JP2002329715A - Ｔｅ系化合物半導体結晶の表面処理方法およびＴｅ系化合物半導体結晶 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光度のバラツキを抑え、優れた発光特性を有
する光電変換機能素子を製造するためのＴｅ系化合物半
導体結晶の表面処理方法およびＴｅ系化合物半導体結晶
を提供する。 【解決手段】 Ｔｅ系化合物半導体結晶基板の表面処理
において、臭化水素と過酸化水素を水１００に対する容
量比がそれぞれＸ，Ｙ（但し、１≦Ｘ≦２４，０．０１
≦Ｙ≦１０，３≦Ｘ＋Ｙ≦２５）となるように混合した
エッチャントを用いてＴｅ系化合物半導体結晶の表面を
エッチングする第１のエッチング工程と、前記第１のエ
ッチング工程の後に、低濃度の酸または低濃度の酸と少
量の過酸化水素を混合したエッチャントを用いて前記結
晶をエッチングする第２のエッチング工程と、を少なく
とも行うようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ
ｅＴｅ、ＺｎＭｎＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなどのＴｅ系化合
物半導体結晶の表面処理方法に関し、特に光電変換機能
素子に使用するＴｅ系化合物半導体結晶基板の前処理に
適用して好適な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】周期表第１２（２Ｂ）族元素及び第１６
（６Ｂ）族元素からなる化合物半導体（以下、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体と称する）および周期表第１３（３
Ｂ）族元素及び第１５（５Ｂ）族元素からなる化合物半
導体（以下、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体という。）は、
種々の禁制帯幅を有するため、光学的特性もそれぞれ異
なっている。

【０００３】そのため、これらのＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、禁制帯幅を適
当に選択することにより所望の波長の光を得ることが可
能であることから、発光ダイオードやレーザダイオード
等の光電変換機能素子の材料として注目されている。

【０００４】例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体につい
ては、窒化ガリウム（ＧａＮ），燐化ガリウム（Ｇａ
Ｐ），砒化ガリウム（ＧａＡｓ），燐化インジウム（Ｉ
ｎＰ）等の材料を用いて、紫外線域から赤外線域の光を
発光する発光ダイオード等の光電変換機能素子が工業的
に製造されている。

【０００５】一方、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体について
は、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ），テルル化亜鉛（ＺｎＴ
ｅ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の材料を用いた光デバイス
が試作されている。

【０００６】この内、特にＺｎＴｅは、禁制帯幅が２．
２６ｅＶであるため、純緑色（５５０ｎｍ）の発光ダイ
オードの材料として有望視されている。また加えて、Ｚ
ｎＴｅは直接遷移型であるため、高輝度な緑色発光がで
きるものと期待されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ＺｎＴ
ｅ化合物半導体結晶を基板とした発光ダイオードの製造
において、基板表面をラッピングやポリッシングによっ
て鏡面研磨する際に加工変質層が形成されることが知ら
れている。そして、この加工変質層は発光ダイオードの
電気特性を低下させる原因の一つとなっている。

【０００８】そこで、本発明者等は、アルミニウム（Ａ
ｌ）等の拡散源を拡散させる前に、臭素（Ｂｒ）をメタ
ノール溶液に混合した２％の臭素系エッチャント（以
下、２％ブロメタ溶液と称する）を用いて基板表面のエ
ッチングを行い加工変質層を除去する方法を考えた。

【０００９】しかしながら、上記２％ブロメタ溶液でＺ
ｎＴｅ化合物半導体結晶基板の表面をエッチングする
と、臭素が基板表面に残留し易く、また、エッチング中
に生成される臭化テルルや臭化亜鉛が基板表面に付着す
るため、拡散が不均一となり、ｐｎ接合の形成される位
置も不均一となってしまうことが判った。

【００１０】そのため、上記２％ブロメタ溶液で表面を
エッチングした基板を用いて作製された発光ダイオード
においては、光度のバラツキが大きくなったり、歩留ま
りが低下してしまうという不具合が生じた。

