JP2002338589A

JP2002338589A - 光学活性なアゼチジンメタノールホスフィン配位遷移金属錯体、中間体、製造法および用途

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Publication number: JP2002338589A
Application number: JP2002064944A
Authority: JP
Inventors: Hasuira Heiki; ハスィラヘイキ; Takayuki Azumai; 隆行東井
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2001-03-14
Filing date: 2002-03-11
Publication date: 2002-11-27
Anticipated expiration: 2022-03-11
Also published as: JP4182242B2

Abstract

(57)【要約】【課題】光学活性なアゼチジンメタノールホスフィン
配位遷移金属錯体を提供すること。【解決手段】一般式（１）（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキ
ル基、置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ａ
ｒ１，Ａｒ２はそれぞれ、置換基を有していてもよいア
ルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置
換基を有していてもよいアリール基またはアリールオキ
シ基を示し、Ｍは遷移金属を示し、Ｘ−は対イオンを示
し、ｍは０〜４の整数を示し、Ｌ１，Ｌ２はそれぞれ独
立にまたは一体となって配位子を示し、＊は不斉炭素を
示す。さらにＡｒ１，Ａｒ２は互いに結合を形成してい
てもよい。）で示される光学活性なアゼチジンメタノー
ルホスフィン配位遷移金属錯体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不飽和有機化合物
の不斉化触媒として有用な光学活性なアゼチジンメタノ
ールホスフィン配位遷移金属錯体、光学活性なアゼチジ
ンメタノールホスフィン誘導体、その製造法および用途
に関する。

【０００２】

【従来の技術】下記一般式（１）で示される光学活性な
アゼチジンメタノールホスフィン配位遷移金属錯体とし
ては、マーチンスら（Synlett., 1998, Vol. 10, pp116
2）が知られているが、これはＲ１、Ｒ２が水素原子で
あるものに限られかつその不斉化触媒としての能力もき
わめて低いものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】不飽和有機化合物の不
斉化触媒として、工業的規模での製造に適しかつ高性能
な触媒開発が望まれていた。

【０００４】

【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、工
業的に入手容易な光学活性なアゼチジンカルボン酸エス
テル類を原料として用い、有用かつ新規な不飽和有機化
合物の不斉化触媒を開発すべく鋭意検討した結果、本発
明に至った。

【０００５】すなわち本発明は、一般式（１）（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキ
ル基、置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ａ
ｒ１，Ａｒ２はそれぞれ、置換基を有していてもよいア
ルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置
換基を有していてもよいアリール基またはアリールオキ
シ基を示し、Ｍは遷移金属を示し、Ｘ−は対イオンを示
し、ｍは０〜４の整数を示し、Ｌ１，Ｌ２はそれぞれ独
立にまたは一体となって配位子を示し、＊は不斉炭素を
示す。さらにＡｒ１，Ａｒ２は互いに結合を形成してい
てもよい。）で示される光学活性なアゼチジンメタノー
ルホスフィン配位遷移金属錯体；一般式（２）（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキ
ル基、置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ａ
ｒ１，Ａｒ２はそれぞれ、置換基を有していてもよいア
ルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置
換基を有していてもよいアリール基またはアリールオキ
シ基を示す。さらにＡｒ１，Ａｒ２は互いに結合を形成
していてもよい。＊は不斉炭素を示す。）で示される光
学活性なアゼチジンメタノールホスフィン誘導体；一般式（３）（式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ置換基を有していてもよ
いアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル
基、置換基を有していてもよいアリール基をそれぞれ示
す。＊は不斉炭素を示す）で示される光学活性なアゼチ
ジンメタノール誘導体と一般式（４）ＰＸＡｒ１Ａｒ２（４）（式中、Ｘはハロゲン原子、Ａｒ１，Ａｒ２はそれぞ
れ、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有
していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよ
いアリール基またはアリールオキシ基を示す。Ａｒ１，
Ａｒ２は互いに結合を形成していてもよい）で示される
ホスフィン類を反応させることを特徴とする一般式
（２）で示される光学活性なアゼチジンメタノールホス
フィン誘導体の製造法；および用途を提供するものであ
る。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の一般式（１）で示される光学活性なアゼチジン
メタノールホスフィン配位遷移金属錯体は、不飽和有機
化合物の不斉化方法において、触媒として用いることが
できる。

【０００７】本発明の原料化合物となる一般式（３）で
示される光学活性なアゼチジンメタノール類は、一般式
（６）（式中、Ｒ３は水素原子またはエステルを構成するアル
コール残基を示す。Ｚは水素原子またはアミノ基の保護
基を示す。＊は不斉炭素を示す。）で示される光学活性
なアゼチジンカルボン酸エステル類を、Grignard試薬等
の有機金属アルキル化剤で、一挙にもしくは逐次的にア
ルキル化し、その後、Ｚがアミノ基の保護基である場合
には脱保護することにより、一般式（３）で示される光
学活性なアゼチジンメタノール誘導体を得ることができ
る。

