JP4078825B2 - Circuit board manufacturing method and display device manufacturing method - Google Patents

Circuit board manufacturing method and display device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP4078825B2
JP4078825B2 JP2001332704A JP2001332704A JP4078825B2 JP 4078825 B2 JP4078825 B2 JP 4078825B2 JP 2001332704 A JP2001332704 A JP 2001332704A JP 2001332704 A JP2001332704 A JP 2001332704A JP 4078825 B2 JP4078825 B2 JP 4078825B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
transferred
substrate
laser
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001332704A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003133708A (en
Inventor
邦彦 林
央 大庭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2001332704A priority Critical patent/JP4078825B2/en
Publication of JP2003133708A publication Critical patent/JP2003133708A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4078825B2 publication Critical patent/JP4078825B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、粘着材を用いて転写される電子部品及びその転写方法、回路基板及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ある基板上に配列された同一形状の複数のチップ部品を、これらの相対的な位置関係を保持しながら他の基板上に実装する場合に、転写が有効な方法として採用されることがある。
【０００３】
転写の中でも、ある基板上に配列されたチップ部品を直接他の基板上に転写せず、いったん粘着材に転写し保持させた後で、さらに他の基板上に転写する方法がある。この方法では粘着材を用いて転写を行うため、製造コストが廉価であり、また、大面積の転写に非常に有効である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法は、基板上の電子部品を一度に全て他の基板に転写する際には有効であるものの、レーザー剥離等を用いて選択的な転写を行う際には様々な不都合を伴う。
【０００５】
例えば、電子部品に対する粘着材の粘着力が強い場合には、転写対象となるチップ部品だけでなく転写対象でないチップ部品も粘着材に粘着するという問題が生じる。
【０００６】
また、上記問題を回避するために粘着材の粘着力を低下させると、本来転写したいチップ部品が粘着材に粘着しない場合がある。また、チップ部品が保持された粘着材と実装先の他の基板との押しつけ圧力が不均一である場合、粘着材とチップ部品との接着力の弱さに起因して、チップ部品を他の基板に転写する際に位置ずれを生じる等の不都合が生じるおそれがある。
【０００７】
このように、せん断力による位置ずれと所望のチップ部品のみを粘着させる粘着力との間にはトレードオフの関係があるため、最適な条件を適宜設定して転写を行う必要があるが、チップ部品の材料や形状、基板の大きさや平面度等の条件変更に追随できない場合が多々ある。
【０００８】
そこで本発明はこのような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、粘着材を用いて他の基板への選択的な転写を行う際に、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材へ粘着させることが可能な転写方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明に係る電子部品は、表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る転写方法は、第一基板の主面上に配列された電子部品のうち転写対象となる電子部品の被転写面にレーザーを照射する付着力調整工程と、粘着材を上記電子部品の被転写面に重ね合わせ、上記レーザーが照射された電子部品を上記第一基板から剥離する剥離工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明では、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することにより、転写対象となる電子部品の被転写面の化学的な活性が向上し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が向上する。また、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによって発生した塵が転写対象でない電子部品の表面に堆積するため、転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力が低下する。
【００１２】
以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【００１３】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【００１４】
また、本発明に係る回路基板は、表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されてなる電子部品が、粘着材による剥離工程を経て配線層が形成された配線基板上に転写されてなることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係る回路基板の製造方法は、第一基板上に第一及び第二電子部品を配置し、上記第一電子部品の被転写面にレーザーを照射して、上記被転写面の付着力を高めるとともに、上記第一電子部品の表面から発生した不純物を、上記第二電子部品の表面に堆積させて上記表面の付着力を抑え、上記被転写面に粘着材を重ね合わせ、上記第一電子部品を上記第一基板から剥離し、上記第二電子部品は、上記不純物が上記粘着材に接触することにより、上記第一基板上に残存させ、上記第一基板から剥離した上記第一電子部品を、配線層が形成された第二基板上に転写することを特徴とする。
【００１６】
本発明では、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することにより、転写対象となる電子部品の被転写面の化学的な活性が向上し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が向上する。また、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによって発生した塵が転写対象でない電子部品の表面に堆積するため、転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力が低下する。
【００１７】
以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【００１８】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【００１９】
また、本発明に係る表示装置は、発光素子が埋め込まれ、表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されてなる電子部品が、粘着材による剥離工程を経て配線層が形成された配線基板上にマトリクス状に配置されてなることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、第一基板上に、発光素子が埋め込まれた第一及び第二電子部品を配置し、上記第一電子部品の被転写面にレーザーを照射して、上記被転写面の付着力を高めるとともに、上記第一電子部品の表面から発生した不純物を、上記第二電子部品の表面に堆積せ、上記被転写面に粘着材を重ね合わせ、上記第一電子部品を上記第一基板から剥離し、上記第二電子部品は、上記不純物が上記粘着材に接触することにより、上記第一基板上に残存させ、上記第一基板から剥離した上記第一電子部品を、配線層が形成された第二基板上にマトリクス状に転写することを特徴とする。
【００２１】
本発明では、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することにより、転写対象となる電子部品の被転写面の化学的な活性が向上し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が向上する。また、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによって発生した塵が転写対象でない電子部品の表面に堆積するため、転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力が低下する。
【００２２】
以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【００２３】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した電子部品及びその転写方法、回路基板及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２５】
［第１の実施の形態］
本発明の転写方法は、粘着材を用いた転写方法、すなわち、先ず、第一基板の一主面上に複数配列された電子部品のうち、転写対象となる電子部品のみを粘着材に転写し、次に粘着材に保持された電子部品を第二基板に転写する方法に適用することができる。
【００２６】
本実施の形態においては、第一基板上に配列された電子部品の被転写面が清浄化されている場合を例に挙げて説明する。
【００２７】
図１は、第一基板１上に電子部品２が複数配列された状態を示す図である。このうち、転写対象となる電子部品２ａのみが最終的に第二基板上に転写され、それ以外の電子部品２は、第二基板上への転写を望まない電子部品であり、第一基板１上に残存する必要がある。
【００２８】
第一基板１としては特に限定されるものではなく、例えば半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【００２９】
第一基板１上の電子部品２のうち少なくとも転写対象となる電子部品２ａは、粘着材に対する付着力を調整可能な表面、すなわち後の工程でレーザーを照射されることによって粘着材に対する付着力を調整することが可能な表面を有するものである。具体的には、少なくとも電子部品２ａの表面の一部又は全部は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂により形成されることが好ましい。また、電子部品２は、樹脂中に電子素子等が埋め込まれていてもよい。
【００３０】
具体的な電子素子としては、発光素子、液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子又はその部分、これらの組み合わせ等が挙げられる。
【００３１】
また、電子部品２は、全て同種類である必要はなく、異なる電子部品が混在していてもよい。また、各電子部品２は第一基板１上に直接形成したものであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっても良い。
【００３２】
本発明の転写方法では、図２に示すように、このような状態の第一基板１のうち、転写対象となる電子部品２ａの被転写面に選択的にレーザー３を照射し、転写対象でない電子部品２の表面にはレーザー３を照射しないようにする。
【００３３】
第一基板１上に配列された転写対象となる電子部品２ａの被転写面に選択的にレーザー３を照射することにより、電子部品２ａのレーザー３を照射された表面は、表面改質されて化学的な活性が高められ、次工程において粘着材に対する付着力が向上する。
【００３４】
また、電子部品２ａのレーザー３を照射された表面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて０．２μｍ〜０．６μｍ程度削られることにより塵を発生させ、図２に示すように、この塵が、レーザー３を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品２上に不純物４として堆積する。
【００３５】
ここで用いるレーザー３としては、例えばＹＡＧ３倍高調波レーザー（３３５ｎｍ）やＹＡＧ４倍高調波レーザー（２６６ｎｍ）等のＹＡＧ高調波レーザー、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）等のエキシマレーザー等が挙げられるが、特に限定されるものではなく、転写対象となる電子部品２ａの特性に応じて最適な波長を選択すればよい。例えば転写対象となる電子部品２ａが半透明体であって可視光レーザーやＩＲレーザーを透過する場合には、ＵＶレーザーを採用することが好ましい。また、転写対象となる電子部品２ａに電子素子が埋め込まれている場合は、この電子素子にダメージを与えない波長を選択する必要がある。また、転写対象となる電子部品２ａ上の不純物４の除去を目的とする場合には長波長のレーザーを採用し、転写対象となる電子部品２ａの表面上の化学的活性の向上を目的とする場合には短波長のレーザーを採用することが好ましい。
【００３６】
また、レーザー３の強度についても特に限定されることなく、転写対象となる電子部品２ａの特性に応じて適宜設定すればよい。ただし、転写対象となる電子部品２ａ上の不純物４の除去の度合いはレーザー３の強度に比例するものの、転写対象となる電子部品２ａの表面上の化学的活性は、ある程度までは向上するが強すぎると逆に低下する傾向があるため、これらを考慮して最適な範囲を選択することが好ましい。
【００３７】
次に、図３に示すように、レーザー３が照射された転写対象となる電子部品２ａ及びレーザー３が照射されていない電子部品２が配列された第一基板１と、粘着材５とを対向させて圧着する。ここで、被転写面に不純物４が堆積した転写対象でない電子部品２は、粘着材５に対して直接接触せずに上述した工程で堆積した不純物４が接触することになるため、粘着材５に対する付着力が相対的に低められる。
【００３８】
次に、図４に示すように、第一基板１から粘着材５を引き剥がし、粘着材５に保持された電子部品２ａを、第一基板１から剥離する。
【００３９】
次に、図５に示すように、電子部品２ａを保持した粘着材５と第二基板６とを圧着させるとともに、例えば粘着材５側から電子部品２ａに対してレーザー７等を照射することにより粘着材５と電子部品２ａとの界面でレーザーアブレーションを生じさせて剥離を行い、図６に示すように第二基板６に電子部品２ａを転写する。
【００４０】
以上のように、第一基板１上に配列された転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、電子部品２ａのレーザー３を照射された被転写面は、表面改質されて化学的な活性が高められるため、粘着材５に対する付着力が向上する。
【００４１】
また、レーザー３を照射された電子部品２ａの被転写面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて０．２μｍ〜０．６μｍ程度削られることにより塵を発生させ、図２に示すように、この塵が、レーザー３を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品２上に不純物４として堆積する。この結果、転写対象でない電子部品２の粘着材５に対する付着力が低下する。第一基板１と粘着材５とを対向させる工程において、転写対象でない電子部品２自体は粘着材５に対して接触せずに不純物４が粘着材５に張り付くためである。
【００４２】
以上のように、転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、転写対象となる電子部品２ａの粘着材５に対する付着力と転写対象でない電子部品２の粘着材５に対する付着力との差が拡大する、すなわち、転写対象となる電子部品２ａの粘着材５に対する付着力が相対的に高められるため、転写対象となる電子部品２ａのみが確実に粘着材５に転写され、転写対象でない電子部品２が第一基板１上に残存される。すなわち、転写対象でない電子部品２が粘着材５に転写されることや、転写対象となる電子部品２ａが粘着材５に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。
【００４３】
したがって、本発明によれば、所望の転写対象となる電子部品２ａのみを確実に粘着材５に転写して、最終的に第二基板６へ転写することができる。
【００４４】
また、転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、被転写面が適度に荒らされ、粘着材５に対するせん断方向の付着力が向上するとともに、第二基板６に転写する際には粘着材５からの電子部品２ａの剥離が容易となる。また、粘着材５に対する付着力が転写対象となる電子部品２ａ間で均一化されるため、転写工程における条件設定が容易になるという利点もある。
【００４５】
なお、電子部品の表面改質を行う手法として、Ｏ２プラズマを用いたアッシングや、ＲＩＥ（イオン反応性エッチング）のような高速のエッチャントを用いること等が考えられるが、例えば前者の手法では異方性が小さいために電子部品に対して選択的な処理を行うことが不可能であること、後者の手法では異方性があるものの実際には電子部品を逆テーパー状にエッチングしてしまうこと等の不都合が生じる。このため、選択対象である電子部品の表面に対してレーザーを照射したときに、本発明の効果を得ることができる。
【００４６】
［第２の実施の形態］
つぎに、第一基板上に配列された電子部品の被転写面が汚染されている場合、すなわち、電子部品の被転写面に予め不純物が付着又は堆積している場合を例に挙げて説明する。
【００４７】
なお、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で用いたものと同じ部材については同じ符号を付すこととし、説明を省略することがある。
【００４８】
図７は、第一基板１上に電子部品２が複数配列された状態を示す図である。このうち、転写対象となる電子部品２ａのみが最終的に第二基板上に転写され、それ以外の電子部品２は、第二基板上への転写を望まない電子部品であり、第一基板１上に残存する必要がある。
【００４９】
これら電子部品２は、例えば電子部品２に対応した位置に配列された素子を覆うように樹脂を一面に塗布した後でダイシングすることにより形成されるものである。本実施の形態においては、図７に示すように、ダイシング等の際に発生する塵等が、不純物４として電子部品２の被転写面に付着又は堆積している。
【００５０】
本発明の転写方法では、図７に示すように、このような状態の第一基板１のうち、転写対象となる電子部品２ａの被転写面に選択的にレーザー３を照射し、転写対象でない電子部品２の表面にはレーザー３を照射しないようにする。
【００５１】
第一基板１上に配列された転写対象となる電子部品２ａの被転写面に選択的にレーザー３を照射することにより、図８に示すように、転写対象となる電子部品２ａの被転写面に付着又は堆積した不純物４が除去され、転写対象となる電子部品２ａの被転写面が清浄化される。
【００５２】
また、電子部品２ａのレーザー３を照射された表面は、表面改質されて化学的な活性が高められ、次工程において粘着材に対する付着力が向上する。
【００５３】
また、電子部品２ａのレーザー３を照射された表面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて０．２μｍ〜０．６μｍ程度削られることにより塵を発生させ、図８に示すように、この塵が、レーザー３を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品２上にさらに不純物４として堆積する。
【００５４】
次に、図９に示すように、レーザー３が照射された転写対象となる電子部品２ａ及びレーザー３が照射されていない電子部品２が配列された第一基板１と、粘着材５とを対向させて圧着する。ここで、被転写面に不純物４が堆積した転写対象でない電子部品２は、粘着材５に対して直接接触せずに上述した工程で堆積した不純物４が接触することになるため、粘着材５に対する付着力が相対的に低められる。
【００５５】
次に、図１０に示すように、第一基板１から粘着材５を引き剥がし、粘着材５に保持された電子部品２ａを、第一基板１から剥離する。
【００５６】
次に、図１１に示すように、電子部品２ａを保持した粘着材５と第二基板６とを圧着させるとともに、例えば粘着材５側から電子部品２ａに対してレーザー７等を照射することにより粘着材５と電子部品２ａとの界面でレーザーアブレーションを生じさせて剥離を行い、図１２に示すように第二基板６に電子部品２ａを転写する。
【００５７】
以上のように、第一基板１上に配列された転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、図８に示すように転写対象となる電子部品２ａの被転写面に付着又は堆積した不純物４が除去され、転写対象となる電子部品２ａの被転写面が清浄化される。
【００５８】
また、電子部品２ａのレーザー３を照射された被転写面は、表面改質されて化学的な活性が高められるため、粘着材５に対する付着力が向上する。
【００５９】
また、レーザー３を照射された電子部品２ａの被転写面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて０．２μｍ〜０．６μｍ程度削られることにより塵を発生させ、図８に示すように、この塵が、レーザー３を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品２上に不純物４として堆積する。この結果、転写対象でない電子部品２の粘着材５に対する付着力が低下する。第一基板１と粘着材５とを対向させる工程において、転写対象でない電子部品２自体は粘着材５に対して接触せずに不純物４が粘着材５に張り付くためである。
【００６０】
以上のように、転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、転写対象となる電子部品２ａの粘着材５に対する付着力と転写対象でない電子部品２の粘着材５に対する付着力との差が拡大する、すなわち、転写対象となる電子部品２ａの粘着材５に対する付着力が相対的に高められるため、転写対象となる電子部品２ａのみが確実に粘着材５に転写され、転写対象でない電子部品２が第一基板１上に残存される。すなわち、転写対象でない電子部品２が粘着材５に転写されることや、転写対象となる電子部品２ａが粘着材５に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。
【００６１】
したがって、本発明によれば、電子部品２の被転写面が汚染された状態であったとしても、所望の転写対象となる電子部品２ａのみを確実に粘着材５に転写して、最終的に第二基板６へ転写することができる。
【００６２】
また、転写対象となる電子部品２ａの表面に選択的にレーザー３を照射することにより、被転写面が適度に荒らされ、粘着材５に対するせん断方向の付着力が向上するとともに、第二基板６に転写する際には粘着材５からの電子部品２ａの剥離が容易となる。また、粘着材５に対する付着力が転写対象となる電子部品２ａ間で均一化されるため、転写工程における条件設定が容易になるという利点もある。
【００６３】
［第３の実施の形態］
つぎに、上述したような本発明の転写方法を二段階の拡大転写法に応用し、発光ダイオードを用いて画像表示装置を作製する場合を例に挙げて説明する。
【００６４】
二段階の拡大転写法では、先ず、高集積度をもって第一基板上に作製された素子を第一基板上で素子が配列された状態よりは離間した状態となるように粘着材を塗布された一時保持用部材に転写し、次いで一時保持用部材に保持された上記素子をさらに離間して第二基板上に転写するものである。なお、以下の説明では、転写を二段階としているが、素子を離間して配置する拡大度に応じて転写を二段階やそれ以上の多段階とすることもできる。また、本発明の転写方法は、拡大転写法に限定されることなく通常の転写に適用することもできる。
【００６５】
図１３は二段階拡大転写法の基本的な工程を示す図である。まず、図１３（ａ）に示す第一基板２０上に、例えば発光素子のような素子２２を密に形成する。素子を密に形成することで、各基板当たりに生成される素子の数を多くすることができ、製品コストを下げることができる。第一基板２０は例えば半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基板、プラスチック基板等の種々の素子形成可能な基板であるが、各素子２２は第一基板２０上に直接形成したものであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっても良い。
【００６６】
なお、図１３（ａ）に示す複数の素子２２は、後の工程で粘着材に対する付着力を調整することが可能な表面を有することが好ましい。
【００６７】
次に図１３（ｂ）に示すように、第一転写工程を行う。すなわち、第一基板２０から各素子２２が図中破線で示す一時保持用部材２１に転写され、この一時保持用部材２１の上に各素子２２が保持される。ここで隣接する素子２２は離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子２２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。このとき離間される距離は、特に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や電極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。一時保持用部材２１上に第一基板２０から転写した際に第一基板２０上の全部の素子が離間されて転写されるようにすることができる。この場合には、一時保持用部材２１のサイズはマトリクス状に配された素子２２の数（ｘ方向、ｙ方向にそれぞれ）に離間した距離を乗じたサイズ以上であれば良い。また、一時保持用部材２１上に第一基板２０上の一部の素子が離間されて転写されるようにすることも可能である。
【００６８】
本発明の転写方法は、上述した第一転写工程に適用する。この工程については詳細を後述する。
【００６９】
このような第一転写工程の後、図１３（ｃ）に示すように、一時保持用部材２１上に存在する素子２２は離間されていることから、各素子２２毎に素子周りの樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。素子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次の第二転写工程での取り扱いを容易にする等のために形成される。電極パッドの形成は、後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、その際に配線不良が生じないように比較的大き目のサイズに形成されるものである。なお、図１３（ｃ）には電極パッドは図示していない。各素子２２の周りを樹脂２３で覆うことで樹脂形成チップ２４が形成される。素子２２は平面上、樹脂形成チップ２４の略中央に位置するが、一方の辺や角側に偏った位置に存在するものであっても良い。
【００７０】
次に、図１３（ｄ）に示すように、第二転写工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用部材２１上でマトリクス状に配される素子２２が樹脂形成チップ２４ごと更に離間するように第二基板２５上に転写される。第二転写工程においても、隣接する素子２２は樹脂形成チップ２４ごと離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子２２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。第二転写工程によって配置された素子の位置が画像表示装置等の最終製品の画素に対応する位置であるとすると、当初の素子２２間のピッチの略整数倍が第二転写工程によって配置された素子２２のピッチとなる。ここで第一基板２０から一時保持用部材２１での離間したピッチの拡大率をｎとし、一時保持用部材２１から第二基板２５での離間したピッチの拡大率をｍとすると、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎ×ｍで表される。
【００７１】
第二基板２５上に樹脂形成チップ２４ごと離間された各素子２２には、配線が施される。この時、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子２２が発光ダイオード等の発光素子の場合には、ｐ電極、ｎ電極への配線を含む。
【００７２】
