JP2002326865A - 誘電体磁器組成物及び誘電体デバイス - Google Patents
誘電体磁器組成物及び誘電体デバイスInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロ波やミリ波帯などの高周波領域での
使用に適した、Ｑｕ値が高く、εrが１０〜２０程度で
あり、τfの絶対値が小さく、かつ、９５０℃以下の温
度で焼成できる誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群から
選ばれる少なくとも一種の元素と、Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ及
びＴｉとの複合酸化物（Ａ）、及びＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｚｎ及びＬａからなる群から選ばれる少なく
とも一種の元素の酸化物を含むガラス組成物（Ｂ）を含
有する誘電体組成物。ガラス組成物（Ｂ）は、全質量に
対して４０〜７０質量％の割合で含むことが好ましい。
使用に適した、Ｑｕ値が高く、εrが１０〜２０程度で
あり、τfの絶対値が小さく、かつ、９５０℃以下の温
度で焼成できる誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群から
選ばれる少なくとも一種の元素と、Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ及
びＴｉとの複合酸化物（Ａ）、及びＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｚｎ及びＬａからなる群から選ばれる少なく
とも一種の元素の酸化物を含むガラス組成物（Ｂ）を含
有する誘電体組成物。ガラス組成物（Ｂ）は、全質量に
対して４０〜７０質量％の割合で含むことが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にマイクロ波、
ミリ波帯などの高周波領域における使用に適した誘電体
磁器組成物及び誘電体デバイスに関するものである。
ミリ波帯などの高周波領域における使用に適した誘電体
磁器組成物及び誘電体デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロ波やミリ波領域におい
て、誘電体共振器、フィルターなどに誘電体磁器が多用
されている。このような用途で使用される誘電体材料に
は、無負荷Ｑ（Ｑｕ）値が高く、比誘電率（εr）が高
く、共振周波数の温度係数（τf）が小さくかつ任意に
変化させ得るということが要求されてきた。しかし、誘
電体磁器の比誘電率が高いほど誘電体デバイスは小さく
なる。このため、通信システムの高周波化に伴って、誘
電体デバイスの加工精度や導体損失を考慮し、比較的、
比誘電率が低い誘電体磁器が求められるようになってき
た。
て、誘電体共振器、フィルターなどに誘電体磁器が多用
されている。このような用途で使用される誘電体材料に
は、無負荷Ｑ（Ｑｕ）値が高く、比誘電率（εr）が高
く、共振周波数の温度係数（τf）が小さくかつ任意に
変化させ得るということが要求されてきた。しかし、誘
電体磁器の比誘電率が高いほど誘電体デバイスは小さく
なる。このため、通信システムの高周波化に伴って、誘
電体デバイスの加工精度や導体損失を考慮し、比較的、
比誘電率が低い誘電体磁器が求められるようになってき
た。
【０００３】また、誘電体磁器組成物と、Ａｇなどの高
い導電率を有する導体とを同時に焼成し、低損失で安価
な誘電体積層デバイスを実現するために、９５０℃以下
の温度で焼成できる誘電体磁器組成物が求められてい
る。
い導電率を有する導体とを同時に焼成し、低損失で安価
な誘電体積層デバイスを実現するために、９５０℃以下
の温度で焼成できる誘電体磁器組成物が求められてい
る。
【０００４】従来より、比誘電率が低い誘電体磁器組成
物としては、例えば特開平６−９２７２７号公報で提案
されているＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系磁器やＡｌ2Ｏ3
系磁器、及びＡｌ2Ｏ3系磁器にガラス組成物を添加した
磁器組成物などが知られている。
物としては、例えば特開平６−９２７２７号公報で提案
されているＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系磁器やＡｌ2Ｏ3
系磁器、及びＡｌ2Ｏ3系磁器にガラス組成物を添加した
磁器組成物などが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭｇＴ
ｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系磁器は、誘電特性は比較的良好で
あるが、９５０℃以下の温度では焼成することができな
い。また、Ａｌ2Ｏ3系磁器は、無負荷Ｑ（Ｑｕ）値が高
く、比誘電率（εr）も１０程度と低いが、共振周波数
の温度係数（τf）が大きく、９５０℃以下の温度では
焼成できない。一方、Ａｌ2Ｏ3系磁器にガラス組成物を
添加した磁器組成物は、共振周波数の温度係数（τf）
が大き過ぎる問題がある。
ｉＯ3−ＣａＴｉＯ3系磁器は、誘電特性は比較的良好で
あるが、９５０℃以下の温度では焼成することができな
い。また、Ａｌ2Ｏ3系磁器は、無負荷Ｑ（Ｑｕ）値が高
く、比誘電率（εr）も１０程度と低いが、共振周波数
の温度係数（τf）が大きく、９５０℃以下の温度では
焼成できない。一方、Ａｌ2Ｏ3系磁器にガラス組成物を
添加した磁器組成物は、共振周波数の温度係数（τf）
が大き過ぎる問題がある。
【０００６】そこで、本発明は、Ｑｕ値が高く、εrが
１０〜２０程度であって、τfの絶対値が小さく、か
つ、９５０℃以下の温度で焼成できる誘電体磁器組成物
を提供することを目的とする。また、本発明は、マイク
ロ波やミリ波帯などの高周波領域での使用に適した、低
損失で安価な誘電体デバイスを提供することを目的とす
る。
１０〜２０程度であって、τfの絶対値が小さく、か
つ、９５０℃以下の温度で焼成できる誘電体磁器組成物
を提供することを目的とする。また、本発明は、マイク
ロ波やミリ波帯などの高周波領域での使用に適した、低
損失で安価な誘電体デバイスを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】上記目的を達成するため
に、本発明の誘電体磁器組成物は、Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ及び
Ｓｍからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素と、
Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ及びＴｉとの複合酸化物（Ａ）、及び
Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｚｎ及びＬａからなる群
から選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物を含むガラ
ス組成物（Ｂ）を含有することを特徴とする。
に、本発明の誘電体磁器組成物は、Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ及び
Ｓｍからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素と、
Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ及びＴｉとの複合酸化物（Ａ）、及び
Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｚｎ及びＬａからなる群
から選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物を含むガラ
ス組成物（Ｂ）を含有することを特徴とする。
【０００８】本発明の誘電体磁器組成物においては、ガ
ラス組成物（Ｂ）を、誘電体磁器組成物１００質量部に
対して４０〜７０質量％の割合で含有することが好まし
い。
ラス組成物（Ｂ）を、誘電体磁器組成物１００質量部に
対して４０〜７０質量％の割合で含有することが好まし
い。
【０００９】また、本発明の誘電体磁器組成物において
は、複合酸化物（Ａ）が、一般式(1)で示される化合物
であることが好ましい。 （１−ｘ）Ｌ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (1) （式中、ＬはＹ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群から選
ばれる少なくとも一種であり、ｘは０．４０≦ｘ≦０．
８０、ａは０≦ａ≦０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８で
ある。）
は、複合酸化物（Ａ）が、一般式(1)で示される化合物
であることが好ましい。 （１−ｘ）Ｌ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (1) （式中、ＬはＹ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群から選
ばれる少なくとも一種であり、ｘは０．４０≦ｘ≦０．
８０、ａは０≦ａ≦０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８で
ある。）
【００１０】また、本発明の誘電体磁器組成物において
は、複合酸化物（Ａ）が、一般式(2)で示される化合物
であることが好ましい。 （１−ｘ）Ｙ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (2) （式中、ｘは０．４５≦ｘ≦０．７３、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。）
は、複合酸化物（Ａ）が、一般式(2)で示される化合物
であることが好ましい。 （１−ｘ）Ｙ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (2) （式中、ｘは０．４５≦ｘ≦０．７３、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。）
【００１１】また、本発明の誘電体磁器組成物において
は、複合酸化物（Ａ）が、一般式(3)で示される化合物
であることが好ましい。 （１−ｘ）Ｌａ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (3) （式中、ｘは０．５０≦ｘ≦０．７５、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。）
は、複合酸化物（Ａ）が、一般式(3)で示される化合物
であることが好ましい。 （１−ｘ）Ｌａ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (3) （式中、ｘは０．５０≦ｘ≦０．７５、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。）
【００１２】また、本発明の誘電体磁器組成物において
は、複合酸化物（Ａ）が、一般式(4)で示される化合物
であることが好ましい。 （１−ｘ）Ｎｄ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (4) (式中、ｘは０．４５≦ｘ≦０．７７、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。)
は、複合酸化物（Ａ）が、一般式(4)で示される化合物
であることが好ましい。 （１−ｘ）Ｎｄ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (4) (式中、ｘは０．４５≦ｘ≦０．７７、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。)
【００１３】また、本発明の誘電体磁器組成物において
は、複合酸化物（Ａ）が、一般式(5)で示される化合物
であることが好ましい。 （１−ｘ）Ｓｍ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a−ｘＣａ1+bＴｉＯ3+b (5) （式中、ｘは０．４７≦ｘ≦０．７２、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。）
は、複合酸化物（Ａ）が、一般式(5)で示される化合物
であることが好ましい。 （１−ｘ）Ｓｍ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a−ｘＣａ1+bＴｉＯ3+b (5) （式中、ｘは０．４７≦ｘ≦０．７２、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。）
【００１４】上記の誘電体磁器組成物によれば、Ｑｕ値
を高く、εrを１０〜２０程度とし、τfの絶対値を小さ
くすることができる。また、本発明の誘電体磁器組成物
は９５０℃以下の温度で焼成することができる。そのた
め、当該誘電体磁器組成物と、Ａｇなどの高い導電率を
有する導体とを同時に焼成することにより、低損失で安
価な誘電体デバイスを提供することができる。
を高く、εrを１０〜２０程度とし、τfの絶対値を小さ
くすることができる。また、本発明の誘電体磁器組成物
は９５０℃以下の温度で焼成することができる。そのた
め、当該誘電体磁器組成物と、Ａｇなどの高い導電率を
有する導体とを同時に焼成することにより、低損失で安
価な誘電体デバイスを提供することができる。
【００１５】また、本発明の誘電体磁器組成物において
は、ガラス組成物（Ｂ）が、３０〜６０質量％のＳｉＯ
2、２〜３０質量％のＢ2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ
3及び２０〜５０質量％のＱＯ（ただし、ＱはＢａ及び
Ｃａからなる群から選ばれる少なくとも一種である。）
を含むガラス組成物であることが好ましい。
は、ガラス組成物（Ｂ）が、３０〜６０質量％のＳｉＯ
2、２〜３０質量％のＢ2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ
3及び２０〜５０質量％のＱＯ（ただし、ＱはＢａ及び
Ｃａからなる群から選ばれる少なくとも一種である。）
を含むガラス組成物であることが好ましい。
【００１６】また、本発明の誘電体磁器組成物において
は、ガラス組成物（Ｂ）が、３０〜６０質量％のＳｉＯ
2、２〜１０質量％のＢ2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ
3、２０〜５０質量％のＱＯ（ただし、ＱはＢａ及びＣ
ａからなる群から選ばれる少なくとも一種である。）及
び５〜１５質量％のＬａ2Ｏ3を含むガラス組成物である
ことが好ましい。
は、ガラス組成物（Ｂ）が、３０〜６０質量％のＳｉＯ
2、２〜１０質量％のＢ2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ
3、２０〜５０質量％のＱＯ（ただし、ＱはＢａ及びＣ
ａからなる群から選ばれる少なくとも一種である。）及
び５〜１５質量％のＬａ2Ｏ3を含むガラス組成物である
ことが好ましい。
【００１７】また、本発明の誘電体磁器組成物において
は、ガラス組成物（Ｂ）が、４０〜６０質量％のＳｉＯ
2、２〜１０質量％のＢ2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ
3、２０〜５０質量％のＱＯ（ただし、ＱはＢａ及びＣ
ａからなる群から選ばれる少なくとも一種である。）及
び１〜５質量％のＺｎＯを含むガラス組成物であること
が好ましい。
は、ガラス組成物（Ｂ）が、４０〜６０質量％のＳｉＯ
2、２〜１０質量％のＢ2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ
3、２０〜５０質量％のＱＯ（ただし、ＱはＢａ及びＣ
ａからなる群から選ばれる少なくとも一種である。）及
び１〜５質量％のＺｎＯを含むガラス組成物であること
が好ましい。
【００１８】上記の誘電体磁器組成物によれば、Ｑｕ値
を高く、εrを１０〜２０程度とし、τfの絶対値を小さ
くすることができる。
を高く、εrを１０〜２０程度とし、τfの絶対値を小さ
くすることができる。
【００１９】次に、本発明の誘電体デバイスは、前記の
誘電体磁器組成物と、Ａｇ及びＰｄから選ばれる少なく
とも一種を主成分とする導体とを含むことを特徴とす
る。これにより、マイクロ波やミリ波帯などの高周波領
域での使用に適した、低損失で安価な誘電体デバイスを
提供することができる。
誘電体磁器組成物と、Ａｇ及びＰｄから選ばれる少なく
とも一種を主成分とする導体とを含むことを特徴とす
る。これにより、マイクロ波やミリ波帯などの高周波領
域での使用に適した、低損失で安価な誘電体デバイスを
提供することができる。
【００２０】また、本発明の誘電体デバイスは、Ｙ，Ｌ
ａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群から選ばれる少なくとも一
種の元素と、Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ及びＴｉとの複合酸化物
（Ａ）と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｚｎ及びＬａ
からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物
を含むガラス組成物（Ｂ）とを、混合、乾燥、成形した
未焼成シートに導体材料を塗布して導体材料含有シート
を得、該導体材料含有シートを積層して積層シートと
し、該積層シートを９５０℃以下の温度で焼成して得ら
れうるものであることを特徴とする。焼成温度は、好ま
しくは８００〜９５０℃である。
ａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群から選ばれる少なくとも一
種の元素と、Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ及びＴｉとの複合酸化物
（Ａ）と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｚｎ及びＬａ
からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物
を含むガラス組成物（Ｂ）とを、混合、乾燥、成形した
未焼成シートに導体材料を塗布して導体材料含有シート
を得、該導体材料含有シートを積層して積層シートと
し、該積層シートを９５０℃以下の温度で焼成して得ら
れうるものであることを特徴とする。焼成温度は、好ま
しくは８００〜９５０℃である。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、
Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群から選ばれる少なく
とも一種の元素と、Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ及びＴｉとの複合
酸化物（Ａ）と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｚｎ及
びＬａからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素の
酸化物を含むガラス組成物（Ｂ）とを含有するものであ
る。以下、その詳細を説明する。
Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群から選ばれる少なく
とも一種の元素と、Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ及びＴｉとの複合
酸化物（Ａ）と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｚｎ及
びＬａからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素の
酸化物を含むガラス組成物（Ｂ）とを含有するものであ
る。以下、その詳細を説明する。
【００２２】本発明の誘電体磁器組成物においては、誘
電体磁器組成物１００質量部に対して、ガラス組成物
（Ｂ）を４０〜７０質量％の範囲で含有することが好ま
しい。ガラス組成物（Ｂ）の割合が４０質量％未満の場
合は、９５０℃以下の温度で焼成することが困難とな
り、また７０質量％を越える場合は高いＱｕ値が得られ
なくなるからである。より好ましくは、４５〜６０質量
％の範囲である。
電体磁器組成物１００質量部に対して、ガラス組成物
（Ｂ）を４０〜７０質量％の範囲で含有することが好ま
しい。ガラス組成物（Ｂ）の割合が４０質量％未満の場
合は、９５０℃以下の温度で焼成することが困難とな
り、また７０質量％を越える場合は高いＱｕ値が得られ
なくなるからである。より好ましくは、４５〜６０質量
％の範囲である。
【００２３】複合酸化物（Ａ）は、Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ及び
Ｓｍからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素と、
Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ及びＴｉとの複合酸化物であれば、特
に制限されないが、Ｑｕ値を高く、かつτfの絶対値を
小さくするためには、下記の一般式(1)で示される化合
物が好ましい。 （１−ｘ）Ｌ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (1)
Ｓｍからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素と、
Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ及びＴｉとの複合酸化物であれば、特
に制限されないが、Ｑｕ値を高く、かつτfの絶対値を
小さくするためには、下記の一般式(1)で示される化合
物が好ましい。 （１−ｘ）Ｌ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (1)
【００２４】一般式(1)において、ＬはＹ，Ｌａ，Ｎｄ
及びＳｍからなる群から選ばれる少なくとも一種であ
り、ｘは０．４０≦ｘ≦０．８０、ａは０≦ａ≦０．１
５、ｂは ０≦ｂ≦０．０８である。
及びＳｍからなる群から選ばれる少なくとも一種であ
り、ｘは０．４０≦ｘ≦０．８０、ａは０≦ａ≦０．１
