JP2002305314A - 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの設置方法 - Google Patents
太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの設置方法Info
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Abstract
モジュール内の各太陽電池の出力電流を均等化すること
ができる太陽電池を提供する。 【解決手段】 太陽電池モジュール60は、各々受光面
上に複数の平行な溝8が形成され、各溝の幅方向片側に
おける内側面(電極形成内側面)に出力取出用の電極5
が設けられた構造を有する複数の太陽電池14と、それ
ら太陽電池14を受光面が上となるように一体的に支持
する支持体10,50とを有する。溝8の、電極形成内
側面の配置方向を、設置時における各太陽電池14の受
光面の水平面に対する傾斜角βと、太陽電池モジュール
の設置場所の緯度δとに応じて調整すると、年間発電量
を増大させることができる。
Description
ルおよびその設置方法に関する。
すために、通常、太陽電池の表面にはフィンガー状の電
極が作製される。この電極の断面積が大きいほどその抵
抗値が減少するため、発電効率改善の面で電極幅や厚み
が大きいことが望ましい。しかし、一方で電極は、太陽
電池を構成する半導体材料内部に太陽光が導入されるこ
とを妨げるため、発電効率低下の原因となる。電極の作
製にはAgペーストのスクリーン印刷等が用いられてい
るが、太陽電池受光面で電極の占める面積の割合は8〜
12%となってしまい、これによるシャドウイングロス
が発電効率改善の点で障害となっている。
電効率改善を目的とし、太陽電池受光面に平行な矩形、
半円、三角断面形状溝を複数形成し、溝側面の幅方向の
片側内側面にのみ電極を形成したOECO(Obliquely
Evaporated Contact)太陽電池が開発されている(例え
ば、Renewable Energy,Vol.14, Nos.1-4, 83-88(199
8)あるいは欧州特許 EP0905794A2)。
太陽電池は、エネルギー変換効率の点で非常に大きな利
点を有しているが、本発明者が検討した結果、OECO
太陽電池をモジュール化するに際しては、電極が溝内側
面に形成されているという特殊な事情に起因して、従来
の太陽電池では生じ得なかった種々の新たな解決課題が
発生することがわかった。
しか電極を形成していないため、太陽光の入射角によっ
てシャドウイング面積が変化し、太陽電池の光生成電流
が変化することが不可避である。このことを示したのが
図2である。図2では、入射角がαの場合、シャドウイ
ング面積の割合はB/(A+B+C)となるが、入射角
がα´の場合、B´/(A´+B´+C´)となる。こ
のように、OECO太陽電池では、入射角が浅くなるほ
ど電極によるシャドウイングロスの割合が大きくなる。
最大にするためには、モジュール内の太陽電池毎の出力
電流を等しくすることが要求される。そのためには、太
陽電池毎の変換効率を一定にすることが重要である。し
かし、OECO太陽電池モジュールでは、基本性能の揃
った太陽電池を用いて、それらに均等に光を当てたとし
ても、太陽電池毎の出力電流が必ずしも等しくなるとは
限らない。なぜなら、太陽光が斜め方向から入射した
時、モジュール内の太陽電池の取付方向に考慮が払われ
ていないと、太陽電池ごとに生ずるシャドウイングロス
の程度が異なってしまい、出力電流の不均一化が生じて
しまうからである。
屋根等に設置されるが、OECO太陽電池は溝の片方の
側面にしか電極がなく、入射方向によってシャドウイン
グロスが変化するため、この電極面をどの方向に向ける
かによって、1日あるいは1年を通して得られる電力の
総和が異なり、場合によっては太陽電池モジュールの性
能を十分に引き出しえないこともありうる。
射した時においても、モジュール内の各太陽電池の出力
電流を均等化することができる太陽電池と、その太陽電
池モジュールの効果的な設置方法とを提供することにあ
る。
題を解決するために、本発明の太陽電池モジュールは、
各々受光面上に複数の平行な溝が形成され、各溝の幅方
向片側における内側面(以下、電極形成内側面という)
に出力取出用の電極が設けられた構造を有する複数の太
陽電池と、それら太陽電池を受光面が上となるように一
体的に支持する支持体とを備え、複数の太陽電池が支持
体に対し、溝の長手方向が互いに略一致し、かつ、電極
形成内側面が同一側に位置する形で取り付けられている
ことを特徴とする。
記構造の太陽電池は、前述のOECO太陽電池に相当す
るものである。そして、支持体上に取り付ける複数の太
陽電池の溝の長手方向を互いに略一致させ、かつ、電極
形成内側面を同一側に位置させることで、太陽光線が斜
めに入射したとき、個々の太陽電池の電極形成内側面に
は同一角度にて太陽光線が入射する。その結果、各太陽
電池にて生ずるシャドウイングロスの程度も略等しくな
り、出力電流の均一化を図ることができる。
の簡便性を考慮すると、形成する溝の断面形状として、
矩形、半円あるいは三角のいずれかであることが好まし
い。
ジュールの設置方法も提供する。具体的には、太陽電池
モジュールを予め定められた設置場所に設置する際に、
各太陽電池の溝の、電極形成内側面の配置方向を、設置
時における各太陽電池の前記受光面の水平面に対する傾
斜角βと、太陽電池モジュールの設置場所の緯度δとに
応じて調整するようにしたことを特徴とする。
陽電池は、太陽電池は溝の片方の側面を電極形成内側面
としているため、モジュールの姿勢や、設置場所の緯度
