JP2003133708A - Electronic component and transfer method thereof, circuit board and manufacturing method thereof, and display and manufacturing method thereof - Google Patents

Electronic component and transfer method thereof, circuit board and manufacturing method thereof, and display and manufacturing method thereof

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JP2003133708A JP2001332704A JP2001332704A JP2003133708A JP 2003133708 A JP2003133708 A JP 2003133708A JP 2001332704 A JP2001332704 A JP 2001332704A JP 2001332704 A JP2001332704 A JP 2001332704A JP 2003133708 A JP2003133708 A JP 2003133708A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow merely an electronic component to be transferred to reliably adhere to an adhesive material when carrying out selective transfer to other substrates by the adhesive material. SOLUTION: There are an adhesive force adjustment process for irradiating laser beams 3 onto a surface to be transferred of an electronic component 2a to be transferred in electronic components 2 that are aligned on the main surface of a first substrate 1, and a peeling process for overlapping an adhesive material 5 to the surface to be transferred of the electronic component 2 and peeling off the electronic component 2a where the laser 3 is irradiated from the first substrate 1.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、粘着材を用いて転写される電子部品及びその転写方法、回路基板及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to an electronic component and transfer method is transferred with the adhesive, the circuit board and a method of manufacturing the same, and a display device and a manufacturing method thereof on. 【0002】 【従来の技術】ある基板上に配列された同一形状の複数のチップ部品を、これらの相対的な位置関係を保持しながら他の基板上に実装する場合に、転写が有効な方法として採用されることがある。 2. Description of the Related Art There plurality of chip parts having the same shape which are arranged on a substrate, when mounting the other substrate while maintaining their relative positional relationship, transcription effective method is is that there is adopted as. 【0003】転写の中でも、ある基板上に配列されたチップ部品を直接他の基板上に転写せず、いったん粘着材に転写し保持させた後で、さらに他の基板上に転写する方法がある。 [0003] Among the transcription, without transferring a certain chip component which is arranged on a substrate directly another substrate once after transferring is held by the adhesive, there is a further method of transferring to another substrate . この方法では粘着材を用いて転写を行うため、製造コストが廉価であり、また、大面積の転写に非常に有効である。 To perform a transfer using the adhesive in this way, the manufacturing cost is inexpensive, and is very effective in transferring large area. 【0004】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方法は、基板上の電子部品を一度に全て他の基板に転写する際には有効であるものの、レーザー剥離等を用いて選択的な転写を行う際には様々な不都合を伴う。 [0004] The present invention is, however, this method, although all the electronic components on the board at a time is effective in transferring to another substrate, selective using a laser peeling when performing the transfer involves various disadvantages. 【0005】例えば、電子部品に対する粘着材の粘着力が強い場合には、転写対象となるチップ部品だけでなく転写対象でないチップ部品も粘着材に粘着するという問題が生じる。 [0005] For example, when the adhesive force of the adhesive material for electronic parts is strong, also there is a problem that the adhesive on the adhesive material chip components not transfer object not only chip component to be transferred. 【0006】また、上記問題を回避するために粘着材の粘着力を低下させると、本来転写したいチップ部品が粘着材に粘着しない場合がある。 Further, reducing the adhesive force of the adhesive material in order to avoid the above problem, the chip component to be transferred originally may not stick to the adhesive. また、チップ部品が保持された粘着材と実装先の他の基板との押しつけ圧力が不均一である場合、粘着材とチップ部品との接着力の弱さに起因して、チップ部品を他の基板に転写する際に位置ずれを生じる等の不都合が生じるおそれがある。 Also, if the pressing pressure with another substrate implementations destination adhesive that chip component is held is not uniform, due to the weakness of the adhesion between the adhesive material and the chip component, the chip component other inconvenience such as causing positional displacement at the time of transferring the substrate is likely to occur. 【0007】このように、せん断力による位置ずれと所望のチップ部品のみを粘着させる粘着力との間にはトレードオフの関係があるため、最適な条件を適宜設定して転写を行う必要があるが、チップ部品の材料や形状、基板の大きさや平面度等の条件変更に追随できない場合が多々ある。 [0007] Thus, since between the positional deviation and adhesion to adhere only the desired chip component by shearing force there is a trade-off relationship, it is necessary to perform transfer by setting appropriate optimal conditions but the material and shape of the chip component, may not be able to follow the conditions change, such as the size and flatness of the substrate are many. 【0008】そこで本発明はこのような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、粘着材を用いて他の基板への選択的な転写を行う際に、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材へ粘着させることが可能な転写方法を提供することを目的とする。 [0008] The present invention has been proposed in view of such conventional circumstances, when performing selective transfer to another substrate using an adhesive material, only the electronic component to be transferred and to provide a transfer method capable of adhesive to securely adhesive. 【0009】 【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するために、本発明に係る電子部品は、表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されることを特徴とする。 [0009] To achieve the Means for Solving the Problems The above object, the electronic component according to the present invention, the feature that the adhesion to the adhesive material by irradiating laser to the surface is adjusted to. 【0010】また、本発明に係る転写方法は、第一基板の主面上に配列された電子部品のうち転写対象となる電子部品の被転写面にレーザーを照射する付着力調整工程と、粘着材を上記電子部品の被転写面に重ね合わせ、上記レーザーが照射された電子部品を上記第一基板から剥離する剥離工程とを有することを特徴とする。 [0010] The transfer method according to the present invention, the adhesion adjusting step of irradiating the laser to the transferred surface of the electronic component to be transferred out of the electronic components arranged on a main surface of the first substrate, pressure-sensitive adhesive the wood superposed on the transferred surface of the electronic component, and having a peeling step of peeling the electronic part in which the laser is irradiated from the first substrate. 【0011】本発明では、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することにより、転写対象となる電子部品の被転写面の化学的な活性が向上し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が向上する。 [0011] In the present invention, by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred, improves the chemical activity of the transferred surface of the electronic component to be transferred, the adhesive of the electronic component to be transferred adhesion is improved relative to wood. また、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによって発生した塵が転写対象でない電子部品の表面に堆積するため、転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力が低下する。 Furthermore, since the dust generated by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred is deposited on the surface of the electronic component is not a transfer object, adhesion is lowered relative to the adhesive material of the electronic component is not a transfer object. 【0012】以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。 [0012] As described above, for the adhesive material of the electronic component difference between the adhesion force is enlarged, to be transferred with respect to the adhesive material of the electronic component is not the adhesive force between the transfer target for the adhesive material of the electronic component to be transferred adhesion is enhanced relatively. 【0013】また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。 Further, since impurities on the transfer surface of the electronic component when adhering or deposition of the impurities are removed by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred, and the transfer object adhesion to the adhesive material of the electronic component formed is further increased. 【0014】また、本発明に係る回路基板は、表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されてなる電子部品が、粘着材による剥離工程を経て配線層が形成された配線基板上に転写されてなることを特徴とする。 Further, the circuit board according to the present invention, the wiring board electronic components adhering force is being adjusted, the wiring layer is formed through a stripping process using an adhesive material for the adhesive material by irradiating the laser onto the surface characterized by comprising been transferred thereon. 【0015】また、本発明に係る回路基板の製造方法は、第一基板の主面上に配列された電子部品のうち転写対象となる電子部品の被転写面にレーザーを照射する付着力調整工程と、粘着材を上記電子部品の被転写面に重ね合わせ、上記レーザーが照射された電子部品を上記第一基板から剥離する剥離工程と、上記第一基板から剥離した電子部品を、配線層が形成された配線基板上に転写する転写工程とを有することを特徴とする。 [0015] A method of manufacturing a circuit board according to the present invention, adhesion adjustment step of irradiating the laser to the transferred surface of the electronic component to be transferred out of the electronic components arranged on a main surface of a first substrate When the adhesive superposed on the transferred surface of the electronic component, a peeling step of peeling the electronic part in which the laser is irradiated from the first substrate, the electronic component separated from the first substrate, the wiring layer and having a transfer step of transferring the wiring formed on the substrate. 【0016】本発明では、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することにより、転写対象となる電子部品の被転写面の化学的な活性が向上し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が向上する。 [0016] In the present invention, by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred, improves the chemical activity of the transferred surface of the electronic component to be transferred, the adhesive of the electronic component to be transferred adhesion is improved relative to wood. また、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによって発生した塵が転写対象でない電子部品の表面に堆積するため、転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力が低下する。 Furthermore, since the dust generated by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred is deposited on the surface of the electronic component is not a transfer object, adhesion is lowered relative to the adhesive material of the electronic component is not a transfer object. 【0017】以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。 [0017] As described above, for the adhesive material of the electronic component difference between the adhesion force is enlarged, to be transferred with respect to the adhesive material of the electronic component is not the adhesive force between the transfer target for the adhesive material of the electronic component to be transferred adhesion is enhanced relatively. 【0018】また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。 Further, since impurities on the transfer surface of the electronic component when adhering or deposition of the impurities are removed by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred, and the transfer object adhesion to the adhesive material of the electronic component formed is further increased. 【0019】また、本発明に係る表示装置は、発光素子が埋め込まれ、表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されてなる電子部品が、粘着材による剥離工程を経て配線層が形成された配線基板上にマトリクス状に配置されてなることを特徴とする。 Further, the display device according to the present invention, the light-emitting element is embedded, electronic components adhesion is being adjusted relative to the adhesive material by irradiating the laser on the surface, the wiring layer through a separation step using an adhesive material wherein the are arranged in a matrix form on but formed wiring board. 【0020】また、本発明に係る表示装置の製造方法は、第一基板の主面上に配列された、発光素子が埋め込まれた電子部品のうち転写対象となる電子部品の被転写面にレーザーを照射する付着力調整工程と、粘着材を上記電子部品の被転写面に重ね合わせ、上記レーザーが照射された電子部品を上記第一基板から剥離する剥離工程と、上記第一基板から剥離した電子部品を、配線層が形成された配線基板上にマトリクス状に転写する転写工程とを有することを特徴とする。 [0020] A method of manufacturing a display device according to the invention, arranged on a main surface of a first substrate, a laser on the transfer surface of the electronic component to be transferred out of the electronic component light emitting element is embedded and adhesion adjustment step of irradiating the adhesive superposed on the transferred surface of the electronic component, an electronic component in which the laser is irradiated and peeling step of peeling from the first substrate was peeled off from the first substrate electronic components, and having a transfer step of transferring in a matrix on the wiring board on which a wiring layer is formed. 【0021】本発明では、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することにより、転写対象となる電子部品の被転写面の化学的な活性が向上し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が向上する。 [0021] In the present invention, by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred, improves the chemical activity of the transferred surface of the electronic component to be transferred, the adhesive of the electronic component to be transferred adhesion is improved relative to wood. また、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによって発生した塵が転写対象でない電子部品の表面に堆積するため、転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力が低下する。 Furthermore, since the dust generated by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred is deposited on the surface of the electronic component is not a transfer object, adhesion is lowered relative to the adhesive material of the electronic component is not a transfer object. 【0022】以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。 [0022] As described above, for the adhesive material of the electronic component difference between the adhesion force is enlarged, to be transferred with respect to the adhesive material of the electronic component is not the adhesive force between the transfer target for the adhesive material of the electronic component to be transferred adhesion is enhanced relatively. 【0023】また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。 Further, since impurities on the transfer surface of the electronic component when adhering or deposition of the impurities are removed by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred, and the transfer object adhesion to the adhesive material of the electronic component formed is further increased. 【0024】 【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した電子部品及びその転写方法、回路基板及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。 [0024] PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an electronic component and a transcription method of applying the present invention, the circuit board and a method of manufacturing the same, and a display device and its manufacturing method will be described in detail with reference to the drawings. 【0025】[第1の実施の形態]本発明の転写方法は、粘着材を用いた転写方法、すなわち、先ず、第一基板の一主面上に複数配列された電子部品のうち、転写対象となる電子部品のみを粘着材に転写し、次に粘着材に保持された電子部品を第二基板に転写する方法に適用することができる。 The transfer method of the First Embodiment The present invention is a transfer method using an adhesive material, i.e., first, among the electronic components arrayed on one main surface of the first substrate, the transfer object only the electronic component to be a transferred to the adhesive material, then the electronic component held by the adhesive material can be applied to a method of transferring the second substrate. 【0026】本実施の形態においては、第一基板上に配列された電子部品の被転写面が清浄化されている場合を例に挙げて説明する。 In the present embodiment will be described with a case where the transferred surface of the electronic part arranged on the first substrate is cleaned in the Examples. 【0027】図1は、第一基板1上に電子部品2が複数配列された状態を示す図である。 [0027] FIG. 1 is a diagram showing a state where the electronic component 2 on the first substrate 1 are arrayed. このうち、転写対象となる電子部品2aのみが最終的に第二基板上に転写され、それ以外の電子部品2は、第二基板上への転写を望まない電子部品であり、第一基板1上に残存する必要がある。 Of these, only the electronic component 2a to be transferred is transferred to the final second substrate, the electronic component 2 other than it is an electronic component that does not wish to transfer to the second substrate, the first substrate 1 it is necessary to remain in the top. 【0028】第一基板1としては特に限定されるものではなく、例えば半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基板、プラスチック基板等を用いることができる。 [0028] As the first substrate 1 is not particularly limited, and may be for example a semiconductor wafer, a glass substrate, a quartz glass substrate, a sapphire substrate, a plastic substrate or the like. 【0029】第一基板1上の電子部品2のうち少なくとも転写対象となる電子部品2aは、粘着材に対する付着力を調整可能な表面、すなわち後の工程でレーザーを照射されることによって粘着材に対する付着力を調整することが可能な表面を有するものである。 The electronic component 2a to be at least the transfer target among the electronic components 2 on the first substrate 1, for adhesive by being irradiated with the laser in the adhesion to the adhesive material adjustable surface, that is, after the step those having surfaces capable of adjusting adhesion. 具体的には、少なくとも電子部品2aの表面の一部又は全部は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂により形成されることが好ましい。 Specifically, some or all of the surface of at least the electronic component 2a, an epoxy resin, to be formed of a resin such as acrylic resin. また、電子部品2は、樹脂中に電子素子等が埋め込まれていてもよい。 Further, the electronic component 2, such as an electronic device may be embedded in the resin. 【0030】具体的な電子素子としては、発光素子、液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子又はその部分、これらの組み合わせ等が挙げられる。 [0030] As a specific electronic device, the light emitting element, a liquid crystal control devices, photoelectric conversion elements, piezoelectric elements, thin-film transistor device, a thin film diode elements, resistive elements, switching elements, micro-magnetic devices, selected elements from the micro-optical element or a portion, combinations thereof and the like. 【0031】また、電子部品2は、全て同種類である必要はなく、異なる電子部品が混在していてもよい。 [0031] In addition, the electronic component 2, all need not be the same type, different electronic components may be mixed. また、各電子部品2は第一基板1上に直接形成したものであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっても良い。 Also, the electronic components 2 may be those formed directly on the first substrate 1, it may be one having an array of those formed on the other substrate. 【0032】本発明の転写方法では、図2に示すように、このような状態の第一基板1のうち、転写対象となる電子部品2aの被転写面に選択的にレーザー3を照射し、転写対象でない電子部品2の表面にはレーザー3を照射しないようにする。 [0032] In the transfer method of the present invention, as shown in FIG. 2, of the first substrate 1 in this state, selectively irradiated with a laser 3 to a transfer surface of the electronic component 2a to be transferred, so as not to irradiate the laser 3 on the surface of the electronic component 2 is not the transfer object. 【0033】第一基板1上に配列された転写対象となる電子部品2aの被転写面に選択的にレーザー3を照射することにより、電子部品2aのレーザー3を照射された表面は、表面改質されて化学的な活性が高められ、次工程において粘着材に対する付着力が向上する。 [0033] By selectively irradiating laser 3 to a transfer surface of the electronic component 2a to be transferred, which is arranged on the first substrate 1, surface irradiated with laser 3 of the electronic component 2a, the surface modified fi ed chemical activity is enhanced, the adhesion to the adhesive material is improved in the subsequent step. 【0034】また、電子部品2aのレーザー3を照射された表面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて0.2μm〜0.6μm程度削られることにより塵を発生させ、図2に示すように、この塵が、レーザー3を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品2上に不純物4として堆積する。 [0034] The irradiation surface with a laser 3 of the electronic component 2a generates a dust by being scraped about 0.2μm~0.6μm occurring molecules decomposition reaction called ablation, as shown in FIG. 2 this dust, electronic parts not irradiated with a laser 3, i.e. deposited as impurity 4 on the electronic component 2 is not the transfer object. 【0035】ここで用いるレーザー3としては、例えばYAG3倍高調波レーザー(335nm)やYAG4倍高調波レーザー(266nm)等のYAG高調波レーザー、KrFエキシマレーザー(248nm)等のエキシマレーザー等が挙げられるが、特に限定されるものではなく、転写対象となる電子部品2aの特性に応じて最適な波長を選択すればよい。 [0035] As the laser 3 to be used herein include for example YAG3 harmonic laser (335 nm) and YAG4 harmonic laser (266 nm) YAG harmonic laser or the like, an excimer laser such as KrF excimer laser (248 nm) is but it is not particularly limited, may be selected an optimum wavelength depending on the characteristics of the electronic component 2a to be transferred. 例えば転写対象となる電子部品2aが半透明体であって可視光レーザーやIRレーザーを透過する場合には、UVレーザーを採用することが好ましい。 For example, an electronic component 2a to be transferred is a translucent body when transmitting visible light laser or IR laser, it is preferable to employ a UV laser. また、転写対象となる電子部品2aに電子素子が埋め込まれている場合は、この電子素子にダメージを与えない波長を選択する必要がある。 Also, when the electronic device is embedded in the electronic component 2a to be transferred, it is necessary to select a wavelength that does not damage to the electronic device. また、転写対象となる電子部品2a上の不純物4の除去を目的とする場合には長波長のレーザーを採用し、転写対象となる電子部品2aの表面上の化学的活性の向上を目的とする場合には短波長のレーザーを採用することが好ましい。 Further, adopts a laser having a long wavelength, for the purpose of improving the chemical activity on the surface of the electronic component 2a to be transferred when directed to removal of impurities 4 on an electronic component 2a to be transferred it is preferable to employ a laser having a short wavelength in the case. 【0036】また、レーザー3の強度についても特に限定されることなく、転写対象となる電子部品2aの特性に応じて適宜設定すればよい。 Further, without any particular limitation on the intensity of the laser 3 may be appropriately set according to the characteristics of the electronic component 2a to be transferred. ただし、転写対象となる電子部品2a上の不純物4の除去の度合いはレーザー3 However, the degree of removal of impurities 4 on an electronic component 2a to be transferred laser 3