５、ｂは ０≦ｂ≦０．０８である。
【００２５】複合酸化物（Ａ）としては、下記の一般式
(2)〜(5)の化合物から選ばれる少なくとも１種であるこ
とがより好ましい。 （１−ｘ）Ｙ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (2) （１−ｘ）Ｌａ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (3) （１−ｘ）Ｎｄ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (4) （１−ｘ）Ｓｍ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a−ｘＣａ1+bＴｉＯ3+b (5)
(2)〜(5)の化合物から選ばれる少なくとも１種であるこ
とがより好ましい。 （１−ｘ）Ｙ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (2) （１−ｘ）Ｌａ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (3) （１−ｘ）Ｎｄ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (4) （１−ｘ）Ｓｍ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a−ｘＣａ1+bＴｉＯ3+b (5)
【００２６】一般式(2)〜(5)において、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。また、一般式
(2)においてｘは０．４５≦ｘ≦０．７３であり、一般
式(3)においてｘは０．５０≦ｘ≦０．７５であり、一
般式(4)においてｘは０．４５≦ｘ≦０．７７であり、
一般式(5)においてｘは０．４７≦ｘ≦０．７２であ
り、化合物を構成する元素の種類によって、好ましい範
囲は多少異なる。ｘ、ａ及びｂが上記範囲外の場合は、
９５０℃以下の温度で焼成できなくなるか、または高い
Ｑｕ値が得られなくなる。さらに、τfの絶対値が大き
くなり過ぎる場合がある。
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。また、一般式
(2)においてｘは０．４５≦ｘ≦０．７３であり、一般
式(3)においてｘは０．５０≦ｘ≦０．７５であり、一
般式(4)においてｘは０．４５≦ｘ≦０．７７であり、
一般式(5)においてｘは０．４７≦ｘ≦０．７２であ
り、化合物を構成する元素の種類によって、好ましい範
囲は多少異なる。ｘ、ａ及びｂが上記範囲外の場合は、
９５０℃以下の温度で焼成できなくなるか、または高い
Ｑｕ値が得られなくなる。さらに、τfの絶対値が大き
くなり過ぎる場合がある。
【００２７】ガラス組成物（Ｂ）は、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，
Ｂａ，Ｃａ，Ｚｎ及びＬａからなる群から選ばれる少な
くとも一種の元素の酸化物を含むものであれば、特に制
限されないが、Ｑｕ値を高く、かつτfの絶対値を小さ
くするためには、下記の〜のガラス組成物が好まし
い。本発明のガラス組成物以外のガラスを用いた場合
は、ガラス化しないか、又は吸湿性が高くなりすぎ、そ
の結果、誘電特性の評価が不可能となる場合がある。
Ｂａ，Ｃａ，Ｚｎ及びＬａからなる群から選ばれる少な
くとも一種の元素の酸化物を含むものであれば、特に制
限されないが、Ｑｕ値を高く、かつτfの絶対値を小さ
くするためには、下記の〜のガラス組成物が好まし
い。本発明のガラス組成物以外のガラスを用いた場合
は、ガラス化しないか、又は吸湿性が高くなりすぎ、そ
の結果、誘電特性の評価が不可能となる場合がある。
【００２８】具体的には、３０〜６０質量％のＳｉＯ
2、２〜３０質量％のＢ2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ
3、２０〜５０質量％のＱＯからなるガラス組成物、
３０〜６０質量％のＳｉＯ2、２〜１０質量％のＢ
2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ3、２０〜５０質量％の
ＱＯ、５〜１５質量％のＬａ2Ｏ3からなるガラス組成
物、４０〜６０質量％のＳｉＯ2、２〜１０質量％の
Ｂ2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ3、２０〜５０質量％
のＱＯ、１〜５質量％のＺｎＯからなるガラス組成物が
挙げられる。ここで、Ｑは、上記と同様、Ｂａ及びＣａ
からなる群から選ばれる少なくとも一種である。
2、２〜３０質量％のＢ2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ
3、２０〜５０質量％のＱＯからなるガラス組成物、
３０〜６０質量％のＳｉＯ2、２〜１０質量％のＢ
2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ3、２０〜５０質量％の
ＱＯ、５〜１５質量％のＬａ2Ｏ3からなるガラス組成
物、４０〜６０質量％のＳｉＯ2、２〜１０質量％の
Ｂ2Ｏ3、２〜１０質量％のＡｌ2Ｏ3、２０〜５０質量％
のＱＯ、１〜５質量％のＺｎＯからなるガラス組成物が
挙げられる。ここで、Ｑは、上記と同様、Ｂａ及びＣａ
からなる群から選ばれる少なくとも一種である。
【００２９】本発明の誘電体磁器組成物は、所定の複合
酸化物（Ａ）とガラス組成物（Ｂ）を、混合、乾燥、成
形した後、所定条件下にて焼成することによる得られう
る。
酸化物（Ａ）とガラス組成物（Ｂ）を、混合、乾燥、成
形した後、所定条件下にて焼成することによる得られう
る。
【００３０】複合酸化物（Ａ）やガラス組成物（Ｂ）の
出発原料は、特に制限されず、各成分元素の酸化物、炭
酸塩、水酸化物、塩化物、アルコキシドなどを用いるこ
とができる。炭酸塩、水酸化物、塩化物、アルコキシド
などを用いる場合は、アルコキシド法や共沈法などの従
来公知の方法にて、複合金属水酸化物などを製造する。
また、金属酸化物などの粉体を用いる場合は、複数の金
属酸化物を予め混合する。その混合方法としては、ボー
ルミル中で金属酸化物を水もしくはエタノールなどの有
機溶媒と共に混合する湿式混合法や、ミキサーなどで混
合したり又は溶媒を用いずにボールミル中で混合する乾
式混合法などが挙げられる。中でも、工程が比較的複雑
でなく、均質な混合物を得やすいことなどの理由から、
粉体に対して３〜８倍（体積）の水やエタノールなどの
水性溶媒を用いて、ボールミル中で混合する方法が好ま
しい。なお、混合に際しては、粉体の分散性を高めるた
めに、分散剤を用いてもよく、適宜ｐＨ調整を行っても
よい。
出発原料は、特に制限されず、各成分元素の酸化物、炭
酸塩、水酸化物、塩化物、アルコキシドなどを用いるこ
とができる。炭酸塩、水酸化物、塩化物、アルコキシド
などを用いる場合は、アルコキシド法や共沈法などの従
来公知の方法にて、複合金属水酸化物などを製造する。
また、金属酸化物などの粉体を用いる場合は、複数の金
属酸化物を予め混合する。その混合方法としては、ボー
ルミル中で金属酸化物を水もしくはエタノールなどの有
機溶媒と共に混合する湿式混合法や、ミキサーなどで混
合したり又は溶媒を用いずにボールミル中で混合する乾
式混合法などが挙げられる。中でも、工程が比較的複雑
でなく、均質な混合物を得やすいことなどの理由から、
粉体に対して３〜８倍（体積）の水やエタノールなどの
水性溶媒を用いて、ボールミル中で混合する方法が好ま
しい。なお、混合に際しては、粉体の分散性を高めるた
めに、分散剤を用いてもよく、適宜ｐＨ調整を行っても
