JPH1143587A - 熱伝導性ペースト - Google Patents
熱伝導性ペーストInfo
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- JPH1143587A JPH1143587A JP32320597A JP32320597A JPH1143587A JP H1143587 A JPH1143587 A JP H1143587A JP 32320597 A JP32320597 A JP 32320597A JP 32320597 A JP32320597 A JP 32320597A JP H1143587 A JPH1143587 A JP H1143587A
- Authority
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- Japan
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- paste
- silver powder
- room temperature
- component
- thermally conductive
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 低応力性、接着性及び熱伝導性に優れた半導
体接着用ベーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）常温で液状であり且つエポキシ基
を１分子中に２ヶ以上有するエポキシ樹脂、（Ｂ）常温
での粘度が１００センチポイズ以下でありエポキシ基を
有する反応性希釈剤、（Ｃ）式（１）で示される常温で
結晶のフェノール性化合物、及び（Ｄ）銀粉を含有する
熱伝導性ペーストにおいて、（Ｄ）の銀粉が全ペースト
中の７０重量％から９０重量％であり、且つ長手方向の
長さの分布が１０ミクロン以上５０ミクロン以下、且つ
厚みの分布が１ミクロン以上５ミクロン以下のフレーク
状アトマイズ銀粉が全銀粉中３０重量％以上含むことを
特徴とする熱伝導性ペーストであって、更に該ペースト
の製造方法が、あらかじめ成分（Ｃ）を、（Ａ）及び
（Ｂ）、又は（Ｂ）と溶融混合し、更に（Ｄ）又は
（Ｄ）及び（Ａ）を混練することを特徴とする熱伝導性
ペースト。
体接着用ベーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）常温で液状であり且つエポキシ基
を１分子中に２ヶ以上有するエポキシ樹脂、（Ｂ）常温
での粘度が１００センチポイズ以下でありエポキシ基を
有する反応性希釈剤、（Ｃ）式（１）で示される常温で
結晶のフェノール性化合物、及び（Ｄ）銀粉を含有する
熱伝導性ペーストにおいて、（Ｄ）の銀粉が全ペースト
中の７０重量％から９０重量％であり、且つ長手方向の
長さの分布が１０ミクロン以上５０ミクロン以下、且つ
厚みの分布が１ミクロン以上５ミクロン以下のフレーク
状アトマイズ銀粉が全銀粉中３０重量％以上含むことを
特徴とする熱伝導性ペーストであって、更に該ペースト
の製造方法が、あらかじめ成分（Ｃ）を、（Ａ）及び
（Ｂ）、又は（Ｂ）と溶融混合し、更に（Ｄ）又は
（Ｄ）及び（Ａ）を混練することを特徴とする熱伝導性
ペースト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低応力性、接着性
及び熱伝導性に優れた半導体接着用ペーストに関するも
のである。
及び熱伝導性に優れた半導体接着用ペーストに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体チップの大型化、パッケージ
の薄型化に伴い周辺材料である樹脂材料に対する信頼性
の要求は年々厳しいものとなってきている。その中でリ
ードフレームに半導体チップを接着するペーストの特性
がパッケージの信頼性を高める要因として重要視されて
