JP2002344149A - Wiring structure board - Google Patents

Wiring structure board

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JP2002344149A
JP2002344149A JP2001145220A JP2001145220A JP2002344149A JP 2002344149 A JP2002344149 A JP 2002344149A JP 2001145220 A JP2001145220 A JP 2001145220A JP 2001145220 A JP2001145220 A JP 2001145220A JP 2002344149 A JP2002344149 A JP 2002344149A
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signal
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring structure board intended to reduce spurious radiations. SOLUTION: The board comprises a first insulation layer 16 having a first main surface 12, a second insulation layer 18 having a second main surface 14, a first signal wiring pattern 20 formed on other regions than electronic circuit component mounting regions of the first main surface, a first conductor layer 22 formed on the backside of the first insulation layer, a second signal wiring pattern 24 formed on the second main surface, a second conductor layer 26 formed on the surface of the second insulation layer, signal vias 30 piercing a board 10 to electrically connect the first signal wiring pattern with the second signal wiring pattern, a third conductor layer 32 provided on other regions than the electronic circuit component mounting regions and the first signal wiring pattern forming region of the first main surface, a fourth conductor layer 34 provided on other regions than the second signal wiring pattern of the second main surface, first return path ensuring vias 36 for electrically connecting the second conductor layer with the third conductor layer, and second return path ensuring vias 40 for electrically connecting the first conductor layer with the fourth conductor layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、EMI(Electro m
agnetic interference:電磁障害)を低減することがで
きる配線構造基板に関し、特に、電子回路部品を搭載し
たプリント基板からの不要輻射の低減が図れる配線構造
基板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an EMI (Electro
The present invention relates to a wiring structure board capable of reducing electromagnetic interference (electromagnetic interference), and more particularly to a wiring structure board capable of reducing unnecessary radiation from a printed circuit board on which electronic circuit components are mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、一般的な、デジタル回路を搭載し
たプリント配線板の基本的な構成例を図7に示す。図7
(A)は、デジタル回路を構成する電子部品の配線の一
部とこの配線が形成されている基板とを部分的に示した
斜視図である。また、図7(B)は、図7(A)の構造
の電流が流れる方向に沿って切った断面図である。図7
によれば、上面側から順に、第1絶縁層102、グラン
ド層104、層間絶縁層106、電源層108および第
2絶縁層110の積層構造からなる多層基板(多層板と
もいう。)と、第1絶縁層102上に形成された第1信
号配線パターン112と、第2絶縁層110の裏面側に
形成された第2信号配線パターン114と、多層基板を
貫通する孔であって、孔の内壁は導電性材料で埋め込ま
れているかあるいはメッキ等により覆われた、信号ビア
116とを具えている。そして、この信号ビア116に
よって、第1信号配線パターン112と第2信号配線パ
ターン114とは電気的に接続されている。第1信号配
線パターン112および第2信号配線パターン114
は、マイクロストリップライン構造であり、例えば電子
部品間を接続する配線として使用されている。
2. Description of the Related Art FIG. 7 shows a basic configuration example of a conventional printed circuit board on which a digital circuit is mounted. FIG.
FIG. 2A is a perspective view partially showing a part of wiring of an electronic component constituting a digital circuit and a substrate on which the wiring is formed. FIG. 7B is a cross-sectional view of the structure in FIG. 7A taken along a direction in which a current flows. FIG.
According to this, a multi-layer substrate (also referred to as a multi-layer board) having a laminated structure of a first insulating layer 102, a ground layer 104, an interlayer insulating layer 106, a power supply layer 108, and a second insulating layer 110 in order from the top surface; A first signal wiring pattern 112 formed on the first insulating layer 102, a second signal wiring pattern 114 formed on the back surface side of the second insulating layer 110, and a hole penetrating the multilayer substrate; Has a signal via 116 embedded in a conductive material or covered by plating or the like. The first signal wiring pattern 112 and the second signal wiring pattern 114 are electrically connected by the signal via 116. First signal wiring pattern 112 and second signal wiring pattern 114
Has a microstrip line structure and is used, for example, as a wiring connecting electronic components.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような構造の配線構造基板においては、不要な電磁波
を輻射してしまう。図7の構成例を用いて説明すると、
この構造体において、第1および第2信号配線パターン
112および114は、いずれも配線構造基板(単に基
板とも称する。)の表面に形成されていて、第1および
第2信号配線パターン112および114の周囲は開放
されている。よって、電磁界は、第1および第2信号配
線パターン112および114の基板側とは反対の側や
パターン112および114の両側に漏れてしまう。
However, the wiring structure board having the above-described structure emits unnecessary electromagnetic waves. Explanation using the configuration example of FIG.
In this structure, the first and second signal wiring patterns 112 and 114 are both formed on the surface of a wiring structure substrate (also simply referred to as a substrate), and are formed on the first and second signal wiring patterns 112 and 114. The surrounding area is open. Therefore, the electromagnetic field leaks to the opposite sides of the first and second signal wiring patterns 112 and 114 from the substrate side and to both sides of the patterns 112 and 114.

【0004】また、図7(B)を参照して明らかなよう
に、信号パターン電流は、第1信号配線パターン112
および第2信号配線パターン114間を信号ビア116
を介して流れる。ここで、この信号パターン電流のリタ
ーン電流(帰路)の経路について考えてみると、第1信
号配線パターン112に高周波電流が流れるときには、
リターン電流は第1信号配線パターン112の直下にあ
るグランド層104を流れる。また、第2信号配線パタ
ーン114に高周波電流が流れるときには、リターン電
流は直上の電源層108を流れる。しかしながら、第1
信号配線パターン112から信号ビア116を経由し
て、第2信号配線パターン114に電流が流れるときに
は、グランド層104から電源層108へのリターン電
流の経路が確保されていない。この結果、行き場の無く
なったリターン電流が、グランド層104あるいは電源
層108に広く分布してしまう。
As is apparent from FIG. 7B, the signal pattern current is changed to the first signal wiring pattern 112.
Between the second signal wiring pattern 114 and the signal via 116.
Flows through. Here, considering the path of the return current (return path) of the signal pattern current, when a high-frequency current flows through the first signal wiring pattern 112,
The return current flows through the ground layer 104 immediately below the first signal wiring pattern 112. When a high-frequency current flows through the second signal wiring pattern 114, the return current flows through the power supply layer 108 immediately above. However, the first
When a current flows from the signal wiring pattern 112 to the second signal wiring pattern 114 via the signal via 116, a return current path from the ground layer 104 to the power supply layer 108 is not secured. As a result, the return current having nowhere to go is widely distributed in the ground layer 104 or the power supply layer 108.

【0005】よって、上記電磁界の漏れおよび広く分布
してしまったリターン電流が輻射源となり、EMIの原
因となるおそれがある。このため、従来は、ノイズ対策
部品を使用したり、外部にシールドを設けるといった対
策が必要であった。
Therefore, the leakage of the electromagnetic field and the return current that has been widely distributed may become a radiation source and cause EMI. For this reason, conventionally, it has been necessary to take measures such as using a noise suppression component or providing an external shield.

【0006】したがって、不要輻射の低減を図れる配線
構造基板の出現が望まれていた。
Therefore, the appearance of a wiring structure substrate capable of reducing unnecessary radiation has been desired.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】このため、この発明の配
線構造基板を、以下に述べるような構成にする。以下に
述べる構成において、基板(配線構造基板)の第1主表
面および第2主表面とは、基板の表面または裏面のいず
れかの面のことを指している。例えば、基板の表面を第
1主表面とした場合には、基板の裏面を第2主表面と称
する。多層基板においては、例えば、最上面を第1主表
面とした場合に、最下面を第2主表面とする。
For this purpose, the wiring structure board of the present invention is configured as described below. In the configuration described below, the first main surface and the second main surface of the substrate (wiring structure substrate) refer to either the front surface or the rear surface of the substrate. For example, when the surface of the substrate is the first main surface, the back surface of the substrate is referred to as the second main surface. In a multilayer substrate, for example, when the uppermost surface is the first main surface, the lowermost surface is the second main surface.