【０００８】本発明に用いられる一般式（１）で示され
る光学活性なアゼチジンメタノールホスフィン配位遷移
金属錯体および一般式（２）で示される光学活性なアゼ
チジンメタノールホスフィン誘導体の置換基においてＲ
１、Ｒ２で示される置換基を有していてもよいアリール
基としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ビフ
ェニル基、フリル基、チエニル基など、置換基を有して
いてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソ
ブチル基、ｔ−ブチル基、n−アミル基、ネオペンチル
基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシ
ル基、n−オクチル基、n−ノニル基、メンチル基、２，
３，４−トリメチル−３−ペンチル基、２，４−ジメチ
ル−３−ペンチル基などが、置換基を有していてもよい
アラルキル基としては、ベンジル基、２−フェニルエチ
ル基、２−ナフチルエチル基、ジフェニルメチル基など
がそれぞれ例示される。これらの基がさらに置換されて
いる場合の置換基としては、本発明の効果を阻害しない
ものであれば特に制限されず、例えば、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、t−ブトキシ
基などのアルコキシル基、フェノキシ基などのアリール
オキシ基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、t−ブチル基、n−アミル基、n−ヘキシル基
などの低級アルキル基、n−プロピルチオ基、t−ブチル
チオ基などの低級アルキルチオ基、フェニルチオ基など
のアリールチオ基、ニトロ基、スルホン酸基などが例示
される。

【０００９】Ａｒ１，Ａｒ２で示される置換基を有して
いてもよいアリール基としては、フェニル基、ナフチル
基、ビフェニル基、フリル基、チエニル基など、置換基
を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル
基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、n−アミル基、ネオ
ペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、シク
ロヘキシル基、n−オクチル基、n−ノニル基、メンチル
基、２，３，４−トリメチル−３−ペンチル基、２，４
−ジメチル−３−ペンチル基、その他、３，３’−ビフ
ェニル２価残基などがそれぞれ例示される。また、アリ
ールオキシ基としては、フェニルオキシ基、トリルオキ
シ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基、ビフェニ
ルオキシ基などが例示される。これらの基がさらに置換
されている場合の置換基としては、本発明の効果を阻害
しないものであれば特に制限されず、例えば、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原
子、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、t−ブ
トキシ基などのアルコキシル基、フェノキシ基などのア
リールオキシ基、メチル基、エチル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、t−ブチル基、n−アミル基、n−ヘキ
シル基などの低級アルキル基、n−プロピルチオ基、t−
ブチルチオ基などの低級アルキルチオ基、フェニルチオ
基などのアリールチオ基、ニトロ基、スルホン酸基など
が例示される。

【００１０】Ｍで示される遷移金属の例としては、好ま
しくはロジウム、ルテニウム、パラジウム、イリジウ
ム、白金などが挙げられる。

【００１１】Ｘ−で示される対イオンの例としては、好
ましくはフッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、沃素
イオン、過塩素酸根、ヘキサフルオロ燐酸根、テトラフ
ロオロ硼酸根、トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸
根、トリフルオロメタンスルホン酸根などがあげられ
る。

【００１２】Ｌ１、Ｌ２で示される配位子としては、遷
移金属に配位するものであればよく、一酸化炭素、一酸
化窒素、ＮＨ２なども含め、塩素、臭素等のハロゲン、
オレフィン類配位子、アセチレン類配位子、芳香族化合
物配位子、有機含酸素化合物配位子、有機含硫黄化合物
配位子、有機含窒素化合物配位子などが挙げられる。

【００１３】上記オレフィン類配位子としては、例え
ば、エチレン、アリール、ブタジエン、シクロヘキセ
ン、１，３−シクロヘキサジエン、１，５−シクロオク
タジエン、シクロオクタトリエン、ノルボルナジエン、
アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、シクロペ
ンタジエニル、ペンタメチルシクロペンタジエニル、な
どが例示される。また一般に配位子としてよく用いられ
る５員環化合物として、下記一般式で示される５員環化
合物が挙げられる。

