JP2002309065A - ダイボンディングペースト - Google Patents
ダイボンディングペーストInfo
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- JP2002309065A JP2002309065A JP2001110855A JP2001110855A JP2002309065A JP 2002309065 A JP2002309065 A JP 2002309065A JP 2001110855 A JP2001110855 A JP 2001110855A JP 2001110855 A JP2001110855 A JP 2001110855A JP 2002309065 A JP2002309065 A JP 2002309065A
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- epoxy resin
- particle size
- die bonding
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 硬化後のペースト中に巣（ボイド）をつくる
ことなく、またペースト塗布膜厚を一定に保つことを可
能とするダイボンディングペーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）前記エポキ
シ樹脂の硬化剤、（Ｃ）（Ｄ）の球形熱可塑性有機フィ
ラーより平均粒径が小さい充填剤および（Ｄ）平均粒径
が１０〜８０μｍで、その粒度分布が±５μｍ以下であ
り、かつ融点が５０〜２００℃である球形熱可塑性有機
フィラーを必須成分としてなることを特徴とするダイボ
ンディングペーストであり、またそのダイボンディング
ペーストにおいて、（Ｄ）の熱可塑性有機フィラーが、
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）成分の合計量に対して０．１〜
１０重量％の割合で含有されるものである。
ことなく、またペースト塗布膜厚を一定に保つことを可
能とするダイボンディングペーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）前記エポキ
シ樹脂の硬化剤、（Ｃ）（Ｄ）の球形熱可塑性有機フィ
ラーより平均粒径が小さい充填剤および（Ｄ）平均粒径
が１０〜８０μｍで、その粒度分布が±５μｍ以下であ
り、かつ融点が５０〜２００℃である球形熱可塑性有機
フィラーを必須成分としてなることを特徴とするダイボ
ンディングペーストであり、またそのダイボンディング
ペーストにおいて、（Ｄ）の熱可塑性有機フィラーが、
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）成分の合計量に対して０．１〜
１０重量％の割合で含有されるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイボンディング
ペーストに関し、より詳しくは、ガラスエポキシ基板、
ＢＴ基板、ポリイミド基板等の樹脂基板または金属薄板
に、半導体チップなどの素子を接着させるために使用さ
れ、特にペースト塗布膜厚を常に一定に維持するための
ダイボンディングペーストに係るものである。
ペーストに関し、より詳しくは、ガラスエポキシ基板、
ＢＴ基板、ポリイミド基板等の樹脂基板または金属薄板
に、半導体チップなどの素子を接着させるために使用さ
れ、特にペースト塗布膜厚を常に一定に維持するための
ダイボンディングペーストに係るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置において、ダイボ
ンディングペーストで半導体素子を金属薄板もしくは樹
脂基板に接着させる場合、ペーストを基材に吐出した
後、その上に半導体素子に荷重を加えることで、ペース
トを拡げながら仮接着後、熱硬化させて半導体素子を基
材に接着させていた。
ンディングペーストで半導体素子を金属薄板もしくは樹
脂基板に接着させる場合、ペーストを基材に吐出した
後、その上に半導体素子に荷重を加えることで、ペース
トを拡げながら仮接着後、熱硬化させて半導体素子を基
材に接着させていた。
【０００３】このような方法では、半導体素子に加える
荷重の大きさによって、ペースト塗布膜厚は変ってくる
ため、ペースト塗布膜厚を一定に保つことは難しい。ま
た、塗布膜厚が薄くなった場合、素子と基材との間に生
じる応力は大きくなり、チップクラックの発生率が高く
なる。そこで、ペースト塗布膜厚を一定にするためにペ
ースト中にスペーサーを添加する技術が提案され、特開
昭６０−１８９２２９号公報、特開平２−１７３０７３
号公報、特開平４−１５２６４２号公報、特開平７−１
２６４８９号公報、特開平７−１８５３８号公報で開示
されている。しかし、これらのスペーサーを添加するこ
とにより半導体素子と基材との間のペースト塗布膜厚は
一定に保つことは可能であるが、硬化させるためにペー
ストに熱を加えた場合、硬化時の硬化収縮やペースト中