【0008】したがって、この発明の配線構造基板は、
第1主表面に電子回路部品を搭載する多層の基板であ
る。この基板は、第1主表面を有する第1絶縁層と、第
2主表面を有する第2絶縁層と、第1信号配線パターン
と、第1導体層と、第2信号配線パターンと、第2導体
層と、信号ビアと、第3導体層と、第4導体層と、第1
ビアと、第2ビアとを具えている。第1信号配線パター
ンは、基板の第1主表面の、電子回路部品の搭載領域以
外の領域に形成されている。第1導体層は、この第1信
号配線パターンとは第1絶縁層を挟んで反対側に形成さ
れている。第2信号配線パターンは、第2主表面に形成
されている。第2導体層は、この第2信号配線パターン
とは第2絶縁層を挟んで反対側に形成されている。信号
ビアは、基板を貫通して設けられていて、かつ第1信号
配線パターンと第2信号配線パターンとを電気的に接続
している。第3導体層は、基板の第1主表面の、電子回
路部品の搭載領域以外であって、しかも第1信号配線パ
ターンの形成領域以外の領域に、電子回路部品および第
1信号配線パターンとは電気的に接続しないように、す
なわち電気的に非接続の状態に、設けられている。第4
導体層は、基板の第2主表面の、第2信号配線パターン
以外の領域に、この第2信号配線パターンとは電気的に
非接続の状態で設けられている。第1ビアは、リターン
パス確保用として、第1絶縁層を貫通して設けられてい
て、かつ第2導体層と第3導体層とを電気的に接続して
いる。第2ビアは、リターンパス確保用として、第2絶
縁層を貫通して設けられていて、かつ第1導体層と第4
導体層とを電気的に接続している。
Therefore, the wiring structure board according to the present invention comprises:
This is a multilayer substrate on which electronic circuit components are mounted on the first main surface. The substrate includes a first insulating layer having a first main surface, a second insulating layer having a second main surface, a first signal wiring pattern, a first conductor layer, a second signal wiring pattern, and a second insulating layer. A conductor layer, a signal via, a third conductor layer, a fourth conductor layer,
A via and a second via are provided. The first signal wiring pattern is formed in a region other than the electronic circuit component mounting region on the first main surface of the substrate. The first conductor layer is formed on the opposite side of the first signal wiring pattern with the first insulating layer interposed therebetween. The second signal wiring pattern is formed on the second main surface. The second conductor layer is formed on the opposite side of the second signal wiring pattern with the second insulating layer interposed therebetween. The signal via is provided to penetrate the substrate and electrically connects the first signal wiring pattern and the second signal wiring pattern. The third conductor layer is provided on the first main surface of the substrate in a region other than the mounting region of the electronic circuit component and in a region other than the formation region of the first signal wiring pattern. It is provided so as not to be electrically connected, that is, in an electrically disconnected state. 4th
The conductor layer is provided in a region other than the second signal wiring pattern on the second main surface of the substrate in a state of being electrically disconnected from the second signal wiring pattern. The first via is provided through the first insulating layer for securing a return path, and electrically connects the second conductor layer and the third conductor layer. The second via is provided to penetrate the second insulating layer for securing a return path, and is connected to the first conductor layer and the fourth via.
The conductor layer is electrically connected.

【0009】以上のような構成の配線構造基板は、第1
および第2信号配線パターンが形成されている面と同じ
面に、導体層が設けられているため、この導体層がシー
ルドのような作用を奏する。すなわち、導体層によって
信号配線パターンからの電磁界の分布を抑えることがで
きる。
[0009] The wiring structure board having the above-described structure is composed of the first substrate.
In addition, since the conductor layer is provided on the same surface as the surface on which the second signal wiring pattern is formed, the conductor layer functions as a shield. That is, the distribution of the electromagnetic field from the signal wiring pattern can be suppressed by the conductor layer.

【0010】この導体層は、信号配線パターンの信号パ
ターン電流が流れる方向に沿って設け、信号配線パター
ンの一方の側に形成してもよいが、両方の側に形成する
方が好ましい。信号配線パターンの開放端を囲むように
U字状やO字状に形成されていてもよいし、あるいは、
信号配線パターンと電気的に非接続の状態で、信号配線
パターンの周囲にこの信号配線パターンが設けられてい
る面全体にわたって形成されていてもよい。そして、導
体層と信号配線パターンとの距離は、できるだけ近い方
が電磁界の分布を抑える効果が高い。
This conductor layer may be provided along the direction in which the signal pattern current of the signal wiring pattern flows, and may be formed on one side of the signal wiring pattern, but is preferably formed on both sides. It may be formed in a U shape or an O shape so as to surround the open end of the signal wiring pattern, or
It may be formed over the entire surface on which the signal wiring pattern is provided around the signal wiring pattern in a state of being electrically disconnected from the signal wiring pattern. The closer the distance between the conductor layer and the signal wiring pattern is, the more effective the effect of suppressing the distribution of the electromagnetic field is.

【0011】また、第1主表面に設けられた第3導体層
は、リターンパス確保用第1ビアを介して第2導体層と
電気的に接続している。同様に、第2主表面に設けられ
た第4導体層は、リターンパス確保用第2ビアを介して
第1導体層と電気的に接続している。よって、第1信号
配線パターンから信号ビアを介して第2信号配線パター
ンへ信号パターン電流を流した場合には、第2導体層か
らリターンパス確保用第1ビアを通って第3導体層へリ
ターン電流が流れる。また、逆に第2信号配線パターン
から第1信号配線パターンに信号パターン電流を流す場
合には、第1導体層からリターン確保用第2ビアを通っ
て第4導体層へリターン電流が流れる。したがって、信
号ビアを介して第1信号配線パターンと第2信号配線パ
ターンとの間に信号パターン電流を流す場合の、リター
ン電流の経路を確保することができるので、リターン電
流が基板内の導体層に広く分布するのを抑制することが
できる。よって、配線構造基板からの不要輻射を抑制す
ることができる。また、これにより、不要輻射に対して
シールドを設けたりノイズ対策部品を使用したりといっ
た対策を講じる必要がない。したがって、配線構造基板
の製造コストの削減にもつながる。このため、この基板
を用いた情報処理機器等の製品の製造コストの削減とい
う効果も期待できる。
The third conductor layer provided on the first main surface is electrically connected to the second conductor layer via the first via for securing a return path. Similarly, the fourth conductor layer provided on the second main surface is electrically connected to the first conductor layer via the return path securing second via. Therefore, when a signal pattern current flows from the first signal wiring pattern to the second signal wiring pattern via the signal via, the return from the second conductor layer to the third conductor layer through the first via for return path securing. Electric current flows. Conversely, when a signal pattern current flows from the second signal wiring pattern to the first signal wiring pattern, a return current flows from the first conductor layer to the fourth conductor layer through the second via for securing return. Therefore, when a signal pattern current flows between the first signal wiring pattern and the second signal wiring pattern via the signal via, a return current path can be secured. Can be suppressed from being widely distributed. Therefore, unnecessary radiation from the wiring structure substrate can be suppressed. This eliminates the need to take measures such as providing a shield against unnecessary radiation or using noise suppression components. Therefore, the manufacturing cost of the wiring structure substrate can be reduced. For this reason, the effect of reducing the manufacturing cost of products such as information processing equipment using this substrate can also be expected.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図を参照してこの発明の実
施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解でき
る程度に各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を概
略的に示してあるに過ぎず、したがってこの発明を図示
例に限定するものではない。また、図において、図を分
かり易くするために断面を示すハッチング(斜線)は一
部分を除き省略してある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the drawings merely schematically show the shapes, sizes, and arrangements of the components so that the present invention can be understood, and thus the present invention is not limited to the illustrated examples. In the drawings, hatching (hatched lines) showing a cross section is omitted except for a part for easy understanding of the drawings.

【0013】図1は、この発明の実施の形態の配線構造
基板の構成図であり、斜視図で示してある。また、図2
は、配線構造基板を、配線パターン電流が流れる方向と
直交する方向の、信号ビアの中心を通る直線に沿って切
った断面図である。
FIG. 1 is a structural view of a wiring structure board according to an embodiment of the present invention, which is shown in a perspective view. FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the wiring structure substrate taken along a straight line passing through the center of a signal via in a direction orthogonal to a direction in which a wiring pattern current flows.