により、電極に入射する太陽光線強度及びシャドウイン
グの程度と、その1日あるいは1年を通しての変化の仕
方が全く異なることがわかった。そこで、モジュールの
姿勢として太陽電池の前記受光面の水平面に対する傾斜
角βを採用し、これと設置場所の緯度δとに応じて電極
形成内側面の配置方向を調整することで、太陽電池モジ
ュールの性能をより効果的に引き出すことが可能とな
り、ひいては太陽電池モジュールの1日あるいは年間を
通じての発電量をより増大させることができる。
面を用いて説明するが、本発明は本実施形態に限定され
るものではない。図1は、本発明の太陽電池モジュール
に使用される太陽電池の断面構造の一例を示すものであ
る。該太陽電池14においては、シリコン単結晶インゴ
ットから切り出されたp型シリコン単結晶基板2の第一
主表面(受光面となる)24上に、例えば幅数100μ
m程度、深さ100μm程度の多数の溝8が互いに平行
に形成されている。これらの溝8は、例えば、同軸的に
結合された一体回転する数百枚から数千枚の回転刃によ
り一括刻設することができるが、数回の操作に分けて刻
設してもよい。
4には、n型ドーパントであるリンを熱拡散することに
よりエミッタ層3が形成され、p−n接合部が形成され
ている。そして、そのエミッタ層3の上に、トンネル絶
縁膜として機能する薄いシリコン酸化膜4が、例えば熱
酸化法により形成されている。
が形成されている。該電極5は、例えば蒸着装置内にお
いて電極材料(例えばアルミニウム等の金属)を溝8の
片側の内側面(電極形成内側面)に蒸着することにより
形成されたものであり、その蒸着時においては後述する
通り、溝幅方向における片側の内側面に優先的に電極材
料が蒸着されるよう、蒸着源に対し基板2を所定角度以
上に相対的に傾けて配置するようにする(これが、OE
COの命名の由来でもある:なお、該蒸着時には、溝
8,8間に形成された凸状部9の頂面にも余分の電極材
料が堆積するが、これはリン酸溶液等のエッチング液に
て除去される)。そして、電極5を含む基板2の第一主
表面24の全体が、保護層および反射防止膜として機能
する窒化シリコン膜6により覆われている。他方、基板
2の裏面側にも窒化シリコン膜6と電極7とが形成され
ている。
電池モジュールの一例を示すものである。該太陽電池モ
ジュール60は、複数の太陽電池14を受光面24が上
となるように一体的に支持する支持体50を有する。複
数の太陽電池14は支持体50の底辺に対し、溝8の長
手方向が互いに略一致し、かつ、電極形成内側面1ひい
ては電極5が、図3に示すように、全ての太陽電池14
について同一側に位置する形で取り付けられている。
極形成内側面1の向きは、年間発電量の最適化を図るた
め、受光面24の水平面からの傾斜角度βと、設置場所
の緯度δ等に応じて変更される。この実施形態では、複
数の太陽電池14は、図5及び図6に示すように、電極
形成内側面8の位置が、受光面と平行な面内において互
いに180度反転した関係にある第一位置(図5)と第
二位置(図6)との間で少なくとも任意に選択可能とな
るように、支持体50(図8)に取り付けられており、
後述する設置方法の具体例を実施する上での便宜が図ら
れている。
持部材10に一体的に取り付けられ、該電池保持部材1
0が支持体としての設置基体50に取り付けられてい
る。電池保持部材10の設置基体50への取付方向の変
更により、複数の太陽電池14の電極形成内側面1(図
3)の位置を、第一位置及び第二位置との間で一括して
位置変更できる。なお、太陽電池14に形成された溝8
の向きを目視にて確認できない場合、電池保持部材10
あるいは設置基体50への取付時に支障を来たすので、
太陽電池14に、溝8と一定の位置関係を満たす方向識
別マーキング(オリエンテーションノッチあるいはオリ
エンテーションフラットなど)を付与しておくと便利で
ある。
形成され、各太陽電池14はその板面に沿う形で取り付
けられている。従って、電池保持部材10の傾斜角度β
が受光面24の傾斜角度となる。他方、設置基体50は
枠状に形成され、電池保持部材10は着脱結合機構によ
り、ここでは、設置基体50に形成されたねじ孔52に
電池保持部材10を貫いてねじ込まれるねじ51によ
り、着脱可能に取り付けられている。電池保持部材10
の向きを変える際には、ねじ51を取り外して電池保持
部材10を矢印Rの向きに反転させ、再びねじ51をね
じ込めばよい。
に対し、個別に方向調整可能に取り付けることもでき
る。図21にその一例を示す。この例では、太陽電池1
4を配線基体34に組み付けて円板状の太陽電池セルユ
ニット35とし、これを電池保持部材10に形成された
電池保持部10b(ここでは円筒状内面を有する座ぐり
状の凹部とされている)に軸線回りに回転可能に取り付
けてある。従って、太陽電池セルユニット35の回転に
より、電極形成内側面1(図3)の位置を変更すること
ができる。なお、電池保持部10bの内面は、例えばゴ
ム製の弾性保持部10cが形成されており、太陽電池セ
ルユニット35をここに圧入することで取付位置を保持
するようにしている。また、太陽電池セルユニット35
からの出力線14aは、電池保持部10bに続いて形成
される貫通穴10aを通って引き出されている。
とき、一般には図7に示すように、日当たりのよい南向
きの屋根が選ばれることが多い。ここで、自然光を利用
して太陽電池発電を行なう場合、1日平均の発電量を大
きくするには、光量が十分得られる南中前後の時間帯よ
りも、その前後の光量が不足しがちな、朝や夕方の時間
帯に、如何に効率よく光を電力に変換できるかが決め手
となる。ここで、太陽電池にシャドウイングロスを生じ
やすくなるのは、受光面への正射影が溝8の長手方向と
