JP2002303576A - 酸素飽和度測定装置 - Google Patents
酸素飽和度測定装置Info
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- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 測定精度の高い酸素飽和度測定装置を提供す
る。 【解決手段】 酸素飽和度によってヘモグロビンの吸光
係数が変化する第１波長λ1の照射光および酸素飽和度
によってヘモグロビンの吸光係数が変化しない第２波長
λ2の照射光を生体組織へ向かってそれぞれ照射する第
１発光素子と第２発光素子とを備え、第１波長λ1の後
方散乱光と第２波長λ2の後方散乱光との強度比に基づ
いて、予め設定された一次式から酸素飽和度を決定する
酸素飽和度測定装置において、第１波長λ1を７３０nm
とし、第２波長を８３０nmとする。このようにすると、
第１波長λ1の後方散乱光と第２波長λ2の後方散乱光と
の強度比に対する酸素飽和度の線形性が向上するので、
酸素飽和度の精度が向上する。
る。 【解決手段】 酸素飽和度によってヘモグロビンの吸光
係数が変化する第１波長λ1の照射光および酸素飽和度
によってヘモグロビンの吸光係数が変化しない第２波長
λ2の照射光を生体組織へ向かってそれぞれ照射する第
１発光素子と第２発光素子とを備え、第１波長λ1の後
方散乱光と第２波長λ2の後方散乱光との強度比に基づ
いて、予め設定された一次式から酸素飽和度を決定する
酸素飽和度測定装置において、第１波長λ1を７３０nm
とし、第２波長を８３０nmとする。このようにすると、
第１波長λ1の後方散乱光と第２波長λ2の後方散乱光と
の強度比に対する酸素飽和度の線形性が向上するので、
酸素飽和度の精度が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、全血の酸素飽和度
を測定する酸素飽和度測定装置に関するものである。な
お、全血とは、動脈血と静脈血とを合わせたものをい
う。
を測定する酸素飽和度測定装置に関するものである。な
お、全血とは、動脈血と静脈血とを合わせたものをい
う。
【０００２】
【従来の技術】酸素飽和度測定装置の一種に、酸素飽和
度によってヘモグロビンの吸光係数が変化する第１波長
λ1の照射光と、酸素飽和度によってヘモグロビンの吸
光係数が変化しない第２波長λ2の照射光とを生体組織
に向かって表皮上から照射し、それら２つの波長λ1,λ
2の二次光の強度比から、予め設定された関係に基づい
て非観血的に酸素飽和度を測定する形式の酸素飽和度測
定装置が知られている。ここで、上記二次光とは、生体
組織内で散乱された後方散乱光または生体組織を通過し
た透過光を意味し、酸素飽和度測定装置には、二次光が
後方散乱光すなわち反射光である反射型酸素飽和度測定
装置と、二次光が透過光である透過型酸素飽和度測定装
置とがある。
度によってヘモグロビンの吸光係数が変化する第１波長
λ1の照射光と、酸素飽和度によってヘモグロビンの吸
光係数が変化しない第２波長λ2の照射光とを生体組織
に向かって表皮上から照射し、それら２つの波長λ1,λ
2の二次光の強度比から、予め設定された関係に基づい
て非観血的に酸素飽和度を測定する形式の酸素飽和度測
定装置が知られている。ここで、上記二次光とは、生体
組織内で散乱された後方散乱光または生体組織を通過し
た透過光を意味し、酸素飽和度測定装置には、二次光が
後方散乱光すなわち反射光である反射型酸素飽和度測定
装置と、二次光が透過光である透過型酸素飽和度測定装
置とがある。
【０００３】たとえば、特開昭６３−９２３３５号公報
に記載された反射型酸素飽和度測定装置がそれである。
これによれば、虚血操作を行うことなく、連続的に生体
の血中酸素飽和度測定を行うことができる。
に記載された反射型酸素飽和度測定装置がそれである。
これによれば、虚血操作を行うことなく、連続的に生体
の血中酸素飽和度測定を行うことができる。
【０００４】ところで、上記従来の酸素飽和度測定装置
では、たとえば、前記第1波長λ1として赤色光である６
６０nm、前記第２波長λ2として赤外光である９１０nm
が用いられ、また、それら第１波長λ1の二次光と第２
波長λ2の二次光との強度比から酸素飽和度を決定する
ための予め設定された関係には、直線関係が用いられる
ことが多い。
では、たとえば、前記第1波長λ1として赤色光である６
６０nm、前記第２波長λ2として赤外光である９１０nm
が用いられ、また、それら第１波長λ1の二次光と第２
波長λ2の二次光との強度比から酸素飽和度を決定する
ための予め設定された関係には、直線関係が用いられる
ことが多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、第１波長λ1
として６６０nm、第2波長λ2として９１０nmの波長を用
いる場合には、第１波長λ1の二次光と第２波長λ2の二
次光との強度比と酸素飽和度との関係は、実際には非線
形的である。また、前記直線関係は血液中に占める血球
の容積の割合（％）であるヘマトクリット値にも依存す
るが、前記従来の酸素飽和度測定装置では、ヘマトクリ
ット値はある一定の範囲であると仮定している。従っ
て、前記従来の酸素飽和度測定装置によって測定される
酸素飽和度は、測定精度が十分ではなかった。
として６６０nm、第2波長λ2として９１０nmの波長を用
いる場合には、第１波長λ1の二次光と第２波長λ2の二
次光との強度比と酸素飽和度との関係は、実際には非線
形的である。また、前記直線関係は血液中に占める血球
の容積の割合（％）であるヘマトクリット値にも依存す
るが、前記従来の酸素飽和度測定装置では、ヘマトクリ
ット値はある一定の範囲であると仮定している。従っ
て、前記従来の酸素飽和度測定装置によって測定される
酸素飽和度は、測定精度が十分ではなかった。
【０００６】本発明は以上の事情を背景として為された
もので、その目的とするところは、測定精度の高い酸素
飽和度測定装置を提供することにある。
もので、その目的とするところは、測定精度の高い酸素
飽和度測定装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めの本発明の要旨とするところは、酸素飽和度によって