【００１４】（式中、Ra〜Reは同一または相異なり、水素原子、ハロ
ゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換
基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有してい
てもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルケ
ニル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基また
はアルキルオキシカルボニル基をそれぞれ示す。具体的
には、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子などが、アルキル基としては、たと
えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、n−
アミル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘ
キシル基、n−オクチル基、n−ノニル基、メンチル基、
２，３，４−トリメチル−３−ペンチル基、２，４−ジ
メチル−３−ペンチル基などが、アラルキル基としては
ベンジル基、２−フェニルエチル基、２−ナフチルエチ
ル基、ジフェニルメチル基などが、アリール基としては
フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フリル基、チ
エニル基、などが、アルケニル基としては２−メチル−
１−プロペニル基、２−ブテニル基、トランス−β−ス
チリル基、３−フェニル−１−プロペニル基、１−シク
ロヘキセニル基などが、アルコキシル基としてはメトキ
シ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、t−ブトキシ基な
どが、アリールオキシ基としてはフェノキシ基などが、
アルキルオキシカルボニル基としてはメトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブチルオキシカルボ
ニル基、ベンジルオキシカルボニル基などが、アリール
オキシカルボニル基としてはフェニルオキシカルボニル
基などがそれぞれ例示される。これらの基がさらに置換
基で置換されている場合の置換基としては、前記したと
同様のハロゲン原子、前記したと同様のアルコキシル
基、前記したと同様のアリールオキシ基、メチル基、エ
チル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、
n−アミル基、n−ヘキシル基などの低級アルキル基、n
−プロピルチオ基、t−ブチルチオ基などの低級アルキ
ルチオ基、フェニルチオ基などのアリールチオ基、ニト
ロ基、水酸基などが例示される。置換基はその数は１〜
５の任意の数であり、置換位置は任意の位置を選ぶこと
ができる。

【００１５】アセチレン類配位子としては、アセチレ
ン、１，２−ジメチルアセチレン、１，４−ペンタジイ
ン、１，２−ジフェニルアセチレンなどが例示される。

【００１６】芳香族化合物配位子としては、ベンゼン、
ｐ−シメン、メシチレン、ヘキサメチルベンゼン、ナフ
タレン、アントラセンなどが例示されるが、一般に配位
子としてよく用いられる芳香族化合物としては、下記一
般式で示される環式芳香族化合物が挙げられる。（式中、Ｒｆは、同一または相異なり、水素原子、飽和
または不飽和炭化水素基、アリール基、異原子を含む官
能基を示し、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、t-ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘ
プチル等のアルキル基、シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキ
ル基、ベンジル、ビニル、アリール、フェニル、ナフチ
ルなどの不飽和炭化水素等の基、ヒドロキシル基、アル
コキシ基、アルコキシカルボニル基等の異原子を含む官
能基を示すことができる。置換基の数は１〜６の任意の
数であり、置換位置は任意である。）

【００１７】有機含酸素化合物配位子としては、例え
ば、アセテート、ベンゾエート、アセチルアセトナート
などが例示される。有機含硫黄化合物配位子としては、
例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルフィド、
チオフェン、二硫化炭素、硫化炭素、チオフェノールな
どが例示される。有機含窒素化合物配位子としては、例
えば、アセトニトリル、ベンゾニトリル、ｔ−ブチルイ
ソシアニド、ピリジン、１，１０−フェナントロリン、
２，２’−ビピリジルなどが例示される。

【００１８】一般式（１）で示される光学活性なアゼチ
ジンメタノールホスフィン配位遷移金属錯体は、一般式
（２）で示される光学活性なアゼチジンメタノールホス
フィンと下記一般式ＭＹｐＬｓ（式中、Ｍは前記の遷移金属を示し、Ｙは水素原子、ハ
ロゲン原子、無機又は有機酸残基、アルコキシ基または
ヒドロキシ基を示し、Ｌは上記で説明した配位子Ｌ１ま
たはＬ２を示し、ｐおよびｓはそれぞれ０〜６の整数を
示す。）で示される遷移金属錯体あるいはそのダイマー
とを反応させることにより製造することができる。

【００１９】上記遷移金属錯体としては、例えば、クロ
ロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）、
シクロペンタジエニルビス（トリフェニルホスフィン）
ロジウム（Ｉ）、ビス（１，５−シクロオクタジエン）
ジヨード二ロジウム（Ｉ）、ビス（１，５−シクロオク
タジエン）ロジウム（Ｉ）トリフルオロメタンスルホネ
ート、クロロ（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム
（Ｉ）ダイマー、クロロ（シクロペンタジエニル）ビス
（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、クロ
ロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（１，３−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）プロパン）ルテニウム（Ｉ
Ｉ）、クロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム（ＩＩ）、
ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム
（ＩＩ）、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）イ
リジウム（Ｉ）、ペンタメチルシクロペンタジエニルビ
ス（エチレン）イリジウム（Ｉ）、クロロ（１，５−シ
クロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー、（エチ
レン）ビス（トリフェニルホスフィン）白金（０）、ト
ランス−［クロロ（エチル）ビス（トリエチルホスフィ
ン）白金（ＩＩ）］、シス−［ジエチルビス（トリエチ
ルホスフィン）白金（ＩＩ）］、ジクロロ（ノルボルナ
ジエン）白金（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホス
フィン）白金（０）などが例示される。もちろん本発明
に用いられる錯体はこれらに何ら限定されるものではな
い。

