JP2002313895A - Substrate holding device and substrate processor - Google Patents

Substrate holding device and substrate processor

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JP2002313895A
JP2002313895A JP2001113614A JP2001113614A JP2002313895A JP 2002313895 A JP2002313895 A JP 2002313895A JP 2001113614 A JP2001113614 A JP 2001113614A JP 2001113614 A JP2001113614 A JP 2001113614A JP 2002313895 A JP2002313895 A JP 2002313895A
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rectangular
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To satisfactorily elevate and lower a large and thin substrate between substrate processing height and substrate transfer height. SOLUTION: A substrate holding stage 11 has constitution where four sucking plate pieces 111A, 111B, 111C and 111D making a square ring smaller than a substrate S are fitted to the upper face of a frame 112 formed in a rectangular parallelepiped shape. A plurality of lift pins 12 are disposed so that they can be elevated and lowered inside the substrate holding stage 11. The center of the substrate S is supported by a plurality of lift pins 12 from a rear side and the lift pins 12 are elevated and lowered. Thus, the substrate S can be elevated and lowered from above the substrate holding stage 11. When the edge of the substrate is cleaned, the center of the substrate S is supported by the lift pins 12 and a part except for the center and the end is sucked and held by the substrate holding stage 11.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、角形基板を保持
するための基板保持装置およびこの基板保持装置を備え
た基板処理装置に関する。角形基板とは、液晶表示装置
用ガラス基板およびプラズマディスプレイパネル用ガラ
ス基板などの矩形状の基板をいう。ただし、必ずしも完
全な矩形状である必要はなく、基板端縁にオリフラやノ
ッチのような切欠部が形成されていてもよい。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate holding device for holding a rectangular substrate and a substrate processing apparatus provided with the substrate holding device. The rectangular substrate refers to a rectangular substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device and a glass substrate for a plasma display panel. However, it is not necessarily required to be a perfect rectangular shape, and a notch such as an orientation flat or a notch may be formed at the edge of the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置や半導体装置の製造工程に
おいては、基板の表面にフォトレジスト液、感光性ポリ
イミド樹脂、カラーフィルタ用染色剤などのような薬液
を塗布して、基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成工程
が含まれている。薄膜の形成を要するのは、基板の縁部
領域を除く有効領域内のみであるが、上記の薄膜形成工
程では、有効領域外の縁部領域にまで薬液が拡がり、こ
の縁部領域にいわゆる不要薄膜が形成される。このよう
な不要薄膜は、基板搬送時や基板処理時において、たと
えば、基板保持ハンドなどの各種の処理機材に擦れて剥
離することにより発塵源となる。そこで、基板縁部の不
要薄膜は、薬液塗布後に洗浄除去されるのが一般的であ
る。
2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a liquid crystal display device or a semiconductor device, a chemical solution such as a photoresist solution, a photosensitive polyimide resin, a color filter dye or the like is applied to the surface of a substrate, and a thin film is formed on the surface of the substrate. Forming a thin film. The thin film needs to be formed only in the effective area excluding the edge area of the substrate. However, in the above thin film forming step, the chemical solution spreads to the edge area outside the effective area, and so-called unnecessary A thin film is formed. Such an unnecessary thin film becomes a dust generation source when it is rubbed and peeled off with various processing equipment such as a substrate holding hand at the time of substrate transfer or substrate processing. Therefore, the unnecessary thin film on the edge of the substrate is generally washed and removed after the application of the chemical solution.

【0003】不要薄膜を除去するために、基板の端縁部
を洗浄するための基板端縁洗浄装置が用いられる。液晶
表示装置用ガラス基板のような角形基板に適用される基
板端縁洗浄装置には、平面視で基板とほぼ相似形で、基
板よりも若干寸法の小さい基板保持ステージと、この基
板保持ステージを取り囲むように配置された複数本のリ
フトピンとが備えられている。前記基板保持ステージ
は、連続する平面にて構成される上面に、多数の吸着孔
を有しており、除去されるべき不要薄膜が付着している
基板の端縁部を残して基板裏面の中央部から基板裏面の
端縁部付近に至る基板の裏面を支持するとともに、吸着
孔から排気を行い、基板を吸着し、保持する。また、複
数本のリフトピンは、たとえば、シリンダを含む駆動機
構によって上下動されるようになっている。薄膜形成後
の基板は、基板保持ステージの上方の基板受け渡し高さ
でリフトピンに渡され、その後、リフトピンが下降され
ることによって基板保持ステージに載置される。基板端
縁部に対する洗浄処理は、基板が基板保持ステージに吸
着保持された状態で行われ、このとき、リフトピンは、
基板端縁部に対する洗浄処理の妨げにならない位置まで
下降している。洗浄処理の終了後は、リフトピンが上昇
されて、基板保持ステージ上の基板が基板受け渡し高さ
にまで持ち上げられる。
In order to remove unnecessary thin films, a substrate edge cleaning apparatus for cleaning the edge of the substrate is used. A substrate edge cleaning device applied to a rectangular substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device includes a substrate holding stage that is substantially similar to the substrate in plan view and slightly smaller in size than the substrate. And a plurality of lift pins arranged so as to surround them. The substrate holding stage has a large number of suction holes on an upper surface formed of a continuous plane, and the center of the back surface of the substrate except for an edge portion of the substrate on which an unnecessary thin film to be removed is attached. In addition to supporting the back surface of the substrate from the portion to the vicinity of the edge of the back surface of the substrate, the substrate is sucked and held by exhausting air from the suction holes. The plurality of lift pins are moved up and down by a drive mechanism including a cylinder, for example. The substrate on which the thin film has been formed is transferred to the lift pins at a substrate transfer height above the substrate holding stage, and then placed on the substrate holding stage by lowering the lift pins. The cleaning process for the substrate edge is performed in a state where the substrate is suction-held on the substrate holding stage. At this time, the lift pins are
It is lowered to a position where it does not hinder the cleaning process on the substrate edge. After the completion of the cleaning process, the lift pins are raised, and the substrate on the substrate holding stage is lifted to the substrate transfer height.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な構成では、処理対象の基板の大型化および薄型化への
対応に限界がある。すなわち、処理対象の基板が大型に
なって、基板の端縁部が基板保持ステージから大きくは
み出ると、そのはみ出た端縁部がたわみ、その端縁部に
洗浄処理を施すための洗浄ヘッドと干渉するおそれがあ
る。これを防止するためには、基板保持ステージを大型
化して、基板がはみ出る部分を小さくするという手段が
考えられるが、基板保持ステージを大型化すると、今度
は基板保持ステージ上面の平面性を維持することが難し
くなり、装置コストが高くなる。また、基板保持ステー
ジの安定性や強度の維持のため、基板保持ステージの固
定部分が大掛かりな構成となり、装置コストがかさんで
しまう。
However, in the above-described configuration, there is a limit in responding to an increase in the size and thickness of a substrate to be processed. That is, when the substrate to be processed becomes large and the edge of the substrate protrudes largely from the substrate holding stage, the protruding edge bends and interferes with the cleaning head for performing the cleaning process on the edge. There is a possibility that. In order to prevent this, it is conceivable to increase the size of the substrate holding stage and reduce the portion where the substrate protrudes. However, when the size of the substrate holding stage is increased, the flatness of the upper surface of the substrate holding stage is maintained. And the cost of the apparatus increases. In addition, in order to maintain the stability and strength of the substrate holding stage, the fixed portion of the substrate holding stage has a large-scale configuration, which increases the apparatus cost.

【0005】さらに、基板は、基板保持ステージの上面
全体に吸着された状態で保持される。このため、処理
後、基板保持ステージから基板を剥がすとき、基板と基
板保持ステージとの間で多量の静電気が生じてしまい、
周囲の汚染物質が基板に付着する可能性を増大させてし
まうおそれがある。また、リフトピンで基板端縁部を支
持して基板を昇降させる構成では、基板が大型かつ薄型
であると、リフトピン上で基板が大きくたわみ、昇降の
途中で基板がリフトピンから落下したり、基板が割れた
りするおそれがある。
Further, the substrate is held in a state of being sucked on the entire upper surface of the substrate holding stage. Therefore, when the substrate is peeled off from the substrate holding stage after processing, a large amount of static electricity is generated between the substrate and the substrate holding stage,
There is a possibility that the possibility that surrounding contaminants adhere to the substrate is increased. In the configuration in which the substrate is lifted by supporting the edge portion of the substrate with the lift pins, if the substrate is large and thin, the substrate bends greatly on the lift pins, and the substrate falls off the lift pins during the vertical movement, There is a risk of cracking.

【0006】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、大型かつ薄型の基板を予め定める高さで
水平面にほぼ沿った状態に保持することができ、さら
に、その大型かつ薄型の基板を良好に昇降させることが
できる基板保持装置を提供することである。また、その
ような基板保持装置を備えた基板処理装置を提供するこ
とである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problem and to enable a large and thin substrate to be held at a predetermined height in a state substantially along a horizontal plane. It is an object of the present invention to provide a substrate holding device capable of favorably raising and lowering the substrate. Another object is to provide a substrate processing apparatus provided with such a substrate holding device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、角形基板
(S)の裏面に接触して、その角形基板を予め定める高
さでほぼ水平に支持するための第1の基板支持手段(1
1)と、角形基板の裏面において上記第1の基板支持手
段が接触する領域よりも内方の領域に接触して、その角
形基板を単独で支持可能な第2の基板支持手段(12)
と、この第2の基板支持手段を上記第1の基板支持手段
に対して昇降させるための昇降駆動機構(13)と、上
記予め定める高さにおいて、角形基板が上記第1および
第2の基板支持手段の両方によって支持されるように上
記昇降駆動機構を制御する制御手段(5)とを含むこと
を特徴とする基板保持装置(1)である。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, there is provided a rectangular substrate (S) which contacts a back surface of the rectangular substrate (S) and holds the rectangular substrate at a predetermined height. First substrate supporting means (1) for supporting substantially horizontally
(1) a second substrate supporting means (12) which is capable of independently supporting the rectangular substrate by contacting a region inside the rear surface of the rectangular substrate with respect to the region where the first substrate supporting device is in contact;
An elevating drive mechanism (13) for elevating the second substrate supporting means with respect to the first substrate supporting means; and, at the predetermined height, the rectangular substrate is provided with the first and second substrates. Control means (5) for controlling the elevation drive mechanism so as to be supported by both of the support means.

【0008】なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じ。この発明によれば、予め定める高さでは、角形基
板の相対的に外方が第1の基板支持手段によって支持さ
れ、相対的に内方が第2の基板支持手段によって支持さ
れる。これにより、たとえ角形基板が大型かつ薄型のも
のであっても、上記予め定める高さで支持された角形基
板にたわみを生じるおそれがない。
[0008] The alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components in the embodiment described later. Hereinafter, the same applies in this section. According to the present invention, at a predetermined height, a relatively outer side of the rectangular substrate is supported by the first substrate supporting means, and a relatively inner side is supported by the second substrate supporting means. Thus, even if the rectangular substrate is large and thin, there is no possibility that the rectangular substrate supported at the predetermined height will be bent.

【0009】また、第2の基板支持手段を昇降させるこ
とにより、角形基板を上記予め定める高さ以上に持ち上
げたり、上記予め定める高さ以上に持ち上げられた角形
基板を上記予め定める高さまで下げたりすることができ
る。このとき、角形基板の内方が第2の基板支持手段に
よって支持されているから、たとえ角形基板が大型かつ
薄型のものであっても、その大型かつ薄型の角形基板
を、落下や割れなどを生じることなく良好に昇降させる
ことができる。
Further, by raising and lowering the second substrate support means, the rectangular substrate can be lifted above the predetermined height, or the rectangular substrate raised above the predetermined height can be lowered to the predetermined height. can do. At this time, since the inside of the rectangular substrate is supported by the second substrate support means, even if the rectangular substrate is large and thin, the large and thin rectangular substrate is not dropped or cracked. It can be raised and lowered satisfactorily without occurrence.