の強度に比例するものの、転写対象となる電子部品2a Although proportional to the intensity of the electronic component 2a to be transferred
の表面上の化学的活性は、ある程度までは向上するが強すぎると逆に低下する傾向があるため、これらを考慮して最適な範囲を選択することが好ましい。 Chemical activity on the surface of, for to some extent tend to decrease on the contrary is too strong to improve, it is preferable to select an optimum range in consideration of these. 【0037】次に、図3に示すように、レーザー3が照射された転写対象となる電子部品2a及びレーザー3が照射されていない電子部品2が配列された第一基板1 Next, as shown in FIG. 3, the first substrate 1 on which the electronic components 2 which electronic components 2a and the laser 3 to be transferred to the laser 3 is irradiated it is not irradiated are arranged
と、粘着材5とを対向させて圧着する。 When, crimped to face the adhesive material 5. ここで、被転写面に不純物4が堆積した転写対象でない電子部品2は、 Here, the electronic component 2 is not the transfer target impurity 4 were deposited on the transferred surface is
粘着材5に対して直接接触せずに上述した工程で堆積した不純物4が接触することになるため、粘着材5に対する付着力が相対的に低められる。 Since the impurity 4 were deposited in the step described above without direct contact against adhesive 5 comes into contact, adhesion to the adhesive material 5 is reduced relatively. 【0038】次に、図4に示すように、第一基板1から粘着材5を引き剥がし、粘着材5に保持された電子部品2aを、第一基板1から剥離する。 Next, as shown in FIG. 4, peel the adhesive 5 from the first substrate 1, the electronic component 2a held by the adhesive 5 is peeled from the first substrate 1. 【0039】次に、図5に示すように、電子部品2aを保持した粘着材5と第二基板6とを圧着させるとともに、例えば粘着材5側から電子部品2aに対してレーザー7等を照射することにより粘着材5と電子部品2aとの界面でレーザーアブレーションを生じさせて剥離を行い、図6に示すように第二基板6に電子部品2aを転写する。 Next, as shown in FIG. 5, the irradiation causes crimp of the adhesive 5 which holds the electronic component 2a and the second substrate 6, for example, a laser 7 or the like to the electronic parts 2a from the adhesive material 5 side perform peeling cause laser ablation at the interface between the adhesive 5 and the electronic component 2a by, for transferring the electronic component 2a to the second substrate 6 as shown in FIG. 【0040】以上のように、第一基板1上に配列された転写対象となる電子部品2aの表面に選択的にレーザー3を照射することにより、電子部品2aのレーザー3を照射された被転写面は、表面改質されて化学的な活性が高められるため、粘着材5に対する付着力が向上する。 [0040] As described above, by selectively irradiating the laser 3 on the surface of the electronic component 2a to be transferred, which is arranged on the first substrate 1, a transfer which is irradiated with a laser 3 of the electronic component 2a surfaces, the surface modified by chemical activity is enhanced, adhesion is improved relative to adhesive 5. 【0041】また、レーザー3を照射された電子部品2 [0041] In addition, the electronic component 2, which is irradiated with a laser 3
aの被転写面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて0.2μm〜0.6μm程度削られることにより塵を発生させ、図2に示すように、この塵が、レーザー3を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品2上に不純物4として堆積する。 The transferred surface of a can, not create a dust by being scraped about 0.2μm~0.6μm occurring molecules decomposition reaction called ablation, as shown in FIG. 2, this dust is not irradiated with the laser three electron parts, i.e. deposited as impurity 4 on the electronic component 2 is not the transfer object. この結果、 As a result,
転写対象でない電子部品2の粘着材5に対する付着力が低下する。 Adhesion to the adhesive material 5 of the electronic component 2 is not the transfer object is reduced. 第一基板1と粘着材5とを対向させる工程において、転写対象でない電子部品2自体は粘着材5に対して接触せずに不純物4が粘着材5に張り付くためである。 In the step of facing the adhesive 5 and the first substrate 1, the electronic component 2 itself is not the transfer target is because the impurity 4 sticks to the adhesive material 5 without contact with the adhesive 5. 【0042】以上のように、転写対象となる電子部品2 [0042] As described above, the electronic component 2 to be transferred
aの表面に選択的にレーザー3を照射することにより、 By selectively irradiating the laser 3 to the surface of a,
転写対象となる電子部品2aの粘着材5に対する付着力と転写対象でない電子部品2の粘着材5に対する付着力との差が拡大する、すなわち、転写対象となる電子部品2aの粘着材5に対する付着力が相対的に高められるため、転写対象となる電子部品2aのみが確実に粘着材5 The difference between the adhesion to the adhesive material 5 of the electronic component 2 is not the adhesive force between the transfer target for the adhesive material 5 of the electronic component 2a to be transferred is enlarged, i.e., with respect to the adhesive material 5 of the electronic component 2a to be transferred since adhesive strength is increased relatively, only the electronic component 2a to be transferred is certainly adhesive 5
に転写され、転写対象でない電子部品2が第一基板1上に残存される。 Is transferred to the electronic component 2 is not the transfer object is left on the first substrate 1. すなわち、転写対象でない電子部品2が粘着材5に転写されることや、転写対象となる電子部品2aが粘着材5に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。 That is, the electronic component 2 is not the transfer target and be transferred to the adhesive 5, the electronic component 2a to be transferred to reliably avoid problems such as not to be transferred to the adhesive material 5. 【0043】したがって、本発明によれば、所望の転写対象となる電子部品2aのみを確実に粘着材5に転写して、最終的に第二基板6へ転写することができる。 [0043] Thus, according to the present invention, it can be transferred by transferring only the reliable adhesive 5 electronic component 2a to be desired transfer object, eventually to the second substrate 6. 【0044】また、転写対象となる電子部品2aの表面に選択的にレーザー3を照射することにより、被転写面が適度に荒らされ、粘着材5に対するせん断方向の付着力が向上するとともに、第二基板6に転写する際には粘着材5からの電子部品2aの剥離が容易となる。 [0044] Further, by irradiating a selective laser 3 on the surface of the electronic component 2a to be transferred, the transferred surface is moderately roughened, with adhesion of the shearing direction is improved for the adhesive 5, the when transferring the second substrate 6 is easily peeled off of the electronic component 2a from adhesive 5. また、 Also,
粘着材5に対する付着力が転写対象となる電子部品2a Electronic component 2a to adhesion to the adhesive material 5 be transferred
間で均一化されるため、転写工程における条件設定が容易になるという利点もある。 To be equalized between, there is an advantage that the condition setting is facilitated in the transfer process. 【0045】なお、電子部品の表面改質を行う手法として、O プラズマを用いたアッシングや、RIE(イオン反応性エッチング)のような高速のエッチャントを用いること等が考えられるが、例えば前者の手法では異方性が小さいために電子部品に対して選択的な処理を行うことが不可能であること、後者の手法では異方性があるものの実際には電子部品を逆テーパー状にエッチングしてしまうこと等の不都合が生じる。 [0045] Incidentally, as a method of modifying the surface of the electronic component, ashing or using O 2 plasma, RIE it of using a fast etchant such as (ion reactive etching) is considered, for example, the former the technique it is not possible to perform selective processing the electronic components for low anisotropy, actually etching the electronic components in the reverse tapered although there is anisotropy in the latter technique It occurs inconvenience such as that would be. このため、選択対象である電子部品の表面に対してレーザーを照射したときに、本発明の効果を得ることができる。 Therefore, when irradiated with a laser to the surface of the electronic part is a selection target, it is possible to obtain the effect of the present invention. 【0046】[第2の実施の形態]つぎに、第一基板上に配列された電子部品の被転写面が汚染されている場合、すなわち、電子部品の被転写面に予め不純物が付着又は堆積している場合を例に挙げて説明する。 [0046] [Second Embodiment] Next, the case where the transferred surface of the electronic part arranged on the first substrate is contaminated, i.e., pre impurities adhered or deposited onto a transfer surface of the electronic component It will be described as an example if you are. 【0047】なお、本実施の形態においては、上述した第1の実施の形態で用いたものと同じ部材については同じ符号を付すこととし、説明を省略することがある。 [0047] In the present embodiment, and subjecting the same reference numerals are given to the same members as those used in the first embodiment described above, it may be omitted. 【0048】図7は、第一基板1上に電子部品2が複数配列された状態を示す図である。 [0048] Figure 7 is a diagram showing a state where the electronic component 2 on the first substrate 1 are arrayed. このうち、転写対象となる電子部品2aのみが最終的に第二基板上に転写され、それ以外の電子部品2は、第二基板上への転写を望まない電子部品であり、第一基板1上に残存する必要がある。 Of these, only the electronic component 2a to be transferred is transferred to the final second substrate, the electronic component 2 other than it is an electronic component that does not wish to transfer to the second substrate, the first substrate 1 it is necessary to remain in the top. 【0049】これら電子部品2は、例えば電子部品2に対応した位置に配列された素子を覆うように樹脂を一面に塗布した後でダイシングすることにより形成されるものである。 [0049] The electronic component 2 is, for example, those formed by dicing after the application of the resin on one surface so as to cover the elements arranged in the positions corresponding to the electronic component 2. 本実施の形態においては、図7に示すように、ダイシング等の際に発生する塵等が、不純物4として電子部品2の被転写面に付着又は堆積している。 In the present embodiment, as shown in FIG. 7, dust and the like generated during dicing or the like, it is attached or deposited on the transfer surface of the electronic component 2 as an impurity 4. 【0050】本発明の転写方法では、図7に示すように、このような状態の第一基板1のうち、転写対象となる電子部品2aの被転写面に選択的にレーザー3を照射し、転写対象でない電子部品2の表面にはレーザー3を照射しないようにする。 [0050] In the transfer method of the present invention, as shown in FIG. 7, of the first substrate 1 in this state, selectively irradiated with a laser 3 to a transfer surface of the electronic component 2a to be transferred, so as not to irradiate the laser 3 on the surface of the electronic component 2 is not the transfer object. 【0051】第一基板1上に配列された転写対象となる電子部品2aの被転写面に選択的にレーザー3を照射することにより、図8に示すように、転写対象となる電子部品2aの被転写面に付着又は堆積した不純物4が除去され、転写対象となる電子部品2aの被転写面が清浄化される。 [0051] By selectively irradiating laser 3 to a transfer surface of the electronic component 2a to be transferred, which is arranged on the first substrate 1, as shown in FIG. 8, the electronic component 2a to be transferred impurities 4 adhered or deposited on the transfer surface is removed, the transferred surface of the electronic component 2a to be transferred is cleaned. 【0052】また、電子部品2aのレーザー3を照射された表面は、表面改質されて化学的な活性が高められ、 [0052] The irradiation surface of the laser 3 of the electronic component 2a is surface modified chemical activity is enhanced,
次工程において粘着材に対する付着力が向上する。 Adhesion to the adhesive material is improved in the subsequent step. 【0053】また、電子部品2aのレーザー3を照射された表面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて0.2μm〜0.6μm程度削られることにより塵を発生させ、図8に示すように、この塵が、レーザー3を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品2上にさらに不純物4として堆積する。 [0053] The irradiation surface of the laser 3 of the electronic component 2a generates a dust by being scraped about 0.2μm~0.6μm occurring molecules decomposition reaction called ablation, as shown in FIG. 8 this dust, electronic parts not irradiated with a laser 3, i.e. deposited further as an impurity 4 on the electronic component 2 is not the transfer object. 【0054】次に、図9に示すように、レーザー3が照射された転写対象となる電子部品2a及びレーザー3が照射されていない電子部品2が配列された第一基板1 Next, as shown in FIG. 9, the first substrate 1 on which the electronic components 2 which electronic components 2a and the laser 3 to be transferred to the laser 3 is irradiated it is not irradiated are arranged
と、粘着材5とを対向させて圧着する。 When, crimped to face the adhesive material 5. ここで、被転写面に不純物4が堆積した転写対象でない電子部品2は、 Here, the electronic component 2 is not the transfer target impurity 4 were deposited on the transferred surface is
粘着材5に対して直接接触せずに上述した工程で堆積した不純物4が接触することになるため、粘着材5に対する付着力が相対的に低められる。 Since the impurity 4 were deposited in the step described above without direct contact against adhesive 5 comes into contact, adhesion to the adhesive material 5 is reduced relatively. 【0055】次に、図10に示すように、第一基板1から粘着材5を引き剥がし、粘着材5に保持された電子部品2aを、第一基板1から剥離する。 Next, as shown in FIG. 10, peel the adhesive 5 from the first substrate 1, the electronic component 2a held by the adhesive 5 is peeled from the first substrate 1. 【0056】次に、図11に示すように、電子部品2a Next, as shown in FIG. 11, the electronic component 2a
を保持した粘着材5と第二基板6とを圧着させるとともに、例えば粘着材5側から電子部品2aに対してレーザー7等を照射することにより粘着材5と電子部品2aとの界面でレーザーアブレーションを生じさせて剥離を行い、図12に示すように第二基板6に電子部品2aを転写する。 With pressure bonding an adhesive member 5 held and a second substrate 6, for example, laser ablation at the interface between the adhesive 5 and the electronic component 2a by irradiating laser 7 or the like to the electronic parts 2a from the adhesive material 5 side perform peeling cause, transferring the electronic component 2a to the second substrate 6 as shown in FIG. 12. 【0057】以上のように、第一基板1上に配列された転写対象となる電子部品2aの表面に選択的にレーザー3を照射することにより、図8に示すように転写対象となる電子部品2aの被転写面に付着又は堆積した不純物4が除去され、転写対象となる電子部品2aの被転写面が清浄化される。 [0057] As described above, by selectively irradiating the laser 3 on the surface of the electronic component 2a to be transferred, which is arranged on the first substrate 1, an electronic component to be transferred as shown in FIG. 8 2a impurity 4 adhered or deposited on the transfer surface is removed, and the transferred surface of the electronic component 2a to be transferred is cleaned. 【0058】また、電子部品2aのレーザー3を照射された被転写面は、表面改質されて化学的な活性が高められるため、粘着材5に対する付着力が向上する。 [0058] Further, the transferred surface irradiated with laser 3 of the electronic component 2a is, the surface modified by chemical activity is enhanced, adhesion is improved relative to adhesive 5. 【0059】また、レーザー3を照射された電子部品2 [0059] In addition, the electronic component 2, which is irradiated with a laser 3
aの被転写面は、アブレーションと呼ばれる分子分解反応を生じて0.2μm〜0.6μm程度削られることにより塵を発生させ、図8に示すように、この塵が、レーザー3を照射されない電子部品、すなわち転写対象でない電子部品2上に不純物4として堆積する。 The transferred surface of a can, not create a dust by being scraped about 0.2μm~0.6μm occurring molecules decomposition reaction called ablation, as shown in FIG. 8, the dust is not irradiated with the laser three electron parts, i.e. deposited as impurity 4 on the electronic component 2 is not the transfer object. この結果、 As a result,
転写対象でない電子部品2の粘着材5に対する付着力が低下する。 Adhesion to the adhesive material 5 of the electronic component 2 is not the transfer object is reduced. 第一基板1と粘着材5とを対向させる工程において、転写対象でない電子部品2自体は粘着材5に対して接触せずに不純物4が粘着材5に張り付くためである。 In the step of facing the adhesive 5 and the first substrate 1, the electronic component 2 itself is not the transfer target is because the impurity 4 sticks to the adhesive material 5 without contact with the adhesive 5. 【0060】以上のように、転写対象となる電子部品2 [0060] As described above, the electronic component 2 to be transferred
aの表面に選択的にレーザー3を照射することにより、 By selectively irradiating the laser 3 to the surface of a,
転写対象となる電子部品2aの粘着材5に対する付着力と転写対象でない電子部品2の粘着材5に対する付着力との差が拡大する、すなわち、転写対象となる電子部品2aの粘着材5に対する付着力が相対的に高められるため、転写対象となる電子部品2aのみが確実に粘着材5 The difference between the adhesion to the adhesive material 5 of the electronic component 2 is not the adhesive force between the transfer target for the adhesive material 5 of the electronic component 2a to be transferred is enlarged, i.e., with respect to the adhesive material 5 of the electronic component 2a to be transferred since adhesive strength is increased relatively, only the electronic component 2a to be transferred is certainly adhesive 5
に転写され、転写対象でない電子部品2が第一基板1上に残存される。 Is transferred to the electronic component 2 is not the transfer object is left on the first substrate 1. すなわち、転写対象でない電子部品2が粘着材5に転写されることや、転写対象となる電子部品2aが粘着材5に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。 That is, the electronic component 2 is not the transfer target and be transferred to the adhesive 5, the electronic component 2a to be transferred to reliably avoid problems such as not to be transferred to the adhesive material 5. 【0061】したがって、本発明によれば、電子部品2 [0061] Thus, according to the present invention, the electronic component 2
の被転写面が汚染された状態であったとしても、所望の転写対象となる電子部品2aのみを確実に粘着材5に転写して、最終的に第二基板6へ転写することができる。 Even the transfer surface is in the state of being contaminated, it can be transferred by transferring only the reliable adhesive 5 electronic component 2a to be desired transfer object, eventually to the second substrate 6. 【0062】また、転写対象となる電子部品2aの表面に選択的にレーザー3を照射することにより、被転写面が適度に荒らされ、粘着材5に対するせん断方向の付着力が向上するとともに、第二基板6に転写する際には粘着材5からの電子部品2aの剥離が容易となる。 [0062] Further, by irradiating a selective laser 3 on the surface of the electronic component 2a to be transferred, the transferred surface is moderately roughened, with adhesion of the shearing direction is improved for the adhesive 5, the when transferring the second substrate 6 is easily peeled off of the electronic component 2a from adhesive 5. また、 Also,
粘着材5に対する付着力が転写対象となる電子部品2a Electronic component 2a to adhesion to the adhesive material 5 be transferred
間で均一化されるため、転写工程における条件設定が容易になるという利点もある。 To be equalized between, there is an advantage that the condition setting is facilitated in the transfer process. 【0063】[第3の実施の形態]つぎに、上述したような本発明の転写方法を二段階の拡大転写法に応用し、 [0063] [Third Embodiment] Next, by applying the transfer method of the present invention as described above to expand the transfer method of the two-step,
発光ダイオードを用いて画像表示装置を作製する場合を例に挙げて説明する。 It will be described as an example the case of manufacturing an image display device using the light-emitting diode. 【0064】二段階の拡大転写法では、先ず、高集積度をもって第一基板上に作製された素子を第一基板上で素子が配列された状態よりは離間した状態となるように粘着材を塗布された一時保持用部材に転写し、次いで一時保持用部材に保持された上記素子をさらに離間して第二基板上に転写するものである。 [0064] In the enlarged transfer method of two-step, firstly, an adhesive material such that the spaced state from the state in which high with a degree of integration of the fabricated device in the first substrate element in the first substrate are arranged transferred to the applied temporarily holding member, and then is transferred onto the second substrate further apart the elements which are held in the temporarily holding member. なお、以下の説明では、 In the following description,