よい。
【００３１】金属酸化物の混合物などの仮焼は、組成に
よって異なるが、通常、９００〜１３００℃程度で１〜
８時間程度行う。また、ガラス組成物を得る場合など、
ガラス化が必要な場合には、加熱溶融した混合物を急冷
すればよい。急冷は、溶融混合物を水中に滴下したり、
金属板に滴下することにより行うことができる。仮焼物
及びガラス化物は、粉砕して粉体にする。粉砕手段とし
ては、ボールミル、高速回転式粉砕機、媒体撹拌ミル、
気流粉砕機等を用いる方法が挙げられるが、いずれの方
法を用いてもよい。
よって異なるが、通常、９００〜１３００℃程度で１〜
８時間程度行う。また、ガラス組成物を得る場合など、
ガラス化が必要な場合には、加熱溶融した混合物を急冷
すればよい。急冷は、溶融混合物を水中に滴下したり、
金属板に滴下することにより行うことができる。仮焼物
及びガラス化物は、粉砕して粉体にする。粉砕手段とし
ては、ボールミル、高速回転式粉砕機、媒体撹拌ミル、
気流粉砕機等を用いる方法が挙げられるが、いずれの方
法を用いてもよい。
【００３２】次に、得られた複合金属酸化物とガラス組
成物を、混合し必要に応じて粉砕して、乾燥、成形した
後、焼成して誘電体磁器組成物を得る。混合は、上記と
同様の方法を用いることができ、中でも、工程が比較的
複雑でなく、均質な混合物を得やすいことなどの理由か
ら、水やエタノールなどの水性溶媒を用いて、ボールミ
ル中で混合する方法が好ましい。乾燥は、通常、１００
〜１５０℃で、３〜８時間行う。
成物を、混合し必要に応じて粉砕して、乾燥、成形した
後、焼成して誘電体磁器組成物を得る。混合は、上記と
同様の方法を用いることができ、中でも、工程が比較的
複雑でなく、均質な混合物を得やすいことなどの理由か
ら、水やエタノールなどの水性溶媒を用いて、ボールミ
ル中で混合する方法が好ましい。乾燥は、通常、１００
〜１５０℃で、３〜８時間行う。
【００３３】成形方法は、特に制限されず、従来公知の
方法を適宜用いることができるが、成形には、通常プレ
ス成形が用いられる。プレス成形における圧力は、５０
〜２００ＭＰａ程度が好適である。成形の際にはバイン
ダーを用いることもできる。そのバインダーは、セラミ
ックス成形用のバインダーであれば特に制限はないが、
例えば、ポリビニルアルコール系バインダー、ポリビニ
ルブチラール系バインダー、アクリル樹脂系バインダ
ー、ワックス系バインダーなどが挙げられる。バインダ
ーの使用量も特に制限されないが、通常、固形分換算で
複合金属酸化物とガラス組成物全体の０．０５〜１質量
％程度が好適である。
方法を適宜用いることができるが、成形には、通常プレ
ス成形が用いられる。プレス成形における圧力は、５０
〜２００ＭＰａ程度が好適である。成形の際にはバイン
ダーを用いることもできる。そのバインダーは、セラミ
ックス成形用のバインダーであれば特に制限はないが、
例えば、ポリビニルアルコール系バインダー、ポリビニ
ルブチラール系バインダー、アクリル樹脂系バインダ
ー、ワックス系バインダーなどが挙げられる。バインダ
ーの使用量も特に制限されないが、通常、固形分換算で
複合金属酸化物とガラス組成物全体の０．０５〜１質量
％程度が好適である。
【００３４】また、焼成は、特に限定されないが、４０
０〜７００℃程度で１〜２４時間程度加熱してバインダ
ーを除去した後、８００〜９５０℃程度で２〜１００時
間程度焼成するのがよい。
０〜７００℃程度で１〜２４時間程度加熱してバインダ
ーを除去した後、８００〜９５０℃程度で２〜１００時
間程度焼成するのがよい。
【００３５】本発明の誘電体磁器組成物は、該組成物に
導体材料を含有させて電極などを形成させることによ
り、誘電体デバイスとして使用することができる。導体
としては、導電性が高くかつ比較的安価という点から、
Ａｇ及びＰｄから選ばれる少なくとも一種を主成分とす
るものが好ましい。導体を形成する場合は、焼成後又は
未焼成のシート状の誘電体磁器組成物に、Ａｇ及びＰｄ
から選ばれる少なくとも一種を主成分とする導電ペース
ト等を塗布する方法等が挙げられる。特に、本発明の誘
電体磁器組成物は、９５０℃以下の温度で焼成すること
が可能であるため、導電ペーストを塗布した未焼成シー
トを所定の枚数積層して積層体とした後、必要に応じて
さらに導電性ペーストを塗布し、これを９５０℃以下、
好ましくは８００〜９５０℃程度で２〜１００時間程度
焼成することにより、効率よく製造することができる。
導体材料を含有させて電極などを形成させることによ
り、誘電体デバイスとして使用することができる。導体
としては、導電性が高くかつ比較的安価という点から、
Ａｇ及びＰｄから選ばれる少なくとも一種を主成分とす
るものが好ましい。導体を形成する場合は、焼成後又は
未焼成のシート状の誘電体磁器組成物に、Ａｇ及びＰｄ
から選ばれる少なくとも一種を主成分とする導電ペース
ト等を塗布する方法等が挙げられる。特に、本発明の誘
電体磁器組成物は、９５０℃以下の温度で焼成すること
が可能であるため、導電ペーストを塗布した未焼成シー
トを所定の枚数積層して積層体とした後、必要に応じて
さらに導電性ペーストを塗布し、これを９５０℃以下、
好ましくは８００〜９５０℃程度で２〜１００時間程度
焼成することにより、効率よく製造することができる。
【００３６】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
【００３７】（製造例１）複合酸化物（Ａ）の出発原料
として、Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，Ｓｍ2Ｏ3，Ｍｇ
Ｏ，Ｎｂ2Ｏ5，ＣａＣＯ3，ＴｉＯ2を用い、これらを所
定の組成になるよう秤量し、ボールミルを用いてエタノ
ールとともに湿式混合した。粉体とエタノールとの体積
比は約２：３とした。この混合物をボールミルから取り
出して、１１０℃で乾燥させた後、空気中において１２
５０℃の温度で２時間仮焼し、誘電体結晶粉末（Ａ成
分）を得た。
として、Ｙ2Ｏ3，Ｌａ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，Ｓｍ2Ｏ3，Ｍｇ
Ｏ，Ｎｂ2Ｏ5，ＣａＣＯ3，ＴｉＯ2を用い、これらを所
定の組成になるよう秤量し、ボールミルを用いてエタノ
ールとともに湿式混合した。粉体とエタノールとの体積
比は約２：３とした。この混合物をボールミルから取り
出して、１１０℃で乾燥させた後、空気中において１２
５０℃の温度で２時間仮焼し、誘電体結晶粉末（Ａ成
分）を得た。
【００３８】（製造例２）ガラス組成物（Ｂ）の出発原
料として、ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＢａＣＯ3，Ｃ
ａＣＯ3，ＺｎＯ，Ｌａ2Ｏ3を用い、これらを所定の組
成になるよう秤量し、ボールミルを用いてエタノールと
ともに湿式混合した。粉体とエタノールとの体積比は約
２：３とした。この混合物をボールミルから取り出し
て、１１０℃で乾燥させた。さらに、乾燥物を白金製る
つぼに入れ、空気中において１３００℃の温度で溶融さ
せた後、溶融物を水中に滴下し、急冷した。得られたガ
ラスを混合と同様の方法で粉砕し、乾燥させ、平均粒子
径２μｍのガラス粉末（Ｂ成分）を得た（試料番号ｅ〜
ｔ）。作製したガラス組成物（Ｂ成分）の組成と状態を
表１に示す。
料として、ＳｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＢａＣＯ3，Ｃ
ａＣＯ3，ＺｎＯ，Ｌａ2Ｏ3を用い、これらを所定の組
成になるよう秤量し、ボールミルを用いてエタノールと
ともに湿式混合した。粉体とエタノールとの体積比は約
２：３とした。この混合物をボールミルから取り出し