の揮発分の影響により、ペーストは目減りした状態とな
り、上部の半導体素子側に巣（ボイド）ができ、接着強
度が低下するという問題や、その巣（ボイド）を起因と
してパッケージクラックを引き起こす可能性があった。
荷重の大きさによって、ペースト塗布膜厚は変ってくる
ため、ペースト塗布膜厚を一定に保つことは難しい。ま
た、塗布膜厚が薄くなった場合、素子と基材との間に生
じる応力は大きくなり、チップクラックの発生率が高く
なる。そこで、ペースト塗布膜厚を一定にするためにペ
ースト中にスペーサーを添加する技術が提案され、特開
昭６０−１８９２２９号公報、特開平２−１７３０７３
号公報、特開平４−１５２６４２号公報、特開平７−１
２６４８９号公報、特開平７−１８５３８号公報で開示
されている。しかし、これらのスペーサーを添加するこ
とにより半導体素子と基材との間のペースト塗布膜厚は
一定に保つことは可能であるが、硬化させるためにペー
ストに熱を加えた場合、硬化時の硬化収縮やペースト中
の揮発分の影響により、ペーストは目減りした状態とな
り、上部の半導体素子側に巣（ボイド）ができ、接着強
度が低下するという問題や、その巣（ボイド）を起因と
してパッケージクラックを引き起こす可能性があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたもので、硬化後のペースト中に巣（ボ
イド）をつくることなく、ペースト塗布膜厚を一定に保
つことを可能とするダイボンディングペーストを提供し
ようとするものである。
に鑑みてなされたもので、硬化後のペースト中に巣（ボ
イド）をつくることなく、ペースト塗布膜厚を一定に保
つことを可能とするダイボンディングペーストを提供し
ようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、後述する配合の
組成物が、上記の目的を達成できることを見いだし、本
発明を完成したものである。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、後述する配合の
組成物が、上記の目的を達成できることを見いだし、本
発明を完成したものである。
【０００６】即ち、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）前記エポキシ樹脂の硬化剤、（Ｃ）（Ｄ）の球形
熱可塑性有機フィラーより平均粒径が小さい充填剤およ
び（Ｄ）平均粒径が１０〜８０μｍで、その粒度分布が
±５μｍ以下であり、かつ融点が５０〜２００℃である
球形熱可塑性有機フィラー を必須成分としてなることを特徴とするダイボンディン
グペーストであり、またそのダイボンディングペースト
において、（Ｄ）の熱可塑性有機フィラーが、（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）成分の合計量に対して０．１〜１０重量
％の割合で含有されるものである。
（Ｂ）前記エポキシ樹脂の硬化剤、（Ｃ）（Ｄ）の球形
熱可塑性有機フィラーより平均粒径が小さい充填剤およ
び（Ｄ）平均粒径が１０〜８０μｍで、その粒度分布が
±５μｍ以下であり、かつ融点が５０〜２００℃である
球形熱可塑性有機フィラー を必須成分としてなることを特徴とするダイボンディン
グペーストであり、またそのダイボンディングペースト
において、（Ｄ）の熱可塑性有機フィラーが、（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）成分の合計量に対して０．１〜１０重量
％の割合で含有されるものである。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂として
は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する樹脂であ
れば、いかなるものでも使用することができる。例え
ば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、特殊多官能型
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられ、これ
らは単独又は２種以上混合して使用することができる。
なお、市販のエポキシ樹脂（ビスフェノール型エポキシ
樹脂）には、反応性希釈剤または可塑剤を含むものがあ
るが、そのようなものも使用することができる。
は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する樹脂であ
れば、いかなるものでも使用することができる。例え
ば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、特殊多官能型
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられ、これ
らは単独又は２種以上混合して使用することができる。
なお、市販のエポキシ樹脂（ビスフェノール型エポキシ
樹脂）には、反応性希釈剤または可塑剤を含むものがあ