【0010】なお、請求項2に記載のように、上記第1
の基板支持手段は、平面視において角形基板よりも小さ
な矩形状の外形を有し、その上面に角形基板を載置可能
な基板載置プレート(111)を含むものであってもよ
い。請求項3記載の発明は、上記基板載置プレートの上
面および外端面は、外側に湾曲した曲面で接続されてい
ることを特徴とする請求項2記載の基板保持装置であ
る。
[0010] In addition, as described in claim 2, the first
The substrate supporting means may have a rectangular outer shape smaller than the square substrate in plan view, and may include a substrate mounting plate (111) on which the square substrate can be mounted. The invention according to claim 3 is the substrate holding device according to claim 2, wherein the upper surface and the outer end surface of the substrate mounting plate are connected by a curved surface curved outward.

【0011】請求項4記載の発明は、上記基板載置プレ
ートの上面および内端面は、外側に湾曲した曲面で接続
されていることを特徴とする請求項2または3記載の基
板保持装置である。請求項5記載の発明は、上記基板載
置プレートの上面と外端面との接続部分には、樹脂を用
いたコーティングが施されていることを特徴とする請求
項2ないし4のいずれかに記載の基板保持装置である。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate holding apparatus according to the second or third aspect, wherein the upper surface and the inner end surface of the substrate mounting plate are connected by a curved surface that is curved outward. . According to a fifth aspect of the present invention, the connecting portion between the upper surface and the outer end surface of the substrate mounting plate is coated with a resin. Substrate holding device.

【0012】これらの各発明によれば、基板載置プレー
トとこの基板載置プレートに載置された角形基板との摩
擦による発塵を防止でき、この発塵による角形基板の汚
染を防止することができる。請求項6記載の発明は、上
記基板載置プレートの上面には、角形基板の裏面を吸着
するための吸着孔(113)が形成されていて、上記第
1の基板支持手段は、上記基板載置プレートの上面に角
形基板の裏面を吸着して支持するものであることを特徴
とする請求項2ないし5のいずれかに記載の基板保持装
置である。
According to each of these inventions, it is possible to prevent dust generation due to friction between the substrate mounting plate and the rectangular substrate mounted on the substrate mounting plate, and to prevent contamination of the rectangular substrate due to the generated dust. Can be. According to a sixth aspect of the present invention, the upper surface of the substrate mounting plate is provided with a suction hole (113) for sucking the rear surface of the rectangular substrate, and the first substrate supporting means is provided with the substrate mounting plate. 6. The substrate holding device according to claim 2, wherein the back surface of the rectangular substrate is sucked and supported on an upper surface of the mounting plate.

【0013】請求項7記載の発明は、上記吸着孔に接続
されて、基板載置プレートの上面に気体を供給するため
の気体供給手段(114)をさらに含むことを特徴とす
る請求項6記載の基板保持装置である。請求項6の発明
によれば、基板載置プレートの上面に角形基板の裏面を
吸着して保持することができ、請求項7の発明によれ
ば、その吸着保持された角形基板と基板載置プレートと
の間に気体を供給することにより、基板載置プレートへ
の角形基板の吸着状態を解除できる。
The invention according to claim 7 further includes a gas supply means (114) connected to the suction hole for supplying gas to the upper surface of the substrate mounting plate. Substrate holding device. According to the invention of claim 6, the back surface of the rectangular substrate can be sucked and held on the upper surface of the substrate mounting plate, and according to the invention of claim 7, the square substrate thus sucked and held and the substrate mounting plate can be held. By supplying gas between the plate and the plate, the state of adsorption of the rectangular substrate to the substrate mounting plate can be released.

【0014】請求項8記載の発明は、上記基板載置プレ
ートの所定部は、その外端面に沿った水平軸線(11
7)まわりに揺動自在に構成されていることを特徴とす
る請求項2ないし7のいずれかに記載の基板保持装置で
ある。この発明によれば、基板載置プレートの所定部を
水平軸線まわりに揺動させることができる。これによ
り、たとえば、基板載置プレートに角形基板が吸着保持
されている状態で、基板載置プレートの所定部を揺動さ
せることにより、基板載置プレートと角形基板との間に
空気を入り込ませて、角形基板の吸着状態を緩和するこ
とができる。
In a preferred embodiment of the present invention, the predetermined portion of the substrate mounting plate has a horizontal axis (11) extending along an outer end surface thereof.
7) The substrate holding device according to any one of claims 2 to 7, wherein the substrate holding device is configured to be swingable around. According to the present invention, the predetermined portion of the substrate mounting plate can be swung around the horizontal axis. Thus, for example, in a state where the rectangular substrate is suction-held on the substrate mounting plate, a predetermined portion of the substrate mounting plate is swung to allow air to enter between the substrate mounting plate and the rectangular substrate. Thus, the adsorption state of the rectangular substrate can be reduced.

【0015】なお、請求項9に記載のように、上記基板
載置プレートは、角形基板の各辺にそれぞれ沿った4つ
のプレート片(111A,111B,111C,111
D)を含むものであってもよく、この場合、請求項10
に記載のように、上記4つのプレート片の少なくとも1
つは、その外端面に沿った水平軸線まわりに揺動自在に
構成されていることが好ましい。また、上記水平軸線ま
わりに揺動自在に構成されたプレート片は、請求項11
に記載のように、その外端縁が角形基板の裏面に接離可
能なように設けられていてもよいし、請求項12に記載
のように、その内端縁が角形基板の裏面に接離可能なよ
うに設けられていてもよい。
According to a ninth aspect of the present invention, the substrate mounting plate comprises four plate pieces (111A, 111B, 111C, 111) along each side of the rectangular substrate.
D) may be included, and in this case, claim 10
At least one of the four plate pieces as described in
One is preferably configured to be swingable about a horizontal axis along its outer end surface. Further, the plate piece that is configured to be swingable about the horizontal axis may be configured as described in claim 11.
The outer edge may be provided so as to be capable of coming into contact with and separating from the back surface of the rectangular substrate, or the inner edge may be in contact with the back surface of the rectangular substrate as described in claim 12. It may be provided so as to be detachable.

【0016】請求項13記載の発明は、上記第2の基板
支持手段は、角形基板の裏面に当接する複数のリフトピ
ン(12)を含むことを特徴とする請求項1ないし12
のいずれかに記載の基板保持装置である。基板昇降時の
基板の落下や割れの発生を防ぐためには、角形基板の裏
面中央部を吸着して保持する基板保持ステージと、この
基板保持ステージを昇降させるためのステージ昇降機構
とを備え、基板保持ステージに角形基板を吸着させた状
態で基板保持ステージを昇降させることにより角形基板
を昇降させるといった構成が考えられる。しかし、大型
基板を保持可能な大型の基板保持ステージを昇降させる
ためには、大型のステージ昇降機構が必要となり、装置
サイズおよび装置コストのアップは必至である。また、
基板保持ステージを昇降させる構成では、基板保持ステ
ージに対して角形基板の受け渡しを直接行うことになる
が、その受け渡し時(とくに、角形基板を基板保持ステ
ージから取り去る時)に静電気が発生し、その静電気に
よって角形基板が帯電するという問題も生じる。基板が
帯電していると、基板搬送時などに、搬送空間内の塵が
基板に吸着して、基板が汚染されるおそれがある。
According to a thirteenth aspect of the present invention, the second substrate supporting means includes a plurality of lift pins (12) abutting on the back surface of the rectangular substrate.
The substrate holding device according to any one of the above. In order to prevent the substrate from falling or cracking when the substrate is moved up and down, the substrate is provided with a substrate holding stage that sucks and holds the center of the back surface of the rectangular substrate, and a stage elevating mechanism that moves the substrate holding stage up and down. A configuration in which the rectangular substrate is moved up and down by raising and lowering the substrate holding stage in a state where the rectangular substrate is attracted to the holding stage is conceivable. However, in order to elevate and lower a large substrate holding stage capable of holding a large substrate, a large stage elevating mechanism is required, and an increase in apparatus size and apparatus cost is inevitable. Also,
In the configuration in which the substrate holding stage is moved up and down, the rectangular substrate is directly transferred to the substrate holding stage. At the time of the transfer (particularly, when the rectangular substrate is removed from the substrate holding stage), static electricity is generated. There is also a problem that the rectangular substrate is charged by static electricity. If the substrate is charged, dust in the transfer space may be adsorbed to the substrate when the substrate is transferred, and the substrate may be contaminated.

【0017】これに対し、角形基板の内方を第2の基板
支持手段で支持して、この第2の基板支持手段を昇降さ
せることにより角形基板を昇降させる構成であれば、基
板保持ステージを昇降させることができる程の大型の昇
降駆動機構を必要しないので、装置サイズおよび装置コ
ストのアップを抑制できる。また、請求項13に記載の
ように、第2の基板支持手段が複数のリフトピンを含む
ものである場合、リフトピンと基板との接触面積が小さ
いから、このリフトピンに対して角形基板を受け渡しす
るようにすれば、その受け渡しの時に静電気が発生する
ことを防止でき、静電気による角形基板の帯電を防止す
ることができる。
On the other hand, if the inside of the rectangular substrate is supported by the second substrate supporting means and the rectangular substrate is raised and lowered by raising and lowering the second substrate supporting means, the substrate holding stage may be replaced with a substrate holding stage. Since it is not necessary to have a large elevating drive mechanism that can be moved up and down, it is possible to suppress an increase in apparatus size and apparatus cost. Further, when the second substrate supporting means includes a plurality of lift pins, the contact area between the lift pins and the substrate is small, so that the rectangular substrate is transferred to the lift pins. For example, it is possible to prevent the generation of static electricity at the time of delivery, and to prevent the rectangular substrate from being charged by the static electricity.

【0018】請求項14記載の発明は、上記リフトピン
の先端には、角形基板の裏面を吸着するための吸着孔が
形成されていることを特徴とする請求項13記載の基板
保持装置である。この発明によれば、角形基板の裏面を
リフトピンに吸着させることにより、角形基板の昇降時
に、リフトピン上から角形基板が落下するおそれを一層
なくすことができる。
According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided the substrate holding apparatus according to the thirteenth aspect, wherein a suction hole for sucking a back surface of the rectangular substrate is formed at a tip of the lift pin. According to the present invention, by adsorbing the back surface of the rectangular substrate to the lift pins, the risk of the rectangular substrate falling from the lift pins when the rectangular substrate moves up and down can be further reduced.

【0019】請求項15記載の発明は、角形基板の端面
に接触して、その角形基板の水平面内における位置を予
め定める基板保持位置に位置合わせする位置調整手段
(3)をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし1
4のいずれかに記載の基板保持装置である。この発明に
よれば、角形基板の水平面内における位置を予め定める
基板保持位置に位置決めすることができる。
According to a fifteenth aspect of the present invention, there is further provided a position adjusting means (3) for contacting an end face of the rectangular substrate and positioning the rectangular substrate in a horizontal plane to a predetermined substrate holding position. Claims 1 to 1
5. The substrate holding device according to any one of 4. According to the present invention, the position of the rectangular substrate in the horizontal plane can be positioned at the predetermined substrate holding position.

