JP2002314052A - Element transfer method, element arraying method using the same, and manufacturing method of image display device - Google Patents

Element transfer method, element arraying method using the same, and manufacturing method of image display device

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To surely and efficiently transfer only an object at high precision, without affecting other components. SOLUTION: An element transfer method is provided where elements arrayed on a first substrate are selectively transferred onto a second substrate in which an adhesive resin layer is formed. Laser light is projected to a rear surface side of the second substrate so that the adhesive resin layer of the second substrate is selectively heated, and the adhesive resin layer is cure so that an element which is to be transferred is bonded to the second substrate. When the laser light is projected to a rear surface side of a substrate to heat the adhesive resin layer at that part directly or through an element or wire, the adhesive resin layer at the heated part selectively provides adhesive strength. By curing it, only an element which is to be transferred is selectively transferred onto the second substrate.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子などの素子を転写する素子の転写方法に関するものであり、さらには、この転写方法を応用して微細加工された素子をより広い領域に転写する素子の配列方法および画像表示装置の製造方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to device transfer method for transferring a device such as a semiconductor light-emitting device, further, transfers the microfabricated device by applying the transfer method to a wider area method for producing a sequence method and an image display device of the device for about.

【0002】 [0002]

【従来の技術】発光素子をマトリクス状に配列して画像表示装置に組み上げる場合には、従来、液晶表示装置(LCD:Liquid Crystal Display)やプラズマディスプレイパネル(PDP:Plasma Display Panel)のように基板上に直接素子を形成するか、あるいは発光ダイオードディスプレイ(LEDディスプレイ)のように単体のLEDパッケージを配列することが行われている。 When assembling of the Prior Art Image display apparatus by arranging light emitting elements in a matrix, conventionally, a liquid crystal display device (LCD: Liquid Crystal Display), a plasma display panel: substrate as in (PDP Plasma Display Panel) either directly formed elements above or be arranged a single LED package is performed as a light emitting diode display (LED displays). 例えば、LCD、PDPの如き画像表示装置においては、 For example, LCD, an image display device such as PDP,
素子分離ができないために、製造プロセスの当初から各素子はその画像表示装置の画素ピッチだけ間隔を空けて形成することが通常行われている。 To avoid possible isolation, the elements from the beginning of the manufacturing process that has been performed normally formed by spaced apart by a pixel pitch of the image display device.

【0003】一方、LEDディスプレイの場合には、L [0003] On the other hand, in the case of the LED display, L
EDチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤーボンドもしくはフリップチップによるバンプ接続により外部電極に接続し、パッケージ化されることが行われている。 Removed ED chip after the dicing, and connected to the outer electrode by individually bump connection by wire bonding or flip chip, it has been made to be packaged. この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表示装置としての画素ピッチに配列されるが、この画素ピッチは素子形成時の素子のピッチとは無関係とされる。 In this case, it is arranged in the pixel pitch of the image display device before or after packaging, the pixel pitch is independent of the pitch of the element in the element formation.

【0004】発光素子であるLED(発光ダイオード) [0004] LED is a light emitting element (light emitting diode)
は高価である為、1枚のウエハから数多くのLEDチップを製造することによりLEDを用いた画像表示装置を低コストにできる。 Since it is expensive, it can be an image display device using the LED by making a large number of LED chips from a single wafer at a low cost. すなわち、LEDチップの大きさを従来約300μm角のものを数十μm角のLEDチップにして、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像表示装置の価格を下げることができる。 That is, the size of the LED chip to the conventional ones about 300μm angle LED chips of a few tens μm square, it is possible to connect it lower the price of the image display apparatus when manufacturing an image display device.

【0005】そこで各素子を集積度高く形成し、各素子を広い領域に転写などによって離間させながら移動させ、画像表示装置などの比較的大きな表示装置を構成する技術が有り、例えば米国特許第5438241号に記載される薄膜転写法や、特開平11-142878号に記載される表示用トランジスタアレイパネルの形成方法などの技術が知られている。 [0005] Therefore the elements integration higher form, is moved while being spaced apart by a transfer of each element in a large region, a technique for constituting a relatively large display device such as an image display device there, for example, U.S. Patent No. 5,438,241 or a thin film transfer method, techniques such as the method of forming the display transistor array panel is described in JP-a-11-142878 is known as described in JP. 米国特許第5438241号では基板上に密に形成した素子が粗に配置し直される転写方法が開示されており、接着剤付きの伸縮性基板に素子を転写した後、各素子の間隔と位置をモニターしながら伸縮性基板がX方向とY方向に伸張される。 In U.S. Patent No. 5438241 discloses a transfer method element was densely formed on the substrate is repositioned to the crude, after transferring the element to the elastic substrate with the adhesive, the spacing and position of each element monitor stretchable substrate while it is stretched in the X and Y directions. そして伸張された基板上の各素子が所要のディスプレイパネル上に転写される。 And each element of the stretched substrate is transferred to a required display panel. また、特開平11-142878号に記載される技術では、第1の基板上の液晶表示部を構成する薄膜トランジスタが第2の基板上に全体転写され、次にその第2 In the technique described in JP-A-11-142878, thin film transistors forming a liquid crystal display unit on the first substrate is transferred across the second substrate, then the second
の基板から選択的に画素ピッチに対応する第3の基板に転写する技術が開示されている。 Technology to be transferred to the third substrate corresponding to the selectively pixel pitch is disclosed from the substrate.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】上述のような転写技術により画像表示装置を製造する場合、転写対象となる素子のみが選択的に、且つ確実に転写される必要がある。 [SUMMARY OF THE INVENTION When manufacturing an image display device by the above-described transfer technique, only the element to be transferred is selectively need to be and reliably transfer.
また、効率的な転写、精度の良い転写も要求される。 Also, efficient transcriptional, accurate transfer is also required. 微細な電子部品や電子デバイス、さらにはそれらをプラスチックのような絶縁体に埋め込んだ電子部品を実装基板上に搭載する方法としては、熱可塑性樹脂を接着剤として用いる方法が一般的である。 Fine electronic components and electronic devices, as a method of further mounting them on the mounting board an electronic component embedded in an insulator such as plastic, a method of using a thermoplastic resin as an adhesive is generally used. 例えば、実装基板の必要箇所に熱可塑性樹脂を塗布し、その上に電子部品を置く。 For example, a thermoplastic resin is applied to necessary portions of the mounting substrate, placing the electronic component thereon. その後、基板ごと加熱して、接着剤を軟化させてその後冷却して基板に固定する。 Then heated together with the substrate, then cooled to soften the adhesive for fixing the substrate. あるいは、基板全面に熱可塑性樹脂を塗布して、その上に電子部品を置いて、基板ごと加熱する。 Alternatively, the thermoplastic resin on the entire surface of the substrate by coating, place the electronic parts on it, is heated together with the substrate. 接着剤を軟化させ、その後冷却して固定する。 The adhesive is softened, and fixed and then cooled. エッチングやプラズマ処理によって露出している接着剤を除去して同様な構造を得る方法も知られている。 It is also known a method of obtaining a similar structure to remove the adhesive is exposed by etching or plasma treatment.

【0007】しかしながら、このような方法を用いた場合、電子部品を置くときには1つづつ置いていく作業が必要になり、極めて煩雑であるばかりか、基板の全面加熱による他の部品の位置ずれや剥離なども問題になる。 However, when using such a method, when placing the electronic component requires work to continue at one by one, not only it is very complicated, positional deviation Ya other components by overall heating of the substrate peeling, etc. is also a problem.
例えば、供給源の部品をそのままの配置で全て基板に配置する場合、基板から基板に転写するという方法が可能である。 For example, to place all substrate components of the source as it arrangement, it is possible method of transferring the substrate to the substrate. 熱可塑性樹脂を用いる場合、全面を高周波、もしくは雰囲気にさらし加熱して、供給源の基板に対する接着力よりも強い接着力を発生させて基板側に転写する。 When a thermoplastic resin is heated exposing the entire surface to a high frequency or atmosphere, by generating a strong adhesive force than the adhesive force is transferred to the substrate side with respect to the substrate of the source.

【0008】これを応用して、転写したい部品と転写したくない部品を選択的に転写することも可能であるが、 [0008] In applying this, but it is also possible to selectively transfer the parts you do not want to transfer the parts to be transferred,
既存の技術では所望の部品のみを加熱することが困難であり、実用にはなっていない。 In the existing art, it is difficult to heat only desired parts, not in a practical use. また、既存の全面加熱の場合、余分な部分に熱可塑性樹脂を塗布すると加熱時に流動性によって部品の設置位置が変わる可能性がある。 Also, if the existing overall heating, there is a possibility that the installation position of the component is changed by the flow resistance at the time of heating and applying a thermoplastic resin to extra piece.
したがって、一般的にはあらかじめ部品を置く位置に樹脂を塗布する必要が生じ、上記煩雑さを解消することはできない。 Thus, generally necessary to apply the resin is caused to advance set the device location to not be able to solve the above-mentioned complication. 同様に、供給源から一度電子部品を吸着ヘッドなどを用いて取り出し、基板の上に置くという方法も考えられるが、吸着ヘッドから基板に固定する場合、全面加熱を施すと、既に接着されている別の部品が剥離する虞れがある。 Similarly, extraction by using a suction head once electronic components from a supply source, a method is also conceivable to place on the substrate, when fixing the substrate from the suction head, when subjected to overall heating, it has already been bonded there is a possibility that another component is peeled off.

【0009】本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたものであり、基板上の素子のうちの転写対象となる素子のみを確実に転写することができ、効率的且つ精度良く素子を転写することが可能な素子の転写方法を提供することを目的とし、さらには、素子の配列方法、画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 [0009] The present invention has been proposed in view of such conventional circumstances, only the element to be transferred among the elements on the substrate can be reliably transferred, the efficient and accurately element to provide a device transfer method capable of transferring an object, a further object is to provide a method for arranging elements, a method for manufacturing an image display device.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するために、本発明の素子の転写方法は、第1の基板上に配列された素子を接着樹脂層が形成された第2の基板上に選択的に転写する素子の転写方法において、第2の基板の裏面側からレーザ光を照射して第2の基板上の接着樹脂層を選択的に加熱し、当該接着樹脂層を硬化することにより転写対象となる素子を第2の基板に接着することを特徴とするものである。 To achieve Disclosed resolve means for the] above object, the device transfer method of the present invention, a second substrate that the elements arranged on the first substrate adhesive resin layer is formed in the transfer method of selectively transferred to the element, by irradiating the laser beam from the rear surface side of the second substrate is selectively heated the second adhesive resin layer on a substrate, curing the adhesive resin layer be in it is characterized in that bonding the element to be transferred to the second substrate by.

【0011】基板の裏面側からレーザ光を照射し、接着樹脂層を直接、あるいは素子や配線を介して間接的に加熱すると、加熱された部分の接着樹脂層が選択的に接着力を発揮する。 [0011] The laser beam is irradiated from the back side of the substrate, when the adhesive resin layer directly or indirectly heated through the elements and wiring, an adhesive resin layer of the heated portion exerts selective adhesion . そして、これを硬化することで、転写対象となる素子のみが第2の基板上に選択的に転写される。 Then, by curing the only element to be transferred is selectively transferred onto the second substrate. このとき、接着樹脂層を選択的に塗布する必要はなく、また他の部品が剥離したり位置ずれを起こすこともない。 In this case, it is not necessary to selectively apply the adhesive resin layer, nor cause a positional shift or other parts are peeled off.

