JP2002325002A - 高周波用共振部品及びそのスプリアス抑制方法並びにデュプレクサ及び無線通信装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属膜に直交する方向に延びており、該金属
膜に容量結合された入出力結合電極を備える高周波用共
振部品において、誘電体基板の外形形状による共振Ｒｓ
のスプリアスを抑制する方法を提供する。 【解決手段】 誘電体基板２内に共振器を構成するため
の金属膜９が構成されており、該金属膜９に対して容量
結合されており、かつ金属膜９に直交する方向におい
て、誘電体基板２内に入出力結合電極７，８が延ばされ
ている高周波用共振部品において、上記入出力結合電極
７，８の長さが、誘電体基板２の外形形状による共振の
スプリアスが所望の値以下となるように制御する、高周
波用共振部品のスプリアス抑制方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＧＨｚ帯で用いら
れる共振器やバンドパスフィルタとして利用される高周
波用共振部品及びそのスプリアス抑制方法に関し、特
に、外部形状による共振のスプリアスを抑制することを
可能とした高周波用共振部品及びそのスプリアス抑制方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、誘電体セラミックスを用いた積層
ＬＣフィルタが種々提案されている（例えば、特開平９
−１４８８０２号公報等）。これらの積層ＬＣフィルタ
では、誘電体セラミックスの上面及び下面にグラウンド
電極が形成されており、上下のグラウンド電極が側面電
極を用いて電気的に接続されている。このような構造に
より不要輻射もしくは放射の影響が抑制されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
積層ＬＣ積層フィルタの周波数は高くとも６ＧＨｚ程度
までであった。従って、ＬＣフィルタの周波数と、ＬＣ
フィルタの外形状で生じる共振の共振周波数とはかなり
離れていた。よって、外形形状により生じる共振Ｒｓに
よるスプリアスは積層ＬＣフィルタの周波数特性に対し
てあまり問題とはならなかった。

【０００４】しかしながら、マイクロ波〜ミリ波帯の周
波数を有する積層ＬＣフィルタを構成しようとすると、
ＬＣフィルタの外形形状により生じる共振の共振周波数
のＲｓと、フィルタの中心周波数とが接近し、上記共振
Ｒｓがスプリアスとして現れるという問題のあることが
わかった。

【０００５】本発明の目的は、上述した従来技術の現状
に鑑み、誘電体の上下にグラウンド電極が形成されてい
る高周波用共振部品において、外形形状による共振のス
プリアスを抑圧することができ、良好な周波数特性を実
現することができる高周波用共振部品及びそのスプリア
ス制御方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る高周波用共
振部品は、対向し合う第１，第２の主面を有する誘電体
基板と、前記誘電体基板内において第１，第２の主面に
平行に延びるように配置されており、共振器を構成する
ための金属膜と、前記金属膜の上下に配置されており、
誘電体基板層を介して金属膜に対向されている第１，第
２のグラウンド電極と、前記第１，第２のグラウンド電
極を電気的に接続するために前記誘電体基板に設けられ
た接続電極と、前記金属膜に容量結合されており、かつ
前記金属膜に直交する方向に延びる一対の入出力結合電
極とを備え、前記入出力結合電極の長さが、前記誘電体
基板の外部形状による共振のスプリアスが２０ｄＢ以下
となるように選ばれていることを特徴とする。

【０００７】なお、この種の高周波用共振部品では、ス
プリアスの大きさは、一般に２０ｄＢ以下とされること
が求められており、本発明では、上記入出力結合電極の
長さの制御により、これが実現されている。

【０００８】本発明の特定の局面では、上記入出力結合
電極が誘電体基板に形成されたビアホール電極により構
成されており、従ってセラミックス一体焼成技術を用い
て入出力結合電極を構成することができ、誘電体基板を
得た後に、入出力結合電極を別途形成する必要がない。

【０００９】本発明に係る高周波用共振部品の特定の局
面では、一対の入出力結合電極を結ぶ方向に伝搬する共
振モードと、該共振モードに直交する第２の共振モード
とが結合されてデュアルモード・バンドパスフィルタと
して動作するように前記金属膜が構成されている。従っ
て、本発明にしたがって、外形形状による共振のスプリ
アスの影響を抑制することができ、かつ良好な帯域特性
を有するデュアルモード・バンドパスフィルタを提供す
ることができる。