ヘモグロビンの吸光係数が変化する第１波長の照射光お
よび酸素飽和度によってヘモグロビンの吸光係数が変化
しない第２波長の照射光を生体組織へ向かって照射する
光源と、その第１波長の二次光およびその第２波長の二
次光をそれぞれ検出してそれら第１波長の二次光および
第２波長の二次光をそれぞれ表す第１光信号および第２
光信号を出力する光センサと、その第１光信号の強度と
その第２光信号の強度との比と酸素飽和度との間の予め
設定された一次式を用い、前記光センサから実際に出力
された第１光信号および第２光信号の強度に基づいて生
体の酸素飽和度を算出する酸素飽和度算出手段とを備え
た酸素飽和度測定装置において、前記第１波長を７２０
nmから７４０nmの間の波長とし、前記第２波長を８００
nmから８４０nmの間の波長としたことにある。
めの本発明の要旨とするところは、酸素飽和度によって
ヘモグロビンの吸光係数が変化する第１波長の照射光お
よび酸素飽和度によってヘモグロビンの吸光係数が変化
しない第２波長の照射光を生体組織へ向かって照射する
光源と、その第１波長の二次光およびその第２波長の二
次光をそれぞれ検出してそれら第１波長の二次光および
第２波長の二次光をそれぞれ表す第１光信号および第２
光信号を出力する光センサと、その第１光信号の強度と
その第２光信号の強度との比と酸素飽和度との間の予め
設定された一次式を用い、前記光センサから実際に出力
された第１光信号および第２光信号の強度に基づいて生
体の酸素飽和度を算出する酸素飽和度算出手段とを備え
た酸素飽和度測定装置において、前記第１波長を７２０
nmから７４０nmの間の波長とし、前記第２波長を８００
nmから８４０nmの間の波長としたことにある。
【０００８】
【発明の効果】このような波長の組み合わせによれば、
第１光信号の強度と第２光信号の強度との比に対する酸
素飽和度の関係の線形性が増すので、前記一次式より決
定される酸素飽和度の精度が向上する。さらに、第１波
長に７２０nmから７４０nmの間の波長を使用することか
ら、ヘマトクリット値の変化が第１光信号に与える影響
が減少するので、前記一次式により決定される酸素飽和
度の精度が向上する。
第１光信号の強度と第２光信号の強度との比に対する酸
素飽和度の関係の線形性が増すので、前記一次式より決
定される酸素飽和度の精度が向上する。さらに、第１波
長に７２０nmから７４０nmの間の波長を使用することか
ら、ヘマトクリット値の変化が第１光信号に与える影響
が減少するので、前記一次式により決定される酸素飽和
度の精度が向上する。
【０００９】
【発明の他の態様】ここで、好ましくは、前記酸素飽和
度測定装置は、前記二次光とヘマトクリット値との予め
設定された関係を用い、前記光センサから出力された前
記第２光信号とに基づいてヘマトクリット値を決定する
ヘマトクリット値決定手段をさらに備えている。第２波
長λ2は、酸素飽和度によって影響を受けにくい波長で
あるので、このように第２波長の二次光を表す第２光信
号に基づいてヘマトクリット値を決定すれば、高精度な
ヘマトクリット値が決定できる。
度測定装置は、前記二次光とヘマトクリット値との予め
設定された関係を用い、前記光センサから出力された前
記第２光信号とに基づいてヘマトクリット値を決定する
ヘマトクリット値決定手段をさらに備えている。第２波
長λ2は、酸素飽和度によって影響を受けにくい波長で
あるので、このように第２波長の二次光を表す第２光信
号に基づいてヘマトクリット値を決定すれば、高精度な
ヘマトクリット値が決定できる。
【００１０】また、好ましくは、前記第２波長が８０５
nmである。８０５nmの波長の吸光係数は酸素飽和度の影
響を全く受けないので、このようにすれば、ヘマトクリ
ット値決定手段により決定されるヘマトクリット値の精
度が最も良くなる。
nmである。８０５nmの波長の吸光係数は酸素飽和度の影
響を全く受けないので、このようにすれば、ヘマトクリ
ット値決定手段により決定されるヘマトクリット値の精
度が最も良くなる。
【００１１】また、好ましくは、前記光源と、前記光セ
ンサと、その光センサから出力される第１光信号および
第２光信号を増幅して出力する増幅器とが、測定部位に
装着される測定子に一体的に構成されている。このよう
にすれば、光センサと増幅器との距離が近くなるので、
前記第１光信号および前記第２光信号に混入するノイズ
が減少する。
ンサと、その光センサから出力される第１光信号および
第２光信号を増幅して出力する増幅器とが、測定部位に
装着される測定子に一体的に構成されている。このよう
にすれば、光センサと増幅器との距離が近くなるので、
前記第１光信号および前記第２光信号に混入するノイズ
が減少する。
【００１２】
【発明の好適な実施の形態】以下、本発明の好適な実施
の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。図１
は、反射型プローブ１０を備えた反射型オキシメータ１
２すなわち反射型酸素飽和度測定装置の構成を示してい
る。
の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。図１
は、反射型プローブ１０を備えた反射型オキシメータ１
２すなわち反射型酸素飽和度測定装置の構成を示してい
る。
【００１３】反射型プローブ１０は、生体の体表面１４
であって末梢血管の密度が比較的高い部位（たとえば額
や指）に装着されるものであって、測定子として機能す
る。反射型プローブ１０には、基板１６の一方の面に、
体表面１４に密着させられるセンサ部１８が固設されて
いる。また、基板１６の他方の面には、内部のアンプ部
３６（図２）を外来ノイズから保護するアルミ製のケー
ス２０が固定されている。
であって末梢血管の密度が比較的高い部位（たとえば額
や指）に装着されるものであって、測定子として機能す
る。反射型プローブ１０には、基板１６の一方の面に、
体表面１４に密着させられるセンサ部１８が固設されて
いる。また、基板１６の他方の面には、内部のアンプ部
３６（図２）を外来ノイズから保護するアルミ製のケー
ス２０が固定されている。
【００１４】図２は反射型プローブ１０の体表面１４側
の平面図であり、図３は反射型プローブ１０の断面図で