【0014】まず、この実施の形態の配線構造基板10
は、多層基板であり、その表面12を第1主表面と称
し、表面の反対側の面(裏面)14を第2主表面と称す
る。そして、例えば、第1主表面12に電子回路部品を
搭載する(図示せず)。
First, the wiring structure substrate 10 according to this embodiment
Is a multilayer substrate, the front surface 12 of which is referred to as a first main surface, and the surface (back surface) 14 opposite to the front surface is referred to as a second main surface. Then, for example, electronic circuit components are mounted on the first main surface 12 (not shown).

【0015】この配線構造基板10は、上記第1主表面
12を有する第1絶縁層16と、第2主表面14を有す
る第2絶縁層18とを具えている。そして、第1絶縁層
16の表面(基板の第1主表面)12の、電子部品搭載
領域以外の領域に、第1信号配線パターン20が形成さ
れている。そして、この第1信号配線パターン20とは
第1絶縁層16を挟んで反対側、すなわち第1絶縁層1
6の裏面に第1導体層22が形成されている。
The wiring structure substrate 10 includes a first insulating layer 16 having the first main surface 12 and a second insulating layer 18 having the second main surface 14. Then, a first signal wiring pattern 20 is formed in a region other than the electronic component mounting region on the surface (first main surface of the substrate) 12 of the first insulating layer 16. The first signal wiring pattern 20 is opposite to the first signal wiring pattern 20 with the first insulating layer 16 interposed therebetween, that is, the first insulating layer 1.
6, a first conductor layer 22 is formed on the back surface.

【0016】また、第2絶縁層18の裏面(基板の第2
主表面)14には第2信号配線パターン24が形成され
ている。そして、この第2信号配線パターン24を挟ん
で反対側、すなわち第2絶縁層18の表面に第2導体層
26が形成されている。
The back surface of the second insulating layer 18 (the second
The second signal wiring pattern 24 is formed on the main surface 14. Then, the second conductor layer 26 is formed on the opposite side of the second signal wiring pattern 24, that is, on the surface of the second insulating layer 18.

【0017】したがって、この実施の形態の多層基板1
0の層構成は、下層側から順に、第2信号配線パターン
24、第2絶縁層18、第2導体層26、第1導体層2
2、第1絶縁層16および第1信号配線パターン20を
具えた構成である。なお、第2導体層26と第1導体層
22との間には、層間絶縁層28が形成されている。
Therefore, the multi-layer substrate 1 of this embodiment
The layer configuration of No. 0 includes, in order from the lower layer side, the second signal wiring pattern 24, the second insulating layer 18, the second conductor layer 26, and the first conductor layer 2.
2, a configuration including a first insulating layer 16 and a first signal wiring pattern 20. Note that an interlayer insulating layer 28 is formed between the second conductor layer 26 and the first conductor layer 22.

【0018】また、この多層基板(単に基板とも称す
る。)10を貫通してビア30が形成されており、この
ビア30によって、第1信号配線パターン20と第2信
号配線パターン24とが電気的に接続されている。した
がって、このビア30を信号ビアと称する。
A via 30 is formed through the multi-layer substrate (also simply referred to as a substrate) 10, and the via 30 electrically connects the first signal wiring pattern 20 and the second signal wiring pattern 24. It is connected to the. Therefore, this via 30 is referred to as a signal via.

【0019】また、この実施の形態の配線構造基板10
においては、第1主表面12の電子回路部品の搭載領域
および第1信号配線パターン20の形成領域以外の領域
に、第3導体層32が形成されている。この第3導体層
32は、電子回路部品および第1信号配線パターン20
とは電気的に接続しないように設けてある。また、第2
主表面14の、第2信号配線パターン24以外の領域に
は第4導体層34が形成されている。この第4導体層3
4は、第2信号配線パターン24とは電気的に接続しな
いように設けてある(図2参照)。
The wiring structure substrate 10 of this embodiment
In (3), the third conductor layer 32 is formed in a region other than the region where the electronic circuit components are mounted and the region where the first signal wiring pattern 20 is formed on the first main surface 12. The third conductor layer 32 is formed of the electronic circuit component and the first signal wiring pattern 20.
Are provided so as not to be electrically connected. Also, the second
A fourth conductor layer 34 is formed on the main surface 14 in a region other than the second signal wiring pattern 24. This fourth conductor layer 3
4 is provided so as not to be electrically connected to the second signal wiring pattern 24 (see FIG. 2).

【0020】また、この実施の形態では、第3導体層3
2を、電子回路部品搭載領域および第1信号配線パター
ン20形成領域以外の、第1主表面12全体にわたって
形成してある。そして、第4導体層34も、第3導体層
32と同様に、第2信号配線パターン24形成領域以外
の、第2主表面14全体にわたって形成してある(図1
参照)。
In this embodiment, the third conductor layer 3
2 is formed over the entire first main surface 12 except for the electronic circuit component mounting area and the first signal wiring pattern 20 forming area. Then, similarly to the third conductor layer 32, the fourth conductor layer 34 is formed over the entire second main surface 14 except for the region where the second signal wiring pattern 24 is formed (FIG. 1).
reference).

【0021】また、第1絶縁層16を貫通するビア36
が形成されている。このビア36は第2導体層26と第
3導体層32とを電気的に接続するものである。よっ
て、第2導体層26と第3導体層32との間にある第1
導体層22とは、このビア36を、電気的に接続させな
いようにする。このビア36をリターンパス確保用第1
ビアと称する。したがって、このリターンパス確保用第
1ビア36が形成される領域の第1導体層22にはリタ
ーンパス確保用第1ビア36の直径よりも大きい開口部
38が形成されている(図2参照)。そして、リターン
パス確保用第1ビア36は、この開口部38の内側に形
成される。
A via 36 penetrating the first insulating layer 16
Are formed. The via 36 electrically connects the second conductor layer 26 and the third conductor layer 32. Therefore, the first conductive layer between the second conductive layer 26 and the third conductive layer 32
The via 36 is not electrically connected to the conductor layer 22. This via 36 is used as the first return path securing
Called via. Therefore, an opening 38 larger than the diameter of the return path securing first via 36 is formed in the first conductor layer 22 in the region where the return path securing first via 36 is formed (see FIG. 2). . Then, the first via 36 for securing a return path is formed inside the opening 38.

【0022】また、第2絶縁層18にも、この層18を
貫通するビア40が形成されている。このビア40は第
1導体層22と第4導体層34とを電気的に接続するも
のである。よって、第1導体層22と第4導体層34と
の間にある第2導体層26とは、このビア40を、電気
的に接続させないようにする。このビア40をリターン
パス確保用第2ビアと称する。したがって、このリター
ンパス確保用第2ビア40が形成される領域の第2導体
層26にはリターンパス確保用第2ビア40の直径より
も大きい開口部42が形成されている(図2参照)。そ
して、リターンパス確保用第2ビア40は、この開口部
42の内側に形成される。
The second insulating layer 18 also has a via 40 penetrating the layer 18. The via 40 electrically connects the first conductor layer 22 and the fourth conductor layer 34. Therefore, the second conductor layer 26 between the first conductor layer 22 and the fourth conductor layer 34 prevents the via 40 from being electrically connected. This via 40 is referred to as a return path securing second via. Therefore, an opening 42 larger than the diameter of the return path securing second via 40 is formed in the second conductor layer 26 in the region where the return path securing second via 40 is formed (see FIG. 2). . The second via 40 for securing a return path is formed inside the opening 42.

【0023】次に、上述した構成の配線構造基板10の
信号配線パターン20,24に高周波電流を流して、信
号配線パターン20,24周辺の電磁界の挙動について
説明する。
Next, the behavior of the electromagnetic field around the signal wiring patterns 20, 24 when a high-frequency current is applied to the signal wiring patterns 20, 24 of the wiring structure substrate 10 having the above-described configuration will be described.

