JP2002304780A - 光ディスク作製用スタンパーの製造方法とこれに用いる製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ディスク作製用のスタンパーを製造する際
に、より高密度記録が可能な化学増幅型フォトレジスト
を用いた微細凹凸の形成を可能とすると共に、スタンパ
ー裏面研磨の際にも原盤からの剥がれを生じることのな
いスタンパーの製造方法と、これに用いる装置を提供す
る。 【解決手段】 微細凹凸を有する光ディスク作製用スタ
ンパーの製造過程において、原盤に塗布されたフォトレ
ジストに対し、微細凹凸に対応するパターンの露光及び
現像を行って、フォトレジストによる微細凹凸を形成す
る工程と、この微細凹凸が形成された原盤の外周部に、
微細凹凸が形成された表面側からこれとは反対側の裏面
に差し渡って、無電解メッキによる第１の導電層を被着
形成する工程と、原盤の表面側に、物理的気相成長（Ｐ
ＶＤ）法による第２の導電層を被着形成する工程と、第
１及び第２の導電層に通電して原盤上の第１及び第２の
導電層上に、電解メッキを行う工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤやＤＶＤ、ま
たは光磁気記録媒体などのいわゆる微細凹凸による記録
情報が形成された光ディスクの作製に用いるスタンパー
の製造方法とこれに用いる装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ブルーの半導体レーザの登場によ
り、小径ディスクへの大容量記録やハイディフィニショ
ン（ＨＤ）映像の長時間記録等の需要が高まり、光ディ
スクの更なる高密度化が要求されている。

【０００３】それに伴い、マスタリングプロセス即ちデ
ィスクの原盤を作製する過程では、フォトレジストが塗
布された原盤に露光、現像により微細凹凸による情報が
形成されるいわゆるフォトレジスト原盤の記録ピットの
微細化、即ち上述のようなフォトレジストの露光、現像
により記録される微細凹凸（ピット）の更なる縮小方法
が課題となっている。

【０００４】ピットの大きさは、それを露光して記録す
るレーザのスポット径に依存する。そこで、現在、記録
密度が約２５ＧＢ以上の場合、レーザを集光する対物レ
ンズのＮＡ(Numerical Aperture)が１．０を超えるよう
なニアーフィールド記録による露光技術が検討されてい
る。

【０００５】また、高密度記録のもう１つの方法とし
て、露光スポット径の微小化が可能なＥＢ(Electron Be
am) 露光による技術も実用化に向け検討されている。

【０００６】この高密度化された光ディスク製造プロセ
スにおける課題の１つとして、ディスク原盤となるスタ
ンパーの製造方法及び裏面研磨方法がある。以下に、従
来のスタンパーの製造方法及び裏面研磨方法について説
明する。

【０００７】スタンパー製造方法の一例として、図８に
模式的な断面図を示す一般的な構造のスタンパーを製造
する場合を説明する。例えば厚さ６ｍｍ、直径φが２０
０ｍｍ〜２２０ｍｍのガラスより成る原盤１にフォトレ
ジスト２を塗布し、プリベーク、レーザによる露光、現
像後にＮｉ無電解メッキにより、原盤の表面１Ｓ及び外
周面１Ｒ、更に裏面１Ｂの外周部にわたるように、導電
層３を形成する。

【０００８】このとき、フォトレジストとしてはノボラ
ック樹脂をベースとしたポジ型フォトレジストが使わ
れ、そのうえにＮｉ無電解メッキのためのＰｄコロイド
を吸着させる。

【０００９】ポジ型フォトレジストの上にＰｄコロイド
を定着させるためには、その接着にカチオン系界面活性
剤が使用されている。一般的に負に帯電しているノボラ
ック樹脂からなるフォトレジスト表面とカチオン系活性
剤がイオン結合して表面の濡れ性を良くし、更にＰｄコ
ロイドを物理的に吸着させ易くする働きがある。