図１３に示した二段階拡大転写法においては、第一転写工程後の離間したスペースを利用して電極パッドの形成等を行うことができ、そして第二転写工程後に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。従って、画像表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、本例の二段階拡大転写法においては、素子間の距離を離間する工程が２工程であり、このような素子間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、実際は転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、ここで第一基板２０、２０ａから一時保持用部材２１、２１ａでの離間したピッチの拡大率を２（ｎ＝２）とし、一時保持用部材２１、２１ａから第二基板２５での離間したピッチの拡大率を２（ｍ＝２）とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に転写しようとしたときでは、最終拡大率が２×２の４倍で、その二乗の１６回の転写すなわち第一基板のアライメントを１６回行う必要が生ずるが、本例の二段階拡大転写法では、アライメントの回数は第一転写工程での拡大率２の二乗の４回と第二転写工程での拡大率２の二乗の４回を単純に加えただけの計８回で済むことになる。即ち、同じ転写倍率を意図する場合においては、（ｎ＋ｍ）２＝ｎ２＋２ｎｍ＋ｍ２であることから、必ず２ｎｍ回だけ転写回数を減らすことができることになる。従って、製造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場合に有益となる。
【００７３】
なお、図１３に示した二段階拡大転写法においては、素子２２を例えば発光素子としているが、これに限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、これらの組み合わせ等であっても良い。
【００７４】
ところで、上述した二段階拡大転写法で使用される素子の一例としての発光素子の構造を図１４に示す。図１４（ａ）が素子断面図であり、図１４（ｂ）が平面図である。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、たとえばサファイア基板上に結晶成長される素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザー照射によってレーザーアブレーションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなってサファイア基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。
【００７５】
まず、その構造については、ＧａＮ系半導体層からなる下地成長層４１上に選択成長された六角錐形状のＧａＮ層４２が形成されている。なお、下地成長層４１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ層４２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ法等によって形成される。このＧａＮ層４２は、成長時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧａＮ層４２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。ＧａＮ層４２の傾斜したＳ面を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層４３が形成されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層４４が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層４４もクラッドとして機能する。
【００７６】
このような発光ダイオードには、ｐ電極４５とｎ電極４６が形成されている。ｐ電極４５はマグネシウムドープのＧａＮ層４４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材料を蒸着して形成される。ｎ電極４６は前述の図示しない絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層４１の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極４６の形成は下地成長層４１の表面側には不要となる。
【００７７】
このような構造のＧａＮ系の発光ダイオードは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザーアブレーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離することができ、レーザービームを選択的に照射することで選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダイオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子や化合物半導体素子等であっても良い。
【００７８】
次に、本発明の転写方法を、上述した二段階拡大転写法の第一転写工程、すなわち樹脂チップ形成前の発光素子の拡大転写に応用した、画像表示装置の製造方法について詳細に説明する。発光素子は図１４に示したＧａＮ系の発光ダイオードを用いている。先ず、図１５に示すように、第一基板５１の主面上には複数の発光ダイオード５２が密な状態で形成されている。発光ダイオード５２の大きさは微小なものとすることができ、例えば一辺約２０μｍ程度とすることができる。第一基板５１の構成材料としてはサファイア基板等のように発光ダイオード５２に照射するレーザーの波長に対して透過率の高い材料が用いられる。発光ダイオード５２にはｐ電極等までは形成されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分離の溝５２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオード５２は分離できる状態にある。この溝５２ｇの形成は例えば反応性イオンエッチングで行う。
【００７９】
次いで、第一基板５１上の発光ダイオード５２を第１の一時保持用部材５３上に転写する。ここで第１の一時保持用部材５３の例としては、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができ、本例では石英ガラス基板を用いた。また、第１の一時保持用部材５３の表面には、離型層として機能する剥離層５４が形成されている。剥離層５４には、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミド等を用いることができるが、ここではポリイミドを用いた。
【００８０】
転写に際しては、図１５に示すように、第一基板５１上に発光ダイオード５２を覆うに足る接着剤（例えば紫外線硬化型の接着剤）５５を塗布し、発光ダイオード５２で支持されるように第１の一時保持用部材５３を重ね合わせる。この状態で、図１６に示すように第１の一時保持用部材５３の裏面側から接着剤５５に紫外線（ＵＶ）を照射し、これを硬化する。第１の一時保持用部材５３は石英ガラス基板であり、上記紫外線はこれを透過して接着剤５５を速やかに硬化する。
【００８１】
このとき、第１の一時保持用部材５３は、発光ダイオード５２によって支持されていることから、第一基板５１と第１の一時保持用部材５３との間隔は、発光ダイオード５２の高さによって決まることになる。図１６に示すように発光ダイオード５２で支持されるように第１の一時保持用部材５３を重ね合わせた状態で接着剤５５を硬化すれば、当該接着剤５５の厚さｔは、第一基板５１と第１の一時保持用部材５３との間隔によって規制されることになり、発光ダイオード５２の高さによって規制される。すなわち、第一基板５１上の発光ダイオード５２がスペーサとしての役割を果たし、一定の厚さの接着剤層が第一基板５１と第１の一時保持用部材５３の間に形成されることになる。このように、上記の方法では、発光ダイオード５２の高さにより接着剤層の厚みが決まるため、厳密に圧力を制御しなくとも一定の厚みの接着剤層を形成することが可能である。
【００８２】
接着剤５５を硬化した後、図１７に示すように、発光ダイオード５２に対しレーザーを第一基板５１の裏面から照射し、当該発光ダイオード５２を第一基板５１からレーザーアブレーションを利用して剥離する。ＧａＮ系の発光ダイオード５２はサファイアとの界面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザーとしてはエキシマレーザー、高調波ＹＡＧレーザー等が用いられる。このレーザーアブレーションを利用した剥離によって、発光ダイオード５２は第一基板５１の界面で分離し、一時保持用部材５３上に接着剤５５に埋め込まれた状態で転写される。
【００８３】
図１８は、上記剥離により第一基板５１を取り除いた状態を示すものである。このとき、レーザーにてＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板からなる第一基板５１から剥離しており、その剥離面にＧａ５６が析出しているため、これをエッチングすることが必要である。そこで、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸等によりウエットエッチングを行い、図１９に示すように、Ｇａ５６を除去する。さらに、図２０に示すように、酸素プラズマ（Ｏ２プラズマ）により表面を清浄化し、ダイシングにより接着剤５５をダイシング溝５７によって切断し、発光ダイオード５２毎にダイシングし、チップ部品８０とする。ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザーを用いたレーザーによる加工を行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の接着剤５５で覆われた発光ダイオード５２の大きさに依存するが、一例として、エキシマレーザーにて溝加工を行い、チップ部品８０の形状を形成する。
【００８４】
つぎに、第一転写工程、すなわち発光ダイオード５２の選択分離を行なって、拡大転写する。すなわち、図２１に示すように、ダイシングされたチップ部品８０のうち、転写対象となるチップ部品８０ａにのみ、レーザー８１を照射する。
【００８５】
転写対象となるチップ部品８０ａにレーザー８１を選択照射する際には、転写対象となるチップ部品８０ａに対応する領域が開口するとともに転写対象でないチップ部品８０を遮光するようなマスクを用いてもよい。
【００８６】
このとき、少なくともチップ部品８０ａを、粘着材に対する付着力を調整可能な表面とすること、すなわち、チップ部品８０ａの表面の一部又は全部をエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で被覆することが好ましい。
【００８７】
次に、図２２に示すように、粘着材として熱可塑性接着剤５８が塗布されてなる第２の一時保持用部材５９を、チップ部品８０が保持された第１の一時保持用部材５３と対向させて加圧する。この第２の一時保持用部材５９も、先の第１の一時保持用部材５３と同様、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができ、本例では石英ガラス基板を用いた。また、この第２の一時保持用部材５９の表面にもポリイミド等からなる剥離層６０を形成しておく。
【００８８】
次いで、図２３に示すように、転写対象となるチップ部品８０ａに対応した位置にのみ第１の一時保持用部材５３の裏面側からレーザーを照射し、レーザーアブレーションによりこのチップ部品８０ａを第１の一時保持用部材５３から剥離する。それと同時に、やはり転写対象となるチップ部品８０ａに対応した位置に、第２の一時保持用部材５９の裏面側から可視または赤外レーザー光を照射して、この部分の熱可塑性接着剤５８を一旦溶融し硬化させる。その後、第２の一時保持用部材５９を第１の一時保持用部材５３から引き剥がすと、図２４に示すように、上記転写対象となるチップ部品８０ａのみが選択的に分離され、第２の一時保持用部材５９上に転写される。
【００８９】
上述した第一転写工程に本発明を適用すること、すなわち転写対象となるチップ部品８０の表面に選択的にレーザー８１を照射することにより、レーザー８１を照射されたチップ部品８０ａとそれ以外のチップ部品８０との間の、上述したような粘着材である熱可塑性接着剤５８に対する付着力が拡大し、引き続く工程で転写対象となるチップ部品８０ａのみが確実に粘着材に転写され、第１の一時保持用部材５３から剥離される。
【００９０】
ここで用いるレーザー８１としては、上述した第１の形態で用いるレーザー３と同様のものを採用することができる。
【００９１】
上記選択分離後、図２５に示すように、転写されたチップ部品８０ａを覆って樹脂を塗布し、樹脂層６１を形成する。さらに、図２６に示すように、酸素プラズマ等により樹脂層６１の厚さを削減し、図２７に示すように、発光ダイオード５２に対応した位置にレーザーの照射によりビアホール６２を形成する。ビアホール６２の形成には、エキシマレーザー、高調波ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー等を用いることができる。このとき、ビアホール６２は例えば約３〜７μｍの径を開けることになる。
【００９２】
次に、上記ビアホール６２を介して発光ダイオード５２のｐ電極と接続されるアノード側電極パッド６３を形成する。このアノード側電極パッド６３は、例えばＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ等で形成する。図２８は、発光ダイオード５２を第２の一時保持用部材５９に転写して、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール６２を形成した後、アノード側電極パッド６３を形成した状態を示している。この電極パッド６３となる金属層を成膜する前に、減圧下で加熱し、樹脂層６１に含まれる水分等を十分に脱ガスすることが好ましい。脱ガス後、金属層をスパッタ法等により成膜し、これをパターニングして電極パッド６３とすれば、電極パッド６３の膜剥がれ等を防止することができる。
【００９３】
上記アノード側電極パッド６３を形成した後、反対側の面にカソード側電極を形成するため、第３の一時保持用部材６４への転写を行う。第３の一時保持用部材６４も、例えば石英ガラス等からなる。転写に際しては、図２９に示すように、アノード側電極パッド６３を形成した発光ダイオード５２、さらには樹脂層６１上に接着剤６５を塗布し、この上に第３の一時保持用部材６４を貼り合せる。この状態で第２の一時保持用部材５９の裏面側からレーザーを照射すると、石英ガラスからなる第２の一時保持用部材５９と、当該第２の一時保持用部材５９上に形成されたポリイミドからなる剥離層６０の界面でレーザーアブレーションによる剥離が起き、剥離層６０上に形成されている発光ダイオード５２や樹脂層６１は、第３の一時保持用部材６４上に転写される。図３０は、第２の一時保持用部材５９を分離した状態を示すものである。
【００９４】
カソード側電極の形成に際しては、上記の転写工程を経た後、図３１に示すＯ２プラズマ処理により上記剥離層６０や余分な樹脂層６１を除去し、発光ダイオード５２のコンタクト半導体層（ｎ電極）を露出させる。発光ダイオード５２は一時保持用部材６４の接着剤６５によって保持された状態で、発光ダイオード５２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、図３２に示すように電極パッド６６を形成すれば、電極パッド６６は発光ダイオード５２の裏面と電気的に接続される。この電極パッド６６を形成する際にも、電極パッド６６となる金属層を成膜する前に、減圧下で加熱し、樹脂層６１に含まれる水分等を十分に脱ガスすることが好ましい。脱ガス後、金属層をスパッタ法等により成膜すれば、電極パッド６６の膜剥がれ等を防止することができる。
【００９５】
その後、電極パッド６６をパターニングする。このときのカソード側の電極パッドは、例えば約６０μｍ角とすることができる。電極パッド６６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系等）もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ等の材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオード５２の裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。
【００９６】
次に、上記樹脂層６１や接着剤６５によって固められた発光ダイオード５２を個別に切り出し、樹脂形成チップの状態にする。切り出しは、例えばレーザーダイシング、ブレードダイシング等により行われる。図３３は、レーザーダイシングによる切り出し工程を示すものである。レーザーダイシングは、レーザーのラインビームを照射することにより行われ、上記樹脂層６１及び接着剤６５を第３の一時保持用部材６４が露出するまで切断する。このレーザーダイシングにより各発光ダイオード５２は所定の大きさの樹脂形成チップ３０として切り出され、後述の実装工程へと移行される。
【００９７】
この樹脂形成チップについて図３４及び図３５を参照して説明する。樹脂形成チップ３０は、離間して配置されている発光素子３１の周りを樹脂３２で固めたものであり、このような樹脂形成チップ３０は、一時保持用部材から第二基板に発光素子３１を転写する場合に使用できるものである。樹脂形成チップ３０は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。この樹脂形成チップ３０の形状は樹脂３２を固めて形成された形状であり、具体的には未硬化の樹脂を各発光素子３１を含むように全面に塗布し、これを硬化した後で縁の部分をダイシング等で切断することで得られる形状である。
【００９８】
略平板状の樹脂３２の表面側と裏面側にはそれぞれ電極パッド３３，３４が形成される。これら電極パッド３３，３４の形成は全面に電極パッド３３，３４の材料となる金属層や多結晶シリコン層等の導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極形状にパターンニングすることで形成される。これら電極パッド３３，３４は発光素子３１のｐ電極とｎ電極にそれぞれ接続するように形成されており、必要な場合には樹脂３２にビアホール等が形成される。電極パッド３３，３４を成膜する前に、樹脂３２を減圧下で加熱して水分等を十分に脱ガスすることが好ましい。
【００９９】
ここで電極パッド３３，３４は樹脂形成チップ３０の表面側と裏面側にそれぞれ形成されているが、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲート、ドレインの３つの電極があるため、電極パッドを３つ或いはそれ以上形成しても良い。電極パッド３３，３４の位置が平板上ずれているのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにするためである。電極パッド３３，３４の形状も正方形に限定されず他の形状としても良い。
【０１００】
このような樹脂形成チップ３０を構成することで、発光素子３１の周りが樹脂３２で被覆され平坦化によって精度良く電極パッド３３，３４を形成できるとともに発光素子３１に比べて広い領域に電極パッド３３，３４を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、比較的大き目のサイズの電極パッド３３，３４を利用した配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。
【０１０１】
実装工程では、機械的手段（真空吸引による素子吸着）とレーザーアブレーションの組み合わせにより樹脂形成チップ３０が第３の一時保持用部材６４から剥離される。図３６は、第３の一時保持用部材６４上に配列している樹脂形成チップ３０を吸着装置６７でピックアップするところを示した図である。このときの吸着孔６８は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、樹脂形成チップ３０を多数個、一括で吸着できるようになっている。このときの開口径は、例えば直径約１００μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開口されて、一括で約３００個を吸着できる。このときの吸着孔６８の部材は例えば、Ｎｉ電鋳により作製したもの、もしくはＳＵＳ等の金属板をエッチングで穴加工したものが使用され、吸着孔６８の奥には吸着チャンバ６９が形成されており、この吸着チャンバ６９を負圧に制御することで樹脂形成チップ３０の吸着が可能になる。樹脂形成チップ３０はこの段階で表面が樹脂層６１とされており、その上面は略平坦化されている。このために吸着装置６７による選択的な吸着を容易に進めることができる。
【０１０２】
なお、上記吸着装置６７には、真空吸引による素子吸着の際に、樹脂形成チップ３０を一定の位置に安定して保持できるように、素子位置ずれ防止手段を形成しておくことが好ましい。図３７は、素子位置ずれ防止手段７０を設けた吸着装置６７の一例を示すものである。本例では、素子位置ずれ防止手段７０は、樹脂形成チップの周面に当接する位置決めピンとして形成されており、これが樹脂形成チップ３０の周面（具体的にはレーザーダイシングにより切断された樹脂層６１の切断面）に当接することにより、吸着装置６７と樹脂形成チップ３０とが互いに正確に位置合わせされる。上記レーザーダイシングにより切断された樹脂層６１の切断面は、完全な垂直面ではなく、５°〜１０°程度のテーパーを有する。したがって、上記位置決めピン（素子位置ずれ防止手段６０）にも同様のテーパーを持たせておけば、吸着装置６７と樹脂形成チップ３０間に若干の位置ずれがあったとしても、速やかに矯正される。
【０１０３】
上記樹脂形成チップ３０の剥離に際しては、上記吸着装置６７による吸着と、レーザーアブレーションによる樹脂形成チップ３０の剥離を組み合わせ、剥離が円滑に進むようにしている。レーザーアブレーションは、第３の一時保持用部材６４の裏面側からレーザーを照射することにより行う。このレーザーアブレーションによって、第３の一時保持用部材６４と接着剤６５の界面で剥離が生ずる。
【０１０４】
図３８は樹脂形成チップ３０を第二基板７１に転写するところを示した図である。第二基板７１は、配線層７２を有する配線基板であり、樹脂形成チップ３０を装着する際に第二基板７１にあらかじめ接着剤層７３が塗布されており、その発光ダイオード５２下面の接着剤層７３を硬化させ、樹脂形成チップ３０を第二基板７１に固着して配列させることができる。この装着時には、吸着装置６７の吸着チャンバ６９が圧力の高い状態となり、吸着装置６７と樹脂形成チップ３０との吸着による結合状態は解放される。接着剤層７３はＵＶ硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤等によって構成することができる。第二基板７１上で樹脂形成チップ３０が配置される位置は、一時保持用部材６４上での配列よりも離間したものとなる。接着剤層７３の樹脂を硬化させるエネルギーは第二基板７１の裏面から供給される。ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置にて、熱硬化性接着剤の場合は赤外線加熱等によって樹脂形成チップ３０の下面のみ硬化させ、熱可塑性接着剤場合は、赤外線やレーザーの照射によって接着剤を溶融させ接着を行う。
【０１０５】
図３９は、他の色の発光ダイオード７４を含む樹脂形成チップを第二基板７１に配列させるプロセスを示す図である。図３７又は図３８で用いた吸着装置６７をそのまま使用して、第二基板７１にマウントする位置をその色の位置にずらすだけでマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま複数色からなる画素を形成できる。ここで、発光ダイオード５２と発光ダイオード７４は必ずしも同じ形状でなくとも良い。図３９では、赤色の発光ダイオード７４が六角錐のＧａＮ層を有しないプレーナ型構造とされ、他の発光ダイオード５２とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード５２、７４は既に樹脂形成チップとして樹脂層６１、接着剤６５で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。
【０１０６】
次いで、図４０に示すように、これら発光ダイオード５２，７４を含む樹脂形成チップを覆って絶縁層７５を形成する。絶縁層７５としては、透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミド等を用いることができる。上記絶縁層７５を形成した後、配線形成工程を行なう。図４１は配線形成工程を示す図である。絶縁層７５に開口部７６、７７、７８、７９、８０、８１を形成し、発光ダイオード５２、７４のアノード、カソードの電極パッドと第二基板７１の配線層７２を接続する配線８２、８３、８４を形成した図である。このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオード５２、７４の電極パッドの面積を大きくしているので大きくすることができ、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。例えば、このときのビアホールは、約６０μｍ角の電極パッドに対し、直径約２０μｍのものを形成できる。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の深さがあるのでレーザーのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。
【０１０７】
その後、図４２に示すように、保護層８５を形成し、ブラックマスク８６を形成して画像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層８５は図３９の絶縁層７５と同様であり、透明エポキシ接着剤等の材料が使用できる。この保護層８５は加熱硬化し配線を完全に覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して駆動パネルを製作することになる。
【０１０８】
以上のように、第一転写工程において、転写対象となるチップ部品８０ａの表面に選択的にレーザー８１を照射することにより、転写対象となるチップ部品８０ａの粘着材である熱可塑性接着剤５８に対する付着力と転写対象でないチップ部品８０の粘着材である熱可塑性接着剤５８に対する付着力との差が相対的に拡大するため、転写対象となるチップ部品８０ａのみを確実に粘着材である熱可塑性接着剤５８に転写し、転写対象でないチップ部品８０を第１の一時保持用部材５３上に残存させることができる。すなわち、第一転写工程において、転写対象でないチップ部品８０が粘着材である熱可塑性接着剤５８に転写されることや、転写対象となるチップ部品８０ａが粘着材である熱可塑性接着剤５８に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。
【０１０９】
したがって、本発明によれば、所望の転写対象となるチップ部品８０ａのみを確実に第１の一時保持用部材５３から剥離して、最終的に第二基板７１へ転写し、実装することができる。このため、例えば大画面の表示装置を製造するに際して歩留まりが向上し、製造コストの低減に貢献することができる。
【０１１０】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の転写方法を上述した二段階拡大転写法の第二転写工程、すなわち樹脂形成チップの拡大転写に応用した、画像表示装置の製造方法について具体的に説明する。
【０１１１】
本実施の形態は、第３の実施の形態の画像表示装置の製造方法と同様に図１３に示すような二段階拡大転写法を用いて画像表示装置を製造する方法であり、第３の実施の形態と同様の材料を用いることができる。
【０１１２】
先ず、第３の実施の形態と同様に、図１４に示すような、複数の発光ダイオード５２が密な状態で一主面上に形成された第一基板１００を用意する。このような第一基板１００を第１の一時保持用部材１０１に対峙させて図４３に示すように選択的な転写を行う。
【０１１３】
第１の一時保持用部材１０１の第一基板１００に対峙する面には剥離層１０２と接着剤層１０３が２層になって形成されている。
【０１１４】
また、第１の一時保持用部材１０１の接着剤層１０３としては紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかからなる層を用いることができる。一例としては、第１の一時保持用部材１０１として石英ガラス基板を用い、剥離層１０２としてポリイミド膜４μｍを形成後、接着剤層１０３としてのＵＶ硬化型接着剤を約２０μｍ厚で塗布する。
【０１１５】
第１の一時保持用部材１０１の接着剤層１０３は、硬化した領域１０３ｓと未硬化領域１０３ｙが混在するように調整され、未硬化領域１０３ｙに選択転写にかかる発光ダイオード５２が位置するように位置合わせされる。硬化した領域１０３ｓと未硬化領域１０３ｙが混在するような調整は、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選択的に２００μｍピッチでＵＶ露光し、発光ダイオード５２を転写するところは未硬化でそれ以外は硬化させてある状態にすれば良い。このようなアライメントの後、転写対象位置の発光ダイオード５２に対しレーザー光７３を第一基板１００の裏面から照射し、当該発光ダイオード５２を第一基板１００からレーザーアブレーションを利用して剥離する。ＧａＮ系の発光ダイオード５２はサファイヤとの界面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザー光１０４としてはエキシマレーザー、高調波ＹＡＧレーザー等が用いられる。