【0024】まず、第1信号配線パターン20に信号パ
ターン電流としての高周波電流が流れると、そのリター
ン電流は、第1信号配線パターン20の直下の第1導体
層22の領域を、第1信号配線パターン20に流れる電
流の向きとは反対向きに流れる。このとき、第1絶縁層
16の表面12の、第1信号配線パターン20形成領域
および電子回路部品の搭載領域以外の領域の全体に形成
されている第3導体層32は、第1信号配線パターン2
0とは接触しないが、このパターン20に沿って近接し
た領域に形成されている。したがって、第1信号配線パ
ターン20を流れる電流が高周波電流であるということ
を考えると、この第3導体層32は、グランド層すなわ
ち接地層と同様の作用を有する層となる。したがって、
第1信号配線パターン20の周囲の電磁界は、第1信号
配線パターン20と第3導体層32との間に形成される
ので、電磁界が外部に漏れるのを防止することができ
る。
First, when a high-frequency current as a signal pattern current flows through the first signal wiring pattern 20, the return current passes through the region of the first conductor layer 22 directly below the first signal wiring pattern 20 to the first signal wiring pattern. The current flows in the direction opposite to the direction of the current flowing in the pattern 20. At this time, the third conductor layer 32 formed on the entire surface of the surface 12 of the first insulating layer 16 other than the region where the first signal wiring pattern 20 is formed and the region where the electronic circuit component is mounted is attached to the first signal wiring pattern. 2
Although it is not in contact with 0, it is formed in a region adjacent along this pattern 20. Therefore, considering that the current flowing through the first signal wiring pattern 20 is a high-frequency current, the third conductor layer 32 is a ground layer, that is, a layer having the same function as the ground layer. Therefore,
Since the electromagnetic field around the first signal wiring pattern 20 is formed between the first signal wiring pattern 20 and the third conductor layer 32, it is possible to prevent the electromagnetic field from leaking to the outside.

【0025】次に、第1信号配線パターン20から信号
ビア30を経由して第2信号配線パターン24に高周波
電流が流れるときには、そのリターン電流が第2導体層
26からリターンパス確保用第1ビア36を経由して第
3導体層32に流れる。
Next, when a high-frequency current flows from the first signal wiring pattern 20 to the second signal wiring pattern 24 via the signal via 30, the return current flows from the second conductor layer 26 to the first via for securing a return path. It flows to the third conductor layer 32 via.

【0026】したがって、信号パターン電流に対するリ
ターン電流の経路を確保することができる。
Accordingly, it is possible to secure a return current path for the signal pattern current.

【0027】また、リターン電流は別の経路をとること
もできる。すなわち、第4導体層34からリターンパス
確保用第2ビア40を経由して第1導体層22に流れる
経路である。
The return current can take another path. That is, it is a path that flows from the fourth conductor layer 34 to the first conductor layer 22 via the return path securing second via 40.

【0028】このため、リターン電流に起因する高周波
電流が、基板10内の導体層に広く分布するおそれを低
減することができる。
Therefore, it is possible to reduce the possibility that the high-frequency current caused by the return current is widely distributed in the conductor layer in the substrate 10.

【0029】また、逆に、第2信号配線パターン24か
ら信号ビア30を経由して第1信号配線パターン20に
高周波電流が流れるときには、そのリターン電流が第1
導体層22からリターンパス確保用第2ビア40を経由
して第4導体層34に流れる。
Conversely, when a high-frequency current flows from the second signal wiring pattern 24 to the first signal wiring pattern 20 via the signal via 30, the return current is changed to the first signal wiring pattern.
It flows from the conductor layer 22 to the fourth conductor layer 34 via the return path securing second via 40.

【0030】この場合も、リターン電流の別の経路を考
えることができる。すなわち、第3導体層32からリタ
ーンパス確保用第1ビア36を経由して第2導体層26
に至る経路である。
In this case, another path of the return current can be considered. That is, the second conductor layer 26 is transferred from the third conductor layer 32 via the return path securing first via 36.
It is a route to reach.

【0031】したがって、リターン電流の経路を確保す
ることができる。
Therefore, a return current path can be secured.

【0032】また、第2信号配線パターン24に電流が
流れているとき、この第2信号配線パターン24に近接
して形成されている第4導体層34は、第2信号配線パ
ターン24との間に電磁界を形成する。よって、第2信
号配線パターン24の周囲に形成される電磁界が広がっ
て外部に漏れるおそれは低減する。
When a current flows through the second signal wiring pattern 24, the fourth conductor layer 34 formed close to the second signal wiring pattern 24 is located between the second signal wiring pattern 24 and the second signal wiring pattern 24. To form an electromagnetic field. Therefore, the possibility that the electromagnetic field formed around the second signal wiring pattern 24 spreads and leaks to the outside is reduced.

【0033】以上説明したように、この発明の構成によ
って、不要輻射の原因であった、信号配線パターンの周
囲の電磁界の漏れと、リターン電流に起因する、行き場
のない高周波電流が基板10内の導体層へ分布するのと
を抑制あるいは無くすことができるので、基板10から
の不要輻射を大幅に低減することができる。
As described above, according to the configuration of the present invention, the leakage of the electromagnetic field around the signal wiring pattern and the high-frequency current with no destination due to the return current, which have caused unnecessary radiation, are generated in the substrate 10. Can be suppressed or eliminated, so that unnecessary radiation from the substrate 10 can be significantly reduced.

【0034】したがって、不要輻射に起因するノイズの
発生も抑えられるので、ノイズ対策部品やシールドは必
要なくなる。
Therefore, the generation of noise due to unnecessary radiation can be suppressed, so that a noise countermeasure component and a shield are not required.

【0035】よって、不要輻射の抑制を安価に行うこと
ができ、これは、基板自体のコスト削減にもつながる。
Thus, unnecessary radiation can be suppressed at a low cost, which leads to a reduction in the cost of the substrate itself.

【0036】[0036]

【実施例】以下、この発明を、より具体的な例を挙げて
説明する。なお、実施例中で用いている構成成分の材料
や、各部の寸法等の数的条件は、この発明の構成例の一
例にすぎず、したがって、これに限定されるものではな
い。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to more specific examples. It should be noted that the numerical conditions such as the materials of the constituent components and the dimensions of each part used in the examples are merely examples of the configuration examples of the present invention, and are not limited to these.

【0037】図3は、この実施例の配線構造基板の構成
を示す概略図であり、上から見た平面図で示してある。
また、図4は、信号配線パターンの周囲の領域の概略的
な断面図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the wiring structure board of this embodiment, and is shown in a plan view seen from above.
FIG. 4 is a schematic sectional view of a region around the signal wiring pattern.

【0038】また、図3および図4において、上述した
実施の形態と同様の構成成分については、図1および図
2で用いた符号と同じ符号を付して示してある。
In FIGS. 3 and 4, components similar to those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals as those used in FIGS. 1 and 2.

【0039】この実施の形態の配線構造基板10は、そ
れぞれ約0.2mmの厚さの第1絶縁層16および第2
絶縁層18と、それぞれ約0.035mmの厚さの第1
導体層22および第2導体層26と、約1.034mm
の厚さの層間絶縁層28とを具えている。
The wiring structure board 10 of this embodiment has a first insulating layer 16 and a second insulating layer 16 each having a thickness of about 0.2 mm.
An insulating layer 18 and a first layer each having a thickness of about 0.035 mm;
About 1.034 mm with the conductor layer 22 and the second conductor layer 26
And an interlayer insulating layer 28 having a thickness of

【0040】そして、第1絶縁層16の表面12には、
厚さ約0.043mmの第1信号配線パターン20が形
成されており、また、第2絶縁層18の裏面14にも、
厚さ約0.043mmの第2信号配線パターン24が形
成されている。
Then, on the surface 12 of the first insulating layer 16,
The first signal wiring pattern 20 having a thickness of about 0.043 mm is formed, and the back surface 14 of the second insulating layer 18
A second signal wiring pattern 24 having a thickness of about 0.043 mm is formed.

【0041】そして、この実施例では、第1絶縁層16
の表面12の第1信号配線パターン20以外の領域に第
1信号配線パターン20とは電気的に接続しないよう
に、厚さ0.043mmの第3導体層32が形成されて
いる。
In this embodiment, the first insulating layer 16
A third conductor layer 32 having a thickness of 0.043 mm is formed in a region other than the first signal wiring pattern 20 on the surface 12 of the substrate so as not to be electrically connected to the first signal wiring pattern 20.