転写を二段階としているが、素子を離間して配置する拡大度に応じて転写を二段階やそれ以上の多段階とすることもできる。 It is a two-step transcription but transferred may be a two-stage or more multistage in accordance with the enlargement of the spaced elements. また、本発明の転写方法は、拡大転写法に限定されることなく通常の転写に適用することもできる。 The transfer method of the present invention can also be applied to a normal transfer is not limited to the enlarged transfer method. 【0065】図13は二段階拡大転写法の基本的な工程を示す図である。 [0065] Figure 13 is a diagram showing the basic steps of the two-step enlarged transfer method. まず、図13(a)に示す第一基板2 First, the first substrate 2 shown in FIG. 13 (a)
0上に、例えば発光素子のような素子22を密に形成する。 On 0, densely to form the device 22 such as light emitting elements. 素子を密に形成することで、各基板当たりに生成される素子の数を多くすることができ、製品コストを下げることができる。 By densely forming devices, it is possible to increase the number of elements to be produced per each substrate, it is possible to reduce the product cost. 第一基板20は例えば半導体ウエハ、 The first substrate 20 such as a semiconductor wafer,
ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基板、プラスチック基板等の種々の素子形成可能な基板であるが、各素子22は第一基板20上に直接形成したものであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっても良い。 A glass substrate, a quartz glass substrate, sapphire substrate, is a variety of elements capable of forming a substrate such as a plastic substrate, each element 22 may be made by forming directly on the first substrate 20, on another substrate those formed or may be an array of. 【0066】なお、図13(a)に示す複数の素子22 [0066] The plurality of elements 22 shown in FIG. 13 (a)
は、後の工程で粘着材に対する付着力を調整することが可能な表面を有することが好ましい。 Preferably has a surface that is capable of adjusting the adhesion to the adhesive material in a later step. 【0067】次に図13(b)に示すように、第一転写工程を行う。 [0067] Next, as shown in FIG. 13 (b), performing a first transfer step. すなわち、第一基板20から各素子22が図中破線で示す一時保持用部材21に転写され、この一時保持用部材21の上に各素子22が保持される。 That is, each element 22 from the first substrate 20 is transferred to the temporarily holding member 21 shown by broken lines in the figure, the element 22 is held on the temporarily holding member 21. ここで隣接する素子22は離間され、図示のようにマトリクス状に配される。 Element 22 adjacent here are spaced and arranged in a matrix form as shown. すなわち素子22はx方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、x方向に垂直なy方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。 That element 22 are transcribed to spread between the respective elements in the x-direction, also perpendicular y-direction in the x-direction is transferred to the respective spread between the elements. このとき離間される距離は、特に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や電極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。 Distance to be spaced at this time is not particularly limited, it may be a distance in consideration of formation of resin portion formation and the electrode pads in the subsequent step as an example. 一時保持用部材21 Temporarily holding member 21
上に第一基板20から転写した際に第一基板20上の全部の素子が離間されて転写されるようにすることができる。 Can be made to all of the elements on the first substrate 20 is transferred is separated when transferred from the first substrate 20 above. この場合には、一時保持用部材21のサイズはマトリクス状に配された素子22の数(x方向、y方向にそれぞれ)に離間した距離を乗じたサイズ以上であれば良い。 In this case, the size of the temporarily holding member 21 may be at the number of elements 22 arranged in a matrix size than obtained by multiplying a distance spaced (x-direction, respectively in the y-direction). また、一時保持用部材21上に第一基板20上の一部の素子が離間されて転写されるようにすることも可能である。 It is also possible to be transferred part of the element on the first substrate 20 is spaced on the temporarily holding member 21. 【0068】本発明の転写方法は、上述した第一転写工程に適用する。 [0068] transfer method of the present invention is applied to the first transfer step described above. この工程については詳細を後述する。 This process will be described in detail later. 【0069】このような第一転写工程の後、図13 [0069] After such a first transfer step, FIG. 13
(c)に示すように、一時保持用部材21上に存在する素子22は離間されていることから、各素子22毎に素子周りの樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。 (C), the because it is spaced elements 22 present on the temporarily holding member 21 is formed of the coating and the electrode pads of the resin around the element for each element 22 is performed. 素子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次の第二転写工程での取り扱いを容易にする等のために形成される。 Coating of the resin around the element is easier to form an electrode pad is formed in order such as to facilitate handling in the subsequent second transfer step. 電極パッドの形成は、後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、その際に配線不良が生じないように比較的大き目のサイズに形成されるものである。 Forming an electrode pad, as described later, since final wiring is performed after the subsequent second transfer step, in which the time line defective is formed to a relatively large size so as not to cause. なお、図13(c)には電極パッドは図示していない。 The electrode pads are not shown in FIG. 13 (c). 各素子22の周りを樹脂23で覆うことで樹脂形成チップ24が形成される。 Around the element 22 resin forming the chip 24 by covering with the resin 23 is formed. 素子22は平面上、樹脂形成チップ24の略中央に位置するが、一方の辺や角側に偏った位置に存在するものであっても良い。 Element 22 on a plane, but located substantially at the center of the resin forming the chip 24, or may be located at a position offset to one side or corner side. 【0070】次に、図13(d)に示すように、第二転写工程が行われる。 Next, as shown in FIG. 13 (d), the second transfer step. この第二転写工程では一時保持用部材21上でマトリクス状に配される素子22が樹脂形成チップ24ごと更に離間するように第二基板25上に転写される。 The second transfer device 22 which is arranged in a matrix on the temporarily holding member 21 in the process is transferred onto the second substrate 25 so as to separate the resin-covered chip 24 your bets further. 第二転写工程においても、隣接する素子22 Also in the second transfer step, adjacent elements 22
は樹脂形成チップ24ごと離間され、図示のようにマトリクス状に配される。 Is spaced by the resin forming the chip 24, it is arranged as shown in a matrix. すなわち素子22はx方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、x方向に垂直なy方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。 That element 22 are transcribed to spread between the respective elements in the x-direction, also perpendicular y-direction in the x-direction is transferred to the respective spread between the elements. 第二転写工程によって配置された素子の位置が画像表示装置等の最終製品の画素に対応する位置であるとすると、当初の素子22間のピッチの略整数倍が第二転写工程によって配置された素子22のピッチとなる。 The position of elements arranged by the second transfer step is assumed to be positions corresponding to the pixels of the final product such as an image display apparatus, approximately an integral multiple of the pitch between the original elements 22 are arranged by the second transfer step the pitch of the element 22.
ここで第一基板20から一時保持用部材21での離間したピッチの拡大率をnとし、一時保持用部材21から第二基板25での離間したピッチの拡大率をmとすると、 Here spaced enlargement ratio of the pitch of the first substrate 20 from the temporary holding member 21 is n, when the spaced enlargement ratio of the pitch of the second substrate 25 from the temporarily holding member 21 is m,
略整数倍の値EはE=n×mで表される。 Approximately an integral multiple of E is represented by E = n × m. 【0071】第二基板25上に樹脂形成チップ24ごと離間された各素子22には、配線が施される。 [0071] The second substrate 25 each element 22 is spaced by a resin formed chip 24 on the wiring is performed. この時、 At this time,
先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。 Wiring while minimizing the connection failure by using the electrode pads of the previously formed or the like is performed. この配線は例えば素子22 This wiring example element 22
が発光ダイオード等の発光素子の場合には、p電極、n There the case of the light-emitting element such as light emitting diodes, p electrode, n
電極への配線を含む。 Including the wiring to the electrode. 【0072】図13に示した二段階拡大転写法においては、第一転写工程後の離間したスペースを利用して電極パッドの形成等を行うことができ、そして第二転写工程後に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。 [0072] In the two-step enlarged transfer method shown in FIG. 13, spaced space can make the formation of the electrode pad or the like by utilizing the after the first transfer step, and the wiring after the second transfer step is performed that is, wires while suppressing a connection failure as much as possible by using the electrode pads of the previously formed or the like is performed. 従って、画像表示装置の歩留まりを向上させることができる。 Therefore, it is possible to improve the yield of the image display device. また、本例の二段階拡大転写法においては、素子間の距離を離間する工程が2工程であり、このような素子間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、 In the two-step enlarged transfer method of the present embodiment, a process is two-step spacing the distance between the elements, by performing the expansion transcription of multiple step of separating the distance between such element,
実際は転写回数が減ることになる。 In fact it will be that the number of transfers reduced. すなわち、例えば、 That is, for example,
ここで第一基板20、20aから一時保持用部材21、 Wherein the first one to substrate 20,20a at retaining member 21,
21aでの離間したピッチの拡大率を2(n=2)とし、一時保持用部材21、21aから第二基板25での離間したピッチの拡大率を2(m=2)とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に転写しようとしたときでは、最終拡大率が2×2の4倍で、その二乗の16回の転写すなわち第一基板のアライメントを16回行う必要が生ずるが、本例の二段階拡大転写法では、アライメントの回数は第一転写工程での拡大率2の二乗の4回と第二転写工程での拡大率2の二乗の4回を単純に加えただけの計8回で済むことになる。 Spaced enlargement ratio of the pitch at 21a and 2 (n = 2), when the spaced enlargement ratio of the pitch of the second substrate 25 from the temporarily holding member 21,21a and 2 (m = 2), if a time when the the attempts to transfer the range being enlarged by transfer, at four times the final magnification is 2 × 2, although necessary to perform its square of 16 times the transfer i.e. the alignment of the first substrate 16 once occurs, the present embodiment in the two-step enlarged transfer method, the number of times of alignment is simply added 4 times the square of the magnification 2 on four and a second transfer step of the square of magnification 2 in the first transfer step eight It will be need in the times. 即ち、同じ転写倍率を意図する場合においては、(n+m) =n +2nm+ That is, in the case intended for the same transfer magnification, (n + m) 2 = n 2 + 2nm +
であることから、必ず2nm回だけ転写回数を減らすことができることになる。 since it is m 2, and thus can reduce the number of transfers only sure 2nm times. 従って、製造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場合に有益となる。 Therefore, manufacturing process which saves the number of times by the time and expense, be beneficial especially in the case of magnification greater. 【0073】なお、図13に示した二段階拡大転写法においては、素子22を例えば発光素子としているが、これに限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、 [0073] In the two-step enlarged transfer method shown in FIG. 13, although the elements 22 for example, and the light emitting element is not limited to this, other elements such as a liquid crystal control devices, photoelectric conversion elements, piezoelectric elements, a thin film transistor elements, thin film diode elements, resistive elements, switching elements, micro-magnetic devices, selected element or portion thereof from the micro-optical element,
これらの組み合わせ等であっても良い。 It may be a combination of these and the like. 【0074】ところで、上述した二段階拡大転写法で使用される素子の一例としての発光素子の構造を図14に示す。 [0074] Incidentally, showing the structure of a light-emitting device as an example of the elements used in the two-step enlarged transfer method described above in FIG. 14. 図14(a)が素子断面図であり、図14(b) Figure 14 (a) is a device sectional view, and FIG. 14 (b)
が平面図である。 There is a plan view. この発光素子はGaN系の発光ダイオードであり、たとえばサファイア基板上に結晶成長される素子である。 The light emitting element is a light emitting diode of GaN-based, a device is grown on a sapphire substrate, for example. このようなGaN系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザー照射によってレーザーアブレーションが生じ、GaNの窒素が気化する現象にともなってサファイア基板とGaN系の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。 In such light-emitting diodes of GaN-based, result in laser ablation by laser irradiation passing through the substrate, film peeling occurred at the interface between the sapphire substrate and the GaN-based growth layer with the phenomenon of GaN nitrogen is vaporized, It has a feature capable of isolation in easy. 【0075】まず、その構造については、GaN系半導体層からなる下地成長層41上に選択成長された六角錐形状のGaN層42が形成されている。 [0075] First, the structure, GaN layer 42 of the hexagonal pyramid shape selected grown on under growth layer 41 made of GaN-based semiconductor layer is formed. なお、下地成長層41上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のGaN層42はその絶縁膜を開口した部分にMOCVD Incidentally, on the under growth layer 41 there is an insulating film (not shown), GaN layer 42 of the hexagonal pyramid shape MOCVD to a portion which opens the insulating film
法等によって形成される。 Formed by law or the like. このGaN層42は、成長時に使用されるサファイア基板の主面をC面とした場合にS面(1−101面)で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。 The GaN layer 42 is grown layer pyramid covered with S-plane (1-101 plane) when the principal plane of the sapphire substrate was C plane is used during the growth, with silicon was doped region is there. このGa The Ga
N層42の傾斜したS面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。 Inclined S-plane portion of the N layer 42 serves as a cladding of a double-hetero structure. GaN層42の傾斜したS面を覆うように活性層であるInGaN層43が形成されており、その外側にマグネシウムドープのGaN層44が形成される。 And InGaN layer 43 is formed as an active layer so as to cover the inclined S-plane of the GaN layer 42, GaN layer 44 of magnesium-doped on the outside is formed. このマグネシウムドープのGaN層44もクラッドとして機能する。 GaN layer 44 of the magnesium doped also functions as a cladding. 【0076】このような発光ダイオードには、p電極4 [0076] Such light emitting diodes, p electrode 4
5とn電極46が形成されている。 5 and n electrode 46 are formed. p電極45はマグネシウムドープのGaN層44上に形成されるNi/Pt p electrode 45 is formed on the GaN layer 44 of magnesium-doped Ni / Pt
/AuまたはNi(Pd)/Pt/Au等の金属材料を蒸着して形成される。 / Au or Ni (Pd) / a Pt / Au or the like of a metal material is deposited is formed. n電極46は前述の図示しない絶縁膜を開口した部分でTi/Al/Pt/Au等の金属材料を蒸着して形成される。 n electrode 46 is formed by depositing a metal material such as Ti / Al / Pt / Au at a portion having an open insulating film (not shown) described above. なお、下地成長層41の裏面側からn電極取り出しを行う場合は、n電極46の形成は下地成長層41の表面側には不要となる。 In the case of performing an n-electrode was taken out from the rear surface side of the under growth layer 41, formation of the n-electrode 46 is not required on the surface side of the under growth layer 41. 【0077】このような構造のGaN系の発光ダイオードは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザーアブレーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離することができ、レーザービームを選択的に照射することで選択的な剥離が実現される。 [0077] The light-emitting diode of the GaN-based having such a structure, a blue light emission that can also be elements, in particular relatively easily can be peeled from the sapphire substrate I by laser ablation, selectively irradiating laser beams selective stripping is achieved by. なお、GaN系の発光ダイオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される構造であっても良く、上端部にC面が形成された角錐構造のものであっても良い。 Note that the light-emitting diodes of GaN-based, may be a structure in which tabular or strip-shaped active layer is formed may be of pyramidal structures C surface is formed on the upper end. また、他の窒化物系発光素子や化合物半導体素子等であっても良い。 Further, it may be other nitride-based light emitting device or a compound semiconductor device and the like. 【0078】次に、本発明の転写方法を、上述した二段階拡大転写法の第一転写工程、すなわち樹脂チップ形成前の発光素子の拡大転写に応用した、画像表示装置の製造方法について詳細に説明する。 Next, the transfer method of the present invention, a first transfer step of the above-described two-step enlarged transfer method, i.e. is applied to expand the transfer of the resin chips before formation of the light emitting device, a manufacturing method of an image display device in detail explain. 発光素子は図14に示したGaN系の発光ダイオードを用いている。 Emitting element uses a light emitting diode of GaN system shown in FIG. 14. 先ず、図15に示すように、第一基板51の主面上には複数の発光ダイオード52が密な状態で形成されている。 First, as shown in FIG. 15, a plurality of light emitting diodes 52 on the main surface of the first substrate 51 is formed in a dense state. 発光ダイオード52の大きさは微小なものとすることができ、 Size of the light emitting diode 52 can be made very small,
例えば一辺約20μm程度とすることができる。 For example, it is a one side about 20μm approximately. 第一基板51の構成材料としてはサファイア基板等のように発光ダイオード52に照射するレーザーの波長に対して透過率の高い材料が用いられる。 As the constituent material of the first substrate 51 material having high transmittance for the wavelength of the irradiating laser to the light emitting diode 52 as such as a sapphire substrate is used. 発光ダイオード52にはp電極等までは形成されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分離の溝52gが形成されていて、個々の発光ダイオード52は分離できる状態にある。 Until p electrode or the like in the light emitting diode 52 is formed is not made yet the final wire, be formed with a groove 52g of element isolation, the individual light-emitting diode 52 is ready for separation. この溝52gの形成は例えば反応性イオンエッチングで行う。 Formation of the groove 52g is carried out, for example, reactive ion etching. 【0079】次いで、第一基板51上の発光ダイオード52を第1の一時保持用部材53上に転写する。 [0079] Then, transfer the light-emitting diode 52 on the first substrate 51 on the first temporary holding member 53. ここで第1の一時保持用部材53の例としては、ガラス基板、 Here, as an example of a first temporary holding member 53, a glass substrate,
石英ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができ、本例では石英ガラス基板を用いた。 Quartz glass substrate, it is possible to use a plastic substrate, in this example using the quartz glass substrate. また、第1の一時保持用部材53の表面には、離型層として機能する剥離層54が形成されている。 On the surface of the first temporary holding member 53, release layer 54 which functions as a release layer is formed. 剥離層54には、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤(例えばポリビニルアルコール:PVA)、ポリイミド等を用いることができるが、ここではポリイミドを用いた。 The peeling layer 54, fluorine coating, silicone resin, water-soluble adhesive (for example, polyvinyl alcohol: PVA), can be used polyimide, wherein the polyimide is used. 【0080】転写に際しては、図15に示すように、第一基板51上に発光ダイオード52を覆うに足る接着剤(例えば紫外線硬化型の接着剤)55を塗布し、発光ダイオード52で支持されるように第1の一時保持用部材53を重ね合わせる。 [0080] In the transfer, as shown in FIG. 15, the adhesive sufficient to cover the light-emitting diode 52 on the first substrate 51 (e.g., ultraviolet curing adhesive) 55 is applied and is supported by the light emitting diode 52 the first temporary holding member 53 superimposed as. この状態で、図16に示すように第1の一時保持用部材53の裏面側から接着剤55に紫外線(UV)を照射し、これを硬化する。 In this state, ultraviolet rays (UV) is irradiated to the adhesive 55 from the back side of the first temporary holding member 53 as shown in FIG. 16, to cure it. 第1の一時保持用部材53は石英ガラス基板であり、上記紫外線はこれを透過して接着剤55を速やかに硬化する。 First temporary holding member 53 is a quartz glass substrate, the ultraviolet curing rapidly the adhesive 55 passes through it. 【0081】このとき、第1の一時保持用部材53は、 [0081] At this time, the first temporarily holding member 53,
発光ダイオード52によって支持されていることから、 Since it was supported by the light emitting diodes 52,
第一基板51と第1の一時保持用部材53との間隔は、 The first substrate 51 is the distance between the first temporary holding member 53,
発光ダイオード52の高さによって決まることになる。 It will be determined by the height of the light emitting diode 52.