交差する形態で光が当たる場合であるが、このような状
態が上記朝夕の時間帯に長く続くことは、発電効率を高
める上で望ましくない。例えば南北方向に傾斜する屋根
の上に太陽電池モジュール60を取り付けるとき、図4
に示すように、各太陽電池14は、溝8の長手方向が屋
根の傾斜方向と直交する形で取り付けるようにする。こ
のようにすることで、上記のようなシャドウイングロス
の生じやすい照射状態を、多少シャドウイングロスを生
じても問題が小さい南中前後の時間帯に限られるように
することができ、逆に、太陽光が東寄りあるいは西寄り
から照りつける朝夕の時間帯においては、シャドウイン
グロスを抑えて有効に光を電力に変換することができる
ようになる。
成された溝8の長手方向が水平となるように設置され
る。そして、受光面の傾斜角度βと設置場所の緯度δと
を考慮に入れて、電極の最適方向を鋭意検討した結果、
次のような設置態様を採用することが有効であることが
わかった。すなわち、受光面の水平面に対する傾斜角を
β度とし、設置場所の緯度をδ度(ただし、北緯を正と
して定める)とした時、 β≦60×|sinδ| ‥‥(1) が成り立つ場合は、図5に示すように、溝8の電極形成
内側面1が他方の内側面よりも赤道に近くなるように
(つまり、傾斜方向において上向きとなるように)配置
し、 β>60×|sinδ| ‥‥(2) が成り立つ場合は、図6に示すように、その逆とする。
は、図5の設置態様を採用することで、図6の設置態様
よりも年間発電量を向上させることができ、逆に、
(2)が成立する緯度δにおいては、図6の設置態様を
採用することで、図5の設置態様よりも年間発電量を向
上させることができる。すなわち、太陽電池モジュール
60の年間の発電効率の最適化を図ることができる。上
記(1)及び(2)の条件式を示したグラフを図10に
示す。図10では南緯をマイナスで表している。
従って導出されたものである。以下、その詳細について
説明する。まず、太陽の方位角と仰角、太陽電池モジュ
ール60の設置角と方位角より、例えば図2に示すよう
に、電極5の投影面積割合(シャドウイングロス)を求
める式を求めることができる。図2から解るように、 B/(A+B+C)、B´/(A´+B´+C´) ‥‥(3) がこの電極の投影面積割合にあたる。図9のS1に示す
ように、太陽の方位角φ’と仰角θ’(方位角φ’は、
溝の長手方向の東向きを0、反時計回りを正とする)
は、日付d、時刻hrおよび緯度δの関数として表され
る。この関数のデータは暦に従って一義的に求めること
ができる。該関数データの取得手法は天文学において極
めて周知であるから、詳細な説明は省略する。そして、
S2に示すように、上記のφ’と仰角θ’に、受光面の
傾斜角度β(以下、太陽電池モジュールの設置角あるい
は単に設置角ともいう)に相当する回転変換を施すこと
で、受光面(太陽電池モジュール)から見た相対的な太
陽の方位角φと仰角θを表す関数データを求めることが
できる。仰角θは受光面への太陽光線の入射角度に相当
し、方位角φは溝8に対する太陽光正射影とのなす角度
に相当するので、図19に示すように、電極厚さt、溝
深さh、溝幅w2、溝間距離w1が一定であれば、θ及
びφと、これらの溝形状パラメータとを用いれば、上記
式(3)を用いて、各日付/時刻のシャドウイングロス
Sを、緯度δ及び設置角βの関数データとして計算でき
る(図9(S3))。
仰角θは、以下のようにして計算することができる(こ
こでは、北半球上の地域を例にとって説明するが、南半
球上においても計算の概略は当然、同一である)。ま
ず、赤道上から見たある時刻hr時の太陽の位置を求め
る。そのために、図23に示すような、東をxの正の方
向、北をyの正の方向、垂直上向きをzの正の方向とし
た半径1の天球を考える。この場合、天球上の太陽の位
置(x,y,z)は、次の3つの式(4)〜(6)から
求められる。ただし、太陽の南中時刻をhr=12と定
義している。
日を1日目とする)の南中角で、次式(7)で表され
る。
径R(=1)、方位角φ’、仰角θ’で表される天球極
座標(R,φ’,θ’)との間に、x=cosθ’×c
osφ’、y=cosθ’×sinφ’、z=sin
θ’なる関係が幾何学的に成立する。次に、緯度δ度の
地点から見た太陽の位置(x1,y1,z1)を求め
る。緯度δ度の地点から見た太陽の位置は、赤道上から
見える太陽の位置をx軸(東西方向)まわりにδ度回転
させたものと等しく、次の3式(8)〜(10)で表さ
れる。
ジュールから見た太陽の位置(x2,y2,z2)を求
める。ただし、Ψの符号は東方向を正とする。この太陽
の位置は、太陽の位置(x1,y1,z1)をz軸まわ
りにΨ度回転させたものと等しく、次の3式(11)〜
(13)で表される。
の位置(x3,y3,z3)を求める。図24に示すよ
うに、太陽電池モジュールは溝の長手方向を水平面と平
行に、設置角β度で設置すると仮定する。また、溝の長
手方向をx’方向、溝の長手方向に垂直で受光面に平行
な方向をy’方向、モジュールの法線方向をz’方向と
する。この場合も、太陽電池モジュールから見た太陽の
位置は、x’軸まわりに−β度回転させたものと等しい
ので、次の3式(14)〜(16)で表される。
太陽の方位角φと仰角θは、太陽の位置(x3,y3,
z3)を用いて次式(17)、(18)のように表され
る。
きを0、反時計回りを正とする。また、仰角θは、太陽
がモジュール受光面に対して直接太陽光を入射すること
ができる場合を正とする。結局、モジュール設置場所の
緯度δ、設置角β、設置方位角Ψ、日付d、時刻hrの
5つの変数を上記(4)〜(18)式に与えることで、