ある。この反射型プローブ１０は、比較的小型であって
厚さdが10mm程度、長手方向長さlが21mm程度、幅方向長
さwが12mm程度である。センサ部１８には、比較的浅い
有底円筒状の素子固定部材２２を備えられ、その素子固
定部材２２の外周面はセンサケース２４に覆われてい
る。このセンサケース２４は、素子固定部材２２よりも
軸方向長さが長くされている。素子固定部材２２の底面
の体表面１４側には、光源として機能する第１発光素子
２６a、第２発光素子２６b、第３発光素子２６c（以
下、特に区別しないときは単に発光素子２６という）
と、光センサとして機能する受光素子２８とが設けられ
ている。上記発光素子２６はLED等から成り、上記受光
素子２８はホトダイオード或いはホトドタンジスタ等か
ら成る。上記第１発光素子２６a、第２発光素子２６b、
第３発光素子２６cは、基板１６の幅方向に平行な一直
線上に設けられ、基板１６の長手方向における発光素子
２６a、２６b、２６cと受光素子２８との距離SDは、物
理的に可能な範囲でできるだけ短くできる距離として、
本実施例では1.8mmに設定されている。また、素子固定
部材２２には、その底面から基板１６側へ導通性の足部
３０が複数本突き出しており、前記発光素子２６および
受光素子２８は、所定の足部３０と導線３２により接続
させられている。
の平面図であり、図３は反射型プローブ１０の断面図で
ある。この反射型プローブ１０は、比較的小型であって
厚さdが10mm程度、長手方向長さlが21mm程度、幅方向長
さwが12mm程度である。センサ部１８には、比較的浅い
有底円筒状の素子固定部材２２を備えられ、その素子固
定部材２２の外周面はセンサケース２４に覆われてい
る。このセンサケース２４は、素子固定部材２２よりも
軸方向長さが長くされている。素子固定部材２２の底面
の体表面１４側には、光源として機能する第１発光素子
２６a、第２発光素子２６b、第３発光素子２６c（以
下、特に区別しないときは単に発光素子２６という）
と、光センサとして機能する受光素子２８とが設けられ
ている。上記発光素子２６はLED等から成り、上記受光
素子２８はホトダイオード或いはホトドタンジスタ等か
ら成る。上記第１発光素子２６a、第２発光素子２６b、
第３発光素子２６cは、基板１６の幅方向に平行な一直
線上に設けられ、基板１６の長手方向における発光素子
２６a、２６b、２６cと受光素子２８との距離SDは、物
理的に可能な範囲でできるだけ短くできる距離として、
本実施例では1.8mmに設定されている。また、素子固定
部材２２には、その底面から基板１６側へ導通性の足部
３０が複数本突き出しており、前記発光素子２６および
受光素子２８は、所定の足部３０と導線３２により接続
させられている。
【００１５】遮光壁３４は、発光素子２６から発光され
た光が直接受光素子２８に受光されるのを遮るためのも
のであって、素子固定部材２２の底面から、体表面１４
側にセンサケース２４の軸方向と平行に延び、先端がセ
ンサケース２４の開口面と一致させられている。また、
センサケース２４の開口面と素子固定部材２２の底面と
の間は、発光素子２６および受光素子２８を保護するた
めに透明樹脂が充填され、素子固定部材２２の底面と基
板１６との間にも樹脂が充填されている。
た光が直接受光素子２８に受光されるのを遮るためのも
のであって、素子固定部材２２の底面から、体表面１４
側にセンサケース２４の軸方向と平行に延び、先端がセ
ンサケース２４の開口面と一致させられている。また、
センサケース２４の開口面と素子固定部材２２の底面と
の間は、発光素子２６および受光素子２８を保護するた
めに透明樹脂が充填され、素子固定部材２２の底面と基
板１６との間にも樹脂が充填されている。
【００１６】上記第１発光素子２６aは第１波長λ1とし
て730nmの波長の光を発光し、上記第２発光素子２６bは
第２波長λ2として830nmの波長の光を発光し、上記第３
発光素子２６cは第３波長λ3として660nmの波長の光を
発光する。図４は、光の波長と、酸素化ヘモグロビンお
よび無酸素化ヘモグロビンの吸光係数との関係を示す図
であり、一点鎖線は酸素化ヘモグロビンの吸光係数を示
し、実線は無酸素化ヘモグロビンの吸光係数を示してい
る。図４に示すように、第１波長λ1は、酸素化ヘモグ
ロビンと無酸素化ヘモグロビンとの吸光係数差が比較的
大きく、酸素飽和度によってヘモグロビンの吸光係数が
変化する波長である。第２波長λ2は、酸素化ヘモグロ
ビンの吸光係数と無酸素化ヘモグロビンの吸光係数とが
略同じであり、酸素飽和度によってヘモグロビンの吸光
係数が変化しない波長である。第３波長λ3は、第１波
長λ1よりも前記吸光係数差が大きい波長であり、酸素
飽和度によってヘモグロビンの吸光係数が変化する波長
として従来から用いられている波長である。この第３波
長λ3は、上記第１波長λ1として730nmの波長を用いた
ことによる効果を確認するための参照用の波長である。
て730nmの波長の光を発光し、上記第２発光素子２６bは
第２波長λ2として830nmの波長の光を発光し、上記第３
発光素子２６cは第３波長λ3として660nmの波長の光を
発光する。図４は、光の波長と、酸素化ヘモグロビンお
よび無酸素化ヘモグロビンの吸光係数との関係を示す図
であり、一点鎖線は酸素化ヘモグロビンの吸光係数を示
し、実線は無酸素化ヘモグロビンの吸光係数を示してい
る。図４に示すように、第１波長λ1は、酸素化ヘモグ
ロビンと無酸素化ヘモグロビンとの吸光係数差が比較的
大きく、酸素飽和度によってヘモグロビンの吸光係数が
変化する波長である。第２波長λ2は、酸素化ヘモグロ
ビンの吸光係数と無酸素化ヘモグロビンの吸光係数とが
略同じであり、酸素飽和度によってヘモグロビンの吸光
係数が変化しない波長である。第３波長λ3は、第１波
長λ1よりも前記吸光係数差が大きい波長であり、酸素
飽和度によってヘモグロビンの吸光係数が変化する波長
として従来から用いられている波長である。この第３波
長λ3は、上記第１波長λ1として730nmの波長を用いた
ことによる効果を確認するための参照用の波長である。
【００１７】図４に示すように、第1波長λ1と第3波長
λ3とでは、酸素化ヘモグロビンと無酸素化ヘモグロビ
ンとの吸光係数差は、第3波長λ3の方が大きく、第3波