るが、そのようなものも使用することができる。
【０００９】本発明に用いる（Ｂ）のエポキシ樹脂の硬
化剤としては、前記したエポキシ樹脂と反応し硬化可能
なものであれば、いかなるものでも使用することがで
き、例えば、ノボラックフェノール樹脂、クレゾールノ
ボラックフェノール樹脂、メチルヘキサヒドロフタル酸
無水物、無水フタル酸誘導体、ジシアンジアミド、イミ
ダゾール、アルミニウムキレート、ＢＦ3 のようなルイ
ス酸のアミン錯体等が挙げられる。これらの硬化剤は、
単独であるいは硬化を阻害しない範囲において２種以上
を混合して使用することができる。また、これらの硬化
剤は、予め溶剤に溶解させておくことができる。ここで
溶剤としては、ジオキサン、ヘキサン、トルエン、キシ
レン、ジエチルベンゼン、シクロヘキサノン、エチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテ
ート、ブチルカルビトールアセテート、ジエチレングリ
コールジエチルエーテル等が挙げられ、これらは単独又
は２種以上混合して使用することができる。さらに、前
記（Ａ）エポキシ樹脂に（Ｂ）硬化剤を添加した後のも
のを、これらの溶剤に溶解させることも可能である。
化剤としては、前記したエポキシ樹脂と反応し硬化可能
なものであれば、いかなるものでも使用することがで
き、例えば、ノボラックフェノール樹脂、クレゾールノ
ボラックフェノール樹脂、メチルヘキサヒドロフタル酸
無水物、無水フタル酸誘導体、ジシアンジアミド、イミ
ダゾール、アルミニウムキレート、ＢＦ3 のようなルイ
ス酸のアミン錯体等が挙げられる。これらの硬化剤は、
単独であるいは硬化を阻害しない範囲において２種以上
を混合して使用することができる。また、これらの硬化
剤は、予め溶剤に溶解させておくことができる。ここで
溶剤としては、ジオキサン、ヘキサン、トルエン、キシ
レン、ジエチルベンゼン、シクロヘキサノン、エチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテ
ート、ブチルカルビトールアセテート、ジエチレングリ
コールジエチルエーテル等が挙げられ、これらは単独又
は２種以上混合して使用することができる。さらに、前
記（Ａ）エポキシ樹脂に（Ｂ）硬化剤を添加した後のも
のを、これらの溶剤に溶解させることも可能である。
【００１０】本発明に用いる（Ｃ）充填剤としては、
（Ｄ）の熱可塑性有機フィラーよりも平均粒径が小さい
ことが望まれる。（Ｃ）充填剤の平均粒径が（Ｄ）の熱
可塑性有機フィラーのそれより大きいと、（Ｄ）フィラ
ーがスペーサーとしての役割を果たせなくなる。（Ｃ）
充填剤としての具体的なものは、シリカ粉末、銀粉、ニ
ッケル粉等を広く使用することができる。また、このよ
うなフィラーの配合割合は、特に限定されないが、ペー
スト全体に対して２０〜７０重量％の割合とすることが
望ましい。
（Ｄ）の熱可塑性有機フィラーよりも平均粒径が小さい
ことが望まれる。（Ｃ）充填剤の平均粒径が（Ｄ）の熱
可塑性有機フィラーのそれより大きいと、（Ｄ）フィラ
ーがスペーサーとしての役割を果たせなくなる。（Ｃ）
充填剤としての具体的なものは、シリカ粉末、銀粉、ニ
ッケル粉等を広く使用することができる。また、このよ
うなフィラーの配合割合は、特に限定されないが、ペー
スト全体に対して２０〜７０重量％の割合とすることが
望ましい。
【００１１】本発明に用いる（Ｄ）熱可塑性有機フィラ
ーは、平均粒径が１０〜８０μｍで、その粒度分布が±
５μｍ以下であり、かつ融点が５０〜２００℃である球
形熱可塑性有機フィラーである。平均粒径が１０μｍ未
満であると半導体素子にかかる応力を緩和できなくな
り、８０μｍを超えるとペーストの作業性が悪化する。
また、粒度分布が平均粒径の±５μｍから外れると、ペ
ーストの厚みにバラツキが発生し、接着された半導体素
子が傾くといった問題が生じる。
ーは、平均粒径が１０〜８０μｍで、その粒度分布が±
５μｍ以下であり、かつ融点が５０〜２００℃である球
形熱可塑性有機フィラーである。平均粒径が１０μｍ未
満であると半導体素子にかかる応力を緩和できなくな
り、８０μｍを超えるとペーストの作業性が悪化する。
また、粒度分布が平均粒径の±５μｍから外れると、ペ
ーストの厚みにバラツキが発生し、接着された半導体素
子が傾くといった問題が生じる。
【００１２】熱可塑性有機フィラーの融点は、５０〜２
００℃である。この範囲であればペースト硬化中にスペ
ーサーが溶融するため、ペースト中の揮発分の影響に伴
うぺ膜厚の目減りに対応して、半導体素子側のペースト
／素子間に巣（ボイド）ができずに接着強度の低下を防
止することができる。有機フィラーの融点が５０℃未満
であるとペーストの混練中にスペーサーフィラーが溶融
して、使用時にスペーサーとしての役割を果たせなくな
る可能性があり、また２００℃を超えるとペーストの硬
化温度の上限が２００℃程度であるために、ペースト硬
化中にスペーサーが溶融せずに、ペーストが目減りする
量に対して対応できず、ペースト／素子間に巣（ボイ
ド）が生じる。
