JP2002348670A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱手段によって昇温される部材を冷却するための冷却機構において、
前記部材内を通るように設けた冷媒用の冷却流路と、
前記冷却流路の入口側と出口側に接続された冷媒流路と、
前記部材を迂回するように前記冷媒流路に接続されたバイパス通路と、
前記冷媒の流れを制御する冷媒流制御手段とを備え、
前記部材は、前記加熱手段によって、前記冷却流路内の冷媒が蒸気化する温度まで昇温され、
前記冷媒流制御手段は、前記部材の昇温時には前記冷却流路への冷却媒体の供給を停止して、前記部材の降温時には前記冷却流路と前記バイパス通路とへ冷却媒体を流すよう、冷媒の流れを制御する、ことを特徴とする冷却機構。
【請求項２】
前記冷媒流路には、圧力リリーフ弁が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の冷却機構。
【請求項３】
前記冷媒流制御手段は、前記冷媒流路に介設された入口開閉弁及び出口開閉弁と、前記バイパス通路に介設されたバイパス開閉弁と、前記入口開閉弁、前記出口開閉弁及び前記バイパス開閉弁をそれぞれ制御する弁制御部とよりなることを特徴とする請求項１または２記載の冷却機構。
【請求項４】
前記バイパス通路は、前記部材より離れて熱的に分離されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の冷却機構。
【請求項５】
シャワーヘッド部から処理ガスを処理容器内に導入して被処理体に対して処理を施す処理装置において、
前記シャワーヘッド部に請求項１乃至４のいずれかに記載の冷却機構を設けたことを特徴とする処理装置。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に規定する発明は、加熱手段によって昇温される部材を冷却するための冷却機構において、前記部材内を通るように設けた冷媒用の冷却流路と、前記冷却流路の入口側と出口側に接続された冷媒流路と、前記部材を迂回するように前記冷媒流路に接続されたバイパス通路と、前記冷媒の流れを制御する冷媒流制御手段とを備え、前記部材は、前記加熱手段によって、前記冷却流路内の冷媒が蒸気化する温度まで昇温され、前記冷媒流制御手段は、前記部材の昇温時には前記冷却流路への冷却媒体の供給を停止して、前記部材の降温時には前記冷却流路と前記バイパス通路とへ冷却媒体を流すよう、冷媒の流れを制御する、ことを特徴とする冷却機構である。
これにより、装置の冷却時に冷媒を冷媒用の流路とバイパス通路に流すことにより、装置の流路内の冷媒が急激に蒸気化して圧力が上昇しても、この圧力はバイパス通路側に伝達してここで蒸気は冷却凝縮されて圧力が緩和されることになるので、配管系や送水ポンプ等に圧力的損傷を与えることなく装置を迅速に冷却することが可能となる。
本発明の関連技術は、シャワーヘッド部から所定の処理ガスを処理容器内に導入して被処理体に対して所定の処理を施す処理装置において、前記シャワーヘッド部に設けられた冷却媒体を流すための冷却流路と、前記冷却流路に接続された冷媒流路と、前記冷媒流路に設けられた圧力リリーフ弁と、前記冷却流路を迂回するように前記冷媒流路に接続されたバイパス通路と、前記シャワーヘッド部を加熱するヘッド加熱手段と、前記シャワーヘッド部の昇温時には前記冷却流路への冷却媒体の供給を停止し、降温時には前記冷却流路と前記バイパス通路へ共に冷却媒体を流すようにする冷媒流制御手段とを備えたことを特徴とする処理装置である。
これにより、シャワーヘッド部の冷却時に冷媒を冷却流路とバイパス通路に流すことにより、シャワーヘッド部の冷却流路内の冷媒が急激に蒸気化して圧力が上昇しても、この圧力はバイパス通路側に伝達してここで蒸気は冷却凝縮されて圧力が緩和されることになるので、配管系や送水ポンプ等に圧力的損傷を与えることなくシャワーヘッド部を迅速に冷却することが可能となる。従って、直ちに所定の処理を開始することができるので、製品のスループットを向上させることが可能となる。
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記冷媒流路には、圧力リリーフ弁が設けられている。
また、例えば請求項３に規定するように、前記冷媒流制御手段は、前記冷媒流路に介設されたヘッド入口開閉弁及びヘッド出口開閉弁と、前記バイパス通路に開設されたバイパス開閉弁と、前記ヘッド入口開閉弁、前記ヘッド出口開閉弁及び前記バイパス開閉弁をそれぞれ制御する弁制御部とよりなる。
また、例えば請求項４に規定するように、前記バイパス通路は、前記部材より離れて熱的に分離されている。
請求項５に規定する発明は、シャワーヘッド部から処理ガスを処理容器内に導入して被処理体に対して処理を施す処理装置において、前記シャワーヘッド部に請求項１乃至４のいずれかに記載の冷却機構を設けたことを特徴とする処理装置である。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の冷却機構及び処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
本発明によれば、装置の冷却時に冷媒を冷媒用の流路とバイパス通路に流すことにより、装置の流路内の冷媒が急激に蒸気化して圧力が上昇しても、この圧力はバイパス通路側に伝達してここで蒸気は冷却凝縮されて圧力が緩和されることになるので、配管系や送水ポンプ等に圧力的損傷を与えることなく装置を迅速に冷却することができる。
特に請求項５に規定する発明によれば、シャワーヘッド部の冷却時に冷媒を冷却流路とバイパス通路に流すことにより、シャワーヘッド部の冷却流路内の冷媒が急激に蒸気化して圧力が上昇しても、この圧力はバイパス通路側に伝達してここで蒸気は冷却凝縮されて圧力が緩和されることになるので、配管系や送水ポンプ等に圧力的損傷を与えることなくシャワーヘッド部を迅速に冷却することが可能となる。従って、直ちに所定の処理を開始することができるので、製品のスループットを向上させることができる。

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US10/477,632 US7604042B2 (en) 2001-05-18 2002-05-17 Cooling mechanism with coolant, and treatment device with cooling mechanism