太陽電池モジュールから見た太陽の方位角φと仰角θを
得ることができる。
1を上向きおよび下向きにした場合のそれぞれにつき、
緯度δの種々の値、及び設置角βの種々の値について、
年間を通じた各日付/時間のシャドウイングロスSを計
算する。本実施形態では、設置方位角Ψが0であり、緯
度δを10度間隔に、傾斜角度βを5度間隔に定めて、
各月の日付を月半ばの15日で代表させて、各時のシャ
ドウイングロスを求め、代表データ点とした。図11、
図12、図13は、緯度δを30度、設置角βをそれぞ
れ25度、30度、35度としたときの、各月15日の
8時、10時、12時、14時及び16時におけるシャ
ドウイングロスSを求めた結果を示す。また、図14、
図15、図16は、緯度δを50度、設置角βをそれぞ
れ45度、50度、55度としたときの、各月15日の
8時、10時、12時、14時、16時におけるシャド
ウイングロスSを求めた結果を示すものである。
スSを差し引いた有効受光量Peを求める。ここでは、
太陽光に垂直な面が受ける太陽光エネルギー密度を、緯
度、時間あるいは太陽の仰角に区別なく、平均的な値と
して(1kW/m2)であると仮定した。ただし、この
うちモジュールに照射される太陽光エネルギー密度は、
モジュールの法線方向成分のみとなる。また、日中(日
の出から日の入り間)において、太陽光が直接、モジュ
ールを照射できない場合、散乱光のみが太陽光表面に達
すると仮定した。その際、太陽光エネルギー密度は入射
角依存性がなく、0.3kW/m2で一定であると仮定
した。つまり、この場合、太陽がどの位置にあろうとも
有効受光量は0.3kW/m2からシャドウイングロス
分を差し引いた値となる。これは、具体的には、図7に
示すように、季節及び時間帯により、太陽がモジュール
60の裏側に回りこんでしまうような場合である。な
お、夜間(日の入りから日の出間)は有効受光量を0k
W/m2とした。
た有効受光量Peを全時間で積算し、その全時間で割る
ことにより、平均有効受光量Peaを求める。この平均
有効受光量Peaと設置角βとの関係を示した結果が、
図17(緯度δ=30度)及び図18(緯度δ=50
度)である。これら図から明らかな通り、電極形成内側
面を上向きにした場合と下向きにした場合との、平均有
効受光量Peaひいては発電出力の優劣関係が、ある分
起点角度で反転しており、低角度側では上向きが、高角
度側では下向きが有利となっていることがわかる。ま
た、その優劣関係が反転する分起点角度は、緯度δによ
り変化することもわかる。例えば、北緯30度のケース
では分起点角度が約30度であり、これよりβが大きい
場合、電極形成内側面を下向き(赤道方向)に、小さい
場合、上向き(赤道と反対方向)にするのが好ましいこ
とを意味する。他方、北緯50度では、この分起点角度
は約47度となっている。
上記分起点角度を求める。図10は、その算出結果を緯
度δに対してプロットしたものである。プロット点は、
緯度0度(赤道位置)で0度となり(これは、上向きで
も下向きでも優劣がないことを意味する)、それよりも
δが北緯側又は南緯側にずれると、分起点角度は正弦曲
線に従って大きくなっていくことがわかる。この関係を
表したものが、上記条件判別式(1)及び(2)に相当
する。なお、ここで計算に用いたOECO太陽電池の溝
形状は、図19で示したように隆起部幅9(w1)50
μm、溝幅(w2)450μm、溝深さ(h)50μm、
電極厚さ(t)5μmであるが、異なった値を代入した
場合も、最後に得られる曲線は同様なものが得られる。
ただし、この導出過程において、バスバー電極について
は無視した。これは、バスバー電極のシャドウイングロ
スが入射角によって変化しないことによる。
いて太陽電池モジュール60の電極形成内側面1の設置
方向を決定し、設置することで、1年間に太陽電池モジ
ュール60から得られる発電出力の総量を増大すること
ができる。なお、本発明の条件式は北緯90度から南緯
90度まで適用可能である。
ュール60の設置場所として、必ずしも南向きの最良の
位置が確保できない場合もある。例えば図20では、東
向きの屋根(傾斜方向は従って東西方向)の上に設置せ
ざるを得なくなった場合を示す。この場合、設置方位角
Ψは0でなくなり、溝8(即ち電極形成内側面)の向き
が、南北方向と直角(東西方向と平行)となるように、
支持体(ここでは、電池保持部材10)に取り付けるの
がよい。この場合、受光面の傾斜方向も東西方向とな
る。
の、各緯度δにおける分起点角度βを計算した結果を示
すものである。これによると、設置方位角Ψが65゜ま
では、分起点角度βと緯度δとの関係を示す曲線に大き
な変化はなく、前記した(1)及び(2)の条件式を略
そのまま用いても問題がないことがわかる。他方、設置
方位角Ψが65゜を超える場合(上限は90゜)は、
(1)及び(2)の右辺が表す単純な正弦曲線からの逸
脱がかなり大きくなっており、溝方向を判別するための
条件式としては不適となる。そこで65゜を超える種々
の設置方位角Ψにおいては、各緯度δでの分起点角度β
を求めた計算結果点に関数によるカーブフィッティング
を行なった結果、次のような条件式を用いることは有効
であることが判明した。すなわち、下記式(19)が成
り立つ場合は、溝の電極形成内側面が他方の内側面より
も赤道に近くなるように配置し、式(20)が成り立つ
場合はその逆とすることが望ましい。ただし、Ψが90
゜(東向き)のとき、下記式(19)が成り立つ場合
は、溝の電極形成内側面が他方の内側面よりも東もしく
は下に近くなるように配置し、式(20)が成り立つ場
合は、その逆とする。一方、Ψが−90゜(西向き)の
とき、下記式(19)が成り立つ場合は、溝の電極形成
