JP2002318562A

JP2002318562A - 投射型表示装置

Info

Publication number: JP2002318562A
Application number: JP2001124868A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Ichikawa; 武史市川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-04-23
Filing date: 2001-04-23
Publication date: 2002-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】動画を表示する場合の画質劣化を防止する。【解決手段】ランプ１００から出射された白色光は、全
反射ミラー１１０や色分解ダイクロイックミラー１１
１，１１２，１１３にて反射・分光され、各液晶パネル
Ｐにて変調された上でスクリーン１０１にカラーの静止
画像として投影される。この静止画像を短時間で切り替
えていくことによって動画像を表示できる。ここで、符
号１０２に示す位置には、光の遮断／透過を一定周期で
行うための遮光回転シャッターを配置しておき、カラー
の静止画像を切り替えるタイミングに同期して、一時的
に光を遮断する。これにより、動画の切れが良くなって
画質劣化が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、変調された光束を
拡大投射することによって動画を表示する投射型表示装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶パネル等の表示素子によって
変調した光を投射することによって種々の画像を表示す
るタイプの投射型表示装置が提案されている。

【０００３】ここで、図１４は、従来の投射型表示装置
の構造の一例を示す図である。この表示装置Ｄ_３は、白
色光を出射するランプ１００と、その白色光を各色光
（赤色光、緑色光、青色光）に分光するダイクロイック
ミラー１１１，１１２，１１３等と、を備えており、各
色光の経路中には各色光を変調するための液晶パネルＰ
がそれぞれ配置されている。また、これら３枚の液晶パ
ネルＰに対向する位置にはクロスプリズム１０３が配置
されており、該パネルＰからの変調光を合成するように
構成されている。さらに、クロスプリズム１０３から合
成光が出射される側には投射レンズ１０４やスクリーン
１０１が配置されている。なお、符号１０５はリフレク
ターを示し、符号１０６はロッドインテグレーターを示
し、符号１０７はコリメーターレンズ、符号１０８は偏
光変換系、符号１０９はリレーレンズ、符号１１０は全
反射ミラー、符号１１４はＰＢＳを示すが詳細は後述す
る。

【０００４】以上構成に基づき、ランプ１００から出射
された白色光は、ダイクロイックミラー１１１，１１
２，１１３等によって各色光に分光された上で各液晶パ
ネルＰにて変調され、クロスプリズム１０３にて合成さ
れてスクリーン１０１に投射されるようになっている。
なお、液晶パネルＰでは液晶シャッターが、映像に合わ
せて画素ごとに電圧を制御し、液晶の作用によりＳ波を
楕円偏光（もしくは直線偏光）に変調し、ＰＢＳ１１４
でＰ波成分を透過させ、クロスプリズム１０３で色合成
した後投射レンズ１０４から投影する形態が一般的であ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の投射
型表示装置における動画の表示は、静止画像を（間断無
く）連続して切り替えることによって達成している（つ
まり、該投射型表示装置はホールド発光型である）が、
ＣＲＴ等のようなインパルス発光型の表示装置と比較す
ると、動画の切れが悪く、動画として表示品質が劣ると
いう問題があった（電子情報通信学会ＥＩＤ９６−４
（１９９６−０６）における石黒らの報告）。

【０００６】そこで、本発明は、動画表示品質に優れた
投射型表示装置を提供することを目的とするものであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、光束を出射する光源と、該光
源からの光束を変調する表示素子と、該表示素子にて変
調された光束が拡大されて投射される被投影部材と、を
備えた投射型表示装置において、前記被投影部材へ光束
を照射して静止画像を表示する状態と、前記被投影部材
への光束を遮断する状態とを交互に実施することによ
り、動画を表示する、ことを特徴とする。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、図１乃至図８等を参照し
て、本発明の実施の形態について説明する。

【０００９】(1) まず、本発明に係る投射型表示装置の
構成について説明する。

【００１０】本発明に係る投射型表示装置は、図１に例
示するように、光束を出射する光源１００と、該光源１
００からの光束を変調する表示素子Ｐと、該表示素子Ｐ
にて変調された光束が拡大されて投射される被投影部材
１０１と、を備えており、・前記被投影部材１０１へ光束を照射して静止画像を
表示する状態と、・前記被投影部材１０１への光束を遮断する状態とを交互に実施することにより動画を表示するようにな
っている。つまり、上述の投射型表示装置Ｄ_１を用いて
動画表示を行う場合には、前記被投影部材１０１に投影
される静止画像を順次切り替えていくが、そのような静
止画像切り替えの際に、前記被投影部材１０１への光束
投影を一時的に遮断するようになっている。

【００１１】ここで、前記光束投影を一時的に遮断する
方法としては、・光束の光路中に遮光手段１０２を配置して、該遮光
手段１０２によって光束投影を遮断する方法や、・表示素子Ｐそのものによって光束投影を遮断する方
法、を挙げることができる。

【００１２】このうち、遮光手段１０２としては、光束
を透過する透光部と、光束を遮断する非透光部とからな
り、モータ等の動力源で回転駆動されるようにしたもの
を挙げることができる。このような遮光手段１０２の場
合、回転されることによって一定周期で光束を遮断でき
る。なお、図１では、遮光手段１０２は、符号１０３に
示す部材（クロスプリズム）と符号１０４に示す部材
（投射レンズ）との間に配置されているが、もちろんこ
れに限られるものではなく、光源１００から出射された
光束の光路上であればどのような位置に配置しても良
い。

【００１３】一方、表示素子Ｐによって光束投影を遮断
する場合、該表示素子は図８に示す方法で駆動すると良
い。すなわち、１つの期間（フィールド期間Ｆ_０）を複
数のサブ期間（２つ以上のサブフィールド期間Ｆ_１，Ｆ
_２）に分け、・一のサブフィールド期間Ｆ_１では、表示素子は照射
される光束を変調する状態となって、被投影部材１０１
に対しての光束光量を多くし（同図(d) の符号Ｔｘ参
照）、・一のサブフィールド期間Ｆ_２では、照射される光束
を遮断する状態となって、被投影部材１０１に対しての
光束光量を少なくする（同図(d) の符号Ｔｙ参照）、と
良い。つまり、表示素子Ｐは、これらの状態（光束を変
調する状態と、遮断する状態）を交互に実施すると良
い。