【０１１６】
このレーザーアブレーションを利用した剥離によって、選択照射にかかる発光ダイオード５２はＧａＮ層と第一基板１００の界面で分離し、反対側の接着剤層１０３にｐ電極部分を突き刺すようにして転写される。他のレーザー光１０４が照射されない領域の発光ダイオード５２は、接着剤層１０３の硬化した領域１０３ｓと接触し、レーザー光１０４も照射されていないために第１の一時保持用部材１０１側に転写されることはない。なお、図４３では１つの発光ダイオード５２だけが選択的にレーザー照射されているが、ｎピッチ分だけ離間した領域においても同様に発光ダイオード５２はレーザー照射されているものとする。このような選択的な転写によっては発光ダイオード５２第一基板１００上に配列されている時よりも離間して第１の一時保持用部材１０１上に配列される。
【０１１７】
発光ダイオード５２は第１の一時保持用部材１０１の接着剤層１０３に保持された状態で、発光ダイオード５２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、発光ダイオード５２の裏面には樹脂（接着剤）がないように除去、洗浄されているため、図４４に示すように電極パッド１０５を形成すれば、電極パッド１０５は発光ダイオード５２の裏面と電気的に接続される。
【０１１８】
接着剤層１０３の洗浄の例としては酸素プラズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。かつ、レーザーにてＧａＮ系発光ダイオードをサファイヤ基板からなる第一基板１００から剥離したときには、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａをエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッド１０５をパターニングする。このときのカソード側の電極パッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド１０５としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系等）もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ等の材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。
【０１１９】
図４５は第１の一時保持用部材１０１から発光ダイオード５２を第２の一時保持用部材１０６に転写して、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール１０７を形成した後、アノード側電極パッド１０８を形成し、樹脂からなる接着剤層１０３をダイシングした状態を示している。このダイシングの結果、素子分離溝１０１が形成され、発光ダイオード５２は素子ごとに区分けされて樹脂形成チップ１１０となる。素子分離溝１０１はマトリクス状の各発光ダイオード５２を分離するため、平面パターンとしては縦横に延長された複数の平行線からなる。素子分離溝１０９の底部では第２の一時保持用部材１０６の表面が臨む。第２の一時保持用部材１０６上には剥離層１１２が形成される。第２の一時保持用部材１０６は、一例としてプラスチック基板にＵＶ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシートであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを利用できる。
【０１２０】
アノード側電極パッド１０８を形成するに際しては、接着剤層１０３の表面を酸素プラズマで発光ダイオード５２の表面が露出してくるまでエッチングする。まずビアホール１０７の形成はエキシマレーザー、高調波ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザーを用いることができる。このとき、ビアホールは約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極パッド１０８はＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ等で形成する。ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザーを用いたレーザーによる加工を行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の樹脂からなる接着剤層１０３で覆われた発光ダイオード５２の大きさに依存する。
【０１２１】
次に、図４６に示すように、第２の一時保持用部材５９上に固定された複数の樹脂形成チップ１１０のうち、第二基板へ実装される転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａにのみ、レーザー１１１を照射する。
【０１２２】
次に、転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａを、第２の一時保持用部材１０６から第二基板に転写する。具体的には、図４７に示すように、第３の一時保持用部材１１３の主面に予め粘着材１１４を形成しておき、粘着材１１４と発光ダイオード５２の上面、すなわち、樹脂形成チップ１１０のアノード側電極パッド１０８がある側とが対向するように当接させる。そして、この状態で、第２の一時保持用部材１０６の裏面からマスク１１５を用いて転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａに選択的にエキシマレーザー光１１６を照射する。これにより、例えば第２の一時保持用部材１０６を石英基板により形成し、剥離層１１２をポイリイミドにより形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａは剥離可能な状態とされる。そして、第３の一時保持用部材１１３を第２の一時保持用部材１０６から剥がし取ることにより、転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａは第２の一時保持用部材１０６から第３の一時保持用部材１１３上に形成された粘着材１１４に選択的に転写される。一方で、転写対象でない樹脂形成チップ１１０は転写されずに第２の一時保持用部材１０６上に残留する。
【０１２３】
次いで、図４８に示すように、第二基板１１７に予め例えば熱可塑性接着剤等からなる熱可塑性接着層１１８を形成しておき、樹脂形成チップ１１０ａと第二基板１１７とが所定の位置関係となるように樹脂形成チップ１１０ａと熱可塑性接着層１１８とを対向させて第三の一時保持部材１１３と第二基板１１７とを配置する。そして、図４８に示すように、第二基板１１７の裏面側からレーザー光１１９を照射し、転写する樹脂形成チップ１１０ａに対応する部分の熱可塑性接着層１１８のみを加熱する。このレーザー光１１９の照射により、熱可塑性接着層１１８の樹脂形成チップ１１０ａに対応した位置が軟化する。
【０１２４】
その後、熱可塑性接着層１１８を冷却硬化することにより、樹脂形成チップ１１０ａが、第二基板１１７上に固着される。このとき、粘着材１１４の粘着力を硬化させた際の熱可塑性接着層１１８の接着力よりも小さくしておき、第３の一時保持用部材１１３を第二基板１１７から剥がすことにより樹脂形成チップ１１０ａ、すなわち発光ダイオード５２が第二基板１１７に選択的に転写される。
【０１２５】
また、第二基板１１７上にシャドウマスクとしても機能する電極層１２０を配設し、この電極層１２０を、レーザー光１１９を照射することにより加熱し、間接的に熱可塑性接着層１１８を加熱するようにしても良い。特に、図４８に示すように、電極層１２０の画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人がいる側の面に黒クロム層１２１を形成すれば、画像のコントラストを向上させることができると共に、黒クロム層１２１でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるレーザー光１１９によって熱可塑性接着層１１８を効率的に加熱するようにすることができる。
【０１２６】
図４９は、ＲＧＢの３色の発光ダイオード５２、１２２、１２３を第二基板１１７に配列させ絶縁層１２４を塗布した状態を示す図である。上述した転写方法により、第二基板１１７にマウントする位置をその色の位置にずらしてマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素を形成できる。絶縁層１２４としては透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミド等を用いることができる。３色の発光ダイオード５２、１２２、１２３は必ずしも同じ形状でなくとも良い。図４９では赤色の発光ダイオード１２２が六角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、他の発光ダイオード５２、１２３とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード５２、１２２、１２３は既に樹脂形成チップとして樹脂からなる接着剤層１０３で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。
【０１２７】
図５０は配線形成工程を示す図である。絶縁層１２４に開口部１２５、１２６、１２７、１２８、１２９、１３０を形成し、発光ダイオード５２、１１０、１１１のアノード、カソードの電極パッドと第二基板１１７の配線用の電極層１２０を接続する配線１３１、１３２、１３３を形成した図である。このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオード５２、１１０、１１１の電極パッド１２６、６３の面積を大きくしているのでビアホール形状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。このときのビアホールは約６０μｍ角の電極パッド１２６、６３に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の深さがあるのでレーザーのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。その後、保護層を配線上に形成し、画像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層は図４９の絶縁層１２４と同様、透明エポキシ接着剤等の材料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して駆動パネルを製作することになる。
【０１２８】
以上のように、第二転写工程において、転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａの表面に選択的にレーザー１１１を照射することにより転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａの粘着材１１４に対する付着力と転写対象でない樹脂形成チップ１１０の粘着材１１４に対する付着力との差が相対的に拡大するため、転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａのみを確実に粘着材１１４に転写し、転写対象でない樹脂形成チップ１１０を第２の一時保持用部材１０６上に残存させることができる。すなわち、第二転写工程において、転写対象でない樹脂形成チップ１１０が粘着材１１４に転写されることや、転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａが粘着材１１４に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。
【０１２９】
したがって、本発明によれば、所望の転写対象となる樹脂形成チップ１１０ａのみを確実に第２の一時保持用部材１０６から剥離して、最終的に第二基板１１７へ転写し、実装することができる。このため、例えば大画面の表示装置を製造するに際して歩留まりを向上し、製造コストの低減に貢献することができる。
【０１３０】
なお、上述の第３の実施の形態及び第４の実施の形態では、二段階の拡大転写法の第一転写工程、第二転写工程のいずれか一方に本発明の転写方法を応用した場合を例に挙げたが、本発明の転写方法は、二段階拡大転写法の第一転写工程及び第二転写工程の両方に応用してもよい。
【０１３１】
また、上述の説明では、本発明の転写方法を応用した例として、表示装置の製造方法について説明したが、例えば本発明を回路基板を製造する際に応用した場合も、同様の効果を得ることができる。
【０１３２】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明に係る電子部品及び転写方法では、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【０１３３】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【０１３４】
したがって、本発明によれば、転写対象となる電子部品のみが確実に転写されることが可能な電子部品を提供できる。また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差を相対的に拡大することによって、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材に転写し、最終的に第二基板に転写することが可能な転写方法を提供できる。
【０１３５】
また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の表面が均一化されるために転写の条件設定が容易となる。
【０１３６】
また、本発明に係る回路基板及びその製造方法では、以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【０１３７】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【０１３８】
したがって、本発明によれば、転写対象となる電子部品のみが確実に転写され、低コストにて回路基板を提供できる。また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差を相対的に拡大することによって、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材に転写し、最終的に回路基板に実装するため、低コストでの製造が可能な回路基板の製造方法を提供できる。
【０１３９】
また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の表面が均一化されるために転写の条件設定が容易となる。
【０１４０】
また、本発明に係る表示装置及びその製造方法では、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。
【０１４１】
また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。
【０１４２】
したがって、本発明によれば、転写対象となる電子部品のみが確実に転写され、低コストにて表示装置を提供できる。また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差を相対的に拡大することによって、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材に転写して実装基板に配列し、低コストでの製造が可能な表示装置の製造方法を提供できる。
【０１４３】
また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の表面が均一化されるために転写の条件設定が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一基板上に被転写面が清浄化されてなる電子部品が配列された状態を示す概略断面図である。
【図２】転写対象となる電子部品にレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。
【図３】第一基板と粘着材とを対向させて転写対象となる電子部品を転写する状態を示す概略断面図である。
【図４】第一基板から粘着材を引き剥がした状態を示す概略断面図である。
【図５】電子部品を保持した粘着材と第二基板とを対向させた状態で、第二基板の裏側から電子部品に対してレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。
【図６】第二基板上に電子部品が転写された状態を示す概略断面図である。
【図７】第一基板上に被転写面が汚染された電子部品が配列された状態を示す概略断面図である。
【図８】転写対象となる電子部品にレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。
【図９】第一基板と粘着材とを対向させて転写対象となる電子部品を転写する状態を示す概略断面図である。
【図１０】第一基板から粘着材を引き剥がした状態を示す概略断面図である。
【図１１】電子部品を保持した粘着材と第二基板とを対向させた状態で、第二基板の裏側から電子部品に対してレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。
【図１２】第二基板上に電子部品が転写された状態を示す概略断面図である。
【図１３】素子の配列方法を示す模式図である。
【図１４】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１５】第１の一時保持用部材の接合工程を示す概略断面図である。
【図１６】ＵＶ接着剤硬化工程を示す概略断面図である。
【図１７】レーザーアブレーション工程を示す概略断面図である。
【図１８】第一基板の分離工程を示す概略断面図である。
【図１９】Ｇａ除去工程を示す概略断面図である。
【図２０】素子分離溝形成工程を示す概略断面図である。
【図２１】転写対象となる電子部品にレーザーを選択的に照射する状態を示す概略断面図である。
【図２２】第２の一時保持用部材の接合工程を示す概略断面図である。
【図２３】選択的なレーザーアブレーション及びＵＶ露光工程を示す概略断面図である。
【図２４】発光ダイオードの選択分離工程を示す概略断面図である。
【図２５】樹脂による埋め込み工程を示す概略断面図である。
【図２６】樹脂層厚削減工程を示す概略断面図である。
【図２７】ビア形成工程を示す概略断面図である。
【図２８】アノード側電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図２９】レーザーアブレーション工程を示す概略断面図である。
【図３０】第２の一時保持用部材の分離工程を示す概略断面図である。
【図３１】コンタクト半導体層露出工程を示す概略断面図である。
【図３２】カソード側電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図３３】レーザーダイシング工程を示す概略断面図である。
【図３４】樹脂形成チップの概略斜視図である。
【図３５】樹脂形成チップの概略平面図である。
【図３６】吸着装置による選択的ピックアップ工程を示す概略断面図である。
【図３７】素子位置ずれ防止手段を設けた吸着装置の一例を示す概略断面図である。
【図３８】第二基板への転写工程を示す概略断面図である。
【図３９】他の発光ダイオードの転写工程を示す概略断面図である。
【図４０】絶縁層形成工程を示す概略断面図である。
【図４１】配線形成工程を示す概略断面図である。
【図４２】保護層及びブラックマスク形成工程を示す概略断面図である。
【図４３】第１転写工程を示す概略断面図である。
【図４４】電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図４５】第２の一時保持用部材への転写後の電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図４６】転写対象となる樹脂形成チップの被転写面にレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。
【図４７】第２転写工程を示す概略断面図である。
【図４８】第２転写工程の一応用例を示す概略断面図である。
【図４９】絶縁層の形成工程を示す概略断面図である。
【図５０】配線形成工程を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１ 第一基板、２ 電子部品、３ 不純物、４ レーザー、５ 粘着材、６ 第二基板、７ レーザー、２０ 第一基板、２１ 一時保持用部材、２２ 素子、２３ 樹脂、２４ 樹脂形成チップ、２５ 第二基板、３０ 樹脂形成チップ、３１ 発光素子、３２ 樹脂、３３，３４ 電極パッド、４１ 下地成長層、４２ ＧａＮ層、４３ ＩｎＧａＮ層、４４ ＧａＮ層、４５ ｐ電極、４６ ｎ電極、５１ 第一基板、５２ 各発光ダイオード、５２ｇ 溝、５２ 発光ダイオード、５３ 第１の一時保持用部材、５４ 剥離層、５５ 接着剤、５６ Ｇａ、５７ ダイシング溝、５８ 熱可塑性接着剤、５９ 第２の一時保持用部材、６０ 剥離層、６１ 樹脂層、６２ ビアホール、６３ アノード側電極パッド、６４ 第３の一時保持用部材、６５ 接着剤、６６ 電極パッド、６７ 吸着装置、６８ 吸着孔、６９ 吸着チャンバ、７０ 防止手段、７１ 第二基板、７２ 配線層、７３ レーザー光、７３ 接着剤層、７４ 発光ダイオード、７５ 絶縁層、７６ 開口部、８０ チップ部品、８１ レーザー、８２ 配線、８５ 保護層、８６ ラックマスク、１００ 第一基板、１０１ 第１の一時保持用部材、１０２ 剥離層、１０３ 接着剤層、１０４ レーザー光、１０５電極パッド、１０６ 第２の一時保持用部材、１０７ ビアホール、１０８ アノード側電極パッド、１０９ 素子分離溝、１１０ 樹脂形成チップ、１１１レーザー、１１２ 剥離層、１１３ 第３の一時保持部材、１１４ 粘着材、１１５ マスク、１１６ エキシマレーザー光、１１７ 第二基板、１１８ 熱可塑性接着層、１１９ レーザー光、１２０ 電極層、１２１ 黒クロム層、１２２ 発光ダイオード、１２４ 絶縁層、１２５ 開口部、１２６ 電極パッド、１３１ 配線[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electronic component transferred using an adhesive material, a transfer method thereof, a circuit board, a manufacturing method thereof, a display device, and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
When a plurality of chip parts having the same shape arranged on a certain substrate are mounted on another substrate while maintaining their relative positional relationship, transfer may be adopted as an effective method.
[0003]
Among the transfer methods, there is a method in which chip parts arranged on a certain substrate are not directly transferred onto another substrate, but are transferred to an adhesive material and held, and then transferred onto another substrate. In this method, since transfer is performed using an adhesive material, the manufacturing cost is low, and it is very effective for transferring large areas.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, this method is effective when transferring all the electronic components on the substrate to another substrate at one time, but involves various inconveniences when performing selective transfer using laser peeling or the like.
[0005]
For example, when the adhesive force of the adhesive material to the electronic component is strong, there arises a problem that not only the chip component to be transferred but also the chip component not to be transferred adheres to the adhesive material.
[0006]
Further, if the adhesive force of the adhesive material is reduced in order to avoid the above problem, the chip component that is originally intended to be transferred may not adhere to the adhesive material. In addition, when the pressing pressure between the adhesive material holding the chip component and the other substrate on which the chip component is mounted is uneven, the chip component may be removed from the other parts due to the weak adhesive force between the adhesive material and the chip component. There is a possibility that inconveniences such as misalignment occur when transferring to the substrate.
[0007]
As described above, since there is a trade-off relationship between the displacement due to the shearing force and the adhesive force for adhering only the desired chip component, it is necessary to appropriately set the optimum conditions for transfer. There are many cases where it is not possible to follow changes in conditions such as the material and shape of parts, the size and flatness of the substrate, and the like.
[0008]
Therefore, the present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and when performing selective transfer to another substrate using an adhesive material, only an electronic component to be transferred is reliably adhered. It is an object of the present invention to provide a transfer method capable of adhering to a material.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-mentioned object, the electronic component according to the present invention is characterized in that the adhesive force to the adhesive material is adjusted by irradiating the surface with a laser.
[0010]