【００１１】本発明は、発光光度のバラツキが少なく、
光電変換機能素子を歩留まりよく製造するのに有効なＴ
ｅ系化合物半導体結晶の表面処理方法およびＴｅ系化合
物半導体結晶を提供することを主な目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するためになされたものであり、臭化水素と過酸化
水素を水１００に対する容量比がそれぞれＸ，Ｙ（但
し、１≦Ｘ≦２４，０．０１≦Ｙ≦１０，３≦Ｘ＋Ｙ≦
２５）となるように混合したエッチャントを用いてＴｅ
系化合物半導体結晶の表面をエッチングする第１のエッ
チング工程と、前記第１のエッチング工程の後に、低濃
度の酸または低濃度の酸と少量の過酸化水素を混合した
エッチャントを用いて前記結晶をエッチングする第２の
エッチング工程と、を少なくとも行うようにしたＴｅ系
化合物半導体結晶基板の表面処理方法である。前記低濃
度の酸として、例えば、フッ酸、塩酸、クエン酸、硫
酸、硝酸等の酸を利用することができる。

【００１３】なお、第２のエッチングは、結晶表面のＴ
ｅとＩＩ族元素との表面組成比を制御するものであるか
ら、第１のエッチングのように加工変質層を除去するエ
ッチングに比較して通常はエッチング量は少なくなる。

【００１４】この表面処理方法によれば、第１のエッチ
ング工程でＴｅ系化合物半導体結晶の表面を平坦性に優
れた鏡面状態に保ちつつ加工変質層を除去することがで
きるので、良好な表面状態を有するＴｅ系化合物半導体
結晶を得ることができる。また、Ｔｅ系化合物半導体結
晶においては、酸系溶液にはＴｅよりもＩＩ族元素の方
が溶解しやすいという特徴を利用して、第２のエッチン
グにより表面のＩＩ族元素を溶解することにより、結晶
表面のＴｅとＩＩ元素との組成比を１．３５から２．０
に制御できるので、光電変換素子の基板材料として適し
たＴｅ系化合物半導体結晶を得ることができる。

【００１５】また、第２のエッチング工程では、濃度の
高い酸系エッチャントを用いると結晶表面のＴｅとＩＩ
族元素との組成比が大きくなりすぎたり表面あれが発生
したりするので、低濃度の酸系エッチャントを用いる。
望ましくは、前記第２のエッチング工程では、２．５％
から１８％のクエン酸系のエッチャントを用いるとよ
い。

【００１６】また、結晶表面のＴｅとＩＩ族元素との組
成比が１．３５から２．０の範囲に制御されたＴｅ系化
合物半導体結晶は、良好な発光特性を有する光電変換機
能素子の基板材料として有用である。。

【００１７】以下に、本発明を完成するに至った過程に
ついて説明する。先に、本発明者等は、Ｔｅ系化合物半
導体結晶の表面処理に関する技術として、ＺｎＴｅ系化
合物半導体結晶基板に拡散源を拡散させてｐｎ接合を形
成し光電変換機能素子を製造する際の前処理として、基
板上に拡散源を配置する前に臭化水素系のエッチャント
を用いて基板表面をエッチングする表面処理方法につい
て提案した（特願平１１−３０４５４０号）。

【００１８】この方法は、従来のブロメタ溶液でエッチ
ングするとエッチング工程でテルル化臭素が生じてしま
い、拡散源の拡散に悪影響を及ぼすいう問題点を解決す
るために提案されたものである。すなわち、エッチング
により臭化テルル等の付着物が発生しないように、ブロ
メタ溶液の代替エッチャントを検討した結果、臭化水素
系のエッチャントが有効であることを見出して完成に至
った発明である。

【００１９】この技術によれば、Ｔｅ系化合物半導体結
晶基板上に臭化テルル等の付着物は発生しないので、拡
散源を基板に均一に拡散させることができた。

【００２０】本発明者等は、前記先願で提案した臭化水
素系のエッチャントによる表面処理方法をもとに、より
安定した発光特性を有する光電変換機能素子を製造すべ
く臭化水素系のエッチャントの混合比（臭化水素：過酸
化水素：水）について検討を重ねた。

【００２１】まず、臭化水素と過酸化水素と水の混合比
を変えて生成したエッチャントでエッチングする実験を
行い、それぞれのエッチャントの混合比と析出したＴｅ
の量、表面荒れの程度との関係について検討した。