【００２０】一般式（１）で示される光学活性なアゼチ
ジンメタノールホスフィン配位遷移金属錯体は、一般に
は、例えば以下の方法で製造することができる。一般式
（２）で示される光学活性なアゼチジンメタノールホス
フィン誘導体を溶媒に溶解し、上記の遷移金属錯体を加
える。得られた反応溶液を濃縮することにより一般式
（１）で示される光学活性なアゼチジンメタノールホス
フィン配位遷移金属錯体が得られる。反応生成物が沈殿
として得られる場合はそのまま固形物を単離してもよ
い。上記操作は通常、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下
にて実施される。かかる反応で使用される溶媒として
は、本反応を阻害しないものであれば特に制限されない
が、たとえば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル
のごときエーテル類、トルエン、ベンゼンのごとき不飽
和炭化水素類、ヘキサン、シクロヘキサンのごとき炭化
水素類、ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼ
ンのごときハロゲン化炭化水素である。さらに好ましく
はテトラヒドロフラン、ジエチルエーテルのごときエー
テル類である。

【００２１】次に、一般式（１）で示される光学活性な
アゼチジンメタノールホスフィン配位遷移金属錯体を用
いた不飽和有機化合物の不斉水素添加還元方法について
述べる。一般式（１）で示される光学活性なアゼチジン
メタノールホスフィン配位遷移金属錯体の使用量は反応
条件や経済性によって異なるが反応基質である不飽和有
機化合物に対するモル比で、通常、１／１０〜１／１０
０，０００程度用いることができ、好ましくは１／５０
〜１／１０，０００程度の範囲である。

【００２２】かかる水素添加還元反応においては、特に
使用される金属がイリジウムの場合には、収率および選
択率（生成物の光学純度）を向上させるため通常使われ
る添加剤を加えることが望ましい。このような添加剤の
具体的な例としては、ベンジルアミン、ノルマルブチル
アミン、トリエチルアミン、などのアミン化合物、テト
ラノルマルブチルアンモニウムヨード、トリヨウ化ビス
マス、ヨウ化カリウムなどのヨウ化物、フタルイミドな
どのイミド化合物が例示される。これらの添加剤の使用
量は、一般式（１）で示される光学活性なアゼチジンメ
タノールホスフィン配位遷移金属錯体１モルに対して0.
1〜20モル程度、好ましくは１〜5モル程度用いられる。

【００２３】また本水素添加還元反応では通常、溶媒が
用いられる。かかる溶媒としては、反応原料、触媒系を
可溶化するものが好ましく用いられる。具体例としては
例えばトルエン、キシレンなどの芳香族溶媒、ペンタ
ン、ヘキサンなどの脂肪族溶媒、塩化メチレンなどのハ
ロゲン含有炭化水素溶媒、エーテル、テトラヒドロフラ
ンなどのエーテル系溶媒、アルコール、エタノール、２
-プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコールなど
のアルコール系溶媒、アセトニトリル、DMF、Ｎ−メチ
ルピロリドン、ピリジン、DMSOなどヘテロ原子を含む有
機溶媒を用いることができる。これら溶媒は単独で用い
ることも、混合溶媒として用いることもできる。溶媒の
使用量は反応基質の溶解度および経済性により適宜決め
ることができる。

【００２４】本反応における水素の圧力は、通常、１〜
２００気圧程度の範囲で、好ましくは３〜１００気圧程
度の範囲が望ましい。

【００２５】反応温度は、通常、−４０〜１２０℃程度
の範囲で行うことができるが、経済性を考慮して、１５
〜１００℃程度で実施され、さらに好ましくは、２５〜
４０℃付近で反応を実施することができる。反応時間は
反応基質濃度、温度、圧力等の反応条件によって異なる
が通常、数分から３０時間程度で反応は完結する。また
本発明における反応は反応形式がバッチ式においても連
続式においても実施することができる。