００℃である。この範囲であればペースト硬化中にスペ
ーサーが溶融するため、ペースト中の揮発分の影響に伴
うぺ膜厚の目減りに対応して、半導体素子側のペースト
／素子間に巣（ボイド）ができずに接着強度の低下を防
止することができる。有機フィラーの融点が５０℃未満
であるとペーストの混練中にスペーサーフィラーが溶融
して、使用時にスペーサーとしての役割を果たせなくな
る可能性があり、また２００℃を超えるとペーストの硬
化温度の上限が２００℃程度であるために、ペースト硬
化中にスペーサーが溶融せずに、ペーストが目減りする
量に対して対応できず、ペースト／素子間に巣（ボイ
ド）が生じる。
【００１３】熱可塑性有機フィラーの種類は、融点が５
０〜２００℃の範囲内であれば特に限定はない。これら
の例としては、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロ
ピレン、ポリメチルビニルエーテル、ポリエチルビニル
エーテルなどが挙げられる。
０〜２００℃の範囲内であれば特に限定はない。これら
の例としては、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロ
ピレン、ポリメチルビニルエーテル、ポリエチルビニル
エーテルなどが挙げられる。
【００１４】また、これら有機フィラーの配合割合は、
上記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の合計量に対して０．１〜
１０重量％の割合が望ましい。その割合が０．１重量％
未満では、スペーサーとしては量が少なく、チップが傾
くといった問題が生じる。また、１０重量％を超えると
ペーストの作業性が悪化する。
上記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の合計量に対して０．１〜
１０重量％の割合が望ましい。その割合が０．１重量％
未満では、スペーサーとしては量が少なく、チップが傾
くといった問題が生じる。また、１０重量％を超えると
ペーストの作業性が悪化する。
【００１５】本発明のダイボンディングペーストは、上
述した（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化
剤、（Ｃ）充填剤および（Ｄ）球形熱可塑性有機フィラ
ーを必須成分とするが、本発明の目的に反しない限り、
また必要に応じて、粘度調整のための溶剤、エポキシ基
の開環重合に対する反応性を備えた反応性希釈剤、消泡
剤、カップリング剤その他各種の添加剤を適宜配合する
ことができる。
述した（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化
剤、（Ｃ）充填剤および（Ｄ）球形熱可塑性有機フィラ
ーを必須成分とするが、本発明の目的に反しない限り、
また必要に応じて、粘度調整のための溶剤、エポキシ基
の開環重合に対する反応性を備えた反応性希釈剤、消泡
剤、カップリング剤その他各種の添加剤を適宜配合する
ことができる。
【００１６】粘度調整のための溶剤としては、例えば、
酢酸セロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール
アセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ジアセトンアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチ
ルホルムアミド、γ−ブチルラクトン、１，３−ジメチ
ル−２−イミダゾリジドン等が挙げられ、これらは単独
又は２種以上混合して使用することができる。
酢酸セロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール
アセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ジアセトンアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチ
ルホルムアミド、γ−ブチルラクトン、１，３−ジメチ
ル−２−イミダゾリジドン等が挙げられ、これらは単独
又は２種以上混合して使用することができる。
【００１７】反応性希釈剤としては、例えば、ｎ−ブチ
ルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、２
−エチルヘキシルグリシジルエーテル、スチレンオキサ
イド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジ
ルエーテル、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニルグリシジルエ
ーテル、グリシジルメタクリレート、ｔ−ブチルフェニ
ルグリシジルエーテル、ジグリシジルエーテル、（ポ
リ）エチレングリコールグリシジルエーテル、ブタンジ
オールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパン
トリグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジ
グリシジルエーテル等が挙げられ、これらは単独又は２
種以上混合して使用することができる。
ルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、２
−エチルヘキシルグリシジルエーテル、スチレンオキサ
イド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジ
ルエーテル、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニルグリシジルエ
ーテル、グリシジルメタクリレート、ｔ−ブチルフェニ
ルグリシジルエーテル、ジグリシジルエーテル、（ポ
リ）エチレングリコールグリシジルエーテル、ブタンジ
オールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパン
トリグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジ
グリシジルエーテル等が挙げられ、これらは単独又は２
種以上混合して使用することができる。
【００１８】さらに、カップリング剤としては、例え
ば、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランや
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等を挙げ
ることができる。
ば、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランや
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等を挙げ
ることができる。
【００１９】本発明のダイボンディングペーストは、常
法に従い上述した各成分を十分混合した後、更に例えば
ディスパース、ニーダー、三本ロールミル等による混練
処理を行い、その後減圧脱泡して製造することができ
る。こうして製造したダイボンディングペーストは、通
常、シリンジに充填しディスペンサを用いて、あるいは
スクリーン印刷法を用いて基材上に吐出し、半導体チッ
プを接着して加熱等により硬化させる。その後、ワイヤ
ボンディングを行い、樹脂封止材で封止して樹脂封止型
の化合物半導体装置を製造することができる。なお、ペ
ーストを硬化させるにあたっては、通常１００℃〜２０
０℃で１時間から２時間の加熱により実施される。
法に従い上述した各成分を十分混合した後、更に例えば
ディスパース、ニーダー、三本ロールミル等による混練
処理を行い、その後減圧脱泡して製造することができ
る。こうして製造したダイボンディングペーストは、通
常、シリンジに充填しディスペンサを用いて、あるいは
スクリーン印刷法を用いて基材上に吐出し、半導体チッ
プを接着して加熱等により硬化させる。その後、ワイヤ
ボンディングを行い、樹脂封止材で封止して樹脂封止型
の化合物半導体装置を製造することができる。なお、ペ
ーストを硬化させるにあたっては、通常１００℃〜２０
０℃で１時間から２時間の加熱により実施される。
【００２０】
【作用】本発明のダイボンディングペーストは、（Ａ）
エポキシ樹脂に（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化剤および、
（Ｃ）充填剤とともに特定の（Ｄ）球形熱可塑性有機フ
ィラーが配合されることによって、ペースト塗布膜厚を
一定に保つことが可能で、さらに熱時での接着強度が低
下しない、優れた信頼性の高いものとすることができた
ものである。
エポキシ樹脂に（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化剤および、
（Ｃ）充填剤とともに特定の（Ｄ）球形熱可塑性有機フ
ィラーが配合されることによって、ペースト塗布膜厚を
一定に保つことが可能で、さらに熱時での接着強度が低
下しない、優れた信頼性の高いものとすることができた
ものである。
【００２１】
【発明の実施形態】次に本発明を実施例によって具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定さ
れるものではない。以下の実施例および比較例において
「部」とは特に説明のない限り「重量部」を意味する。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定さ
れるものではない。以下の実施例および比較例において
「部」とは特に説明のない限り「重量部」を意味する。
【００２２】実施例１ ビスフェノールＦグリシジルエーテルのＹＬ９８３Ｕ
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）８０部、イ
ミダゾールの２ＰＨＺ（四国化成株式会社製、商品名）
４部、ジシアンジアミド４部、銀粉末ＴＣＧ−１（徳力
化学研究所製商品名、粒径２μｍ）２００部および希釈