【0020】請求項16記載の発明は、角形基板を除電
するための除電手段(4)をさらに含むことを特徴とす
る請求項1ないし15のいずれかに記載の基板保持装置
である。この発明によれば、たとえば、角形基板を第2
の基板支持手段から取り去る時に静電気が発生し、その
静電気によって角形基板が帯電したとしても、その角形
基板の除電を行うことができる。ゆえに、帯電に起因す
る角形基板の汚染を一層良好に防止することができる。
According to a sixteenth aspect of the present invention, there is provided the substrate holding apparatus according to any one of the first to fifteenth aspects, further comprising a neutralization means (4) for neutralizing the rectangular substrate. According to the present invention, for example, the square substrate is
Even when static electricity is generated when the rectangular substrate is removed from the substrate supporting means, and the static electricity charges the rectangular substrate, the rectangular substrate can be discharged. Therefore, contamination of the rectangular substrate due to charging can be more favorably prevented.

【0021】請求項17記載の発明は、表面に薄膜が形
成された角形基板の端縁部を洗浄するための装置であっ
て、請求項1ないし16のいずれかに記載の基板保持装
置(1)と、この基板保持装置に保持された角形基板の
端縁部に溶剤を供給して、その端縁部に形成されている
不要な薄膜を除去する端縁洗浄手段(3)とを含むこと
を特徴とする基板処理装置である。この発明によれば、
基板保持装置に保持された基板に撓みが生じないから、
基板と端縁洗浄手段との位置関係を一定に保つことがで
きる。これにより、角形基板の端縁部の狙った位置に溶
剤を供給することができ、基板の端縁部に良好な洗浄処
理を施すことができる。
According to a seventeenth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for cleaning an edge portion of a rectangular substrate having a thin film formed on a surface thereof. ) And edge cleaning means (3) for supplying a solvent to the edge of the rectangular substrate held by the substrate holding device and removing an unnecessary thin film formed on the edge. Is a substrate processing apparatus. According to the invention,
Since the substrate held by the substrate holding device does not bend,
The positional relationship between the substrate and the edge cleaning means can be kept constant. As a result, the solvent can be supplied to the target position of the edge of the rectangular substrate, and a favorable cleaning process can be performed on the edge of the substrate.

【0022】なお、請求項18に記載のように、上記端
縁洗浄手段は、角形基板の端縁部に向けて溶剤を吐出す
る溶剤吐出ノズル(314,315)を含んでいてもよ
い。請求項19記載の発明は、上記端縁洗浄手段は、角
形基板上の溶剤供給位置近傍に向けて気体を噴射する気
体ノズル(316,317)をさらに含むことを特徴と
する請求項18記載の基板処理装置である。この発明に
よれば、気体ノズルから角形基板上に気体を噴射するこ
とにより、溶剤吐出ノズルから角形基板に供給された溶
剤などを外方に吹き飛ばすことができる。これにより、
角形基板の有効領域に形成された薄膜に影響を与えるこ
となく、角形基板の端縁部に溶剤を供給して不要薄膜を
溶解し、これを除去することができる。
The edge cleaning means may include a solvent discharge nozzle (314, 315) for discharging the solvent toward the edge of the rectangular substrate. The invention according to claim 19, wherein the edge cleaning means further includes a gas nozzle (316, 317) for injecting a gas toward the vicinity of the solvent supply position on the rectangular substrate. It is a substrate processing apparatus. According to the present invention, by injecting a gas from the gas nozzle onto the rectangular substrate, the solvent or the like supplied from the solvent discharge nozzle to the rectangular substrate can be blown outward. This allows
A solvent can be supplied to the edge of the rectangular substrate to dissolve and remove the unnecessary thin film without affecting the thin film formed in the effective area of the rectangular substrate.

【0023】なお、請求項20に記載のように、上記端
縁洗浄手段は、上記溶剤吐出ノズルおよび気体ノズルを
一体的に保持した洗浄ヘッド(31A,31B,31
C,31D)と、この洗浄ヘッドを上記基板保持装置に
保持された角形基板の辺に沿って移動させる移動機構
(32A,32B,32C,32D)とを含むことが好
ましい。また、請求項21に記載のように、上記洗浄ヘ
ッドには、処理対象の基板の端縁部が収容される処理空
間(33)が形成されていて、上記端縁洗浄手段は、上
記処理空間に接続されており、その処理空間内の雰囲気
を排気するための排気手段(318,319)をさらに
含むことがより好ましい。この排気手段を含むことによ
り、角形基板に供給された溶剤やこの溶剤により溶解さ
れた不要薄膜(溶解物)を処理空間から排出することが
でき、溶剤や溶解物が周囲に飛び散ることを防止でき
る。
According to a twentieth aspect, the edge cleaning means comprises a cleaning head (31A, 31B, 31) integrally holding the solvent discharge nozzle and the gas nozzle.
C, 31D) and a moving mechanism (32A, 32B, 32C, 32D) for moving the cleaning head along the side of the rectangular substrate held by the substrate holding device. Further, as set forth in claim 21, the cleaning head is provided with a processing space (33) for accommodating an edge portion of the substrate to be processed, and the edge cleaning means is provided in the processing space. , And further preferably includes exhaust means (318, 319) for exhausting the atmosphere in the processing space. By including this exhaust means, the solvent supplied to the rectangular substrate and the unnecessary thin film (dissolved material) dissolved by the solvent can be discharged from the processing space, and the solvent and the dissolved material can be prevented from scattering around. .

【0024】請求項22記載の発明は、上記洗浄ヘッド
は、上下に対向した一対のブロック(311,312)
を備え、上記処理空間は、上記一対のブロックの間に形
成されており、上記一対のブロックのそれぞれには、上
記溶剤吐出ノズルおよび気体ノズルが設けられているこ
とを特徴とする請求項21記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板保持装置に保持された基板にた
わみを生じないから、角形基板の端縁部を一対のブロッ
クと一定間隔を保った状態で処理空間内に入り込ませる
ことができ、角形基板の端縁部に良好な洗浄処理を施す
ことができる。
According to a twenty-second aspect of the present invention, the cleaning head comprises a pair of vertically opposed blocks (311, 312).
The processing space is formed between the pair of blocks, and the solvent discharge nozzle and the gas nozzle are provided in each of the pair of blocks. Is a substrate processing apparatus.
According to the present invention, since the substrate held by the substrate holding device does not bend, the edge of the rectangular substrate can be inserted into the processing space while keeping a constant interval with the pair of blocks, and An excellent cleaning process can be performed on the edge of the substrate.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の一実施形態に係る基板端縁洗浄装置(基板処理装
置)の平面図であり、図2は、図1のII−IIから見た断
面図である。この基板端縁洗浄装置は、液晶表示装置用
ガラス基板のような角形基板Sの端縁部の不要薄膜(た
とえば、レジスト液が塗布された後の角形基板の端縁部
に付着している不要なレジスト塗膜)を洗浄除去するた
めの装置である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view of a substrate edge cleaning apparatus (substrate processing apparatus) according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. This substrate edge cleaning apparatus uses an unnecessary thin film on an edge portion of a rectangular substrate S such as a glass substrate for a liquid crystal display device (for example, unnecessary thin film adhered to an edge portion of a rectangular substrate after a resist solution is applied). This is an apparatus for cleaning and removing a resist film.

【0026】この基板端縁洗浄装置は、処理対象の基板
Sを保持するための基板保持機構1と、この基板保持機
構1による基板Sの保持位置を調整するための位置調整
機構2と、基板保持機構1に保持された基板Sの端縁部
を洗浄するための洗浄機構3とを備えている。また、基
板保持機構1の上方には、図2に示されているように、
処理後の基板Sを除電するための除電器4が配置されて
いる。除電器4は、たとえば、コロナ放電によってプラ
スイオンおよびマイナスイオンを発生させるものであ
る。この除電器4から適当な間隔を開けた除電高さHe
に基板Sを配置することにより、基板Sの全体にイオン
を照射することができ、基板Sが帯びている電荷を良好
に除去することができる。
The substrate edge cleaning apparatus includes a substrate holding mechanism 1 for holding a substrate S to be processed, a position adjusting mechanism 2 for adjusting a holding position of the substrate S by the substrate holding mechanism 1, A cleaning mechanism 3 for cleaning the edge of the substrate S held by the holding mechanism 1 is provided. Also, above the substrate holding mechanism 1, as shown in FIG.
A static eliminator 4 for removing static from the processed substrate S is arranged. The static eliminator 4 generates positive ions and negative ions by, for example, corona discharge. A neutralization height He at an appropriate distance from the neutralizer 4
By arranging the substrate S on the substrate S, the entire substrate S can be irradiated with ions, and the charge on the substrate S can be satisfactorily removed.

【0027】基板保持機構1は、基板Sを載置可能であ
り、その載置された基板Sを吸着して保持する基板保持
ステージ11と、この基板保持ステージ11に対して基
板Sを昇降させるための複数本(この実施形態では、8
本)のリフトピン12とを備えている。基板保持ステー
ジ11は、基板Sよりも小さな四角環状の基板吸着プレ
ートをなす4枚の吸着プレート片111A,111B,
111C,111D(総称するときには「基板吸着プレ
ート111」という。)を、直方体状に骨組みされたフ
レーム112の上面に取り付けた構成を有している。基
板吸着プレート111の上面には、複数本の吸着溝11
3が長手方向に沿って形成されていて、これらの複数本
の吸着溝113は、図3に示すように、吸引源および窒
素ガス供給源(いずれも図示せず)に接続されたエア吸
引/窒素供給配管114と連通している。これにより、
吸着溝113内のエアを吸引源の働きによって吸引した
り、吸着溝113内に窒素ガス供給源から窒素ガスを供
給したりすることができる。そして、基板吸着プレート
111に基板Sを載置した状態で吸着溝113内のエア
を吸引することにより、基板Sを基板吸着プレート11
1の上面に吸着させることができ、一方、基板Sが基板
吸着プレート111に吸着された状態で吸着溝113に
窒素ガスを供給することにより、基板吸着プレート11
1への基板Sの吸着を解除することができる。
The substrate holding mechanism 1 is capable of mounting the substrate S thereon. The substrate holding stage 11 holds the mounted substrate S by suction, and moves the substrate S up and down with respect to the substrate holding stage 11. (In this embodiment, 8
) Lift pin 12. The substrate holding stage 11 includes four suction plate pieces 111A, 111B, which form a square ring-shaped substrate suction plate smaller than the substrate S.
The configuration is such that 111C and 111D (when collectively referred to as “substrate suction plate 111”) are attached to the upper surface of a frame 112 framed in a rectangular parallelepiped shape. A plurality of suction grooves 11 are provided on the upper surface of the substrate suction plate 111.
3 are formed along the longitudinal direction, and the plurality of suction grooves 113 are, as shown in FIG. 3, provided with air suction / air suction / gas connections connected to a suction source and a nitrogen gas supply source (neither is shown). It is in communication with the nitrogen supply pipe 114. This allows
The air in the suction groove 113 can be sucked by the function of the suction source, or nitrogen gas can be supplied into the suction groove 113 from a nitrogen gas supply source. Then, by sucking air in the suction groove 113 with the substrate S placed on the substrate suction plate 111, the substrate S
1 while the substrate S is adsorbed on the substrate adsorption plate 111 by supplying nitrogen gas to the adsorption groove 113 in a state where the substrate S is adsorbed on the substrate adsorption plate 111.
The adsorption of the substrate S to the substrate 1 can be released.

【0028】また、基板吸着プレート111の外縁部1
11aは、図3に示すように、角がない曲面に加工され
ている。言い換えれば、基板吸着プレート111は、そ
の上面N1と外端面N2とが外側に湾曲した曲面N3で
接続されている。さらに、少なくとも、曲面N3には
(好ましくは上面N1にも、)、基板Sとの摩擦を低減
するために、樹脂を用いたコーティングが施されてい
る。また、基板吸着プレート111の内縁部111b
は、その上面N1と内端面N4とが外側に湾曲した曲面
N5で接続されている。
The outer edge 1 of the substrate suction plate 111
As shown in FIG. 3, 11a is formed into a curved surface having no corners. In other words, the upper surface N1 and the outer end surface N2 of the substrate suction plate 111 are connected by a curved surface N3 that is curved outward. Further, at least the curved surface N3 (preferably also on the upper surface N1) is coated with a resin to reduce friction with the substrate S. Also, the inner edge portion 111b of the substrate suction plate 111
Are connected by a curved surface N5 whose upper surface N1 and inner end surface N4 are curved outward.

【0029】なお、平面視で基板吸着プレート111の
4つの外縁111aが形成する矩形は、保持した基板S
の有効領域と同寸か、もしくはそれより小さい。しか
し、少なくとも基板吸着プレート111に保持された基
板Sの端縁部が垂れ下がらずに水平を保つことができる
程度の寸法を有する。また、平面視で基板の各辺と直交
する方向における基板吸着プレート111の寸法は、基
板Sを該基板吸着プレート111に吸着した場合、少な
くとも端縁部が垂れ下がらずに水平を保つことができる
寸法を有している。
The rectangular shape formed by the four outer edges 111a of the substrate suction plate 111 in plan view is the shape of the held substrate S
Of the same size as or smaller than the effective area of However, at least the edge of the substrate S held by the substrate suction plate 111 has a dimension that can be kept horizontal without sagging. In addition, the dimensions of the substrate suction plate 111 in a direction perpendicular to each side of the substrate in plan view can be kept horizontal without at least the edge portion hanging down when the substrate S is suctioned to the substrate suction plate 111. It has dimensions.

【0030】また、基板吸着プレート111は、基板S
の有効領域の裏面のほぼ全域ではなく、有効領域の裏面
の内の周辺部分のみで基板Sを保持している。すなわ
ち、矩形状の外端縁111aと外端縁111aよりも小
さい寸法の矩形状の内端縁11bとの間にある基板吸着
プレート111で基板Sは保持されている。このため、
内端縁111bよりも内側では、基板吸着プレート11
1と基板Sとは接触していない。したがって、有効領域
の裏面のほぼ全域を保持しているものに比べて、基板S
との接触面積が少なくなり、基板Sと基板吸着プレート
111との間で生じる静電気の量を減じることができ
る。
Further, the substrate suction plate 111
The substrate S is held only in the peripheral portion of the back surface of the effective area, not substantially the entire back surface of the effective area. That is, the substrate S is held by the substrate suction plate 111 between the rectangular outer edge 111a and the rectangular inner edge 11b having a size smaller than the outer edge 111a. For this reason,
Inside the inner edge 111b, the substrate suction plate 11
1 is not in contact with the substrate S. Therefore, compared to a substrate holding almost the entire back surface of the effective area, the substrate S
The contact area with the substrate S is reduced, and the amount of static electricity generated between the substrate S and the substrate suction plate 111 can be reduced.

【0031】さらにまた、この実施形態では、基板吸着
プレート111の下面に形成されたビス穴115にフレ
ーム112を介してビス116をねじ込むことにより、
基板吸着プレート111のフレーム112への固定が達
成されていて、基板吸着プレート111の上面に吸着溝
113以外の凹部はない。よって、基板吸着プレート1
11に載置(吸着)された基板Sに、基板吸着プレート
111の上面の吸着溝113以外の凹部に起因した局所
的な凹みなどを生じるおそれがない。
Further, in this embodiment, a screw 116 is screwed through a frame 112 into a screw hole 115 formed on the lower surface of the substrate suction plate 111,
The fixing of the substrate suction plate 111 to the frame 112 is achieved, and there is no concave portion other than the suction groove 113 on the upper surface of the substrate suction plate 111. Therefore, the substrate suction plate 1
There is no possibility that the substrate S mounted (adsorbed) on the substrate 11 will be locally dented due to a concave portion other than the adsorption groove 113 on the upper surface of the substrate adsorption plate 111.

【0032】複数本のリフトピン12は、1枚のベース
プレート121上に鉛直に立設されて、基板保持ステー
ジ11の内方に設けられている。ベースプレート121
には、その下方に設けられた昇降駆動機構13が結合さ
れている。この昇降駆動機構13は、基板保持ステージ
11に対して固定されて鉛直方向に延びた一対のガイド
レール131と、この一対のガイドレール131に案内
されて移動可能な昇降フレーム132と、一対のガイド
レール131の間の位置において、鉛直方向(ガイドレ
ール131と平行な方向)に沿って配置されたねじ軸1
33と、このねじ軸133に螺合したボールナット13
4と、ねじ軸133に結合されたモータ135とを含
む。昇降フレーム132は、上端がベースプレート12
1の下面に固定されている。また、ボールナット134
は、昇降フレーム132に取り付けられている。したが
って、モータ135を正転/逆転させることにより、昇
降フレーム132がガイドレール131に沿って昇降
し、この昇降フレーム132の上端に固定されたベース
プレート121が昇降する。
The plurality of lift pins 12 are erected vertically on one base plate 121 and are provided inside the substrate holding stage 11. Base plate 121
Is coupled to a lifting drive mechanism 13 provided below the drive mechanism. The lifting drive mechanism 13 includes a pair of guide rails 131 fixed to the substrate holding stage 11 and extending in the vertical direction, a lifting frame 132 movable by being guided by the pair of guide rails 131, and a pair of guides. A screw shaft 1 disposed along a vertical direction (a direction parallel to the guide rail 131) at a position between the rails 131
33 and the ball nut 13 screwed onto the screw shaft 133
4 and a motor 135 coupled to the screw shaft 133. The elevating frame 132 has an upper end on the base plate 12.
1 is fixed to the lower surface. Also, the ball nut 134
Is attached to the lifting frame 132. Therefore, when the motor 135 is rotated forward / reverse, the elevating frame 132 moves up and down along the guide rail 131, and the base plate 121 fixed to the upper end of the elevating frame 132 moves up and down.

【0033】この構成により、昇降駆動機構13によっ
てベースプレート121を昇降(上下動)させることに
より、リフトピン12で基板Sの中央部を裏面側から支
持して、その基板Sを基板吸着プレート111の上面と
その上面よりも上方の除電高さHeまたは基板受け渡し
高さHdとの間で昇降させることができる。基板受け渡
し高さHdは、たとえば、除電高さHeとその上方の除
電器4との間の位置であり、この基板受け渡し高さHd
において、図示しない基板搬送ロボットとリフトピン1
2との間で基板Sの受け渡しが行われるようになってい
る。
With this configuration, the center portion of the substrate S is supported from the back side by the lift pins 12 by moving the base plate 121 up and down (moving up and down) by the lifting drive mechanism 13, and the substrate S is placed on the upper surface of the substrate suction plate 111. Can be raised and lowered between the neutralization height He or the substrate transfer height Hd above the upper surface thereof. The board transfer height Hd is, for example, a position between the charge elimination height He and the charge eliminator 4 above the charge elimination height He.
A substrate transfer robot (not shown) and a lift pin 1
The transfer of the substrate S is performed between the two.

【0034】モータ135には、たとえば、マイクロコ
ンピュータを含む制御部5が接続されており、リフトピ
ン12(基板S)の昇降は、制御部5がモータ135を
駆動制御することによって達成される。位置調整機構2
は、シリンダによって基板Sの存在する方向に進退され
る4つの位置調整ヘッド21A,21B,21C,21
Dを備えている。位置調整ヘッド21A,21B,21
C,21Dは、1本または複数本の当接ピン211を有
しており、基板保持ステージ11の各吸着プレート片1
11A,111B,111C,111Dと対向する位置
に、それぞれ吸着プレート片111A,111B,11
1C,111Dに対向する方向に進退するように配置さ
れている。この実施形態では、2つの位置調整ヘッド2
1A,21Bは、それぞれ1本の当接ピン211を有し
ており、これら2つの位置調整ヘッド21A,21Bに
基板保持ステージ11を挟んで互いに対向する位置調整
ヘッド21C,21Dは、それぞれ2本の当接ピン21
1を有している。
The motor 135 is connected to a control unit 5 including, for example, a microcomputer. The lifting and lowering of the lift pins 12 (substrate S) is achieved by the control unit 5 controlling the drive of the motor 135. Position adjustment mechanism 2
Are four position adjusting heads 21A, 21B, 21C, 21 which are advanced and retracted in the direction in which the substrate S exists by the cylinder.
D is provided. Positioning heads 21A, 21B, 21
Each of C and 21D has one or a plurality of contact pins 211, and each of the suction plate pieces 1 of the substrate holding stage 11.
11A, 111B, 111C, and 111D, the suction plate pieces 111A, 111B, and 11
It is arranged so as to advance and retreat in the direction facing 1C and 111D. In this embodiment, two position adjustment heads 2
1A and 21B each have one contact pin 211, and two position adjusting heads 21C and 21D opposed to each other with the substrate holding stage 11 interposed between these two position adjusting heads 21A and 21B. Contact pin 21
One.

【0035】各当接ピン211は、位置調整ヘッド21
A,21B,21C,21Dの先端から垂下した状態に
設けられており、位置調整ヘッド21A,21B,21
C,21Dを進退させるためのシリンダのロッドが最も
伸長した状態で、基板保持ステージ11に載置された基
板Sの端面に接するようになっている。すべての当接ピ
ン211が基板Sの端面に接する時の水平面内における
基板Sの位置は一定位置に決まるから、基板保持ステー
ジ11上に基板Sを載置した後、各シリンダのロッドを
伸長させて、各当接ピン211を基板Sの端面に当接さ
せることにより、基板保持ステージ11上の基板Sを上
記一定位置に位置決めすることができる。
Each contact pin 211 is connected to the position adjusting head 21.
A, 21B, 21C, 21D are provided so as to hang down from the tips of the position adjusting heads 21A, 21B, 21D.
The end of the substrate S placed on the substrate holding stage 11 is in contact with the rod of the cylinder for moving the C and 21D forward and backward in the most extended state. Since the position of the substrate S in the horizontal plane when all the contact pins 211 are in contact with the end surface of the substrate S is determined to be a fixed position, after placing the substrate S on the substrate holding stage 11, the rod of each cylinder is extended. Thus, the substrate S on the substrate holding stage 11 can be positioned at the fixed position by bringing each contact pin 211 into contact with the end surface of the substrate S.

【0036】一方、シリンダのロッドが最も収縮した状
態では、当接ピン211は、洗浄機構3による基板Sの
端縁部の洗浄の妨げにならないホームポジションまで退
避する。各当接ピン211のホームポジションには、洗
浄カップ22が配置されていて、ホームポジションに退
避した当接ピン211は、洗浄カップ22内に収容され
るようになっている。洗浄カップ22には、洗浄液を噴
出する洗浄液ノズルが設けられており、この洗浄液ノズ
ルから洗浄カップ22内に収容された当接ピン211に
洗浄液を吹き付けることによって、当接ピン211に付
着したレジスト液やレジスト液の固化物またはその他の
汚染物質を洗浄除去できるようになっている。したがっ
て、洗浄液による当接ピン211の洗浄を適当な時期に
行うことにより、汚染物質が付着していない清浄な当接
ピン211を基板Sの端面に当接させて、基板Sを汚染
することなく、基板Sの位置決めを行うことができる。
On the other hand, when the rod of the cylinder is in the most contracted state, the contact pin 211 is retracted to a home position which does not hinder the cleaning mechanism 3 from cleaning the edge of the substrate S. The cleaning cup 22 is arranged at the home position of each contact pin 211, and the contact pin 211 retracted to the home position is accommodated in the cleaning cup 22. The cleaning cup 22 is provided with a cleaning liquid nozzle for ejecting a cleaning liquid, and the cleaning liquid is sprayed from the cleaning liquid nozzle to the contact pin 211 accommodated in the cleaning cup 22 so that the resist liquid attached to the contact pin 211 is It is possible to wash and remove solidified substances and other contaminants of the resist solution. Therefore, by performing cleaning of the contact pins 211 with a cleaning liquid at an appropriate time, the clean contact pins 211 having no contaminants attached thereto can be brought into contact with the end surface of the substrate S without contaminating the substrate S. , The substrate S can be positioned.

【0037】洗浄機構3は、基板保持ステージ11に吸
着保持された基板Sの4辺の端縁部をそれぞれ洗浄する
ための洗浄ヘッド31A,31B,31C,31D(総
称するときには「洗浄ヘッド31」という。)を備えて
いる。洗浄ヘッド31A,31B,31C,31Dは、
基板Sの4辺とそれぞれ平行をなすように配置されたガ
イドレール32A,32B,32C,32Dに、それぞ
れスライド自在に係合している。これにより、洗浄ヘッ
ド31A,31B,31C,31Dは、基板Sの4辺に
それぞれ沿って水平に直線往復移動することができるよ
うになっている。
The cleaning mechanism 3 includes cleaning heads 31A, 31B, 31C, and 31D for cleaning the four edges of the substrate S sucked and held on the substrate holding stage 11 (the "cleaning head 31" when collectively referred to). ). The cleaning heads 31A, 31B, 31C, 31D
The guide rails 32A, 32B, 32C, and 32D are slidably engaged with the guide rails 32A, 32B, 32C, and 32D, respectively, arranged so as to be parallel to the four sides of the substrate S. Thus, the cleaning heads 31A, 31B, 31C, and 31D can reciprocate horizontally and linearly along the four sides of the substrate S, respectively.

【0038】洗浄ヘッド31は、図4に側面図を示すよ
うに、上下に対向した上ノズルブロック311および下
ノズルブロック312と、これらのノズルブロック31
1,312が取り付けられた本体ブロック313とを有
している。上下のノズルブロック311,312は、一
定の間隔をあけて対向配置されており、これらの間に
は、処理対象の基板Sの端縁部が差し入れられる処理空
間33が形成されている。前記ノズルブロック311
は、基板Sの上面よりも上方にて基板Sの存在する方向
に庇状に突出し、また、ノズルブロック312は、基板
Sの裏面よりも下方にて基板Sの存在する方向に庇状に
突出している。そして、ノズルブロック311,312
には、それぞれ処理空間33に臨む溶剤吐出ノズル31
4,315が取り付けられている。また、溶剤吐出ノズ
ル314,315よりも基板Sの内方側(ノズルブロッ
ク311,312の先端側)には、気体ノズル316,
317がそれぞれ配置されている。気体ノズル316,
317は、基板Sの内方から外方に向かって斜めに気体
(空気や窒素ガスなど)を噴射するように構成されてお
り、溶剤吐出ノズル314,315によって基板Sの端
縁部に供給された溶剤などを外方に吹き飛ばす。
As shown in the side view of FIG. 4, the cleaning head 31 includes an upper nozzle block 311 and a lower nozzle block 312 which are vertically opposed to each other.
1 and 312 are attached. The upper and lower nozzle blocks 311 and 312 are opposed to each other with a fixed interval therebetween, and a processing space 33 into which the edge of the substrate S to be processed is inserted is formed between them. The nozzle block 311
Protrudes like an eave in the direction where the substrate S exists above the upper surface of the substrate S, and the nozzle block 312 projects like an eave in the direction where the substrate S exists below the back surface of the substrate S. ing. Then, the nozzle blocks 311 and 312
The solvent discharge nozzles 31 respectively facing the processing space 33
4,315 are attached. Further, the gas nozzles 316 and 316 are located on the inner side of the substrate S (the front ends of the nozzle blocks 311 and 312) than the solvent discharge nozzles 314 and 315.
317 are arranged respectively. Gas nozzle 316,
317 is configured to inject gas (air, nitrogen gas, or the like) obliquely from inside to outside of the substrate S, and is supplied to the edge of the substrate S by the solvent discharge nozzles 314 and 315. Blow off solvent and the like to the outside.

【0039】次に、溶剤吐出ノズル314,315、お
よび気体ノズル316,317について詳述する。ここ
で、基板Sの下面に処理を施す溶剤吐出ノズル315お
よび気体ノズル317は、位置関係が基板Sの上面に処
理を施す溶剤吐出ノズル314および気体ノズル316
とは基板Sを挟んで天地が逆であるだけなので、溶剤吐
出ノズル314および気体ノズル316を例にとり説明
する。溶剤吐出ノズル314は、細い管状のノズルでレ
ジスト膜を溶解する溶剤を噴射し、基板の表面上におい
てスポット(点)状に溶剤の噴射領域(溶剤スポットと
いう。)を形成する。
Next, the solvent discharge nozzles 314 and 315 and the gas nozzles 316 and 317 will be described in detail. Here, the solvent discharge nozzle 315 and the gas nozzle 317 that perform processing on the lower surface of the substrate S are in a positional relationship between the solvent discharge nozzle 314 and the gas nozzle 316 that perform processing on the upper surface of the substrate S.
Is reversed only with respect to the substrate S, so that the solvent discharge nozzle 314 and the gas nozzle 316 will be described as an example. The solvent ejection nozzle 314 ejects a solvent for dissolving the resist film by a thin tubular nozzle, and forms a solvent ejection area (solvent spot) in a spot (dot) shape on the surface of the substrate.

【0040】また、気体ノズル316も細い管状のノズ
ルで気体を噴射し、基板の表面上においてスポット
(点)状に気体の噴射領域(気体スポットという。)を
形成する。そして、該気体スポットの位置が溶剤スポッ
トにほぼ重なるよう、溶剤吐出ノズル314と気体ノズ
ル316との位置関係を調節して配置する。ここでは、
溶剤吐出ノズル314と気体ノズル316とのそれぞれ
の吐出口が、基板Sの直線状の端縁と直交する線上に並
んでいる。すなわち、1つの溶剤吐出ノズル314と1
つの気体ノズル316とが1組になっている。そして、
このような溶剤吐出ノズル314と気体ノズル316と
の組が、基板Sの直線状の端縁に沿って複数設けられて
いる。
The gas nozzle 316 also jets a gas with a thin tubular nozzle to form a gas injection region (referred to as a gas spot) in a spot (dot) shape on the surface of the substrate. Then, the positional relationship between the solvent discharge nozzle 314 and the gas nozzle 316 is adjusted and arranged so that the position of the gas spot substantially overlaps the solvent spot. here,
The respective discharge ports of the solvent discharge nozzle 314 and the gas nozzle 316 are arranged on a line orthogonal to the linear edge of the substrate S. That is, one solvent discharge nozzle 314 and 1
And one gas nozzle 316 is a set. And
A plurality of such pairs of the solvent discharge nozzle 314 and the gas nozzle 316 are provided along the linear edge of the substrate S.

【0041】処理空間33は、本体ブロック313内に
形成された吸引路318と連通している。吸引路318
は、フレキシブルチューブ319を介して、図示しない
吸引源と接続されている。したがって、気体ノズル31
6,317によって吹き飛ばされた溶剤などは、吸引路
318およびフレキシブルチューブ319内を介して回
収されることになる。この構成により、基板Sの有効領
域におけるレジスト膜に影響を与えることなく、基板S
の端縁部に溶剤を供給して不要薄膜を溶解し、これを除
去することができる。
The processing space 33 communicates with a suction passage 318 formed in the main body block 313. Suction path 318
Is connected to a suction source (not shown) via a flexible tube 319. Therefore, the gas nozzle 31
The solvent and the like blown off by the 6, 317 are collected via the suction path 318 and the inside of the flexible tube 319. With this configuration, the substrate S can be formed without affecting the resist film in the effective area of the substrate S.
The unnecessary thin film is dissolved by supplying a solvent to the edge of the substrate, and the unnecessary thin film can be removed.

【0042】図5は、基板Sの端縁部に対する洗浄処理
について説明するための図である。レジスト塗膜が形成
された処理対象の基板Sは、基板受け渡し高さHdにお
いて、リフトピン12上に搬入される(ステップT
1)。リフトピン12に基板Sが受け渡されると、リフ
トピン12の先端と基板吸着プレート111(基板保持
ステージ11)の上面とが同じ高さになるまでリフトピ
ン12が下降されて、基板Sの中央部がリフトピン12
に支持されるとともに、基板Sの中央部および端縁部以
外の部分が基板保持ステージ11に載置された状態にさ
れる(ステップT2)。そして、この状態で、位置調整
機構2によって水平面内における基板Sの位置が調整さ
れて、予め定める位置に基板Sが位置決めされる(ステ
ップT3)。
FIG. 5 is a diagram for explaining a cleaning process for the edge portion of the substrate S. The substrate S on which the resist coating film is formed is carried on the lift pins 12 at the substrate transfer height Hd (step T).
1). When the substrate S is transferred to the lift pins 12, the lift pins 12 are lowered until the tip of the lift pins 12 and the upper surface of the substrate suction plate 111 (substrate holding stage 11) are at the same height. 12
And a portion other than the central portion and the edge portion of the substrate S is placed on the substrate holding stage 11 (step T2). Then, in this state, the position of the substrate S in the horizontal plane is adjusted by the position adjustment mechanism 2, and the substrate S is positioned at a predetermined position (step T3).

【0043】次いで、吸着溝113内のエアの吸引が開
始されて、基板Sが吸着プレート111の上面に吸着さ
れる(ステップT4)。その後、基板Sの中央部を支持
しているリフトピン12が、予め定める微小高さだけ下
降される(ステップT5)。上記微小高さは、基板Sと
リフトピン12との接触が維持される程度の高さに設定
されており、リフトピン12が上記微小高さだけ下降さ
れると、基板Sは、中央部が端縁部よりも少し下がって
若干たわんだ状態で、基板保持ステージ11およびリフ
トピン12に支持されることになる。このため、基板S
がずれるといったことがなく、位置調整機構2によって
位置決めされた位置(上記予め定める位置)で基板Sを
安定させることができる。なお、このとき、基板Sは、
中央部がリフトピン12に支持されるとともに、中央部
および端縁部以外の部分は基板保持ステージ11に吸着
保持されている。すなわち、基板吸着プレート111
は、有効領域と同じ位置またはそれよりも内側で、基板
の端縁部が垂れ下がらずに水平を保つこおとができるよ
うな領域を支持している。よって、基板吸着プレート1
11の内端縁111bよりも内側の基板の部分が、基板
保持ステージ11に対して微小高さだけ上下していて
も、端縁部の水平は確保されている。
Next, the suction of the air in the suction groove 113 is started, and the substrate S is sucked on the upper surface of the suction plate 111 (step T4). Thereafter, the lift pins 12 supporting the central portion of the substrate S are lowered by a predetermined minute height (Step T5). The minute height is set to such a level that the contact between the substrate S and the lift pins 12 is maintained. When the lift pins 12 are lowered by the minute height, the center of the substrate S has an edge. The substrate is supported by the substrate holding stage 11 and the lift pins 12 in a state where it is slightly lower than the portion and slightly bent. Therefore, the substrate S
The substrate S can be stabilized at the position determined by the position adjustment mechanism 2 (the predetermined position) without deviation. At this time, the substrate S
The central portion is supported by the lift pins 12, and portions other than the central portion and the edge portions are suction-held by the substrate holding stage 11. That is, the substrate suction plate 111
Supports an area at the same position as or inside the effective area, where the edge of the substrate can be kept horizontal without sagging. Therefore, the substrate suction plate 1
Even when the portion of the substrate inside the inner edge 111b of the substrate 11 moves up and down by a very small height with respect to the substrate holding stage 11, the edge is kept horizontal.

【0044】その後、洗浄機構3による基板Sの端縁部
の洗浄が行われる(ステップT6)。すなわち、洗浄ヘ
ッド31A,31B,31C,31Dが、ガイドレール
32A,32B,32C,32Dにそれぞれ沿って、基
板吸着プレート111に吸着されている基板Sの各辺の
一端から他端へ移動され、この過程で、溶剤吐出ノズル
314,315から溶剤が吐出されるとともに、気体ノ
ズル316,317から気体が噴射される。また、気体
ノズル316,317から気体が噴射されている間、吸
引路318を介して処理空間33内の吸気が行われる。
Thereafter, the edge of the substrate S is cleaned by the cleaning mechanism 3 (step T6). That is, the cleaning heads 31A, 31B, 31C, 31D are moved from one end to the other end of each side of the substrate S adsorbed on the substrate adsorption plate 111 along the guide rails 32A, 32B, 32C, 32D, respectively. In this process, the solvent is ejected from the solvent ejection nozzles 314 and 315, and gas is ejected from the gas nozzles 316 and 317. Further, while the gas is being injected from the gas nozzles 316 and 317, the air in the processing space 33 is sucked in through the suction passage 318.

【0045】基板Sの端縁部の洗浄が終了すると、エア
吸引/窒素供給配管114を介して吸着溝113に窒素
ガスが供給される(ステップT7)。リフトピン12が
上記微小高さだけ下降されていることにより、基板Sは
中央部が端縁部よりも少し下がって若干たわんだ状態と
なって、基板吸着プレート111への基板Sの吸着状態
が緩和されるので、その後の吸着溝113への窒素ガス
の供給により、基板Sのずれなどを生じることなく、基
板吸着プレート111への基板Sの吸着状態が解除され
る。
When the cleaning of the edge of the substrate S is completed, nitrogen gas is supplied to the adsorption groove 113 through the air suction / nitrogen supply pipe 114 (step T7). Since the lift pins 12 are lowered by the minute height, the center of the substrate S is slightly lower than the edge, and the substrate S is slightly bent, so that the suction state of the substrate S on the substrate suction plate 111 is reduced. Therefore, by the subsequent supply of the nitrogen gas to the adsorption groove 113, the state of adsorption of the substrate S to the substrate adsorption plate 111 is released without causing displacement of the substrate S and the like.

【0046】つづいて、リフトピン12が上昇されて、
基板Sが除電高さHeまで持ち上げられる(ステップT
8)。そして、その後の一定時間、基板Sは除電高さH
eに保持され、この間、除電器4から基板Sにプラスイ
オンおよびマイナスイオンが照射される(ステップT
9)。これにより、基板Sが帯電している場合に、その
帯電している基板Sが良好に除電され、帯電に起因する
基板Sの汚染(塵の吸着など)を防止することができ
る。基板Sの除電後は、リフトピン12がさらに上昇さ
れて、基板Sが基板受け渡し高さHdまで持ち上げられ
る(ステップT10)。そして、その基板受け渡し高さ
Hdから基板Sが搬出されていく(ステップT11)。
Subsequently, the lift pin 12 is raised,
The substrate S is lifted to the neutralization height He (step T).
8). Then, for a certain period of time thereafter, the substrate S has the charge elimination height H.
e, during which the substrate S is irradiated with positive ions and negative ions from the neutralizer 4 (step T).
9). Thereby, when the substrate S is charged, the charged substrate S is satisfactorily discharged, and contamination (dust adsorption, etc.) of the substrate S due to charging can be prevented. After the substrate S is neutralized, the lift pins 12 are further raised, and the substrate S is lifted to the substrate transfer height Hd (step T10). Then, the substrate S is carried out from the substrate transfer height Hd (step T11).

【0047】以上のように、この実施形態に係る基板保
持機構1(基板保持装置)は、複数本のリフトピン12
で基板Sの中央部を裏面側から支持し、そのリフトピン
12を昇降させることにより基板Sを昇降させる構成で
あるから、リフトピン12上での基板Sのたわみが小さ
く、たとえ基板Sが大型かつ薄型のものであっても、そ
の大型かつ薄型の基板Sを良好に昇降させることができ
る。また、基板Sの端縁部に対する洗浄処理時におい
て、基板Sは、中央部がリフトピン12に支持されると
ともに、中央部および端縁部以外の部分が基板保持ステ
ージ11に吸着保持される。これにより、たとえ基板S
が大型かつ薄型のものであっても、基板保持機構1に保
持された基板Sにたわみを生じるおそれはない。ゆえ
に、基板Sの端縁部をノズルブロック311,312と
一定間隔を保った状態で処理空間33内に入り込ませる
ことができ、基板Sの端縁部に良好な洗浄処理を施すこ
とができる。すなわち、基板Sの表面と溶剤吐出ノズル
314との距離は正確に保たれる。このため、基板Sの
有効領域にあるレジスト膜に影響を与えることがない。
As described above, the substrate holding mechanism 1 (substrate holding device) according to this embodiment includes a plurality of lift pins 12
In this configuration, the central portion of the substrate S is supported from the back side, and the substrate S is raised and lowered by raising and lowering the lift pins 12. Therefore, the deflection of the substrate S on the lift pins 12 is small, and even if the substrate S is large and thin. , The large and thin substrate S can be lifted and lowered satisfactorily. During the cleaning process on the edge of the substrate S, the center of the substrate S is supported by the lift pins 12, and portions other than the center and the edge are suction-held by the substrate holding stage 11. Thereby, even if the substrate S
Is large and thin, there is no possibility that the substrate S held by the substrate holding mechanism 1 will bend. Therefore, the edge of the substrate S can be inserted into the processing space 33 while keeping a constant distance from the nozzle blocks 311 and 312, and the edge of the substrate S can be subjected to a good cleaning process. That is, the distance between the surface of the substrate S and the solvent discharge nozzle 314 is accurately maintained. Therefore, the resist film in the effective area of the substrate S is not affected.

【0048】また、基板Sはノズルブロック311,3
12に対して一定間隔を保っているので、基板Sは吸引
路318に対して上下方向において正確に位置決めされ
ている。このため、吸引路318からの排気の強さは基
板Sの上面および下面において所定通りの強さとなる。
よって、基板Sの上面または下面の一方の排気が所定値
より強くなり、他方が所定値よりも弱くなるということ
がない。そのうえ、位置調整機構2によって基板Sの位
置決めがされた後は、リフトピン12が少しだけ下げら
れて、基板Sを少したわませた状態で、基板吸着プレー
ト111への基板Sの吸着が行われる。これにより、吸
着開始時に、基板吸着プレート111と基板Sとの間に
生じる気流によって基板Sがずれるといったことがな
く、位置調整機構2によって位置決めされた位置で基板
Sを基板吸着プレート111に吸着させることができ
る。よって、基板Sの端縁部と洗浄ヘッド31との位置
関係を正常に保つことができ、基板Sの端縁部に一層良
好な洗浄処理を施すことができる。
The substrate S includes nozzle blocks 311 and 3
12, the substrate S is accurately positioned in the vertical direction with respect to the suction path 318. For this reason, the strength of the exhaust air from the suction path 318 becomes the predetermined strength on the upper surface and the lower surface of the substrate S.
Therefore, the exhaust of one of the upper surface and the lower surface of the substrate S does not become stronger than the predetermined value, and the other does not become weaker than the predetermined value. In addition, after the substrate S is positioned by the position adjusting mechanism 2, the lift pins 12 are slightly lowered, and the substrate S is sucked onto the substrate suction plate 111 while the substrate S is slightly bent. . Thus, at the start of the suction, the substrate S does not shift due to the air current generated between the substrate suction plate 111 and the substrate S, and the substrate S is sucked to the substrate suction plate 111 at the position determined by the position adjustment mechanism 2. be able to. Therefore, the positional relationship between the edge of the substrate S and the cleaning head 31 can be kept normal, and the edge of the substrate S can be subjected to a better cleaning process.

【0049】また、この実施形態では、基板吸着プレー
ト111への基板Sの吸着を解除する際にも、その吸着
解除に先立ち、リフトピン12が少しだけ下げられて、
基板Sを少したわませた状態にされる。これにより基板
吸着プレート111への基板Sの吸着状態が緩和される
ので、その後に吸着溝113に吸着解除のための窒素ガ
スを供給したときに、基板Sが浮き上がってずれるとい
った不都合を生じるおそれがない。ゆえに、リフトピン
12で基板Sを良好に支持することができるから、リフ
トピン12の昇降途中で基板Sが落下するおそれがな
い。
Also, in this embodiment, when releasing the suction of the substrate S to the substrate suction plate 111, the lift pins 12 are slightly lowered before releasing the suction.
The substrate S is slightly bent. As a result, the state of adsorption of the substrate S on the substrate adsorption plate 111 is reduced, and when nitrogen gas for releasing adsorption is subsequently supplied to the adsorption groove 113, there is a possibility that the substrate S may be lifted and shifted. Absent. Therefore, since the substrate S can be favorably supported by the lift pins 12, there is no possibility that the substrate S falls during the lifting and lowering of the lift pins 12.

【0050】さらに、この実施形態では、基板保持ステ
ージ11に対する基板Sの位置決めは、基板Sの中央部
がリフトピン12に支持されるとともに、基板Sの中央
部および端縁部以外の部分が基板保持ステージ11に載
置された状態で行われる。よって、基板の裏面中央部を
吸着保持する基板保持ステージ上で位置決めを行う構成
に比べて、基板Sをスライドさせるときの抵抗が小さ
く、基板保持ステージ11上で基板Sをスムーズにスラ
イドさせることができる。
Further, in this embodiment, the positioning of the substrate S with respect to the substrate holding stage 11 is such that the center of the substrate S is supported by the lift pins 12 and the portions other than the center and the edge of the substrate S are held by the substrate holding stage. This is performed while being mounted on the stage 11. Therefore, compared to a configuration in which positioning is performed on a substrate holding stage that suction-holds the center portion of the back surface of the substrate, resistance when the substrate S is slid is smaller, and the substrate S can be slid smoothly on the substrate holding stage 11. it can.

【0051】しかも、基板吸着プレート111の外縁部
111aは曲面に加工され、基板吸着プレート111の
表面には樹脂コーティングが施されているから、基板保
持ステージ11(基板吸着プレート111)上で基板S
をスライドさせても、基板Sまたは基板吸着プレート1
11の摩耗による発塵がほとんどなく、この発塵による
基板Sの汚染を招くおそれがない。さらにまた、このよ
うに基板Sと基板吸着プレート111との間に窒素ガス
が供給されて、基板吸着プレート111への基板Sの吸
着状態が解除されるので、基板吸着プレート111から
処理後の基板Sを持ち上げる際の静電気の発生が抑えら
れ、静電気による基板Sの帯電を防止することができ
る。そのうえ、たとえ基板吸着プレート111から持ち
上げる際に基板Sが帯電した場合であっても、その帯電
した基板Sは、この基板端縁洗浄装置から搬出される前
に、除電高さHeに配置されて除電される。ゆえに、帯
電に起因する基板Sの汚染を一層良好に防止することが
できる。
Further, since the outer edge 111a of the substrate suction plate 111 is processed into a curved surface and the surface of the substrate suction plate 111 is coated with a resin, the substrate S on the substrate holding stage 11 (substrate suction plate 111).
Slides the substrate S or the substrate suction plate 1
There is almost no dust generation due to the wear of the substrate 11, and there is no possibility that the substrate S is contaminated by the dust generation. Furthermore, since the nitrogen gas is supplied between the substrate S and the substrate suction plate 111 and the state of adsorption of the substrate S to the substrate suction plate 111 is released, the processed substrate Generation of static electricity at the time of lifting S is suppressed, and charging of the substrate S due to static electricity can be prevented. Moreover, even if the substrate S is charged when it is lifted from the substrate suction plate 111, the charged substrate S is placed at the neutralization height He before being carried out of the substrate edge cleaning apparatus. Static electricity is removed. Therefore, contamination of the substrate S due to charging can be more favorably prevented.

【0052】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は、他の形態で実施することもでき
る。たとえば、上述の実施形態では、基板保持ステージ
11に載置された状態で基板Sの位置決めが行われると
したが、リフトピン12に支持された状態で基板Sの位
置決めが行われてもよい。すなわち、基板搬送ロボット
によって処理対象の基板Sが搬送されてきて、その基板
Sがリフトピン12に受け渡された後、リフトピン12
上の基板Sの端面に対して当接ピン211が当接され
て、基板Sが予め定める位置に位置決めされるようにし
てもよい。リフトピン12上で基板Sの位置決めを行う
構成の場合、基板保持ステージ11上で基板Sの位置決
めを行う構成に比べて、位置決めの際に発生する静電気
の量を少なくすることができ、静電気による基板Sの帯
電を一層防止することができる。
While the embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be embodied in other forms. For example, in the above-described embodiment, the positioning of the substrate S is performed while being mounted on the substrate holding stage 11, but the positioning of the substrate S may be performed while being supported by the lift pins 12. That is, the substrate S to be processed is transported by the substrate transport robot, and after the substrate S is transferred to the lift pins 12, the lift pins 12
The contact pins 211 may be brought into contact with the end surface of the upper substrate S to position the substrate S at a predetermined position. In the case of the configuration in which the substrate S is positioned on the lift pins 12, the amount of static electricity generated at the time of positioning can be reduced as compared with the configuration in which the substrate S is positioned on the substrate holding stage 11, and the substrate due to the static electricity can be reduced. The charging of S can be further prevented.

【0053】なお、リフトピン12上で基板Sの位置決
めを行う場合、位置決め後にリフトピン12を下降させ
て、基板Sを基板保持ステージ11に保持させることに
なるので、リフトピン12を下降させる途中で基板Sの
位置がずれるおそれがある。そこで、リフトピン12を
下降させる途中での基板Sのずれを防止するために、た
とえば、リフトピン12に基板Sの裏面を吸着する機構
を設けて、リフトピン12で基板Sを吸着しつつ、リフ
トピン12を下降させるようにしてもよい。また、基板
受け渡し高さHdで基板Sがリフトピン12に受け渡さ
れた後、リフトピン12を早く下降させて、基板Sを基
板保持ステージ11(基板吸着プレート111)の上面
近傍まで下げる。そして、その基板保持ステージ11の
上面近傍で基板Sの位置決めを行った後、リフトピン1
2をゆっくりと下降させることにより、リフトピン12
上の基板Sを基板保持ステージ11に保持させるように
してもよい。
When the substrate S is positioned on the lift pins 12, the lift pins 12 are lowered after the positioning and the substrate S is held on the substrate holding stage 11, so that the substrate S is moved while the lift pins 12 are lowered. May be shifted. Therefore, in order to prevent the displacement of the substrate S during the lowering of the lift pins 12, for example, a mechanism for adsorbing the back surface of the substrate S to the lift pins 12 is provided. You may make it descend. After the substrate S is transferred to the lift pins 12 at the substrate transfer height Hd, the lift pins 12 are quickly lowered to lower the substrate S to near the upper surface of the substrate holding stage 11 (substrate suction plate 111). Then, after positioning the substrate S near the upper surface of the substrate holding stage 11, the lift pins 1
2 by slowly lowering the lift pins 12.
The upper substrate S may be held by the substrate holding stage 11.

【0054】また、上述の実施形態では、基板Sの基板
吸着プレート111への吸着時および吸着解除時におい
て、リフトピン12を少し下げて、基板Sを少したわん
だ状態にすることにより、基板吸着プレート111への
基板Sの吸着状態が緩和されるとしたが、リフトピン1
2を少し上げて、基板Sが少したわんだ状態にすること
により、基板吸着プレート111への基板Sの吸着状態
が緩和されてもよい。さらに、図6に示すように、基板
吸着プレート111がその長手方向に沿った水平軸線1
17まわりに揺動自在に設けられて、リフトピン12を
挟んで対向する一対の基板吸着プレート111の外縁部
111aを下方に下げ、基板吸着プレート111の内縁
部111bで基板Sを押し上げることにより、基板吸着
プレート111への基板Sの吸着状態が緩和されてもよ
い。なお、この場合、内縁部111bの曲面N5(図3
参照)には、基板Sとの摩擦を低減するために、樹脂を
用いたコーティングが施されていることが好ましい。こ
れにより、基板Sの裏面と曲面N5との摩擦を低減で
き、汚染物質の発生を低減できる。
In the above-described embodiment, when the substrate S is attracted to and released from the substrate attraction plate 111, the lift pins 12 are slightly lowered to bring the substrate S into a slightly deflected state. Although the state of adsorption of the substrate S to the substrate 111 is alleviated, the lift pins 1
By slightly raising the number 2 to make the substrate S bend slightly, the state of adsorption of the substrate S to the substrate adsorption plate 111 may be reduced. Further, as shown in FIG. 6, the substrate suction plate 111 has a horizontal axis 1 along its longitudinal direction.
17, the outer edges 111a of a pair of substrate suction plates 111 opposed to each other with the lift pins 12 interposed therebetween are lowered, and the substrate S is pushed up by the inner edges 111b of the substrate suction plates 111. The suction state of the substrate S on the suction plate 111 may be reduced. In this case, the curved surface N5 of the inner edge portion 111b (FIG. 3)
) Is preferably coated with a resin in order to reduce friction with the substrate S. Thereby, the friction between the back surface of the substrate S and the curved surface N5 can be reduced, and the generation of contaminants can be reduced.

【0055】さらにまた、図7に示すように、基板吸着
プレート111がその長手方向に沿った水平軸線117
まわりに揺動自在に設けられて、リフトピン12を挟ん
で対向する一対の基板吸着プレート111の外縁部11
1aを上げて、基板吸着プレート111の外縁部111
aで基板Sを押し上げることにより、基板吸着プレート
111への基板Sの吸着状態が緩和されてもよい。さら
には、リフトピン12の微小な上下動および基板吸着プ
レート111の揺動の両方が行われることにより、基板
吸着プレート111への基板Sの吸着状態が緩和されて
もよい。すなわち、リフトピン12を少し上昇させるの
と並行して、基板吸着プレート111の外縁部111a
を下方に下げ、基板吸着プレート111の内縁部111
bで基板Sを押し上げることにより、基板吸着プレート
111への基板Sの吸着状態が緩和されてもよい。ま
た、リフトピン12を少し下降させるのと並行して、基
板吸着プレート111の外縁部111aを上げて、基板
Sの中央部を基板吸着プレート111間に落とし込むこ
とにより、基板吸着プレート111への基板Sの吸着状
態が緩和されてもよい。
Further, as shown in FIG. 7, the substrate suction plate 111 has a horizontal axis 117 extending along its longitudinal direction.
Outer edge portions 11 of a pair of substrate suction plates 111 that are swingably provided around and are opposed to each other with a lift pin 12 interposed therebetween.
1a, the outer edge portion 111 of the substrate suction plate 111 is raised.
By pushing up the substrate S with a, the state of adsorption of the substrate S to the substrate adsorption plate 111 may be reduced. Furthermore, the suction state of the substrate S on the substrate suction plate 111 may be reduced by performing both the minute vertical movement of the lift pins 12 and the swing of the substrate suction plate 111. That is, in parallel with raising the lift pin 12 slightly, the outer edge portion 111a of the substrate suction plate 111 is
Is lowered, and the inner edge portion 111 of the substrate suction plate 111 is lowered.
By pushing up the substrate S with b, the state of adsorption of the substrate S to the substrate adsorption plate 111 may be reduced. Further, in parallel with slightly lowering the lift pins 12, the outer edge 111a of the substrate suction plate 111 is raised, and the center of the substrate S is dropped between the substrate suction plates 111. May be alleviated.

【0056】また、上述の実施形態では、昇降駆動機構
13として、ねじ軸133およびボールナット134な
どからなるボールねじ機構を例示したが、たとえば、シ
リンダを駆動源とするシリンダ駆動機構が採用されても
よい。さらに、上記の実施形態では、基板Sの端縁部の
不要薄膜として、レジスト液が塗布された後の基板Sの
端縁部に付着している不要なレジスト塗膜を例示した
が、この発明は、フォトレジスト液、感光性ポリイミド
樹脂、カラーフィルタ用染色剤などのような各種の薬液
を塗布した後の不要薄膜を除去するための装置に応用す
ることができる。
Further, in the above-described embodiment, a ball screw mechanism including the screw shaft 133 and the ball nut 134 has been exemplified as the lifting / lowering drive mechanism 13. However, for example, a cylinder drive mechanism using a cylinder as a drive source is adopted. Is also good. Furthermore, in the above embodiment, the unnecessary thin film adhered to the edge of the substrate S after the resist solution was applied was exemplified as the unnecessary thin film at the edge of the substrate S. Can be applied to an apparatus for removing an unnecessary thin film after applying various chemicals such as a photoresist solution, a photosensitive polyimide resin, and a color filter dye.

【0057】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施形態に係る基板端縁洗浄装置
(基板処理装置)の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a substrate edge cleaning apparatus (substrate processing apparatus) according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のII−IIから見た断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG.

【図3】基板保持ステージの構成を説明するための断面
図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a substrate holding stage.

【図4】洗浄ヘッドの構成を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing a configuration of a cleaning head.

【図5】基板の端縁部に対する洗浄処理について説明す
るための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a cleaning process for an edge portion of a substrate.

【図6】基板吸着プレートへの基板の吸着状態を緩和す
るための他の構成を説明するための図解的な断面図であ
る。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining another configuration for relaxing the state of suction of a substrate to a substrate suction plate.

【図7】基板吸着プレートへの基板の吸着状態を緩和す
るためのさらに他の構成を説明するための図解的な断面
図である。
FIG. 7 is an illustrative sectional view for explaining still another configuration for relaxing a state of suction of a substrate to a substrate suction plate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板保持機構 2 位置調整機構 3 洗浄機構 4 除電器 5 制御部 11 基板保持ステージ 12 リフトピン 13 昇降駆動機構 21A,21B,21C,21D 位置調整ヘッド 31A,31B,31C,31D 洗浄ヘッド 32A,32B,32C,32D ガイドレール 33 処理空間 111 基板吸着プレート 111A,111B,111C,111D 吸着プレー
ト片 111a 外縁部 111b 内縁部 113 吸着溝 114 エア吸引/窒素供給配管 117 水平軸線 311 上ノズルブロック 312 下ノズルブロック 313 本体ブロック 314,315 溶剤吐出ノズル 316,317 気体ノズル 318 吸引路 319 フレキシブルチューブ S 角形基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate holding mechanism 2 Position adjustment mechanism 3 Cleaning mechanism 4 Static eliminator 5 Control part 11 Substrate holding stage 12 Lift pin 13 Lifting drive mechanism 21A, 21B, 21C, 21D Position adjustment head 31A, 31B, 31C, 31D Cleaning head 32A, 32B, 32C, 32D Guide rail 33 Processing space 111 Substrate suction plate 111A, 111B, 111C, 111D Suction plate piece 111a Outer edge portion 111b Inner edge portion 113 Suction groove 114 Air suction / nitrogen supply pipe 117 Horizontal axis 311 Upper nozzle block 312 Lower nozzle block 313 Body block 314, 315 Solvent discharge nozzle 316, 317 Gas nozzle 318 Suction path 319 Flexible tube S Square substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 648 H01L 21/304 648Z (72)発明者 谷口 竹志 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁 目天神北町1番地の1 大日本スクリーン 製造株式会社内 Fターム(参考) 4F041 AA06 AB01 AB08 BA13 BA21 BA54 BA59 4F042 AA02 AA07 BA08 CC03 CC04 CC09 CC10 CC28 DF09 ED05 ED12 5F031 CA05 HA03 HA13 HA33 HA34 HA48 KA03 LA12 LA15 MA23 NA14 PA18 PA21 PA24 PA26──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) H01L 21/304 648 H01L 21/304 648Z Uchikami 4 chome 1 Tenten Kitamachi 1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. F term (reference) 4F041 AA06 AB01 AB08 BA13 BA21 BA54 BA59 4F042 AA02 AA07 BA08 CC03 CC04 CC09 CC10 CC28 DF09 ED05 ED12 5F031 CA05 HA03 HA13 HA33 HA48 KA03 LA12 LA15 MA23 NA14 PA18 PA21 PA24 PA26

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】角形基板の裏面に接触して、その角形基板
を予め定める高さでほぼ水平に支持するための第1の基
板支持手段と、 角形基板の裏面において上記第1の基板支持手段が接触
する領域よりも内方の領域に接触して、その角形基板を
単独で支持可能な第2の基板支持手段と、 この第2の基板支持手段を上記第1の基板支持手段に対
して昇降させるための昇降駆動機構と、 上記予め定める高さにおいて、角形基板が上記第1およ
び第2の基板支持手段の両方によって支持されるように
上記昇降駆動機構を制御する制御手段とを含むことを特
徴とする基板保持装置。
A first substrate supporting means for contacting the rear surface of the rectangular substrate and supporting the rectangular substrate substantially horizontally at a predetermined height; and the first substrate supporting means on the rear surface of the rectangular substrate. A second substrate supporting means capable of independently supporting the rectangular substrate in contact with a region inside the region in which the first substrate supporting member contacts the first substrate supporting means; Includes an elevating drive mechanism for elevating and lowering, and control means for controlling the elevating drive mechanism so that the rectangular substrate is supported by both the first and second substrate support means at the predetermined height. A substrate holding device characterized by the above-mentioned.
【請求項2】上記第1の基板支持手段は、平面視におい
て角形基板よりも小さな矩形状の外形を有し、その上面
に角形基板を載置可能な基板載置プレートを含むもので
あることを特徴とする請求項1記載の基板保持装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the first substrate supporting means has a rectangular outer shape smaller than the rectangular substrate in plan view, and includes a substrate mounting plate on which the rectangular substrate can be mounted. The substrate holding device according to claim 1.
【請求項3】上記基板載置プレートの上面および外端面
は、外側に湾曲した曲面で接続されていることを特徴と
する請求項2記載の基板保持装置。
3. The substrate holding apparatus according to claim 2, wherein the upper surface and the outer end surface of the substrate mounting plate are connected by a curved surface curved outward.
【請求項4】上記基板載置プレートの上面および内端面
は、外側に湾曲した曲面で接続されていることを特徴と
する請求項2または3記載の基板保持装置。
4. The substrate holding device according to claim 2, wherein the upper surface and the inner end surface of the substrate mounting plate are connected by a curved surface that is curved outward.
【請求項5】上記基板載置プレートの上面と外端面との
接続部分には、樹脂を用いたコーティングが施されてい
ることを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記載
の基板保持装置。
5. The substrate holding device according to claim 2, wherein a connecting portion between the upper surface and the outer end surface of the substrate mounting plate is coated with a resin. apparatus.
【請求項6】上記基板載置プレートの上面には、角形基
板の裏面を吸着するための吸着孔が形成されていて、 上記第1の基板支持手段は、上記基板載置プレートの上
面に角形基板の裏面を吸着して支持するものであること
を特徴とする請求項2ないし5のいずれかに記載の基板
保持装置。
6. An upper surface of the substrate mounting plate is provided with a suction hole for adsorbing a back surface of the rectangular substrate, and the first substrate supporting means has a rectangular shape on the upper surface of the substrate mounting plate. The substrate holding device according to any one of claims 2 to 5, wherein the substrate holding device sucks and supports the back surface of the substrate.
【請求項7】上記吸着孔に接続されて、基板載置プレー
トの上面に気体を供給するための気体供給手段をさらに
含むことを特徴とする請求項6記載の基板保持装置。
7. The substrate holding apparatus according to claim 6, further comprising gas supply means connected to said suction hole for supplying gas to the upper surface of the substrate mounting plate.
【請求項8】上記基板載置プレートの所定部は、その外
端面に沿った水平軸線まわりに揺動自在に構成されてい
ることを特徴とする請求項2ないし7のいずれかに記載
の基板保持装置。
8. The substrate according to claim 2, wherein the predetermined portion of the substrate mounting plate is configured to be swingable about a horizontal axis along an outer end surface thereof. Holding device.
【請求項9】上記基板載置プレートは、角形基板の各辺
にそれぞれ沿った4つのプレート片を含むことを特徴と
する請求項2ないし8のいずれかに記載の基板保持装
置。
9. The substrate holding device according to claim 2, wherein the substrate mounting plate includes four plate pieces along each side of the rectangular substrate.
【請求項10】上記4つのプレート片の少なくとも1つ
は、その外端面に沿った水平軸線まわりに揺動自在に構
成されていることを特徴とする請求項9記載の基板保持
装置。
10. The substrate holding apparatus according to claim 9, wherein at least one of said four plate pieces is configured to be swingable about a horizontal axis along an outer end surface thereof.
【請求項11】上記水平軸線まわりに揺動自在に構成さ
れたプレート片は、その外端縁が角形基板の裏面に接離
可能なように設けられていることを特徴とする請求項1
0記載の基板保持装置。
11. A plate piece configured to be swingable about the horizontal axis, the outer edge of which is provided so as to be able to contact and separate from the back surface of the rectangular substrate.
0. The substrate holding device according to item 0.
【請求項12】上記水平軸線まわりに揺動自在に構成さ
れたプレート片は、その内端縁が角形基板の裏面に接離
可能なように設けられていることを特徴とする請求項1
0記載の基板保持装置。
12. The plate piece configured to be swingable about the horizontal axis, the inner edge of which is provided so as to be able to contact and separate from the back surface of the rectangular substrate.
0. The substrate holding device according to item 0.
【請求項13】上記第2の基板支持手段は、角形基板の
裏面に当接する複数のリフトピンを含むことを特徴とす
る請求項1ないし12のいずれかに記載の基板保持装
置。
13. The substrate holding apparatus according to claim 1, wherein said second substrate supporting means includes a plurality of lift pins abutting on a back surface of the rectangular substrate.
【請求項14】上記リフトピンの先端には、角形基板の
裏面を吸着するための吸着孔が形成されていることを特
徴とする請求項13記載の基板保持装置。
14. The substrate holding device according to claim 13, wherein a suction hole for sucking a back surface of the rectangular substrate is formed at a tip of the lift pin.
【請求項15】角形基板の端面に接触して、その角形基
板の水平面内における位置を予め定める基板保持位置に
位置合わせする位置調整手段をさらに含むことを特徴と
する請求項1ないし14のいずれかに記載の基板保持装
置。
15. The apparatus according to claim 1, further comprising a position adjusting means for contacting an end surface of the rectangular substrate to adjust a position of the rectangular substrate in a horizontal plane to a predetermined substrate holding position. A substrate holding device according to any one of the above.
【請求項16】角形基板を除電するための除電手段をさ
らに含むことを特徴とする請求項1ないし15のいずれ
かに記載の基板保持装置。
16. The substrate holding apparatus according to claim 1, further comprising a static eliminator for neutralizing the rectangular substrate.
【請求項17】表面に薄膜が形成された角形基板の端縁
部を洗浄するための装置であって、 請求項1ないし16のいずれかに記載の基板保持装置
と、 この基板保持装置に保持された角形基板の端縁部に溶剤
を供給して、その端縁部に形成されている不要な薄膜を
除去する端縁洗浄手段とを含むことを特徴とする基板処
理装置。
17. An apparatus for cleaning an edge portion of a rectangular substrate having a thin film formed on a surface thereof, wherein the substrate holding apparatus according to claim 1 and a substrate holding apparatus. An edge cleaning means for supplying a solvent to an edge of the rectangular substrate thus formed and removing an unnecessary thin film formed on the edge.
【請求項18】上記端縁洗浄手段は、角形基板の端縁部
に向けて溶剤を吐出する溶剤吐出ノズルを含むことを特
徴とする請求項17記載の基板処理装置。
18. The substrate processing apparatus according to claim 17, wherein said edge cleaning means includes a solvent discharge nozzle for discharging a solvent toward an edge of the rectangular substrate.
【請求項19】上記端縁洗浄手段は、角形基板上の溶剤
供給位置近傍に向けて気体を噴射する気体ノズルをさら
に含むことを特徴とする請求項18記載の基板処理装
置。
19. The substrate processing apparatus according to claim 18, wherein said edge cleaning means further includes a gas nozzle for jetting a gas toward a vicinity of a solvent supply position on the rectangular substrate.
【請求項20】上記端縁洗浄手段は、上記溶剤吐出ノズ
ルおよび気体ノズルを一体的に保持した洗浄ヘッドと、
この洗浄ヘッドを上記基板保持装置に保持された角形基
板の辺に沿って移動させる移動機構とを含むことを特徴
とする請求項19記載の基板処理装置。
20. An edge cleaning means comprising: a cleaning head integrally holding the solvent discharge nozzle and the gas nozzle;
20. The substrate processing apparatus according to claim 19, further comprising: a moving mechanism for moving the cleaning head along a side of the rectangular substrate held by the substrate holding device.
【請求項21】上記洗浄ヘッドには、処理対象の基板の
端縁部が収容される処理空間が形成されていて、 上記端縁洗浄手段は、上記処理空間に接続されており、
その処理空間内の雰囲気を排気するための排気手段をさ
らに含むことを特徴とする請求項20記載の基板処理装
置。
21. A processing space for accommodating an edge portion of a substrate to be processed is formed in the cleaning head, wherein the edge cleaning means is connected to the processing space.
21. The substrate processing apparatus according to claim 20, further comprising exhaust means for exhausting an atmosphere in the processing space.
【請求項22】上記洗浄ヘッドは、上下に対向した一対
のブロックを備え、上記処理空間は、上記一対のブロッ
クの間に形成されており、 上記一対のブロックのそれぞれには、上記溶剤吐出ノズ
ルおよび気体ノズルが設けられていることを特徴とする
請求項21記載の基板処理装置。
22. The cleaning head includes a pair of vertically opposed blocks, the processing space is formed between the pair of blocks, and each of the pair of blocks has the solvent discharge nozzle. 22. The substrate processing apparatus according to claim 21, further comprising a gas nozzle.
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