【００１０】本発明に係る高周波用共振部品のスプリア
ス抑制方法は、対向し合う第１，第２の主面を有する誘
電体基板と、前記誘電体基板内において、第１，第２の
主面と平行な方向に延びるように配置されており、共振
器を構成するための金属膜と、前記金属膜の上下におい
て、誘電体基板層を介して対向するように配置された第
１，第２のグラウンド電極と、前記第１，第２のグラウ
ンド電極を導通するように誘電体基板に設けられた接続
電極と、前記金属膜に対して容量結合されており、かつ
前記金属膜に直交する方向において誘電体基板内に延ば
されている一対の入出力結合電極とを備える高周波用共
振部品のスプリアス抑制方法であって、前記誘電体基板
の外部形状による共振のスプリアスが所望の値、例えば
２０ｄＢ以下となるように前記入出力結合電極の長さを
制御することを特徴とする。

【００１１】本発明に係るスプリアス抑制方法の特定の
局面では、上記入出力電極が誘電体基板に形成されたビ
アホール電極が構成されており、それによって誘電体基
板をセラミック−金属一体焼成技術により形成するに際
し、入出力結合電極を同時に形成することができるの
で、入出力結合電極を別途形成する工程を省略すること
ができる。

【００１２】また、本発明に係るスプリアス抑制方法の
特定の局面では、一対の入出力結合電極を結ぶ方向に伝
搬する共振モードと、該共振モードに直交する第２の共
振モードとが結合されてなるフィルタ特性を有し、それ
によってデュアルモード・バンドパスフィルタが構成さ
れる。この場合には、本発明に従って、外形形状に起因
するスプリアスが抑制された良好な帯域特性を有するデ
ュアルモード・バンドパスフィルタを得ることができ、
該デュアルモード・バンドパスフィルタにおいてスプリ
アスを効果的に抑圧することができる。

【００１３】本発明に係るデュプレクサは、本発明に従
って構成された高周波用共振部品を帯域フィルタとして
備えることを特徴とする。本発明に係る無線通信装置
は、本発明に従って構成された高周波用共振部品を帯域
フィルタとして備えることを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。

【００１５】図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の一実施例
に係る高周波用共振部品を説明するための正面断面図及
び内部の金属膜の形状を示す模式的平面図である。高周
波用共振部品１は、デュアルモード・バンドパスフィル
タとして用いられるものであるが、共振子として用いる
こともできる。

【００１６】高周波用共振部品１は、比誘電率εｒ＝
６．２７のＢａ，Ａｌ，Ｓｉの酸化物を主成分とするセ
ラミックスよりなる誘電体基板２を有する。誘電体基板
２の上面及び下面は正方形の形状を有する。図２（ａ）
に示すように、誘電体基板２の上面２ａ上には、グラウ
ンド電極３がほぼ全面に形成されている。また、誘電体
基板２の下面２ｂ上には、全面にグラウンド電極４が形
成されている。上面２ａ上においてはグラウンド電極３
の一部が切り欠かれており、切欠部３ａ，３ｂが形成さ
れている。この切欠部３ａ，３ｂ内に、入出力電極５，
６が形成されている。入出力電極５、６は、誘電体基板
２の上面２ａにおいて、対向し合う端縁から中央に向か
って延ばされている。図１（ａ）に示すように、入出力
電極５，６は、誘電体基板２内に形成された厚み方向に
延びる入出力結合電極７、８に電気的に接続されてい
る。一対の入出力結合電極７，８は、本実施例ではビア
ホール電極により形成されている。なお、入出力電極
７，８の下端７ａ，８ａ近傍は相対的に大きな径を有す
る。下端７ａ，８ａが、誘電体基板２内に埋設された金
属膜９に誘電体基板層を介して厚み方向に対向されてい
る。

【００１７】金属膜９の平面形状は矩形、三角形など種
々の形状とされ得るが、本実施例では、金属膜９は、図
１（ｂ）に示すように、ひし形の平面形状を有する。こ
の金属膜９は、共振器を構成するために設けられてお
り、金属膜９には長方形の貫通孔９ａが形成されてい
る。本実施例では、貫通孔９ａは、入出力結合電極７，
８を結ぶ方向と平行に延ばされている。