長λ3の吸光係数差は第1波長λ1の吸光係数差の約２倍
である。従って、酸素飽和度SO2に対する感度は、第3波
長λ3の方がよい。しかし、第3波長λ3は、ヘマトクリ
ット値Hctに対する感度も第1波長λ1よりも良いため、
第3波長λ3を用いる場合には、ヘマトクリット値Hctの
変動によって酸素飽和度SO2が変動してしまう。一方、
第１波長λ1は、第３波長λ3よりも酸素飽和度SO2に対
する感度が悪いが、ヘマトクリット値Hctに対する感度
も悪いため、第１波長λ1を用いる場合には、酸素飽和
度SO2はヘマトクリット値Hctの影響を受けにくい。
λ3とでは、酸素化ヘモグロビンと無酸素化ヘモグロビ
ンとの吸光係数差は、第3波長λ3の方が大きく、第3波
長λ3の吸光係数差は第1波長λ1の吸光係数差の約２倍
である。従って、酸素飽和度SO2に対する感度は、第3波
長λ3の方がよい。しかし、第3波長λ3は、ヘマトクリ
ット値Hctに対する感度も第1波長λ1よりも良いため、
第3波長λ3を用いる場合には、ヘマトクリット値Hctの
変動によって酸素飽和度SO2が変動してしまう。一方、
第１波長λ1は、第３波長λ3よりも酸素飽和度SO2に対
する感度が悪いが、ヘマトクリット値Hctに対する感度
も悪いため、第１波長λ1を用いる場合には、酸素飽和
度SO2はヘマトクリット値Hctの影響を受けにくい。
【００１８】反射型プローブ１０の基板１６には、図３
に示すように、前記ケース２０によって保護される側の
面にアンプ部３６が設けられている。アンプ部３６は、
オペアンプすなわち増幅器３８、複数のチップ抵抗Ｒ、
および複数のチップコンデンサＣから成る。
に示すように、前記ケース２０によって保護される側の
面にアンプ部３６が設けられている。アンプ部３６は、
オペアンプすなわち増幅器３８、複数のチップ抵抗Ｒ、
および複数のチップコンデンサＣから成る。
【００１９】図５は、基板１６のアンプ部３６側の配線
パターンを示す図である。図５に示すように、基板１６
のアンプ部３６側には、配線パターンの所定の位置に、
第１チップ抵抗Ｒ１、第２チップ抵抗Ｒ２、第３チップ
抵抗Ｒ３、第１チップコンデンサＣ１、第２チップコン
デンサＣ２、第３チップコンデンサＣ３が固定されてい
る。そして、図２にも示すように、それらチップ抵抗Ｒ
およびチップコンデンサＣの上部にオペアンプ３８が配
置されている。また、配線パターンの左端の出力部(OU
T)４０、正電位部(V+)４２、接地電位部(GND)４４、負
電位部(V-)４６には、シールド線４８の所定の芯線また
はシールド線がそれぞれ接続されている。
パターンを示す図である。図５に示すように、基板１６
のアンプ部３６側には、配線パターンの所定の位置に、
第１チップ抵抗Ｒ１、第２チップ抵抗Ｒ２、第３チップ
抵抗Ｒ３、第１チップコンデンサＣ１、第２チップコン
デンサＣ２、第３チップコンデンサＣ３が固定されてい
る。そして、図２にも示すように、それらチップ抵抗Ｒ
およびチップコンデンサＣの上部にオペアンプ３８が配
置されている。また、配線パターンの左端の出力部(OU
T)４０、正電位部(V+)４２、接地電位部(GND)４４、負
電位部(V-)４６には、シールド線４８の所定の芯線また
はシールド線がそれぞれ接続されている。
【００２０】図６は基板１６のセンサ部１８側の配線パ
ターンを示す図である。図６において、配線パターンの
左端に設けられた接続部５０a乃至５０eは、図６では図
示していない前述のシールド線４８の所定の芯線が接続
される部分である。これら接続部５０a乃至５０eは、配
線パターンの他端において素子固定部材２２の所定の足
部３０と導通させられる。これにより、接続部５０aは
第１発光素子２６aの陰極と接続され、接続部５０bは第
２発光素子２６bの陰極と接続され、接続部５０cは第３
発光素子２６cの陽極と接続され、接続部５０dは第１発
光素子２６aおよび第２発光素子２６bの陽極と接続さ
れ、接続部５０eは第３発光素子２６cの陰極と接続され
ている。また、基板１６のセンサ部１８側の面の略中央
には、シールド導体５２が固定されている。このシール
ド導体５２は、アンプ部３６を覆うアルミ製のケース２
０と同様に、外来ノイズを遮蔽するものである。なお、
図７に反射型プローブ１０の回路図を示す。
ターンを示す図である。図６において、配線パターンの
左端に設けられた接続部５０a乃至５０eは、図６では図
示していない前述のシールド線４８の所定の芯線が接続
される部分である。これら接続部５０a乃至５０eは、配
線パターンの他端において素子固定部材２２の所定の足
部３０と導通させられる。これにより、接続部５０aは
第１発光素子２６aの陰極と接続され、接続部５０bは第
２発光素子２６bの陰極と接続され、接続部５０cは第３
発光素子２６cの陽極と接続され、接続部５０dは第１発
光素子２６aおよび第２発光素子２６bの陽極と接続さ
れ、接続部５０eは第３発光素子２６cの陰極と接続され
ている。また、基板１６のセンサ部１８側の面の略中央
には、シールド導体５２が固定されている。このシール
ド導体５２は、アンプ部３６を覆うアルミ製のケース２
０と同様に、外来ノイズを遮蔽するものである。なお、
図７に反射型プローブ１０の回路図を示す。
【００２１】図１に戻って、反射型プローブ１０の発光
素子２６は、駆動回路５４からの信号に従って、たとえ
ば数百Hz乃至数kHz程度の比較的高い周波数で一定時間
ずつ順に発光させられる。そのように発光素子２６が発
光させられると、受光素子２８には、第１波長λ1、第
２波長λ2、および第３波長λ3の後方散乱光が順次受光
される。受光素子２８に受光されたそれらの後方散乱光
は、反射型プローブ１０内に備えられたアンプ部３８に
おいて増幅された後、それら第１波長λ1、第２波長λ
2、および第３波長λ3の後方散乱光を表す第１光信号SV
1、第２光信号SV2、および第３光信号SV3がローパスフ
ィルタ５６へ出力される。ローパスフィルタ５６は、入
力された光信号SVから脈波の周波数よりも高い周波数を
有するノイズを除去し、そのノイズが除去された光信号
SVをデマルチプレクサ５８へ出力する。
素子２６は、駆動回路５４からの信号に従って、たとえ
ば数百Hz乃至数kHz程度の比較的高い周波数で一定時間
ずつ順に発光させられる。そのように発光素子２６が発
