ｃを傾動層２８上に載置する際に、フィルタ１４ｃ、
１４ｄ、２０ｃの傾いている方向と傾動層２８の延在方
向との為す角を直角に設定しているため（図１６（ａ）
参照）、傾動層２８上に倒されたフィルタ１４ｃ、１４
ｄ、２０ｃを構成する誘電体多層膜の面は傾動用基板２
４の面に対して垂直となり、また、傾動層２８上に倒さ
れたフィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃの延在方向は傾動
層２８の延在方向に対して斜めとなる。換言すれば、フ
ィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを構成する誘電体多層膜
の面が傾動用基板２４の面に対して平行となる（図１６
（ｂ）参照）。
【００９０】次に、図１６（ｃ）に示すように、光回路
装置の実際の基板として用いられる実基板３６を用意す
る。
装置の実際の基板として用いられる実基板３６を用意す
る。
【００９１】次に、実基板３６上に接着層５０を形成す
る。
る。
【００９２】次に、実基板３６上に傾動用基板２４を重
ね合わせる。
ね合わせる。
【００９３】次に、図１７（ａ）に示すように、実基板
３６と支持基板２４とを互いに離間する。こうして、フ
ィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃが、接着層５０上に一括
して移動される。
３６と支持基板２４とを互いに離間する。こうして、フ
ィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃが、接着層５０上に一括
して移動される。
【００９４】次に、図１７（ｂ）に示すように、実基板
３６上に、クラッド層３８を形成する。
３６上に、クラッド層３８を形成する。
【００９５】次に、クラッド層３８上に、導波路層４０
ａ、４０ｂを形成する。導波路層４０ａは、フィルタ１
４ｃ、１４ｄ、２０ｃの延在方向に沿うように形成す
る。導波路層４０ｂは、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０
ｃにより分岐される光が導入され得るように形成する。
ａ、４０ｂを形成する。導波路層４０ａは、フィルタ１
４ｃ、１４ｄ、２０ｃの延在方向に沿うように形成す
る。導波路層４０ｂは、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０
ｃにより分岐される光が導入され得るように形成する。
【００９６】こうしてフィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃ
を構成する誘電体多層膜の面が、実基板３６の面に対し
て垂直に設定され、導波路４０ａ、４０ｂの延在方向に
対して斜めに設定される。換言すれば、フィルタ１４
ｃ、１４ｄ、２０ｃを構成する誘電体多層膜の成長方位
が、実基板３６の面に対して平行に設定され、導波路４
０ａ、４０ｂの延在方向に対して斜めに設定される。
を構成する誘電体多層膜の面が、実基板３６の面に対し
て垂直に設定され、導波路４０ａ、４０ｂの延在方向に
対して斜めに設定される。換言すれば、フィルタ１４
ｃ、１４ｄ、２０ｃを構成する誘電体多層膜の成長方位
が、実基板３６の面に対して平行に設定され、導波路４
０ａ、４０ｂの延在方向に対して斜めに設定される。
【００９７】次に、クラッド層５２を形成する。
【００９８】こうして、実基板上に薄膜素子であるフィ
ルタが配置され、光回路装置が構成される。なお、この
ようにして構成された光回路装置の動作は、第５実施形
態以降において詳細に説明するため、ここでは省略する
こととする。
ルタが配置され、光回路装置が構成される。なお、この
ようにして構成された光回路装置の動作は、第５実施形
態以降において詳細に説明するため、ここでは省略する
こととする。
【００９９】このように本実施形態によれば、フィルタ
１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを傾動層２８上に載置する際
に、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃの傾いている方向
と傾動層２８の延在方向との為す角が直角になるように
設定するため、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを傾動
層２８上に倒すと、傾動層２８上に倒されたフィルタ１
４ｃ、１４ｄ、２０ｃを構成する誘電体多層膜の面は傾
動用基板２４の面に対して垂直となり、また、傾動層２
８上に倒されたフィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃの延在
方向は傾動層２８の延在方向に対して斜めとなる。この
ため、本実施形態によれば、フィルタを構成する誘電体
多層膜の面を実基板の面に対して垂直に設定することが
でき、導波路の延在方向に対して斜めに設定することが
できる。従って、本実施形態によれば、実基板の面と平
行な方向に進行する光信号を、実基板の面と平行な方向
に分光することができる。
１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを傾動層２８上に載置する際
に、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃの傾いている方向
と傾動層２８の延在方向との為す角が直角になるように
設定するため、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを傾動
層２８上に倒すと、傾動層２８上に倒されたフィルタ１
４ｃ、１４ｄ、２０ｃを構成する誘電体多層膜の面は傾
動用基板２４の面に対して垂直となり、また、傾動層２
８上に倒されたフィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃの延在
方向は傾動層２８の延在方向に対して斜めとなる。この
ため、本実施形態によれば、フィルタを構成する誘電体
多層膜の面を実基板の面に対して垂直に設定することが
でき、導波路の延在方向に対して斜めに設定することが
できる。従って、本実施形態によれば、実基板の面と平
行な方向に進行する光信号を、実基板の面と平行な方向
に分光することができる。
【０１００】（変形例（その１））次に、本実施形態に
よる薄膜素子の配置方法の変形例（その１）を図１８を
用いて説明する。図１８は、本変形例による薄膜素子の
配置方法を示す図である。
よる薄膜素子の配置方法の変形例（その１）を図１８を
用いて説明する。図１８は、本変形例による薄膜素子の
配置方法を示す図である。
【０１０１】本変形例による薄膜素子の配置方法は、傾
動層２８上に接着層５４を形成することに主な特徴があ
る。
動層２８上に接着層５４を形成することに主な特徴があ
る。
【０１０２】まず、図１５（ａ）を用いて上述したのと
同様にして、傾動用基板２４上に、解除層２６及び傾動
層２８を順次形成する（図１８（ａ）参照）。
同様にして、傾動用基板２４上に、解除層２６及び傾動
層２８を順次形成する（図１８（ａ）参照）。
【０１０３】次に、傾動層２８上に、例えば膜厚３μｍ
以下の接着層５４を形成する。接着層５４の材料として
は、例えばシリコン、アクリル、又はエポキシ等を用い
ることができる。
以下の接着層５４を形成する。接着層５４の材料として
は、例えばシリコン、アクリル、又はエポキシ等を用い
ることができる。
【０１０４】次に、図１５（ｂ）乃至図１６（ａ）を用
いて上述したのと同様にして、傾動層２８上にフィルタ
１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを載置する（図１８（ｂ）参
照）。
いて上述したのと同様にして、傾動層２８上にフィルタ
１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを載置する（図１８（ｂ）参
照）。
【０１０５】次に、図１６（ｂ）を用いて上述したのと
同様にして、解除層２６を選択的にエッチングする。こ
れにより、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃが傾動層２
８上に倒される（図１８（ｃ）参照）。
同様にして、解除層２６を選択的にエッチングする。こ
れにより、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃが傾動層２
８上に倒される（図１８（ｃ）参照）。
【０１０６】こうして傾動層２８上に倒されたフィルタ
１４ｃ、１４ｄ、２０ｃは、実基板３６上に配置され
る。
１４ｃ、１４ｄ、２０ｃは、実基板３６上に配置され
る。
【０１０７】このように本変形例では、傾動層２８上に
接着層５４が形成されているため、フィルタ１４ｃ、１
４ｄ、２０ｃが傾動層２８上から剥がれ落ちてしまうこ
とを防止することができる。従って、本変形例によれ
ば、歩留りを向上することができる。
接着層５４が形成されているため、フィルタ１４ｃ、１
４ｄ、２０ｃが傾動層２８上から剥がれ落ちてしまうこ
とを防止することができる。従って、本変形例によれ
ば、歩留りを向上することができる。
【０１０８】（変形例（その２））次に、本実施形態に
よる薄膜素子の配置方法の変形例（その２）を図１９を
用いて説明する。図１９は、本変形例による薄膜素子の
配置方法を示す図である。
よる薄膜素子の配置方法の変形例（その２）を図１９を
用いて説明する。図１９は、本変形例による薄膜素子の
配置方法を示す図である。
【０１０９】本変形例による薄膜素子の配置方法は、フ
ィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを傾動用基板２４ａの面
に対して所望の角度に回転することに主な特徴がある。
ィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを傾動用基板２４ａの面
に対して所望の角度に回転することに主な特徴がある。
【０１１０】まず、図１５（ａ）を用いて上述したのと
同様にして、傾動用基板２４ａ上に、解除層２６ａ及び
傾動層２８ａを順次形成する（図１９（ａ）参照）。こ
の際、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを所望の角度に
回転し得るように、解除層２６ａの膜厚や材料や大き
さ、傾動層２８ａの膜厚や材料や大きさ、傾動用基板２
４ａの材料等を適宜設定する。
同様にして、傾動用基板２４ａ上に、解除層２６ａ及び
傾動層２８ａを順次形成する（図１９（ａ）参照）。こ
の際、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを所望の角度に
回転し得るように、解除層２６ａの膜厚や材料や大き
さ、傾動層２８ａの膜厚や材料や大きさ、傾動用基板２
４ａの材料等を適宜設定する。
【０１１１】次に、図１９（ｂ）に示すように、傾動層
２８ａ上に、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを載置す
る。
２８ａ上に、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを載置す
る。
【０１１２】次に、図１９（ｃ）に示すように、解除層
２６ａを選択的にエッチングし、傾動層２８ａの端部を
傾動用基板２４ａの面に対して所望の角度に傾ける。
２６ａを選択的にエッチングし、傾動層２８ａの端部を
傾動用基板２４ａの面に対して所望の角度に傾ける。
【０１１３】こうして回転されたフィルタ１４ｃ、１４
ｄ、２０ｃは、実基板３６上に配置される。
ｄ、２０ｃは、実基板３６上に配置される。
【０１１４】このように本変形例によれば、フィルタ１
４ｃ、１４ｄ、２０ｃを傾動用基板２４ａの面に対して
所望の角度に回転することができるので、実基板３６上
に所望の角度でフィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを配置
することができる。
４ｃ、１４ｄ、２０ｃを傾動用基板２４ａの面に対して
所望の角度に回転することができるので、実基板３６上
に所望の角度でフィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを配置
することができる。
【０１１５】（変形例（その３））次に、本実施形態に
よる薄膜素子の配置方法の変形例（その３）を図２０を
用いて説明する。図２０は、本変形例による薄膜素子の
配置方法を示す図である。
よる薄膜素子の配置方法の変形例（その３）を図２０を
用いて説明する。図２０は、本変形例による薄膜素子の
配置方法を示す図である。
【０１１６】本変形例による薄膜素子の配置方法は、傾
動層２８上の一部に、傾動層２８の傾きを所望の箇所で
止める停止層５６が形成されていることに主な特徴があ
る。
動層２８上の一部に、傾動層２８の傾きを所望の箇所で
止める停止層５６が形成されていることに主な特徴があ
る。
【０１１７】まず、図２０（ａ）に示すように、傾動用
基板２４ａ上に、解除層及２６ａ及び傾動層２８ａを順
次形成する。
基板２４ａ上に、解除層及２６ａ及び傾動層２８ａを順
次形成する。
【０１１８】次に、傾動層２８ａ上の一部に、停止層５
６を形成する。停止層５６は、傾動層２８が傾きを所定
の箇所で止めるためのものである。停止層５６の膜厚、
材料、大きさ等は、傾動層２８の傾きを所望の箇所で止
めることができるよう、適宜設定することができる。
６を形成する。停止層５６は、傾動層２８が傾きを所定
の箇所で止めるためのものである。停止層５６の膜厚、
材料、大きさ等は、傾動層２８の傾きを所望の箇所で止
めることができるよう、適宜設定することができる。
【０１１９】次に、図２０（ｂ）に示すように、傾動層
２８ａ上に、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを載置す
る。
２８ａ上に、フィルタ１４ｃ、１４ｄ、２０ｃを載置す
る。
【０１２０】次に、図２０（ｃ）に示すように、解除層
２６を選択的にエッチングし、傾動層２８ａの端部を傾
ける。この際、停止層５６により傾動層２８ａの傾き
が、所望の箇所で止められる。
２６を選択的にエッチングし、傾動層２８ａの端部を傾
ける。この際、停止層５６により傾動層２８ａの傾き
が、所望の箇所で止められる。
【０１２１】こうして傾けられたフィルタ１４ｃ、１４
ｄ、２０ｃは、実基板３６上に配置される。
ｄ、２０ｃは、実基板３６上に配置される。
【０１２２】このように本変形例によれば、傾動層２８
上に停止層５６を形成するので、傾動層２８を所望の傾
きに設定することができる。
上に停止層５６を形成するので、傾動層２８を所望の傾
きに設定することができる。
【０１２３】［第４実施形態］本発明の第４実施形態に
よる薄膜素子の配置方法を図２１及び図２２を用いて説
明する。図２１及び図２２は、本実施形態による薄膜素
子の配置方法を示す工程断面図である。図１乃至図２０
に示す第１乃至第３実施形態による薄膜素子の配置方法
と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略
または簡潔にする。
よる薄膜素子の配置方法を図２１及び図２２を用いて説
明する。図２１及び図２２は、本実施形態による薄膜素
子の配置方法を示す工程断面図である。図１乃至図２０
に示す第１乃至第３実施形態による薄膜素子の配置方法
と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略
または簡潔にする。
【０１２４】本実施形態による薄膜素子の配置方法は、
支持基板１６、２２にフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０
ａ、２０ｂを支持する突起５８ａ、５８ｂをそれぞれ形
成しておくこと、及び、支持基板１６、２２を支持基板
２５、３１にそれぞれ押し付けることによりフィルタ１
４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂをそれぞれ傾けることに
主な特徴がある。
支持基板１６、２２にフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０
ａ、２０ｂを支持する突起５８ａ、５８ｂをそれぞれ形
成しておくこと、及び、支持基板１６、２２を支持基板
２５、３１にそれぞれ押し付けることによりフィルタ１
４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂをそれぞれ傾けることに
主な特徴がある。
【０１２５】まず、図２１（ａ）に示すように、成長基
板１０上に、フィルタ１４ａ、１４ｂを形成する。
板１０上に、フィルタ１４ａ、１４ｂを形成する。
【０１２６】次に、図２１（ｂ）に示すように、突起５
８ａ、５８ｂが形成された支持基板１６を用意する。突
起５８ａ、５８ｂの断面は斜めになっている。突起５８
ａ、５８ｂの断面を斜めに形成しているのは、斜角柱状
のフィルタ１４ａ、１４ｂを支持するためである。な
お、突起５８ａ、５８ｂの材料としては、例えばシリコ
ン、ガラス、又はポリマ等を用いることができる。
８ａ、５８ｂが形成された支持基板１６を用意する。突
起５８ａ、５８ｂの断面は斜めになっている。突起５８
ａ、５８ｂの断面を斜めに形成しているのは、斜角柱状
のフィルタ１４ａ、１４ｂを支持するためである。な
お、突起５８ａ、５８ｂの材料としては、例えばシリコ
ン、ガラス、又はポリマ等を用いることができる。
【０１２７】突起５８ａ、５８ｂの斜めの面には、例え
ばシリコン、アクリル、エポキシ等より成る接着層６０
が形成されている。接着層６０は、突起５８ａ、５８ｂ
の斜めの面にフィルタ１４ａ、１４ｂを接着するための
ものである。
ばシリコン、アクリル、エポキシ等より成る接着層６０
が形成されている。接着層６０は、突起５８ａ、５８ｂ
の斜めの面にフィルタ１４ａ、１４ｂを接着するための
ものである。
【０１２８】次に、図２１（ｃ）に示すように、成長基
板１０上に支持基板１６を重ね合わせる。
板１０上に支持基板１６を重ね合わせる。
【０１２９】次に、図２１（ｄ）に示すように、成長基
板１０を選択的に溶解する。こうして、突起５８ａ、５
８ｂに支持された状態で、支持基板１６側にフィルタ１
４ａ、１４ｂが移動される。
板１０を選択的に溶解する。こうして、突起５８ａ、５
８ｂに支持された状態で、支持基板１６側にフィルタ１
４ａ、１４ｂが移動される。
【０１３０】次に、図２１（ｅ）に示すように、突起５
８ａ、５８ｂを選択的に溶解する。突起５８ａ、５８ｂ
を選択的に溶解し得る溶解液としては、突起５８ａ、５
８ｂの材料が例えばシリコン又はガラスの場合には例え
ばフッ酸等を用いることができ、突起５８ａ、５８ｂの
材料が例えばポリマ系の材料の場合には例えばアルカリ
溶液等を用いることができる。この際、接着層６０は、
溶解されることなく、フィルタ１４ａ、１４ｂの側面に
残存する。
８ａ、５８ｂを選択的に溶解する。突起５８ａ、５８ｂ
を選択的に溶解し得る溶解液としては、突起５８ａ、５
８ｂの材料が例えばシリコン又はガラスの場合には例え
ばフッ酸等を用いることができ、突起５８ａ、５８ｂの
材料が例えばポリマ系の材料の場合には例えばアルカリ
溶液等を用いることができる。この際、接着層６０は、
溶解されることなく、フィルタ１４ａ、１４ｂの側面に
残存する。
【０１３１】次に、図２１（ｆ）に示すように、支持基
板１６を支持基板２５に押し付け、フィルタ１４ａ、１
４ｂを傾ける。フィルタ１４ａ、１４ｂの側面に接着層
６０が残存しているため、傾けられたフィルタ１４ａ、
１４ｂは、接着層６０を介して支持基板１６に固定され
る。フィルタ１４ａ、１４ｂを構成する誘電体多層膜の
面は、支持基板２５の面に対して斜めに設定された状態
となる。
板１６を支持基板２５に押し付け、フィルタ１４ａ、１
４ｂを傾ける。フィルタ１４ａ、１４ｂの側面に接着層
６０が残存しているため、傾けられたフィルタ１４ａ、
１４ｂは、接着層６０を介して支持基板１６に固定され
る。フィルタ１４ａ、１４ｂを構成する誘電体多層膜の
面は、支持基板２５の面に対して斜めに設定された状態
となる。
【０１３２】次に、支持基板１６と支持基板２５とを互
いに離間する。こうして、支持基板２５上にフィルタ１
４ａ、１４ｂが移動される（図２１（ｇ）参照）。
いに離間する。こうして、支持基板２５上にフィルタ１
４ａ、１４ｂが移動される（図２１（ｇ）参照）。
【０１３３】次に、図２２（ａ）に示すように、成長基
板１８上に、フィルタ２０ａ、２０ｂを形成する。
板１８上に、フィルタ２０ａ、２０ｂを形成する。
【０１３４】次に、図２２（ｂ）に示すように、突起６
２ａ、６２ｂが形成された支持基板２２を用意する。突
起６２ａ、６２ｂは、図２１（ａ）に示す突起５８ａ、