【００１４】一方、表示素子Ｐとしては、液晶によって
光束を変調する液晶素子や、メカニカルな反射電極を用
いたＤＭＤを用いることができる。

【００１５】このうち、液晶素子は、図２や図３に例示
するように、所定間隙を開けた状態に配置された第１及
び第２基板１ａ，１ｂと、これらの基板１ａ，１ｂの間
に配置された液晶２と、該液晶２を挟み込むように配置
された第１及び第２電極３ａ，３ｂと、各画素の第２電
極３ｂに接続されたアクティブ素子４と、からなる構造
のものを挙げることができる。この場合、一方の第２電
極３ｂは、各画素にドット状に配置すると良く、他方の
第１電極３ａは基板全面に形成すると良い。

【００１６】ここで、表示素子Ｐとして液晶素子を用
い、かつ光束投影の遮断に上述のような遮光手段１０２
を用いる場合には、液晶素子の駆動タイミング（正確に
は駆動信号を印加して液晶素子を駆動するタイミング）
と遮光手段１０２の駆動タイミング（すなわち、光束を
透過させ、或いは遮断するタイミング）とを一致させる
のではなく、液晶の応答遅れを加味してずらせると良
い。例えば、図１に示すように、遮光手段１０２の方が
表示素子Ｐよりも光照射方向に対して下流側にある場合
には、液晶素子の駆動タイミングよりも遮光手段１０２
の駆動タイミング（すなわち、光束を透過させ、或いは
遮断するタイミング）の方を遅らせると良い。

【００１７】なお、図１では表示素子は３枚用いられて
いるが、もちろんこれに限られるものではなく、図１１
に示すように１枚だけ用いても良い。また、本発明に係
る投射型表示装置をフロント型及びリア型のいずれにし
ても良いが、リア型の方が動画質を良好にすることがで
きる。

【００１８】(2) 次に、表示素子として液晶素子を用い
る場合の各構成部材等について説明する。

【００１９】液晶２にはカイラルスメクチック液晶を用
いれば良く、相転移系列が、高温側より、等方性液体相
（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルス
メクチックＣ相又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラ
ルスメクチックＣ相となるものを用いると良い。

【００２０】上記構造の液晶素子では、液晶２としてカ
イラルスメクチック相を示す液晶を用いる場合について
は、その材料の組成を調整し、更に液晶材料の処理や素
子構成、例えば配向制御膜６ａ及び６ｂの材料、処理条
件等を適宜設定することにより、電圧無印加時では、該
液晶の平均分子軸（液晶分子）が単安定化されている配
向状態を示し、駆動時では一方の極性（第一の極性）の
電圧印加時に印加電圧の大きさに応じて平均分子軸の単
安定化される位置を基準としたチルト角度が連続的に変
化し、他方の極性（第二の極性）の電圧印加時には液晶
の平均分子軸は、印加電圧の大きさに応じた角度でチル
トするような特性を示すようにする。このとき、第一の
極性の電圧印加による最大チルト角度が、第二の極性の
電圧印加による最大チルト角度より大きいような特性を
示すようにしてもよい。または第２の極性の電圧印加時
には平均分子軸が印加電圧の大きさによらずチルトしな
いような特性にしても良い（図７参照）。このような特
性の液晶を用いる場合、その液晶への印加電圧は、図８
(c) に示すような交番電圧（すなわち、一定期間毎に極
性が変わるだけで、電圧の絶対値はほぼ等しいような電
圧）にできる。つまり、照射される光束を変調すべく前
記液晶２に印加される電圧と、照射される光束を遮断す
べく前記液晶２に印加される電圧とは、極性が異なり、
大きさはほぼ等しくなるようにすると良い。これによ
り、光束投影のためのサブフィールド期間Ｆ_１に液晶に
印加される電圧は、光束投影が遮断されている期間Ｆ_２
にてＤＣ的にキャンセルされ、液晶の劣化が防止され
る。

【００２１】そして、カイラルスメクチック相を示す液
晶材料としては、前述したような特性（液晶材料固有の
物性値コーン角０、スメクチック層の層間隔ｄ、傾斜角
∂についての特性）を示すようなビフェニル骨格やフェ
ニルシクロヘキサンエステル骨格、フェニルピリミジン
骨格等を有する炭化水素系液晶材料、ナフタレン系液晶
材料、ポリフッ素系液晶材料を適宜選択して調製した組
成物を用いる。

【００２２】上述した基板１ａ，１ｂには、ガラスやプ
ラスチック等の透明性の高い材料を用いれば良い。

【００２３】また、電極３ａ，３ｂには、Ｉｎ_２Ｏ_３や
ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の材料を
用いれば良く、これらの電極３ａ，３ｂはそれぞれの基
板１ａ，１ｂに形成すると良い。

【００２４】さらに、各電極３ａ，３ｂの表面には、こ
れらの電極間のショートを防止するための絶緑膜５ａ，
５ｂを形成すると良く（図２には絶縁膜５ｂのみ図示、
図３には両方の絶緑膜５ａ，５ｂを図示）、かかる絶緑
膜５ａ，５ｂは、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５等に
て形成すれば良い。

【００２５】また、液晶２に接する位置には、その配向
状態を制御するために一軸配向処理を施した配向制御膜
６ａ，６ｂを配置すると良い。かかる配向制御膜６ａ，
６ｂとしては、＊ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、ポリ
ビニルアルコール等の有機材料からなる溶液を塗布して
膜を形成し、該膜の表面にラビング処理を施したもの
や、＊ＳｉＯ等の酸化物や窒化物からなる無機材料を基板
１ａ，１ｂに斜め方向から所定の角度で蒸着させて形成
した斜方蒸着膜、を挙げることができる。なお、この配
向制御膜６ａ，６ｂの材質や一軸配向処理の条件等によ
り、液晶分子のプレチルト角（すなわち、配向制御膜６
ａ，６ｂの界面近傍において液晶分子が配向制御膜６
ａ，６ｂに対してなす角度）が調整される。また、この
ような配向制御膜６ａ，６ｂは、カイラルスメクチック
液晶２の両側に配置しても片側にのみ配置しても良い。
さらに、かかる配向制御膜６ａ，６ｂを液晶２の両側に
配置して両側に一軸配向処理をする場合におけるそれら
の一軸配向処理方向（特にラビング方向）の関係は、用
いる液晶材料を考慮して、＊平行（両一軸配向処理方向が平行かつ同方向）、＊反平行（両一軸配向処理方向が平行かつ逆方向）、＊４５°以下の範囲でクロスする関係、のいずれかになるように設定すれば良い。

