JP2002326834A - 光ファイバコア母材及び光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents

光ファイバコア母材及び光ファイバ母材の製造方法

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JP2002326834A
JP2002326834A JP2001132237A JP2001132237A JP2002326834A JP 2002326834 A JP2002326834 A JP 2002326834A JP 2001132237 A JP2001132237 A JP 2001132237A JP 2001132237 A JP2001132237 A JP 2001132237A JP 2002326834 A JP2002326834 A JP 2002326834A
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optical fiber
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Toshiki Taru
稔樹 樽
Shinji Ishikawa
真二 石川
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コア内におけるGeO2の添加濃度分布が充
分に平坦化されるとともに、その生産性が向上される光
ファイバコア母材及び光ファイバ母材の製造方法を提供
する。 【解決手段】 VAD法などを用いて作成されたコアロ
ッドを出発コアロッド(S100)とし、その外周面上
に略等しい添加濃度でGeO2が添加されたガラス微粒
子層をOVD法などを用いて堆積する(S101)。そ
して、ガラス微粒子層を焼結してコア外層とした後(S
102)、得られたガラス体を延伸してコア母材とする
(S103)。これにより、コア母材の外周側の層部分
でのGeO 2の添加濃度の減少が抑制され、その添加濃
度分布が充分に平坦化される。また、外研工程などの余
分な工程が不要となり、その生産性が向上される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ型回折
格子などに適用可能な光ファイバの製造に用いられる光
ファイバコア母材の製造方法、及び光ファイバ母材の製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光学部品の一種である回折格子として
は、従来様々な形態のものが用いられているが、その1
つに、光ファイバ内の所定部位に屈折率が軸方向に周期
的に変化する領域を形成した光ファイバ型回折格子があ
る。光ファイバ型回折格子は、挿入損失が比較的低く、
また、光ファイバ伝送路との接続が容易であることか
ら、光通信システムなどでの利用に適している。
【0003】光ファイバ型回折格子の製造においては、
まず、コア内にGeO2(酸化ゲルマニウム)が添加さ
れたSiO2(石英)系光ファイバを作成する。そし
て、その光ファイバの所定領域に対して、その光ファイ
バ型回折格子での所望の反射特性などに基づいて設定さ
れた回折格子パターンに対応する光パターンで、紫外光
を照射する。
【0004】このとき、光ファイバのSiO2ガラス内
に添加されているGeO2に関連したガラス欠陥によっ
て光ファイバ内に屈折率変化を生じ、これによって、所
望の回折格子パターンが書き込まれた光ファイバ型回折
格子が得られる(例えば、特開平8−290932号公
報、特開平11−237514号公報参照)。また、短
波長損失低減のため、クラッドの一部にもGeO2を添
加して感光性を持たせることが知られている(感光性ク
ラッドファイバ、例えば、特開平7−281016号公
報参照)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】光ファイバ型回折格子
などに適用可能な、コア内にGeO2が添加された光フ
ァイバの製造に用いられる光ファイバ母材を製造する場
合、通常は、まず、GeO2が添加された光ファイバコ
ア母材であって、光ファイバ母材でのコア層となるコア
ロッドをVAD法などを用いて作成する。そして、この
コアロッドの外周面上に、OVD法またはロッドインコ