【００１８】他方、図２（ａ），（ｂ）に示すように上
下のグラウンド電極３，４は、誘電体基板２に形成され
たビアホール電極１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂによ
り導通されている。ビアホール電極１０ａ〜１１ｂが本
発明における接続電極を構成している。

【００１９】もっとも、ビアホール電極１０ａ，１０
ｂ，１１ａ，１１ｂに代えて、誘電体基板２の外表面に
形成された電極により接続電極を構成し、第１，第２の
グラウンド電極３，４を電気的に接続してもよい。

【００２０】上記金属膜９、入出力結合電極７，８及び
ビアホール電極１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂは、誘
電体基板２と共にセラミックス一体焼成技術により形成
することができる。また、これらの電極を構成する材料
は、特に限定されないが、本実施例では銅により各電極
が形成されている。また、第１，第２のグラウンド電極
３，４は、誘電体基板１と共にセラミックス一体焼成技
術により同時に形成されてもよく、あるいは誘電体基板
１を得た後に、任意の電極形成方法により形成されても
よい。

【００２１】本実施例の高周波用共振部品１では、入出
力結合電極７，８が誘電体基板２内に埋設された金属膜
９と上記のように誘電体基板層を介して対向されてお
り、金属膜９の貫通孔９ａが入出力結合電極７，８を結
ぶ方向と平行に延ばされている。従って、電圧が印加さ
れると、金属膜９において、入出力結合電極７，８を結
ぶ方向及び該方向と直交する方向に、それぞれ、第１，
第２の共振が生じる。この場合、貫通孔９ａと直交する
方向に伝搬する第２の共振が貫通孔９ａにより影響を受
け、その周波数が変化する。本実施例では、上記貫通孔
９ａは、第１，第２の共振を結合し、デュアルモード・
バンドパスフィルタとしての特性を有するように選ばれ
ている。

【００２２】ところで、本実施例の高周波用共振部品１
においても、その外形形状による共振Ｒｓが生じる。共
振Ｒｓの共振周波数が、上記デュアルモード・バンドパ
スフィルタの通過帯域近傍に現れると、フィルタ特性に
悪影響を与える。本実施例では、このような外形形状に
よる共振Ｒｓによるスプリアスが２０ｄＢ以下となるよ
うに抑制されている。これを具体的な実験例に基づき説
明する。

【００２３】上記誘電体基板として、上面２ａ及び下面
２ｂの形状が３６００×３６００μｍであり、厚みが６
００μｍのものを用意した。ひし形形状の金属膜９の寸
法は対角線の長さが２８００×２０００μｍとした。な
お、金属膜９に形成された貫通孔９ａの長さは１２００
μｍ、幅は２００μｍとし、貫通孔９ａは金属膜９の中
央に配置した。

【００２４】また、入出力結合電極７，８は、金属膜９
に対して１７５μｍの厚みの誘電体基板層を介して対向
するように配置し、さらに入出力結合電極７，８間の距
離は２９００μｍとした。

【００２５】上記高周波用共振部品１において、入出力
結合電極７，８の長さを種々異ならせ、その外形形状に
起因する共振Ｒｓの現れる周波数及び応答の大きさを測
定した。結果を図３に示す。図３から明らかなように、
誘電体基板１の厚みが６００μｍである場合、入出力結
合電極７，８の長さを変えることによりスプリアスとな
る共振Ｒｓの大きさが大きく変化することがわかる。特
に、上記スプリアスの大きさを２０ｄＢ以下とするに
は、入出力結合電極７，８の長さを約１２０μｍ以下と
すればよいことがわかる。また、３０ｄＢ以下とするに
は、約７０μｍ以下とすればよいことがわかる。

【００２６】同様に、図４では、誘電体基板１の厚さを
５００μｍと異ならせたことを除いては、上記実験例と
同様にして入出力結合電極７，８の長さを変化させ、共
振Ｒｓの強度を測定した結果を示す。図４から明らかな
ように、誘電体基板２の厚み５００μｍの場合にも、入
出力結合電極７，８の長さを変化させることにより、共
振Ｒｓのスプリアスの大きさが大きく変化することがわ
かる。

【００２７】従って、図３及び図４から明らかなよう
に、本実施例の高周波用共振部品では、金属膜に対向さ
れている入出力結合電極７，８の長さを変えることによ
り、共振Ｒｓによるスプリアスを抑制し得ることがわか
る。

