JP2002350235A - 光学分光計及び燃焼火炎温度測定方法 - Google Patents
光学分光計及び燃焼火炎温度測定方法Info
- Publication number
- JP2002350235A JP2002350235A JP2002049092A JP2002049092A JP2002350235A JP 2002350235 A JP2002350235 A JP 2002350235A JP 2002049092 A JP2002049092 A JP 2002049092A JP 2002049092 A JP2002049092 A JP 2002049092A JP 2002350235 A JP2002350235 A JP 2002350235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- filter
- spectrometer
- multiplied
- flame temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 7
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033040 Carbonic anhydrase 12 Human genes 0.000 description 1
- 102100033041 Carbonic anhydrase 13 Human genes 0.000 description 1
- 101000867855 Homo sapiens Carbonic anhydrase 12 Proteins 0.000 description 1
- 101000867860 Homo sapiens Carbonic anhydrase 13 Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010793 Steam injection (oil industry) Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003137 locomotive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012821 model calculation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0014—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiation from gases, flames
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/60—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature
- G01J5/602—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature using selective, monochromatic or bandpass filtering
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0488—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts with spectral filtering
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M3/00—Automatic or semi-automatic exchanges
- H04M3/38—Graded-service arrangements, i.e. some subscribers prevented from establishing certain connections
- H04M3/382—Graded-service arrangements, i.e. some subscribers prevented from establishing certain connections using authorisation codes or passwords
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M3/00—Automatic or semi-automatic exchanges
- H04M3/42—Systems providing special services or facilities to subscribers
- H04M3/42314—Systems providing special services or facilities to subscribers in private branch exchanges
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M3/00—Automatic or semi-automatic exchanges
- H04M3/42—Systems providing special services or facilities to subscribers
- H04M3/42314—Systems providing special services or facilities to subscribers in private branch exchanges
- H04M3/4234—Remote access to features of PBX or home telephone systems-teleworking in a PBX
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Control Of Combustion (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 燃焼火炎温度測定のためのソリッドステート
光学分光計を提供する。 【解決手段】 該ソリッドステート光学分光計は、炭化
ケイ素・フォトダイオードを備え、かつ、ＯＨバンド内
に光学応答範囲を有する、第１のフォトダイオード信号
を取得可能な第１のフォトダイオード装置と、炭化ケイ
素・フォトダイオードとフィルタとを備え、かつ、第１
のフォトダイオード装置と異なり、かつ、ＯＨバンドの
一部分に重複する光学応答範囲を有する、第２のフォト
ダイオード信号を取得可能な第２のフォトダイオード装
置と、第１及び第２のフォトダイオード信号を用いて比
率を求め、該比率を用いて燃焼火炎温度を測定するため
のコンピュータとを備える。
光学分光計を提供する。 【解決手段】 該ソリッドステート光学分光計は、炭化
ケイ素・フォトダイオードを備え、かつ、ＯＨバンド内
に光学応答範囲を有する、第１のフォトダイオード信号
を取得可能な第１のフォトダイオード装置と、炭化ケイ
素・フォトダイオードとフィルタとを備え、かつ、第１
のフォトダイオード装置と異なり、かつ、ＯＨバンドの
一部分に重複する光学応答範囲を有する、第２のフォト
ダイオード信号を取得可能な第２のフォトダイオード装
置と、第１及び第２のフォトダイオード信号を用いて比
率を求め、該比率を用いて燃焼火炎温度を測定するため
のコンピュータとを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に、光学的
火炎検出に関する。
火炎検出に関する。
【０００２】
【従来の背景】広い範囲の燃焼過程を制御するために、
火炎温度センサが必要とされる。例えば、ビルディング
暖房システム、ジェット飛行機、機関車、化石燃料によ
る発電所、及び、ガス及び／又は蒸気タービンを使用す
る他の環境のように、燃料の燃焼効率を高め、排気汚染
を減少させるために、燃料対空気比率の厳密な制御が必
要とされる幾つかの燃焼過程が存在する。
火炎温度センサが必要とされる。例えば、ビルディング
暖房システム、ジェット飛行機、機関車、化石燃料によ
る発電所、及び、ガス及び／又は蒸気タービンを使用す
る他の環境のように、燃料の燃焼効率を高め、排気汚染
を減少させるために、燃料対空気比率の厳密な制御が必
要とされる幾つかの燃焼過程が存在する。
【０００３】燃焼温度が過度に高いと、燃料効率の低下
や排気汚染の増加が起こりうる。例えば、窒素酸化物
（ＮＯX）粒子を百万分の９（ｐｐｍ）排出するよう設
計されたガスタービンでは、２７３０°Ｆ（１４９９
℃）から２７４０°Ｆ（１５０４℃）に上昇すると、タ
ービン効率が約２パーセント減少し、ＮＯXエミッショ
ンが約２ｐｐｍ増加することになる。
や排気汚染の増加が起こりうる。例えば、窒素酸化物
（ＮＯX）粒子を百万分の９（ｐｐｍ）排出するよう設
計されたガスタービンでは、２７３０°Ｆ（１４９９
℃）から２７４０°Ｆ（１５０４℃）に上昇すると、タ
ービン効率が約２パーセント減少し、ＮＯXエミッショ
ンが約２ｐｐｍ増加することになる。
【０００４】本出願人に譲渡された、１９９６年１２月
３１日に登録されたＢｒｏｗｎ他の米国特許第５，５８
９，６８２号に説明されているような、従来の炭化ケイ
素火炎検出器は、火炎の存在を検出し、広範囲の波長に
わたって火炎の光子束の強度を計測する。しかしなが