内側面が他方の内側面よりも西もしくは下に近くなるよ
うに配置し、式(20)が成り立つ場合は、その逆とす
る。なお、ω=−0.0043δ3+0.9δ2−6
2.5δ+1461である。
側面の上向きあるいは下向きに関する分起点角度は、高
緯度地域ほど大きくなる。これは、年間を通じて太陽光
の照射角度が小さいため、受光面の傾斜角度βをなるべ
く大きくしたほうが有利であるためである。このよう
に、受光面の傾斜角度β自体にも、設置場所の緯度δに
より最適の値が存在する場合がある。そこで、図22に
示すように、本発明の太陽電池モジュールは、受光面の
傾斜角度βを可変に構成することも可能である。該図の
実施形態においては、ベース150に電池保持部材10
の下端部を蝶番53により旋回可能に結合し、上端側を
昇降ロッド54により昇降させて、傾斜角度βが変更で
きるようにしてある。昇降ロッド54は、例えばこれに
一体化された雌ねじ部材54にねじ軸55を螺合させ、
このねじ軸55をハンドル56の操作等により正逆両方
向に回転させることで昇降させることができる。
な方法により作製した。まず、III族元素のガリウムを
不純物元素とするp型単結晶シリコンウエハ2(10c
m角、基板厚300μm、抵抗率0.5Ωcm)の受光
面側に、ダイサーによって平行な四角(矩形)断面形状
の溝8を複数形成した。溝形状は、図19に示すよう
に、溝間隔(W1)を50μm、溝幅(W2)を450
μm、溝深さ(h)を50μmとした。次に、水酸化カ
リウム水溶液によりエッチングしてダメージ層を取り除
き、裏面にプラズマCVD装置を用いて窒化シリコン膜
6を形成した。
元素のリンを不純物としたn+領域からなるエミッタ層
3を、シート抵抗が100Ω/□となるように作製し
た。さらに、裏面に対し、アルミニウムの真空蒸着によ
り厚さ2μmの電極7を形成した。次に、受光面上に熱
酸化により膜厚2nmのトンネル酸化膜4を作製し、引
き続いて、この受光面の平行溝に垂直方向、且つウエハ
表面に対し斜め20度の方向から電極となるアルミニウ
ムを真空蒸着し、溝側面の一方のみに厚さ5μmの電極
5を形成した。さらに、プラズマCVDによって膜厚7
0nmの窒化シリコン膜6を受光面上に形成した。
池を60枚用意し、電極形成内側面1を同一方向に向
け、さらに溝の長手方向を太陽電池モジュールの底辺の
方向と一致させた状態で、ガラスとテドラーを支持器材
とした太陽電池モジュール内にEVA(エチレンビニル
アセテート)樹脂で封止した。比較のため、半数の太陽
電池の電極形成内側面1を180度回転させて配置した
太陽電池モジュールも作製した。便宜的に、ここでは前
者をサンプル1、後者をサンプル2とする。なお、作製
した太陽電池モジュールのモジュール面積は666cm
2であり、サンプルの定格出力は110Wである。
kW/m2、スペクトル:AM1.5グローバル)を用
いて、作製した太陽電池モジュールの出力特性を測定し
た。ただし、測定では、太陽電池モジュールの受光面を
溝の垂直方向に60度傾けた。得られた出力特性を、次
の表に示す。
ンプル2に比べて0.5A程度大きい短絡電流を示し、
高い出力を示した。つまり、本発明を適用することでよ
り高い出力を得ることが可能であることがわかる。
(2)より、北緯30度に設置角35度で設置する場合
の最適な電極形成内側面方向は下向きとすることが望ま
しいとの結果を得る。そこで、実際に、実施例1で作製
した電極形成内側面1の方向を揃えた太陽電池モジュー
ルを、北緯30度20分の鹿児島県屋久島において、真
南に対して勾配が35度である家屋の屋根に設置し、年
間発電量を測定した。用意したサンプルは電極形成内側
面を上向きとした太陽電池1枚と下向きとした太陽電池
電池1枚である。測定された年間発電量を、表2に示
す。
して設置した太陽電池モジュールの方が、上向きに設置
した太陽電池モジュールよりも大きな年間発電量を示
す。
図。
と太陽光との関係を示す説明図。
陽電池配列方法を示した斜視図。
を示した図。
ールを設置する例を示す図。
ジュールを設置する例を示す図。
例を示す模式図。
視図。
流れ図。
角度と電極形成内側面方向との関係を示した図。
5度で設置した場合のシャドウイングロスの時間変化を
示す図。
0度で設置した場合のシャドウイングロスの時間変化を
示す図。
5度で設置した場合のシャドウイングロスの時間変化を
示す図。
5度で設置した場合のシャドウイングロスの時間変化を
示す図。
0度で設置した場合のシャドウイングロスの時間変化を
示す図。
5度で設置した場合のシャドウイングロスの時間変化を
示す図。
場合の設置角と平均有効受光量との関係を示す図。
場合の設置角と平均有効受光量との関係を示す図。
断面模式図。
を示す説明図。
能とする太陽電池モジュールの構造例を示す断面図。
セルユニットの一例を示す断面模式図。
方向と、水平面との位置関係、及び設置角との関係を示
す斜視図。
との関係を示すグラフ。
Claims (6)
- 【請求項1】 各々受光面上に複数の平行な溝が形成さ
れ、各溝の幅方向片側における内側面(以下、電極形成
内側面という)に出力取出用の電極が設けられた構造を
有する複数の太陽電池と、それら太陽電池を前記受光面
が上となるように一体的に支持する支持体とを備え、 前記複数の太陽電池は前記支持体に対し、前記溝の長手
方向が互いに略一致し、かつ、前記電極形成内側面が同
一側に位置する形で取り付けられていることを特徴とす
る太陽電池モジュール。 - 【請求項2】 前記複数の太陽電池は、前記電極形成内
側面の位置が、前記受光面と平行な面内において互いに
180度反転した関係にある第一位置と第二位置との間
で少なくとも任意に選択可能となるように、前記支持体
