JP2002305184A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】ＵＨＦ帯域の電磁波を供給することにより生成
されるプラズマを利用するドライエッチング装置におい
て、上記プラズマの生成効率及びプラズマ密度分布の均
一性を向上させ、もって、半導体装置製造に際してのド
ライエッチング工程における高選択性のエッチング加工
を実現すること。 【解決手段】誘電体１の大気側に設置したアンテナ４に
２００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの周波数範囲の電力を供給す
る。そして、この電力の反射を低減して入射効率を上げ
るために、アンテナ４の外周部の部材に誘電率が３．０
〜２２の誘電体を用いることによりプラズマ密度の増大
を可能とし、また、減圧容器１３の内外を分離している
誘電体１の上部に、この誘電体１とは誘電率の異なる誘
電体１８や空気で満たされた空洞を設けることにより、
入射電磁波の電界分布を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法及び製造装置に係り、特に、原料ガスをプラズマ化
することにより生成される活性化した粒子の物理的又は
化学的反応により半導体材料等の表面を処理するための
プラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】減圧容器内に設置したアンテナにＵＨＦ
（Ultra High Frequency）帯の電力を供給することによ
って前記アンテナから放射される電磁波と、ソレノイド
コイルによって形成される磁場とによるＥＣＲ(Electro
n Cyclotron Resonance)共鳴によってプラズマを形成す
るプラズマ発生装置が、特開平９−３２１０３１号公報
（引用文献１）に記載されている。

【０００３】また、減圧容器外にアンテナを設置し、減
圧容器を封止する誘電体壁を介して前記容器内に入射さ
れる電磁波とソレノイドコイルによる磁場とのＥＣＲ共
鳴によってプラズマを生成するプラズマ発生装置が特開
２０００−７７３８４号公報（引用文献２）に記載され
ている。また、この引用文献２にはプラズマ密度分布を
制御するためのリングを前記容器内に設置する手法が記
載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体装置製造
に際しての微細加工には、異方性，高選択比エッチング
が要求されている。ゲート配線や該ゲート配線に電気的
に繋がったメタル配線のエッチング加工では、ウェハ上
でのイオン電流密度を１ｍＡ／ｃｍ^２ 以上にするこ
と、及びイオン電流密度の面内分布が均一な放電をさせ
ることが重要になってきている。

【０００５】前掲の引用文献１では、外周部に誘電体製
の円環状部材を設置したアンテナを減圧容器内に設置
し、このアンテナに３００ＭＨｚ以上１ＧＨｚ以下のＵ
ＨＦ帯の電力を供給する。このようにＵＨＦ帯の電力を
用いることで、波長が容器内径と同等で、減圧容器の内
外を分離している誘電体部材をよりプラズマの誘電率に
類似したものとすることができ、前記アンテナによる電
磁波の入射効率が高く、単一モードのプラズマしか存在
できないようになって、安定したプラズマが得られる
が、前記減圧容器内に前記アンテナを設置するため、前
記アンテナの外周部で局所的な強電界が発生するため、
直径３００ｍｍφ以上の大口径にわたっての均一プラズ
マを生成させることが難しいという問題がある。

【０００６】また、前掲の引用文献１では、プラズマの
密度分布を制御するためのリング状部材が設置されてい
るが、減圧容器内にあるために、このリング状部材の近
傍で局所的な電界が発生するため、やはり直径３００ｍ
ｍφ以上の大口径での均一化が難しいという問題があ
る。

【０００７】従って、本発明の目的は、減圧容器内外を
気密封止する誘電体部材を設置し、この誘電体部材の大
気側に設置したアンテナにＵＨＦ帯電力を供給するプラ
ズマ処理装置において、プラズマ密度の増大と、プラズ
マの安定性および大口径での均一性の向上を達成するこ
とにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明においては、減圧
容器の内外を分離（気密封止）する誘電体部材を設置
し、この誘電体部材の大気側に設置したアンテナに２０
０ＭＨｚ以上，１ＧＨｚ以下のＵＨＦ帯電力を供給す
る。そして、このＵＨＦ帯電力による電磁波の前記誘電
体部材界面における反射を低減して入射効率を上げるた
めに、前記アンテナ外周部への設置部材に誘電率が３．
０から２２までの範囲内の誘電体を用いる。これによ
り、プラズマ密度の増大が可能となる。