て、１１０℃で乾燥させた。さらに、乾燥物を白金製る
つぼに入れ、空気中において１３００℃の温度で溶融さ
せた後、溶融物を水中に滴下し、急冷した。得られたガ
ラスを混合と同様の方法で粉砕し、乾燥させ、平均粒子
径２μｍのガラス粉末（Ｂ成分）を得た（試料番号ｅ〜
ｔ）。作製したガラス組成物（Ｂ成分）の組成と状態を
表１に示す。
【００３９】
【表１】 試料 ガラス組成（質量％） ガラス番号 SiO2 B2O3 Al2O3 BaO CaO ZnO La2O3 の状態 ｅ 78 1 1 5 5 8 2 ガラス化せず ｆ 10 40 15 35 吸湿性あり ｇ 15 15 60 10 ガラス化せず ｈ 30 30 10 15 15 良好 ｉ 60 2 2 36 良好 ｊ 40 5 5 25 25 良好 ｋ 50 20 10 20 良好 ｌ 60 10 2 20 8 良好 ｍ 30 10 5 25 25 5 良好 ｎ 43 2 10 30 15 良好 ｐ 44 5 6 35 10 良好 ｑ 60 10 2 13 10 5 良好 ｒ 40 2 7 35 15 1 良好 ｓ 55 10 10 20 5 良好ｔ 50 5 5 25 13 2 良好
【００４０】（実施例１）製造例１で得られた誘電体粉
末（Ａ成分）と、製造例２で得られたガラス粉末Ｐ（Ｂ
成分）とを、所定の割合で配合し、エタノールとともに
上記ボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥しょうをボー
ルミルから取り出して乾燥させた後、粉末にバインダー
として濃度６％（質量割合）のポリビニールアルコール
溶液を８質量％添加し、混合して均質化し、３２メッシ
ュのふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プ
レスを用い、成形圧力１３０ＭＰａで直径１３ｍｍ、厚
さ約６ｍｍの円板に成形した。この成形体を、高純度の
マグネシアさや鉢の中に入れ、空気中において５００℃
の温度で４時間保持してバインダーアウトを行った後、
空気中において８００〜９５０℃の温度で４時間保持し
て焼成し、誘電体磁器を得た（試料番号１〜２５）。
末（Ａ成分）と、製造例２で得られたガラス粉末Ｐ（Ｂ
成分）とを、所定の割合で配合し、エタノールとともに
上記ボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥しょうをボー
ルミルから取り出して乾燥させた後、粉末にバインダー
として濃度６％（質量割合）のポリビニールアルコール
溶液を８質量％添加し、混合して均質化し、３２メッシ
ュのふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プ
レスを用い、成形圧力１３０ＭＰａで直径１３ｍｍ、厚
さ約６ｍｍの円板に成形した。この成形体を、高純度の
マグネシアさや鉢の中に入れ、空気中において５００℃
の温度で４時間保持してバインダーアウトを行った後、
空気中において８００〜９５０℃の温度で４時間保持し
て焼成し、誘電体磁器を得た（試料番号１〜２５）。
【００４１】誘電体磁器の電気的特性の評価には、ネッ
トワークアナライザを用い、導体空洞型誘電体円柱共振
器法による測定から、Ｑｆ値（Ｑu値と共振周波数との
積）と比誘電率（εr）を求めた。共振周波数の温度係
数（τf）は−２５℃から８５℃の範囲で求めた。共振
周波数は５〜１２ＧHzの範囲であった。得られた誘電体
磁器組成物の組成と焼成温度、電気特性を、表２及び表
３に示す。なお、表２及び表３において*印を付した試
料は参考例である。
トワークアナライザを用い、導体空洞型誘電体円柱共振
器法による測定から、Ｑｆ値（Ｑu値と共振周波数との
積）と比誘電率（εr）を求めた。共振周波数の温度係
数（τf）は−２５℃から８５℃の範囲で求めた。共振
周波数は５〜１２ＧHzの範囲であった。得られた誘電体
磁器組成物の組成と焼成温度、電気特性を、表２及び表
３に示す。なお、表２及び表３において*印を付した試
料は参考例である。
【００４２】
【表２】 試料 Ａ成分の組成 Ｂ成分 焼成温度 Ｑｆ εｒ τｆ 番号 Ｌ ｘ ａ ｂ 含有量 （℃） (GHz) (ppm/℃) 1) (質量％) *1 La1/2 0.30 0 0 30 950 焼結せず Nd1/2 2 La1/2 0.40 0 0 50 950 2500 10.9 -29 Nd1/2 3 La1/2 0.80 0 0 50 900 4200 20.0 +33 Nd1/2 4 La1/2 0.66 0.15 0 50 950 3700 15.6 -12 Nd1/2 *5 La1/2 0.66 0.25 0 50 950 焼結せず Nd1/2 6 La1/2 0.66 0 0.08 50 950 4500 18.5 -22 Nd1/2 *7 La1/2 0.66 0 0.15 50 950 焼結せず Nd1/2 8 Y1/2 0.66 0 0 55 900 3200 19.3 -8 Nd1/2 9 La1/2 0.66 0 0 55 900 3800 18.3 -5 Sm1/2 10 La2/3 0.66 0 0 55 900 6200 17.9 -12 Nd1/3 1)Ｌとして複数の元素が示されている場合、元素の比率はモル分率による。
【００４３】
【表３】 試料 Ａ成分の組成 Ｂ成分 焼成温度 Ｑｆ εｒ τｆ 番号 Ｌ ｘ ａ ｂ 含有量 （℃） (GHz) (ppm/℃) (質量％) 11 Y 0.45 0 0.05 55 950 3500 10.3 -29 12 Y 0.66 0 0.05 55 900 4200 16.5 +16 13 Y 0.73 0 0.05 55 950 2600 19.3 +28 14 La 0.50 0 0.05 55 900 5300 13.5 -35 15 La 0.66 0 0.05 55 900 6800 18.1 +3 16 La 0.75 0 0.05 55 950 3200 21.6 +10 17 Nd 0.45 0 0.05 55 900 6200 13.0 -32 18 Nd 0.66 0 0.05 55 900 6200 17.6 +8 19 Nd 0.77 0 0.05 55 950 2900 20.1 +20 20 Sm 0.47 0 0.05 55 950 3100 11.0 -27 21 Sm 0.66 0 0.05 55 900 3900 15.2 +10 22 Sm 0.72 0 0.05 55 950 3000 18.9 +23 23 La 0.66 0 0.05 40 950 6200 15.3 -9 24 La 0.66 0 0.05 70 850 2900 13.1 +27*25 La 0.66 0 0.05 80 850 500 12.0 +56
【００４４】（実施例２）Ｂ成分として、製造例２で得
られたガラス粉末ｈ〜ｔを使用した以外は、実施例１と
同様にして誘電体磁器を得た（試料番号２６〜３６）。
得られた誘電体磁器を、実施例１と同様にして電気特性
を評価した。その結果を表４に示す。
られたガラス粉末ｈ〜ｔを使用した以外は、実施例１と
同様にして誘電体磁器を得た（試料番号２６〜３６）。
得られた誘電体磁器を、実施例１と同様にして電気特性
を評価した。その結果を表４に示す。
【００４５】