５８ｂと同様のものである。突起５８ａ、５８ｂの斜め
の面には、接着層６４が形成されている。接着層６４の
材料としては、例えばシリコン、アクリル、又はエポキ
シ等を用いることができる。
２ａ、６２ｂが形成された支持基板２２を用意する。突
起６２ａ、６２ｂは、図２１（ａ）に示す突起５８ａ、
５８ｂと同様のものである。突起５８ａ、５８ｂの斜め
の面には、接着層６４が形成されている。接着層６４の
材料としては、例えばシリコン、アクリル、又はエポキ
シ等を用いることができる。
【０１３５】次に、図２２（ｃ）に示すように、成長基
板１８上に支持基板２２を重ね合わせる。
板１８上に支持基板２２を重ね合わせる。
【０１３６】次に、図２２（ｄ）に示すように、成長基
板１８を選択的に溶解する。こうして、突起６２ａ、６
２ｂに支持された状態で、支持基板２２側にフィルタ２
０ａ、２０ｂが移動される。
板１８を選択的に溶解する。こうして、突起６２ａ、６
２ｂに支持された状態で、支持基板２２側にフィルタ２
０ａ、２０ｂが移動される。
【０１３７】次に、図２２（ｅ）に示すように、突起６
２ａ、６２ｂを選択的に溶解する。
２ａ、６２ｂを選択的に溶解する。
【０１３８】次に、図２２（ｆ）に示すように、支持基
板２２を支持基板３１に押し付け、フィルタ２０ａ、２
０ｂを傾ける。
板２２を支持基板３１に押し付け、フィルタ２０ａ、２
０ｂを傾ける。
【０１３９】次に、接着層６４を除去するとともに、支
持基板２２と支持基板３１とを互いに離間する。こうし
て、支持基板３１上にフィルタ２０ａ、２０ｂが移動さ
れる（図２２（ｇ）参照）。
持基板２２と支持基板３１とを互いに離間する。こうし
て、支持基板３１上にフィルタ２０ａ、２０ｂが移動さ
れる（図２２（ｇ）参照）。
【０１４０】こうして支持基板２５、３１側に移動され
たフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂは、上記と
同様にして実基板３６上に配置される。
たフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂは、上記と
同様にして実基板３６上に配置される。
【０１４１】このように本実施形態によれば、支持基板
１６、２２にフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂ
を支持する突起５８ａ、５８ｂをそれぞれ形成しておく
ため、フィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂの位置
がずれてしまうのを防止することができる。従って、本
実施形態によれば、歩留りを向上することができる。
１６、２２にフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂ
を支持する突起５８ａ、５８ｂをそれぞれ形成しておく
ため、フィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂの位置
がずれてしまうのを防止することができる。従って、本
実施形態によれば、歩留りを向上することができる。
【０１４２】また、本実施形態によれば、支持基板１
６、２２を支持基板２５、３１にそれぞれ押し付けるこ
とによりフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂをそ
れぞれ傾けるので、傾動層を用いることなくフィルタ１
４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂを傾けることができる。
従って、本実施形態によれば、工程の簡略化を図ること
ができる。
６、２２を支持基板２５、３１にそれぞれ押し付けるこ
とによりフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂをそ
れぞれ傾けるので、傾動層を用いることなくフィルタ１
４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂを傾けることができる。
従って、本実施形態によれば、工程の簡略化を図ること
ができる。
【０１４３】［第５実施形態］本発明の第５実施形態に
よる光回路装置を図２３を用いて説明する。図２３は、
本実施形態による光回路装置を示す断面図である。図１
乃至図２２に示す第１乃至第４実施形態による薄膜素子
の配置方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して
説明を省略または簡潔にする。
よる光回路装置を図２３を用いて説明する。図２３は、
本実施形態による光回路装置を示す断面図である。図１
乃至図２２に示す第１乃至第４実施形態による薄膜素子
の配置方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して
説明を省略または簡潔にする。
【０１４４】本実施形態による光回路装置は、上記実施
形態により配置されたフィルタ１４ａ、２０ａを用いた
分波器（ＤＥＭＵＸ、DEMUltipleXer）であることに主
な特徴がある。
形態により配置されたフィルタ１４ａ、２０ａを用いた
分波器（ＤＥＭＵＸ、DEMUltipleXer）であることに主
な特徴がある。
【０１４５】図２３に示すように、実基板３６上には、
クラッド層３８が形成されている。
クラッド層３８が形成されている。
【０１４６】クラッド層３８上には、導波路層４０が形
成されている。
成されている。
【０１４７】導波路層４０には、波長λ１の光信号を反
射するフィルタ１４ａと、波長λ２の光信号を反射する
フィルタ２０ａとが組み込まれている。フィルタ１４
ａ、２０ａを構成する誘電体多層膜の面は、実基板３６
の面に対して斜めに設定されている。換言すれば、フィ
ルタ１４ａ、２０ａを構成する誘電体多層膜の成長方位
が、実基板３６の面に対して斜めに設定されている。こ
のようにフィルタ１４ａ、２０ａを配置するためには、
例えば第１、第２又は第４実施形態による薄膜素子の配
置方法を用いることができる。
射するフィルタ１４ａと、波長λ２の光信号を反射する
フィルタ２０ａとが組み込まれている。フィルタ１４
ａ、２０ａを構成する誘電体多層膜の面は、実基板３６
の面に対して斜めに設定されている。換言すれば、フィ
ルタ１４ａ、２０ａを構成する誘電体多層膜の成長方位
が、実基板３６の面に対して斜めに設定されている。こ
のようにフィルタ１４ａ、２０ａを配置するためには、
例えば第１、第２又は第４実施形態による薄膜素子の配
置方法を用いることができる。
【０１４８】導波路層４０上及びフィルタ１４ａ、２０
ａ上には、クラッド層５２が形成されている。
ａ上には、クラッド層５２が形成されている。
【０１４９】こうして本実施形態による光回路装置であ
る分波器が構成されている。
る分波器が構成されている。
【０１５０】次に、本実施形態による光回路装置の動作
について図２３を用いて説明する。
について図２３を用いて説明する。
【０１５１】図２３に示すように、導波路層４０内に
は、例えば、波長λ１の光信号と、波長λ２の光信号
と、波長λ３の光信号とが多重化された信号が、導波路
層４０の延在方向に沿って紙面右方向に進行するように
なっている。
は、例えば、波長λ１の光信号と、波長λ２の光信号
と、波長λ３の光信号とが多重化された信号が、導波路
層４０の延在方向に沿って紙面右方向に進行するように
なっている。
【０１５２】導波路層４０に沿って進行する多重化され
た光信号のうち、波長λ１の光信号は、フィルタ１４ａ
により選択的に反射される。本実施形態では、フィルタ
１４ａを構成する誘電体多層膜の面が実基板３６の面に
対して斜め、例えば４５°に設定されているため、フィ
ルタ１４ａにより反射された波長λ１の光信号は、実基
板３６に対して例えば垂直な方向に進行する。一方、波
長λ２の光信号と波長λ３の光信号は、フィルタ１４ａ
を透過し、導波路層４０の延在方向に沿って紙面右方向
に進行する。
た光信号のうち、波長λ１の光信号は、フィルタ１４ａ
により選択的に反射される。本実施形態では、フィルタ
１４ａを構成する誘電体多層膜の面が実基板３６の面に
対して斜め、例えば４５°に設定されているため、フィ
ルタ１４ａにより反射された波長λ１の光信号は、実基
板３６に対して例えば垂直な方向に進行する。一方、波
長λ２の光信号と波長λ３の光信号は、フィルタ１４ａ
を透過し、導波路層４０の延在方向に沿って紙面右方向
に進行する。
【０１５３】フィルタ１４ａを透過した波長λ２の光信
号と波長λ３の光信号とのうち、波長λ２の光信号は、
フィルタ２０ａにより選択的に反射される。本実施形態
では、フィルタ２０ａを構成する誘電体多層膜の面が実
基板３６の面に対して斜め、例えば４５°に設定されて
いるため、フィルタ２０ａにより反射された波長λ２の
光信号は、実基板３６の面に対して例えば垂直方向に進
行する。一方、波長λ３の光信号は、フィルタ２０ａを
透過し、導波路層４０の延在方向に沿って紙面右方向に
進行する。
号と波長λ３の光信号とのうち、波長λ２の光信号は、
フィルタ２０ａにより選択的に反射される。本実施形態
では、フィルタ２０ａを構成する誘電体多層膜の面が実
基板３６の面に対して斜め、例えば４５°に設定されて
いるため、フィルタ２０ａにより反射された波長λ２の
光信号は、実基板３６の面に対して例えば垂直方向に進
行する。一方、波長λ３の光信号は、フィルタ２０ａを
透過し、導波路層４０の延在方向に沿って紙面右方向に
進行する。
【０１５４】このように本実施形態によれば、フィルタ
を構成する誘電体多層膜の面が実基板の面に対して斜め
に設定されているため、実基板と平行に進行する光信号
を例えば実基板の面に垂直な方向に分波することができ
る。しかも、本実施形態では、かかるフィルタが薄膜を
用いて構成されているため、微細な分波器を提供するこ
とができる。
を構成する誘電体多層膜の面が実基板の面に対して斜め
に設定されているため、実基板と平行に進行する光信号
を例えば実基板の面に垂直な方向に分波することができ
る。しかも、本実施形態では、かかるフィルタが薄膜を
用いて構成されているため、微細な分波器を提供するこ
とができる。
【０１５５】［第６実施形態］本発明の第６実施形態に
よる光回路装置を図２４を用いて説明する。図２４は、
本実施形態による光回路装置を示す断面図である。図１
乃至図２３に示す第１乃至第５実施形態による薄膜素子
の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素には、同一
の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
よる光回路装置を図２４を用いて説明する。図２４は、
本実施形態による光回路装置を示す断面図である。図１
乃至図２３に示す第１乃至第５実施形態による薄膜素子
の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素には、同一
の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１５６】本実施形態による光回路装置は、合波器
（ＭＵＸ、MUltipleXer）であることに主な特徴があ
る。
（ＭＵＸ、MUltipleXer）であることに主な特徴があ
る。
【０１５７】図２４に示すように、実基板３６上には、
クラッド層３８が形成されている。
クラッド層３８が形成されている。
【０１５８】クラッド層３８上には、導波路層４０が形
成されている。
成されている。
【０１５９】導波路層４０には、フィルタ１４ａ、２０
ａが組み込まれている。フィルタ１４ａ、２０ａを構成
する誘電体多層膜の面は、図２３に示すフィルタ１４
ａ、２０ａと同様に、実基板３６の面に対して斜めに設
定されている。このようにフィルタ１４ａ、２０ａを配
置するためには、例えば第１、第２又は第４実施形態に
よる薄膜素子の配置方法を用いることができる。
ａが組み込まれている。フィルタ１４ａ、２０ａを構成
する誘電体多層膜の面は、図２３に示すフィルタ１４
ａ、２０ａと同様に、実基板３６の面に対して斜めに設
定されている。このようにフィルタ１４ａ、２０ａを配
置するためには、例えば第１、第２又は第４実施形態に
よる薄膜素子の配置方法を用いることができる。
【０１６０】導波路層４０上及びフィルタ１４ａ、２０
ａ上には、クラッド層５２が形成されている。
ａ上には、クラッド層５２が形成されている。
【０１６１】こうして、本実施形態による光回路装置で
ある合波器が構成されている。
ある合波器が構成されている。
【０１６２】次に、本実施形態による光回路装置の動作
について図２４を用いて説明する。
について図２４を用いて説明する。
【０１６３】図２４に示すように、フィルタ１４ａに
は、実基板３６の面に垂直な方向から、波長λ１の光信
号が入射されるようになっている。一方、フィルタ２０
ａには、実基板３６の面に垂直な方向から、波長λ２の
光信号が入射されるようになっている。また、導波路層
４０には、導波路層４０の延在方向に沿って波長λ３の
光信号が紙面左方向に進行するようになっている。
は、実基板３６の面に垂直な方向から、波長λ１の光信
号が入射されるようになっている。一方、フィルタ２０
ａには、実基板３６の面に垂直な方向から、波長λ２の
光信号が入射されるようになっている。また、導波路層
４０には、導波路層４０の延在方向に沿って波長λ３の
光信号が紙面左方向に進行するようになっている。
【０１６４】フィルタ１４ａに入射された波長λ１の光
信号は、フィルタ１４ａにより反射される。本実施形態
では、フィルタ１４ａを構成する誘電体多層膜の面が実
基板３６の面に対して斜め、例えば４５°に設定されて
いるため、フィルタ１４ａにより反射された波長λ１の
光信号は、導波路層４０に導入される。導波路層４０に
導入された波長λ１の光信号は、紙面左方向に進行す
る。
信号は、フィルタ１４ａにより反射される。本実施形態
では、フィルタ１４ａを構成する誘電体多層膜の面が実
基板３６の面に対して斜め、例えば４５°に設定されて
いるため、フィルタ１４ａにより反射された波長λ１の
光信号は、導波路層４０に導入される。導波路層４０に
導入された波長λ１の光信号は、紙面左方向に進行す
る。
【０１６５】フィルタ２０ａに入射された波長λ２の光
信号は、フィルタ２０ａにより反射される。本実施形態
では、フィルタ２０ａを構成する誘電体多層膜の面が実
基板３６の面に対して斜め、例えば４５°に設定されて
いるため、フィルタ２０ａにより反射された波長λ２の
光信号は、導波路層４０に導入される。導波路層４０に
導入された波長λ２の光信号は、フィルタ１４ａを透過
し、導波路層４０の延在方向に沿って紙面左方向に進行
する。
信号は、フィルタ２０ａにより反射される。本実施形態
では、フィルタ２０ａを構成する誘電体多層膜の面が実
基板３６の面に対して斜め、例えば４５°に設定されて
いるため、フィルタ２０ａにより反射された波長λ２の
光信号は、導波路層４０に導入される。導波路層４０に
導入された波長λ２の光信号は、フィルタ１４ａを透過
し、導波路層４０の延在方向に沿って紙面左方向に進行
する。
【０１６６】導波路層４０内を進行する波長λ３の光信
号は、フィルタ２０ａ、１４ａを透過し、導波路層４０
の延在方向に沿って紙面左方向に進行する。
号は、フィルタ２０ａ、１４ａを透過し、導波路層４０
の延在方向に沿って紙面左方向に進行する。
【０１６７】こうして、フィルタ１４ａに入射される波
長λ１の光信号と、フィルタ２０ａに入射される波長λ
２の光信号と、導波路層４０の紙面右側から導入される
波長λ３の光信号とが多重化される。
長λ１の光信号と、フィルタ２０ａに入射される波長λ
２の光信号と、導波路層４０の紙面右側から導入される
波長λ３の光信号とが多重化される。
【０１６８】このように本実施形態によれば、フィルタ
を構成する誘電体多層膜の面が実基板の面に対して斜め
に設定されているため、実基板の面に対して例えば垂直
な方向に入射する光信号を、実基板の面に対して平行な
方向に進行させることができる。しかも、本実施形態に
よれば、フィルタが薄膜を用いて構成されているため、
微細な合波器を提供することができる。
を構成する誘電体多層膜の面が実基板の面に対して斜め
に設定されているため、実基板の面に対して例えば垂直
な方向に入射する光信号を、実基板の面に対して平行な
方向に進行させることができる。しかも、本実施形態に
よれば、フィルタが薄膜を用いて構成されているため、
微細な合波器を提供することができる。
【０１６９】［第７実施形態］本発明の第７実施形態に
よる光回路装置を図２５を用いて説明する。図２５は、
本実施形態による光回路装置を示す断面図である。図１
乃至図２４に示す第１乃至第６実施形態による薄膜素子
の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素には、同一
の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
よる光回路装置を図２５を用いて説明する。図２５は、
本実施形態による光回路装置を示す断面図である。図１
乃至図２４に示す第１乃至第６実施形態による薄膜素子
の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素には、同一
の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１７０】本実施形態による光回路装置は、波長スイ
ッチ（wavelength switch）であることに主な特徴があ
る。波長スイッチとは、電圧等によりデバイス材料の屈
折率を変化させ、特定波長の光の光路を切り換えるデバ
イスをいう。
ッチ（wavelength switch）であることに主な特徴があ
る。波長スイッチとは、電圧等によりデバイス材料の屈
折率を変化させ、特定波長の光の光路を切り換えるデバ
イスをいう。
【０１７１】図２５に示すように、実基板３６上には、
クラッド層３８が形成されている。
クラッド層３８が形成されている。
【０１７２】クラッド層３８上には、導波路層４０が形
成されている。
成されている。
【０１７３】導波路層４０には、チューナブルフィルタ
（Tunable Filter、波長可変フィルタ）６６ａ、６６ｂ
が組み込まれている。チューナブルフィルタ６６ａは、
多層膜６８ａと、多層膜６８ａの両端面に形成された電
極７０ａ、７０ｂとにより構成されている。チューナブ
ルフィルタ６６ｂは、多層膜６８ｂと、多層膜６８ｂの
両端面に形成された電極７０ｃ、７０ｄとにより構成さ
れている。電極７０ａ〜７０ｄは、多層膜６８ａ、６８
ｂに所定の電圧を印加することにより、フィルタ特性を
変化させるためのものである。電極７０ａ〜７０ｄに
は、光信号を透過するための開口部が形成されている。
多層膜６８ａ、６８ｂとしては、III−Ｖ属化合物半導
体を用いた多重量子井戸（ＭＱＷ、Multiple Quantum W
ell）や量子ドット（Quantum dot）等の非線形光学材料
を用いることができる。多層膜６８ａ、６８ｂの面は、
実基板３６の面に対して斜め、例えば４５°に設定され
ている。このように多層膜６８ａ、６８ｂを配置するた
めには、例えば第１、第２又は第４実施形態による薄膜
素子の配置方法を用いることができる。
（Tunable Filter、波長可変フィルタ）６６ａ、６６ｂ
が組み込まれている。チューナブルフィルタ６６ａは、
多層膜６８ａと、多層膜６８ａの両端面に形成された電
極７０ａ、７０ｂとにより構成されている。チューナブ
ルフィルタ６６ｂは、多層膜６８ｂと、多層膜６８ｂの
両端面に形成された電極７０ｃ、７０ｄとにより構成さ
れている。電極７０ａ〜７０ｄは、多層膜６８ａ、６８
ｂに所定の電圧を印加することにより、フィルタ特性を
変化させるためのものである。電極７０ａ〜７０ｄに
は、光信号を透過するための開口部が形成されている。
多層膜６８ａ、６８ｂとしては、III−Ｖ属化合物半導
体を用いた多重量子井戸（ＭＱＷ、Multiple Quantum W
ell）や量子ドット（Quantum dot）等の非線形光学材料
を用いることができる。多層膜６８ａ、６８ｂの面は、
実基板３６の面に対して斜め、例えば４５°に設定され
ている。このように多層膜６８ａ、６８ｂを配置するた
めには、例えば第１、第２又は第４実施形態による薄膜
素子の配置方法を用いることができる。
【０１７４】導波路層４０上及びチューナブルフィルタ
６６ａ、６６ｂ上には、クラッド層５２が形成されてい
る。
６６ａ、６６ｂ上には、クラッド層５２が形成されてい
る。
【０１７５】こうして本実施形態による光回路装置であ
る波長スイッチが構成されている。
る波長スイッチが構成されている。
【０１７６】次に、本実施形態による光回路装置の動作
について図２５を用いて説明する。図２５（ａ）は、チ