【０００９】また、前記減圧容器の内外を分離する前記
誘電体部材の大気側と前記アンテナとの間隙を別の誘電
体や空気で満たされた空洞で構成することにより、電磁
波の入射分布を制御して、プラズマの均一性を向上させ
る。本発明では、前掲の引用文献１，２におけるように
前記減圧容器内に前述したような構造物がないため、大
口径にわたって均一なプラズマが得られる。

【００１０】本発明の一実施例においては、減圧容器内
に導入されたガスを前記アンテナに高周波電力を印加し
てプラズマ化し、このプラズマにより前記減圧容器内に
配置した被加工物の表面を処理するプラズマ表面処理装
置において、前記アンテナの前記減圧容器内側に前記減
圧容器の内外を分離する誘電体部材Ａと、この誘電体部
材Ａの大気側に上記とは別の誘電体部材Ｂとを配置して
なり、かつ、前記誘電体部材Ａは、前記減圧容器内にあ
る誘電体部材と同じ部材で構成し、また、前記誘電体部
材Ｂには、誘電率が１．０〜２２の範囲内にある部材を
用いる。

【００１１】さらにまた、本発明の他の一実施例におい
ては、減圧容器の内外を気密に分離する誘電体部材Ａの
大気側に別の誘電体部材Ｂ介して設置したアンテナにＵ
ＨＦ帯の高周波電力を供給することにより発生させた電
磁波と、前記減圧容器の外周に設置した磁場発生用コイ
ルによる発生磁場とにより前記減圧容器内にプラズマを
生成させ、このプラズマによって被加工物表面をエッチ
ング処理するプラズマエッチング処理装置において、前
記誘電体部材Ａ及びＢを前記プラズマの誘電率に近い同
一の部材例えばアルミナ等で構成するか、または、前記
誘電体Ａを例えばアルミナ製とし、前記誘電体部材Ｂを
アルミナ製でその中心部を空気層で構成する等のように
互いに異種の部材でもって構成する。また、本発明の更
に他の一実施例においては、減圧容器内に被加工物を載
置する処理台と、前記被加工物と対面する位置にあって
電磁波を放射するアンテナと、前記減圧容器の外部にあ
って前記電磁波と相乗作用してプラズマを生成するため
の磁場を形成する磁場形成手段と、前記アンテナの表面
に形成される電磁波電界ベクトルの大きさと向きとに応
じて前記磁場形成手段により形成される前記磁場の前期
被加工物の上方での磁場方向を制御する手段とを具備し
て、所定のガスをプラズマ化して被加工物に処理を施す
よう構成したことを特徴とする。

【００１２】また、本発明のさらに他の一実施例によれ
ば、上記構成のプラズマ処理装置を用いて半導体装置を
作製することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供
される。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明による実施の形態につき、
以下に、実施例を挙げ、図面を参照して詳細に説明す
る。 （実施例１）本発明による半導体製造装置としてのドラ
イエッチング装置では、ＵＨＦ帯の高周波電力を用いて
生成されるガス放電プラズマを利用して被加工物である
半導体基板表面のエッチング加工を行う。

【００１４】先ず、図３を用いて、従来の装置構成例に
ついて説明する。被加工物８を収容した減圧容器１３内
に、ＵＨＦ帯の高周波電源７よりチューナー６，同軸線
路５および円錐状給電部１７を介して高周波電力を供給
することによって、アンテナ４の外周部から放出された
電磁波が、誘電体製のシャワープレート２を介して、減
圧容器１３内に入射する。この入射電磁波と減圧容器１
３の外部に設置された磁場発生装置としてのソレノイド
コイル１６による容器内印加磁場との相乗作用（ＥＣＲ
共鳴）によって、ガス供給装置１４から真空排気装置１
５により減圧排気されている減圧容器１３内に導入され
たエッチング処理用ガスのガス放電プラズマが生成され
る。

【００１５】高周波電源７からのＵＨＦ帯電力の周波数
について、２００ＭＨｚより低周波側では波長が長過ぎ
てプラズマが生成されない。また、１ＧＨｚよりも高周
波側では、波長が短すぎて減圧容器１３内に多モードの
定在波が発生して均一なプラズマ密度分布が得られな
い。よって、減圧容器１３内に供給するＵＨＦ帯電力の
周波数範囲は２００ＭＨｚ〜１ＧＨｚが実用上の使用範
囲となる。