に取り付けられていることを特徴とする請求項1記載の
太陽電池モジュール。 - 【請求項3】 前記複数の太陽電池は電池保持部材に一
体的に取り付けられ、該電池保持部材が前記支持体とし
ての設置基体に取り付けられており、該電池保持部材の
前記設置基体への取付方向の変更により、前記複数の太
陽電池の前記電極形成内側面の位置を、前記第一位置及
び第二位置との間で一括して位置変更できるようにした
請求項2に記載の太陽電池モジュール。 - 【請求項4】 前記溝の断面形状が矩形、半円及び三角
のいずれかであることを特徴とする請求項1ないし3の
いずれか1項に記載の太陽電池モジュール。 - 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれか1項に記載
された太陽電池モジュールを予め定められた設置場所に
設置する際に、各太陽電池の前記溝の、前記電極形成内
側面の配置方向を、設置時における各太陽電池の前記受
光面の水平面に対する傾斜角βと、太陽電池モジュール
の設置場所の緯度δとに応じて調整するようにしたこと
を特徴とする太陽電池モジュールの設置方法。 - 【請求項6】 前記設置場所に対し前記太陽電池モジュ
ールを、各太陽電池に形成された前記溝の長手方向が水
平となるように設置するとともに、前記受光面の水平面
に対する傾斜角をβ度とし、前記設置場所の緯度をδ度
(ただし、北緯を正として定める)とした時、 β≦60×|sinδ| が成り立つ場合は、前記溝の前記電極形成内側面が他方
の内側面よりも赤道に近くなるように配置し、 β>60×|sinδ| が成り立つ場合はその逆とすることを特徴とする請求項
5記載の太陽電池モジュールの設置方法。
Priority Applications (6)
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US10/250,529 US6963024B2 (en) | 2001-02-01 | 2002-01-30 | Solar cell module and its installing module |
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Publication Number | Publication Date |
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KR (1) | KR20030071867A (ja) |
CN (1) | CN1258232C (ja) |
WO (1) | WO2002061848A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007234641A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
JP2010502022A (ja) * | 2006-08-30 | 2010-01-21 | プレーヴァ インジェニーア ゾラー ウント ビオテク | ソーラー設備 |
JP2012522393A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006179624A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその設置方法 |
US20060132153A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Formfactor, Inc. | Assembly with a detachable member |
JP2009518487A (ja) * | 2005-12-06 | 2009-05-07 | アクゾ ノーベル ナムローゼ フェンノートシャップ | ゴム及び変性された層状の複水酸化物を含むナノコンポジット物質、その製造方法及びその使用 |
AU2008344986A1 (en) * | 2008-01-02 | 2009-07-09 | Blue Himmel Solar Pty Ltd | A method of selectively doping a semiconductor material for fabricating a solar cell |
US20100116329A1 (en) * | 2008-06-09 | 2010-05-13 | Fitzgerald Eugene A | Methods of forming high-efficiency solar cell structures |
US20100200065A1 (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-12 | Kyu Hyun Choi | Photovoltaic Cell and Fabrication Method Thereof |
US20100294353A1 (en) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for solar cell electrode |
US20110132445A1 (en) * | 2009-05-29 | 2011-06-09 | Pitera Arthur J | High-efficiency multi-junction solar cell structures |
US7923628B2 (en) * | 2009-09-09 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | Method of controlling the composition of a photovoltaic thin film |