きている。パッケージの信頼性で特に重要なものとし
て、実装時の熱ストレスに対する耐半田クラック性があ
る。この特性を向上させるためには半導体封止材料と同
様にペーストにも低応力性、低吸水性、高接着性が要求
される。これらの特性を満足する方法として特開平０７
−１７９８３３号に開示された液状エポキシ樹脂、一分
子当たり３つのフェノール性水酸基を有する化合物、及
び銀粉の組み合わせは前記特性を満足する材料である事
が見いだされている。しかし最近は半導体の動作時の発
熱が高くなり発熱を放散させるためペースト材にも高い
熱伝導性が要求されてきており、前記発明のペーストの
熱伝導性を向上させるためには銀粉を高充填しなければ
ならずこれに伴うペースト粘度の増大によってペースト
塗布時の作業性の低下を招き改良しなければならなかっ
た。又、前記フェノール性水酸基を有する化合物は高融
点の結晶であり、ぺースト中では固形のまま分散されて
おり、硬化後も部分的に未反応成分として残ることがわ
かり、これは硬化温度を該化合物の融点を越えても残存
することが判明した。熱伝導はこのような断熱層が存在
すると低下することが推定されるためこの問題に関して
も改良が必要であった。
の薄型化に伴い周辺材料である樹脂材料に対する信頼性
の要求は年々厳しいものとなってきている。その中でリ
ードフレームに半導体チップを接着するペーストの特性
がパッケージの信頼性を高める要因として重要視されて
きている。パッケージの信頼性で特に重要なものとし
て、実装時の熱ストレスに対する耐半田クラック性があ
る。この特性を向上させるためには半導体封止材料と同
様にペーストにも低応力性、低吸水性、高接着性が要求
される。これらの特性を満足する方法として特開平０７
−１７９８３３号に開示された液状エポキシ樹脂、一分
子当たり３つのフェノール性水酸基を有する化合物、及
び銀粉の組み合わせは前記特性を満足する材料である事
が見いだされている。しかし最近は半導体の動作時の発
熱が高くなり発熱を放散させるためペースト材にも高い
熱伝導性が要求されてきており、前記発明のペーストの
熱伝導性を向上させるためには銀粉を高充填しなければ
ならずこれに伴うペースト粘度の増大によってペースト
塗布時の作業性の低下を招き改良しなければならなかっ
た。又、前記フェノール性水酸基を有する化合物は高融
点の結晶であり、ぺースト中では固形のまま分散されて
おり、硬化後も部分的に未反応成分として残ることがわ
かり、これは硬化温度を該化合物の融点を越えても残存
することが判明した。熱伝導はこのような断熱層が存在
すると低下することが推定されるためこの問題に関して
も改良が必要であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記発明の
特性を生かし且つ高い熱伝導性を有するペーストを見い
だすべく鋭意検討した結果完成させるに至ったものであ
る。
特性を生かし且つ高い熱伝導性を有するペーストを見い
だすべく鋭意検討した結果完成させるに至ったものであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、（Ａ）常温
で液状であり且つエポキシ基を１分子中に２ヶ以上有す
るエポキシ樹脂、（Ｂ）常温での粘度が１００センチポ
イズ以下でありエポキシ基を有する反応性希釈剤、
（Ｃ）式（１）で示される常温で結晶のフェノール性化
合物、及び（Ｄ）銀粉を含有する熱伝導性ペーストにお
いて、（Ｄ）の銀粉が全ペースト中の７０重量％から９
０重量％であり、且つ長手方向の長さの分布が１０ミク
ロン以上５０ミクロン以下、且つ厚みの分布が１ミクロ
ン以上５ミクロン以下のフレーク状アトマイズ銀粉が全
銀粉中３０重量％以上含むことを特徴とする熱伝導性ペ
ーストであって、更に該ペーストの製造方法が、あらか
じめ成分（Ｃ）を、（Ａ）及び（Ｂ）、又は（Ｂ）と溶
融混合し、更に（Ｄ）又は（Ｄ）及び（Ａ）を混練する
ことを特徴とする熱伝導性ペーストである。