【００１０】こうして、フォトレジスト上に吸着された
Ｐｄコロイドには塩酸やホウ弗化水素酸等の溶液でＰｄ
表面を露出させる活性化処理が施される。そして、この
露出したＰｄ表面に無電解メッキ液中で還元されたＮｉ
が析出し、導電層３を形成することになる。これをシー
ド層として、原盤１の裏面１Ｂから通電してＮｉ電解メ
ッキにより例えば厚さ約０．３ｍｍのスタンパー４を形
成する。

【００１１】このとき、Ｎｉ電解メッキにより形成され
るスタンパー４も、上述のＮｉ無電解メッキによる導電
層３上を覆うように、原盤１の表面側から外周面にわた
り、裏面の外周部にかけて、いわば原盤の外周面を抱き
込むように形成される。

【００１２】次に、スタンパー４が保持された状態の原
盤１を、裏面研磨機に設置して、図９の模式的平面図に
示すように、裏面研磨を行う。図９において、３１は研
磨ヘッドを示す。原盤１を矢印ｒで示すように回転さ
せ、研磨ヘッド３１を矢印ａで示すように原盤１の半径
方向に移動させて研磨を行う。

【００１３】図１０に、この裏面研磨機にワークとして
原盤１を設置した状態を示す。裏面研磨の方法として
は、スピンテーブル３２上に、ゴムシート３３を介して
ワークこの場合原盤１を、スタンパー４が形成されて成
る面を上側にして、ワーク抑え治具３５により固定す
る。３４はスピンテーブル３２の回転軸で、回転機構部
（図示せず）によって矢印ｃで示すように回転軸３４が
回転され、原盤１が回転するようになされている。

【００１４】スタンパーの裏面には、研磨ヘッド３１に
よって研磨テープ３８を押し当てた状態で、水吐出ノズ
ル３９から水をかけながら、研磨テープ３８を矢印ｂ、
ｆで示すように送りながら、揺動させる。３６は研磨テ
ープ送りローラーで、３７は研磨テープ巻取ローラーを
示す。

【００１５】このようにして、研磨テープ３８とスタン
パー４の裏面とが線接触しかしていないが、全面均一な
研磨がなされる構成としている。

【００１６】またこのとき、図８において説明したよう
に、Ｎｉ無電解メッキにより形成したスタンパー４は、
原盤の裏面の外周部から表面に差し渡って抱き込むよう
に形成されているため、この裏面研磨工程の際に研磨テ
ープ３８が押しつけられ、原盤表面と平行な方向に力が
加わっても、スタンパー４が原盤１から剥がれることを
回避することができる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】一方、光ディスクが高
密度化されるのに伴って、上述のマスタリング工程に使
用されるフォトレジストも高解像のものが必要となって
くる。現在、広く使用されているノボラック樹脂をベー
スとしたポジ型フォトレジストは、露光レーザの波長が
短くなるのに伴い、光透過性が問題となり使用が困難に
なってくる。

【００１８】そこで、高感度で且つ高解像性を有する化
学増幅型のフォトレジストが注目され、検討されてい
る。この化学増幅型レジストには、ベースとなる樹脂に
様々な種類のものがあり、例えば、ポリフタルアルデヒ
ド、ポリカーボネート、ポリホリマール、アルコキシピ
リジン誘導体を含むポリマー、ポリヒドロキシスチレン
などが使用されている。

【００１９】樹脂によっては、前述したように界面活性
剤との組み合わせを充分に考慮しないとＰｄコロイドを
吸着させることが不可能で、Ｎｉ無電解メッキにより導
電層を形成することができなくなってしまう。

【００２０】ベース樹脂の種類毎に界面活性剤を選定す
ることは非常に手間がかかり、作業の煩雑さを招く。そ
こで、代替方法として導電層をＮｉのスパッタリングで
形成する製造方法が提案されている（例えば特開平１１
−７６６２公報）。

【００２１】しかしながら、スパッタリングは成膜に指
向性があることから、成膜時に側面への回り込みが殆ど
生じず、従ってこの場合、レジスト表面、原盤の外周
面、原盤の裏面と３回に分けて成膜しなければならず、
生産性の低下を招く恐れがある。

【００２２】また、図１１に示すように、原盤１上のフ
ォトレジスト２の表面にだけスパッタリングによりＮｉ
より成る導電層３を形成し、Ｎｉ電解メッキでスタンパ
ー４を作製し、そのまま研磨する方法も試みられてい
る。