Moreover, the transfer method according to the present invention includes an adhesive force adjusting step of irradiating a transfer surface of an electronic component to be transferred among electronic components arranged on the main surface of the first substrate, and the adhesive material described above. And a peeling step of peeling the electronic component irradiated with the laser from the first substrate, superimposed on a transfer surface of the electronic component.
[0011]
In the present invention, by irradiating the surface of the electronic component to be transferred with a laser, the chemical activity of the transferred surface of the electronic component to be transferred is improved, and the electronic component to be transferred is attached to the adhesive material. Wearing power is improved. In addition, since dust generated by irradiating the surface of the electronic component to be transferred accumulates on the surface of the electronic component that is not the transfer target, the adhesion of the electronic component that is not the transfer target to the adhesive material is reduced.
[0012]
As described above, the difference between the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material and the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material is increased, and the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material is increased. Increased relatively.
[0013]
In addition, when impurities are attached or deposited on the surface of the electronic component to be transferred, the impurities are removed by irradiating the surface of the electronic component to be transferred with a laser, so that the electronic component to be transferred The adhesion force to the adhesive material is further increased.
[0014]
Also, in the circuit board according to the present invention, an electronic component whose adhesion to the adhesive material is adjusted by irradiating the surface with a laser is transferred onto the wiring board on which the wiring layer is formed through a peeling process using the adhesive material. It is characterized by being made.
[0015]
The circuit board manufacturing method according to the present invention includes a first base On board In First and second Place electronic components And the first electron Irradiate the transfer surface of the component with laser Then, the adhesion force of the surface to be transferred is increased, and impurities generated from the surface of the first electronic component are deposited on the surface of the second electronic component to suppress the adhesion force of the surface, and the surface to be transferred is Adhesive material is superimposed on the first electron Peeling the component from the first substrate, The second electronic component is allowed to remain on the first substrate when the impurities contact the adhesive material. , Peeled off from the first substrate Above 1 Electronic component, wiring layer was formed second Transfer onto the substrate Ru It is characterized by that.
[0016]
In the present invention, by irradiating the surface of the electronic component to be transferred with a laser, the chemical activity of the transferred surface of the electronic component to be transferred is improved, and the electronic component to be transferred is attached to the adhesive material. Wearing power is improved. In addition, since dust generated by irradiating the surface of the electronic component to be transferred accumulates on the surface of the electronic component that is not the transfer target, the adhesion of the electronic component that is not the transfer target to the adhesive material is reduced.
[0017]
As described above, the difference between the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material and the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material is increased, and the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material is increased. Increased relatively.
[0018]
In addition, when impurities are attached or deposited on the surface of the electronic component to be transferred, the impurities are removed by irradiating the surface of the electronic component to be transferred with a laser, so that the electronic component to be transferred The adhesion force to the adhesive material is further increased.
[0019]
In addition, in the display device according to the present invention, the electronic component in which the light emitting element is embedded and the surface is irradiated with a laser to adjust the adhesive force to the adhesive material, the wiring layer is formed through a peeling process using the adhesive material. It is characterized by being arranged in a matrix on the wiring board.
[0020]
In addition, the manufacturing method of the display device according to the present invention is the first group. On board Embedded with a light emitting element First and second Place electronic components And Irradiate the transfer surface of the first electronic component with a laser. And increase the adhesion of the transfer surface , Impurities generated from the surface of the first electronic component are deposited on the surface of the second electronic component, and an adhesive is applied to the transferred surface. Superimposed, top First Peeling electronic components from the first substrate The second electronic component is allowed to remain on the first substrate when the impurities come into contact with the adhesive material. , Peeled off from the first substrate Above 1 Electronic component, wiring layer was formed second Transfer in a matrix on the substrate Ru It is characterized by that.
[0021]
In the present invention, by irradiating the surface of the electronic component to be transferred with a laser, the chemical activity of the transferred surface of the electronic component to be transferred is improved, and the electronic component to be transferred is attached to the adhesive material. Wearing power is improved. In addition, since dust generated by irradiating the surface of the electronic component to be transferred accumulates on the surface of the electronic component that is not the transfer target, the adhesion of the electronic component that is not the transfer target to the adhesive material is reduced.
[0022]
As described above, the difference between the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material and the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material is increased, and the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material is increased. Increased relatively.
[0023]
In addition, when impurities are attached or deposited on the surface of the electronic component to be transferred, the impurities are removed by irradiating the surface of the electronic component to be transferred with a laser, so that the electronic component to be transferred The adhesion force to the adhesive material is further increased.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an electronic component to which the present invention is applied, a transfer method thereof, a circuit board and a manufacturing method thereof, a display device and a manufacturing method thereof will be described in detail with reference to the drawings.
[0025]
[First Embodiment]
The transfer method of the present invention is a transfer method using an adhesive material, that is, first, of the electronic components arranged on the main surface of the first substrate, only the electronic component to be transferred is transferred to the adhesive material. Then, it can be applied to a method of transferring the electronic component held on the adhesive material to the second substrate.
[0026]
In the present embodiment, a case where the transfer surface of the electronic component arranged on the first substrate is cleaned will be described as an example.
[0027]
FIG. 1 is a diagram showing a state in which a plurality of electronic components 2 are arranged on the first substrate 1. Among these, only the electronic component 2a to be transferred is finally transferred onto the second substrate, and the other electronic components 2 are electronic components that do not want to be transferred onto the second substrate. Need to remain on top.
[0028]
The first substrate 1 is not particularly limited, and for example, a semiconductor wafer, a glass substrate, a quartz glass substrate, a sapphire substrate, a plastic substrate, or the like can be used.
[0029]
At least the electronic component 2a to be transferred among the electronic components 2 on the first substrate 1 has a surface capable of adjusting the adhesive force to the adhesive material, that is, the adhesive force to the adhesive material by being irradiated with a laser in a subsequent process. It has a surface that can be adjusted. Specifically, at least part or all of the surface of the electronic component 2a is preferably formed of a resin such as an epoxy resin or an acrylic resin. The electronic component 2 may have an electronic element or the like embedded in the resin.
[0030]
Specific electronic elements include light emitting elements, liquid crystal control elements, photoelectric conversion elements, piezoelectric elements, thin film transistor elements, thin film diode elements, resistance elements, switching elements, micro magnetic elements, micro optical elements, or portions thereof And combinations thereof.
[0031]
The electronic components 2 do not have to be all the same type, and different electronic components may be mixed. Further, each electronic component 2 may be formed directly on the first substrate 1 or may be formed by arranging those formed on another substrate.
[0032]
In the transfer method of the present invention, as shown in FIG. 2, the laser 3 is selectively irradiated to the transfer surface of the electronic component 2a to be transferred among the first substrate 1 in such a state, and is not the transfer target. The surface of the electronic component 2 is not irradiated with the laser 3.
[0033]
By selectively irradiating the transferred surface of the electronic component 2a to be transferred arranged on the first substrate 1 with the laser 3, the surface of the electronic component 2a irradiated with the laser 3 is surface-modified. Chemical activity is enhanced, and adhesion to the adhesive material is improved in the next step.
[0034]
Further, the surface of the electronic component 2a irradiated with the laser 3 generates a molecular decomposition reaction called ablation and is cut by about 0.2 μm to 0.6 μm to generate dust. As shown in FIG. However, they are deposited as impurities 4 on the electronic component that is not irradiated with the laser 3, that is, the electronic component 2 that is not a transfer target.
[0035]
Examples of the laser 3 used here include YAG harmonic lasers such as YAG triple harmonic laser (335 nm) and YAG quadruple harmonic laser (266 nm), and excimer lasers such as KrF excimer laser (248 nm). The wavelength is not limited, and an optimum wavelength may be selected according to the characteristics of the electronic component 2a to be transferred. For example, when the electronic component 2a to be transferred is a translucent body and transmits a visible light laser or an IR laser, it is preferable to employ a UV laser. Further, when an electronic element is embedded in the electronic component 2a to be transferred, it is necessary to select a wavelength that does not damage the electronic element. When the purpose is to remove the impurities 4 on the electronic component 2a to be transferred, a long wavelength laser is used to improve the chemical activity on the surface of the electronic component 2a to be transferred. In some cases, it is preferable to employ a short wavelength laser.
[0036]
Further, the intensity of the laser 3 is not particularly limited, and may be set as appropriate according to the characteristics of the electronic component 2a to be transferred. However, although the degree of removal of the impurities 4 on the electronic component 2a to be transferred is proportional to the intensity of the laser 3, the chemical activity on the surface of the electronic component 2a to be transferred is improved to some extent, but strong. If the amount is too large, it tends to decrease. Therefore, it is preferable to select the optimum range in consideration of these.
[0037]
Next, as shown in FIG. 3, the first substrate 1 on which the electronic component 2 a to be transferred and irradiated with the laser 3 and the electronic component 2 not irradiated with the laser 3 are arranged and the adhesive material 5 are opposed to each other. And crimp. Here, the non-transferable electronic component 2 in which the impurities 4 are deposited on the surface to be transferred is not in direct contact with the adhesive material 5, but is in contact with the impurities 4 deposited in the above-described process. Adhesive strength to is relatively low.
[0038]
Next, as shown in FIG. 4, the adhesive material 5 is peeled off from the first substrate 1, and the electronic component 2 a held on the adhesive material 5 is peeled off from the first substrate 1.