図16に示すように発光ダイオード52で支持されるように第1の一時保持用部材53を重ね合わせた状態で接着剤55を硬化すれば、当該接着剤55の厚さtは、第一基板51と第1の一時保持用部材53との間隔によって規制されることになり、発光ダイオード52の高さによって規制される。 If curing of the adhesive 55 in a superposed state of the first temporary holding member 53 so as to be supported by the light emitting diode 52 as shown in FIG. 16, the thickness t of the adhesive 55, the first substrate 51 and will be regulated by the distance between the first temporarily holding member 53 is restricted by the height of the light emitting diode 52. すなわち、第一基板51上の発光ダイオード52がスペーサとしての役割を果たし、一定の厚さの接着剤層が第一基板51と第1の一時保持用部材53の間に形成されることになる。 That is, the light-emitting diode 52 on the first substrate 51 serves as a spacer, so that the adhesive layer of uniform thickness is formed between the first substrate 51 of the first temporary holding member 53 . このように、上記の方法では、発光ダイオード52の高さにより接着剤層の厚みが決まるため、厳密に圧力を制御しなくとも一定の厚みの接着剤層を形成することが可能である。 Thus, in the above method, since the thickness of the adhesive layer is determined by the height of the light emitting diode 52, it is possible to form an adhesive layer having a constant thickness even not strictly controlling the pressure. 【0082】接着剤55を硬化した後、図17に示すように、発光ダイオード52に対しレーザーを第一基板5 [0082] After curing the adhesive 55, as shown in FIG. 17, the first substrate 5 with a laser to light-emitting diodes 52
1の裏面から照射し、当該発光ダイオード52を第一基板51からレーザーアブレーションを利用して剥離する。 Irradiated from the first rear surface, peeled by using a laser ablation the light emitting diode 52 from the first substrate 51. GaN系の発光ダイオード52はサファイアとの界面で金属のGaと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。 Emitting diode 52 of the GaN-based from decomposing at the interface of metal Ga and nitrogen and sapphire, relatively easy to peel. 照射するレーザーとしてはエキシマレーザー、高調波YAGレーザー等が用いられる。 As the laser to be irradiated excimer laser, harmonic YAG laser or the like is used. このレーザーアブレーションを利用した剥離によって、発光ダイオード52は第一基板51の界面で分離し、一時保持用部材53上に接着剤55に埋め込まれた状態で転写される。 By peeling using this laser ablation, the light emitting diode 52 is transferred in a state embedded in the adhesive 55 on the surface was separated, temporarily holding member 53 of the first substrate 51. 【0083】図18は、上記剥離により第一基板51を取り除いた状態を示すものである。 [0083] Figure 18 shows a state in which removal of the first substrate 51 by the separation. このとき、レーザーにてGaN系発光ダイオードをサファイア基板からなる第一基板51から剥離しており、その剥離面にGa56 At this time, it has been peeled from the first substrate 51 made of a GaN-based light-emitting diode from the sapphire substrate by a laser, to the release surface Ga56
が析出しているため、これをエッチングすることが必要である。 Since There has been precipitated, it is necessary to etch it. そこで、NaOH水溶液もしくは希硝酸等によりウエットエッチングを行い、図19に示すように、G Therefore, perform wet etching by NaOH aqueous solution or dilute nitric acid, as shown in FIG. 19, G
a56を除去する。 To remove the a56. さらに、図20に示すように、酸素プラズマ(O プラズマ)により表面を清浄化し、ダイシングにより接着剤55をダイシング溝57によって切断し、発光ダイオード52毎にダイシングし、チップ部品80とする。 Furthermore, as shown in FIG. 20, to clean the surface by oxygen plasma (O 2 plasma), the adhesive 55 is cut by dicing grooves 57 by dicing, and diced into each light emitting diode 52, and the chip component 80. ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、20μm以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザーを用いたレーザーによる加工を行う。 Dicing process dicing using an ordinary blade, when the cut narrow width of less than 20μm is required for machining by laser using the laser. その切り込み幅は画像表示装置の画素内の接着剤55で覆われた発光ダイオード52の大きさに依存するが、一例として、エキシマレーザーにて溝加工を行い、チップ部品80の形状を形成する。 Its cut width depends on the size of the light emitting diode 52 is covered with the adhesive 55 in the pixels of the image display device but, as an example, performs grooving by excimer laser, to form the shape of the chip component 80. 【0084】つぎに、第一転写工程、すなわち発光ダイオード52の選択分離を行なって、拡大転写する。 [0084] Next, the first transfer step, i.e., by performing selective separation of the light emitting diode 52, to expand the transfer. すなわち、図21に示すように、ダイシングされたチップ部品80のうち、転写対象となるチップ部品80aにのみ、レーザー81を照射する。 That is, as shown in FIG. 21, of the diced chip component 80, only the chip components 80a to be transferred, to irradiate the laser 81. 【0085】転写対象となるチップ部品80aにレーザー81を選択照射する際には、転写対象となるチップ部品80aに対応する領域が開口するとともに転写対象でないチップ部品80を遮光するようなマスクを用いてもよい。 [0085] In selecting irradiation of laser 81 to the chip components 80a to be transferred, using a mask such as a region corresponding to the chip components 80a to be transferred to shield the chip parts 80 not transfer object with an opening it may be. 【0086】このとき、少なくともチップ部品80a [0086] In this case, at least the chip components 80a
を、粘着材に対する付着力を調整可能な表面とすること、すなわち、チップ部品80aの表面の一部又は全部をエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で被覆することが好ましい。 And that an adjustable surface adhesion to the adhesive material, i.e., part or all of the epoxy resin of the surface of the chip components 80a, is preferably coated with a resin such as an acrylic resin. 【0087】次に、図22に示すように、粘着材として熱可塑性接着剤58が塗布されてなる第2の一時保持用部材59を、チップ部品80が保持された第1の一時保持用部材53と対向させて加圧する。 [0087] Next, as shown in FIG. 22, the second temporarily holding member 59 which thermoplastic adhesive 58, which are applied as an adhesive material, the first temporary holding member chip parts 80 are held 53 and is opposed pressurized. この第2の一時保持用部材59も、先の第1の一時保持用部材53と同様、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができ、本例では石英ガラス基板を用いた。 The second temporarily holding member 59 also, similarly to the first temporary holding member 53 earlier, the glass substrate, a quartz glass substrate, it is possible to use a plastic substrate, in this example using the quartz glass substrate. また、この第2の一時保持用部材59の表面にもポリイミド等からなる剥離層60を形成しておく。 Also, previously formed a release layer 60 made of polyimide or the like on the surface of the second temporarily holding member 59. 【0088】次いで、図23に示すように、転写対象となるチップ部品80aに対応した位置にのみ第1の一時保持用部材53の裏面側からレーザーを照射し、レーザーアブレーションによりこのチップ部品80aを第1の一時保持用部材53から剥離する。 [0088] Then, as shown in FIG. 23, by irradiating a laser from the back side of the first temporary holding member 53 only at positions corresponding to the chip components 80a to be transferred, the chip components 80a by laser ablation It separated from the first temporary holding member 53. それと同時に、やはり転写対象となるチップ部品80aに対応した位置に、 At the same time, the position corresponding to the chip components 80a which also be transferred,
第2の一時保持用部材59の裏面側から可視または赤外レーザー光を照射して、この部分の熱可塑性接着剤58 By irradiation with visible or infrared laser light from the back side of the second temporarily holding member 59, this part thermoplastic adhesive 58
を一旦溶融し硬化させる。 The cause once melted and cured. その後、第2の一時保持用部材59を第1の一時保持用部材53から引き剥がすと、 Then, when the second temporarily holding member 59 is peeled off from the first temporarily holding member 53,
図24に示すように、上記転写対象となるチップ部品8 As shown in FIG. 24, the chip component 8 to be the transfer target
0aのみが選択的に分離され、第2の一時保持用部材5 0a only is selectively separated, the second temporarily holding member 5
9上に転写される。 It is transferred onto the 9. 【0089】上述した第一転写工程に本発明を適用すること、すなわち転写対象となるチップ部品80の表面に選択的にレーザー81を照射することにより、レーザー81を照射されたチップ部品80aとそれ以外のチップ部品80との間の、上述したような粘着材である熱可塑性接着剤58に対する付着力が拡大し、引き続く工程で転写対象となるチップ部品80aのみが確実に粘着材に転写され、第1の一時保持用部材53から剥離される。 [0089] By applying the present invention in a first transfer step described above, i.e. by irradiating selectively laser 81 on the surface of the chip component 80 to be transferred, the chip components 80a and its irradiated with laser 81 between the chip component 80 except, adhesion is enlarged with respect to the thermoplastic adhesive 58 is an adhesive material as described above, only the chip components 80a to be transferred in a subsequent step is transferred to ensure adhesive, It is peeled from the first temporary holding member 53. 【0090】ここで用いるレーザー81としては、上述した第1の形態で用いるレーザー3と同様のものを採用することができる。 [0090] As the laser 81 to be used herein, it can be adopted similar to the laser 3 employed in the first embodiment described above. 【0091】上記選択分離後、図25に示すように、転写されたチップ部品80aを覆って樹脂を塗布し、樹脂層61を形成する。 [0091] After the selective separation, as shown in FIG. 25, the resin was applied over the transferred chip components 80a, to form the resin layer 61. さらに、図26に示すように、酸素プラズマ等により樹脂層61の厚さを削減し、図27に示すように、発光ダイオード52に対応した位置にレーザーの照射によりビアホール62を形成する。 Furthermore, as shown in FIG. 26, by oxygen plasma or the like to reduce the thickness of the resin layer 61, as shown in FIG. 27, a via hole is formed 62 by irradiation of laser at positions corresponding to the light emitting diode 52. ビアホール62の形成には、エキシマレーザー、高調波YAGレーザー、炭酸ガスレーザー等を用いることができる。 The formation of the via hole 62, can be used excimer laser, a harmonic YAG laser, a carbon dioxide gas laser or the like. このとき、ビアホール62は例えば約3〜7μmの径を開けることになる。 In this case, the via hole 62 will be opened diameter of, for example, about 3 to 7 [mu] m. 【0092】次に、上記ビアホール62を介して発光ダイオード52のp電極と接続されるアノード側電極パッド63を形成する。 [0092] Then, an anode electrode pad 63 connected to the p electrode of the light emitting diode 52 through the via hole 62. このアノード側電極パッド63は、 The anode side electrode pad 63,
例えばNi/Pt/Au等で形成する。 For example, it is formed by Ni / Pt / Au or the like. 図28は、発光ダイオード52を第2の一時保持用部材59に転写して、アノード電極(p電極)側のビアホール62を形成した後、アノード側電極パッド63を形成した状態を示している。 Figure 28 is to transfer the light emitting diode 52 to the second temporarily holding member 59, after forming the via hole 62 of the anode electrode (p electrode) side shows a state of forming an anode side electrode pad 63. この電極パッド63となる金属層を成膜する前に、減圧下で加熱し、樹脂層61に含まれる水分等を十分に脱ガスすることが好ましい。 Before forming a metal layer serving as the electrode pad 63, heated under a reduced pressure, it is preferable to degas well water or the like contained in the resin layer 61. 脱ガス後、金属層をスパッタ法等により成膜し、これをパターニングして電極パッド63とすれば、電極パッド63の膜剥がれ等を防止することができる。 After degassing, the metal layer formed by sputtering or the like, which if by patterning the electrode pad 63, it is possible to prevent peeling of the electrode pads 63. 【0093】上記アノード側電極パッド63を形成した後、反対側の面にカソード側電極を形成するため、第3 [0093] After forming the anode electrode pad 63, for forming a cathode on the opposite side, a third
の一時保持用部材64への転写を行う。 Performing transfer to the temporarily holding member 64. 第3の一時保持用部材64も、例えば石英ガラス等からなる。 Third temporarily holding member 64 is also made of, for example, quartz glass. 転写に際しては、図29に示すように、アノード側電極パッド6 At the time of transfer, as shown in FIG. 29, the anode side electrode pad 6
3を形成した発光ダイオード52、さらには樹脂層61 3 light-emitting diode 52 is formed, further the resin layer 61
上に接着剤65を塗布し、この上に第3の一時保持用部材64を貼り合せる。 The adhesive 65 is applied on top, bonding a third temporarily holding member 64 thereon. この状態で第2の一時保持用部材59の裏面側からレーザーを照射すると、石英ガラスからなる第2の一時保持用部材59と、当該第2の一時保持用部材59上に形成されたポリイミドからなる剥離層60の界面でレーザーアブレーションによる剥離が起き、剥離層60上に形成されている発光ダイオード52 Upon irradiation with laser in this state from the back side of the second temporarily holding member 59, and the second temporarily holding member 59 made of quartz glass, a polyimide formed on the second temporarily holding member 59 comprising peeling layer occurs peeling by laser ablation in 60 interface, the light emitting diode 52 formed on the release layer 60
や樹脂層61は、第3の一時保持用部材64上に転写される。 And the resin layer 61 is transferred onto the third temporarily holding member 64. 図30は、第2の一時保持用部材59を分離した状態を示すものである。 Figure 30 shows the separated state of the second temporarily holding member 59. 【0094】カソード側電極の形成に際しては、上記の転写工程を経た後、図31に示すO [0094] When forming the cathode electrode, after passing through the transfer process, O shown in FIG. 31 プラズマ処理により上記剥離層60や余分な樹脂層61を除去し、発光ダイオード52のコンタクト半導体層(n電極)を露出させる。 The 2 plasma treatment to remove the peeling layer 60 and excess resin layer 61 to expose the contact semiconductor layer of the light emitting diode 52 (n electrode). 発光ダイオード52は一時保持用部材64の接着剤65によって保持された状態で、発光ダイオード52 Emitting diode 52 is in a state of being held by the adhesive 65 of the temporarily holding member 64, the light emitting diode 52
の裏面がn電極側(カソード電極側)になっていて、図32に示すように電極パッド66を形成すれば、電極パッド66は発光ダイオード52の裏面と電気的に接続される。 Backside of it becomes n-electrode side (cathode electrode side), by forming the electrode pad 66 as shown in FIG. 32, the electrode pad 66 is connected to the back surface and electrically the light-emitting diode 52. この電極パッド66を形成する際にも、電極パッド66となる金属層を成膜する前に、減圧下で加熱し、 Even when forming the electrode pads 66, before forming the metal layer to be the electrode pad 66, heated under a reduced pressure,
樹脂層61に含まれる水分等を十分に脱ガスすることが好ましい。 It is preferred to sufficiently degas the moisture contained in the resin layer 61. 脱ガス後、金属層をスパッタ法等により成膜すれば、電極パッド66の膜剥がれ等を防止することができる。 After degassing, it is deposited by sputtering or the like a metal layer, it is possible to prevent the film peeling of the electrode pads 66. 【0095】その後、電極パッド66をパターニングする。 [0095] After that, patterning the electrode pad 66. このときのカソード側の電極パッドは、例えば約6 Cathode-side electrode pad at this time, for example about 6
0μm角とすることができる。 It can be a 0μm angle. 電極パッド66としては透明電極(ITO、ZnO系等)もしくはTi/Al/ Transparent electrode (ITO, ZnO system, etc.) as the electrode pad 66 or Ti / Al /
Pt/Au等の材料を用いる。 A material such as Pt / Au. 透明電極の場合は発光ダイオード52の裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。 Since in the case of the transparent electrode never intercepts the light emitting be covered increase the rear surface of a light-emitting diode 52, rough patterning accuracy, it is large electrode formed facilitates patterning process. 【0096】次に、上記樹脂層61や接着剤65によって固められた発光ダイオード52を個別に切り出し、樹脂形成チップの状態にする。 [0096] Next, cut individually emitting diode 52 which is solidified by the resin layer 61 and the adhesive 65, a state of the resin-forming chips. 切り出しは、例えばレーザーダイシング、ブレードダイシング等により行われる。 Excision, for example, a laser dicing is performed by blade dicing.