【0042】また、第2絶縁層18の裏面14の第2信
号配線パターン24以外の領域には、この第2信号配線
パターン24とは電気的に接続しないように、厚さ0.
043mmの第4導体層34が形成されている(図
4)。
In a region other than the second signal wiring pattern 24 on the back surface 14 of the second insulating layer 18, a thickness of 0.1 mm is used so as not to be electrically connected to the second signal wiring pattern 24.
A fourth conductor layer 34 of 043 mm is formed (FIG. 4).

【0043】また、第1絶縁層16、第2絶縁層18お
よび層間絶縁層28は、ガラスエポキシ樹脂(FR−
4)で形成されている。また、第1導体層22および第
2導体層26は銅箔とする。
The first insulating layer 16, the second insulating layer 18, and the interlayer insulating layer 28 are made of glass epoxy resin (FR-
4). The first conductor layer 22 and the second conductor layer 26 are made of copper foil.

【0044】そして、第1および第2信号配線パターン
20,24、第3導体層32ならびに第4導体層34
は、銅箔20a,24a,32a,34aと銅箔上に形
成されたメッキ層20b,24b,32b,34bとの
2層構造とする(図4)。
The first and second signal wiring patterns 20, 24, the third conductor layer 32, and the fourth conductor layer 34
Has a two-layer structure of copper foils 20a, 24a, 32a, 34a and plating layers 20b, 24b, 32b, 34b formed on the copper foil (FIG. 4).

【0045】これら第1および第2信号配線パターン2
0、24は、互いに対向な同一の配設ラインに沿ってそ
れぞれ設けられている。
The first and second signal wiring patterns 2
0 and 24 are respectively provided along the same arrangement line facing each other.

【0046】また、第1絶縁層16の上側全体および第
2絶縁層の下側全体は、レジスト膜44によって覆われ
ている(図4)。
The entire upper side of the first insulating layer 16 and the entire lower side of the second insulating layer are covered with a resist film 44 (FIG. 4).

【0047】また、図3に示しているように、この実施
例では、6つの第1信号配線パターン20(20p,2
0q,20r,20s,20t,20u)が、それぞれ
異なる方向に形成されている。
As shown in FIG. 3, in this embodiment, six first signal wiring patterns 20 (20p, 2
0q, 20r, 20s, 20t, 20u) are formed in different directions.

【0048】そして、これら6つの信号配線パターン2
0の一端はドライバIC50に接続されている。
Then, these six signal wiring patterns 2
0 is connected to the driver IC 50 at one end.

【0049】一方、信号配線パターン20の他端は開放
してある。第1信号配線パターン20qおよび20t
は、ドライバIC50を中心として、互いに反対方向
に、同一直線上に延在して設けられている。
On the other hand, the other end of the signal wiring pattern 20 is open. First signal wiring patterns 20q and 20t
Are provided so as to extend on the same straight line in directions opposite to each other with the driver IC 50 as a center.

【0050】第1信号配線パターン20p、20r、2
0sおよび20uは、両端部が互いに平行な直線で中央
部が斜めの直線となっている折れ線状態で設けられてい
る。
The first signal wiring patterns 20p, 20r, 2
0s and 20u are provided in a broken line state in which both ends are straight lines parallel to each other and the center is an oblique straight line.

【0051】これら平行な直線部分と斜めの直線部分と
は鈍角で交差して結合している。
The parallel straight part and the oblique straight part intersect at an obtuse angle and are connected.

【0052】また、第1信号配線パターン20uおよび
20sは、20tを中心線として対照的に配設され、ま
た、第1信号配線パターン20pと20rは、20qを
中心線として、対照的に配設されている。
The first signal wiring patterns 20u and 20s are arranged symmetrically with respect to the center line 20t, and the first signal wiring patterns 20p and 20r are arranged symmetrically with respect to the center line 20q. Have been.

【0053】そして、それぞれの第1信号配線パターン
は、ドライバIC50では接近しているが、開放端側
は、互いに大きく離れている。
The first signal wiring patterns are close to each other in the driver IC 50, but are far apart from each other at the open ends.

【0054】また、この例では、6つの第1信号配線パ
ターン20は、それぞれ異なる数の信号ビア30によっ
て第2信号配線パターン24(24q,24r,24
s,24t,24u)と接続している。
In this example, the six first signal wiring patterns 20 are connected to the second signal wiring patterns 24 (24q, 24r, 24) by different numbers of signal vias 30, respectively.
s, 24t, 24u).

【0055】第1パターン20pは、信号ビアの数は0
である。
In the first pattern 20p, the number of signal vias is zero.
It is.

【0056】第2パターン20qは、8個の信号ビア3
0によって第2信号配線パターンの第2パターン24q
と接続している。
The second pattern 20q includes eight signal vias 3
0 indicates the second pattern 24q of the second signal wiring pattern.
Is connected to

【0057】第3パターン20rは、2個の信号ビア3
0によって第2信号配線パターンの第3パターン24r
と接続している。
The third pattern 20r includes two signal vias 3
0 indicates the third pattern 24r of the second signal wiring pattern
Is connected to

【0058】第4パターン20sは、6個の信号ビア3
0によって第2信号配線パターンの第4パターン24s
と接続している。
The fourth pattern 20s includes six signal vias 3
0 indicates the fourth pattern 24s of the second signal wiring pattern
Is connected to

【0059】第5パターン20tは、4個の信号ビア3
0によって第2信号配線パターンの第5パターン24t
と接続している。
The fifth pattern 20t includes four signal vias 3
0 indicates the fifth pattern 24t of the second signal wiring pattern
Is connected to

【0060】また、第6パターン20uは、1個の信号
ビア30によって第2信号配線パターンの第6パターン
24uと接続している(図3)。
The sixth pattern 20u is connected to the sixth pattern 24u of the second signal wiring pattern by one signal via 30 (FIG. 3).

【0061】これら、第1および第2信号配線パターン
20,24の配線幅は、0.18mmとする。
The wiring width of the first and second signal wiring patterns 20, 24 is 0.18 mm.

【0062】また、この実施例では、各信号ビア30を
挟んだ両側の基板10の領域にリターンパス確保用第1
ビア36および第2ビア40を形成する(図3および図
1参照)。
In this embodiment, the first return path securing first region is provided in the region of the substrate 10 on both sides of each signal via 30.
The via 36 and the second via 40 are formed (see FIGS. 3 and 1).

【0063】この第1ビア36の中心の位置と第2ビア
40の中心の位置とを結ぶ直線は、信号ビア30の中心
を通る直線であって、第1信号配線パターン20と直交
している。
A straight line connecting the center position of the first via 36 and the center position of the second via 40 is a straight line passing through the center of the signal via 30 and is orthogonal to the first signal wiring pattern 20. .

【0064】また、第1ビア36の中心から信号ビア3
0の中心までの距離d1と、第2ビア40の中心から信
号ビア30の中心までの距離d2は同じとする。この例
では、第1および第2ビアの各中心から信号ビアの中心
までの距離d1およびd2を1.5mmとする。信号ビ
ア30およびリターンパス確保用ビア(第1ビア36お
よび第2ビア40)は、いずれも内壁が銅でメッキされ
ており、メッキ後のビアの直径を0.3mmとする。
Further, from the center of the first via 36, the signal via 3
The distance d1 to the center of 0 is the same as the distance d2 from the center of the second via 40 to the center of the signal via 30. In this example, the distances d1 and d2 from the centers of the first and second vias to the center of the signal via are 1.5 mm. Each of the signal via 30 and the return path securing via (the first via 36 and the second via 40) has an inner wall plated with copper, and the plated via has a diameter of 0.3 mm.

【0065】また、信号ビア30は、第1信号配線パタ
ーン20と第2信号配線パターン24とを接続する。よ
って、第1絶縁層16の表面12に信号ビア30のメッ
キの銅と連続する銅製のランド52がリング状に形成さ
れている。
The signal via 30 connects the first signal wiring pattern 20 and the second signal wiring pattern 24. Therefore, a copper land 52 that is continuous with the plated copper of the signal via 30 is formed in a ring shape on the surface 12 of the first insulating layer 16.