剤としてフェニルグリシジルエーテル１０部を十分混合
した後、さらに三本ロールで混練した後に、ポリエチレ
ン有機フィラー（平均粒径３０μｍ、粒度分布±５μ
ｍ、融点１０５℃）４部を添加してディスパースにて十
分攪拌して導電性ペーストを得た。
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）８０部、イ
ミダゾールの２ＰＨＺ（四国化成株式会社製、商品名）
４部、ジシアンジアミド４部、銀粉末ＴＣＧ−１（徳力
化学研究所製商品名、粒径２μｍ）２００部および希釈
剤としてフェニルグリシジルエーテル１０部を十分混合
した後、さらに三本ロールで混練した後に、ポリエチレ
ン有機フィラー（平均粒径３０μｍ、粒度分布±５μ
ｍ、融点１０５℃）４部を添加してディスパースにて十
分攪拌して導電性ペーストを得た。
【００２３】実施例２ ビスフェノールＦグリシジルエーテルのＹＬ９８３Ｕ
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）５０部、イ
ミダゾールの２ＰＨＺ（四国化成株式会社製、商品名）
３部、ビスフェノールＦ３０部、銀粉末ＴＣＧ−１（徳
力化学研究所製商品名、粒径２μｍ）２００部および溶
剤としてブチルセロソルブアセテート１３部を十分混合
した後、さらに三本ロールで混練した後に、ポリエチル
ビニルエーテル有機フィラー（平均粒径６０μｍ、粒度
分布±５μｍ、融点８６℃）４部を添加してディスパー
スにて十分攪拌して導電性ペーストを得た。
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）５０部、イ
ミダゾールの２ＰＨＺ（四国化成株式会社製、商品名）
３部、ビスフェノールＦ３０部、銀粉末ＴＣＧ−１（徳
力化学研究所製商品名、粒径２μｍ）２００部および溶
剤としてブチルセロソルブアセテート１３部を十分混合
した後、さらに三本ロールで混練した後に、ポリエチル
ビニルエーテル有機フィラー（平均粒径６０μｍ、粒度
分布±５μｍ、融点８６℃）４部を添加してディスパー
スにて十分攪拌して導電性ペーストを得た。
【００２４】比較例１ エポキシ樹脂をベースとした従来のダイボンディングペ
ーストの代表として、以下の導電性ペーストを準備し
た。
ーストの代表として、以下の導電性ペーストを準備し
た。
【００２５】ビスフェノールＦグリシジルエーテルのＹ
Ｌ９８３Ｕ（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）
１００部、イミダゾールの２ＰＨＺ（四国化成株式会社
製、商品名）４部、ジシアンジアミド４部、銀粉末ＴＣ
Ｇ−１（徳力化学研究所製商品名、粒径２μｍ）２００
部および希釈剤としてフェニルグリシジルエーテル１０
部を十分混合した後、さらに三本ロールで混練して、導
電性ペーストを製造した。
Ｌ９８３Ｕ（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）
１００部、イミダゾールの２ＰＨＺ（四国化成株式会社
製、商品名）４部、ジシアンジアミド４部、銀粉末ＴＣ
Ｇ−１（徳力化学研究所製商品名、粒径２μｍ）２００
部および希釈剤としてフェニルグリシジルエーテル１０
部を十分混合した後、さらに三本ロールで混練して、導
電性ペーストを製造した。
【００２６】比較例２ ビスフェノールＦグリシジルエーテルのＹＬ９８３Ｕ
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）８０部、イ
ミダゾールの２ＰＨＺ（四国化成株式会社製、商品名）
４部、ジシアンジアミド４部、銀粉末ＴＣＧ−１（徳力
化学研究所製商品名、粒径２μｍ）２００部および希釈
剤としてフェニルグリシジルエーテル１０部を十分混合
した後、さらに三本ロールで混練した後に、ガラスビー
ズ（ソーダ石灰ガラス、平均粒径６０μｍ、粒度分布±
１０μｍ）１０部を添加してディスパースにて十分攪拌
して導電性ペーストを製造した。
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）８０部、イ
ミダゾールの２ＰＨＺ（四国化成株式会社製、商品名）
４部、ジシアンジアミド４部、銀粉末ＴＣＧ−１（徳力
化学研究所製商品名、粒径２μｍ）２００部および希釈
剤としてフェニルグリシジルエーテル１０部を十分混合
した後、さらに三本ロールで混練した後に、ガラスビー
ズ（ソーダ石灰ガラス、平均粒径６０μｍ、粒度分布±
１０μｍ）１０部を添加してディスパースにて十分攪拌
して導電性ペーストを製造した。
【００２７】比較例３ ビスフェノールＦグリシジルエーテルのＹＬ９８３Ｕ
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）５０部、イ
ミダゾールの２ＰＨＺ（四国化成株式会社製、商品名）
３部、ビスフェノールＦ３０部、銀粉末ＴＣＧ−１（徳
力化学研究所製商品名、粒径２μｍ）２００部および溶
剤としてＤＧＤＥ１３部を十分混合した後、さらに三本