【００２２】その結果、臭化水素と過酸化水素の濃度が
高く、水１００ｃｃに対して両者の合計容量が２５ｃｃ
を越えると、大量にＴｅが析出したり表面の荒れが起き
たりすることがわかった。また、臭化水素と過酸化水素
の濃度が低く、水１００ｃｃに対して両社の合計容量が
３ｃｃ以下となると、１時間以上エッチングしても加工
変質層を除去するに至らず、その上表面に大量のＴｅが
析出することがわかった。

【００２３】これより、エッチャント中の臭化水素と過
酸化水素の合計容量は水１００に対して３以上２５以下
とすれば、結晶表面の荒れが発生したり加工変質層が残
留したりすることはなくなるので、光電変換機能素子の
発光特性に悪影響を与えることなく良好な発光特性を有
する光電変換機能素子が作製できると考えられる。

【００２４】また、前記エッチャントに混合される臭化
水素および過酸化水素の混合比について、水１００に対
する臭化水素の容量割合Ｘが１≦Ｘ≦２４の範囲で、水
１００に対する過酸化水素の容量割合Ｙが０．０１≦Ｙ
≦１０の範囲であると効率よくエッチングされることを
見出した。

【００２５】すなわち、臭化水素と過酸化水素と水を容
量比がＸ：Ｙ：１００（１≦Ｘ≦２４，０．０１≦Ｙ≦
１０，３≦（Ｘ＋Ｙ）≦２５）となるように混合した溶
液をエッチャントとして用いてＴｅ系化合物半導体結晶
をエッチングすることにより、表面荒れを生じることな
く加工変質層を除去することができることがわかった。
なお、上記エッチャントを用いてエッチングした場合に
Ｔｅ系化合物半導体結晶表面に臭化テルル等の付着物が
発生することもなかった。

【００２６】さらに、本発明者等は、良好な発光特性を
有する光電変換素子を製造するためにＴｅ系化合物半導
体結晶の表面組成比（Ｔｅ／ＩＩ族元素）に着目して鋭
意研究を重ねた。具体的には、以下の４つの表面処理方
法によりＺｎＴｅ化合物半導体結晶に前処理を施して表
面組成比の異なる結晶基板を作製し、それぞれの結晶基
板を用いて作製した発光ダイオードの発光特性を比較し
た。

【００２７】（１）臭化水素と過酸化水素と水を容量比
がＸ：Ｙ：１００（１≦Ｘ≦２４，０．０１≦Ｙ≦１
０，３≦（Ｘ＋Ｙ）≦２５）となるように混合したエッ
チャントでＺｎＴｅ化合物半導体結晶の表面をエッチン
グする。 （２）（１）と同様にＺｎＴｅ化合物半導体結晶を臭化
水素系のエッチャントでエッチングした後、さらに水素
または窒素中で４５０℃以下の温度で熱処理を施す。 （３）（１）と同様にＺｎＴｅ化合物半導体結晶を臭化
水素系のエッチャントでエッチングした後、さらにクエ
ン酸と過酸化水素水を混合した７．５％のクエン酸系の
エッチャントを用いてエッチングする。 （４）（１）と同様にＺｎＴｅ化合物半導体結晶を臭化
水素系のエッチャントでエッチングした後、さらにクエ
ン酸と過酸化水素水を混合した４５％のクエン酸系のエ
ッチャントを用いてエッチングする。

【００２８】上記（１）〜（４）の表面処理方法により
得られたＺｎＴｅ化合物半導体結晶の表面をＸＰＳによ
り測定し、結晶表面のＴｅとＺｎの組成比を調べた結
果、（１）の表面処理方法により得られたＺｎＴｅ結晶
ではＴｅ／Ｚｎ比は１．２５〜１．３５の範囲であり、
ややＴｅリッチであった。また、（２）の表面処理方法
により得られたＺｎＴｅ結晶では、水素、窒素のどちら
の雰囲気中で熱処理を行った場合も、Ｔｅ／Ｚｎ比は
１．０２〜１．０９の範囲であった。また、（３）の表
面処理方法により得られたＺｎＴｅ結晶では、Ｔｅ／Ｚ
ｎ比は１．３５〜２．０の範囲でＴｅリッチとなり、
（４）の表面処理方法により得られたＺｎＴｅ結晶で
は、Ｔｅ／Ｚｎ比は２．２〜２．７の範囲で最もＴｅリ
ッチとなった。