PCT/JP2002/004808 WO2002095086A1 (fr) 2001-05-18 2002-05-17 Systeme de refroidissement par fluide de refroidissement et dispositif de traitement equipe de ce systeme de refroidissement
KR1020037012125A KR100807415B1 (ko) 2001-05-18 2002-05-17 냉각액에 의한 냉각 기구 및 냉각 기구를 구비한 처리 장치

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Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6808741B1 (en) 2001-10-26 2004-10-26 Seagate Technology Llc In-line, pass-by method for vapor lubrication
KR100822076B1 (ko) * 2003-03-07 2008-04-14 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치 및 온도 조절 장치
US20050132960A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Seagate Technology Llc Small volume environmental chamber and multi-chamber processing apparatus comprising same
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
EP1774562B1 (en) * 2004-06-08 2012-02-22 Dichroic cell s.r.l. System for low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition
US7381291B2 (en) * 2004-07-29 2008-06-03 Asm Japan K.K. Dual-chamber plasma processing apparatus
CN102154628B (zh) * 2004-08-02 2014-05-07 维高仪器股份有限公司 用于化学气相沉积反应器的多气体分配喷射器
US7628863B2 (en) * 2004-08-03 2009-12-08 Applied Materials, Inc. Heated gas box for PECVD applications
US7972441B2 (en) 2005-04-05 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Thermal oxidation of silicon using ozone
KR100599056B1 (ko) * 2005-07-21 2006-07-12 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거 장치 및 방법
DE102005049598B4 (de) * 2005-10-17 2017-10-19 Att Advanced Temperature Test Systems Gmbh Hybrid Chuck
US7662723B2 (en) * 2005-12-13 2010-02-16 Lam Research Corporation Methods and apparatus for in-situ substrate processing
KR100755753B1 (ko) * 2006-03-30 2007-09-05 주식회사 아이피에스 샤워헤드 히팅유니트 및 그를 채용한 박막증착장치
JP5168907B2 (ja) * 2007-01-15 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
US7871926B2 (en) * 2007-10-22 2011-01-18 Applied Materials, Inc. Methods and systems for forming at least one dielectric layer
JP5223377B2 (ja) * 2008-02-29 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の電極、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20110070370A1 (en) * 2008-05-28 2011-03-24 Aixtron Ag Thermal gradient enhanced chemical vapour deposition (tge-cvd)
WO2009144456A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 Aixtron Ag Thermal gradient enhanced chemical vapour deposition (tge-cvd)
KR100986475B1 (ko) * 2008-11-04 2010-10-08 기아자동차주식회사 키 인터록 장치
KR101046910B1 (ko) * 2008-11-10 2011-07-06 주식회사 아토 진공처리장치
KR101121202B1 (ko) * 2008-11-14 2012-03-23 세메스 주식회사 다채널을 이용한 공정가스 공급이 가능한 화학기상증착 장치
US20110030615A1 (en) * 2009-08-04 2011-02-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dry cleaning a cooled showerhead
TW201122149A (en) * 2009-12-31 2011-07-01 Univ Nat Chiao Tung Reactor, chemical vapor deposition reactor, and metal organic chemical vapor deposition reactor
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US8741778B2 (en) 2010-12-14 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Uniform dry etch in two stages
KR101046777B1 (ko) 2010-12-23 2011-07-06 한국기계연구원 후판의 가속냉각제어방법
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
KR101327458B1 (ko) * 2012-01-10 2013-11-08 주식회사 유진테크 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
JP6093267B2 (ja) * 2013-08-09 2017-03-08 株式会社Kelk 循環冷却加熱装置
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US10043686B2 (en) * 2013-12-31 2018-08-07 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
KR102477302B1 (ko) * 2015-10-05 2022-12-13 주성엔지니어링(주) 배기가스 분해기를 가지는 기판처리장치 및 그 배기가스 처리방법
US10867812B2 (en) 2017-08-30 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor manufacturing system and control method
JP7473401B2 (ja) * 2020-06-03 2024-04-23 株式会社ディスコ 加工水供給システム
CN112629155B (zh) * 2020-12-21 2022-05-24 江苏中伟机械制造有限公司 一种安全型降温减压装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3756903A (en) * 1971-06-15 1973-09-04 Wakefield Eng Inc Closed loop system for maintaining constant temperature
US5057968A (en) * 1989-10-16 1991-10-15 Lockheed Corporation Cooling system for electronic modules
US5226471A (en) * 1991-09-23 1993-07-13 General Electric Company Leak isolating apparatus for liquid cooled electronic units in a coolant circulation system
US5435379A (en) * 1992-08-14 1995-07-25 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for low-temperature semiconductor processing
US5581874A (en) * 1994-03-28 1996-12-10 Tokyo Electron Limited Method of forming a bonding portion
US5653806A (en) * 1995-03-10 1997-08-05 Advanced Technology Materials, Inc. Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same
JPH09157846A (ja) * 1995-12-01 1997-06-17 Teisan Kk 温度調節装置
JPH09172001A (ja) * 1995-12-15 1997-06-30 Sony Corp 半導体製造装置の温度制御方法および装置
US6063710A (en) * 1996-02-26 2000-05-16 Sony Corporation Method and apparatus for dry etching with temperature control
US5835334A (en) * 1996-09-30 1998-11-10 Lam Research Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition
JP3675065B2 (ja) * 1996-10-14 2005-07-27 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
JP4038599B2 (ja) * 1997-05-15 2008-01-30 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
TW413862B (en) * 1999-08-30 2000-12-01 Mosel Vitelic Inc Piping system of etching apparatus
US6432259B1 (en) * 1999-12-14 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Plasma reactor cooled ceiling with an array of thermally isolated plasma heated mini-gas distribution plates

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