【００２６】さらに、基板１ａ，１ｂの間隙には、シリ
カビーズ等からなるスペーサー（図３の符号８参照）を
配置して、かかるスペーサー８によってその間隙寸法を
規定するようにしてもよい。なお、間隙寸法は、液晶材
料に応じて調整すれば良いが、均一な一軸配向性を達成
したり、電圧が印加されていない状態での液晶分子の平
均分子軸を配向処理軸Ｒの平均方向の軸と実質的に一致
させるために、０．３〜１０μｍの範囲に設定すること
が好ましい。

【００２７】またさらに、基板１ａ，１ｂの間隙にエポ
キシ樹脂等からなる接着粒子（不図示）を分散配置し
て、両基板１ａ，１ｂの接着性や、液晶素子Ｐ_１，Ｐ_２
の耐衝撃性を向上させると良い。

【００２８】さらに、液晶素子Ｐ_１，Ｐ_２は、透過型と
しても良く、反射型としても良い。なお、透過型の場合
には両基板１ａ，１ｂを透明にする必要があり、反射型
の場合には、基板１ａ，１ｂの一方に光を反射させる機
能を付与する必要がある。ここで、光を反射させる機能
を付与する方法としては、＊反射板や反射膜を、基板とは別体に設ける方法や、＊基板自体を反射部材で形成する方法や、等を挙げることができる。

【００２９】また、透過型の液晶素子の場合には両方の
基板に偏光板を（それらの偏光軸が互いに直交するよう
に）配置すれば良く、反射型の液晶素子の場合には少な
くとも一方の基板に偏光板を設ければ良い。

【００３０】一方、上述したアクティブ素子４として
は、ＴＦＴや単結晶ＳｉやＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）素子等を用いれば良い。低
温Ｐｏｌｙ−Ｓｉ基板や高温Ｐｏｌｙ−Ｓｉ基板を用い
てもかまわない。

【００３１】本発明では、上述の液晶素子に対して階調
信号を供給する駆動回路を設け、上述したような電圧の
印加により液晶の平均分子軸の単安定位置からの連続的
なチルト角度の変化、及び素子からの出射光量が連続的
に変化する特性を利用し階調表示を行う液晶表示素子を
構成することができる。例えば、液晶素子の一方の基板
として前述したようなＴＦＴ等を備えたアクティブマト
リクス基板を用い、駆動回路で振幅変調によるアクティ
ブマトリクス駆動を行うことでアナログ階調表示が可能
となる。

【００３２】(3) ここで、ＴＦＴを用いたアクティブ
マトリクス型液晶素子Ｐ_１の構成の一例を、図２及び図
４を参照して説明する。

【００３３】図２に示す液晶素子Ｐ_１は、所定間隙を開
けた状態に配置した一対のガラス基板１ａ，１ｂ、を備
えており、一方のガラス基板１ａの全面には、均一な厚
みの共通電極３ａが形成され、共通電極３ａの表面には
配向制御膜６ａが形成されている。

【００３４】また、他方のガラス基板１ｂの側には、図
４に示すように、ゲート線Ｇ_１，Ｇ _２，…が図示Ｘ方向
に多数配置され、ゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…とは絶縁され
た状態のソース線Ｓ_１，Ｓ_２，…が図示Ｙ方向に多数配
置されている。そして、これらのゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，
…及びソース線Ｓ_１，Ｓ_２，…の各交点の画素には、ア
クティブ素子としての薄膜トランジスタ（アモルファス
ＳｉＴＦＴ）４や、ＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる画
素電極３ｂ及び保持容量電極７等が配置されている。こ
こでは５×５のマトリクスの例で示しているが、通常は
数が多く、たとえばＶＧＡだと６４０×４８０の画素と
なる。

【００３５】このうち、アモルファスＳｉＴＦＴ４は、
図２に示すように、ゲート電極１０と、窒化シリコン
（ＳｉＮｘ）からなる絶縁膜（ゲート絶緑膜）５ｂと、
半導体層であるａ−Ｓｉ層１１やｎ^＋ａ−Ｓｉ層１２，
１３と、ソース電極１４と、ドレイン電極１５と、チャ
ネルを保護するチャネル保護膜１６と、によって構成さ
れている。すなわち、ガラス基板１ｂには各画素毎にゲ
ート電極１０が形成され、該ゲート電極１０の表面は絶
縁膜５ｂにて覆われ、絶縁膜５ｂの表面であってゲート
電極１０を形成した位置にはａ−Ｓｉ層１１が形成され
ている。また、このａ−Ｓｉ層１１の表面には、互いに
離間するようにｎ^＋ａ−Ｓｉ層１２，１３が形成されて
おり、各ｎ^＋ａ−Ｓｉ層１２，１３にはソース電極１４
やドレイン電極１５が互いに離間した状態に形成されて
いる。さらに、これらのａ−Ｓｉ層１１や電極１４，１
５を覆うようにチャネル保護膜１６が形成されている。

【００３６】そして、ＴＦＴ４のゲート電極１０は上述
したゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…を介して走査信号ドライバ
２０に接続され、ＴＦＴ４のソース電極１４はソース線
Ｓ_１，Ｓ_２，…を介して情報信号ドライバ２１に接続さ
れ、ＴＦＴ４のドレイン電極１５は画素電極３ｂに接続
されている。

【００３７】ところで、上述した保持容量電極７はガラ
ス基板１ｂの表面に形成されており、上述した絶縁膜５
ｂは、この保持容量電極７及びガラス基板１ｂを覆う位
置まで形成され、上述したソース電極１４や画素電極３
ｂはこの絶縁膜５ｂの表面に形成されている。これによ
り、保持容量電極７と画素電極３ｂとは、絶縁膜５ｂを
挟んだ状態に配置されることとなり、これらによって、
液晶２と並列の形で設けられた保持容量Ｃｓが構成され
ることとなる（図５参照）。なお、この保持容量電極７
は、面積を大きくした場合における開口率低下を防止す
るため、透明なＩＴＯによって形成すると良い。