ら、特に多火炎燃焼器の場合には、計測した強度は必ず
しも火炎温度に関連しない。
３１日に登録されたＢｒｏｗｎ他の米国特許第５，５８
９，６８２号に説明されているような、従来の炭化ケイ
素火炎検出器は、火炎の存在を検出し、広範囲の波長に
わたって火炎の光子束の強度を計測する。しかしなが
ら、特に多火炎燃焼器の場合には、計測した強度は必ず
しも火炎温度に関連しない。
【０００５】前述のＢｒｏｗｎの米国特許出願第０９／
２４６，８６１号の一部継続出願である、本出願人に譲
渡された、２０００年５月１日に出願されたＢｒｏｗｎ
の米国特許出願第０９／５６１，８８５号においては、
燃焼火炎温度測定のための光学分光計は、それぞれの出
力信号を生成するための、互いに異なり、かつ、重複す
る光学バンド幅を有し、燃焼火炎からの光を受光するよ
うに配置された少なくとも２つの光検出器と、少なくと
も２つの光検出器のうちの１つである第１の検出器の第
１の出力信号と、少なくとも２つの光検出器のうちの１
つである第２の検出器の第２の出力信号との差を求め、
その差を第１及び第２の出力信号の１つで割って、正規
化された出力信号を求め、この正規化された出力信号を
用いて燃焼火炎温度を測定するためのコンピュータと、
を含む。
２４６，８６１号の一部継続出願である、本出願人に譲
渡された、２０００年５月１日に出願されたＢｒｏｗｎ
の米国特許出願第０９／５６１，８８５号においては、
燃焼火炎温度測定のための光学分光計は、それぞれの出
力信号を生成するための、互いに異なり、かつ、重複す
る光学バンド幅を有し、燃焼火炎からの光を受光するよ
うに配置された少なくとも２つの光検出器と、少なくと
も２つの光検出器のうちの１つである第１の検出器の第
１の出力信号と、少なくとも２つの光検出器のうちの１
つである第２の検出器の第２の出力信号との差を求め、
その差を第１及び第２の出力信号の１つで割って、正規
化された出力信号を求め、この正規化された出力信号を
用いて燃焼火炎温度を測定するためのコンピュータと、
を含む。
【０００６】本出願人に譲渡されたＢｒｏｗｎの米国特
許出願第０９／５６１，８８５号では、光検出器の材料
として、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウ
ムアルミニウムが有用であることが開示される。より具
体的には、窒化ガリウムの最大吸収波長は約３６５ナノ
メートル（すなわち３６５ナノメートルより長波長では
透明である）であり、窒化アルミニウムの最大吸収波長
は約２００ナノメートルであり、ＧａＮとＡｌＮとの合
金でＡｌXＧａX-1Ｎとして表されるものは、合金中のア
ルミニウム量に依存して、ＧａＮとＡｌＮの２つの極値
の間で変化するバンドギャップを有する、正比例バンド
ギャップ材料である。これら合金の半導体は、価電子バ
ンドから伝導バンドへの光学的な直接遷移を有し、遷移
のためのフォノンの助力を必要としない（これに対し炭
化ケイ素には、このような助力が必要である）。従っ
て、応答度におけるカットオフは鋭敏であり、ゆえに高
分解能が与えられる。
許出願第０９／５６１，８８５号では、光検出器の材料
として、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウ
ムアルミニウムが有用であることが開示される。より具
体的には、窒化ガリウムの最大吸収波長は約３６５ナノ
メートル（すなわち３６５ナノメートルより長波長では
透明である）であり、窒化アルミニウムの最大吸収波長
は約２００ナノメートルであり、ＧａＮとＡｌＮとの合
金でＡｌXＧａX-1Ｎとして表されるものは、合金中のア
ルミニウム量に依存して、ＧａＮとＡｌＮの２つの極値
の間で変化するバンドギャップを有する、正比例バンド
ギャップ材料である。これら合金の半導体は、価電子バ
ンドから伝導バンドへの光学的な直接遷移を有し、遷移
のためのフォノンの助力を必要としない（これに対し炭
化ケイ素には、このような助力が必要である）。従っ
て、応答度におけるカットオフは鋭敏であり、ゆえに高
分解能が与えられる。
【０００７】最大限の精度を得るためには、燃焼火炎温
度測定に用いるフォトダイオードの暗電流は、１平方セ
ンチメートル当たり約１００ピコアンペア（ｐＡ／ｃｍ
2）に等しいか又はそれより小さいオーダーであること
が好ましい。一般に、窒化ガリウム及び窒化ガリウムア
ルミニウム・フォトダイオードの暗電流は、１平方セン
チメートル当たりナノアンペア（ｎＡ／ｃｍ2）から１
平方センチメートル当たりマイクロアンペア（μＡ／ｃ
ｍ2）の間のオーダーである。しかし、高品質の窒化ガ
リウム及び窒化ガリウムアルミニウム・フォトダイオー
ドの収率は、比較的低い。
度測定に用いるフォトダイオードの暗電流は、１平方セ
ンチメートル当たり約１００ピコアンペア（ｐＡ／ｃｍ
2）に等しいか又はそれより小さいオーダーであること
が好ましい。一般に、窒化ガリウム及び窒化ガリウムア
ルミニウム・フォトダイオードの暗電流は、１平方セン
チメートル当たりナノアンペア（ｎＡ／ｃｍ2）から１
平方センチメートル当たりマイクロアンペア（μＡ／ｃ
ｍ2）の間のオーダーである。しかし、高品質の窒化ガ
リウム及び窒化ガリウムアルミニウム・フォトダイオー
ドの収率は、比較的低い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】低い暗電流で、かつ、
約２５００°Ｆ（１３７１℃）から約３５００°Ｆ（１
９２７℃）の温度範囲における火炎温度の精度が約２０
°Ｆ（１１℃）以内の、燃焼制御システムのためのソリ
ッドステート火炎温度センサを提供することが望まし
い。
約２５００°Ｆ（１３７１℃）から約３５００°Ｆ（１
９２７℃）の温度範囲における火炎温度の精度が約２０
°Ｆ（１１℃）以内の、燃焼制御システムのためのソリ
ッドステート火炎温度センサを提供することが望まし
い。
【０００９】
【課題を解決するための手段】手短に述べると、本発明
の一実施形態によれば、燃焼火炎温度測定のためのソリ
ッドステート光学分光計は、炭化ケイ素・フォトダイオ
ードを備え、ＯＨバンド内に光学応答範囲を有する、第
１のフォトダイオード信号を得るための第１のフォトダ
イオード装置と、炭化ケイ素・フォトダイオード及びフ
ィルタを備え、第１のフォトダイオード装置と異なり、
かつ、ＯＨバンドの一部分に重複する光学応答範囲を有
する、第２のフォトダイオード信号を得るための第２の
フォトダイオード装置と、第１及び第２のフォトダイオ
ード信号を用いて比率を求め、この比率を用いて燃焼火
炎温度を測定するためのコンピュータと、を備える。
の一実施形態によれば、燃焼火炎温度測定のためのソリ
ッドステート光学分光計は、炭化ケイ素・フォトダイオ
ードを備え、ＯＨバンド内に光学応答範囲を有する、第
１のフォトダイオード信号を得るための第１のフォトダ
イオード装置と、炭化ケイ素・フォトダイオード及びフ
ィルタを備え、第１のフォトダイオード装置と異なり、
かつ、ＯＨバンドの一部分に重複する光学応答範囲を有
する、第２のフォトダイオード信号を得るための第２の
フォトダイオード装置と、第１及び第２のフォトダイオ
ード信号を用いて比率を求め、この比率を用いて燃焼火
炎温度を測定するためのコンピュータと、を備える。
【００１０】新規であると考えられる本発明の諸特徴
は、添付の特許請求の範囲に詳細に記載する。しかしな
がら、本発明自体は、更なる目的及び利点と共に、構成
及び作動方法の両方に関して、添付の図面と関連付けて
以下の説明を参照することで、最も良く理解できるであ
ろう。図面において、同じ番号は同じ要素を表わす。
は、添付の特許請求の範囲に詳細に記載する。しかしな
がら、本発明自体は、更なる目的及び利点と共に、構成
及び作動方法の両方に関して、添付の図面と関連付けて
以下の説明を参照することで、最も良く理解できるであ
ろう。図面において、同じ番号は同じ要素を表わす。
【００１１】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施形態例の
ブロック図であり、燃焼火炎温度測定のためのソリッド
ステート光学分光計１００は、炭化ケイ素・フォトダイ
オードを備え、ＯＨバンド内に光学応答範囲を有する、
第１のフォトダイオード信号を得るための第１のフォト
ダイオード装置１０と、炭化ケイ素・フォトダイオード
１３とフィルタ１２とを備え、第１のフォトダイオード
装置と異なり、かつ、ＯＨバンドの一部分に重複する光
学応答範囲を有する、第２のフォトダイオード信号を得
るための第２のフォトダイオード装置１１と、第１及び
第２のフォトダイオード信号を用いて比率を求め、該比
率を用いて燃焼火炎温度を測定するためのコンピュータ
３４と、を備える。
ブロック図であり、燃焼火炎温度測定のためのソリッド
ステート光学分光計１００は、炭化ケイ素・フォトダイ
オードを備え、ＯＨバンド内に光学応答範囲を有する、
第１のフォトダイオード信号を得るための第１のフォト
ダイオード装置１０と、炭化ケイ素・フォトダイオード
１３とフィルタ１２とを備え、第１のフォトダイオード
装置と異なり、かつ、ＯＨバンドの一部分に重複する光
学応答範囲を有する、第２のフォトダイオード信号を得
るための第２のフォトダイオード装置１１と、第１及び
第２のフォトダイオード信号を用いて比率を求め、該比
率を用いて燃焼火炎温度を測定するためのコンピュータ
３４と、を備える。