図33は、レーザーダイシングによる切り出し工程を示すものである。 Figure 33 shows a cut-out process by laser dicing. レーザーダイシングは、レーザーのラインビームを照射することにより行われ、上記樹脂層61 Laser dicing is performed by irradiating a line beam laser, the resin layer 61
及び接着剤65を第3の一時保持用部材64が露出するまで切断する。 And cutting the adhesive 65 to the third temporarily holding member 64 is exposed. このレーザーダイシングにより各発光ダイオード52は所定の大きさの樹脂形成チップ30として切り出され、後述の実装工程へと移行される。 Each light emitting diode 52 by the laser dicing is cut out as the resin forming the chip 30 of a predetermined size, it is shifted to the mounting step described below. 【0097】この樹脂形成チップについて図34及び図35を参照して説明する。 [0097] will be described with reference to FIGS. 34 and 35 for the resin-covered chip. 樹脂形成チップ30は、離間して配置されている発光素子31の周りを樹脂32で固めたものであり、このような樹脂形成チップ30は、一時保持用部材から第二基板に発光素子31を転写する場合に使用できるものである。 Resin forming chip 30 around the light emitting element 31 are spaced apart and which was solidified with resin 32, such resins forming chip 30, the light emitting element 31 to the second substrate from the temporarily holding member those that can be used to transfer. 樹脂形成チップ30は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。 Resin forming chip 30 that major surface is substantially square shape on a substantially flat plate. この樹脂形成チップ30の形状は樹脂32を固めて形成された形状であり、具体的には未硬化の樹脂を各発光素子31を含むように全面に塗布し、これを硬化した後で縁の部分をダイシング等で切断することで得られる形状である。 The shape of the resin forming the chip 30 is a shape formed by hardening the resin 32, in particular by applying an uncured resin on the entire surface so as to include the light emitting element 31, the edges after curing the it is obtained shape by cutting a part dicing. 【0098】略平板状の樹脂32の表面側と裏面側にはそれぞれ電極パッド33,34が形成される。 [0098] Each of the front and back side electrode pads 33 and 34 of the substantially flat resin 32 is formed. これら電極パッド33,34の形成は全面に電極パッド33,3 The formation of these electrode pads 33 and 34 are electrode pads on the entire surface 33,3
4の材料となる金属層や多結晶シリコン層等の導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極形状にパターンニングすることで形成される。 Conductive layer is formed of such a metal layer and a polycrystalline silicon layer serving as a fourth material, is formed by patterning into a desired electrode shape by photolithography. これら電極パッド33,34は発光素子31のp電極とn電極にそれぞれ接続するように形成されており、必要な場合には樹脂32にビアホール等が形成される。 These electrode pads 33 and 34 are formed to be connected respectively to the p-electrode and n-electrode of the light emitting element 31, if necessary via holes in the resin 32 is formed. 電極パッド3 The electrode pads 3
3,34を成膜する前に、樹脂32を減圧下で加熱して水分等を十分に脱ガスすることが好ましい。 3,34 before forming a, it is preferable that the resin 32 is sufficiently degassed heated to moisture under reduced pressure. 【0099】ここで電極パッド33,34は樹脂形成チップ30の表面側と裏面側にそれぞれ形成されているが、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲート、ドレインの3つの電極があるため、電極パッドを3つ或いはそれ以上形成しても良い。 [0099] Here, the electrode pads 33 and 34 are formed respectively on the surface side and back side of the resin forming the chip 30, it is also possible to form both the electrode pads on one surface, for example in the case of a thin film transistor in the source, gate, since there are three electrodes of drain may be formed an electrode pad 3 or more. 電極パッド33, Electrode pads 33,
34の位置が平板上ずれているのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにするためである。 The position of 34 is shifted on the plate is to the upper during the final wiring formed so as not to take overlapping contact. 電極パッド33,34の形状も正方形に限定されず他の形状としても良い。 The shape of the electrode pads 33 and 34 may be other shapes without being limited to a square. 【0100】このような樹脂形成チップ30を構成することで、発光素子31の周りが樹脂32で被覆され平坦化によって精度良く電極パッド33,34を形成できるとともに発光素子31に比べて広い領域に電極パッド3 [0100] By constituting such a resin forming the chip 30, a large area as compared with the light emitting element 31 is around the light emitting element 31 can be accurately formed electrode pads 33 and 34 by planarization is coated with a resin 32 the electrode pads 3
3,34を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。 3,34 can extend the facilitates handling transcription in subsequent second transfer step when advancing in suction jig. 後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、比較的大き目のサイズの電極パッド33,34 As described later, since final wiring is performed after the subsequent second transfer step, the relatively larger size electrode pads 33 and 34
を利用した配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。 By performing the wiring using a wiring failure can be prevented. 【0101】実装工程では、機械的手段(真空吸引による素子吸着)とレーザーアブレーションの組み合わせにより樹脂形成チップ30が第3の一時保持用部材64から剥離される。 [0102] In mounting process, the resin-forming chips 30 are peeled off from the third temporarily holding member 64 and the mechanical means (device suction by vacuum suction) by a combination of laser ablation. 図36は、第3の一時保持用部材64上に配列している樹脂形成チップ30を吸着装置67でピックアップするところを示した図である。 Figure 36 is a diagram showing the place to pick up resin forming chip 30 are arranged on the third temporarily holding member 64 by the suction device 67. このときの吸着孔68は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、樹脂形成チップ30を多数個、一括で吸着できるようになっている。 Suction holes 68 at this time be open in a matrix pixel pitch of the image display device, a large number of resin-forming chips 30 pieces, so that can be adsorbed in bulk. このときの開口径は、例えば直径約100μmで600μmピッチのマトリクス状に開口されて、一括で約300個を吸着できる。 Aperture diameter at this time is, for example, is a matrix in the opening of 600μm pitch diameter of about 100 [mu] m, capable of adsorbing about 300 collectively. このときの吸着孔68の部材は例えば、Ni電鋳により作製したもの、もしくはSUS等の金属板をエッチングで穴加工したものが使用され、吸着孔68の奥には吸着チャンバ69が形成されており、この吸着チャンバ69を負圧に制御することで樹脂形成チップ30の吸着が可能になる。 Members of the suction holes 68 at this time is, for example, those produced by Ni electroforming, or a metal plate such as SUS those drilling is used in etching, in the depths of the suction holes 68 are formed suction chamber 69 cage, allowing adsorption of the resin forming the chip 30 by controlling the suction chamber 69 to negative pressure. 樹脂形成チップ30はこの段階で表面が樹脂層61 Resin forming chip 30 surface at this stage the resin layer 61
とされており、その上面は略平坦化されている。 Are the upper surface thereof is substantially flattened. このために吸着装置67による選択的な吸着を容易に進めることができる。 Selective adsorption by adsorber 67 for this purpose can be easily advanced. 【0102】なお、上記吸着装置67には、真空吸引による素子吸着の際に、樹脂形成チップ30を一定の位置に安定して保持できるように、素子位置ずれ防止手段を形成しておくことが好ましい。 [0102] Note that the suction device 67, when the element adsorbed by the vacuum suction so as to hold the resin forming chip 30 stably at a constant position, that previously formed the element displacement prevention means preferable. 図37は、素子位置ずれ防止手段70を設けた吸着装置67の一例を示すものである。 Figure 37 shows an example of a suction device 67 having a device displacement prevention means 70. 本例では、素子位置ずれ防止手段70は、樹脂形成チップの周面に当接する位置決めピンとして形成されており、これが樹脂形成チップ30の周面(具体的にはレーザーダイシングにより切断された樹脂層61の切断面)に当接することにより、吸着装置67と樹脂形成チップ30とが互いに正確に位置合わせされる。 In this example, the element displacement prevention means 70 is formed as a positioning pin abutting the peripheral surface of the resin forming the chip, which is a resin layer which is cut by laser dicing in the circumferential surface of the resin forming the chip 30 (specifically by contacting the 61 cutting surface of) the suction device 67 and the resin forming the chip 30 is accurately aligned with one another. 上記レーザーダイシングにより切断された樹脂層61の切断面は、完全な垂直面ではなく、5°〜10°程度のテーパーを有する。 Cutting surface of the cut resin layer 61 by the laser dicing is not perfectly vertical plane, having a taper of approximately 5 ° to 10 °. したがって、上記位置決めピン(素子位置ずれ防止手段60)にも同様のテーパーを持たせておけば、吸着装置67と樹脂形成チップ30間に若干の位置ずれがあったとしても、速やかに矯正される。 Therefore, if to have a similar taper in the positioning pin (element displacement prevention means 60), even if there is a slight misalignment between the suction device 67 and the resin forming the chip 30, it is corrected promptly . 【0103】上記樹脂形成チップ30の剥離に際しては、上記吸着装置67による吸着と、レーザーアブレーションによる樹脂形成チップ30の剥離を組み合わせ、 [0103] In the peeling of the resin forming the chip 30, in combination with suction by the suction device 67, the peeling of the resin forming the chip 30 by laser ablation,
剥離が円滑に進むようにしている。 Peeling is to proceed smoothly. レーザーアブレーションは、第3の一時保持用部材64の裏面側からレーザーを照射することにより行う。 Laser ablation is performed by irradiating the laser from the back side of the third temporarily holding member 64. このレーザーアブレーションによって、第3の一時保持用部材64と接着剤65 This laser ablation, a third temporarily holding member 64 adhesive 65
の界面で剥離が生ずる。 Interface with a release occurs of. 【0104】図38は樹脂形成チップ30を第二基板7 [0104] Figure 38 is a resin-covered chip 30 second substrate 7
1に転写するところを示した図である。 Is a diagram showing the place to be transferred to 1. 第二基板71 The second substrate 71
は、配線層72を有する配線基板であり、樹脂形成チップ30を装着する際に第二基板71にあらかじめ接着剤層73が塗布されており、その発光ダイオード52下面の接着剤層73を硬化させ、樹脂形成チップ30を第二基板71に固着して配列させることができる。 Is a wiring board having a wiring layer 72, previously adhesive layer 73 on the second substrate 71 are applied in mounting the resin-forming chips 30, to cure the light-emitting diode 52 the lower surface of the adhesive layer 73 it can be arranged by fixing the resin forming chips 30 on the second substrate 71. この装着時には、吸着装置67の吸着チャンバ69が圧力の高い状態となり、吸着装置67と樹脂形成チップ30との吸着による結合状態は解放される。 At the time of mounting, a state suction chamber 69 is high pressure of the adsorber 67, the bonding state by adsorption and adsorber 67 and the resin forming the chip 30 is released. 接着剤層73はUV硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤等によって構成することができる。 The adhesive layer 73 can be composed UV curable adhesive, thermosetting adhesive, a thermoplastic adhesive or the like. 第二基板71上で樹脂形成チップ30が配置される位置は、一時保持用部材64上での配列よりも離間したものとなる。 Position where the resin forming the chip 30 is disposed on the second substrate 71, becomes spaced than sequences on the temporarily holding member 64. 接着剤層73の樹脂を硬化させるエネルギーは第二基板71の裏面から供給される。 Energy to cure the resin of the adhesive layer 73 is supplied from the back surface of the second substrate 71. UV硬化型接着剤の場合はUV照射装置にて、 For UV-curing adhesive at the UV irradiation device,
熱硬化性接着剤の場合は赤外線加熱等によって樹脂形成チップ30の下面のみ硬化させ、熱可塑性接着剤場合は、赤外線やレーザーの照射によって接着剤を溶融させ接着を行う。 For thermosetting adhesive is cured only the lower surface of the resin forming the chip 30 by infrared heating or the like, when the thermoplastic adhesive performs adhesive to melt the adhesive by the irradiation of infrared or laser. 【0105】図39は、他の色の発光ダイオード74を含む樹脂形成チップを第二基板71に配列させるプロセスを示す図である。 [0105] Figure 39 is a diagram illustrating a process for arranging the resin-covered chip including a light emitting diode 74 of another color on the second substrate 71. 図37又は図38で用いた吸着装置67をそのまま使用して、第二基板71にマウントする位置をその色の位置にずらすだけでマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま複数色からなる画素を形成できる。 Figure 37 or accept the adsorber 67 used in FIG. 38, when the position to be mounted on the second substrate 71 to mount only shifting the position of the color, the pitch of the pixels made of a plurality of colors remains constant pixel a can be formed. ここで、発光ダイオード52と発光ダイオード74は必ずしも同じ形状でなくとも良い。 Here, the light emitting diodes 52 emitting diode 74 may not necessarily be the same shape. 図39では、赤色の発光ダイオード74が六角錐のGaN層を有しないプレーナ型構造とされ、他の発光ダイオード52 In Figure 39, the red light emitting diode 74 is a planar structure having no GaN layer of hexagonal pyramid, other light-emitting diodes 52
とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード52、74は既に樹脂形成チップとして樹脂層6 And although the shape is different, the resin layer as already resin-forming chips each emitting diodes 52,74 are at this stage 6
1、接着剤65で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。 1, is covered with adhesive 65, the same handle despite the difference in device structure is realized. 【0106】次いで、図40に示すように、これら発光ダイオード52,74を含む樹脂形成チップを覆って絶縁層75を形成する。 [0106] Then, as shown in FIG. 40, an insulating layer 75 covering the resin-covered chip containing these light-emitting diodes 52,74. 絶縁層75としては、透明エポキシ接着剤、UV硬化型接着剤、ポリイミド等を用いることができる。 As the insulating layer 75, a transparent epoxy adhesive, UV curable adhesive, or polyimide or the like. 上記絶縁層75を形成した後、配線形成工程を行なう。 After forming the insulating layer 75, performing wiring formation step. 図41は配線形成工程を示す図である。 Figure 41 is a diagram showing a wiring forming step. 絶縁層75に開口部76、77、78、79、80、81 Opening in the insulating layer 75 76,77,78,79,80,81
を形成し、発光ダイオード52、74のアノード、カソードの電極パッドと第二基板71の配線層72を接続する配線82、83、84を形成した図である。 Forming a anode of the light emitting diodes 52,74, it is a diagram obtained by forming the wiring 82, 83 and 84 for connecting the wiring layer 72 of the cathode electrode pad and the second substrate 71. このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオード52、74の電極パッドの面積を大きくしているので大きくすることができ、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。 Opening or hole formed at this time can be increased since the greater the area of ​​the electrode pad of the light emitting diodes 52,74, coarse accuracy than the positional accuracy of the via hole in the via hole directly formed in each light emitting diode in can be formed. 例えば、このときのビアホールは、約60 For example, the via holes in this case, about 60
μm角の電極パッドに対し、直径約20μmのものを形成できる。 To the electrode pads of μm square may be formed having a diameter of approximately 20 [mu] m. また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの3種類の深さがあるのでレーザーのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。 The depth of the via hole is used to connect the wiring board, intended to be connected to the anode electrode, although connected to the cathode electrode there are three types of depth controlled by the number of pulses of the laser, so opening the optimum depth . 【0107】その後、図42に示すように、保護層85 [0107] Thereafter, as shown in FIG. 42, the protective layer 85
を形成し、ブラックマスク86を形成して画像表示装置のパネルは完成する。 Forming a panel of the image display device to form a black mask 86 is completed. このときの保護層85は図39の絶縁層75と同様であり、透明エポキシ接着剤等の材料が使用できる。 Protective layer 85 in this case is the same as the insulating layer 75 in FIG. 39, a material such as a transparent epoxy adhesive can be used. この保護層85は加熱硬化し配線を完全に覆う。 The protective layer 85 completely covers the heat cured wire. この後、パネル端部の配線からドライバーIC Thereafter, the driver IC from the wiring of the panel edge
を接続して駆動パネルを製作することになる。 Connection to be possible to manufacture the drive panel. 【0108】以上のように、第一転写工程において、転写対象となるチップ部品80aの表面に選択的にレーザー81を照射することにより、転写対象となるチップ部品80aの粘着材である熱可塑性接着剤58に対する付着力と転写対象でないチップ部品80の粘着材である熱可塑性接着剤58に対する付着力との差が相対的に拡大するため、転写対象となるチップ部品80aのみを確実に粘着材である熱可塑性接着剤58に転写し、転写対象でないチップ部品80を第1の一時保持用部材53上に残存させることができる。 [0108] As described above, in the first transfer step, selectively irradiated with a laser 81, a thermoplastic adhesive is an adhesive material of the chip components 80a to be transferred to the surface of the chip components 80a to be transferred the difference between the adhesion to the thermoplastic adhesive 58 is an adhesive material of the chip component 80 is not the adhesive force between the transfer subject to agent 58 is relatively larger, only by reliably adhesive chip components 80a to be transferred transferred to a thermoplastic adhesive 58, can be left chip parts 80 not transfer object on the first temporarily holding member 53. すなわち、第一転写工程において、転写対象でないチップ部品80が粘着材である熱可塑性接着剤58に転写されることや、転写対象となるチップ部品80aが粘着材である熱可塑性接着剤58に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。 That is, the transfer in the first transfer step, the chip component 80 is not a transfer target or be transferred to the thermoplastic adhesive 58 is an adhesive material, a thermoplastic adhesive 58 chip components 80a is adhesive to be transferred to reliably avoid problems such as not to be. 【0109】したがって、本発明によれば、所望の転写対象となるチップ部品80aのみを確実に第1の一時保持用部材53から剥離して、最終的に第二基板71へ転写し、実装することができる。 [0109] Thus, according to the present invention, and peeled from the first temporary holding member 53 to ensure only the chip components 80a to a desired transfer object, eventually transferred to the second substrate 71, is mounted be able to. このため、例えば大画面の表示装置を製造するに際して歩留まりが向上し、製造コストの低減に貢献することができる。 Thus, for example, yield is improved when producing a display device of a large screen, it is possible to contribute to reduction in manufacturing cost. 【0110】[第4の実施の形態]次に、本発明の転写方法を上述した二段階拡大転写法の第二転写工程、すなわち樹脂形成チップの拡大転写に応用した、画像表示装置の製造方法について具体的に説明する。 [0110] [Fourth Embodiment Next, a second transfer step of two-step enlarged transfer method described above the transfer method of the present invention, i.e. is applied to expand the transfer of the resin forming the chip, a method of manufacturing an image display device It will be described in detail. 【0111】本実施の形態は、第3の実施の形態の画像表示装置の製造方法と同様に図13に示すような二段階拡大転写法を用いて画像表示装置を製造する方法であり、第3の実施の形態と同様の材料を用いることができる。 [0111] This embodiment is a method of producing an image display device using the two-step enlarged transfer method shown in FIG. 13 in the same manner as in the manufacturing method of the image display device of the third embodiment, the similar material as in the embodiment 3 may be used. 【0112】先ず、第3の実施の形態と同様に、図14 [0112] First, as in the third embodiment, FIG. 14
に示すような、複数の発光ダイオード52が密な状態で一主面上に形成された第一基板100を用意する。 As shown, a plurality of light emitting diodes 52 are prepared first substrate 100 formed on one principal surface in a dense state. このような第一基板100を第1の一時保持用部材101に対峙させて図43に示すように選択的な転写を行う。 Such first substrate 100 by facing the first temporarily holding member 101 for selective transfer as shown in FIG. 43. 【0113】第1の一時保持用部材101の第一基板1 [0113] The first substrate 1 of the first temporary holding member 101