【００２６】本発明における一般式（２）で示される光
学活性なアゼチジンメタノールホスフィン誘導体の具体
的な例としては、例えばＮ，Ｏ−ビス（ジアリールホス
フィノ）−α，α−ジメチル（アゼチジン−２−イル）
メタノール、Ｎ，Ｏ−ビス（ジアリールホスフィノ）−
α，α−ジエチル（アゼチジン−２−イル）メタノー
ル、Ｎ，Ｏ−ビス（ジアリールホスフィノ）−α，α−
ジイソプロピル（アゼチジン−２−イル）メタノール、
Ｎ，Ｏ−ビス（ジアリールホスフィノ）−α，α−ジベ
ンジル（アゼチジン−２−イル）メタノール、Ｎ，Ｏ−
ビス（ジアリールホスフィノ）−α，α−ジフェニル
（アゼチジン−２−イル）メタノール、Ｎ，Ｏ−ビス
（ジアルキルホスフィノ）−α，α−ジメチル（アゼチ
ジン−２−イル）メタノール、Ｎ，Ｏ−ビス（ジアルキ
ルホスフィノ）−α，α−ジエチル（アゼチジン−２−
イル）メタノール、Ｎ，Ｏ−ビス（ジアルキルホスフィ
ノ）−α，α−ジイソプロピル（アゼチジン−２−イ
ル）メタノール、Ｎ，Ｏ−ビス（ジアルキルホスフィ
ノ）−α，α−ジベンジル（アゼチジン−２−イル）メ
タノール、Ｎ，Ｏ−ビス（ジアルキルホスフィノ）−
α，α−ジフェニル（アゼチジン−２−イル）メタノー
ルなどが挙げられる。ここで、アリールとはフェニル、
ｏ−トリル、１−ナフチルなどであり、アルキルとはメ
チル、エチル、シクロヘキシル、ｔ−ブチルなどであ
る。

【００２７】一般式（１）で示される光学活性なアゼチ
ジンメタノールホスフィン配位遷移金属錯体は、上記一
般式（２）で示される光学活性なアゼチジンメタノール
ホスフィン誘導体から誘導される遷移金属錯体などを挙
げることができる。

【００２８】一般式（３）で示される光学活性なアゼチ
ジンメタノール誘導体から一般式（２）で示される光学
活性なアゼチジンメタノールホスフィン誘導体は以下の
ようにして合成することができる。一般式（３）で示さ
れる光学活性なアゼチジンメタノール誘導体と一般式
（４）で示されるホスフィン類とを通常、塩基存在化、
トルエン、ジクロロメタン、ジエチルエーテルのような
炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル等の有機溶媒
中で反応させることにより製造することができる。塩基
としては、反応を阻害しないものであれば特に制限され
ないが、好ましくは、トリエチルアミン、トリブチルア
ミン、ピリジン、キノリン等の有機アミンである。これ
らの塩基を使用するときに、４−ジメチルアミノピリジ
ン、４−ピロリジノピリジンなどを添加することにより
反応を促進させることができる。反応温度は通常−２０
℃〜１５０℃であるが特に好ましくは０℃〜５０℃程度
である。反応時間は、通常、３０分〜２０時間であるが
特に好ましくは１時間〜５時間程度である。反応終了
後、反応混合物から濃縮等により溶媒を除去し得られた
生成物は、濾過や必要に応じカラムクロマトグラフィー
や再結晶でさらに精製することができる。一般式（４）
で示されるホスフィン類としては、例えばクロロジフェ
ニルホスフィン、クロロジシクロヘキシルホスフィン、
クロロシクロヘキシルフェニルホスフィン、クロロジト
リルホスフィン、クロロ（メトキシフェニル）ホスフィ
ン、クロロジ（３、５−ジメチル−４−メトキシフェニ
ル）ホスフィンなどを例示することができる。これの使
用量は特に制限されないが、一般式（３）で示される光
学活性なアゼチジンメタノール誘導体に対して、通常、
２〜５倍モル、好ましくは２〜３倍モル程度用いられ
る。なお、一般式（５）（式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ置換基を有していてもよ
いアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基
をそれぞれ示す。＊は不斉炭素を示す。）で示される光
学活性なアゼチジンメタノール類は、新規化合物であ
る。

【００２９】

【発明の効果】本発明の一般式（１）で示される光学活
性なアゼチジンメタノールホスフィン配位遷移金属錯体
は、不飽和有機化合物の高性能な不斉化触媒として、工
業的規模での製造に有用である。