光させられると、受光素子２８には、第１波長λ1、第
２波長λ2、および第３波長λ3の後方散乱光が順次受光
される。受光素子２８に受光されたそれらの後方散乱光
は、反射型プローブ１０内に備えられたアンプ部３８に
おいて増幅された後、それら第１波長λ1、第２波長λ
2、および第３波長λ3の後方散乱光を表す第１光信号SV
1、第２光信号SV2、および第３光信号SV3がローパスフ
ィルタ５６へ出力される。ローパスフィルタ５６は、入
力された光信号SVから脈波の周波数よりも高い周波数を
有するノイズを除去し、そのノイズが除去された光信号
SVをデマルチプレクサ５８へ出力する。
【００２２】デマルチプレクサ５８は、後述の切換信号
SCにより発光素子２６の発光に同期して切り替えられる
ことにより、第１光信号SV1をサンプルホールド回路６
０およびA/D変換器６２を介して演算制御装置６４内のI
/Oポート６６へ逐次供給し、第２光信号SV2をサンプル
ホールド回路６8およびA/D変換器７０を介して上記I/O
ポート６６へ逐次供給し、第３光信号SV3をサンプルホ
ールド回路７２およびA/D変換器７４を介して上記I/Oポ
ート６６へ逐次供給する。上記サンプルホールド回路６
０、６８、７２は、入力された光信号SV1,SV2,SV3をA/D
変換器６２、７０、７４へ逐次供給する際に、前回出力
した光信号SV1,SV2,SV3についてのA/D変換器６２、７
０、７４における変換作動が終了するまで次に出力する
各光信号SV1,SV2,SV3をそれぞれ保持するためのもので
ある。
SCにより発光素子２６の発光に同期して切り替えられる
ことにより、第１光信号SV1をサンプルホールド回路６
０およびA/D変換器６２を介して演算制御装置６４内のI
/Oポート６６へ逐次供給し、第２光信号SV2をサンプル
ホールド回路６8およびA/D変換器７０を介して上記I/O
ポート６６へ逐次供給し、第３光信号SV3をサンプルホ
ールド回路７２およびA/D変換器７４を介して上記I/Oポ
ート６６へ逐次供給する。上記サンプルホールド回路６
０、６８、７２は、入力された光信号SV1,SV2,SV3をA/D
変換器６２、７０、７４へ逐次供給する際に、前回出力
した光信号SV1,SV2,SV3についてのA/D変換器６２、７
０、７４における変換作動が終了するまで次に出力する
各光信号SV1,SV2,SV3をそれぞれ保持するためのもので
ある。
【００２３】上記I/Oポート６６は、データバスライン
を介してCPU７６、ROM７８、ＲＡＭ８０、表示器８２と
それぞれ接続されている。ＣＰＵ７６は、ＲＡＭ８０の
記憶機能を利用しつつＲＯＭ７８に予め記憶されたプロ
グラムに従って測定動作を実行し、Ｉ／Ｏポート６６か
ら駆動回路５４へ指令信号SLDを出力して第１発光素子
２６a、第２発光素子２６b、第３発光素子２６cを数百H
z乃至数kHz程度の比較的高い周波数で一定時間ずつ順に
発光させる一方、それら第１発光素子２６a、第２発光
素子２６b、第３発光素子２６cの発光に同期して切換信
号SCを出力してデマルチプレクサ５８を切り替えること
により、第１光信号SV1をサンプルホールド回路６０
へ、第２光信号SV2をサンプルホールド回路６8へ、第３
光信号SV3をサンプルホールド回路７２へそれぞれ振り
分ける。また、CPU７６は、予めROM７８に記憶されたプ
ログラムに従って第１光信号SV1、第２光信号SV2、第３
光信号SV3がそれぞれ表す反射光強度に基づいて末梢血
管を流れる血液中の酸素飽和度SO2および末梢血管を流
れる血液のヘマトクリット値Hctを決定し、その決定し
た酸素飽和度SO2おおよびヘマトクリット値Hctを表示器
８２に表示させる。
を介してCPU７６、ROM７８、ＲＡＭ８０、表示器８２と
それぞれ接続されている。ＣＰＵ７６は、ＲＡＭ８０の
記憶機能を利用しつつＲＯＭ７８に予め記憶されたプロ
グラムに従って測定動作を実行し、Ｉ／Ｏポート６６か
ら駆動回路５４へ指令信号SLDを出力して第１発光素子
２６a、第２発光素子２６b、第３発光素子２６cを数百H
z乃至数kHz程度の比較的高い周波数で一定時間ずつ順に
発光させる一方、それら第１発光素子２６a、第２発光
素子２６b、第３発光素子２６cの発光に同期して切換信
号SCを出力してデマルチプレクサ５８を切り替えること
により、第１光信号SV1をサンプルホールド回路６０
へ、第２光信号SV2をサンプルホールド回路６8へ、第３
光信号SV3をサンプルホールド回路７２へそれぞれ振り
分ける。また、CPU７６は、予めROM７８に記憶されたプ
ログラムに従って第１光信号SV1、第２光信号SV2、第３
光信号SV3がそれぞれ表す反射光強度に基づいて末梢血
管を流れる血液中の酸素飽和度SO2および末梢血管を流
れる血液のヘマトクリット値Hctを決定し、その決定し
た酸素飽和度SO2おおよびヘマトクリット値Hctを表示器
８２に表示させる。
【００２４】図８は、上記演算制御装置６４の制御作動
の要部を説明するフローチャートである。まずステップ
（以下、ステップを省略する）Ｓ１では、第１波長λ1
の反射光を表す第１光信号SV1、第２波長λ2の反射光を
表す第２光信号SV2、第３波長λ3の反射光を表す第３光
信号SV3が読み込まれる。
の要部を説明するフローチャートである。まずステップ
（以下、ステップを省略する）Ｓ１では、第１波長λ1
の反射光を表す第１光信号SV1、第２波長λ2の反射光を
表す第２光信号SV2、第３波長λ3の反射光を表す第３光
信号SV3が読み込まれる。
【００２５】続くＳ２では、上記Ｓ１で読み込まれた第
１光信号SV1が表す第1波長λ1の反射光量I1に対する第
２光信号SV2が表す第２波長λ2の反射光量I2の反射光強
度比R(=I2/I1)が算出される。続いて、酸素飽和度算出
手段に相当するＳ３において、上記Ｓ２で算出された反
射強度比Rが式１に代入されて酸素飽和度SO2が算出され
る。 （式１） SO2 = Ａ＋Ｂ×Ｒ ここで、上記Ａ,Ｂは定数であり、血液を使用した実験
に基づいて予め決定されている。
１光信号SV1が表す第1波長λ1の反射光量I1に対する第
２光信号SV2が表す第２波長λ2の反射光量I2の反射光強
度比R(=I2/I1)が算出される。続いて、酸素飽和度算出
手段に相当するＳ３において、上記Ｓ２で算出された反