【００３８】また、図２に示すように、上述したＴＦＴ
４や画素電極３ｂの表面には配向制御膜６ｂが形成され
ており、その表面には一軸配向処理（ラビング処理）が
施されている。

【００３９】さらに、これらのガラス基板１ａ，１ｂの
間隙であって、画素電極３ｂと共通電極３ａとの間に
は、自発分極を有するカイラルスメクチック液晶２が配
置されていて、液晶容量Ｃｌｃが構成されることとなる
（図５参照）。

【００４０】また、このような液晶素子Ｐ_１の両側に
は、互いに偏光軸が直交した関係にある一対の偏光板
（不図示）が配置されている。

【００４１】なお、図２に示す液晶素子Ｐ_１ではアモル
ファスＳｉＴＦＴを用いているが、もちろんこれに限る
必要はなく、多結晶Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴを用いても
良い。

【００４２】また、液晶素子は、順次書き込みによって
駆動するものでなくても、全面一括書き込み（特開平０
９−２８８２６１号公報に開示されているような、アク
ティブマトリクス駆動による画素への信号書き込みを全
画素一括で行うもの）によるものであっても良い。かか
る場合、遮光手段としては、符号１０２に示されるもの
のような回転駆動されるタイプのものではなくて、回転
駆動されなくても光束投影／光束遮断を達成できるよう
なもの（例えば、全面が一括で遮蔽・開口されるような
液晶シャッター）を用いても良い。たとえば、カラーリ
ンク社製のカラースイッチを用いることで、高速に色の
切り替えが実現できる。

【００４３】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。

【００４４】本実施の形態によれば、前記被投影部材１
０１へ光束を照射して静止画像を表示する状態と、前記
被投影部材１０１への光束を遮断する状態とを交互に実
施することにより動画を表示するため、表示品質が良好
となる。つまり、本発明によれば、動画性能に適したイ
ンパルス応答の投射型表示装置を提供できる。

【００４５】また、表示素子として液晶素子を用いた場
合であって、照射される光束を変調すべく前記液晶２に
印加される電圧と、照射される光束を遮断すべく前記液
晶２に印加される電圧とを、極性が異なるだけで大きさ
をほぼ等しくした場合には、液晶に印加される電圧をＤ
Ｃ的にキャンセルでき、焼きつきのない良好な画像を得
ることができる。

【００４６】さらに、液晶２としてカイラルスメクチッ
ク液晶を用いた場合には、高速応答が可能となる。

【００４７】またさらに、投射型表示装置をリア型と
し、特に、表示素子Ｐの枚数を１枚にすることにより
（図１１参照）、色むらを抑制し、画質の優れた、コン
トラストが高い、且つ動画性能の非常に優れた良質の画
像を表示できる。

【００４８】

【実施例】以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説
明する。

【００４９】（実施例１）本実施例では、図１に示す投
射型表示装置Ｄ_１を作製した。

【００５０】すなわち、図１に示すように、白色光束を
出射するランプ（光源）１００を配置し、ロッドインテ
グレーター１０６を配置した。そして、ランプ１００の
背面側には、インテグレーター１０６の端面部に焦点が
一致するような楕円リフレクタ１０５をランプ１００を
囲む位置に配置した。また、ロッドインテグレーター１
０６の後方には、コリメーターレンズ１０７や、偏光変
換系のＰＢＳ１０８や、リレーレンズ１０９や、全反射
ミラー１１０等を配置した。

【００５１】さらに、全反射ミラー１１０を通過した光
の光路上には、光路に対し４５度の角度に傾斜するよう
に色分解ダイクロイックミラー（特定色成分光のみを透
過し、その他の色成分光を反射することによって白色光
を各色光に分光するミラー）１１１，１１２，１１３を
配置し、ランプ１００からの光束を変調するためのＲ、
Ｇ、Ｂ各色表示対応の３枚の反射型液晶パネル（液晶素
子）ＰやＰＢＳ１１４を配置した。これら３枚の液晶パ
ネルＰと対向するような位置にはクロスプリズム１０３
を配置し、クロスプリズム１０３の光出射側には、液晶
パネルＰにて変調されてきた光束を拡大する投射レンズ
１０４や、該光束が投射されるスクリーン（被投射部
材）１０１を配置した。

【００５２】なお、液晶パネルＰは図２や図４に示す構
成とした。詳細な構成は発明の実施の形態の欄にて説明
したので省略する。

【００５３】そして、本実施例に係る投射型表示装置Ｄ
_１は図９に示す構成とした。ここで、符号１２０はガン
マ補正等変換回路を示し、符号１２１はシステム全体を
制御する制御回路を示し、符号１２２は、遮光回転シャ
ッター１０２を駆動する駆動部を示し、符号１２３は画
像出力回路を示す。なお、本実施例に係る投射型表示装
置では、遮光回転シャッター１０２の回転を液晶パネル
Ｐによる画像書き込みに同期させる必要があるが、その
同期は制御回路１２１によってコントロールした。

【００５４】次に、光束の照射について説明する。

【００５５】ランプ１００から出射された白色光は、リ
フレクタ１０５にて反射されて、インテグレーター１０
６の端面部に集光される。そして、該白色光は、インテ
グレーター１０６の内部にて０〜数回の反射を繰り返
し、インテグレーター１０６の出口部分にて２次光源像
を形成する。具体的には、特開平３−１１１８０６号公
報に開示されているようなフライアイを用いた。２次光
源からの光来はコリメーターレンズ１０７を通って、お
おむね平行光とされた状態で、偏光変換系のＰＢＳ１０
８に入射される。Ｐ波はＰＢＳで反射し、λ／２板を通
りＳ波となり、全てがＳ波となりリレーレンズ１０９に
入射する。

【００５６】その後、光束は、リレーレンズ１０９を通
過し、全反射ミラー１１０や色分解ダイクロイックミラ
ー１１１，１１２，１１３にて反射・分光され、液晶パ
ネルＰｒには赤色成分光（Ｓ波）が照射され、液晶パネ
ルＰｂには青色成分光（Ｓ波）が照射され、液晶パネル
Ｐｇには緑色成分光（Ｓ波）が照射される。そして、各
成分光は、それぞれの液晶パネルＰにて画像情報に変調
され、クロスプリズム１０３にて合成されて、投射レン
ズ１０４を通ってスクリーン１０１に拡大投射され、そ
の結果、カラー静止画像が表示される。