【0012】また、本発明の素子の配列方法は、第一基板上に配列された複数の素子を第二基板上に再配列する素子の配列方法において、前記第一基板上で前記素子が配列された状態よりは離間した状態となるように前記素子を転写して一時保持用部材に該素子を保持させる第一転写工程と、前記一時保持用部材に保持された前記素子を樹脂で固める工程と、前記樹脂をダイシングして素子毎に分離する工程と、前記一時保持用部材に保持され樹脂で固められた前記素子をさらに離間して前記第二基板上に転写する第二転写工程を有し、上記第二転写工程は、第二基板の裏面側からレーザ光を照射して第二基板上の接着樹脂層を選択的に加熱し、当該接着樹脂層を硬化することにより転写対象となる素子を第二基板に接着することを特徴とす [0012] The arrangement method of the device of the present invention is a method of arranging elements for rearranging a plurality of elements arranged on the first substrate to the second substrate, wherein the element is arranged on said first substrate a first transfer step of the can from the state holding the device to an temporarily holding member and transferred to the device such that the separated state, wherein the step of consolidating the elements which are held in the temporary holding member a resin When a step of separating each element by dicing the resin, a second transfer step of transferring the further apart the device that has been hardened by being held in the temporary holding member resin into the second substrate Yes and, the second transfer step, be transferred by irradiated with a laser beam from the rear surface side of the second substrate is selectively heated adhesive resin layer of the second substrate to cure the adhesive resin layer It is characterized by bonding the element to the second substrate ものである。 It is intended.

【0013】上記方法においては、素子の転写が効率的且つ確実に行われるので、素子間の距離を大きくする拡大転写を円滑に実施することができる。 [0013] In the above method, since the transfer of the element is carried out efficiently and reliably, it is possible to smoothly carry out the enlargement transfer to increase the distance between the elements.

【0014】さらに、本発明の画像表示装置の製造方法は、発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の製造方法において、前記第一基板上で前記発光素子が配列された状態よりは離間した状態となるように前記発光素子を転写して一時保持用部材に該発光素子を保持させる第一転写工程と、前記一時保持用部材に保持された前記発光素子を樹脂で固める工程と、前記樹脂をダイシングして発光素子毎に分離する工程と、前記一時保持用部材に保持され樹脂で固められた前記発光素子をさらに離間して前記第二基板上に転写する第二転写工程を有し、 Furthermore, a method of manufacturing an image display device of the present invention is the manufacturing method of the image display device light-emitting elements are arranged in matrix, spaced than a state where the light emitting elements are arranged on said first substrate a step of solidifying a first transfer step of holding the light-emitting element in the temporary holding member by transferring the light emitting element so that the state, the held in the temporary holding member and the light emitting element with a resin, the resin the has a separating diced to each light-emitting element, a second transfer step of transferring the further apart the light-emitting element that is hardened by being held in the temporary holding member resin into said second substrate,
上記第二転写工程は、第二基板の裏面側からレーザ光を照射して第二基板上の接着樹脂層を選択的に加熱し、当該接着樹脂層を硬化することにより転写対象となる発光素子を第二基板に接着することを特徴とするものである。 Said second transfer step, by irradiating a laser beam from the rear surface side of the second substrate is selectively heated adhesive resin layer of the second substrate, the light emitting element to be transferred by curing the adhesive resin layer the is characterized in that bonded to the second substrate.

【0015】上記画像表示装置の製造方法によれば、上記転写方法、配列方法によって発光素子がマトリクス状に配置され、画像表示部分が構成される。 According to the manufacturing method of the image display apparatus, the transfer method, the light emitting element by the arrangement method are arranged in a matrix form, the image display portion is constituted. したがって、 Therefore,
密な状態すなわち集積度を高くして微細加工を施して作成された発光素子を、効率よく離間して再配置することができ、生産性が大幅に改善される。 A light emitting device was created by applying microfabrication and high dense state or integration, efficiently can be repositioned away, the productivity is significantly improved.

【0016】 [0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した素子の転写方法、配列方法、及び画像表示装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method transfer of the applied device of the present invention, sequence methods, and a method of manufacturing the image display apparatus will be described in detail with reference to the drawings.

【0017】先ず、基本となる素子の転写方法について説明する。 [0017] First, a description will be given device transfer method of the underlying. 本発明により素子を転写するには、図1 To transfer the device according to the invention, FIG. 1
(a)に示すように、供給源となるベース基板1上に接着剤層2を形成し、この上に複数の素子3を配列形成する。 (A), the adhesive layer 2 is formed on the base substrate 1 serving as a supply source, arranged a plurality of elements 3 on this.

【0018】ここで、上記接着剤層2に、例えば比較的粘着力の小さい粘着性の樹脂などを用いることにより、 [0018] Here, the adhesive layer 2, for example by using a like relatively adhesion small sticky resin,
簡単に他の基板に転写することが可能となる。 Easily it becomes possible to transfer to another substrate.

【0019】また、素子3としては、任意の素子に適用することができ、例示するならば、発光素子、液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子などを挙げることができる。 Further, as the elements 3, can be applied to any element, By way of example, the light emitting element, a liquid crystal control devices, photoelectric conversion elements, piezoelectric elements, thin-film transistor device, a thin film diode elements, resistive elements, switching mention may be made of elements, micro-magnetic devices, such as micro-optical element.

【0020】次いで、図1(b)に示すように、このベース基板1と対向して転写の橋渡しとなる一時保持基板(第1の基板)4を圧着し、この一時保持基板4上に必要な素子3aのみを写し取る。 [0020] Then, as shown in FIG. 1 (b), the base substrate 1 opposite to the bridge to become the temporarily holding substrate (first substrate) 4 of the transferred compression bonding, necessary on the temporary holding substrate 4 Utsushitoru the only such element 3a.

【0021】上記一時保持基板4上には、転写対象となる素子3aに対応して、選択的に接着剤層5が形成されており、この接着剤層5の粘着力を先のベース基板1上の接着剤層2の粘着力よりも大きくしておけば、素子3 [0021] On the temporary holding substrate 4, corresponding to the element 3a to be transferred, it is formed selectively adhesive layer 5, the base substrate 1 of the adhesive strength ahead of the adhesive layer 5 if it made greater than the adhesive strength of the adhesive layer 2 of the upper element 3
aを簡単に転写することができる。 It can be easily transferred to a. 図1(c)は、一時保持基板4をベース基板1から剥がし取った状態を示すもので、選択的に形成された接着剤層5上に素子3aが転写されている。 FIG. 1 (c), shows the peeling took state temporarily holding substrate 4 from the base substrate 1 is selectively formed adhesive layer 5 on the element 3a is transferred.

【0022】次に、図1(d)に示すように、この素子3aを写し取った一時保持基板4を転写基板(第2の基板)6と対向させて圧着し、素子3aを転写基板6側へと移行する。 Next, as shown in FIG. 1 (d), the element 3a temporarily storing the substrate 4 transcription substrate (second substrate) having Utsushito' 6 and is opposed to pressure bonding, the element 3a transfer substrate 6 side to migrate to. なお、上記転写基板6の表面には、全面に接着樹脂層7が形成されており、また、他の部品8が既に固定されている。 Note that the surface of the transfer substrate 6, the entire surface is bonded the resin layer 7 is formed, also other components 8 is already secured. 接着樹脂層7は、例えば、熱可塑性接着樹脂を塗布することにより形成されている。 Adhesive resin layer 7 is, for example, is formed by applying a thermoplastic adhesive resin. また、 Also,
上記転写基板6は、素子3aの転写時にレーザ光をこの転写基板6の裏面側から照射する必要があるので、光透過性を有することが好ましい。 The transfer substrate 6, it is necessary to irradiate the laser beam at the time of transfer of the element 3a from the back side of the transfer substrate 6 preferably has optical transparency.

【0023】転写に際しては、上記転写基板6に一時保持基板4を重ね合わせた後、転写基板6の裏面側からレーザ光Lを照射し、上記接着樹脂層7を選択的に軟化し、その後、冷却固化することによって素子3aを接着樹脂層7に固定する。 [0023] In the transfer, after superposing the temporarily holding substrate 4 on the transfer substrate 6, the laser beam L is irradiated from the back side of the transfer substrate 6, selectively soften the adhesive resin layer 7, then, fixing the element 3a in the adhesive resin layer 7 by cooling and solidifying.

【0024】例えば、図2に示すように、転写基板6の裏面側からレーザ光Lを照射し、転写対象となる素子3 [0024] For example, as shown in FIG. 2, the laser beam L is irradiated from the back side of the transfer substrate 6, be transferred element 3
aが接する部分の接着樹脂層7のみを選択的に加熱する。 a is only adhesive resin layer 7 of the portion selectively heated in contact. すると、熱可塑性接着樹脂からなる接着樹脂層7の加熱領域Hのみが軟化して素子3aに対して接着力を発揮する。 Then, only the heating region H of the adhesive resin layer 7 made of a thermoplastic adhesive resin exhibits adhesion to elements 3a softened. その後、レーザ光の照射を止め、上記加熱領域Hを冷却硬化すれば、素子3aは、接着樹脂層7によって転写基板6に固定される。 Then, stop the irradiation of the laser beam, if chill the heating region H, the element 3a is fixed to the transfer substrate 6 by the adhesive resin layer 7.

【0025】このとき、他の部品8を接着固定する接着樹脂層7にはレーザ光が照射されず、したがって、この部分の接着樹脂層7が軟化して部品8が剥離したり、位置ずれを起こしたりすることはない。 [0025] At this time, the laser light is not irradiated to the adhesive resin layer 7 is adhered and fixed to the other components 8, therefore, or part 8 is separated adhesive resin layer 7 of this portion is softened, the positional deviation It is not able to or cause.

【0026】上記接着樹脂層7の加熱は、上記の例では、接着樹脂層7に直接レーザ光を照射することにより行ったが、接着樹脂層7のレーザ光Lに対する吸収が少なく、大部分が透過してしまって接着樹脂層7をレーザ光で直接加熱することが難しい場合などには、図3に示すように、接着樹脂層7を透過したレーザ光Lを転写対象となる素子3aに照射し、これを加熱することにより間接的に接着樹脂層7を加熱することも可能である。 The heating of the adhesive resin layer 7, in the above example, was carried out by irradiating a direct laser light to the adhesive resin layer 7, less absorption of the laser beam L of the adhesive resin layer 7, the majority transmission to the like if it is difficult to directly heat the adhesive resin layer 7 got a laser beam, as shown in FIG. 3, a laser beam L that has passed through the bonding resin layer 7 to the element 3a to be transferred and, it is also possible to heat indirectly the adhesive resin layer 7 by heating it.

【0027】転写対象となる素子3aにレーザ光Lを照射し、接着樹脂層7と接する部分Hを加熱すれば、その熱が接着樹脂層7に伝わってこれを軟化する。 [0027] The laser beam L is irradiated to the element 3a to be transferred, by heating the portion H in contact with the adhesive resin layer 7, the heat softens it transmitted to the adhesive resin layer 7. 後は、これを冷却硬化すれば、素子3aは接着樹脂層7によって転写基板6に固定される。 After, if chill this element 3a is fixed to the transfer substrate 6 by the adhesive resin layer 7.