で液状であり且つエポキシ基を１分子中に２ヶ以上有す
るエポキシ樹脂、（Ｂ）常温での粘度が１００センチポ
イズ以下でありエポキシ基を有する反応性希釈剤、
（Ｃ）式（１）で示される常温で結晶のフェノール性化
合物、及び（Ｄ）銀粉を含有する熱伝導性ペーストにお
いて、（Ｄ）の銀粉が全ペースト中の７０重量％から９
０重量％であり、且つ長手方向の長さの分布が１０ミク
ロン以上５０ミクロン以下、且つ厚みの分布が１ミクロ
ン以上５ミクロン以下のフレーク状アトマイズ銀粉が全
銀粉中３０重量％以上含むことを特徴とする熱伝導性ペ
ーストであって、更に該ペーストの製造方法が、あらか
じめ成分（Ｃ）を、（Ａ）及び（Ｂ）、又は（Ｂ）と溶
融混合し、更に（Ｄ）又は（Ｄ）及び（Ａ）を混練する
ことを特徴とする熱伝導性ペーストである。
【０００５】
【化１】 （式中、Ｒは水素又は炭素数１〜５のアルキル基）
【０００６】本発明に用いられるエポキシ樹脂は液状で
ある事が必要である。常温で固形の場合は液状化するた
めに溶剤や反応性希釈剤を大量に必要とし硬化物の特性
低下（接着性、熱伝導性等）をおこすので好ましくな
い。だだし、液状の樹脂と混合し液状化したものはこの
限りではない。その例としては、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＦ、フェノールノボラックとエピクロルヒ
ドリンとの反応で得られるジグリシジルエーテルで常温
で液状のもの、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシ
クロペンタジェンオキシド、アリサイクリックジエポキ
シド−アジペイトのような脂環式エポキシ等が挙げられ
る。
ある事が必要である。常温で固形の場合は液状化するた
めに溶剤や反応性希釈剤を大量に必要とし硬化物の特性
低下（接着性、熱伝導性等）をおこすので好ましくな
い。だだし、液状の樹脂と混合し液状化したものはこの
限りではない。その例としては、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＦ、フェノールノボラックとエピクロルヒ
ドリンとの反応で得られるジグリシジルエーテルで常温
で液状のもの、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシ
クロペンタジェンオキシド、アリサイクリックジエポキ
シド−アジペイトのような脂環式エポキシ等が挙げられ
る。
【０００７】次に、反応性希釈剤としては希釈性を効果
的にするため常温での粘度が１００センチポイズ以下で
あることが必要である。これより大きいと希釈効果が少
なくなる。粘度測定法は例えばウベローデ粘度計等があ
る。その例としては、スチレンオキサイド、エチルヘキ
シルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテ
ル、クレジルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリ
シジルエーテル等が挙げられる。これらは、単独でも混
合しても差し支えない。
的にするため常温での粘度が１００センチポイズ以下で
あることが必要である。これより大きいと希釈効果が少
なくなる。粘度測定法は例えばウベローデ粘度計等があ
る。その例としては、スチレンオキサイド、エチルヘキ
シルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテ
ル、クレジルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリ
シジルエーテル等が挙げられる。これらは、単独でも混
合しても差し支えない。
【０００８】次に、本発明に用いる式（１）に示される
常温で結晶性である化合物のその添加量は全ペースト中
に０．１から２０重量％含まれる。０．１より少ないと
低応力性、低吸水性が望めなく、２０重量％を越えると