【００５７】ところで、このようなカラー静止画像をご
く短い間隔で次々に切り替えていった場合には動画を表
示できるが、本実施例においては、クロスプリズム１０
３と投射レンズ１０４との間には、遮光手段としての遮
光回転シャッター１０２を配置し、この遮光回転シャッ
ター１０２によって、・スクリーン１０１に光束を照
射して静止画像を表示する状態と、・スクリーン１０
１への光束を一時的に遮断する状態、とを交互に実施で
きるようにした。以下、この点について説明する。

【００５８】本実施例では、１つのフィールド期間Ｆ_０
を２つのサブフィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２に分け、前半の
サブフィールド期間Ｆ_１では通常の画像信号をそれぞれ
の画素に書き込む。これにより、スクリーン１０１へは
上述したように各色成分光が合成された上で投射され
て、カラー静止画像が表示される。その後のサブフィー
ルド期間Ｆ_２では光束のスクリーン１０１への投射は遮
光回転シャッター１０２によって遮断されるため、スク
リーン１０１にはカラー画像は表示されない（黒表示を
される）。ここで、図では省略しているがレンズ系でパ
ネルと遮光シャッターは共役関係が成り立っている。

【００５９】なお、後半のサブフィールド期間Ｆ_２にお
いては、画像投影されないことから液晶パネルＰへはど
のような画像信号を送っても良いが、本実施例において
は、前半のサブフィールド期間Ｆ_１の画像信号電圧に対
してＤＣ成分をキャンセルする信号電圧を印加するよう
にした。これにより、液晶２に加えられるＤＣ成分を除
去でき、液晶の焼き付きを防止できる。たとえば、前半
の画像信号が共通電極に対して＋５Ｖの場合には−５Ｖ
となるように信号を入れた。

【００６０】図１０は、液晶パネルの駆動の様子を示す
タイミングチャート図であり、同図（a）はある画素に
ついての信号印加の様子を示す図、（b）はその画素に
おける液晶応答の様子を示す図、（c）はある画素につ
いての遮光状態を示している。（d）は後の方で走査さ
れる画素についての信号印加の様子を示す図、(e) はそ
の画素についての信号印加の様子を示す図であり、(f)
は後の画素の遮光状態である。ここで回転シャッターの
半径Ｒに対してパネルは小さく、まず最初の走査線の画
素を全て書き終えてから開口状態にシャッターが移動
し、その後準じ画素書き込みした後に遅れて開口シャッ
ターが同期して移動する。回転シャッターがパネルに対
して大きいほど角度は小さくなるため画素と遮光シャッ
ターのずれは小さくなる。本実施例では液晶として垂直
配向液晶を用いた。この液晶は、ネマティック液晶材料
の中では高速応答性に比較的富むものの、信号印加から
液晶応答までには多少のタイムラグ（応答遅れ）がある
（同図（a) 及び（b）参照）。具体的には、黒から白へ
の応答速度はおよそ５ｍｓ、白から黒への応答速度は約
６ｍｓ、中間調から黒への応答は遅くて２５ｍｓであ
る。クロスニコルで液晶応答を見たときに、黒から白へ
の変化は信号入力後も液晶への応答の遅延があるため、
輝度が低下し、動画質の劣化につながる。逆に、遮光回
転シャッター１０２を用いた白から黒への変化は液晶が
白表示していても、遮光回転シャッター１０２で完全に
光束が遮光されるので、コントラストの低下に関して問
題にならず、動画質も特に問題にならない。白から黒へ
の液晶の変化の場合はやはり最初のフレームのみで液晶
応答の遅れにより黒浮きが見られるが、最初のフレーム
のみなのでコントラストには問題にならず、動画質にと
って若干問題にはなる。

【００６１】そこで、本実施例では、明るさとの関係か
ら、Ｄｕｔｙ比を５０％とし、液晶パネルＰの駆動タイ
ミング（正確には駆動信号を印加して液晶パネルを駆動
するタイミング）と遮光回転シャッター１０２の駆動タ
イミング（すなわち、光束を透過させ、或いは遮断する
タイミング）とを一致させるのではなく、液晶の応答遅
れを加味してずらせるようにした。すなわち、同図
（c）は、＋Ｖpixの電圧印加に対応してシャッター１０
２が光束を透過し、−Ｖpixの電圧印加に対応してシャ
ッター１０２が光束を遮断する様子を示すが、シャッタ
ー１０２が光束を透過／遮断するタイミングは、＋Ｖpi
xや−Ｖpixの電圧印加するタイミングよりも２ｍｓほど
遅らせ、液晶の応答遅れに伴う切れの悪さを補正し、動
画質を満足した。なお、遮光回転シャッター１０２の回
転速度は６０回転／ｓとした。ここで、Ｄｕｔｙ比は５
０％に限定されず、特に遮光シャッターが小さい場合パ
ネルと角度のずれが大きくなるため、黒部分を大きくす
る必要がある。

【００６２】全画素を書き込むのに１２０Ｈｚで行う。
その後遮光回転シャッター１０２を機能させる状態で、
逆極性の信号を書き込みＤＣ成分をキャンセルする。こ
うすることにより、動画特性の優れた表示特性の投射型
表示装置を実現した。

【００６３】ところで、動画でなく静止画を表示する場
合には、遮光回転シャッター１０２を停止させて、常に
光束投影が行われるようにした。かかる場合、いずれの
サブフィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２においても同じ画像を表
示すれば良く、これにより、輝度が倍の明るい表示が可
能になる。

【００６４】（実施例２）本実施例では、表示素子とし
て液晶パネルを用い、液晶２には、単安定モードの強誘
電液晶（自発分極を有するカイラルスメクチック相を呈
する液晶）であって、図７に示すような光透過率−電圧
特性の液晶を用いた。そして、動画表示は、・スクリーン１０１へ光束を照射して静止画像を表示
する状態と、・スクリーン１０１への光束を遮断する状態とを交互に実施することにより行ったが、その光束遮断
は液晶パネル自体によって行った。以下、詳細を説明す
る。