射強度比Rが式１に代入されて酸素飽和度SO2が算出され
る。 （式１） SO2 = Ａ＋Ｂ×Ｒ ここで、上記Ａ,Ｂは定数であり、血液を使用した実験
に基づいて予め決定されている。
【００２６】続くＳ４では、上記Ｓ１で読み込まれた第
３光信号SV3が表す第３波長λ3の反射光量I3に対する第
２光信号SV2が表す第２波長λ2の反射光量I2の比Ｒ’(=
I2/I 3、以下この比Ｒ’を参照反射光強度比という)が算
出される。続くＳ５では、上記Ｓ４で算出された参照反
射光強度比Ｒ’が式２に代入されて参照酸素飽和度SO2
(r)が算出される。この参照酸素飽和度SO2(r)は、酸素
飽和度によってヘモグロビンの吸光係数が変化する波長
として従来から用いられている第３波長λ3を用いたも
のであり、第１波長λ1を用いて算出された酸素飽和度S
O2と比較するために算出されるものである。なお、式２
においてＡ,Ｂは定数であり、式１と同じ値が用いられ
る。 （式２） SO2(r) = Ａ＋Ｂ×Ｒ’
３光信号SV3が表す第３波長λ3の反射光量I3に対する第
２光信号SV2が表す第２波長λ2の反射光量I2の比Ｒ’(=
I2/I 3、以下この比Ｒ’を参照反射光強度比という)が算
出される。続くＳ５では、上記Ｓ４で算出された参照反
射光強度比Ｒ’が式２に代入されて参照酸素飽和度SO2
(r)が算出される。この参照酸素飽和度SO2(r)は、酸素
飽和度によってヘモグロビンの吸光係数が変化する波長
として従来から用いられている第３波長λ3を用いたも
のであり、第１波長λ1を用いて算出された酸素飽和度S
O2と比較するために算出されるものである。なお、式２
においてＡ,Ｂは定数であり、式１と同じ値が用いられ
る。 （式２） SO2(r) = Ａ＋Ｂ×Ｒ’
【００２７】続くＳ６では、前記Ｓ１で読み込まれた第
２光信号SV2を正規化した正規化強度NIが算出される。
この正規化強度NIは、ミルクまたはイントラリビッドの
ような白色のものの反射光を計測することによって予め
設定された値を基準として算出される。
２光信号SV2を正規化した正規化強度NIが算出される。
この正規化強度NIは、ミルクまたはイントラリビッドの
ような白色のものの反射光を計測することによって予め
設定された値を基準として算出される。
【００２８】続くヘマトクリット値決定手段に相当する
Ｓ７では、上記Ｓ６で算出された正規化強度NIから、図
９に示す曲線C1に基づいてヘマトクリット値Hctが決定
される。図９には、ヘマトクリット値Hctと正規化強度N
Iとの関係に関して、C1からC7までの７本の曲線が示さ
れている。これら７本の曲線は、発光素子２６a、２６
b、２６cと受光素子２８との距離SDがそれぞれ異なって
いる場合におけるヘマトクリット値Hctと正規化強度NI
との関係であり、曲線C1が最も距離SDが短く、SD=1.8mm
であり、曲線C2,C3…と順に距離SDが大きくなり、曲線C
7が最も距離SDが大きく、SD=2.4mmである。本実施例の
反射型プローブ１０は、上記距離SDが1.8mmであること
から、曲線C1の関係を用いるのである。本実施例の反射
型プローブ１０において、上記距離SDを1.8mmとしたの
は、以下の理由による。図９の７本の曲線を比較する
と、ヘマトクリット値Hctが６％以上の領域において、
曲線C1が最も線形性が高い。従って、精度よくヘマトク
リット値Hctを決定するためには、上記距離SDをできる
だけ短くすることが好ましい。そこで、反射型プローブ
１０では上記距離SDを1.8mmとしたのである。
Ｓ７では、上記Ｓ６で算出された正規化強度NIから、図
９に示す曲線C1に基づいてヘマトクリット値Hctが決定
される。図９には、ヘマトクリット値Hctと正規化強度N
Iとの関係に関して、C1からC7までの７本の曲線が示さ
れている。これら７本の曲線は、発光素子２６a、２６
b、２６cと受光素子２８との距離SDがそれぞれ異なって
いる場合におけるヘマトクリット値Hctと正規化強度NI
との関係であり、曲線C1が最も距離SDが短く、SD=1.8mm
であり、曲線C2,C3…と順に距離SDが大きくなり、曲線C
7が最も距離SDが大きく、SD=2.4mmである。本実施例の
反射型プローブ１０は、上記距離SDが1.8mmであること
から、曲線C1の関係を用いるのである。本実施例の反射
型プローブ１０において、上記距離SDを1.8mmとしたの
は、以下の理由による。図９の７本の曲線を比較する
と、ヘマトクリット値Hctが６％以上の領域において、
曲線C1が最も線形性が高い。従って、精度よくヘマトク
リット値Hctを決定するためには、上記距離SDをできる
だけ短くすることが好ましい。そこで、反射型プローブ
１０では上記距離SDを1.8mmとしたのである。
【００２９】続くＳ８では、前記Ｓ３で算出された酸素
飽和度SO2、前記Ｓ５で算出された参照酸素飽和度SO2
(r)、および上記Ｓ７で決定されたヘマトクリット値Hct
が、表示器８２に表示される。このＳ８が実行される
と、続いて前記Ｓ１以下が繰り返し実行されることによ
り、連続的に酸素飽和度S02、ヘマトクリット値Hctが測
定できる。
飽和度SO2、前記Ｓ５で算出された参照酸素飽和度SO2
(r)、および上記Ｓ７で決定されたヘマトクリット値Hct
が、表示器８２に表示される。このＳ８が実行される
と、続いて前記Ｓ１以下が繰り返し実行されることによ
り、連続的に酸素飽和度S02、ヘマトクリット値Hctが測
定できる。
【００３０】図１０は、前記反射光強度比Ｒまたは参照
反射光強度比Ｒ’と、観血的手法により測定した酸素飽
和度との関係を示す図である。図１０に示すように、反
射強度比Ｒの方が、一本の直線で近似しやすい分布をし
ていることが分かる。
反射光強度比Ｒ’と、観血的手法により測定した酸素飽
和度との関係を示す図である。図１０に示すように、反
射強度比Ｒの方が、一本の直線で近似しやすい分布をし
ていることが分かる。
【００３１】表１は、図１０の関係を一次式で近似した
場合における、その一次式の傾きの二乗平均の平方根す
なわちRMS値を示す。RMS値が小さいほど、反射光強度比
Ｒまたは参照反射光強度比Ｒ’と観血的手法により測定
した酸素飽和度との関係が一次式でよく近似できること
を示している。また、観血的手法により測定される酸素