ューナブルフィルタ６６ａが波長λ２の光信号を反射す
るように設定されており、チューナブルフィルタ６６ｂ
がいずれの光信号をも透過するように設定されている状
態を示す断面図である。図２５（ｂ）は、チューナブル
フィルタ６６ａが波長λ１の光信号を反射するように設
定されており、チューナブルフィルタ６６ｂが波長λ２
の光信号を反射するように設定されている状態を示す断
面図である。
について図２５を用いて説明する。図２５（ａ）は、チ
ューナブルフィルタ６６ａが波長λ２の光信号を反射す
るように設定されており、チューナブルフィルタ６６ｂ
がいずれの光信号をも透過するように設定されている状
態を示す断面図である。図２５（ｂ）は、チューナブル
フィルタ６６ａが波長λ１の光信号を反射するように設
定されており、チューナブルフィルタ６６ｂが波長λ２
の光信号を反射するように設定されている状態を示す断
面図である。
【０１７７】まず、図２５（ａ）に示す状態について説
明する。
明する。
【０１７８】図２５（ａ）に示すように、導波路層４０
には、例えば、波長λ１の光信号と、波長λ２の光信号
と、波長λ３の光信号とが多重化された信号が、導波路
層４０に沿って紙面右方向に進行するようになってい
る。
には、例えば、波長λ１の光信号と、波長λ２の光信号
と、波長λ３の光信号とが多重化された信号が、導波路
層４０に沿って紙面右方向に進行するようになってい
る。
【０１７９】図２５（ａ）に示す状態では、チューナブ
ルフィルタ６６ａが波長λ２の光信号を反射するように
設定されているため、導波路層４０に沿って進行する多
重化された光信号のうち波長λ２の光信号は、チューナ
ブルフィルタ６６ａにより選択的に反射される。多層膜
６８ａの面が実基板３６の面に対して斜め、例えば４５
°に設定されているため、チューナブルフィルタ６６ａ
により反射された波長λ２の光信号は、実基板３６の面
に対して例えば垂直な方向に進行する。
ルフィルタ６６ａが波長λ２の光信号を反射するように
設定されているため、導波路層４０に沿って進行する多
重化された光信号のうち波長λ２の光信号は、チューナ
ブルフィルタ６６ａにより選択的に反射される。多層膜
６８ａの面が実基板３６の面に対して斜め、例えば４５
°に設定されているため、チューナブルフィルタ６６ａ
により反射された波長λ２の光信号は、実基板３６の面
に対して例えば垂直な方向に進行する。
【０１８０】一方、チューナブルフィルタ６６ｂは、い
ずれの光信号をも透過するように設定されている。この
ため、チューナブルフィルタ６６ａを透過した波長λ１
の光信号及び波長λ３の光信号は、チューナブルフィル
タ６６ｂをも透過し、導波路層４０の延在方向に沿って
紙面右方向に進行する。
ずれの光信号をも透過するように設定されている。この
ため、チューナブルフィルタ６６ａを透過した波長λ１
の光信号及び波長λ３の光信号は、チューナブルフィル
タ６６ｂをも透過し、導波路層４０の延在方向に沿って
紙面右方向に進行する。
【０１８１】次に、図２５（ｂ）に示す状態について説
明する。
明する。
【０１８２】図２５（ｂ）に示す状態では、チューナブ
ルフィルタ６６ａが波長λ１の光信号を反射するように
設定されているため、導波路層４０に沿って進行する多
重化された光信号のうち、波長λ１の光信号は、チュー
ナブルフィルタ６６ａにより選択的に反射される。反射
された波長λ１の光信号は、実基板３６の面に対して例
えば垂直な方向に進行する。
ルフィルタ６６ａが波長λ１の光信号を反射するように
設定されているため、導波路層４０に沿って進行する多
重化された光信号のうち、波長λ１の光信号は、チュー
ナブルフィルタ６６ａにより選択的に反射される。反射
された波長λ１の光信号は、実基板３６の面に対して例
えば垂直な方向に進行する。
【０１８３】一方、チューナブルフィルタ６６ｂは波長
λ２の光信号を反射するように設定されているため、チ
ューナブルフィルタ６６ａを透過した波長λ２の光信号
及び波長λ３の光信号のうち、波長λ２の光信号は、チ
ューナブルフィルタ６６ｂにより選択的に反射される。
反射された波長λ２の光信号は、実基板３６の面に対し
て例えば垂直な方向に進行する。波長λ３の光信号は、
チューナブルフィルタ６６ｂを透過し、導波路層４０の
延在方向に沿って紙面右方向に進行する。
λ２の光信号を反射するように設定されているため、チ
ューナブルフィルタ６６ａを透過した波長λ２の光信号
及び波長λ３の光信号のうち、波長λ２の光信号は、チ
ューナブルフィルタ６６ｂにより選択的に反射される。
反射された波長λ２の光信号は、実基板３６の面に対し
て例えば垂直な方向に進行する。波長λ３の光信号は、
チューナブルフィルタ６６ｂを透過し、導波路層４０の
延在方向に沿って紙面右方向に進行する。
【０１８４】このように、本実施形態によれば、微細な
波長スイッチを提供することができる。
波長スイッチを提供することができる。
【０１８５】［第８実施形態］本発明の第８実施形態に
よる光回路装置を図２６を用いて説明する。図２６は、
本実施形態による光回路装置を示す断面図である。図１
乃至図２５に示す第１乃至第７実施形態による薄膜素子
の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素には、同一
の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
よる光回路装置を図２６を用いて説明する。図２６は、
本実施形態による光回路装置を示す断面図である。図１
乃至図２５に示す第１乃至第７実施形態による薄膜素子
の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素には、同一
の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１８６】本実施形態による光回路装置は、光スイッ
チ（optical switch）が形成されていることに主な特徴
がある。
チ（optical switch）が形成されていることに主な特徴
がある。
【０１８７】図２６に示すように、実基板３６上には、
クラッド層３８が形成されている。
クラッド層３８が形成されている。
【０１８８】クラッド層３８上には、導波路層４０が形
成されている。
成されている。
【０１８９】導波路層４０には、光スイッチ７２が組み
込まれている。光スイッチ７２は、多層膜６８ｃと、多
層膜６８ｃの両端面に形成された電極７０ｅ、７０ｆと
により構成されている。電極７０ｅ、７０ｆは、多層膜
６８ｃに所定の電圧を印加することにより、光スイッチ
７２をオン、オフするためのものである。電極７０ｅ、
７０ｆには、光信号を透過するための開口部が形成され
ている。多層膜６８ｃとしては、III−Ｖ属化合物半導
体を用いた多重量子井戸や量子ドット等の非線形光学材
料を用いることができる。多層膜６８ｃの面は、実基板
３６の面に対して斜め、例えば４５°に設定されてい
る。多層膜６８ｃをこのように配置するためには、上述
した薄膜素子の配置方法を用いることができる。
込まれている。光スイッチ７２は、多層膜６８ｃと、多
層膜６８ｃの両端面に形成された電極７０ｅ、７０ｆと
により構成されている。電極７０ｅ、７０ｆは、多層膜
６８ｃに所定の電圧を印加することにより、光スイッチ
７２をオン、オフするためのものである。電極７０ｅ、
７０ｆには、光信号を透過するための開口部が形成され
ている。多層膜６８ｃとしては、III−Ｖ属化合物半導
体を用いた多重量子井戸や量子ドット等の非線形光学材
料を用いることができる。多層膜６８ｃの面は、実基板
３６の面に対して斜め、例えば４５°に設定されてい
る。多層膜６８ｃをこのように配置するためには、上述
した薄膜素子の配置方法を用いることができる。
【０１９０】導波路層４０上及び光スイッチ７２上に
は、クラッド層５２が形成されている。
は、クラッド層５２が形成されている。
【０１９１】こうして本実施形態による光回路装置が構
成されている。
成されている。
【０１９２】次に、本実施形態による光回路装置の動作
について図２６を用いて説明する。図２６（ａ）は、光
スイッチ７２がオフの状態、即ち、光スイッチ７２が光
信号を透過するように設定されている状態を示す断面図
である。図２６（ｂ）は、光スイッチがオンの状態、即
ち、光スイッチ７２が光信号を反射するように設定され
ている状態を示す断面図である。
について図２６を用いて説明する。図２６（ａ）は、光
スイッチ７２がオフの状態、即ち、光スイッチ７２が光
信号を透過するように設定されている状態を示す断面図
である。図２６（ｂ）は、光スイッチがオンの状態、即
ち、光スイッチ７２が光信号を反射するように設定され
ている状態を示す断面図である。
【０１９３】まず、図２６（ａ）に示す状態について説
明する。
明する。
【０１９４】図２６（ａ）に示す状態では、光スイッチ
７２が光信号を透過するように設定されているため、導
波路層４０内に導入された光信号は、光スイッチ７２に
より反射されることなく、光スイッチ７２を透過し、導
波路層４０の延在方向に沿って紙面右方向に進行する。
７２が光信号を透過するように設定されているため、導
波路層４０内に導入された光信号は、光スイッチ７２に
より反射されることなく、光スイッチ７２を透過し、導
波路層４０の延在方向に沿って紙面右方向に進行する。
【０１９５】次に、図２６（ｂ）に示す状態について説
明する。
明する。
【０１９６】図２６（ｂ）に示す状態では、光スイッチ
７２が光信号を反射するように設定されているため、導
波路層４０内に導入された光信号は、光スイッチ７２に
より反射される。光スイッチ７２により反射された光信
号は、例えば実基板３６の面に対して垂直方向に進行す
る。
７２が光信号を反射するように設定されているため、導
波路層４０内に導入された光信号は、光スイッチ７２に
より反射される。光スイッチ７２により反射された光信
号は、例えば実基板３６の面に対して垂直方向に進行す
る。
【０１９７】このように、本実施形態によれば、微細な
光スイッチを提供することができる。
光スイッチを提供することができる。
【０１９８】［第９実施形態］本発明の第９実施形態に
よる光回路装置を図２７を用いて説明する。図２７は、
本実施形態による光回路装置を示す平面図である。図１
乃至図２６に示す第１乃至第８実施形態による薄膜素子
の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素には、同一
の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
よる光回路装置を図２７を用いて説明する。図２７は、
本実施形態による光回路装置を示す平面図である。図１
乃至図２６に示す第１乃至第８実施形態による薄膜素子
の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素には、同一
の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１９９】本実施形態による光回路装置は、実基板の
面と平行な方向に進行する光を、実基板の面と平行な方
向に分岐し得る分波器（ＤＥＭＵＸ）であることに主な
特徴がある。
面と平行な方向に進行する光を、実基板の面と平行な方
向に分岐し得る分波器（ＤＥＭＵＸ）であることに主な
特徴がある。
【０２００】実基板３６上には、図示しないクラッド層
を介して導波路層４０が形成されている。
を介して導波路層４０が形成されている。
【０２０１】導波路層４０には、波長λ１の光を反射す
るフィルタ１４ｃと、波長λ２の光を反射するフィルタ
２０ｃとが組み込まれている。フィルタ１４ｃを構成す
る誘電体多層膜の面は、導波路層４０の延在方向に対し
て斜め、且つ実基板３６の面に対して垂直になるように
設定されている。フィルタ１４ｃ、２０ｃをこのように
配置するためには、例えば第３実施形態による薄膜素子
の配置方法を用いることができる。
るフィルタ１４ｃと、波長λ２の光を反射するフィルタ
２０ｃとが組み込まれている。フィルタ１４ｃを構成す
る誘電体多層膜の面は、導波路層４０の延在方向に対し
て斜め、且つ実基板３６の面に対して垂直になるように
設定されている。フィルタ１４ｃ、２０ｃをこのように
配置するためには、例えば第３実施形態による薄膜素子
の配置方法を用いることができる。
【０２０２】また、実基板３６上には、図示しないクラ
ッド層を介して導波路層４０ｃ、４０ｄが形成されてい
る。導波路層４０ｃは、フィルタ１４ｃにより反射され
る光信号を実基板３６と平行な方向に導くものであり、
導波路層４０ｄは、フィルタ２０ｃにより反射される光
信号を実基板３６と平行な方向に導くものである。
ッド層を介して導波路層４０ｃ、４０ｄが形成されてい
る。導波路層４０ｃは、フィルタ１４ｃにより反射され
る光信号を実基板３６と平行な方向に導くものであり、
導波路層４０ｄは、フィルタ２０ｃにより反射される光
信号を実基板３６と平行な方向に導くものである。
【０２０３】こうして本実施形態による光回路装置であ
る分波器が構成されている。
る分波器が構成されている。
【０２０４】次に、本実施形態による光回路装置の動作
について図２７を用いて説明する。
について図２７を用いて説明する。
【０２０５】図２７に示すように、導波路層４０には、
例えば、波長λ１の光信号と、波長λ２の光信号と、波
長λ３の光信号とが多重化された信号が紙面右方向に進
行するようになっている。
例えば、波長λ１の光信号と、波長λ２の光信号と、波
長λ３の光信号とが多重化された信号が紙面右方向に進
行するようになっている。
【０２０６】波長λ１の光信号は、フィルタ１４ｃによ
り選択的に反射される。本実施形態では、フィルタ１４
を構成する誘電体多層膜の面が導波路層４０の延在方向
に対して斜め、例えば４５°に設定されており、且つ、
フィルタ１４を構成する誘電体多層膜の面が実基板３６
の面に対して垂直になるように設定されているため、フ
ィルタ１４ｃにより反射された波長λ１の光信号は導波
路層４０ｃに導入される。導波路層４０ｃに導入された
波長λ１の光信号は、導波路層４０ｃの延在方向に沿っ
て実基板３６の面と平行に進行する。
り選択的に反射される。本実施形態では、フィルタ１４
を構成する誘電体多層膜の面が導波路層４０の延在方向
に対して斜め、例えば４５°に設定されており、且つ、
フィルタ１４を構成する誘電体多層膜の面が実基板３６
の面に対して垂直になるように設定されているため、フ
ィルタ１４ｃにより反射された波長λ１の光信号は導波
路層４０ｃに導入される。導波路層４０ｃに導入された
波長λ１の光信号は、導波路層４０ｃの延在方向に沿っ
て実基板３６の面と平行に進行する。
【０２０７】波長λ２の光信号は、フィルタ２０ｃによ
り選択的に反射される。本実施形態では、フィルタ２０
ｃを構成する誘電体多層膜の面が導波路層４０の延在方
向に対して斜め、例えば４５°に設定されており、且
つ、フィルタ２０ｃを構成する誘電体多層膜の面が実基
板３６の面に対して垂直になるように設定されているた
め、フィルタ２０ｃにより反射された波長λ２の光信号
は導波路層４０ｄに導入される。導波路層４０ｄに導入
された波長λ２の光信号は、導波路層４０ｄの延在方向
に沿って実基板３６の面と平行に進行する。
り選択的に反射される。本実施形態では、フィルタ２０
ｃを構成する誘電体多層膜の面が導波路層４０の延在方
向に対して斜め、例えば４５°に設定されており、且
つ、フィルタ２０ｃを構成する誘電体多層膜の面が実基
板３６の面に対して垂直になるように設定されているた
め、フィルタ２０ｃにより反射された波長λ２の光信号
は導波路層４０ｄに導入される。導波路層４０ｄに導入
された波長λ２の光信号は、導波路層４０ｄの延在方向
に沿って実基板３６の面と平行に進行する。
【０２０８】波長λ３の光信号は、フィルタ１４ｃ、２
０ｃにより反射されることなく、導波路層４０の延在方
向に沿って紙面右方向に進行する。
０ｃにより反射されることなく、導波路層４０の延在方
向に沿って紙面右方向に進行する。
【０２０９】このように本実施形態によれば、フィルタ
を構成する誘電体多層膜の面が、導波路の延在方向に対
して斜め、且つ実基板の面に対して垂直になるように設
定されている。従って、本実施形態によれば、実基板の
面と平行な方向に進行する光を、実基板の面と平行な方
向に分岐しうる微細な分波器を提供することができる。
を構成する誘電体多層膜の面が、導波路の延在方向に対
して斜め、且つ実基板の面に対して垂直になるように設
定されている。従って、本実施形態によれば、実基板の
面と平行な方向に進行する光を、実基板の面と平行な方
向に分岐しうる微細な分波器を提供することができる。
【０２１０】（変形例）次に、本実施形態による光回路
装置の変形例を図２８を用いて説明する。図２８は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。
装置の変形例を図２８を用いて説明する。図２８は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。
【０２１１】本変形例による光回路装置は、分岐する導
波路層４０ｅ、４０ｆの幅が、フィルタ１４ｃ、２０ｃ
の近傍でテーパ状に広くなっていることに主な特徴があ
る。
波路層４０ｅ、４０ｆの幅が、フィルタ１４ｃ、２０ｃ
の近傍でテーパ状に広くなっていることに主な特徴があ
る。
【０２１２】本変形例では、分岐する導波路層４０ｅ、
４０ｆの幅がフィルタ１４ｃ、２０ｃの近傍でテーパ状
に広くなっているため、分岐する光の結合効率を向上す
ることができる。
４０ｆの幅がフィルタ１４ｃ、２０ｃの近傍でテーパ状
に広くなっているため、分岐する光の結合効率を向上す
ることができる。
【０２１３】［第１０実施形態］本発明の第１０実施形
態による光回路装置を図２９を用いて説明する。図２９
は、本実施形態による光回路装置を示す平面図である。
図１乃至図２８に示す第１乃至第９実施形態による薄膜
素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素には、
同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
態による光回路装置を図２９を用いて説明する。図２９
は、本実施形態による光回路装置を示す平面図である。
図１乃至図２８に示す第１乃至第９実施形態による薄膜
素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素には、
同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２１４】本実施形態による光回路装置は、実基板の
面と平行な方向に進行する光を多重化し得る合波器（Ｍ
ＵＸ）であることに主な特徴がある。
面と平行な方向に進行する光を多重化し得る合波器（Ｍ
ＵＸ）であることに主な特徴がある。
【０２１５】図２９に示すように、実基板３６上には、
図示しないクラッド層を介して導波路層４０が形成され
ている。導波路層４０には、波長λ１の光を反射するフ
ィルタ１４ｃと、波長λ２の光を反射するフィルタ２０
ｃとが組み込まれている。フィルタ１４ｃ、２０ｃを構
成する誘電体多層膜の面は、導波路層４０の延在方向に
対して斜め、例えば４５°に設定されており、且つ、フ
ィルタ１４ｃ、２０ｃを構成する誘電体多層膜の面が、
実基板３６の面に対して垂直になるように設定されてい
る。フィルタ１４ｃ、２０ｃをこのように配置するため
には、例えば第３実施形態による薄膜素子の配置方法を
用いることができる。
図示しないクラッド層を介して導波路層４０が形成され
ている。導波路層４０には、波長λ１の光を反射するフ
ィルタ１４ｃと、波長λ２の光を反射するフィルタ２０
ｃとが組み込まれている。フィルタ１４ｃ、２０ｃを構
成する誘電体多層膜の面は、導波路層４０の延在方向に
対して斜め、例えば４５°に設定されており、且つ、フ
ィルタ１４ｃ、２０ｃを構成する誘電体多層膜の面が、
実基板３６の面に対して垂直になるように設定されてい
る。フィルタ１４ｃ、２０ｃをこのように配置するため
には、例えば第３実施形態による薄膜素子の配置方法を
用いることができる。
【０２１６】実基板３６上には、図示しないクラッド層
を介して、導波路層４０ｃ、４０ｄが形成されている。
導波路層４０ｃは、実基板３６と平行に進行する例えば
波長λ１の光信号をフィルタ１４ｃを経由して導波路層
４０に導くためのものである。導波路層４０ｄは、実基
板３６と平行に進行する例えば波長λ２の光信号をフィ
ルタ２０ｃを経由して導波路層４０に導くためのもので
ある。
を介して、導波路層４０ｃ、４０ｄが形成されている。
導波路層４０ｃは、実基板３６と平行に進行する例えば
波長λ１の光信号をフィルタ１４ｃを経由して導波路層
４０に導くためのものである。導波路層４０ｄは、実基
板３６と平行に進行する例えば波長λ２の光信号をフィ
ルタ２０ｃを経由して導波路層４０に導くためのもので