【００６５】まず、単安定モードの強誘電液晶について
述べる。

【００６６】特願平１０−１７７１４５号公報に記載さ
れている素子（以下「先願１」と記載）が提案されてい
る。当該発明では、例えば、高温側より等方性液体相
（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルス
メクチックＣ相又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラ
ルスメクチックＣ相を示す相系列の材料に着目し、仮想
コーンのエッジより内側の位置にて単安定化させるよう
にしている。そして例えば、Ｃｈ−ＳｍＣ＊相転移の
際、又は等方相−ＳｍＣ＊相転移の際に一対の基板問に
正負いずれかのＤＣ電圧を印加する、などによって層方
向を一方向に均一化させ、これにより高速応答且つ階調
制御が可能であり、動画質に優れた高輝度の液晶素子
が、高い量産性とともに実現しうる。そして先願の素子
は上述の各種スメクチック液晶モードと比較して自発分
極値を小さくする事ができることからＴＦＴ等のアクテ
ィブ素子とのマッチングがよい素子となっている。

【００６７】同様に、特開２０００−０１００７６号公
報に記載されている素子（以下「先願２」と記載）が提
案されている。当該発明では、例えば、高温側より等方
性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カ
イラルスメクチックＣ相又は等方性液体相（ＩＳＯ．）
−カイラルスメクチックＣ相を示す相系列の材料に着目
し、仮想コーンエッジの位置にて単安定化させるように
している。そして例えば、Ｃｈ−ＳｍＣ＊相転移の際、
又は等方相−ＳｍＣ＊相転移の際に一対の基板問に正負
いずれかのＤＣ電圧を印加する、などによって層方向を
一方向に均一化させ、これにより高速応答且つ階調制御
が可能であり、動画質に優れた高輝度の液晶素子が、高
い量産性とともに実現しうる。また先願２の素子はヒス
テリシスが小さく安定な中間調表示が実現でき、かつ上
述した他の各種スメクチック液晶モードと比較して自発
分極値を小さくする事ができることからＴＦＴ等のアク
ティブ素子とのマッチングがよい素子となっている。

【００６８】本実施例で用いた液晶パネルは、図６にそ
の等価回路を示すものであって、基本的に実施例１で用
いたものと同じである。このＴＦＴ４は、該当するゲー
ト線が走査選択された期間においてゲート電極１０にゲ
ートパルスが印加されオン状態となる。

【００６９】次に、液晶パネルＰの駆動方法について図
８に沿って説明する。

【００７０】本実施例では、１つのフィールド期間Ｆ_０
を２つのサブフィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２に分け、各サブ
フィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２でそれぞれ画像書き換えを行
うようにした。ここで、同図（ａ）は、ある１本のゲー
ト線Ｇ_ｉにゲート電圧Ｖｇが印加される様子を示す図、
同図（ｂ）は、ある１本のソース線Ｓ_ｊにソース電圧Ｖ
ｓが印加される様子を示す図、同図（ｃ）は、これらゲ
ート線Ｇ_ｉ及びソース線Ｓ_ｊの交差部の画素（すなわ
ち、液晶２）に電圧Ｖpixが印加される様子を示す図、
同図（ｄ）は、当該画素における透過光量の変化を示す
図である。

【００７１】いま、ある１本のゲート線Ｇ_ｉに一定期間
（選択期間Ｔon）だけゲート電圧Ｖｇが印加され（同図
（ａ）参照）、ある１本のソース線Ｓ_ｊには、ゲート電
圧Ｖｇの印加に同期した選択期間Ｔonに、共通電極３ａ
の電位Ｖｃを基準電位としたソース電圧Ｖｓ（＝＋Ｖ
ｘ）が印加される（同図（ｂ）参照）。すると、当該画
素のＴＦＴ４はゲート電圧Ｖｇの印加によってオンさ
れ、ソース電圧ＶｘがＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介し
て印加されて液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓの充電が
なされる。

【００７２】ところで、選択期間Ｔon以外の非選択期間
Ｔoffには、ゲート電圧Ｖｇは他のゲート線Ｇ_１，
Ｇ_２，…に印加されていて同図（ａ）に示すゲート線Ｇ
_ｉには印加されず、当該画素のＴＦＴ４はオフとなる。
したがって、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓは、この
間、充電された電荷を保持することとなる（同図（ｃ）
参照）。これにより、１サブフィールド期間Ｆ_１を通じ
て液晶２には電圧Ｖpix（＝＋Ｖｘ）が印加され続ける
こととなり、１サブフィールド期間Ｆ_１を通じてほぼ同
じ透過光量Ｔｘが維持されることとなる（同図（ｄ）参
照）。他のゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…の走査が終了すると
（すなわち、サブフィールド期間Ｆ_１が終了すると）、
上述したゲート線Ｇ_ｉには再びゲート電圧Ｖｇが印加さ
れ（同図（ａ）参照）、これと同期してソース線Ｓ_ｊに
は、先のものとは逆極性のソース電圧−Ｖｘが印加され
る（同図（ｂ）参照）。これによって、ソース電圧−Ｖ
ｘが液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓに充電されると共
に、非選択期間Ｔoffにおいてはその電荷が保持される
（同図（ｃ）参照）。

【００７３】そして、このような駆動を一定期間（フィ
ールド期間）毎に繰り返し、画像の書き換えを行うよう
になっている。

【００７４】本実施例では、図７に示す特性の液晶を用
いているため、サブフィールドＦ_１では＋Ｖｘに応じた
階調表示状態（透過光量）Ｔｘが得られ、サブフィール
ドＦ _２では、−Ｖｘに応じた階調表示状態Ｔｙ（Ｔｘよ
り小さく０レベルに近い透過光量）が得られる。

【００７５】次に、本実施例の効果について説明する。

【００７６】本実施例によれば、上述のようなカイラル
スメクチック液晶２を用いているため、スイッチング時
の応答速度を速い画像表示（階調表示）が可能となる。

【００７７】また、１つのフィールド期間Ｆ_０を２つの
サブフィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２に分け、光量を上記Ｔ
ｘ，Ｔｙのようにし、時間開口率を５０％以下として人
間の目が感じる動画高速応答特性も良好にできる。この
とき、サブフィールドＦ_１とサブフィールドＦ_２とにお
いて液晶２に印加される電圧（±Ｖｘ）は、極性のみが
異なり、大きさのほぼ等しいものであるため、液晶２に
印加される電圧が打ち消し合い、液晶２の劣化が防止さ
れる。