【００１６】次に、シャワープレート２と下部電極９表
面との間の距離に関してであるが、この距離を２０ｍｍ
未満にすると、発生プラズマの密度分布の均一性が低下
してしまう。また、この距離が２００ｍｍを超過すると
半導体基板８の直上におけるプラズマ密度そのものが低
下してしまう。このため、このシャワープレート２と下
部電極９表面間の距離は、２０ｍｍ以上，２００ｍｍ以
下が最適な使用範囲となる。プラズマ表面処理において
必要とされる飽和イオン電流密度は０．５ｍＡ／ｃｍ^２
から３．０ｍＡ／ｃｍ^２ の範囲内であり、これを達成
するために、前記容器内に導入するガスの圧力に関して
は０．５〜６．０Ｐａの範囲内とする必要がある。０．
５ｍＡ／ｃｍ^２ 未満では飽和イオン電流密度が低いた
め、プラズマと半導体基板８間のイオンシース電圧が高
くなり、下部電極９に整合器１０を介して供給する高周
波バイアス電源１１からの高周波電力を低く抑えなけれ
ばならず、そのためエッチングが停止することがある。
また、３．０ｍＡ／ｃｍ^２を超える場合には、電子温度
が高くなることから、半導体基板８にダメージを与える
おそれがあり、使用できない。

【００１７】図３の従来装置構成では、電磁波が誘電率
の大きく異なるアンテナ４外周部のアルミナ製誘電体
３，石英製誘電体１，厚み１０ｍｍ以下のシャワープレ
ート２及びプラズマ中を通過するため、各材料間の界面
で大きな反射が生じる。電磁波が無限平面でアルミナ製
誘電体３，石英製誘電体１及び前記シャワープレート２
がそれぞれ接する界面に入射する場合、誘電率の違いか
ら入射電磁波の２３％が反射する。この反射が多いほど
同軸線路５などでの損失が増大し、プラズマ密度が低下
する。

【００１８】また、石英製シャワープレート２とプラズ
マとの界面では、例えば、圧力が３Ｐａ，飽和イオン電
流密度２ｍＡ／ｃｍ^２ のプラズマの場合、プラズマの
誘電率が１４．１と石英製シャワープレートの誘電率
３．８と大きく異なるため、入射波の３２％が反射す
る。特に、高密度プラズマでは誘電率が高いため、石英
製のシャワープレート２とプラズマとの界面での反射率
が大きくなる。また、現状のドライエッチング装置構造
において、誘電体１とシャワープレート２とを合わせた
合計４５ｍｍ厚の石英部材を介してアルミナ製誘電体３
とプラズマとが接している場合では、アルミナ製誘電体
３側から入射した電磁波の内４５％がシャワープレート
２とプラズマとの界面で反射する。シャワープレート２
をアルミナ製とした場合、該アルミナ製シャワープレー
ト２と同じくアルミナ製の誘電体１との界面では誘電率
の差が無いため無反射になり、また、上記アルミナ製シ
ャワープレートとプラズマとの間でも、両者間の誘電率
の差が小さいため反射率が小さくなる。この場合には、
入射電磁波の僅か１３％に反射率が低減されるため、プ
ラズマ密度の増大が期待できる。