【００１２】広いバンドギャップ（Ｅｇ≒３ｅｖ）のＳ
ｉＣフォトダイオードは、通常は、２００ナノメートル
（ｎｍ）から３５０ｎｍの間の紫外波長に対して少なく
とも５０ｍＡ／ワットの応答度を有し、２７０ｎｍにお
いて１５０ｍＡ／ワットの応答度ピークを有する。４０
０ｎｍでは、広いバンドギャップが長波長における光子
吸収のいかなる可能性をも消去することから、応答度は
ゼロ近くに下降する。４８２°Ｆ（２５０℃）における
ＳｉＣフォトダイオードの暗電流は、非常に低く、通常
は、例えば内部インピーダンス１０14オーム、逆バイア
ス1ボルトのとき１ｐＡ／ｃｍ2以下である。加えて、Ｓ
ｉＣフォトダイオード製造技術は、現在の窒化ガリウム
・フォトダイオード製造技術よりも収率が高い。ＳｉＣ
フォトダイオードの別の利点は、フォトダイオードのエ
ピタキシャル層（図示せず）が充分に厚い（例えば約５
マイクロメートルに等しいか又はそれ以上）限り、応答
度は、装置の構造に比較的影響されないことである。
ｉＣフォトダイオードは、通常は、２００ナノメートル
（ｎｍ）から３５０ｎｍの間の紫外波長に対して少なく
とも５０ｍＡ／ワットの応答度を有し、２７０ｎｍにお
いて１５０ｍＡ／ワットの応答度ピークを有する。４０
０ｎｍでは、広いバンドギャップが長波長における光子
吸収のいかなる可能性をも消去することから、応答度は
ゼロ近くに下降する。４８２°Ｆ（２５０℃）における
ＳｉＣフォトダイオードの暗電流は、非常に低く、通常
は、例えば内部インピーダンス１０14オーム、逆バイア
ス1ボルトのとき１ｐＡ／ｃｍ2以下である。加えて、Ｓ
ｉＣフォトダイオード製造技術は、現在の窒化ガリウム
・フォトダイオード製造技術よりも収率が高い。ＳｉＣ
フォトダイオードの別の利点は、フォトダイオードのエ
ピタキシャル層（図示せず）が充分に厚い（例えば約５
マイクロメートルに等しいか又はそれ以上）限り、応答
度は、装置の構造に比較的影響されないことである。
【００１３】ＳｉＣフォトダイオードは、通常は、約５
０００から1まで、又はそれより大きいオーダーの、広
いダイナミックレンジのＤＣ出力成分を有する。更に、
ＳｉＣフォトダイオードは、例えば音響震動を発生させ
る火炎のダイナミクスを追跡するのに利用可能なＡＣ出
力成分を有する。加えて、ＳｉＣフォトダイオードは、
石油燃料が用いられ、及び／又は動力を増大させるため
に蒸気噴射が行われる時でさえも火炎を監視できるほ
ど、十分に高感度である。
０００から1まで、又はそれより大きいオーダーの、広
いダイナミックレンジのＤＣ出力成分を有する。更に、
ＳｉＣフォトダイオードは、例えば音響震動を発生させ
る火炎のダイナミクスを追跡するのに利用可能なＡＣ出
力成分を有する。加えて、ＳｉＣフォトダイオードは、
石油燃料が用いられ、及び／又は動力を増大させるため
に蒸気噴射が行われる時でさえも火炎を監視できるほ
ど、十分に高感度である。
【００１４】３０８及び３０９ナノメートル（ｎｍ）付
近を中心とする（或いは、より広範な、約２６０ｎｍか
ら約３５０ｎｍの範囲内の）波長におけるＯＨエミッシ
ョンバンドは、ＯＨ分子のエネルギー準位間での種々の
遷移により生成する微細なエミッション線系列を含む。
回転性遷移と振動性遷移の両方が起こる。燃焼火炎中の
ＯＨ分子は、熱平衡状態にあり、燃焼火炎温度を反映す
るエミッション特性を有する。３１０ｎｍにおいて、Ｓ
ｉＣフォトダイオードの対波長応答度が、炭化水素火炎
の強いＯＨバンドに重なることは有益である。約４００
ｎｍにおいてＳｉＣが透明となることから、高温の燃焼
器の壁からの黒体放射は、弱い火炎の検出でさえも遮蔽
又は干渉しない。従って、長波長をカットオフするフィ
ルタを必要としない。ＯＨエミッションバンドは、燃焼
火炎内の他の励起したラジカルにより生成する弱いエミ
ッション線群から本質的に分離されている。
近を中心とする（或いは、より広範な、約２６０ｎｍか
ら約３５０ｎｍの範囲内の）波長におけるＯＨエミッシ
ョンバンドは、ＯＨ分子のエネルギー準位間での種々の
遷移により生成する微細なエミッション線系列を含む。
回転性遷移と振動性遷移の両方が起こる。燃焼火炎中の
ＯＨ分子は、熱平衡状態にあり、燃焼火炎温度を反映す
るエミッション特性を有する。３１０ｎｍにおいて、Ｓ
ｉＣフォトダイオードの対波長応答度が、炭化水素火炎
の強いＯＨバンドに重なることは有益である。約４００
ｎｍにおいてＳｉＣが透明となることから、高温の燃焼
器の壁からの黒体放射は、弱い火炎の検出でさえも遮蔽
又は干渉しない。従って、長波長をカットオフするフィ
ルタを必要としない。ＯＨエミッションバンドは、燃焼
火炎内の他の励起したラジカルにより生成する弱いエミ
ッション線群から本質的に分離されている。
【００１５】ＯＨエミッションバンドにおける温度依存
性は、例えば、前述のＢｒｏｗｎの米国特許出願第０９
／５６１，８８５号の図３から図６に見出すことができ
る。例えば、分光計を使用して、ＯＨバンド内の種々の
スペクトル線の強度を計測することにより、炭化水素火
炎の温度を測定できる。
性は、例えば、前述のＢｒｏｗｎの米国特許出願第０９
／５６１，８８５号の図３から図６に見出すことができ
る。例えば、分光計を使用して、ＯＨバンド内の種々の
スペクトル線の強度を計測することにより、炭化水素火
炎の温度を測定できる。
【００１６】近年、紫外線（ＵＶ）フィルタ技術は進歩
してきた。本発明の一実施形態において、一体のフィル
タを使用する。例えば、一体のフィルタとして有用であ
り、かつ、高温（例えば約３０２°Ｆ（１５０℃）に等
しいか又はそれ以上）での作動に適合する１つのタイプ
のフィルタは、酸化ケイ素と窒化ケイ素とを含むフィル
タ（混合して、酸窒化ケイ素の形態にするか、或いは個
別のフィルムとする）である。より具体的な実施形態に
おいて、フィルタは、酸化ケイ素ＳｉＯ2と窒化ケイ素
Ｓｉ3Ｎ4の多重交互層を含む。一実施形態において、酸
化ケイ素から始まる酸化ケイ素と窒化ケイ素との交互層
を４１層まで蒸着させ、全被覆厚が約１．６ミクロンの
高域フィルタを生成させる。薄膜は、コンピュータ制御
された化学蒸着により蒸着されるのが好ましい。図２
に、有用なフィルタ特性の実例を示す。
してきた。本発明の一実施形態において、一体のフィル
タを使用する。例えば、一体のフィルタとして有用であ
り、かつ、高温（例えば約３０２°Ｆ（１５０℃）に等
しいか又はそれ以上）での作動に適合する１つのタイプ
のフィルタは、酸化ケイ素と窒化ケイ素とを含むフィル
タ（混合して、酸窒化ケイ素の形態にするか、或いは個
別のフィルムとする）である。より具体的な実施形態に
おいて、フィルタは、酸化ケイ素ＳｉＯ2と窒化ケイ素
Ｓｉ3Ｎ4の多重交互層を含む。一実施形態において、酸
化ケイ素から始まる酸化ケイ素と窒化ケイ素との交互層
を４１層まで蒸着させ、全被覆厚が約１．６ミクロンの
高域フィルタを生成させる。薄膜は、コンピュータ制御
された化学蒸着により蒸着されるのが好ましい。図２
に、有用なフィルタ特性の実例を示す。
【００１７】別の有用なタイプのフィルタは、例えば、
窒化ガリウムアルミニウム（ＡｌＧａＮ）を含む。単一
のフォトダイオード装置の実施形態においても、又、多
重のフォトダイオード装置の実施形態いずれにおいて
も、窒化ガリウムアルミニウム半導体が、直接バンドギ
ャップ材料であり、光学的不透明性と光学的透明性との
間の遷移が鋭敏であることから、炭化ケイ素・フォトダ
イオードと共に窒化ガリウムアルミニウム・フィルタを
用いることは、有益である（図１）。従って、フォトダ
イオード装置は、炭化ケイ素フォトダイオードの製造が
容易であるという利点、性能特性、及び、窒化ガリウム
アルミニウムの光学的な遷移特性の利点、を有すること
ができる。一実施形態では、約１５パーセントから約３
５パーセント、又はより具体的には、約２０パーセント
から約２５パーセントのアルミニウムの濃度範囲におい
て、一体の窒化ガリウムアルミニウム・フィルタを、約
２マイクロメートルの厚さまでエピタキシャルに成長さ
せる。別の実施形態では、窒化ガリウムアルミニウム・
フィルタは、フォトダイオードと一体のものではなく、
その代わりに、例えば透明な基質（図示せず）上に蒸着
させることができる。どちらの実施形態においても、光
子は、約３１０ナノメートルより短波長ではフィルタに
吸収され、約３１０ナノメートルより長波長では窒化ガ
リウムアルミニウム・フィルタを通り抜けて炭化ケイ素
・フォトダイオードに吸収される。例示するために３１
０ｎｍを用いるが、カットオフ周波数は３１０ｎｍに限
定されるものではなく、通常は、約２６０ｎｍから約３
５０ｎｍの範囲内である。フォトダイオード装置による
応答度は、フィルタ中のアルミニウム量を加減すること
で調整できる。
窒化ガリウムアルミニウム（ＡｌＧａＮ）を含む。単一
のフォトダイオード装置の実施形態においても、又、多
重のフォトダイオード装置の実施形態いずれにおいて
も、窒化ガリウムアルミニウム半導体が、直接バンドギ
ャップ材料であり、光学的不透明性と光学的透明性との
間の遷移が鋭敏であることから、炭化ケイ素・フォトダ
イオードと共に窒化ガリウムアルミニウム・フィルタを
用いることは、有益である（図１）。従って、フォトダ
イオード装置は、炭化ケイ素フォトダイオードの製造が
容易であるという利点、性能特性、及び、窒化ガリウム
アルミニウムの光学的な遷移特性の利点、を有すること
ができる。一実施形態では、約１５パーセントから約３