【００２９】そして、上述した方法で表面処理を施した
ＺｎＴｅ化合物半導体結晶を基板として発光ダイオード
を作製し、それぞれについて発光試験を行った。その結
果を表１に示す。

【００３０】

【表１】

【００３１】なお、表１に示す発光試験結果では、
（１）の表面処理方法により得られたＺｎＴｅ結晶を基
板として作製した試料Ｎｏ．１の発光ダイオードで得ら
れた発光強度を基準にして試料Ｎｏ．２〜Ｎｏ．４を評
価している。

【００３２】（２）の表面処理方法により得られたＺｎ
Ｔｅ結晶を基板とした試料Ｎｏ．２は発光したが光度は
試料Ｎｏ．１の１／５程度であった。（３）の表面処理
方法により得られたＺｎＴｅ結晶を基板とした試料Ｎ
ｏ．３はＮｏ．１よりもやや明るく発光した。（４）の
表面処理方法により得られたＺｎＴｅ結晶を基板とした
試料Ｎｏ．４は前処理後の表面が黒っぽくなり表面荒れ
が発生しており発光も観察できなかった。

【００３３】これより、ＺｎＴｅ結晶表面のＴｅとＺｎ
の組成比Ｔｅ／Ｚｎが１．２５〜２．０であるとき、良
好な発光特性を得られ、特に表面組成比Ｔｅ／Ｚｎが
１．６５〜２．０であるときは光度が高くなることが分
かった。

【００３４】以上のことから、ＺｎＴｅ化合物半導体結
晶を臭素系エッチャントを用いてエッチングした後、さ
らに低濃度のクエン酸系のエッチャントを用いてエッチ
ングすることにより、ＺｎＴｅ結晶表面のＴｅとＺｎの
組成比を１．８付近に制御できることを見出し、さらに
表面組成比が１．８付近であるＺｎＴｅ結晶を基板とし
て用いることにより発光特性に優れた光電変換機能素子
を作製できることを発見した。

【００３５】なお、本発明は上述したようにＺｎＴｅ化
合物半導体結晶を用いた実験により見出されたものであ
るが、ＺｎＴｅ以外にも、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＭｎＴ
ｅ、ＣｄＺｎＴｅなどのＴｅ系化合物半導体結晶に適応
することができる。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
をＺｎＴｅ化合物半導体結晶について、実施例に基づい
て説明する。

【００３７】（実施例１）まず、純度６Ｎ以上の亜鉛
（Ｚｎ）とテルル（Ｔｅ）を混合し、ｐ型のドーパント
となる燐（Ｐ）を加え、ＶＧＦ法によってｐ型のテルル
化亜鉛（ｐ−ＺｎＴｅ）の単結晶を作製した。そして、
このＺｎＴｅ単結晶のブロックを、１ｍｍの厚さにスラ
イシングして、その両面を鏡面研磨して０．５ｍｍ厚さ
のＺｎＴｅ化合物半導体結晶を得た。

【００３８】次に、臭化水素と過酸化水素と水を、２．
５（臭化水素）：１．５（過酸化水素）：１００（水）
の容量比で混合したエッチャントを用いて前記ＺｎＴｅ
結晶を５分間で２μｍエッチングした（第１のエッチン
グ）。

【００３９】ここで、前記エッチャントを生成するにあ
たり、臭化水素については４７％臭化水素を含有した臭
化水素酸を、過酸化水素については３０％過酸化水素水
を使用した。

【００４０】その後、４５％クエン酸と３０％過酸化水
素水を混合した７．５％のクエン酸系エッチャントを用
いて前記ＺｎＴｅ結晶を２分間で０．０８μｍ程度エッ
チングした（第２のエッチング）。