【００１９】しかし、図３の従来装置構造では、電磁波
の入射分布はシャワープレート２の中央部直下において
最大となり、プラズマ密度分布も同じく中央部で最大密
度となる。そこで、本発明では、図１及び図２に示すよ
うに、誘電体１とは誘電率の異なる誘電体１８，または
空気層２０（又は、真空層），または誘電体１８とは誘
電率の異なる誘電体（または、空洞）１９を設ける。こ
の時、アンテナ４から放射された電磁波により、誘電体
１の内部に形成される電磁波分布を前記の誘電体１８，
１９、または前記の空気層２０により制御することで、
減圧容器１３内に生成されるプラズマの密度分布の調整
制御ができる。 （実施例２）図１に示すように、シャワープレート２，
誘電体１と前記アンテナ４の周辺部の誘電体３との材質
を同一として、誘電体１とアンテナ４との間に、図４に
示すように中心部が空洞１９となっている円環状誘電体
１８を設置することにより、プラズマ密度分布の制御が
できる。誘電体１８を誘電体１及びシャワープレート２
と同一材質部品とすることにより、各部品間でのＵＨＦ
帯電力の反射が０Ｗとなる。故に、前記ＵＨＦ帯電力の
入射効率が良くなることから、プラズマ密度が向上（高
密度化）する。しかし、誘電体１８の中央部は空洞１９
となっており、この部分は当然に誘電率が異なる。誘電
体１，シャワープレート２および誘電体１８をアルミナ
製とすると、アルミナの誘電率が９．８で、誘電体１８
の中央部の空洞は誘電率１，プラズマの誘電率が１４．
１であるので、誘電体１８の中央空洞部１９での電磁波
の入射効率が低くなる。このため、従来はプラズマ中心
部での電磁波入射効率が高くて生成プラズマの密度分布
が中心部で非常に高かったのを緩和（密度低減）でき、
中心部と周辺部とでプラズマ密度がほぼ等しい均一なプ
ラズマを生成できる。また、誘電体１８の内径を適宜変
更することによってもプラズマ密度分布の制御が可能で
ある。図５に、本実施例の装置構成における飽和イオン
電流密度の分布を従来装置構成の場合と比較して示して
ある。 （実施例３）図２に示すように、シャワープレート２，
誘電体１及び前記アンテナ４周辺部の誘電体３の材質を
同一として、誘電体３，アンテナ４，アンテナアース２
１，及びチューナー６が一体として上下可動の構成とす
る。この装置構成において、誘電体１とアンテナ４との
間が空気層２０とした場合にも、プラズマ密度分布の制
御ができる。この空気層２０の誘電率は１であり、誘電
体１との境界においてやはり電磁波の反射率の増大が生
じる。この反射率増大効果は、従来装置構造において特
に電磁波入射効率が高かったシャワープレート２の中央
部直下において顕著に現れ、その結果シャワープレート
２の中央部直下と周辺部直下とで電磁波入射率がほぼ等
しい、均一な電磁波入射分布を実現できる。誘電体１と
シャワープレート２とは同一材質部品であり、このよう
な同一材質部品同士間でのＵＨＦ帯電力の反射は０Ｗで
ある。故に、これら両部品間でのＵＨＦ帯電力の入射効
率は良いことから、高いプラズマ密度を保ったままでの
プラズマ密度分布の均一化が実現できる。図５に、本実
施例の装置構成における飽和イオン電流密度の分布をも
合わせて示してある。 （実施例４）先の実施例１において、供給電磁波は、シ
ャワープレート２からプラズマ中に入射するよりも、プ
ラズマ周側部の石英製の筒状誘電体１２や、この筒状誘
電体１２と減圧容器１３の内側壁との間の空隙部を通っ
て入射し易く、従って、筒状誘電体１２が偏心して設置
されていると、このプラズマ周側部を通った電磁波が偏
心してプラズマ中に放射されるために、プラズマ密度分
布に偏心が生じるが、本実施例によれば、このようなプ
ラズマ密度分布の偏心をも次のようにして抑制すること
ができる。

【００２０】すなわち、従来装置構成では、電磁波が石
英製のシャワープレート２から石英製の筒状誘電体１２
中に入射する際の反射率が０％，空隙内に入射する際の
反射率が３２％であるのに比べて、プラズマ中に入射す
る際の反射率は前述の条件で３４％と大きい。特に、高
密度条件でのプラズマではこの反射率が高く、電磁波が
プラズマ中よりも、上記の石英製筒状誘電体１２や上記
した空隙内に入射し易い状況になる。ここで、シャワー
プレート２を石英製から高誘電率材製に換えた場合、例
えばシャワープレート２をアルミナ製とした場合には、
このアルミナ製シャワープレート２から石英製の筒状誘
電体１２や前記した空隙内へと電磁波が入射する際の反
射率はそれぞれ２３％、５２％と増大するのに比べ、プ
ラズマ中へ入射する際の反射率は１４％と低減される。
よって、供給電磁波は筒状誘電体１２や前記の空隙内よ
りもプラズマ中へより多く入射するようになるため、上
記したようなプラズマ密度分布の偏心の問題が解消され
る。 （実施例５）前記した実施例１，２および３の装置構成
になるプラズマエッチング装置を用いて、アルミニウ
ム，窒化チタン，タングステン，ポリシリコン等からな
る多層膜試料のエッチング加工を行った。エッチング用
のガスとしては、塩素，三塩化ホウ素，および酸素を組
み合わせて使用することになる。