【0066】同様に第2絶縁層18の裏面14にもラン
ド52が形成されている。そして、このランド52と第
1信号配線パターン20あるいは第2信号配線パターン
24とが電気的に接続している(図1および図2参
照)。
Similarly, a land 52 is formed on the back surface 14 of the second insulating layer 18. The land 52 is electrically connected to the first signal wiring pattern 20 or the second signal wiring pattern 24 (see FIGS. 1 and 2).

【0067】また、リターンパス確保用第1ビア36
は、第2導体層26と第3導体層32とを接続するビア
である。
The return path securing first via 36 is also provided.
Is a via connecting the second conductor layer 26 and the third conductor layer 32.

【0068】したがって、第4導体層34の第1ビア3
6形成領域の周囲には、開口部54が形成されている
(図2参照)。そして、その開口部54からは第2絶縁
層18の裏面14が露出している。また、第1ビア36
用の孔の周囲には、リングの外側の直径が0.7mmの
ランド56が形成されていて、上記開口部54の大きさ
はランド56よりも大きい。したがって、ランド56と
第4導体層34とは電気的に接続しない(図2)。
Therefore, the first via 3 of the fourth conductor layer 34
An opening 54 is formed around the formation region 6 (see FIG. 2). Then, the back surface 14 of the second insulating layer 18 is exposed from the opening 54. Also, the first via 36
A land 56 having a diameter of 0.7 mm outside the ring is formed around the hole for use, and the size of the opening 54 is larger than the land 56. Therefore, the land 56 and the fourth conductor layer 34 are not electrically connected (FIG. 2).

【0069】また、リターンパス確保用第2ビア40
は、第1導体層16と第4導体層34とを接続するビア
である。
The second via 40 for securing the return path
Is a via connecting the first conductor layer 16 and the fourth conductor layer 34.

【0070】したがって、第3導体層32の第2ビア4
0形成領域の周囲には開口部58が形成されている。そ
して、その開口部58からは第1絶縁層16の表面12
が露出している。
Therefore, the second via 4 of the third conductor layer 32
An opening 58 is formed around the zero forming region. Then, the surface 12 of the first insulating layer 16 is
Is exposed.

【0071】また、第2ビア40用の孔の周囲には、リ
ングの外側の直径が0.7mmのランド60が形成され
ている。
A land 60 having a diameter of 0.7 mm outside the ring is formed around the hole for the second via 40.

【0072】また、上記開口部58の大きさはランド6
0よりも大きい。
The size of the opening 58 is determined by the land 6
Greater than zero.

【0073】したがって、ランド60と第3導体層32
とは電気的に接続しない。
Therefore, the land 60 and the third conductor layer 32
And is not electrically connected.

【0074】また、この配線構造基板10の外形寸法は
149.86mm×231.14mmとする。
The external dimensions of the wiring structure board 10 are 149.86 mm × 231.14 mm.

【0075】この基板10の第1絶縁層16の表面12
にドライバIC50が搭載されている(図3)。この例
では、ドライバとして、標準ロジックICである74A
LVC04(例えばTI(テキサス・インスツルメン
ツ)社製)を用いる。
The surface 12 of the first insulating layer 16 of the substrate 10
Is mounted with a driver IC 50 (FIG. 3). In this example, the driver is a standard logic IC 74A.
LVC04 (for example, TI (Texas Instruments)) is used.

【0076】また、図示していないが、基板10の裏面
側には、50MHzのクロックとバッテリー駆動の電源
等が搭載されており、これらは、シールドボックスによ
って覆われている。このため、これらの部品による電磁
波の影響は、信号配線パターン20および24の周囲に
は及ばない。
Although not shown, a 50-MHz clock, a battery-driven power supply, and the like are mounted on the back surface of the substrate 10, and these are covered by a shield box. Therefore, the influence of the electromagnetic waves by these components does not reach around the signal wiring patterns 20 and 24.

【0077】これにより、この発明の具体的な構成例で
ある配線構造基板10が得られる。
As a result, a wiring structure substrate 10 which is a specific configuration example of the present invention is obtained.

【0078】次に、図3および図4を参照して説明した
この配線構造基板10からの不要輻射を測定する。
Next, unnecessary radiation from the wiring structure substrate 10 described with reference to FIGS. 3 and 4 is measured.

【0079】そのため、配線構造基板10の第1導体層
16および第4導体層34をグランド層とし、第2導体
層18および第3導体層32を電源層とする。
Therefore, the first conductor layer 16 and the fourth conductor layer 34 of the wiring structure board 10 are used as ground layers, and the second conductor layer 18 and the third conductor layer 32 are used as power supply layers.

【0080】また、ここでは、VCCI(情報処理装置
等電磁障害自主規制協議会:Voluntary Control Counci
l for Interference by Information Technology Equip
ment)の基準に準拠した電波暗室3m法を用い、スペク
トラムアナライザによって測定する。そして、アンテナ
の取付を水平方向にしたときの水平偏波および垂直方向
にしたときの垂直偏波を測定する。
Also, here, VCCI (Voluntary Control Counci
l for Interference by Information Technology Equip
ment) is measured by a spectrum analyzer using a 3 m method in an anechoic chamber conforming to the standard of ment). Then, the horizontal polarization when the antenna is mounted in the horizontal direction and the vertical polarization when the antenna is mounted in the vertical direction are measured.

【0081】また、アンテナ高さは1m〜4mとして測
定を行い、最大値をとる。また、周波数範囲は30MH
z〜1000MHzとする。
The antenna height is set to 1 m to 4 m for measurement, and the maximum value is obtained. The frequency range is 30 MH
z to 1000 MHz.

【0082】測定結果を図5(A)および図5(B)に
示す。図5(A)は、周波数変化に対する不要輻射に起
因する水平偏波の変化特性図である。また、図5(B)
は、周波数変化に対する不要輻射に起因する垂直偏波の
変化特性図である。
The measurement results are shown in FIGS. 5A and 5B. FIG. 5A is a change characteristic diagram of horizontal polarization caused by unnecessary radiation with respect to a frequency change. FIG. 5 (B)
FIG. 4 is a graph showing a change characteristic of vertical polarization caused by unnecessary radiation with respect to a frequency change.

【0083】図5(A)および図5(B)は、いずれ
も、横軸に周波数(MHz)をとり、縦軸に輻射強度
(dB(μV/m))をとって示してある。
FIGS. 5A and 5B both show the frequency (MHz) on the horizontal axis and the radiation intensity (dB (μV / m)) on the vertical axis.

【0084】また、図5においては、周波数50MHz
毎に測定を行い、そのピーク値が示してある。そして、
ピーク間の曲線は、アンテナファクターであり、アンテ
ナの周波数特性に応じた補正がなされている。
In FIG. 5, the frequency is 50 MHz.
The measurement was performed every time, and the peak value is shown. And
The curve between the peaks is the antenna factor, which is corrected according to the frequency characteristics of the antenna.

【0085】また、ここで、比較例として、図6(A)
および図6(B)に、従来の配線構造基板の不要輻射の
測定結果を示す。比較例の配線構造基板の構成は、実施
例の構成から、第1絶縁層16上に設けた第3導体層3
2と、第2絶縁膜18の裏面14に設けた第4導体層3
4と、リターンパス確保用第1ビア36および第2ビア
40とを除いた構成とする。
Here, as a comparative example, FIG.
FIG. 6B shows the measurement results of the unnecessary radiation of the conventional wiring structure substrate. The configuration of the wiring structure board of the comparative example is different from the configuration of the example in the third conductor layer 3 provided on the first insulating layer 16.
2 and the fourth conductor layer 3 provided on the back surface 14 of the second insulating film 18.
4 and the first via 36 and the second via 40 for securing the return path.