ペーストの粘度増加、フェノール性水酸基が硬化後も残
存し吸水特性の特性低下を招くので好ましくない。又、
ペーストの特性を失わない範囲で他の硬化剤を添加する
こともできる。他の硬化剤の例としてはヘキサヒドロフ
タール酸無水物、メチルヒドロフタール酸無水物、ナジ
ック酸無水物等の酸無水物、ノボラック型フェノール樹
脂等のポリフェノール類、及びイミダゾール、ジシアン
ジアミド等のアミン系化合物等が挙げられる。
常温で結晶性である化合物のその添加量は全ペースト中
に０．１から２０重量％含まれる。０．１より少ないと
低応力性、低吸水性が望めなく、２０重量％を越えると
ペーストの粘度増加、フェノール性水酸基が硬化後も残
存し吸水特性の特性低下を招くので好ましくない。又、
ペーストの特性を失わない範囲で他の硬化剤を添加する
こともできる。他の硬化剤の例としてはヘキサヒドロフ
タール酸無水物、メチルヒドロフタール酸無水物、ナジ
ック酸無水物等の酸無水物、ノボラック型フェノール樹
脂等のポリフェノール類、及びイミダゾール、ジシアン
ジアミド等のアミン系化合物等が挙げられる。
【０００９】本発明に用いる銀粉の３０重量％以上は長
手方向の長さが１０ミクロン以上５０ミクロン以下、且
つ厚みが１ミクロン以上５ミクロン以下のフレーク状ア
トマイズ銀粉である。長手方向の長さが５０ミクロンよ
り大きいとペーストの塗布作業性、特にディスペンス時
のニードル詰まりをおこし、１０ミクロンより小さいと
熱伝導性が向上されない。一方、厚み方向に関しては５
ミクロンより大きいと先に述べた塗布作業性に支障をき
たし、１ミクロンより小さいと熱伝導性向上に期待でき
ない。このような形状の銀粉の製造方法は溶融銀を高圧
噴射で粗粒粉を作りボールミル等でフレーク状に加工し
得られるアトマイズ銀粉である。一般に半導体用ペース
トに用いられる銀粉は例えば硝酸銀を化学的に還元して
得られる粗粒粉をボールミル等でフレーク状に加工した
還元粉であり一般により微細なフレークが得られるが本
発明のような銀粉をペーストを得られることは困難であ
る。該銀粉の添加量は全銀粉中３０重量％以上含むこと
が必要である３０％を下回ると熱伝導性に効果を示さな
い。尚、他の銀粉としてはを特に形状に関し制限はない
が好ましくは前記銀粉に比べ粒度分布においてより小さ
いものが好ましい。全銀粉の添加量は全ペースト当たり
７０重量％以上９０重量であることが必要である７０％
より少ないと高い熱伝導率は得られず。９０％より高充
填であるとペースト粘度が高すぎ現実的ではない。全ペ
ースト中に占める（Ａ）（Ｂ）成分の割合は、他の成分
の残余である。また、成分（Ａ）（Ｂ）の比（Ａ）／
（Ｂ）は８０／２０から５０／５０で有ることが好まし
い。８０／２０より高くなるとペースト粘度が高すぎ、
作業性に支障をきたす。５０／５０より下回ると反応性
希釈剤の硬化中に揮発する量が増え、リードフレーム、
チップ表面等に汚染しモールド樹脂成形後の界面剥離の
原因となる。
手方向の長さが１０ミクロン以上５０ミクロン以下、且
つ厚みが１ミクロン以上５ミクロン以下のフレーク状ア
トマイズ銀粉である。長手方向の長さが５０ミクロンよ
り大きいとペーストの塗布作業性、特にディスペンス時
のニードル詰まりをおこし、１０ミクロンより小さいと
熱伝導性が向上されない。一方、厚み方向に関しては５
ミクロンより大きいと先に述べた塗布作業性に支障をき
たし、１ミクロンより小さいと熱伝導性向上に期待でき
ない。このような形状の銀粉の製造方法は溶融銀を高圧
噴射で粗粒粉を作りボールミル等でフレーク状に加工し
得られるアトマイズ銀粉である。一般に半導体用ペース
トに用いられる銀粉は例えば硝酸銀を化学的に還元して
得られる粗粒粉をボールミル等でフレーク状に加工した
還元粉であり一般により微細なフレークが得られるが本
発明のような銀粉をペーストを得られることは困難であ
る。該銀粉の添加量は全銀粉中３０重量％以上含むこと
が必要である３０％を下回ると熱伝導性に効果を示さな