00に対峙する面には剥離層102と接着剤層103が2層になって形成されている。 The surface facing the 00 peeling layer 102 and the adhesive layer 103 is formed by a two-layer. 【0114】また、第1の一時保持用部材101の接着剤層103としては紫外線(UV)硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかからなる層を用いることができる。 [0114] As the adhesive layer 103 of the first temporary holding member 101 can be used ultraviolet (UV) curable adhesive, a thermosetting adhesive, a layer made of any of the thermoplastic adhesive . 一例としては、第1の一時保持用部材101として石英ガラス基板を用い、剥離層102としてポリイミド膜4μmを形成後、接着剤層103としてのUV硬化型接着剤を約20μm厚で塗布する。 As an example, a quartz glass substrate is used as the first temporary holding member 101, after forming a polyimide film 4μm as the release layer 102 is coated with a UV curable adhesive as an adhesive layer 103 of about 20μm thick. 【0115】第1の一時保持用部材101の接着剤層1 [0115] The adhesive layer 1 of the first temporary holding member 101
03は、硬化した領域103sと未硬化領域103yが混在するように調整され、未硬化領域103yに選択転写にかかる発光ダイオード52が位置するように位置合わせされる。 03, hardened region 103s and an uncured region 103y is adjusted such that mixed light emitting diode 52 according to the selected transfer uncured region 103y is aligned so as to be located. 硬化した領域103sと未硬化領域103 Hardened region 103s and the uncured regions 103
yが混在するような調整は、例えばUV硬化型接着剤を露光機にて選択的に200μmピッチでUV露光し、発光ダイオード52を転写するところは未硬化でそれ以外は硬化させてある状態にすれば良い。 Such adjustment y are mixed, for example, a UV curing adhesive selectively UV exposure at 200μm pitch by the exposure machine, the state where the transferring light-emitting diode 52 that is otherwise cured with the uncured it is sufficient. このようなアライメントの後、転写対象位置の発光ダイオード52に対しレーザー光73を第一基板100の裏面から照射し、当該発光ダイオード52を第一基板100からレーザーアブレーションを利用して剥離する。 After such alignment, the laser beam 73 with respect to the light emitting diode 52 of the transfer object position irradiated from the back surface of the first substrate 100 is peeled off the light-emitting diode 52 by using a laser ablation from the first substrate 100. GaN系の発光ダイオード52はサファイヤとの界面で金属のGaと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。 Emitting diode 52 of the GaN-based from decomposing at the interface of metal Ga and nitrogen and sapphire, relatively easy to peel. 照射するレーザー光104としてはエキシマレーザー、高調波Y Excimer laser as the laser beam 104 to be irradiated, harmonic Y
AGレーザー等が用いられる。 AG laser or the like is used. 【0116】このレーザーアブレーションを利用した剥離によって、選択照射にかかる発光ダイオード52はG [0116] by the peeling using this laser ablation, the light emitting diode 52 according to a selected irradiation G
aN層と第一基板100の界面で分離し、反対側の接着剤層103にp電極部分を突き刺すようにして転写される。 aN layer and was separated at the interface of the first substrate 100 is transferred so as to pierce the p-electrode portions to the adhesive layer 103 on the opposite side. 他のレーザー光104が照射されない領域の発光ダイオード52は、接着剤層103の硬化した領域103 Regions other laser beam 104 is not irradiated light emitting diode 52, areas 103 curing of the adhesive layer 103
sと接触し、レーザー光104も照射されていないために第1の一時保持用部材101側に転写されることはない。 Contact with s, and is it is not transferred to the first temporary holding member 101 side in order not be irradiated laser light 104. なお、図43では1つの発光ダイオード52だけが選択的にレーザー照射されているが、nピッチ分だけ離間した領域においても同様に発光ダイオード52はレーザー照射されているものとする。 Incidentally, only the light emitting diode 52 of the one in Figure 43 but selectively being laser radiation, light emitting diode 52 also in spaced-apart regions by n pitch is assumed to be laser irradiated. このような選択的な転写によっては発光ダイオード52第一基板100上に配列されている時よりも離間して第1の一時保持用部材1 Such selective by transferring the light emitting diodes 52 first temporarily holding member 1 apart than when they are arranged on the first substrate 100
01上に配列される。 01 are arranged on. 【0117】発光ダイオード52は第1の一時保持用部材101の接着剤層103に保持された状態で、発光ダイオード52の裏面がn電極側(カソード電極側)になっていて、発光ダイオード52の裏面には樹脂(接着剤)がないように除去、洗浄されているため、図44に示すように電極パッド105を形成すれば、電極パッド105は発光ダイオード52の裏面と電気的に接続される。 [0117] In state light emitting diode 52 is held by the adhesive layer 103 of the first temporary holding member 101, the rear surface of the light emitting diode 52 is not turned on the n-electrode side (cathode electrode side), the light emitting diode 52 on the back removed as no resin (adhesive) is because it is cleaned, by forming the electrode pad 105 as shown in FIG. 44, the electrode pad 105 is the back surface and electrically connected to the light emitting diode 52 . 【0118】接着剤層103の洗浄の例としては酸素プラズマで接着剤用樹脂をエッチング、UVオゾン照射にて洗浄する。 [0118] The resin is washed adhesive etching, using a UV ozone irradiation with oxygen plasma Examples of cleaning of the adhesive layer 103. かつ、レーザーにてGaN系発光ダイオードをサファイヤ基板からなる第一基板100から剥離したときには、その剥離面にGaが析出しているため、そのGaをエッチングすることが必要であり、NaOH水溶液もしくは希硝酸で行うことになる。 And, when detached from the first substrate 100 made of a GaN-based light-emitting diode from the sapphire substrate using a laser, since Ga is deposited on the release surface, it is necessary to etch the Ga, NaOH aqueous solution or a dilute It will be performed in nitric acid. その後、電極パッド105をパターニングする。 Thereafter, patterning of the electrode pad 105. このときのカソード側の電極パッドは約60μm角とすることができる。 Cathode-side electrode pad at this time may be about 60μm square. 電極パッド105としては透明電極(ITO、ZnO系等) Transparent electrode as an electrode pad 105 (ITO, ZnO system, etc.)
もしくはTi/Al/Pt/Au等の材料を用いる。 Or a material such as Ti / Al / Pt / Au. 透明電極の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。 Since in the case of the transparent electrode never intercepts the light emitting be covered increase the rear surface of a light-emitting diode, rough patterning accuracy, it is large electrode formed facilitates patterning process. 【0119】図45は第1の一時保持用部材101から発光ダイオード52を第2の一時保持用部材106に転写して、アノード電極(p電極)側のビアホール107 [0119] Figure 45 is to transfer the light-emitting diode 52 from the first temporary holding member 101 to the second temporarily holding member 106, the anode electrode (p-electrode) side via holes 107
を形成した後、アノード側電極パッド108を形成し、 After forming the, to form an anode-side electrode pad 108,
樹脂からなる接着剤層103をダイシングした状態を示している。 It shows a state where dicing the adhesive layer 103 made of resin. このダイシングの結果、素子分離溝101が形成され、発光ダイオード52は素子ごとに区分けされて樹脂形成チップ110となる。 The result of this dicing are formed element isolation trenches 101, the light emitting diode 52 is a resin-covered chip 110 is divided into each element. 素子分離溝101はマトリクス状の各発光ダイオード52を分離するため、平面パターンとしては縦横に延長された複数の平行線からなる。 Element isolation trenches 101 for separating the light emitting diodes 52 of the matrix, comprising a plurality of parallel lines that extend vertically and horizontally as plane pattern. 素子分離溝109の底部では第2の一時保持用部材106の表面が臨む。 At the bottom of the isolation trenches 109 faces the surface of the second temporarily holding member 106. 第2の一時保持用部材106上には剥離層112が形成される。 Peeling layer 112 is formed on the second temporarily holding member 106. 第2の一時保持用部材106は、一例としてプラスチック基板にUV粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシートであり、UV The second temporarily holding member 106, UV adhesive material are applied to a plastic substrate as an example, a so-called dicing sheet, UV
が照射されると粘着力が低下するものを利用できる。 There can be used those which adhesive force decreases when irradiated. 【0120】アノード側電極パッド108を形成するに際しては、接着剤層103の表面を酸素プラズマで発光ダイオード52の表面が露出してくるまでエッチングする。 [0120] In forming an anode side electrode pad 108, etching the surface of the adhesive layer 103 until the surface of the light emitting diode 52 in an oxygen plasma coming exposed. まずビアホール107の形成はエキシマレーザー、 First formation of the via hole 107 is an excimer laser,
高調波YAGレーザー、炭酸ガスレーザーを用いることができる。 Harmonic YAG laser, can be used carbon dioxide laser. このとき、ビアホールは約3〜7μmの径を開けることになる。 In this case, the via hole will be opened diameter of about 3 to 7 [mu] m. アノード側電極パッド108はNi The anode side electrode pad 108 is Ni
/Pt/Au等で形成する。 / Formed by Pt / Au or the like. ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、20μm以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザーを用いたレーザーによる加工を行う。 Dicing process dicing using an ordinary blade, when the cut narrow width of less than 20μm is required for machining by laser using the laser. その切り込み幅は画像表示装置の画素内の樹脂からなる接着剤層103で覆われた発光ダイオード52の大きさに依存する。 Its cut width depends on the size of the light emitting diode 52 is covered with an adhesive layer 103 made of resin in the pixel of the image display device. 【0121】次に、図46に示すように、第2の一時保持用部材59上に固定された複数の樹脂形成チップ11 [0121] Next, as shown in FIG. 46, the second temporarily holding member 59 a plurality of resin-forming chips fixed on 11
0のうち、第二基板へ実装される転写対象となる樹脂形成チップ110aにのみ、レーザー111を照射する。 Of 0, only the resin-forming chips 110a to be transferred to be mounted to the second substrate is irradiated with laser 111. 【0122】次に、転写対象となる樹脂形成チップ11 [0122] Next, be transferred resin forming the chip 11
0aを、第2の一時保持用部材106から第二基板に転写する。 The 0a, transferred from the second temporarily holding member 106 to the second substrate. 具体的には、図47に示すように、第3の一時保持用部材113の主面に予め粘着材114を形成しておき、粘着材114と発光ダイオード52の上面、すなわち、樹脂形成チップ110のアノード側電極パッド1 Specifically, as shown in FIG. 47, previously formed adhesive 114 on the main surface of the third temporarily holding member 113, the upper surface of the adhesive material 114 emitting diode 52, i.e., the resin forming the chip 110 the anode side electrode pad 1 of
08がある側とが対向するように当接させる。 08 is a side where the abut to face. そして、 And,
この状態で、第2の一時保持用部材106の裏面からマスク115を用いて転写対象となる樹脂形成チップ11 In this state, the resin forming the chip 11 to be transferred using the mask 115 from the rear surface of the second temporarily holding member 106
0aに選択的にエキシマレーザー光116を照射する。 Selectively irradiating excimer laser beam 116 0a.
これにより、例えば第2の一時保持用部材106を石英基板により形成し、剥離層112をポイリイミドにより形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して転写対象となる樹脂形成チップ110aは剥離可能な状態とされる。 Thus, for example, the second temporarily holding member 106 is formed by a quartz substrate, in the case where the separation layer 112 is formed by Poiriimido, removed by ablation of polyimide be transferred occur at the interface between the polyimide and the quartz substrate resin-covered chip 110a is a peelable state. そして、第3の一時保持用部材113を第2の一時保持用部材106から剥がし取ることにより、転写対象となる樹脂形成チップ110aは第2の一時保持用部材106から第3の一時保持用部材113上に形成された粘着材114に選択的に転写される。 The third by peeling off from the temporarily holding member 113 to the second temporarily holding member 106, a third temporarily holding member is a resin formed chip 110a to be transferred from the second temporarily holding member 106 113 selectively be transferred to the adhesive material 114 formed on. 一方で、転写対象でない樹脂形成チップ110は転写されずに第2の一時保持用部材106上に残留する。 On the other hand, the resin forming the chip 110 is not a transfer object is left on the second temporarily holding member 106 without being transferred. 【0123】次いで、図48に示すように、第二基板1 [0123] Then, as shown in FIG. 48, the second substrate 1
17に予め例えば熱可塑性接着剤等からなる熱可塑性接着層118を形成しておき、樹脂形成チップ110aと第二基板117とが所定の位置関係となるように樹脂形成チップ110aと熱可塑性接着層118とを対向させて第三の一時保持部材113と第二基板117とを配置する。 17 in advance for example form a thermoplastic adhesive layer 118 made of a thermoplastic adhesive or the like, the resin forming the chip 110a as the resin forming the chip 110a and the second substrate 117 have a predetermined positional relationship with a thermoplastic adhesive layer and 118 are opposed to place a third temporarily holding member 113 and the second substrate 117. そして、図48に示すように、第二基板117の裏面側からレーザー光119を照射し、転写する樹脂形成チップ110aに対応する部分の熱可塑性接着層11 Then, as shown in FIG. 48, by irradiating a laser beam 119 from the back side of the second substrate 117, a thermoplastic adhesive layer in the portion corresponding to the transfer to the resin forming the chip 110a 11
8のみを加熱する。 8 only to heating. このレーザー光119の照射により、熱可塑性接着層118の樹脂形成チップ110aに対応した位置が軟化する。 By irradiation of the laser beam 119, the position corresponding to the resin forming the chip 110a of the thermoplastic adhesive layer 118 is softened. 【0124】その後、熱可塑性接着層118を冷却硬化することにより、樹脂形成チップ110aが、第二基板117上に固着される。 [0124] Thereafter, by cooling curing the thermoplastic adhesive layer 118, the resin forming the chip 110a is secured on the second substrate 117. このとき、粘着材114の粘着力を硬化させた際の熱可塑性接着層118の接着力よりも小さくしておき、第3の一時保持用部材113を第二基板117から剥がすことにより樹脂形成チップ110 At this time, it leaves less than the adhesion of the thermoplastic adhesive layer 118 at the time of curing the adhesive strength of the adhesive material 114, a resin formed chip by peeling the third temporarily holding member 113 from the second substrate 117 110
a、すなわち発光ダイオード52が第二基板117に選択的に転写される。 a, i.e. the light emitting diode 52 is selectively transferred to the second substrate 117. 【0125】また、第二基板117上にシャドウマスクとしても機能する電極層120を配設し、この電極層1 [0125] Also, by disposing the electrode layer 120 which also functions as a shadow mask on the second substrate 117, the electrode layer 1
20を、レーザー光119を照射することにより加熱し、間接的に熱可塑性接着層118を加熱するようにしても良い。 20, and heated by irradiating a laser beam 119 may indirectly be heated thermoplastic adhesive layer 118. 特に、図48に示すように、電極層120の画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人がいる側の面に黒クロム層121を形成すれば、画像のコントラストを向上させることができると共に、黒クロム層1 In particular, as shown in FIG. 48, by forming the black chromium layer 121 on the surface on the side where there are people who see the surface or the image display device screen side of the electrode layer 120, it is possible to improve the contrast of the image , black chromium layer 1
21でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるレーザー光119によって熱可塑性接着層118を効率的に加熱するようにすることができる。 By increasing the rate of energy absorption at 21, it may be adapted to heat the thermoplastic adhesive layer 118 efficiently by the laser beam 119 is selectively irradiated. 【0126】図49は、RGBの3色の発光ダイオード52、122、123を第二基板117に配列させ絶縁層124を塗布した状態を示す図である。 [0126] Figure 49 is a diagram showing a state coated with an insulating layer 124 is arranged a light emitting diode 52,122,123 of three colors RGB to the second substrate 117. 上述した転写方法により、第二基板117にマウントする位置をその色の位置にずらしてマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま3色からなる画素を形成できる。 The transfer method described above, the position to mount the second substrate 117 to mount by shifting the position of the color, the pitch of the pixels can form pixels composed of a constant left three colors. 絶縁層124としては透明エポキシ接着剤、UV硬化型接着剤、ポリイミド等を用いることができる。 Transparent epoxy adhesive as the insulating layer 124, UV curable adhesive, or polyimide or the like. 3色の発光ダイオード52、122、123は必ずしも同じ形状でなくとも良い。 3-color light emitting diode 52,122,123 may not necessarily the same shape. 図49では赤色の発光ダイオード122が六角錐のGaN層を有しない構造とされ、他の発光ダイオード52、123とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード52、122、123は既に樹脂形成チップとして樹脂からなる接着剤層103で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。 Red light-emitting diode 122 in FIG. 49 is a structure having no GaN layer of hexagonal pyramid, but have different other light emitting diodes 52,123 and its shape, the light-emitting diodes 52,122,123 at this stage already is covered with an adhesive layer 103 as the resin forming the chip made of resin, the same handle despite the difference in device structure is realized. 【0127】図50は配線形成工程を示す図である。 [0127] Figure 50 is a diagram showing a wiring forming step. 絶縁層124に開口部125、126、127、128、 Opening 125,126,127,128 in the insulating layer 124,
129、130を形成し、発光ダイオード52、11 Forming a 129, light emitting diodes 52,11
0、111のアノード、カソードの電極パッドと第二基板117の配線用の電極層120を接続する配線13 The anode of 0,111, the cathode of the electrode pad and the wiring connecting the electrode layer 120 of the wiring of the second substrate 117 13
1、132、133を形成した図である。 1,132,133 diagrams were formed. このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオード5 Openings or holes formed in this case the light emitting diode 5
2、110、111の電極パッド126、63の面積を大きくしているのでビアホール形状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。 Hole shape because it increases the area of ​​the electrode pad 126,63 of 2,110,111 is large, it can be formed with a coarse accuracy in comparison with the via hole positional accuracy of the via hole is also formed directly on the light-emitting diodes. このときのビアホールは約60μm角の電極パッド126、63に対し、 To the electrode pads 126,63 via hole approximately 60μm angle at this time,
約φ20μmのものを形成できる。 It can be formed of about φ20μm. また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの3種類の深さがあるのでレーザーのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。 The depth of the via hole is used to connect the wiring board, intended to be connected to the anode electrode, although connected to the cathode electrode there are three types of depth controlled by the number of pulses of the laser, so opening the optimum depth . その後、保護層を配線上に形成し、画像表示装置のパネルは完成する。 Thereafter, a protective layer is formed on the wiring, the panel of the image display device is completed. このときの保護層は図49の絶縁層124と同様、透明エポキシ接着剤等の材料が使用できる。 Protective layer at this time is similar to the insulating layer 124 in FIG. 49, a material such as a transparent epoxy adhesive can be used. この保護層は加熱硬化し配線を完全に覆う。 The protective layer completely covers the heat cured wire. この後、パネル端部の配線からドライバーICを接続して駆動パネルを製作することになる。 Thereafter, consisting wiring panel edges that connect the driver IC fabricating a drive panel. 【0128】以上のように、第二転写工程において、転写対象となる樹脂形成チップ110aの表面に選択的にレーザー111を照射することにより転写対象となる樹脂形成チップ110aの粘着材114に対する付着力と転写対象でない樹脂形成チップ110の粘着材114に対する付着力との差が相対的に拡大するため、転写対象となる樹脂形成チップ110aのみを確実に粘着材11 [0128] As described above, adhesion to the second in the transfer step, the adhesive material 114 of the resin forming the chip 110a to be transferred by irradiating selectively laser 111 on the surface of the resin forming the chip 110a to be transferred not a transfer object resin forming the difference between the adhesion to the adhesive material 114 of the chip 110 is relatively larger, be transferred resin formed tip 110a only reliably adhesive 11