【0086】図5(A)および図5(B)によれば、こ
の実施例の配線構造基板10からの不要輻射は、周波数
が30MHz〜1000MHzまでの範囲内で、水平偏
波および垂直偏波ともに、ほとんど40dB以下に抑制
することができた。
According to FIGS. 5A and 5B, the unnecessary radiation from the wiring structure substrate 10 of this embodiment is generated by the horizontal polarization and the vertical polarization within the frequency range of 30 MHz to 1000 MHz. In both cases, they could be suppressed to almost 40 dB or less.

【0087】また、図6(A)および図6(B)によれ
ば、従来の基板からは、周波数が高くなるにしたがっ
て、高い不要輻射が測定されていて、水平偏波では、9
50MHzのときに46dBという強度の不要輻射が測
定された。また、垂直偏波では、655MHzの周波数
のときに、58dB付近の高い不要輻射が測定された。
According to FIGS. 6 (A) and 6 (B), from the conventional substrate, higher unnecessary radiation is measured as the frequency becomes higher.
Unnecessary radiation having an intensity of 46 dB was measured at 50 MHz. In the case of vertical polarization, high unnecessary radiation near 58 dB was measured at a frequency of 655 MHz.

【0088】したがって、第3導体層32および第4導
体層34を、基板10の第1主表面12および第2主表
面14に設けることによって、同じ第1主表面12およ
び第2主表面14に形成されている信号配線パターン2
0および24に高周波電流が流れるときに、信号配線パ
ターン20,24からの電磁界の漏れを抑制することが
できる。これにより、不要輻射の原因の1つを解消する
ことができる。
Therefore, by providing third conductor layer 32 and fourth conductor layer 34 on first main surface 12 and second main surface 14 of substrate 10, the same first main surface 12 and second main surface 14 are provided. The formed signal wiring pattern 2
When a high-frequency current flows through 0 and 24, leakage of an electromagnetic field from the signal wiring patterns 20 and 24 can be suppressed. Thereby, one of the causes of the unnecessary radiation can be eliminated.

【0089】また、第2導体層26および第3導体層3
2とを接続するリターンパス確保用第1ビア36と、第
1導体層22および第4導体層34とを接続するリター
ンパス確保用第2ビア40とを、信号ビア30に近接し
て設けていることによって、信号ビア30を経由して第
1信号配線パターン20および第2信号配線パターン2
4間を信号パターン電流が流れるときに、そのリターン
電流の経路を確保することができる。
Further, the second conductor layer 26 and the third conductor layer 3
2 and a return path securing second via 40 connecting the first conductor layer 22 and the fourth conductor layer 34 are provided close to the signal via 30. The first signal wiring pattern 20 and the second signal wiring pattern 2 via the signal via 30
When a signal pattern current flows between the four, a path for the return current can be secured.

【0090】したがって、リターン電流の行き場がなく
なるという事態がなくなるので、基板10内の導体層へ
高周波電流が広く分布するのを防ぐことができる。
Therefore, since the situation where the return current goes out disappears, the high frequency current can be prevented from being widely distributed to the conductor layer in the substrate 10.

【0091】d1およびd2が長すぎるとリターン電流
からの電磁界の分布範囲が広がってしまうおそれがある
ため、d1およびd2は、具体的には、約2mm以下の
範囲内でより短い方が好ましい。これにより、不要輻射
の原因をもう1つ解消することができる。
If d1 and d2 are too long, the distribution range of the electromagnetic field from the return current may be widened. Therefore, d1 and d2 are preferably shorter within a range of about 2 mm or less. . Thereby, another cause of the unnecessary radiation can be eliminated.

【0092】したがって、従来よりも不要輻射の発生が
抑制された配線構造基板を提供することができる。ま
た、不要輻射の抑制に、ノイズ対策部品やシールド等を
使用しなくてもよいので、より安価な配線構造基板を提
供できる。
Therefore, it is possible to provide a wiring structure substrate in which generation of unnecessary radiation is suppressed as compared with the related art. Further, since it is not necessary to use a noise suppression component, a shield, or the like to suppress unnecessary radiation, a less expensive wiring structure substrate can be provided.

【0093】また、この発明の配線構造基板は、一般的
なデジタル回路の基板に適用することができる。よっ
て、この発明の基板を、情報処理機器等、デジタル回路
が用いられる製品全般に適用して好適である。
The wiring structure board of the present invention can be applied to a general digital circuit board. Therefore, the substrate of the present invention is suitably applied to all products using digital circuits, such as information processing equipment.

【0094】また、上述した実施例では、第1導体層と
第2導体層との間に層間絶縁層が介在している例につい
て説明したが、これに限らず、第1導体層と第2導体層
の間には、絶縁層に挟まれた別の導体層が複数介在して
いてもよい。
Further, in the above-described embodiment, the example in which the interlayer insulating layer is interposed between the first conductor layer and the second conductor layer has been described. A plurality of different conductor layers sandwiched between insulating layers may be interposed between the conductor layers.

【0095】また、このとき、信号ビアは、第1信号配
線パターンおよび第2信号配線パターン間だけを接続す
るビアとし、介在している複数の導体層とは、電気的に
非接続の状態にする。
At this time, the signal via is a via connecting only the first signal wiring pattern and the second signal wiring pattern, and is electrically disconnected from the plurality of intervening conductor layers. I do.

【0096】[0096]

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の配線構造基板によれば、第1および第2信号配線
パターンの周囲に設けられている導体層がシールドのよ
うな作用を奏し、信号配線パターンからの電磁界の分布
を抑えることができる。
As is apparent from the above description, according to the wiring structure board of the present invention, the conductor layer provided around the first and second signal wiring patterns has an effect like a shield, The distribution of the electromagnetic field from the signal wiring pattern can be suppressed.

【0097】また、第1主表面に設けられた第3導体層
は、リターンパス確保用第1ビアを介して第2導体層と
電気的に接続している。同様に、第2主表面に設けられ
た第4導体層は、リターンパス確保用第2ビアを介して
第1導体層と電気的に接続している。よって、第1信号
配線パターンから信号ビアを介して第2信号配線パター
ンへ信号パターン電流を流した場合には、第2導体層か
らリターンパス確保用第1ビアを通って第3導体層へリ
ターン電流が流れる。また、逆に第2信号配線パターン
から第1信号配線パターンに信号パターン電流を流す場
合には、第1導体層からリターン確保用第2ビアを通っ
て第4導体層へリターン電流が流れる。
Further, the third conductor layer provided on the first main surface is electrically connected to the second conductor layer via the first via for securing the return path. Similarly, the fourth conductor layer provided on the second main surface is electrically connected to the first conductor layer via the return path securing second via. Therefore, when a signal pattern current flows from the first signal wiring pattern to the second signal wiring pattern via the signal via, the return from the second conductor layer to the third conductor layer through the first via for securing a return path. Electric current flows. Conversely, when a signal pattern current flows from the second signal wiring pattern to the first signal wiring pattern, a return current flows from the first conductor layer to the fourth conductor layer through the second via for securing return.

【0098】したがって、信号ビアを介して第1信号配
線パターンと第2信号配線パターンとの間に信号パター
ン電流を流す場合の、リターン電流の経路を確保するこ
とができるので、リターン電流が基板内の導体層に広く
分布するのを抑制することができる。
Therefore, when a signal pattern current flows between the first signal wiring pattern and the second signal wiring pattern via the signal via, a path for a return current can be secured. Widely distributed in the conductor layer of the first embodiment.

【0099】よって、配線構造基板からの不要輻射を抑
制することができる。
Therefore, unnecessary radiation from the wiring structure substrate can be suppressed.

【0100】また、これにより、不要輻射に対してシー
ルドを設けたりノイズ対策部品を使用したりといった対
策を講じる必要がない。
[0100] Thus, it is not necessary to take measures such as providing a shield against unnecessary radiation or using a noise suppression component.

【0101】したがって、配線構造基板の製造コストの
削減にもつながる。
Therefore, the manufacturing cost of the wiring structure substrate can be reduced.

【0102】このため、この基板を用いた情報処理機器
等の製品の製造コストの削減という効果も期待できる。
Therefore, the effect of reducing the manufacturing cost of products such as information processing equipment using this substrate can be expected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の配線構造基板の概略的な構成を示す
斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a wiring structure board of the present invention.

【図2】この発明の配線構造基板の概略的な構成を示す
断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a wiring structure board according to the present invention.