【００２３】しかしながらこの場合は、Ｎｉ電解メッキ
膜の応力等により、研磨中にガラス等より成る原盤１か
らスタンパー４が剥がれてしまうという問題が生じてい
る。

【００２４】また、スタンパー４をガラスより成る原盤
１から剥がした後に、記録情報が形成された面を保護シ
ートや樹脂膜で保護し、裏面研磨する方法も検討されて
いる。しかしながら、保護シートや樹脂膜では、記録情
報がガラス原盤に固定されている場合に比べ、裏面研磨
状態が記録情報面にまで転写され、フォーカスエラーを
引き起し易く、未だ実用には至っていないのが現状であ
る。

【００２５】本発明は、上述したような、光ディスク作
製用のスタンパーを製造する際に、より高密度記録が可
能な化学増幅型フォトレジストを用いた微細凹凸の形成
を可能とすると共に、スタンパー裏面研磨の際にも原盤
からの剥がれを生じることのないスタンパーの製造方法
と、これに用いる装置を提供することを目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明は、微細凹凸を有
する光ディスク作製用スタンパーの製造過程において、
原盤に塗布されたフォトレジストに対し、微細凹凸に対
応するパターンの露光及び現像を行って、フォトレジス
トによる微細凹凸を形成する工程と、この微細凹凸が形
成された原盤の外周部に、微細凹凸が形成された表面側
からこれとは反対側の裏面に差し渡って、無電解メッキ
による第１の導電層を被着形成する工程と、原盤の表面
側に、物理的気相成長（ＰＶＤ）法による第２の導電層
を被着形成する工程と、第１及び第２の導電層に通電し
て原盤上の第１及び第２の導電層上に、電解メッキを行
う工程とを有する。

【００２７】また本発明は、上述の製造方法において、
フォトレジストを化学増幅型レジストとする。

【００２８】更に本発明は、上述の各製造方法におい
て、原盤の外周部に塗布されたフォトレジストを、第１
の導電層を形成する前に除去する。

【００２９】また更に本発明は、上述の各製造方法にお
いて、無電解メッキによる第１の導電層を被着形成する
前に、触媒層を被着する触媒活性処理工程を有し、原盤
と触媒層との接着に、シランカップリング剤又はチタン
カップリング剤を用いる。

【００３０】更に本発明は、上述の各製造方法におい
て、無電解メッキによる第１の導電層を被着形成する工
程の際に、原盤を回転させながら、この原盤の外周部
に、表面側から裏面に差し渡って、無電解メッキ液を塗
布して第１の導電層を形成する。

【００３１】また本発明は、上述の各製造方法におい
て、無電解メッキによる第１の導電層を被着形成する工
程の際に、原盤を回転させながら、この原盤の外周部
を、表面側から裏面に差し渡って、無電解メッキ液に浸
漬して第１の導電層を形成する。

【００３２】更に本発明は、微細凹凸を有する光ディス
ク作製用スタンパーの製造装置であって、表面にフォト
レジストが塗布された後、このフォトレジストに微細凹
凸に対応するパターンの露光及び現像が行われてフォト
レジストによる微細凹凸が形成された原盤を回転させる
スピンステージと、噴出口が、原盤の外周部に近接して
設けられたノズルとを有し、このノズルの噴出口から無
電解メッキ液が噴出されて、原盤の外周部に、微細凹凸
が形成された表面側からこれとは反対側の裏面に差し渡
って、無電解メッキ液が塗布される構成とする。

【００３３】また更に本発明は、微細凹凸を有する光デ
ィスク作製用スタンパーの製造装置であって、表面にフ
ォトレジストが塗布された後、このフォトレジストに微
細凹凸に対応するパターンの露光及び現像が行われてフ
ォトレジストによる微細凹凸が形成された原盤を、真空
吸着させて固定させるスピンステージと、無電解メッキ
液が収容されるメッキ液槽と、スピンステージに固定さ
れた原盤の外周部のみが、微細凹凸が形成された表面側
からこれとは反対側の裏面に差し渡って、メッキ液槽内
の無電解メッキ液に浸漬されるように、メッキ液槽に対
しスピンステージを横向きに配置させて回転駆動する回
転駆動手段とを設ける構成とする。

【００３４】上述したように、本発明製造方法によれ
ば、スタンパーを製造する際に、無電解メッキと、スパ
ッタリングや蒸着等のＰＶＤ法とを併用することによっ
て、記録密度の高密度化をはかるために化学増幅型フォ
トレジストを用いる場合においても、原盤の表面から裏
面の外周部にかけて原盤をその縁を抱き込むように導電
層の成膜及び電解メッキを行うことが可能となる。

【００３５】これにより、スタンパーの裏面を研磨する
際に、原盤からスタンパーが剥がれることを回避するこ
とができ、また研磨時に加えられる圧力が記録情報面に
転写して、このスタンパーにより作製した光ディスクが
フォーカスエラーを発生させることを抑制することがで
きる。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下本発明による光ディスク作製
用スタンパーの製造方法の一例と、これに用いる製造装
置の各例を図面を用いて説明するが、本発明はこれらの
例に限定されるものではないことはいうまでもない。

【００３７】先ず、図１Ａ〜Ｄ及び図２Ａ及びＢを参照
して本発明による光ディスク作製用スタンパーの製造方
法の一例を説明する。原盤は円盤状のガラスか、または
ＥＢ露光による場合はＳｉウェファを用いるが、この場
合ガラスより成る原盤を用いる。

【００３８】このガラス等より成る原盤１の上に、プラ
イマー（フォトレジストとガラスとの接着剤）として例
えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）をスピン塗布
あるいはベーパー処理により被着する。その後、図１Ａ
に示すように、スピンコート等によりポジ型の化学増幅
型フォトレジスト（例えば東京応化社製TDUR007 ）を全
面的に塗布する。

【００３９】その後、図１Ｂに示すように、原盤１の表
面１Ｓの外周部に付着しているフォトレジスト２を、例
えばＰＧＭＥＡ（ポリエチレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート）などの溶剤でエッジリンスにより洗
い流し除去する。これにより、後の工程で、原盤１の外
周部に被着する第１の導電層と、原盤１の表面１Ｓ上に
ＰＶＤ法により被着する第２の導電層とが完全に重なる
ようにすることができる。

【００４０】従来例えばガラスより成る原盤は、直径φ
が２００〜２２０ｍｍのものが使われ、記録される信号
エリアは、直径φが１２０ｍｍの範囲であるため、除去
するレジストは原盤１の表面１Ｓの外周から記録される
信号エリアの最外周部までの範囲であればよい。しかし
ながら、実用的には、原盤１の最外周から１０ｍｍ以下
であることが望ましい。

【００４１】この後、プリベークを行い、化学増幅型フ
ォトレジスト２の中の溶剤を揮発させ、例えば波長が２
６６ｎｍのレジストによる直接描画露光を行い、ＰＥＢ
（Post Exposure Bake）を行った後、アルカリ現像し
て、図１Ｃに示すように、フォトレジスト２に信号とな
る微細凹凸いわゆるピットを形成する。

【００４２】尚、上述の例では、ＰＧＭＥＡなどの溶剤
により、原盤１の外周部のフォトレジストを洗い流し除
去したが、微細凹凸を形成する際の露光時に、原盤１の
外周部のフォトレジストも露光し、アルカリ現像液によ
りフォトレジストを除去する方法を採ることもできる。

【００４３】次に、Ｎｉ無電解メッキ等により原盤１の
表面１の外周部から外周面１Ｒにわたって裏面１Ｂの外
周部に達するように、Ｎｉ等による第１の導電層を形成
するための触媒活性化処理を行う。

【００４４】これは、先ず、有機物とガラス、Ｓｉのよ
うな無機物の接着強度を高める働きをするシランカップ
リング剤或いはチタンカップリング剤を、例えば図２に
示す装置を用いて原盤１の外周部のみにスピン塗布す
る。

【００４５】図２において、３２はスピンステージ、３
４は回転軸、４１及び４２は薬液が噴出される噴出口
が、スピンステージ３２上の原盤１の表面側外周部及び
裏面側外周部に近接して設けられたノズルを示す。

【００４６】この装置において、矢印ｇで示すようにス
ピンステージ３２を回転させた状態で、例えば原盤１の
表面側に設けられたノズル４１から、矢印ｄで示すよう
にシランカップリング剤又はチタンカップリング剤を噴
出させて原盤１の外周部に塗布する。原盤１の厚さが比
較的大とされ、塗布したシランカップリング剤が原盤１
の裏面に回り込まない場合は、原盤１の裏面側に設けた
ノズル４２から矢印ｅで示すように、同様にスピン塗布
するようにする。

【００４７】シランカップリング剤としては、例えば日
本ユニカー（株）のA-1100を約１vol ％に純水で希釈し
たものを使用した。このシランカップリング剤は、化学
構造が、H₂NC₃H₆Si(OC₂H₅)₃ となっており、ガラスやＳ
ｉ等の無機物と化学結合を形成する加水分解基-C₂H
₅ と、有機物と化学結合するアミノ基-NH₂とを有する。

【００４８】先ず、加水分解基は水の存在下で分解さ
れ、図３に示すように、アルコキシル基からシラノール
に変わり、分解生成物としてアルコールが発生する。

【００４９】そして、図４に示すように、原盤の表面の
-OH 基と反応し、共有結合することになる。

【００５０】次に、キャタリスト（触媒）処理として、
例えばシプレイ社製のCatalyst9Fを、例えば図２におい
て説明した装置により、シランカップリング処理した原
盤１上にスピン塗布する。Catalyst9Fは、PdCl₂ とSnCl
₂ のコロイド溶液で、前述したシランカップリング剤の
アミノ基は、図５に示すように、Ｎの非共有電子対の供
与を受けて、Pdコロイド中のPd²⁺と配位結合する。

【００５１】このようにして、図１Ｄに示すように、触
媒層１１となる錯体（Pd²⁺-Sn²⁺ )をシランカップリン
グ剤を介してガラス等より成る原盤１に、強固に定着さ
せることができる。

【００５２】チタンカップリング剤として、例えばハル
スアメリカ社のTAA を用いた場合でも同様なメカニズム
でガラスやＳｉウェファの無機物表面と、Pdコロイドと
を結合させることができる。

【００５３】次に、アクセレレータ（活性）処理とし
て、例えばシプレイ社のほう弗化水素酸を含む溶液Acce
lerator240を、図２において説明した装置によりスピン
塗布し、定着させた触媒層１１の中のスズ塩を溶解し、
触媒活性化の高いPdを触媒層１１の表面に露出させる。

【００５４】その後、例えばＮｉ無電解メッキにより、
図１Ｄに示すように、第１の導電層１２を、原盤１の触
媒活性化された外周部に、表面１Ｓから裏面１Ｂに差し
渡って被着形成する。

【００５５】この無電解メッキによる導電層の成膜方法
としては、原盤１全体を無電解メッキ液槽に浸漬する一
般的な方法の他、図２において説明した装置により、原
盤１をスピンステージ３２上の原盤１を、矢印ｇで示す
ように回転させながら、原盤１の外周部に近接して噴出
口が設けられたノズル４１、４２から例えばＮｉ無電解
メッキ液を矢印ｄ、ｅで示すように噴出してスピン塗布
することができる。

【００５６】また、図６に示すように、原盤１を真空吸
着等により固定させるスピンステージ３２と、Ｎｉ等の
無電解メッキ液４４が収容されるメッキ液槽４３と、ス
ピンステージ３２に固定された原盤１の外周部のみが、
表面側から裏面に差し渡って、メッキ液槽４３内の無電
解メッキ液４４に浸漬されるように、メッキ液槽４３に
対しスピンステージ３４を横向きに配置させて、矢印ｈ
で示すように回転駆動する回転駆動手段４５とが設けら
れた装置によって、原盤１の外周部のみに表面側から裏
面に差し渡って無電解メッキによる第１の導電層を被着
形成することができる。

【００５７】その後、図７Ａに示すように、原盤１上
の、微細凹凸が形成された表面１Ｓ側に、全面的にＰＶ
Ｄ法、即ちスパッタリング或いは蒸着により、Ｎｉ等よ
り成る第２の導電層１３を被着形成する。このとき、前
述の図１Ｂにおいて説明したように、原盤１の上のフォ
トレジスト２を外周部のみ除去しているため、無電解メ
ッキにより被着形成した第１の導電層１２と、ＰＶＤ法
により被着形成した第２の導電層１３とをこの部分、即
ち原盤１の表面１Ｓ側の外周部において完全に重なるよ
うにすることができて、原盤１の表面１Ｓから裏面１Ｂ
に差し渡って連続した導電層を形成することができる。

【００５８】そして、この後、原盤１の裏面１Ｂから通
電して、電解メッキにより、原盤１を、裏面１Ｂから表
面１にかけて抱え込むようにＮｉ等より成るスタンパー
４を製造することができる。

【００５９】このようにして形成された図３Ｂに示すス
タンパー４は、従来のフォトレジストを用いて作製した
例えば図８において説明したスタンパーと同様の構造状
態が得られている。

【００６０】従って、図９及び１０において説明した裏
面研磨を行っても剥離を生じることを回避できる。ま
た、スタンパー４の表面の信号記録・情報がガラス原盤
に固定されているため裏面研磨状態が信号面にまで転写
されることはなく、このスタンパー４により射出成形さ
れたディスクのフォーカスエラーを格段に低減化するこ
とができる。

【００６１】尚、上述の例においては、原盤１としてガ
ラスを用いた例を示したが、その他Ｓｉウェファより成
る原盤を用いるなど、本発明はその他種々の材料構成を
採り得ることはいうまでもない。

【００６２】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、従来
のＮｉ無電解メッキによる成膜工程と、ＰＶＤ法即ちス
パッタリング、蒸着法等による成膜工程とを併用するこ
とによって、原盤の裏面から信号情報の形成された表面
にかけて、Ｎｉ等より成る導電層を成膜し、電解メッキ
によりスタンパーを作製することができる。

【００６３】これにより、スタンパーの裏面研磨工程の
際に、原盤からスタンパーが剥がれることなく、研磨時
に加えられる圧力が信号面、即ち微細凹凸に転写して生
じる光ディスクのフォーカスエラーの増大化を抑制する
ことができる。

【００６４】また、無電解メッキ工程においては、メッ
キ液槽に原盤全体を浸漬する方法により、従来の設備を
そのまま利用することができる。

【００６５】更に、化学増幅型フォトレジストの用いる
ことにより、高密度記録への対応が可能となると共に、
この化学増幅型フォトレジストの上にはＰＶＤ法により
導電層を被着形成することから、ベースとなる樹脂毎に
界面活性剤を選定する必要がなく、従来と同様の無電解
メッキを行うことができ、作業の煩雑化を回避し、コス
トの低減化、ひいては生産性の向上をはかることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】スタンパーの製造方法の一例の工程図である。

【図２】スタンパーの製造装置の一例を示す図である。

【図３】触媒活性化処理の説明図である。

【図４】触媒活性化処理の説明図である。

【図５】触媒活性化処理の説明図である。

【図６】スタンパーの製造装置の一例を示す図である。

【図７】スタンパーの製造方法の一例の工程図である。

【図８】スタンパーの製造方法の一工程図である。

【図９】研磨工程の説明図である。

【図１０】研磨工程の説明図である。

【図１１】スタンパーの製造方法の一工程図である。

【符号の説明】

１ 原盤、１Ｓ 表面、１Ｒ 外周面、１Ｂ 裏面、２
フォトレジスト、４スタンパー、１１ 触媒層、１２
第１の導電層、１３ 第２の導電層、３２スピンステ
ージ、３４ 回転軸、４１ ノズル、４２ ノズル、４
３ メッキ液槽、４４ 無電解メッキ液、４５ 回転駆
動手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊川 満 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 今西 慎悟 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D121 BB30 BB31 CB06 CB08 CB09 EE01 EE22 EE24 EE27 EE28 GG11 GG16

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 微細凹凸を有する光ディスク作製用スタ
   ンパーの製造過程において、 原盤に塗布されたフォトレジストに対し、上記微細凹凸
   に対応するパターンの露光及び現像を行って、上記フォ
   トレジストによる微細凹凸を形成する工程と、 該微細凹凸が形成された上記原盤の外周部に、上記微細
   凹凸が形成された表面側からこれとは反対側の裏面に差
   し渡って、無電解メッキによる第１の導電層を被着形成
   する工程と、 上記原盤の上記表面側に、物理的気相成長法による第２
   の導電層を被着形成する工程と、 上記第１及び第２の導電層に通電して上記原盤上の上記
   第１及び第２の導電層上に、電解メッキを行う工程とを
   有することを特徴とする光ディスク作製用スタンパーの
   製造方法。
2. 【請求項２】 上記フォトレジストが化学増幅型レジス
   トであることを特徴とする上記請求項１に記載の光ディ
   スク作製用スタンパーの製造方法。
3. 【請求項３】 上記原盤の上記外周部に塗布されたフォ
   トレジストを、上記第１の導電層を形成する前に除去す
   ることを特徴とする上記請求項１又は２に記載の光ディ
   スク作製用スタンパーの製造方法。
4. 【請求項４】 上記無電解メッキによる第１の導電層を
   被着形成する前に、触媒層を被着する触媒活性処理工程
   を有し、 上記原盤と上記触媒層との接着に、シランカップリング
   剤又はチタンカップリング剤を用いることを特徴とする
   上記請求項１、２又は３に記載の光ディスク作製用スタ
   ンパーの製造方法。
5. 【請求項５】 上記無電解メッキによる第１の導電層を
   被着形成する工程において、 上記原盤を回転させながら、上記原盤の上記外周部に、
   上記表面側から上記裏面に差し渡って、無電解メッキ液
   を塗布して上記第１の導電層を形成することを特徴とす
   る上記請求項１、２、３又は４に記載の光ディスク作製
   用スタンパーの製造方法。
6. 【請求項６】 上記無電解メッキによる第１の導電層を
   被着形成する工程において、 上記原盤を回転させながら、上記原盤の上記外周部を、
   上記表面側から上記裏面に差し渡って、無電解メッキ液
   に浸漬して上記第１の導電層を形成することを特徴とす
   る上記請求項１、２、３又は４に記載の光ディスク作製
   用スタンパーの製造方法。
7. 【請求項７】 微細凹凸を有する光ディスク作製用スタ
   ンパーの製造装置であって、 表面にフォトレジストが塗布された後、該フォトレジス
   トに上記微細凹凸に対応するパターンの露光及び現像が
   行われて上記フォトレジストによる微細凹凸が形成され
   た原盤を回転させるスピンステージと、 噴出口が、上記原盤の外周部に近接して設けられたノズ
   ルとを有し、 上記ノズルの上記噴出口から無電解メッキ液が噴出され
   て、上記原盤の外周部に、上記微細凹凸が形成された表
   面側からこれとは反対側の裏面に差し渡って、上記無電
   解メッキ液が塗布されるようになされたことを特徴とす
   る光ディスク作製用スタンパーの製造装置。
8. 【請求項８】 微細凹凸を有する光ディスク作製用スタ
   ンパーの製造装置であって、 表面にフォトレジストが塗布された後、該フォトレジス
   トに上記微細凹凸に対応するパターンの露光及び現像が
   行われて上記フォトレジストによる微細凹凸が形成され
   た原盤を、真空吸着させて固定させるスピンステージ
   と、 無電解メッキ液が収容されるメッキ液槽と、 上記スピンステージに固定された上記原盤の外周部のみ
   が、上記微細凹凸が形成された表面側からこれとは反対
   側の裏面に差し渡って、上記メッキ液槽内の上記無電解
   メッキ液に浸漬されるように、上記メッキ液槽に対し上
   記スピンステージを横向きに配置させて回転駆動する回
   転駆動手段とが設けられたことを特徴とする光ディスク
   作製用スタンパーの製造装置。