【0028】あるいは、転写基板6上に配線が形成されている場合には、これをレーザ照射によって加熱し、接着樹脂層7を間接的に加熱することも可能である。 [0028] Alternatively, if the wiring on the transfer substrate 6 is formed, which is heated by the laser irradiation, it is possible to indirectly heat the adhesive resin layer 7.

【0029】図4は、転写基板6上に配線パターン9が形成され、この上に素子3aを転写する例を示すものである。 [0029] FIG 4 is a wiring pattern 9 is formed on the transfer substrate 6 illustrates an example of transferring the elements 3a thereon. 通常、素子3aに対応して、当該素子3aと回路とを接続するための配線パターン9が形成されている。 Usually, in response to device 3a, the wiring pattern 9 for connecting the said element 3a and the circuit is formed.
配線パターン9は、銅やアルミニウムなどの金属からなり、レーザ光Lにより容易に加熱することができる。 Wiring pattern 9 is made of a metal such as copper or aluminum, it can be easily heated by the laser beam L.

【0030】そこで、図4に示すように、素子3aに対応して設けられた配線パターン9にレーザ光Lを照射し、素子3aに対応する領域Hを加熱する。 [0030] Therefore, as shown in FIG. 4, the laser beam L is irradiated to the wiring pattern 9 provided corresponding to the element 3a, to heat the region H corresponding to the element 3a. すると、その熱が接着樹脂層7に伝わってこれを軟化する。 Then, the heat is softened it transmitted to the adhesive resin layer 7. 後は同様であり、これを冷却硬化すれば、素子3aは接着樹脂層7によって転写基板6に固定される。 After is the same, if chill this element 3a is fixed to the transfer substrate 6 by the adhesive resin layer 7.

【0031】なお、上記図2〜図4に示す加熱は、それぞれ単独で行っても良いし、あるいはレーザ光Lの照射により、これらが複合して最終的に接着樹脂層7が加熱、軟化されるようにしてもよい。 [0031] The heating shown in FIG. 2 to FIG. 4 may each be carried out alone or by irradiation of the laser beam L, and finally the adhesive resin layer 7 these in combination is heated, softened it may be so that.

【0032】上記レーザ光照射による加熱軟化及び冷却による硬化を経て、素子3aを接着樹脂層7により転写基板6に固着した後、一時保持基板4を剥離する。 [0032] Through the curing by heating soften and cooling by the laser light irradiation, it was fixed to the transfer substrate 6 by an adhesive resin layer 7 elements 3a, peeled temporary holding substrate 4.

【0033】これにより、転写対象となる素子3aが転写基板6上に転写されるが、この状態では接着樹脂層7 [0033] Thus, although elements 3a to be transferred is transferred onto the transfer substrate 6, the adhesive resin layer in this state 7
が全面に形成されたままである。 There remains formed on the entire surface.

【0034】そこで、図1(e)に示すようにエッチングを施し、接着樹脂層7の余分な部分を除去して選択転写プロセスを完了する。 [0034] Therefore, etched, as shown in FIG. 1 (e), to complete the selection transfer process by removing the excess portion of the adhesive resin layer 7. これにより、図1(f)に示すような素子3aが部品8間に選択転写された転写基板6 Thus, the transfer substrate 6 element 3a as shown in FIG. 1 (f) is selected transferred between parts 8
を得ることができる。 It is possible to obtain.

【0035】上述のように、レーザ光を用いることによって、接着樹脂層7のごく狭い部分を短時間で加熱することが可能となり、隣接して既に接着された部品8を固着している接着樹脂層7にまで熱を伝えることがないため、これら隣接して接着された部品8の固着状態に影響が及ぶことはなく、選択的に素子3aを転写することが可能となる。 [0035] As described above, by using a laser beam, it is possible to heat a very narrow portion of the adhesive resin layer 7 in a short time, the adhesive are fixed parts 8 which are already adhered adjacent resin because never transfer heat to the layer 7, it never affects the stuck spans of parts 8 which are bonded these adjacent, it is possible to transfer selectively element 3a.

【0036】既存の技術のように全面加熱をすると、他の部品8を固着する接着樹脂層7まで流動して部品8が移動する可能性があるが、本発明では、そのような事態を回避することが可能である。 [0036] When the entire heated as existing technology, although parts 8 and flows to the adhesive resin layer 7 for fixing the other component 8 may move, in the present invention, avoids such a situation it is possible to. また、接着樹脂層7を塗布形成する場合、少量を素子3aを置く部分にのみ選択的に塗布するなどの必要がなく、全面に均一に塗布すればよく、プロセスを簡略化することができる。 Further, when formed by coating an adhesive resin layer 7, it is not necessary, such as selectively applying only to the portion to place the element 3a of a small amount, may be uniformly coated on the entire surface, it is possible to simplify the process.

【0037】なお、以上の説明においては、接着樹脂層7を構成する材料として、熱可塑性接着樹脂を例にして説明したが、熱硬化性接着樹脂でも同様の手法により素子の選択的転写が可能である。 [0037] In the above description, as the material constituting the adhesive resin layer 7, although the thermoplastic adhesive resin described as an example, permits selective transfer of elements in the same manner even in a thermosetting adhesive resin it is. 熱硬化性接着樹脂の場合には、レーザ光の照射により加熱された部分のみが熱硬化し、素子を固着する。 In the case of thermosetting adhesive resin, only the portion heated by irradiation of the laser beam is thermally cured to fix the elements.

【0038】上記の転写方法は、例えばアクティブマトリクス方式の画像表示装置における素子転写などに応用すると、極めて有用である。 [0038] The above method of transferring, for example when applications such as device transferring the image display device of active matrix type, it is extremely useful. アクティブマトリクス方式の画像表示装置では、駆動素子であるSiトランジスタに隣接して、R,G,Bの発光素子を配置する必要がある。 The image display device of active matrix type, adjacent to the Si transistor is a driving element, it is necessary to arrange R, G, and the light emitting element of B. これらR,G,Bの発光素子は、順次Siトランジスタの近い位置に転写する必要があるが、Siトランジスタは極めて熱伝導が良く、熱が加わると内部回路の破損につながる。 These R, G, the light emitting element of B, it is necessary to transfer the close positions sequentially Si transistors, Si transistor is extremely good heat conductivity, leading to breakage of the internal circuit when heat is applied. ここで、上記転写方法を利用することにより、Siトランジスタに熱が伝わるのを回避することができ、上記不都合を解消することができる。 Here, by using the above transfer method, it is possible to prevent the heat is transferred to the Si transistor, it is possible to eliminate the above disadvantages.

【0039】例えば、上記Siトランジスタの大きさが560μm×160μm×35μm、各発光素子が一辺5〜10μm程度の小面積であり、接着樹脂にエポキシ系熱硬化性樹脂を用い、YAG2倍レーザ(波長532 [0039] For example, the Si transistor size is 560μm × 160μm × 35μm, a small area of ​​each light-emitting element is approximately one side 5 to 10 [mu] m, using an epoxy thermosetting resin in the adhesive resin, YAG2 times laser (wavelength 532
nm)を照射する場合、レーザ照射による加熱は1n The case of irradiation with nm), heating by laser irradiation 1n
秒、冷却は10n秒程度である。 Seconds, cooling is about 10n seconds. レーザ照射による加熱時間が4n秒以下であれば、隣接するSiトランジスタに熱の影響が及ぶことはない。 If less 4n seconds heating time by the laser irradiation, the effect of heat does not extend to Si transistors adjacent.

【0040】次に、上記転写方法の応用例として、二段階拡大転写法による素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法について説明する。 Next, as an application example of the transfer method, a method for manufacturing the array method and the image display apparatus of the device according to the two-step enlarged transfer method. 本例の素子の配列方法および画像表示装置の製造方法は、高集積度をもって第一基板上に作成された素子を第一基板上で素子が配列された状態よりは離間した状態となるように一時保持用部材に転写し、次いで一時保持用部材に保持された前記素子をさらに離間して第二基板上に転写する二段階の拡大転写を行う。 Method for producing a sequence method and an image display device of the device of the present example, as the separated state is compared with the state high with a degree of integration of the elements that are created on the first substrate element in the first substrate are arranged transferred to the temporarily holding member, followed by a larger transfer of the two-step of transferring the second substrate further apart the elements which are held in the temporarily holding member. なお、本例では転写を2段階としているが、素子を離間して配置する拡大度に応じて転写を三段階やそれ以上の多段階とすることもできる。 Note that although a two-step transcription in this example, may be a three-step or more multi-stage transfer in accordance with the enlargement of the spaced elements.

【0041】図5はそれぞれ二段階拡大転写法の基本的な工程を示す図である。 [0041] FIG. 5 is a diagram showing the basic steps of the respective two-step enlarged transfer method. まず、図5の(a)に示す第一基板10上に、例えば発光素子のような素子12を密に形成する。 First, on the first substrate 10 shown in FIG. 5 (a), densely to form the element 12 such as light emitting elements. 素子を密に形成することで、各基板当たりに生成される素子の数を多くすることができ、製品コストを下げることができる。 By densely forming devices, it is possible to increase the number of elements to be produced per each substrate, it is possible to reduce the product cost. 第一基板10は例えば半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイヤ基板、プラスチック基板などの種々素子形成可能な基板であるが、各素子12は第一基板10上に直接形成したものであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっても良い。 The first substrate 10, for example a semiconductor wafer, a glass substrate, a quartz glass substrate, sapphire substrate, but various elements capable of forming a substrate such as a plastic substrate, each element 12 is a made by forming directly on the first substrate 10 It is good, or may be an array of those formed on the other substrate.

【0042】次に図5の(b)に示すように、第一基板1 [0042] Next, as shown in (b) of FIG. 5, the first substrate 1
0から各素子12が図中破線で示す一時保持用部材11 0 from each element 12 is temporarily holding member shown by broken lines in FIG. 11
に転写され、この一時保持用部材11の上に各素子12 It is transferred to the respective elements 12 on the temporarily holding member 11
が保持される。 There is retained. ここで隣接する素子12は離間され、図示のようにマトリクス状に配される。 Element 12 adjacent here are spaced and arranged in a matrix form as shown. すなわち素子12 That element 12
はx方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、x方向に垂直なy方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。 It is being transferred to spread between respectively in the x-direction element, also perpendicular y-direction in the x-direction is transferred to the respective spread between the elements. このとき離間される距離は、特に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や電極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。 Distance to be spaced at this time is not particularly limited, it may be a distance in consideration of formation of resin portion formation and the electrode pads in the subsequent step as an example.
一時保持用部材11上に第一基板10から転写した際に第一基板10上の全部の素子が離間されて転写されるようにすることができる。 Can be made to all of the elements on the first substrate 10 is transferred is separated when transferred from the first substrate 10 on the temporarily holding member 11. この場合には、一時保持用部材11のサイズはマトリクス状に配された素子12の数(x方向、y方向にそれぞれ)に離間した距離を乗じたサイズ以上であれば良い。 In this case, the size of the temporarily holding member 11 may be at the number of elements 12 arranged in a matrix size than obtained by multiplying a distance spaced (x-direction, respectively in the y-direction). また、一時保持用部材11上に第一基板10上の一部の素子が離間されて転写されるようにすることも可能である。 It is also possible to be transferred part of the element on the first substrate 10 is spaced on the temporarily holding member 11.

