JP2002311588A5 - - Google Patents
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第４のパターン形成材料によると、第１のユニットがヘキサフルオロイソプロピル基を有しているため、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過性が大きく向上する。また、第１及び第２のユニットの主鎖のα位の水素原子がアルキル基、塩素原子又はフッ素原子を有するアルキル基で置換されているため、主鎖が架橋反応を起こさないので、レジスト膜の露光部の現像液に対する溶解性が向上する。また、第１のユニットのアルコール部にトリフルオロメチル基を有しているため、保護基が脱離したヒドロキシル基の現像液に対する溶解性が向上するので、レジスト膜の露光部の現像液に対する溶解性が向上する。従って、レジスト膜における露光部と未露光部との溶解性のコントラストが大きく向上する。また、第１及び第２のユニットがベンゼン環を有しているため、ドライエッチング耐性が向上する。さらに、第２のユニットがヒドロキシル基を有しているため、濡れ性が良くなって基板との密着性が向上すると共に、重合体中における第２のユニットが含まれる割合を調整することにより、アルカリ性の現像液に対する溶解レートをコントロールすることができる。
第５のパターン形成材料によると、第１のユニットがヘキサフルオロイソプロピル基を有しているため、１ｎｍ帯〜１８０ｎｍ帯の波長を持つ光に対する透過性が大きく向上する。また、第１、第２及び第３のユニットの主鎖のα位の水素原子がアルキル基、塩素原子又は塩素原子を有するアルキル基で置換されているため、主鎖が架橋反応を起こさないので、レジスト膜の露光部の現像液に対する溶解性が向上する。また、第１のユニットのアルコール部にトリフルオロメチル基を有しているため、保護基が脱離したヒドロキシル基の現像液に対する溶解性が向上するので、レジスト膜の露光部の現像液に対する溶解性が向上する。従って、レジスト膜における露光部と未露光部との溶解性のコントラストが大きく向上する。また、第１、第２及び第３のユニットがベンゼン環を有しているため、ドライエッチング耐性が向上する。また、第３のユニットがヒドロキシル基を有しているため、濡れ性が良くなって基板との密着性が向上する。また、重合中における第３のユニットが含まれる割合を調整することにより、アルカリ性の現像液に対する溶解レートをコントロールすることができる。さらに、レジスト膜の露光部において、光の照射により酸が発生して第２のユニットからも保護基が脱離するとヒドロキシル基が発生するので、レジスト膜における露光部と未露光部とのコントラストが向上する。
次に、図１（ｃ）に示すように、半導体基板１０ひいてはレジスト膜１１をホットプレート１４により加熱する。このようにすると、レジスト膜１１の露光部１１ａにおいては、ベース樹脂が酸の存在下で加熱されるため、［化４２］における右側のユニットの保護基が脱離し、これによって、ベース樹脂はアルカリ可溶性になる。
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