【００７８】本実施例における液晶２は高速応答可能な
ため、実施例１で述べた液晶応答による輝度の低下が大
きく抑制され、且つ動画特性も優れたものとなる。

【００７９】しかしながら、コントラストを考慮した場
合、Ｔｙをそのまま表示に使うとコントラストの低下は
無視できず、システムとしてのコントラストを劣化させ
る原因となりうる。従って、本発明の遮光回転シャッタ
ーを用いて、前半のサブフィールド期間のみのコントラ
ストを有効に使うことが重要であり、良好な動画像及び
コントラストの投射型表示装置が実現できた。

【００８０】本実施例では液晶の応答速度が速いことか
ら、実施例１よりも動画性能に優れているといえるが、
実施例１に述べたような遮光回転シャッターを止めて２
倍の輝度をとるようなモードは使用できない。したがっ
て、輝度を重視するフロントタイブの投射型表示装置よ
りも動画優先であるテレビ等のリア型の投射型表示装置
に使用することが好ましいといえる。

【００８１】（実施例３）本実施例では、図１１に示す
ように、液晶パネル（表示素子）Ｐを１枚だけ用いてリ
ア型の投射型表示装置Ｄ_２を作製した。

【００８２】すなわち、ランプ（光源）１００の光出射
側にはフライアイレンズ１３０を配置し、偏光変換系の
ＰＢＳ１０８や、レンズ１３１や、偏光板１３２や、遮
光手段としての円板形の遮光回転シャッター１３３や、
液晶パネルＰ等を図示のように配置した。

【００８３】なお、遮光回転シャッター１３３は、図１
２に詳示するように、赤色成分光のみを透過する赤色透
光部１３３Ｒと、緑色成分光のみを透過する緑色透光部
１３３Ｇと、青色成分光のみを透過する青色透光部１３
３Ｂと、各透光部１３３Ｒ，１３３Ｇ，１３３Ｂの間に
配置されて光束を遮断する非透光部１３３Ｄと、によっ
て構成した。なお、各色透光部１３３Ｒ，１３３Ｇ，１
３３Ｂや非透光部１３３Ｄは図示のような扇形をしてい
るが、それぞれの中心角は６０°と等しくした。また、
この遮光回転シャッター１３３は、不図示のモータによ
って６０回転／秒の速度で回転されるようにした。

【００８４】次に、本実施例における表示装置の駆動方
法について、図１３に沿って説明する。ここで、図１３
はこの様子を示すタイミングチャート図である。

【００８５】同図（a) はある画素についての信号印加
の様子を示す図であり、符号＋Ｖ_１は赤色用の画像信号
を示し、符号＋Ｖ_２は青色用の画像信号を示し、符号＋
Ｖ_３は緑色用の画像信号を示す。このような信号＋
Ｖ_１，＋Ｖ_２，＋Ｖ_３を印加することにより、その画素
において液晶２は同図（b)に示すように応答する。な
お、（d)は、後の方で走査される画素についての信号印
加の様子を示す図であり、(e) はその画素についての信
号印加の様子を示す図である。

【００８６】ところで、ランプ１００から白色光を出射
した状態で遮光回転シャッター１３３を駆動すると、液
晶パネルＰには赤青緑の各色光が順次照射される。な
お、遮光回転シャッター１３３の回転速度は６０回転／
秒であることから、各色光の照射時間及び遮断時間（す
なわち、サブフィールド期間）は１／３６０秒となっ
た。この状態で、液晶パネルＰを図１３（a) （b)のよ
うに駆動すると、スクリーン１０１には各色の画像が順
番に拡大投影されることとなる。

【００８７】本実施例では、実施例２と同様のカイラル
スメクチック相を示す液晶を用いたため、ネマティツク
液晶材料と比べて高速応答性があり、本実施例のような
フィールドシーケンシヤル表示を行うには最適である
が、信号印加から液晶応答までには多少のタイムラグ
（応答遅れ）がある（同図（a) 及び（b）参照）。そこ
で、液晶パネルＰの駆動タイミング（正確には駆動信号
を印加して液晶パネルを駆動するタイミング）と遮光回
転シャッター１３３の駆動タイミング（すなわち、光束
を透過させ、或いは遮断するタイミング）とを一致させ
るのではなく、液晶の応答遅れを加味してずらせるよう
にした。すなわち、同図（c)は、信号＋Ｖ_１，＋Ｖ_２，
＋Ｖ_３の印加に対応してシャッター１３３が光束を透過
し、信号−Ｖ _１，−Ｖ_２，−Ｖ_３の印加に対応してシャ
ッター１３３が光束を遮断する様子を示すが、シャッタ
ー１３３が光束を透過／遮断するタイミングは、＋
Ｖ_１，＋Ｖ _２，＋Ｖ_３や−Ｖ_１，−Ｖ_２，−Ｖ_３を電圧
印加するタイミングよりも０．５ｍｓほど遅らせ、液晶
の応答遅れに伴う切れの悪さを補正し、動画質を満足し
た。また、本実施例においては、Ｄｕｔｙ比（開口率）
を５０％とした。

【００８８】本実施例によれば、良好な動画質を実現で
きた。さらに、画面上どの画素ライン位置に於いても各
原色画像の表示時間は１サブフィールド期間相当になる
と共に、１サブフィールド期間分の黒表示の存在により
各原色フィールド期間画像間のクロストークも全く発生
しない。そして、このように原色画像表示と黒表示とを
共に上下スキャン書き込みにより表示することにより、
如何なる位置の各画素ラインであってもその表示時間は
全て等しくなり、明るさムラの無い、非常に良好なフル
カラー表示が形成される。

【００８９】また、上述のように＋Ｖ_１，＋Ｖ_２，＋Ｖ
_３の電圧印加に対応して絶対値が等しく極性が逆の電圧
−Ｖ_１，−Ｖ_２，−Ｖ_３を印加しているため、ＤＣ成分
がキャンセルされ、その結果、液晶２の劣化が防止され
る。