【００２１】ここでは、具体的な加工例として、アルミ
ニウム配線のエッチング加工例を示す。この場合の使用
エッチングガスは塩素及び三塩化ホウ素である。図７に
示すように、被加工物としての多層膜試料は、上から、
フォトレジスト層２６，窒化チタン層２８，アルミニウ
ム層２７，窒化チタン層２８、酸化シリコン層２９の積
層構造体である。なお、図７には、アルミニウム（Ａ
ｌ）層２７をエッチング加工して、Ａｌ配線を形成した
後の状態を示してある。

【００２２】このＡｌ配線のエッチング加工工程におい
て、従来は、エッチング速度の均一性が悪く、ウェハ面
内でのエッチング形状差が問題となっていた。上記した
実施例１，２及び３の装置構成によれば、ＵＨＦ帯電力
の入射効率が高くなり、しかもその入射分布が均一にな
ることで、エッチング速度の均一性が向上し、また、エ
ッチング形状差も少なくなった。また、生成プラズマが
均一でしかも安定していることでエッチングの残渣が減
少した。

【００２３】また、多層膜エッチングにおいて、各層間
でのエッチングの移り変わりの時にエッチング条件を変
更する。この時、プラズマ密度も変化するために放電状
態が不安定になりＵＨＦ帯電力供給チューニングの乱れ
が生じるが、本発明により、エッチング条件変更時に、
ＵＨＦ帯電力の供給チューニングの応答性およびプラズ
マ安定性が向上し、ノッチングが改善された。 （実施例６）図３に示した従来の装置構成では、シャワ
ープレート２の中央部直下の電磁波分布が強く、外周部
の電磁波分布が弱くなっていた。これにより、ウェハ面
上のプラズマ密度分布に偏りが生じ、エッチング加工後
の半導体基板８におけるダメージの要因となっていた。
本発明では、この電磁波の入射分布を制御することによ
り、プラズマエッチング処理加工における前記半導体基
板８のダメージを抑制することが可能である。 （実施例７）上掲の実施例１から実施例５において、誘
電体１，１８、シャワープレート２にいずれもアルミナ
材を用いた場合について実験を行ったが、この場合もや
はり同様の効果が得られることを確認できた。また、こ
れら部材には誘電率が３．０から２２までのその他の材
料を用いることも可能であることが判った。 （実施例８）また、上掲の実施例１から実施例５におい
て、ゲートエッチング等ではアルミニウム汚染の問題が
あるために、シャワープレート２のみを石英製とした。
この場合、シャワープレート２の厚みを１０ｍｍ以下と
することで、ＵＨＦ帯電力における電磁波の反射を低く
保つことができ、プラズマ密度の向上が可能となる。 （実施例９）図６に、本発明を誘導結合型のプラズマエ
ッチング装置に適用した場合の概略装置構成を示す。減
圧容器１３を閉止する誘電体２５の直上に渦巻状のアン
テナ２２を配置する。そして、誘電体２５とアンテナ２
２との間に、空気層，または誘電体２５とは異なる誘電
率の誘電体２３、または、この誘電体２３とは異なる誘
電率の誘電体（または空洞）２４を設置する。特に、誘
電体２３，２４として石英，アルミナ等のセラミックス
を用いるか、または誘電体２３をセラミックス製として
誘電体２４を空気層とすることで、プラズマの密度分布
を制御することが可能である。また、誘電体２３の内
径、誘電体２４の外径を適宜変更することによってもプ
ラズマ密度分布の制御が可能である。

【００２４】

【発明の効果】本発明により、平行平板型ＥＣＲプラズ
マ装置において、平面板下での電磁波と磁場との相互作
用における、特に電磁波の分布を制御することで、低密
度から高密度域までの広範なプラズマ状態において被処
理試料に均一な加工を施すことのできるプラズマ処理装
置を提供することができ、半導体装置等の製造に際して
のエッチング処理工程に用いて有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例になるドライエッチング装置
の概略構成図。