ロールで混練した後に、ポリジビニルベンゼン（平均粒
径３０μｍ、粒度分布±５μｍ、熱分解温度３３４℃）
４部を添加してディスパースにて十分攪拌して導電性ペ
ーストを製造した。
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名）５０部、イ
ミダゾールの２ＰＨＺ（四国化成株式会社製、商品名）
３部、ビスフェノールＦ３０部、銀粉末ＴＣＧ−１（徳
力化学研究所製商品名、粒径２μｍ）２００部および溶
剤としてＤＧＤＥ１３部を十分混合した後、さらに三本
ロールで混練した後に、ポリジビニルベンゼン（平均粒
径３０μｍ、粒度分布±５μｍ、熱分解温度３３４℃）
４部を添加してディスパースにて十分攪拌して導電性ペ
ーストを製造した。
【００２８】実施例１〜２および比較例１〜３で得たペ
ーストを用いて、半導体チップと基板とを接着硬化させ
て、チップ接着強度その他を測定した。これらの結果を
表１に示したが、いずれも本発明が優れており、本発明
の顕著な効果が認められた。
ーストを用いて、半導体チップと基板とを接着硬化させ
て、チップ接着強度その他を測定した。これらの結果を
表１に示したが、いずれも本発明が優れており、本発明
の顕著な効果が認められた。
【００２９】
【表１】 ＊１：Ｅ型粘度計（３度コーン、０．５ｒｐｍ）、 ＊２：基板（Ｃｕ／Ａｇメッキリードフレーム）に４ｍ
ｍ角のシリコンチップを導電性ペーストを用いて接着
し、１８０℃，１ｈの条件でキュア後、２４０℃におけ
るダイシェア強度を測定した、 ＊３：基板（Ｃｕ／Ａｇメッキリードフレーム）に４ｍ
ｍ×１２ｍｍ角のシリコンチップを導電性ペーストを用
いて接着し、反り量を測定した、 ＊４：ディスペンス糸引き性を確認し、○印…糸引き無
し、△印…糸引き有り、とした。
ｍ角のシリコンチップを導電性ペーストを用いて接着
し、１８０℃，１ｈの条件でキュア後、２４０℃におけ
るダイシェア強度を測定した、 ＊３：基板（Ｃｕ／Ａｇメッキリードフレーム）に４ｍ
ｍ×１２ｍｍ角のシリコンチップを導電性ペーストを用
いて接着し、反り量を測定した、 ＊４：ディスペンス糸引き性を確認し、○印…糸引き無
し、△印…糸引き有り、とした。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明のダイボンディングペーストは、ペースト塗
布膜厚を一定に保つことが可能で、さらに、熱時での接
着強度が低下しない優れたペーストであり、このダイボ
ンディングペーストを使用することにより、信頼性の高
い半導体装置を得ることができ、工業上、大変有益なも
のである。
に、本発明のダイボンディングペーストは、ペースト塗
布膜厚を一定に保つことが可能で、さらに、熱時での接
着強度が低下しない優れたペーストであり、このダイボ
ンディングペーストを使用することにより、信頼性の高
い半導体装置を得ることができ、工業上、大変有益なも
のである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） //(Ｃ０８Ｌ 63/00 Ｃ０８Ｌ 101:00 101:00） Ｆターム(参考） 4J002 BB032 BB122 BC032 BE042 CD051 CD061 DA076 DA086 DJ016 FD012 FD016 GJ00 4J040 BA172 CA002 FA131 FA161 FA231 FA261 FA271 FA281 FA291 HA136 HA196 HA206 HA30 HA316 HA326 HB20 HB25 HB27 HB41 HC07 HC09 HD08 HD20 HD41 JA09 JB09 KA03 KA17 KA42 LA02 LA06 5F047 BA34 BA54
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）前記エポキ
シ樹脂の硬化剤、（Ｃ）（Ｄ）の球形熱可塑性有機フィ
ラーより平均粒径が小さい充填剤および（Ｄ）平均粒径
が１０〜８０μｍで、その粒度分布が±５μｍ以下であ
り、かつ融点が５０〜２００℃である球形熱可塑性有機
フィラーを必須成分としてなることを特徴とするダイボ
ンディングペースト。 - 【請求項２】 （Ｄ）の熱可塑性有機フィラーが、
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化剤およ
び（Ｃ）充填剤の合計量に対して０．１〜１０重量％の
割合で含有される請求項１記載のダイボンディングペー
スト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001110855A JP2002309065A (ja) | 2001-04-10 | 2001-04-10 | ダイボンディングペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001110855A JP2002309065A (ja) | 2001-04-10 | 2001-04-10 | ダイボンディングペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002309065A true JP2002309065A (ja) | 2002-10-23 |