【0043】このような第一転写工程の後、図5の(c) [0043] After such a first transfer step, shown in FIG. 5 (c)
に示すように、一時保持用部材11上に存在する素子1 As shown in the element 1 located on the temporarily holding member 11
2は離間されていることから、各素子12毎に素子周りの樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。 Since 2 is spaced, the formation of the resin coating and the electrode pad around element for each element 12 is performed. 素子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次の第二転写工程での取り扱いを容易にするなどのために形成される。 Coating of the resin around the element is easier to form an electrode pad is formed such as to facilitate handling in the subsequent second transfer step. 電極パッドの形成は、後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、その際に配線不良が生じないように比較的大き目のサイズに形成されるものである。 Forming an electrode pad, as described later, since final wiring is performed after the subsequent second transfer step, in which the time line defective is formed to a relatively large size so as not to cause. なお、図5の(c)には電極パッドは図示していない。 The electrode pads are not shown in FIG. 5 (c). 各素子12の周りを樹脂13が覆うことで樹脂形成チップ14が形成される。 Around the element 12 resin forming the chip 14 by the resin 13 covers are formed. 素子12は平面上、樹脂形成チップ14の略中央に位置するが、一方の辺や角側に偏った位置に存在するものであっても良い。 Element 12 is on a plane, but located substantially at the center of the resin forming the chip 14, or may be located at a position offset to one side or corner side.

【0044】次に、図5の(d)に示すように、第二転写工程が行われる。 Next, as shown in (d) of FIG. 5, the second transfer step. この第二転写工程では一時保持用部材11上でマトリクス状に配される素子12が樹脂形成チップ14ごと更に離間するように第二基板15上に転写される。 The second element 12 which is disposed in a matrix on the temporarily holding member 11 the transfer step is transferred onto the second substrate 15 so as to your bets further apart resin forming chip 14.

【0045】この第二転写工程に上記図1に示す転写方法を応用するが、これについては後ほど詳述する。 [0045] applying the transfer method shown in FIG. 1 in the second transfer step, but will be described in detail later this.

【0046】第二転写工程においても、隣接する素子1 [0046] Also in the second transfer step, adjacent elements 1
2は樹脂形成チップ14ごと離間され、図示のようにマトリクス状に配される。 2 is spaced by the resin forming the chip 14, it is arranged as shown in a matrix. すなわち素子12はx方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、x方向に垂直なy方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。 That element 12 are transcribed to spread between the respective elements in the x-direction, also perpendicular y-direction in the x-direction is transferred to the respective spread between the elements. 第二転写工程のよって配置された素子の位置が画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置であるとすると、当初の素子12間のピッチの略整数倍が第二転写工程のよって配置された素子12のピッチとなる。 When the position of the deployed device by a second transfer step is assumed to be positions corresponding to the pixels of the final product such as an image display device, arranged approximately an integral multiple of the pitch between the original element 12 by a second transferring step the pitch of the an element 12. ここで第一基板10から一時保持用部材11での離間したピッチの拡大率をnとし、一時保持用部材11から第二基板15での離間したピッチの拡大率をmとすると、略整数倍の値EはE=nxmであらわされる。 Here spaced enlargement ratio of the pitch of the first substrate 10 from the temporary holding member 11 is n, when the spaced enlargement ratio of the pitch of the second substrate 15 from the temporarily holding member 11 is m, substantially integral multiple has a value of E is represented by E = nxm. 拡大率n、mはそれぞれ整数であっても良く、整数でなくともEが整数となる組み合わせ(例えばn=2.4でm=5) Magnification n, m may be an integer, respectively, the combination without an integer E becomes an integer (for example, m = 5 in n = 2.4)
であれば良い。 It is sufficient.

【0047】第二基板15上に樹脂形成チップ14ごと離間された各素子12には、配線が施される。 [0047] Each element 12 that are spaced apart by a resin formed chips 14 on the second substrate 15, wiring is performed. この時、 At this time,
先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。 Wiring while minimizing the connection failure by using the electrode pads of the previously formed or the like is performed. この配線は例えば素子12 This wiring example element 12
が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、p電極、 There the case of the light-emitting element such as light emitting diodes, p electrode,
n電極への配線を含み、液晶制御素子の場合は、選択信号線、電圧線や、配向電極膜などの配線等を含む。 Wherein the wiring to the n-electrode, when the liquid crystal control device includes selection signal lines, and voltage lines, the wiring and the like, such as oriented electrode film.

【0048】図5に示した二段階拡大転写法においては、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッドや樹脂固めなどを行うことができ、そして第二転写後に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。 [0048] In the two-step enlarged transfer method shown in FIG. 5, etc. can be performed electrode pad and resin compaction, and the wiring after the second transfer is performed by using the spaced space after the first transfer but wires while suppressing a connection failure as much as possible by using the electrode pads of the previously formed or the like is performed. 従って、画像表示装置の歩留まりを向上させることができる。 Therefore, it is possible to improve the yield of the image display device. また、本例の二段階拡大転写法においては、素子間の距離を離間する工程が2工程であり、このような素子間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、 In the two-step enlarged transfer method of the present embodiment, a process is two-step spacing the distance between the elements, by performing the expansion transcription of multiple step of separating the distance between such element,
実際は転写回数が減ることになる。 In fact it will be that the number of transfers reduced. すなわち、例えば、 That is, for example,
ここで第一基板10、10aから一時保持用部材11、 Wherein the first one to substrate 10,10a o'clock holding member 11,
11aでの離間したピッチの拡大率を2(n=2)とし、一時保持用部材11、11aから第二基板15での離間したピッチの拡大率を2(m=2)とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に転写しようとしたときでは、最終拡大率が2×2の4倍で、その二乗の16回の転写すなわち第一基板のアライメントを16回行う必要が生ずるが、本例の二段階拡大転写法では、アライメントの回数は第一転写工程での拡大率2の二乗の4回と第二転写工程での拡大率2の二乗の4回を単純に加えただけの計8回で済むことになる。 Spaced enlargement ratio of the pitch at 11a and 2 (n = 2), when the spaced enlargement ratio of the pitch of the second substrate 15 from the temporarily holding member 11,11a and 2 (m = 2), if a time when the the attempts to transfer the range being enlarged by transfer, at four times the final magnification is 2 × 2, although necessary to perform its square of 16 times the transfer i.e. the alignment of the first substrate 16 once occurs, the present embodiment in the two-step enlarged transfer method, the number of times of alignment is simply added 4 times the square of the magnification 2 on four and a second transfer step of the square of magnification 2 in the first transfer step eight It will be need in the times. 即ち、同じ転写倍率を意図する場合においては、(n+m) =n +2nm+ That is, in the case intended for the same transfer magnification, (n + m) 2 = n 2 + 2nm +
であることから、必ず2nm回だけ転写回数を減らすことができることになる。 since it is m 2, and thus can reduce the number of transfers only sure 2nm times. 従って、製造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場合に有益となる。 Therefore, manufacturing process which saves the number of times by the time and expense, be beneficial especially in the case of magnification greater.

【0049】なお、図5に示した二段階拡大転写法においては、素子12を例えば発光素子としているが、これに限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、 [0049] In the two-step enlarged transfer method shown in FIG. 5, although the device 12, for example a light-emitting element is not limited to this, other elements such as a liquid crystal control devices, photoelectric conversion elements, piezoelectric elements, a thin film transistor elements, thin film diode elements, resistive elements, switching elements, micro-magnetic devices,
微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、これらの組み合わせなどであっても良い。 Selected element or portion thereof from the micro-optical element may be a combination of these.

【0050】上記第二転写工程においては、樹脂形成チップとして取り扱われ、一時保持用部材上から第二基板に転写されるが、この樹脂形成チップについて図6及び図7を参照して説明する。 [0050] In the second transfer step, is treated as a resin forming the chip, but the temporarily holding member on is transferred to the second substrate, it will be described with reference to FIGS. 6 and 7 for the resin-covered chip. 樹脂形成チップ20は、離間して配置されている素子21の周りを樹脂22で固めたものであり、このような樹脂形成チップ20は、一時保持用部材から第二基板に素子21を転写する場合に使用できるものである。 Resin forming chip 20 around the elements 21 which are spaced apart and which was solidified with resin 22, such resins forming chip 20 transfers the element 21 from the temporarily holding member to a second substrate it is those that can be used in the case.

【0051】樹脂形成チップ20は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。 The resin forming the chip 20 is its major surface is a substantially square shape on a substantially flat plate. この樹脂形成チップ20の形状は樹脂22を固めて形成された形状であり、具体的には未硬化の樹脂を各素子21を含むように全面に塗布し、これを硬化した後で縁の部分をダイシング等で切断することで得られる形状である。 The shape of the resin forming the chip 20 is a shape formed by hardening the resin 22, in particular applied to the entire surface of the uncured resin so as to include the elements 21, the edge portion of the after curing the which is a shape obtained by cutting by dicing or the like.

【0052】略平板状の樹脂22の表面側と裏面側にはそれぞれ電極パッド23,24が形成される。 [0052] Each of the front and back side electrode pads 23, 24 of the substantially flat resin 22 is formed. これら電極パッド23,24の形成は全面に電極パッド23,2 The formation of these electrode pads 23 and 24 are electrode pads on the entire surface 23,2
4の材料となる金属層や多結晶シリコン層などの導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極形状にパターンニングすることで形成される。 A conductive layer such as a metal layer or a polycrystalline silicon layer serving as a fourth material is formed, it is formed by patterning into a desired electrode shape by photolithography. これら電極パッド23,24は発光素子である素子21のp電極とn電極にそれぞれ接続するように形成されており、必要な場合には樹脂22にビアホールなどが形成される。 These electrode pads 23 and 24 are formed to be connected respectively to the p-electrode and n-electrode of a light-emitting element device 21, if necessary, such as via holes in the resin 22 is formed.

【0053】ここで電極パッド23,24は樹脂形成チップ20の表面側と裏面側にそれぞれ形成されているが、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲート、ドレインの3つの電極があるため、電極パッドを3つ或いはそれ以上形成しても良い。 [0053] Here, the electrode pads 23 and 24 are formed respectively on the surface side and back side of the resin forming the chip 20, it is also possible to form both the electrode pads on one surface, for example in the case of a thin film transistor in the source, gate, since there are three electrodes of drain may be formed an electrode pad 3 or more. 電極パッド23, Electrode pads 23,
24の位置が平板上ずれているのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにするためである。 The the location of 24 is displaced on the plate, in order to from the upper side during the final wiring formed so as not to take overlapping contact. 電極パッド23,24の形状も正方形に限定されず他の形状としても良い。 The shape of the electrode pads 23 and 24 may be other shapes without being limited to a square.

【0054】このような樹脂形成チップ20を構成することで、素子21の周りが樹脂22で被覆され平坦化によって精度良く電極パッド23,24を形成できるとともに素子21に比べて広い領域に電極パッド23,24 [0054] With such a configuration of the resin-covered chip 20, the electrode pad wider area than the device 21 it is possible to form accurately the electrode pads 23 and 24 by the coated planarization resin 22 around the element 21 23 and 24
を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。 You can extend the facilitates handling transcription in subsequent second transfer step when advancing in suction jig. 後述するように、 As will be described later,
最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、 Since the final wiring is performed after the subsequent second transfer step,
比較的大き目のサイズの電極パッド23,24を利用した配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。 By performing wiring using the electrode pads 23 and 24 of relatively large size, wiring defects can be prevented.