DE102010035000B4 (de) * | 2010-08-20 | 2015-04-09 | Adensis Gmbh | Freiflächenphotovoltaikgenerator |
EP2617065A2 (en) * | 2010-09-17 | 2013-07-24 | Dow Global Technologies LLC | Improved photovoltaic cell assembly and method |
US8604330B1 (en) | 2010-12-06 | 2013-12-10 | 4Power, Llc | High-efficiency solar-cell arrays with integrated devices and methods for forming them |
CN102569453A (zh) * | 2010-12-10 | 2012-07-11 | 榕增光电科技有限公司 | 太阳能模组结构及其制法 |
KR101339358B1 (ko) * | 2013-05-27 | 2013-12-09 | 홍형의 | 수상 태양광용 모듈 일체형 부력체 |
FR3013898B1 (fr) * | 2013-11-25 | 2017-05-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formation d'une cellule photovoltaique |
CN104867993A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-08-26 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种倾斜式蒸发金属接触晶硅太阳能电池及其制备方法 |
US10365309B2 (en) * | 2015-12-17 | 2019-07-30 | Enphase Energy, Inc. | Method and apparatus for using module-level power electronics data for validating distributed energy resource system parameters |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3411952A (en) * | 1962-04-02 | 1968-11-19 | Globe Union Inc | Photovoltaic cell and solar cell panel |
US3419434A (en) * | 1964-07-21 | 1968-12-31 | Martin Marietta Corp | Solar cell assemblies |
FR2356169A1 (fr) * | 1976-02-09 | 1978-01-20 | Anvar | Heliostat |
US4152174A (en) * | 1977-11-17 | 1979-05-01 | Ludlow Ogden R | Photoelectric cell using an improved photoelectric plate and plate array |
JPS5664252A (en) * | 1979-10-30 | 1981-06-01 | Yoshiro Moriguchi | Solar energy utilizing apparatus |
US4287382A (en) * | 1980-05-09 | 1981-09-01 | Exxon Research & Engineering Co. | Solar cell assembly and fabrication of solar cell panels utilizing same |
FR2489597A1 (fr) * | 1980-08-29 | 1982-03-05 | Radiotechnique Compelec | Cellule solaire a face photosensible rainuree |
US4379944A (en) * | 1981-02-05 | 1983-04-12 | Varian Associates, Inc. | Grooved solar cell for deployment at set angle |
US4410757A (en) * | 1982-03-22 | 1983-10-18 | Monegon, Ltd. | Adjustable collection members for solar energy systems |
JPH0379087A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Sharp Corp | 太陽光発電装置 |
DE4033658A1 (de) | 1990-10-23 | 1992-04-30 | Siemens Ag | Verfahren zur bearbeitung von grabenflanken in halbleitersubstraten |
JPH0682865A (ja) | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光fft回路 |
JPH0682865U (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-25 | 日新電機株式会社 | 太陽電池パネル角度調節装置 |