【００２８】図５は、上記高周波用共振部品を実際にバ
ンドパスフィルタとして動作させた場合の上記共振Ｒｓ
の大きさを説明するための図である。図５において、実
線でバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）の特性を、破線で入
出力部のみの場合（すなわち、共振器となる金属膜９が
ない場合）の特性を示す。

【００２９】図５から明らかなように、バンドパスフィ
ルタとてし動作させた場合、バンドパスフィルタの特性
とは完全に独立に、上記外形形状による共振Ｒｓによる
スプリアスが現れ、かつ共振Ｒｓの大きさは、バンドパ
スフィルタを構成した場合及びしない場合のいずれにお
いても変化しないことがわかる。従って、上記共振Ｒｓ
によるスプリアスの大きさは、単に入出力結合電極の構
成により決定されることがわかる。

【００３０】従って、上記実施例から明らかなように、
デュアルモード・バンドパスフィルタである高周波用共
振部品１だけでなく、誘電体基板内に設けられた金属膜
に容量結合された入出力結合電極を有する共振器、ロー
パスフィルタ、ハイパスフィルタ、あるいはバンドパス
フィルタ等の様々な高周波用共振部品においても、同様
に入出力結合電極の長さを変化することにより、共振Ｒ
ｓによるスプリアスを２０ｄＢ以下とし得ることがわか
る。

【００３１】上記のように、外形形状による共振Ｒｓの
スプリアスが、入出力結合電極７，８の長さにより決定
されるのは、外形形状の共振Ｒｓの振動方向に対し、入
出力結合電極７，８が直交する方向に延びているため、
該入出力結合電極７，８の長さにより、共振Ｒｓが影響
を受けるためであると考えられる。すなわち、入出力結
合電極７，８の長さが長いと、共振Ｒｓが大きくなり、
入出力結合電極７，８が短いと、共振Ｒｓが抑制される
と考えられる。

【００３２】従って、好ましくは、外形形状に起因する
共振Ｒｓのスプリアスを抑制するには、入出力結合電極
７，８の長さを短くすればよく、特に、スプリアスを２
０ｄＢ以下にするには、１２０μｍ以下とすればよいこ
とがわかる。

【００３３】図６（ａ），（ｂ）は、第２の実施例に係
る高周波用共振部品を説明するための表面断面図及び該
高周波用共振部品内に形成された共振器を構成するため
の金属膜を示す平面図である。

【００３４】高周波用共振部品２１は、デュアルモード
・バンドパスフィルタとして動作されるように構成され
ている。高周波用共振部品２１では、比誘電率εｒ＝
６．２７のＢａ，Ａｌ，Ｓｉの酸化物を主成分とするセ
ラミックスからなるセラミック板２２が用いられてい
る。セラミック板２２は、第１の実施例と同様に、正方
形の形状を有し、３６００×３６００μｍ×高さ６００
μｍの寸法を有する。また、第１の実施例の高周波用共
振部品１と同様に、上面２２ａ及び下面２２ｂ上にグラ
ウンド電極２３，２４が同様に構成されている。さら
に、グラウンド電極２３，２４を接続するビアホール電
極３０，３１が誘電体基板２２内に形成されている。

【００３５】金属膜２９は、その入出力結合電極２７，
２８を結ぶ方向の対角線の長さが２８００μｍ、短い方
の対角線の長さが２０００μｍとされており、この二本
の対角線方向に伝搬する第１，第２の共振を結合させて
デュアルモード・バンドパスフィルタとして動作させる
ために、長い方の対角線方向に延びる貫通孔２９ａが形
成されている。貫通孔２９ａの長さは１１００μｍ、幅
は２００μｍとされており、貫通孔２９ａは金属膜２９
の中央に設けられている。

【００３６】上記金属膜２９は、誘電体基板２２の底面
から３００μｍの高さに配置されており、かつ該高さの
平面の中心に配置されている。上記高周波用共振部品２
１において、入出力結合電極２７，２８の長さを１００
μｍとした場合、及び３００μｍとした場合の高周波用
共振部品の周波数特性を図７に示す。

【００３７】図７において、破線Ａ及びＢが入出力結合
電極２７，２８の長さが１００μｍである場合の通過特
性及び反射特性、一点鎖線Ｃ及び実線Ｄが３００μｍの
場合の通過特性及び反射特性を示す。図７から明らかな
ように、入出力結合電極２７，２８の長さを１００μｍ
と短くすることにより、中心周波数の低周波数側に発生
したスプリアスが小さくなることがわかる。