【００３０】

【実施例】以下実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。

【００３１】（参考例１）アルゴン雰囲気下、（Ｓ，
Ｓ）−２−（Ｎ−α−メチルベンジル）アゼチジンカル
ボン酸エチルエステル１０．０ｇ（４５．６ミリモル）
をジエチルエーテル１００ｍｌに溶解し、３Ｍメチルマ
グネシウムブロミドジエチルエーテル溶液４６ｍｌ（１
３７ミリモル）を徐々に滴下していく。滴下終了後２時
間加熱還流攪拌した。冷却後得られた反応混合物に塩化
アンモニウム飽和水溶液２００ｍｌを加え、水層はジエ
チルエーテルで抽出するとともに得られた有機層を水、
飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。
この有機層を濃縮し（Ｓ，Ｓ）−α、α−ジメチルー２
−（Ｎ−α−メチルベンジル）アゼチジンメタノール
９．２４ｇ（収率９２％）を黄色油状物質として得た。
ここで得た（Ｓ，Ｓ）−α、α−ジメチルー２−（Ｎ−
α−メチルベンジル）アゼチジンメタノール４．０ｇ
（１８．２ミリモル）をメタノール１００ｍｌ、水１０
ｍｌおよび酢酸２ｍｌの混合溶媒に溶解し、活性炭担持
の水酸化パラジウム３５０ｍｇを加え、水素気流化室温
にて１０時間反応した。得られた反応混合物は、セライ
ト濾過後、反応混合物を減圧下濃縮し得られた残渣を１
Ｎ塩酸５０ｍｌに溶解させジエチルエーテルで洗浄し
た。洗浄後の残渣を水酸化ナトリウム水溶液でアルカリ
性にした後、クロロホルム３０ｍｌで２回抽出し、得ら
れた有機層を水及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥、濃縮することにより、（Ｓ）−α、α−
ジメチル−２−アゼチジンメタノール１．５５ｇ（収率
７４％）を白色固体として得た。融点４９〜５０℃。

【００３２】（参考例２）参考例１において、メチルマ
グネシウムブロミドの代わりにエチルマグネシウムブロ
ミドを用いる以外は同様に反応、後処理して、（Ｓ）−
α、α−ジエチル−２−アゼチジンメタノールを白色固
体として得た。融点５４〜５５℃。

【００３３】（参考例３）参考例１において、メチルマ
グネシウムブロミドの代わりにイソプロピルマグネシウ
ムブロミドを用いる以外は同様に反応、後処理して、
（Ｓ）−α、α−ジイソプロピル−２−アゼチジンメタ
ノールを白色固体として得た。３００ＭＨｚＮＭＲ（重
クロロホルム、δ(ppm)）：０．８−１．０（１２Ｈ、
ｄ、イソプロピルＣＨ３）、１．８−１．８５（２Ｈ、
ｍ、イソプロピルＣＨ）、１．８５−２．０（１Ｈ、
ｍ）、２．４−２．５（１Ｈ、ｍ）、３．０−３．１
（１Ｈ、ｍ）、３．５−３．６（１Ｈ、ｍ）、４．２−
４．３（１Ｈ、ｔ、−ＣＨＮ−）

【００３４】（参考例４）アルゴン雰囲気下、（Ｓ，
Ｓ）−２−（Ｎ−α−メチルベンジル）アゼチジンカル
ボン酸メチルエステル５．０ｇ（２２．８ミリモル）を
ジエチルエーテル５０ｍｌに溶解し、１Ｍフェニルマグ
ネシウムブロミドＴＨＦ溶液６８．４ｍｌ（６８．４ミ
リモル）を徐々に滴下していく。滴下終了後２時間加熱
還流攪拌した。冷却後得られた反応混合物に塩化アンモ
ニウム飽和水溶液２００ｍｌを加え、水層はジエチルエ
ーテルで抽出するとともに得られた有機層を水、飽和食
塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。この有
機層を濃縮し粗（Ｓ，Ｓ）−α、α−ジフェニルー２−
（Ｎ−α−メチルベンジル）アゼチジンメタノール１
０．０ｇ（粗収率１２８％）を黄色油状物質として得
た。ここで得た（Ｓ，Ｓ）−α、α−ジフェニルー２−
（Ｎ−α−メチルベンジル）アゼチジンメタノール４．
６ｇ（１３．４ミリモル）をメタノール１００ｍｌ、水
１０ｍｌおよび酢酸２．５ｍｌの混合溶媒に溶解し、活
性炭担持の水酸化パラジウム５００ｍｇを加え、水素気
流化室温にて１０時間反応した。得られた反応混合物
は、セライト濾過後、反応混合物を減圧下濃縮し得られ
た残渣を２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液でアルカリ性にし
た後、クロロホルム３０ｍｌで２回抽出し、得られた有
機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥、濃縮した。得られた３．０６ｇの白色固体をヘキサ
ンから２回再結晶することにより、（Ｓ）−α、α−ジ
フェニル−２−アゼチジンメタノール２．０ｇ（収率６
２％）を白色固体として得た。