4に転写し、転写対象でない樹脂形成チップ110を第2の一時保持用部材106上に残存させることができる。 Transferred to 4, it is possible to leave the resin forming the chip 110 is not a transfer object on the second temporarily holding member 106. すなわち、第二転写工程において、転写対象でない樹脂形成チップ110が粘着材114に転写されることや、転写対象となる樹脂形成チップ110aが粘着材1 That is, in the second transfer step, the resin forming the chip 110 is not a transfer target or be transferred to the adhesive material 114, a resin-covered chip 110a to be transferred is adhesive 1
14に転写されないこと等のトラブルを確実に回避する。 To reliably avoid problems such as not to be transferred to 14. 【0129】したがって、本発明によれば、所望の転写対象となる樹脂形成チップ110aのみを確実に第2の一時保持用部材106から剥離して、最終的に第二基板117へ転写し、実装することができる。 [0129] Thus, according to the present invention, and peeled from the second temporarily holding member 106 reliably only resin-forming chips 110a to a desired transfer object, eventually transferred to the second substrate 117, mounted can do. このため、例えば大画面の表示装置を製造するに際して歩留まりを向上し、製造コストの低減に貢献することができる。 Thus, for example, to improve the yield when manufacturing a display device having a large screen, it is possible to contribute to reduction in manufacturing cost. 【0130】なお、上述の第3の実施の形態及び第4の実施の形態では、二段階の拡大転写法の第一転写工程、 [0130] Incidentally, the third embodiment described above and in the fourth embodiment, two-stage first transfer step of expanding the transfer method,
第二転写工程のいずれか一方に本発明の転写方法を応用した場合を例に挙げたが、本発明の転写方法は、二段階拡大転写法の第一転写工程及び第二転写工程の両方に応用してもよい。 Has been mentioned the case of applying the transfer method of the present invention either one of the second transfer process as an example, the transfer method of the present invention, both the first transfer step and the second step of transferring two-step enlarged transfer method it may be applied. 【0131】また、上述の説明では、本発明の転写方法を応用した例として、表示装置の製造方法について説明したが、例えば本発明を回路基板を製造する際に応用した場合も、同様の効果を得ることができる。 [0131] In the above description, as an example of applying the transfer method of the present invention has been described manufacturing method of the display device, even when applied to the manufacture of the circuit board of the present invention for example, the same effect it is possible to obtain. 【0132】 【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発明に係る電子部品及び転写方法では、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。 [0132] As is clear from the above description, in the electronic component and the transfer method according to the present invention, the adhesive material of the electronic component is not the adhesive force between the transfer target for the adhesive material of the electronic component to be transferred expanded difference between adhesion to, the adhesive force is increased relatively with respect to the adhesive material of the electronic component to be transferred. 【0133】また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。 [0133] In addition, since impurities on the transfer surface of the electronic component when adhering or deposition of the impurities are removed by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred, and the transfer object adhesion to the adhesive material of the electronic component formed is further increased. 【0134】したがって、本発明によれば、転写対象となる電子部品のみが確実に転写されることが可能な電子部品を提供できる。 [0134] Thus, the present invention can provide an electronic component capable of only electronic component to be transferred is reliably transferred. また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差を相対的に拡大することによって、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材に転写し、最終的に第二基板に転写することが可能な転写方法を提供できる。 Further, according to the present invention, by relatively enlarging the difference between the adhesion to the adhesive material of the electronic component is not the adhesive force between the transfer target for the adhesive material of the electronic component to be transferred, the electronic component to be transferred only reliably transferred to the adhesive material, and ultimately can provide a transfer method capable of transferring the second substrate. 【0135】また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の表面が均一化されるために転写の条件設定が容易となる。 [0135] Further, according to the present invention, the condition setting of the transfer is easy because the surface of the electronic component to be transferred is uniform. 【0136】また、本発明に係る回路基板及びその製造方法では、以上のようにして、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。 [0136] Further, in the circuit board and the manufacturing method according to the present invention, as described above, the difference between the adhesion to the adhesive material of the electronic component is not the adhesive force between the transfer target for the adhesive material of the electronic component to be transferred There enlarged, adhesion is enhanced relatively with respect to the adhesive material of the electronic component to be transferred. 【0137】また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。 [0137] In addition, since impurities on the transfer surface of the electronic component when adhering or deposition of the impurities are removed by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred, and the transfer object adhesion to the adhesive material of the electronic component formed is further increased. 【0138】したがって、本発明によれば、転写対象となる電子部品のみが確実に転写され、低コストにて回路基板を提供できる。 [0138] Thus, according to the present invention, only the electronic component can be reliably transferred to be transferred, it is possible to provide a circuit board at a low cost. また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差を相対的に拡大することによって、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材に転写し、最終的に回路基板に実装するため、 Further, according to the present invention, by relatively enlarging the difference between the adhesion to the adhesive material of the electronic component is not the adhesive force between the transfer target for the adhesive material of the electronic component to be transferred, the electronic component to be transferred only reliably transferred to the adhesive material and to finally mounted on the circuit board,
低コストでの製造が可能な回路基板の製造方法を提供できる。 Method of manufacturing a circuit board which can be manufactured at low cost can provide. 【0139】また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の表面が均一化されるために転写の条件設定が容易となる。 [0139] Further, according to the present invention, the condition setting of the transfer is easy because the surface of the electronic component to be transferred is uniform. 【0140】また、本発明に係る表示装置及びその製造方法では、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差が拡大し、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力が相対的に高められる。 [0140] In the display device and its manufacturing method according to the present invention, expanded difference between adhesion to the adhesive material of the electronic component is not the adhesive force between the transfer target for the adhesive material of the electronic component to be transferred, the transfer object adhesion is enhanced relatively with respect to the adhesive material of the electronic component becomes. 【0141】また、電子部品の被転写面に不純物が付着又は堆積している場合には、転写対象となる電子部品の表面にレーザーを照射することによりこの不純物が除去されるため、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力がさらに高められる。 [0141] In addition, since impurities on the transfer surface of the electronic component when adhering or deposition of the impurities are removed by irradiating a laser on the surface of the electronic component to be transferred, and the transfer object adhesion to the adhesive material of the electronic component formed is further increased. 【0142】したがって、本発明によれば、転写対象となる電子部品のみが確実に転写され、低コストにて表示装置を提供できる。 [0142] Thus, according to the present invention, only the electronic component can be reliably transferred to be transferred, it is possible to provide a display device at a low cost. また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の粘着材に対する付着力と転写対象でない電子部品の粘着材に対する付着力との差を相対的に拡大することによって、転写対象となる電子部品のみを確実に粘着材に転写して実装基板に配列し、低コストでの製造が可能な表示装置の製造方法を提供できる。 Further, according to the present invention, by relatively enlarging the difference between the adhesion to the adhesive material of the electronic component is not the adhesive force between the transfer target for the adhesive material of the electronic component to be transferred, the electronic component to be transferred arranged on a mounting substrate by transferring only the reliable adhesive can provide a method of manufacturing a display device capable of producing at a low cost. 【0143】また、本発明によれば、転写対象となる電子部品の表面が均一化されるために転写の条件設定が容易となる。 [0143] Further, according to the present invention, the condition setting of the transfer is easy because the surface of the electronic component to be transferred is uniform.

【図面の簡単な説明】 【図1】第一基板上に被転写面が清浄化されてなる電子部品が配列された状態を示す概略断面図である。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] the transferred surface in the first substrate is a schematic sectional view showing a state in which electronic components are sequences formed by cleaning. 【図2】転写対象となる電子部品にレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。 2 is a schematic cross-sectional view showing a state of irradiating a laser to the electronic component to be transferred. 【図3】第一基板と粘着材とを対向させて転写対象となる電子部品を転写する状態を示す概略断面図である。 3 is a schematic sectional view showing a state in which the first substrate and the adhesive material to transfer the electronic component to be transferred to face. 【図4】第一基板から粘着材を引き剥がした状態を示す概略断面図である。 4 is a schematic sectional view showing a state in which peeled off the adhesive material from the first substrate. 【図5】電子部品を保持した粘着材と第二基板とを対向させた状態で、第二基板の裏側から電子部品に対してレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。 [5] In the electronic component holding the adhesive state of being opposed to the second substrate is a schematic cross-sectional view showing a state of irradiating a laser to the electronic components from the backside of the second substrate. 【図6】第二基板上に電子部品が転写された状態を示す概略断面図である。 6 is a schematic sectional view showing a state where the electronic component is transferred to the second substrate. 【図7】第一基板上に被転写面が汚染された電子部品が配列された状態を示す概略断面図である。 [7] the transfer surface on the first substrate is a schematic sectional view showing a state in which electronic components contaminated are arranged. 【図8】転写対象となる電子部品にレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。 8 is a schematic sectional view showing a state of irradiating a laser to the electronic component to be transferred. 【図9】第一基板と粘着材とを対向させて転写対象となる電子部品を転写する状態を示す概略断面図である。 9 is a schematic cross-sectional view showing a state of transferring the electronic component to be transferred is opposed to the first substrate adhesive. 【図10】第一基板から粘着材を引き剥がした状態を示す概略断面図である。 10 is a schematic sectional view showing a peeling state of the adhesive material from the first substrate. 【図11】電子部品を保持した粘着材と第二基板とを対向させた状態で、第二基板の裏側から電子部品に対してレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。 [11] and an adhesive material holding the electronic component and the second substrate while being opposed, it is a schematic sectional view showing a state of irradiating a laser to the electronic components from the backside of the second substrate. 【図12】第二基板上に電子部品が転写された状態を示す概略断面図である。 12 is a schematic sectional view showing a state where the electronic component is transferred to the second substrate. 【図13】素子の配列方法を示す模式図である。 13 is a schematic view showing an arrangement method for the device. 【図14】発光素子の一例を示す図であって、(a)は断面図、(b)は平面図である。 [Figure 14] A diagram showing an example of a light-emitting element, (a) shows the cross sectional view, (b) is a plan view. 【図15】第1の一時保持用部材の接合工程を示す概略断面図である。 15 is a schematic sectional view showing the step of bonding the first temporarily holding member. 【図16】UV接着剤硬化工程を示す概略断面図である。 16 is a schematic sectional view showing a UV adhesive curing step. 【図17】レーザーアブレーション工程を示す概略断面図である。 17 is a schematic sectional view showing a laser ablation process. 【図18】第一基板の分離工程を示す概略断面図である。 18 is a schematic sectional view showing a first substrate separation step. 【図19】Ga除去工程を示す概略断面図である。 19 is a schematic sectional view showing a Ga removal step. 【図20】素子分離溝形成工程を示す概略断面図である。 20 is a schematic sectional view showing an element isolation groove forming step. 【図21】転写対象となる電子部品にレーザーを選択的に照射する状態を示す概略断面図である。 21 is a schematic cross-sectional view showing a state of selectively irradiating the laser to the electronic component to be transferred. 【図22】第2の一時保持用部材の接合工程を示す概略断面図である。 22 is a schematic sectional view showing a bonding process of the second temporarily holding member. 【図23】選択的なレーザーアブレーション及びUV露光工程を示す概略断面図である。 23 is a schematic sectional view showing a selective laser ablation and UV exposure step. 【図24】発光ダイオードの選択分離工程を示す概略断面図である。 Figure 24 is a schematic sectional view showing a light-emitting diode of the selected separation process. 【図25】樹脂による埋め込み工程を示す概略断面図である。 FIG. 25 is a schematic sectional view showing the embedding process by the resin. 【図26】樹脂層厚削減工程を示す概略断面図である。 26 is a schematic sectional view showing a resin layer thickness reduction process. 【図27】ビア形成工程を示す概略断面図である。 27 is a schematic sectional view showing a via formation process. 【図28】アノード側電極パッド形成工程を示す概略断面図である。 Figure 28 is a schematic sectional view showing an anode-side electrode pad forming process. 【図29】レーザーアブレーション工程を示す概略断面図である。 29 is a schematic sectional view showing a laser ablation process. 【図30】第2の一時保持用部材の分離工程を示す概略断面図である。 Figure 30 is a schematic cross-sectional view illustrating a separation step of the second temporarily holding member. 【図31】コンタクト半導体層露出工程を示す概略断面図である。 FIG. 31 is a schematic sectional view showing a contact semiconductor layer exposing step. 【図32】カソード側電極パッド形成工程を示す概略断面図である。 32 is a schematic sectional view showing a cathode-side electrode pad forming process. 【図33】レーザーダイシング工程を示す概略断面図である。 33 is a schematic sectional view showing a laser dicing process. 【図34】樹脂形成チップの概略斜視図である。 FIG. 34 is a schematic perspective view of a resin forming the chip. 【図35】樹脂形成チップの概略平面図である。 FIG. 35 is a schematic plan view of a resin forming the chip. 【図36】吸着装置による選択的ピックアップ工程を示す概略断面図である。 36 is a schematic sectional view showing the selective picking-up step by adsorption apparatus. 【図37】素子位置ずれ防止手段を設けた吸着装置の一例を示す概略断面図である。 FIG. 37 is a schematic sectional view showing an example of a suction device provided with an element displacement prevention means. 【図38】第二基板への転写工程を示す概略断面図である。 38 is a schematic sectional view showing a transfer step to the second substrate. 【図39】他の発光ダイオードの転写工程を示す概略断面図である。 39 is a schematic sectional view showing a transfer process of the other light emitting diodes. 【図40】絶縁層形成工程を示す概略断面図である。 FIG. 40 is a schematic sectional view showing an insulating layer forming step. 【図41】配線形成工程を示す概略断面図である。 41 is a schematic sectional view showing a wiring forming step. 【図42】保護層及びブラックマスク形成工程を示す概略断面図である。 FIG. 42 is a schematic sectional view showing a protective layer and a black mask formation process. 【図43】第1転写工程を示す概略断面図である。 FIG. 43 is a schematic sectional view showing a first transfer step. 【図44】電極パッド形成工程を示す概略断面図である。 FIG. 44 is a schematic sectional view showing an electrode pad forming step. 【図45】第2の一時保持用部材への転写後の電極パッド形成工程を示す概略断面図である。 FIG. 45 is a schematic sectional view showing an electrode pad forming step after the transfer to the second temporarily holding member. 【図46】転写対象となる樹脂形成チップの被転写面にレーザーを照射する状態を示す概略断面図である。 FIG. 46 is a schematic cross-sectional view showing a state of irradiating a laser on the transfer surface of the transfer target resin forming chips. 【図47】第2転写工程を示す概略断面図である。 FIG. 47 is a schematic sectional view showing a second transfer step. 【図48】第2転写工程の一応用例を示す概略断面図である。 FIG. 48 is a schematic cross-sectional diagram showing an application example of the second transfer step. 【図49】絶縁層の形成工程を示す概略断面図である。 49 is a schematic view showing the step of forming the insulating layer. 【図50】配線形成工程を示す概略断面図である。 FIG. 50 is a schematic sectional view showing a wiring forming step. 【符号の説明】 1 第一基板、2 電子部品、3 不純物、4 レーザー、5 粘着材、6 第二基板、7 レーザー、20 [EXPLANATION OF SYMBOLS] 1 first substrate, second electronic component, 3 impurity, 4 laser, 5 adhesive material, 6 second substrate, 7 laser, 20
第一基板、21 一時保持用部材、22 素子、23 First substrate 21 temporarily holding member, 22 elements, 23
樹脂、24 樹脂形成チップ、25 第二基板、30 Resin, 24 resin-forming chips, 25 second substrate, 30
樹脂形成チップ、31 発光素子、32 樹脂、33, Resin-forming chips, 31 light-emitting element, 32 resin, 33,
34 電極パッド、41 下地成長層、42 GaN 34 electrode pad 41 under growth layer, 42 GaN
層、43 InGaN層、44 GaN層、45 p電極、46 n電極、51 第一基板、52 各発光ダイオード、52g 溝、52 発光ダイオード、53 第1の一時保持用部材、54 剥離層、55 接着剤、5 Layer, 43 InGaN layer, 44 GaN layer, 45 p electrode, 46 n electrode, 51 first substrate, 52 the light-emitting diodes, 52 g groove, 52 light-emitting diodes, 53 first temporarily holding member, 54 a release layer, 55 adhesive agent, 5
6 Ga、57 ダイシング溝、58 熱可塑性接着剤、59 第2の一時保持用部材、60 剥離層、61 6 Ga, 57 dicing grooves, 58 a thermoplastic adhesive, 59 second temporarily holding member, 60 a release layer, 61
樹脂層、62 ビアホール、63 アノード側電極パッド、64 第3の一時保持用部材、65 接着剤、6 Resin layer, 62 hole, 63 an anode side electrode pad, 64 a third temporarily holding member, 65 adhesive, 6