飽和度は信頼性が高いので、RMS値が小さいほど式１ま
たは式２から算出される酸素飽和度SO2または参照酸素
飽和度SO2(r)の信頼性が高いことになる。従って、表１
から、反射光強度比Ｒから算出された酸素飽和度SO2の
方が、参照反射光強度比Ｒ’から算出された参照反射光
強度比SO2(r)よりも信頼性が高いことが分かる。 （表１） ────────────────────────── 反射光強度Ｒ 参照反射光強度比Ｒ’ ────────────────────────── RMS値 ４．２４％ ６．４３％ ────────────────────────── （実験のデータ数ｎは、いずれもｎ＝３６５）
場合における、その一次式の傾きの二乗平均の平方根す
なわちRMS値を示す。RMS値が小さいほど、反射光強度比
Ｒまたは参照反射光強度比Ｒ’と観血的手法により測定
した酸素飽和度との関係が一次式でよく近似できること
を示している。また、観血的手法により測定される酸素
飽和度は信頼性が高いので、RMS値が小さいほど式１ま
たは式２から算出される酸素飽和度SO2または参照酸素
飽和度SO2(r)の信頼性が高いことになる。従って、表１
から、反射光強度比Ｒから算出された酸素飽和度SO2の
方が、参照反射光強度比Ｒ’から算出された参照反射光
強度比SO2(r)よりも信頼性が高いことが分かる。 （表１） ────────────────────────── 反射光強度Ｒ 参照反射光強度比Ｒ’ ────────────────────────── RMS値 ４．２４％ ６．４３％ ────────────────────────── （実験のデータ数ｎは、いずれもｎ＝３６５）
【００３２】上述のように、本実施例の波長の組み合わ
せによれば、反射強度比Ｒに対する酸素飽和度SO2の関
係の線形性が増し、式１より決定される酸素飽和度SO2
の精度が向上する。さらに、第１波長λ1に７３０nmを
使用することから、ヘマトクリット値Hctの変化が第１
光信号I1に与える影響が減少するので、式１により決定
される酸素飽和度SO2はヘマトクリット値Hctに関わらず
その精度が向上する。
せによれば、反射強度比Ｒに対する酸素飽和度SO2の関
係の線形性が増し、式１より決定される酸素飽和度SO2
の精度が向上する。さらに、第１波長λ1に７３０nmを
使用することから、ヘマトクリット値Hctの変化が第１
光信号I1に与える影響が減少するので、式１により決定
される酸素飽和度SO2はヘマトクリット値Hctに関わらず
その精度が向上する。
【００３３】また、本実施例によれば、第２波長λ2の
反射光を表す第２光信号SV2に基づいてヘマトクリット
値Hctが決定されるので、高精度なヘマトクリット値Hct
が決定できる。
反射光を表す第２光信号SV2に基づいてヘマトクリット
値Hctが決定されるので、高精度なヘマトクリット値Hct
が決定できる。
【００３４】また、本実施例によれば、発光素子２６
と、受光素子２８と、その受光素子２８から出力される
信号を増幅するオペアンプ３８とが、生体に装着される
反射型プローブ１０に一体的に構成されていることか
ら、受光素子２８とオペアンプ３８との距離が近くなる
ので、光信号SV1,SV2,SV3に混入するノイズが減少す
る。
と、受光素子２８と、その受光素子２８から出力される
信号を増幅するオペアンプ３８とが、生体に装着される
反射型プローブ１０に一体的に構成されていることか
ら、受光素子２８とオペアンプ３８との距離が近くなる
ので、光信号SV1,SV2,SV3に混入するノイズが減少す
る。
【００３５】以上、本発明の一実施例を図面に基づいて
説明したが、本発明は他の態様においても適用される。
説明したが、本発明は他の態様においても適用される。
【００３６】たとえば、前述の実施例では、第１発光素
子２６aは730nmの波長を発光する素子であった。すなわ
ち、第１波長λ1として730nmが用いられていたが、第１
波長λ1は、720nmから740nmの間の波長であればよい。
その理由は以下の通りである。すなわち、前述の実施例
では、第１発光素子２６aが発光する光は730nmの波長の
光であると説明したが、LED等の一般的な光源が発光す
る光の波長は一定の幅を有している。従って、第１発光
素子２６aは、より正確にいえば、730nmの波長を中心と
する一定の波長幅を有する光を発光する。そして、その
半値幅の範囲（発光強度が約半分に落ちる範囲）が720n
mから740nmである。この半値幅の範囲であれば、730nm
の波長の誤差範囲内であると考えられることから、720n
mから740nmの間の波長であればよいのである。
子２６aは730nmの波長を発光する素子であった。すなわ
ち、第１波長λ1として730nmが用いられていたが、第１
波長λ1は、720nmから740nmの間の波長であればよい。
その理由は以下の通りである。すなわち、前述の実施例
では、第１発光素子２６aが発光する光は730nmの波長の
光であると説明したが、LED等の一般的な光源が発光す
る光の波長は一定の幅を有している。従って、第１発光
素子２６aは、より正確にいえば、730nmの波長を中心と
する一定の波長幅を有する光を発光する。そして、その
半値幅の範囲（発光強度が約半分に落ちる範囲）が720n
mから740nmである。この半値幅の範囲であれば、730nm
の波長の誤差範囲内であると考えられることから、720n
mから740nmの間の波長であればよいのである。
【００３７】また、前述の実施例では、第２発光素子２
６bは830nmの波長を発光する素子であった。すなわち、
第２波長λ2として830nmが用いられていたが、第２波長
λ2として805nmが用いられてもよい。図４に示すよう
に、805nmは、酸素化ヘモグロビンと無酸素化ヘモグロ
ビンの吸光係数が等しい波長であることから、第２波長
λ2に805nmを用いると前記Ｓ７において決定されるヘマ
トクリット値Hctの精度が最も良くなる。なお、805nmの
波長の光を発光する発光素子では、半値幅が800nmから8
20nmとなることから、前段落と同様の理由により、第２
発光素子に800nmから820nmの波長の光を発光する素子を
用いても、805nmの波長の光を発光する素子を用いたも
のと略同様の効果が得られる。