５パーセント、又はより具体的には、約２０パーセント
から約２５パーセントのアルミニウムの濃度範囲におい
て、一体の窒化ガリウムアルミニウム・フィルタを、約
２マイクロメートルの厚さまでエピタキシャルに成長さ
せる。別の実施形態では、窒化ガリウムアルミニウム・
フィルタは、フォトダイオードと一体のものではなく、
その代わりに、例えば透明な基質（図示せず）上に蒸着
させることができる。どちらの実施形態においても、光
子は、約３１０ナノメートルより短波長ではフィルタに
吸収され、約３１０ナノメートルより長波長では窒化ガ
リウムアルミニウム・フィルタを通り抜けて炭化ケイ素
・フォトダイオードに吸収される。例示するために３１
０ｎｍを用いるが、カットオフ周波数は３１０ｎｍに限
定されるものではなく、通常は、約２６０ｎｍから約３
５０ｎｍの範囲内である。フォトダイオード装置による
応答度は、フィルタ中のアルミニウム量を加減すること
で調整できる。
【００１８】図３及び図４は、本発明の実施形態で用い
るフォトダイオード装置の実例の側断面図である。図３
のフォトダイオード装置１０に関して、本出願人に譲渡
されたＢｒｏｗｎ他の米国特許第５，３９４，００５号
に記載されるように、一実施形態においては、ｐ型或い
はｎ型の伝導性基板４２（及び伝導性基板上で成長する
半導体層４４及び４６の各々）は、適切にドープされた
６Ｈ型の結晶性炭化ケイ素を含む。第１の層４４は、基
板上に約１マイクロメートルから約５マイクロメートル
の間の厚さまで成長させ、通常は、ｐ−層を形成するよ
うにアルミニウムを軽くドープする。第１の層４４の特
定の厚さにより、光学波長に対するフォトダイオードの
感度が決定される。第２の層４６（通常は、厚さ約０．
１μｍから０．３μｍの薄層）は、通常は、第１の層４
４上にエピタキシャルに成長させ、ｎ＋伝導度になるよ
う窒素を高濃度でドープしてｐ‐／Ｎ＋接合を形成させ
る。第２の層４６を成長させ、例えばメサ５２をエッチ
ングすることにより装置の構造を形成した後に、適当な
不活性化層４８（例えば、通常は二酸化ケイ素を含む）
を熱成長、及び／又は蒸着させ、第２の層４６上に少な
くとも接触領域が露出するようエッチングする。その
後、露出した接触領域に接触金属被覆５０を加えること
ができる。
るフォトダイオード装置の実例の側断面図である。図３
のフォトダイオード装置１０に関して、本出願人に譲渡
されたＢｒｏｗｎ他の米国特許第５，３９４，００５号
に記載されるように、一実施形態においては、ｐ型或い
はｎ型の伝導性基板４２（及び伝導性基板上で成長する
半導体層４４及び４６の各々）は、適切にドープされた
６Ｈ型の結晶性炭化ケイ素を含む。第１の層４４は、基
板上に約１マイクロメートルから約５マイクロメートル
の間の厚さまで成長させ、通常は、ｐ−層を形成するよ
うにアルミニウムを軽くドープする。第１の層４４の特
定の厚さにより、光学波長に対するフォトダイオードの
感度が決定される。第２の層４６（通常は、厚さ約０．
１μｍから０．３μｍの薄層）は、通常は、第１の層４
４上にエピタキシャルに成長させ、ｎ＋伝導度になるよ
う窒素を高濃度でドープしてｐ‐／Ｎ＋接合を形成させ
る。第２の層４６を成長させ、例えばメサ５２をエッチ
ングすることにより装置の構造を形成した後に、適当な
不活性化層４８（例えば、通常は二酸化ケイ素を含む）
を熱成長、及び／又は蒸着させ、第２の層４６上に少な
くとも接触領域が露出するようエッチングする。その
後、露出した接触領域に接触金属被覆５０を加えること
ができる。
【００１９】図３のフォトダイオード装置１０について
説明したのと同様の方法で、第２の層４６と不活性化層
４８との間に一体のフィルタ１１２を加えて、図４のフ
ォトダイオード装置１１１を製造することができる。こ
の技術により構成されるフォトダイオード装置は、単一
のユニット内にフィルタ機能と光子変換の両方を兼ね備
えるので、ソリッドステート分光計の実行可能性が高ま
る。
説明したのと同様の方法で、第２の層４６と不活性化層
４８との間に一体のフィルタ１１２を加えて、図４のフ
ォトダイオード装置１１１を製造することができる。こ
の技術により構成されるフォトダイオード装置は、単一
のユニット内にフィルタ機能と光子変換の両方を兼ね備
えるので、ソリッドステート分光計の実行可能性が高ま
る。
【００２０】図１には２つのフォトダイオード装置を示
すが、フォトダイオード装置の数に上限はない。フォト
ダイオード装置を追加すれば、装置費用がかさみ計算が
複雑化するが、より正確な結果を得ることができる。
すが、フォトダイオード装置の数に上限はない。フォト
ダイオード装置を追加すれば、装置費用がかさみ計算が
複雑化するが、より正確な結果を得ることができる。
【００２１】上述したように、第２のフォトダイオード
装置１１（フィルタ１２を含む）は、第１のフォトダイ
オード装置１０と異なり、かつ、ＯＨバンドの一部分に
重複する光学応答範囲を有する。より具体的な実施形態
において、第１のフォトダイオード装置は、ＯＨバンド
全体の強度の測定値である信号を生成し、一方、第２の
フォトダイオード装置は、ＯＨバンドと交差する、バン
ドを分割可能な信号を生成する。これら測定値の比率を
用いて、火炎温度を測定することができる。
装置１１（フィルタ１２を含む）は、第１のフォトダイ
オード装置１０と異なり、かつ、ＯＨバンドの一部分に
重複する光学応答範囲を有する。より具体的な実施形態
において、第１のフォトダイオード装置は、ＯＨバンド
全体の強度の測定値である信号を生成し、一方、第２の
フォトダイオード装置は、ＯＨバンドと交差する、バン
ドを分割可能な信号を生成する。これら測定値の比率を
用いて、火炎温度を測定することができる。
【００２２】必要に応じて、フォトダイオード装置から
（１つ又はそれ以上の）増幅器３０（１つの多重化増幅
器、又は多数の単独の増幅器）に信号を送ると、該信号
を増幅することができる。一実施形態において、分光計
は更に、増幅された信号をアナログ信号からデジタル形
式に変換できる、少なくとも１つのアナログ−デジタル
変換器３２を含む。
（１つ又はそれ以上の）増幅器３０（１つの多重化増幅
器、又は多数の単独の増幅器）に信号を送ると、該信号
を増幅することができる。一実施形態において、分光計
は更に、増幅された信号をアナログ信号からデジタル形
式に変換できる、少なくとも１つのアナログ−デジタル
変換器３２を含む。
【００２３】コンピュータ３４は、比率を得た後に、該
比率を用いて例えば燃焼火炎温度を測定するのに、参照
用テーブル４０を用いることができる。参照用テーブル
は、火炎温度における約±２０°Ｆ（１１℃）の変化を
検出するのに充分な感度を有することが期待される。よ
り具体的には、各々の２０°Ｆ（１１℃）の温度変化に
対する比率の変化Ｒ（Ｔ）が約１％となることが期待さ
れる。
比率を用いて例えば燃焼火炎温度を測定するのに、参照
用テーブル４０を用いることができる。参照用テーブル
は、火炎温度における約±２０°Ｆ（１１℃）の変化を
検出するのに充分な感度を有することが期待される。よ
り具体的には、各々の２０°Ｆ（１１℃）の温度変化に
対する比率の変化Ｒ（Ｔ）が約１％となることが期待さ
れる。
【００２４】一実施形態においては、それぞれの波長
（ｊ）に対応する周知のスペクトル線強度（Ｓj）の第
１の組と、それぞれの波長（ｉ）に対応する周知のスペ
クトル線強度（Ｓi）の第２の組を用いて、複数の異な
る温度において計算を行うことにより、参照用テーブル
を作成することができる。各線強度に、それぞれの黒体
放射法則に沿う量子力学的フォーム（それぞれ、Ｒj又
はＲi）を乗じ、それぞれのフォトダイオードの応答度
（それぞれＸj又はＸi）を乗じ、次いで、乗算した線強
度を合算して、それぞれの第１又は第２の和（それぞ
れ、
（ｊ）に対応する周知のスペクトル線強度（Ｓj）の第
１の組と、それぞれの波長（ｉ）に対応する周知のスペ
クトル線強度（Ｓi）の第２の組を用いて、複数の異な
る温度において計算を行うことにより、参照用テーブル
を作成することができる。各線強度に、それぞれの黒体
放射法則に沿う量子力学的フォーム（それぞれ、Ｒj又
はＲi）を乗じ、それぞれのフォトダイオードの応答度
（それぞれＸj又はＸi）を乗じ、次いで、乗算した線強
度を合算して、それぞれの第１又は第２の和（それぞ
れ、
【００２５】
【数１】
【００２６】又は
【００２７】
【数２】
【００２８】）を算出する。次いで、第１及び第２の和
のうちの一方を、第１及び第２の和のもう一方で割る
と、次式が得られる。
のうちの一方を、第１及び第２の和のもう一方で割る
と、次式が得られる。
【００２９】
【数３】
【００３０】一実施形態において、線ｉの組は、線ｊの
組より小さい部分集合である。計算した値の間において
温度に対する値を求めるのに、内挿法を用いることがで
きる。
組より小さい部分集合である。計算した値の間において
温度に対する値を求めるのに、内挿法を用いることがで
きる。
【００３１】別のより詳細な実施形態において、参照用
テーブルは、複数の異なる温度において次の計算を行う
ことで作成される参照用テーブルである。その計算と
は、それぞれの波長（ｊ）に対応するスペクトル線強度
（Ｓj）の第１の組の各々に、それぞれの黒体放射法則
に沿う量子力学的フォーム（Ｒj）を乗じ、更に、それ
ぞれのフォトダイオードの応答度（Ｘj）を乗じ、次い
で、乗算した線強度を合算してそれぞれの第１の和を算
出し、同様に、それぞれの波長（ｉ）に対応するスペク
トル線強度（Ｓi）の第２の組の各々に、それぞれの黒
体放射法則に沿う量子力学的フォーム（Ｒi）を乗じ、
それぞれのフォトダイオードの応答度（Ｘi）を乗じ、
更に、それぞれの一体のフィルタの光学的透明度
（Ｙi）を乗じ、次いで、乗算した線強度を合算してそ
れぞれの第２の和を算出し、第１及び第２の和のうちの
一方を第１及び第２の和のもう一方で割る。即ち、
テーブルは、複数の異なる温度において次の計算を行う
ことで作成される参照用テーブルである。その計算と
は、それぞれの波長（ｊ）に対応するスペクトル線強度
（Ｓj）の第１の組の各々に、それぞれの黒体放射法則
に沿う量子力学的フォーム（Ｒj）を乗じ、更に、それ
ぞれのフォトダイオードの応答度（Ｘj）を乗じ、次い
で、乗算した線強度を合算してそれぞれの第１の和を算
出し、同様に、それぞれの波長（ｉ）に対応するスペク
トル線強度（Ｓi）の第２の組の各々に、それぞれの黒
体放射法則に沿う量子力学的フォーム（Ｒi）を乗じ、
それぞれのフォトダイオードの応答度（Ｘi）を乗じ、
更に、それぞれの一体のフィルタの光学的透明度
（Ｙi）を乗じ、次いで、乗算した線強度を合算してそ
れぞれの第２の和を算出し、第１及び第２の和のうちの
一方を第１及び第２の和のもう一方で割る。即ち、
【００３２】
【数４】
【００３３】である。Ｙiのフィルタ特性は、例えば、
フィルタの実験データを得るか、又はフィルタについて
のモデル計算を行って求めることができる。一実施形態
において、線ｉの組は、線ｊの組と同一の組である。
フィルタの実験データを得るか、又はフィルタについて
のモデル計算を行って求めることができる。一実施形態
において、線ｉの組は、線ｊの組と同一の組である。
【００３４】フォトダイオード装置の光学窓（図示せ
ず）が燃焼環境により汚れるか、又は他の理由により減
衰が起こると、各バンドに対する信号の還元もそれに比
例して減少するが、強度比が、基板や窓の状態にかかわ
りなく正確な温度インジケータであり続けるため、シス
テムは自己補正することになる。
ず）が燃焼環境により汚れるか、又は他の理由により減
衰が起こると、各バンドに対する信号の還元もそれに比
例して減少するが、強度比が、基板や窓の状態にかかわ
りなく正確な温度インジケータであり続けるため、シス
テムは自己補正することになる。
【００３５】増幅、及び／又は、Ａ／Ｄ変換のために合
波器を用いる場合には、コンピュータは、個々の出力信
号を保存するためのメモリを含むことになる。ノイズの
影響が減少する（信号対ノイズ比が良化する）ように、
出力信号の長期間の時間平均をコンピュータが行うこと
は更に有用である。このような時間平均は、例えば、
秒、分、又は時間のオーダーで実行されることになる。
一実施形態において、時間平均は、増幅されたフォトダ
イオード信号のデジタル化に先立って電荷積分すること
で達成される。火炎温度は、燃焼過程を特徴付ける主要
な因子である。火炎温度が分かる場合には、燃焼効率を
最大化し、かつ、燃焼により生成する窒素酸化物や一酸
化炭素のエミッションを最小限にするために燃料対空気
比率を最適化するのに、閉ループ制御を用いることがで
きる。システムは、フレームアウト又は点火を速やかに
感知するよう設計することができる。火炎の存在と平均
温度に関する情報は、コンピュータの制御システムにリ
アルタイム基準で同時に導くことができる。 実施例 １つの実施例では、３１０ｎｍにおける応答度が約１０
０ｍＡ／ワットの、１×１ｍｍ2ＳｉＣフォトダイオー
ドは、信号レベルが、約２ｎＡから約２０ｎＡの間で変
化するものと予測される。信号レベルは、燃焼室に取り
付けられたフォトダイオードによる画角又は視野、火炎
強度、及び、光角又は視界（従来のＳｉＣフォトダイオ
ードセンサ組立体では、通常は約４度）により変化する
であろう。
波器を用いる場合には、コンピュータは、個々の出力信
号を保存するためのメモリを含むことになる。ノイズの
影響が減少する（信号対ノイズ比が良化する）ように、
出力信号の長期間の時間平均をコンピュータが行うこと
は更に有用である。このような時間平均は、例えば、
秒、分、又は時間のオーダーで実行されることになる。
一実施形態において、時間平均は、増幅されたフォトダ
イオード信号のデジタル化に先立って電荷積分すること
で達成される。火炎温度は、燃焼過程を特徴付ける主要
な因子である。火炎温度が分かる場合には、燃焼効率を
最大化し、かつ、燃焼により生成する窒素酸化物や一酸
化炭素のエミッションを最小限にするために燃料対空気
比率を最適化するのに、閉ループ制御を用いることがで
きる。システムは、フレームアウト又は点火を速やかに
感知するよう設計することができる。火炎の存在と平均
温度に関する情報は、コンピュータの制御システムにリ
アルタイム基準で同時に導くことができる。 実施例 １つの実施例では、３１０ｎｍにおける応答度が約１０
０ｍＡ／ワットの、１×１ｍｍ2ＳｉＣフォトダイオー
ドは、信号レベルが、約２ｎＡから約２０ｎＡの間で変
化するものと予測される。信号レベルは、燃焼室に取り
付けられたフォトダイオードによる画角又は視野、火炎
強度、及び、光角又は視界（従来のＳｉＣフォトダイオ
ードセンサ組立体では、通常は約４度）により変化する
であろう。
【００３６】このような実施形態では、２０°Ｆ（１１
℃）の温度変化に対するフォトダイオードの強度レベル
の変化は、フィルタなしのフォトダイオード装置につい
ては約０．４％、フィルタ付きフォトダイオード装置に
ついては約２％となり、信号比の変化は、約１％となる
ことが予想される。フィルタ付きフォトダイオード装置
の信号レベルは、フィルタなしのフォトダイオード装置
により生成する信号全体の約５％となることが予想され
る。従って、生成した信号レベルが２ｎＡから２０ｎＡ
の間である場合には、フォトダイオード装置は、数ピコ
アンペア程度の変化でさえも正確に感知することが可能
なはずである。従来の１×１ｍｍ2ＳｉＣフォトダイオ
ードの暗電流は、数ピコアンペアより３桁小さいので、
作動可能な前置増幅器回路ドに必要な低い電圧におい
て、わずか数フェントアンペア程度である。これらの特
性から、ＳｉＣフォトダイオードにより、非常に低いレ
ベルの光子束を検出し、ゼロオフセット及び低ノイズの
前置増幅器回路を製作することが可能となる。
℃）の温度変化に対するフォトダイオードの強度レベル
の変化は、フィルタなしのフォトダイオード装置につい
ては約０．４％、フィルタ付きフォトダイオード装置に
ついては約２％となり、信号比の変化は、約１％となる
ことが予想される。フィルタ付きフォトダイオード装置
の信号レベルは、フィルタなしのフォトダイオード装置
により生成する信号全体の約５％となることが予想され
る。従って、生成した信号レベルが２ｎＡから２０ｎＡ
の間である場合には、フォトダイオード装置は、数ピコ
アンペア程度の変化でさえも正確に感知することが可能
なはずである。従来の１×１ｍｍ2ＳｉＣフォトダイオ
ードの暗電流は、数ピコアンペアより３桁小さいので、
作動可能な前置増幅器回路ドに必要な低い電圧におい
て、わずか数フェントアンペア程度である。これらの特
性から、ＳｉＣフォトダイオードにより、非常に低いレ
ベルの光子束を検出し、ゼロオフセット及び低ノイズの
前置増幅器回路を製作することが可能となる。
【００３７】ここでは本発明の幾つかの好ましい特徴の
みを図示し説明したが、当業者には多くの修正及び変更
が想起されるであろう。従って、添付した特許請求の範
囲は、本発明の技術思想及び技術的範囲内にあるそうし
た修正及び変更の全てに及ぶべく意図されているものと
理解されたい。
みを図示し説明したが、当業者には多くの修正及び変更
が想起されるであろう。従って、添付した特許請求の範
囲は、本発明の技術思想及び技術的範囲内にあるそうし
た修正及び変更の全てに及ぶべく意図されているものと
理解されたい。
【図１】 本発明の一実施形態例のブロック図。
【図２】 本発明の実施形態に用いるフィルタ特性の実
例のグラフ。
例のグラフ。
【図３】 本発明の実施形態に用いるフォトダイオード
装置の実例の断面側面図。
装置の実例の断面側面図。
【図４】 本発明の実施形態に用いるフォトダイオード
装置の実例の断面側面図。
装置の実例の断面側面図。
【符号の説明】 １０ 第１のフォトダイオード装置 １１ 第２のフォトダイオード装置 １２ フィルタ １３ 炭化ケイ素・フォトダイオード ３０ 増幅器（１つ又は複数） ３２ アナログ−デジタル変換器（１つ又は複数） ３４ コンピュータ ４０ 参照用テーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 5/22 Ｇ０２Ｂ 5/22 5/28 5/28 (72)発明者 ケーニン・チュー アメリカ合衆国、ニューヨーク州、クリフ トン・パーク、スクーナー・コート、1010 番 Ｆターム(参考） 2G065 AA04 AB05 AB18 BA02 BA33 BB27 BC03 BC16 BC28 BC33 BC35 CA12 DA06 2G066 AA04 AA15 AC14 BA12 BA23 BB07 2H048 CA05 CA13 GA04 GA18 GA33 3K005 QA01 QC03 RA01
Claims (19)
- 【請求項１】 燃焼火炎温度測定のためのソリッドステ