【図２】本発明の他の一実施例になるドライエッチング
装置の概略構成図。

【図３】従来のドライエッチング装置の概略構成図。

【図４】本発明の一実施例において用いられる誘電体部
材の概略構成図。

【図５】本発明の一実施例になるドライエッチング装置
における飽和イオン電流密度分布を示す曲線図。

【図６】本発明を誘導結合型プラズマエッチング装置に
適用した場合の概略装置構成図。

【図７】本発明によるドライエッチング装置を用いての
半導体装置アルミニウム配線のドライエッチング加工工
程におけるエッチング加工形状を示す断面図。

【符号の説明】

１…誘電体， ２…シャワープ
レート，３…誘電体， ４…ア
ンテナ，５…同軸線路， ６…チ
ューナー，７…高周波電源， ８…
半導体基板，９…下部電極， １０
…整合器，１１…高周波バイアス電源， １２
…筒状誘電体，１３…減圧容器，
１４…ガス供給装置，１５…真空排気装置，
１６…ソレノイドコイル，１７…円錐状給電部，
１８…誘電体，１９…誘電体（また
は、空洞）， ２０…空気層，２１…アンテナアー
ス， ２２…アンテナ，２３…誘電体，
２４…誘電体（または空洞），２
５…誘電体， ２６…フォトレジ
スト層，２７…アルミニウム層， ２８…
窒化チタン層，２９…酸化シリコン層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板橋 直志 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 森 政士 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 4G075 AA01 AA30 BC06 CA25 CA47 CA65 DA02 DA18 EB42 FA20 FB04 FB06 FC15 5F004 AA01 BA14 BB11 BB18 BB28 BB29 CA02 CA05 CA06 DA04 DA11 DA26 DB02 DB09 DB10 DB12

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】減圧容器内に設けられた被加工物を載置す
   るための処理台と、上記被加工物と対面し上記減圧容器
   の内外を気密に分離する第１の誘電体部材と、該第１の
   誘電体部材の背面側直上にあって上記減圧容器内に導入
   されたガスをプラズマ化するための電磁波を放射するア
   ンテナと、上記第１の誘電体部材の背面側で上記アンテ
   ナの周辺部にあって上記第１の誘電体とは誘電率の異な
   る第２の誘電体部材又は空気層、または、該第２の誘電
   体部材とは誘電率の異なる第３の誘電体部材で満たされ
   た空洞とを具備してなり、上記アンテナから放射される
   電磁波によって上記第１の誘電体部材内部に形成される
   電界分布を上記空洞により制御するよう構成されてなる
   ことを特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の半導体製造装置おいて、上
   記第２の誘電体部材及び上記第３の誘電体部材が上記減
   圧容器の外側に配置されていることを特徴とする半導体
   製造装置。
3. 【請求項３】請求項１記載の半導体製造装置おいて、上
   記第１の誘電体部材と上記被加工物との間の間隔が、２
   ０ｍｍ以上，２００ｍｍ以下であることを特徴とする半
   導体製造装置。
4. 【請求項４】請求項１記載の半導体製造装置おいて、上
   記アンテナには２００ＭＨｚ以上，１ＧＨｚ以下の周波
   数範囲内の高周波電力が供給されていることを特徴する
   半導体製造装置。
5. 【請求項５】請求項１記載の半導体製造装置おいて、上
   記第１の誘電体部材背面と上記アンテナとの間の距離が
   ２０ｍｍ以下であり、この距離及び上記第２の誘電体の
   厚みが変更可能に構成されていることを特徴とする半導
   体製造装置。
6. 【請求項６】請求項１又は４に記載の半導体製造装置お
   いて、上記第２の誘電体部材の中央部が空洞であり、こ
   の空洞の外径が変更可能であることを特徴とする半導体
   製造装置。
7. 【請求項７】請求項１から５までのいずれかに記載の半
   導体製造装置おいて、上記減圧容器内の圧力が、０．１
   Ｐａ以上，６．０Ｐａ以下の範囲内であることを特徴と
   する半導体製造装置。
8. 【請求項８】請求項１から５までのいずれかに記載の半
   導体製造装置おいて、上記アンテナから放射される電磁
   波によって上記減圧容器内に形成される電磁波電界と、
   上記減圧容器の外部に設けられた磁場形成手段によって
   上記減圧容器内に形成される磁場との相互作用を利用し
   て、上記減圧容器内に導入されたガスをプラズマ化する
   ものであることを特徴とする半導体製造装置。