[0039]
Next, as shown in FIG. 5, the pressure-sensitive adhesive material 5 holding the electronic component 2a and the second substrate 6 are pressure-bonded, and, for example, the electronic component 2a is irradiated with a laser 7 or the like from the pressure-sensitive adhesive material 5 side. Laser ablation is caused at the interface between the adhesive material 5 and the electronic component 2a to perform peeling, and the electronic component 2a is transferred to the second substrate 6 as shown in FIG.
[0040]
As described above, by selectively irradiating the surface of the electronic component 2 a to be transferred arranged on the first substrate 1 with the laser 3, the transfer surface irradiated with the laser 3 of the electronic component 2 a is Since the surface activity is improved and the chemical activity is increased, the adhesion to the adhesive material 5 is improved.
[0041]
Further, the transferred surface of the electronic component 2a irradiated with the laser 3 generates a molecular decomposition reaction called ablation and is scraped by about 0.2 μm to 0.6 μm to generate dust, as shown in FIG. The dust accumulates as impurities 4 on the electronic component that is not irradiated with the laser 3, that is, the electronic component 2 that is not a transfer target. As a result, the adhesive force of the electronic component 2 that is not a transfer target to the adhesive material 5 is reduced. This is because, in the step of making the first substrate 1 and the adhesive material 5 face each other, the electronic component 2 itself that is not a transfer target does not contact the adhesive material 5 and the impurities 4 stick to the adhesive material 5.
[0042]
As described above, by selectively irradiating the surface of the electronic component 2a to be transferred with the laser 3, the adhesive force of the electronic component 2a to be transferred to the adhesive material 5 and the adhesive material of the electronic component 2 that is not to be transferred 5 is increased, that is, the adhesive force of the electronic component 2a to be transferred to the adhesive material 5 is relatively increased, so that only the electronic component 2a to be transferred is reliably attached to the adhesive material 5. The electronic component 2 that has been transferred and is not the transfer target remains on the first substrate 1. That is, it is possible to reliably avoid troubles such as the electronic component 2 that is not the transfer target being transferred to the adhesive material 5 and the electronic component 2 a that is the transfer target not being transferred to the adhesive material 5.
[0043]
Therefore, according to the present invention, it is possible to reliably transfer only the electronic component 2a to be transferred to the adhesive material 5 and finally transfer it to the second substrate 6.
[0044]
In addition, by selectively irradiating the surface of the electronic component 2a to be transferred with the laser 3, the transfer surface is appropriately roughened, the adhesion in the shearing direction to the adhesive 5 is improved, and the second substrate 6 When transferring to the electronic component 2a, the electronic component 2a can be easily peeled off from the adhesive material 5. Moreover, since the adhesive force with respect to the adhesive material 5 is made uniform between the electronic components 2a to be transferred, there is also an advantage that the condition setting in the transfer process becomes easy.
[0045]
As a method for modifying the surface of electronic components, O 2 It is conceivable to use a high-speed etchant such as ashing using plasma or RIE (ion reactive etching). For example, in the former method, since anisotropy is small, selective processing for electronic components is performed. However, although the latter method has anisotropy, it actually causes inconveniences such as etching an electronic component in a reverse taper shape. For this reason, the effect of this invention can be acquired when a laser is irradiated with respect to the surface of the electronic component which is selection object.
[0046]
[Second Embodiment]
Next, the case where the transferred surface of the electronic component arranged on the first substrate is contaminated, that is, the case where impurities are attached or deposited in advance on the transferred surface of the electronic component will be described as an example. .
[0047]
In the present embodiment, the same members as those used in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof may be omitted.
[0048]
FIG. 7 is a view showing a state in which a plurality of electronic components 2 are arranged on the first substrate 1. Among these, only the electronic component 2a to be transferred is finally transferred onto the second substrate, and the other electronic components 2 are electronic components that do not want to be transferred onto the second substrate. Need to remain on top.
[0049]
These electronic components 2 are formed by, for example, applying a resin on one surface so as to cover elements arranged at positions corresponding to the electronic components 2 and then dicing. In the present embodiment, as shown in FIG. 7, dust or the like generated during dicing or the like adheres or accumulates on the transfer surface of the electronic component 2 as the impurity 4.
[0050]
In the transfer method of the present invention, as shown in FIG. 7, the laser 3 is selectively irradiated to the transfer target surface of the electronic component 2 a to be transferred among the first substrate 1 in such a state, and is not the transfer target. The surface of the electronic component 2 is not irradiated with the laser 3.
[0051]
By selectively irradiating the transferred surface of the electronic component 2a to be transferred arranged on the first substrate 1 with the laser 3, the transferred surface of the electronic component 2a to be transferred is shown in FIG. The impurities 4 attached or deposited on the surface of the electronic component 2a are removed, and the transferred surface of the electronic component 2a to be transferred is cleaned.
[0052]
In addition, the surface of the electronic component 2a irradiated with the laser 3 is surface-modified to increase chemical activity, and adhesion to the adhesive material is improved in the next step.
[0053]
Further, the surface of the electronic component 2a irradiated with the laser 3 generates a molecular decomposition reaction called ablation and is scraped by about 0.2 μm to 0.6 μm to generate dust. As shown in FIG. However, it is further deposited as impurities 4 on the electronic component that is not irradiated with the laser 3, that is, the electronic component 2 that is not a transfer target.
[0054]
Next, as shown in FIG. 9, the first substrate 1 on which the electronic component 2a to be transferred and irradiated with the laser 3 and the electronic component 2 not irradiated with the laser 3 and the adhesive material 5 are opposed to each other. And crimp. Here, the non-transferable electronic component 2 in which the impurities 4 are deposited on the surface to be transferred is not in direct contact with the adhesive material 5, but is in contact with the impurities 4 deposited in the above-described process. Adhesive strength to is relatively low.
[0055]
Next, as shown in FIG. 10, the adhesive material 5 is peeled off from the first substrate 1, and the electronic component 2 a held on the adhesive material 5 is peeled off from the first substrate 1.
[0056]
Next, as shown in FIG. 11, the pressure-sensitive adhesive material 5 holding the electronic component 2a and the second substrate 6 are pressure-bonded, and for example, by irradiating the electronic component 2a with a laser 7 or the like from the pressure-sensitive adhesive material 5 side. Laser ablation is generated at the interface between the adhesive material 5 and the electronic component 2a to perform peeling, and the electronic component 2a is transferred to the second substrate 6 as shown in FIG.
[0057]
As described above, by selectively irradiating the surface of the electronic component 2a to be transferred arranged on the first substrate 1 with the laser 3, as shown in FIG. 8, the electronic component 2a to be transferred is covered. Impurities 4 adhered or deposited on the transfer surface are removed, and the transfer surface of the electronic component 2a to be transferred is cleaned.
[0058]
In addition, since the surface of the electronic component 2a irradiated with the laser 3 is subjected to surface modification and chemical activity is enhanced, the adhesion to the adhesive material 5 is improved.
[0059]
Further, the transfer surface of the electronic component 2a irradiated with the laser 3 generates a molecular decomposition reaction called ablation and is scraped by about 0.2 μm to 0.6 μm to generate dust, as shown in FIG. The dust accumulates as impurities 4 on the electronic component that is not irradiated with the laser 3, that is, the electronic component 2 that is not a transfer target. As a result, the adhesive force of the electronic component 2 that is not a transfer target to the adhesive material 5 is reduced. This is because, in the step of making the first substrate 1 and the adhesive material 5 face each other, the electronic component 2 itself that is not a transfer target does not contact the adhesive material 5 and the impurities 4 stick to the adhesive material 5.
[0060]
As described above, by selectively irradiating the surface of the electronic component 2a to be transferred with the laser 3, the adhesive force of the electronic component 2a to be transferred to the adhesive material 5 and the adhesive material of the electronic component 2 that is not to be transferred 5 is increased, that is, the adhesive force of the electronic component 2a to be transferred to the adhesive material 5 is relatively increased, so that only the electronic component 2a to be transferred is reliably attached to the adhesive material 5. The electronic component 2 that has been transferred and is not the transfer target remains on the first substrate 1. That is, it is possible to reliably avoid troubles such as the electronic component 2 that is not the transfer target being transferred to the adhesive material 5 and the electronic component 2 a that is the transfer target not being transferred to the adhesive material 5.
[0061]
Therefore, according to the present invention, even if the transfer surface of the electronic component 2 is contaminated, only the electronic component 2a to be transferred is reliably transferred to the adhesive material 5, and finally Transfer to the second substrate 6 is possible.
[0062]
In addition, by selectively irradiating the surface of the electronic component 2a to be transferred with the laser 3, the transfer surface is appropriately roughened, the adhesion in the shearing direction to the adhesive 5 is improved, and the second substrate 6 When transferring to the electronic component 2a, the electronic component 2a can be easily peeled off from the adhesive material 5. Moreover, since the adhesive force with respect to the adhesive material 5 is made uniform between the electronic components 2a to be transferred, there is also an advantage that the condition setting in the transfer process becomes easy.
[0063]
[Third Embodiment]
Next, a case where an image display device is manufactured using a light emitting diode by applying the transfer method of the present invention as described above to a two-stage enlarged transfer method will be described as an example.
[0064]
In the two-stage enlargement transfer method, first, an adhesive material is applied so that an element manufactured on a first substrate with a high degree of integration is separated from the state in which the elements are arranged on the first substrate. Transfer to the temporary holding member, and then the element held on the temporary holding member is further separated and transferred onto the second substrate. In the following description, the transfer is performed in two stages. However, the transfer can be performed in two stages or more stages depending on the degree of enlargement in which the elements are arranged separately. Further, the transfer method of the present invention is not limited to the enlargement transfer method and can also be applied to normal transfer.
[0065]
FIG. 13 is a diagram showing a basic process of the two-stage enlarged transfer method. First, elements 22 such as light emitting elements are densely formed on the first substrate 20 shown in FIG. By forming the elements densely, the number of elements generated per substrate can be increased, and the product cost can be reduced. The first substrate 20 is a substrate capable of forming various elements such as a semiconductor wafer, a glass substrate, a quartz glass substrate, a sapphire substrate, and a plastic substrate, but each element 22 is formed directly on the first substrate 20. Alternatively, it may be an array of those formed on another substrate.
[0066]
In addition, it is preferable that the some element 22 shown to Fig.13 (a) has the surface which can adjust the adhesive force with respect to an adhesive material in a next process.
[0067]
Next, as shown in FIG. 13B, the first transfer process is performed. That is, each element 22 is transferred from the first substrate 20 to a temporary holding member 21 indicated by a broken line in the drawing, and each element 22 is held on the temporary holding member 21. Here, adjacent elements 22 are spaced apart and arranged in a matrix as shown in the figure. That is, the element 22 is transferred so as to extend between the elements in the x direction, but is also transferred so as to extend between the elements in the y direction perpendicular to the x direction. The distance that is separated at this time is not particularly limited, and can be a distance that takes into consideration the formation of the resin portion and the formation of the electrode pad in the subsequent process as an example. When transferred from the first substrate 20 onto the temporary holding member 21, all the elements on the first substrate 20 can be transferred separately. In this case, the size of the temporary holding member 21 may be equal to or larger than the size obtained by multiplying the number of elements 22 arranged in a matrix (each in the x direction and y direction) by the distance. It is also possible to transfer a part of the elements on the first substrate 20 on the temporary holding member 21 while being separated.
[0068]
The transfer method of the present invention is applied to the first transfer step described above. Details of this step will be described later.
[0069]
After such a first transfer step, as shown in FIG. 13C, since the elements 22 existing on the temporary holding member 21 are separated from each other, the resin covering around each element 22 is covered. And electrode pads are formed. The resin coating around the element is formed to facilitate the formation of an electrode pad and facilitate the handling in the next second transfer step. As will be described later, since the electrode pad is formed after the second transfer step in which the final wiring is continued, the electrode pad is formed in a relatively large size so that no wiring defect occurs at that time. Note that the electrode pads are not shown in FIG. The resin forming chip 24 is formed by covering the periphery of each element 22 with the resin 23. The element 22 is located at the approximate center of the resin-formed chip 24 on a plane, but may be present at a position deviated toward one side or corner.
[0070]
Next, as shown in FIG. 13D, a second transfer process is performed. In this second transfer step, the elements 22 arranged in a matrix on the temporary holding member 21 are transferred onto the second substrate 25 so as to be further separated from each other with the resin forming chip 24. Also in the second transfer step, the adjacent elements 22 are separated from each other with the resin forming chip 24 and arranged in a matrix as shown in the figure. That is, the element 22 is transferred so as to extend between the elements in the x direction, but is also transferred so as to extend between the elements in the y direction perpendicular to the x direction. If the position of the element arranged in the second transfer process is a position corresponding to the pixel of the final product such as an image display device, an approximately integer multiple of the pitch between the original elements 22 is arranged in the second transfer process. The pitch of the elements 22 is obtained. Here, assuming that the enlargement rate of the pitch separated from the first substrate 20 by the temporary holding member 21 is n and the enlargement rate of the pitch separated from the temporary holding member 21 by the second substrate 25 is m, it is substantially an integer multiple. The value E is expressed by E = n × m.
[0071]
Wiring is applied to each element 22 separated from the second substrate 25 together with the resin forming chip 24. At this time, wiring is performed while suppressing connection failure as much as possible by using the previously formed electrode pad or the like. For example, when the element 22 is a light emitting element such as a light emitting diode, the wiring includes a wiring to a p electrode and an n electrode.
[0072]
In the two-stage enlarged transfer method shown in FIG. 13, the electrode pad can be formed using a spaced space after the first transfer process, and wiring is applied after the second transfer process. Wiring is performed while suppressing connection failures as much as possible by using the electrode pads formed in advance. Therefore, the yield of the image display device can be improved. Further, in the two-stage enlargement transfer method of this example, the process of separating the distance between the elements is two processes, and the number of times of transfer is actually increased by performing such multiple processes of separating the distance between the elements. Will be reduced. That is, for example, the enlargement ratio of the pitches separated from the first substrates 20 and 20a by the temporary holding members 21 and 21a is 2 (n = 2), and the temporary holding members 21 and 21a and the second substrate 25 are If the enlargement rate of the separated pitch of 2 is 2 (m = 2), the final enlargement rate is 4 times 2 × 2, which is 16 times the square, if it is intended to transfer to the enlarged range by one transfer. However, in the two-stage enlargement transfer method of this example, the number of alignments is four times the square of the enlargement ratio 2 in the first transfer step and the second transfer step. In this case, a total of 8 times, which is simply the addition of 4 times the square of the enlargement ratio of 2, is sufficient. That is, if the same transfer magnification is intended, (n + m) 2 = N 2 + 2nm + m 2 Therefore, the number of transfer times can be reduced by 2 nm. Therefore, the manufacturing process also saves time and money by the number of times, which is particularly useful when the enlargement rate is large.
[0073]
In the two-stage enlarged transfer method shown in FIG. 13, the element 22 is, for example, a light emitting element, but is not limited to this, and other elements such as a liquid crystal control element, a photoelectric conversion element, a piezoelectric element, a thin film transistor element, a thin film element An element selected from a diode element, a resistance element, a switching element, a minute magnetic element, a minute optical element, or a portion thereof, a combination thereof, or the like may be used.
[0074]
Incidentally, FIG. 14 shows a structure of a light emitting element as an example of an element used in the above-described two-stage expansion transfer method. FIG. 14A is an element cross-sectional view, and FIG. 14B is a plan view. This light-emitting element is a GaN-based light-emitting diode, for example, an element that is crystal-grown on a sapphire substrate. In such a GaN-based light emitting diode, laser ablation occurs due to laser irradiation that passes through the substrate, and film peeling occurs at the interface between the sapphire substrate and the GaN-based growth layer due to the phenomenon of nitrogen vaporization of GaN, It has a feature that element isolation can be made easy.
[0075]
First, with respect to the structure, a hexagonal pyramid-shaped GaN layer 42 selectively formed on an underlying growth layer 41 made of a GaN-based semiconductor layer is formed. Note that an insulating film (not shown) exists on the underlying growth layer 41, and the hexagonal pyramid-shaped GaN layer 42 is formed by a MOCVD method or the like in a portion where the insulating film is opened. The GaN layer 42 is a pyramidal growth layer covered with an S plane (1-101 plane) when the main surface of a sapphire substrate used during growth is a C plane, and is a region doped with silicon. is there. The inclined S-plane portion of the GaN layer 42 functions as a double heterostructure cladding. An InGaN layer 43, which is an active layer, is formed so as to cover the inclined S-plane of the GaN layer 42, and a magnesium-doped GaN layer 44 is formed outside the InGaN layer 43. This magnesium-doped GaN layer 44 also functions as a cladding.
[0076]
In such a light emitting diode, a p-electrode 45 and an n-electrode 46 are formed. The p-electrode 45 is formed by vapor-depositing a metal material such as Ni / Pt / Au or Ni (Pd) / Pt / Au formed on the magnesium-doped GaN layer 44. The n-electrode 46 is formed by vapor-depositing a metal material such as Ti / Al / Pt / Au at a portion where an insulating film (not shown) is opened. When the n electrode is taken out from the back surface side of the base growth layer 41, the formation of the n electrode 46 is not necessary on the surface side of the base growth layer 41.
[0077]
A GaN-based light emitting diode with such a structure is an element capable of emitting blue light, and can be peeled off from a sapphire substrate relatively easily by laser ablation, and is selected by selectively irradiating a laser beam. Exfoliation is realized. The GaN-based light emitting diode may have a structure in which an active layer is formed on a flat plate or in a strip shape, or may have a pyramid structure in which a C surface is formed at the upper end. Further, other nitride-based light emitting elements, compound semiconductor elements, and the like may be used.