６bは830nmの波長を発光する素子であった。すなわち、
第２波長λ2として830nmが用いられていたが、第２波長
λ2として805nmが用いられてもよい。図４に示すよう
に、805nmは、酸素化ヘモグロビンと無酸素化ヘモグロ
ビンの吸光係数が等しい波長であることから、第２波長
λ2に805nmを用いると前記Ｓ７において決定されるヘマ
トクリット値Hctの精度が最も良くなる。なお、805nmの
波長の光を発光する発光素子では、半値幅が800nmから8
20nmとなることから、前段落と同様の理由により、第２
発光素子に800nmから820nmの波長の光を発光する素子を
用いても、805nmの波長の光を発光する素子を用いたも
のと略同様の効果が得られる。
【００３８】また、前述の実施例の反射型オキシメータ
１２は実験用であり、第３波長λ3の光に基づいて参照
酸素飽和度SO2(r)を決定するために、第３発光素子２６
c、サンプルホールド回路７２、A/D変換器７４等が設け
られていたが、実際に患者の酸素飽和度SO2を測定する
装置には第３発光素子２６c、サンプルホールド回路７
２、A/D変換器７４等は不要である。
１２は実験用であり、第３波長λ3の光に基づいて参照
酸素飽和度SO2(r)を決定するために、第３発光素子２６
c、サンプルホールド回路７２、A/D変換器７４等が設け
られていたが、実際に患者の酸素飽和度SO2を測定する
装置には第３発光素子２６c、サンプルホールド回路７
２、A/D変換器７４等は不要である。
【００３９】また、前述の実施例では、反射型のプロー
ブ１０が用いられていたが、反射型プローブ１０に代え
て透過型のプローブが用いられても良い。透過型プロー
ブが用いられる場合には、前述の反射光強度Iに代えて
透過光の強度に基づいて酸素飽和度SO2やヘマトクリッ
ト値Hctを算出する。
ブ１０が用いられていたが、反射型プローブ１０に代え
て透過型のプローブが用いられても良い。透過型プロー
ブが用いられる場合には、前述の反射光強度Iに代えて
透過光の強度に基づいて酸素飽和度SO2やヘマトクリッ
ト値Hctを算出する。
【００４０】以上、本発明の実施例を図面に基づいて詳
細に説明したが、これはあくまでも一実施形態であり、
本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を加
えた態様で実施することができる。
細に説明したが、これはあくまでも一実施形態であり、
本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を加
えた態様で実施することができる。
【図１】反射型プローブを備えた反射型オキシメータの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】図1の反射型プローブの体表面側の平面図であ
る。
る。
【図３】図1の反射型プローブの断面図である。
【図４】光の波長と、酸素化ヘモグロビンおよび無酸素
化ヘモグロビンの吸光係数との関係を示す図である。
化ヘモグロビンの吸光係数との関係を示す図である。
【図５】基板のアンプ部側の配線パターンを示す図であ
る。
る。
【図６】基板のセンサ部側の配線パターンを示す図であ
る。
る。
【図７】反射型プローブの回路図である。
【図８】図1の演算制御装置の制御作動の要部を説明す
るフローチャートである。
るフローチャートである。
【図９】ヘマトクリット値Hctと正規化強度NIとの関係
を示す図である。
を示す図である。
【図１０】反射光強度比Ｒまたは参照反射光強度比Ｒ’
と、観血的手法により測定した酸素飽和度との関係を示
す図である。
と、観血的手法により測定した酸素飽和度との関係を示
す図である。
１０：反射型プローブ（測定子） １２：反射型オキシメータ（酸素飽和度測定装置） ２６：発光素子（光源） ２８：受光素子（光センサ） ３８：オペアンプ（増幅器） Ｓ３：酸素飽和度算出手段 Ｓ７：ヘマトクリット値決定手段
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G045 AA13 CA25 CA26 DB30 FA25 FA29 GC10 JA01 2G059 AA01 AA05 BB12 BB13 CC16 CC18 EE02 EE11 FF08 GG02 GG03 HH01 HH06 KK01 LL04 MM01 MM03 MM05 MM09 MM10 MM11 NN01 NN09 PP04 4C038 KK00 KK01 KL05 KL07 KM01 KY01 KY03 KY04
Claims (4)
- 【請求項１】 酸素飽和度によってヘモグロビンの吸光
係数が変化する第１波長の照射光および酸素飽和度によ
ってヘモグロビンの吸光係数が変化しない第２波長の照
射光を生体組織へ向かって照射する光源と、該第１波長
の二次光および該第２波長の二次光をそれぞれ検出して
それら第１波長の二次光および第２波長の二次光をそれ
ぞれ表す第１光信号および第２光信号を出力する光セン
サと、該第１光信号の強度と該第２光信号の強度との比
と酸素飽和度との間の予め設定された一次式を用い、前
記光センサから実際に出力された第１光信号および第２
光信号の強度に基づいて生体の酸素飽和度を算出する酸
素飽和度算出手段とを備えた酸素飽和度測定装置におい
て、 前記第１波長を７２０nmから７４０nmの間の波長とし、
前記第２波長を８００nmから８４０nmの間の波長とした
ことを特徴とする酸素飽和度測定装置。 - 【請求項２】 前記二次光とヘマトクリット値との予め
設定された関係を用い、前記光センサから出力された前
記第２光信号に基づいてヘマトクリット値を決定するヘ
マトクリット値決定手段をさらに備えたことを特徴とす
る請求項１記載の酸素飽和度測定装置。 - 【請求項３】 前記第２波長が８０５nmであることを特
徴とする請求項２に記載の酸素飽和度測定装置。 - 【請求項４】 前記光源と、前記光センサと、該光セン
サから出力される第１光信号および第２光信号を増幅し
て出力する増幅器とが、測定部位に装着される測定子に
一体的に構成されていることを特徴とする請求項１乃至
３記載の酸素飽和度測定装置。
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