【００３５】（実施例１）参考例１で得た（Ｓ）−α、
α−ジメチル−２−アゼチジンメタノール２００ｍｇ
（１．７４ミリモル）、トリエチルアミン４５７ｍｇ
（４．５ミリモル）および４−ジメチルアミノピリジン
４２ｍｇ（０．３５ミリモル）を窒素雰囲気下、無水テ
トラヒドロフラン５ｍｌに溶解し、クロロジフェニルホ
スフィン９９６ｍｇ（４．５ミリモル）のテトラヒドロ
フラン３ｍｌ溶液を滴下し、室温で１９時間反応した。
得られた反応混合物は、ジエチルエーテルで希釈後、不
溶物を除去し、減圧濃縮した。得られた残渣をトルエン
でシリカゲルおよび塩基性アルミナでカラム精製し、
（Ｓ）−Ｎ，Ｏ−ビス（ジフェニルホスフィノ）−α、
α−ジメチル−２−アゼチジンメタノール６７９ｍｇ
（収率８１％）を無色油状物質として得た。３００ＭＨ
ｚＮＭＲ（重クロロホルム、δ(ppm)）：１．４（３
Ｈ、ｓ、ＣＨ３）、１．５４（３Ｈ、ｓ、ＣＨ３）、
１．９−２．０（１Ｈ、ｍ）、２．１−２．３（１Ｈ、
ｍ）、２．９−３．１（１Ｈ、ｍ）、３．４−３．５
（１Ｈ、ｍ）、４．０−４．１（１Ｈ、ｍ、−ＣＨＮ
−）、７．２−７．６（２０Ｈ、ｍ、フェニル）

【００３６】（実施例２）実施例１で得た（Ｓ）−Ｎ，
Ｏ−ビス（ジフェニルホスフィノ）−α、α−ジメチル
−２−アゼチジンメタノール１５０ｍｇ（０．３１ミリ
モル）をアルゴン雰囲気下、無水テトラヒドロフラン１
ｍｌに溶解し、ロジウムトリフレートシクロオクタジエ
ン錯体（Rh(COD)2OTf）１２１ｍｇ（０．２６ミリモ
ル）を加え、得られた赤色溶液を１時間攪拌した。その
後、無水ジエチルエーテル５ｍｌを加えたところ、オレ
ンジ色微粉末として（Ｓ）−Ｎ，Ｏ−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）−α、α−ジメチル−２−アゼチジンメタ
ノールのロジウムシクロオクタジエン錯体のトリフレー
ト塩１５４ｍｇ（収率７０％）で得た。

【００３７】（実施例３）参考例４で得た（Ｓ）−α、
α−ジフェニル−２−アゼチジンメタノール３００ｍｇ
（１．２５ミリモル）、トリエチルアミン３３０ｍｇ
（３．２５ミリモル）および４−ジメチルアミノピリジ
ン４２ｍｇ（０．３５ミリモル）を窒素雰囲気下、無水
テトラヒドロフラン５ｍｌに溶解し、クロロジフェニル
ホスフィン７２０ｍｇ（３．２５ミリモル）のテトラヒ
ドロフラン３ｍｌ溶液を滴下し、室温で７２時間反応し
た。得られた反応混合物は、濃縮した後、ジエチルエー
テルで希釈後、シリカゲルおよび塩基性アルミナで濾過
し、濾液を減圧濃縮した。得られた残渣を脱気したベン
ゼンに溶かし、シリカゲルおよび塩基性アルミナでカラ
ム精製し、（Ｓ）−Ｎ，Ｏ−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）−α、α−ジフェニル−２−アゼチジンメタノール
５８１ｍｇ（収率７７％）を白色固体として得た。３０
０ＭＨｚＮＭＲ（重クロロホルム、δ(ppm)）：１．９
−２．１（１Ｈ、ｍ）、２．２−２．４（１Ｈ、ｍ）、
２．８−３．０（２Ｈ、ｍ）、５．１−５．２（１Ｈ、
ｍ、）、７．１−７．６（３０Ｈ、ｍ、フェニル）

【００３８】（実施例４）実施例３で得た（Ｓ）−Ｎ，
Ｏ−ビス（ジフェニルホスフィノ）−α、α−ジフェニ
ル−２−アゼチジンメタノール１５０ｍｇ（０．２５ミ
リモル）をアルゴン雰囲気下、無水テトラヒドロフラン
１ｍｌに溶解し、ロジウムトリフレートシクロオクタジ
エン錯体（Rh(COD)2OTf）９６ｍｇ（０．２１ミリモ
ル）を加え、得られた赤色溶液を１時間攪拌した。その
後、無水ジエチルエーテル５ｍｌを加え溶液を穏やかに
濃縮し、残滓に無水ジエチルエーテルを加え、表面に浮
かんだ油状物を除去し、残滓に無水ジエチルエーテルを
加えたところ、オレンジ色微粉末が生成した。溶媒を除
去し、得られた固体を減圧下乾燥したところ（Ｓ）−
Ｎ，Ｏ−ビス（ジフェニルホスフィノ）−α、α−ジフ
ェニル−２−アゼチジンメタノールのロジウムシクロオ
クタジエン錯体のトリフレート塩６０ｍｇ（収率３０
％）で得た。