[0078]
Next, a detailed description will be given of a manufacturing method of an image display device in which the transfer method of the present invention is applied to the first transfer step of the above-described two-stage enlargement transfer method, that is, enlargement transfer of a light emitting element before resin chip formation. As the light emitting element, the GaN-based light emitting diode shown in FIG. 14 is used. First, as shown in FIG. 15, a plurality of light emitting diodes 52 are densely formed on the main surface of the first substrate 51. The size of the light emitting diode 52 can be very small, for example, about 20 μm on a side. As the constituent material of the first substrate 51, a material having a high transmittance with respect to the wavelength of the laser irradiated to the light emitting diode 52, such as a sapphire substrate, is used. The light-emitting diode 52 is formed up to the p-electrode and the like, but the final wiring has not yet been made, and an inter-element separation groove 52g is formed, so that the individual light-emitting diodes 52 can be separated. The groove 52g is formed by, for example, reactive ion etching.
[0079]
Next, the light emitting diode 52 on the first substrate 51 is transferred onto the first temporary holding member 53. Here, as an example of the first temporary holding member 53, a glass substrate, a quartz glass substrate, a plastic substrate, or the like can be used. In this example, a quartz glass substrate is used. A release layer 54 that functions as a release layer is formed on the surface of the first temporary holding member 53. For the release layer 54, a fluorine coat, a silicone resin, a water-soluble adhesive (for example, polyvinyl alcohol: PVA), polyimide, or the like can be used. Here, polyimide is used.
[0080]
At the time of transfer, as shown in FIG. 15, an adhesive (for example, an ultraviolet curable adhesive) 55 sufficient to cover the light emitting diode 52 is applied on the first substrate 51, and the first substrate 51 is supported by the light emitting diode 52. One temporary holding member 53 is overlapped. In this state, as shown in FIG. 16, the adhesive 55 is irradiated with ultraviolet rays (UV) from the back surface side of the first temporary holding member 53 to be cured. The first temporary holding member 53 is a quartz glass substrate, and the ultraviolet rays pass through the first temporary holding member 53 to quickly cure the adhesive 55.
[0081]
At this time, since the first temporary holding member 53 is supported by the light emitting diode 52, the distance between the first substrate 51 and the first temporary holding member 53 is determined by the height of the light emitting diode 52. It will be. As shown in FIG. 16, when the adhesive 55 is cured in a state where the first temporary holding member 53 is overlapped so as to be supported by the light emitting diode 52, the thickness t of the adhesive 55 is equal to the first substrate. It is restricted by the distance between 51 and the first temporary holding member 53, and is restricted by the height of the light emitting diode 52. That is, the light emitting diode 52 on the first substrate 51 serves as a spacer, and an adhesive layer having a certain thickness is formed between the first substrate 51 and the first temporary holding member 53. . As described above, in the above method, since the thickness of the adhesive layer is determined by the height of the light emitting diode 52, it is possible to form an adhesive layer having a constant thickness without strictly controlling the pressure.
[0082]
After the adhesive 55 is cured, as shown in FIG. 17, a laser is irradiated from the back surface of the first substrate 51 to the light emitting diode 52, and the light emitting diode 52 is peeled off from the first substrate 51 using laser ablation. . Since the GaN-based light-emitting diode 52 is decomposed into metallic Ga and nitrogen at the interface with sapphire, it can be peeled off relatively easily. An excimer laser, a harmonic YAG laser, or the like is used as the laser for irradiation. The light emitting diode 52 is separated at the interface of the first substrate 51 by peeling using this laser ablation, and is transferred onto the temporary holding member 53 while being embedded in the adhesive 55.
[0083]
FIG. 18 shows a state where the first substrate 51 is removed by the above-described peeling. At this time, the GaN-based light emitting diode is peeled off from the first substrate 51 made of a sapphire substrate with a laser, and Ga56 is deposited on the peeled surface, so it is necessary to etch it. Therefore, wet etching is performed with an aqueous NaOH solution or dilute nitric acid to remove Ga56 as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 20, oxygen plasma (O 2 The surface is cleaned by plasma), the adhesive 55 is cut by the dicing grooves 57 by dicing, and the light emitting diodes 52 are diced to form chip components 80. In the dicing process, dicing using a normal blade is performed, and when cutting with a narrow width of 20 μm or less is required, processing using a laser using the laser is performed. The cut width depends on the size of the light-emitting diode 52 covered with the adhesive 55 in the pixel of the image display device. As an example, the shape of the chip component 80 is formed by performing groove processing with an excimer laser.
[0084]
Next, the first transfer step, that is, selective separation of the light emitting diodes 52 is performed, and enlarged transfer is performed. That is, as shown in FIG. 21, among the diced chip components 80, only the chip component 80a to be transferred is irradiated with the laser 81.
[0085]
When selectively irradiating the chip part 80a to be transferred with the laser 81, a mask that opens an area corresponding to the chip part 80a to be transferred and shields the chip part 80 that is not to be transferred may be used. .
[0086]
At this time, it is preferable that at least the chip component 80a has a surface capable of adjusting the adhesion to the adhesive material, that is, part or all of the surface of the chip component 80a is covered with a resin such as an epoxy resin or an acrylic resin. .
[0087]
Next, as shown in FIG. 22, the second temporary holding member 59 to which the thermoplastic adhesive 58 is applied as an adhesive is opposed to the first temporary holding member 53 on which the chip component 80 is held. And pressurize. As the second temporary holding member 59, a glass substrate, a quartz glass substrate, a plastic substrate, or the like can be used similarly to the first temporary holding member 53. In this example, a quartz glass substrate is used. A release layer 60 made of polyimide or the like is also formed on the surface of the second temporary holding member 59.
[0088]
Next, as shown in FIG. 23, a laser is irradiated only from the back side of the first temporary holding member 53 to a position corresponding to the chip part 80a to be transferred, and the chip part 80a is attached to the first part by laser ablation. Peel from the temporary holding member 53. At the same time, a visible or infrared laser beam is irradiated from the back surface side of the second temporary holding member 59 to a position corresponding to the chip part 80a to be transferred, and this portion of the thermoplastic adhesive 58 is temporarily provided. Melt and cure. Thereafter, when the second temporary holding member 59 is peeled off from the first temporary holding member 53, only the chip component 80a to be transferred is selectively separated as shown in FIG. It is transferred onto the temporary holding member 59.
[0089]
By applying the present invention to the first transfer step described above, that is, by selectively irradiating the surface of the chip component 80 to be transferred with the laser 81, the chip component 80a irradiated with the laser 81 and other chips The adhesion force between the component 80 and the thermoplastic adhesive 58, which is an adhesive material as described above, is expanded, and only the chip component 80a to be transferred is reliably transferred to the adhesive material in the subsequent process. It is peeled off from the temporary holding member 53.
[0090]
As the laser 81 used here, a laser similar to the laser 3 used in the first embodiment described above can be adopted.
[0091]
After the selective separation, as shown in FIG. 25, a resin is applied to cover the transferred chip component 80a to form a resin layer 61. Further, as shown in FIG. 26, the thickness of the resin layer 61 is reduced by oxygen plasma or the like, and via holes 62 are formed by laser irradiation at positions corresponding to the light emitting diodes 52 as shown in FIG. For forming the via hole 62, an excimer laser, a harmonic YAG laser, a carbon dioxide gas laser, or the like can be used. At this time, the via hole 62 has a diameter of about 3 to 7 μm, for example.
[0092]
Next, an anode side electrode pad 63 connected to the p electrode of the light emitting diode 52 through the via hole 62 is formed. The anode side electrode pad 63 is made of, for example, Ni / Pt / Au. FIG. 28 shows a state in which the anode-side electrode pad 63 is formed after the light-emitting diode 52 is transferred to the second temporary holding member 59 to form the via hole 62 on the anode electrode (p-electrode) side. Before forming the metal layer to be the electrode pad 63, it is preferable to heat under reduced pressure to sufficiently degas moisture and the like contained in the resin layer 61. After degassing, if a metal layer is formed by sputtering or the like and patterned to form the electrode pad 63, peeling of the electrode pad 63 can be prevented.
[0093]
After the anode electrode pad 63 is formed, transfer to the third temporary holding member 64 is performed in order to form a cathode electrode on the opposite surface. The third temporary holding member 64 is also made of, for example, quartz glass. At the time of transfer, as shown in FIG. 29, an adhesive 65 is applied on the light emitting diode 52 on which the anode electrode pad 63 is formed, and further on the resin layer 61, and a third temporary holding member 64 is pasted thereon. Match. When laser is irradiated from the back side of the second temporary holding member 59 in this state, the second temporary holding member 59 made of quartz glass and the polyimide formed on the second temporary holding member 59 are used. Separation due to laser ablation occurs at the interface of the peeling layer 60, and the light emitting diode 52 and the resin layer 61 formed on the peeling layer 60 are transferred onto the third temporary holding member 64. FIG. 30 shows a state where the second temporary holding member 59 is separated.
[0094]
In forming the cathode side electrode, after the above transfer process, the O shown in FIG. 2 The peeling layer 60 and the excess resin layer 61 are removed by plasma treatment, and the contact semiconductor layer (n electrode) of the light emitting diode 52 is exposed. The light emitting diode 52 is held by the adhesive 65 of the temporary holding member 64, and the back surface of the light emitting diode 52 is on the n electrode side (cathode electrode side), and an electrode pad 66 is formed as shown in FIG. In this case, the electrode pad 66 is electrically connected to the back surface of the light emitting diode 52. Also in forming the electrode pad 66, it is preferable to sufficiently degas moisture and the like contained in the resin layer 61 by heating under reduced pressure before forming the metal layer to be the electrode pad 66. If the metal layer is formed by sputtering or the like after degassing, peeling of the electrode pad 66 can be prevented.
[0095]
Thereafter, the electrode pad 66 is patterned. The electrode pad on the cathode side at this time can be about 60 μm square, for example. As the electrode pad 66, a transparent electrode (ITO, ZnO-based, etc.) or a material such as Ti / Al / Pt / Au is used. In the case of a transparent electrode, even if the back surface of the light emitting diode 52 is largely covered, light emission is not interrupted, so that the patterning accuracy is rough, a large electrode can be formed, and the patterning process becomes easy.
[0096]
Next, the light emitting diodes 52 solidified by the resin layer 61 and the adhesive 65 are individually cut out to form a resin-formed chip. The cutting is performed by, for example, laser dicing, blade dicing or the like. FIG. 33 shows a cutting process by laser dicing. Laser dicing is performed by irradiating a laser line beam, and the resin layer 61 and the adhesive 65 are cut until the third temporary holding member 64 is exposed. By this laser dicing, each light emitting diode 52 is cut out as a resin-formed chip 30 having a predetermined size, and the process proceeds to a mounting process described later.
[0097]
This resin-formed chip will be described with reference to FIGS. 34 and 35. FIG. The resin-formed chip 30 is obtained by fixing the periphery of the light-emitting elements 31 that are spaced apart with a resin 32. The resin-formed chip 30 is configured such that the light-emitting elements 31 are placed on the second substrate from the temporary holding member. It can be used when transferring. The resin-formed chip 30 has a substantially flat plate shape and a main surface of the chip. The shape of the resin-forming chip 30 is a shape formed by solidifying the resin 32. Specifically, an uncured resin is applied to the entire surface so as to include the respective light emitting elements 31, and after this is cured, the edge is formed. It is a shape obtained by cutting a part by dicing or the like.
[0098]
Electrode pads 33 and 34 are formed on the front side and the back side of the substantially flat resin 32, respectively. The electrode pads 33 and 34 are formed by forming a conductive layer such as a metal layer or a polycrystalline silicon layer as a material of the electrode pads 33 and 34 on the entire surface, and patterning it into a required electrode shape by a photolithography technique. Is done. These electrode pads 33 and 34 are formed so as to be connected to the p-electrode and the n-electrode, respectively, of the light emitting element 31, and a via hole or the like is formed in the resin 32 when necessary. Before forming the electrode pads 33 and 34, it is preferable that the resin 32 is heated under reduced pressure to sufficiently degas moisture and the like.
[0099]
Here, the electrode pads 33 and 34 are respectively formed on the front surface side and the back surface side of the resin-formed chip 30, but both electrode pads can be formed on one surface. For example, in the case of a thin film transistor, Since there are three electrodes, gate and drain, three or more electrode pads may be formed. The reason why the positions of the electrode pads 33 and 34 are shifted from each other on the flat plate is to prevent the electrode pads 33 and 34 from overlapping even when contacts are made from the upper side when the final wiring is formed. The shape of the electrode pads 33 and 34 is not limited to a square, and may be other shapes.
[0100]
By constructing such a resin-formed chip 30, the periphery of the light emitting element 31 is covered with the resin 32, and the electrode pads 33 and 34 can be formed with high accuracy by flattening. , 34 can be extended, and handling is facilitated when the transfer in the next second transfer step is advanced by a suction jig. As will be described later, since the final wiring is performed after the second transfer step, the wiring defect is prevented by performing the wiring using the electrode pads 33 and 34 having a relatively large size.
[0101]
In the mounting process, the resin-formed chip 30 is peeled from the third temporary holding member 64 by a combination of mechanical means (element adsorption by vacuum suction) and laser ablation. FIG. 36 is a view showing a state where the resin forming chips 30 arranged on the third temporary holding member 64 are picked up by the suction device 67. The suction holes 68 at this time are opened in a matrix at the pixel pitch of the image display device so that a large number of the resin-forming chips 30 can be sucked together. The opening diameter at this time is, for example, about 100 μm in diameter and opened in a matrix of 600 μm pitch, and about 300 pieces can be adsorbed collectively. The member of the suction hole 68 at this time is, for example, a material produced by Ni electroforming or a hole made by etching a metal plate such as SUS, and a suction chamber 69 is formed in the back of the suction hole 68. In addition, the resin forming chip 30 can be adsorbed by controlling the adsorption chamber 69 to a negative pressure. At this stage, the surface of the resin-forming chip 30 is a resin layer 61, and the upper surface thereof is substantially flattened. Therefore, selective adsorption by the adsorption device 67 can be easily advanced.
[0102]
In addition, it is preferable to form an element misalignment prevention unit in the adsorption device 67 so that the resin forming chip 30 can be stably held at a certain position when the element is adsorbed by vacuum suction. FIG. 37 shows an example of the suction device 67 provided with the element position deviation prevention means 70. In this example, the element misalignment prevention means 70 is formed as a positioning pin that comes into contact with the peripheral surface of the resin-formed chip, which is a peripheral surface of the resin-formed chip 30 (specifically, a resin layer cut by laser dicing). 61), the suction device 67 and the resin-forming chip 30 are accurately aligned with each other. The cut surface of the resin layer 61 cut by the laser dicing is not a complete vertical surface but has a taper of about 5 ° to 10 °. Therefore, if the positioning pin (element position shift prevention means 60) is also provided with the same taper, even if there is a slight position shift between the suction device 67 and the resin forming chip 30, it is quickly corrected. .
[0103]
When the resin forming chip 30 is peeled off, the suction by the suction device 67 and the peeling of the resin forming chip 30 by laser ablation are combined so that the peeling proceeds smoothly. Laser ablation is performed by irradiating laser from the back side of the third temporary holding member 64. By this laser ablation, peeling occurs at the interface between the third temporary holding member 64 and the adhesive 65.
[0104]
FIG. 38 is a view showing a state where the resin-formed chip 30 is transferred to the second substrate 71. The second substrate 71 is a wiring substrate having a wiring layer 72, and an adhesive layer 73 is applied to the second substrate 71 in advance when the resin forming chip 30 is mounted, and the adhesive layer on the lower surface of the light emitting diode 52. 73 is cured, and the resin-formed chip 30 can be fixedly arranged on the second substrate 71. At the time of mounting, the suction chamber 69 of the suction device 67 is in a high pressure state, and the combined state due to suction between the suction device 67 and the resin forming chip 30 is released. The adhesive layer 73 can be composed of a UV curable adhesive, a thermosetting adhesive, a thermoplastic adhesive, or the like. The position where the resin-forming chip 30 is arranged on the second substrate 71 is farther than the arrangement on the temporary holding member 64. The energy for curing the resin of the adhesive layer 73 is supplied from the back surface of the second substrate 71. In the case of a UV curable adhesive, only the lower surface of the resin-formed chip 30 is cured by infrared heating or the like in the case of a thermosetting adhesive, and in the case of a thermoplastic adhesive, it is bonded by infrared or laser irradiation. The agent is melted and bonded.
[0105]
FIG. 39 is a diagram illustrating a process of arranging resin-formed chips including light-emitting diodes 74 of other colors on the second substrate 71. When the suction device 67 used in FIG. 37 or FIG. 38 is used as it is and the mounting position of the second substrate 71 is simply shifted to the position of the color, the pixel is composed of a plurality of colors while the pixel pitch remains constant. Can be formed. Here, the light emitting diode 52 and the light emitting diode 74 do not necessarily have the same shape. In FIG. 39, the red light emitting diode 74 has a planar structure that does not have a hexagonal pyramid GaN layer and is different in shape from the other light emitting diodes 52. At this stage, each of the light emitting diodes 52 and 74 is already resin. The formed chip is covered with the resin layer 61 and the adhesive 65, and the same handling is realized regardless of the difference in element structure.