い。尚、他の銀粉としてはを特に形状に関し制限はない
が好ましくは前記銀粉に比べ粒度分布においてより小さ
いものが好ましい。全銀粉の添加量は全ペースト当たり
７０重量％以上９０重量であることが必要である７０％
より少ないと高い熱伝導率は得られず。９０％より高充
填であるとペースト粘度が高すぎ現実的ではない。全ペ
ースト中に占める（Ａ）（Ｂ）成分の割合は、他の成分
の残余である。また、成分（Ａ）（Ｂ）の比（Ａ）／
（Ｂ）は８０／２０から５０／５０で有ることが好まし
い。８０／２０より高くなるとペースト粘度が高すぎ、
作業性に支障をきたす。５０／５０より下回ると反応性
希釈剤の硬化中に揮発する量が増え、リードフレーム、
チップ表面等に汚染しモールド樹脂成形後の界面剥離の
原因となる。
【００１０】本発明ではより高い熱伝導を得るため前述
した式（１）で示されるフェノール性水酸基を有する化
合物の硬化後も部分的に未反応成分として残る問題に関
してはエポキシ樹脂、反応性希釈剤、式（１）で示され
る化合物又は反応性希釈剤と式（１）で示される化合物
とをあらかじめ溶融混合し、必要により添加剤（硬化促
進剤、消泡剤、カップリング剤等）と銀粉を混合しロー
ル混練等で混練する。溶融混合の条件としては２００℃
以下の条件で溶融させる事が好ましい。２００℃を越え
ると部分的にエポキシ基とフェノール基の反応がかなり
進み粘度の増加がおこり好ましくない。このように一旦
溶融混合により溶解させるとペーストの冷凍保存中でさ
え硬化剤すなわち式（１）の化合物が析出することもな
くなる。こうして溶解させたものを用いてペーストを製
造すると硬化後でも未反応物の固まりは完全に消失し、
熱伝導性は飛躍的に向上する。本発明によると、特定の
形状の銀粉を添加することにより熱伝導の方向性が少な
くなり従来のフレーク状銀粉に比べ熱伝導が向上する。
また、あらかじめ硬化剤すなわち式（１）の化合物を溶
解させることにより硬化後の未反応物がなくなり熱伝導
は更に向上する。結果として、式（１）で示される硬化
剤の特性を維持し且つ熱伝導性の優れた半導体接着用ペ
ーストを得ることができる。
した式（１）で示されるフェノール性水酸基を有する化
合物の硬化後も部分的に未反応成分として残る問題に関
してはエポキシ樹脂、反応性希釈剤、式（１）で示され
る化合物又は反応性希釈剤と式（１）で示される化合物
とをあらかじめ溶融混合し、必要により添加剤（硬化促
進剤、消泡剤、カップリング剤等）と銀粉を混合しロー
ル混練等で混練する。溶融混合の条件としては２００℃
以下の条件で溶融させる事が好ましい。２００℃を越え
ると部分的にエポキシ基とフェノール基の反応がかなり
進み粘度の増加がおこり好ましくない。このように一旦
溶融混合により溶解させるとペーストの冷凍保存中でさ
え硬化剤すなわち式（１）の化合物が析出することもな
くなる。こうして溶解させたものを用いてペーストを製
造すると硬化後でも未反応物の固まりは完全に消失し、
熱伝導性は飛躍的に向上する。本発明によると、特定の
形状の銀粉を添加することにより熱伝導の方向性が少な
くなり従来のフレーク状銀粉に比べ熱伝導が向上する。
また、あらかじめ硬化剤すなわち式（１）の化合物を溶
解させることにより硬化後の未反応物がなくなり熱伝導
は更に向上する。結果として、式（１）で示される硬化
剤の特性を維持し且つ熱伝導性の優れた半導体接着用ペ
ーストを得ることができる。
【００１１】
【実施例】本発明を実施例で具体的に説明する。 溶融混合物１ ビスフェノールＡエポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、
常温で液状、以下エポキシ樹脂Ａとする）、ｔーブチル
フェニルグリシジルエーテル（常温での粘度はウベロー
デ粘度計で１６センチポイズ、以下ＢＰＧＥとする）、
１、１、１ートリス（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン
（以下ＴＨＰＥとする）を表１の仕込みに従って秤量フ
ラスコにて１７０℃に加温し攪拌混合し１時間後完全に
ＴＨＰＥが溶解した混合物が得られた。以下溶融混合物
１とする 溶融混合物２ エポキシ樹脂Ａ、ＢＰＧＥ、ＴＨＰＥ、他の硬化剤とし
てビスフェノールＦを表１の仕込みに従って溶融混合物
１と同様の条件で均一な混合物を得た。以下溶融混合物
２とする 溶融混合物３ ＢＰＧＥ、ＴＨＰＥ及びビスフェノールＦを表１の仕込
みに従って溶融混合物１と同様の条件で均一な混合物を
得た。以下溶融混合物３とする
常温で液状、以下エポキシ樹脂Ａとする）、ｔーブチル
フェニルグリシジルエーテル（常温での粘度はウベロー
デ粘度計で１６センチポイズ、以下ＢＰＧＥとする）、
１、１、１ートリス（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン
（以下ＴＨＰＥとする）を表１の仕込みに従って秤量フ
ラスコにて１７０℃に加温し攪拌混合し１時間後完全に
ＴＨＰＥが溶解した混合物が得られた。以下溶融混合物
１とする 溶融混合物２ エポキシ樹脂Ａ、ＢＰＧＥ、ＴＨＰＥ、他の硬化剤とし
てビスフェノールＦを表１の仕込みに従って溶融混合物
１と同様の条件で均一な混合物を得た。以下溶融混合物
２とする 溶融混合物３ ＢＰＧＥ、ＴＨＰＥ及びビスフェノールＦを表１の仕込
みに従って溶融混合物１と同様の条件で均一な混合物を
得た。以下溶融混合物３とする
【００１２】
【表１】
【００１３】実施例１〜５ 前記溶融混合物１〜３に加えて、使用する銀粉を長手方
向が１０ミクロン以上４０ミクロン以下、厚みが２ミク
ロン以上５ミクロン以下の分布を有するアトマイズ銀粉
（以下銀粉Ａとする）、長手方向が１ミクロン以上３０
ミクロン以下、厚み方向が２ミクロン以下の分布を有す
る還元銀粉（以下銀粉Ｂとする）、長手方向が１ミクロ
ン以上３０ミクロン以下、厚み方向が１ミクロン以下の
分布を有する還元銀粉（以下銀粉Ｃとする）とし、その
他の添加剤としては、硬化剤としてジシアンジアミド、
硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾー
ル（２Ｐ４ＭＩ）、カップリング剤としてエポキシシラ
ン（γ−グリシドオキシプロピルトリメトキシシラン）
を、表２の処方に従って配合し、３本ロールで混練しペ
ーストを得た。このペーストを真空チャンバーにて２ｍ
ｍＨｇで３０分間脱泡した後、以下の方法により各種性
能を評価した。評価結果を表２及び表３に示す。
向が１０ミクロン以上４０ミクロン以下、厚みが２ミク
ロン以上５ミクロン以下の分布を有するアトマイズ銀粉
（以下銀粉Ａとする）、長手方向が１ミクロン以上３０
ミクロン以下、厚み方向が２ミクロン以下の分布を有す
る還元銀粉（以下銀粉Ｂとする）、長手方向が１ミクロ
ン以上３０ミクロン以下、厚み方向が１ミクロン以下の
分布を有する還元銀粉（以下銀粉Ｃとする）とし、その
他の添加剤としては、硬化剤としてジシアンジアミド、
硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾー
ル（２Ｐ４ＭＩ）、カップリング剤としてエポキシシラ
ン（γ−グリシドオキシプロピルトリメトキシシラン）
を、表２の処方に従って配合し、３本ロールで混練しペ
ーストを得た。このペーストを真空チャンバーにて２ｍ
ｍＨｇで３０分間脱泡した後、以下の方法により各種性
能を評価した。評価結果を表２及び表３に示す。
【００１４】熱伝導率：厚み約1mmの厚みの試験片を作
成し、レーザーフラッシュ法で熱拡散係数を求め、示差
走査熱量測定法（ＤＳＣ法）で比熱を求め、アルキメデ
ス法により密度を求め、３つのデータの積により熱伝導
率を計算した。 接着強度１：これらのペーストを用い銀めっき付銅フレ
ームに２×２ｍｍ角のシリコンチップを１７５℃、６０
分で硬化接着させ、常温、２５０℃における熱時接着力
（剪断強度）をプッシュプルゲージで測定した。 接着強度２：これらのペーストを用い銀めっき付銅フレ
ームに９×９ｍｍ角のシリコンチップを１７５℃、６０
分で硬化接着させ、２５０℃における引き剥がし方向の
接着力（ピール強度）をプッシュプルゲージで測定し
た。 反り：これらのペーストを用い、１５×６×０．３ｍｍ
（厚さ）のシリコンチップを厚さ２００μｍの銀めっき
付銅フレームに１７５℃、６０分で硬化接着させ、低応
力性の尺度としてチップの長手方向を表面粗さ計を用い
て上下方向の変位の最大値を求めた。
成し、レーザーフラッシュ法で熱拡散係数を求め、示差
走査熱量測定法（ＤＳＣ法）で比熱を求め、アルキメデ
ス法により密度を求め、３つのデータの積により熱伝導
率を計算した。 接着強度１：これらのペーストを用い銀めっき付銅フレ
ームに２×２ｍｍ角のシリコンチップを１７５℃、６０
分で硬化接着させ、常温、２５０℃における熱時接着力
（剪断強度）をプッシュプルゲージで測定した。 接着強度２：これらのペーストを用い銀めっき付銅フレ
ームに９×９ｍｍ角のシリコンチップを１７５℃、６０
分で硬化接着させ、２５０℃における引き剥がし方向の
接着力（ピール強度）をプッシュプルゲージで測定し
た。 反り：これらのペーストを用い、１５×６×０．３ｍｍ
（厚さ）のシリコンチップを厚さ２００μｍの銀めっき
付銅フレームに１７５℃、６０分で硬化接着させ、低応
力性の尺度としてチップの長手方向を表面粗さ計を用い
て上下方向の変位の最大値を求めた。
【００１５】
【表２】
【００１６】
【表３】
【００１７】以上表２、３に示したように、本発明の銀
粉、及び製造方法の組み合わせにより実施例ではいずれ
も高い熱伝導率を示し且つ熱時接着力、低応力性（反
り）を維持している。一方、比較例では銀粉の組み合わ
せだけ、又は溶融混合物だけでは熱伝導率が十分でな
い。
粉、及び製造方法の組み合わせにより実施例ではいずれ
も高い熱伝導率を示し且つ熱時接着力、低応力性（反
り）を維持している。一方、比較例では銀粉の組み合わ
せだけ、又は溶融混合物だけでは熱伝導率が十分でな
い。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、低応力性、及び熱伝導率に優
れ工業的に有用な半導体接着用ペーストである。
れ工業的に有用な半導体接着用ペーストである。
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）常温で液状であり且つエポキシ基
を１分子中に２ヶ以上有するエポキシ樹脂、（Ｂ）常温
での粘度が１００センチポイズ以下でありエポキシ基を
有する反応性希釈剤、（Ｃ）式（１）で示される常温で
結晶のフェノール性化合物、及び（Ｄ）銀粉を含有する
熱伝導性ペーストにおいて、（Ｄ）の銀粉が全ペースト
中の７０重量％から９０重量％であり、且つ長手方向の
長さの分布が１０ミクロン以上５０ミクロン以下、且つ
厚みの分布が１ミクロン以上５ミクロン以下のフレーク
状アトマイズ銀粉が全銀粉中３０重量％以上含むことを
特徴とする熱伝導性ペーストであって、更に該ペースト
の製造方法が、あらかじめ成分（Ｃ）を、（Ａ）及び
（Ｂ）、又は（Ｂ）と溶融混合し、更に（Ｄ）又は
（Ｄ）及び（Ａ）を混練することを特徴とする熱伝導性
ペースト。 【化１】 （式中、Ｒは水素又は炭素数１〜５のアルキル基）
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| JP8-320554 | 1996-11-29 | ||
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1997
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Cited By (9)
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