ラプス法などを用いてクラッド層を形成して、コア層及
びクラッド層を備える光ファイバ母材を得る。
【0006】ここで、VAD法を用いて作成されたコア
ロッドでは、ロッドの径が大きくなると添加されるGe
2の添加濃度がコア層内で変化してしまい、その添加
濃度分布が充分に平坦化されないという問題がある。
【0007】すなわち、VAD法を用いてGeO2添加
SiO2ガラス微粒子を堆積して作成したコアロッドで
は、GeO2をコアロッドの径方向に均一に添加するこ
とが難しい。具体的には、VAD法では、堆積されるS
iO2ガラス微粒子体において、その外周側の層部分ほ
どGeO2が添加されにくい。このとき、得られるコア
ロッド内では、GeO2の添加濃度が外周側に向かって
減少していく添加濃度分布となるなど、その添加濃度分
布の平坦性が充分に得られない。
【0008】このようなコアロッドの外周面上に、例え
ば、GeO2/F添加SiO2からなる内側の第1クラッ
ド層、及び純SiO2からなる外側の第2クラッド層を
有するクラッド層を形成し、得られた光ファイバ母材を
線引した光ファイバを光ファイバ型回折格子に適用する
と、光ファイバのコア内でのGeO2の添加濃度分布が
充分に平坦でないために、紫外光を照射して書き込まれ
る回折格子パターンによる光の反射特性が劣化する。例
えば、入射光に対して所望の反射波長の光を反射する回
折格子パターンが書き込まれた光ファイバ型回折格子で
は、その回折格子パターンで設定されている反射波長よ
りも短波長側の光が余分に反射される短波長損失などの
特性劣化が生じやすくなる。
【0009】また、近年の光通信システムの発展によ
り、通常の光伝送路に用いられる光ファイバのみでな
く、光ファイバ型回折格子などの光ファイバ型光学素子
の需要が急速に増大している。これに対して、上記した
製造方法では、コアロッドの作成時に、GeO2の添加
濃度が減少している外周側の一部の層部分を機械的に削
る外研工程が必要となり、その生産性が低下する要因と
なっている。このため、このような光ファイバ母材の製
造方法では、光ファイバ型回折格子などの量産の要求に
充分に対応することが難しい。
【0010】本発明は、以上の問題点を解決するために
なされたものであり、コア内におけるGeO2の添加濃
度分布が充分に平坦化されるとともに、その生産性が向
上される光ファイバコア母材及び光ファイバ母材の製造
方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による光ファイバコア母材の製造方法
は、(1)酸化ゲルマニウム(GeO2)が所定の添加
濃度で添加された石英ガラスからなる出発コアロッドを
用意し、出発コアロッドの外周面上に、所定の添加濃度
と略等しい添加濃度となるように酸化ゲルマニウムが添
加された石英ガラス微粒子を堆積させて、ガラス微粒子
層を形成する堆積工程と、(2)ガラス微粒子層を焼結
して、酸化ゲルマニウムが所定の添加濃度と略等しい添
加濃度で添加されたコア外層とする焼結工程と、(3)
出発コアロッドであるコア内層、及びその外周面上に形
成されたコア外層からなるガラス体を延伸して、コア母
材を得る延伸工程とを備えることを特徴とする。
【0012】上記した光ファイバコア母材の製造方法に
おいては、VAD法などを用いて作成されたコアロッド
をそのままコア母材として用いず、コア母材の出発コア
ロッドとする。そして、その外周面上に出発コアロッド
と等しい添加濃度でGeO2が添加されたコア外層を形
成して、出発コアロッドのコア内層と、新たに形成され
たコア外層とを合わせた全体をコア母材としている。こ
れにより、光ファイバ母材でのコア層となるコア母材に
おいて、その外周側の層部分でのGeO2の添加濃度の
減少を抑制することができ、その添加濃度分布が充分に
平坦化される。
【0013】このとき、コア母材の外周面上にクラッド
層を形成し、得られた光ファイバ母材を線引した光ファ
イバを適用した光ファイバ型回折格子において、その短
波長損失などの特性劣化が抑制される。また、コア母材
の外周側の一部を機械的に削る外研工程が不要となり、
その生産性が向上される。
【0014】また、堆積工程において、酸化ゲルマニウ
ムが添加された石英ガラス微粒子をバーナの火炎中で生
成し、出発コアロッドをその軸を回転軸として回転させ
ながら出発コアロッドとバーナとを回転軸に略平行な方