[0106]
Next, as shown in FIG. 40, an insulating layer 75 is formed to cover the resin-formed chip including these light emitting diodes 52 and 74. As the insulating layer 75, a transparent epoxy adhesive, a UV curable adhesive, polyimide, or the like can be used. After the insulating layer 75 is formed, a wiring forming process is performed. FIG. 41 is a diagram showing a wiring formation process. Openings 76, 77, 78, 79, 80, 81 are formed in the insulating layer 75, and wirings 82, 83, which connect the anode and cathode electrode pads of the light emitting diodes 52, 74 and the wiring layer 72 of the second substrate 71, 84 is a diagram in which 84 is formed. The opening formed at this time, that is, the via hole can be enlarged because the area of the electrode pad of the light emitting diodes 52 and 74 is increased, and the positional accuracy of the via hole is also coarser than that of the via hole directly formed in each light emitting diode. Can be formed. For example, the via hole at this time can be formed with a diameter of about 20 μm with respect to an electrode pad of about 60 μm square. The depth of the via hole can be controlled by the number of pulses of the laser so that the optimum depth is opened because there are three types of depths: those connected to the wiring board, those connected to the anode electrode, and those connected to the cathode electrode. .
[0107]
Thereafter, as shown in FIG. 42, a protective layer 85 is formed and a black mask 86 is formed to complete the panel of the image display device. The protective layer 85 at this time is the same as the insulating layer 75 in FIG. 39, and a material such as a transparent epoxy adhesive can be used. This protective layer 85 is heated and cured to completely cover the wiring. Thereafter, the driver IC is connected from the wiring at the end of the panel to manufacture the drive panel.
[0108]
As described above, in the first transfer process, by selectively irradiating the surface of the chip component 80a to be transferred with the laser 81, the thermoplastic adhesive 58 that is an adhesive material for the chip component 80a to be transferred is applied. Since the difference between the adhesive force and the adhesive force to the thermoplastic adhesive 58 that is the adhesive material of the chip component 80 that is not the transfer target is relatively enlarged, only the chip component 80a that is the transfer target is reliably the thermoplastic material that is the adhesive material. It is possible to transfer the chip component 80 that is not to be transferred to the adhesive 58 and to remain on the first temporary holding member 53. That is, in the first transfer step, the chip component 80 that is not the transfer target is transferred to the thermoplastic adhesive 58 that is the adhesive material, or the chip component 80a that is the transfer target is transferred to the thermoplastic adhesive 58 that is the adhesive material. Make sure to avoid troubles such as not being done.
[0109]
Therefore, according to the present invention, only the chip component 80a to be transferred can be surely peeled off from the first temporary holding member 53, and finally transferred to the second substrate 71 and mounted. . For this reason, for example, when manufacturing a display device with a large screen, the yield can be improved and the manufacturing cost can be reduced.
[0110]
[Fourth Embodiment]
Next, a method for manufacturing an image display device, in which the transfer method of the present invention is applied to the second transfer step of the above-described two-stage enlargement transfer method, that is, enlargement transfer of a resin-formed chip, will be specifically described.
[0111]
This embodiment is a method for manufacturing an image display device using a two-stage enlarged transfer method as shown in FIG. 13 as in the method for manufacturing the image display device of the third embodiment. The same material as that in the above can be used.
[0112]
First, as in the third embodiment, a first substrate 100 having a plurality of light emitting diodes 52 formed densely on one main surface as shown in FIG. 14 is prepared. The first substrate 100 is opposed to the first temporary holding member 101, and selective transfer is performed as shown in FIG.
[0113]
A peeling layer 102 and an adhesive layer 103 are formed in two layers on the surface of the first temporary holding member 101 facing the first substrate 100.
[0114]
Further, as the adhesive layer 103 of the first temporary holding member 101, a layer made of any of an ultraviolet (UV) curable adhesive, a thermosetting adhesive, and a thermoplastic adhesive can be used. As an example, a quartz glass substrate is used as the first temporary holding member 101, a polyimide film 4 μm is formed as the release layer 102, and then a UV curable adhesive as the adhesive layer 103 is applied with a thickness of about 20 μm.
[0115]
The adhesive layer 103 of the first temporary holding member 101 is adjusted so that the cured region 103s and the uncured region 103y are mixed, and the light emitting diode 52 for selective transfer is positioned in the uncured region 103y. To be combined. The adjustment so that the hardened region 103s and the uncured region 103y are mixed is, for example, selectively exposing the UV curable adhesive to UV at a pitch of 200 μm with an exposure machine and transferring the light emitting diode 52 uncured. Other than that, it may be cured. After such alignment, the laser light 73 is irradiated from the back surface of the first substrate 100 to the light emitting diode 52 at the transfer target position, and the light emitting diode 52 is peeled from the first substrate 100 using laser ablation. Since the GaN-based light emitting diode 52 decomposes into metallic Ga and nitrogen at the interface with the sapphire, it can be peeled off relatively easily. As the laser beam 104 to be irradiated, an excimer laser, a harmonic YAG laser, or the like is used.
[0116]
By the separation using this laser ablation, the light-emitting diode 52 that is subjected to selective irradiation is separated at the interface between the GaN layer and the first substrate 100 and transferred so as to pierce the p-electrode portion into the adhesive layer 103 on the opposite side. The other light emitting diode 52 in the region not irradiated with the laser beam 104 is in contact with the cured region 103 s of the adhesive layer 103 and is not irradiated with the laser beam 104, so that it is transferred to the first temporary holding member 101 side. Never happen. In FIG. 43, only one light emitting diode 52 is selectively irradiated with laser, but it is assumed that the light emitting diode 52 is also irradiated with laser in a region separated by n pitches. By such selective transfer, the light-emitting diode 52 is arranged on the first temporary holding member 101 at a distance from that when the light-emitting diode 52 is arranged on the first substrate 100.
[0117]
The light emitting diode 52 is held on the adhesive layer 103 of the first temporary holding member 101, and the back surface of the light emitting diode 52 is on the n electrode side (cathode electrode side). Since the resin (adhesive) is removed and washed so that there is no resin, the electrode pad 105 is electrically connected to the back surface of the light emitting diode 52 when the electrode pad 105 is formed as shown in FIG.
[0118]
As an example of cleaning the adhesive layer 103, the adhesive resin is etched with oxygen plasma and cleaned by UV ozone irradiation. In addition, when the GaN-based light emitting diode is peeled off from the first substrate 100 made of a sapphire substrate with a laser, Ga is deposited on the peeled surface, and therefore it is necessary to etch the Ga. Will be done with nitric acid. Thereafter, the electrode pad 105 is patterned. At this time, the electrode pad on the cathode side can be about 60 μm square. As the electrode pad 105, a transparent electrode (ITO, ZnO-based, etc.) or a material such as Ti / Al / Pt / Au is used. In the case of a transparent electrode, even if the back surface of the light emitting diode is largely covered, light emission is not interrupted, so that the patterning accuracy is rough, a large electrode can be formed, and the patterning process becomes easy.
[0119]
In FIG. 45, the light emitting diode 52 is transferred from the first temporary holding member 101 to the second temporary holding member 106 to form the via hole 107 on the anode electrode (p electrode) side, and then the anode side electrode pad 108 is moved to the anode side electrode pad 108. A state is shown in which the formed adhesive layer 103 made of resin is diced. As a result of this dicing, an element isolation groove 101 is formed, and the light emitting diode 52 is divided into elements to form the resin-formed chip 110. The element isolation groove 101 is composed of a plurality of parallel lines extending vertically and horizontally as a planar pattern in order to separate the light emitting diodes 52 in a matrix form. The surface of the second temporary holding member 106 faces the bottom of the element isolation groove 109. A release layer 112 is formed on the second temporary holding member 106. As an example, the second temporary holding member 106 is a so-called dicing sheet in which a UV adhesive material is applied to a plastic substrate, and a material whose adhesive strength decreases when UV is irradiated can be used.
[0120]
In forming the anode electrode pad 108, the surface of the adhesive layer 103 is etched with oxygen plasma until the surface of the light emitting diode 52 is exposed. First, an excimer laser, a harmonic YAG laser, or a carbon dioxide gas laser can be used to form the via hole 107. At this time, the via hole has a diameter of about 3 to 7 μm. The anode side electrode pad 108 is formed of Ni / Pt / Au or the like. In the dicing process, dicing using a normal blade is performed, and when cutting with a narrow width of 20 μm or less is required, processing using a laser using the laser is performed. The cut width depends on the size of the light emitting diode 52 covered with the adhesive layer 103 made of resin in the pixel of the image display device.
[0121]
Next, as shown in FIG. 46, among the plurality of resin forming chips 110 fixed on the second temporary holding member 59, only the resin forming chip 110a to be transferred mounted on the second substrate, A laser 111 is irradiated.
[0122]
Next, the resin forming chip 110a to be transferred is transferred from the second temporary holding member 106 to the second substrate. Specifically, as shown in FIG. 47, an adhesive material 114 is formed in advance on the main surface of the third temporary holding member 113, and the upper surfaces of the adhesive material 114 and the light emitting diode 52, that is, the resin forming chip 110 are formed. The anode side electrode pad 108 is brought into contact with the side facing the anode side electrode pad 108. In this state, the excimer laser beam 116 is selectively irradiated from the back surface of the second temporary holding member 106 to the resin forming chip 110a to be transferred using the mask 115. Thus, for example, when the second temporary holding member 106 is formed of a quartz substrate and the release layer 112 is formed of polyimide, peeling occurs due to polyimide ablation at the interface between the polyimide and the quartz substrate, which becomes a transfer target. The resin-formed chip 110a is in a peelable state. Then, the third temporary holding member 113 is peeled off from the second temporary holding member 106, whereby the resin-formed chip 110a to be transferred is transferred from the second temporary holding member 106 to the third temporary holding member. It is selectively transferred to an adhesive material 114 formed on 113. On the other hand, the resin-formed chip 110 that is not a transfer target remains on the second temporary holding member 106 without being transferred.
[0123]
Next, as shown in FIG. 48, a thermoplastic adhesive layer 118 made of, for example, a thermoplastic adhesive is formed on the second substrate 117 in advance, and the resin-formed chip 110a and the second substrate 117 have a predetermined positional relationship. The third temporary holding member 113 and the second substrate 117 are arranged so that the resin-forming chip 110a and the thermoplastic adhesive layer 118 are opposed to each other. Then, as shown in FIG. 48, laser light 119 is irradiated from the back side of the second substrate 117, and only the thermoplastic adhesive layer 118 corresponding to the resin-formed chip 110a to be transferred is heated. By irradiation with the laser beam 119, the position corresponding to the resin-formed chip 110a of the thermoplastic adhesive layer 118 is softened.
[0124]
Thereafter, the thermoplastic adhesive layer 118 is cooled and cured, so that the resin-formed chip 110 a is fixed onto the second substrate 117. At this time, the adhesive force of the adhesive material 114 is set to be smaller than the adhesive force of the thermoplastic adhesive layer 118 when the adhesive material 114 is cured, and the third temporary holding member 113 is peeled off from the second substrate 117 to form a resin-formed chip. 110 a, that is, the light emitting diode 52 is selectively transferred to the second substrate 117.
[0125]
In addition, an electrode layer 120 that also functions as a shadow mask is provided on the second substrate 117, and this electrode layer 120 is heated by irradiating laser light 119, and the thermoplastic adhesive layer 118 is indirectly heated. You may do it. In particular, as shown in FIG. 48, if the black chrome layer 121 is formed on the surface of the electrode layer 120 on the screen side, that is, the surface on which the person viewing the image display device is present, the contrast of the image can be improved. The energy absorption rate of the black chromium layer 121 can be increased, and the thermoplastic adhesive layer 118 can be efficiently heated by the selectively irradiated laser beam 119.
[0126]
FIG. 49 is a diagram illustrating a state in which the light emitting diodes 52, 122, and 123 of RGB are arranged on the second substrate 117 and the insulating layer 124 is applied. When the mounting position of the second substrate 117 is shifted to the position of the color by the transfer method described above, pixels of three colors can be formed with the pixel pitch kept constant. As the insulating layer 124, a transparent epoxy adhesive, a UV curable adhesive, polyimide, or the like can be used. The three-color light emitting diodes 52, 122, and 123 do not necessarily have the same shape. In FIG. 49, the red light-emitting diode 122 has a structure that does not have a hexagonal pyramid GaN layer, and the shape is different from that of the other light-emitting diodes 52 and 123. The resin-formed chip is covered with an adhesive layer 103 made of resin, and the same handling is realized regardless of the element structure.
[0127]
FIG. 50 is a diagram showing a wiring formation process. Openings 125, 126, 127, 128, 129, and 130 are formed in the insulating layer 124, and the anode and cathode electrode pads of the light emitting diodes 52, 110, and 111 are connected to the electrode layer 120 for wiring on the second substrate 117. It is the figure which formed wiring 131,132,133. The opening formed at this time, that is, the via hole, increases the area of the electrode pads 126, 63 of the light emitting diodes 52, 110, 111, so the via hole shape is large, and the positional accuracy of the via hole is also the via hole directly formed in each light emitting diode. It can be formed with coarser accuracy. At this time, a via hole having a diameter of about 20 μm can be formed for the electrode pads 126 and 63 of about 60 μm square. The depth of the via hole can be controlled by the number of pulses of the laser so that the optimum depth is opened because there are three types of depths: those connected to the wiring board, those connected to the anode electrode, and those connected to the cathode electrode. . Thereafter, a protective layer is formed on the wiring, and the panel of the image display device is completed. As the protective layer at this time, a material such as a transparent epoxy adhesive can be used similarly to the insulating layer 124 of FIG. This protective layer is heat-cured and completely covers the wiring. Thereafter, the driver IC is connected from the wiring at the end of the panel to manufacture the drive panel.
[0128]
As described above, in the second transfer step, by selectively irradiating the surface of the resin forming chip 110a to be transferred with the laser 111, the adhesion force of the resin forming chip 110a to be transferred to the adhesive material 114 and the transfer target Since the difference between the adhesion force of the non-resin forming chip 110 to the adhesive material 114 is relatively enlarged, only the resin forming chip 110a to be transferred is reliably transferred to the adhesive material 114, and the resin forming chip 110 that is not the transfer target is removed. It can remain on the second temporary holding member 106. That is, in the second transfer step, it is possible to reliably avoid troubles such as the resin forming chip 110 that is not the transfer target being transferred to the adhesive material 114 and the resin forming chip 110a that is the transfer target not being transferred to the adhesive material 114. .
[0129]
Therefore, according to the present invention, only the resin forming chip 110a to be transferred can be surely peeled off from the second temporary holding member 106 and finally transferred to the second substrate 117 and mounted. it can. For this reason, for example, when manufacturing a display device with a large screen, the yield can be improved and the manufacturing cost can be reduced.
[0130]
In the third embodiment and the fourth embodiment described above, the transfer method of the present invention is applied to either the first transfer step or the second transfer step of the two-stage enlarged transfer method. As an example, the transfer method of the present invention may be applied to both the first transfer step and the second transfer step of the two-stage enlarged transfer method.
[0131]
In the above description, the display device manufacturing method has been described as an example in which the transfer method of the present invention is applied. For example, the same effect can be obtained when the present invention is applied when manufacturing a circuit board. Can do.
[0132]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, in the electronic component and the transfer method according to the present invention, the difference between the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material and the adhesion force of the electronic component not to be transferred to the adhesive material is enlarged. In addition, the adhesion of the electronic component to be transferred to the adhesive material is relatively enhanced.
[0133]
In addition, when impurities are attached or deposited on the surface of the electronic component to be transferred, the impurities are removed by irradiating the surface of the electronic component to be transferred with a laser, so that the electronic component to be transferred The adhesion force to the adhesive material is further increased.
[0134]
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide an electronic component capable of reliably transferring only the electronic component to be transferred. Further, according to the present invention, the electronic component to be transferred is relatively enlarged by relatively increasing the difference between the adhesive force of the electronic component to be transferred to the adhesive material and the adhesive force of the electronic component to be transferred to the adhesive material. Thus, it is possible to provide a transfer method capable of reliably transferring only to the adhesive material and finally transferring to the second substrate.
[0135]
In addition, according to the present invention, since the surface of the electronic component to be transferred is made uniform, it is easy to set transfer conditions.
[0136]
Further, in the circuit board and the manufacturing method thereof according to the present invention, the difference between the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material and the adhesion force of the electronic component not to be transferred to the adhesive material is increased. The adhesion of the electronic component to be transferred to the adhesive material is relatively enhanced.
[0137]
In addition, when impurities are attached or deposited on the surface of the electronic component to be transferred, the impurities are removed by irradiating the surface of the electronic component to be transferred with a laser, so that the electronic component to be transferred The adhesion force to the adhesive material is further increased.
[0138]
Therefore, according to the present invention, only the electronic component to be transferred can be transferred reliably, and a circuit board can be provided at low cost. Further, according to the present invention, the electronic component to be transferred is relatively enlarged by relatively increasing the difference between the adhesive force of the electronic component to be transferred to the adhesive material and the adhesive force of the electronic component to be transferred to the adhesive material. Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing a circuit board that can be manufactured at low cost.
[0139]
In addition, according to the present invention, since the surface of the electronic component to be transferred is made uniform, it is easy to set transfer conditions.
[0140]
Further, in the display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, the difference between the adhesion force of the electronic component to be transferred to the adhesive material and the adhesion force of the electronic component that is not to be transferred to the adhesive material is enlarged, and the electronic to be transferred. The adhesion of the part to the adhesive is relatively increased.
[0141]
In addition, when impurities are attached or deposited on the surface of the electronic component to be transferred, the impurities are removed by irradiating the surface of the electronic component to be transferred with a laser, so that the electronic component to be transferred The adhesion force to the adhesive material is further increased.
[0142]
Therefore, according to the present invention, only the electronic component to be transferred is reliably transferred, and a display device can be provided at low cost. Further, according to the present invention, the electronic component to be transferred is relatively enlarged by relatively increasing the difference between the adhesive force of the electronic component to be transferred to the adhesive material and the adhesive force of the electronic component to be transferred to the adhesive material. It is possible to provide a method for manufacturing a display device that can be manufactured at a low cost by transferring only to an adhesive material and arranging them on a mounting substrate.