ート光学分光計であって、 炭化ケイ素・フォトダイオードを備え、ＯＨバンド内に
光学応答範囲を有する、第１のフォトダイオード信号を
得るための第１のフォトダイオード装置と、 炭化ケイ素・フォトダイオードとフィルタとを備え、前
記第１のフォトダイオード装置と異なり、かつ、前記Ｏ
Ｈバンドの一部分に重複する光学応答範囲を有する、第
２のフォトダイオード信号を得るための第２のフォトダ
イオード装置と、 前記第１及び第２のフォトダイオード信号を用いて比率
を求め、該比率を用いて燃焼火炎温度を測定するための
コンピュータと、を備える分光計。 - 【請求項２】 前記フィルタが、一体のフィルタからな
ることを特徴とする請求項１に記載の分光計。 - 【請求項３】 前記フィルタが、窒化ガリウムアルミニ
ウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の分光計。 - 【請求項４】 前記フィルタが、酸化ケイ素及び窒化ケ
イ素を含むことを特徴とする請求項１に記載の分光計。 - 【請求項５】 前記フィルタが、酸窒化ケイ素を含むこ
とを特徴とする請求項４に記載の分光計。 - 【請求項６】 前記フィルタが、酸化ケイ素と窒化ケイ
素の交互薄膜層からなることを特徴とする請求項４に記
載の分光計。 - 【請求項７】 前記コンピュータが、前記比率を用いて
燃焼火炎温度を測定するための参照用テーブルを含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の分光計。 - 【請求項８】 前記参照用テーブルが、複数の異なる温
度について、 それぞれの波長（ｊ）に対応するスペクトル線強度（Ｓ
j）の第１の組の各々に、それぞれの黒体放射法則に沿
う量子力学的フォーム（Ｒj）を乗じ、それぞれのフォ
トダイオードの応答度（Ｘj）を乗じ、次いで、乗算し
た線強度を合算してそれぞれの第１の和を算出し、 それぞれの波長（ｉ）に対応するスペクトル線強度（Ｓ
i）の第２の組の各々に、それぞれの黒体放射法則に沿
う量子力学的フォーム（Ｒi）を乗じ、それぞれのフォ
トダイオードの応答度（Ｘi）を乗じ、次いで、乗算し
た線強度を合算してそれぞれの第２の和を算出し、 前記第１及び第２の和のうちの一方を、前記第１及び第
２の和のもう一方で割る計算、を行うことにより作成さ
れる参照用テーブルであることを特徴とする請求項７に
記載の分光計。 - 【請求項９】 前記参照用テーブルが、複数の異なる温
度について、 それぞれの波長（ｊ）に対応するスペクトル線強度（Ｓ
j）の第１の組の各々に、それぞれの黒体放射法則に沿
う量子力学的フォーム（Ｒj）を乗じ、それぞれのフォ
トダイオードの応答度（Ｘj）を乗じ、次いで、乗算し
た線強度を合算してそれぞれの第１の和を算出し、 それぞれの波長（ｉ）に対応するスペクトル線強度（Ｓ
i）の第２の組の各々に、それぞれの黒体放射法則に沿
う量子力学的フォーム（Ｒi）を乗じ、それぞれのフォ
トダイオードの応答度（Ｘi）を乗じ、更に、それぞれ
のフィルタの光学的透明度（Ｙi）を乗じ、次いで、乗
算した線強度を合算してそれぞれの第２の和を算出し、 前記第１及び第２の和のうちの一方を、前記第１及び第
２の和のもう一方で割る計算、を行うことにより作成さ
れる参照用テーブルであることを特徴とする請求項７に
記載の分光計。 - 【請求項１０】 燃焼火炎温度測定のためのソリッドス
テート光学分光計であって、 炭化ケイ素・フォトダイオードを備え、ＯＨバンド内に
光学的応答範囲を有する、第１のフォトダイオード信号
を得るための第１のフォトダイオード装置と、 炭化ケイ素・フォトダイオードと窒化ガリウムアルミニ
ウム・フィルタとを備え、前記第１のフォトダイオード
装置と異なり、かつ、前記ＯＨバンドの一部分に重複す
る光学応答範囲を有する、第２のフォトダイオード信号
を得るための第２のフォトダイオード装置と、 前記第１及び第２のフォトダイオード信号を用いて比率
を求め、該比率を用いて燃焼火炎温度を測定するための
コンピュータと、を備える分光計。 - 【請求項１１】 前記フィルタが、一体のフィルタから
なることを特徴とする請求項１０に記載の分光計。 - 【請求項１２】 燃焼火炎温度測定のための方法であっ
て、 炭化ケイ素・フォトダイオードを備え、ＯＨバンド内に
光学的応答範囲を有する第１のフォトダイオード装置を
用いて、第１のフォトダイオード信号を取得し、 炭化ケイ素・フォトダイオードとフィルタとを備え、前
記第１のフォトダイオード装置と異なり、かつ、前記Ｏ
Ｈバンドの一部分に重複する光学応答範囲を有する第２
のフォトダイオード装置を用いて、第２のフォトダイオ
ード信号を取得し、 前記第１及び第２のフォトダイオード信号を用いて比率
を求め、該比率を用いて燃焼火炎温度を測定すること、
を含む方法。 - 【請求項１３】 前記比率を用いる燃焼火炎温度の測定
が、参照用テーブルの利用を含むことを特徴とする請求
項１２に記載の方法。 - 【請求項１４】 炭化ケイ素・フォトダイオードと、窒
化ガリウムアルミニウム・フィルタとを備えることを特
徴とする、フォトダイオード装置。 - 【請求項１５】 前記窒化ガリウムアルミニウム・フィ
ルタが、一体の窒化ガリウムアルミニウム・フィルタか
らなることを特徴とする請求項１４に記載のフォトダイ
オード装置。 - 【請求項１６】 炭化ケイ素・フォトダイオードの上に
一体のフィルタを形成することを含む、燃焼火炎温度測
定のためのフォトダイオード装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記一体のフィルタの形成が、窒化ガ
リウムアルミニウム・フィルタを成長させることを含む
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記一体のフィルタの形成が、酸窒化
ケイ素・フィルタの形成を含むことを特徴とする請求項
１６に記載の方法。 - 【請求項１９】 前記一体のフィルタの形成が、酸化ケ
イ素及び窒化ケイ素の薄膜層を交互に重ねることを含む
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/793,432 US6646265B2 (en) | 1999-02-08 | 2001-02-27 | Optical spectrometer and method for combustion flame temperature determination |
| US09/793432 | 2001-02-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002350235A true JP2002350235A (ja) | 2002-12-04 |
Family
ID=25159904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002049092A Pending JP2002350235A (ja) | 2001-02-27 | 2002-02-26 | 光学分光計及び燃焼火炎温度測定方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6646265B2 (ja) |
| EP (1) | EP1235061A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002350235A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005045379A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Yamatake Corporation | 火炎検知方法および火炎検知装置 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686616B1 (en) * | 2000-05-10 | 2004-02-03 | Cree, Inc. | Silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors |
| US20070225614A1 (en) * | 2004-05-26 | 2007-09-27 | Endothelix, Inc. | Method and apparatus for determining vascular health conditions |
| US6838741B2 (en) * | 2002-12-10 | 2005-01-04 | General Electtric Company | Avalanche photodiode for use in harsh environments |
| US20040200975A1 (en) * | 2003-04-14 | 2004-10-14 | Brown Dale Marius | Ultraviolet sensors for monitoring energy in the germicidal wavelengths |
| US20070012965A1 (en) * | 2005-07-15 | 2007-01-18 | General Electric Company | Photodetection system and module |
| US20070225606A1 (en) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Endothelix, Inc. | Method and apparatus for comprehensive assessment of vascular health |
| WO2007118458A1 (de) * | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Luedeker Wilhelm | Spektrales analyseverfahren zur bestimmung der chlorophyllkonzentration |
| US20080027330A1 (en) * | 2006-05-15 | 2008-01-31 | Endothelix, Inc. | Risk assessment method for acute cardiovascular events |
| WO2008115202A2 (en) * | 2006-09-18 | 2008-09-25 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self powered sensors with radioisotope source |
| US20080081963A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Endothelix, Inc. | Methods and Apparatus for Profiling Cardiovascular Vulnerability to Mental Stress |
| US7675618B2 (en) * | 2007-04-16 | 2010-03-09 | Ase Optics, Inc. | Multiplexing spectrometer |
| US8371102B1 (en) * | 2008-02-26 | 2013-02-12 | Spectral Sciences, Inc. | Combustor control based on fuel modulation and passive optical sensors |
| WO2010037787A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-08 | Heraeus Quartz Uk Limited | High temperature-resistant narrow band optical filter |
| US8752362B2 (en) * | 2009-01-15 | 2014-06-17 | General Electric Company | Optical flame holding and flashback detection |
| US8456634B2 (en) * | 2009-06-15 | 2013-06-04 | General Electric Company | Optical interrogation sensors for combustion control |
| US20110008737A1 (en) * | 2009-06-15 | 2011-01-13 | General Electric Company | Optical sensors for combustion control |
| US20110232296A1 (en) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | General Electric Company | Optical fuel nozzle flashback detector |
| CN105679779B (zh) * | 2016-03-22 | 2019-06-21 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种红斑响应探测器 |
| CN105845696A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-08-10 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 用于监测燃气火焰温度的紫外探测器芯片及其制备方法 |
| JP7139203B2 (ja) * | 2018-09-11 | 2022-09-20 | ローム株式会社 | 紫外線検出器 |
| US20220204185A1 (en) * | 2020-12-28 | 2022-06-30 | Goodrich Corporation | Offset compensated photodiode amplifier |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4358952A (en) * | 1980-03-26 | 1982-11-16 | Robert Bosch Gmbh | Optical engine knock sensor |
| JPS5882039A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-17 | Hitachi Ltd | 内燃機関用空気燃料比制御装置 |
| JPS5927581A (ja) | 1982-08-03 | 1984-02-14 | Seisan Gijutsu Shinko Kyokai | 光センサ |
| JPS6036825A (ja) | 1983-08-10 | 1985-02-26 | Hitachi Ltd | 燃焼火炎の制御方法および装置 |
| GB8705905D0 (en) * | 1987-03-12 | 1987-04-15 | Lucas Ind Plc | Combustion monitoring |
| DE3839537A1 (de) | 1988-11-23 | 1990-05-31 | Deutsch Franz Forsch Inst | Verfahren zur leistungsmessung einer strahlung und anordnung zur durchfuehrung dieses verfahrens |
| CH684971A5 (de) * | 1989-03-16 | 1995-02-15 | Landis & Gyr Tech Innovat | Ultraviolettlicht-Sensor. |
| DE3930610A1 (de) | 1989-09-13 | 1991-03-21 | Esab Hancock Gmbh | Einrichtung zur optisch-elektronischen steuerung einer brennschneidmaschine |
| US5186146A (en) * | 1990-12-20 | 1993-02-16 | Hitachi, Ltd. | Combustion evaluation apparatus and combustion controller |
| US5125739A (en) | 1991-01-14 | 1992-06-30 | United Technologies Corporation | Triple spectral area pyrometer |
| US5093576A (en) * | 1991-03-15 | 1992-03-03 | Cree Research | High sensitivity ultraviolet radiation detector |
| US5182670A (en) * | 1991-08-30 | 1993-01-26 | Apa Optics, Inc. | Narrow band algan filter |
| US5257496A (en) | 1992-05-05 | 1993-11-02 | General Electric Company | Combustion control for producing low NOx emissions through use of flame spectroscopy |
| US5480298A (en) | 1992-05-05 | 1996-01-02 | General Electric Company | Combustion control for producing low NOx emissions through use of flame spectroscopy |
| US5394005A (en) * | 1992-05-05 | 1995-02-28 | General Electric Company | Silicon carbide photodiode with improved short wavelength response and very low leakage current |
| US5249954A (en) * | 1992-07-07 | 1993-10-05 | Electric Power Research Institute, Inc. | Integrated imaging sensor/neural network controller for combustion systems |
| JPH0732538A (ja) | 1993-07-19 | 1995-02-03 | Nkk Corp | 溶接可能な着色アルミニウム板または着色アルミニウム合金板 |
| US5467185A (en) | 1994-07-15 | 1995-11-14 | General Electric Company | Emissions control for internal combustion engine |
| US5544478A (en) | 1994-11-15 | 1996-08-13 | General Electric Company | Optical sensing of combustion dynamics |
| US5815900A (en) * | 1995-03-06 | 1998-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave module |
| US5589682A (en) | 1995-06-07 | 1996-12-31 | General Electric Company | Photocurrent detector circuit with high sensitivity, fast response time, and large dynamic range |
| US5659133A (en) * | 1996-04-22 | 1997-08-19 | Astropower, Inc. | High-temperature optical combustion chamber sensor |
| US5834331A (en) | 1996-10-17 | 1998-11-10 | Northwestern University | Method for making III-Nitride laser and detection device |
| US6104074A (en) * | 1997-12-11 | 2000-08-15 | Apa Optics, Inc. | Schottky barrier detectors for visible-blind ultraviolet detection |
| US6239434B1 (en) * | 1999-02-08 | 2001-05-29 | General Electric Company | Solid state optical spectrometer for combustion flame temperature measurement |
-
2001
- 2001-02-27 US US09/793,432 patent/US6646265B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-26 JP JP2002049092A patent/JP2002350235A/ja active Pending
- 2002-02-27 EP EP02251349A patent/EP1235061A3/en not_active Ceased
-
2003
- 2003-09-04 US US10/656,475 patent/US6818897B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005045379A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Yamatake Corporation | 火炎検知方法および火炎検知装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1235061A3 (en) | 2004-06-16 |
| US20040041079A1 (en) | 2004-03-04 |
| US6818897B2 (en) | 2004-11-16 |
| EP1235061A2 (en) | 2002-08-28 |
| US20010009268A1 (en) | 2001-07-26 |
| US6646265B2 (en) | 2003-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002350235A (ja) | 光学分光計及び燃焼火炎温度測定方法 | |
| US6784430B2 (en) | Interdigitated flame sensor, system and method | |
| Bai et al. | High detection sensitivity of ultraviolet 4H-SiC avalanche photodiodes | |
| US6239434B1 (en) | Solid state optical spectrometer for combustion flame temperature measurement | |
| Riesz | High speed semiconductor photodiodes | |
| Brown et al. | Visible-blind UV digital camera based on a 32× 32 array of GaN/AlGaN pin photodiodes | |
| US6350988B1 (en) | Optical spectrometer and method for combustion flame temperature determination | |
| US20080203425A1 (en) | Phototransistors, Methods of Making Phototransistors, and Methods of Detecting Light | |
| Huang et al. | Photovoltaic MWIR type-II superlattice focal plane array on GaAs substrate | |
| US7112796B2 (en) | System and method for optical monitoring of a combustion flame | |
| JP2017015568A (ja) | ガスセンサ | |
| Mazzeo et al. | AlGaN-based linear array for UV solar-blind imaging from 240 to 280 nm | |
| Huang et al. | GaN-based pin ultraviolet photodetectors with a thin p-type GaN layer on patterned sapphire substrates | |
| Nwabunwanne et al. | Boosting the external quantum efficiency of AlGaN-based metal–semiconductor–metal ultraviolet photodiodes by electrode geometry variation | |
| Dehe et al. | InGaAs/InP thermoelectric infrared sensor utilizing surface bulk micromachining technology | |
| Lamarre et al. | AlGaN UV focal plane arrays | |
| US5663564A (en) | Photovoltaic detector with integrated dark current offset correction | |
| Hirota et al. | Infrared sensor with precisely patterned Au black absorption layer | |
| Bahir et al. | Planar p-on-n HgCdTe heterostructure infrared photodiodes | |
| JPS61277024A (ja) | 光スペクトル検知器 | |
| JP2003142721A (ja) | 受光素子 | |
| CN105845696A (zh) | 用于监测燃气火焰温度的紫外探测器芯片及其制备方法 | |
| US20230014361A1 (en) | Cmos compatible near-infrared sensor system | |
| Hoffman et al. | Negative and positive luminescence in midwavelength infrared InAs-GaSb superlattice photodiodes | |
| JPH06221933A (ja) | 光学式温度測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061121 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070222 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070424 |