【００３８】すなわち、第２の実施例においても外形形
状に起因するとみられる共振Ｒｓのスプリアスが入出力
結合電極２７，２８の長さを短くすることにより抑制す
るされることがわかる。

【００３９】なお、本発明においては、高周波用共振部
品は、マイクロストリップ構造及びトリプレート構造を
有するものであってもよく、いずれの場合においても、
共振器を構成するための金属膜に容量結合されており、
金属膜に直交する方向に延ばされた入出力結合電極の長
さを短くすることにより、上記共振Ｒｓのスプリアスを
抑制することができる。

【００４０】次に本発明の高周波用共振部品を用いて構
成されたデュアルモード・バンドパスフィルタをデュプ
レクサ及び無線通信装置に用いた場合について、図８を
用いて説明する。

【００４１】図８は、デュアルモード・バンドパスフィ
ルタを用いたデュプレクサＤＰＸ、及びそれを用いた無
線通信装置３００の要部の一実施例を示すブロック図で
ある。図８に示されているように、本実施例のデュプレ
クサＤＰＸは、本発明のデュアルモード・バンドパスフ
ィルタＢＰＦ１，ＢＰＦ２を２つ接続して構成されてお
り、かつ３つのポートＰ１，Ｐ２，Ｐ３を備える。

【００４２】デュプレクサＤＰＸのポートＰ１は、ＢＰ
Ｆ１の一端に形成され、送信部ＴＸに接続されている。
また、デュプレクサＤＰＸのポートＰ２は、ＢＰＦ２の
一端に形成され、受信部ＲＸに接続されている。さら
に、デュプレクサＤＰＸのポートＰ３は、ＢＰＦ１の他
端及びＢＰＦ２の他端に接続されており、かつアンテナ
ＡＮＴに接続されている。

【００４３】以上のように構成することにより、本発明
の高周波用共振部品をデュプレクサに用いることができ
る。従って設計の自由度が高く、所望とする帯域幅を容
易に得ることができるデュプレクサを得ることができ
る。

【００４４】また、以上のように、本発明の高周波用共
振部品及びデュプレクサを無線通信装置に用いること
で、通信品質に優れた無線通信装置を容易に得ることが
できる。

【００４５】

【発明の効果】本発明に係る高周波用共振部品及びスプ
リアス抑制方法では、誘電体基板内に共振子器を構成す
るために設けられた金属膜に対し、直交する方向におい
て誘電体基板内に延ばされており、かつ該金属膜に対し
て容量結合されている入出力結合電極の長さが、誘電体
基板の外部形状による共振のスプリアスが２０ｄＢ以下
となるように制御されるので、誘電体基板の外形形状に
よる共振Ｒｓのスプリアスが抑圧され、それによって良
好な周波数特性を有する高周波用共振部品を提供するこ
とができる。

【００４６】本発明にかかるデュプレクサ及び無線通信
装置は、本発明に従って構成された高周波用共振部品を
帯域フィルタとして備えるため、低損失化を果たすこと
ができ、かつ特性の調整が容易であり、かつ良好な通信
特性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施例に係
る高周波用共振部品を説明するための正面断面図及び埋
設されている金属膜の平面形状を示す平面図。

【図２】（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施例に係
る高周波用共振部品の平面図及び（ａ）のＸ−Ｘ線に沿
う断面図。

【図３】第１の実施例の高周波用共振部品において、入
出力結合電極の長さを変化させた場合の外形形状による
共振の大きさの変化を示す図。

【図４】第１の実施例の高周波用共振部品において、誘
電体基板の厚みを図３に示した結果の場合と異ならせ、
図３の場合と同様に入出力結合電極の長さを変化させた
場合の外形形状の共振によるスプリアスの大きさの変化
を示す図。

【図５】第１の実施例の高周波用共振部品をデュアルモ
ード・バンドパスフィルタとして構成した場合のデュア
ルモード・バンドパスフィルタのフィルタ特性と外形形
状による共振Ｒｓによるスプリアスの関係を説明するた
めの図。

【図６】（ａ），（ｂ）は、第２の実施例に係る高周波
用共振部品の正面断面図及び共振器を構成するための金
属膜の平面形状を示す平面図。

【図７】第２の実施例に係る高周波用共振部品のデュア
ルモード・バンドパスフィルタとしての特性と、入出力
結合電極の長さを変化させた場合の外形形状による共振
のスプリアスの大きさを説明するための図。

【図８】本発明に従って構成されたデュアルモード・バ
ンドパスフィルタを有するデュプレクサ、並びに該デュ
プレクサが備えられた無線通信装置の概略ブロック図。

【符号の説明】

１…高周波用共振部品 ２…誘電体基板 ３，４…第１，第２の外部電極 ５，６…入出力電極 ７，８…入出力結合電極 ９…金属膜 １０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂ…接続電極としてのビ
アホール電極 ２１…高周波用共振部品 ２２…誘電体基板 ２３，２４…第１、第２のグラウンド電極 ２５，２６…入出力電極 ２７，２８…入出力結合電極 ２９…金属膜 ３０，３１…ビアホール電極 ３００…無線通信装置 ＡＮＴ…アンテナ ＢＰＦ１，ＢＰＦ２…第１，第２のバンドパスフィルタ ＤＰＸ…デュプレクサ Ｐ１〜Ｐ３…第１〜第３のポート ＲＸ…受信部 ＴＸ…送信部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神波 誠治 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J006 HB15 HB16 HB22 JA01 JA31 NA01 NA04 NC02 PA10

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向し合う第１，第２の主面を有する誘
   電体基板と、 前記誘電体基板内において第１，第２の主面に平行に延
   びるように配置されており、共振器を構成するための金
   属膜と、 前記金属膜の上下に配置されており、誘電体基板層を介
   して金属膜に対向されている第１，第２のグラウンド電
   極と、 前記第１，第２のグラウンド電極を電気的に接続するた
   めに前記誘電体基板に設けられた接続電極と、 前記金属膜に容量結合されており、かつ前記金属膜に直
   交する方向に延びる一対の入出力結合電極とを備え、 前記入出力結合電極の長さが、前記誘電体基板の外部形
   状による共振のスプリアスが２０ｄＢ以下となるように
   選ばれていることを特徴とする、高周波用共振部品。
2. 【請求項２】 前記入出力結合電極が、誘電体基板に形
   成されたビアホール電極である、請求項１に記載の高周
   波用共振部品。
3. 【請求項３】 前記入出力結合電極を結ぶ方向に伝搬す
   る共振モードと、該共振モードに直交する第２の共振モ
   ードとが結合されてデュアルモード・バンドパスフィル
   タとして動作するように前記金属膜が構成されている、
   請求項１または２に記載の高周波用共振部品。
4. 【請求項４】 対向し合う第１，第２の主面を有する誘
   電体基板と、 前記誘電体基板内において、第１，第２の主面と平行な
   方向に延びるように配置されており、共振器を構成する
   ための金属膜と、 前記金属膜の上下において、誘電体基板層を介して対向
   するように配置された第１，第２のグラウンド電極と、 前記第１，第２のグラウンド電極を導通するように誘電
   体基板に設けられた接続電極と、 前記金属膜に対して容量結合されており、かつ前記金属
   膜に直交する方向において誘電体基板内に延ばされてい
   る一対の入出力結合電極とを備える高周波用共振部品の
   スプリアス抑制方法であって、 前記誘電体基板の外部形状による共振のスプリアスが所
   望の値以下となるように前記入出力結合電極の長さを制
   御することを特徴とする、高周波用共振部品のスプリア
   ス抑制方法。
5. 【請求項５】 前記入出力結合電極が、誘電体基板に形
   成されたビアホール電極である、請求項４に記載の高周
   波用共振部品のスプリアス抑制方法。
6. 【請求項６】 前記一対の入出力結合電極を結ぶ方向に
   伝搬する共振モードと、該共振モードに直交する第２の
   共振モードとが結合されてデュアルモード・バンドパス
   フィルタとして動作するように前記金属膜が構成されて
   いる、請求項４に記載の高周波用共振部品のスプリアス
   抑制方法。
7. 【請求項７】 請求項１〜３のいずれかに記載の高周波
   用共振部品を帯域フィルタとして備えることを特徴とす
   る、デュプレクサ。
8. 【請求項８】 請求項１〜３のいずれかに記載の高周波
   用共振部品または請求項７に記載のデュプレクサを含ん
   でなることを特徴とする、無線通信装置。