向に相対的に移動させつつ、出発コアロッドの外周面上
に石英ガラス微粒子を堆積させることを特徴とする。
【0015】このように、出発コアロッドの外周面上へ
のガラス微粒子層の堆積にOVD法を用いることによっ
て、コア母材内でのGeO2の添加濃度分布を充分に平
坦化することができる。
【0016】さらに、延伸工程で得られたコア母材を長
手方向に分割し、分割されたコア母材を出発コアロッド
として、さらに堆積工程、焼結工程、及び延伸工程を所
定回数繰り返して行って、最終的なコア母材を得ること
を特徴とする。
【0017】出発コアロッド上へのコア外層の形成を複
数回繰り返し行って、最終的なコア母材とすることによ
って、上記のようにGeO2の添加濃度分布の平坦性が
向上されたコア母材を効率的に量産することが可能とな
る。
【0018】また、堆積工程の前または延伸工程の後
に、出発コアロッドの外周側の一部、またはコア母材の
コア外層の外周側の一部を、フッ酸(フッ化水素酸、H
F水溶液)を用いたエッチングによって除去することが
好ましい。これによって、コアロッドの外周側でGeO
2の添加濃度がやや減少している層部分を除去するとと
もに、コアロッド内に含まれるOH基を低減することが
できる。特に、上記した製造方法では、コアロッドの外
周側の一部を機械的に削る外研工程を行うことなく、H
F処理のみで充分な効果を得ることができる。
【0019】このとき、フッ酸を用いたエッチング後の
出発コアロッドまたはコア母材の外径は、エッチング前
の出発コアロッドまたはコア母材の外径に対して、80
%以上90%以下であることが好ましい。これにより、
コアロッドの外周側の層部分を充分に除去しつつ、極力
多くの部分がコア母材に利用されるので、その製造効率
が向上される。
【0020】また、本発明による光ファイバ母材の製造
方法は、上記した光ファイバコア母材の製造方法を含む
光ファイバ母材の製造方法であって、堆積工程、焼結工
程、及び延伸工程に続いて、延伸工程で得られたコア母
材の外周面上に1層または複数層のクラッド層を形成し
て、コア母材を含む光ファイバ母材を作成する工程を備
えることを特徴とする。
【0021】これによって、コア層として含まれるコア
母材内でのGeO2の添加濃度分布が充分に平坦化され
た光ファイバ母材が得られるとともに、その生産性が向
上された光ファイバ母材の製造方法が実現される。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、図面とともに本発明による
光ファイバコア母材の製造方法、及び光ファイバ母材の
製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。な
お、図面の説明においては同一要素には同一符号を付
し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率
は、説明のものと必ずしも一致していない。
【0023】図1は、本発明による光ファイバコア母材
の製造方法の一実施形態を概略的に示すフローチャート
である。また、図2は、図1に示した製造方法による光
ファイバコア母材の製造工程を含む光ファイバ母材の製
造工程を模式的に示す工程図である。
【0024】本実施形態による光ファイバコア母材及び
光ファイバ母材の製造方法は、例えば、光ファイバ型回
折格子(光ファイバグレーティング)の作成などに適用
可能な光ファイバの製造に用いられるものである。以
下、図2(a)〜(c)に示した各工程図を参照しつ
つ、図1に示した光ファイバコア母材の製造方法につい
て説明する。
【0025】まず、図2(a)に示すように、GeO2
(酸化ゲルマニウム)が所定の添加濃度で添加されたS
iO2(石英)ガラスからなる出発コアロッド20を作
成して用意する(ステップS100)。この出発コアロ
ッド20としては、例えば、VAD法を用いて作成され
たコアロッドを用いることができる。
【0026】VAD法では、回転している円柱状の出発
材10をターゲットとし、GeO2が所定の添加濃度と
なるように添加されたGeO2添加SiO2ガラス微粒子
(スス)をバーナの火炎中で生成する。そして、出発材
10とバーナとを回転軸に略平行な方向に相対的に移動
させつつ、出発材10の外周面上にGeO2添加SiO2
ガラス微粒子を堆積させて、その回転軸の方向を長手方
向とするガラス微粒子体(スス体)を形成する(S10
0a)。
【0027】さらに、このガラス微粒子体を焼結し透明
ガラス化することによって、GeO 2が添加された出発
コアロッド20が得られる(S100b)。このとき、
VAD法の場合、Ge濃度ができるだけ平坦になるよう
に外周研削を行うことが好ましい。また、後述する堆積
工程の前に、必要に応じて、出発コアロッド20に対し
てHF水溶液(フッ酸)を用いたエッチングによるHF
処理を行って、その外周側の一部の層部分を除去してお
く(S100c)。
【0028】次に、図2(b)に示すように、出発コア
ロッド20の外周面上に、GeO2添加SiO2ガラス微
粒子を堆積させて、ガラス微粒子層(スス層)25を形
成する(S101、堆積工程)。ガラス微粒子層25
は、出発コアロッド20での添加濃度と略等しい添加濃
度となるようにGeO2が添加されたGeO2添加SiO
2ガラス微粒子を堆積して形成される。このガラス微粒
子層の堆積には、好ましくはOVD法が用いられる。
【0029】具体的に説明すると、OVD法では、ガラ
ス微粒子堆積用のバーナB(図2(b)参照)に、Ge
2添加SiO2ガラス微粒子の原料ガスとなるSiCl
4(四塩化ケイ素)及びGeCl4(四塩化ゲルマニウ
ム)と、燃料ガスとなるH2(水素)及びO2(酸素)と
を供給し、生成された火炎を出発コアロッド20の所定
部位にあてる。バーナBに供給される各ガスの流量等の
条件は、堆積されるガラス微粒子層25でのGeO2
添加濃度が、上記のように出発コアロッド20での添加
濃度と略等しくなるように制御される。
【0030】一方、出発コアロッド20は、その長手方
向の軸を回転軸として回転させておく。バーナBの火炎
中には、火炎加水分解反応によってGeO2添加SiO2
ガラス微粒子が生成される。このガラス微粒子は出発コ
アロッド20に吹付けられて、その外周面上に均一に堆
積する。
【0031】ガラス微粒子の堆積が進むと、出発コアロ
ッド20の外周面上にガラス微粒子層が成長して、径方
向に伸びてくる。これに対して、出発コアロッド20と
バーナBとを回転軸に略平行な方向に相対的に移動させ
る。これによって、出発コアロッド20の外周面上に、
GeO2添加SiO2ガラス微粒子層25が形成される。
【0032】続いて、出発コアロッド20の外周面上に
堆積されたガラス微粒子層25を、焼結炉中で加熱する
ことによって焼結し透明ガラス化する。これによって、
ガラス微粒子層25は、出発コアロッド20と略等しい
添加濃度でGeO2が添加されたコア外層30となる
(S102、焼結工程)。
【0033】さらに、この出発コアロッドによるコア内
層20、及びその外周面上に形成されたコア外層30か
らなるガラス体を延伸することによって、図2(c)に
示すコア母材40が得られる(S103、延伸工程)。
また、この延伸工程の後に、必要に応じて、コア母材4
0に対してHFを用いたエッチングによるHF処理を行
って、コア外層30の外周側の異物や不純物等を除去し
ておく。
【0034】コア内層20及びコア外層30からなるコ
ア母材40の作成を終了したら、そのコア母材40を完
成した最終的なコア母材(コアロッド)として光ファイ
バ母材の製造に使用するかどうかを判断する(S10
4)。最終的なコア母材として使用するのであれば、光
ファイバコア母材の製造工程を終了し、コア母材の製造
工程に続く光ファイバ母材の各製造工程を開始する。
【0035】一方、最終的なコア母材として使用するの
でなければ、さらに光ファイバコア母材の製造工程を実
行する。具体的には、延伸して得られたコア母材40を
長手方向に分割し、分割されたコア母材40を出発コア
ロッド20とする。そして、その出発コアロッド20に
対して、さらにHFエッチング工程(S100c)、堆
積工程(S101)、焼結工程(S102)、及び延伸
工程(S103)を所定回数繰り返して行って、最終的
なコア母材を得る。
【0036】本実施形態による光ファイバコア母材の製
造方法においては、VAD法などを用いて作成されたコ
アロッドをそのままコア母材として用いるのではなく、
コア母材を作成するための出発コアロッド20とする。
そして、その外周面上に出発コアロッド20と略等しい
添加濃度でGeO2が添加されたコア外層30を形成し
て、出発コアロッドに相当するコア内層20と、新たに
形成されたコア外層30とを合わせた全体をコア母材
(コアロッド)40としている。これにより、光ファイ
バ母材でのコア層となるコア母材40において、その外
周側の層部分でのGeO2の添加濃度の減少を抑制する
ことができ、その添加濃度分布が充分に平坦化される。
【0037】このとき、コア母材40の外周面上にクラ
ッド層を形成し、得られた光ファイバ母材を線引した光
ファイバを適用した光ファイバ型回折格子において、そ
の短波長損失などの特性劣化が抑制される。
【0038】また、VAD法のみを用いてコア母材を作
成する従来の製造方法では、短波長損失抑制のために
は、GeO2の添加濃度が減少している外周側の一部の
層部分を除去する必要があるために、コア母材の作成時
にその外周側の一部を機械的に削る外研工程を行ってお
り、この工程によるコア母材の廃却量の増加が、コア母
材の生産性を低下させる要因の1つとなっている。ま
た、GeO2が添加されたガラスロッドはかなり割れや
すいため、外研工程中のロッドの破損などによる製造歩
留の低下という問題もある。
【0039】これに対して、上記した製造方法では、G
eO2の添加濃度分布が平坦化されることによって、コ
ア母材に対する外研工程などの余分な工程が不要とな
り、その生産性が向上される。例えば、コア母材の製造
効率は、その廃却量の低減により、1.5倍程度もしく
はそれ以上向上される。
【0040】また、同時にロッドの破損などの発生が防
止されるので、製造歩留も向上される。さらに、この製
造歩留の向上により、要求された本数の光ファイバを製
造するために必要な製造時間も短縮される。
【0041】ここで、堆積工程における出発コアロッド
20の外周面上へのガラス微粒子層25の堆積について
は、上述したようにOVD法を用いることが好ましい。
OVD法は、比較的平坦性の良い添加濃度分布でGeO
2を添加することができ、堆積されるガラス微粒子層2
5、及びそれを焼結して得られるコア外層30を含むコ
ア母材40内でのGeO2の添加濃度分布を充分に平坦
化することができる。
【0042】また、出発コアロッド20の外周面上への
コア外層30の形成は、1回のみの実行に限らず、得ら
れたコアロッドであるコア母材40を再度出発コアロッ
ド20として、所定回数にわたって繰り返して行うこと
としても良い。これによって、上記のようにGeO2
添加濃度分布の平坦性が向上されたコア母材40を、歩
留良く効率的に量産することが可能となる。
【0043】このようにコア外層30の形成を繰り返し
行う場合には、上述したように、延伸して得られたコア
母材40を長手方向に分割し、分割されたコア母材を出
発コアロッド20として各工程を行うことが好ましい。
このような方法を用いれば、同一設備及び同一条件で、
コア母材の製造をサイクル化して実行することが可能と
なる。
【0044】このとき、分割したコア母材を、すべて出
発コアロッドとしてコア母材の作成に用いても良い。あ
るいは、分割したコア母材の一方を、光ファイバ母材を
製造するための最終的なコア母材とし、他方を次のコア
母材を作成するための出発コアロッドとして用いること
も可能である。
【0045】また、コア外層30となるガラス微粒子層
を堆積する堆積工程の前、または延伸によってコア母材
40を得る延伸工程の後に、出発コアロッド20の外周
側の一部、またはコア母材40のコア外層30の外周側
の一部を、フッ酸(HF水溶液)を用いたエッチングに
よって除去することが好ましい。
【0046】これによって、コアロッド(出発コアロッ
ド20またはコア母材40)の外周側でGeO2の添加
濃度がやや減少している層部分を除去するとともに、コ
アロッド内に含まれるOH基を低減することができる。
特に、上記した製造方法では、コアロッドの外周側の一
部を機械的に削る外研工程を行うことなく、HF処理の
みで充分な効果を得ることができる。
【0047】より具体的には、HF処理後の出発コアロ
ッド20またはコア母材40の外径を、HF処理前の外
径の80%以上90%以下とすることが好ましい。VA
D法を用いた従来の製造方法で作成されたコアロッドで
は、GeO2の添加濃度分布の平坦性が充分でないため
に、短波長損失抑制のためには、中心から外径が60%
程度の層部分までしか使用できず、残りの外周側の層部
分を外研工程で削らなくてはならない。
【0048】これに対して、上記した製造方法では、中
心から外径が80%〜90%程度までのコアロッドの大
部分を使用することができ、したがって、コア母材の製
造効率が向上される。また、このとき、コアロッドの外
周側の除去される層部分は、除去前の外径に対して10
%〜20%の層部分となるが、この除去量であれば、H
F処理のみで充分に対応可能である。また、このHF処
理によって、OH基の低減の効果も同時に充分に得られ
る。
【0049】上述した光ファイバコア母材の製造方法を
含む本発明による光ファイバ母材の製造方法について説
明する。
【0050】図3は、本発明による光ファイバ母材の製
造方法の一実施形態を概略的に示すフローチャートであ
る。本実施形態は、図2(d)に示すように、コア母材
40の外周面上に第1クラッド層51及び第2クラッド
層52を有するクラッド層50が形成された光ファイバ
母材100を製造する場合の製造方法の一例を示すもの
である。
【0051】まず、GeO2が所定の添加濃度で添加さ
れたSiO2ガラスからなるコア母材(コアロッド)4
0を作成して用意する(ステップ200)。コア母材4
0の製造方法については、図1に示した通りである。
【0052】次に、コア母材40の外周面上に、GeO
2添加SiO2ガラス微粒子を堆積させて、ガラス微粒子
層を形成する(S201)。このガラス微粒子層の堆積
には、好ましくはOVD法が用いられる。ここで、Ge
2の添加濃度については、コア母材40での添加濃度
と略等しくしても良いし、異なる添加濃度であっても良
い。
【0053】続いて、コア母材40の外周面上に堆積さ
れたガラス微粒子層を、焼結炉中で加熱することによっ
て焼結し透明ガラス化する。このとき、焼結炉中にSi
4ガスを導入して、F添加焼結を行う。これによっ
て、コア母材40上のガラス微粒子層は、GeO2とF
とがそれぞれ所定の添加濃度で添加された第1クラッド
層51となる(S202)。
【0054】さらに、このコア母材によるコア層40及
び第1クラッド層51からなるガラス体を延伸した後
(S203)、第1クラッド層51の外周面上に、さら
に第2クラッド層52を形成する。この第2クラッド層
52の形成には、例えばロッドインコラプス法が用いら
れる。具体的には、まず、純SiO2からなるガラスパ
イプを用意しておく。そして、この純SiO2ガラスパ
イプをロッドインコラプス法を用いて第1クラッド層5
1の外周面上に外付けして、純SiO2の第2クラッド
層52とする(S204)。
【0055】以上により、コア内層20及びコア外層3
0を含むコア母材によるコア層40と、第1クラッド層
51及び第2クラッド層52を有するクラッド層50と
を備える光ファイバ母材100が得られる(S20
5)。また、この光ファイバ母材100を通常の線引装
置を用いて線引すれば、光ファイバ型回折格子の作成等
に好適に適用することが可能な光ファイバが得られる。
【0056】本実施形態による光ファイバ母材の製造方
法においては、図1に示した製造方法によって得られた
コア母材40を使用することにより、コア層内でのGe
2の添加濃度分布が充分に平坦化された光ファイバ母
材が得られるとともに、その生産性が向上される。
【0057】また、本実施形態では、コア母材40の外
周面上に形成される第1クラッド層51に、コア母材4
0と同様にGeO2を添加している。これにより、光フ
ァイバ型回折格子における短波長損失などの特性劣化を
さらに抑制することができる。この場合、Geの添加量
は、コアとクラッドで略同量とし、クラッドにコアと同
程度の感光性を持たせることが好ましい。
【0058】また、この第1クラッド層51に、GeO
2と合わせてFを添加している。FはSiO2ガラスの屈
折率を低くする添加物であり、第1クラッド層51の屈
折率を調整して、コア層40と第1クラッド層51との
間の比屈折率差を制御するために添加される。
【0059】上記した実施形態による光ファイバコア母
材及び光ファイバ母材の製造方法の具体的な実施例につ
いて説明する。
【0060】本実施例においては、まず、重量比で7w
t%、純SiO2に対する比屈折率差でΔn=0.35
%となる添加濃度でGeO2が添加されたSiO2ガラス
微粒子体をVAD法によって形成した。そして、このガ
ラス微粒子体を脱水、焼結し、得られたガラス体を延
伸、外研、さらに延伸して、外径φ14mmの出発コア
ロッドを作成した。さらに、出発コアロッドに対して、
HFを用いたエッチングによるHF処理を行った。HF
処理後の出発コアロッドの外径は、φ12mmであっ
た。
【0061】次に、HF処理がされた出発コアロッドの
外周面上に、GeO2添加SiO2ガラス微粒子をOVD
法によって堆積させて、ガラス微粒子層を形成した。た
だし、添加されるGeO2の添加濃度は、上記した出発
コアロッドでの添加濃度と等しく設定した。得られたガ
ラス微粒子体は、外径φ110mm、長さ250mmで
あった。
【0062】続いて、出発コアロッドの外周面上に堆積
されたガラス微粒子層を、焼結炉中で加熱することによ
って焼結、透明ガラス化して、コア外層とした。得られ
たガラスロッドは、外径φ45mm、長さ200mmで
あった。そして、このガラスロッドを延伸して、外径φ
14mm、長さ2000mmのコア母材を得た。さら
に、このコア母材に対して、HF処理を行った。HF処
理後のコア母材の外径は、HF処理前の外径の約86%
となるφ12mmであった。
【0063】次に、上記の製造工程によって作成された
コア母材を用いて、光ファイバ母材の製造を行った。ま
ず、コア母材の外周面上に、重量比で7wt%となる添
加濃度でGeO2が添加されたSiO2ガラス微粒子をO
VD法によって堆積させて、ガラス微粒子層を形成し
た。
【0064】続いて、コア母材の外周面上に堆積された
ガラス微粒子層を、F雰囲気の焼結炉中で加熱すること
によってF添加焼結、透明ガラス化して、第1クラッド
層とした。そして、得られたガラスロッドを、外径φ2
0mmに仮延伸し、さらに外径φ6.0mmに延伸した
後、第2クラッド層となる純SiO2ガラスパイプ内に
挿入してコラプスし、光ファイバ母材とした。なお、こ
の第2クラッド層の付加には、コラプス以外の方法を用
いても良い。
【0065】さらに、以上の製造工程によって作成され
た光ファイバ母材を、通常の線引装置を用いて線引して
光ファイバとし、位相格子法によって回折格子パターン
を書き込んで、光ファイバ型回折格子を作成した。
【0066】図4は、図1及び図3に示した製造方法に
よる上記実施例によって作成された光ファイバ型回折格
子での光の透過特性を示すグラフである。ここで、横軸
は入射される光の波長(nm)、縦軸は光の透過(d
B)を示している。
【0067】また、図5のグラフには、比較例として、
従来の製造方法によって作成された光ファイバ型回折格
子での光の透過特性を示してある。この比較例では、V
AD法のみを用いてガラスロッドを作成してコア母材と
した。コア母材の製造以外の各工程については、上記し
た実施例と同様である。また、外研は行っていない。
【0068】従来の製造方法によるコア母材を用いた光
ファイバ型回折格子では、図5に示すように、反射波長
よりも短波長の光が余分に反射されており、短波長損失
による特性劣化を生じている。この短波長損失は、光フ
ァイバのコア内でのGeO2の添加濃度分布が充分に平
坦になっていないことに起因する。また、外研量が不足
している場合もこのような短波長損失が見られる。
【0069】これに対して、本実施例による光ファイバ
型回折格子では、図4に示すように、反射波長よりも短
波長の光の反射は低く抑えられており、短波長損失など
の特性劣化が充分に抑制されている。
【0070】本発明による光ファイバコア母材及び光フ
ァイバ母材の製造方法は、上記した実施形態及び実施例
に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例
えば、コア母材の各製造工程の具体的な条件や用いられ
る製造設備等については、個々の場合に好適な条件等に
設定して良い。また、コア母材の外周面上に形成される
クラッド層については、その構成及び形成方法は上記し
たものに限られない。
【0071】
【発明の効果】本発明による光ファイバコア母材及び光
ファイバ母材の製造方法は、以上詳細に説明したよう
に、次のような効果を得る。すなわち、VAD法などを
用いて作成されたコアロッドを出発コアロッドとし、そ
の外周面上に略等しい添加濃度でGeO2が添加された
コア外層を形成してコア母材とする光ファイバコア母材
及び光ファイバ母材の製造方法によれば、光ファイバ母
材でのコア層となるコア母材において、その外周側の層
部分でのGeO2の添加濃度の減少を抑制することがで