JPH0730139A (ja) * | 1993-07-15 | 1995-01-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池装置及びその設置方法 |
ES2169078T3 (es) * | 1993-07-29 | 2002-07-01 | Gerhard Willeke | Procedimiento para fabricacion de una celula solar, asi como la celula solar fabricada segun este procedimiento. |
US5522943A (en) * | 1994-12-05 | 1996-06-04 | Spencer; Jerald C. | Portable power supply |
DE19741832A1 (de) * | 1997-09-23 | 1999-03-25 | Inst Solarenergieforschung | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle |
US6201181B1 (en) * | 1998-12-08 | 2001-03-13 | Ase Americas, Inc. | Portable solar module cart |
JP2002305311A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-10-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
KR100831291B1 (ko) * | 2001-01-31 | 2008-05-22 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 태양전지 및 태양전지의 제조방법 |
CN1291502C (zh) * | 2001-03-19 | 2006-12-20 | 信越半导体株式会社 | 太阳能电池及其制造方法 |
-
2001
- 2001-03-19 JP JP2001079527A patent/JP3872306B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-01-30 WO PCT/JP2002/000703 patent/WO2002061848A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2002-01-30 CN CNB028042395A patent/CN1258232C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-30 EP EP02710391A patent/EP1367652A1/en not_active Withdrawn
- 2002-01-30 US US10/250,529 patent/US6963024B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-30 KR KR10-2003-7009946A patent/KR20030071867A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007234641A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
JP4489035B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2010-06-23 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
JP2010502022A (ja) * | 2006-08-30 | 2010-01-21 | プレーヴァ インジェニーア ゾラー ウント ビオテク | ソーラー設備 |
JP2012522393A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040060590A1 (en) | 2004-04-01 |
EP1367652A1 (en) | 2003-12-03 |
CN1258232C (zh) | 2006-05-31 |
WO2002061848A1 (fr) | 2002-08-08 |
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US6963024B2 (en) | 2005-11-08 |
CN1489791A (zh) | 2004-04-14 |
JP3872306B2 (ja) | 2007-01-24 |
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Ali | The effect of Tilt Angle, Surface Azimuth and Mirror in Solar Cell Panel Output in Baghdad. | |
Infield | Solar Energy: Photovoltaics | |
Luque et al. | Photovoltaic Science and Engineering | |
JUS | THE USE OF PHOTOVOLTAIC PANELS. |
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