【００３９】（実施例５）α−アセチルアミノ−４−ク
ロロスチレン１００ｍｇと実施例２で得た（Ｓ）−Ｎ，
Ｏ−ビス（ジフェニルホスフィノ）−α、α−ジメチル
−２−アゼチジンメタノールのロジウムシクロオクタジ
エン錯体のトリフレート塩２．２ｍｇをアルゴン雰囲気
下でイソプロパノール３ｍｌに溶解する。オートクレー
ブ中水素圧１０ａｔｍ、４０℃にて６時間反応させた。
反応終了後、反応混合物を濃縮し残渣をシリカゲルクロ
マトグラフィーにて精製して、目的物である光学活性な
Ｎ−アセチル−（４−クロロ）−α−フェネチルアミン
９０ｍｇ（収率９０％）で得た。生成物の光学純度は、
光学活性な固定相を有するＨＰＬＣにて分析し、７１％
ｅｅであった。

【００４０】（実施例６〜13）実施例５に従い、反応触
媒、反応基質、反応溶媒、反応温度としてそれぞれ表１
に示した条件を使用する以外は同様に行った。結果を表
１に示す。

【表１】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０７Ｃ 233/13 Ｃ０７Ｃ 233/13 233/18 233/18 233/47 233/47 Ｃ０７Ｄ 205/04 Ｃ０７Ｄ 205/04 Ｃ０７Ｆ 9/568 Ｃ０７Ｆ 9/568 19/00 19/00 // Ｃ０７Ｂ 53/00 Ｃ０７Ｂ 53/00 Ｂ 61/00 ３００ 61/00 ３００Ｃ０７Ｍ 7:00 Ｃ０７Ｍ 7:00 Ｆターム(参考） 4G069 AA06 AA08 BA27A BA27B BC29A BC71B BE14A BE14B BE22B BE26A BE26B BE34B BE37B CB02 CB57 DA02 FA01 4H006 AA02 AC11 BA24 BA48 BE20 BJ50 BM30 BM72 BP30 BS10 BT12 BV22 4H039 CA19 CB10 4H050 AA01 AA02 AB40 AB84 WA15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（１）（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキ
ル基、置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ａ
ｒ１，Ａｒ２はそれぞれ、置換基を有していてもよいア
ルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置
換基を有していてもよいアリール基またはアリールオキ
シ基を示し、Ｍは遷移金属を示し、Ｘ−は対イオンを示
し、ｍは０〜４の整数を示し、Ｌ１，Ｌ２はそれぞれ独
立にまたは一体となって配位子を示し、＊は不斉炭素を
示す。さらにＡｒ１，Ａｒ２は互いに結合を形成してい
てもよい。）で示される光学活性なアゼチジンメタノー
ルホスフィン配位遷移金属錯体。
【請求項２】一般式（２）（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキ
ル基、置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ａ
ｒ１，Ａｒ２はそれぞれ、置換基を有していてもよいア
ルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置
換基を有していてもよいアリール基またはアリールオキ
シ基を示す。さらにＡｒ１，Ａｒ２は互いに結合を形成
していてもよい。＊は不斉炭素を示す。）で示される光
学活性なアゼチジンメタノールホスフィン誘導体。
【請求項３】一般式（３）（式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ置換基を有していてもよ
いアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル
基、置換基を有していてもよいアリール基をそれぞれ示
す。＊は不斉炭素を示す）で示される光学活性なアゼチ
ジンメタノール誘導体と一般式（４）ＰＸＡｒ１Ａｒ２（４）（式中、Ｘはハロゲン原子、Ａｒ１，Ａｒ２はそれぞ
れ、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有
していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよ
いアリール基またはアリールオキシ基を示すし。Ａｒ
１，Ａｒ２は互いに結合を形成していてもよい）で示さ
れるホスフィン類とを反応させることを特徴とする前記
一般式（２）で示される光学活性なアゼチジンメタノー
ルホスフィン誘導体の製造法。
【請求項４】一般式（５）（式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ置換基を有していてもよ
いアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基
をそれぞれ示す。＊は不斉炭素を示す。）で示される光
学活性なアゼチジンメタノール類。
【請求項５】請求項１記載の光学活性なアゼチジンメタ
ノールホスフィン配位遷移金属錯体の存在下に不飽和有
機化合物を不斉還元する方法。