【0055】次に、図8に本例の二段階拡大転写法で使用される素子の一例としての発光素子の構造を示す。 [0055] Next, a structure of a light-emitting device as an example of the elements used in a two-stage expansion transfer method of the present embodiment in FIG. 図8の(a)が素子断面図であり、図8の(b)が平面図である。 In FIG. 8 (a) is an element cross-sectional view, shown in FIG. 8 (b) is a plan view. この発光素子はGaN系の発光ダイオードであり、たとえばサファイヤ基板上に結晶成長される素子である。 The light emitting element is a light emitting diode of GaN-based, a device is grown on a sapphire substrate, for example. このようなGaN系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションが生じ、GaNの窒素が気化する現象にともなってサファイヤ基板とGaN系の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。 In such light-emitting diodes of GaN-based laser ablation caused by the laser irradiation transmitted through the substrate, film peeling occurred at the interface between the sapphire substrate and the GaN-based growth layer with the phenomenon of GaN nitrogen is vaporized, It has a feature capable of isolation in easy.

【0056】まず、その構造については、GaN系半導体層からなる下地成長層31上に選択成長された六角錐形状のGaN層32が形成されている。 [0056] First, the structure, GaN layer 32 of the hexagonal pyramid shape selected grown on under growth layer 31 made of GaN-based semiconductor layer is formed. なお、下地成長層31上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のGaN層32はその絶縁膜を開口した部分にMOCVD Incidentally, on the under growth layer 31 there is an insulating film (not shown), GaN layer 32 of the hexagonal pyramid shape MOCVD to a portion which opens the insulating film
法などによって形成される。 Law is formed by a. このGaN層32は、成長時に使用されるサファイヤ基板の主面をC面とした場合にS面(1−101面)で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。 The GaN layer 32 is grown layer pyramid covered with S-plane (1-101 plane) when the principal plane of the sapphire substrate was C plane is used during the growth, with silicon was doped region is there. このG The G
aN層32の傾斜したS面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。 Inclined S-plane portion of aN layer 32 functions as a cladding of a double-hetero structure. GaN層32の傾斜したS面を覆うように活性層であるInGaN層33が形成されており、その外側にマグネシウムドープのGaN層34 And InGaN layer 33 is formed as an active layer so as to cover the inclined S-plane of the GaN layer 32, GaN layer 34 of magnesium-doped on the outside
が形成される。 There is formed. このマグネシウムドープのGaN層34 GaN layer 34 of the magnesium-doped
もクラッドとして機能する。 Also it functions as a cladding.

【0057】このような発光ダイオードには、p電極3 [0057] Such light emitting diodes, p electrode 3
5とn電極36が形成されている。 5 and n electrode 36 are formed. p電極35はマグネシウムドープのGaN層34上に形成されるNi/Pt p electrode 35 is formed on the GaN layer 34 of magnesium-doped Ni / Pt
/AuまたはNi(Pd)/Pt/Auなどの金属材料を蒸着して形成される。 / Au or Ni (Pd) / Pt / Au are formed by depositing a metal material such as. n電極36は前述の図示しない絶縁膜を開口した部分でTi/Al/Pt/Auなどの金属材料を蒸着して形成される。 n electrode 36 is formed by depositing a metal material such as Ti / Al / Pt / Au at a portion having an open insulating film (not shown) described above. なお、図10に示すように下地成長層31の裏面側からn電極取り出しを行う場合は、n電極36の形成は下地成長層31の表面側には不要となる。 In the case of performing an n-electrode was taken out from the rear surface side of the under growth layer 31 as shown in FIG. 10, formation of the n-electrode 36 is not required on the surface side of the under growth layer 31.

【0058】このような構造のGaN系の発光ダイオードは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブレーションよって比較的簡単にサファイヤ基板から剥離することができ、レーザビームを選択的に照射することで選択的な剥離が実現される。 [0058] The light-emitting diode of the GaN-based having such a structure, a blue light emission that can also be elements, in particular relatively easily can be peeled from the sapphire substrate I by laser ablation, selectively irradiating laser beams selective stripping is achieved by. なお、GaN系の発光ダイオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される構造であっても良く、上端部にC面が形成された角錐構造のものであっても良い。 Note that the light-emitting diodes of GaN-based, may be a structure in which tabular or strip-shaped active layer is formed may be of pyramidal structures C surface is formed on the upper end. また、他の窒化物系発光素子や化合物半導体素子などであっても良い。 Further, it may be a other nitride-based light emitting device or a compound semiconductor device.

【0059】次に、図9から図15までを参照しながら、図5に示す発光素子の配列方法の具体的手法について説明する。 Next, with reference to to FIG. 15. FIG. 9 will be described specific method of method for arranging the light emitting element shown in FIG. 発光素子は図8に示したGaN系の発光ダイオードを用いている。 Emitting element uses a light emitting diode of GaN system shown in FIG. 先ず、図9に示すように、第一基板41の主面上には複数の発光ダイオード42がマトリクス状に形成されている。 First, as shown in FIG. 9, a plurality of light emitting diodes 42 on the main surface of the first substrate 41 is formed in a matrix. 発光ダイオード42の大きさは約20μm程度とすることができる。 Size of the light emitting diode 42 may be about 20 [mu] m. 第一基板41 The first substrate 41
の構成材料としてはサファイヤ基板などのように光ダイオード42に照射するレーザの波長の透過率の高い材料が用いられる。 The materials of construction material having a high transmittance at a wavelength of the laser to be irradiated on the photodiode 42, such as sapphire substrate is used. 発光ダイオード42にはp電極などまでは形成されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分離の溝42gが形成されていて、個々の発光ダイオード42は分離できる状態にある。 Until such p-electrode on the light emitting diode 42 is formed is not made yet the final wire, be formed with a groove 42g of element isolation, the individual light-emitting diode 42 is ready for separation. この溝42 This groove 42
gの形成は例えば反応性イオンエッチングで行う。 g formation is carried out, for example, reactive ion etching. このような第一基板41を一時保持用部材43に対峙させて図10に示すように選択的な転写を行う。 Such by facing the first substrate 41 to the temporarily holding member 43 performs selective transfer as shown in FIG. 10.

【0060】一時保持用部材43の第一基板41に対峙する面には剥離層44と接着剤層45が2層になって形成されている。 [0060] The surface facing the first substrate 41 of the temporarily holding member 43 is formed with a release layer 44 and the adhesive layer 45 is a two-layer. ここで一時保持用部材43の例としては、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いることができ、一時保持用部材43上の剥離層44の例としては、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤(例えばポリビニルアルコール:PVA)、 Here, as an example of the temporarily holding member 43, a glass substrate, a quartz glass substrate, it is possible to use a plastic substrate, examples of the release layer 44 on the temporarily holding member 43, a fluorine coat, silicone resins, water sex adhesives (such as polyvinyl alcohol: PVA),
ポリイミドなどを用いることができる。 Polyimide or the like can be used. また一時保持用部材43の接着剤層45としては紫外線(UV)硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかからなる層を用いることができる。 Also it can be used an ultraviolet (UV) curable adhesive, a thermosetting adhesive, a layer made of either a thermoplastic adhesive as the adhesive layer 45 of the temporarily holding member 43. 一例としては、一時保持用部材43として石英ガラス基板を用い、剥離層44 As an example, a quartz glass substrate was used as the temporarily holding member 43, release layer 44
としてポリイミド膜4μmを形成後、接着剤層45としてのUV硬化型接着剤を約20μm厚で塗布する。 After forming a polyimide film 4μm as, applying a UV-curable adhesive as an adhesive layer 45 of about 20μm thickness.

【0061】一時保持用部材43の接着剤層45は、硬化した領域45sと未硬化領域45yが混在するように調整され、未硬化領域45yに選択転写にかかる発光ダイオード42が位置するように位置合わせされる。 [0061] The adhesive layer 45 of the temporarily holding member 43 is hardened region 45s and an uncured region 45y is adjusted so as to mix, positioned so that the light emission diode 42 according to the selected transfer uncured region 45y is located be together. 硬化した領域45sと未硬化領域45yが混在するような調整は、例えばUV硬化型接着剤を露光機にて選択的に2 The adjustment as hardened region 45s and an uncured region 45y are mixed, for example, a UV curing adhesive selectively by the exposure unit 2
00μmピッチでUV露光し、発光ダイオード42を転写するところは未硬化でそれ以外は硬化させてある状態にすればよい。 And UV exposure at 00μm pitch, where to transfer the light emitting diode 42 may be a state that is otherwise cured uncured. このようなアライメントの後、転写対象位置の発光ダイオード42に対しレーザを第一基板41 After such alignment, the first substrate 41 with a laser to light emitting diode 42 of the transfer target position
の裏面から照射し、当該発光ダイオード42を第一基板41からレーザアブレーションを利用して剥離する。 Of irradiated from the back side, to peel the light-emitting diode 42 from the first substrate 41 by utilizing laser ablation. G
aN系の発光ダイオード42はサファイヤとの界面で金属のGaと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。 Emitting diode 42 of aN system from decomposing at the interface of metal Ga and nitrogen and sapphire, relatively easy to peel. 照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調波YAGレーザなどが用いられる。 Excimer laser as a laser to be irradiated, such as harmonic YAG laser is used.

【0062】このレーザアブレーションを利用した剥離によって、選択照射にかかる発光ダイオード42はGa [0062] by the peeling using this laser ablation, the light emitting diode 42 according to a selected irradiation Ga
N層と第一基板41の界面で分離し、反対側の接着剤層45にp電極部分を突き刺すようにして転写される。 Separated at the interface between the N layer and the first substrate 41, it is transferred so as to pierce the p-electrode portion on the opposite side of the adhesive layer 45. 他のレーザが照射されない領域の発光ダイオード42については、対応する接着剤層45の部分が硬化した領域s The light emitting diode 42 in the region other laser is not irradiated, the area portions of the corresponding adhesive layer 45 is hardened s
であり、レーザも照射されていないために 一時保持用部材43側に転写されることはない。 , And the never laser is also transferred to the temporarily holding member 43 side in order not irradiated. なお、図9では1 In FIG 9 1
つの発光ダイオード42だけが選択的にレーザ照射されているが、nピッチ分だけ離間した領域においても同様に発光ダイオード42はレーザ照射されているものとする。 One only light emitting diode 42 is selectively being laser irradiation, light emitting diodes 42 also in spaced-apart regions by n pitch is assumed to be laser irradiated. このような選択的な転写によっては発光ダイオード42第一基板41上に配列されている時よりも離間して一時保持用部材43上に配列される。 Such by selective transcription is arranged on the temporarily holding member 43 apart than when they are arranged on the light emitting diode 42 first substrate 41.

【0063】発光ダイオード42は一時保持用部材43 [0063] emitting diode 42 is temporarily holding member 43
の接着剤層45に保持された状態で、発光ダイオード4 While being held in the adhesive layer 45, light-emitting diodes 4
2の裏面がn電極側(カソード電極側)になっていて、 2 of the back They become n-electrode side (cathode electrode side),
発光ダイオード42の裏面には樹脂(接着剤)がないように除去、洗浄されているため、図10に示すように電極パッド46を形成すれば、電極パッド46は発光ダイオード42の裏面と電気的に接続される。 Removed so that no resin (adhesive) on the rear surface of a light-emitting diode 42, because it is cleaned, by forming the electrode pad 46 as shown in FIG. 10, the electrode pad 46 is electrically and rear surface of a light-emitting diode 42 It is connected to.