[0143]
In addition, according to the present invention, since the surface of the electronic component to be transferred is made uniform, it is easy to set transfer conditions.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a state in which electronic components having a surface to be transferred cleaned on a first substrate are arranged.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a laser is irradiated to an electronic component to be transferred.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state where an electronic component to be transferred is transferred with a first substrate and an adhesive material facing each other.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state where an adhesive material is peeled off from a first substrate.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a laser is irradiated to the electronic component from the back side of the second substrate with the adhesive material holding the electronic component facing the second substrate.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a state where an electronic component is transferred onto a second substrate.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a state in which electronic components whose transfer surface is contaminated are arranged on a first substrate.
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a laser is irradiated to an electronic component to be transferred.
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a state where an electronic component to be transferred is transferred with a first substrate and an adhesive material facing each other.
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a state where the adhesive material is peeled off from the first substrate.
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a laser is irradiated to the electronic component from the back side of the second substrate in a state where the adhesive material holding the electronic component is opposed to the second substrate.
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a state where an electronic component is transferred onto a second substrate.
FIG. 13 is a schematic view showing a method for arranging elements.
14A and 14B are diagrams illustrating an example of a light-emitting element, in which FIG. 14A is a cross-sectional view, and FIG. 14B is a plan view.
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing a first temporary holding member joining step.
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing a UV adhesive curing step.
FIG. 17 is a schematic sectional view showing a laser ablation process.
FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing a separation step of the first substrate.
FIG. 19 is a schematic sectional view showing a Ga removing step.
FIG. 20 is a schematic cross-sectional view showing an element isolation groove forming step.
FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing a state where a laser is selectively irradiated to an electronic component to be transferred.
FIG. 22 is a schematic cross-sectional view showing a second temporary holding member joining step.
FIG. 23 is a schematic cross-sectional view showing a selective laser ablation and UV exposure process.
FIG. 24 is a schematic cross-sectional view showing a selective separation process of light emitting diodes.
FIG. 25 is a schematic sectional view showing a resin embedding step.
FIG. 26 is a schematic cross-sectional view showing a resin layer thickness reduction step.
FIG. 27 is a schematic sectional view showing a via forming step.
FIG. 28 is a schematic cross-sectional view showing an anode-side electrode pad forming step.
FIG. 29 is a schematic sectional view showing a laser ablation process.
FIG. 30 is a schematic cross-sectional view showing a separation step of the second temporary holding member.
FIG. 31 is a schematic cross-sectional view showing a contact semiconductor layer exposing step.
FIG. 32 is a schematic cross-sectional view showing a cathode-side electrode pad forming step.
FIG. 33 is a schematic sectional view showing a laser dicing process.
FIG. 34 is a schematic perspective view of a resin-formed chip.
FIG. 35 is a schematic plan view of a resin-formed chip.
FIG. 36 is a schematic cross-sectional view showing a selective pickup process by the adsorption device.
FIG. 37 is a schematic cross-sectional view showing an example of a suction device provided with element position deviation prevention means.
FIG. 38 is a schematic cross-sectional view showing a transfer process to a second substrate.
FIG. 39 is a schematic cross-sectional view showing another light-emitting diode transfer step.
FIG. 40 is a schematic cross-sectional view showing an insulating layer forming step.
FIG. 41 is a schematic cross-sectional view showing a wiring formation step.
FIG. 42 is a schematic cross-sectional view showing a protective layer and black mask forming step.
FIG. 43 is a schematic sectional view showing a first transfer step.
FIG. 44 is a schematic cross-sectional view showing an electrode pad forming step.
FIG. 45 is a schematic cross-sectional view showing an electrode pad forming step after transfer to the second temporary holding member.
FIG. 46 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a laser is irradiated onto a transfer surface of a resin-formed chip to be transferred.
FIG. 47 is a schematic sectional view showing a second transfer step.
FIG. 48 is a schematic cross-sectional view showing an application example of the second transfer process.
FIG. 49 is a schematic cross sectional view showing the step of forming the insulating layer.
FIG. 50 is a schematic cross-sectional view showing a wiring formation step.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st board | substrate, 2 Electronic components, 3 Impurity, 4 Laser, 5 Adhesive material, 6 2nd board | substrate, 7 Laser, 20 1st board | substrate, 21 Temporary holding member, 22 Elements, 23 Resin, 24 Resin formation chip | tip, 25 2nd board | substrate, 30 resin formation chip | tip, 31 light emitting element, 32 resin, 33, 34 electrode pad, 41 base layer growth layer, 42 GaN layer, 43 InGaN layer, 44 GaN layer, 45 p electrode, 46 n electrode, 51 1st Substrate, 52 each light emitting diode, 52g groove, 52 light emitting diode, 53 first temporary holding member, 54 release layer, 55 adhesive, 56 Ga, 57 dicing groove, 58 thermoplastic adhesive, 59 second temporary holding Member, 60 release layer, 61 resin layer, 62 via hole, 63 anode side electrode pad, 64 third temporary holding member, 65 adhesive, 66 electrode pad, 67 adsorption , 68 suction hole, 69 suction chamber, 70 prevention means, 71 second substrate, 72 wiring layer, 73 laser light, 73 adhesive layer, 74 light emitting diode, 75 insulating layer, 76 opening, 80 chip part, 81 laser , 82 wiring, 85 protective layer, 86 rack mask, 100 first substrate, 101 first temporary holding member, 102 release layer, 103 adhesive layer, 104 laser light, 105 electrode pad, 106 second temporary holding Member, 107 Via hole, 108 Anode side electrode pad, 109 Element isolation groove, 110 Resin forming chip, 111 laser, 112 Release layer, 113 Third temporary holding member, 114 Adhesive material, 115 Mask, 116 Excimer laser beam, 117 First Two substrates, 118 thermoplastic adhesive layer, 119 laser light, 120 electrode layer, 121 black chrome layer, 1 22 light emitting diode, 124 insulating layer, 125 opening, 126 electrode pad, 131 wiring

Claims (22)

第一基板上に第一及び第二電子部品を配置し、
上記第一電子部品の被転写面にレーザーを照射して、上記被転写面の付着力を高めるとともに、
上記第一電子部品の表面から発生した不純物を、上記第二電子部品の表面に堆積させて上記表面の付着力を抑え、
上記被転写面に粘着材を重ね合わせ、上記第一電子部品を上記第一基板から剥離し、
上記第二電子部品は、上記不純物が上記粘着材に接触することにより、上記第一基板上に残存させ、
上記第一基板から剥離した上記第一電子部品を、配線層が形成された第二基板上に転写することを特徴とする回路基板の製造方法。The first and second electronic component disposed on the first base plate,
Irradiating the transfer surface of the first electronic component with a laser to increase the adhesion of the transfer surface,
Impurities generated from the surface of the first electronic component are deposited on the surface of the second electronic component to suppress the adhesion of the surface,
An adhesive is superimposed on the transfer surface, the first electronic component is peeled from the first substrate,
The second electronic component is left on the first substrate by the impurities coming into contact with the adhesive material ,
It said first peeled the first electronic component from the substrate, a manufacturing method of a circuit board, wherein a second benzalkonium be transferred onto a substrate on which a wiring layer is formed. 上記レーザーは紫外線レーザーであることを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。2. The circuit board manufacturing method according to claim 1 , wherein the laser is an ultraviolet laser. 上記電子部品の上記レーザーが照射される面は、樹脂により構成されることを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。2. The circuit board manufacturing method according to claim 1 , wherein a surface of the electronic component irradiated with the laser is made of a resin. 上記樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項３記載の回路基板の製造方法。4. The method for manufacturing a circuit board according to claim 3 , wherein the resin is made of an epoxy resin or an acrylic resin. 上記樹脂中に電子素子が埋め込まれていることを特徴とする請求項３記載の回路基板の製造方法。4. The method for manufacturing a circuit board according to claim 3 , wherein an electronic element is embedded in the resin. 上記電子素子は発光素子であることを特徴とする請求項５記載の回路基板の製造方法。6. The method of manufacturing a circuit board according to claim 5 , wherein the electronic element is a light emitting element. 上記発光素子は、先細り形状となる先端部を有することを特徴とする請求項６記載の回路基板の製造方法。The method for manufacturing a circuit board according to claim 6 , wherein the light emitting element has a tip end portion having a tapered shape. 上記先端部は、円錐形状又は多角錘形状であることを特徴とする請求項７記載の回路基板の製造方法。8. The method for manufacturing a circuit board according to claim 7 , wherein the tip portion has a conical shape or a polygonal pyramid shape. 上記発光素子は、半導体素子であることを特徴とする請求項６記載の回路基板の製造方法。The method for manufacturing a circuit board according to claim 6 , wherein the light emitting element is a semiconductor element. 上記発光素子は、窒化物半導体を用いた半導体素子であることを特徴とする請求項６記載の回路基板の製造方法。7. The method for manufacturing a circuit board according to claim 6 , wherein the light emitting element is a semiconductor element using a nitride semiconductor. 上記発光素子は、半導体ＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項６記載の回路基板の製造方法。The circuit board manufacturing method according to claim 6 , wherein the light emitting element is a semiconductor LED element. 上記剥離工程において、転写対象となる上記第一電子部品に対して第一基板側からレーザーを照射することを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。In the stripping step, the manufacturing method of the circuit board according to claim 1, wherein the irradiating laser from the first substrate side with respect to the first electronic component to be transferred. 第一基板上に、発光素子が埋め込まれた第一及び第二電子部品を配置し、
上記第一電子部品の被転写面にレーザーを照射して、上記被転写面の付着力を高めるとともに、
上記第一電子部品の表面から発生した不純物を、上記第二電子部品の表面に堆積させ、
上記被転写面に粘着材を重ね合わせ、上記第一電子部品を上記第一基板から剥離し、
上記第二電子部品は、上記不純物が上記粘着材に接触することにより、上記第一基板上に残存させ、
上記第一基板から剥離した上記第一電子部品を、配線層が形成された第二基板上にマトリクス状に転写することを特徴とする表示装置の製造方法。 On the first base plate, placing the first and second electronic component light emitting element is embedded,
Irradiating the transfer surface of the first electronic component with a laser to increase the adhesion of the transfer surface ,
Impurities generated from the surface of the first electronic component are deposited on the surface of the second electronic component,
Superposing an adhesive material to the transferred surface, peeling off the upper Symbol first electronic component from the first substrate,
The second electronic component is left on the first substrate by the impurities coming into contact with the adhesive material ,
The peeling was the first electronic component from the first substrate, method of manufacturing a display device comprising a Turkey be transferred in a matrix on the second substrate on which a wiring layer is formed. 上記レーザーは紫外線レーザーであることを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。The method of manufacturing a display device according to claim 13 , wherein the laser is an ultraviolet laser. 上記電子部品の上記レーザーが照射される面は、樹脂により構成されることを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。The method for manufacturing a display device according to claim 13 , wherein a surface of the electronic component irradiated with the laser is made of a resin. 上記樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造方法。 16. The method for manufacturing a display device according to claim 15 , wherein the resin is made of an epoxy resin or an acrylic resin. 上記発光素子は、先細り形状となる先端部を有することを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。The method for manufacturing a display device according to claim 13 , wherein the light emitting element has a tip end portion having a tapered shape. 上記先端部は、円錐形状又は多角錘形状であることを特徴とする請求項１７記載の表示装置の製造方法。The method for manufacturing a display device according to claim 17 , wherein the tip portion has a conical shape or a polygonal pyramid shape. 上記発光素子は、半導体素子であることを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。14. The method for manufacturing a display device according to claim 13 , wherein the light emitting element is a semiconductor element. 上記発光素子は、窒化物半導体を用いた半導体素子であることを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。14. The method for manufacturing a display device according to claim 13 , wherein the light emitting element is a semiconductor element using a nitride semiconductor. 上記発光素子は、半導体ＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。The method of manufacturing a display device according to claim 13 , wherein the light emitting element is a semiconductor LED element. 上記剥離工程において、転写対象となる上記第一電子部品に対して第一基板側からレーザーを照射することを特徴とする請求項１３記載の表示装置の製造方法。14. The method for manufacturing a display device according to claim 13 , wherein in the peeling step, the first electronic component to be transferred is irradiated with a laser from the first substrate side.
JP2001332704A 2001-10-30 2001-10-30 Circuit board manufacturing method and display device manufacturing method Expired - Fee Related JP4078825B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001332704A JP4078825B2 (en) 2001-10-30 2001-10-30 Circuit board manufacturing method and display device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001332704A JP4078825B2 (en) 2001-10-30 2001-10-30 Circuit board manufacturing method and display device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003133708A JP2003133708A (en) 2003-05-09
JP4078825B2 true JP4078825B2 (en) 2008-04-23

Family

ID=19148087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001332704A Expired - Fee Related JP4078825B2 (en) 2001-10-30 2001-10-30 Circuit board manufacturing method and display device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4078825B2 (en)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1287653C (en) 2002-05-24 2006-11-29 皇家飞利浦电子股份有限公司 Method suitable for transferring a component supported by a carrier to a desired position on a substrate, and a device designed for this
JP3972825B2 (en) 2003-01-28 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method of active matrix display device
JP4389447B2 (en) 2003-01-28 2009-12-24 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method of electro-optical device
JP2005283688A (en) * 2004-03-29 2005-10-13 Ishikawa Seisakusho Ltd Method for manufacturing pixel control element formation substrate and flat display manufactured by the same method
JP2006319198A (en) * 2005-05-13 2006-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd Laser machining method for wafer and device thereof
JP4758780B2 (en) * 2006-01-27 2011-08-31 新光電気工業株式会社 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting apparatus
JP2007286600A (en) * 2006-03-22 2007-11-01 Nippon Denki Kagaku Co Ltd Transfer method of thin-film element, transfer body, transferred product, circuit board, and display apparatus
JP5168871B2 (en) * 2006-10-03 2013-03-27 富士ゼロックス株式会社 Thin film carrier substrate and manufacturing method thereof
US8116341B2 (en) * 2007-05-31 2012-02-14 Electro Scientific Industries, Inc. Multiple laser wavelength and pulse width process drilling
KR101269592B1 (en) 2008-07-09 2013-06-05 엘지디스플레이 주식회사 LED organization method for liquid crystal display module
JP5679735B2 (en) * 2010-08-18 2015-03-04 株式会社ディスコ Package board handling method
JP6055259B2 (en) * 2012-10-03 2016-12-27 日東電工株式会社 Sealing sheet-covered semiconductor element, manufacturing method thereof, semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI634371B (en) * 2017-09-29 2018-09-01 台虹科技股份有限公司 Method of transferring micro device
CN109524512B (en) * 2018-11-15 2020-07-03 华中科技大学 Method for transferring micro light-emitting diode in huge amount based on controllable micro-reflector array
JP7307001B2 (en) * 2019-06-17 2023-07-11 東レエンジニアリング株式会社 LASER PROCESSING APPARATUS AND METHOD, CHIP TRANSFER APPARATUS AND METHOD
CN111162162B (en) * 2020-01-03 2023-11-28 上海天马微电子有限公司 Transfer substrate, preparation method thereof and transfer method of micro light emitting diode
CN111613699B (en) * 2020-05-25 2021-06-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro light-emitting diode and manufacturing method thereof
CN114193937B (en) * 2021-11-05 2022-10-14 华中科技大学 Mu LED full-color display manufacturing method and equipment for removing dead spots and self-aligning jet printing

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003133708A (en) 2003-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3608615B2 (en) Device transfer method, device array method using the same, and image display device manufacturing method
JP3747807B2 (en) Device mounting substrate and defective device repair method
JP4078825B2 (en) Circuit board manufacturing method and display device manufacturing method
JP4055405B2 (en) Electronic component and manufacturing method thereof
US7179695B2 (en) Method of forming wiring
JP3994681B2 (en) Element arrangement method and image display device manufacturing method
US20050181602A1 (en) Alloying method, and wiring forming method, display device forming method, and image display unit fabricating method
JP2003077940A (en) Method of transferring device, method of arranging device using same, and method of manufacturing image display device unit
JP2003098977A (en) Method of transferring element, method of arraying element and method of manufacturing image display device
JP3890921B2 (en) Element arrangement method and image display device manufacturing method
JP4882273B2 (en) Device mounting substrate, defective device repair method, and image display device
JP2003347524A (en) Transferring method of element, arraying method of element, and manufacturing method of image display
JP2003332523A (en) Transferring method and arraying method for element, and manufacturing method for image display device
JP4982932B2 (en) Manufacturing method of image display device
JP2002343944A (en) Transferring method of electronic part, arraying method of element, and manufacturing method of image display device
JP2002314053A (en) Chip part transfer method, element arraying method using the same, and manufacturing method of image display device
JP2002314123A (en) Method of transferring element, method of arranging element using it, and method of manufacturing image display device
JP4967251B2 (en) Manufacturing method of image display device
JP2003162231A (en) Method of manufacturing element, method of arraying element and method of manufacturing image display device
JP4078830B2 (en) Display device and manufacturing method of display device
JP4848606B2 (en) Element positioning method, element extraction method, element transfer method, element arrangement method, and image display device manufacturing method
JP5176260B2 (en) Manufacturing method of image display device
JP2003060242A (en) Method for packaging element and arranging element, and method for manufacturing image display device
JP4103369B2 (en) Component mounting method
JP2002158237A (en) Method for transferring element and method for mounting element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041001

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041115

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050517

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20050527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071009

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080128

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees