JP2002313710A - マーク位置計測方法と装置および半導体製造装置 - Google Patents
マーク位置計測方法と装置および半導体製造装置Info
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- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
- G03B27/54—Lamp housings; Illuminating means
Abstract
(57)【要約】
【課題】 原版側マークと基板側マークの位置を求める
際に、両者のマークの光量の差が大きくても精度よくマ
ーク位置を求めることができるようにする。 【解決手段】 第１のマークであるレチクル基準マーク
１６からの反射光と、第２のマークであるステージ基準
マーク１５からの反射光とを同時に受光する撮像手段と
してのカメラ９により出力される映像信号からマーク位
置の計測を行うものであって、前記映像信号を画像メモ
リ１１ａによって記憶し順次加算する際に、レチクル基
準マーク１６用と、ステージ基準マーク１５用で異なる
加算回数を設定して、加算された画像を記憶し、記憶し
たそれぞれの画像でレチクル基準マーク１６とステージ
基準マーク１５を計測する。
際に、両者のマークの光量の差が大きくても精度よくマ
ーク位置を求めることができるようにする。 【解決手段】 第１のマークであるレチクル基準マーク
１６からの反射光と、第２のマークであるステージ基準
マーク１５からの反射光とを同時に受光する撮像手段と
してのカメラ９により出力される映像信号からマーク位
置の計測を行うものであって、前記映像信号を画像メモ
リ１１ａによって記憶し順次加算する際に、レチクル基
準マーク１６用と、ステージ基準マーク１５用で異なる
加算回数を設定して、加算された画像を記憶し、記憶し
たそれぞれの画像でレチクル基準マーク１６とステージ
基準マーク１５を計測する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体露光装置に
おいて、ウエハ等の基板の位置合わせを行う際に用いる
マーク位置計測装置および半導体製造装置に関するもの
である。
おいて、ウエハ等の基板の位置合わせを行う際に用いる
マーク位置計測装置および半導体製造装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】露光装置におけるレチクル等の原版とウ
エハ等の基板との位置合わせ（以下、「アライメント」
という）については、さまざまな方式が案出され実施さ
れている。
エハ等の基板との位置合わせ（以下、「アライメント」
という）については、さまざまな方式が案出され実施さ
れている。
【０００３】ＴＴＲ（Through The Reticule）方式の場
合、レチクル上からアライメント用照明光源（例えばレ
ーザ光）を照射し、レチクル上あるいはレチクルステー
ジ上のレチクル基準マーク（以下レチクルマークとい
う）とウエハ上あるいはウエハステージ上のステージ基
準マーク（以下ステージマークという）からの反射光を
光電検出部で検出し、例えばこの画像からマークパター
ンの中心を求めることによりウエハステージとレチクル
ステージの相対位置ずれを検出している。
合、レチクル上からアライメント用照明光源（例えばレ
ーザ光）を照射し、レチクル上あるいはレチクルステー
ジ上のレチクル基準マーク（以下レチクルマークとい
う）とウエハ上あるいはウエハステージ上のステージ基
準マーク（以下ステージマークという）からの反射光を
光電検出部で検出し、例えばこの画像からマークパター
ンの中心を求めることによりウエハステージとレチクル
ステージの相対位置ずれを検出している。
【０００４】図１を利用して、従来の技術について簡単
に説明すると、照明系１４の光源からの光はハーフミラ
ー１７、ミラー８、およびレチクル２を通って、レチク
ル２上の図２（ａ）に示すようなマーク１６を照明す
る。レチクル２上のマーク１６は反射面であるので、レ
チクル２のマーク１６の像はミラー８、およびハーフミ
ラー１７を通りカメラ９に到達し光電変換される。一方
レチクル２を透過した照明光は投影レンズ３を介してス
テージ４上の図２（ｂ）に示すようなステージマーク１
５を照明する。ステージマーク１５の反射光は再び投影
レンズ３、レチクル２、ミラー８、およびハーフミラー
１７を通ってカメラ９に到達する。カメラ９にはレチク
ル２上のマーク１６とウエハ５上のマーク１５の合成さ
れたマークが図２（ｃ）のように撮像される。
に説明すると、照明系１４の光源からの光はハーフミラ
ー１７、ミラー８、およびレチクル２を通って、レチク
ル２上の図２（ａ）に示すようなマーク１６を照明す
る。レチクル２上のマーク１６は反射面であるので、レ
チクル２のマーク１６の像はミラー８、およびハーフミ
ラー１７を通りカメラ９に到達し光電変換される。一方
レチクル２を透過した照明光は投影レンズ３を介してス
テージ４上の図２（ｂ）に示すようなステージマーク１
５を照明する。ステージマーク１５の反射光は再び投影
レンズ３、レチクル２、ミラー８、およびハーフミラー
１７を通ってカメラ９に到達する。カメラ９にはレチク
ル２上のマーク１６とウエハ５上のマーク１５の合成さ
れたマークが図２（ｃ）のように撮像される。
【０００５】近年の半導体は集積度をより大きくするた
めに、０．１５ミクロン以下の微細なパターンをウエハ
上に露光する必要が出てきた。そのため、使用する露光
光源はＫｒＦレーザ、ＡｒＦレーザさらにはＦ2 レーザ
となってきた。前記レーザはいずれもパルス出力タイプ
のレーザである。
めに、０．１５ミクロン以下の微細なパターンをウエハ
上に露光する必要が出てきた。そのため、使用する露光
光源はＫｒＦレーザ、ＡｒＦレーザさらにはＦ2 レーザ
となってきた。前記レーザはいずれもパルス出力タイプ
のレーザである。
【０００６】ＴＴＲ計測においても露光光と同じ波長の
光を使用しなければならないため、波長の短いパルスレ
ーザを使用するようになってきている。
光を使用しなければならないため、波長の短いパルスレ
ーザを使用するようになってきている。
【０００７】ウエハステージとレチクルステージの相対
位置ずれを検出するための画像取り込みは、照明光源が
レーザ光の場合、空間的コヒーレンスが高く、このまま
ウエハ等に照射したのではスペックルや干渉縞が発生し
てしまう。このために、ビームを振動させたり、回転拡
散板によりスペックル・干渉縞の位相をパルス毎に変化
させたりして、このパルスを複数回照射することにより
積算効果によってスペックル・干渉縞の影響をなくして
いる。ウエハ露光の場合、干渉縞や、スペックルを取り
除くために数十〜数百パルスが必要となる。画像取り込
みの方法に関しては特許第２６５００６６号や、特許第
２９０８０９９号に係る公報に詳しく記載されている。
位置ずれを検出するための画像取り込みは、照明光源が
レーザ光の場合、空間的コヒーレンスが高く、このまま
ウエハ等に照射したのではスペックルや干渉縞が発生し
てしまう。このために、ビームを振動させたり、回転拡
散板によりスペックル・干渉縞の位相をパルス毎に変化
させたりして、このパルスを複数回照射することにより
積算効果によってスペックル・干渉縞の影響をなくして
いる。ウエハ露光の場合、干渉縞や、スペックルを取り
除くために数十〜数百パルスが必要となる。画像取り込
みの方法に関しては特許第２６５００６６号や、特許第
２９０８０９９号に係る公報に詳しく記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】半導体露光装置の照明
光源は、先に述べたように半導体プロセスの微細化に対
応すべく、短波長化している。そのため、レンズでの光
吸収の影響が無視できなくなってきた。具体的には図１
に示すようにステージマーク１５に関しては照明光、マ
ーク反射光がレンズを往復することになるので、ステー
ジマーク１５からの反射光がレチクルマーク１６からの
反射光に比べて暗くなってしまう。レチクルマーク１６
からの反射光は、投影レンズ３を往復することはないの
でレンズによる吸収の影響は受けていない。従って、レ
チクルマーク１６とステージマーク１５を同時に観察す
る場合、光量に差が発生する。ステージマーク１５から
の反射光が暗くなり、十分な光量が得られなくなると、
得られた画像の信号コントラストが不足し、計測精度が
低下することがある。これを回避するために、ステージ
マーク１５からの反射光が明るくなるようにした場合、
レチクルマーク１６からの反射光が明るくなりすぎて、
信号が飽和してしまう。
光源は、先に述べたように半導体プロセスの微細化に対
応すべく、短波長化している。そのため、レンズでの光
吸収の影響が無視できなくなってきた。具体的には図１
に示すようにステージマーク１５に関しては照明光、マ
ーク反射光がレンズを往復することになるので、ステー
ジマーク１５からの反射光がレチクルマーク１６からの
反射光に比べて暗くなってしまう。レチクルマーク１６
からの反射光は、投影レンズ３を往復することはないの
でレンズによる吸収の影響は受けていない。従って、レ
チクルマーク１６とステージマーク１５を同時に観察す
る場合、光量に差が発生する。ステージマーク１５から
の反射光が暗くなり、十分な光量が得られなくなると、
得られた画像の信号コントラストが不足し、計測精度が
低下することがある。これを回避するために、ステージ
マーク１５からの反射光が明るくなるようにした場合、
レチクルマーク１６からの反射光が明るくなりすぎて、
信号が飽和してしまう。
【０００９】本発明は、レチクル等の原版側のマークと
ウエハ等の基板側のマークの位置を求める際に、両者の
マークのコントラスト（光量）の差が大きくても精度よ
くマーク位置を求めることができるマーク位置計測装置
等を提供することを目的としている。
ウエハ等の基板側のマークの位置を求める際に、両者の
マークのコントラスト（光量）の差が大きくても精度よ
くマーク位置を求めることができるマーク位置計測装置
等を提供することを目的としている。
【００１０】
【解決するための手段】上記目的を達成するために、本
発明は、第１のマークからの反射光と、第２のマークか
らの反射光とを同時に受光する撮像手段により出力され
る映像信号からマーク位置の計測を行うマーク位置計測
方法において、前記映像信号をメモリ手段によって記憶
し順次加算する際に、前記第１のマーク用と、第２のマ
ーク用とで異なる加算回数を設定し、加算された画像を
記憶し、記憶したそれぞれの画像で第１のマークと第２
のマークを計測することを特徴とする。１回目に記憶し
た画像から第１のマーク用画像の加算回数と、第２のマ
ーク用画像の加算回数を求めることが可能であり、１回
目に記憶した画像から第１のマークと第２のマークの明
るさを求めた結果に基づき、第１のマーク用画像の加算
回数と、第２のマーク用画像の加算回数を設定すること
が可能である。
発明は、第１のマークからの反射光と、第２のマークか
らの反射光とを同時に受光する撮像手段により出力され
る映像信号からマーク位置の計測を行うマーク位置計測
方法において、前記映像信号をメモリ手段によって記憶
し順次加算する際に、前記第１のマーク用と、第２のマ
ーク用とで異なる加算回数を設定し、加算された画像を
記憶し、記憶したそれぞれの画像で第１のマークと第２
のマークを計測することを特徴とする。１回目に記憶し
た画像から第１のマーク用画像の加算回数と、第２のマ
ーク用画像の加算回数を求めることが可能であり、１回
目に記憶した画像から第１のマークと第２のマークの明
るさを求めた結果に基づき、第１のマーク用画像の加算
回数と、第２のマーク用画像の加算回数を設定すること
が可能である。
【００１１】要するに、本発明では、第１のマークと第
２のマークの反射光から得られる画像を、それぞれが最
適な状態のもので計測する。具体的に例を挙げると、レ
チクルマークの反射光から得られる画像が必要な信号量
に達した時点でレチクルマークを計測し、その後ステー
ジマークの反射光から得られる画像が必要な信号量に達
した時点でステージマークを計測する。
２のマークの反射光から得られる画像を、それぞれが最
適な状態のもので計測する。具体的に例を挙げると、レ
チクルマークの反射光から得られる画像が必要な信号量
に達した時点でレチクルマークを計測し、その後ステー
ジマークの反射光から得られる画像が必要な信号量に達
した時点でステージマークを計測する。
【００１２】また、本発明は、第１のマークからの反射
光と、第１のマークより暗い第２のマークからの反射光
とを同時に受光する撮像手段により出力される映像信号
からマーク位置の計測を行うマーク位置計測方法におい
て、前記映像信号をメモリ手段によって記憶し順次加算
する際に、加算された映像信号中の第１のマークの部分
を検出し、第１のマークの部分が閾値を超えたところ
で、第１の画像として記憶し、さらに加算を継続し加算
された映像信号中の第２のマークの部分を検出し、第２
のマークの部分が閾値を超えたところで、第２の画像と
して記憶し、記憶したそれぞれの画像で第１のマークと
第２のマークを計測することを特徴としてもよい。
光と、第１のマークより暗い第２のマークからの反射光
とを同時に受光する撮像手段により出力される映像信号
からマーク位置の計測を行うマーク位置計測方法におい
て、前記映像信号をメモリ手段によって記憶し順次加算
する際に、加算された映像信号中の第１のマークの部分
を検出し、第１のマークの部分が閾値を超えたところ
で、第１の画像として記憶し、さらに加算を継続し加算
された映像信号中の第２のマークの部分を検出し、第２
のマークの部分が閾値を超えたところで、第２の画像と
して記憶し、記憶したそれぞれの画像で第１のマークと
第２のマークを計測することを特徴としてもよい。
【００１３】また、本発明は、第１のマークからの反射
光と、第２のマークからの反射光を同時に受光する撮像
手段により出力される映像信号からマーク位置の計測を
行うマーク位置計測方法において、前記映像信号をメモ
リ手段によって記憶する際に、前記第１のマーク用の光
蓄積時間と、第２のマーク用の光蓄積時間を前記撮像手
段に設定し、それぞれの光蓄積時間で記憶した画像で第
１のマークと第２のマークを計測することを特徴として
もよい。第１のマーク用に記憶した画像から第２のマー
ク用の光蓄積時間を求めることが可能である。第１のマ
ーク用に記憶した画像から第１のマークと第２のマーク
の光量を求めた結果に基づき、第２のマーク用の光蓄積
時間を設定することも可能である。
光と、第２のマークからの反射光を同時に受光する撮像
手段により出力される映像信号からマーク位置の計測を
行うマーク位置計測方法において、前記映像信号をメモ
リ手段によって記憶する際に、前記第１のマーク用の光
蓄積時間と、第２のマーク用の光蓄積時間を前記撮像手
段に設定し、それぞれの光蓄積時間で記憶した画像で第
１のマークと第２のマークを計測することを特徴として
もよい。第１のマーク用に記憶した画像から第２のマー
ク用の光蓄積時間を求めることが可能である。第１のマ
ーク用に記憶した画像から第１のマークと第２のマーク
の光量を求めた結果に基づき、第２のマーク用の光蓄積
時間を設定することも可能である。
【００１４】また、本発明は、第１のマークからの反射
光と、第２のマークからの反射光とを同時に受光する撮
像手段により出力される映像信号からマーク位置の計測
を行うマーク位置計測装置において、前記映像信号につ
いて前記第１のマーク用と、第２のマーク用としてそれ
ぞれ設定した互いに異なる加算回数にて順次加算した画
像を記憶するメモリ手段と、該メモリ手段によって記憶
したそれぞれの加算した画像で第１のマークと第２のマ
ークを計測する手段とを有することを特徴としていても
よい。
光と、第２のマークからの反射光とを同時に受光する撮
像手段により出力される映像信号からマーク位置の計測
を行うマーク位置計測装置において、前記映像信号につ
いて前記第１のマーク用と、第２のマーク用としてそれ
ぞれ設定した互いに異なる加算回数にて順次加算した画
像を記憶するメモリ手段と、該メモリ手段によって記憶
したそれぞれの加算した画像で第１のマークと第２のマ
ークを計測する手段とを有することを特徴としていても
よい。
【００１５】また、本発明は、第１のマークからの反射
光と、第１のマークより暗い第２のマークからの反射光
とを同時に受光する撮像手段により出力される映像信号
からマーク位置の計測を行うマーク位置計測装置におい
て、順次加算された前記映像信号中の前記第１のマーク
の部分および第２のマークの部分を検出する手段と、前
記第１のマークの部分が閾値を超えたところで、第１の
画像として記憶し、前記第２のマークの部分が閾値を超
えたところで、第２の画像として記憶するメモリ手段
と、記憶したそれぞれの画像で第１のマークと第２のマ
ークを計測する手段とを有することを特徴としてもよ
い。
光と、第１のマークより暗い第２のマークからの反射光
とを同時に受光する撮像手段により出力される映像信号
からマーク位置の計測を行うマーク位置計測装置におい
て、順次加算された前記映像信号中の前記第１のマーク
の部分および第２のマークの部分を検出する手段と、前
記第１のマークの部分が閾値を超えたところで、第１の
画像として記憶し、前記第２のマークの部分が閾値を超
えたところで、第２の画像として記憶するメモリ手段
と、記憶したそれぞれの画像で第１のマークと第２のマ
ークを計測する手段とを有することを特徴としてもよ
い。
【００１６】また、本発明は、第１のマークからの反射
光と、第２のマークからの反射光を同時に受光する撮像
手段により出力される映像信号からマーク位置の計測を
行うマーク位置計測装置において、前記映像信号を記憶
するメモリ手段と、前記第１のマーク用の光蓄積時間、
および第２のマーク用の光蓄積時間を前記撮像手段に設
定し、それぞれの光蓄積時間にて前記メモリ手段に記憶
した画像で第１のマークと第２のマークを計測する手段
とを有することを特徴としてもよい。
光と、第２のマークからの反射光を同時に受光する撮像
手段により出力される映像信号からマーク位置の計測を
行うマーク位置計測装置において、前記映像信号を記憶
するメモリ手段と、前記第１のマーク用の光蓄積時間、
および第２のマーク用の光蓄積時間を前記撮像手段に設
定し、それぞれの光蓄積時間にて前記メモリ手段に記憶
した画像で第１のマークと第２のマークを計測する手段
とを有することを特徴としてもよい。
【００１７】また、本発明は、原版上のパターンを投影
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、原版上および原版ステージのいずれかの
上の第１のマークと、投影レンズを通して基板および基
板ステージのいずれかの上の第２のマークとを撮像手段
によって同時に撮像し、第１のマークと第２のマークの
相対距離を測定する際に、前記撮像手段によって得られ
る映像信号をメモリ手段によって記憶し、前記第１のマ
ーク用と、第２のマーク用とで異なる加算回数を設定
し、順次加算し、得られたそれぞれの画像で第１のマー
クと第２のマークの位置を計測し、前記原版と基板との
相対距離を計測する手段を有することを特徴としてもよ
い。１回目に記憶した画像から第１のマーク用画像の加
算回数と、第２のマーク用加算回数を求めることが可能
であり、１回目に記憶した画像から第１のマークと第２
のマークの明るさを求めた結果に基づき、第１のマーク
の加算回数と、第２のマークの加算回数を設定すること
が可能である。
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、原版上および原版ステージのいずれかの
上の第１のマークと、投影レンズを通して基板および基
板ステージのいずれかの上の第２のマークとを撮像手段
によって同時に撮像し、第１のマークと第２のマークの
相対距離を測定する際に、前記撮像手段によって得られ
る映像信号をメモリ手段によって記憶し、前記第１のマ
ーク用と、第２のマーク用とで異なる加算回数を設定
し、順次加算し、得られたそれぞれの画像で第１のマー
クと第２のマークの位置を計測し、前記原版と基板との
相対距離を計測する手段を有することを特徴としてもよ
い。１回目に記憶した画像から第１のマーク用画像の加
算回数と、第２のマーク用加算回数を求めることが可能
であり、１回目に記憶した画像から第１のマークと第２
のマークの明るさを求めた結果に基づき、第１のマーク
の加算回数と、第２のマークの加算回数を設定すること
が可能である。
【００１８】また、本発明は、原版上のパターンを投影
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、原版および原版ステージのいずれかの上
の第１のマークと、投影レンズを通して基板および基板
ステージのいずれかの上の第２のマークとを撮像手段に
よって同時に撮像し、第１のマークと第２のマークの相
対距離を測定する際に、前記撮像手段によって得られる
映像信号をメモリ手段によって記憶し順次加算し、加算
された映像信号中の第１のマークの部分を検出し、第１
のマークの部分が閾値を超えたところで、第１の画像と
して記憶し、さらに加算を継続し加算された映像信号中
の第２のマークの部分を検出し、第２のマークの部分が
閾値を超えたところで、第２の画像として記憶し、記憶
したそれぞれの画像で第１のマークと第２のマークの位
置を計測し、前記原版と基板との相対距離を計測する手
段を有することを特徴としてもよい。
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、原版および原版ステージのいずれかの上
の第１のマークと、投影レンズを通して基板および基板
ステージのいずれかの上の第２のマークとを撮像手段に
よって同時に撮像し、第１のマークと第２のマークの相
対距離を測定する際に、前記撮像手段によって得られる
映像信号をメモリ手段によって記憶し順次加算し、加算
された映像信号中の第１のマークの部分を検出し、第１
のマークの部分が閾値を超えたところで、第１の画像と
して記憶し、さらに加算を継続し加算された映像信号中
の第２のマークの部分を検出し、第２のマークの部分が
閾値を超えたところで、第２の画像として記憶し、記憶
したそれぞれの画像で第１のマークと第２のマークの位
置を計測し、前記原版と基板との相対距離を計測する手
段を有することを特徴としてもよい。
【００１９】また、本発明は、原版上のパターンを投影
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、原版および原版ステージのいずれかの上
の第１のマークと、投影レンズを通して基板および基板
ステージのいずれかの上の第２のマークとを撮像手段に
よって同時に撮像し、第１のマークと第２のマークの相
対距離を測定する際に、前記撮像手段によって得られる
映像信号をメモリ手段によって記憶する際に、前記第１
のマーク用の光蓄積時間と、第２のマーク用の光蓄積時
間を前記撮像手段に設定し、それぞれの光蓄積時間で記
憶した画像で第１のマークと第２のマークの位置を計測
し、前記原版と基板の相対距離を計測する手段を有する
ことを特徴としてもよい、第１のマーク用に記憶した画
像から第２のマーク用の光蓄積時間を求めることが可能
であり、第１のマーク用に記憶した画像から第１のマー
クと第２のマークの光量を求めた結果に基づき、第２の
マーク用の光蓄積時間を設定することが可能である。
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、原版および原版ステージのいずれかの上
の第１のマークと、投影レンズを通して基板および基板
ステージのいずれかの上の第２のマークとを撮像手段に
よって同時に撮像し、第１のマークと第２のマークの相
対距離を測定する際に、前記撮像手段によって得られる
映像信号をメモリ手段によって記憶する際に、前記第１
のマーク用の光蓄積時間と、第２のマーク用の光蓄積時
間を前記撮像手段に設定し、それぞれの光蓄積時間で記
憶した画像で第１のマークと第２のマークの位置を計測
し、前記原版と基板の相対距離を計測する手段を有する
ことを特徴としてもよい、第１のマーク用に記憶した画
像から第２のマーク用の光蓄積時間を求めることが可能
であり、第１のマーク用に記憶した画像から第１のマー
クと第２のマークの光量を求めた結果に基づき、第２の
マーク用の光蓄積時間を設定することが可能である。
【００２０】また、本発明は、原版上のパターンを投影
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、スコープの指標を示す第１のマークと、
スコープを通して基板および基板ステージのいずれかの
上の第２のマークとを撮像手段によって同時に撮像し、
第１のマークと第２のマークの相対距離を測定する際
に、前記撮像手段によって得られる映像信号をメモリ手
段によって記憶し、前記第１のマーク用と、第２のマー
ク用とで異なる加算回数を設定し、順次加算し、得られ
たそれぞれの画像で第１のマークと第２のマークの位置
を計測し、前記原版と基板との相対距離を計測する手段
を有することを特徴としてもよい。１回目に記憶した画
像から第１のマーク用画像の加算回数と、第２のマーク
用加算回数を求めることが可能であり、１回目に記憶し
た画像から第１のマークと第２のマークの明るさを求め
た結果に基づき、第１のマークの加算回数と、第２のマ
ークの加算回数を設定することが可能である。
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、スコープの指標を示す第１のマークと、
スコープを通して基板および基板ステージのいずれかの
上の第２のマークとを撮像手段によって同時に撮像し、
第１のマークと第２のマークの相対距離を測定する際
に、前記撮像手段によって得られる映像信号をメモリ手
段によって記憶し、前記第１のマーク用と、第２のマー
ク用とで異なる加算回数を設定し、順次加算し、得られ
たそれぞれの画像で第１のマークと第２のマークの位置
を計測し、前記原版と基板との相対距離を計測する手段
を有することを特徴としてもよい。１回目に記憶した画
像から第１のマーク用画像の加算回数と、第２のマーク
用加算回数を求めることが可能であり、１回目に記憶し
た画像から第１のマークと第２のマークの明るさを求め
た結果に基づき、第１のマークの加算回数と、第２のマ
ークの加算回数を設定することが可能である。
【００２１】また、本発明は、原版上のパターンを投影
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、スコープの指標を示す第１のマークと、
スコープを通して基板および基板ステージのいずれかの
上の第２のマークとを撮像手段によって同時に撮像し、
第１のマークと第２のマークの相対距離を測定する際
に、前記撮像手段によって得られる映像信号をメモリ手
段によって記憶し順次加算し、加算された映像信号中の
第１のマークの部分を検出し、第１のマークの部分が閾
値を超えたところで、第１の画像として記憶し、さらに
加算を継続し加算された映像信号中の第２のマークの部
分を検出し、第２のマークの部分が閾値を超えたところ
で、第２の画像として記憶し、記憶したそれぞれの画像
で第１のマークと第２のマークの位置を計測し、前記原
版と基板との相対距離を計測する手段を有することを特
徴としてもよい。
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、スコープの指標を示す第１のマークと、
スコープを通して基板および基板ステージのいずれかの
上の第２のマークとを撮像手段によって同時に撮像し、
第１のマークと第２のマークの相対距離を測定する際
に、前記撮像手段によって得られる映像信号をメモリ手
段によって記憶し順次加算し、加算された映像信号中の
第１のマークの部分を検出し、第１のマークの部分が閾
値を超えたところで、第１の画像として記憶し、さらに
加算を継続し加算された映像信号中の第２のマークの部
分を検出し、第２のマークの部分が閾値を超えたところ
で、第２の画像として記憶し、記憶したそれぞれの画像
で第１のマークと第２のマークの位置を計測し、前記原
版と基板との相対距離を計測する手段を有することを特
徴としてもよい。
【００２２】また、本発明は、原版上のパターンを投影
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、スコープの指標を示す第１のマークと、
スコープを通して基板および基板ステージのいずれかの
上の第２のマークとを撮像手段によって同時に撮像し、
第１のマークと第２のマークの相対距離を測定する際
に、前記撮像手段によって得られる映像信号をメモリ手
段によって記憶する際に、前記第１のマーク用の光蓄積
時間と、第２のマーク用の光蓄積時間を前記撮像手段に
設定し、それぞれの光蓄積時間で記憶した画像で第１の
マークと第２のマークの位置を計測し、前記原版と基板
の相対距離を計測する手段を有することを特徴としても
よい。第１のマーク用に記憶した画像から第２のマーク
用の光蓄積時間を求めることが可能であり、第１のマー
ク用に記憶した画像から第１のマークと第２のマークの
光量を求めた結果に基づき、第２のマーク用の光蓄積時
間を設定することが可能である。
レンズを介してステージ上の基板に露光する半導体製造
装置において、スコープの指標を示す第１のマークと、
スコープを通して基板および基板ステージのいずれかの
上の第２のマークとを撮像手段によって同時に撮像し、
第１のマークと第２のマークの相対距離を測定する際
に、前記撮像手段によって得られる映像信号をメモリ手
段によって記憶する際に、前記第１のマーク用の光蓄積
時間と、第２のマーク用の光蓄積時間を前記撮像手段に
設定し、それぞれの光蓄積時間で記憶した画像で第１の
マークと第２のマークの位置を計測し、前記原版と基板
の相対距離を計測する手段を有することを特徴としても
よい。第１のマーク用に記憶した画像から第２のマーク
用の光蓄積時間を求めることが可能であり、第１のマー
ク用に記憶した画像から第１のマークと第２のマークの
光量を求めた結果に基づき、第２のマーク用の光蓄積時
間を設定することが可能である。
【００２３】また、本発明は、上記いずれかの半導体製
造装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造
工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプ
ロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有す
る半導体デバイス製造方法にも適用可能である。前記製
造装置群をローカルエリアネットワークで接続する工程
と、前記ローカルエリアネットワークと前記半導体製造
工場外の外部ネットワークとの間で、前記製造装置群の
少なくとも１台に関する情報をデータ通信する工程とを
さらに有することが望ましく、前記半導体製造装置のベ
ンダもしくはユーザが提供するデータベースに前記外部
ネットワークを介してアクセスしてデータ通信によって
前記製造装置の保守情報を得る、もしくは前記半導体製
造工場とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネット
ワークを介してデータ通信して生産管理を行うことが好
ましい。
造装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造
工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプ
ロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有す
る半導体デバイス製造方法にも適用可能である。前記製
造装置群をローカルエリアネットワークで接続する工程
と、前記ローカルエリアネットワークと前記半導体製造
工場外の外部ネットワークとの間で、前記製造装置群の
少なくとも１台に関する情報をデータ通信する工程とを
さらに有することが望ましく、前記半導体製造装置のベ
ンダもしくはユーザが提供するデータベースに前記外部
ネットワークを介してアクセスしてデータ通信によって
前記製造装置の保守情報を得る、もしくは前記半導体製
造工場とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネット
ワークを介してデータ通信して生産管理を行うことが好
ましい。
【００２４】また、本発明は、上記いずれかの半導体製
造装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装
置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロー
カルエリアネットワークから工場外の外部ネットワーク
にアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装
置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信するこ
とを可能にした半導体製造工場にも適用可能である。
造装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装
置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロー
カルエリアネットワークから工場外の外部ネットワーク
にアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装
置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信するこ
とを可能にした半導体製造工場にも適用可能である。
【００２５】また、本発明は、半導体製造工場に設置さ
れた上記いずれかの半導体製造装置の保守方法であっ
て、前記半導体製造装置のベンダもしくはユーザが、半
導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守デー
タベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内から
前記外部ネットワークを介して前記保守データベースへ
のアクセスを許可する工程と、前記保守データベースに
蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して半
導体製造工場側に送信する工程とを有する半導体製造装
置の保守方法にも適用可能である。
れた上記いずれかの半導体製造装置の保守方法であっ
て、前記半導体製造装置のベンダもしくはユーザが、半
導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守デー
タベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内から
前記外部ネットワークを介して前記保守データベースへ
のアクセスを許可する工程と、前記保守データベースに
蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して半
導体製造工場側に送信する工程とを有する半導体製造装
置の保守方法にも適用可能である。
【００２６】また、本発明は、上記いずれかの半導体製
造装置において、ディスプレイと、ネットワークインタ
フェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコ
ンピュータとをさらに有し、半導体製造装置の保守情報
をコンピュータネットワークを介してデータ通信するこ
とを可能にしたことを特徴としてもよい。前記ネットワ
ーク用ソフトウェアは、前記半導体製造装置が設置され
た工場の外部ネットワークに接続され前記半導体製造装
置のベンダもしくはユーザが提供する保守データベース
にアクセスするためのユーザインタフェースを前記ディ
スプレイ上に提供し、前記外部ネットワークを介して該
データベースから情報を得ることを可能にすることが好
ましい。
造装置において、ディスプレイと、ネットワークインタ
フェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコ
ンピュータとをさらに有し、半導体製造装置の保守情報
をコンピュータネットワークを介してデータ通信するこ
とを可能にしたことを特徴としてもよい。前記ネットワ
ーク用ソフトウェアは、前記半導体製造装置が設置され
た工場の外部ネットワークに接続され前記半導体製造装
置のベンダもしくはユーザが提供する保守データベース
にアクセスするためのユーザインタフェースを前記ディ
スプレイ上に提供し、前記外部ネットワークを介して該
データベースから情報を得ることを可能にすることが好
ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明
の第１の実施形態を示すブロック図である。同図におい
て、パルスレーザを光源とする照明手段である照明系１
４から照射される照明光は、原版としてのレチクル２、
投影レンズ系３を経てウエハステージ４上の基板である
ウエハ５を露光する。
の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明
の第１の実施形態を示すブロック図である。同図におい
て、パルスレーザを光源とする照明手段である照明系１
４から照射される照明光は、原版としてのレチクル２、
投影レンズ系３を経てウエハステージ４上の基板である
ウエハ５を露光する。
【００２８】ウエハステージ４は、駆動手段であるステ
ージ駆動系６およびウエハステージ駆動装置６ｗによっ
て、紙面に垂直な平面内において互に直交する２軸（Ｘ
軸、Ｙ軸）のそれぞれに沿った方向に往復移動可能であ
り、かつ前記平面に垂直に交わる１軸（Ｚ軸）の回りに
回転可能である。
ージ駆動系６およびウエハステージ駆動装置６ｗによっ
て、紙面に垂直な平面内において互に直交する２軸（Ｘ
軸、Ｙ軸）のそれぞれに沿った方向に往復移動可能であ
り、かつ前記平面に垂直に交わる１軸（Ｚ軸）の回りに
回転可能である。
【００２９】レチクル２を保持するレチクルステージ２
ａもステージ駆動系６およびレチクルステージ駆動装置
６ｒによってＸ軸およびＹ軸のそれぞれに沿った方向に
往復移動自在であり、かつＺ軸の回りに回転自在であ
る。すなわち、ステージ駆動系６は、後述する主制御装
置１２によって、レチクルステージ２ａおよびウエハス
テージ４の相対位置を調整する。
ａもステージ駆動系６およびレチクルステージ駆動装置
６ｒによってＸ軸およびＹ軸のそれぞれに沿った方向に
往復移動自在であり、かつＺ軸の回りに回転自在であ
る。すなわち、ステージ駆動系６は、後述する主制御装
置１２によって、レチクルステージ２ａおよびウエハス
テージ４の相対位置を調整する。
【００３０】レチクル２およびウエハ５のそれぞれに設
けられた位置合わせマークであるアライメントマークの
位置関係を検出するアライメント検出系７は、照明光の
波面を時間的に変化させてスペックルを抑制する機能を
備える照明系１４による照明光の一部をアライメント用
照明光として用いる。ハーフミラー１７、ミラー８、お
よび投影レンズ系３を経てステージマーク１５に到達し
て、反射し、投影レンズ系３、ミラー８、およびハーフ
ミラー１７を経た反射光と、ハーフミラー１７、および
ミラー８を経てレチクルマーク１６に到達して、反射
し、ミラー８、およびハーフミラー１７を経た反射光と
がＣＣＤカメラ９によって検出される。
けられた位置合わせマークであるアライメントマークの
位置関係を検出するアライメント検出系７は、照明光の
波面を時間的に変化させてスペックルを抑制する機能を
備える照明系１４による照明光の一部をアライメント用
照明光として用いる。ハーフミラー１７、ミラー８、お
よび投影レンズ系３を経てステージマーク１５に到達し
て、反射し、投影レンズ系３、ミラー８、およびハーフ
ミラー１７を経た反射光と、ハーフミラー１７、および
ミラー８を経てレチクルマーク１６に到達して、反射
し、ミラー８、およびハーフミラー１７を経た反射光と
がＣＣＤカメラ９によって検出される。
【００３１】ステージマーク１５の形状の一例を図２
（ｂ）に示し、レチクルマーク１６の形状の一例を図２
（ａ）に示す。なお、実際の縮小投影露光装置において
は、上記アライメント検出系７と同様の検出系が、投影
レンズ系３の光軸に対して対称位置に設けられるが、図
１においては省略した。
（ｂ）に示し、レチクルマーク１６の形状の一例を図２
（ａ）に示す。なお、実際の縮小投影露光装置において
は、上記アライメント検出系７と同様の検出系が、投影
レンズ系３の光軸に対して対称位置に設けられるが、図
１においては省略した。
【００３２】アライメント検出系７におけるＣＣＤカメ
ラ９の光蓄積と照明系１４のレーザ発振は同期信号発生
器１３によって同期が取られ、一定の蓄積時間内に常に
同じパルス数の光が入射するように制御される。詳細は
特許第２６５００６６号に係る公報に記載されている。
ラ９の光蓄積と照明系１４のレーザ発振は同期信号発生
器１３によって同期が取られ、一定の蓄積時間内に常に
同じパルス数の光が入射するように制御される。詳細は
特許第２６５００６６号に係る公報に記載されている。
【００３３】次に、マーク計測方法を説明する。ＮＴＳ
Ｃ方式などの光蓄積時間が固定のカメラの場合、図３
（ｄ）に示すフレーム１（Ｆｒａｍｅ１）〜フレーム４
（Ｆｒａｍｅ４）のように時系列的に蓄積された画像が
カメラ９から転送されてくる。図３（ａ）に示されるＸ
側マークの画像は予め設定されたウインドウ（Ｗｉｎ）
内の画像を矢印の方向に投影し信号を作成する（図３
（ｂ））。ステージマーク１５の信号強度（ＳＳ１）
は、レンズの吸収の影響を受けてレチクルマーク１６の
信号強度（ＳＲ１）より低い。レチクルマーク１６に関
しては信号強度ＳＲ１で検出できるように照明系内の調
光手段を用いて計測可能な光量になるように調整が可能
である。
Ｃ方式などの光蓄積時間が固定のカメラの場合、図３
（ｄ）に示すフレーム１（Ｆｒａｍｅ１）〜フレーム４
（Ｆｒａｍｅ４）のように時系列的に蓄積された画像が
カメラ９から転送されてくる。図３（ａ）に示されるＸ
側マークの画像は予め設定されたウインドウ（Ｗｉｎ）
内の画像を矢印の方向に投影し信号を作成する（図３
（ｂ））。ステージマーク１５の信号強度（ＳＳ１）
は、レンズの吸収の影響を受けてレチクルマーク１６の
信号強度（ＳＲ１）より低い。レチクルマーク１６に関
しては信号強度ＳＲ１で検出できるように照明系内の調
光手段を用いて計測可能な光量になるように調整が可能
である。
【００３４】しかし、ステージマーク１５は暗いため、
このままでは計測できない。そこで、信号強度ＳＳ１が
信号強度ＳＲ１に対し光量としてどれだけ暗いかを求
め、不足している光量を複数回画像を取り込むことによ
って補う。例えば、図３（ｂ）の場合、ステージマーク
１５はレチクルマーク１６の約１／４の光量である。そ
こで、あと３回画像を取り込み、合計４画像を加算し、
レチクルマーク１６の信号強度とほぼ同じ強度の信号を
作成する。その様子を図３（ｃ）に示した。この場合、
レチクルマーク１６の信号の加算は考えない。信号加算
を４回行ってＳＵＭ４なる強度まで信号のコントラスト
（光量）を上げる。なお、ここでの説明では最初の光量
検出の画像は１回の取り込み画像とした。しかし画像の
ノイズを取り除くために、２回以上のｎ回加算画像でも
よい。その場合上の例での４回の加算を４×ｎ回とすれ
ばよい。
このままでは計測できない。そこで、信号強度ＳＳ１が
信号強度ＳＲ１に対し光量としてどれだけ暗いかを求
め、不足している光量を複数回画像を取り込むことによ
って補う。例えば、図３（ｂ）の場合、ステージマーク
１５はレチクルマーク１６の約１／４の光量である。そ
こで、あと３回画像を取り込み、合計４画像を加算し、
レチクルマーク１６の信号強度とほぼ同じ強度の信号を
作成する。その様子を図３（ｃ）に示した。この場合、
レチクルマーク１６の信号の加算は考えない。信号加算
を４回行ってＳＵＭ４なる強度まで信号のコントラスト
（光量）を上げる。なお、ここでの説明では最初の光量
検出の画像は１回の取り込み画像とした。しかし画像の
ノイズを取り除くために、２回以上のｎ回加算画像でも
よい。その場合上の例での４回の加算を４×ｎ回とすれ
ばよい。
【００３５】次に、画像加算について説明する。アライ
メント検出系７内のカメラ９からの出力はＡＤ変換され
て画像メモリ１１ａに記憶される。画像メモリ１１ａ
は、複数の画像を記憶することができる。例えば、本実
施形態の場合、１〜４回の取り込み画像を記憶すること
ができればよい。そして、画像処理装置１１によって、
複数の画像を加算する。本実施形態の場合、画像メモリ
１１ａに記憶されている４画像を加算してステージマー
ク１５の計測画像を作成し、ＳＵＭ４の加算画像を作成
する。
メント検出系７内のカメラ９からの出力はＡＤ変換され
て画像メモリ１１ａに記憶される。画像メモリ１１ａ
は、複数の画像を記憶することができる。例えば、本実
施形態の場合、１〜４回の取り込み画像を記憶すること
ができればよい。そして、画像処理装置１１によって、
複数の画像を加算する。本実施形態の場合、画像メモリ
１１ａに記憶されている４画像を加算してステージマー
ク１５の計測画像を作成し、ＳＵＭ４の加算画像を作成
する。
【００３６】マークの位置検出は、画像処理装置１１に
よって１回目の取り込み画像からレチクルマーク１６の
位置ＲＸ１，ＲＸ２を求め、ＲＸ１とＲＸ２の平均値よ
りレチクルマーク１６の位置ＲＸＣが求められる。一
方、４回加算した画像からステージマーク１５の位置Ｓ
Ｘが求められる。ＲＸＣとＳＸとの差、即ちＲＸＣ−Ｓ
Ｘよりレチクルマーク１６とステージマーク１５のずれ
量が求められる。
よって１回目の取り込み画像からレチクルマーク１６の
位置ＲＸ１，ＲＸ２を求め、ＲＸ１とＲＸ２の平均値よ
りレチクルマーク１６の位置ＲＸＣが求められる。一
方、４回加算した画像からステージマーク１５の位置Ｓ
Ｘが求められる。ＲＸＣとＳＸとの差、即ちＲＸＣ−Ｓ
Ｘよりレチクルマーク１６とステージマーク１５のずれ
量が求められる。
【００３７】４回の画像取り込み中にレチクルマーク１
６の位置がずれることも懸念されるため、１回目の画像
だけでなく４回目の画像からレチクル中心位置ＲＸＣ
（４）を求め、ＲＸＣとＲＸＣ（４）の平均値をＲＸＣ
としてもよい。さらに、各画像データからＲＸＣ
（１），ＲＸＣ（２），ＲＸＣ（３），ＲＸＣ（４）を
それぞれ求め、これらの平均値を用いても正確なレチク
ルマーク１６の位置が算出できる。以上の計測結果に基
づいてウエハステージ４もしくはレチクルステージ２ａ
あるいは両方を移動させて、レチクル２とウエハ５のア
ライメントを行う。
６の位置がずれることも懸念されるため、１回目の画像
だけでなく４回目の画像からレチクル中心位置ＲＸＣ
（４）を求め、ＲＸＣとＲＸＣ（４）の平均値をＲＸＣ
としてもよい。さらに、各画像データからＲＸＣ
（１），ＲＸＣ（２），ＲＸＣ（３），ＲＸＣ（４）を
それぞれ求め、これらの平均値を用いても正確なレチク
ルマーク１６の位置が算出できる。以上の計測結果に基
づいてウエハステージ４もしくはレチクルステージ２ａ
あるいは両方を移動させて、レチクル２とウエハ５のア
ライメントを行う。
【００３８】図５を用いて、第１の実施形態の場合の計
測のフローを説明する。まず、ステップＳ１０１で１回
目の画像取り込みを行う。次いで、ステップＳ１０２に
おいてレチクルマーク１６の明るさＳＲ１とステージマ
ーク１５の明るさＳＳ１を求める。次に、ステップＳ１
０３でステージマーク１５とレチクルマーク１６の明る
さの割合からステージマーク１５の記憶回数Ｓｎ（＝Ｓ
Ｒ１／ＳＳ１）を算出し、画像の記憶をＳｎ回繰り返す
（ステップＳ１０４，Ｓ１０５，Ｓ１０６）。画像の記
憶回数がＳｎ回を超えたら、ステップＳ１０７で１〜Ｓ
ｎの画像からそれぞれレチクルマーク１６の中心を求
め、その平均値ＲＣを求める。その後、ステップＳ１０
８では、１〜Ｓｎの画像を加算し、ステップＳ１０９で
加算画像からステージマーク１５の位置ＳＣを求める。
最後に、ステップＳ１１０でレチクルマーク１６とステ
ージマーク１５のずれ量Ｚ（＝ＲＣ−ＳＣ）を求める。
測のフローを説明する。まず、ステップＳ１０１で１回
目の画像取り込みを行う。次いで、ステップＳ１０２に
おいてレチクルマーク１６の明るさＳＲ１とステージマ
ーク１５の明るさＳＳ１を求める。次に、ステップＳ１
０３でステージマーク１５とレチクルマーク１６の明る
さの割合からステージマーク１５の記憶回数Ｓｎ（＝Ｓ
Ｒ１／ＳＳ１）を算出し、画像の記憶をＳｎ回繰り返す
（ステップＳ１０４，Ｓ１０５，Ｓ１０６）。画像の記
憶回数がＳｎ回を超えたら、ステップＳ１０７で１〜Ｓ
ｎの画像からそれぞれレチクルマーク１６の中心を求
め、その平均値ＲＣを求める。その後、ステップＳ１０
８では、１〜Ｓｎの画像を加算し、ステップＳ１０９で
加算画像からステージマーク１５の位置ＳＣを求める。
最後に、ステップＳ１１０でレチクルマーク１６とステ
ージマーク１５のずれ量Ｚ（＝ＲＣ−ＳＣ）を求める。
【００３９】（第２の実施形態）第１の実施形態におい
ては、１回目の取り込みの際に照明系内の調光手段を用
いて計測可能な光量になるように調整し、１回目の取り
込み結果からステージマーク１５の加算回数を決定し
た。しかし、調光手段を設けない方法をこの第２の実施
形態で説明する。
ては、１回目の取り込みの際に照明系内の調光手段を用
いて計測可能な光量になるように調整し、１回目の取り
込み結果からステージマーク１５の加算回数を決定し
た。しかし、調光手段を設けない方法をこの第２の実施
形態で説明する。
【００４０】明るいマークはレチクルマーク１６である
ことが予めわかっている。そこで、画像を記憶し、加算
しながらレチクルマーク１６を計測するのに必要な信号
強度の閾値ＴＨＲを超えた時点の画像（フレームＲ）を
記憶する。さらに画像の取り込みと加算を繰り返し、ス
テージマーク１５を計測するのに必要な信号強度の閾値
（ＴＨＳ）になった時点の画像（フレームＳ）を記憶す
る。
ことが予めわかっている。そこで、画像を記憶し、加算
しながらレチクルマーク１６を計測するのに必要な信号
強度の閾値ＴＨＲを超えた時点の画像（フレームＲ）を
記憶する。さらに画像の取り込みと加算を繰り返し、ス
テージマーク１５を計測するのに必要な信号強度の閾値
（ＴＨＳ）になった時点の画像（フレームＳ）を記憶す
る。
【００４１】フレームＲの画像からレチクルマーク１６
の位置を、フレームＳの画像からステージマーク１５の
位置をそれぞれ求め、レチクルマーク１６とステージマ
ーク１５のずれ量が求められる。以上の計測結果に基づ
いてウエハステージ４もしくはレチクルステージ２ａあ
るいは両方を移動させ、レチクル２とウエハ５のアライ
メントを行う。
の位置を、フレームＳの画像からステージマーク１５の
位置をそれぞれ求め、レチクルマーク１６とステージマ
ーク１５のずれ量が求められる。以上の計測結果に基づ
いてウエハステージ４もしくはレチクルステージ２ａあ
るいは両方を移動させ、レチクル２とウエハ５のアライ
メントを行う。
【００４２】第２の実施形態の場合の計測フローを図６
を用いて説明する。ステップＳ２０１で１回目の画像取
り込みを行い、レチクルマーク１６の信号強度ＳＲが閾
値ＴＨＲを超えるまで画像の記憶と加算を繰り返す（ス
テップＳ２０２，Ｓ２０３，Ｓ２０４，Ｓ２０５）。信
号強度ＳＲが閾値を超えたら、ステップＳ２０６で加算
後の画像フレームＲ（ＦｒａｍｅＲ）からレチクルマー
ク１６の中心ＲＣを求める。次に、ステージマーク１５
の信号強度ＳＳが閾値ＴＨＳを超えるまで画像の記憶と
加算を繰り返す（ステップＳ２０７，Ｓ２０８，Ｓ２０
９，Ｓ２１０)。ステージマーク１５の信号強度ＳＳが
閾値を超えたら、ステップＳ２１１で最後の加算画像Ｆ
ｒａｍｅＳからステージマーク１５の中心ＳＣを求め
る。最後に、ステップＳ２１２でレチクルマーク１６と
ステージマーク１５のずれ量Ｚ（＝ＲＣ−ＳＣ）を求め
る。
を用いて説明する。ステップＳ２０１で１回目の画像取
り込みを行い、レチクルマーク１６の信号強度ＳＲが閾
値ＴＨＲを超えるまで画像の記憶と加算を繰り返す（ス
テップＳ２０２，Ｓ２０３，Ｓ２０４，Ｓ２０５）。信
号強度ＳＲが閾値を超えたら、ステップＳ２０６で加算
後の画像フレームＲ（ＦｒａｍｅＲ）からレチクルマー
ク１６の中心ＲＣを求める。次に、ステージマーク１５
の信号強度ＳＳが閾値ＴＨＳを超えるまで画像の記憶と
加算を繰り返す（ステップＳ２０７，Ｓ２０８，Ｓ２０
９，Ｓ２１０)。ステージマーク１５の信号強度ＳＳが
閾値を超えたら、ステップＳ２１１で最後の加算画像Ｆ
ｒａｍｅＳからステージマーク１５の中心ＳＣを求め
る。最後に、ステップＳ２１２でレチクルマーク１６と
ステージマーク１５のずれ量Ｚ（＝ＲＣ−ＳＣ）を求め
る。
【００４３】（第３の実施形態）第１の実施形態におい
てはＮＴＳＣ方式などの固定された蓄積時間での画像取
り込みの例を示した。第３の実施形態では、使用するカ
メラとして蓄積時間が可変のカメラを用いることもでき
る。以下に図４を用いて説明する。
てはＮＴＳＣ方式などの固定された蓄積時間での画像取
り込みの例を示した。第３の実施形態では、使用するカ
メラとして蓄積時間が可変のカメラを用いることもでき
る。以下に図４を用いて説明する。
【００４４】マークの照明方法、撮像されるまでの光路
に関しては第１の実施形態と同じなので説明を省略す
る。
に関しては第１の実施形態と同じなので説明を省略す
る。
【００４５】予め決められた基準の蓄積時間（Ｔ１）で
１回目の画像取り込みを行い、図４（ａ）に示す画像よ
りレチクルマーク１６の信号強度ＳＲ１、およびステー
ジマーク１５の信号強度ＳＳ１を検出する。これらそれ
ぞれの信号強度からステージマーク１５を撮像するため
の蓄積時間を以下の演算により求める。ＴＳ＝（ＳＲ１
／ＳＳ１）＊Ｔ１ＣＣＤカメラ９の蓄積時間をＴＳに変
更し、蓄積するレーザパルス数もＳＲ１／ＳＳ１倍にす
る。その結果、ステージマーク１５の信号強度はＳＳ２
となり、ほぼレチクルマーク１６と同程度の信号強度に
なる。
１回目の画像取り込みを行い、図４（ａ）に示す画像よ
りレチクルマーク１６の信号強度ＳＲ１、およびステー
ジマーク１５の信号強度ＳＳ１を検出する。これらそれ
ぞれの信号強度からステージマーク１５を撮像するため
の蓄積時間を以下の演算により求める。ＴＳ＝（ＳＲ１
／ＳＳ１）＊Ｔ１ＣＣＤカメラ９の蓄積時間をＴＳに変
更し、蓄積するレーザパルス数もＳＲ１／ＳＳ１倍にす
る。その結果、ステージマーク１５の信号強度はＳＳ２
となり、ほぼレチクルマーク１６と同程度の信号強度に
なる。
【００４６】画像メモリ１１ａには蓄積時間Ｔ１の画像
と蓄積時間ＴＳの画像とが記憶されるので、それぞれの
画像からレチクルマーク１６の中心位置ＲＸＣ、および
ステージマーク１５の中心位置ＳＸを求め、ＲＸＣとＳ
Ｘとの差、即ちＲＸＣ−ＳＸよりレチクルマーク１６と
ステージマーク１５のずれ量が求められる。この計測結
果に基づいてウエハステージ４もしくはレチクルステー
ジ２ａあるいは両方を移動させ、レチクル２とウエハ５
のアライメントを行う。
と蓄積時間ＴＳの画像とが記憶されるので、それぞれの
画像からレチクルマーク１６の中心位置ＲＸＣ、および
ステージマーク１５の中心位置ＳＸを求め、ＲＸＣとＳ
Ｘとの差、即ちＲＸＣ−ＳＸよりレチクルマーク１６と
ステージマーク１５のずれ量が求められる。この計測結
果に基づいてウエハステージ４もしくはレチクルステー
ジ２ａあるいは両方を移動させ、レチクル２とウエハ５
のアライメントを行う。
【００４７】図７を用いて第３の実施形態の場合の計測
フローを説明する。ステップＳ３０１において、蓄積時
間Ｔ１で１回目の画像を記憶する。１回目の画像から、
ステップＳ３０２ではレチクルマーク１６の信号強度Ｓ
Ｒ１、およびステージマーク１５の信号強度ＳＳ１を求
め、ステップＳ３０３で、ステージマーク１５の画像取
り込みのための蓄積時間ＴＳを両信号強度比から算出す
る。次に、ステップＳ３０４で蓄積時間ＴＳの画像を記
憶する。ステップＳ３０５で蓄積時間Ｔ１の画像からレ
チクルマーク１６の位置ＲＣを算出し、ステップＳ３０
６では蓄積時間ＴＳの画像からステージマーク１５の位
置ＳＣを求め、ステップＳ３０７で前記ＲＣとＳＣとの
差からレチクルマーク１６とステージマーク１５のずれ
量Ｚを求める。
フローを説明する。ステップＳ３０１において、蓄積時
間Ｔ１で１回目の画像を記憶する。１回目の画像から、
ステップＳ３０２ではレチクルマーク１６の信号強度Ｓ
Ｒ１、およびステージマーク１５の信号強度ＳＳ１を求
め、ステップＳ３０３で、ステージマーク１５の画像取
り込みのための蓄積時間ＴＳを両信号強度比から算出す
る。次に、ステップＳ３０４で蓄積時間ＴＳの画像を記
憶する。ステップＳ３０５で蓄積時間Ｔ１の画像からレ
チクルマーク１６の位置ＲＣを算出し、ステップＳ３０
６では蓄積時間ＴＳの画像からステージマーク１５の位
置ＳＣを求め、ステップＳ３０７で前記ＲＣとＳＣとの
差からレチクルマーク１６とステージマーク１５のずれ
量Ｚを求める。
【００４８】なお、第２の実施形態及び第３の実施形態
の変形例として、各マークの取り込みフレーム数を信号
強度に応じて違えるようにしてもよい。例えば、信号強
度の比ＳＲ１／ＳＳ１が整数に近くない場合には、レチ
クルマーク用についても画像の加算が必要になることも
想定される。この場合、レチクルマーク用とステージマ
ーク用とで異なる加算回数を設定して順次加算された画
像の明るさをほぼ同程度に揃えて画像メモリに記憶し利
用することができる。
の変形例として、各マークの取り込みフレーム数を信号
強度に応じて違えるようにしてもよい。例えば、信号強
度の比ＳＲ１／ＳＳ１が整数に近くない場合には、レチ
クルマーク用についても画像の加算が必要になることも
想定される。この場合、レチクルマーク用とステージマ
ーク用とで異なる加算回数を設定して順次加算された画
像の明るさをほぼ同程度に揃えて画像メモリに記憶し利
用することができる。
【００４９】（第４の実施形態）前述の実施形態では、
第１のマークと第２のマークをレチクルマークとステー
ジマークとしたが、第１のマークをＴＴＬスコープ内の
指標マーク、第２のマークをウエハ上のマークとしても
本発明を同様に採用できる。そこで、第４の実施形態と
して図１３を用いて説明する。なお、画像の撮像に関し
ては前述の実施形態と同じなので説明を省略する。
第１のマークと第２のマークをレチクルマークとステー
ジマークとしたが、第１のマークをＴＴＬスコープ内の
指標マーク、第２のマークをウエハ上のマークとしても
本発明を同様に採用できる。そこで、第４の実施形態と
して図１３を用いて説明する。なお、画像の撮像に関し
ては前述の実施形態と同じなので説明を省略する。
【００５０】ウエハ５上のアライメントマークは露光光
あるいは非露光光の波長のレーザあるいはハロゲンラン
プなどの光源１４からの光によって、ハーフミラー１
７、２２、ミラー８、投影レンズ３を介して照明され
る。マークからの反射光は、投影レンズ３、ミラー８、
ハーフミラー２２，１７を経由してカメラ９に到達しマ
ーク像が撮像される。一方、スコープの指標マーク２１
は照明装置２０によって照明され透過光がハーフミラー
２２で反射されウエハ上のマークと合成された光となっ
てカメラ９に達する。従って、カメラ９で撮像される画
像は、ウエハマークと指標マークが合成された画像とな
る。この場合、指標マークに比べウエハ側のマークの明
るさが低い場合、第１の実施形態から第３の実施形態の
いずれかの方法を用いアライメント検出系７によって制
御することによって、計測に最適な撮像を行うことがで
きる。
あるいは非露光光の波長のレーザあるいはハロゲンラン
プなどの光源１４からの光によって、ハーフミラー１
７、２２、ミラー８、投影レンズ３を介して照明され
る。マークからの反射光は、投影レンズ３、ミラー８、
ハーフミラー２２，１７を経由してカメラ９に到達しマ
ーク像が撮像される。一方、スコープの指標マーク２１
は照明装置２０によって照明され透過光がハーフミラー
２２で反射されウエハ上のマークと合成された光となっ
てカメラ９に達する。従って、カメラ９で撮像される画
像は、ウエハマークと指標マークが合成された画像とな
る。この場合、指標マークに比べウエハ側のマークの明
るさが低い場合、第１の実施形態から第３の実施形態の
いずれかの方法を用いアライメント検出系７によって制
御することによって、計測に最適な撮像を行うことがで
きる。
【００５１】なお、指標マークの照明方法は透過照明に
限らず、ウエハマークを照明した光源１４を用いた反射
照明でも構わない。また、指標マークの配置は、ミラー
８の手前に限らず、カメラ９の直前などでも構わない。
指標マークは、予め投影レンズ３との位置あるいは、ス
テージ４との位置、レチクルステージ２、もしくはレチ
クル基準マーク１６との位置関係が求められていれば、
どの位置に配置されていても構わない。
限らず、ウエハマークを照明した光源１４を用いた反射
照明でも構わない。また、指標マークの配置は、ミラー
８の手前に限らず、カメラ９の直前などでも構わない。
指標マークは、予め投影レンズ３との位置あるいは、ス
テージ４との位置、レチクルステージ２、もしくはレチ
クル基準マーク１６との位置関係が求められていれば、
どの位置に配置されていても構わない。
【００５２】（第５の実施形態）前述の実施形態１から
３では、第１のマークと第２のマークをレチクルマーク
とステージマークとしたが、第１のマークをオフアクシ
ススコープ内の指標マーク、第２のマークをウエハ上の
マークとしても本発明を同様に採用できる。そこで、第
５の実施形態として図１４を用いて説明する。なお、画
像の撮像に関しては前述の実施形態と同じなので説明を
省略する。
３では、第１のマークと第２のマークをレチクルマーク
とステージマークとしたが、第１のマークをオフアクシ
ススコープ内の指標マーク、第２のマークをウエハ上の
マークとしても本発明を同様に採用できる。そこで、第
５の実施形態として図１４を用いて説明する。なお、画
像の撮像に関しては前述の実施形態と同じなので説明を
省略する。
【００５３】ウエハ５上のアライメントマークは露光光
あるいは非露光光の波長のレーザあるいはハロゲンラン
プなどの光源１４からの光によって、ハーフミラー１
７、ミラー３３、ハーフミラー３２を介して照明され
る。マークからの反射光は、ハーフミラー３２、ミラー
３３，ハーフミラー１７を経由してカメラ９に到達しマ
ーク像が撮像される。一方、スコープの指標マーク３１
は照明装置３０によって照明され透過光がハーフミラー
３２で反射されウエハ上のマークと合成された光となっ
てカメラ９に達する。従って、カメラ９で撮像される画
像は、ウエハマークと指標マークが合成された画像とな
る。この場合、指標マークに比べウエハ側のマークの明
るさが低い場合、第１の実施形態から第３の実施形態の
いずれかの方法を用いアライメント検出系７によって制
御することによって、計測に最適な撮像を行うことがで
きる。
あるいは非露光光の波長のレーザあるいはハロゲンラン
プなどの光源１４からの光によって、ハーフミラー１
７、ミラー３３、ハーフミラー３２を介して照明され
る。マークからの反射光は、ハーフミラー３２、ミラー
３３，ハーフミラー１７を経由してカメラ９に到達しマ
ーク像が撮像される。一方、スコープの指標マーク３１
は照明装置３０によって照明され透過光がハーフミラー
３２で反射されウエハ上のマークと合成された光となっ
てカメラ９に達する。従って、カメラ９で撮像される画
像は、ウエハマークと指標マークが合成された画像とな
る。この場合、指標マークに比べウエハ側のマークの明
るさが低い場合、第１の実施形態から第３の実施形態の
いずれかの方法を用いアライメント検出系７によって制
御することによって、計測に最適な撮像を行うことがで
きる。
【００５４】なお、指標マークの照明方法は透過照明に
限らず、ウエハマークを照明した光源１４を用いた反射
照明でも構わない。また、指標マークの配置は、カメラ
９の直前などでも構わない。指標マークは、予め投影レ
ンズ３との位置あるいは、ステージ４との位置、レチク
ルステージ２、もしくはレチクル基準マーク１６との位
置関係が求められていれば、どの位置に配置されていて
も構わない。
限らず、ウエハマークを照明した光源１４を用いた反射
照明でも構わない。また、指標マークの配置は、カメラ
９の直前などでも構わない。指標マークは、予め投影レ
ンズ３との位置あるいは、ステージ４との位置、レチク
ルステージ２、もしくはレチクル基準マーク１６との位
置関係が求められていれば、どの位置に配置されていて
も構わない。
【００５５】（半導体生産システムの実施形態）次に、
本発明に係る半導体製造装置を用いた半導体デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システ
ムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された
製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいは
ソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワークを利用して行うものである。
本発明に係る半導体製造装置を用いた半導体デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システ
ムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された
製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいは
ソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワークを利用して行うものである。
【００５６】図８は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事
業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事
業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
【００５７】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１０５に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からイ
ンターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管
理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理
システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、
インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼
動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生
した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する
他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの
保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場
１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信およ
び各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタ
ーネットで一般的に使用されている通信プロトコル（Ｔ
ＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネット
ワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三
者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線
ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもでき
る。また、ホスト管理システムはベンダが提供するもの
に限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワ
ーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１０５に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からイ
ンターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管
理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理
システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、
インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼
動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生
した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する
他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの
保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場
１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信およ
び各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタ
ーネットで一般的に使用されている通信プロトコル（Ｔ
ＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネット
ワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三
者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線
ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもでき
る。また、ホスト管理システムはベンダが提供するもの
に限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワ
ーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００５８】さて、図９は本実施形態の全体システムを
図８とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお図９では製
造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工
場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置
はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、
ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がさ
れている。
図８とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお図９では製
造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工
場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置
はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、
ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がさ
れている。
【００５９】一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処
理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ
（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１
１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２
１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ
（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１
１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２
１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
【００６０】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図１０に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４
０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処
法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報はインターネットを介して保守
データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が
保守データベースから返信されディスプレイ上に提示さ
れる。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜
４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報
にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図１０に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４
０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処
法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報はインターネットを介して保守
データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が
保守データベースから返信されディスプレイ上に提示さ
れる。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜
４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報
にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
【００６１】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１１は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１１は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【００６２】図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
【００６３】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００６４】レチクルマーク等の第１のマークとステー
ジマーク等の第２のマークの映像信号の光量が異なって
いても、第１のマークと、第２のマーク共に信号コント
ラストが十分な画像を用いての計測が可能となる。これ
によって基板の位置ずれを高精度で検出し、基準位置に
対する位置合わせを高精度で行うことができる。従って
高精度の半導体露光焼付けが可能となる。
ジマーク等の第２のマークの映像信号の光量が異なって
いても、第１のマークと、第２のマーク共に信号コント
ラストが十分な画像を用いての計測が可能となる。これ
によって基板の位置ずれを高精度で検出し、基準位置に
対する位置合わせを高精度で行うことができる。従って
高精度の半導体露光焼付けが可能となる。
【図１】 マーク位置計測装置を有する半導体製造装置
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 マーク位置計測装置が計測するマークを示す
図である。
図である。
【図３】 本発明の第１の実施形態を示す図である。
【図４】 本発明の第３の実施形態を示す図である。
【図５】 本発明の第１の実施形態を示す処理フロー図
である。
である。
【図６】 本発明の第２の実施形態を示す処理フロー図
である
である
【図７】 本発明の第３の実施形態を示す処理フロー図
である。
である。
【図８】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムをある角度から見た概念図である。
生産システムをある角度から見た概念図である。
【図９】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムを別の角度から見た概念図である。
生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図１０】 ユーザインタフェースの具体例である。
【図１１】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。
る図である。
【図１２】 ウエハプロセスを説明する図である。
【図１３】 本発明の第４の実施形態を示す図である。
【図１４】 本発明の第５の実施形態を示す図である。
２：レチクル、２ａ：レチクルステージ、３：投影レン
ズ系、４：ウエハステージ、５：ウエハ、６：ステージ
駆動系、６ｒ：レチクルステージ駆動装置、６ｗ：ウエ
ハステージ駆動装置、７：アライメント検出系、８：ミ
ラー、９：カメラ、１１：画像処理装置、１１ａ：画像
メモリ、１２：制御装置、１３：同期信号発生器、１
４：レーザ照明系、１５：ステージ基準マーク、１６：
レチクル基準マーク、１７：ハーフミラー、２１，３
１：指標マーク、２０，３０：指標マーク照明装置、２
２，３２：ハーフミラー、１０１：ベンダの事業所、１
０２，１０３，１０４：製造工場、１０５：インターネ
ット、１０６：製造装置、１０７：工場のホスト管理シ
ステム、１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０
９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡ
Ｎ）、１１０：操作端末コンピュータ、１１１：工場の
ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部
ネットワーク、２０１：製造装置ユーザの製造工場、２
０２：露光装置、２０３：レジスト処理装置、２０４：
成膜処理装置、２０５：工場のホスト管理システム、２
０６：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、
２１０：露光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事
業所のホスト管理システム、２２０：レジスト処理装置
メーカ、２２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホ
スト管理システム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：
成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム、４０
１：製造装置の機種、４０２：シリアルナンバー、４０
３：トラブルの件名、４０４：発生日、４０５：緊急
度、４０６：症状、４０７：対処法、４０８：経過、４
１０，４１１，４１２：ハイパーリンク機能。
ズ系、４：ウエハステージ、５：ウエハ、６：ステージ
駆動系、６ｒ：レチクルステージ駆動装置、６ｗ：ウエ
ハステージ駆動装置、７：アライメント検出系、８：ミ
ラー、９：カメラ、１１：画像処理装置、１１ａ：画像
メモリ、１２：制御装置、１３：同期信号発生器、１
４：レーザ照明系、１５：ステージ基準マーク、１６：
レチクル基準マーク、１７：ハーフミラー、２１，３
１：指標マーク、２０，３０：指標マーク照明装置、２
２，３２：ハーフミラー、１０１：ベンダの事業所、１
０２，１０３，１０４：製造工場、１０５：インターネ
ット、１０６：製造装置、１０７：工場のホスト管理シ
ステム、１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０
９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡ
Ｎ）、１１０：操作端末コンピュータ、１１１：工場の
ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部
ネットワーク、２０１：製造装置ユーザの製造工場、２
０２：露光装置、２０３：レジスト処理装置、２０４：
成膜処理装置、２０５：工場のホスト管理システム、２
０６：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、
２１０：露光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事
業所のホスト管理システム、２２０：レジスト処理装置
メーカ、２２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホ
スト管理システム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：
成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム、４０
１：製造装置の機種、４０２：シリアルナンバー、４０
３：トラブルの件名、４０４：発生日、４０５：緊急
度、４０６：症状、４０７：対処法、４０８：経過、４
１０，４１１，４１２：ハイパーリンク機能。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA07 AA14 BB02 BB28 CC20 DD04 DD05 FF01 FF04 FF42 GG04 HH13 JJ03 JJ09 JJ26 LL00 LL12 MM03 NN02 NN17 PP12 QQ00 QQ24 QQ25 QQ27 RR06 UU02 UU05 5F046 BA03 CA04 EA03 EA09 EB01 EB02 EB03 ED01 ED02 ED03 FA10 FA16 FC04 FC05
Claims (31)
- 【請求項１】 第１のマークからの反射光と、第２のマ
ークからの反射光とを同時に受光する撮像手段により出
力される映像信号からマーク位置の計測を行うマーク位
置計測方法において、前記映像信号をメモリ手段によっ
て記憶し順次加算する際に、前記第１のマーク用と、第
２のマーク用とで異なる加算回数を設定し、加算された
画像を記憶し、記憶したそれぞれの画像で第１のマーク
と第２のマークを計測することを特徴とするマーク位置
計測方法。 - 【請求項２】 １回目に記憶した画像から第１のマーク
用画像の加算回数と、第２のマーク用画像の加算回数を
求めることを特徴とする請求項１に記載のマーク位置計
測方法。 - 【請求項３】 １回目に記憶した画像から第１のマーク
と第２のマークの明るさを求めた結果に基づき、第１の
マーク用画像の加算回数と、第２のマーク用画像の加算
回数を設定することを特徴とする請求項１または２に記
載のマーク位置計測方法。 - 【請求項４】 第１のマークからの反射光と、第１のマ
ークより暗い第２のマークからの反射光とを同時に受光
する撮像手段により出力される映像信号からマーク位置
の計測を行うマーク位置計測方法において、前記映像信
号をメモリ手段によって記憶し順次加算する際に、加算
された映像信号中の第１のマークの部分を検出し、第１
のマークの部分が閾値を超えたところで、第１の画像と
して記憶し、さらに加算を継続し加算された映像信号中
の第２のマークの部分を検出し、第２のマークの部分が
閾値を超えたところで、第２の画像として記憶し、記憶
したそれぞれの画像で第１のマークと第２のマークを計
測することを特徴とするマーク位置計測方法。 - 【請求項５】 第１のマークからの反射光と、第２のマ
ークからの反射光を同時に受光する撮像手段により出力
される映像信号からマーク位置の計測を行うマーク位置
計測方法において、前記映像信号をメモリ手段によって
記憶する際に、前記第１のマーク用の光蓄積時間と、第
２のマーク用の光蓄積時間を前記撮像手段に設定し、そ
れぞれの光蓄積時間で記憶した画像で第１のマークと第
２のマークを計測することを特徴とするマーク位置計測
方法。 - 【請求項６】 第１のマーク用に記憶した画像から第２
のマーク用の光蓄積時間を求めることを特徴とする請求
項５に記載のマーク位置計測方法。 - 【請求項７】 第１のマーク用に記憶した画像から第１
のマークと第２のマークの光量を求めた結果に基づき、
第２のマーク用の光蓄積時間を設定することを特徴とす
る請求項６に記載のマーク位置計測方法。 - 【請求項８】 第１のマークからの反射光と、第２のマ
ークからの反射光とを同時に受光する撮像手段により出
力される映像信号からマーク位置の計測を行うマーク位
置計測装置において、前記映像信号について前記第１の
マーク用と、第２のマーク用としてそれぞれ設定した互
いに異なる加算回数にて順次加算した画像を記憶するメ
モリ手段と、該メモリ手段によって記憶したそれぞれの
加算した画像で第１のマークと第２のマークを計測する
手段とを有することを特徴とするマーク位置計測装置。 - 【請求項９】 第１のマークからの反射光と、第１のマ
ークより暗い第２のマークからの反射光とを同時に受光
する撮像手段により出力される映像信号からマーク位置
の計測を行うマーク位置計測装置において、順次加算さ
れる前記映像信号中の前記第１のマークの部分および第
２のマークの部分を検出する手段と、前記第１のマーク
の部分が閾値を超えたところで、第１の画像として記憶
し、前記第２のマークの部分が閾値を超えたところで、
第２の画像として記憶するメモリ手段と、記憶したそれ
ぞれの画像で第１のマークと第２のマークを計測する手
段とを有することを特徴とするマーク位置計測装置。 - 【請求項１０】 第１のマークからの反射光と、第２の
マークからの反射光を同時に受光する撮像手段により出
力される映像信号からマーク位置の計測を行うマーク位
置計測装置において、前記映像信号を記憶するメモリ手
段と、前記第１のマーク用の光蓄積時間、および第２の
マーク用の光蓄積時間を前記撮像手段に設定し、それぞ
れの光蓄積時間にて前記メモリ手段に記憶した画像で第
１のマークと第２のマークを計測する手段とを有するこ
とを特徴とするマーク位置計測装置。 - 【請求項１１】 原版上のパターンを投影レンズを介し
てステージ上の基板に露光する半導体製造装置におい
て、原版上および原版ステージのいずれかの上の第１の
マークと、投影レンズを通して基板および基板ステージ
のいずれかの上の第２のマークとを撮像手段によって同
時に撮像し、第１のマークと第２のマークの相対距離を
測定する際に、前記撮像手段によって得られる映像信号
をメモリ手段によって記憶し、前記第１のマーク用と、
第２のマーク用とで異なる加算回数を設定し、順次加算
し、得られたそれぞれの画像で第１のマークと第２のマ
ークの位置を計測し、前記原版と基板との相対距離を計
測する手段を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項１２】 １回目に記憶した画像から第１のマー
ク用画像の加算回数と、第２のマーク用加算回数を求め
ることを特徴とする請求項１１に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項１３】 １回目に記憶した画像から第１のマー
クと第２のマークの明るさを求めた結果に基づき、第１
のマークの加算回数と、第２のマークの加算回数を設定
することを特徴とする請求項１２に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項１４】 原版上のパターンを投影レンズを介し
てステージ上の基板に露光する半導体製造装置におい
て、原版および原版ステージのいずれかの上の第１のマ
ークと、投影レンズを通して基板および基板ステージの
いずれかの上の第２のマークとを撮像手段によって同時
に撮像し、第１のマークと第２のマークの相対距離を測
定する際に、前記撮像手段によって得られる映像信号を
メモリ手段によって記憶し順次加算し、加算された映像
信号中の第１のマークの部分を検出し、第１のマークの
部分が閾値を超えたところで、第１の画像として記憶
し、さらに加算を継続し加算された映像信号中の第２の
マークの部分を検出し、第２のマークの部分が閾値を超
えたところで、第２の画像として記憶し、記憶したそれ
ぞれの画像で第１のマークと第２のマークの位置を計測
し、前記原版と基板との相対距離を計測する手段を有す
ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項１５】 原版上のパターンを投影レンズを介し
てステージ上の基板に露光する半導体製造装置におい
て、原版および原版ステージのいずれかの上の第１のマ
ークと、投影レンズを通して基板および基板ステージの
いずれかの上の第２のマークとを撮像手段によって同時
に撮像し、第１のマークと第２のマークの相対距離を測
定する際に、前記撮像手段によって得られる映像信号を
メモリ手段によって記憶する際に、前記第１のマーク用
の光蓄積時間と、第２のマーク用の光蓄積時間を前記撮
像手段に設定し、それぞれの光蓄積時間で記憶した画像
で第１のマークと第２のマークの位置を計測し、前記原
版と基板の相対距離を計測する手段を有することを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項１６】 第１のマーク用に記憶した画像から第
２のマーク用の光蓄積時間を求めることを特徴とする請
求項１５に記載の半導体製造装置。 - 【請求項１７】 第１のマーク用に記憶した画像から第
１のマークと第２のマークの光量を求めた結果に基づ
き、第２のマーク用の光蓄積時間を設定することを特徴
とする請求項１６に記載の半導体製造装置。 - 【請求項１８】 原版上のパターンを投影レンズを介し
てステージ上の基板に露光する半導体製造装置におい
て、スコープの指標を示す第１のマークと、スコープを
通して基板および基板ステージのいずれかの上の第２の
マークとを撮像手段によって同時に撮像し、第１のマー
クと第２のマークの相対距離を測定する際に、前記撮像
手段によって得られる映像信号をメモリ手段によって記
憶し、前記第１のマーク用と、第２のマーク用とで異な
る加算回数を設定し、順次加算し、得られたそれぞれの
画像で第１のマークと第２のマークの位置を計測し、前
記原版と基板との相対距離を計測する手段を有すること
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項１９】 １回目に記憶した画像から第１のマー
ク用画像の加算回数と、第２のマーク用加算回数を求め
ることを特徴とする請求項１８に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項２０】 １回目に記憶した画像から第１のマー
クと第２のマークの明るさを求めた結果に基づき、第１
のマークの加算回数と、第２のマークの加算回数を設定
することを特徴とする請求項１９に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項２１】 原版上のパターンを投影レンズを介し
てステージ上の基板に露光する半導体製造装置におい
て、スコープの指標を示す第１のマークと、投スコープ
を通して基板および基板ステージのいずれかの上の第２
のマークとを撮像手段によって同時に撮像し、第１のマ
ークと第２のマークの相対距離を測定する際に、前記撮
像手段によって得られる映像信号をメモリ手段によって
記憶し順次加算し、加算された映像信号中の第１のマー
クの部分を検出し、第１のマークの部分が閾値を超えた
ところで、第１の画像として記憶し、さらに加算を継続
し加算された映像信号中の第２のマークの部分を検出
し、第２のマークの部分が閾値を超えたところで、第２
の画像として記憶し、記憶したそれぞれの画像で第１の
マークと第２のマークの位置を計測し、前記原版と基板
との相対距離を計測する手段を有することを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項２２】 原版上のパターンを投影レンズを介し
てステージ上の基板に露光する半導体製造装置におい
て、スコープの指標を示す第１のマークと、スコープを
通して基板および基板ステージのいずれかの上の第２の
マークとを撮像手段によって同時に撮像し、第１のマー
クと第２のマークの相対距離を測定する際に、前記撮像
手段によって得られる映像信号をメモリ手段によって記
憶する際に、前記第１のマーク用の光蓄積時間と、第２
のマーク用の光蓄積時間を前記撮像手段に設定し、それ
ぞれの光蓄積時間で記憶した画像で第１のマークと第２
のマークの位置を計測し、前記原版と基板の相対距離を
計測する手段を有することを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項２３】 第１のマーク用に記憶した画像から第
２のマーク用の光蓄積時間を求めることを特徴とする請
求項２２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項２４】 第１のマーク用に記憶した画像から第
１のマークと第２のマークの光量を求めた結果に基づ
き、第２のマーク用の光蓄積時間を設定することを特徴
とする請求項２３に記載の半導体製造装置。 - 【請求項２５】 請求項１１〜２４のいずれかに記載の
半導体製造装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半
導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて
複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程
とを有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。 - 【請求項２６】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
請求項２５に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項２７】 前記半導体製造装置のベンダもしくは
ユーザが提供するデータベースに前記外部ネットワーク
を介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置
の保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別
の半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介し
てデータ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求
項２６に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項２８】 請求項１１〜２４のいずれかに記載の
半導体製造装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、
該製造装置群を接続するローカルエリアネットワーク
と、該ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネ
ットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、
前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ
通信することを可能にしたことを特徴とする半導体製造
工場。 - 【請求項２９】 半導体製造工場に設置された請求項１
１〜２４のいずれかに記載の半導体製造装置の保守方法
であって、前記半導体製造装置のベンダもしくはユーザ
が、半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保
守データベースを提供する工程と、前記半導体製造工場
内から前記外部ネットワークを介して前記保守データベ
ースへのアクセスを許可する工程と、前記保守データベ
ースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介
して半導体製造工場側に送信する工程とを有することを
特徴とする半導体製造装置の保守方法。 - 【請求項３０】 請求項１１〜２４のいずれかに記載の
半導体製造装置において、ディスプレイと、ネットワー
クインタフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実
行するコンピュータとをさらに有し、半導体製造装置の
保守情報をコンピュータネットワークを介してデータ通
信することを可能にしたことを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項３１】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記半導体製造装置が設置された工場の外部ネットワー
クに接続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提
供する保守データベースにアクセスするためのユーザイ
ンタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部
ネットワークを介して該データベースから情報を得るこ
とを可能にすることを特徴とする請求項３０に記載の半
導体製造装置。
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| JP2001119475A JP3605043B2 (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | 位置計測装置、露光装置、デバイス製造方法および位置計測方法 |
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| US7898653B2 (en) * | 2006-12-20 | 2011-03-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Foreign matter inspection apparatus |
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| US9691163B2 (en) | 2013-01-07 | 2017-06-27 | Wexenergy Innovations Llc | System and method of measuring distances related to an object utilizing ancillary objects |
| US10883303B2 (en) | 2013-01-07 | 2021-01-05 | WexEnergy LLC | Frameless supplemental window for fenestration |
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Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4470676A (en) * | 1978-07-28 | 1984-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Focus detecting device |
| US4390279A (en) * | 1979-07-12 | 1983-06-28 | Nippon Kogaku K. K. | Alignment device in an IC projection exposure apparatus |
| US5543921A (en) * | 1989-05-08 | 1996-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Aligning method utilizing reliability weighting coefficients |
| US5249016A (en) | 1989-12-15 | 1993-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing system |
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| US5347118A (en) * | 1992-01-17 | 1994-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Aligning method and apparatus detecting misalignment using image signals from image pickup |
| JPH0620924A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Nikon Corp | レーザ光源を用いた処理装置 |
| US5827629A (en) * | 1995-05-11 | 1998-10-27 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Position detecting method with observation of position detecting marks |
| US6384898B1 (en) * | 1997-02-06 | 2002-05-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
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