【表４】 試料 Ａ成分の組成 Ｂ成分 焼成温度 Ｑｆ εｒ τｆ 番号 Ｌ ｘ ａ ｂ 試料 含有量 （℃） (GHz) (ppm/℃) (質量％) 26 La 0.66 0 0.05 h 55 900 4500 16.1 +13 27 La 0.66 0 0.05 i 55 900 4100 13.2 +5 28 La 0.66 0 0.05 j 55 900 3200 18.5 +29 29 La 0.66 0 0.05 k 55 900 6500 15.2 +15 30 La 0.66 0 0.05 l 55 900 2900 15.8 +27 31 La 0.66 0 0.05 m 55 900 3600 16.2 +5 32 La 0.66 0 0.05 n 55 900 3000 17.5 +11 33 La 0.66 0 0.05 q 55 900 4100 18.2 +26 34 La 0.66 0 0.05 r 55 900 3900 11.2 -19 35 La 0.66 0 0.05 s 55 900 3700 12.0 -2 36 La 0.66 0 0.05 t 55 900 6100 16.2 +13
【００４６】表２〜表４に示すように、試料番号２〜
４、６、８〜３６では、２５００ＧＨｚ以上の高いＱｆ
値、１０〜２０程度のεr、絶対値で４０ｐｐｍ／℃以
下の小さなτfを得ることができた。また、この高い電
気的特性を、９５０℃以下という低い焼成温度で実現す
ることができた。
４、６、８〜３６では、２５００ＧＨｚ以上の高いＱｆ
値、１０〜２０程度のεr、絶対値で４０ｐｐｍ／℃以
下の小さなτfを得ることができた。また、この高い電
気的特性を、９５０℃以下という低い焼成温度で実現す
ることができた。
【００４７】（実施例３）試料番号１０，１５，２９及
び３６と同様の誘電体磁器組成物とＡｇペーストを用い
て、図１に示すような積層型誘電体フィルタ１を作製し
た。この誘電体フィルタ１は、図２に示すように、内部
電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇとして
Ａｇペーストを塗布した前記の誘電体磁器組成物からな
る未焼成シート３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを積層
し、さらに端子電極２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄとしてＡｇ
ペーストを塗布して、９００℃で焼成して得たものであ
る。
び３６と同様の誘電体磁器組成物とＡｇペーストを用い
て、図１に示すような積層型誘電体フィルタ１を作製し
た。この誘電体フィルタ１は、図２に示すように、内部
電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇとして
Ａｇペーストを塗布した前記の誘電体磁器組成物からな
る未焼成シート３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを積層
し、さらに端子電極２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄとしてＡｇ
ペーストを塗布して、９００℃で焼成して得たものであ
る。
【００４８】この誘電体フィルタの性能を評価したとこ
ろ、従来の誘電体フィルタ（Ａｌ2Ｏ3にガラス組成物を
添加したもの）と比較して、挿入損失が３０％低いこと
がわかった。また、中心周波数（５ＧＨｚ）の温度係数
は、従来のおよそ１／１０であった。
ろ、従来の誘電体フィルタ（Ａｌ2Ｏ3にガラス組成物を
添加したもの）と比較して、挿入損失が３０％低いこと
がわかった。また、中心周波数（５ＧＨｚ）の温度係数
は、従来のおよそ１／１０であった。
【００４９】以上のことから、この誘電体デバイスが、
マイクロ波やミリ波帯などの高周波領域での使用に適し
た、低損失な誘電体デバイスとして使用できることが確
認された。しかも、この積層型誘電体デバイスは、上記
のように、誘電体磁器組成物とＡｇペーストなどの電極
材料とを同時に焼成することにより作製できるため、効
率よく製造できる。
マイクロ波やミリ波帯などの高周波領域での使用に適し
た、低損失な誘電体デバイスとして使用できることが確
認された。しかも、この積層型誘電体デバイスは、上記
のように、誘電体磁器組成物とＡｇペーストなどの電極
材料とを同時に焼成することにより作製できるため、効
率よく製造できる。
【００５０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、特
定の複合酸化物と特定のガラス組成物を含有することに
より、無負荷Ｑ（Ｑｕ）値が高く、比誘電率（εr）が
１０〜２０程度で、かつ共振周波数の温度係数（τf）
の絶対値が小さく、かつ、９５０℃以下の温度で焼成で
きる誘電体磁器組成物を提供できる。そのため、マイク
ロ波やミリ波帯などの高周波領域での使用に適した、低
損失で安価な誘電体デバイスを提供できる。よって、そ
の工業的価値は大である。
定の複合酸化物と特定のガラス組成物を含有することに
より、無負荷Ｑ（Ｑｕ）値が高く、比誘電率（εr）が
１０〜２０程度で、かつ共振周波数の温度係数（τf）
の絶対値が小さく、かつ、９５０℃以下の温度で焼成で
きる誘電体磁器組成物を提供できる。そのため、マイク
ロ波やミリ波帯などの高周波領域での使用に適した、低
損失で安価な誘電体デバイスを提供できる。よって、そ
の工業的価値は大である。
【図１】本発明の誘電体デバイスの一例の斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の誘電体デバイスの一例の内部電極構造
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
１ 誘電体フィルタ ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ 端子電極 ３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ 誘電体 ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ 内部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 3/12 ３１１ Ｈ０１Ｂ 3/12 ３１１ ３１３ ３１３Ｆ (72)発明者 加藤 純一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 長谷 裕之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA04 AA06 AA07 AA08 AA09 AA11 AA14 AA26 AA28 AA29 AA30 AA39 BA09 CA03 CA08 GA06 GA11 5G303 AA02 AA10 AB06 AB08 AB11 AB15 BA12 CA03 CB01 CB02 CB03 CB06 CB15 CB17 CB21 CB22 CB30 CB35 CB38 CB40 CB41
Claims (12)
- 【請求項１】 Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群から
選ばれる少なくとも一種の元素と、Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ及
びＴｉとの複合酸化物（Ａ）、及びＳｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｚｎ及びＬａからなる群から選ばれる少なく
とも一種の元素の酸化物を含むガラス組成物（Ｂ）を含
有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 ガラス組成物（Ｂ）を、誘電体磁器組成
物１００質量部に対して４０〜７０質量％の割合で含有
する請求項１に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 複合酸化物（Ａ）が、一般式(1)で示さ
れる化合物である請求項１又は２に記載の誘電体磁器組
成物。 （１−ｘ）Ｌ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (1) （式中、ＬはＹ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群から選
ばれる少なくとも一種であり、ｘは０．４０≦ｘ≦０．
８０、ａは０≦ａ≦０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８で
ある。） - 【請求項４】 複合酸化物（Ａ）が、一般式(2)で示さ
れる化合物である請求項３に記載の誘電体磁器組成物。 （１−ｘ）Ｙ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (2) （式中、ｘは０．４５≦ｘ≦０．７３、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。） - 【請求項５】 複合酸化物（Ａ）が、一般式(3)で示さ
れる化合物である請求項３に記載の誘電体磁器組成物。 （１−ｘ）Ｌａ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (3) （式中、ｘは０．５０≦ｘ≦０．７５、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。） - 【請求項６】 複合酸化物（Ａ）が、一般式(4)で示さ
れる化合物である請求項 ３に記載の誘電体磁器組成
物。 （１−ｘ）Ｎｄ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a-xＣａ1+bＴｉＯ3+b (4) (式中、ｘは０．４５≦ｘ≦０．７７、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。) - 【請求項７】 複合酸化物（Ａ）が、一般式(5)で示さ
れる化合物である請求項３に記載の誘電体磁器組成物。 （１−ｘ）Ｓｍ1+a（Ｍｇ2/3Ｎｂ1/3）Ｏ3+1.5a−ｘＣａ1+bＴｉＯ3+b (5) （式中、ｘは０．４７≦ｘ≦０．７２、ａは０≦ａ≦
０．１５、ｂは０≦ｂ≦０．０８である。） - 【請求項８】 ガラス組成物（Ｂ）が、３０〜６０質量
％のＳｉＯ2、２〜３０質量％のＢ2Ｏ3、２〜１０質量
％のＡｌ2Ｏ3及び２０〜５０質量％のＱＯ（ただし、Ｑ
はＢａ及びＣａからなる群から選ばれる少なくとも一種
である。）を含むガラス組成物である請求項１〜７のい
ずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項９】 ガラス組成物（Ｂ）が、３０〜６０質量
％のＳｉＯ2、２〜１０質量％のＢ2Ｏ3、２〜１０質量
％のＡｌ2Ｏ3、２０〜５０質量％のＱＯ（ただし、Ｑは
Ｂａ及びＣａからなる群から選ばれる少なくとも一種で
ある。）及び５〜１５質量％のＬａ2Ｏ3を含むガラス組
成物である請求項１〜７のいずれかに記載の誘電体磁器
組成物。 - 【請求項１０】 ガラス組成物（Ｂ）が、４０〜６０質
量％のＳｉＯ2、２〜１０質量％のＢ2Ｏ3、２〜１０質
量％のＡｌ2Ｏ3、２０〜５０質量％のＱＯ（ただし、Ｑ
はＢａ及びＣａからなる群から選ばれる少なくとも一種
である。）及び１〜５質量％のＺｎＯを含むガラス組成
物である請求項１〜７のいずれかに記載の誘電体磁器組
成物。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかに記載の誘
電体磁器組成物と、Ａｇ及びＰｄから選ばれる少なくと
も一種を主成分とする導体とを含むことを特徴とする誘
電体デバイス。 - 【請求項１２】 Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群か
ら選ばれる少なくとも一種の元素と、Ｍｇ，Ｎｂ，Ｃａ
及びＴｉとの複合酸化物（Ａ）と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｚｎ及びＬａからなる群から選ばれる少なく
とも一種の元素の酸化物を含むガラス組成物（Ｂ）と
を、混合、乾燥、成形した未焼成シートに導体材料を塗
布して導体材料含有シートを得、該導体材料含有シート
を積層して積層シートとし、該積層シートを９５０℃以
下の温度で焼成して得られうる誘電体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001133156A JP2002326865A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 誘電体磁器組成物及び誘電体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001133156A JP2002326865A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 誘電体磁器組成物及び誘電体デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002326865A true JP2002326865A (ja) | 2002-11-12 |
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ID=18981062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001133156A Pending JP2002326865A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 誘電体磁器組成物及び誘電体デバイス |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002326865A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103224393A (zh) * | 2013-04-12 | 2013-07-31 | 深圳市大富科技股份有限公司 | 一种微波介质陶瓷材料的制备方法 |
| CN105272192A (zh) * | 2015-06-29 | 2016-01-27 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | 一种低介电常数ag特性多层瓷介电容器瓷料及其制备方法 |
| CN110407579A (zh) * | 2018-04-28 | 2019-11-05 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种具有超高q值微波介质材料及其制备方法 |
| CN114804897A (zh) * | 2022-05-05 | 2022-07-29 | 江苏科技大学 | 一种陶瓷用烧结助剂及制法、锆酸锌微波介质陶瓷及制法 |
-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001133156A patent/JP2002326865A/ja active Pending
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| CN114804897B (zh) * | 2022-05-05 | 2023-02-28 | 江苏科技大学 | 一种陶瓷用烧结助剂及制法、锆酸锌微波介质陶瓷及制法 |
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