Family
ID=18962552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001110855A Pending JP2002309065A (ja) | 2001-04-10 | 2001-04-10 | ダイボンディングペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002309065A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008308614A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スクリーン印刷用接着剤組成物 |
| WO2009142240A1 (ja) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換モジュールおよび熱電変換モジュールの製造方法 |
| JP5158200B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2013-03-06 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換モジュールおよび熱電変換モジュールの製造方法 |
| CN109309039A (zh) * | 2017-07-28 | 2019-02-05 | 日东电工株式会社 | 芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 |
-
2001
- 2001-04-10 JP JP2001110855A patent/JP2002309065A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008308614A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スクリーン印刷用接着剤組成物 |
| WO2009142240A1 (ja) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換モジュールおよび熱電変換モジュールの製造方法 |
| JPWO2009142240A1 (ja) * | 2008-05-23 | 2011-09-29 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換モジュールおよび熱電変換モジュールの製造方法 |
| JP5158200B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2013-03-06 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換モジュールおよび熱電変換モジュールの製造方法 |
| US8471139B2 (en) | 2008-07-02 | 2013-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermoelectric conversion module and method for manufacturing thermoelectric conversion module |
| CN109309039A (zh) * | 2017-07-28 | 2019-02-05 | 日东电工株式会社 | 芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 |
| JP2019029465A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 日東電工株式会社 | ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法 |
| JP7007827B2 (ja) | 2017-07-28 | 2022-01-25 | 日東電工株式会社 | ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法 |
| TWI789409B (zh) * | 2017-07-28 | 2023-01-11 | 日商日東電工股份有限公司 | 黏晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置製造方法 |
| CN109309039B (zh) * | 2017-07-28 | 2023-09-08 | 日东电工株式会社 | 芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法 |
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