【0064】接着剤層45の洗浄の例としては酸素プラズマで接着剤用樹脂をエッチング、UVオゾン照射にて洗浄する。 [0064] The resin is washed adhesive etching, using a UV ozone irradiation with oxygen plasma Examples of cleaning of the adhesive layer 45. かつ、レーザにてGaN系発光ダイオードをサファイヤ基板からなる第一基板41から剥離したときには、その剥離面にGaが析出しているため、そのGa And, when separating the GaN-based light-emitting diodes by laser from the first substrate 41 made of sapphire substrate, since the Ga is deposited on the release surface, the Ga
をエッチングすることが必要であり、NaOH水溶液もしくは希硝酸で行うことになる。 It is necessary to etch, possibly in the NaOH aqueous solution or diluted nitric acid. その後、電極パッド4 Thereafter, the electrode pads 4
6をパターニングする。 6 is patterned. このときのカソード側の電極パッドは約60μm角とすることができる。 Cathode-side electrode pad at this time may be about 60μm square. 電極パッド4 Electrode pads 4
6としては透明電極(ITO、ZnO系など)もしくはTi/Al/Pt/Auなどの材料を用いる。 Transparent electrode (ITO, ZnO system, etc.) as a 6 or a material such as Ti / Al / Pt / Au. 透明電極の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。 Since in the case of the transparent electrode never intercepts the light emitting be covered increase the rear surface of a light-emitting diode, rough patterning accuracy, it is large electrode formed facilitates patterning process.

【0065】図11は一時保持用部材43から発光ダイオード42を第二の一時保持用部材47に転写して、アノード電極(p電極)側のビアホール50を形成した後、アノード側電極パッド49を形成し、樹脂からなる接着剤層45をダイシングした状態を示している。 [0065] Figure 11 by transferring the light emitting diodes 42 from the temporarily holding member 43 to the second temporarily holding member 47, after forming the anode electrode (p electrode) side of the via hole 50, an anode side electrode pad 49 formed, and shows a state where dicing the adhesive layer 45 made of resin. このダイシングの結果、素子分離溝51が形成され、発光ダイオード42は素子ごとに区分けされたものになる。 The result of this dicing, is formed an element isolation trench 51, the light emitting diode 42 is to that is divided into each element. 素子分離溝51はマトリクス状の各発光ダイオード42を分離するため、平面パターンとしては縦横に延長された複数の平行線からなる。 The isolation trench 51 to separate the light emitting diodes 42 of the matrix, comprising a plurality of parallel lines that extend vertically and horizontally as plane pattern. 素子分離溝51の底部では第二の一時保持用部材47の表面が臨む。 At the bottom of the isolation trench 51 facing the surface of the second temporarily holding member 47.

【0066】また、第二の一時保持用部材47上には剥離層48が形成される。 [0066] Furthermore, the peeling layer 48 is formed on the second temporarily holding member 47. この剥離層48は例えばフッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤(例えばPV The peeling layer 48 is, for example, fluorine coating, silicone resin, water-soluble adhesive (for example PV
A)、ポリイミドなどを用いて作成することができる。 A), it can be prepared by using a polyimide.
第二の一時保持用部材47は、一例としてプラスチック基板にUV粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシートであり、UVが照射されると粘着力が低下するものを利用できる。 The second temporarily holding member 47, UV adhesive material are applied to a plastic substrate as an example, a so-called dicing sheet can be used those adhesive force decreases with UV is irradiated.

【0067】このような剥離層48を形成した一時保持部材47の裏面からエキシマレーザを照射する。 [0067] irradiating the excimer laser from the back surface of such a release layer 48 the temporarily holding member 47 to form a. これにより、例えば剥離層44としてポリイミドを形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して、各発光ダイオード42は第二の一時保持部材47側に転写される。 Thus, in the case of forming a polyimide, for example, as the release layer 44, and generated peeling by ablation of the polyimide at the interface between the polyimide and the quartz substrate, the light emitting diode 42 is transferred to the second temporary holding member 47 side.

【0068】このプロセスの例として、第二の一時保持用部材47の表面を酸素プラズマで発光ダイオード42 [0068] The light-emitting diode 42 as an example of this process, the surface of the second temporarily holding member 47 in an oxygen plasma
の表面が露出してくるまでエッチングする。 Etching until the surface of the coming exposed. まずビアホール50の形成はエキシマレーザ、高調波YAGレーザ、炭酸ガスレーザを用いることができる。 First formation of the via hole 50 may be an excimer laser, a harmonic YAG laser, carbon dioxide laser. このとき、 At this time,
ビアホールは約3〜7μmの径を開けることになる。 Via-hole will be opening the diameter of about 3~7μm. アノード側電極パッドはNi/Pt/Auなどで形成する。 The anode side electrode pad is formed like Ni / Pt / Au. ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、20μm以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザを用いたレーザによる加工を行う。 Dicing process dicing using an ordinary blade, when the cut narrow width of less than 20μm is required for machining by laser using the laser. その切り込み幅は画像表示装置の画素内の樹脂からなる接着剤層45で覆われた発光ダイオード42の大きさに依存する。 Its cut width depends on the size of the light emitting diode 42 is covered with an adhesive layer 45 made of resin in the pixel of the image display device. 一例として、エキシマレーザにて幅約40μmの溝加工を行い、チップの形状を形成する。 As an example, it performs a grooving width of about 40μm by an excimer laser, to form the shape of the chip.

【0069】次に、機械的手段を用いて発光ダイオード42が第二の一時保持用部材47から剥離される。 Next, the light emitting diode 42 using mechanical means is peeled from the second temporarily holding member 47. 図1 Figure 1
2は、第二の一時保持用部材47上に配列している発光ダイオード42を吸着装置53でピックアップするところを示した図である。 2 is a diagram showing the place to pick up a light emitting diode 42 which are arranged on the second temporarily holding member 47 by the suction device 53. このときの吸着孔55は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、発光ダイオード42を多数個、一括で吸着できるようになっている。 Suction holes 55 at this time be open in a matrix pixel pitch of the image display apparatus, pieces many light-emitting diodes 42, so that can be adsorbed in bulk. このときの開口径は、例えば約φ100μmで600μmピッチのマトリクス状に開口されて、一括で約300個を吸着できる。 Aperture diameter at this time is, for example, is open to 600μm pitch matrix at about Fai100myuemu, capable of adsorbing about 300 collectively. このときの吸着孔55の部材は例えば、Ni電鋳により作製したもの、もしくはSU Members of the suction holes 55 at this time is, for example, those produced by Ni electroforming, or SU
Sなどの金属板52をエッチングで穴加工したものが使用され、金属板52の吸着孔55の奥には、吸着チャンバ54が形成されており、この吸着チャンバ54を負圧に制御することで発光ダイオード42の吸着が可能になる。 Are used those drilling a metal plate 52 such as S by etching, the back of the suction holes 55 of the metal plate 52, the suction chamber 54 are formed, by controlling the suction chamber 54 to a negative pressure adsorption of the light emitting diode 42 is made possible. 発光ダイオード42はこの段階で樹脂からなる接着剤層45で覆われており、その上面は略平坦化されており、このために吸着装置53による選択的な吸着を容易に進めることができる。 Emitting diode 42 is covered with an adhesive layer 45 made of resin at this stage, the upper surface thereof substantially being flattened, it is possible to advance the selective adsorption by the adsorption devices 53 for this easily.

【0070】図13は発光ダイオード42を第二基板6 [0070] Figure 13 is a light emitting diode 42 second substrate 6
0に転写するところを示した図である。 Is a diagram showing the place to be transferred to 0. この転写に、上記図1〜図4に示す転写方法を応用する。 This transfer, applying the transfer method shown in FIGS. 1 to 4. すなわち、第二基板60に装着する際に第二基板60にあらかじめ接着剤層56を塗布しておき、その発光ダイオード42下面の接着剤層56を硬化させ、発光ダイオード42を第二基板60に固着して配列させる。 That is, when mounted on the second substrate 60 leave the second substrate 60 in advance the adhesive layer 56 is applied, to cure the light-emitting diode 42 the lower surface of the adhesive layer 56, the light emitting diode 42 on the second substrate 60 fixed to be arranged. この装着時には、吸着装置53の吸着チャンバ54が圧力の高い状態となり、吸着装置53と発光ダイオード42との吸着による結合状態は解放される。 At the time of mounting, a state suction chamber 54 is high pressure of the adsorber 53, the bonding state by adsorption and adsorber 53 and the light emitting diode 42 is released.

【0071】ここで、接着剤層56は熱硬化性接着剤、 [0071] Here, the adhesive layer 56 is a thermosetting adhesive,
熱可塑性接着剤などによって構成されている。 It is constituted by such as a thermoplastic adhesive.

【0072】発光ダイオード42が配置される位置は、 [0072] The position where the light emitting diode 42 is disposed,
一時保持用部材43、47上での配列よりも離間したものとなる。 It becomes spaced than sequences on the temporarily holding member 43, 47. そのとき接着剤層56の樹脂を硬化させるエネルギー(レーザ光73)は第二基板60の裏面から供給される。 Then the energy for curing the resin of the adhesive layer 56 (laser beam 73) is supplied from the back surface of the second substrate 60.

【0073】先にも述べたように、第二基板60の裏面からレーザ光73を照射し、転写する樹脂形成チップ(発光ダイオード42及び接着剤層45)に対応する部分の接着剤層56のみを加熱する。 [0073] As mentioned earlier, the laser beam 73 is irradiated from the back surface of the second substrate 60, only the adhesive layer 56 in the portion corresponding to the transfer to the resin forming the chip (light-emitting diodes 42 and adhesive layer 45) heating the. これにより、接着剤層56が熱可塑性接着剤の場合には、その部分の接着剤層56が軟化し、その後、冷却硬化することにより樹脂形成チップが第二基板60上に固着される。 Thus, when the adhesive layer 56 of thermoplastic adhesive, the adhesive layer 56 is softened in that portion, then the resin forming the chip is fixed on the second substrate 60 by cooling cured. 同様に、接着剤層56が熱硬化性接着剤の場合にも、レーザ光73 Similarly, when the adhesive layer 56 of a thermosetting adhesive, a laser beam 73
が照射された部分の接着剤層56のみが硬化して、樹脂形成チップが第二基板60上に固着される。 There only the adhesive layer 56 of the irradiated portion is cured, the resin forming the chip is fixed on the second substrate 60.

【0074】また、第二基板60上にシャドウマスクとしても機能する電極層57を配設し、この電極層57をレーザ光73を照射することにより加熱し、間接的に接着剤層56を加熱するようにしてもよい。 [0074] Further, an electrode layer 57 which also functions as a shadow mask on the second substrate 60 is disposed, the electrode layer 57 is heated by irradiating a laser beam 73, indirectly to the adhesive layer 56 heated it may be. 特に、電極層57の画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人がいる側の面に黒クロム層58を形成すれば、画像のコントラストを向上させることができると共に、黒クロム層58でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるレーザ光73によって接着剤層56を効率的に加熱するようにすることができる。 In particular, by forming the black chrome layer 58 to the surface where there are people who see the surface or the image display device screen side of the electrode layer 57, it is possible to improve the contrast of the image, the black chrome layer 58 by increasing the rate of energy absorption may be adapted to heat the adhesive layer 56 efficiently by the laser beam 73 that is selectively illuminated.

【0075】図14はRGBの3色の発光ダイオード4 [0075] Figure 14 is of three colors of RGB light-emitting diodes 4
2、61、62を第二基板60に配列させ絶縁層59を塗布した状態を示す図である。 The 2,61,62 are arranged on the second substrate 60 is a diagram showing a state coated with an insulating layer 59. 図12および図13で用いた吸着装置53をそのまま使用して、第二基板60にマウントする位置をその色の位置にずらすだけでマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま3色からなる画素を形成できる。 12 and by the suction device 53 as it is using the using FIG. 13, when the position to be mounted on the second substrate 60 to mount only shifting the position of the color, the pitch of the pixel consists of a fixed left three-color pixel a can be formed. 絶縁層59としては透明エポキシ接着剤、UV硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることができる。 Transparent epoxy adhesive as the insulating layer 59, UV curable adhesive, or the like can be used polyimide. 3色の発光ダイオード42、61、62は必ずしも同じ形状でなくとも良い。 3-color light emitting diode 42,61,62 may not necessarily the same shape. 図14では赤色の発光ダイオード61が六角錐のGaN層を有しない構造とされ、他の発光ダイオード42、62とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード42、6 Red light-emitting diode 61 in FIG. 14 is a structure having no GaN layer of hexagonal pyramid, although other light-emitting diodes 42, 62 its shape is different, at this stage each LED 42,6
1、62は既に樹脂形成チップとして樹脂からなる接着剤層45で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。 1,62 is already covered with an adhesive layer 45 made of resin as the resin forming the chip is the same handling realized despite the difference in device structure.

【0076】図15は配線形成工程を示す図である。 [0076] Figure 15 is a diagram showing a wiring forming step. 絶縁層59に開口部65、66、67、68、69、70 Opening in the insulating layer 59 65,66,67,68,69,70
を形成し、発光ダイオード42、61、62のアノード、カソードの電極パッドと第二基板60の配線用の電極層57を接続する配線63、64、71を形成した図である。 Forming a anode of the light emitting diodes 42,61,62 diagrams forming the wirings 63,64,71 for connecting the electrode layer 57 for wiring of the cathode electrode pad and the second substrate 60. このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオード42、61、62の電極パッド46、 Opening or electrode pads 46 via holes emitting diodes 42,61,62 formed in this case,
49の面積を大きくしているのでビアホール形状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。 Hole shape because they increase the area of ​​49 is large, can be formed with a coarse accuracy in comparison with the via hole positional accuracy of the via hole is also formed directly on the light-emitting diodes. このときのビアホールは約60μm角の電極パッド46、4 Electrode pads of the via hole approximately 60μm angle this time 46,4
9に対し、約φ20μmのものを形成できる。 9 to, can be formed of about [phi] 20 [mu] m. また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの3種類の深さがあるのでレーザのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。 The depth of the via hole is used to connect the wiring board, intended to be connected to the anode electrode, because there are three different depths although connected to the cathode electrode is controlled by the laser number of pulses, opening the optimum depth . その後、保護層を配線上に形成し、画像表示装置のパネルは完成する。 Thereafter, a protective layer is formed on the wiring, the panel of the image display device is completed. このときの保護層は図16の絶縁層59と同様。 Protective layer at this time is similar to the insulating layer 59 in FIG. 16. 透明エポキシ接着剤などの材料が使用できる。 Material such as a transparent epoxy adhesive can be used. この保護層は加熱硬化し配線を完全に覆う。 The protective layer completely covers the heat cured wire. この後、パネル端部の配線からドライバーICを接続して駆動パネルを製作することになる。 Thereafter, consisting wiring panel edges that connect the driver IC fabricating a drive panel.

【0077】上述のような発光素子の配列方法においては、一時保持用部材43に発光ダイオード42を保持させた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、その広がった間隔を利用して比較的サイズの電極パッド46、4 [0077] In the method of arranging the light emitting element as described above, already at the time obtained by holding the light emitting diode 42 to the temporarily holding member 43, the larger the distance between the elements, relatively by utilizing the widened spacing the size of the electrode pad 46,4
9などを設けることが可能となる。 It is possible to provide a like 9. それら比較的サイズの大きな電極パッド46、49を利用した配線が行われるために、素子サイズに比較して最終的な装置のサイズが著しく大きな場合であっても容易に配線を形成できる。 For wiring using large electrode pads 46 and 49 thereof relatively size is performed to form a comparison to the final device is also easily interconnect with a case size is significantly greater in the device size. また、本例の発光素子の配列方法では、発光素子の周囲が硬化した接着剤層45で被覆され平坦化によって精度良く電極パッド46,49を形成できるとともに素子に比べて広い領域に電極パッド46,49を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。 Further, in the method of arranging the light emitting element of this embodiment, the light emitting electrode pad wider area than the device with the periphery can be accurately formed electrode pads 46 and 49 by planarization is coated with an adhesive layer 45 was hardened elements 46 , 49 can extend the facilitates handling transcription in subsequent second transfer step when advancing in suction jig. また、発光ダイオード42 Further, the light emitting diode 42
の一時保持用部材43への転写には、GaN系材料がサファイヤとの界面で金属のGaと窒素に分解することを利用して、比較的簡単に剥離でき、確実に転写される。 The transfer to the temporarily holding member 43, by utilizing the fact that the GaN-based material is decomposed at the interface of metal Ga and nitrogen and sapphire, relatively easy to peel, is reliably transferred.
さらに、樹脂形成チップの第二基板への転写(第二転写工程)は、レーザ光の照射により接着剤層を選択的に加熱し、硬化することにより行われるので、他の部品の接着状態に影響を及ぼすことなく転写対象となる樹脂形成チップのみを確実に転写することができる。 Furthermore, transfer to the second substrate of the resin forming the chip (second transfer step), the adhesive layer is selectively heated by laser light irradiation, since carried out by curing, the adhesive condition of the other components it can be reliably transferred only resin-covered chip to be transferred without affecting.

【0078】 [0078]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発明の素子の転写方法によれば、レーザ光の選択照射による接着樹脂の選択的硬化により、転写対象となる素子のみを速やかに第2の基板側に移行し、確実に選択的転写することが可能である。 As is clear from the foregoing description, according to the transfer method of the element of the present invention, by selective curing of the adhesive resin by selective irradiation of the laser beam, only the rapidly element to be transferred first proceeds to the second substrate side, it is possible to reliably selective transcription. 全面加熱の場合、炉の温度条件や位置による条件のばらつきが大きいなどの問題があるが、レーザ加熱の場合は、安定した加熱条件を得ることが可能であり、安定した接着が可能である。 If the entire surface of the heating, but there are problems such as variation in conditions with temperature conditions and the position of the furnace is large, in the case of laser heating, it is possible to obtain stable heating conditions, it is possible to stable adhesion. また、接着樹脂は選択的に塗布する必要がなく、全面塗布で良いので、プロセスの簡略化が可能である。 The adhesive resin is selectively not necessary to apply, because good on the entire surface coating, it is possible to simplify the process. さらに、他の部品の固着状態に影響を及ぼすこともなく、剥離や位置ずれが生ずることもない。 Moreover, no influence on the anchoring state of the other part, it is no caused peeling and displacement.

【0079】また、本発明の素子の配列方法によれば、 [0079] Further, according to the arrangement method of the device of the present invention,
上記素子の転写方法を応用しているので、素子の転写を効率的、確実に行うことができ、素子間の距離を大きくする拡大転写を円滑に実施することが可能である。 Since applying the transfer method of the element, efficient transcription of the device can be surely carried out, it is possible to smoothly carry out the enlargement transfer to increase the distance between the elements.

【0080】同様に、本発明の画像表示装置の製造方法によれば、密な状態すなわち集積度を高くして微細加工を施して作成された発光素子を、上記素子の転写方法を応用して効率よく離間して再配置することができ、したがって精度の高い画像表示装置を生産性良く製造することが可能である。 [0080] Similarly, according to the manufacturing method of the image display apparatus of the present invention, a light emitting device was created by applying microfabrication and high dense state or integration, by applying the transfer method of the element It can be rearranged efficiently apart from, therefore it is possible to manufacture, with good productivity, a high-precision image display apparatus.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の転写方法による転写プロセスの一例を示す概略断面図である。 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a transfer process by the transfer method of the present invention.

【図2】レーザ光により接着樹脂層を加熱した様子を示す模式図である。 The [2] laser beam is a schematic view showing a state of heating the adhesive resin layer.

【図3】レーザ光により素子を加熱した様子を示す模式図である。 3 is a schematic view showing a state of heating the element by laser light.

【図4】レーザ光により配線パターンを加熱した様子を示す模式図である。 4 is a schematic view showing a state of heating the wiring pattern by the laser beam.

【図5】素子の配列方法を示す模式図である。 5 is a schematic view showing an arrangement method for the device.

【図6】樹脂形成チップの概略斜視図である。 6 is a schematic perspective view of a resin forming the chip.

【図7】樹脂軽視絵チップの概略平面図である。 7 is a schematic plan view of a resin neglect painting tip.

【図8】発光素子の一例を示す図であって、(a)は断面図、(b)は平面図である。 [8] A diagram showing an example of a light-emitting element, (a) shows the cross sectional view, (b) is a plan view.

【図9】第一転写工程を示す概略断面図である。 9 is a schematic sectional view showing a first transfer step.

【図10】電極パッド形成工程を示す概略断面図である。 10 is a schematic sectional view showing an electrode pad forming step.

【図11】第二の一時保持用部材への転写後の電極パッド形成工程を示す概略断面図である。 11 is a schematic sectional view showing a second electrode pad forming step after the transfer of the temporarily holding member.

【図12】吸着工程を示す概略断面図である。 12 is a schematic sectional view showing an adsorption process.

【図13】第二転写工程を示す概略断面図である。 13 is a schematic sectional view showing a second transfer step.

【図14】絶縁層の形成工程を示す概略断面図である。 14 is a schematic view showing the step of forming the insulating layer.