【００９０】さらに、製造上、液晶パネルＰにはギャッ
プばらつき（すなわち、液晶層の厚みが不均一となって
場所によって異なる現象）は多少なりとも存在する。こ
のため、液晶パネルＰを複数枚使用する場合には、液晶
パネル相互間のギャップばらつきの違いが、表示画像に
色むらとして微妙に影響するが、本実施例の場合には使
用する液晶パネルＰが１枚であることから、そのような
問題が無い。つまり、本実施例によれば、動画特性がよ
く、且つ色むらの少ない非常に画質のよいリア型投射型
表示装置が実現できた。

【００９１】なお、本実施例では、遮光回転シャッター
１３３を図１２に示すような構成（すなわち、赤色透光
部１３３Ｒや緑色透光部１３３Ｇや青色透光部１３３Ｂ
を１つずつ設け、各色透光部１３３Ｒ，１３３Ｇ，１３
３Ｂや非透光部１３３Ｄの中心角を等しくした構成）と
したが、もちろんこれに限られるものではない。中心角
を異ならせたり、赤色透光部や緑色透光部や青色透光部
の個数を変えたり（例えば、光源との兼ね合いで、赤色
透光部を２箇所に設けてＲＧＲＢとしたり）してスクリ
ーン１０１に照射される画像の色合いを調整しても良
い。

【００９２】また、本実施例では、遮光回転シャッター
１３３の回転速度を６０回転／秒とし、各色光の照射時
間及び遮断時間を１／３６０秒としたが、もちろんこれ
に限られるものではなく、倍にしても良い。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
被投影部材へ光束を照射して静止画像を表示する状態
と、被投影部材への光束を遮断する状態とを交互に実施
することにより動画を表示するため、表示品質が良好と
なる。つまり、本発明によれば、動画性能に適したイン
パルス応答の投射型表示装置を提供できる。そして、本
発明では、光束を遮断している時間を自由に設定するこ
とができ、動画像の画質を最適なものにすることができ
る。

【００９４】また、表示素子として液晶素子を用いた場
合であって、照射される光束を変調すべく液晶に印加さ
れる電圧と、照射される光束を遮断すべく前記液晶に印
加される電圧とを、極性が異なるだけで大きさをほぼ等
しくした場合には、液晶に印加される電圧をＤＣ的にキ
ャンセルでき、焼きつきのない良好な画像を得ることが
できる。

【００９５】さらに、液晶としてカイラルスメクチック
液晶を用いた場合には、高速応答が可能となる。

【００９６】またさらに、投射型表示装置をリア型と
し、特に、表示素子の枚数を１枚にすることにより、色
むらを抑制し、画質の優れた、コントラストが高い、且
つ動画性能の非常に優れた良質の画像を表示できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る投射型表示装置の構造の一例を示
す図。

【図２】液晶パネルの構造の一例を示す断面図。

【図３】液晶パネルの構造の一例を示す断面図。

【図４】液晶パネルの構造の一例を示す平面回路図。

【図５】液晶パネルの等価回路図。

【図６】液晶パネルの等価回路図。

【図７】液晶の光透過率−電圧特性を示す図。

【図８】液晶パネルの駆動方法の一例を示す図。

【図９】投射型表示装置の全体構造を示すブロック図。

【図１０】液晶パネルの駆動の様子を示すタイミングチ
ャート図。

【図１１】本発明に係る投射型表示装置の構成を示す
図。

【図１２】遮光回転シャッターの構成を示す図。

【図１３】投射型表示装置の駆動の様子を示すタイミン
グチャート図。

【図１４】投射型表示装置の従来構造の一例を示す図。

【符号の説明】

１００ランプ（光源）１０１スクリーン（被投影部材）１０２遮光回転シャッター（遮光手段）Ｄ_１投射型表示装置Ｄ_２投射型表示装置Ｐ液晶パネル（液晶素子、表示素子）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｂ 21/00 Ｇ０３Ｂ 21/00 Ｅ 33/12 33/12 Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｆターム(参考） 2H088 EA15 EA16 GA04 HA08 HA13 HA14 HA22 HA28 JA17 KA19 MA09 2H091 FA05Z FA14Y FA26 FA34Z FA41Z HA12 LA16 MA07 5C006 AA14 BA12 BB15 EC11 5C080 AA10 AA18 BB05 CC06 DD01 EE19 FF07 FF11 JJ02 JJ04 JJ06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光束を出射する光源と、該光源からの光
束を変調する表示素子と、該表示素子にて変調された光
束が拡大されて投射される被投影部材と、を備えた投射
型表示装置において、前記被投影部材へ光束を照射して静止画像を表示する状
態と、前記被投影部材への光束を遮断する状態とを交互
に実施することにより、動画を表示する、ことを特徴とする投射型表示装置。
【請求項２】前記光束の遮断は、光束の光路中に配置
された遮光手段によって行う、ことを特徴とする請求項１に記載の投射型表示装置。
【請求項３】前記遮光手段が、光束を透過する透光
部、及び光束を遮断する非透光部からなり、回転される
ことに基づき前記光束の遮断を一定周期で行う、ことを特徴とする請求項２に記載の投射型表示装置。
【請求項４】前記表示素子が、液晶によって光束を変
調する液晶素子である、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載
の投射型表示装置。
【請求項５】前記液晶の応答遅れに応じて、信号を印
加して前記液晶素子を駆動するタイミングと、前記遮光
手段によって光束を透過・遮断するタイミングとをずら
せる、ことを特徴とする請求項４に記載の投射型表示装置。
【請求項６】前記光束の遮断は、前記表示素子自体に
よって行う、ことを特徴とする請求項１に記載の投射型表示装置。
【請求項７】前記表示素子は、照射される光束を変調
する状態と、照射される光束を遮断する状態とを交互に
実施する、ことを特徴とする請求項６に記載の投射型表示装置。
【請求項８】照射される光束を変調すべく前記液晶に
印加される電圧と、照射される光束を遮断すべく前記液
晶に印加される電圧とは、極性が異なり、大きさはほぼ
等しい、ことを特徴とする請求項７に記載の投射型表示装置。
【請求項９】前記液晶が、カイラルスメクチック液晶
であり、その相転移系列が、高温側より、等方性液体相
（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルス
メクチックＣ相又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラ
ルスメクチックＣ相である、ことを特徴とする請求項８に記載の投射型表示装置。
【請求項１０】リア型である、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載
の投射型表示装置。
【請求項１１】前記表示素子が１枚である、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記
載の投射型表示装置。