き、その添加濃度分布が充分に平坦化される。また、コ
ア母材の外周側の一部を機械的に削る外研工程などの余
分な工程が不要となり、その生産性が向上される。
【図面の簡単な説明】
【図1】光ファイバコア母材の製造方法の一実施形態を
示すフローチャートである。
【図2】光ファイバ母材の製造工程を模式的に示す工程
図である。
【図3】光ファイバ母材の製造方法の一実施形態を示す
フローチャートである。
【図4】図1及び図3に示した製造方法によって作成さ
れた光ファイバ型回折格子での光の透過特性の一例を示
すグラフである。
【図5】従来の製造方法によって作成された光ファイバ
型回折格子での光の透過特性の一例を示すグラフであ
る。
【符号の説明】
10…出発材、20…出発コアロッド(コア内層)、2
5…ガラス微粒子層、30…コア外層、40…コア母
材、50…クラッド層、51…第1クラッド層、52…
第2クラッド層、100…光ファイバ母材。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 酸化ゲルマニウムが所定の添加濃度で添
    加された石英ガラスからなる出発コアロッドを用意し、
    前記出発コアロッドの外周面上に、前記所定の添加濃度
    と略等しい添加濃度となるように酸化ゲルマニウムが添
    加された石英ガラス微粒子を堆積させて、ガラス微粒子
    層を形成する堆積工程と、 前記ガラス微粒子層を焼結して、酸化ゲルマニウムが前
    記所定の添加濃度と略等しい添加濃度で添加されたコア
    外層とする焼結工程と、 前記出発コアロッドであるコア内層、及びその外周面上
    に形成された前記コア外層からなるガラス体を延伸し
    て、コア母材を得る延伸工程とを備えることを特徴とす
    る光ファイバコア母材の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記堆積工程において、酸化ゲルマニウ
    ムが添加された前記石英ガラス微粒子をバーナの火炎中
    で生成し、前記出発コアロッドをその軸を回転軸として
    回転させながら前記出発コアロッドと前記バーナとを前
    記回転軸に略平行な方向に相対的に移動させつつ、前記
    出発コアロッドの外周面上に前記石英ガラス微粒子を堆
    積させることを特徴とする請求項1記載の光ファイバコ
    ア母材の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記延伸工程で得られた前記コア母材を
    長手方向に分割し、分割されたコア母材を前記出発コア
    ロッドとして、さらに前記堆積工程、前記焼結工程、及
    び前記延伸工程を所定回数繰り返して行って、最終的な
    前記コア母材を得ることを特徴とする請求項1記載の光
    ファイバコア母材の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記堆積工程の前または前記延伸工程の
    後に、前記出発コアロッドの外周側の一部、または前記
    コア母材の前記コア外層の外周側の一部を、フッ酸を用
    いたエッチングによって除去することを特徴とする請求
    項1記載の光ファイバコア母材の製造方法。
  5. 【請求項5】 フッ酸を用いた前記エッチング後の前記
    出発コアロッドまたは前記コア母材の外径は、前記エッ
    チング前の前記出発コアロッドまたは前記コア母材の外
    径に対して、80%以上90%以下であることを特徴と
    する請求項4記載の光ファイバコア母材の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の光ファイバコア母材の
    製造方法を含む光ファイバ母材の製造方法であって、 前記堆積工程、前記焼結工程、及び前記延伸工程に続い
    て、前記延伸工程で得られた前記コア母材の外周面上に
    1層または複数層のクラッド層を形成して、前記コア母
    材を含む光ファイバ母材を作成する工程を備えることを
    特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
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