6 電極パッド、67 吸着装置、68 吸着孔、69 6 electrode pad, 67 suction device, 68 suction holes, 69
吸着チャンバ、70 防止手段、71 第二基板、7 Suction chamber 70 preventing means, 71 the second substrate, 7
2 配線層、73 レーザー光、73 接着剤層、74 Second wiring layer, 73 a laser beam, 73 adhesive layer, 74
発光ダイオード、75 絶縁層、76 開口部、80 Light-emitting diodes, 75 insulating layers, 76 opening, 80
チップ部品、81 レーザー、82 配線、85 保護層、86 ラックマスク、100 第一基板、101 Chip component 81 laser, 82 wiring, 85 protective layer, 86 racks mask, 100 first substrate, 101
第1の一時保持用部材、102 剥離層、103 接着剤層、104 レーザー光、105電極パッド、10 First temporary holding member, 102 peeling layer, 103 an adhesive layer, 104 a laser beam, 105 electrode pad, 10
6 第2の一時保持用部材、107 ビアホール、10 6 second temporarily holding member 107 via holes, 10
8アノード側電極パッド、109 素子分離溝、110 8 anode pad, 109 isolation trench, 110
樹脂形成チップ、111レーザー、112 剥離層、 Resin-forming chips, 111 laser, 112 a release layer,
113 第3の一時保持部材、114 粘着材、115 113 third temporarily holding member, 114 adhesive, 115
マスク、116 エキシマレーザー光、117 第二基板、118 熱可塑性接着層、119 レーザー光、 Mask, 116 excimer laser beam, 117 a second substrate, 118 a thermoplastic adhesive layer, 119 a laser beam,
120 電極層、121 黒クロム層、122 発光ダイオード、124 絶縁層、125 開口部、126 120 electrode layer, 121 black chromium layer, 122 a light emitting diode, 124 an insulating layer, 125 opening, 126
電極パッド、131 配線 Electrode pads, 131 wiring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H05K 3/46 B N Q Fターム(参考) 4E068 DA09 5E319 AA01 AA03 AC02 CC01 5E346 AA16 AA43 BB16 BB20 CC09 CC10 CC41 GG15 5F041 CA04 CA34 CA40 CA76 CA77 CA98 CB36 5G435 AA17 BB04 KK05 KK09 KK10 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) H05K 3/46 H05K 3/46 B N Q F -term (reference) 4E068 DA09 5E319 AA01 AA03 AC02 CC01 5E346 AA16 AA43 BB16 BB20 CC09 CC10 CC41 GG15 5F041 CA04 CA34 CA40 CA76 CA77 CA98 CB36 5G435 AA17 BB04 KK05 KK09 KK10

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されることを特徴とする電子部品。 Electronic component, characterized in that the adhesive force is adjusted with respect to the adhesive material to the Claims 1 surface by applying laser. 【請求項2】 上記レーザーが照射される面は、樹脂により構成されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。 Wherein a surface of the laser is irradiated, the electronic component according to claim 1, characterized in that it is made of a resin. 【請求項3】 上記樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項2記載の電子部品。 Wherein said resin is an electronic component according to claim 2, characterized in that it consists of an epoxy resin or an acrylic resin. 【請求項4】 上記樹脂中に電子素子が埋め込まれていることを特徴とする請求項2記載の電子部品。 4. The electronic component according to claim 2, wherein the electronic device is embedded in the resin. 【請求項5】 上記電子素子は発光素子であることを特徴とする請求項4記載の電子部品。 Wherein said electronic device is an electronic component according to claim 4, characterized in that a light-emitting element. 【請求項6】 上記発光素子は、先細り形状となる先端部を有することを特徴とする請求項5記載の電子部品。 Wherein said light emitting device, an electronic component according to claim 5, characterized in that it has a tip that tapers shape. 【請求項7】 上記先端部は、円錐形状又は多角錘形状であることを特徴とする請求項6記載の電子部品。 7. The tip electronic component according to claim 6, characterized in that the conical or polygonal pyramid shape. 【請求項8】 上記発光素子は、半導体素子であることを特徴とする請求項5記載の電子部品。 8. The light emitting device is an electronic component according to claim 5, wherein it is a semiconductor element. 【請求項9】 上記発光素子は、窒化物半導体を用いた半導体素子であることを特徴とする請求項5記載の電子部品。 9. The light emitting device is an electronic component according to claim 5, wherein it is a semiconductor device using a nitride semiconductor. 【請求項10】 上記発光素子は、半導体LED素子であることを特徴とする請求項5記載の電子部品。 10. The light emitting device is an electronic component according to claim 5, wherein it is a semiconductor LED element. 【請求項11】 第一基板の主面上に配列された電子部品のうち転写対象となる電子部品の被転写面にレーザーを照射する付着力調整工程と、粘着材を上記電子部品の被転写面に重ね合わせ、上記レーザーが照射された電子部品を上記第一基板から剥離する剥離工程とを有することを特徴とする転写方法。 11. A adhesion adjustment step of irradiating the laser to the transferred surface of the electronic component to be transferred out of the electronic components arranged on the first substrate on the principal surface, the transfer of the electronic component an adhesive material superimposed on the surface, transfer method and having a peeling step of peeling the electronic part in which the laser is irradiated from the first substrate. 【請求項12】 さらに、上記第一基板から剥離した電子部品を第二基板上へ転写する転写工程を有することを特徴とする請求項11記載の転写方法。 12. Moreover, transfer method according to claim 11, characterized in that it has a transfer step of transferring the first electronic component is peeled from the substrate to the second substrate. 【請求項13】 上記レーザーは紫外線レーザーであることを特徴とする請求項11記載の転写方法。 13. The laser transfer method according to claim 11, characterized in that an ultraviolet laser. 【請求項14】 少なくとも転写対象となる電子部品は、表面にレーザーを照射されることによって粘着材に対する付着力が調整されることを特徴とする請求項11 14. An electronic part comprising at least the transfer target, claim, characterized in that adhesion to the adhesive material is adjusted by being irradiated with a laser on the surface 11
    記載の転写方法。 Transfer method described. 【請求項15】 上記電子部品の上記レーザーが照射される面は、樹脂により構成されていることを特徴とする請求項14記載の転写方法。 Surface 15. The laser of the electronic component is irradiated, transfer method according to claim 14, characterized in that it is made of a resin. 【請求項16】 上記樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項15記載の転写方法。 16. The resin, transfer method according to claim 15, characterized by comprising the epoxy resin or an acrylic resin. 【請求項17】 上記樹脂中に電子素子が埋め込まれていることを特徴とする請求項15記載の転写方法。 17. The transfer method according to claim 15, wherein the electronic device is embedded in the resin. 【請求項18】 上記電子素子は発光素子であることを特徴とする請求項17記載の転写方法。 18. The above electronic device transfer method according to claim 17, characterized in that a light-emitting element. 【請求項19】 上記発光素子は、先細り形状となる先端部を有することを特徴とする請求項18記載の転写方法。 19. The light emitting device may transfer method according to claim 18, characterized in that it has a tip that tapers shape. 【請求項20】 上記先端部は、円錐形状又は多角錘形状であることを特徴とする請求項19記載の転写方法。 20. The tip transfer method according to claim 19, wherein it is a conical or polygonal pyramid shape. 【請求項21】 上記発光素子は、半導体素子であることを特徴とする請求項18記載の転写方法。 21. The light emitting device may transfer method according to claim 18, wherein it is a semiconductor element. 【請求項22】 上記発光素子は、窒化物半導体を用いた半導体素子であることを特徴とする請求項18記載の転写方法。 22. The light emitting device may transfer method according to claim 18, wherein it is a semiconductor device using a nitride semiconductor. 【請求項23】 上記発光素子は、半導体LED素子であることを特徴とする請求項18記載の転写方法。 23. The light emitting device may transfer method according to claim 18, wherein it is a semiconductor LED element. 【請求項24】 上記剥離工程において、転写対象となる電子部品に対して第一基板側からレーザーを照射することを特徴とする請求項11記載の転写方法。 24. A said peeling step, transfer method of claim 11, wherein the irradiating laser from the first substrate side with respect to the electronic component to be transferred. 【請求項25】 表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されてなる電子部品が、 Electronic components adhering force is being adjusted relative to the adhesive material 25. The surface by irradiating the laser,
    粘着材による剥離工程を経て配線層が形成された配線基板上に転写されてなることを特徴とする回路基板。 Circuit board characterized by comprising been transferred to the adhesive material by peeling step a through wiring layers are formed on a wiring board. 【請求項26】 上記電子部品の上記レーザーが照射される面は、樹脂により構成されていることを特徴とする請求項25記載の回路基板。 Surface which the laser is irradiated according to claim 26, wherein said electronic component is a circuit board according to claim 25, wherein it is configured by a resin. 【請求項27】 上記樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項26記載の回路基板。 27. The resin, the circuit board according to claim 26, wherein a made of an epoxy resin or an acrylic resin. 【請求項28】 上記樹脂中に電子素子が埋め込まれていることを特徴とする請求項27記載の回路基板。 28. The circuit board according to claim 27, wherein the electronic device is embedded in the resin. 【請求項29】 上記電子素子は発光素子であることを特徴とする請求項28記載の回路基板。 Circuit board according to claim 28, wherein the method according to claim 29 wherein said electronic device is a light emitting element. 【請求項30】 上記発光素子は、先細り形状となる先端部を有することを特徴とする請求項29記載の回路基板。 30. A light emitting element, the circuit board according to claim 29, wherein it has a tip that tapers shape. 【請求項31】 上記先端部は、円錐形状又は多角錘形状であることを特徴とする請求項30記載の回路基板。 31. The tip circuit board according to claim 30, wherein it is a conical or polygonal pyramid shape. 【請求項32】 上記発光素子は、半導体素子であることを特徴とする請求項29記載の回路基板。 32. A light emitting element, the circuit board according to claim 29, wherein it is a semiconductor element. 【請求項33】 上記発光素子は、窒化物半導体を用いた半導体素子であることを特徴とする請求項29記載の回路基板。 33. The light emitting element, the circuit board according to claim 29, wherein it is a semiconductor device using a nitride semiconductor. 【請求項34】 上記発光素子は、半導体LED素子であることを特徴とする請求項29記載の回路基板。 34. A light emitting element, the circuit board according to claim 29, wherein it is a semiconductor LED element. 【請求項35】 第一基板の主面上に配列された電子部品のうち転写対象となる電子部品の被転写面にレーザーを照射する付着力調整工程と、 粘着材を上記電子部品の被転写面に重ね合わせ、上記レーザーが照射された電子部品を上記第一基板から剥離する剥離工程と、 上記第一基板から剥離した電子部品を、配線層が形成された配線基板上に転写する転写工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。 35. the adhesion adjusting step of irradiating the laser to the transferred surface of the electronic component to be transferred out of the electronic components arranged on the first substrate on the principal surface, the transfer of the electronic component an adhesive material superimposed on the surface, a peeling step of peeling the electronic part in which the laser is irradiated from the first substrate, the electronic component is peeled from the first substrate, a transfer step of transferring the wiring layer is formed on a wiring substrate method of manufacturing a circuit board, characterized in that it comprises and. 【請求項36】 上記レーザーは紫外線レーザーであることを特徴とする請求項35記載の回路基板の製造方法。 36. The laser method of manufacturing a circuit board according to claim 35, wherein it is a UV laser. 【請求項37】 少なくとも転写対象となる上記電子部品は、表面にレーザーを照射されることによって粘着材に対する付着力が調整されることを特徴とする請求項3 37. The electronic component comprising at least the transfer target, claim, characterized in that adhesion to the adhesive material is adjusted by being irradiated with a laser on the surface 3
    5記載の回路基板の製造方法。 Circuit substrate manufacturing method according 5. 【請求項38】 上記電子部品の上記レーザーが照射される面は、樹脂により構成されることを特徴とする請求項37記載の回路基板の製造方法。 38. The surface of the above laser electronic component is irradiated, the circuit substrate manufacturing method according to claim 37, wherein the being of a resin. 【請求項39】 上記樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項38記載の回路基板の製造方法。 39. The resin, the circuit substrate manufacturing method according to claim 38, characterized in that an epoxy resin or an acrylic resin. 【請求項40】 上記樹脂中に電子素子が埋め込まれていることを特徴とする請求項38記載の回路基板の製造方法。 40. A circuit board manufacturing method according to claim 38, wherein the electronic device is embedded in the resin. 【請求項41】 上記電子素子は発光素子であることを特徴とする請求項40記載の回路基板の製造方法。 41. The electronic device manufacturing method of the circuit board according to claim 40, wherein it is a light-emitting element. 【請求項42】 上記発光素子は、先細り形状となる先端部を有することを特徴とする請求項41記載の回路基板の製造方法。 42. A light emitting device, a circuit substrate manufacturing method according to claim 41, wherein it has a tip that tapers shape. 【請求項43】 上記先端部は、円錐形状又は多角錘形状であることを特徴とする請求項42記載の回路基板の製造方法。 43. The tip circuit manufacturing method of the substrate according to claim 42, wherein it is a conical or polygonal pyramid shape. 【請求項44】 上記発光素子は、半導体素子であることを特徴とする請求項41記載の回路基板の製造方法。 44. A light emitting device, a circuit substrate manufacturing method according to claim 41, wherein it is a semiconductor element. 【請求項45】 上記発光素子は、窒化物半導体を用いた半導体素子であることを特徴とする請求項41記載の回路基板の製造方法。 45. A light emitting device, a circuit substrate manufacturing method according to claim 41, wherein it is a semiconductor device using a nitride semiconductor. 【請求項46】 上記発光素子は、半導体LED素子であることを特徴とする請求項41記載の回路基板の製造方法。 46. ​​A light emitting device, a circuit substrate manufacturing method according to claim 41, wherein it is a semiconductor LED element. 【請求項47】 上記剥離工程において、転写対象となる電子部品に対して第一基板側からレーザーを照射することを特徴とする請求項35記載の回路基板の製造方法。 In 47. The peeling process, a manufacturing method of a circuit board according to claim 35, wherein the irradiating laser from the first substrate side with respect to the electronic component to be transferred. 【請求項48】 発光素子が埋め込まれ、表面にレーザーを照射することによって粘着材に対する付着力が調整されてなる電子部品が、粘着材による剥離工程を経て配線層が形成された配線基板上にマトリクス状に配置されてなることを特徴とする表示装置。 48. A light-emitting element is embedded, electronic components adhesion is being adjusted relative to the adhesive material by irradiating the laser on the surface, the adhesive material by peeling step a through wiring substrate having a wiring layer is formed display device characterized by comprising arranged in a matrix. 【請求項49】 上記電子部品の上記レーザーが照射される面は、樹脂により構成されていることを特徴とする請求項48記載の表示装置。 Surface which the laser is irradiated according to claim 49, wherein said electronic component is a display device according to claim 48, wherein it is configured by a resin. 【請求項50】 上記樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項49記載の表示装置。 50. The resin The display device of claim 49, wherein a made of an epoxy resin or an acrylic resin. 【請求項51】 上記発光素子は、先細り形状となる先端部を有することを特徴とする請求項48記載の表示装置。 51. The light emitting device The display device of claim 48, characterized in that it comprises a distal portion that tapers shape. 【請求項52】 上記先端部は、円錐形状又は多角錘形状であることを特徴とする請求項51記載の表示装置。 52. The tip display device according to claim 51, wherein it is a conical or polygonal pyramid shape. 【請求項53】 上記発光素子は、半導体素子であることを特徴とする請求項48記載の表示装置。 53. The light emitting device The display device of claim 48 which is a semiconductor element. 【請求項54】 上記発光素子は、窒化物半導体を用いた半導体素子であることを特徴とする請求項48記載の表示装置。 54. The light emitting device The display device of claim 48, characterized in that the semiconductor device using a nitride semiconductor. 【請求項55】 上記発光素子は、半導体LED素子であることを特徴とする請求項48記載の表示装置。 55. The light emitting device The display device of claim 48 which is a semiconductor LED element. 【請求項56】 第一基板の主面上に配列された、発光素子が埋め込まれた電子部品のうち転写対象となる電子部品の被転写面にレーザーを照射する付着力調整工程と、 粘着材を上記電子部品の被転写面に重ね合わせ、上記レーザーが照射された電子部品を上記第一基板から剥離する剥離工程と、 上記第一基板から剥離した電子部品を、配線層が形成された配線基板上にマトリクス状に転写する転写工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。 56. A arranged on the first substrate on the principal surface, and adhesion adjustment step of irradiating the laser to the transferred surface of the electronic component to be transferred out of the electronic component light emitting element is embedded, adhesive the superposed on the transferred surface of the electronic component, a peeling step of peeling the electronic part in which the laser is irradiated from the first substrate, the electronic component separated from the first substrate, a wiring layer is formed wire method of manufacturing a display device characterized by having a transfer step of transferring in a matrix on a substrate. 【請求項57】 上記レーザーは紫外線レーザーであることを特徴とする請求項56記載の表示装置の製造方法。 57. A method for producing the laser display apparatus of claim 56, characterized in that the ultraviolet laser. 【請求項58】 少なくとも転写対象となる上記電子部品は、表面にレーザーを照射されることによって粘着材に対する付着力が調整されることを特徴とする請求項5 58. The electronic component comprising at least the transfer target, claim, characterized in that adhesion to the adhesive material is adjusted by being irradiated with a laser on the surface 5
    6記載の表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a display device 6 according. 【請求項59】 上記電子部品の上記レーザーが照射される面は、樹脂により構成されることを特徴とする請求項58記載の表示装置の製造方法。 Surface which the laser is irradiated according to claim 59 wherein the electronic component manufacturing method of a display device according to claim 58, wherein the being of a resin. 【請求項60】 上記樹脂は、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項59記載の表示装置の製造方法。 60. The resin, a method of manufacturing a display device according to claim 59, wherein a made of an epoxy resin or an acrylic resin. 【請求項61】 上記発光素子は、先細り形状となる先端部を有することを特徴とする請求項58記載の表示装置の製造方法。 61. The light emitting element, a method of manufacturing a display device according to claim 58, wherein it has a tip that tapers shape. 【請求項62】 上記先端部は、円錐形状又は多角錘形状であることを特徴とする請求項61記載の表示装置の製造方法。 62. The tip method of manufacturing a display device according to claim 61, wherein it is a conical or polygonal pyramid shape. 【請求項63】 上記発光素子は、半導体素子であることを特徴とする請求項56記載の表示装置の製造方法。 63. The light emitting element, a method of manufacturing a display device according to claim 56, wherein it is a semiconductor element. 【請求項64】 上記発光素子は、窒化物半導体を用いた半導体素子であることを特徴とする請求項56記載の表示装置の製造方法。 64. The light emitting element, a method of manufacturing a display device according to claim 56, wherein it is a semiconductor device using a nitride semiconductor. 【請求項65】 上記発光素子は、半導体LED素子であることを特徴とする請求項56記載の表示装置の製造方法。 65. A light emitting device, method of manufacturing a display device according to claim 56, wherein it is a semiconductor LED element. 【請求項66】 上記剥離工程において、転写対象となる電子部品に対して第一基板側からレーザーを照射することを特徴とする請求項56記載の表示装置の製造方法。 In 66. The release step, the method of manufacturing the display device according to claim 56, wherein the irradiating laser from the first substrate side with respect to the electronic component to be transferred.
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