ある。
【０２１７】こうして本実施形態による光回路装置が構
成されている。
成されている。
【０２１８】次に、本実施形態による光回路装置の動作
について図２９を用いて説明する。
について図２９を用いて説明する。
【０２１９】図２９に示すように、フィルタ１４ｃに
は、導波路層４０ｃ内を進行する例えば波長λ１の光信
号が入射されるようになっている。また、フィルタ２０
ｃには、導波路層４０ｄ内を進行する例えば波長λ２の
光信号が入射されるようになっている。また、導波路層
４０には、波長λ３の光信号が紙面左方向に進行するよ
うになっている。
は、導波路層４０ｃ内を進行する例えば波長λ１の光信
号が入射されるようになっている。また、フィルタ２０
ｃには、導波路層４０ｄ内を進行する例えば波長λ２の
光信号が入射されるようになっている。また、導波路層
４０には、波長λ３の光信号が紙面左方向に進行するよ
うになっている。
【０２２０】フィルタ１４ｃに導入された波長λ１の光
信号は、フィルタ１４ｃにより反射される。本実施形態
では、フィルタ１４ｃを構成する誘電体多層膜の面が導
波路層４０の延在方向に対して斜め、且つ実基板３６の
面に対して垂直に設定されているため、フィルタ１４ｃ
により反射された波長λ１の光信号は、導波路層４０に
導入される。導波路層４０に導入された波長λ１の光信
号は、導波路層４０の延在方向に沿って紙面左方向に進
行する。
信号は、フィルタ１４ｃにより反射される。本実施形態
では、フィルタ１４ｃを構成する誘電体多層膜の面が導
波路層４０の延在方向に対して斜め、且つ実基板３６の
面に対して垂直に設定されているため、フィルタ１４ｃ
により反射された波長λ１の光信号は、導波路層４０に
導入される。導波路層４０に導入された波長λ１の光信
号は、導波路層４０の延在方向に沿って紙面左方向に進
行する。
【０２２１】フィルタ２０ｃに導入された波長λ２の光
信号は、フィルタ２０ｃにより反射される。本実施形態
では、フィルタ２０ｃを構成する誘電体多層膜の面が導
波路層４０の延在方向に対して斜め、且つ実基板３６の
面に対して垂直に設定されているため、フィルタ２０ｃ
により反射された波長λ２の光信号は、導波路層４０に
導入される。導波路層４０に導入された波長λ２の光信
号は、フィルタ１４ｃを透過し、導波路層４０の延在方
向に沿って紙面左方向に進行する。
信号は、フィルタ２０ｃにより反射される。本実施形態
では、フィルタ２０ｃを構成する誘電体多層膜の面が導
波路層４０の延在方向に対して斜め、且つ実基板３６の
面に対して垂直に設定されているため、フィルタ２０ｃ
により反射された波長λ２の光信号は、導波路層４０に
導入される。導波路層４０に導入された波長λ２の光信
号は、フィルタ１４ｃを透過し、導波路層４０の延在方
向に沿って紙面左方向に進行する。
【０２２２】紙面右側から導波路層４０に導入される波
長λ３の光信号は、フィルタ２０ｃ、１４ｃを透過し、
導波路層４０の延在方向に沿って紙面左方向に進行す
る。
長λ３の光信号は、フィルタ２０ｃ、１４ｃを透過し、
導波路層４０の延在方向に沿って紙面左方向に進行す
る。
【０２２３】こうして、フィルタ１４ｃに入射される波
長λ１の光信号と、フィルタ２０ｃに入射される波長λ
２の光信号と、導波路層４０内を進行する波長λ３の光
信号とが多重化される。
長λ１の光信号と、フィルタ２０ｃに入射される波長λ
２の光信号と、導波路層４０内を進行する波長λ３の光
信号とが多重化される。
【０２２４】このように、本実施形態によれば、実基板
の面と平行な方向に進行する光を多重化し得る微細な合
波器を提供することができる。
の面と平行な方向に進行する光を多重化し得る微細な合
波器を提供することができる。
【０２２５】（変形例）次に、本実施形態による光回路
装置の変形例を図３０を用いて説明する。図３０は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。
装置の変形例を図３０を用いて説明する。図３０は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。
【０２２６】本変形例による光回路装置は、分岐する導
波路層４０ｅ、４０ｆの幅が、フィルタ１４ｃ、２０ｃ
の近傍でテーパ状に広くなっていることに主な特徴があ
る。
波路層４０ｅ、４０ｆの幅が、フィルタ１４ｃ、２０ｃ
の近傍でテーパ状に広くなっていることに主な特徴があ
る。
【０２２７】本変形例では、導波路層４０ｅ、４０ｆの
幅がフィルタ１４ｃ、２０ｃの近傍でテーパ状に広くな
っているため、分岐する光の結合効率を向上することが
できる。
幅がフィルタ１４ｃ、２０ｃの近傍でテーパ状に広くな
っているため、分岐する光の結合効率を向上することが
できる。
【０２２８】［第１１実施形態］本発明の第１１実施形
態による光回路装置を図３１を用いて説明する。図３１
は、本実施形態による光回路装置を示す平面図である。
図１乃至図３０に示す第１乃至第１０実施形態による薄
膜素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
態による光回路装置を図３１を用いて説明する。図３１
は、本実施形態による光回路装置を示す平面図である。
図１乃至図３０に示す第１乃至第１０実施形態による薄
膜素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２２９】本実施形態による光回路装置は、実基板の
面と平行な方向に進行する光信号を実基板の面と平行な
方向に分岐し得る波長スイッチであることに主な特徴が
ある。
面と平行な方向に進行する光信号を実基板の面と平行な
方向に分岐し得る波長スイッチであることに主な特徴が
ある。
【０２３０】図３１に示すように、実基板３６上には、
図示しないクラッド層を介して導波路層４０が形成され
ている。
図示しないクラッド層を介して導波路層４０が形成され
ている。
【０２３１】導波路層４０には、チューナブルフィルタ
６６ｃ、６６ｄが組み込まれている。チューナブルフィ
ルタ６６ｃは、多層膜６８ｄと、多層膜６８ｄの両端面
に形成された電極７０ｇ、７０ｈとにより構成されてい
る。チューナブルフィルタ６６ｄは、多層膜６８ｅと、
多層膜６８ｅの両端面に形成された電極７０ｈ、７０ｉ
とにより構成されている。電極７０ｇ〜７０ｊは、多層
膜６８ｄ、６８ｅに所定の電圧を印加することにより、
フィルタ特性を変化させるためのものである。多層膜６
８ｄ、６８ｅとしては、III−Ｖ属化合物半導体を用い
た多重量子井戸や量子ドット等の非線形光学材料を用い
ることができる。多層膜６８ｄ、６８ｅの面は、導波路
層４０の延在方向に対して斜め、且つ実基板３６の面に
対して垂直に設定されている。多層膜６８ｄ、６８ｅを
このように配置するためには、上述した薄膜素子の配置
方法を用いることができる。
６６ｃ、６６ｄが組み込まれている。チューナブルフィ
ルタ６６ｃは、多層膜６８ｄと、多層膜６８ｄの両端面
に形成された電極７０ｇ、７０ｈとにより構成されてい
る。チューナブルフィルタ６６ｄは、多層膜６８ｅと、
多層膜６８ｅの両端面に形成された電極７０ｈ、７０ｉ
とにより構成されている。電極７０ｇ〜７０ｊは、多層
膜６８ｄ、６８ｅに所定の電圧を印加することにより、
フィルタ特性を変化させるためのものである。多層膜６
８ｄ、６８ｅとしては、III−Ｖ属化合物半導体を用い
た多重量子井戸や量子ドット等の非線形光学材料を用い
ることができる。多層膜６８ｄ、６８ｅの面は、導波路
層４０の延在方向に対して斜め、且つ実基板３６の面に
対して垂直に設定されている。多層膜６８ｄ、６８ｅを
このように配置するためには、上述した薄膜素子の配置
方法を用いることができる。
【０２３２】こうして本実施形態による光回路装置であ
る波長スイッチが構成されている。
る波長スイッチが構成されている。
【０２３３】次に、本実施形態による光回路装置の動作
について図３１を用いて説明する。図３１（ａ）は、チ
ューナブルフィルタ６６ｃが波長λ２の光信号を反射す
るように設定されており、チューナブルフィルタ６６ｄ
がいずれの光信号をも透過するように設定されている状
態を示す平面図である。図３１（ｂ）は、チューナブル
フィルタ６６ｃが波長λ１の光信号を反射するように設
定されており、チューナブルフィルタ６６ｄが波長λ２
の光信号を反射するように設定されている状態を示す平
面図である。
について図３１を用いて説明する。図３１（ａ）は、チ
ューナブルフィルタ６６ｃが波長λ２の光信号を反射す
るように設定されており、チューナブルフィルタ６６ｄ
がいずれの光信号をも透過するように設定されている状
態を示す平面図である。図３１（ｂ）は、チューナブル
フィルタ６６ｃが波長λ１の光信号を反射するように設
定されており、チューナブルフィルタ６６ｄが波長λ２
の光信号を反射するように設定されている状態を示す平
面図である。
【０２３４】まず、図３１（ａ）に示す状態について説
明する。
明する。
【０２３５】導波路層４０には、例えば、波長λ１の光
信号と、波長λ２の光信号と、波長λ３の光信号とが多
重化された信号が入射されるようになっている。
信号と、波長λ２の光信号と、波長λ３の光信号とが多
重化された信号が入射されるようになっている。
【０２３６】図３１（ａ）に示す状態では、チューナブ
ルフィルタ６６ｃが波長λ２の光信号を反射するように
設定されているため、波長λ２の光信号は、チューナブ
ルフィルタ６６ｃにより選択的に反射される。多層膜６
８ｄの面が導波路層４０の延在方向に対して斜め、且つ
実基板３６の面に対して垂直に設定されているため、反
射された波長λ２の光信号は、導波路層４０ｃに導入さ
れる。
ルフィルタ６６ｃが波長λ２の光信号を反射するように
設定されているため、波長λ２の光信号は、チューナブ
ルフィルタ６６ｃにより選択的に反射される。多層膜６
８ｄの面が導波路層４０の延在方向に対して斜め、且つ
実基板３６の面に対して垂直に設定されているため、反
射された波長λ２の光信号は、導波路層４０ｃに導入さ
れる。
【０２３７】チューナブルフィルタ６６ｄはいずれの波
長の光信号をも透過するように設定されているため、波
長λ１の光信号及び波長λ３の光信号は、チューナブル
フィルタ６６ｄを透過し、導波路層４０の延在方向に沿
って紙面右方向に進行する。
長の光信号をも透過するように設定されているため、波
長λ１の光信号及び波長λ３の光信号は、チューナブル
フィルタ６６ｄを透過し、導波路層４０の延在方向に沿
って紙面右方向に進行する。
【０２３８】次に、図３１（ｂ）に示す状態について説
明する。
明する。
【０２３９】図３１（ｂ）に示す状態では、チューナブ
ルフィルタ６６ｃが波長λ１の光信号を反射するように
設定されているため、波長λ１の光信号は、チューナブ
ルフィルタ６６ｃにより選択的に反射される。反射され
た波長λ１の光信号は、導波路層４０ｃに導入される。
ルフィルタ６６ｃが波長λ１の光信号を反射するように
設定されているため、波長λ１の光信号は、チューナブ
ルフィルタ６６ｃにより選択的に反射される。反射され
た波長λ１の光信号は、導波路層４０ｃに導入される。
【０２４０】また、チューナブルフィルタ６６ｄが波長
λ２の光信号を反射するように設定されているため、波
長λ２の光信号は、チューナブルフィルタ６６ｄにより
選択的に反射される。反射された波長λ２の光信号は、
導波路層４０ｄに導入される。
λ２の光信号を反射するように設定されているため、波
長λ２の光信号は、チューナブルフィルタ６６ｄにより
選択的に反射される。反射された波長λ２の光信号は、
導波路層４０ｄに導入される。
【０２４１】波長λ３の光信号は、チューナブルフィル
タ６６ｃ、６６ｄを透過し、導波路層４０の延在方向に
沿って実基板３６の面と平行な方向に進行する。
タ６６ｃ、６６ｄを透過し、導波路層４０の延在方向に
沿って実基板３６の面と平行な方向に進行する。
【０２４２】このように、本実施形態によれば、実基板
の面と平行な方向に進行する光信号を実基板の面と平行
な方向に分岐し得る波長スイッチを提供することができ
る。
の面と平行な方向に進行する光信号を実基板の面と平行
な方向に分岐し得る波長スイッチを提供することができ
る。
【０２４３】（変形例）次に、本実施形態による光回路
装置の変形例を図３２を用いて説明する。図３２は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。図３２
（ａ）は、チューナブルフィルタ６６ｃが波長λ２の光
信号を反射するように設定されており、チューナブルフ
ィルタ６６ｄがいずれの光信号をも透過するように設定
されている状態を示す平面図である。図３２（ｂ）は、
チューナブルフィルタ６６ｃが波長λ１の光信号を反射
するように設定されており、チューナブルフィルタ６６
ｄが波長λ２の光信号を反射するように設定されている
状態を示す平面図である。
装置の変形例を図３２を用いて説明する。図３２は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。図３２
（ａ）は、チューナブルフィルタ６６ｃが波長λ２の光
信号を反射するように設定されており、チューナブルフ
ィルタ６６ｄがいずれの光信号をも透過するように設定
されている状態を示す平面図である。図３２（ｂ）は、
チューナブルフィルタ６６ｃが波長λ１の光信号を反射
するように設定されており、チューナブルフィルタ６６
ｄが波長λ２の光信号を反射するように設定されている
状態を示す平面図である。
【０２４４】本変形例による光回路装置は、分岐する導
波路層４０ｅ、４０ｆの幅が、チューナブルフィルタ６
６ｃ、６６ｄの近傍でテーパ状に広くなっていることに
主な特徴がある。
波路層４０ｅ、４０ｆの幅が、チューナブルフィルタ６
６ｃ、６６ｄの近傍でテーパ状に広くなっていることに
主な特徴がある。
【０２４５】本変形例では、導波路層４０ｅ、４０ｆの
幅がチューナブルフィルタ６６ｃ、６６ｄの近傍でテー
パ状に広くなっているため、分岐する光の結合効率を向
上することができる。
幅がチューナブルフィルタ６６ｃ、６６ｄの近傍でテー
パ状に広くなっているため、分岐する光の結合効率を向
上することができる。
【０２４６】［第１２実施形態］本発明の第１２実施形
態による光回路装置を図３３を用いて説明する。図３３
は、本実施形態による光回路装置を示す断面図である。
図１乃至図３２に示す第１乃至第１１実施形態による薄
膜素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
態による光回路装置を図３３を用いて説明する。図３３
は、本実施形態による光回路装置を示す断面図である。
図１乃至図３２に示す第１乃至第１１実施形態による薄
膜素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２４７】本実施形態による光回路装置は、実基板の
面と平行な方向に進行する光を実基板の面と平行な方向
に反射し得る光スイッチであることに主な特徴がある。
面と平行な方向に進行する光を実基板の面と平行な方向
に反射し得る光スイッチであることに主な特徴がある。
【０２４８】図３３に示すように、実基板３６上には、
図示しないクラッド層を介して導波路層４０が形成され
ている。
図示しないクラッド層を介して導波路層４０が形成され
ている。
【０２４９】導波路層４０には、光スイッチ７２ａが組
み込まれている。光スイッチ７２ａは、多層膜６８ｆ
と、多層膜６８ｆの両端面に形成された電極７０ｋ、７
０ｌとにより構成されている。電極７０ｋ、７０ｌは、
多層膜６８ｆに所定の電圧を印加することにより、光ス
イッチ７２ａをオン、オフするためのものである。多層
膜６８ｆとしては、III−Ｖ属化合物半導体を用いた多
重量子井戸や量子ドット等の非線形光学材料を用いるこ
とができる。多層膜６８ｄの面は、導波路層４０の延在
方向に対して斜め、且つ実基板３６の面に対して垂直に
設定されている。多層膜６８ｆをこのように配置するた
めには、例えば第３実施形態による薄膜素子の配置方法
を用いることができる。
み込まれている。光スイッチ７２ａは、多層膜６８ｆ
と、多層膜６８ｆの両端面に形成された電極７０ｋ、７
０ｌとにより構成されている。電極７０ｋ、７０ｌは、
多層膜６８ｆに所定の電圧を印加することにより、光ス
イッチ７２ａをオン、オフするためのものである。多層
膜６８ｆとしては、III−Ｖ属化合物半導体を用いた多
重量子井戸や量子ドット等の非線形光学材料を用いるこ
とができる。多層膜６８ｄの面は、導波路層４０の延在
方向に対して斜め、且つ実基板３６の面に対して垂直に
設定されている。多層膜６８ｆをこのように配置するた
めには、例えば第３実施形態による薄膜素子の配置方法
を用いることができる。
【０２５０】こうして、本実施形態による光回路装置で
ある光スイッチが構成されている。
ある光スイッチが構成されている。
【０２５１】次に、本実施形態による光回路装置の動作
について図３３を用いて説明する。図３３（ａ）は、光
スイッチがオフの状態、即ち、光スイッチが光信号を透
過するように設定されている状態を示す平面図である。
図３３（ｂ）は、光スイッチがオンの状態、即ち、光ス
イッチが光信号を反射するように設定されている状態を
示す平面図である。
について図３３を用いて説明する。図３３（ａ）は、光
スイッチがオフの状態、即ち、光スイッチが光信号を透
過するように設定されている状態を示す平面図である。
図３３（ｂ）は、光スイッチがオンの状態、即ち、光ス
イッチが光信号を反射するように設定されている状態を
示す平面図である。
【０２５２】まず、図３３（ａ）に示す状態について説
明する。
明する。
【０２５３】図３３（ａ）に示す状態では、光スイッチ
７２ａが光信号を透過するように設定されているため、
導波路層４０内に導入された光信号は、光スイッチ７２
ａにより反射されることなく、光スイッチ７２ａを透過
し、導波路層４０の延在方向に沿って紙面右方向に進行
する。
７２ａが光信号を透過するように設定されているため、
導波路層４０内に導入された光信号は、光スイッチ７２
ａにより反射されることなく、光スイッチ７２ａを透過
し、導波路層４０の延在方向に沿って紙面右方向に進行
する。
【０２５４】次に、図３３（ｂ）に示す状態について説
明する。
明する。
【０２５５】図３３（ｂ）に示す状態では、光スイッチ
７２ａが光信号を反射するように設定されているため、
導波路層４０内に導入された光信号は、光スイッチ７２
ａにより反射される。本実施形態では、多層膜６８ｆの
面が導波路層４０の延在方向に対して斜め、且つ実基板
３６の面に対して垂直に設定されているため、光スイッ
チ７２ａにより反射された光信号は、導波路層４０ｃの
延在方向に沿って実基板３６の面と平行な方向に進行す
る。
７２ａが光信号を反射するように設定されているため、
導波路層４０内に導入された光信号は、光スイッチ７２
ａにより反射される。本実施形態では、多層膜６８ｆの
面が導波路層４０の延在方向に対して斜め、且つ実基板
３６の面に対して垂直に設定されているため、光スイッ
チ７２ａにより反射された光信号は、導波路層４０ｃの
延在方向に沿って実基板３６の面と平行な方向に進行す
る。
【０２５６】このように、本実施形態によれば、実基板
の面と平行な方向に進行する光を、実基板の面と平行な
方向に反射し得る微細な光スイッチを提供することがで
きる。
の面と平行な方向に進行する光を、実基板の面と平行な
方向に反射し得る微細な光スイッチを提供することがで
きる。
【０２５７】（変形例）次に、本実施形態による光回路
装置の変形例を図３４を用いて説明する。図３４は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。図３４
（ａ）は、光スイッチがオフの状態、即ち、光スイッチ
が光信号を透過するように設定されている状態を示す平
面図である。図３４（ｂ）は、光スイッチがオンの状
態、即ち、光スイッチが光信号を反射するように設定さ
れている状態を示す平面図である。
装置の変形例を図３４を用いて説明する。図３４は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。図３４
（ａ）は、光スイッチがオフの状態、即ち、光スイッチ
が光信号を透過するように設定されている状態を示す平
面図である。図３４（ｂ）は、光スイッチがオンの状
態、即ち、光スイッチが光信号を反射するように設定さ
れている状態を示す平面図である。
【０２５８】本変形例による光回路装置は、反射された
光を導く導波路層４０ｅの幅が、光学スイッチ７２ａの
近傍でテーパ状に広くなっていることに主な特徴があ
る。
光を導く導波路層４０ｅの幅が、光学スイッチ７２ａの
近傍でテーパ状に広くなっていることに主な特徴があ
る。
【０２５９】本変形例では、導波路層４０ｅの幅が光学
スイッチ７２ａの近傍でテーパ状に広くなっているた
め、光スイッチ７２ａにより反射される光の結合効率を
向上することができる。
スイッチ７２ａの近傍でテーパ状に広くなっているた
め、光スイッチ７２ａにより反射される光の結合効率を
向上することができる。
【０２６０】［第１３実施形態］本発明の第１３実施形
態による光回路装置を図３５を用いて説明する。図３５
は、本実施形態による光回路装置を示す平面図である。
図１乃至図３４に示す第１乃至第１２実施形態による薄
膜素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
態による光回路装置を図３５を用いて説明する。図３５
は、本実施形態による光回路装置を示す平面図である。
図１乃至図３４に示す第１乃至第１２実施形態による薄
膜素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２６１】本実施形態による光回路装置は、導波路層
４０ｃ、４０ｄの端部にミラーが形成された分波器であ
ることに主な特徴がある。
４０ｃ、４０ｄの端部にミラーが形成された分波器であ
ることに主な特徴がある。
【０２６２】図３５に示すように、導波路層４０ｃ、４
０ｄの端部には、ミラー７４ａ、７４ｂが形成されてい
る。ミラー７４ａ、７４ｂの面は、実基板３６の面に対
して斜め、例えば４５°に設定されている。このため、
導波路層４０ｃ、４０ｄ内を進行する光は、ミラー７４
ａ、７４ｂにより反射され、例えば実基板３６の面に対
して垂直な方向に進行する。
０ｄの端部には、ミラー７４ａ、７４ｂが形成されてい
る。ミラー７４ａ、７４ｂの面は、実基板３６の面に対
して斜め、例えば４５°に設定されている。このため、
導波路層４０ｃ、４０ｄ内を進行する光は、ミラー７４
ａ、７４ｂにより反射され、例えば実基板３６の面に対
して垂直な方向に進行する。
【０２６３】こうして本実施形態による光回路装置であ
る分波器が構成されている。
る分波器が構成されている。
【０２６４】次に、本実施形態による光回路装置の動作
について図３５を用いて説明する。
について図３５を用いて説明する。
【０２６５】図３５に示すように、導波路層４０には、
波長λ１の光信号と、波長λ２の光信号と、波長λ３の
光信号とが多重化された信号が、紙面右方向に進行する
ようになっている。
波長λ１の光信号と、波長λ２の光信号と、波長λ３の
光信号とが多重化された信号が、紙面右方向に進行する
ようになっている。
【０２６６】波長λ１の光信号は、フィルタ１４ｃによ
り選択的に反射され、導波路層４０ｃに導入される。導
波路層４０ｃに導入された波長λ１の光信号は、導波路
層４０ｃ内を進行し、ミラー７４ａにより反射される。
ミラー７４ａの面は、実基板３６の面に対して斜めに設
定されているため、ミラー７４ａにより反射された波長
λ１の光信号は、実基板３６の面に対して例えば垂直な
方向に進行する。
り選択的に反射され、導波路層４０ｃに導入される。導
波路層４０ｃに導入された波長λ１の光信号は、導波路
層４０ｃ内を進行し、ミラー７４ａにより反射される。
ミラー７４ａの面は、実基板３６の面に対して斜めに設
定されているため、ミラー７４ａにより反射された波長
λ１の光信号は、実基板３６の面に対して例えば垂直な
方向に進行する。
【０２６７】波長λ２の光信号は、フィルタ２０ｃによ
り選択的に反射され、導波路層４０ｄに導入される。導
波路層４０ｄに導入された波長λ２の光信号は、導波路
層４０ｄ内を進行し、ミラー７４ｂにより反射される。
ミラー７４ｂの面は、実基板３６の面に対して斜めに設
定されているため、ミラー７４ｂにより反射された波長
λ２の光信号は、実基板３６の面に対して例えば垂直な
方向に進行する。
り選択的に反射され、導波路層４０ｄに導入される。導
波路層４０ｄに導入された波長λ２の光信号は、導波路
層４０ｄ内を進行し、ミラー７４ｂにより反射される。
ミラー７４ｂの面は、実基板３６の面に対して斜めに設
定されているため、ミラー７４ｂにより反射された波長
λ２の光信号は、実基板３６の面に対して例えば垂直な
方向に進行する。
【０２６８】このように、本実施形態によれば、導波路
層４０ｃ、４０ｄの端部にミラー７４ａ、７４ｂが設け
られているため、導波路層４０ｃ、４０ｂに沿って実基
板３６と平行な方向に進行する光信号の進行方向を、実
基板３６の面に対して例えば垂直な方向に転換すること
ができる。
層４０ｃ、４０ｄの端部にミラー７４ａ、７４ｂが設け
られているため、導波路層４０ｃ、４０ｂに沿って実基
板３６と平行な方向に進行する光信号の進行方向を、実
基板３６の面に対して例えば垂直な方向に転換すること
ができる。
【０２６９】（変形例）次に、本実施形態による光回路
装置の変形例を図３６を用いて説明する。図３６は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。
装置の変形例を図３６を用いて説明する。図３６は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。
【０２７０】本変形例による光回路装置は、分岐された
光を導く導波路層４０ｅ、４０ｆの幅が、フィルタ１４
ｃ、２０ｃの近傍でテーパ状に広くなっていることに主
な特徴がある。
光を導く導波路層４０ｅ、４０ｆの幅が、フィルタ１４
ｃ、２０ｃの近傍でテーパ状に広くなっていることに主
な特徴がある。
【０２７１】本変形例では、導波路層４０ｅ、４０ｆの
幅がフィルタ１４ｃ、２０ｃの近傍でテーパ状に広くな
っているため、分岐する光の結合効率を向上することが
できる。
幅がフィルタ１４ｃ、２０ｃの近傍でテーパ状に広くな
っているため、分岐する光の結合効率を向上することが
できる。
【０２７２】［第１４実施形態］本発明の第１４実施形
態による光回路装置を図３７を用いて説明する。図３７
は、本実施形態による光回路装置を示す平面図である。
図１乃至図３６に示す第１乃至第１３実施形態による薄
膜素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
態による光回路装置を図３７を用いて説明する。図３７
は、本実施形態による光回路装置を示す平面図である。
図１乃至図３６に示す第１乃至第１３実施形態による薄
膜素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２７３】本実施形態による光回路装置は、導波路層
４０ｃ、４０ｄの端部にミラーが形成された合波器であ
ることに主な特徴がある。
４０ｃ、４０ｄの端部にミラーが形成された合波器であ
ることに主な特徴がある。
【０２７４】図３７に示すように、導波路層４０ｃ、４
０ｄの端部にはミラー７４ａ、７４ｂが形成されてい
る。ミラー７４ａ、７４ｂの面は、実基板３６の面に対
して斜め、例えば４５°に設定されている。このため、
実基板３６の面に対して例えば垂直な方向からミラー７
４ａ、７４ｂに入射される光信号は、ミラー７４ａ、７
４ｂにより反射され、導波路層４０ｃ、４０ｄに導入さ
れる。
０ｄの端部にはミラー７４ａ、７４ｂが形成されてい
る。ミラー７４ａ、７４ｂの面は、実基板３６の面に対
して斜め、例えば４５°に設定されている。このため、
実基板３６の面に対して例えば垂直な方向からミラー７
４ａ、７４ｂに入射される光信号は、ミラー７４ａ、７
４ｂにより反射され、導波路層４０ｃ、４０ｄに導入さ
れる。
【０２７５】このようにして本実施形態による光回路装
置が構成されている。
置が構成されている。
【０２７６】次に、本実施形態による光回路装置の動作
を図３７を用いて説明する。
を図３７を用いて説明する。
【０２７７】図３７に示すように、ミラー７４ａには、
実基板３６の面に対して例えば垂直な方向から、例えば
波長λ１の光信号が入射されるようになっている。ミラ
ー７４ａに入射された波長λ１の光信号は、ミラー７４
ａにより反射され、導波路層４０ｃ内に導入される。導
波路層４０ｃ内に導入された波長λ１の光信号は、フィ
ルタ１４ｃにより反射され、導波路層４０内を紙面左方
向に進行する。
実基板３６の面に対して例えば垂直な方向から、例えば
波長λ１の光信号が入射されるようになっている。ミラ
ー７４ａに入射された波長λ１の光信号は、ミラー７４
ａにより反射され、導波路層４０ｃ内に導入される。導
波路層４０ｃ内に導入された波長λ１の光信号は、フィ
ルタ１４ｃにより反射され、導波路層４０内を紙面左方
向に進行する。
【０２７８】一方、ミラー７４ｂには、実基板３６の面
に対して例えば垂直な方向から、例えば波長λ２の光信
号が入射されるようになっている。ミラー７４ｂに入射
された波長λ２の光信号は、ミラー７４ｂにより反射さ
れ、導波路層４０ｄ内に導入される。導波路層４０ｄ内
に導入された波長λ２の光信号は、フィルタ２０ｃによ
り反射され、導波路層４０に導入される。導波路層４０
に導入された波長λ２の光信号は、フィルタ１４ｃを透
過し、更に導波路層４０内を紙面左方向に進行する。
に対して例えば垂直な方向から、例えば波長λ２の光信
号が入射されるようになっている。ミラー７４ｂに入射
された波長λ２の光信号は、ミラー７４ｂにより反射さ
れ、導波路層４０ｄ内に導入される。導波路層４０ｄ内
に導入された波長λ２の光信号は、フィルタ２０ｃによ
り反射され、導波路層４０に導入される。導波路層４０
に導入された波長λ２の光信号は、フィルタ１４ｃを透
過し、更に導波路層４０内を紙面左方向に進行する。
【０２７９】また、紙面右側から導波路層４０に導入さ
れる波長λ３の光信号は、フィルタ１４ｃ、２０ｃを透
過して、紙面左方向に進行する。
れる波長λ３の光信号は、フィルタ１４ｃ、２０ｃを透
過して、紙面左方向に進行する。
【０２８０】こうして、ミラー７４ａに入射される波長
λ１の光信号と、ミラー７４ｂに入射される波長λ２の
光信号と、導波路層４０に導入される波長λ３の光信号
とが多重化される。
λ１の光信号と、ミラー７４ｂに入射される波長λ２の
光信号と、導波路層４０に導入される波長λ３の光信号
とが多重化される。
【０２８１】このように、本実施形態によれば、導波路
層４０ｃ、４０ｄにミラーが設けられているため、例え
ば実基板の面と垂直な方向に進行する光信号を、実基板
の面と平行な方向に延在する導波路層４０ｃ、４０ｄに
導入することができる。
層４０ｃ、４０ｄにミラーが設けられているため、例え
ば実基板の面と垂直な方向に進行する光信号を、実基板
の面と平行な方向に延在する導波路層４０ｃ、４０ｄに
導入することができる。
【０２８２】（変形例）次に、本実施形態による光回路
装置の変形例を図３８を用いて説明する。図３８は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。
装置の変形例を図３８を用いて説明する。図３８は、本
変形例による光回路装置を示す平面図である。
【０２８３】本変形例による光回路装置は、導波路層４
０ｅ、４０ｆの幅が、フィルタ１４ｃ、２０ｃの近傍で
テーパ状に広くなっていることに主な特徴がある。
０ｅ、４０ｆの幅が、フィルタ１４ｃ、２０ｃの近傍で
テーパ状に広くなっていることに主な特徴がある。
【０２８４】本変形例では、導波路層４０ｅ、４０ｆの
幅がフィルタ１４ｃ、２０ｃの近傍でテーパ状に広くな
っているため、分岐する光の結合効率を向上することが
できる。
幅がフィルタ１４ｃ、２０ｃの近傍でテーパ状に広くな
っているため、分岐する光の結合効率を向上することが
できる。
【０２８５】［第１５実施形態］本発明の第１５実施形
態による光回路装置を図３９を用いて説明する。図３９
は、本実施形態による光回路装置を示す平面図である。
図３９（ａ）は、本実施形態による光回路装置を示す平
面図であり、図３９（ｂ）は、図３９（ａ）の一部を拡
大した平面図である。図１乃至図３８に示す第１乃至第
１４実施形態による薄膜素子の配置方法及び光回路装置
と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略
または簡潔にする。
態による光回路装置を図３９を用いて説明する。図３９
は、本実施形態による光回路装置を示す平面図である。
図３９（ａ）は、本実施形態による光回路装置を示す平
面図であり、図３９（ｂ）は、図３９（ａ）の一部を拡
大した平面図である。図１乃至図３８に示す第１乃至第
１４実施形態による薄膜素子の配置方法及び光回路装置
と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略
または簡潔にする。
【０２８６】本実施形態による光回路装置は、フィルタ
を構成する誘電体多層膜の面の法線と導波路層４０の延
在方向との為す角が極めて小さく設定されていることに
主な特徴がある。
を構成する誘電体多層膜の面の法線と導波路層４０の延
在方向との為す角が極めて小さく設定されていることに
主な特徴がある。
【０２８７】実基板３６上には、図示しないクラッド層
を介して導波路層４０が形成されている。
を介して導波路層４０が形成されている。
【０２８８】導波路層４０には、波長λ１の光信号を反
射するフィルタ１４ｅと、波長λ２の光信号を反射する
フィルタ１４ｆと、波長λ３の光信号を反射するフィル
タ１４ｇと、波長λ４の光信号を反射するフィルタ１４
ｈとが組み込まれている。本実施形態では、フィルタ１
４ｅ〜１４ｈを構成する誘電体多層膜を構成する誘電体
多層膜の面の法線の方向と導波路層４０の延在方向との
為す角θが例えば２．５°と極めて小さく設定されてお
り、且つフィルタ１４ｅ〜１４ｈを構成する誘電体多層
膜の面と実基板３６の面との為す角が垂直に設定されて
いる。換言すれば、フィルタ１４ｅ〜１４ｈを構成する
誘電体多層膜の成長方位と導波路層４０の延在方向との
為す角θが例えば２．５°と極めて小さく設定されてお
り、且つフィルタ１４ｅ〜１４ｈを構成する誘電体多層
膜の成長方位と実基板３６の面とが平行に設定されてい
る。
射するフィルタ１４ｅと、波長λ２の光信号を反射する
フィルタ１４ｆと、波長λ３の光信号を反射するフィル
タ１４ｇと、波長λ４の光信号を反射するフィルタ１４
ｈとが組み込まれている。本実施形態では、フィルタ１
４ｅ〜１４ｈを構成する誘電体多層膜を構成する誘電体
多層膜の面の法線の方向と導波路層４０の延在方向との
為す角θが例えば２．５°と極めて小さく設定されてお
り、且つフィルタ１４ｅ〜１４ｈを構成する誘電体多層
膜の面と実基板３６の面との為す角が垂直に設定されて
いる。換言すれば、フィルタ１４ｅ〜１４ｈを構成する
誘電体多層膜の成長方位と導波路層４０の延在方向との
為す角θが例えば２．５°と極めて小さく設定されてお
り、且つフィルタ１４ｅ〜１４ｈを構成する誘電体多層
膜の成長方位と実基板３６の面とが平行に設定されてい
る。
【０２８９】本実施形態で、フィルタ１４ｅ〜１４ｈを
構成する誘電体多層膜の面の法線と導波路層４０の延在
方向との為す角θを極めて小さく設定しているのは、フ
ィルタ１４ｅ〜１４ｈの波長分解能を高く設定するため
である。一般に、フィルタを構成する誘電体多層膜の面
の法線の方向とフィルタに入射する光信号の方向との為
す角θが大きくなると、フィルタの波長分解能は低下す
る傾向にある。このため、本実施形態では、フィルタを
構成する誘電体多層膜の面の法線の方向とフィルタに入
射する光信号の方向との為す角θを小さく設定すること
により、フィルタ１４ｅ〜１４ｈの波長分解能を高く設
定している。例えば、本実施形態のように、θを２．５
°と設定した場合には、１０ｎｍ以下の波長分解能が得
られ、ＣＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing、
波長多重）の仕様を満たすことが可能となる。なお、こ
こではθを２．５°に設定しているが、θの値は必ずし
も２．５°に限定されるものではなく、適宜設定するこ
とができる。
構成する誘電体多層膜の面の法線と導波路層４０の延在
方向との為す角θを極めて小さく設定しているのは、フ
ィルタ１４ｅ〜１４ｈの波長分解能を高く設定するため
である。一般に、フィルタを構成する誘電体多層膜の面
の法線の方向とフィルタに入射する光信号の方向との為
す角θが大きくなると、フィルタの波長分解能は低下す
る傾向にある。このため、本実施形態では、フィルタを
構成する誘電体多層膜の面の法線の方向とフィルタに入
射する光信号の方向との為す角θを小さく設定すること
により、フィルタ１４ｅ〜１４ｈの波長分解能を高く設
定している。例えば、本実施形態のように、θを２．５
°と設定した場合には、１０ｎｍ以下の波長分解能が得
られ、ＣＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing、
波長多重）の仕様を満たすことが可能となる。なお、こ
こではθを２．５°に設定しているが、θの値は必ずし
も２．５°に限定されるものではなく、適宜設定するこ
とができる。
【０２９０】また、実基板３６上には、図示しないクラ
ッド層を介して、導波路層４０ｇ〜４０ｊが形成されて
いる。導波路層４０ｇは、フィルタ１４ｅにより反射さ
れる波長λ１の光信号を分岐するためのものであり、導
波路層４０ｈは、フィルタ１４ｆにより反射される波長
λ２の光信号を分岐するためのものである。導波路層４
０ｉは、フィルタ１４ｇにより反射される波長λ３の光
信号を分岐するためのものであり、導波路層４０ｊは、
フィルタ１４ｈにより反射される波長λ４の光信号を分
岐するためのものである。
ッド層を介して、導波路層４０ｇ〜４０ｊが形成されて
いる。導波路層４０ｇは、フィルタ１４ｅにより反射さ
れる波長λ１の光信号を分岐するためのものであり、導
波路層４０ｈは、フィルタ１４ｆにより反射される波長
λ２の光信号を分岐するためのものである。導波路層４
０ｉは、フィルタ１４ｇにより反射される波長λ３の光
信号を分岐するためのものであり、導波路層４０ｊは、
フィルタ１４ｈにより反射される波長λ４の光信号を分
岐するためのものである。
【０２９１】導波路層４０ｇ〜４０ｊの端部には、ミラ
ー７４ｃ〜７４ｆが形成されている。ミラー７４ｃ、７
４ｄ、７４ｅ、７４ｆは、導波路層４０ｇ、４０ｈ、４
０ｉ、４０ｊ内をそれぞれ進行する光信号を、実基板３
６の面に対して例えば垂直方向に反射するものである。
ー７４ｃ〜７４ｆが形成されている。ミラー７４ｃ、７
４ｄ、７４ｅ、７４ｆは、導波路層４０ｇ、４０ｈ、４
０ｉ、４０ｊ内をそれぞれ進行する光信号を、実基板３
６の面に対して例えば垂直方向に反射するものである。
【０２９２】こうして本実施形態による光回路装置であ
る分波器が構成されている。
る分波器が構成されている。
【０２９３】次に、本実施形態による光回路装置の動作
を図３９を用いて説明する。
を図３９を用いて説明する。
【０２９４】図３９に示すように、導波路層４０には、
例えば、波長λ１の光信号と、波長λ２の光信号と、波
長λ３の光信号と、波長λ４の光信号とが多重化された
信号が紙面右方向に進行するようになっている。
例えば、波長λ１の光信号と、波長λ２の光信号と、波
長λ３の光信号と、波長λ４の光信号とが多重化された
信号が紙面右方向に進行するようになっている。
【０２９５】波長λ１の光信号は、フィルタ１４ｅによ
り選択的に反射される。本実施形態では、フィルタ１４
ｅを構成する誘電体多層膜の面の法線の方向と導波路層
４０の延在方向との為す角θが例えば２．５°と極めて
小さく設定されているため、波長λ１の光信号は高い波
長分解能でフィルタ１４ｅにより反射され、導波路層４
０ｇ内に導入される。導波路層４０ｇに導入された波長
λ１の光信号は、導波路層４０ｇ内を進行し、ミラー７
４ｃにより反射される。ミラー７４ｃの面は、実基板３
６の面に対して斜めに設定されているため、ミラー７４
ｃにより反射された波長λ１の光信号は、実基板３６の
面に対して例えば垂直方向に進行する。一方、波長λ２
の光信号と、波長λ３の光信号と、波長λ４の光信号
は、フィルタ１４ｅにより反射されることなくフィルタ
１４ｅを透過し、導波路層４０の延在方向に沿って紙面
右側に進行する。
り選択的に反射される。本実施形態では、フィルタ１４
ｅを構成する誘電体多層膜の面の法線の方向と導波路層
４０の延在方向との為す角θが例えば２．５°と極めて
小さく設定されているため、波長λ１の光信号は高い波
長分解能でフィルタ１４ｅにより反射され、導波路層４
０ｇ内に導入される。導波路層４０ｇに導入された波長
λ１の光信号は、導波路層４０ｇ内を進行し、ミラー７
４ｃにより反射される。ミラー７４ｃの面は、実基板３
６の面に対して斜めに設定されているため、ミラー７４
ｃにより反射された波長λ１の光信号は、実基板３６の
面に対して例えば垂直方向に進行する。一方、波長λ２
の光信号と、波長λ３の光信号と、波長λ４の光信号
は、フィルタ１４ｅにより反射されることなくフィルタ
１４ｅを透過し、導波路層４０の延在方向に沿って紙面
右側に進行する。
【０２９６】波長λ２の光信号は、フィルタ１４ｆによ
り選択的に反射される。フィルタ１４ｆも、フィルタ１
４ｅと同様に、フィルタ１４ｆを構成する誘電体多層膜
の面の法線の方向と導波路層４０の延在方向との為す角
θが２．５°と極めて小さく設定されているため、波長
λ２の光信号は、高い波長分解能でフィルタ１４ｅによ
り反射され、導波路層４０ｈ内に導入される。導波路層
４０ｈ内に導入された波長λ２の光信号は、ミラー７４
ｄにより反射され、実基板３６の面に対して例えば垂直
方向に進行する。一方、波長λ３の光信号と、波長λ４
の光信号は、フィルタ１４ｆにより反射されることなく
フィルタ１４ｆを透過し、導波路層４０の延在方向に沿
って紙面右方向に進行する。
り選択的に反射される。フィルタ１４ｆも、フィルタ１
４ｅと同様に、フィルタ１４ｆを構成する誘電体多層膜
の面の法線の方向と導波路層４０の延在方向との為す角
θが２．５°と極めて小さく設定されているため、波長
λ２の光信号は、高い波長分解能でフィルタ１４ｅによ
り反射され、導波路層４０ｈ内に導入される。導波路層
４０ｈ内に導入された波長λ２の光信号は、ミラー７４
ｄにより反射され、実基板３６の面に対して例えば垂直
方向に進行する。一方、波長λ３の光信号と、波長λ４
の光信号は、フィルタ１４ｆにより反射されることなく
フィルタ１４ｆを透過し、導波路層４０の延在方向に沿
って紙面右方向に進行する。
【０２９７】波長λ３の光信号は、フィルタ１４ｇによ
り選択的に反射される。フィルタ１４ｇもθが２．５°
と極めて小さく設定されているため、高い分解能で波長
λ３の光信号を反射する。フィルタ１４ｇにより反射さ
れた波長λ３の光信号は、導波路層４０ｉ内に導入さ
れ、ミラー７４ｅにより反射され、実基板３６の面に対
して例えば垂直方向に進行する。一方、波長λ４の光信
号は、フィルタ１４ｇを透過し、導波路層４０の延在方
向に沿って紙面右方向に進行する。
り選択的に反射される。フィルタ１４ｇもθが２．５°
と極めて小さく設定されているため、高い分解能で波長
λ３の光信号を反射する。フィルタ１４ｇにより反射さ
れた波長λ３の光信号は、導波路層４０ｉ内に導入さ
れ、ミラー７４ｅにより反射され、実基板３６の面に対
して例えば垂直方向に進行する。一方、波長λ４の光信
号は、フィルタ１４ｇを透過し、導波路層４０の延在方
向に沿って紙面右方向に進行する。
【０２９８】波長λ４の光信号は、フィルタ１４ｈによ
り反射される。そして、上記と同様にして、導波路層４
０ｊ内に導入され、ミラー７４ｆにより反射され、実基
板３６の面に対して例えば垂直方向に進行する。
り反射される。そして、上記と同様にして、導波路層４
０ｊ内に導入され、ミラー７４ｆにより反射され、実基
板３６の面に対して例えば垂直方向に進行する。
【０２９９】このように、本実施形態によれば、フィル
タを構成する誘電体多層膜の面の法線の方向と導波路層
の延在方向との為す角θを極めて小さく設定しているの
で、フィルタの波長分解能を極めて高くすることができ
る。従って、本実施形態によれば、光学的特性のより良
好な光回路装置を提供することができる。
タを構成する誘電体多層膜の面の法線の方向と導波路層
の延在方向との為す角θを極めて小さく設定しているの
で、フィルタの波長分解能を極めて高くすることができ
る。従って、本実施形態によれば、光学的特性のより良
好な光回路装置を提供することができる。
【０３００】［第１６実施形態］本発明の第１６実施形
態による光電子装置を図４０を用いて説明する。図４０
は、本実施形態による光電子装置を示す平面図である。
図１乃至図３９に示す第１乃至第１５実施形態による薄
膜素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
態による光電子装置を図４０を用いて説明する。図４０
は、本実施形態による光電子装置を示す平面図である。
図１乃至図３９に示す第１乃至第１５実施形態による薄
膜素子の配置方法及び光回路装置と同一の構成要素に
は、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０３０１】本実施形態による光電子装置は、ＬＳＩに
分波器（ＤＥＭＵＸ）及び合波器（ＭＵＸ）が設けられ
ていることに主な特徴がある。
分波器（ＤＥＭＵＸ）及び合波器（ＭＵＸ）が設けられ
ていることに主な特徴がある。
【０３０２】図４０に示すように、ＬＳＩ７６上には、
分波器（ＤＥＭＵＸ）７８及び合波器（ＭＵＸ）８０が
設けられている。
分波器（ＤＥＭＵＸ）７８及び合波器（ＭＵＸ）８０が
設けられている。
【０３０３】まず、ＬＳＩ７６について説明する。
【０３０４】ＬＳＩ７６は、実基板３６ａ上に、図示し
ないトランジスタ等の半導体素子等を集積することによ
り構成されている。実基板３６ａの材料としては、例え
ばＳｉやガラス等を用いることができる。
ないトランジスタ等の半導体素子等を集積することによ
り構成されている。実基板３６ａの材料としては、例え
ばＳｉやガラス等を用いることができる。
【０３０５】次に、分波器（ＤＥＭＵＸ）７８について
説明する。
説明する。
【０３０６】分波器７８の構成は、図３９に示す第１５
実施形態による光回路装置と同様である。このため、こ
こでは説明を省略する。
実施形態による光回路装置と同様である。このため、こ
こでは説明を省略する。
【０３０７】分波器７８のミラー７４ａ〜７４ｄの紙面
鉛直方向には、ミラー７４ａ〜７４ｄにより反射された
光信号を受光する受光素子であるフォトディテクタ（Ｐ
Ｄ、PhotoDetector）８２ａ〜８２ｄがそれぞれ設けら
れている。
鉛直方向には、ミラー７４ａ〜７４ｄにより反射された
光信号を受光する受光素子であるフォトディテクタ（Ｐ
Ｄ、PhotoDetector）８２ａ〜８２ｄがそれぞれ設けら
れている。
【０３０８】フォトディテクタ８２ａ〜８２ｄは、導波
路層４０ｇ〜４０ｊに分岐された光信号をそれぞれ検出
し、光電変換するためのものである。フォトディテクタ
８２ａ〜８２ｄにより光電変換された信号は、ＬＳＩ７
６に集積された図示しない電子回路等に入力されるよう
になっている。
路層４０ｇ〜４０ｊに分岐された光信号をそれぞれ検出
し、光電変換するためのものである。フォトディテクタ
８２ａ〜８２ｄにより光電変換された信号は、ＬＳＩ７
６に集積された図示しない電子回路等に入力されるよう
になっている。
【０３０９】次に、合波器（ＭＵＸ）８０について説明
する。
する。
【０３１０】合波器８０の構成も、図３９に示す第１５
実施形態による光回路装置と同様である。このため、こ
こでは説明を省略する。但し、光信号の進行する方向が
分光器７８の場合と反対である。
実施形態による光回路装置と同様である。このため、こ
こでは説明を省略する。但し、光信号の進行する方向が
分光器７８の場合と反対である。
【０３１１】合波器８０のミラー７４ｃ〜７４ｆの紙面
鉛直方向には、ミラー７４ｃ〜７４ｆに向かって光を放
出するＶＣＳＥＬ（Vertical-Cavity Surface-Emitting
Laser、垂直空洞表面放射レーザ）８３ａ〜８３ｄが設
けられている。ＶＣＳＥＬ８３ａ〜８３ｄから放出され
る光信号の波長は、それぞれ例えばλ１、λ２、λ３、
λ４に設定されている。ＶＣＳＥＬ８３ａ〜８３ｄは、
ＬＳＩ７６に集積された図示しない電子回路により制御
されるようになっている。
鉛直方向には、ミラー７４ｃ〜７４ｆに向かって光を放
出するＶＣＳＥＬ（Vertical-Cavity Surface-Emitting
Laser、垂直空洞表面放射レーザ）８３ａ〜８３ｄが設
けられている。ＶＣＳＥＬ８３ａ〜８３ｄから放出され
る光信号の波長は、それぞれ例えばλ１、λ２、λ３、
λ４に設定されている。ＶＣＳＥＬ８３ａ〜８３ｄは、
ＬＳＩ７６に集積された図示しない電子回路により制御
されるようになっている。
【０３１２】こうして、本実施形態による光電子装置が
構成されている。
構成されている。
【０３１３】次に、本実施形態による光電子装置の動作
について図４０を用いて説明する。
について図４０を用いて説明する。
【０３１４】分波器７８の導波路層４０には、波長λ１
の光信号と波長λ２の光信号と波長λ３の光信号と波長
λ４の光信号とが多重化された信号が紙面右方向に進行
するようになっている。
の光信号と波長λ２の光信号と波長λ３の光信号と波長
λ４の光信号とが多重化された信号が紙面右方向に進行
するようになっている。
【０３１５】波長λ１の光信号は、フィルタ１４ｅによ
り選択的に反射され、導波路層４０ｇ、ミラー７４ｃを
経由して、フォトディテクタ８２ａにより検出される。
り選択的に反射され、導波路層４０ｇ、ミラー７４ｃを
経由して、フォトディテクタ８２ａにより検出される。
【０３１６】波長λ２の光信号は、フィルタ１４ｆによ
り選択的に反射され、導波路層４０ｈ、ミラー７４ｄを
経由して、フォトディテクタ８２ｂにより検出される。
り選択的に反射され、導波路層４０ｈ、ミラー７４ｄを
経由して、フォトディテクタ８２ｂにより検出される。
【０３１７】波長λ３の光信号は、フィルタ１４ｇによ
り選択的に反射され、導波路層４０ｉ、ミラー７４ｅを
経由して、フォトディテクタ８２ｃにより検出される。
り選択的に反射され、導波路層４０ｉ、ミラー７４ｅを
経由して、フォトディテクタ８２ｃにより検出される。
【０３１８】波長λ４の光信号は、フィルタ１４ｈによ
り選択的に反射され、導波路層４０ｊ、ミラー７４ｆを
経由して、フォトディテクタ８２ｄにより検出される。
り選択的に反射され、導波路層４０ｊ、ミラー７４ｆを
経由して、フォトディテクタ８２ｄにより検出される。
【０３１９】フォトディテクタ８２ａ〜８２ｄにより検
出された光信号は、それぞれフォトディテクタ８２ａ〜
８２ｄにより光電変換され、図示しない電子回路等に入
力される。
出された光信号は、それぞれフォトディテクタ８２ａ〜
８２ｄにより光電変換され、図示しない電子回路等に入
力される。
【０３２０】一方、合波器８０に設けられたＶＣＳＥＬ
８３ａ〜８３ｄからは、例えば波長λ１の光信号、λ２
の光信号、λ３の光信号、λ４の光信号がそれぞれ放出
されるようになっている。
８３ａ〜８３ｄからは、例えば波長λ１の光信号、λ２
の光信号、λ３の光信号、λ４の光信号がそれぞれ放出
されるようになっている。
【０３２１】ＶＣＳＥＬ８３ａから放出された波長λ１
の光信号は、ミラー７４ｃ、導波路層４０ｇ、フィルタ
１４ｅを経由して、導波路層４０に導入され、紙面左方
向に進行する。
の光信号は、ミラー７４ｃ、導波路層４０ｇ、フィルタ
１４ｅを経由して、導波路層４０に導入され、紙面左方
向に進行する。
【０３２２】ＶＣＳＥＬ８３ｂから放出された波長λ２
の光信号は、ミラー７４ｄ、導波路層４０ｈ、フィルタ
１４ｆを経由して、導波路層４０に導入され、紙面左方
向に進行する。
の光信号は、ミラー７４ｄ、導波路層４０ｈ、フィルタ
１４ｆを経由して、導波路層４０に導入され、紙面左方
向に進行する。
【０３２３】ＶＣＳＥＬ８３ｃから放出された波長λ３
の光信号は、ミラー７４ｅ、導波路層４０ｉ、フィルタ
１４ｇを経由して、導波路層４０に導入され、紙面左方
向に進行する。
の光信号は、ミラー７４ｅ、導波路層４０ｉ、フィルタ
１４ｇを経由して、導波路層４０に導入され、紙面左方
向に進行する。
【０３２４】ＶＣＳＥＬ８３ｄから放出された波長λ４
の光信号は、ミラー７４ｆ、導波路層４０ｊ、フィルタ
１４ｈを経由して、導波路層４０に導入され、紙面左方
向に進行する。
の光信号は、ミラー７４ｆ、導波路層４０ｊ、フィルタ
１４ｈを経由して、導波路層４０に導入され、紙面左方
向に進行する。
【０３２５】ＶＣＳＥＬ８３ａ〜８３ｄから放出される
光信号は、このようにして導波路層４０内に導入され、
多重化されることとなる。
光信号は、このようにして導波路層４０内に導入され、
多重化されることとなる。
【０３２６】このように、本実施形態によれば、ＬＳＩ
上に合波器や分波器が実装された光電子装置を提供する
ことができる。
上に合波器や分波器が実装された光電子装置を提供する
ことができる。
【０３２７】［第１７実施形態］本発明の第１７実施形
態による光電子装置を図４１を用いて説明する。図４１
は、本実施形態による光電子装置を示す斜視図である。
図１乃至図４０に示す第１乃至第１６実施形態による薄
膜素子の配置方法、光回路装置及び光電子装置と同一の
構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡
潔にする。
態による光電子装置を図４１を用いて説明する。図４１
は、本実施形態による光電子装置を示す斜視図である。
図１乃至図４０に示す第１乃至第１６実施形態による薄
膜素子の配置方法、光回路装置及び光電子装置と同一の
構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡
潔にする。
【０３２８】本実施形態による光電子装置は、ＬＳＩに
合波・分波器（ＭＵＸ／ＤＥＭＵＸ、Multi/Demulti-pl
exer）が３次元的に設けられていることに主な特徴があ
る。
合波・分波器（ＭＵＸ／ＤＥＭＵＸ、Multi/Demulti-pl
exer）が３次元的に設けられていることに主な特徴があ
る。
【０３２９】図４１に示すように、ＬＳＩ７６ａの実基
板３６ａ上には、合波・分波器８４ａ〜８４ｅが設けら
れている。
板３６ａ上には、合波・分波器８４ａ〜８４ｅが設けら
れている。
【０３３０】合波・分波器８４ａは実基板３６ａ上に設
けられており、合波・分波器８４ｂは合波・分波器８４
ａの上層に設けられており、合波・分波器８４ｃは合波
・分波器８４ｂの上層に設けられている。
けられており、合波・分波器８４ｂは合波・分波器８４
ａの上層に設けられており、合波・分波器８４ｃは合波
・分波器８４ｂの上層に設けられている。
【０３３１】一方、合波・分波器８４ｄは合波・分波器
８４ｃと同一の層に設けられており、合波・分波器８４
ｅは合波・分波器８４ｄの上層に設けられている。
８４ｃと同一の層に設けられており、合波・分波器８４
ｅは合波・分波器８４ｄの上層に設けられている。
【０３３２】次に、本実施形態による光電子装置の動作
を図４１を用いて説明する。
を図４１を用いて説明する。
【０３３３】図４１に示すように、合波・分波器８４ａ
の導波路層４０ｋには、例えば波長λ３の光信号が紙面
右方向に進行するようになっている。合波・分波器８４
ａの導波路層４０内を紙面右方向に進行する波長λ３の
光信号は、フィルタ１４ｇにより反射され、導波路層４
０ｐ、ミラー７４ｇを経由して、合波・分波器８４ｂの
ミラー７４ｈに入射される。
の導波路層４０ｋには、例えば波長λ３の光信号が紙面
右方向に進行するようになっている。合波・分波器８４
ａの導波路層４０内を紙面右方向に進行する波長λ３の
光信号は、フィルタ１４ｇにより反射され、導波路層４
０ｐ、ミラー７４ｇを経由して、合波・分波器８４ｂの
ミラー７４ｈに入射される。
【０３３４】合波・分波器８４ｂのミラー７４ｈに入射
された波長λ３の光信号は、導波路層４０ｑ内を進行
し、フィルタ１４ｇにより反射され、合波・分波器８４
ｂの導波路層４０ｌ内に導入されて、紙面左方向に進行
する。
された波長λ３の光信号は、導波路層４０ｑ内を進行
し、フィルタ１４ｇにより反射され、合波・分波器８４
ｂの導波路層４０ｌ内に導入されて、紙面左方向に進行
する。
【０３３５】一方、合波・分波器８４ｃの導波路層４０
ｍには、例えば波長λ１の光信号が紙面右方向に進行
し、波長λ２の光信号が紙面左方向に進行するようにな
っている。
ｍには、例えば波長λ１の光信号が紙面右方向に進行
し、波長λ２の光信号が紙面左方向に進行するようにな
っている。
【０３３６】合波・分波器８４ｃの導波路層４０ｍ内を
紙面右方向に進行する多重化された光信号のうち、波長
λ２の光信号は、フィルタ１４ｆにより反射され、導波
路層４０ｓ、ミラー７４ｊを経由して、合波・分波器８
４ｂのミラー７４ｉに入射される。
紙面右方向に進行する多重化された光信号のうち、波長
λ２の光信号は、フィルタ１４ｆにより反射され、導波
路層４０ｓ、ミラー７４ｊを経由して、合波・分波器８
４ｂのミラー７４ｉに入射される。
【０３３７】合波・分波器８４ｂのミラー７４ｉに入射
された波長λ２の光信号は、導波路層４０ｒ内を進行
し、フィルタ１４ｆにより反射され、合波・分波器８４
ｂの導波路層４０ｌ内に導入されて、紙面左方向に進行
する。
された波長λ２の光信号は、導波路層４０ｒ内を進行
し、フィルタ１４ｆにより反射され、合波・分波器８４
ｂの導波路層４０ｌ内に導入されて、紙面左方向に進行
する。
【０３３８】こうして、合波・分波器８４ａの導波路層
４０ｋを紙面右方向に進行する波長λ３の光信号と、合
波・分波器８４ｃの導波路層４０ｍを紙面右方向に進行
する波長λ２の光信号とが、合波・分波器８４ｂの導波
路層４０ｌに導入され、多重化されることとなる。こう
して多重化された光信号は、合波・分波器８４ｂの導波
路層４０ｌの延在方向に沿って紙面左方向に進行する。
４０ｋを紙面右方向に進行する波長λ３の光信号と、合
波・分波器８４ｃの導波路層４０ｍを紙面右方向に進行
する波長λ２の光信号とが、合波・分波器８４ｂの導波
路層４０ｌに導入され、多重化されることとなる。こう
して多重化された光信号は、合波・分波器８４ｂの導波
路層４０ｌの延在方向に沿って紙面左方向に進行する。
【０３３９】合波・分波器８４ｃの導波路層４０ｍ内を
紙面左方向に進行する波長λ１の光信号は、フィルタ１
４ｆにより反射されることなく、合波・分波器８４ｃの
導波路層４０ｍに沿って紙面左方向に進行する。
紙面左方向に進行する波長λ１の光信号は、フィルタ１
４ｆにより反射されることなく、合波・分波器８４ｃの
導波路層４０ｍに沿って紙面左方向に進行する。
【０３４０】一方、合波・分波器８４ｄの導波路層４０
ｎには、例えば波長λ１の光信号と波長λ２の光信号と
が多重化された信号が紙面右方向に進行するようになっ
ている。
ｎには、例えば波長λ１の光信号と波長λ２の光信号と
が多重化された信号が紙面右方向に進行するようになっ
ている。
【０３４１】合波・分波器８４ｄの導波路層４０ｎ内を
紙面右方向に進行する多重化された光信号のうち、波長
λ２の光信号は、フィルタ１４ｅにより反射され、導波
路層４０ｔ、ミラー７４ｋを経由して、合波・分波器８
４ｅのミラー７４ｌに入射される。
紙面右方向に進行する多重化された光信号のうち、波長
λ２の光信号は、フィルタ１４ｅにより反射され、導波
路層４０ｔ、ミラー７４ｋを経由して、合波・分波器８
４ｅのミラー７４ｌに入射される。
【０３４２】合波・分波器８４ｅのミラー７４ｌに入射
された波長λ２の光信号は、導波路層４０ｕ内を進行
し、フィルタ１４ｅにより反射され、合波・分波器８４
ｅの導波路層４０ｏ内に導入される。
された波長λ２の光信号は、導波路層４０ｕ内を進行
し、フィルタ１４ｅにより反射され、合波・分波器８４
ｅの導波路層４０ｏ内に導入される。
【０３４３】一方、合波・分波器８４ｅの導波路層４０
ｏには、例えば波長λ３の光信号が、紙面右方向に進行
するようになっている。
ｏには、例えば波長λ３の光信号が、紙面右方向に進行
するようになっている。
【０３４４】合波・分波器８４ｅの導波路層４０ｏ内を
紙面右方向に進行する多重化された光信号のうち、波長
λ３の光信号は、フィルタ１４ｅにより反射されること
なく、合波・分波器の導波路層４０ｏの延在方向に沿っ
て紙面右方向に進行する。
紙面右方向に進行する多重化された光信号のうち、波長
λ３の光信号は、フィルタ１４ｅにより反射されること
なく、合波・分波器の導波路層４０ｏの延在方向に沿っ
て紙面右方向に進行する。
【０３４５】こうして、合波・分波器８４ｄの導波路層
４０ｎを紙面右方向に進行する波長λ２の光信号と、合
波・分波器８４ｅの導波路層４０ｏを紙面右方向に進行
する波長λ３の光信号とが、合波・分波器８４ｅの導波
路層４０ｏ内で多重化されることとなる。こうして多重
化された光信号は、合波・分波器８４ｅの導波路層４０
ｏの延在方向に沿って紙面右方向に進行する。
４０ｎを紙面右方向に進行する波長λ２の光信号と、合
波・分波器８４ｅの導波路層４０ｏを紙面右方向に進行
する波長λ３の光信号とが、合波・分波器８４ｅの導波
路層４０ｏ内で多重化されることとなる。こうして多重
化された光信号は、合波・分波器８４ｅの導波路層４０
ｏの延在方向に沿って紙面右方向に進行する。
【０３４６】一方、合波・分波器８４ｄの導波路層４０
ｎ内を紙面右方向に進行する多重化された光信号のう
ち、波長λ１の光信号は、フィルタ１４ｅにより反射さ
れることなく、合波・分波器８４ｄの導波路層４０ｎに
沿って紙面右方向に進行する。
ｎ内を紙面右方向に進行する多重化された光信号のう
ち、波長λ１の光信号は、フィルタ１４ｅにより反射さ
れることなく、合波・分波器８４ｄの導波路層４０ｎに
沿って紙面右方向に進行する。
【０３４７】このように本実施形態によれば、合波・分
波器が３次元的に設けられた光電子装置を提供すること
ができる。
波器が３次元的に設けられた光電子装置を提供すること
ができる。
【０３４８】［変形実施形態］本発明は上記実施形態に
限らず種々の変形が可能である。
限らず種々の変形が可能である。
【０３４９】例えば、上記実施形態では、誘電体多層膜
等より成る薄膜素子を配置する場合を例に説明したが、
薄膜素子を構成する膜は誘電体多層膜等に限定されるも
のではなく、あらゆる膜より成る薄膜素子を配置する場
合に適用することができる。また、多層膜のみならず、
単層の膜より成る薄膜素子を配置する場合にも適用する
ことができる。
等より成る薄膜素子を配置する場合を例に説明したが、
薄膜素子を構成する膜は誘電体多層膜等に限定されるも
のではなく、あらゆる膜より成る薄膜素子を配置する場
合に適用することができる。また、多層膜のみならず、
単層の膜より成る薄膜素子を配置する場合にも適用する
ことができる。
【０３５０】また、上記実施形態では、薄膜素子を配置
する場合を例に説明したが、薄膜素子を配置する場合に
限定されるものではなく、一般の薄膜を配置する場合に
も適用することができる。
する場合を例に説明したが、薄膜素子を配置する場合に
限定されるものではなく、一般の薄膜を配置する場合に
も適用することができる。
【０３５１】また、上記実施形態では、薄膜素子として
フィルタ等を配置する場合を例に説明したが、フィルタ
等を配置する場合に限定されるものではなく、例えば、
光変調器、ＶＣＳＥＬ、発光素子、受光素子、フォトデ
ィテクタ、光増幅器、導波路、レンズ、ホログラム、キ
ャパシタ、抵抗器、インダクタ等の薄膜素子を配置する
場合にも適用することができる。
フィルタ等を配置する場合を例に説明したが、フィルタ
等を配置する場合に限定されるものではなく、例えば、
光変調器、ＶＣＳＥＬ、発光素子、受光素子、フォトデ
ィテクタ、光増幅器、導波路、レンズ、ホログラム、キ
ャパシタ、抵抗器、インダクタ等の薄膜素子を配置する
場合にも適用することができる。
【０３５２】また、傾動層や解除層の材料は上述した材
料に限定されるものではなく、Ｓｉ、シリコン酸化膜、
シリコン窒化膜、金属膜、ポリマ等、あらゆる材料を適
宜用いることができる。
料に限定されるものではなく、Ｓｉ、シリコン酸化膜、
シリコン窒化膜、金属膜、ポリマ等、あらゆる材料を適
宜用いることができる。
【０３５３】また、第４実施形態では、支持基板１６、
２２をそれぞれ支持基板２５、３１に押し付けることに
よりフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂを傾ける
場合を例に説明したが、ＭＥＭＳ技術を用いてフィルタ
１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂを傾けてもよい。
２２をそれぞれ支持基板２５、３１に押し付けることに
よりフィルタ１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂを傾ける
場合を例に説明したが、ＭＥＭＳ技術を用いてフィルタ
１４ａ、１４ｂ、２０ａ、２０ｂを傾けてもよい。
【０３５４】また、上記実施形態では、フィルタを支持
基板１６等に移動する場合を例に説明したが、フィルタ
は支持基板１６等のみならず、他のあらゆる支持部材に
移動してもよい。例えば、ブラックワックス（Black Wa
x）等にフィルタを移動してもよい。ブラックワックス
とは、軟化点８０℃以下の蝋のことである。
基板１６等に移動する場合を例に説明したが、フィルタ
は支持基板１６等のみならず、他のあらゆる支持部材に
移動してもよい。例えば、ブラックワックス（Black Wa
x）等にフィルタを移動してもよい。ブラックワックス
とは、軟化点８０℃以下の蝋のことである。
【０３５５】また、上記実施形態では、成長基板上に形
成したフィルタをＥＬＯ技術により支持基板を移動した
が、フィルタを成長基板上に形成することなく、支持基
板上に直接形成してもよい。これにより、工程を簡略化
することができる。
成したフィルタをＥＬＯ技術により支持基板を移動した
が、フィルタを成長基板上に形成することなく、支持基
板上に直接形成してもよい。これにより、工程を簡略化
することができる。
【０３５６】また、第１６及び第１７実施形態では、Ｌ
ＳＩ上に合波器、分波器、合波・分波器を設ける場合を
例に説明したが、ＭＣＭ（Multi Chip Module）等と組
み合わせてもよい。
ＳＩ上に合波器、分波器、合波・分波器を設ける場合を
例に説明したが、ＭＣＭ（Multi Chip Module）等と組
み合わせてもよい。
【０３５７】（付記１） 薄膜を薄膜の成長方位に対し
て斜めにエッチングすることにより、前記薄膜より成る
薄膜素子を形成する第１の工程と、実基板上に前記薄膜
素子を配置する第２の工程とを有し、前記第２の工程で
は、前記薄膜の成長方位が前記実基板の面に対して斜め
又はほぼ平行になるように、前記薄膜素子を前記実基板
上に配置することを特徴とする薄膜素子の配置方法。
て斜めにエッチングすることにより、前記薄膜より成る
薄膜素子を形成する第１の工程と、実基板上に前記薄膜
素子を配置する第２の工程とを有し、前記第２の工程で
は、前記薄膜の成長方位が前記実基板の面に対して斜め
又はほぼ平行になるように、前記薄膜素子を前記実基板
上に配置することを特徴とする薄膜素子の配置方法。
【０３５８】（付記２） 付記１記載の薄膜素子の配置
方法において、前記第１の工程の後、前記第２の工程の
前に、傾動用基板上に前記薄膜素子を移動する第３の工
程と、前記傾動用基板上で前記薄膜素子を傾ける第４の
工程とを更に有し、前記第２の工程では、前記傾動用基
板から前記実基板に前記薄膜素子を移動することを特徴
とする薄膜素子の配置方法。
方法において、前記第１の工程の後、前記第２の工程の
前に、傾動用基板上に前記薄膜素子を移動する第３の工
程と、前記傾動用基板上で前記薄膜素子を傾ける第４の
工程とを更に有し、前記第２の工程では、前記傾動用基
板から前記実基板に前記薄膜素子を移動することを特徴
とする薄膜素子の配置方法。
【０３５９】（付記３） 付記２記載の薄膜素子の配置
方法において、前記第３の工程では、前記傾動用基板に
形成された傾動層の端部上に前記薄膜素子を移動し、前
記第４の工程では、前記傾動層の前記端部を前記傾動用
基板の面に対して傾けることにより前記薄膜素子を傾け
ることを特徴とする薄膜素子の配置方法。
方法において、前記第３の工程では、前記傾動用基板に
形成された傾動層の端部上に前記薄膜素子を移動し、前
記第４の工程では、前記傾動層の前記端部を前記傾動用
基板の面に対して傾けることにより前記薄膜素子を傾け
ることを特徴とする薄膜素子の配置方法。
【０３６０】（付記４） 付記３記載の薄膜素子の配置
方法において、前記第４の工程では、前記傾動層の延在
方向とほぼ等しい方向に前記薄膜素子を傾けることを特
徴とする薄膜素子の配置方法。
方法において、前記第４の工程では、前記傾動層の延在
方向とほぼ等しい方向に前記薄膜素子を傾けることを特
徴とする薄膜素子の配置方法。
【０３６１】（付記５） 付記３記載の薄膜素子の配置
方法において、前記第４の工程では、前記傾動層の延在
方向とほぼ直角な方向に前記薄膜素子を傾けることを特
徴とする薄膜素子の配置方法。
方法において、前記第４の工程では、前記傾動層の延在
方向とほぼ直角な方向に前記薄膜素子を傾けることを特
徴とする薄膜素子の配置方法。
【０３６２】（付記６） 付記３乃至５のいずれかに記
載の薄膜素子の配置方法において、前記傾動層の端部
は、前記傾動層とエッチング特性が異なる解除層を介し
て前記傾動用基板に固定されており、前記第４の工程で
は、前記解除層を選択的にエッチングすることにより前
記傾動層の端部を前記傾動用基板の面に対して傾けるこ
とを特徴とする薄膜素子の配置方法。
載の薄膜素子の配置方法において、前記傾動層の端部
は、前記傾動層とエッチング特性が異なる解除層を介し
て前記傾動用基板に固定されており、前記第４の工程で
は、前記解除層を選択的にエッチングすることにより前
記傾動層の端部を前記傾動用基板の面に対して傾けるこ
とを特徴とする薄膜素子の配置方法。
【０３６３】（付記７） 付記２乃至６のいずれかに記
載の薄膜素子の配置方法において、前記第１の工程で
は、第１の薄膜素子と、前記第１の薄膜素子と異なる第
２の薄膜素子とをそれぞれ別個に形成し、前記第３の工
程では、前記第１の薄膜素子と前記第２の薄膜素子とを
それぞれ別個の傾動用基板上に移動し、前記第４の工程
では、別個の前記傾動用基板を用いて前記第１の薄膜素
子と前記第２の薄膜素子とをそれぞれ傾け、前記第２の
工程では、それぞれ別個の傾動用基板から前記第１の薄
膜素子と前記第２の薄膜素子とを前記実基板に移動する
ことを特徴とする薄膜素子の配置方法。
載の薄膜素子の配置方法において、前記第１の工程で
は、第１の薄膜素子と、前記第１の薄膜素子と異なる第
２の薄膜素子とをそれぞれ別個に形成し、前記第３の工
程では、前記第１の薄膜素子と前記第２の薄膜素子とを
それぞれ別個の傾動用基板上に移動し、前記第４の工程
では、別個の前記傾動用基板を用いて前記第１の薄膜素
子と前記第２の薄膜素子とをそれぞれ傾け、前記第２の
工程では、それぞれ別個の傾動用基板から前記第１の薄
膜素子と前記第２の薄膜素子とを前記実基板に移動する
ことを特徴とする薄膜素子の配置方法。
【０３６４】（付記８） 付記２乃至６のいずれかに記
載の薄膜素子の配置方法において、前記第１の工程で
は、第１の薄膜素子と、前記第１の薄膜素子と異なる第
２の薄膜素子とをそれぞれ別個に形成し、前記第３の工
程では、前記第１の薄膜素子と前記第２の薄膜素子とを
同一の前記傾動用基板上に移動し、前記第４の工程で
は、前記同一の傾動用基板を用いて前記第１の薄膜素子
と前記第２の薄膜素子とを傾け、前記第２の工程では、
前記同一の傾動用基板から前記第１の薄膜素子と前記第
２の薄膜素子とを前記実基板に移動することを特徴とす
る薄膜素子の配置方法。
載の薄膜素子の配置方法において、前記第１の工程で
は、第１の薄膜素子と、前記第１の薄膜素子と異なる第
２の薄膜素子とをそれぞれ別個に形成し、前記第３の工
程では、前記第１の薄膜素子と前記第２の薄膜素子とを
同一の前記傾動用基板上に移動し、前記第４の工程で
は、前記同一の傾動用基板を用いて前記第１の薄膜素子
と前記第２の薄膜素子とを傾け、前記第２の工程では、
前記同一の傾動用基板から前記第１の薄膜素子と前記第
２の薄膜素子とを前記実基板に移動することを特徴とす
る薄膜素子の配置方法。
【０３６５】（付記９） 付記１記載の薄膜素子の配置
方法において、前記第１の工程の後、前記第２の工程の
前に、前記薄膜素子を第１の支持基板に移動する第３の
工程と、前記第１の支持基板を前記第１の支持基板と異
なる第２の支持基板に押し付けることにより前記薄膜素
子を傾けつつ前記薄膜素子を前記第２の支持基板に移動
する第４の工程とを更に有し、前記第２の工程では、前
記第２の支持基板から前記実基板に前記薄膜素子を移動
することを特徴とする薄膜素子の配置方法。
方法において、前記第１の工程の後、前記第２の工程の
前に、前記薄膜素子を第１の支持基板に移動する第３の
工程と、前記第１の支持基板を前記第１の支持基板と異
なる第２の支持基板に押し付けることにより前記薄膜素
子を傾けつつ前記薄膜素子を前記第２の支持基板に移動
する第４の工程とを更に有し、前記第２の工程では、前
記第２の支持基板から前記実基板に前記薄膜素子を移動
することを特徴とする薄膜素子の配置方法。
【０３６６】（付記１０） 付記９記載の薄膜素子の配
置方法において、前記第３の工程では、前記薄膜素子を
支持する突起が形成された前記第１の支持基板に前記薄
膜素子を移動し、前記第４の工程の前に、前記突起を選
択的にエッチングする工程を更に有することを特徴とす
る薄膜素子の配置方法。
置方法において、前記第３の工程では、前記薄膜素子を
支持する突起が形成された前記第１の支持基板に前記薄
膜素子を移動し、前記第４の工程の前に、前記突起を選
択的にエッチングする工程を更に有することを特徴とす
る薄膜素子の配置方法。
【０３６７】（付記１１） 請求項９又は１０記載の薄
膜素子の配置方法において、前記第１の工程では、第１
の薄膜素子と、前記第１の薄膜素子と異なる第２の薄膜
素子とをそれぞれ別個に形成し、前記第３の工程では、
前記第１の薄膜素子と前記第２の薄膜素子とをそれぞれ
別個の第１の支持基板上に移動し、前記第２の工程で
は、それぞれ別個の前記第１の支持基板から前記第１の
薄膜素子と前記第２の薄膜素子とを前記実基板に移動す
ることを特徴とする薄膜素子の配置方法。
膜素子の配置方法において、前記第１の工程では、第１
の薄膜素子と、前記第１の薄膜素子と異なる第２の薄膜
素子とをそれぞれ別個に形成し、前記第３の工程では、
前記第１の薄膜素子と前記第２の薄膜素子とをそれぞれ
別個の第１の支持基板上に移動し、前記第２の工程で
は、それぞれ別個の前記第１の支持基板から前記第１の
薄膜素子と前記第２の薄膜素子とを前記実基板に移動す
ることを特徴とする薄膜素子の配置方法。
【０３６８】（付記１２） 請求項９又は１０記載の薄
膜素子の配置方法において、前記第１の工程では、第１
の薄膜素子と、前記第１の薄膜素子と異なる第２の薄膜
素子とをそれぞれ別個に形成し、前記第３の工程では、
前記第１の薄膜素子と前記第２の薄膜素子とを同一の前
記第１の支持基板上に移動し、前記第２の工程では、前
記同一の前記第１の支持基板から前記第１の薄膜素子と
前記第２の薄膜素子とを前記実基板に移動することを特
徴とする薄膜素子の配置方法。
膜素子の配置方法において、前記第１の工程では、第１
の薄膜素子と、前記第１の薄膜素子と異なる第２の薄膜
素子とをそれぞれ別個に形成し、前記第３の工程では、
前記第１の薄膜素子と前記第２の薄膜素子とを同一の前
記第１の支持基板上に移動し、前記第２の工程では、前
記同一の前記第１の支持基板から前記第１の薄膜素子と
前記第２の薄膜素子とを前記実基板に移動することを特
徴とする薄膜素子の配置方法。
【０３６９】（付記１３） 基板上に配置された薄膜素
子を有する光回路装置であって、前記薄膜素子に用いら
れている薄膜の成長方位が、前記基板の面に対して斜め
又はほぼ平行になっていることを特徴とする光回路装
置。
子を有する光回路装置であって、前記薄膜素子に用いら
れている薄膜の成長方位が、前記基板の面に対して斜め
又はほぼ平行になっていることを特徴とする光回路装
置。
【０３７０】（付記１４） 付記１３記載の光回路装置
において、前記基板上に形成され、前記薄膜素子に光学
的に結合する導波路層を更に有し、前記薄膜の成長方位
が、前記導波路層の延在方向に対して斜めになっている
ことを特徴とする光回路装置。
において、前記基板上に形成され、前記薄膜素子に光学
的に結合する導波路層を更に有し、前記薄膜の成長方位
が、前記導波路層の延在方向に対して斜めになっている
ことを特徴とする光回路装置。
【０３７１】（付記１５） 付記１４記載の光回路装置
において、前記基板上に形成され、前記薄膜素子に光学
的に結合する中継導波路層を更に有し、前記薄膜の成長
方位が、前記基板の面に対してほぼ平行になっているこ
とを特徴とする光回路装置。
において、前記基板上に形成され、前記薄膜素子に光学
的に結合する中継導波路層を更に有し、前記薄膜の成長
方位が、前記基板の面に対してほぼ平行になっているこ
とを特徴とする光回路装置。
【０３７２】（付記１６） 付記１５記載の光回路装置
において、前記中継導波路層の端部にミラーが形成され
ていることを特徴とする光回路装置。
において、前記中継導波路層の端部にミラーが形成され
ていることを特徴とする光回路装置。
【０３７３】（付記１７） 付記１５又は１６記載の光
回路装置において、前記中継導波路層に光学的に結合す
る受光素子又は発光素子を更に有することを特徴とする
光回路装置。
回路装置において、前記中継導波路層に光学的に結合す
る受光素子又は発光素子を更に有することを特徴とする
光回路装置。
【０３７４】（付記１８） 付記１４乃至１７のいずれ
かに記載の光回路装置において、前記導波路層を複数有
し、前記複数の導波路層が互いに光学的に結合されてい
ることを特徴とする光回路装置。
かに記載の光回路装置において、前記導波路層を複数有
し、前記複数の導波路層が互いに光学的に結合されてい
ることを特徴とする光回路装置。
【０３７５】（付記１９） 付記１３乃至１８のいずれ
か１項に記載の光回路装置において、前記薄膜素子は、
フィルタ、チューナブルフィルタ、又は光スイッチであ
ることを特徴とする光回路装置。
か１項に記載の光回路装置において、前記薄膜素子は、
フィルタ、チューナブルフィルタ、又は光スイッチであ
ることを特徴とする光回路装置。
【０３７６】（付記２０） 基板上に配置された薄膜素
子を有する光電子装置であって、前記薄膜素子に用いら
れている薄膜の成長方位が、前記基板の面に対して斜め
又はほぼ平行になっていることを特徴とする光電子装
置。
子を有する光電子装置であって、前記薄膜素子に用いら
れている薄膜の成長方位が、前記基板の面に対して斜め
又はほぼ平行になっていることを特徴とする光電子装
置。
【０３７７】（付記２１） 薄膜を薄膜の成長方位に対
して斜めにエッチングする第１の工程と、基板上に前記
薄膜を配置する第２の工程とを有し、前記第２の工程で
は、前記薄膜の成長方位が前記基板の面に対して斜め又
はほぼ平行になるように、前記薄膜を前記基板上に配置
することを特徴とする薄膜の配置方法。
して斜めにエッチングする第１の工程と、基板上に前記
薄膜を配置する第２の工程とを有し、前記第２の工程で
は、前記薄膜の成長方位が前記基板の面に対して斜め又
はほぼ平行になるように、前記薄膜を前記基板上に配置
することを特徴とする薄膜の配置方法。
【０３７８】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、誘電体多
層膜を斜角柱状にエッチングすることによりフィルタを
形成し、こうして形成されたフィルタをＭＥＭＳ技術を
用いて傾けるため、フィルタを構成する誘電体多層膜の
面を実基板の面に対して斜めに設定することができる。
層膜を斜角柱状にエッチングすることによりフィルタを
形成し、こうして形成されたフィルタをＭＥＭＳ技術を
用いて傾けるため、フィルタを構成する誘電体多層膜の
面を実基板の面に対して斜めに設定することができる。
【０３７９】また、本発明によれば、フィルタを構成す
る誘電体多層膜の面を実基板の面に対して斜め設定する
ことができるため、導波路層に沿って進行する光を実基
板の面に対して例えば垂直方向に分光することができ、
また、実基板の面に対して例えば垂直な方向からフィル
タに入射される光を導波路層内に導入することができ
る。しかも、本発明によれば、フィルタが薄膜を用いて
構成されているため、光回路装置の微細化を図ることが
できる。
る誘電体多層膜の面を実基板の面に対して斜め設定する
ことができるため、導波路層に沿って進行する光を実基
板の面に対して例えば垂直方向に分光することができ、
また、実基板の面に対して例えば垂直な方向からフィル
タに入射される光を導波路層内に導入することができ
る。しかも、本発明によれば、フィルタが薄膜を用いて
構成されているため、光回路装置の微細化を図ることが
できる。
【０３８０】また、本発明によれば、波長λ１のフィル
タと波長λ２のフィルタとを同一の傾動用基板に移動
し、同一の傾動用基板により波長λ１のフィルタと波長
λ２のフィルタとを一括して傾けるため、別個の傾動用
基板を用いて波長λ１のフィルタと波長λ２のフィルタ
とをそれぞれ別個に傾ける場合と比べて、工程を簡略化
することができ、また、コストダウンを図ることができ
る。
タと波長λ２のフィルタとを同一の傾動用基板に移動
し、同一の傾動用基板により波長λ１のフィルタと波長
λ２のフィルタとを一括して傾けるため、別個の傾動用
基板を用いて波長λ１のフィルタと波長λ２のフィルタ
とをそれぞれ別個に傾ける場合と比べて、工程を簡略化
することができ、また、コストダウンを図ることができ
る。
【０３８１】また、本発明によれば、同一の傾動用基板
において傾けられた波長λ１のフィルタと波長λ２のフ
ィルタとを一括して実基板側に移動することができるた
め、別個の傾動用基板から波長λ１のフィルタと波長λ
２のフィルタとをそれぞれ別個の工程で移動する場合と
比べて、工程を簡略化することができる。
において傾けられた波長λ１のフィルタと波長λ２のフ
ィルタとを一括して実基板側に移動することができるた
め、別個の傾動用基板から波長λ１のフィルタと波長λ
２のフィルタとをそれぞれ別個の工程で移動する場合と
比べて、工程を簡略化することができる。
【０３８２】また、本発明によれば、フィルタを傾動層
上に載置する際に、フィルタの傾いている方向と傾動層
の延在方向との為す角が直角になるように設定するた
め、フィルタを傾動層上に倒すと、傾動層上に倒された
フィルタを構成する誘電体多層膜の面が傾動用基板の面
に対して垂直となり、また、傾動層上に倒されたフィル
タの延在方向が傾動層の延在方向に対して斜めとなる。
このため、本発明によれば、フィルタを構成する誘電体
多層膜の面を実基板の面に対して垂直に設定することが
でき、導波路の延在方向に対して斜めに設定することが
できる。従って、本発明によれば、実基板の面と平行な
方向に進行する光信号を、実基板の面と平行な方向に分
光することができる。
上に載置する際に、フィルタの傾いている方向と傾動層
の延在方向との為す角が直角になるように設定するた
め、フィルタを傾動層上に倒すと、傾動層上に倒された
フィルタを構成する誘電体多層膜の面が傾動用基板の面
に対して垂直となり、また、傾動層上に倒されたフィル
タの延在方向が傾動層の延在方向に対して斜めとなる。
このため、本発明によれば、フィルタを構成する誘電体
多層膜の面を実基板の面に対して垂直に設定することが
でき、導波路の延在方向に対して斜めに設定することが
できる。従って、本発明によれば、実基板の面と平行な
方向に進行する光信号を、実基板の面と平行な方向に分
光することができる。
【０３８３】また、本発明によれば、支持基板にフィル
タを支持する突起をそれぞれ形成しておくため、フィル
タの位置がずれてしまうのを防止することができる。従
って、本発明によれば、歩留りを向上することができ
る。
タを支持する突起をそれぞれ形成しておくため、フィル
タの位置がずれてしまうのを防止することができる。従
って、本発明によれば、歩留りを向上することができ
る。
【０３８４】また、本発明によれば、支持基板を支持基
板にそれぞれ押し付けることによりフィルタをそれぞれ
傾けるため、傾動層を用いることなくフィルタを傾ける
ことができる。従って、本発明によれば、工程の簡略化
を図ることができる。
板にそれぞれ押し付けることによりフィルタをそれぞれ
傾けるため、傾動層を用いることなくフィルタを傾ける
ことができる。従って、本発明によれば、工程の簡略化
を図ることができる。
【０３８５】また、本発明によれば、フィルタを構成す
る誘電体多層膜の面が実基板の面に対して斜めに設定さ
れているため、実基板と平行に進行する光信号を例えば
実基板の面に垂直な方向に分波することができる。しか
も、本発明では、かかるフィルタが薄膜を用いて構成さ
れているため、微細な分波器を提供することができる。
る誘電体多層膜の面が実基板の面に対して斜めに設定さ
れているため、実基板と平行に進行する光信号を例えば
実基板の面に垂直な方向に分波することができる。しか
も、本発明では、かかるフィルタが薄膜を用いて構成さ
れているため、微細な分波器を提供することができる。
【０３８６】また、本発明によれば、フィルタを構成す
る誘電体多層膜の面が実基板の面に対して斜めに設定さ
れているため、実基板の面に対して例えば垂直な方向に
入射する光信号を、実基板の面に対して平行な方向に進
行させることができる。しかも、本発明によれば、フィ
ルタが薄膜を用いて構成されているため、微細な合波器
を提供することができる。
る誘電体多層膜の面が実基板の面に対して斜めに設定さ
れているため、実基板の面に対して例えば垂直な方向に
入射する光信号を、実基板の面に対して平行な方向に進
行させることができる。しかも、本発明によれば、フィ
ルタが薄膜を用いて構成されているため、微細な合波器
を提供することができる。
【０３８７】また、本発明によれば、多層膜の面が実基
板の面に対して斜めに設定されているため、微細な波長
スイッチや光スイッチを提供することができる。
板の面に対して斜めに設定されているため、微細な波長
スイッチや光スイッチを提供することができる。
【０３８８】また、本発明によれば、フィルタを構成す
る誘電体多層膜の面が、導波路の延在方向に対して斜
め、且つ実基板の面に対して垂直になるように設定する
ことができるため、実基板の面と平行な方向に進行する
光を、実基板の面と平行な方向に分岐しうる微細な分波
器を提供することができる。
る誘電体多層膜の面が、導波路の延在方向に対して斜
め、且つ実基板の面に対して垂直になるように設定する
ことができるため、実基板の面と平行な方向に進行する
光を、実基板の面と平行な方向に分岐しうる微細な分波
器を提供することができる。
【０３８９】また、本発明によれば、フィルタを構成す
る誘電体多層膜の面が、導波路の延在方向に対して斜
め、且つ実基板の面に対して垂直になるように設定する
ことができるため、実基板の面と平行な方向に進行する
光を多重化し得る微細な合波器を提供することができ
る。
る誘電体多層膜の面が、導波路の延在方向に対して斜
め、且つ実基板の面に対して垂直になるように設定する
ことができるため、実基板の面と平行な方向に進行する
光を多重化し得る微細な合波器を提供することができ
る。
【０３９０】また、本発明によれば、多層膜の面が、導
波路の延在方向に対して斜め、且つ実基板の面に対して
垂直になるように設定することができるため、実基板の
面と平行な方向に進行する光信号を実基板の面と平行な
方向に分岐し得る波長スイッチを提供することができ
る。
波路の延在方向に対して斜め、且つ実基板の面に対して
垂直になるように設定することができるため、実基板の
面と平行な方向に進行する光信号を実基板の面と平行な
方向に分岐し得る波長スイッチを提供することができ
る。
【０３９１】また、本発明によれば、多層膜の面が、導
波路の延在方向に対して斜め、且つ実基板の面に対して
垂直になるように設定することができるため、実基板の
面と平行な方向に進行する光を、実基板の面と平行な方
向に反射し得る微細な光スイッチを提供することができ
る。
波路の延在方向に対して斜め、且つ実基板の面に対して
垂直になるように設定することができるため、実基板の
面と平行な方向に進行する光を、実基板の面と平行な方
向に反射し得る微細な光スイッチを提供することができ
る。
【０３９２】また、本発明によれば、導波路層の端部に
ミラーが設けられているため、導波路層に沿って実基板
と平行な方向に進行する光信号の進行方向を、実基板の
面に対して例えば垂直な方向に転換することができる。
ミラーが設けられているため、導波路層に沿って実基板
と平行な方向に進行する光信号の進行方向を、実基板の
面に対して例えば垂直な方向に転換することができる。
【０３９３】また、本発明によれば、導波路層の端部に
ミラーが設けられているため、例えば実基板の面と垂直
な方向に進行する光信号を、実基板の面と平行な方向に
延在する導波路層に導入することができる。
ミラーが設けられているため、例えば実基板の面と垂直
な方向に進行する光信号を、実基板の面と平行な方向に
延在する導波路層に導入することができる。
【０３９４】また、本発明によれば、フィルタを構成す
る誘電体多層膜の面の法線の方向と導波路層の延在方向
との為す角を極めて小さく設定しているので、フィルタ
の波長分解能を極めて高くすることができる。従って、
本発明によれば、光学的特性のより良好な光回路装置を
提供することができる。
る誘電体多層膜の面の法線の方向と導波路層の延在方向
との為す角を極めて小さく設定しているので、フィルタ
の波長分解能を極めて高くすることができる。従って、
本発明によれば、光学的特性のより良好な光回路装置を
提供することができる。
【０３９５】また、本発明によれば、ＬＳＩ上に合波器
や分波器が実装された光電子装置や、合波・分波器が３
次元的に設けられた光電子装置を提供することもでき
る。
や分波器が実装された光電子装置や、合波・分波器が３
次元的に設けられた光電子装置を提供することもでき
る。
【図１】本発明の第１実施形態による薄膜素子の配置方
法を示す工程図（その１）である。
法を示す工程図（その１）である。
【図２】本発明の第１実施形態による薄膜素子の配置方
法を示す工程図（その２）である。
法を示す工程図（その２）である。
【図３】本発明の第１実施形態による薄膜素子の配置方
法を示す工程図（その３）である。
法を示す工程図（その３）である。
【図４】本発明の第１実施形態による薄膜素子の配置方
法を示す工程図（その４）である。
法を示す工程図（その４）である。
【図５】本発明の第１実施形態による薄膜素子の配置方
法を示す工程図（その５）である。
法を示す工程図（その５）である。
【図６】本発明の第１実施形態による薄膜素子の配置方
法を示す工程図（その６）である。
法を示す工程図（その６）である。
【図７】本発明の第１実施形態の変形例による薄膜素子
の配置方法を示す工程断面図である。
の配置方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態による薄膜素子の配置方
法を示す工程図（その１）である。
法を示す工程図（その１）である。
【図９】本発明の第２実施形態による薄膜素子の配置方
法を示す工程図（その２）である。
法を示す工程図（その２）である。
【図１０】本発明の第２実施形態による薄膜素子の配置
方法を示す工程図（その３）である。
方法を示す工程図（その３）である。
【図１１】本発明の第２実施形態による薄膜素子の配置
方法を示す工程図（その４）である。
方法を示す工程図（その４）である。
【図１２】本発明の第２実施形態による薄膜素子の配置
方法を示す工程図（その５）である。
方法を示す工程図（その５）である。
【図１３】本発明の第３実施形態による薄膜素子の配置
方法を示す工程図（その１）である。
方法を示す工程図（その１）である。
【図１４】本発明の第３実施形態による薄膜素子の配置
方法を示す工程図（その２）である。
方法を示す工程図（その２）である。
【図１５】本発明の第３実施形態による薄膜素子の配置
方法を示す工程図（その３）である。
方法を示す工程図（その３）である。
【図１６】本発明の第３実施形態による薄膜素子の配置
方法を示す工程図（その４）である。
方法を示す工程図（その４）である。
【図１７】本発明の第３実施形態による薄膜素子の配置
方法を示す工程図（その５）である。
方法を示す工程図（その５）である。
【図１８】本発明の第３実施形態の変形例（その１）に
よる薄膜素子の配置方法を示す図である。
よる薄膜素子の配置方法を示す図である。
【図１９】本発明の第３実施形態の変形例（その２）に
よる薄膜素子の配置方法を示す図である。
よる薄膜素子の配置方法を示す図である。
【図２０】本発明の第３実施形態の変形例（その３）に
よる薄膜素子の配置方法を示す図である。
よる薄膜素子の配置方法を示す図である。
【図２１】本発明の第４実施形態による薄膜素子の配置
方法を示す工程断面図（その１）である。
方法を示す工程断面図（その１）である。
【図２２】本発明の第４実施形態による薄膜素子の配置
方法を示す工程断面図（その２）である。
方法を示す工程断面図（その２）である。
【図２３】本発明の第５実施形態による光回路装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２４】本発明の第６実施形態による光回路装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２５】本発明の第７実施形態による光回路装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２６】本発明の第８実施形態による光回路装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２７】本発明の第９実施形態による光回路装置を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２８】本発明の第９実施形態の変形例による光回路
装置を示す平面図である。
装置を示す平面図である。
【図２９】本発明の第１０実施形態による光回路装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３０】本発明の第１０実施形態の変形例による光回
路装置を示す平面図である。
路装置を示す平面図である。
【図３１】本発明の第１１実施形態による光回路装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３２】本発明の第１１実施形態の変形例による光回
路装置を示す平面図である。
路装置を示す平面図である。
【図３３】本発明の第１２実施形態による光回路装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３４】本発明の第１２実施形態の変形例による光回
路装置を示す平面図である。
路装置を示す平面図である。
【図３５】本発明の第１３実施形態による光回路装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３６】本発明の第１３実施形態の変形例による光回
路装置を示す平面図である。
路装置を示す平面図である。
【図３７】本発明の第１４実施形態による光回路装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３８】本発明の第１４実施形態の変形例による光回
路装置を示す平面図である。
路装置を示す平面図である。
【図３９】本発明の第１５実施形態による光回路装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４０】本発明の第１６実施形態による光電子装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４１】本発明の第１７実施形態による光電子装置を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
１０…成長基板 １４…誘電体多層膜 １４ａ〜１４ｈ…フィルタ １６…支持基板 １８…成長基板 ２０…誘電体多層膜 ２０ａ〜２０ｄ…フィルタ ２２…支持基板 ２４、２４ａ…傾動用基板 ２５…支持基板 ２６、２６ａ…解除層 ２８、２８ａ…傾動層 ３０…傾動用基板 ３１…支持基板 ３２…解除層 ３４…傾動層 ３６、３６ａ…基板 ３８…クラッド層 ４０、４０ａ〜４０ｕ…導波路層 ４２…エッチングストッパ膜 ４４…エッチングストッパ膜 ４６…支持基板 ４８…支持基板 ５０…接着層 ５２…クラッド層 ５４…接着層 ５６…停止層 ５８ａ、５８ｂ…突起 ６０…接着層 ６２ａ、６２ｂ…突起 ６４…接着層 ６６ａ〜６６ｄ…チューナブルフィルタ ６８ａ〜６８ｆ…多層膜 ７０ａ〜７０ｌ…電極 ７２、７２ａ…光スイッチ ７４ａ〜７４ｌ…ミラー ７６…ＬＳＩ ７８…分波器 ８０…合波器 ８２ａ〜８２ｄ…フォトディテクタ ８３ａ〜８３ｄ…ＶＣＳＥＬ ８４ａ〜８４ｄ…合波・分波器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/313 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｂ Ｍ Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KA11 KA13 LA09 LA12 LA18 MA07 NA08 RA08 TA44 2H048 GA01 GA04 GA33 GA60 GA62 2K002 AB04 BA06 CA13 DA02 FA29 HA02
Claims (10)
- 【請求項１】 薄膜を薄膜の成長方位に対して斜めにエ
ッチングすることにより、前記薄膜より成る薄膜素子を
形成する第１の工程と、 実基板上に前記薄膜素子を配置する第２の工程とを有
し、 前記第２の工程では、前記薄膜の成長方位が前記実基板
の面に対して斜め又はほぼ平行になるように、前記薄膜
素子を前記実基板上に配置することを特徴とする薄膜素
子の配置方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜素子の配置方法にお
いて、 前記第１の工程の後、前記第２の工程の前に、傾動用基
板上に前記薄膜素子を移動する第３の工程と、前記傾動
用基板上で前記薄膜素子を傾ける第４の工程とを更に有
し、 前記第２の工程では、前記傾動用基板から前記実基板に
前記薄膜素子を移動することを特徴とする薄膜素子の配
置方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の薄膜素子の配置方法にお
いて、 前記第３の工程では、前記傾動用基板に形成された傾動
層の端部上に前記薄膜素子を移動し、 前記第４の工程では、前記傾動層の前記端部を前記傾動
用基板の面に対して傾けることにより前記薄膜素子を傾
けることを特徴とする薄膜素子の配置方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の薄膜素子の配置方法にお
いて、 前記傾動層の端部は、前記傾動層とエッチング特性が異
なる解除層を介して前記傾動用基板に固定されており、 前記第４の工程では、前記解除層を選択的にエッチング
することにより前記傾動層の端部を前記傾動用基板の面
に対して傾けることを特徴とする薄膜素子の配置方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の薄膜素子の配置方法にお
いて、 前記第１の工程の後、前記第２の工程の前に、前記薄膜
素子を第１の支持基板に移動する第３の工程と、前記第
１の支持基板を前記第１の支持基板と異なる第２の支持
基板に押し付けることにより前記薄膜素子を傾けつつ前
記薄膜素子を前記第２の支持基板に移動する第４の工程
とを更に有し、 前記第２の工程では、前記第２の支持基板から前記実基
板に前記薄膜素子を移動することを特徴とする薄膜素子
の配置方法。 - 【請求項６】 基板上に配置された薄膜素子を有する光
回路装置であって、 前記薄膜素子に用いられている薄膜の成長方位が、前記
基板の面に対して斜め又はほぼ平行になっていることを
特徴とする光回路装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の光回路装置において、 前記基板上に形成され、前記薄膜素子に光学的に結合す
る導波路層を更に有し、 前記薄膜の成長方位が、前記導波路層の延在方向に対し
て斜めになっていることを特徴とする光回路装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の光回路装置において、 前記基板上に形成され、前記薄膜素子に光学的に結合す
る中継導波路層を更に有し、 前記薄膜の成長方位が、前記基板の面に対してほぼ平行
になっていることを特徴とする光回路装置。 - 【請求項９】 請求項６乃至８のいずれか１項に記載の
光回路装置において、 前記薄膜素子は、フィルタ、チューナブルフィルタ、又
は光スイッチであることを特徴とする光回路装置。 - 【請求項１０】 基板上に配置された薄膜素子を有する
光電子装置であって、 前記薄膜素子に用いられている薄膜の成長方位が、前記
基板の面に対して斜め又はほぼ平行になっていることを
特徴とする光電子装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001152942A JP4678985B2 (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | 光回路装置の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001152942A JP4678985B2 (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | 光回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002350635A true JP2002350635A (ja) | 2002-12-04 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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|---|---|
| JP (1) | JP4678985B2 (ja) |
Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0210527A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Hitachi Ltd | 光集積回路 |
| JPH06503899A (ja) * | 1990-12-20 | 1994-04-28 | イギリス国 | 強度分割デバイス |
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-
2001
- 2001-05-22 JP JP2001152942A patent/JP4678985B2/ja not_active Expired - Fee Related
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