【００４１】第２のエッチング後、ＺｎＴｅ結晶表面の
ＸＰＳ測定を行った結果、ＴｅとＺｎの組成比Ｔｅ／Ｚ
ｎは１．６５〜１．９９であった。

【００４２】続いて、このＺｎＴｅ結晶を基板として、
２×１０^−６Ｔｏｒｒ以下の真空度の雰囲気中でＡｌ拡
散源をＥＢ（Electron Beam）加熱により２００Åの厚
さで蒸着した。これを拡散炉に収容して窒素雰囲気中に
おいて、４００℃、１６時間の条件で加熱保持してＡｌ
を拡散させた。

【００４３】その後、試料の裏面にＡｕ薄膜を形成した
後、合金化熱処理を施してオーミック電極を形成した。
そして、この試料をスクライブで３００μｍ角の複数の
チップに分離し、これらのチップをステム上にマウント
し、Ａｕ線でワイヤボンディングを行って、光電変換機
能素子としてのプレーナ型の発光ダイオードを作製し
た。

【００４４】この発光ダイオードに２０ｍＡの順方向電
流を流して光度を測定したところ２ｍｃｄ以上の光度を
得ることができた。また、同様にして作製した複数個の
発光ダイオードについて測定を行った結果、光度のバラ
ツキが比較的小さいことも確認された。

【００４５】（比較例１）実施例１と同様にＺｎＴｅ化
合物半導体単結晶を作製し、このＺｎＴｅ結晶ブロック
を、１ｍｍ厚さにスライシングして、その両面を鏡面研
磨して０．５ｍｍ厚さのＺｎＴｅ化合物半導体結晶を得
た。そして、実施例１で述べた第１のエッチングのみを
行った。

【００４６】第１のエッチング後、ＺｎＴｅ結晶表面の
ＸＰＳ測定を行った結果、ＴｅとＺｎの組成比Ｔｅ／Ｚ
ｎは１．２５〜１．３５であった。

【００４７】続いて、このＺｎＴｅ結晶を基板として、
実施例と同様にＡｌ拡散源を拡散させ、電極を形成して
発光ダイオードを作製した。

【００４８】この発光ダイオードに２０ｍＡの順方向電
流を流して光度を測定したところ１．５ｍｃｄ以上の光
度を得ることができた。しかし、実施例の発光ダイオー
ドに比較すると光度は低かった。

【００４９】（比較例２）実施例１と同様にＺｎＴｅ化
合物半導体単結晶を作製し、このＺｎＴｅ結晶ブロック
を、１ｍｍ厚さにスライシングして、その両面を鏡面研
磨して０．５ｍｍ厚さのＺｎＴｅ化合物半導体結晶を得
た。そして、実施例１で述べた第１のエッチングを行っ
た後、このＺｎＴｅ結晶に水素中で４００℃，３０分間
の熱処理を施した。

【００５０】熱処理後、ＺｎＴｅ結晶表面のＸＰＳ測定
を行った結果、ＴｅとＺｎの組成比Ｔｅ／Ｚｎは１．０
２〜１．０９であった。

【００５１】続いて、このＺｎＴｅ結晶を基板として、
実施例と同様にＡｌ拡散源を拡散させ、電極を形成して
発光ダイオードを作製した。

【００５２】この発光ダイオードに２０ｍＡの順方向電
流を流して光度を測定したところ０．３ｍｃｄ以上の光
度を得ることができた。しかし、実施例に比較すると光
度は１／５であった。

【００５３】（比較例３）実施例１と同様にＺｎＴｅ化
合物半導体単結晶を作製し、このＺｎＴｅ結晶ブロック
を、１ｍｍ厚さにスライシングして、その両面を鏡面研
磨して０．５ｍｍ厚さのＺｎＴｅ化合物半導体結晶を得
た。そして、実施例１で述べた第１のエッチングを行っ
た後、４５％クエン酸と３０％過酸化水素水を混合して
実施例の第２のエッチングに用いたエッチャントよりも
高濃度にした４０〜４５％のクエン酸系エッチャントを
用いて前記ＺｎＴｅ結晶を２分間で０．８〜０．９６μ
ｍエッチングした。

【００５４】その後、ＺｎＴｅ結晶表面のＸＰＳ測定を
行った結果、ＴｅとＺｎの組成比Ｔｅ／Ｚｎは２．２５
〜２．７４であった。また、表面は黒っぽくなっており
表面あれが発生していた。

【００５５】続いて、このＺｎＴｅ結晶を基板として、
実施例と同様にＡｌ拡散源を拡散させ、電極を形成して
発光ダイオードを作製した。

【００５６】この発光ダイオードに２０ｍＡの順方向電
流を流して光度を測定したが発光を観察することはでき
なかった。

【００５７】以上のことから、表面のＴｅとＺｎの組成
比Ｔｅ／Ｚｎが１．２５〜２．０であるＺｎＴｅ結晶を
基板とすることにより、良好な発光特性を有する光電変
換機能素子を作製することができる。また、臭化水素系
のエッチャントを用いてエッチング処理を行った後に、
低濃度の酸もしくは酸と過酸化水素からなるエッチャン
トでさらに少量エッチングすることにより、ＺｎＴｅ結
晶表面のＴｅとＺｎの組成比Ｚｎ／Ｔｅを１．３５〜
２．０に容易に制御することができる。

【００５８】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではない。例えば、上記各実施例では、
ＺｎＴｅ化合物半導体結晶について説明したが、ＺｎＴ
ｅ以外にも、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＭｎＴｅ、ＣｄＺｎＴ
ｅなどのＴｅ系化合物半導体結晶に適応することができ
る。

【００５９】また、実施例の第２のエッチングに用いた
クエン酸系のエッチャントの代わりに、例えば、低濃度
のフッ酸、塩酸、硫酸、硝酸等の酸系エッチャントを利
用することができる。

【００６０】

【発明の効果】本発明によれば、Ｔｅ系化合物半導体結
晶基板の表面処理において、臭化水素と過酸化水素を水
１００に対する容量比がそれぞれＸ，Ｙ（但し、１≦Ｘ
≦２４，０．０１≦Ｙ≦１０，３≦Ｘ＋Ｙ≦２５）とな
るように混合したエッチャントを用いてＴｅ系化合物半
導体結晶の表面をエッチングする第１のエッチング工程
と、前記第１のエッチング工程の後に、低濃度の酸また
は低濃度の酸と少量の過酸化水素を混合したエッチャン
トを用いて前記結晶をエッチングする第２のエッチング
工程と、を少なくとも行うようにしたので、Ｔｅ系化合
物半導体結晶の表面を平坦性に優れた鏡面状態に保ちつ
つ加工変質層を除去することができるので、良好な表面
状態を有するＴｅ系化合物半導体結晶を得ることができ
る。また、前記表面処理を施したＴｅ系化合物半導体結
晶を基板とすることにより、良好な発光特性を有する光
電変換素子を作製することができる。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F041 AA40 CA22 CA41 CA74 5F043 AA18 BB12 DD02 FF07 GG10 5F073 CA22 CB05 DA23

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 臭化水素と過酸化水素を水１００に対す
   る容量比がそれぞれＸ，Ｙ（但し、１≦Ｘ≦２４，０．
   ０１≦Ｙ≦１０，３≦Ｘ＋Ｙ≦２５）となるように混合
   したエッチャントを用いてＴｅ系化合物半導体結晶の表
   面をエッチングする第１のエッチング工程と、 前記第１のエッチング工程の後に、低濃度の酸または低
   濃度の酸と過酸化水素を混合したエッチャントを用いて
   前記結晶をエッチングする第２のエッチング工程と、を
   少なくとも有することを特徴とするＴｅ系化合物半導体
   結晶基板の表面処理方法。
2. 【請求項２】 前記第２のエッチング工程で用いられる
   エッチャントは、２．５％から１８％のクエン酸系のエ
   ッチャントであることを特徴とする請求項１に記載のＴ
   ｅ系化合物半導体結晶基板の表面処理方法。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の表面処
   理方法により表面処理されたＴｅ系化合物半導体結晶で
   あって、結晶表面のＴｅとＩＩ族元素との組成比が１．
   ３から２．０の範囲であることを特徴とするＴｅ系化合
   物半導体結晶。