【図3】実施例の説明に供する、配線構造基板の上から
見た平面図である。
FIG. 3 is a plan view seen from above of a wiring structure substrate, which is used for describing the embodiment.

【図4】実施例の説明に供する、配線構造基板の断面図
である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a wiring structure substrate for explaining an example.

【図5】実施例の説明に供する、配線構造基板からの不
要輻射強度の測定結果を示す特性図であって、(A)
は、水平偏波の不要輻射強度の測定結果であり、(B)
は、垂直偏波の不要輻射強度の測定結果である。
5A and 5B are characteristic diagrams showing measurement results of an unnecessary radiation intensity from a wiring structure substrate, which are used for describing the embodiment, and FIG.
Is the measurement result of the unnecessary radiation intensity of the horizontal polarization, and (B)
Is a measurement result of the unnecessary radiation intensity of the vertically polarized wave.

【図6】比較例としての、従来の配線構造基板からの不
要輻射強度の測定結果を示す特性図であって、(A)
は、水平偏波の不要輻射強度の測定結果であり、(B)
は、垂直偏波の不要輻射強度の測定結果である。
FIG. 6 is a characteristic diagram showing a measurement result of an unnecessary radiation intensity from a conventional wiring structure substrate as a comparative example, and (A)
Is the measurement result of the unnecessary radiation intensity of the horizontal polarization, and (B)
Is a measurement result of the unnecessary radiation intensity of the vertically polarized wave.

【図7】(A)は、従来の配線構造基板の概略的な構成
を示す斜視図であり、(B)は、断面図である。
FIG. 7A is a perspective view showing a schematic configuration of a conventional wiring structure board, and FIG. 7B is a cross-sectional view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:配線構造基板(多層基板、基板) 12:表面(第1主表面) 14:裏面(第2主表面) 16,102:第1絶縁層 18,110:第2絶縁層 20,112:第1信号配線パターン 20a,24a,32a,34a:銅箔 20b,24b,32b,34b:メッキ層 20p,24p:第1パターン 20q,24q:第2パターン 20r,24r:第3パターン 20s,24s:第4パターン 20t,24t:第5パターン 20u、24u:第6パターン 22:第1導体層 24,114:第2信号配線パターン 26:第2導体層 28,106:層間絶縁層 30,116:ビア(信号ビア) 32:第3導体層 34:第4導体層 36:ビア(リターンパス確保用第1ビア、第1ビア) 38,42,54,58:開口部 40:ビア(リターンパス確保用第2ビア、第2ビア) 44:レジスト膜 50:ドライバIC 52,56,60:ランド 104:グランド層 108:電源層 10: wiring structure substrate (multilayer substrate, substrate) 12: front surface (first main surface) 14: back surface (second main surface) 16, 102: first insulating layer 18, 110: second insulating layer 20, 112: first 1 signal wiring pattern 20a, 24a, 32a, 34a: copper foil 20b, 24b, 32b, 34b: plating layer 20p, 24p: first pattern 20q, 24q: second pattern 20r, 24r: third pattern 20s, 24s: first Four patterns 20t, 24t: Fifth pattern 20u, 24u: Sixth pattern 22: First conductor layer 24, 114: Second signal wiring pattern 26: Second conductor layer 28, 106: Interlayer insulating layer 30, 116: Via ( Signal via) 32: third conductor layer 34: fourth conductor layer 36: via (first via for securing return path, first via) 38, 42, 54, 58: opening 40: via (Return path second via for securing, the second via) 44: resist film 50: Driver IC 52, 56, 60: Land 104: Ground layer 108: power source layer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1主表面に電子回路部品を搭載する多
層の配線構造基板において、 前記第1主表面を有する第1絶縁層と、 前記基板の前記第1主表面とは反対側の第2主表面を有
する第2絶縁層と、 前記第1主表面の、前記電子回路部品の搭載領域以外の
領域に形成された第1信号配線パターンと、 前記第1絶縁層の前記第1信号配線パターンとは反対側
の面に形成された第1導体層と、 前記第2主表面に形成された第2信号配線パターンと、 前記第2絶縁層の前記第2信号配線パターンとは反対側
の面に形成された第2導体層と、 前記基板を貫通して設けられ、かつ前記第1信号配線パ
ターンと前記第2信号配線パターンとを電気的に接続す
る信号ビアと、 前記第1主表面の、前記電子回路部品の搭載領域および
前記第1信号配線パターン形成領域以外の領域に設けら
れた、該電子回路部品および第1信号配線パターンとは
電気的に非接続の第3導体層と、 前記第2主表面の、前記第2信号配線パターン以外の領
域に設けられた、当該第2信号配線パターンとは電気的
に非接続の第4導体層と、 第1絶縁層を貫通して設けられ、かつ前記第2導体層と
前記第3導体層とを電気的に接続するリターンパス確保
用第1ビアと、 前記第2絶縁層を貫通して設けられ、かつ前記第1導体
層と前記第4導体層とを電気的に接続するリターンパス
確保用第2ビアとを具えたことを特徴とする配線構造基
板。
1. A multi-layer wiring structure substrate on which electronic circuit components are mounted on a first main surface, wherein: a first insulating layer having the first main surface; and a second insulating layer having a first main surface opposite to the first main surface. A second insulating layer having two main surfaces; a first signal wiring pattern formed in a region of the first main surface other than a mounting region of the electronic circuit component; and a first signal wiring of the first insulating layer. A first conductor layer formed on a surface opposite to the pattern, a second signal wiring pattern formed on the second main surface, and a second signal wiring pattern on the second insulating layer opposite to the second signal wiring pattern; A second conductor layer formed on a surface, a signal via provided through the substrate and electrically connecting the first signal wiring pattern and the second signal wiring pattern; and the first main surface. Mounting area of the electronic circuit component and the first signal wiring A third conductor layer provided in a region other than the ground formation region and electrically disconnected from the electronic circuit component and the first signal wiring pattern; and a portion of the second main surface other than the second signal wiring pattern. A fourth conductor layer electrically disconnected from the second signal wiring pattern, and a second conductor layer and the third conductor layer provided through the first insulating layer. A first via for securing a return path electrically connecting the first conductor layer to the first conductor layer and a first via for securing a return path electrically connecting the first conductor layer to the fourth conductor layer. A wiring structure substrate, comprising: a second via for use.
【請求項2】 請求項1に記載の配線構造基板におい
て、 前記第1ビアおよび前記第2ビアは、 それぞれ、前記信号ビアに近接させて設けてあることを
特徴とする配線構造基板。
2. The wiring structure board according to claim 1, wherein the first via and the second via are provided close to the signal via, respectively.
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の配線構
造基板において、 前記第3導体層は、前記第1信号配線パターンに沿って
設けてあり、 前記第4導体層は、前記第2信号配線パターンに沿って
設けてあることを特徴とする配線構造基板。
3. The wiring structure board according to claim 1, wherein the third conductor layer is provided along the first signal wiring pattern, and wherein the fourth conductor layer is provided on the second signal wiring pattern. A wiring structure substrate provided along a signal wiring pattern.
【請求項4】 請求項1〜3のうちのいずれか1項に記
載の配線構造基板において、 前記第3導体層は、前記搭載領域および第1信号配線パ
ターン形成領域以外の、前記第1主表面の領域全体にわ
たって形成されており、 前記第4導体層は、前記第2信号配線パターン形成領域
以外の、前記第2主表面の領域全体にわたって形成され
ていることを特徴とする配線構造基板。
4. The wiring structure board according to claim 1, wherein the third conductor layer is formed in a region other than the mounting region and the first signal wiring pattern forming region. A wiring structure substrate, wherein the wiring layer is formed over the entire surface region, and the fourth conductor layer is formed over the entire second main surface region other than the second signal wiring pattern formation region.
【請求項5】 請求項1〜4のうちのいずれか1項に記
載の配線構造基板において、 前記第1導体層と前記第2導体層との間に層間絶縁層が
設けられていることを特徴とする配線構造基板。
5. The wiring structure board according to claim 1, wherein an interlayer insulating layer is provided between the first conductor layer and the second conductor layer. Characteristic wiring structure board.
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