【図15】配線形成工程を示す概略断面図である。 15 is a schematic sectional view showing a wiring forming step.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ベース基板 3 素子 4 一時保持基板(第1の基板) 6 転写基板(第2の基板) 7 接着樹脂層、41 第一基板 42 発光ダイオード 43 一時保持用部材 45 接着剤層 56 接着剤層 57 電極層 60 第二基板 1 base substrate 3 element 4 the temporarily holding substrate (first substrate) 6 transfer substrate (second substrate) 7 adhesive resin layer, 41 first substrate 42 light-emitting diodes 43 temporarily holding member 45 adhesive layer 56 adhesive layer 57 electrode layer 60 second substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩渕 寿章 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 大庭 央 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 5C094 AA43 AA47 AA48 AA49 BA03 BA25 BA43 CA19 DA12 DB01 DB04 EA04 EA10 FA01 FA10 FB12 FB14 FB15 GB10 JA01 5F110 AA30 BB01 QQ16 5G435 AA17 BB04 EE33 KK05 KK10 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor KotobukiAkira Iwabuchi Shinagawa-ku, Tokyo Kita 6-chome No. 7 No. 35 Sony over within Co., Ltd. (72) inventor Hisashi Oba Tokyo, Shinagawa-ku, Kita 6-chome No. 7 No. 35 Sony over Co., Ltd. in the F-term (reference) 5C094 AA43 AA47 AA48 AA49 BA03 BA25 BA43 CA19 DA12 DB01 DB04 EA04 EA10 FA01 FA10 FB12 FB14 FB15 GB10 JA01 5F110 AA30 BB01 QQ16 5G435 AA17 BB04 EE33 KK05 KK10

Claims (12)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 第1の基板上に配列された素子を接着樹脂層が形成された第2の基板上に選択的に転写する素子の転写方法において、第2の基板の裏面側からレーザ光を照射して第2の基板上の接着樹脂層を選択的に加熱し、当該接着樹脂層を硬化することにより転写対象となる素子を第2の基板に接着することを特徴とする素子の転写方法。 1. A method of transferring a device for selectively transferring the second substrate to the adhesive resin layer elements arranged on the first substrate is formed, the laser beam from the rear surface side of the second substrate selectively heating the adhesive resin layer on the second substrate by irradiating, transfer of device characterized by bonding the element to be transferred to the second substrate by curing the adhesive resin layer Method.
  2. 【請求項2】 上記レーザ光を転写対象となる素子に対応した位置の接着樹脂層に照射し、当該接着樹脂層を加熱することを特徴とする請求項1記載の素子の転写方法。 Wherein irradiating the adhesive resin layer at positions corresponding to the element to be transferred to the laser beam, device transfer method according to claim 1, wherein the heating the adhesive resin layer.
  3. 【請求項3】 上記レーザ光を転写対象となる素子に照射して加熱し、当該素子に対応した位置の接着樹脂層を加熱することを特徴とする請求項1記載の素子の転写方法。 3. A heated by irradiation with the laser beam becomes a transfer object element, device transfer method according to claim 1, wherein the heating the adhesive resin layer at positions corresponding to the element.
  4. 【請求項4】 上記レーザ光を第2の基板上の配線に照射して加熱し、当該配線上の接着樹脂層を加熱することを特徴とする請求項1記載の素子の転写方法。 4. A heated by irradiation with the laser beam to the second wiring on the substrate, device transfer method according to claim 1, wherein the heating the adhesive resin layer on the wiring.
  5. 【請求項5】 上記接着樹脂層は、熱可塑性接着樹脂からなることを特徴とする請求項1記載の素子の転写方法。 Wherein the adhesive resin layer, device transfer method according to claim 1, characterized in that it consists of a thermoplastic adhesive resin.
  6. 【請求項6】 上記接着樹脂層は、熱硬化性接着樹脂からなることを特徴とする請求項1記載の素子の転写方法。 Wherein the adhesive resin layer, device transfer method according to claim 1, characterized by comprising a thermosetting adhesive resin.
  7. 【請求項7】 上記素子は、絶縁性物質に埋め込まれていることを特徴とする請求項1記載の素子の転写方法。 7. The device, device transfer method according to claim 1, characterized in that embedded in the insulating material.
  8. 【請求項8】 第一基板上に配列された複数の素子を第二基板上に再配列する素子の配列方法において、前記第一基板上で前記素子が配列された状態よりは離間した状態となるように前記素子を転写して一時保持用部材に該素子を保持させる第一転写工程と、前記一時保持用部材に保持された前記素子を樹脂で固める工程と、前記樹脂をダイシングして素子毎に分離する工程と、前記一時保持用部材に保持され樹脂で固められた前記素子をさらに離間して前記第二基板上に転写する第二転写工程を有し、上記第二転写工程は、第二基板の裏面側からレーザ光を照射して第二基板上の接着樹脂層を選択的に加熱し、当該接着樹脂層を硬化することにより転写対象となる素子を第二基板に接着することを特徴とする素子の配列方法。 8. A method of arranging elements to reorder a first plurality arranged on a substrate element on the second substrate, wherein the than the first state in which the on board devices are arranged and the state of being separated a first transfer step of holding the device to an temporarily holding member and transferred to the device so that the steps of solidifying a resin the elements which are held in the temporary holding member, elements by dicing the resin and separating each said further apart the device that has been hardened by being held in the temporary holding member resin has a second transfer step of transferring to the second substrate, the second transfer step, is irradiated with a laser beam from the rear surface side of the second substrate is selectively heated adhesive resin layer of the second substrate, bonding a device to be transferred by curing the adhesive resin layer to the second substrate method of arranging device characterized.
  9. 【請求項9】 前記第一転写工程で離間させる距離が前記第一基板上に配列された素子のピッチの略整数倍になっており且つ前記第二転写工程で離間させる距離が前記第一転写工程で前記一時保持用部材に配列させた素子のピッチの略整数倍になっていることを特徴とする請求項8記載の素子の配列方法。 9. substantially distance the first transcription and is an integral multiple is separated in the second transfer step of pitch of said first transfer step element distance for spacing are arranged on the first substrate by method of arranging device according to claim 8, wherein that it is approximately an integral multiple of the pitch of the elements arranged in member for the temporary storage in step.
  10. 【請求項10】 前記素子は窒化物半導体を用いた半導体素子であることを特徴とする請求項8記載の素子の配列方法。 Wherein said element array method for the device as claimed in claim 8, wherein it is a semiconductor device using a nitride semiconductor.
  11. 【請求項11】 前記素子は発光素子、液晶制御素子、 Wherein said device is a light emitting element, a liquid crystal control device,
    光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分であることを特徴とする請求項8記載の素子の配列方法。 Photoelectric conversion elements, piezoelectric elements, thin-film transistor device, a thin film diode elements, resistive elements, switching elements, micro-magnetic device, sequences of elements according to claim 8, characterized in that the chosen element or portion thereof from the micro-optical element Method.
  12. 【請求項12】 発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の製造方法において、前記第一基板上で前記発光素子が配列された状態よりは離間した状態となるように前記発光素子を転写して一時保持用部材に該発光素子を保持させる第一転写工程と、前記一時保持用部材に保持された前記発光素子を樹脂で固める工程と、前記樹脂をダイシングして発光素子毎に分離する工程と、前記一時保持用部材に保持され樹脂で固められた前記発光素子をさらに離間して前記第二基板上に転写する第二転写工程を有し、上記第二転写工程は、第二基板の裏面側からレーザ光を照射して第二基板上の接着樹脂層を選択的に加熱し、当該接着樹脂層を硬化することにより転写対象となる発光素子を第二基板に接着することを特徴とする画像表示装置の製 12. A method of manufacturing a light emitting device image display device arranged in a matrix, wherein the than the first state in which the light emitting element on the substrate are arranged to transfer said light emitting element so that the separated state a first transfer step of holding the light-emitting element in the temporary holding member Te, a step of solidifying said light emitting elements which are held in the the temporary holding member a resin, the step of separating the each light emitting element by dicing the resin When, having a second transfer step of transferring the further apart the light-emitting element that is hardened by being held in the temporary holding member resin into said second substrate, said second transfer step, the second substrate and characterized in that the adhesive resin layer of the second substrate is selectively heated by irradiating laser beam from the back side to adhere the light-emitting element to be transferred to the second substrate by curing the adhesive resin layer Made in the image display device that 造方法。 Production method.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7071488B2 (en) 2003-01-28 2006-07-04 Seiko Epson Corporation Active matrix display device and thin film transistor display device
US7074644B2 (en) 2003-01-28 2006-07-11 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing thin film element, thin film transistor circuit substrate, active matrix display device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2006518097A (en) * 2003-01-24 2006-08-03 エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジースS.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Layer transfer method
US7169652B2 (en) 2002-09-26 2007-01-30 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing electro-optical device, electro-optical device, transferred chip, transfer origin substrate
WO2008007535A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Sony Corporation Mounting method, mounting structure, method for manufacturing electronic equipment, electronic equipment, method for manufacturing light emitting diode display, and light emitting diode display
JP2008060608A (en) * 2007-11-15 2008-03-13 Sony Corp Element transfer method
WO2008087997A1 (en) * 2007-01-18 2008-07-24 Japan Advanced Institute Of Science And Technology Circuit board manufacturing method
WO2008087996A1 (en) * 2007-01-18 2008-07-24 Japan Advanced Institute Of Science And Technology Circuit chip transfer sheet, and circuit board manufacturing method
US7726013B2 (en) 2002-10-08 2010-06-01 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing circuit board including transfer chip having a plurality of first pad electrodes connected to wiring
WO2011158438A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-22 シャープ株式会社 Process for production of semiconductor device, and process for production of display device
JP2012094855A (en) * 2010-10-22 2012-05-17 Korea Advanced Inst Of Sci Technol Pattern transfer method and device, flexible display panel, flexible solar cell, e-book, thin film transistor, electromagnetic wave shielding sheet, flexible printed circuit board to which pattern transfer method or device is applied
US8685837B2 (en) 2010-02-04 2014-04-01 Sharp Kabushiki Kaisha Transfer method, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP2014515883A (en) * 2011-04-11 2014-07-03 エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション It is promoted by the laser, selective transfer of separate parts
US9991240B2 (en) 2016-04-08 2018-06-05 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2511942A1 (en) 2009-12-11 2012-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7169652B2 (en) 2002-09-26 2007-01-30 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing electro-optical device, electro-optical device, transferred chip, transfer origin substrate
US7834359B2 (en) 2002-09-26 2010-11-16 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, transferred chip, and transfer origin substrate
US7726013B2 (en) 2002-10-08 2010-06-01 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing circuit board including transfer chip having a plurality of first pad electrodes connected to wiring
JP2006518097A (en) * 2003-01-24 2006-08-03 エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジースS.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Layer transfer method
US7074644B2 (en) 2003-01-28 2006-07-11 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing thin film element, thin film transistor circuit substrate, active matrix display device, electro-optical device, and electronic apparatus
US7071488B2 (en) 2003-01-28 2006-07-04 Seiko Epson Corporation Active matrix display device and thin film transistor display device
US8101457B2 (en) 2006-07-12 2012-01-24 Sony Corporation Mounting method, mounted structure, manufacturing method for electronic equipment, electronic equipment, manufacturing method for light-emitting diode display, and light-emitting diode display
WO2008007535A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Sony Corporation Mounting method, mounting structure, method for manufacturing electronic equipment, electronic equipment, method for manufacturing light emitting diode display, and light emitting diode display
WO2008087996A1 (en) * 2007-01-18 2008-07-24 Japan Advanced Institute Of Science And Technology Circuit chip transfer sheet, and circuit board manufacturing method
WO2008087997A1 (en) * 2007-01-18 2008-07-24 Japan Advanced Institute Of Science And Technology Circuit board manufacturing method
JP2008060608A (en) * 2007-11-15 2008-03-13 Sony Corp Element transfer method
JP4605207B2 (en) * 2007-11-15 2011-01-05 ソニー株式会社 Element transfer method
US8685837B2 (en) 2010-02-04 2014-04-01 Sharp Kabushiki Kaisha Transfer method, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
WO2011158438A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-22 シャープ株式会社 Process for production of semiconductor device, and process for production of display device
US8951888B2 (en) 2010-06-14 2015-02-10 Sharp Kabushiki Kaisha Method for fabricating semiconductor device, and method for fabricating display device
JP2012094855A (en) * 2010-10-22 2012-05-17 Korea Advanced Inst Of Sci Technol Pattern transfer method and device, flexible display panel, flexible solar cell, e-book, thin film transistor, electromagnetic wave shielding sheet, flexible printed circuit board to which pattern transfer method or device is applied
JP2014515883A (en) * 2011-04-11 2014-07-03 エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション It is promoted by the laser, selective transfer of separate parts
US9991240B2 (en) 2016-04-08 2018-06-05 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same

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